JP2016096281A - Wiring board with cavity and method of manufacturing the same - Google Patents

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敬介 清水
照井 誠
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Ryojiro Tominaga
亮二郎 富永
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board with a cavity capable of improving mounting accuracy of an electronic component in a cavity, and also to provide a method of manufacturing the same.SOLUTION: Disclosed is a wiring board 10 with a cavity for built-in electronic component which includes: an outer insulation layer 34 which is arranged in the outside in the thickness direction; and a cavity 30 for the built-in electronic component which is opened on the F-surface 10F facing the outside of the outer insulation layer 34. In the outer insulation layer 34, a positioning opening 34A is formed, separately from the opening 30, which exposes a part of an outer conductor circuit layer 35 formed under the outer insulation layer 34 as an alignment mark 35M.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、電子部品内蔵用のキャビティを有するキャビティ付き配線板及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a wiring board with a cavity having a cavity for incorporating an electronic component and a method for manufacturing the same.

従来、電子部品を内蔵する電子部品内蔵配線板が知られている(例えば、特許文献1参照)。また、このような電子部品内蔵配線板の製造にあたり、表裏の一方側の面で開口するキャビティを有するキャビティ付き配線板を準備し、そのキャビティ内に電子部品を搭載することが提案されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, an electronic component built-in wiring board that incorporates electronic components is known (see, for example, Patent Document 1). In manufacturing such a wiring board with built-in electronic components, it has been proposed to prepare a wiring board with a cavity having a cavity opened on one side of the front and back, and to mount the electronic component in the cavity.

特開2011−211194号公報([0012]、図9)JP 2011-2111194 A ([0012], FIG. 9)

しかしながら、上述した従来のキャビティ付き配線板では、キャビティ内に電子部品を搭載する際に、電子部品がキャビティに対してずれるという問題が考えられる。   However, in the conventional wiring board with a cavity described above, there is a problem that the electronic component is displaced from the cavity when the electronic component is mounted in the cavity.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、キャビティ内への電子部品の搭載精度の向上を図ることが可能なキャビティ付き配線板及びその製造方法の提供を目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a wiring board with a cavity capable of improving the mounting accuracy of electronic components in the cavity and a method for manufacturing the wiring board.

上記目的を達成するためになされた本発明に係るキャビティ付き配線板は、厚さ方向で外側に配置される外側絶縁層と、外側絶縁層の外側を向く面で開口する電子部品内蔵用のキャビティと、を備えるキャビティ付き配線板であって、外側絶縁層には、キャビティの開口とは別に、外側絶縁層の下に形成される導体層の一部をアライメントマークとして露出させる位置決め開口が形成されている。   In order to achieve the above object, a wiring board with a cavity according to the present invention includes an outer insulating layer disposed outside in a thickness direction, and a cavity for incorporating an electronic component that opens on a surface facing the outer side of the outer insulating layer. In addition to the cavity opening, the outer insulating layer is provided with a positioning opening that exposes a part of the conductor layer formed under the outer insulating layer as an alignment mark. ing.

本発明の一実施形態に係るキャビティ付き配線板の断面図Sectional drawing of the wiring board with a cavity which concerns on one Embodiment of this invention キャビティ付き配線板のキャビティ周辺の拡大断面図Enlarged sectional view around the cavity of a wiring board with a cavity アライメントマークの平面図Plan view of alignment mark 電子部品内蔵用キャビティ付き配線板の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the wiring board with the cavity for electronic component built-in 電子部品内蔵用キャビティ付き配線板の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the wiring board with the cavity for electronic component built-in 電子部品内蔵用キャビティ付き配線板の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the wiring board with the cavity for electronic component built-in 電子部品内蔵用キャビティ付き配線板の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the wiring board with the cavity for electronic component built-in 電子部品内蔵配線板の断面図Cross-sectional view of wiring board with built-in electronic components 電子部品内蔵配線板の電子部品周辺の拡大断面図Enlarged sectional view around the electronic component of the electronic component built-in wiring board 電子部品内蔵配線板の製造工程を示す図Diagram showing the manufacturing process of electronic component built-in wiring board 電子部品内蔵配線板の製造工程を示す図Diagram showing the manufacturing process of electronic component built-in wiring board 電子部品内蔵配線板の製造工程を示す図Diagram showing the manufacturing process of electronic component built-in wiring board 変形例に係るアライメントマークの平面図Plan view of alignment mark according to modification 変形例に係るキャビティ付き配線板の断面図Sectional drawing of the wiring board with a cavity concerning a modification 変形例に係るキャビティ付き配線板の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the wiring board with a cavity which concerns on a modification. 変形例に係るキャビティ付き配線板の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the wiring board with a cavity which concerns on a modification.

以下、本発明の一実施形態を図1〜図12に基づいて説明する。図1に示すように、本実施形態に係るキャビティ付き配線板10は、コア基板11の表側面であるF面11Fと裏側面であるB面11Bとにビルドアップ絶縁層15とビルドアップ導体層16とが交互に積層されている多層構造になっている。そして、ビルドアップ導体層16のうち最も外側に配置される第1ビルドアップ導体層16A上に、キャビティ付き配線板10の表側面であるF面10Fと裏側面であるB面10Bを構成する外側絶縁層34が形成されている。なお、外側絶縁層34は、B面10B側に形成されない構成であってもよい。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the wiring board 10 with a cavity according to this embodiment includes a buildup insulating layer 15 and a buildup conductor layer on an F surface 11 </ b> F that is a front side surface and a B surface 11 </ b> B that is a back side surface of a core substrate 11. 16 has a multilayer structure in which 16 and 16 are alternately stacked. And on the 1st buildup conductor layer 16A arrange | positioned on the outermost side among the buildup conductor layers 16, the outer surface which comprises the F surface 10F which is the front side of the wiring board 10 with a cavity, and the B surface 10B which is a back side surface An insulating layer 34 is formed. The outer insulating layer 34 may not be formed on the B surface 10B side.

詳細には、コア基板11の表裏の両面11F,11Bには、コア導体層12が形成され、上述のビルドアップ絶縁層15は、コア導体層12上に形成されている。表側のコア導体層12と裏側のコア導体層12とは、コア基板11を貫通するスルーホール導体13によって接続されている。スルーホール導体13は、コア基板11を貫通するスルーホール13Aの壁面に、例えば、銅のめっきが形成されることにより形成されている。なお、コア基板11の厚さは、約700μmになっていて、コア導体層12の厚さは、約35μmになっている。   Specifically, the core conductor layer 12 is formed on both the front and back surfaces 11 </ b> F and 11 </ b> B of the core substrate 11, and the above-described buildup insulating layer 15 is formed on the core conductor layer 12. The core conductor layer 12 on the front side and the core conductor layer 12 on the back side are connected by a through-hole conductor 13 that penetrates the core substrate 11. The through-hole conductor 13 is formed, for example, by forming copper plating on the wall surface of the through-hole 13A that penetrates the core substrate 11. The core substrate 11 has a thickness of about 700 μm, and the core conductor layer 12 has a thickness of about 35 μm.

ビルドアップ絶縁層15は、絶縁性材料で構成され、ビルドアップ導体層16は、金属(例えば、銅)で構成されている。また、外側絶縁層34は、ビルドアップ絶縁層15と同じ材質で構成されている。なお、ビルドアップ絶縁層15の厚さは、約10〜30μmになっていて、ビルドアップ導体層16の厚さは、約7〜15μmになっている。また、外側絶縁層34は、ビルドアップ絶縁層15より薄くなっていて、その厚さは、約7〜15μmになっている。ここで、ビルドアップ絶縁層15の厚さは、上下導体層間の距離で定義され、外側絶縁層34の厚さは、第1ビルドアップ導体層16の上表面から外側絶縁層34の上表面までの距離で定義される。   The buildup insulating layer 15 is made of an insulating material, and the buildup conductor layer 16 is made of a metal (for example, copper). The outer insulating layer 34 is made of the same material as the build-up insulating layer 15. The build-up insulating layer 15 has a thickness of about 10 to 30 μm, and the build-up conductor layer 16 has a thickness of about 7 to 15 μm. The outer insulating layer 34 is thinner than the build-up insulating layer 15 and has a thickness of about 7 to 15 μm. Here, the thickness of the buildup insulating layer 15 is defined by the distance between the upper and lower conductor layers, and the thickness of the outer insulating layer 34 is from the upper surface of the first buildup conductor layer 16 to the upper surface of the outer insulating layer 34. Is defined by the distance.

コア基板11に最も近い最内のビルドアップ導体層16とコア導体層12とは、最内のビルドアップ絶縁層15を貫通するビア導体16によって接続されている。また、積層方向で隣り合うビルドアップ導体層16,16同士は、それらビルドアップ導体層16,16の間に位置するビルドアップ絶縁層15を貫通するビア導体18によって接続されている。   The innermost buildup conductor layer 16 closest to the core substrate 11 and the core conductor layer 12 are connected by a via conductor 16 that penetrates the innermost buildup insulating layer 15. Further, the build-up conductor layers 16 and 16 adjacent in the stacking direction are connected to each other by a via conductor 18 that penetrates the build-up insulating layer 15 positioned between the build-up conductor layers 16 and 16.

複数のビルドアップ導体層16のうち外側から2番目に配置されるビルドアップ導体層16、即ち、上述した第1ビルドアップ導体層16Aの1つ内側のビルドアップ導体層16を第2ビルドアップ導体層16Bと呼ぶことにすると、F面10F側の第2ビルドアップ導体層16Bには、導体回路層31Bと、プレーン層31Aとが形成されている。プレーン層31Aは、例えば、グランド接続されるグランド層になっている。また、プレーン層31Aは、キャビティ付き配線板10の中央寄り部分に配置され、導体回路層31Bは、プレーン層31Aを両側から挟むように配置されている。   Among the plurality of buildup conductor layers 16, the buildup conductor layer 16 arranged second from the outside, that is, the buildup conductor layer 16 on the inner side of the first buildup conductor layer 16A described above is used as the second buildup conductor. When referred to as the layer 16B, a conductor circuit layer 31B and a plane layer 31A are formed on the second buildup conductor layer 16B on the F-plane 10F side. The plane layer 31A is, for example, a ground layer connected to the ground. The plane layer 31A is disposed near the center of the wiring board 10 with a cavity, and the conductor circuit layer 31B is disposed so as to sandwich the plane layer 31A from both sides.

また、F面10F側の第1ビルドアップ導体層16Aには、ビア導体18を介して導体回路層31Bに接続される外側導体回路層35(本発明の「導体層」に相当する。)が形成されている。   The first buildup conductor layer 16A on the F-plane 10F side has an outer conductor circuit layer 35 (corresponding to the “conductor layer” of the present invention) connected to the conductor circuit layer 31B via the via conductor 18. Is formed.

図2に示すように、キャビティ付き配線板10には、F面10Fで開口するキャビティ30が形成されている。キャビティ30は、ビルドアップ絶縁層15のうち最も外側に配置される第1ビルドアップ絶縁層15A(本発明の「内側絶縁層」に相当する。)と外側絶縁層34とを貫通し、プレーン層31Aを底面として露出させる。   As shown in FIG. 2, the cavity wiring board 10 is formed with a cavity 30 opened at the F surface 10F. The cavity 30 penetrates through the first build-up insulating layer 15A (corresponding to the “inner insulating layer” of the present invention) disposed on the outermost side of the build-up insulating layer 15 and the outer insulating layer 34, and is a plain layer. 31A is exposed as a bottom surface.

また、F面10F側の外側絶縁層34には、外側導体回路層35の一部をアライメントマーク35Mとして露出させる位置決め開口34Aが形成されている。図3に示すように、位置決め開口34Aは、キャビティ30に対して予め定めた位置に配置され、位置決め開口34とキャビティ30の外縁部との間の距離L1は、10μm以上、1500μm以下となっている。なお、図3の例では、開口34A及びアライメントマーク35Mは、円形になっている。   The outer insulating layer 34 on the F-plane 10F side is formed with a positioning opening 34A that exposes a part of the outer conductor circuit layer 35 as an alignment mark 35M. As shown in FIG. 3, the positioning opening 34A is disposed at a predetermined position with respect to the cavity 30, and the distance L1 between the positioning opening 34 and the outer edge of the cavity 30 is 10 μm or more and 1500 μm or less. Yes. In the example of FIG. 3, the opening 34A and the alignment mark 35M are circular.

キャビティ付き配線板10の構造に関する説明は以上である。次に、図4〜図7に基づいて、キャビティ付き配線板10の製造方法について説明する。   This completes the description of the structure of the wiring board 10 with a cavity. Next, the manufacturing method of the wiring board 10 with a cavity is demonstrated based on FIGS.

キャビティ付き配線板10は、以下のようにして製造される。
(1)図4(A)に示すように、コア基板11に、例えば、ドリル加工等によってスルーホール13Aが形成される。なお、コア基板11は、エポキシ樹脂又はBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材11Kの表裏の両面に図示しない銅箔がラミネートされている。
The wiring board 10 with a cavity is manufactured as follows.
(1) As shown in FIG. 4A, a through hole 13A is formed in the core substrate 11 by, for example, drilling or the like. The core substrate 11 is laminated with copper foil (not shown) on both the front and back surfaces of an insulating base material 11K made of a reinforcing material such as epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin and glass cloth.

(2)無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、コア基板11のF面11FとB面11Bとに、コア導体層12が形成されると共に、スルーホール13Aの内面にスルーホール導体13が形成される(図4(B)参照。)。なお、コア基板11の製造方法は、特開2012−69926号公報の図1〜図2に示すような製造方法であってもよい。   (2) The electroless plating process, the plating resist process, and the electrolytic plating process are performed, and the core conductor layer 12 is formed on the F surface 11F and the B surface 11B of the core substrate 11, and the through hole 13A is formed on the inner surface of the through hole 13A. A hole conductor 13 is formed (see FIG. 4B). The manufacturing method of the core substrate 11 may be a manufacturing method as shown in FIGS. 1 to 2 of JP 2012-69926 A.

(3)図5(A)に示すように、コア導体層12上にビルドアップ絶縁層15が積層され、そのビルドアップ絶縁層15上にビルドアップ導体層16が積層される。具体的には、コア基板11のF面11F側とB面11B側とからコア導体層12上にビルドアップ絶縁層15としてのプリプレグ(心材を樹脂含浸してなるBステージの樹脂シート)と銅箔(図示せず)が積層されてから、加熱プレスされる。そして、銅箔にCO2レーザが照射されて、銅箔及びビルドアップ絶縁層15を貫通するビア形成孔が形成される。そして、無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、電解めっきがビア形成孔内に充填されてビア導体16が形成されると共に、ビルドアップ絶縁層15上に所定パターンのビルドアップ導体層16が形成される。なお、ビルドアップ絶縁層15としてプリプレグの代わりに心材を含まない樹脂フィルムを用いてもよい。その場合は、銅箔を積層することなく、樹脂フィルムの表面に、直接、セミアディティブ法で導体層を形成することができる。   (3) As shown in FIG. 5A, the buildup insulating layer 15 is laminated on the core conductor layer 12, and the buildup conductor layer 16 is laminated on the buildup insulating layer 15. Specifically, a prepreg (B-stage resin sheet obtained by impregnating a core material with resin) and copper from the F surface 11F side and the B surface 11B side of the core substrate 11 onto the core conductor layer 12 as a build-up insulating layer 15 and copper A foil (not shown) is laminated and then heated and pressed. Then, the copper foil is irradiated with a CO 2 laser to form a via formation hole that penetrates the copper foil and the buildup insulating layer 15. Then, an electroless plating process, a plating resist process, and an electrolytic plating process are performed, and the electroplating is filled in the via formation holes to form the via conductors 16, and a predetermined pattern of build-up is formed on the build-up insulating layer 15. A conductor layer 16 is formed. A resin film that does not contain a core material may be used as the buildup insulating layer 15 instead of the prepreg. In that case, a conductor layer can be directly formed on the surface of the resin film by a semi-additive method without laminating a copper foil.

(4)上記(3)の工程と同様にして、コア基板11のF面11F側とB面11B側とにビルドアップ絶縁層15及びビルドアップ導体層16が交互に積層される(図5(B)参照。なお、同図では、F面11F側のみが示されている。以下、図6〜図7についても同様とする。)。その際、ビルドアップ絶縁層15を貫通するビア導体18が形成され、そのビア18導体によって積層方向で隣り合うビルドアップ導体層16,16同士が接続される。   (4) In the same manner as in the above step (3), the build-up insulating layers 15 and the build-up conductor layers 16 are alternately laminated on the F surface 11F side and the B surface 11B side of the core substrate 11 (FIG. 5 ( (B) Note that only the F-plane 11F side is shown in the figure, and the same applies to FIGS. At that time, a via conductor 18 penetrating the buildup insulating layer 15 is formed, and the buildup conductor layers 16 and 16 adjacent in the stacking direction are connected by the via 18 conductor.

(5)上記(3)の工程と同様にして、ビルドアップ絶縁層15が積層されると共に、そのビルドアップ絶縁層15上にビルドアップ導体層16が積層されて、第2ビルドアップ導体層16Bが形成される(図6(A)参照)。その際、F面11F側の第2ビルドアップ導体層16Bには、第2ビルドアップ導体層16Bより1つ内側のビルドアップ導体層16にビア導体18を介して接続される導体回路層31Bと、ベタ状のプレーン層31Aとが形成される。   (5) In the same manner as in the above step (3), the build-up insulating layer 15 is laminated, and the build-up conductor layer 16 is laminated on the build-up insulating layer 15 to form the second build-up conductor layer 16B. Is formed (see FIG. 6A). At that time, the second buildup conductor layer 16B on the F-plane 11F side includes a conductor circuit layer 31B connected to the buildup conductor layer 16 on the inner side of the second buildup conductor layer 16B via the via conductor 18; A solid plane layer 31A is formed.

(6)上記(3)の工程と同様にして、第2ビルドアップ導体層16B上に、ビルドアップ絶縁層15とビルドアップ導体層16が積層されて、第1ビルドアップ絶縁層15Aと第1ビルドアップ導体層16Aが形成される(図6(B)参照)。その際、プレーン層31Aの上には、第1ビルドアップ絶縁層15Aのみが積層される。また、第1ビルドアップ導体層16Aには、第1ビルドアップ絶縁層15Aを貫通するビア18を介して導体回路層31Bに接続される外側導体回路層35が形成される。   (6) In the same manner as in the above step (3), the build-up insulating layer 15 and the build-up conductor layer 16 are laminated on the second build-up conductor layer 16B, and the first build-up insulating layer 15A and the first Build-up conductor layer 16A is formed (see FIG. 6B). At that time, only the first build-up insulating layer 15A is laminated on the plane layer 31A. The first buildup conductor layer 16A is formed with an outer conductor circuit layer 35 connected to the conductor circuit layer 31B through the via 18 penetrating the first buildup insulating layer 15A.

(7)図7(A)に示すように、第1ビルドアップ導体層16A上に、ビルドアップ絶縁層15と同じ材質の外側絶縁層34が積層される。このとき、プレーン層31Aの上には、第1ビルドアップ層15Aと外側絶縁層34とが積層されている。但し、外側絶縁層34の材料は、特に限定されず、例えば、弾性率1〜10GPaのアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの接着材でもよい。   (7) As shown in FIG. 7A, the outer insulating layer 34 made of the same material as the build-up insulating layer 15 is laminated on the first build-up conductor layer 16A. At this time, the first buildup layer 15A and the outer insulating layer 34 are laminated on the plane layer 31A. However, the material of the outer insulating layer 34 is not particularly limited, and for example, an adhesive such as an acrylic resin, an epoxy resin, or a polyimide having an elastic modulus of 1 to 10 GPa may be used.

(8)図7(B)に示すように、コア基板11のF面11F側から、例えば、CO2レーザが照射されて、外側絶縁層34と第1ビルドアップ絶縁層15Aとを貫通してプレーン層31Aを底面として露出させるキャビティ30が形成されると共に、そのキャビティ30に対して予め定められた相対位置に、外側絶縁層34を貫通して外側導体回路層35の一部をアライメントマーク35Mとして露出させる位置決め開口34Aが形成される。ここで、位置決め開口34Aとキャビティ30の外縁部との間の距離L1は、90μm以上となっているので、キャビティ30の形成部分にレーザが当たってキャビティ30が損傷することが抑制される。なお、キャビティ30の形成にあたってレーザが照射される範囲の面積は、プレーン層31Aの面積よりも小さくなっていて、キャビティ30の底面全体がプレーン層31Aのみで形成される。   (8) As shown in FIG. 7B, for example, CO2 laser is irradiated from the F surface 11F side of the core substrate 11, and the plane passes through the outer insulating layer 34 and the first buildup insulating layer 15A. A cavity 30 exposing the layer 31A as a bottom surface is formed, and a part of the outer conductor circuit layer 35 is formed as an alignment mark 35M through the outer insulating layer 34 at a predetermined relative position with respect to the cavity 30. A positioning opening 34A to be exposed is formed. Here, since the distance L1 between the positioning opening 34A and the outer edge portion of the cavity 30 is 90 μm or more, the cavity 30 is prevented from being damaged by hitting the laser at the portion where the cavity 30 is formed. In addition, the area of the range irradiated with laser when forming the cavity 30 is smaller than the area of the plane layer 31A, and the entire bottom surface of the cavity 30 is formed only by the plane layer 31A.

(9)キャビティ30の底面として露出するプレーン層31Aにデスミア処理、粗化処理が施されて、キャビティ付き配線板10が完成する。なお、デスミア処理の際、外側導体回路層35は、外側絶縁層34によって保護される。ここで、外側絶縁層34はビルドアップ絶縁層15より薄くなっているので、外側絶縁層34を外側導体回路層35の保護に必要な最低限の厚みにして、キャビティ付き配線板10の薄型化を図ることが可能となる。また、上記(8)の工程で、位置決め開口34Aの形成にかかる時間の短縮化を図ることが可能となる。   (9) The plain layer 31A exposed as the bottom surface of the cavity 30 is subjected to desmearing and roughening, and the wiring board 10 with the cavity is completed. During the desmear process, the outer conductor circuit layer 35 is protected by the outer insulating layer 34. Here, since the outer insulating layer 34 is thinner than the build-up insulating layer 15, the outer insulating layer 34 is made the minimum thickness necessary for protecting the outer conductor circuit layer 35, and the wiring board 10 with cavity is made thinner. Can be achieved. In the step (8), it is possible to shorten the time required for forming the positioning opening 34A.

キャビティ付き配線板10の製造方法に関する説明は以上である。キャビティ付き配線板10は、図8に示す電子部品内蔵配線板100の製造に用いられる。   This completes the description of the method for manufacturing the wiring board 10 with a cavity. The wiring board 10 with a cavity is used for manufacturing the wiring board 100 with a built-in electronic component shown in FIG.

図8及び図9に示すように、電子部品内蔵配線板100は、キャビティ30に電子部品80を収容するキャビティ付き配線板10の表裏の両面に外側ビルドアップ絶縁層21と外側ビルドアップ導体層22が積層された構造になっている。外側ビルドアップ絶縁層21は上述のビルドアップ絶縁層15と同じ材質で構成されている。外側ビルドアップ導体層22は、ビルドアップ導体層16と同じ金属(例えば、銅)で構成されている。そして、外側ビルドアップ導体層22は、外側ビルドアップ絶縁層21を貫通するビア導体25によってキャビティ付き配線板10の第1ビルドアップ導体層16Aに接続されている。なお、外側ビルドアップ絶縁層21の厚さは約15μmになっていて、外側ビルドアップ導体層22の厚さは約15μmになっている。ここで、外側ビルドアップ絶縁層21の厚さは、ビルドアップ絶縁層15と同様に、上下導体層間の距離で定義される。また、電子部品80は、例えば、半導体素子、受動部品、配線層を有するインターポーザ、再配線層を有する半導体素子、WLP(Wafer Level Package)等である。   As shown in FIGS. 8 and 9, the electronic component built-in wiring board 100 includes an outer build-up insulating layer 21 and an outer build-up conductor layer 22 on both the front and back surfaces of the wiring board 10 with a cavity that accommodates the electronic component 80 in the cavity 30. Has a laminated structure. The outer buildup insulating layer 21 is made of the same material as the buildup insulating layer 15 described above. The outer buildup conductor layer 22 is made of the same metal (for example, copper) as the buildup conductor layer 16. The outer buildup conductor layer 22 is connected to the first buildup conductor layer 16 </ b> A of the wiring board 10 with a cavity by a via conductor 25 penetrating the outer buildup insulating layer 21. The outer buildup insulating layer 21 has a thickness of about 15 μm, and the outer buildup conductor layer 22 has a thickness of about 15 μm. Here, the thickness of the outer buildup insulating layer 21 is defined by the distance between the upper and lower conductor layers as in the buildup insulating layer 15. The electronic component 80 is, for example, a semiconductor element, a passive component, an interposer having a wiring layer, a semiconductor element having a rewiring layer, or WLP (Wafer Level Package).

外側ビルドアップ導体層22上には、ソルダーレジスト層29が形成されている。ソルダーレジスト層29は、電子部品内蔵配線板100の表側面であるF面100Fと、裏側面であるB面100Bとを構成する。そして、ソルダーレジスト層29に、外側ビルドアップ導体層22の一部を導体パッド23として露出させる開口27が複数形成されている。ソルダーレジスト層29の厚さは、約7〜25μmになっている。ここで、ソルダーレジスト層29の厚みは、外側ビルドアップ導体層22の上表面からソルダーレジスト層29の上表面までの距離で定義される。   A solder resist layer 29 is formed on the outer buildup conductor layer 22. The solder resist layer 29 constitutes an F surface 100F that is a front side surface of the electronic component built-in wiring board 100 and a B surface 100B that is a back side surface. A plurality of openings 27 are formed in the solder resist layer 29 to expose a part of the outer buildup conductor layer 22 as conductor pads 23. The thickness of the solder resist layer 29 is about 7 to 25 μm. Here, the thickness of the solder resist layer 29 is defined by the distance from the upper surface of the outer buildup conductor layer 22 to the upper surface of the solder resist layer 29.

導体パッド23上には、めっき層41が形成されている。なお、電子部品内蔵配線板100のF面100F側のめっき層41は、ソルダーレジスト層29から突出するバンプ状に形成されている(図9参照)。   A plating layer 41 is formed on the conductor pad 23. The plating layer 41 on the F surface 100F side of the electronic component built-in wiring board 100 is formed in a bump shape protruding from the solder resist layer 29 (see FIG. 9).

電子部品内蔵配線板100の構造に関する説明は以上である。次に、電子部品内蔵配線板100の製造方法について説明する。   This completes the description of the structure of the electronic component built-in wiring board 100. Next, a method for manufacturing the electronic component built-in wiring board 100 will be described.

電子部品内蔵配線板100は、以下のようにして製造される。
(1)まず、図10(A)に示すように、配線板10のキャビティ30の底面として露出するプレーン層31A上に、底面に接着層33が塗布されている電子部品80が搭載され、熱硬化処理、CZ処理が行われる。このとき、電子部品80は、アライメントマーク35Mを基準にして位置決めされるので、電子部品80をキャビティ30内へ精度よく搭載することが可能となる。ここで、アライメントマーク35Mとキャビティ30の外縁部との間の距離L1が1500μm以下となっているので、アライメントマーク35を基準とした電子部品80の搭載精度の向上が図られる。
The electronic component built-in wiring board 100 is manufactured as follows.
(1) First, as shown in FIG. 10A, an electronic component 80 having an adhesive layer 33 applied on the bottom surface is mounted on the plain layer 31A exposed as the bottom surface of the cavity 30 of the wiring board 10, and the heat A curing process and a CZ process are performed. At this time, since the electronic component 80 is positioned with reference to the alignment mark 35M, the electronic component 80 can be accurately mounted in the cavity 30. Here, since the distance L1 between the alignment mark 35M and the outer edge of the cavity 30 is 1500 μm or less, the mounting accuracy of the electronic component 80 based on the alignment mark 35 can be improved.

(2)キャビティ配線板10のF面10FとB面10Bとに、ビルドアップ絶縁層15と同じ材質の外側ビルドアップ絶縁層21が積層され、プレスされる(図10(B)参照。なお、同図では、F面10F側のみが示されている。図11についても同様とする。)。このとき、アライメントマーク35Mを露出させる開口34Aの内部には、外側ビルドアップ絶縁層21が充填される。   (2) The outer buildup insulating layer 21 made of the same material as the buildup insulating layer 15 is laminated and pressed on the F surface 10F and B surface 10B of the cavity wiring board 10 (see FIG. 10B). In the figure, only the F-plane 10F side is shown, and the same applies to FIG. At this time, the outside buildup insulating layer 21 is filled in the opening 34A exposing the alignment mark 35M.

(3)図11(A)に示すように、キャビティ付き配線板10のF面10F側とB面10B側とからレーザが照射されて、外側ビルドアップ絶縁層21にビア形成孔45が形成される。   (3) As shown in FIG. 11A, laser is irradiated from the F surface 10F side and the B surface 10B side of the wiring board 10 with a cavity, and a via formation hole 45 is formed in the outer buildup insulating layer 21. The

(4)無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、ビア形成孔45内にビア導体25が形成される(図11(B)参照)。また、外側ビルドアップ絶縁層21上に、外側ビルドアップ導体層22が形成される。   (4) An electroless plating process, a plating resist process, and an electrolytic plating process are performed, and a via conductor 25 is formed in the via formation hole 45 (see FIG. 11B). Further, the outer buildup conductor layer 22 is formed on the outer buildup insulating layer 21.

(5)図12に示すように、キャビティ付き配線板10のF面10F側とB面10B側の両方から、外側ビルドアップ導体層22上にソルダーレジスト層29が積層されると共に、ソルダーレジスト層29に、外側ビルドアップ導体層22の一部を導体パッド23として露出させる開口27がレーザ加工により形成される。   (5) As shown in FIG. 12, a solder resist layer 29 is laminated on the outer buildup conductor layer 22 from both the F surface 10F side and the B surface 10B side of the wiring board 10 with cavity, and the solder resist layer In FIG. 29, an opening 27 for exposing a part of the outer buildup conductor layer 22 as a conductor pad 23 is formed by laser processing.

(6)キャビティ付き基材10のF面10F側とB面10B側とに無電解めっき処理が行われて、導体パッド23上にめっき層41が形成され、図8に示した電子部品内蔵配線板100が完成する。   (6) An electroless plating process is performed on the F-side 10F side and the B-side 10B side of the substrate 10 with the cavity to form a plating layer 41 on the conductor pad 23, and the electronic component built-in wiring shown in FIG. The plate 100 is completed.

以上が、キャビティ付き配線板10を用いた電部品内蔵配線板100の製造方法に関する説明である。次に、本実施形態のキャビティ付き配線板10の作用効果について説明する。   The above is the description regarding the manufacturing method of the electrical component built-in wiring board 100 using the wiring board 10 with a cavity. Next, the effect of the wiring board 10 with a cavity of this embodiment is demonstrated.

本実施形態のキャビティ付き配線板10によれば、位置決め開口34Aによって露出するアライメントマーク35Mを基準にして、電子部品80をキャビティ30内に受容させることが可能となり、キャビティ30内への電子部品80の搭載精度の向上を図ることが可能となる。また、位置決め開口34Aは、レーザ加工により形成されるので、キャビティ30に対する位置決め開口34Aの位置精度の向上を図ることが可能となる。ここで、位置決め開口34Aとキャビティ30との間の距離L1(図3参照)は、10μm以上、1500μm以下となっているので、電子部品80の搭載精度の向上を図りつつ、位置決め開口34Aを形成する際のキャビティ30の損傷を抑制することが可能となる。   According to the wiring board with cavity 10 of the present embodiment, the electronic component 80 can be received in the cavity 30 with reference to the alignment mark 35M exposed by the positioning opening 34A, and the electronic component 80 into the cavity 30 can be received. It becomes possible to improve the mounting accuracy. Further, since the positioning opening 34A is formed by laser processing, it is possible to improve the positional accuracy of the positioning opening 34A with respect to the cavity 30. Here, since the distance L1 (see FIG. 3) between the positioning opening 34A and the cavity 30 is 10 μm or more and 1500 μm or less, the positioning opening 34A is formed while improving the mounting accuracy of the electronic component 80. It becomes possible to suppress the damage of the cavity 30 at the time.

また、本実施形態のキャビティ付き配線板10の製造方法によれば、キャビティ30の形成に使用されるレーザを用いて位置決め開口34Aが形成されるので、キャビティ30を形成するついでに、位置決め開口34Aを形成することが可能となる。   Further, according to the method for manufacturing the wiring board with cavity 10 of the present embodiment, the positioning opening 34A is formed by using the laser used for forming the cavity 30. Therefore, the positioning opening 34A is formed when the cavity 30 is formed. It becomes possible to form.

[他の実施形態]
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
[Other Embodiments]
The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the embodiments described below are also included in the technical scope of the present invention, and various modifications are possible within the scope of the invention other than the following. It can be changed and implemented.

(1)上記実施形態では、アライメントマーク35Mが円形状であったが、例えば、図13に示すような形状であってもよい。具体的には、アライメントマーク35Mは、リング状であってもよいし(図13(A)参照)、多角形状であってよいし(図13(B)及び図13(C)参照)、十字状であってもよい(図13(D)参照)。   (1) In the above embodiment, the alignment mark 35M has a circular shape, but may have a shape as shown in FIG. Specifically, the alignment mark 35M may have a ring shape (see FIG. 13A), a polygonal shape (see FIGS. 13B and 13C), or a cross. (Refer to FIG. 13D).

(2)上記実施形態の配線板10では、キャビティ30の底面を構成するプレーン層31Aが、外側から2番目に位置する第2ビルドアップ導体層16Bに形成される構成であったが、図14(A)に示すように、最外の第1ビルドアップ導体層16Aに形成されてもよいし、図14(B)に示すように、外側から3番目の第3ビルドアップ導体層16Cに形成されてもよい。   (2) In the wiring board 10 of the above embodiment, the plane layer 31A constituting the bottom surface of the cavity 30 is formed on the second buildup conductor layer 16B located second from the outside. As shown in FIG. 14A, the outermost first buildup conductor layer 16A may be formed, or as shown in FIG. 14B, it is formed on the third third buildup conductor layer 16C from the outside. May be.

(3)上記実施形態では、プレーン層31Aがキャビティ30の底面として露出する構成であったが、ビルドアップ絶縁層15がキャビティ30の底面として露出する構成であってもよい。なお、この場合において、キャビティ30は、外側絶縁層34のみを貫通してもよいし、1又は複数のビルドアップ絶縁層15を貫通してもよい。   (3) In the above embodiment, the plane layer 31 </ b> A is exposed as the bottom surface of the cavity 30. However, the build-up insulating layer 15 may be exposed as the bottom surface of the cavity 30. In this case, the cavity 30 may penetrate only the outer insulating layer 34 or may penetrate one or a plurality of build-up insulating layers 15.

(4)上記実施形態では、キャビティ付き配線板10がコア基板11を有する構成であったが、図16(B)に示すキャビティ付き配線板10Vのように、コア基板11を有さない構成であってもよい。このようなキャビティ付き配線板10Vは、例えば、以下[1]〜[5]に示す方法により製造される。   (4) In the above-described embodiment, the wiring board 10 with the cavity has the core substrate 11, but the wiring board 10 with the cavity shown in FIG. 16B does not have the core board 11. There may be. Such a wiring board 10V with a cavity is manufactured by the method shown to [1]-[5] below, for example.

[1]図15(A)に示すように、キャリア51Kの上面に銅箔51Cが積層されたキャリア付き銅箔51が、支持基板50上に積層される。なお、キャリア51Kと銅箔51Cとの間、及び、キャリア51Kと支持基板50との間には、図示しない接着層が形成され、キャリア51Kと銅箔51Cとの間の接着力は、キャリア51Kと支持基板50との間の接着力よりも弱くなっている。   [1] As shown in FIG. 15A, a copper foil 51 with a carrier in which a copper foil 51C is laminated on the upper surface of a carrier 51K is laminated on a support substrate 50. Note that an adhesive layer (not shown) is formed between the carrier 51K and the copper foil 51C, and between the carrier 51K and the support substrate 50, and the adhesive force between the carrier 51K and the copper foil 51C is the carrier 51K. It is weaker than the adhesive force between the support substrate 50 and the support substrate 50.

[2]銅箔51C上に所定パターンのめっきレジストが形成される。そして、電解めっき処理により、めっきレジストの非形成部に電解めっき膜が形成されて、銅箔51C上に、プレーン層31Aと導体回路層31Bとを有する内側導体層52が形成される(図15(B)参照)。   [2] A predetermined pattern of plating resist is formed on the copper foil 51C. Then, by electrolytic plating, an electrolytic plating film is formed on the portion where the plating resist is not formed, and an inner conductor layer 52 having a plane layer 31A and a conductor circuit layer 31B is formed on the copper foil 51C (FIG. 15). (See (B)).

[3]内側導体層52上に、ビルドアップ絶縁層15が積層されると共に、そのビルドアップ絶縁層15上に、ビルドアップ導体層16が積層される。このとき、ビルドアップ導体層16には、導体回路層31Bにビア18を介して接続される外側導体回路層35が形成される(図15(C)参照)。   [3] The buildup insulating layer 15 is laminated on the inner conductor layer 52, and the buildup conductor layer 16 is laminated on the buildup insulating layer 15. At this time, an outer conductor circuit layer 35 connected to the conductor circuit layer 31B via the via 18 is formed in the buildup conductor layer 16 (see FIG. 15C).

[4]ビルドアップ導体層16上に外側絶縁層34が積層され、レーザ加工によって、外側絶縁層34とビルドアップ絶縁層15とを貫通してプレーン層31Aを底面として露出させるキャビティ30が形成されると共に、外側導体回路層35の一部をアライメントマーク35Mとして露出させる位置決め開口34Aが形成される(図16(A)参照)。   [4] The outer insulating layer 34 is laminated on the build-up conductor layer 16, and the cavity 30 is formed by laser processing so as to penetrate the outer insulating layer 34 and the build-up insulating layer 15 and expose the plane layer 31A as the bottom surface. In addition, a positioning opening 34A that exposes a part of the outer conductor circuit layer 35 as an alignment mark 35M is formed (see FIG. 16A).

[5]キャリア付き銅箔51のうちのキャリア51Kと、支持基板50とが剥離され、その後、銅箔51Cがエッチング処理により除去されて、キャビティ付き配線板10Vが完成する(図16(B)参照)。なお、その後、このキャビティ付き配線板10Vに、上記実施形態の図9〜図12に示したような工程を施してもよい。   [5] The carrier 51K of the copper foil with carrier 51 and the support substrate 50 are peeled off, and then the copper foil 51C is removed by an etching process to complete the wiring board with cavity 10V (FIG. 16B). reference). Note that, thereafter, the steps as shown in FIGS. 9 to 12 of the above embodiment may be performed on the wiring board 10V with the cavity.

10,10V キャビティ付き配線板
15A 第1ビルドアップ絶縁層(内側絶縁層)
30 キャビティ
31A プレーン層
34 外側絶縁層
35 外側導体回路層(導体層)
35M アライメントマーク
10,10V Cavity wiring board 15A 1st buildup insulation layer (inner insulation layer)
30 cavity 31A plane layer 34 outer insulating layer 35 outer conductor circuit layer (conductor layer)
35M alignment mark

Claims (8)

厚さ方向で外側に配置される外側絶縁層と、
前記外側絶縁層の外側を向く面で開口する電子部品内蔵用のキャビティと、を備えるキャビティ付き配線板であって、
前記外側絶縁層には、前記キャビティの開口とは別に、前記外側絶縁層の下に形成される導体層の一部をアライメントマークとして露出させる位置決め開口が形成されている。
An outer insulating layer disposed outside in the thickness direction;
A cavity-containing wiring board comprising a cavity for incorporating an electronic component that opens on a surface facing the outside of the outer insulating layer,
In addition to the opening of the cavity, the outer insulating layer is formed with a positioning opening that exposes a part of the conductor layer formed under the outer insulating layer as an alignment mark.
請求項1に記載のキャビティ付き配線板において、
前記位置決め開口は、レーザ加工により形成され、
前記位置決め開口と前記キャビティの外縁部との間の距離が10μm以上である。
In the wiring board with a cavity of Claim 1,
The positioning opening is formed by laser processing,
The distance between the positioning opening and the outer edge of the cavity is 10 μm or more.
請求項1又は2に記載のキャビティ付き配線板において
前記位置決め開口と前記キャビティの外縁部との間の距離が1500μm以下である。
The wiring board with a cavity according to claim 1 or 2, wherein a distance between the positioning opening and an outer edge portion of the cavity is 1500 µm or less.
請求項1乃至3のうち何れか1の請求項に記載のキャビティ付き配線板において、
前記導体層の下に形成される内側絶縁層と、
前記内側絶縁層の下に形成されるプレーン層と、をさらに有し、
前記キャビティは、前記外側絶縁層と前記内側絶縁層とを貫通して、前記プレーン層を底面として露出させる。
In the wiring board with a cavity according to any one of claims 1 to 3,
An inner insulating layer formed under the conductor layer;
A plain layer formed under the inner insulating layer,
The cavity penetrates the outer insulating layer and the inner insulating layer and exposes the plain layer as a bottom surface.
請求項4に記載のキャビティ付き配線板において、
前記外側絶縁層は、前記内側絶縁層と同じ材質で構成されている。
In the wiring board with a cavity of Claim 4,
The outer insulating layer is made of the same material as the inner insulating layer.
請求項4又は5に記載のキャビティ付き配線板において、
前記外側絶縁層は、前記内側絶縁層より薄くなっている。
In the wiring board with a cavity according to claim 4 or 5,
The outer insulating layer is thinner than the inner insulating layer.
厚さ方向で内側に配置される内側絶縁層を形成することと、
前記内側絶縁層上に導体層を形成することと、
前記内側絶縁層及び前記導体層上の外側に配置される外側絶縁層を形成することと、
前記外側絶縁層及び前記内側絶縁層を貫通して前記外側絶縁層の外側を向く面で開口する電子部品内蔵用のキャビティを形成することと、を有するキャビティ付き配線板の製造方法であって、
前記外側絶縁層に、前記キャビティの開口とは別に、前記導体層の一部をアライメントマークとして露出させる位置決め開口を形成する。
Forming an inner insulating layer disposed inside in the thickness direction;
Forming a conductor layer on the inner insulating layer;
Forming an outer insulating layer disposed outside on the inner insulating layer and the conductor layer;
Forming a cavity for incorporating an electronic component that penetrates the outer insulating layer and the inner insulating layer and opens on a surface facing the outer side of the outer insulating layer, and a method of manufacturing a wiring board with a cavity, comprising:
In addition to the opening of the cavity, a positioning opening that exposes a part of the conductor layer as an alignment mark is formed in the outer insulating layer.
請求項8に記載のキャビティ付き配線板において、
前記キャビティの形成と前記位置決め開口の形成とを共にレーザ加工により行い、
前記キャビティの形成に使用されるレーザで前記位置決め開口を形成する。
In the wiring board with a cavity of Claim 8,
Both the formation of the cavity and the formation of the positioning opening are performed by laser processing,
The positioning opening is formed by a laser used to form the cavity.
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