JP2016099897A - 表示装置およびタッチ検出方法 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化を図ることが可能な表示装置およびタッチ検出方法を提供する。【解決手段】表示装置は、行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、画素配列の各行に配置され、対応する行に配置された複数の画素に走査信号を供給する複数の走査線と、画素配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の画素に、画像信号を供給する複数の信号線と、画素配列の列に配置され、タッチを検出するための駆動信号が供給される複数の共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）と、駆動信号を、それぞれ供給する複数の駆動端子ＴｘＰ１〜ＴｘＰ４を備えたタッチ用半導体装置７を備える。ここで、タッチ用半導体装置７の駆動端子ＴｘＰ１〜ＴｘＰ４の数が、画素配列に配置された複数の共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）の数よりも少ない。【選択図】図７

Description

本発明は、表示装置およびタッチ検出方法に関し、特に静電容量の変化に基づいて外部近接物体を検出可能なタッチ検出機能付き液晶表示装置およびタッチ検出方法に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着または一体化される。このように、タッチパネルが表示装置上に装着または一体化された液晶表示装置、すなわちタッチ検出機能付き液晶表示装置は、表示装置に各種のボタン画像等を表示させ、外部物体がボタン画像に近接したことをタッチパネルで検出する。これにより、タッチパネルを通常の機械式ボタンの代わりとして、情報入力の手段として用いることを可能としている。このようなタッチ検出機能付きの液晶表示装置は、キーボードやマウスのような情報入力の手段を必ずしも必要としないため、コンピュータのほか、携帯電話のような携帯情報端末などでも、使用が拡大する傾向にある。

タッチ検出装置の検出方式としては、光学式、抵抗式、静電容量式などのいくつかの方式が存在する。このなかで、静電容量式のタッチ検出装置は、比較的単純な構造を有し、低消費電力であるため、携帯情報端末などに用いられている。特許文献１および特許文献２には、静電容量式のタッチ検出装置が記載されている。

特開２００９−２４４９５８号公報 特開２０１３−１８２５４８号公報

静電容量式のタッチ検出装置においては、例えば、駆動電極と検出電極とが交差する交差部分における容量の値が、指等の外部物体が近接（接触を含む）することにより変化することを利用して、外部物体の近接を検出している。すなわち、駆動電極に駆動信号を供給したとき、検出電極に生じる検出信号に基づいて、外部物体の近接を検出している。タッチ検出装置では、このような駆動電極と検出電極とが、それぞれ複数個設けられ、互いに容量を形成するように順次配置される。

このようなタッチパネルの1つとして特許文献１に記載のインセルタッチパネルが挙げられる。このタッチパネルは共通電極をタッチ駆動電極と兼用しているため、画素基板上に設けられた駆動ドライバによりタッチ駆動電極が順次駆動されることが記載されている。

一方、オンセルやアウトセルなどのタッチパネルにおいてはタッチ駆動電極をタッチＩＣ（半導体集積回路装置）から駆動する方法が知られている。

タッチ検出装置において、駆動電極に供給される駆動信号は、半導体集積回路装置（以下、半導体装置と称する）によって形成される。半導体装置によって形成された駆動信号を、直接駆動電極へ供給することを考えた場合、駆動信号を出力する外部端子を、数多く半導体装置に設ける必要が生じる。特に、液晶表示画面のサイズが大きくなるのに応じて、タッチ検出装置に設けられる駆動電極の数も増大し、これに対応するために、半導体装置に要求される外部端子の数も増加することになる。

半導体装置の外部端子の数が増加することにより、半導体装置が大型化することになる。その結果として、半導体装置を実装する面積が増加し、タッチ検出機能付き液晶表示装置が大型化するという課題が生じる。また、駆動信号を出力する外部端子が増加することにより、外部端子と駆動電極とを電気的に接続する配線の数が増加し、配線を形成する領域が増加することになる。さらに、配線の数が増加することにより、領域に配線を配置する際の配線レイアウトの自由度が低下することが考えられる。

特許文献２には、例えば図２に、所謂自己容量型のタッチパネルが示されている。自己容量型のタッチパネルにおいては、１個の電極と接地電圧との間の容量を用いて、タッチの有無が検出される。すなわち、電極に駆動信号を供給し、その電極に生じる信号の変化を検出することにより、タッチの有無を検出する。特許文献２に示されている自己容量型のタッチパネルにおいても、タッチパネルの電極には、順次駆動信号が供給されている。

特許文献２では、駆動電極の数が増加することにより、駆動信号を形成する半導体装置が大型化することは認識されていない。

本発明の目的は、小型化を図ることが可能なタッチ検出機能付き液晶表示装置およびタッチ検出方法を提供することにある。

本発明の一態様に係わる表示装置は、行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、画素配列の各行に配置され、対応する行に配置された複数の画素に走査信号を供給する複数の走査線と、画素配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の画素に、画像信号を供給する複数の信号線と、画素配列の列に配置され、タッチを検出するための駆動信号が供給される複数のタッチ検出駆動電極と、駆動信号を、タッチ検出駆動電極に供給するための複数の駆動端子を備えた半導体装置と、を具備し、半導体装置の複数の駆動端子の数が、画素配列に配置された複数のタッチ検出駆動電極の数よりも少ない、ものである。

また、他の一態様として、表示装置は、複数の駆動端子と画素配列に配置された複数のタッチ検出駆動電極とに結合された第１選択回路を備え、半導体装置は第１選択回路を介してタッチ検出駆動電極に駆動信号を供給する。

また、他の一態様として、第１選択回路は、複数の駆動端子の数よりも多い数のタッチ検出駆動電極へ、駆動信号を供給し、駆動信号の供給に基づいたタッチの検出に従って、駆動端子の数に対応した数のタッチ検出駆動電極へ駆動信号を供給するようにしてもよい。

また、他の一態様として、半導体装置は、駆動信号の供給に基づいたタッチの検出により、タッチされた位置を含む領域に配置された、駆動端子の数に対応した数のタッチ検出駆動電極へ、駆動信号が供給されるように、第１選択回路を制御するようにしてもよい。

また、他の一態様として、表示装置は、複数の駆動端子に接続される複数の信号配線を備え、第１選択回路は、複数の信号配線のそれぞれと、１のタッチ検出駆動電極との間に接続され、半導体装置によって制御される複数の単位選択回路を備えるようにしてもよい。

また、他の一態様として、複数のタッチ検出駆動電極のそれぞれには、駆動信号が供給されることにより、タッチの有無に応じた検出信号が発生し、半導体装置は、検出信号を受信する複数の検出端子を備え、複数の検出端子の数は、画素配列に配置される複数のタッチ検出駆動電極の数よりも少なくてもよい。

また、他の一態様として、表示装置は、複数の検出端子と画素配列に配置された複数のタッチ検出駆動電極とに結合された第２選択回路を備え、第２選択回路は、複数のタッチ検出駆動電極に発生した検出信号を、複数の検出端子のうちの１の検出端子へ供給するようにしてもよい。

また、他の一態様として、複数の駆動端子のそれぞれと複数の検出端子のそれぞれとは、同じ共通端子であり、時分割的に、共通端子は駆動端子および検出端子として機能するようにしてもよい。

また、他の一態様として、タッチ検出駆動電極は画素電極が形成された基板と同一の基板上に形成され、第１選択回路は基板の短辺に沿った額縁領域に形成されており、かつタッチ検出駆動電極が映像表示用の共通電極としても兼用されるようにしてもよい。

また、他の一態様として、それぞれ列方向に延在し、行方向に配置された複数のタッチ検出駆動電極を備え、タッチ検出駆動電極に駆動信号を供給することにより、駆動信号が供給されるタッチ検出駆動電極の近傍領域がタッチされているか否かを示す検出信号に基づいて、タッチされている領域を検出するタッチ検出方法であって、複数のタッチ検出駆動電極に、駆動信号を供給することにより生成される検出信号に基づいて、タッチされている領域を含み、当該領域よりも大きな第１領域を検出する第１検出工程と、複数のタッチ検出駆動電極のうち、第１検出工程で検出された第１領域に配置される複数のタッチ検出駆動電極に、駆動信号を供給することにより生成される検出信号に基づいて、タッチされている領域を検出する第２検出工程を備えるようにしてもよい。

また、他の一態様として、第１検出工程においては、互いに隣接する複数のタッチ検出駆動電極に対して、共通の駆動信号が供給され、第２検出工程においては、互いに隣接する複数のタッチ検出駆動電極のそれぞれに、別々の駆動信号が供給されるようにしてもよい。

また、他の一態様として、それぞれ、駆動信号を出力する複数の駆動端子を有する半導体装置を備え、第１検出工程においては、複数の駆動端子のうちの１の駆動端子からの駆動信号が、共通の駆動信号として、互いに隣接する複数のタッチ検出駆動電極に供給され、第２検出工程においては、互いに隣接する複数のタッチ検出駆動電極のうちの１のタッチ検出駆動電極に、１の駆動端子からの駆動信号が供給され、複数の駆動端子のうちの他の駆動端子からの駆動信号が、互いに隣接する複数のタッチ検出駆動電極のうちの他のタッチ検出駆動電極に供給されるようにしてもよい。

また、他の一態様として、複数のタッチ検出駆動電極のそれぞれと交差するように、それぞれ行方向に延在し、列方向に配置された複数の検出電極を備え、第１検出工程および第２検出工程のそれぞれは、複数の検出電極における信号の変化を検出し、検出信号を形成する工程を備えるようにしてもよい。

また、他の一態様として、第１検出工程は、複数のタッチ検出駆動電極に駆動信号を供給した後、複数のタッチ検出駆動電極における信号の変化を検出し、検出信号を生成する工程を備え、第２検出工程は、第１領域に配置される複数のタッチ検出駆動電極に駆動信号が供給された後、第１領域に配置される複数のタッチ検出駆動電極における信号の変化を検出し、検出信号を生成する工程を備えるようにしてもよい。

また、他の一態様として、複数のタッチ検出駆動電極のそれぞれと交差するように、それぞれ行方向に延在し、列方向に配置された複数の検出電極を備え、第１検出工程は、複数のタッチ検出駆動電極に駆動信号を供給した後、複数のタッチ検出駆動電極における信号の変化を検出し、検出信号を生成する工程を備え、第２検出工程は、複数の検出電極における信号の変化を検出し、検出信号を形成する工程を備えるようにしてもよい。

また、他の一態様として、複数のタッチ検出駆動電極は、それぞれ、列方向に延在し、行方向に互いに隣接した複数のタッチ検出駆動電極を有する複数の領域に分けられ、複数の領域において、互いに隣接する領域間では互いに重なる重なり領域を有し、重なり領域には、少なくとも１個のタッチ検出駆動電極が含まれ、第１検出工程において、複数の領域における１の領域が、第１領域として検出されるようにしてもよい。

実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置の構成を示すブロック図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、静電容量型タッチ検出（相互容量方式）の基本原理を説明するための図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置を実装したモジュールの概略を示す平面図および断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置を実装したモジュールの概略を示す平面図および断面図である。 タッチ検出機能付き液晶表示装置を実装したモジュールの全体構成を模式的に示す斜視図 実施の形態１に係わる液晶素子配列の構成を示す回路図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の概略を示すブロック図である。 デコーダ回路によるデコードを説明する図である。 実施の形態１に係わる選択回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる選択回路の動作を説明する図である。 実施の形態１に係わる選択回路の動作を説明する図である。 実施の形態１に係わる選択回路の動作を説明する図である。 実施の形態１に係わる選択回路の動作を説明する図である。 実施の形態１に係わる選択回路およびレベルシフト＆バッファの構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の要部の構成を示すブロック図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、静電容量型タッチ検出（自己容量方式）の基本原理を説明するための図である。 実施の形態２に係わるタッチ制御装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態２に係わる液晶表示装置の要部の構成を示すブロック図である。 実施の形態３に係わる液晶表示装置の要部の構成を示すブロック図である。 実施の形態３に係わるタッチ検出方法を示すフローチャート図である。 （Ａ）〜（Ｄ）は、実施の形態４に係わる液晶表示装置の構成を示す模式図である。

以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施の形態１）
実施の形態１として、タッチ検出装置が、表示装置と一体化されたインセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。ここで、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置とは、タッチ検出装置に含まれる駆動電極および検出電極の少なくとも一方が、表示装置の液晶を介して対向する一対の基板間に設けられたタッチ検出機能付き液晶表示装置を意味する。実施の形態１においては、タッチ検出装置に含まれる駆動電極が、液晶を駆動する駆動電極としても用いられている場合を説明する。

＜全体構成＞
先ず、タッチ検出機能付き液晶表示装置１の全体構成の概要を、図１を用いて説明する。図１は、タッチ検出機能付き液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。タッチ検出機能付き液晶表示装置１は、液晶パネル（表示パネル）２、表示制御装置５、信号線セレクタ６、タッチ制御装置７およびゲートドライバ８を具備している。図１では、図面を見易くするために、液晶パネル２は、模式的に描かれており、液晶パネル部（表示パネル部）３とタッチ検出パネル部４を具備している。液晶パネル２の構成については、後で図３、図４、図５および図６を用いて説明する。

後述するが、これら液晶パネル部３とタッチ検出パネル部４は、駆動電極等一部の構成を共用している。液晶パネル部３には、ゲートドライバ８から走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐが供給され、さらに信号線セレクタ６を介して表示制御装置５から画像信号ＳＬｄ（０）〜ＳＬｄ（ｐ）が供給され、画像信号ＳＬｄ（０）〜ＶＬｄ（ｐ）に従った画像を表示する。タッチ検出パネル部４は、表示制御装置５から駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）が供給され、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）をタッチ制御装置７に出力する。

表示制御装置５は、制御部９および駆動回路１０を有しており、駆動回路１０は、画像信号を出力する信号線ドライバ１１と駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）を出力する駆動電極ドライバ１２とデコーダ回路２０とを有している。制御部９は、制御端子Ｔｔに供給されるタイミング信号および制御信号と、画像端子Ｔｄに供給される画像信号とを受け、画像端子Ｔｄに供給された画像信号に応じた画像信号Ｓｎを信号線ドライバ１１に供給する。信号線ドライバ１１は、制御部９から供給された画像信号Ｓｎを、特に制限されないが、時間的に多重化して、信号線セレクタ６へ出力する。すなわち、信号線ドライバ１１の１個の出力端子を見た場合、２つの画像信号を、時間的にずらしながら、１個の端子から出力する。

また、制御部９は、時間的に多重化された画像信号を、信号線セレクタ６において、互いに異なる信号線へ振り分けるための選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２を信号線セレクタ６に供給する。信号線セレクタ６は、多重化して供給された画像信号を、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２によって互いに異なる信号線へ振り分け、画像信号ＳＬｄ（０）〜ＳＬｄ（ｐ）として、液晶パネル部３に供給する。信号線セレクタ６は、液晶パネル部３の近傍に配置されている。このように、画像信号を時間的に多重化することにより、表示制御装置５と液晶パネル部３とを電気的に接続する配線の数を低減することが可能となる。言い換えるならば、表示制御装置５と液晶パネル部３との間を接続する配線の幅を広くし、画像信号の遅延を低減することが可能となる。

制御部９は、制御端子Ｔｔに供給されるタイミング信号および制御信号に基づいて、ゲートドライバ８にタイミング信号を供給する。ゲートドライバ８は、供給されたタイミング信号に基づいて、走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを発生し、液晶パネル部３に供給する。ゲートドライバ８によって発生される走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐは、例えば走査信号Ｖｓ０からＶｓｐに向かって順次ハイレベルとなるようなパルス信号である。

駆動回路１０内のデコーダ回路２０は、タッチ制御装置７から供給される状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を受け、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２をデコードして、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４を形成し、駆動電極ドライバ１２へ供給する。駆動電極ドライバ１２は、タッチ制御装置７から供給される駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４と駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４を受け、液晶パネル２に含まれている複数の駆動電極ＴＬ（ｉ、ｉ＝０〜ｐ：図３等参照）から、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２によって指定される駆動電極ＴＬ（ｉ）へ駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を、駆動信号Ｔｘ（ｉ）として供給する。

後で説明するが、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２は、駆動電極ＴＬ（ｉ、ｉ＝０〜ｐ）に駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が、駆動信号Ｔｘ（ｉ）として供給される状態を指定する信号である。状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２によって状態が指定されるという観点で見た場合、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２は、選択信号であると見なすことができる。この実施の形態１においては、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２は、２個であるため、デコーダ回路２０は、信号の論理値（電圧値）の組み合わせによって、４つの状態を表すことができる。言い換えるならば、４つの状態から１つを指定して、選択することができる。また、この実施の形態１においては、特に制限されないが、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４は、４個である。

この実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置１はインセルタイプであり、駆動電極ＴＬ（ｉ）がタッチ検出の駆動と液晶の駆動とに兼用されている。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｉ）は、画像（映像）表示のときには、液晶を駆動するための電界を、後で述べる画素電極との間で形成するように機能し、タッチ検出のときには、タッチ検出用の駆動信号を伝達するように機能する。そのため、本明細書においては、以降、駆動電極ＴＬ（ｉ）を共通電極ＴＬ（ｉ）と称する。また、共通電極ＴＬ（ｉ）が、タッチ検出用として機能する場合は、タッチ検出用であることを明示するために、タッチ検出駆動電極ＴＬ（ｉ）と称することもある。

図１には、共通電極ＴＬ（ｉ）に供給される信号のうち、タッチ検出用の駆動に用いられる駆動信号Ｔｘ（ｉ）のみが示されている。液晶パネル部３における液晶の画像表示とタッチ検出パネル部４におけるタッチ検出とは、時間的に重ならないように、時分割で行われる。ここでは、画像を表示する期間を表示期間と称し、タッチ検出を行う期間をタッチ検出期間と称する。

画像表示を行う表示期間においては、駆動電極ドライバ１２は、液晶を駆動するための駆動信号を液晶パネル２内の共通電極ＴＬ（ｉ）に供給し、タッチ検出を行うタッチ検出期間においては、タッチ検出のための駆動信号Ｔｘ（ｉ）を、液晶パネル２内の共通電極ＴＬ（ｉ）に供給する。表示期間においては、制御部９から、駆動電極ドライバ１２に対して、液晶を駆動するための駆動信号が、供給されることになるが、図１では図面が複雑になるのを避けるために、省略されている。勿論、駆動回路１０に、タッチ検出のための駆動電極ドライバと液晶を駆動するための駆動電極ドライバとを、別々に設けるようにしてもよい。また、制御部９は、表示期間とタッチ検出期間とを識別するタッチ−表示同期信号ＴＳＨＤを出力する。

タッチ制御装置７は、タッチ検出パネル部４からの検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を処理する検出信号処理部ＴＳと、共通電極ＴＬ（ｉ）を制御する駆動処理部ＤＳと、検出信号処理部ＴＳおよび駆動処理部ＤＳを制御する制御部１９とを具備している。ここで、検出信号処理部ＴＳは、タッチ検出パネル部４がタッチされたか否かを検出し、タッチされていた場合、タッチされた位置の座標を求める処理を行う。また、駆動処理部ＤＳは、タッチ検出パネル部４において、タッチを検出する領域を指定する処理と駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を形成する処理を行う。

まず、検出信号処理部ＴＳの概要について述べると、この検出信号処理部ＴＳは、タッチ検出パネル部４からの検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を受信し、受信した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を増幅するタッチ検出信号増幅部１３と、タッチ検出信号増幅部１３によって増幅されたアナログの検出信号をデジタル信号へ変換するアナログ／デジタル変換部（以下、Ａ／Ｄ変換部と称する）１４とを含んでいる。ここで、タッチ検出信号増幅部１３は、受信した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）から高い周波数の成分（ノイズ成分）を取り除き、増幅動作を行う。また、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、後で図２を用いて説明するが、共通電極ＴＬ（ｉ）に供給される駆動信号に応答して発生する。そのため、Ａ／Ｄ変換部１４は、駆動信号に同期して、タッチ検出信号増幅部１３からの増幅信号をサンプリングし、デジタル信号へ変換する。

図１には、駆動信号として、駆動信号Ｔｘ（ｉ）と駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４とが示されているが、タッチ検出期間においては、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４のいずれかが、駆動信号Ｔｘ（ｉ）として、共通電極ＴＬ（ｉ）に供給される。そのため、以下の説明においては、特に必要な場合を除き、タッチ検出駆動電極に供給される駆動信号を駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４として説明する。

検出信号処理部ＴＳは、Ａ／Ｄ変換部１４による変換動作によって得られたデジタル信号を受信し、当該デジタル信号に対して信号処理を行う信号処理部１５と、信号処理部１５の処理によって得られた信号から、タッチした位置の座標を抽出する座標抽出部１６とを有している。信号処理部１５で行われる信号処理としては、Ａ／Ｄ変換部１４で行ったサンプリングの周波数よりも高い周波数のノイズ成分を取り除き、タッチ検出パネル部４におけるタッチの有無を検出する処理が含まれる。座標抽出部１６により抽出されたタッチされた位置の座標は、制御部１９へ供給される。この実施の形態１においては、共通電極ＴＬ（ｉ）に、駆動信号を複数回供給し、駆動信号を供給する毎に発生する検出信号Ｒｘ（ｉ）に基づいて、タッチされた位置の座標が抽出され、出力端子Ｔｏｕｔから座標情報として出力される。

駆動処理部ＤＳは、制御部１９からの制御信号に応答して、共通電極ＴＬ（ｉ）を駆動するための駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を発生する駆動信号発生部１７と、制御部１９からの制御信号に応答して、状態信号（選択信号）Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を発生する駆動領域指定部１８とを備えている。

駆動信号発生部１７は、制御部１９からの制御信号に応答して、タッチ検出期間のとき、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を形成（発生）する。形成される駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４のそれぞれは、所定の周波数を有するクロック信号である。すなわち、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４のそれぞれの電圧は、所定の周期で変化する。

駆動領域指定部１８は、制御部１９から供給される制御信号に従って、タッチ検出期間のとき、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を形成する。このとき、駆動領域指定部１８において形成する状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２のそれぞれの論理値（電圧値）は、座標抽出部１６から制御部１９へ供給される処理結果に基づいて定められる。すなわち、制御部１９は、座標抽出部１６から供給された処理結果に基づいて、駆動領域指定部１８が形成する状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２の論理値を指定する。

制御部１９は、表示制御装置５の制御部９から出力されているタッチ−表示同期信号ＴＳＨＤを受信し、このタッチ−表示同期信号ＴＳＨＤがタッチ検出期間を表しているときに、駆動処理部ＤＳが処理を行うように制御する。また、タッチ検出期間において、タッチ検出信号増幅部１３が受信した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を変換し、タッチした位置の座標が抽出されるように、Ａ／Ｄ変換部１４、信号処理部１５および座標抽出部１６を制御する。

＜静電容量型タッチ検出（相互容量方式）の基本原理＞
図２（Ａ）〜（Ｃ）は、実施の形態１において用いられている静電容量型タッチ検出の基本原理を示す模式図である。図２（Ａ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、液晶パネル２に設けられた共通電極であり、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、タッチ検出パネル部４に設けられた検出電極である。図２（Ａ）において、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、列方向に延在し、行方向に平行して配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように、行方向に延在し、列方向に平行して配置されている。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との間に隙間が生じるように、検出電極ＲＬ（０）〜Ｒ（ｐ）は、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の上方に形成されている。

図２（Ａ）において、１２−０〜１２−ｐのそれぞれは、駆動電極ドライバ１２内に設けられている単位バッファを示している。すなわち、単位バッファ１２−０〜１２−ｐから、駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）が出力される。また、１３−０〜１３−ｐのそれぞれは、タッチ検出信号増幅部１３内の単位増幅部を示している。図２（Ａ）において、実線の○で囲んだパルス信号は、駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）となる駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４の電圧波形を示している。図２（Ａ）では、駆動信号Ｔｓｉｇ１の電圧波形のみが示されているが、駆動信号Ｔｓｉｇ２〜Ｔｓｉｇ４も同様な波形を有している。外部物体として、同図では、指がＦＧとして示されている。

状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２により指定された共通電極、この例では共通電極ＴＬ（２）に駆動信号Ｔｓｉｇ１が駆動電極ドライバ１２から駆動信号Ｔｘ（２）として供給される。共通電極ＴＬ（２）にクロック信号である駆動信号Ｔｓｉｇ１を供給することにより、図２（Ｂ）に示すように、共通電極ＴＬ（２）と交差する検出電極ＲＬ（ｎ）との間で電界が発生する。このとき、指ＦＧが、液晶パネル２の共通電極ＴＬ（２）に近接している位置をタッチしていると、指ＦＧと共通電極ＴＬ（２）との間でも電界が発生し、共通電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間で発生している電界が減少する。これにより、共通電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間の電荷量が減少する。その結果、図２（Ｃ）に示すように、駆動信号Ｔｓｉｇ１の供給に応答して生じる電荷量は、指ＦＧがタッチしているときは、タッチしていないときに比べてΔＱだけ減少する。電荷量の差は、電圧の差として検出信号Ｒｘ（ｎ）に表れ、タッチ検出信号増幅部１３内の単位増幅部１３−ｎに供給され、増幅される。

なお、図２（Ｃ）において、横軸は時間を示しており、縦軸は電荷量を示している。駆動信号Ｔｓｉｇ１の立ち上がり、すなわち駆動信号Ｔｘ（２）の電圧の立ち上がりに応答して、電荷量は、増加（同図において、上側に増加）し、駆動信号Ｔｘ（２）の電圧の立ち下がりに応答して、電荷量は、増加（同図において、下側に増加）する。このとき、指ＦＧのタッチの有無によって、増加する電荷量が変わる。また、この図面では、電荷量が、上側に増加した後、下側へ増加する前に、リセットが行われており、同様に、電荷量が下側へ増加した後、上側へ増加する前に、電荷量のリセットが行われている。このようにして、リセットされた電荷量を基準として、上下に電荷量が変化する。

状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２により指定した共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を供給することにより、指定した共通電極と交差する複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれから、それぞれの交差部分に近接した位置に指ＦＧがタッチしているか否かに応じた電圧値を有する検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が出力されることになる。Ａ／Ｄ変換部１４（図１）は、指ＦＧがタッチしているか否かにより、電荷量に差ΔＱが生じている時刻において、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）のそれぞれをサンプリングし、デジタル信号へ変換する。

＜モジュール＞
図３（Ａ）は、実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置１を実装したモジュールの概略を示す平面図である。また、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）におけるＢ−Ｂ’の断面図である。

液晶パネル２は、同図において縦方向に延在し、横方向に並列的に配置された信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と、これらの信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）の延在方向と同じ方向に延在する複数の共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）とを具備している。すなわち、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれも、同図において縦方向に延在し、横方向に並列的に配置されている。なお、選択信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐが供給される走査線および検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を伝達する検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、同図において、横方向に延在し、縦方向に並列的に配置されているが、図３（Ａ）では省略されている。

図１で説明した表示制御装置５および信号線セレクタ６は、液晶パネル２の短辺側に配置されている。すなわち、表示制御装置５および信号線セレクタ６は、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）および共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と直交する方向に延在している。信号線セレクタ６は、液晶パネル２と同じ基板に形成されており、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）および共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、信号線セレクタ６に接続されており、表示制御装置５から出力される画像信号および駆動信号は、信号線セレクタ６を介して液晶パネル２の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）および共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に供給されている。ここで、表示制御装置５から信号線セレクタ６へ供給される信号は、画像信号と、駆動信号と、選択信号である。液晶パネル２は、カラー表示を行うため、表示制御装置５から信号線セレクタ６へ供給される画像信号は、３原色に相当するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画像信号であり、同図ではＲ／Ｇ／Ｂとして示されている。また、同図では、駆動信号はＴｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）として示され、選択信号はＳＥＬ１、ＳＥＬ２として示されている。

信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）のそれぞれは、ガラス基板であるＴＦＴ基板３００の一主面に形成されている。図３に示したモジュールにおいては、１個の共通電極（例えば、共通電極ＴＬ（０））に対して、複数の信号線（例えば、信号線ＳＬ（０）０、ＳＬ（０）１）が対応しており、それぞれの信号線ＳＬ（０）０、ＳＬ（０）１は、画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する３個の信号線を含んでいる。図３（Ｂ）には、信号線ＳＬ（０）０に含まれる画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）と、信号線ＳＬ（１）に含まれる画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する信号線ＳＬ（１）０（Ｒ）、ＳＬ（１）０（Ｇ）、ＳＬ（１）０（Ｂ）とが示されている。

ここで、本明細書で用いている、信号線の表記方法について説明をしておく。信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）および信号線ＳＬ（１）０（Ｒ）を例にして説明すると、先ず（）内の数字は、対応する共通電極の番号を示しており、次の数字は、対応する共通電極における画素の番号を示しており、（）内の英字は、画素の三原色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を示している。すなわち、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）は、共通電極ＴＬ（０）に対応した信号線であり、０番目の画素で、三原色の赤に対応した画像信号を伝達する信号線を示している。同様に、信号線ＳＬ（１）０（Ｒ）は、共通電極ＴＬ（０）の隣に配置されたところの共通電極ＴＬ（１）に対応した信号線であり、０番目の画素で、三原色の赤に対応した画像信号を伝達する信号線を示している。そのため、図３（Ｂ）に示しているＳＬ（１）１（Ｒ）およびＳＬ（１）１（Ｇ）のそれぞれは、共通電極ＴＬ（１）に対応した信号線であり、１番目の画素の三原色の赤および緑に対応した画像信号を伝達する信号線を表していることになる。

図３（Ｂ）には、画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）等の一主面と、ＴＦＴ基板３００の一主面には、さらに絶縁層３０１が形成され、絶縁層３０１上に共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が形成されている。これらの共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれには、補助電極ＳＭが形成され、補助電極ＳＭは、共通電極と電気的に接続され、共通電極の電気抵抗の低減を図っている。共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と補助電極ＳＭの上面には、絶縁層３０２が形成され、絶縁層３０２の上面には画素電極ＬＤＰが形成されている。図３（Ｂ）において、ＣＲ、ＣＢ、ＣＧのそれぞれは、カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＲ（赤）、ＣＧ（緑）、ＣＢ（青）と絶縁層３０２との間には液晶層３０３が挟まれている。ここで、画素電極ＬＤＰは、走査線と信号線との交点に設けられており、各画素電極ＬＤＰの上方に、それぞれの画素電極ＬＤＰに対応したカラーフィルタＣＲ、ＣＧあるいはＣＢが設けられている。各カラーフィルタＣＲ、ＣＧ、ＣＢ間にはブラックマトリクスＢＭが設けられている。

図４は、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との関係を示す模式図である。図４（Ａ）に示すように、カラーフィルタＣＲ、ＣＧ、ＣＢの上方面には、ガラス基板であるＣＦガラス基板４００が設けられ、ＣＦガラス基板４００の上方面に、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）が形成されている。さらに、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の上方には偏光板４０１が形成されている。なお、ここでは、図４（Ａ）に示すように、同図において上側から目視される場合を例にしているため、上方面として述べているが、目視の方向が変わることにより、上方面は、下方面あるいは側方面となることは言うまでもない。また、図４（Ａ）においては、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との間に形成される容量素子の電極が破線で描かれている。

図３（Ａ）および図４（Ｃ）に示すように、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）および共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、縦方向、すなわち長辺方向に延在し、横方向、すなわち短辺方向に並列に配置されている。これに対して、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、図４（Ｂ）に示すように、ＣＦガラス基板４００に設けられ、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように配置されている。すなわち、図４（Ｂ）において、横方向（短辺）に延在し、縦方向（長辺）に並列的に配置されている。この検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれからの検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、タッチ制御装置７へ供給される。

平面視で見た場合、図３（Ａ）に示すように、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、平行して、延在していると見なすことができる。なお、ここで「平行して」とは、互いに一端から他端に亘るまで交わることなく延在することをいうのであって、一方の線の一部又は全部が他方の線に対して傾いた状態で設けられていたとしても、これらの線が一端から他端まで交わるものでなければ、この状態を「平行である」とする。

また、信号線セレクタ６および表示制御装置５を基点として、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の配置を捉えた場合、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、基点である信号線セレクタ６および表示制御装置５から遠ざかる方向に延在していると見なすことができる。この場合、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）も、基点である信号線セレクタ６および表示制御装置５から遠ざかる方向に延在していると見なすことができる。

なお、図４（Ａ）では、図３（Ｂ）に示した信号線および画素電極ＬＤＰは省略されている。

（モジュールの全体構成）
図５は、タッチ検出機能付き液晶表示装置１を実装したモジュール５００の全体構成を模式的に示す斜視図である。モジュール５００においては、図３（Ｂ）で説明したように、液晶層３０３等を挟む様にして、ＣＦガラス基板４００が、ＴＦＴ基板３００に積層されている。図５においては、ＴＦＴ基板３００上に形成されている共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）およびＣＦガラス基板４００上に形成されている検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を明示するために、液晶層３０３等は省略されている。

この実施の形態１においては、図１で説明したタッチ制御装置７は、１個の半導体装置により構成されている。図５において、７は、図１に示したタッチ制御装置７を構成している半導体装置（以下、タッチ用半導体装置とも称する）を示している。タッチ用半導体装置７は、特に制限されないが、ＴＦＴ基板３００に固定されたフレキシブル基板５０１に固定されている。フレキシブル基板５０１には、コネクタ５０３が設けられており、このコネクタ５０３には、タッチ用のフレキシブル基板５０２の一方の端部が装着される。タッチ用のフレキシブル基板５０２の他方の端部は、ＣＦガラス基板４００に配置され、信号配線５０４を介して検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）に電気的に接続されている。コネクタ５０１は、タッチ用半導体装置７の端子に接続されている。これにより、図１で説明したように、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、タッチ用のフレキシブル基板５０２およびコネクタ５０３を介して、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）からタッチ用半導体装置７へ伝達される。

図１で説明した表示制御装置５は、特に制限されないが、１個の半導体装置（以下、ドライブ用半導体装置とも称する）と、複数の半導体素子とを組み合わせることにより構成されている。ここで述べている半導体素子は、後で説明するスイッチを構成する電界効果型トランジスタ（以下、ＭＯＳＦＥＴと称する）である。図５において、５０６は、図１で説明した表示制御装置５を構成するドライブ用半導体装置を示しており、ＴＦＴ基板３００に設けられている。この実施の形態１においては、ドライブ用半導体装置５０６は、Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ（ＣＯＧ）として形成されている。表示制御装置５を構成するために、ドライブ用半導体装置５０６と組み合わせられる半導体素子（ＭＯＳＦＥＴ）は、この実施の形態１においては、モジュール５００の小型化を図るために、ドライブ用半導体装置５０６とＴＦＴ基板３００との間に挟まれるように、形成されている。すなわち、図５において、上面側からモジュール５００を見たとき、ドライブ用半導体装置５０６によって、複数の半導体素子が覆われるように、半導体素子は配置されている。

表示制御装置５を構成するタッチ用半導体装置５０６および半導体素子は、フレキシブル基板５０１を介して、タッチ用半導体装置７の外部端子に電気的に接続されている。これにより、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４および状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２が、タッチ用半導体装置７の外部端子から、表示制御装置を構成するタッチ用半導体装置５０６および半導体素子へ供給される。なお、図５においては、図１に示したゲートドライバ８および信号線セレクタ６は、省略されている。

図５においては、ドライバ用半導体装置５０６が１個の例を示しているが、勿論複数のドライバ用半導体装置を用いるようにしてもよいし、ドライバ用半導体装置５０６によって覆われるように配置されている半導体素子を、ドライバ用半導体装置５０６に内蔵させるようにしてもよい。

＜液晶素子（画素）配列＞
図６は、液晶パネル２の回路構成を示す回路図である。同図において、一点鎖線で示した複数個のＳＰｉｘのそれぞれは、１個の液晶表示素子を示している。液晶表示素子ＳＰｉｘは、液晶パネル２において、行列状に配置され、液晶素子配列ＬＣＤを構成している。液晶素子配列ＬＣＤは、各行に配置され、行方向に延在する複数の走査線ＧＬ０〜ＧＬｐと、各列に配置され、列方向に延在する信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）〜ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｒ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｇ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｂ）とを具備している。また、液晶素子配列ＬＣＤは、各列に配置され、列方向に延在する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を有している。図６には、走査線ＧＬ０〜ＧＬ２と、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）〜ＳＬ（１）０（Ｒ）、ＳＬ（１）０（Ｇ）、ＳＬ（１）０（Ｂ）と、共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）に関する液晶素子配列の部分が示されている。

図６においては、説明を容易にするために、共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）が、それぞれの列に配置されているように、示されているが、図３（Ａ）および（Ｂ）において説明したように、複数の信号線に対して１個の共通電極が配置されているものと理解されたい。勿論、図６に示すように、液晶素子配列ＬＣＤのそれぞれの列に共通電極を配置してもよい。いずれにおいても、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、信号線と平行するように、液晶素子配列ＬＣＤの列に配置されている。

液晶素子配列ＬＣＤの行と列の交点に配置されたそれぞれの液晶表示素子ＳＰｉｘは、ＴＦＴガラス基板３００に形成された薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒのソースに一方の端子が接続された液晶素子ＬＣとを具備している。液晶素子配列ＬＣＤにおいて、同じ行に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘの薄膜トランジスタＴｒのゲートは、同じ行に配置されている走査線に接続され、同じ列に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘの薄膜トランジスタＴｒのドレインは、同じ列に配置された信号線に接続されている。言い換えるならば、複数の液晶表示素子ＳＰｉｘが、行列状に配置され、各行には、走査線が配置され、走査線には、対応する行に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘが接続されている。また、各列には信号線が配置され、信号線には、対応する列に配置された液晶表示素子ＳＰｉｘが接続されている。また、同じ列に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘの液晶素子ＬＣの他端は、列に配置された共通電極に接続されている。

図６に示した例で説明すれば、同図において、最上段の行に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘのそれぞれの薄膜トランジスタＴｒのゲートは、最上段の行に配置された走査線ＧＬ０に接続されている。また、同図において、最も左側の列に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘのそれぞれの薄膜トランジスタＴｒのドレインは、最も左側の列に配置された信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）に接続されている。また、最も左側に列に配置された複数の液晶表示素子ＳＰｉｘのそれぞれの液晶素子の他端は、図６においては、最も左側に配置された共通電極ＴＬ（０）に接続されている。先にも述べたように、１個の共通電極が、複数の信号線に対応している。そのため、図６に示した例では、共通電極ＴＬ（０）は、３列に対して共通の共通電極となっていると見なすことができる。

１個の液晶表示素子ＳＰｉｘが、先に述べた１個の副画素（サブ画素）に対応する。従って、３個の液晶表示素子ＳＰｉｘによって、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色の副画素が構成される。図６では、同じ行に、連続的に配置された３個の液晶表示素子ＳＰｉｘによって、１つの画素Ｐｉｘが形成され、当該画素Ｐｉｘにてカラーが表現されるものとなる。すなわち、図６において、６００Ｒとして示されている液晶表示素子ＳＰｉｘが、Ｒ（赤）の副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）とされ、６００Ｇとして示されている液晶表示素子ＳＰｉｘが、Ｇ（緑）の副画素ＳＰｉｘ（Ｇ）とされ、６００Ｂとして示されている液晶表示素子ＳＰｉｘが、Ｂ（青）の副画素ＳＰｉｘ（Ｂ）とされる。そのために、６００Ｒとして示されている副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）には、カラーフィルタとして赤色のカラーフィルタＣＲが設けられており、６００Ｇの副画素ＳＰｉｘ（Ｇ）には、カラーフィルタとして緑色のカラーフィルタＣＧが設けられており、６００Ｂの副画素ＳＰｉｘ（Ｂ）には、カラーフィルタとして青色のカラーフィルタＣＢが設けられている。

また、１つの画素を表す信号のうち、Ｒに対応する画像信号が、信号線セレクタ６から、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）に供給され、Ｇに対応する画像信号が、信号線セレクタ６から、信号線ＳＬ（０）０（Ｇ）に供給され、Ｂに対応する画像信号が、信号線セレクタ６から、信号線ＳＬ（０）０（Ｂ）に供給される。

各液晶表示素子ＳＰｉｘにおける薄膜トランジスタＴｒは、特に制限されないが、Ｎチャンネル型のＭＯＳＦＥＴである。走査線ＧＬ０〜ＧＬｐには、例えばこの順番で順次ハイレベルとなるパルス状の走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐ（図１）が、ゲートドライバ８から供給される。すなわち、液晶素子配列ＬＣＤにおいて、上段の行に配置された走査線ＧＬ０から下段の行に配置された走査線ＧＬｐに向かって、走査線の電圧が、順次ハイレベルとなる。これにより、液晶素子配列ＬＣＤにおいて、上段の行に配置された液晶表示素子ＳＰｉｘから下段の行に配置された液晶表示素子ＳＰｉｘに向かって、液晶表示素子ＳＰｉｘにおける薄膜トランジスタＴｒが、順次オン状態となる。薄膜トランジスタＴｒがオン状態となることにより、そのとき信号線に供給されている画素信号が、オン状態の薄膜トランジスタを介して、液晶素子ＬＣに供給される。液晶素子ＬＣに供給された画素信号の値に従って、液晶素子ＬＣにおける電界が変化し、その液晶素子ＬＣを透過する光の変調が変わる。これにより、走査線ＧＬ０〜ＧＬｐに供給する走査信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐに同期して、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）〜ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｒ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｇ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｂ）に供給した画像信号に応じたカラー画像が、液晶パネル２に表示されることになる。

ここで、図３および図４に示したモジュールの配置と、図６に示した回路図との対応を述べておくと、次のようになる。液晶素子配列ＬＣＤは行に沿った２つの辺と列に沿った２つの辺とを有している。行に沿った２つの辺のうちの一方の辺に、図３および図４において示した信号線セレクタ６（図３）およびドライバ用半導体装置５（図４）が、配置される。すなわち、図６において、下側で、横方向に延在するように、信号線セレクタ６（図３）は、配置され、さらに信号線セレクタ６（図３）の下側にドライバ用半導体装置５（図４）が配置される。また、図１に示したゲートドライバ８は、液晶素子配列ＬＣＤの２つの列に沿った２辺にそれぞれ配置される。

１個の画素を構成する副画素の数が、３個の場合を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば上記ＲＧＢに加えて白（Ｗ）や黄色（Ｙ）、又はＲＧＢの補色（シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ））のいずれか１色又は複数色を加えた副画素で１つの画素としてもよい。

１個の液晶表示素子が、１個のサブ画素に対応している。そのため、液晶表示素子をサブ画素と見なすことにより、液晶素子配列ＬＣＤは、画素配列と見なすこともできる。また、３個のサブ画素により１個の画素が構成されているため、液晶表示配列ＬＣＤは、行列状に配置された複数の画素により構成された画素配列とも見なすこともできる。

＜液晶表示装置の構成の概要＞
図７は、実施の形態１に係わる液晶表示装置の概略を示すブロック図である。同図において、７００は、ＴＦＴ基板３００において共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が形成されている領域を示している。図７には、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）までの８本の共通電極が示されている。なお、この図７では、走査線ＧＬ０〜ＧＬｐ、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）〜ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｒ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｇ）、ＳＬ（ｐ）ｐ（Ｂ）および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は省略されている。

タッチ用半導体装置７は、タッチ検出期間において、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を出力する外部端子（駆動端子）として、４個の外部端子（駆動端子）ＴｘＰ１〜ＴｘＰ４を備えている。また、タッチ用半導体装置７は、タッチ検出期間において、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を出力するための外部端子として２個の外部端子ＳｔＰ１、ＳｔＰ２を備えている。タッチ検出期間において、４個の外部端子ＴｘＰ１〜ＴｘＰ４のそれぞれから、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が、出力され、駆動電極ドライバ１２（図１）へ供給される。また、タッチ検出期間において、２個の外部端子ＳｔＰ１、ＳｔＰ２のそれぞれから、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２がデコーダ回路２０へ出力される。

この実施の形態１においては、特に制限されないが、ドライバ用半導体装置５０６が、図１に示した制御部９、信号線ドライバ１１およびデコーダ回路２０を含んでいる。図７には示していないが、駆動電極ドライバ１２（図１）は、ドライバ用半導体装置５０６とＴＦＴ基板３００との間に形成された半導体素子（ＭＯＳＦＥＴ）によって、構成されている。この実施の形態１においては、駆動電極ドライバ１２が、後で説明する選択回路ＴＳＣ（第１選択回路）を含んでいる。説明の都合上、選択回路ＴＳＣは、図７に明示されているが、ドライバ用半導体装置５０６とＴＦＴ基板３００との間に形成された半導体素子によって構成されているものと理解して頂きたい。また、図７において、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）およびドライバ用半導体装置５０６の配置は、実際の配置に合わせて描かれている。選択回路ＴＳＣとそれを覆うように設けられたドライバ用半導体装置５０６は、ＴＦＴ基板３００の短辺に沿った額縁に対応する領域に形成されている。

タッチ検出期間において、タッチ用半導体装置７から出力された状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２は、ドライバ用半導体装置５０６内のデコーダ回路２０によってデコードされ、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４が形成される。形成された駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４が、選択回路ＴＳＣに供給され、選択回路ＴＳＣは駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４によって制御される。選択回路ＴＳＣを制御すると言う観点で見た場合、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４は、選択信号であると見なすことができる。

選択回路ＴＳＣは、互いに類似した構成を有する８個の単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７を備えている。８個の単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７のそれぞれは、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）のそれぞれと１対１に対応している。例えば、単位選択回路ＵＴＳ０は、共通電極ＴＬ（０）に対応し、単位選択回路ＵＴＳ１は、共通電極ＴＬ（１）に対応している。以下同様にして、単位選択回路と共通電極とは、１対１に対応している。

駆動電極ドライバ１２に含まれる選択回路ＴＳＣは、タッチ用半導体装置７の外部端子ＴｘＰ１〜ＴｘＰ４にそれぞれ接続された信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４および電圧配線ＬＶＳを有している。この信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４および電圧配線ＬＶＳも、実際の配置に合わせて描かれている。すなわち、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４および電圧配線ＬＶＳは、液晶素子配列ＬＣＤ（図６）の行と平行して延在するように配置されている。

信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４および電圧配線ＬＶＳ、スイッチＴＳ１〜ＴＳ４を、ＴＦＴ基板３００に設けられたディスプレイ表示用のテスト回路、例えばソース信号線のテスト回路と兼用することが好ましい。またこれらを含む選択回路ＴＳＣをドライバ用半導体装置と平面視で重畳するように重ねて配置することが好ましい。このようにすることで追加で設置する回路を減らせる他、額縁領域のレイアウトスペースを大幅に縮小することができる。

本実施形態においては、共通電極をソース信号線に平行な向きに延在するようにパターン分割させているため、パネルの上下方向から共通電極のタッチ駆動を行うことが可能な設計となっている。このため、タッチ用半導体装置から共通電極が制御できるとともに、額縁回路を低減させやすい設計となっている。

８個の単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７のそれぞれは、それぞれに対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）と、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４と電圧配線ＬＶＳとの間に接続され、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４の論理値に従って、対応する共通電極を信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４または電圧配線ＬＶＳへ電気的に接続する。信号配線ＬＴＸ１は、タッチ用半導体装置７の外部端子ＴｘＰ１に接続され、信号配線ＬＴＸ２は、タッチ用半導体装置７の外部端子ＴｘＰ２に接続されている。以下、同様に、信号配線ＬＴＸ３は、外部端子ＴｘＰ３に、信号配線ＬＴＸ３は、外部端子ＴｘＰ４に接続されている。また、電圧配線ＬＶＳには、接地電圧Ｖｓが供給されている。これにより、それぞれの単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７には、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４を介して駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給され、電圧配線ＬＶＳを介して接地電圧Ｖｓが供給される。

なお、この実施の形態１においては、行方向に延在する信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４のそれぞれの両端が、タッチ用半導体装置７の外部端子ＴｘＰ１〜ＴｘＰ４に接続されている。これにより、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４における駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４の伝達が遅延するのを抑制することが可能とされている。また、電圧配線ＬＶＳについても、その両端が接地電圧Ｖｓに接続されている。これにより、電圧配線ＬＶＳにおける接地電圧Ｖｓの変動を抑制することが可能とされている。

＜選択回路ＴＳＣの構成および動作＞
図８は、デコーダ回路２０（図１、図７）によるデコードを説明するための図である。図８において、Ｓｔａｔｕｓの欄は、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２の論理値の組み合わせを示している。またＴＳＷ１〜ＴＳＷ４のそれぞれは、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２をデコードすることにより形成される駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４の電圧（ハイレベル＝Ｈ、ロウレベル＝Ｌ）を示している。

この実施の形態１においては、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２のそれぞれの論理値が“０”、“０”のとき、デコーダ回路２０によるデコード動作によって、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１がハイレベルＨ（論理値“１”）となり、駆動スイッチ信号ＴＳＷ２〜ＴＳＷ４のそれぞれがロウレベルＬ（論理値“０”）となる。同様に、デコーダ回路２０によるデコード動作によって、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２の論理値が“０”、“１”のときには、駆動スイッチ信号ＴＳＷ２がハイレベルＨとなり、残りの駆動スイッチ信号ＴＳＷ１、ＴＳＷ３およびＴＳＷ４はロウレベルＬとなる。また、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２の論理値が“１”、“０”のときには、駆動スイッチ信号ＴＳＷ３がハイレベルＨとなり、残りの駆動スイッチ信号ＴＳＷ１、ＴＳＷ２およびＴＳＷ４はロウレベルＬとなる。さらに、態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２のそれぞれの論理値が“１”、“１”のときには、駆動スイッチ信号ＴＳＷ４がハイレベルＨとなり、残りの駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ３はロウレベルＬとなる。

駆動状態Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｓｔａｔｕｓは、共通電極の駆動状態を示している。この実施の形態１においては、ＴＦＴ基板３００に配置された複数の共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）が、全体または複数の領域に分割され、全体または分割された領域に対して、駆動信号が供給される。このような駆動信号の供給の状態が、共通電極の駆動状態として示されている。この実施の形態１においては、図７を例にすると、左側部分（共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）を含む領域）、中央部分（共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（５）を含む領域）および右側部分（共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）を含む領域）に分割されている。勿論、全体は、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）を含む領域である。

図９は、図７に示した選択回路ＴＳＣの構成を詳しく示した回路図である。なお、図９においては、タッチ用半導体装置７およびドライブ用半導体装置５０６は、省略されている。また、図１０〜図１３のそれぞれは、図９に示した選択回路ＴＳＣと同じ回路を示しているが、駆動電極の駆動状態に応じたスイッチの状態が示されている。次に、図９〜図１３を用いて、選択回路ＴＳＣの詳しい構成と動作を説明する。

先に述べたように、選択回路ＴＳＣは、複数の単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７を有している。単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７のそれぞれは、先に述べたように、互いに類似しているため、先ず単位選択回路ＵＴＳ０を例にして構成を説明し、続いて、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７間の相違を説明する。

図９に示すように、単位選択回路ＵＴＳ０は、それぞれ１対の端子を有し、選択信号の論理値に従って、１対の端子間を電気的に接続あるいは非接続とするスイッチＴＳ１〜ＴＳ４を有している。特に制限されないが、選択信号が、例えば論理値“１”（ハイレベル）のとき、スイッチは１対の端子間を電気的に接続（導通、オン）し、選択信号が論理値“０”（ロウレベル）のとき、スイッチは１対の端子間を非接続（非導通、オフ）にする。特に制限されないが、スイッチＴＳ１〜ＴＳ４はＭＯＳＦＥＴにより構成されている。

スイッチＴＳ１〜ＴＳ４のそれぞれの一方の端子は、対応する共通電極ＴＬ（０）に接続可能となっている。また、スイッチＴＳ１には、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１が選択信号として供給され、スイッチＴＳ２には、駆動スイッチ信号ＴＳＷ２が選択信号として供給されている。さらに、スイッチＴＳ３には、駆動スイッチ信号ＴＳＷ３が選択信号として供給され、スイッチＴＳＷ４には、駆動スイッチ信号ＴＳＷ４が選択信号として供給されている。これにより、スイッチＴＳ１〜ＴＳ４は、それぞれに制御信号として供給されている駆動スイッチ信号ＳＷ１〜ＳＷ４の論理値に従って、導通または非導通となる。

単位選択回路ＵＴＳ０においては、スイッチＴＳ１およびＴＳ２のそれぞれの他方の端子は、信号配線ＬＴＸ１に接続され、スイッチＴＳ３およびＴＳ４のそれぞれの他方の端子は、電圧配線ＬＶＳに接続されている。これにより、単位選択回路ＵＴＳ０は、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１またはＴＳＷ２が、論理値“１”のとき、駆動信号Ｔｓｉｇ１を、対応する駆動電極ＴＬ（０）へ供給するようになる。一方、駆動スイッチ信号ＴＳＷ３またはＴＳＷ４が、論理値“１”のとき、単位選択回路ＵＴＳ１は、接地電圧Ｖｓを、対応する駆動電極ＴＬ（０）へ供給することになる。

単位選択回路ＵＴＳ１〜ＵＴＳ７のそれぞれも、単位選択回路ＵＴＳ０と同様に、それぞれの一方の端子が、対応する駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（７）に結合されたスイッチＴＳ１〜ＴＳ４を有している。また、単位選択回路ＵＴＳ０と同様に、スイッチＴＳ１には、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１が選択信号として供給され、スイッチＴＳ２には、駆動スイッチ信号ＴＳＷ２が選択信号として供給され、スイッチＴＳ３には、駆動スイッチ信号ＴＳＷ３を選択信号として供給され、スイッチＴＳ４には、駆動スイッチ信号ＴＳＷ４が選択信号として供給されている。

単位スイッチＵＴＳ０〜ＵＴＳ７の間で異なるのは、それぞれのスイッチＴＳ１〜ＴＳ４の他方の端子が、異なる信号配線および電圧配線に接続されていることである。すなわち、単位選択回路ＵＴＳ１におけるスイッチＴＳ１の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ１に接続され、スイッチＴＳ２の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ２に接続され、スイッチＴＳ３およびＴＳ４のそれぞれの他方の端子は、電圧配線ＬＶＳに接続されている。

また、単位選択回路ＵＴＳ２におけるスイッチＴＳ１の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ２に接続され、スイッチＴＳ２の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ３に接続され、スイッチＴＳ３の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ１に接続され、スイッチＴＳ４の他方の端子は、電圧配線ＬＶＳに接続されている。単位選択回路ＵＴＳ３におけるスイッチＴＳ１の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ２に接続され、スイッチＴＳ２の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ４に接続され、スイッチＴＳ３の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ２に接続され、スイッチＴＳ４の他方の端子は、電圧配線ＬＶＳに接続されている。

単位選択回路ＵＴＳ４におけるスイッチＴＳ１およびＴＳ３の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ３に接続され、スイッチＴＳ２の他方の端子は、電圧配線ＬＶＳに接続され、スイッチＴＳ４の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ１に接続されている。単位選択回路ＵＴＳ５におけるスイッチＴＳ１の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ３に接続され、スイッチＴＳ２の他方の端子は、電圧配線ＬＶＳに接続され、スイッチＴＳ３の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ４に接続され、スイッチＴＳ４の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ２に接続されている。

さらに、単位選択回路ＵＴＳ６におけるスイッチＴＳ１の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ４に接続され、スイッチＴＳ２およびＴＳ３の他方の端子は、電圧配線ＬＶＳに接続され、スイッチＴＳ４の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ３に接続されている。単位選択回路ＵＴＳ７におけるスイッチＴＳ１およびＴＳ４の他方の端子は、信号配線ＬＴＸ４に接続され、スイッチＴＳ２およびＴＳ３の他方の端子は、電圧配線ＬＶＳに接続されている。

特に制限されないが、この実施の形態１においては、各共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）間のピッチＬｐは、等しくなっている。すなわち、互いに隣接して配置された共通電極間の距離は、同じにされている。この実施の形態１においては、特に制限されないが、共通電極の中心線間の距離が、ピッチＬｐとして示されており、２ｍｍとされている。

タッチ用半導体装置７から、論理値“０”、“０”の状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２が出力されると、図８に示したように、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１が、ハイレベル（論理値“１”）となり、残りの駆動スイッチ信号ＴＳＷ２〜ＴＳＷ４は、ロウレベル（論理値“０”）となる。これにより、図１０に示すように、各単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７のスイッチＴＳ１が導通状態となり、残りのスイッチＴＳ２〜ＴＳ４が非導通状態となる。そのため、単位選択回路ＵＴＳ０およびＵＴＳ１は、信号配線ＬＴＸ１に供給されている駆動信号Ｔｓｉｇ１を、それぞれに対応する共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）へ伝達する。同様に、単位選択回路ＵＴＳ２およびＵＴＳ３は、信号配線ＬＴＸ２に供給されている駆動信号Ｔｓｉｇ２を、それぞれに対応する共通電極ＴＬ（２）、ＴＬ（３）へ伝達し、単位選択回路ＵＴＳ４およびＵＴＳ５は、信号配線ＬＴＸ３に供給されている駆動信号Ｔｓｉｇ３を、それぞれに対応する共通電極ＴＬ（４）、ＴＬ（５）へ伝達する。また、単位選択回路ＵＴＳ６およびＵＴＳ７は、信号配線ＬＴＸ４に供給されている駆動信号Ｔｓｉｇ４を、それぞれに対応する共通電極ＴＬ（６）、ＴＬ（７）へ伝達する。

すなわち、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１が論理値“１”のときには、１つの駆動信号（例えば駆動信号Ｔｓｉｇ１）が、互いに隣接して配置された２個の共通電極（例えば共通電極（ＴＬ（０）、ＴＬ（１））に対して、共通に伝達される。

駆動信号Ｔｓｉｇ２についても、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１が論理値“１”のときには、単位選択回路ＵＴＳ２〜ＵＴＳ３を介して、互いに隣接して配置された共通電極ＴＬ（２）およびＴＬ（３）へ伝達される。同様に、駆動信号Ｔｓｉｇ３およびＴｓｉｇ４のそれぞれについても、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１が論理値“１”のときには、単位選択回路ＵＴＳ４、ＵＳＴ５およびＵＴＳ６、ＵＴＳ７を介して、互いに隣接して配置された共通電極ＴＬ（４）、ＴＬ（５）および共通電極ＴＬ（６）、ＴＬ（７）へ伝達される。

言い換えるならば、この実施の形態１においては、ピッチＬｐの２倍毎に、異なる駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給される。すなわち、図８において、駆動状態Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｓｔａｔｕｓの欄に記載されているように、駆動信号は４ｍｍピッチの間隔で供給された状態となる。この状態で、タッチ用半導体装置７が、４個の外部端子ＴｘＰ１〜ＴｘＰ４から駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を出力することにより、８個の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）全体に駆動信号を供給することが可能となる。すなわち、駆動電極の個数よりも少ない外部端子（駆動端子）で、全体のタッチ検出が可能となる。

状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２が、“０”、“１”のときには、駆動スイッチ信号ＴＳＷ２はハイレベルとなり、残りの駆動スイッチ信号ＴＳＷ１、ＴＳＷ３およびＴＳＷ４は、ロウレベルとなる。駆動スイッチ信号ＴＷ２がハイレベルのときには、図１１に示すように、それぞれの単位選択回路におけるスイッチＴＳ２が導通状態となるため、単位選択回路ＵＴＳ０は、駆動信号Ｔｓｉｇ１を対応する共通電極ＴＬ（０）へ伝達し、単位選択回路ＵＴＳ１は、駆動信号Ｔｓｉｇ２を対応する共通電極ＴＬ（１）へ伝達し、単位選択回路ＵＴＳ２は、駆動信号Ｔｓｉｇ３を対応する共通電極ＴＬ（２）へ伝達し、単位選択回路ＵＴＳ３は、駆動信号Ｔｓｉｇ４を対応する共通電極ＴＬ（３）へ伝達する。このとき、単位選択回路ＵＴＳ４〜ＵＴＳ７のそれぞれは、接地電圧Ｖｓを対応する共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）へ伝達する。

すなわち、駆動スイッチ信号ＴＳＷ２が論理値“１”とされたときには、図１１において左側に配置され、互いに隣接して配置された４個の共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）のそれぞれに、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給されることになる。このとき、図１１において、右側に配置され、互いに隣接して配置された４個の共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）のそれぞれには、接地電圧Ｖｓが供給されることになる。言い換えるならば、図１１の左側においては、１ピッチＬｐ（２ｍｍピッチ）毎に、異なる駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が、共通電極へ供給される。すなわち、図８において、駆動状態Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｓｔａｔｕｓの欄に記載したように、駆動信号は２ｍｍピッチで、左側部分（Ｐａｒｔｉａｌ Ｌ）へ供給される状態となる。

この時、接地電圧Ｖｓが供給される右側部分の共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）は、タッチ検出駆動の対象としないように設定することができる。

状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２が、“１”、“０”のときには、駆動スイッチ信号ＴＳＷ３は論理値“１”となり、残りの駆動スイッチ信号ＴＳＷ１、ＴＳＷ２およびＴＳＷ４は、論理値“０”となる。駆動スイッチ信号ＴＷ３が論理値“１”のときには、図１２に示すように、それぞれの単位選択回路におけるスイッチＴＳ３が導通状態となるため、単位選択回路ＵＴＳ２は、駆動信号Ｔｓｉｇ１を対応する共通電極ＴＬ（２）へ伝達し、単位選択回路ＵＴＳ３は、駆動信号Ｔｓｉｇ２を対応する共通電極ＴＬ（３）へ伝達し、単位選択回路ＵＴＳ４は、駆動信号Ｔｓｉｇ３を対応する共通電極ＴＬ（４）へ伝達し、単位選択回路ＵＴＳ５は、駆動信号Ｔｓｉｇ４を対応する共通電極ＴＬ（５）へ伝達する。このとき、単位選択回路ＵＴＳ０、ＵＴＳ１、ＵＴＳ６およびＵＴＳ７のそれぞれは、接地電圧Ｖｓを対応する共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（６）およびＴＬ（７）へ伝達する。

すなわち、駆動スイッチ信号ＴＳＷ３が論理値“１”とされたときには、図１２において中央に配置され、互いに隣接して配置された４個の共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（５）のそれぞれに、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給されることになる。このとき、図１２において、左側および右側に配置され、互いに隣接して配置された４個の共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）およびＴＬ（６）、ＴＬ（７）のそれぞれには、接地電圧Ｖｓが供給されることになる。言い換えるならば、図１２の中央においては、１ピッチＬｐ（２ｍｍピッチ）毎に、異なる駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が、共通電極へ供給されることになる。すなわち、図８において、駆動状態Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｓｔａｔｕｓの欄に記載したように、駆動信号は２ｍｍピッチで、中央部分（Ｐａｒｔｉａｌ Ｃ）へ供給される状態となる。

この時、接地電圧Ｖｓが供給される共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（６）、ＴＬ（７）は、タッチ検出駆動の対象としないように設定することができる。

次に、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２が、“１”、“１”のときには、駆動スイッチ信号ＴＳＷ４は論理値“１”となり、残りの駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ３は、論理値“０”となる。駆動スイッチ信号ＴＷ４が論理値“１”のときには、図１３に示すように、それぞれの単位選択回路におけるスイッチＴＳ４が導通状態となるため、単位選択回路ＵＴＳ４は、駆動信号Ｔｓｉｇ１を対応する共通電極ＴＬ（４）へ伝達し、単位選択回路ＵＴＳ５は、駆動信号Ｔｓｉｇ２を対応する共通電極ＴＬ（５）へ伝達し、単位選択回路ＵＴＳ６は、駆動信号Ｔｓｉｇ３を対応する共通電極ＴＬ（６）へ伝達し、単位選択回路ＵＴＳ７は、駆動信号Ｔｓｉｇ４を対応する共通電極ＴＬ（７）へ伝達する。このとき、図１３において左側に配置された単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ３のそれぞれは、接地電圧Ｖｓを対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）へ伝達する。

すなわち、駆動スイッチ信号ＴＳＷ４が論理値“１”とされたときには、図１３において右側に配置され、互いに隣接して配置された４個の共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）のそれぞれに、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給されることになる。このとき、図１３において、左側に配置され、互いに隣接して配置された４個の共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）のそれぞれには、接地電圧Ｖｓが供給されることになる。言い換えるならば、図１３の右側においては、１ピッチＬｐ（２ｍｍピッチ）毎に、異なる駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が、共通電極へ供給されることになる。すなわち、図８において、駆動状態Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｓｔａｔｕｓの欄に記載したように、駆動信号は２ｍｍピッチで、右側部分（Ｐａｒｔｉａｌ Ｒ）へ供給される状態となる。

この時、接地電圧Ｖｓが供給される左側部分の共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）は、タッチ検出駆動の対象としないように設定することができる。すなわち、本発明では共通電極２本分のピッチで粗く全面を検出する全面検出モード（４ｍｍ ＰｉｔｃｈのＤｒｉｖｉｎｇ Ｓｔａｔｕｓ）と１本分の共通電極のピッチでパネルの一部分を細かく検出する部分検出モード（２ｍｍのＰａｒｔｉａｌ Ｒ、Ｃ、ＬのＤｒｉｖｉｎｇ Ｓｔａｔｕｓ）とを実現することができ、検出結果に応じてこれらのタッチ検出モードの切り替えを行うことができる。

その結果タッチ検出速度の向上とタッチ検出精度の維持の両立を実現することができる。

タッチ検出期間において、タッチ用半導体装置７は、先ず、外部端子ＳｔＰ１、ＳｔＰ２から、論理値“０”、“０”を有する状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を出力する。これにより、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７を有する選択回路ＴＳＣを介して、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）へ、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を供給することが可能な状態となる。この場合、この実施の形態１においては、互いに隣接して配置された２個の共通電極に対して、１個の駆動信号（例えば、Ｔｓｉｇ１）が供給されることになる。そのため、図２において説明したように、駆動信号Ｔｓｉｇ１の電圧の変化に応答して、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）の電圧変化を検出することにより、共通電極ＴＬ（０）およびＴＬ（１）の近傍がタッチされているか否かを検出することができる。

同様に、駆動信号Ｔｓｉｇ２の電圧の変化に応答して、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）の変化を検出することにより、共通電極ＴＬ（２）およびＴＬ（３）の近傍がタッチされているか否かを検出することができる。また、駆動信号Ｔｓｉｇ３の電圧の変化に応答して、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）の変化を検出することにより、共通電極ＴＬ（４）およびＴＬ（５）の近傍がタッチされているか否かを検出することができ、駆動信号Ｔｓｉｇ４の電圧の変化に応答して、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）の変化を検出することにより、共通電極ＴＬ（６）およびＴＬ（７）の近傍がタッチされているか否かを検出することができる。

このようにすることにより、タッチ用半導体装置７の外部端子ＴｘＰ１〜ＴｘＰ４の数よりも多い数の共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）に対して、共通電極の近傍がタッチされているか否かの検出を行うことが可能である。

この実施の形態１においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）のいずれかの共通電極の近傍の位置がタッチされたことが検出された場合、検出された位置に応じて次の処理が行われる。すなわち、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）のうち、図７および図９において、左側に配置された共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）の近傍がタッチされているか、右側に配置された共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）の近傍がタッチされているか、中央に配置された共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（５）の近傍がタッチされているかが判定される。この判定は、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１によって、各単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７のそれぞれにおけるスイッチＴＳ１を導通状態にして、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）へ供給したときの検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）の変化により行うことができる。

すなわち、クロック信号である駆動信号Ｔｓｉｇ１あるいはＴｓｉｇ２を、選択回路ＴＳＣを介して供給したときに、これに応答して発生する検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）に信号の電圧変化が発生していれば、図７および図９において左側に配置された共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）の近傍がタッチされていると判定することができる。また、クロック信号である駆動信号Ｔｓｉｇ３あるいはＴｓｉｇ４を、選択回路ＴＳＣを介して供給したときに、これに応答して発生する検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）に信号の変化が発生していれば、図７および図９において右側に配置された共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）の近傍がタッチされていると判定することができる。同様に、駆動信号Ｔｓｉｇ２あるいはＴｓｉｇ３を、選択回路ＴＳＣを介して供給したときに、これに応答して発生する検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）に信号の変化が発生していれば、図７および図９において中央に配置された共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（５）の近傍がタッチされていると判定することができる。この判定は、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が供給されるタッチ用半導体装置７において行う。

このようにして、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）のうち、タッチされた近傍に配置されている共通電極を粗く判定したあと、タッチ用半導体装置７は、判定結果に従って、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２の論理値を定める。

この実施の形態１においては、左側に配置された共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）が、タッチされた位置の近傍に配置された共通電極を含んでいると判定した場合、タッチ用半導体装置７は、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２の論理値を“１”、“０”にする。これにより、デコーダ回路２０から、論理値“１”の駆動スイッチ信号ＴＳＷ２が出力される。駆動スイッチ信号ＴＳＷ２が論理値“１”となることにより、図１１で説明したように、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ３は、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４を対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）へ電気的に接続し、単位選択回路ＵＴＳ４〜ＵＴＳ７は、対応する共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）を電圧配線ＬＶＳへ電気的に接続する。

単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ３が、対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）を電気的に信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４へ接続した状態で、タッチ用半導体装置７は、例えば順次、クロック信号である駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４へ供給する。この駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４は、順次、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）に供給される。これにより、検出配線ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）には、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給されることにより、信号の変化が発生し、タッチされている位置を抽出することができる。すなわち、４個の駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４のうち、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）に信号の変化を起こさせた駆動信号を特定することにより、タッチされた位置の近傍に配置されている共通電極を特定し、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）のうち、信号が変化した検出信号を特定することにより、タッチされた位置の近傍に配置されている検出電極を特定することができる。

また、図７および図９において中央に配置された共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（５）が、タッチされた位置の近傍に配置された共通電極を含んでいると判定した場合、タッチ用半導体装置７は、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２の論理値を“０”、“１”にする。これにより、デコーダ回路２０から、論理値“１”の駆動スイッチ信号ＴＳＷ３が出力される。駆動スイッチ信号ＴＳＷ３が論理値“１”となることにより、図１２で説明したように、単位選択回路ＵＴＳ２〜ＵＴＳ５は、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４を対応する共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（５）へ電気的に接続し、単位選択回路ＵＴＳ０、ＵＴＳ１、ＵＴＳ６、ＵＴＳ７は、対応する共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（６）、ＴＬ（７）を電圧配線ＬＶＳへ電気的に接続する。

単位選択回路ＵＴＳ２〜ＵＴＳ５が、対応する共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（５）を電気的に信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４へ接続した状態で、タッチ用半導体装置７は、例えば順次、クロック信号である駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４へ供給する。この駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４は、順次、共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（５）に供給される。これにより、検出配線ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）には、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給されることにより、信号の変化が発生し、タッチされている位置を抽出することができる。すなわち、４個の駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４のうち、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）に信号の変化を起こさせた駆動信号を特定することにより、タッチされた位置の近傍に配置されている共通電極を特定し、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）のうち、信号が変化した検出信号を特定することにより、タッチされた位置の近傍に配置されている検出電極を特定することができる。

同様に、右側に配置された共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）が、タッチされた位置の近傍に配置された共通電極を含んでいると判定した場合、タッチ用半導体装置７は、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２の論理値を“１”、“１”にする。これにより、デコーダ回路２０から、論理値“１”の駆動スイッチ信号ＴＳＷ４が出力される。駆動スイッチ信号ＴＳＷ４が論理値“１”となることにより、図１３で説明したように、単位選択回路ＵＴＳ４〜ＵＴＳ７は、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４を対応する共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）へ電気的に接続し、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ３は、対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）を電圧配線ＬＶＳへ電気的に接続する。

単位選択回路ＵＴＳ４〜ＵＴＳ７が、対応する共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）を電気的に信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４へ接続した状態で、タッチ用半導体装置７は、例えば順次、クロック信号である駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４へ供給する。この駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４は、順次、共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）に供給される。これにより、検出配線ＲＬ（０）〜Ｒｌ（ｐ）には、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給されることにより、信号の変化が発生し、タッチされている位置を抽出することができる。すなわち、４個の駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４のうち、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）に信号の変化を起こさせた駆動信号を特定することにより、タッチされた位置の近傍に配置されている共通電極を特定し、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）のうち、信号が変化した検出信号を特定することにより、タッチされた位置の近傍に配置されている検出電極を特定することができる。

このように、この実施の形態１においては、タッチされている位置の近傍に配置されている共通電極を粗く判定したあと、細かく判定を行い、共通電極の特定をしている。また、細かく判定を行う際に、この実施の形態１においては、２個の共通電極が、重なるように判定をしている。すなわち、共通電極ＴＬ（２）およびＴＬ（３）は、左側に配置された共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）から細かく判定するときと、中央に配置された共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（５）から細かく判定するときの両方に含まれるようにされている。同様に、共通電極ＴＬ（４）およびＴＬ（５）は、中央に配置された共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（３）から細かく判定するときと、右側に配置された共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）から細かく判定するときの両方に含まれるようにされている。このように、細かく判定する際に、重なる共通電極を設けることにより、タッチされた位置によって不検出となるのを防ぐことが可能となる。勿論、重なる共通電極は２個に限定されず、少なくとも１個あればよい。また、重なる共通電極を設けないようにしてもよい。重なる共通電極を設けないようにすることにより、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４の数を同じ（４個）にした場合、共通電極の個数をさらに増やすことが可能である。

＜液晶表示装置の要部構成＞
図１４は、実施の形態１に係わる液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。図１４には、図９に示した選択回路ＴＳＣに加えて、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）と選択回路ＴＳＣとの間に接続されたレベルシフト＆バッファＬＢが示されている。このレベルシフト＆バッファＬＢは、選択回路ＴＳＣから供給される駆動信号に従って、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）を、交流的あるいは直流的に駆動する。駆動に際しては、供給されている駆動信号の電圧を変換して供給する。また、同図において縦方向に延在して配置されている共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）を駆動することができるように、駆動能力を高めるようにバッファを有している。

選択回路ＴＳＣおよびレベルシフト＆バッファＬＢは、特に制限されないが、図１に示した駆動電極ドライバ１２に含まれ、図７に示したドライバ用半導体装置５０６に覆われるように、ＴＦＴ基板３００に形成されている。レベルシフト＆バッファＬＢも、複数の単位レベルシフト＆バッファ（以下、単位バッファと称する）ＵＬＢ０〜ＵＬＢｐにより構成されており、単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢｐのそれぞれは、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳｐおよび共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に１対１に対応している。例えば、単位バッファＵＬＢ０は、単位選択回路ＵＴＳ０および共通電極ＴＬ（０）に対応しており、単位バッファＵＬＢ７は、単位選択回路ＵＴＳ７および共通電極ＴＬ（７）に対応している。図１４においては、単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢｐのうち、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７および共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）に対応した単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢ７のみが示されている。

単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢｐのそれぞれは、互いに同様な構成を有している。単位バッファの構成例は、後で図１５を用いて説明するが、単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢｐのそれぞれは、対応する単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳｐからの駆動信号を受信し、駆動信号に従って、対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を駆動する。対応する単位選択回路から、タッチを検出する共通電極に対しては、クロック信号である駆動信号が、単位バッファに供給されるため、単位バッファは、交流的に共通電極を駆動することになる。一方、タッチを検出しない共通電極に対しては、例えば接地電圧Ｖｓが、対応する単位選択回路から単位バッファへ供給されるため、単位バッファは、対応する共通電極に対して、直流的な電圧（接地電圧Ｖｓ）を供給することになる。

図１４に示した単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７は、図９に示した単位選択回路と同じであるため、その説明は省略する。

特に制限されないが、この実施の形態１においては、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を伝達する信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４（図７）および駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４を伝達する信号配線は、液晶表示装置１の検査用にも用いられる。すなわち、検査用の信号配線とタッチを検出するために用いられる信号配線とが兼用されている。これにより、信号配線の増加による面積増加を抑制することが可能となる。

液晶表示装置１を検査するとき、特に制限されないが、制御部９（図１）が、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４の代わりに、検査用スイッチ信号ＴＴＷ１〜ＴＴＷ４（図示せず）を、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳｐ内のスイッチＴＳ１〜ＴＳ４へ供給する。また、制御部９は、検査するとき、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４の代わりに、検査用の検査信号を信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４へ供給する。検査に際しては、検査用スイッチ信号ＴＴＷ１〜ＴＴＷ４のいずれかを、例えば論理値“１”にして、スイッチＴＳ１〜ＴＳ４のいずれかを導通状態にする。これにより、導通状態にされたスイッチを介して、検査信号が、共通電極に供給されるようにすることが可能となる。また、検査信号は、共通電極ではなく、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に供給されるようにしてもよい。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に検査信号が供給されるようにすれば、検査の際に、検査信号に従った表示が、液晶表示装置１において表示されているか否かの検査を行うことが可能となる。

＜液晶表示装置の構成＞
図１５は、液晶表示装置１の要部を示すブロック図である。同図には、図１４で説明した単位バッファＵＬＢ０、ＵＬＢ１の詳細が示されている。また、図１５には、単位バッファＵＬＢ０、ＵＬＢ１に関連する液晶パネル２の部分、信号線セレクタ６の部分も、模式的に示されている。模式的にではあるが、図１５において、液晶パネル２、信号線セレクタ６および単位バッファＵＬＢ０、ＵＬＢ１の配置は、実際の配置に合わせて描かれている。また、図１５には、図１では省略されていたが、第１表示／タッチ検出切換回路１５００と第２表示／タッチ検出切換回路１５０１とが示されている。

第１表示／タッチ検出切換回路１５００は、列に沿って延在する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの一端側に配置され、第２表示／タッチ検出切換回路１５０１は、延在する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの他端側に配置されている。すなわち、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を挟むように、第１表示／タッチ検出切換回路１５００と第２表示／タッチ検出切換回路１５０１が配置されている。第１表示／タッチ検出切換回路１５００および第２表示／タッチ検出切換回路１５０１は、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬによって制御される複数のスイッチを有しており、表示期間においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣを供給し、タッチ検出期間においては、共通電極と信号線ＳＬ（ｉ）とを電気的に接続する。これにより、表示期間においては、列方向に延在する共通電極に対して、その両端から、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給されることになり、表示期間において共通電極の電圧が変動するのを抑制することが可能となる。また、タッチ検出期間においては、信号線と共通電極とが電気的に並列的に接続されることになるため、共通電極での駆動信号の伝播遅延を低減することが可能となる。

ここで、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬは、特に制限されないが、制御部９（図１）によって形成される。例えば、制御部９は、タッチ検出期間において、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬを論理値“１”（ハイレベル）にし、表示期間において、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬを論理値“０”（ロウレベル）にする。このように、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬは、表示期間とタッチ検出期間を区別する制御信号であるため、タッチ−表示同期信号ＴＳＨＤと同様に、タッチ−表示同期信号と見なすこともできる。

第１表示／タッチ検出切換回路１５００は、複数の第１切換回路（図示せず）により構成されており、第２表示／タッチ検出切換回路１５０１も、複数の第２切換回路（図示せず）により構成されている。第１切換回路および第２切換回路のそれぞれの構成は、後で一例を説明するが、それぞれの共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に１対１に対応している。

図１５には、図面を見易くするために、液晶素子配列ＬＣＤ（図６）に配置された複数の液晶素子のうち、単位バッファＵＬＢ０、ＵＬＢ１に対応した列に配置され、２行分の液晶素子が示されている。すなわち、走査信号Ｖｓ０、Ｖｓ１が供給される２行分の液晶素子が示されている。

この実施の形態１においては、図１５において横方向（液晶素子配列ＬＣＤにおいて、行方向）に配置された４個の画素に対して１個の共通電極が配置されている。図１５に記載されている「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」のそれぞれは、副画素ＳＰｉｘを示している。従って、共通電極ＴＬ（０）は、図１５において左側から４組の「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」に対して対応しており、同図において、縦方向（液晶素子配列において、列方向）に延在している。同様に、共通電極ＴＬ（１）は、図１５において右側の４組の「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」に対応しており、縦方向（列方向）に延在している。

図１５において、ＳＰ１１〜ＳＰ１６は、図１に示した駆動回路１０内の信号線ドライバ１１の端子を示している。図１５に示すように、信号線ドライバ１１の端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６は、複数組あり、それぞれの組の端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６は、１つの共通電極に対応する複数の画素の列、すなわち、行方向に配列された４個で、列方向に延在している複数の画素に対応している。例えば、図１５において、左側に示されている組の端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６は、共通電極ＴＬ（０）に対応した複数の画素に対応している。これらの複数組の端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６には、制御部９から画像信号Ｓｎが、時分割で供給される。なお、図１５では、図面が複雑になるのを避けるために、画像信号Ｓｎを１個の信号として示しているが、実質的に同時に複数の画像信号を供給することが可能となるように、複数の信号線であると理解されるべきものである。

第２表示／タッチ検出切換回路１５０１を介して、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、複数組の端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６または所定の電圧ＶＣＯＭＤＣに接続される。第２表示／タッチ検出切換回路１５０１を構成する第２単位切換回路は、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に１対１に対応しており、互いに同じ構成を有している、図１５には、共通電極ＴＬ（０）および共通電極ＴＬ（１）にそれぞれ対応した２個の第２単位切換回路が示されている。第２単位切換回路は、それぞれ、共通ノードＣと第１入出力ノードＰ１と第２入出力ノードＰ２を有するスイッチＳ３１〜Ｓ３６を有している。

スイッチＳ３１〜Ｓ３６のそれぞれには、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが供給され、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが論理値“１”のとき、共通ノードＣが、入出力ノードＰ２に接続され、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬが論理値“０”のとき、共通ノードＣが、入出力ノードＰ１に接続される。スイッチＳ３１〜Ｓ３６のそれぞれの入出力ノードＰ１は、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される電圧配線に接続され、入出力ノードＰ２は、対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６内の端子に接続されている。また、スイッチＳ３１〜Ｓ３６のそれぞれの共通ノードＣは、信号配線ＣＴＬ１〜ＣＴＬ６を介して、対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に接続されている。図１５に示した共通電極ＴＬ（０）を例にして説明すると、図１５には、２個の第２単位切換回路が示されており、左側に示されている第２単位切換回路を構成するスイッチＳ３１〜Ｓ３６のそれぞれの共通ノードＣは、信号配線ＣＴＬ１〜ＣＴＬ６を介して共通電極ＴＬ（０）に接続されている。

またこの左側に示されている第２単位切換回路を構成するスイッチＳ３１〜Ｓ３６のそれぞれの第１入出力ノードＰ１は、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される電圧配線に接続されている。一方、これらのスイッチＳ３１〜Ｓ３６のそれぞれの第２入出力ノードＰ２は、図１５において左側に示されている端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６に接続されている。同様に、残りの第２単位切換回路も、対応する共通電極を、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬの論理値に従って、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される電圧配線または対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６へ接続する。

図１５には、図１４に示した単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢ７のうち、単位バッファＵＬＢ０、ＵＬＢ１の構成が、代表として示されている。単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢ７のそれぞれは、同じ構成であるため、単位バッファＵＬＢ０を例にして、その構成を説明する。単位バッファＵＬＢ０は、インバータ回路ＩＶと、スイッチＳ４０〜Ｓ４５と、スイッチＳ５０〜５５とを有している。インバータ回路ＩＶと、スイッチＳ４０〜Ｓ４５には、この単位バッファＵＬＢ０に１対１に対応した単位選択回路ＵＴＳ０からの出力が供給され、スイッチＳ５０〜Ｓ５５には、インバータ回路ＩＶの出力が供給されている。

スイッチＳ４０〜Ｓ４５のそれぞれは、１対のノードを有しており、対応する単位選択回路ＵＴＳ０からの論理値に従って、１対のノード間を導通または非導通とする。スイッチＳ５０〜Ｓ５５のそれぞれも、１対のノードを有しており、インバータ回路ＩＶからの論理値に従って、１対のノード間を導通または非導通とする。すなわち、スイッチＳ４０〜Ｓ４５とスイッチＳ５０〜Ｓ５５とは、対応する単位選択回路ＵＴＳ０からの出力に従って、相補的に導通状態または非導通状態とされる。

ここで、スイッチＳ４０〜Ｓ４５のそれぞれの一方のノードは、所定の電圧ＴＳＶＣＯＭが供給される電圧配線に接続され、それぞれの他方のノードは、対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６内の端子に接続されている。また、スイッチＳ５０〜Ｓ５５の一方のノードは、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される電圧配線に接続され、それぞれの他方のノードは、対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６内の端子に接続されている。例えば、単位バッファＵＬＢ０を例にすると、この単位バッファＵＬＢ０に対応する共通電極ＴＬ（０）が、タッチ検出期間に第２表示／タッチ検出切換回路１５０１を介して接続される端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６内の端子に、スイッチＳ４０〜Ｓ４５およびＳ５０〜Ｓ５５のそれぞれの他方のノードが接続されている。なお、表示期間においては、端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６に、ドライバ用半導体装置５０６から画像信号が供給され、共通電極ＴＬ（０）には、第２表示／タッチ検出切換回路１５０１を介して所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される。すなわち、信号線と端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６は、タッチ検出と表示とにおいて兼用されている。

タッチ検出期間においては、対応する単位選択回路ＵＴＳ０から、クロック信号である駆動信号が、単位選択回路ＵＴＳ０の出力として、単位バッファＵＬＢ０へ供給される。これにより、タッチ検出期間では、駆動信号に従って、スイッチＳ４０〜Ｓ４５とスイッチＳ５０〜Ｓ５５とが、相補的に導通／非導通となる。その結果として、タッチ検出期間においては、所定の電圧ＴＳＶＣＯＭと所定の電圧ＶＣＯＭＤＣとが、交互に、共通電極ＴＬ（０）へ供給されることになる。一方、タッチ検出期間において、共通電極ＴＬ（０）の近傍を検出しない場合には、接地電圧Ｖｓが、対応する単位選択回路ＵＴＳ０から単位バッファＵＬＢ０へ供給される。そのため、この単位選択回路ＵＴＳ０からの出力は、インバータ回路ＩＶによって位相反転されて、スイッチＳ５０〜Ｓ５５に供給される。これにより、スイッチＳ５０〜Ｓ５５が導通状態となり、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが、対応する共通電極ＴＬ（０）へ供給されることになる。

残りの単位バッファＵＬＢ１〜ＵＬＢｐについても、同様に、タッチ検出期間において、共通電極の近傍のタッチを検出する際には、対応する単位選択回路からクロック信号である駆動信号が供給されるため、対応する共通電極に対して、所定の電圧ＴＳＶＣＯＭとＶＣＯＭＤＣとの間で電圧振幅が変化する信号が供給される。また、共通電極の近傍のタッチを検出しないときには、対応する単位選択回路から接地電圧Ｖｓの出力が供給されるため、対応する共通電極に所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される。

この実施の形態１においては、図９〜図１３において説明したように、クロック信号である駆動信号を、連続して配置されている共通電極に対して順次供給するのではなく、共通電極を選んで、クロック信号である駆動信号を供給することが可能である。また、特に制限されないが、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣは、例えば接地電圧Ｖｓであり、所定の電圧ＴＳＶＯＭは、０Ｖを超え、例えば６Ｖ以下の電圧とされる。そのため、タッチ検出期間において、近傍がタッチされているか否かを検出するために使われる共通電極には、接地電圧Ｖｓと例えば６Ｖの電圧との間で、電圧が変化する駆動信号が供給されることになる。

信号線セレクタ６は、制御部９からの選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２によってオン／オフ制御される複数組のスイッチＳ１１、Ｓ１２およびスイッチＳ２１、Ｓ２２を有している。スイッチＳ１１、Ｓ１２とスイッチＳ２１、Ｓ２２とは、表示パネル２に画像を表示する際、相補的にオン／オフするように制御される。すなわち、スイッチＳ１１とスイッチＳ１２とが、選択信号ＳＥＬ１によってオン状態にされているとき、スイッチＳ２１、Ｓ２２は、制御信号ＳＥＬ２によってオフ状態とされる。反対に、スイッチＳ２１、Ｓ２２がオン状態にされているとき、スイッチＳ１１、Ｓ１２はオフ状態とされる。

時分割で、端子ＳＰ１１〜ＳＰ１６へ供給された画像信号は、スイッチＳ１１、Ｓ１２およびスイッチＳ２１、Ｓ２２によって、適切な信号線へ供給される。例えば、同図において最も左側に示した端子ＳＰ１１には、特定の１つの画素における副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）に供給されるべき画像信号と、当該１つの画素における副画素ＳＰｉｘ（Ｂ）に供給されるべき画像信号とが、時分割で供給される。また、当該端子ＳＰ１１の隣の端子ＳＰ１２には、当該１つの画素における副画素ＳＰｉｘ（Ｇ）に供給されるべき画像信号と、当該１つの画素の右隣の画素における副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）に供給されるべき画像信号とが時分割で供給される。選択信号ＳＥＬ２によって、スイッチＳ２１とＳ２２とがオン状態にされると共に、選択信号ＳＥＬ１によって、スイッチＳ１１とＳ１２とがオフ状態にされると、端子ＳＰ１１に供給されている画像信号は、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）に供給されると共に、端子ＳＰ１２に供給されている画像信号は、スイッチＳ２２を介して信号線ＳＬ（０）０（Ｇ）に供給される。

次に、選択信号ＳＥＬ１によって、スイッチＳ１１、Ｓ１２がオン状態にされると共に、選択信号ＳＥＬ２によって、スイッチＳ２１とＳ２２とがオフ状態にされると、端子ＳＰ１１に供給されている画像信号は、信号線ＳＬ（０）０（Ｂ）に供給され、同時に、端子ＳＰ１２に供給されている画像信号は、信号線ＳＬ（０）１（Ｒ）に供給される。

これにより、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）、ＳＬ（０）０（Ｇ）、ＳＬ（０）０（Ｂ）には、１画素に対応した３個の副画素の画像信号が供給されることになる。また、右隣の信号線ＳＬ（０）１（Ｒ）にも、画像信号が供給されることになる。図６に示したように信号線セレクタ６は、液晶パネル２に近接して配置されている。このように、時分割で画像信号を、駆動回路１０から信号線セレクタ６に供給するようにしたことで、信号配線の数を低減させることが可能となる。言い換えるならば、当該信号配線の幅を大きくし、当該信号配線での画像信号の遅延を低減することが可能となる。なお、図１５では、図面が複雑になるのをさけるために、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）は、※１で示しており、信号線ＳＬ（０）０（Ｇ）は、※２で示しており、信号線ＳＬ（０）０（Ｂ）は、※３で示しており、信号線ＳＬ（０）１（Ｒ）は、※４で示している。

第１表示／タッチ検出切換回路１５００を構成する複数の第１切換回路のそれぞれは、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに１対１で対応している。複数の第１切換回路のうち、図１５には、共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）に対応した第１切換回路のみが示されている。複数の第１切換回路も互いに同じ構成を有しているため、ここでは共通電極ＴＬ（０）に対応する第１切換回路を代表として、その構成および動作を説明する。共通電極ＴＬ（０）に対応する第１切換回路は、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬによってスイッチ制御されるスイッチＳ１００〜Ｓ１０３およびスイッチＳ１１０〜Ｓ１２１と、共通配線ＣＭＬとを備えている。

共通配線ＣＭＬは、対応する共通電極ＴＬ（０）に接続されている。スイッチＳ１００〜Ｓ１０３のそれぞれは、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される電圧配線と、共通配線との間に並列的に接続されている。また、スイッチＳ１１０〜Ｓ１２１のそれぞれは、共通配線ＣＭＬと対応する信号線との間に接続されている。例えば、スイッチＳ１１０は、共通配線ＣＭＬと、信号線ＳＬ（０）０（Ｒ）との間に接続され、スイッチＳ１１１は、共通配線ＣＭＬと、信号線ＳＬ（０）０（Ｇ）との間に接続され、スイッチＳ１１２は、共通配線ＣＭＬと、信号線ＳＬ（０）０（Ｂ）との間に接続され、スイッチＳ１１３は、共通配線ＣＭＬと、信号線ＳＬ（０）１（Ｒ）との間に接続されている。

スイッチＳ１００〜Ｓ１０３と、スイッチＳ１１０〜Ｓ１２１とは、制御信号ＶＣＯＭＳＥＬによって、相補的に導通／非導通となるように制御される。この場合、タッチ検出期間においては、スイッチＳ１１０〜Ｓ１２１のそれぞれが導通状態となり、スイッチＳ１００〜Ｓ１０３のそれぞれは非導通状態となるように制御される。一方、表示期間においては、スイッチＳ１１０〜Ｓ１２１のそれぞれが非導通状態となり、スイッチＳ１００〜Ｓ１０３のそれぞれは導通状態となるように制御される。これにより、タッチ検出期間においては、スイッチＳ１１０〜Ｓ１２１のそれぞれを介して、信号線が共通配線ＣＭＬに接続されることになり、共通電極ＴＬ（０）の一方の端部において、複数の信号線と共通電極ＴＬ（０）とが電気的に接続されることになり、共通電極ＴＬ（０）での駆動信号の伝搬遅延を抑制することが可能となる。また、表示期間においては、スイッチＳ１００〜Ｓ１０３のそれぞれを介して、共通電極ＴＬ（０）に所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給されることになり、共通電極ＴＬ（０）の電圧変動を抑制することが可能となる。

この実施の形態１によれば、表示パネル２に配置される共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の数に比べて、タッチ用半導体装置７に設けられている駆動信号出力用の外部端子ＴｘＰ１〜ＴｘＰ４の個数を少なくすることが可能である。これにより、液晶表示装置の小型化が可能となる。また、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２および駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４によって、任意の共通電極へ駆動信号を供給することが可能であるため、粗く検出したあと、検出結果に従って細かく検出を行うことが可能である。

（実施の形態２）
実施の形態２に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置１においては、実施の形態１と異なるタッチ検出方式が採用されている。先ず、この実施の形態２において採用されているタッチ検出方式について、その原理を説明する。

＜静電容量型タッチ検出（自己容量方式）の基本原理＞
図１６（Ａ）〜（Ｃ）は、自己容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図１６（Ａ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、列方向に延在し、行方向に並列的に配置された共通電極であり、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように配置された検出電極である。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように、行方向に延在し、列方向に並列的に配置されている。また、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、平面視においては、交差して見えるが、互いに電気的に接触しないように、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）との間には、絶縁層が介在している。

ここでは、説明の都合上、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を共通電極とし、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を検出電極とするが、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれには、駆動信号が供給され、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）から検出信号が出力される。そのため、外部物体のタッチを検出すると言う観点で見た場合には、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、ともに検出電極であると見なすことができる。

自己容量方式のタッチ検出においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を用いた検出原理も、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を用いた検出原理も同じである。以下、図１６（Ｂ）および（Ｃ）の説明においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とを、纏めて検出電極とする。

検出電極（共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ））のそれぞれには、接地電圧との間で寄生容量が存在する。外部物体として、例えば指ＦＧが、検出電極の近傍をタッチすると、図１６（Ｂ）に示すように、検出電極と指ＦＧとの間で電界が発生する。言い換えるならば、指ＦＧが近接することにより、検出電極と接地電圧との間に接続される容量が増加する。そのため、図１６（Ｂ）において、○で囲んだように、電圧がパルス状に変化する駆動信号を、検出電極に供給すると、検出電極と接地電圧との間に蓄積される電荷量が、検出電極の近傍をタッチしているか否かによって変化する。

図１６（Ｃ）には、指ＦＧが、検出電極の近傍をタッチしているか否かにより、検出電極に蓄積される電荷量の変化が示されている。指ＦＧが検出電極の近傍をタッチした場合、検出電極に接続される容量が増加するため、パルス状の駆動信号を、検出電極に供給したとき、検出電極に蓄積される電荷量が、タッチしていない場合に比べてΔＱだけ増加する。図１６（Ｃ）において、横軸は時間を示し、縦軸は電荷量を示している。また、図１６（Ｃ）において破線は、タッチしたときの電荷量の変化を示している。駆動信号を検出電極に供給したときに、その検出電極に蓄積されている電荷量の差ΔＱを検出することによって、検出電極の近傍がタッチされているか否かの検出をすることが可能となる。

＜タッチ制御装置の構成＞
図１７は、タッチ制御装置（タッチ用半導体装置）の構成を示すブロック図である。図１７には、図１に示したタッチ制御装置（タッチ用半導体装置）７と異なる部分のみが示されている。実施の形態２におけるタッチ用半導体装置１６００においては、図１に示したタッチ検出増幅部１３の代わりにタッチ検出信号増幅部１６０１が設けられている。図１に示したＡ／Ｄ変換部１４、信号処理部１５、座標抽出部１６、駆動信号発生部１７、駆動領域指定部１８および制御部１９は、実施の形態１と同様である。そのため、図１６においては、Ａ／Ｄ変換部１４、信号処理部１５、座標抽出部１６および制御部１９は、省略されている。また、図１７において、ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）のそれぞれは、外部端子を示している。実施の形態１においても、図７に示したように、４個の外部端子ＴｘＰ１〜ＴｘＰ４が設けられていたが、この実施の形態２においては、４個の外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）は、入出力に共通な外部端子（共通端子）とされている。すなわち、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）は、入力用の外部端子として機能するとともに、出力用の外部端子としても機能する。

図１では省略していたが、図１７では、制御部１９から駆動信号発生部１７および駆動領域指定部１８へ供給される制御信号Ｔｃ１、Ｔｃ２が明示されている。また、駆動信号発生部１７には、クロック信号φが供給されていることも明示されている。駆動信号発生部１７は、制御部１９からの制御信号Ｔｃ１に従って、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を形成する。すなわち、クロック信号φを、制御信号Ｔｃ１によって指定された駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４として形成する。具体的には、制御信号Ｔｃ１によって駆動信号Ｔｓｉｇ１が指定された場合、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ１として形成し、制御信号Ｔｃ１によって駆動信号Ｔｓｉｇ２が指定された場合、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ２として形成する。同様に、制御信号Ｔｃ１によって駆動信号Ｔｓｉｇ３が指定された場合、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ３として形成し、制御信号Ｔｃ１によって駆動信号Ｔｓｉｇ４が指定された場合、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ４として形成する。この場合、指定されていない駆動信号については、それらの駆動信号を例えば接地電圧Ｖｓにする。さらに、制御信号Ｔｃ１によって、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４のそれぞれが指定された場合には、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４として、駆動信号発生部１７は形成する。

駆動信号発生部１７により形成された駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４は、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）へ供給され、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）から出力される。すなわち、この期間においては、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）は、出力端子として機能する。

タッチ検出信号増幅部１６０１は、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４からの検出信号ＴｘＤ１〜ＴｘＤ４を、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）を介して受信し、共通電極の近傍がタッチされているか否かにより生じる電荷量の変化を電圧の変化として増幅し、図１に示したＡ／Ｄ変換部１４へ出力する。すなわち、この期間においては、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）は、入力端子として機能する。

外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）は、駆動信号Ｔｓｉｇ１を出力する出力端子および検出信号ＴｘＤ１を受信する入力端子として機能し、外部端子ＴｘＰ２（ＩＯ）は、駆動信号Ｔｓｉｇ２を出力する出力端子および検出信号ＴｘＤ２を受信する入力端子として機能する。同様に、外部端子ＴｘＰ３（ＩＯ）は、駆動信号Ｔｓｉｇ３を出力する出力端子および検出信号ＴｘＤ３を受信する入力端子として機能し、外部端子ＴｘＰ４（ＩＯ）は、駆動信号Ｔｓｉｇ４を出力する出力端子および検出信号ＴｘＤ４を受信する入力端子として機能する。すなわち、この実施の形態２において、駆動信号を出力する外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）の個数は、４個であり、検出信号を受信する外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）の個数も４個である。図１７では、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）が、入出力端子とされているが、それぞれ、出力用の外部端子と入力用の外部端子を４個ずつ設けるようにしてもよい。

駆動領域指定部１８は、制御部１９から供給される制御信号Ｔｃ２に従って、図８で説明したような状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を形成し、外部端子ＳｔＰ１、ＳｔＰ２から出力する。

外部入出力端子ＴｘＰ１（ＩＯ）は、図１４に示した信号配線ＬＴＸ１に接続され、外部入出力端子ＴｘＰ２（ＩＯ）は、信号配線ＬＴＸ２に接続され、外部入出力端子ＴｘＰ３（ＩＯ）は、信号配線ＬＴＸ３に接続され、外部入出力端子ＴｘＰ４（ＩＯ）は、信号配線ＬＴＸ４に接続される。また、外部端子ＳｔＰ１およびＳｔＰ２は、実施の形態１と同様に、デコーダ回路２０（図７）に接続され、駆動領域指定部１８により形成された状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２は、デコーダ回路２０によりデコードされる。このデコードにより、実施の形態１と同様に、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４が形成され、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４は、図７に示されているように、各単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７のスイッチＴＳ１〜ＴＳ４へ、スイッチ制御信号として供給される。

＜液晶表示装置の構成＞
この実施の形態２においては、レベルシフト＆バッファＬＢ（図１４）の構成が、実施の形態１と異なっている。すなわち、レベルシフト＆バッファＬＢを構成する複数の単位バッファの構成が、実施の形態１と異なっている。

図１８は、この実施の形態２に係わる液晶表示装置１の要部を示すブロック図である。図１８は、図１５と同様に、図１４に示した単位バッファの構成をより詳しく示している。図１８に示した液晶表示装置の要部は、図１５に示した液晶表示装置の要部と類似している。そのため、ここでは、図１５と異なる部分を主に説明し、同じ部分について原則説明を省略する。

図１５と図１８との間で異なる部分は、レベルシフト＆バッファＬＢを構成する複数の単位バッファの構成である。また、この実施の形態２においては、自己容量方式のタッチ検出が採用されており、タッチ用半導体装置７の外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）が入出力端子とされており、タッチ検出期間においては、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）から、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４に対して駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給される。この駆動信号の供給に応答して、その近傍がタッチされた共通電極における電圧の変化が、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４を介して、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）へ伝えられ、タッチ用半導体装置７内のタッチ検出信号増幅部１６０１（図１７）により増幅される。

図１８の説明に戻って、液晶表示装置１の構成を説明する。図１８には、図１５と同様に、複数の単位バッファのうち、共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）に対応する単位バッファＵＬＢ０、ＵＬＢ１のみが示されている。レベルシフト＆バッファＬＢを構成する複数の単位バッファの構成は、互いに同じであるため、図１８に示した単位バッファＵＬＢ０を代表として、説明する。

共通電極ＴＬ（０）に対応した単位バッファＵＬＢ０は、自己容量方式を示す制御信号ＳｅｌｆＥＮを受け、位相反転した制御信号を出力するインバータ回路ＩＶ２と、インバータ回路ＩＶ２の出力によってスイッチ制御されるスイッチＳ６０〜Ｓ６５と、制御信号ＳｅｌｆＥＮによってスイッチ制御されるスイッチＳ７０〜Ｓ７５とを備えている。特に制限されないが、制御信号ＳｅｌｆＥＮは、制御部９（図１）により形成される。制御部９は、自己容量方式のタッチ検出期間のとき、制御信号ＳｅｌｆＥＮを論理値“１”（ハイレベル）にし、表示期間のときには、制御信号ＳｅｌｆＥＮを論理値“０”（ロウレベル）にする。

単位バッファＵＬＢ０に含まれるスイッチＳ６０〜Ｓ６５およびＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれは、１対のノードと制御ノードとを有しており、制御ノードに論理値“１”の制御信号が供給されることにより、１対のノード間を導通状態とし、論理値“０”の制御信号が供給されることにより、１対のノード間を非導通状態とする。スイッチＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれの１対のノードのうちの一方のノードは、ノードＮ１に接続され、他方のノードは、対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６内の端子に接続されている。また、スイッチＳ６０〜Ｓ６５のそれぞれの１対のノードのうちの一方のノードは、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される電圧配線に接続され、他方のノードは、対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６内の端子に接続されている。さらに、ノードＮ１には、対応する単位選択回路ＵＴＳ０の出力と接続されている。ノードＮ１は、駆動信号を入力する入力ノードおよび検出信号を出力する出力ノードとして機能するため、入出力ノードと見なすとこができる。

制御信号ＳｅｌｆＥＮを論理値“１”にして、自己容量方式のタッチ検出期間が指定されると、単位バッファＵＬＢ０内のスイッチＳ６０〜Ｓ６５のそれぞれの制御ノードには、インバータ回路ＩＶ２によって位相差反転された制御信号ＳｅｌｆＥＮが供給されるため、スイッチＳ６０〜Ｓ６５のそれぞれは非導通状態となる。これに対し、スイッチＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれの制御ノードには、論理値“１”の制御信号ＳｅｌｆＥＮが供給されるため、スイッチＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれは導通状態となる。これにより、入出力ノードＮ１は、スイッチＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれを介して、端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６に電気的に接続される。

タッチ検出期間においては、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２に従って、単位選択回路ＵＴＳ０内のスイッチＴＳ１〜ＴＳ４のいずれか１個が導通状態にされる。これにより、単位選択回路ＵＴＳ０を介して、信号配線ＬＴＸ１または電圧配線ＬＶＳ（図１４）が、単位バッファＵＬＢ０の入出力ノードＮ１に電気的に接続され、さらに対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６に電気的に接続されることになる。

タッチ検出期間においては、例えば、共通電極ＴＬ（０）をタッチ検出用に用いるために、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２により、単位選択回路ＵＴＳ０内のスイッチＴＳ１またはＴＳ２が導通状態にされ、駆動信号発生部１７（図１７）が、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ１として形成し、入出力端子ＴｘＰ１（ＩＯ）へ供給する。これにより、駆動信号Ｔｓｉｇ１（クロック信号φ）が、信号配線ＬＴＸ１に供給され、信号配線ＬＴＸ１における駆動信号Ｔｓｉｇ１は、単位選択回路ＵＴＳ０および単位バッファＵＬＢ０を介して、共通電極ＴＬ（０）に対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６に供給され、さらに共通電極ＴＬ（０）に伝達される。

共通電極ＴＬ（０）にクロック信号φである駆動信号Ｔｓｉｇ１が伝達されると、この駆動信号Ｔｓｉｇ１の電圧変化に応答して、共通電極ＴＬ（０）における電圧が、変化する。この変化は、先に図１６で説明したように、共通電極ＴＬ（０）の近傍がタッチされているか否かにより変化量が異なる。

近傍がタッチされているか否かによって生じる、共通電極ＴＬ（０）における電圧変化は、この共通電極ＴＬ（０）に対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６に伝達される。端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６に伝達された電圧変化は、単位バッファＵＴＬ０内のスイッチＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれを介して、ノードＮ１へ伝達される。さらにノードＮ１に伝達された電圧変化は、単位選択回路ＵＴＳ０内のスイッチＴＳ１またはＴＳ２を介して、信号配線ＬＴＸ１へ伝達され、さらにタッチ制御装置７の外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）へ伝達される。

外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）へ伝達された電圧変化は、タッチ検出信号増幅部１６０１（図１７）に入力され、増幅されて、Ａ／Ｄ変換部４へ供給される。これにより、共通電極ＴＬ（０）の近傍がタッチされているか否かの検出を行うことが可能となる。

特に制限されないが、図１７に示されているように、タッチ検出信号増幅部１６０１には、駆動信号発生部１７から制御信号が供給されている。駆動信号発生部１７が、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ１として形成したタイミングが、制御信号によってタッチ検出信号増幅部１６０１へ通知される。特に制限されないが、タッチ検出信号増幅部１６０１は、この通知されたタイミングから所定時間経過したタイミングで、外部入出力端子ＴｘＰ１（ＩＯ）における電圧変化を検出する。これにより、駆動信号Ｔｓｉｇ１に応答して生じた検出信号（電圧変化）を、タッチ検出信号増幅部１６０１は、増幅を行うことが可能とされている。

共通電極ＴＬ（０）を、タッチ検出用に用いない場合には、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２により、単位選択回路ＵＴＳ０内のスイッチＴＳ３またはＴＳ４が導通状態とされる。これにより、タッチ検出期間において、共通電極ＴＬ（０）には、単位選択回路ＵＴＳ０および単位バッファＵＬＢ０を介して、電圧配線ＬＶＳが電気的に接続されることになり、共通電極ＴＬ（０）には接地電圧Ｖｓが供給されることになる。

図１８に示した単位バッファＵＴＳ１および図示しない単位バッファＵＴＳ２〜ＵＴＳｐのそれぞれも、上記した動作を行う。これにより、実施の形態１と同様に、粗く検出を行い、その後で細かく検出を行う。

タッチ検出期間において、粗く検出を行う場合、図１０および図１８に示すように、例えば共通電極ＴＬ（０）は、単位選択回路ＵＴＳ０および単位バッファＵＬＢ０を介して信号配線ＬＴＸ１に接続され、共通電極ＴＬ（１）は、単位選択回路ＵＴＳ１および単位バッファＵＬＢ１を介して信号配線ＬＴＸ１に接続されることになる。すなわち、互いに近接して配置された共通電極ＴＬ（０）とＴＬ（１）とが、同じ信号配線ＬＴＸ１に接続され、さらに同じ外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）に接続されることになる。駆動信号発生部１７（図１７）により形成された駆動信号Ｔｓｉｇ１（クロック信号φ）は、互いに近接して配置された共通電極ＴＬ（０）およびＴＬ（１）に伝達される。

共通電極ＴＬ（０）あるいはＴＬ（１）の近傍がタッチされていると、駆動信号Ｔｓｉｇ１が供給されたとき、タッチの有無に応じて共通電極ＴＬ（０）あるいはＴＬ（１）の電圧変化量が変わる。共通電極ＴＬ（０）あるいはＴＬ（１）における電圧変化量の変化が、信号配線ＬＴＸ１の電圧変化量の変化として現れる。すなわち、信号配線ＬＴＸ１の電圧変化量は、共通電極ＴＬ（０）における電圧変化量と共通電極ＴＬ（１）における電圧変化量との合成として表れる。信号配線ＬＴＸ１における電圧変化量の変化が外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）に伝達され、タッチ検出信号増幅部１６０１（図１７）で増幅されることになる。

粗く検出を行う場合、残りの共通電極、例えば図１０では、共通電極ＴＬ（２）とＴＬ（３）、ＴＬ（４）とＴＬ（５）、ＴＬ（６）とＴＬ（７）は、同じ信号配線ＬＴＸ２、ＬＴＸ３、ＬＴＸ４に接続され、これらに信号配線ＬＴＸ２〜ＬＴＸ４を用いて、上記した信号配線ＬＴＸ１と同様に駆動信号Ｔｓｉｇ２、Ｔｓｉｇ３、Ｔｓｉｇ４の伝達と、電圧変化量の伝達が行われる。この場合、自己容量方式であるため、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４に対して、実質的に同時に、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を供給し、実質的に同時に電圧変化の検出を行うことが可能である。

一方、タッチ検出期間において、細かく検出を行う場合、例えば左側の領域を検出する図１１を例にすると、次のようになる。すなわち、信号配線ＬＴＸ１は、単位選択回路ＵＴＳ０および単位バッファＵＬＢ０を介して、共通電極ＴＬ（０）に接続され、信号配線ＬＴＸ２は、単位選択回路ＵＴＳ１および単位バッファＵＬＢ１を介して、共通電極ＴＬ（１）に接続される。同様に、信号配線ＬＴＸ３は、単位選択回路ＵＴＳ２および単位バッファＵＬＢ２を介して、共通電極ＴＬ（２）に接続され、信号配線ＬＴＸ４は、単位選択回路ＵＴＳ３および単位バッファＵＬＢ３を介して、共通電極ＴＬ（３）に接続される。

この場合、駆動信号発生部１７によって、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４として形成し、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）へ供給する。これにより、クロック信号φである駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４は、対応する信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４に伝達され、対応する共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）へ供給されることになる。共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）へ駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給されることにより、それぞれの近傍がタッチされているか否かに応じた電圧変化量の変化が、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）に発生し、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４を介して、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）へ伝達され、タッチ検出信号増幅部１６０１により増幅される。これによって、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）のいずれの近傍がタッチされているかを検出することが可能となる。中央の領域を検出する図１２あるいは左側の領域を検出する図１３の場合も同様にして、検出することが可能となる。

なお、図１８に示したスイッチＳ３１〜Ｓ３６のそれぞれは、タッチ検出期間においては、共通ノードＣは、第２ノードＰ２に接続されている。また、図１８に示したスイッチＳ１００〜Ｓ１０３は、タッチ検出期間、非導通状態とされ、スイッチＳ１１０〜Ｓ１２１は、導通状態とされている。さらに、タッチ検出期間においては、制御部９は、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２を論理値“１”にし、スイッチＳ１１、Ｓ１２、Ｓ２１およびＳ２２はともに導通状態にされる。図１８には、このタッチ検出期間の状態が示されている。

共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を、検出電極とする場合を説明したが、図１６において説明した検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）に対しても、選択回路ＴＳＣと同様の選択回路、レベルシフタ＆バッファＬＢと同様のレベルシフタ＆バッファ、駆動信号発生部１７と同様の駆動信号発生部、タッチ検出信号増幅部１６０１と同様のタッチ検出信号増幅部、駆動領域指定部１８と同様の駆動領域指定部、およびデコーダ回路２０と同様のデコーダ回路を設ける。これにより、自己容量検出方式を用いて、検出電極ＲＬ（Ｒ）〜ＲＬ（ｐ）についても、粗く検出を行い、その後で細かい検出を行う。

粗い検出と細かい検出とを、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の両方の対して行うことにより、タッチされた位置の座標を抽出することができる。この場合、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）からタッチの検出をするための回路ブロックと、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）からタッチの検出をするための回路ブロックとを兼用するようにしてもよい。例えば、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）からタッチの検出と、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）からタッチの検出とが、時間的に分けて行うようにすれば、回路ブロックの兼用を図ることが可能となる。

この実施の形態２においても、実施の形態１と同様に、駆動信号を出力する外部端子の個数を、共通電極の個数に比べて少なくすることが可能であり、タッチ用半導体装置１６００の小型化を図ることができる。さらに、この実施の形態２においては、駆動信号タッチ検出期間において、駆動信号に応答して発生する検出信号を入力する外部端子の個数を、共通電極の個数よりも少なくすることができるため、タッチ用半導体装置１６００の更なる小型化を図ることが可能となる。これにより、液晶表示装置の小型化を図ることが可能となる。

単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳｐにより構成された選択回路ＳＴＣを、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を共通電極へ供給するときと、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４の供給に応答して発生した検出信号を外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）へ供給するときの両方において用いる例を説明したが、これに限定されない。すなわち、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を共通電極へ供給するときに用いる選択回路と、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４の供給に応答して発生した検出信号を外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）へ供給するときに用いる選択回路とを別々に設けるようにしてもよい。この場合、前者の選択回路を第１選択回路とし、後者の選択回路を第２選択回路とし、駆動信号を供給するタイミングで、第１選択回路が動作し、共通電極における電圧変化量を検出するタイミングで、第２選択回路が動作するようにすればよい。このように、第１選択回路と第２選択回路と分けて考えた場合、実施の形態２として説明した選択回路ＳＴＣは、第１選択回路と第２選択回路の両方の機能を有していると見なすことができる。

（実施の形態３）
図１９は、実施の形態３に係わる液晶表示装置１の要部を示すブロック図である。この実施の形態３においては、タッチ検出の方式として、図２を用いて説明した相互容量方式と図１６を用いて説明した自己容量方式とを、切り替えて適用することが可能とされる。図１９に示している液晶表示装置１の構成は、実施の形態２で説明した図１８の液晶表示装置の構成と類似している。そのため、ここでは、図１８との相違点を主に説明する。

実施の形態３に係わる液晶表示装置と図１８に示した液晶表示装置との間で異なる点は、レベルシフト＆バッファＬＢの構成である。すなわち、レベルシフト＆バッファＬＢを構成する複数の単位バッファの構成が異なっている。実施の形態３に係わる液晶表示装置１におけるレベルシフト＆バッファＬＢは、実施の形態２と同様に、複数の単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢｐにより構成されており、それぞれの単位バッファの構成は互いに同じ構成を有している。図１９には、複数の単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢｐのうち、共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）に対応する単位バッファＵＬＢ０、ＵＬＢ１のみが示されている。ここでは、単位バッファＵＬＢ０を代表として、その構成および動作を説明する。

単位バッファＵＬＢ０は、２個のロジック回路ＬＧ１、ＬＧ２と、それぞれ１対のノードと制御ノードとを有するスイッチＳ６０〜Ｓ６５と、それぞれ１対のノードと制御ノードとを有するスイッチＳ７０〜Ｓ７５と、それぞれ１対のノードと制御ノードとを有するスイッチＳ７０〜Ｓ７５とを備えている。

ロジック回路ＬＧ１は、２入力アンド回路と、自己容量方式を指定する制御信号ＳｅｌｆＥＮを位相反転し、２入力アンド回路の一方の入力に供給するインバータ回路（２入力アンド回路の入力に付された○印）とを有している。このロジック回路ＬＧ１の出力は、スイッチＳ６０〜Ｓ６５のそれぞれの制御ノードに供給されている。また、スイッチＳ６０〜Ｓ６５のそれぞれの一方のノードは、所定の電圧ＴＳＶＣＯＭが供給される電圧配線に接続され、スイッチＳ６０〜Ｓ６５のそれぞれの他方のノードは、対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６内の端子に接続されている。これらのスイッチＳ６０〜Ｓ６５のそれぞれは、ロジック回路ＬＧ１の出力に従って、１対のノード間を導通あるいは非導通とする。すなわち、ロジック回路ＬＧ１の出力が論理値“１”のときには、スイッチＳ６０〜Ｓ６５のそれぞれは、１対のノード間を導通させ、論理値が“０”のときには、スイッチＳ６０〜Ｓ６５のそれぞれは、１対のノード間を非導通とする。

ロジック回路ＬＧ２は、２入力アンド回路と、制御信号ＳｅｌｆＥＮを位相反転し、２入力ナンドの一方の入力に供給するインバータ回路（２入力アンド回路の入力に付された○印）とを有している。ロジック回路ＬＧ２の出力は、スイッチＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれの制御ノードに供給されている。また、スイッチＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれの一方のノードは、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される電圧配線に接続され、スイッチＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれの他方のノードは、対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６内の端子に接続されている。これらのスイッチＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれは、ロジック回路ＬＧ２の出力に従って、１対のノード間を導通あるいは非導通とする。すなわち、ロジック回路ＬＧ２の出力が論理値“１”のときには、スイッチＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれは、１対のノード間を導通させ、論理値が“０”のときには、スイッチＳ７０〜Ｓ７５のそれぞれは、１対のノード間を非導通とする。

スイッチＳ８０〜Ｓ８５のそれぞれの制御ノードには、制御信号ＳｅｌｆＥＮが供給され、スイッチＳ８０〜Ｓ８５のそれぞれの一方のノードは、ノードＮ１に共通に接続され、スイッチＳ８０〜Ｓ８５のそれぞれの他方のノードは、対応する端子群ＳＰ１１〜ＳＰ１６内の端子に接続されている。これにより、スイッチＳ８０〜Ｓ８５のそれぞれは、制御信号ＳｅｌｆＥＮが論理値“１”のとき、導通状態となり、制御信号ＳｅｌｆＥＮが論理値“０”のとき、非導通状態となる。

また、ロジック回路ＬＧ１におけるアンド回路の他方の入力は、ノードＮ１に接続され、ロジック回路ＬＧ２におけるアンド回路の他方の入力は、インバータ回路（２入力アンド回路の入力に付された○印）を介してノードＮ１に接続されている。ノードＮ１には、実施の形態２と同様に、対応する単位選択回路ＵＴＳ０の出力が接続されている。これにより、対応する単位選択回路ＵＴＳ０の出力は、ロジック回路ＬＧ１内のアンド回路の他方の入力ノードおよびスイッチＳ８０〜Ｓ８５のそれぞれの一方のノードに供給されることになる。また、ロジック回路ＬＧ２内のアンド回路の他方の入力ノードには、位相反転された単位選択回路ＵＴＳ０の出力が供給されることになる。

制御信号ＳｅｌｆＥＮは、実施の形態２と同様に制御部９によって形成してもよいが、この実施の形態３においては、タッチ制御装置１により形成される。また、この実施の形態３においては、制御信号ＳｅｌｆＥＮの論理値“０”は、タッチ検出方式として、図２で説明した相互容量方式を採用することを指定し、制御信号ＳｅｌｆＥＮの論理値“１”は、タッチ検出方式として、図１６で説明した自己容量方式を採用することを指定する。

タッチ検出期間において、制御信号ＳｅｌｆＥＮが論理値“１”にされていると、ロジック回路ＬＧ１におけるアンド回路およびロジック回路ＬＧ２におけるアンド回路のそれぞれの一方の入力には、○印で示されたインバータ回路により位相反転された制御信号ＳｅｌｆＥＮが供給される。そのため、ロジック回路ＬＧ１およびロジック回路ＬＧ２のそれぞれの出力は論理値“０”となる。これにより、スイッチＳ６０〜Ｓ６５およびスイッチＳ７０〜Ｓ７５は非導通状態となる。一方、スイッチＳ８０〜Ｓ８５の制御ノードには、論理値“１”の制御信号ＳｅｌｆＥＮが供給されるため、スイッチＳ８０〜Ｓ８５のそれぞれは導通状態となる。これにより、共通電極ＴＬ（０）は、単位バッファＵＬＢ０におけるノードＮ１に電気的に接続される。残りの単位バッファＵＬＢ１〜ＵＬＢｐも同様に、制御信号ＳｅｌｆＥＮが論理値“１”にされると、対応する共通電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（ｐ）をノッドＮ１に電気的に接続する。

このように、制御信号ＳｅｌｆＥＮを論理値“１”にすることにより、タッチ検出期間において、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、対応する単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢｐにおけるノードＮ１に電気的に接続されることになる。実施の形態２において述べたように、図１７に示した駆動信号発生部１７、タッチ検出信号増幅部１６０１および外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）を設けることによって、自己容量方式で、タッチの有無を検出することが可能となる。この場合、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）についても、図１９で説明したレベルシフト＆バッファＬＢと同様な回路ブロック等を設けることにより、タッチされた位置の座標を抽出することが可能となる。

一方、タッチ検出期間において、制御信号ＳｅｌｆＥＮが論理値“０”にされると、ロジック回路ＬＧ１におけるアンド回路およびロジック回路ＬＧ２におけるアンド回路のそれぞれの一方の入力には、論理値“０”が供給されることになる。そのため、ロジック回路ＬＧ１およびロジック回路ＬＧ２のそれぞれの出力は、ノードＮ１における論理値に従って変化する。すなわち、ノードＮ１における論理値が“１”であれば、ロジック回路ＬＧ１の出力は、論理値“１”となり、ロジック回路ＬＧ２の出力は、論理値“０”となる。反対に、ノードＮ１における論理値が“０”であれば、ロジック回路ＬＧ１の出力は、論理値“０”となり、ロジック回路ＬＧ２の出力は、論理値“１”となる。これにより、スイッチＳ６０〜Ｓ６５およびスイッチＳ７０〜Ｓ７５は、ノードＮ１における論理値に従って、相補的に導通／非導通状態となる。一方、スイッチＳ８０〜Ｓ８５の制御ノードには、論理値“０”の制御信号ＳｅｌｆＥＮが供給されるため、スイッチＳ８０〜Ｓ８５のそれぞれは非導通状態となる。

これにより、共通電極ＴＬ（０）には、ノードＮ１における論理値（電圧値）に従って、スイッチＳ６０〜Ｓ６５またはＳ７０〜Ｓ７５を介して、所定の電圧ＴＳＶＣＯＭまたはＶＣＯＭＤＣが供給される。残りの単位バッファＵＬＢ１〜ＵＬＢｐも同様に、制御信号ＳｅｌｆＥＮが論理値“０”にされると、対応する共通電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（ｐ）にノッドＮ１における論理値、すなわち電圧に従って、所定の電圧ＴＳＶＣＯＭまたはＶＣＯＭＤＣを供給する。

単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢｐのそれぞれにおけるノードＮ１には、対応する単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳｐの出力が供給される。そのため、図１に示したタッチ検出信号増幅部１３を設け、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）から駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４へ出力し、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２により、選択回路ＴＳＣを制御することにより、実施の形態１で述べた相互容量方式で、タッチの有無を検出し、タッチされた位置の座標を抽出することが可能となる。

この実施の形態３によれば、タッチ検出方式として、自己容量方式と相互容量方式を切り替えることが可能となる。

＜タッチ検出方法＞
図２０は、タッチ検出方法を示すフローチャート図である。図２０に示す処理は、特に制限されないが、タッチ用半導体装置において実行される。ここでは、実施の形態３で説明した液晶表示装置１を用いたタッチ検出方法を説明する。

先ず、ステップＳＳ１において、タッチ検出の処理が起動される。起動されると、制御部１９（図１）は、ステップＳＳ２の処理（ＴＳＷ１選択、４ｍｍピッチでＳｅｌｆ駆動）を実行する。このステップＳＳ２で行われる処理は次の通りである。

先ず、処理部１９は、駆動領域指定部１８に対して、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１を論理値“１”にするような状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を出力させる。すなわち、駆動領域指定部１８が、論理値“１”、“１”の状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を出力するように指示する。また、制御部１９は、検出方式を指定する制御信号ＳｅｌｆＥＮを論理値“１”として出力する。さらに、制御部１９は、駆動信号発生部１７に対して、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４として形成し、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）へ出力するように指示する。

これにより、選択回路ＴＳＣを構成する単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７のそれぞれにおいて、スイッチＴＳ１が、図１０に示すように導通状態となる。また、制御信号ＳｅｌｆＥＮが論理値“１”とされることにより、レベルシフト＆バッファＬＢを構成する複数の単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢ７におけるスイッチＳ８０〜Ｓ８５が導通状態となる。これにより、駆動信号Ｔｓｉｇ１は、共通電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）へ供給され、駆動信号Ｔｓｉｇ２は、共通電極ＴＬ（２）、ＴＬ（３）へ供給され、駆動信号Ｔｓｉｇ３は、共通電極ＴＬ（４）、ＴＬ（５）へ供給され、駆動信号Ｔｓｉｇ４は、共通電極ＴＬ（６）、ＴＬ（７）へ供給される。

共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）のそれぞれにおいては、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給されることにより、その近傍がタッチされているか否かに応じた電位変化量が発生する。発生した電圧変化量は、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４において合成され、合成された電圧変化量が、タッチ用半導体装置の外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）へ伝達される。伝達された電圧変化量は、タッチ検出信号増幅部１６０１（図１７）で増幅される。増幅された電圧変化量は、Ａ／Ｄ変換部１４（図１）、信号処理部１５（図１）および座標抽出部１６で処理され、処理結果が制御部１９へ供給される。

この場合、特に制限されないが、制御部１９へ供給される処理結果は、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）のいずれかへ伝達された電圧変化量が、タッチされたことを示す値に到達しているか否かを示すタッチ検出結果と、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）のいずれの外部端子へ伝達された電圧変化量が、タッチされたことを示す値に到達しているかを示す粗い検出位置結果を含んでいる。制御部１９は、処理結果に含まれているタッチ検出結果に基づいて、検出あるいは非検出の判定を行う。すなわち、タッチ検出結果が、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）に伝達された電圧変化量のいずれもが、タッチされたことを示す値に到達していないことを示していれば、非検出と判定する。一方、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）へ伝達された電圧変化量が、タッチされたことを示す値に到達していれば、検出と判定する。非検出と判定した場合、再び、ステップＳＳ２を実行し、検出と判定した場合、ステップＳＳ３を実行する。すなわち、検出と判定するまで、ステップＳＳ２が繰り返される。

ステップＳＳ３において、制御部１９は、処理結果に含まれている粗い検出位置結果に基づいて、物体位置検出の処理を行う。この処理において、制御部１９は細かく検出する領域を特定する。すなわち、粗い検出位置結果が、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）または／およびＴｘＰ２（ＩＯ）に伝達された電圧変化量が、タッチされたことを示す値に到達していることを表していた場合、制御部１９は、次に行う細かい検出の対象として、左側の領域を対象とすると判定する（左側検出）。粗い検出位置結果が、外部端子ＴｘＰ２（ＩＯ）または／およびＴｘＰ３（ＩＯ）に伝達された電圧変化量が、タッチされたことを示す値に到達していることを表していた場合、制御部１９は、次に行う細かい検出の対象として、中央の領域を対象とすると判定する（中央検出）。また、粗い検出位置結果が、外部端子ＴｘＰ３（ＩＯ）または／およびＴｘＰ４（ＩＯ）に伝達された電圧変化量が、タッチされたことを示す値に到達していることを表していた場合、制御部１９は、次に行う細かい検出の対象として、右側の領域を対象とすると判定する（右側検出）。

左側検出の場合、次にステップＳＳ４（ＴＳＷ２選択、２ｍｍピッチで左側Ｍｕｔｕａｌ駆動）を実行する。ステップＳＳ４において、制御部１９は、制御信号ＳｅｌｆＥＮを論理値“０”にする。また、制御部１９は、論理値“１”、“０”の状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を駆動領域指定部１８が出力するように、指示を行う。さらに、制御部１９は、駆動信号発生部１７に対して、クロック信号φを、例えば駆動信号Ｔｓｉｇ１からＴｓｉｇ４の順に、駆動信号として形成するように指示する。これにより、クロック信号φである駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４の順に、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）から出力され、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４の順に伝達される。

状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２が、論理値“１”、“０”となることにより、図１１に示すように、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７のそれぞれにおけるスイッチＴＳ２が導通状態となる。これにより、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ３を介して、単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢ３に供給される。単位バッファＵＬＢ０〜ＵＬＢ３のそれぞれにおいては、供給された駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４（クロック信号φ）の電圧変化に従って、スイッチＳ６０〜Ｓ６５とスイッチＳ７０〜Ｓ７５とが相補的に導通／非導通状態となる。これにより、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４の電圧変化に同期して、所定の電圧ＴＳＶＯＭまたは所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが交互に供給されることになる。また、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４の順で、クロック信号φとなるように、駆動信号発生部１７が形成するため、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）の順で、駆動電極の電圧が交番的な変化を開始する。

駆動電極ＴＬ（０）の電圧が変化を開始したタイミングで、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）に発生する電位変化量（検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）：図１）を、タッチ検出信号増幅部１３で増幅する。また、タッチ検出信号増幅部１３は、駆動電極ＴＬ（１）の電圧が変化を開始したタイミングで、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を増幅し、駆動電極ＴＬ（２）の電圧が変化を開始したタイミングで、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を増幅する。同様に、タッチ検出信号増幅部１３は、駆動電極ＴＬ（３）の電圧が変化を開始したタイミングで、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を増幅する。

それぞれ増幅された検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、Ａ／Ｄ変換部１４、信号処理部１５で処理が行われ、座標抽出部１６に供給される。座標抽出部１６では、例えば駆動信号発生部１７において駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を形成したタイミングと、Ａ／Ｄ変換部１４および信号処理部１５で処理された検出信号とに基づいて、タッチされた位置（物体位置）の座標を抽出して、座標情報として、外部端子Ｔｏｕｔから出力する。これにより、ステップＳＳ３において、左側にタッチされた領域があると粗く検出した場合、細かく検出が行われ、タッチされた位置の座標が抽出される。座標の抽出が完了すると、再び、ステップＳＳ２が実行される。

ステップＳＳ４において、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ３を除く単位選択回路ＵＴＳ４〜ＵＴＳ７のそれぞれは、接地電圧Ｖｓを対応する単位バッファＵＬＢ４〜ＵＬＢ７へ供給する。接地電圧Ｖｓが供給された単位バッファＵＬＢ４〜ＵＬＢ７のそれぞれにおいては、スイッチＳ７０〜Ｓ７５が導通状態となるため、これらの単位バッファに接続された共通電極には、ステップＳＳ４で処理が行われている期間、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給されることになる。

特に制限されないが、ステップＳＳ４において、駆動信号発生部１７が、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を順次形成する際、クロック信号φを所定期間、駆動信号Ｔｓｉｇ１として形成し、次に所定時間、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ２として形成し、その後、所定時間、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ３として形成し、さらに、所定時間、クロック信号φを駆動信号Ｔｓｉｇ４として形成する。すなわち、各駆動信号間で、クロック信号となっている期間が重ならないように形成される。

次に、ステップＳＳ３において、中央検出とされた場合、次にステップＳＳ５（ＴＳＷ３選択、２ｍｍピッチで中央Ｍｕｔｕａｌ駆動）を実行する。ステップＳＳ５において、制御部１９は、制御信号ＳｅｌｆＥＮを論理値“０”にする。また、制御部１９は、論理値“０”、“１”の状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を駆動領域指定部１８が出力するように、指示を行う。さらに、制御部１９は、ステップＳＳ４と同様に、駆動信号発生部１７に対して、クロック信号φを、駆動信号Ｔｓｉｇ１からＴｓｉｇ４の順に、駆動信号として形成するように指示する。これにより、クロック信号φである駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４の順に、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）から出力され、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４の順に伝達される。

状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２が、論理値“０”、“１”の場合には、図８に示したように、駆動スイッチ信号ＴＳＷ３が論理値“１”となる。これにより、図１２に示すように、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７のそれぞれにおけるスイッチＴＳ３が導通状態となる。その結果、左側検出の場合とは異なり、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４のそれぞれは、単位選択回路ＵＴＳ２〜ＵＴＳ５のそれぞれを介して、それぞれの単位選択回路に対応した単位バッファＵＬＢ２〜ＵＬＢ５のそれぞれに供給されることになる。左側検出の場合と同様に、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給された単位バッファＵＬＢ２〜ＵＬＢ５のそれぞれにおいては、供給される駆動信号の電圧変化に同期して、スイッチＳ６０〜Ｓ６５およびＳ７０〜Ｓ７５が相補的に動作する。これにより、単位バッファＵＬＢ２〜ＵＬＢ５に対応した共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（５）に、所定の電圧ＴＳＶＣＯＭおよびＶＣＯＭＤＣが交互に供給される。

左側検出の場合と同様に、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４は、この順にクロック信号φとなるため、共通電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（５）の順に、その電圧が変化する。これにより、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）には、共通電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）との交差部分の近傍がタッチされているか否かに応じた電圧変化量が発生し、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として、タッチ検出信号増幅部１３へ供給される。以降順次、共通電極ＴＬ（３）との交差部分に関する検出信号ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）、共通電極ＴＬ（４）との交差部分に関する検出信号ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）、共通電極ＴＬ（５）との交差部分に関する検出信号ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）が、タッチ検出信号増幅部１３へ供給される。これにより、左側検出の場合と同様に、細かい検出が行われ、タッチされた位置の座標が抽出されて、出力される。タッチされた位置の座標が出力されると、再びステップＳＳ２が実行される。

また、ステップＳＳ３において、右側検出とされた場合、次にステップＳＳ６（ＴＳＷ４選択、２ｍｍピッチで右側Ｍｕｔｕａｌ駆動）を実行する。ステップＳＳ６においても、制御部１９は、制御信号ＳｅｌｆＥＮを論理値“０”にする。また、制御部１９は、論理値“１”、“１”の状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を駆動領域指定部１８が出力するように、指示を行う。さらに、制御部１９は、ステップＳＳ４と同様に、駆動信号発生部１７に対して、クロック信号φを、駆動信号Ｔｓｉｇ１からＴｓｉｇ４の順に、駆動信号として形成するように指示する。これにより、クロック信号φである駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４の順に、外部端子ＴｘＰ１（ＩＯ）〜ＴｘＰ４（ＩＯ）から出力され、信号配線ＬＴＸ１〜ＬＴＸ４の順に伝達される。

状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２が論理値“１”、“１”の場合には、図８に示したように、駆動スイッチ信号ＴＳＷ４が論理値“１”となる。これにより、図１３に示すように、単位選択回路ＵＴＳ０〜ＵＴＳ７のそれぞれにおけるスイッチＴＳ４が導通状態となる。その結果、左側検出および中央検出の場合とは異なり、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４のそれぞれは、単位選択回路ＵＴＳ４〜ＵＴＳ７のそれぞれを介して、それぞれの単位選択回路に対応した単位バッファＵＬＢ４〜ＵＬＢ７のそれぞれに供給されることになる。左側検出および中央検出の場合と同様に、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が供給された単位バッファＵＬＢ４〜ＵＬＢ７のそれぞれにおいては、供給される駆動信号の電圧変化に同期して、スイッチＳ６０〜Ｓ６５およびＳ７０〜Ｓ７５が相補的に動作する。これにより、単位バッファＵＬＢ４〜ＵＬＢ７に対応した共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）に、所定の電圧ＴＳＶＣＯＭおよびＶＣＯＭＤＣが交互に供給される。

左側検出および中央検出の場合と同様に、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４は、この順にクロック信号φとなるため、共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（７）の順に、その電圧が変化する。これにより、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）には、共通電極ＴＬ（５）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）との交差部分の近傍がタッチされているか否かに応じた電圧変化量が発生し、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として、タッチ検出信号増幅部１３へ供給される。以降順次、共通電極ＴＬ（５）との交差部分に関する検出信号ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）、共通電極ＴＬ（６）との交差部分に関する検出信号ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）、共通電極ＴＬ（７）との交差部分に関する検出信号ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）が、タッチ検出信号増幅部１３へ供給される。これにより、左側検出および中央検出の場合と同様に、細かい検出が行われ、タッチされた位置の座標が抽出されて、出力される。タッチされた位置の座標が出力されると、再びステップＳＳ２が実行される。

このように、ステップＳＳ２およびステップＳＳ３は、タッチされている領域を含み、この領域よりも大きな第１領域を、粗く検出する第１検出工程と見なすことができる。また、ステップＳＳ４〜ＳＳ６は、粗く検出する第１検出工程により検出された第１領域に配置されている共通電極へ駆動信号を供給して、タッチされている近傍の領域に配置された共通電極を、細かく検出する第２検出工程と見なすことができる。

ここでは、粗い検出を自己容量方式で行い、細かい検出を相互容量検出方式で行うようにしている。しかしながら、粗い検出および細かい検出の両方を、自己容量方式あるいは相互容量方式で行うようにしてもよい。粗い検出および細かい検出の両方を自己容量方式で行う場合、図１に示したタッチ検出信号増幅部１３を設けなくても済む。また、粗い検出および細かい検出の両方を相互容量方式で行う場合、図１７に示したタッチ検出信号増幅部１６０１を設けなくても済む。そのため、タッチ用半導体装置の小型化を図ることが可能となる。

一方、図２０に示すように、粗い検出を自己容量方式で行い、細かい検出を相互容量検出方式で行うようにすると、粗い検出の際には、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の電位変化量を検出する必要がないため、検出に関する制御の簡略化を図ることが可能となる。また、粗い検出を自己容量方式により実行する場合、実質的に同時に、駆動信号を全面の駆動電極に供給し、全面の検出を、実質的に同時に行うことが可能である。これにより、粗い検出の高速化を図ることも可能である。

（実施の形態４）
図２１（Ａ）〜（Ｄ）は、実施の形態４に係わる液晶表示装置の構成を示す模式図である。この実施の形態４においては、実施の形態１〜３において説明した４個の駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が、８個の駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８（図示せず）とされている。また、共通電極は、ＴＬ（０）〜ＴＬ（１５）の１６個とされている。駆動スイッチ信号は、実施の形態１〜３と同様に、ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４の４個である。

図２１（Ａ）〜（Ｄ）において、７は、実施の形態１〜３において説明したタッチ用半導体装置であり、この実施の形態４においても１個の半導体装置である。タッチ用半導体装置７のブロック内に示されたＰ１〜Ｐ８のそれぞれは、外部端子を示しており、タッチ検出期間において、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８を出力する。なお、図２１に示したタッチ用半導体装置７では、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を出力する外部端子は省略されている。また、図面を見易くするために、選択回路ＴＳＣおよびレベルシフト＆バッファＬＢも省略されている。

状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２の論理値の組み合わせに従って、実施の形態１〜３と同様に、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４が形成される。図２０に示したタッチ検出方法と同様に、粗く検出を行う場合、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１が論理値“１”となり、細かく左側検出を行う場合、駆動スイッチ信号ＴＳＷ２が論理値“１”となる。また、細かく中央検出を行う場合、駆動スイッチ信号ＴＳＷ３が論理値“１”となり、細かく右側検出を行う場合、駆動スイッチ信号ＴＳＷ４が論理値“１”となる。

図２１（Ａ）には、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２によって、駆動スイッチ信号ＴＳＷ１が論理値“１”となったとき、すなわち粗く検出を行うときの、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（１５）との関係が示されている。例えば、液晶パネル２に形成されている共通電極の個数が、図２１に示されている１６個であった場合、液晶パネル２の全面を粗く検出することに該当する。

全面を粗く検出するとき、選択回路ＴＳＣにより、それぞれの外部端子Ｐ１〜Ｐ８は、互いに隣接して配置された２個の共通電極に電気的に接続される。図２１（Ａ）を例にすると、外部端子Ｐ１は、共通電極ＴＬ（０）と、この共通電極ＴＬ（０）に隣接して配置された共通電極ＴＬ（１）に接続される。同様に、外部端子Ｐ２は、共通電極ＴＬ（２）とＴＬ（３）に接続され、外部端子Ｐ３は、共通電極ＴＬ（４）とＴＬ（５）に接続され、外部端子Ｐ４は、共通電極ＴＬ（６）とＴＬ（７）に接続され、外部端子Ｐ５は、共通電極ＴＬ（８）とＴＬ（９）に接続される。また、外部端子Ｐ６は、共通電極ＴＬ（１０）とＴＬ（１１）に接続され、外部端子Ｐ７は、共通電極ＴＬ（１２）とＴＬ（１３）に接続され、外部端子Ｐ８は、共通電極ＴＬ（１４）とＴＬ（１５）に接続される。

それぞれの外部端子Ｐ１〜Ｐ８を、互いに隣接する２個の共通電極へ接続した状態で、クロック信号である駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８を、それぞれの外部端子Ｐ１〜Ｐ８から出力する。これにより、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（１５）のそれぞれは、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８の電圧変化に従って電圧が変化する。このとき、タッチに応じて発生する電位変化量を、実施の形態１で説明した相互容量（Ｍｕｔｕａｌ）方式あるいは実施の形態２で説明した自己容量（Ｓｅｌｆ）方式で検出する。

粗く検出を行った結果、左側の領域に配置されている共通電極の近傍がタッチされていると判定された場合、図２１（Ｂ）に示す状態にする。すなわち、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を論理値“１”、“０”にする。これにより、選択回路ＴＳＣは、タッチ半導体装置７の外部端子Ｐ１〜Ｐ８のそれぞれを、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）に接続する。このように接続した状態で、外部端子Ｐ１〜Ｐ８から共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）へ駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８を供給する。この場合、図２０で説明したように、クロック信号が、順次駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８となるようにする。駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８の電圧が変化することにより、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）の電圧が変化し、タッチの有無に応じて生じる電位変化量を、例えば実施の形態１で説明した相互容量方式で検出する。これにより、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）のいずれの近傍がタッチされたかを検出することが可能となる。タッチされた位置の検出が完了したら、再び、図２１（Ａ）の状態へ戻る。図２１においては、この２つの状態の遷移が矢印Ａ１で示されている。

また、粗く検出を行った結果、中央の領域に配置されている共通電極の近傍がタッチされていると判定された場合、図２１（Ｃ）に示す状態にする。すなわち、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を論理値“０”、“１”にする。これにより、選択回路ＴＳＣは、タッチ半導体装置７の外部端子Ｐ１〜Ｐ８のそれぞれを、共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（１１）に接続する。このように接続した状態で、外部端子Ｐ１〜Ｐ８から共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（１１）へ駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８を供給する。この場合も、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８の順で、クロック信号となるようにする。駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８の電圧が変化することにより、共通電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（１１）の電圧が変化し、タッチの有無に応じて生じる電位変化量を、例えば実施の形態１で説明した相互容量方式で検出する。これにより、駆動電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（１１）のいずれの近傍がタッチされたかを検出することが可能となる。タッチされた位置の検出が完了したら、再び、図２１（Ａ）の状態へ戻る。図２１においては、この２つの状態の遷移が矢印Ａ２で示されている。

さらに、粗く検出を行った結果、右側の領域に配置されている共通電極の近傍がタッチされていると判定された場合、図２１（Ｃ）に示す状態にする。すなわち、状態信号Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２を論理値“１”、“１”にする。これにより、選択回路ＴＳＣは、タッチ半導体装置７の外部端子Ｐ１〜Ｐ８のそれぞれを、共通電極ＴＬ（８）〜ＴＬ（１５）に接続する。このように接続した状態で、外部端子Ｐ１〜Ｐ８から共通電極ＴＬ（８）〜ＴＬ（１５）へ駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８を供給する。この場合も、駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８の順で、クロック信号となるようにする。駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ８の電圧が変化することにより、共通電極ＴＬ（８）〜ＴＬ（１５）の電圧が変化し、タッチの有無に応じて生じる電位変化量を、例えば実施の形態１で説明した相互容量方式で検出する。これにより、駆動電極ＴＬ（８）〜ＴＬ（１５）のいずれの近傍がタッチされたかを検出することが可能となる。タッチされた位置の検出が完了したら、再び、図２１（Ａ）の状態へ戻る。図２１においては、この２つの状態の遷移が矢印Ａ３で示されている。

また、図２１（Ｂ）で述べたように左側の領域の検出を行った後、図２１（Ｃ）で述べたように中央の領域の検出を行うようにしてもよい。反対に、図２１（Ｃ）で述べたように中央の領域の検出を行った後、図２１（Ｂ）で述べたように左側の領域の検出を行ってもよい。この状態の遷移は、図２１では矢印Ｂ１で示されている。

同様に、図２１（Ｄ）で述べたように右側の領域の検出を行った後、図２１（Ｃ）で述べたように中央の領域の検出を行うようにしてもよい。反対に、図２１（Ｃ）で述べたように中央の領域の検出を行った後、図２１（Ｂ）で述べたように右側の領域の検出を行ってもよい。この状態の遷移は、図２１では矢印Ｂ２で示されている。

このようにすることにより、粗い検出を行う状態に戻らずに、細かい検出を継続して行うことが可能となり、検出の高速化を図ることが可能である。例えば、タッチの操作が、左側の領域から中央の領域へ移動することが推定される場合等で有効である。また、このように、細かい検出間を遷移した後は、矢印Ａ１、Ａ２またはＡ３で示されているように、図２１（Ａ）の粗い検出の状態へ遷移するようにすればよい。

以上述べたように、粗い検出は、互いに隣接して配置された複数（２個）の共通電極に１個の駆動信号が供給することにより行われる。そのため、互いに隣接した複数の共通電極を１個の共通電極と見なして、駆動信号を供給して、粗い検出を行っていると見なすことができる。また、言い換えるならば、粗い検出の際には、外部端子は、互いに隣接した複数の共通電極に対して共通端子であると見なすことができる。この場合、互いに隣接した共通電極を１個の共通電極と見なすため、粗い検出が可能となる。また、共通端子であるため、タッチ用半導体装置の外部端子の個数を、共通電極の個数よりも少なくすることが可能であり、小型化を図ることが可能となる。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例および修正例に想到し得るものであり、それら変形例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

例えば、実施の形態においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、列方向に延在し、行方向に配置されている場合を説明したが、行方向および列方向は、見る視点により変化する。見る視点を変えて、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が、行方向に延在し、列方向に配置されている場合も本発明の範囲に含まれるものである。

本発明では、自己容量方式の実施形態に代表されるように、駆動信号発生部１７により形成された駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４が、タッチ用半導体装置７または１６００の外部端子から出力され、選択回路ＴＳＣおよびレベルシフタ＆バッファＬＢを介して共通電極に供給されるように説明した。また、相互容量方式の実施形態に代表されるように駆動信号発生部１７により形成された駆動信号Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４を選択回路ＴＳＣを介して、レベルシフタ＆バッファＬＢに供給し、レベルシフタ＆バッファＬＢで、選択される共通電極に供給される駆動電圧を形成するようにしてよい。すなわち、本発明のタッチ制御装置はタッチ検出駆動の対象となる共通電極を選択する選択回路ＴＳＣを介してタッチ検出駆動電極に直接的または間接的に駆動電圧を供給することができる。

すなわち本発明においてはタッチ制御装置から制御される選択回路ＴＳＣを介して、選択回路ＴＳＣにより選択されるタッチ検出モードにおいて選択されるタッチ検出駆動電極に、タッチ制御装置から駆動信号が直接的または間接的に出力される。

これらをタッチ制御装置から得られるタッチ検出結果と連動させることでタッチ検出速度の向上、タッチ検出精度の維持、駆動電力の低減、額縁領域のレイアウトスペースの低減が実現できる。

また、実施の形態では、タッチ検出機能付き液晶表示装置を例として説明したが、これに限定されるものではなく、タッチ検出機能付きＯＬＥＤ表示装置にも適用することが可能である。

１ タッチ機能付き液晶表示装置
２ 液晶パネル
５ 表示制御装置
６ 信号線セレクタ
７、１６００ タッチ用半導体装置
８ ゲートドライバ
１０ 駆動回路
１１ 信号線ドライバ
１２ 駆動電極ドライバ
１７ 駆動信号発生部
１８ 駆動領域指定部
２０ デコーダ回路
５０６ ドライバ用半導体装置
ＳＰｉｘ 液晶表示素子
ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ） 共通電極
ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ） 信号線
ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ） 検出電極
ＴｘＰ１〜ＴｘＰ４、ＳｔＰ１、ＳｔＰ２ 外部端子
ＴＳＣ 選択回路
ＬＢ レベルシフト＆バッファ
Ｔｓｉｇ１〜Ｔｓｉｇ４ 駆動信号
Ｓｔａｔｕｓ１、Ｓｔａｔｕｓ２ 状態信号
ＴＳＷ１〜ＴＳＷ４ 駆動スイッチ信号

Claims (16)

1. 行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、
   前記画素配列の各行に配置され、対応する行に配置された複数の画素に走査信号を供給する複数の走査線と、
   前記画素配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の画素に、画像信号を供給する複数の信号線と、
   前記画素配列の列に配置され、タッチを検出するための駆動信号が供給される複数のタッチ検出駆動電極と、
   前記駆動信号を、前記タッチ検出駆動電極に供給するための複数の駆動端子を備えた半導体装置と、
   を具備し、
   前記半導体装置の前記複数の駆動端子の数が、前記画素配列に配置された前記複数のタッチ検出駆動電極の数よりも少ない、表示装置。
2. 請求項１に記載の表示装置において、
   前記表示装置は、前記複数の駆動端子と前記画素配列に配置された前記複数のタッチ検出駆動電極とに結合された第１選択回路を備え、前記半導体装置は前記第１選択回路を介して前記タッチ検出駆動電極に駆動信号を供給する、表示装置。
3. 請求項２に記載の表示装置において、
   前記第１選択回路は、前記複数の駆動端子の数よりも多い数のタッチ検出駆動電極へ、前記駆動信号を供給し、前記駆動信号の供給に基づいたタッチの検出に従って、前記駆動端子の数に対応した数のタッチ検出駆動電極へ前記駆動信号を供給する、表示装置。
4. 請求項３に記載の表示装置において、
   前記半導体装置は、前記駆動信号の供給に基づいたタッチの検出により、タッチされた位置を含む領域に配置された、前記駆動端子の数に対応した数のタッチ検出駆動電極へ、前記駆動信号が供給されるように、前記第１選択回路を制御する、表示装置。
5. 請求項４に記載の表示装置において、
   前記表示装置は、前記複数の駆動端子に接続される複数の信号配線を備え、
   前記第１選択回路は、前記複数の信号配線のそれぞれと、１のタッチ検出駆動電極との間に接続され、前記半導体装置によって制御される複数の単位選択回路を備える、表示装置。
6. 請求項１に記載の表示装置において、
   前記複数のタッチ検出駆動電極のそれぞれには、前記駆動信号が供給されることにより、タッチの有無に応じた検出信号が発生し、
   前記半導体装置は、前記検出信号を受信する複数の検出端子を備え、前記複数の検出端子の数は、前記画素配列に配置される前記複数のタッチ検出駆動電極の数よりも少ない、表示装置。
7. 請求項６に記載の表示装置において、
   前記表示装置は、前記複数の検出端子と前記画素配列に配置された前記複数のタッチ検出駆動電極とに結合された第２選択回路を備え、前記第２選択回路は、複数のタッチ検出駆動電極に発生した検出信号を、前記複数の検出端子のうちの１の検出端子へ供給する、表示装置。
8. 請求項６に記載の表示装置において、
   前記複数の駆動端子のそれぞれと前記複数の検出端子のそれぞれとは、同じ共通端子であり、時分割的に、前記共通端子は前記駆動端子および前記検出端子として機能する、表示装置。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の表示装置において、
   前記タッチ検出駆動電極は、画素電極が形成された基板と同一の基板上に形成され、前記第１選択回路は前記基板の短辺に沿った額縁領域に形成されており、かつ前記タッチ検出駆動電極が映像表示用の共通電極としても兼用される、表示装置。
10. それぞれ列方向に延在し、行方向に配置された複数のタッチ検出駆動電極を備え、タッチ検出駆動電極に駆動信号を供給することにより、駆動信号が供給されるタッチ検出駆動電極の近傍領域がタッチされているか否かを示す検出信号に基づいて、タッチされている領域を検出するタッチ検出方法であって、
    前記複数のタッチ検出駆動電極に、駆動信号を供給することにより生成される検出信号に基づいて、タッチされている領域を含み、当該領域よりも大きな第１領域を検出する第１検出工程と、
    前記複数のタッチ検出駆動電極のうち、第１検出工程で検出された第１領域に配置される複数のタッチ検出駆動電極に、駆動信号を供給することにより生成される検出信号に基づいて、タッチされている領域を検出する第２検出工程と、
    を備える、タッチ検出方法。
11. 請求項１０に記載のタッチ検出方法において、
    前記第１検出工程においては、互いに隣接する複数のタッチ検出駆動電極に対して、共通の駆動信号が供給され、前記第２検出工程においては、前記互いに隣接する複数のタッチ検出駆動電極のそれぞれに、別々の駆動信号が供給される、タッチ検出方法。
12. 請求項１１に記載のタッチ検出方法において、
    それぞれ、前記駆動信号を出力する複数の駆動端子を有する半導体装置を備え、
    前記第１検出工程においては、前記複数の駆動端子のうちの１の駆動端子からの駆動信号が、共通の駆動信号として、前記互いに隣接する複数のタッチ検出駆動電極に供給され、
    前記第２検出工程においては、前記互いに隣接する複数のタッチ検出駆動電極のうちの１のタッチ検出駆動電極に、前記１の駆動端子からの駆動信号が供給され、前記複数の駆動端子のうちの他の駆動端子からの駆動信号が、前記互いに隣接する複数のタッチ検出駆動電極のうちの他のタッチ検出駆動電極に供給される、タッチ検出方法。
13. 請求項１０に記載のタッチ検出方法において、
    前記複数のタッチ検出駆動電極のそれぞれと交差するように、それぞれ行方向に延在し、列方向に配置された複数の検出電極を備え、
    前記第１検出工程および前記第２検出工程のそれぞれは、前記複数の検出電極における信号の変化を検出し、前記検出信号を形成する工程を備える、タッチ検出方法。
14. 請求項１０に記載のタッチ検出方法において、
    前記第１検出工程は、前記複数のタッチ検出駆動電極に駆動信号を供給した後、前記複数のタッチ検出駆動電極における信号の変化を検出し、前記検出信号を生成する工程を備え、
    前記第２検出工程は、前記第１領域に配置される複数のタッチ検出駆動電極に駆動信号が供給された後、前記第１領域に配置される複数のタッチ検出駆動電極における信号の変化を検出し、前記検出信号を生成する工程を備える、タッチ検出方法。
15. 請求項１０に記載のタッチ検出方法において、
    前記複数のタッチ検出駆動電極のそれぞれと交差するように、それぞれ行方向に延在し、列方向に配置された複数の検出電極を備え、
    前記第１検出工程は、前記複数のタッチ検出駆動電極に駆動信号を供給した後、前記複数のタッチ検出駆動電極における信号の変化を検出し、前記検出信号を生成する工程を備え、
    前記第２検出工程は、前記複数の検出電極における信号の変化を検出し、前記検出信号を形成する工程を備える、タッチ検出方法。
16. 請求項１０に記載のタッチ検出方法において、
    前記複数のタッチ検出駆動電極は、それぞれ、列方向に延在し、行方向に互いに隣接した複数のタッチ検出駆動電極を有する複数の領域に分けられ、
    複数の領域において、互いに隣接する領域間では互いに重なる重なり領域を有し、前記重なり領域には、少なくとも１個のタッチ検出駆動電極が含まれ、
    前記第１検出工程において、複数の領域における１の領域が、前記第１領域として検出される、タッチ検出方法。

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