JP2016096281A - Wiring board with cavity and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品内蔵用のキャビティを有するキャビティ付き配線板及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a wiring board with a cavity having a cavity for incorporating an electronic component and a method for manufacturing the same.
従来、電子部品を内蔵する電子部品内蔵配線板が知られている(例えば、特許文献1参照)。また、このような電子部品内蔵配線板の製造にあたり、表裏の一方側の面で開口するキャビティを有するキャビティ付き配線板を準備し、そのキャビティ内に電子部品を搭載することが提案されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, an electronic component built-in wiring board that incorporates electronic components is known (see, for example, Patent Document 1). In manufacturing such a wiring board with built-in electronic components, it has been proposed to prepare a wiring board with a cavity having a cavity opened on one side of the front and back, and to mount the electronic component in the cavity.
しかしながら、上述した従来のキャビティ付き配線板では、キャビティ内に電子部品を搭載する際に、電子部品がキャビティに対してずれるという問題が考えられる。 However, in the conventional wiring board with a cavity described above, there is a problem that the electronic component is displaced from the cavity when the electronic component is mounted in the cavity.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、キャビティ内への電子部品の搭載精度の向上を図ることが可能なキャビティ付き配線板及びその製造方法の提供を目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a wiring board with a cavity capable of improving the mounting accuracy of electronic components in the cavity and a method for manufacturing the wiring board.
上記目的を達成するためになされた本発明に係るキャビティ付き配線板は、厚さ方向で外側に配置される外側絶縁層と、外側絶縁層の外側を向く面で開口する電子部品内蔵用のキャビティと、を備えるキャビティ付き配線板であって、外側絶縁層には、キャビティの開口とは別に、外側絶縁層の下に形成される導体層の一部をアライメントマークとして露出させる位置決め開口が形成されている。 In order to achieve the above object, a wiring board with a cavity according to the present invention includes an outer insulating layer disposed outside in a thickness direction, and a cavity for incorporating an electronic component that opens on a surface facing the outer side of the outer insulating layer. In addition to the cavity opening, the outer insulating layer is provided with a positioning opening that exposes a part of the conductor layer formed under the outer insulating layer as an alignment mark. ing.
以下、本発明の一実施形態を図1〜図12に基づいて説明する。図1に示すように、本実施形態に係るキャビティ付き配線板10は、コア基板11の表側面であるF面11Fと裏側面であるB面11Bとにビルドアップ絶縁層15とビルドアップ導体層16とが交互に積層されている多層構造になっている。そして、ビルドアップ導体層16のうち最も外側に配置される第1ビルドアップ導体層16A上に、キャビティ付き配線板10の表側面であるF面10Fと裏側面であるB面10Bを構成する外側絶縁層34が形成されている。なお、外側絶縁層34は、B面10B側に形成されない構成であってもよい。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the
詳細には、コア基板11の表裏の両面11F,11Bには、コア導体層12が形成され、上述のビルドアップ絶縁層15は、コア導体層12上に形成されている。表側のコア導体層12と裏側のコア導体層12とは、コア基板11を貫通するスルーホール導体13によって接続されている。スルーホール導体13は、コア基板11を貫通するスルーホール13Aの壁面に、例えば、銅のめっきが形成されることにより形成されている。なお、コア基板11の厚さは、約700μmになっていて、コア導体層12の厚さは、約35μmになっている。
Specifically, the
ビルドアップ絶縁層15は、絶縁性材料で構成され、ビルドアップ導体層16は、金属(例えば、銅)で構成されている。また、外側絶縁層34は、ビルドアップ絶縁層15と同じ材質で構成されている。なお、ビルドアップ絶縁層15の厚さは、約10〜30μmになっていて、ビルドアップ導体層16の厚さは、約7〜15μmになっている。また、外側絶縁層34は、ビルドアップ絶縁層15より薄くなっていて、その厚さは、約7〜15μmになっている。ここで、ビルドアップ絶縁層15の厚さは、上下導体層間の距離で定義され、外側絶縁層34の厚さは、第1ビルドアップ導体層16の上表面から外側絶縁層34の上表面までの距離で定義される。
The
コア基板11に最も近い最内のビルドアップ導体層16とコア導体層12とは、最内のビルドアップ絶縁層15を貫通するビア導体16によって接続されている。また、積層方向で隣り合うビルドアップ導体層16,16同士は、それらビルドアップ導体層16,16の間に位置するビルドアップ絶縁層15を貫通するビア導体18によって接続されている。
The innermost
複数のビルドアップ導体層16のうち外側から2番目に配置されるビルドアップ導体層16、即ち、上述した第1ビルドアップ導体層16Aの1つ内側のビルドアップ導体層16を第2ビルドアップ導体層16Bと呼ぶことにすると、F面10F側の第2ビルドアップ導体層16Bには、導体回路層31Bと、プレーン層31Aとが形成されている。プレーン層31Aは、例えば、グランド接続されるグランド層になっている。また、プレーン層31Aは、キャビティ付き配線板10の中央寄り部分に配置され、導体回路層31Bは、プレーン層31Aを両側から挟むように配置されている。
Among the plurality of
また、F面10F側の第1ビルドアップ導体層16Aには、ビア導体18を介して導体回路層31Bに接続される外側導体回路層35(本発明の「導体層」に相当する。)が形成されている。
The first
図2に示すように、キャビティ付き配線板10には、F面10Fで開口するキャビティ30が形成されている。キャビティ30は、ビルドアップ絶縁層15のうち最も外側に配置される第1ビルドアップ絶縁層15A(本発明の「内側絶縁層」に相当する。)と外側絶縁層34とを貫通し、プレーン層31Aを底面として露出させる。
As shown in FIG. 2, the
また、F面10F側の外側絶縁層34には、外側導体回路層35の一部をアライメントマーク35Mとして露出させる位置決め開口34Aが形成されている。図3に示すように、位置決め開口34Aは、キャビティ30に対して予め定めた位置に配置され、位置決め開口34とキャビティ30の外縁部との間の距離L1は、10μm以上、1500μm以下となっている。なお、図3の例では、開口34A及びアライメントマーク35Mは、円形になっている。
The
キャビティ付き配線板10の構造に関する説明は以上である。次に、図4〜図7に基づいて、キャビティ付き配線板10の製造方法について説明する。
This completes the description of the structure of the
キャビティ付き配線板10は、以下のようにして製造される。
(1)図4(A)に示すように、コア基板11に、例えば、ドリル加工等によってスルーホール13Aが形成される。なお、コア基板11は、エポキシ樹脂又はBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材11Kの表裏の両面に図示しない銅箔がラミネートされている。
The
(1) As shown in FIG. 4A, a
(2)無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、コア基板11のF面11FとB面11Bとに、コア導体層12が形成されると共に、スルーホール13Aの内面にスルーホール導体13が形成される(図4(B)参照。)。なお、コア基板11の製造方法は、特開2012−69926号公報の図1〜図2に示すような製造方法であってもよい。
(2) The electroless plating process, the plating resist process, and the electrolytic plating process are performed, and the
(3)図5(A)に示すように、コア導体層12上にビルドアップ絶縁層15が積層され、そのビルドアップ絶縁層15上にビルドアップ導体層16が積層される。具体的には、コア基板11のF面11F側とB面11B側とからコア導体層12上にビルドアップ絶縁層15としてのプリプレグ(心材を樹脂含浸してなるBステージの樹脂シート)と銅箔(図示せず)が積層されてから、加熱プレスされる。そして、銅箔にCO2レーザが照射されて、銅箔及びビルドアップ絶縁層15を貫通するビア形成孔が形成される。そして、無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、電解めっきがビア形成孔内に充填されてビア導体16が形成されると共に、ビルドアップ絶縁層15上に所定パターンのビルドアップ導体層16が形成される。なお、ビルドアップ絶縁層15としてプリプレグの代わりに心材を含まない樹脂フィルムを用いてもよい。その場合は、銅箔を積層することなく、樹脂フィルムの表面に、直接、セミアディティブ法で導体層を形成することができる。
(3) As shown in FIG. 5A, the
(4)上記(3)の工程と同様にして、コア基板11のF面11F側とB面11B側とにビルドアップ絶縁層15及びビルドアップ導体層16が交互に積層される(図5(B)参照。なお、同図では、F面11F側のみが示されている。以下、図6〜図7についても同様とする。)。その際、ビルドアップ絶縁層15を貫通するビア導体18が形成され、そのビア18導体によって積層方向で隣り合うビルドアップ導体層16,16同士が接続される。
(4) In the same manner as in the above step (3), the build-up insulating
(5)上記(3)の工程と同様にして、ビルドアップ絶縁層15が積層されると共に、そのビルドアップ絶縁層15上にビルドアップ導体層16が積層されて、第2ビルドアップ導体層16Bが形成される(図6(A)参照)。その際、F面11F側の第2ビルドアップ導体層16Bには、第2ビルドアップ導体層16Bより1つ内側のビルドアップ導体層16にビア導体18を介して接続される導体回路層31Bと、ベタ状のプレーン層31Aとが形成される。
(5) In the same manner as in the above step (3), the build-
(6)上記(3)の工程と同様にして、第2ビルドアップ導体層16B上に、ビルドアップ絶縁層15とビルドアップ導体層16が積層されて、第1ビルドアップ絶縁層15Aと第1ビルドアップ導体層16Aが形成される(図6(B)参照)。その際、プレーン層31Aの上には、第1ビルドアップ絶縁層15Aのみが積層される。また、第1ビルドアップ導体層16Aには、第1ビルドアップ絶縁層15Aを貫通するビア18を介して導体回路層31Bに接続される外側導体回路層35が形成される。
(6) In the same manner as in the above step (3), the build-up insulating
(7)図7(A)に示すように、第1ビルドアップ導体層16A上に、ビルドアップ絶縁層15と同じ材質の外側絶縁層34が積層される。このとき、プレーン層31Aの上には、第1ビルドアップ層15Aと外側絶縁層34とが積層されている。但し、外側絶縁層34の材料は、特に限定されず、例えば、弾性率1〜10GPaのアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの接着材でもよい。
(7) As shown in FIG. 7A, the outer insulating
(8)図7(B)に示すように、コア基板11のF面11F側から、例えば、CO2レーザが照射されて、外側絶縁層34と第1ビルドアップ絶縁層15Aとを貫通してプレーン層31Aを底面として露出させるキャビティ30が形成されると共に、そのキャビティ30に対して予め定められた相対位置に、外側絶縁層34を貫通して外側導体回路層35の一部をアライメントマーク35Mとして露出させる位置決め開口34Aが形成される。ここで、位置決め開口34Aとキャビティ30の外縁部との間の距離L1は、90μm以上となっているので、キャビティ30の形成部分にレーザが当たってキャビティ30が損傷することが抑制される。なお、キャビティ30の形成にあたってレーザが照射される範囲の面積は、プレーン層31Aの面積よりも小さくなっていて、キャビティ30の底面全体がプレーン層31Aのみで形成される。
(8) As shown in FIG. 7B, for example, CO2 laser is irradiated from the
(9)キャビティ30の底面として露出するプレーン層31Aにデスミア処理、粗化処理が施されて、キャビティ付き配線板10が完成する。なお、デスミア処理の際、外側導体回路層35は、外側絶縁層34によって保護される。ここで、外側絶縁層34はビルドアップ絶縁層15より薄くなっているので、外側絶縁層34を外側導体回路層35の保護に必要な最低限の厚みにして、キャビティ付き配線板10の薄型化を図ることが可能となる。また、上記(8)の工程で、位置決め開口34Aの形成にかかる時間の短縮化を図ることが可能となる。
(9) The
キャビティ付き配線板10の製造方法に関する説明は以上である。キャビティ付き配線板10は、図8に示す電子部品内蔵配線板100の製造に用いられる。
This completes the description of the method for manufacturing the
図8及び図9に示すように、電子部品内蔵配線板100は、キャビティ30に電子部品80を収容するキャビティ付き配線板10の表裏の両面に外側ビルドアップ絶縁層21と外側ビルドアップ導体層22が積層された構造になっている。外側ビルドアップ絶縁層21は上述のビルドアップ絶縁層15と同じ材質で構成されている。外側ビルドアップ導体層22は、ビルドアップ導体層16と同じ金属(例えば、銅)で構成されている。そして、外側ビルドアップ導体層22は、外側ビルドアップ絶縁層21を貫通するビア導体25によってキャビティ付き配線板10の第1ビルドアップ導体層16Aに接続されている。なお、外側ビルドアップ絶縁層21の厚さは約15μmになっていて、外側ビルドアップ導体層22の厚さは約15μmになっている。ここで、外側ビルドアップ絶縁層21の厚さは、ビルドアップ絶縁層15と同様に、上下導体層間の距離で定義される。また、電子部品80は、例えば、半導体素子、受動部品、配線層を有するインターポーザ、再配線層を有する半導体素子、WLP(Wafer Level Package)等である。
As shown in FIGS. 8 and 9, the electronic component built-in
外側ビルドアップ導体層22上には、ソルダーレジスト層29が形成されている。ソルダーレジスト層29は、電子部品内蔵配線板100の表側面であるF面100Fと、裏側面であるB面100Bとを構成する。そして、ソルダーレジスト層29に、外側ビルドアップ導体層22の一部を導体パッド23として露出させる開口27が複数形成されている。ソルダーレジスト層29の厚さは、約7〜25μmになっている。ここで、ソルダーレジスト層29の厚みは、外側ビルドアップ導体層22の上表面からソルダーレジスト層29の上表面までの距離で定義される。
A solder resist
導体パッド23上には、めっき層41が形成されている。なお、電子部品内蔵配線板100のF面100F側のめっき層41は、ソルダーレジスト層29から突出するバンプ状に形成されている(図9参照)。
A
電子部品内蔵配線板100の構造に関する説明は以上である。次に、電子部品内蔵配線板100の製造方法について説明する。
This completes the description of the structure of the electronic component built-in
電子部品内蔵配線板100は、以下のようにして製造される。
(1)まず、図10(A)に示すように、配線板10のキャビティ30の底面として露出するプレーン層31A上に、底面に接着層33が塗布されている電子部品80が搭載され、熱硬化処理、CZ処理が行われる。このとき、電子部品80は、アライメントマーク35Mを基準にして位置決めされるので、電子部品80をキャビティ30内へ精度よく搭載することが可能となる。ここで、アライメントマーク35Mとキャビティ30の外縁部との間の距離L1が1500μm以下となっているので、アライメントマーク35を基準とした電子部品80の搭載精度の向上が図られる。
The electronic component built-in
(1) First, as shown in FIG. 10A, an
(2)キャビティ配線板10のF面10FとB面10Bとに、ビルドアップ絶縁層15と同じ材質の外側ビルドアップ絶縁層21が積層され、プレスされる(図10(B)参照。なお、同図では、F面10F側のみが示されている。図11についても同様とする。)。このとき、アライメントマーク35Mを露出させる開口34Aの内部には、外側ビルドアップ絶縁層21が充填される。
(2) The outer
(3)図11(A)に示すように、キャビティ付き配線板10のF面10F側とB面10B側とからレーザが照射されて、外側ビルドアップ絶縁層21にビア形成孔45が形成される。
(3) As shown in FIG. 11A, laser is irradiated from the
(4)無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、ビア形成孔45内にビア導体25が形成される(図11(B)参照)。また、外側ビルドアップ絶縁層21上に、外側ビルドアップ導体層22が形成される。
(4) An electroless plating process, a plating resist process, and an electrolytic plating process are performed, and a via
(5)図12に示すように、キャビティ付き配線板10のF面10F側とB面10B側の両方から、外側ビルドアップ導体層22上にソルダーレジスト層29が積層されると共に、ソルダーレジスト層29に、外側ビルドアップ導体層22の一部を導体パッド23として露出させる開口27がレーザ加工により形成される。
(5) As shown in FIG. 12, a solder resist
(6)キャビティ付き基材10のF面10F側とB面10B側とに無電解めっき処理が行われて、導体パッド23上にめっき層41が形成され、図8に示した電子部品内蔵配線板100が完成する。
(6) An electroless plating process is performed on the F-
以上が、キャビティ付き配線板10を用いた電部品内蔵配線板100の製造方法に関する説明である。次に、本実施形態のキャビティ付き配線板10の作用効果について説明する。
The above is the description regarding the manufacturing method of the electrical component built-in
本実施形態のキャビティ付き配線板10によれば、位置決め開口34Aによって露出するアライメントマーク35Mを基準にして、電子部品80をキャビティ30内に受容させることが可能となり、キャビティ30内への電子部品80の搭載精度の向上を図ることが可能となる。また、位置決め開口34Aは、レーザ加工により形成されるので、キャビティ30に対する位置決め開口34Aの位置精度の向上を図ることが可能となる。ここで、位置決め開口34Aとキャビティ30との間の距離L1(図3参照)は、10μm以上、1500μm以下となっているので、電子部品80の搭載精度の向上を図りつつ、位置決め開口34Aを形成する際のキャビティ30の損傷を抑制することが可能となる。
According to the wiring board with
また、本実施形態のキャビティ付き配線板10の製造方法によれば、キャビティ30の形成に使用されるレーザを用いて位置決め開口34Aが形成されるので、キャビティ30を形成するついでに、位置決め開口34Aを形成することが可能となる。
Further, according to the method for manufacturing the wiring board with
[他の実施形態]
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
[Other Embodiments]
The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the embodiments described below are also included in the technical scope of the present invention, and various modifications are possible within the scope of the invention other than the following. It can be changed and implemented.
(1)上記実施形態では、アライメントマーク35Mが円形状であったが、例えば、図13に示すような形状であってもよい。具体的には、アライメントマーク35Mは、リング状であってもよいし(図13(A)参照)、多角形状であってよいし(図13(B)及び図13(C)参照)、十字状であってもよい(図13(D)参照)。
(1) In the above embodiment, the
(2)上記実施形態の配線板10では、キャビティ30の底面を構成するプレーン層31Aが、外側から2番目に位置する第2ビルドアップ導体層16Bに形成される構成であったが、図14(A)に示すように、最外の第1ビルドアップ導体層16Aに形成されてもよいし、図14(B)に示すように、外側から3番目の第3ビルドアップ導体層16Cに形成されてもよい。
(2) In the
(3)上記実施形態では、プレーン層31Aがキャビティ30の底面として露出する構成であったが、ビルドアップ絶縁層15がキャビティ30の底面として露出する構成であってもよい。なお、この場合において、キャビティ30は、外側絶縁層34のみを貫通してもよいし、1又は複数のビルドアップ絶縁層15を貫通してもよい。
(3) In the above embodiment, the plane layer 31 </ b> A is exposed as the bottom surface of the
(4)上記実施形態では、キャビティ付き配線板10がコア基板11を有する構成であったが、図16(B)に示すキャビティ付き配線板10Vのように、コア基板11を有さない構成であってもよい。このようなキャビティ付き配線板10Vは、例えば、以下[1]〜[5]に示す方法により製造される。
(4) In the above-described embodiment, the
[1]図15(A)に示すように、キャリア51Kの上面に銅箔51Cが積層されたキャリア付き銅箔51が、支持基板50上に積層される。なお、キャリア51Kと銅箔51Cとの間、及び、キャリア51Kと支持基板50との間には、図示しない接着層が形成され、キャリア51Kと銅箔51Cとの間の接着力は、キャリア51Kと支持基板50との間の接着力よりも弱くなっている。
[1] As shown in FIG. 15A, a
[2]銅箔51C上に所定パターンのめっきレジストが形成される。そして、電解めっき処理により、めっきレジストの非形成部に電解めっき膜が形成されて、銅箔51C上に、プレーン層31Aと導体回路層31Bとを有する内側導体層52が形成される(図15(B)参照)。
[2] A predetermined pattern of plating resist is formed on the
[3]内側導体層52上に、ビルドアップ絶縁層15が積層されると共に、そのビルドアップ絶縁層15上に、ビルドアップ導体層16が積層される。このとき、ビルドアップ導体層16には、導体回路層31Bにビア18を介して接続される外側導体回路層35が形成される(図15(C)参照)。
[3] The
[4]ビルドアップ導体層16上に外側絶縁層34が積層され、レーザ加工によって、外側絶縁層34とビルドアップ絶縁層15とを貫通してプレーン層31Aを底面として露出させるキャビティ30が形成されると共に、外側導体回路層35の一部をアライメントマーク35Mとして露出させる位置決め開口34Aが形成される(図16(A)参照)。
[4] The outer insulating
[5]キャリア付き銅箔51のうちのキャリア51Kと、支持基板50とが剥離され、その後、銅箔51Cがエッチング処理により除去されて、キャビティ付き配線板10Vが完成する(図16(B)参照)。なお、その後、このキャビティ付き配線板10Vに、上記実施形態の図9〜図12に示したような工程を施してもよい。
[5] The
10,10V キャビティ付き配線板
15A 第1ビルドアップ絶縁層(内側絶縁層)
30 キャビティ
31A プレーン層
34 外側絶縁層
35 外側導体回路層(導体層)
35M アライメントマーク
10,10V
30
35M alignment mark
Claims (8)
前記外側絶縁層の外側を向く面で開口する電子部品内蔵用のキャビティと、を備えるキャビティ付き配線板であって、
前記外側絶縁層には、前記キャビティの開口とは別に、前記外側絶縁層の下に形成される導体層の一部をアライメントマークとして露出させる位置決め開口が形成されている。 An outer insulating layer disposed outside in the thickness direction;
A cavity-containing wiring board comprising a cavity for incorporating an electronic component that opens on a surface facing the outside of the outer insulating layer,
In addition to the opening of the cavity, the outer insulating layer is formed with a positioning opening that exposes a part of the conductor layer formed under the outer insulating layer as an alignment mark.
前記位置決め開口は、レーザ加工により形成され、
前記位置決め開口と前記キャビティの外縁部との間の距離が10μm以上である。 In the wiring board with a cavity of Claim 1,
The positioning opening is formed by laser processing,
The distance between the positioning opening and the outer edge of the cavity is 10 μm or more.
前記位置決め開口と前記キャビティの外縁部との間の距離が1500μm以下である。 The wiring board with a cavity according to claim 1 or 2, wherein a distance between the positioning opening and an outer edge portion of the cavity is 1500 µm or less.
前記導体層の下に形成される内側絶縁層と、
前記内側絶縁層の下に形成されるプレーン層と、をさらに有し、
前記キャビティは、前記外側絶縁層と前記内側絶縁層とを貫通して、前記プレーン層を底面として露出させる。 In the wiring board with a cavity according to any one of claims 1 to 3,
An inner insulating layer formed under the conductor layer;
A plain layer formed under the inner insulating layer,
The cavity penetrates the outer insulating layer and the inner insulating layer and exposes the plain layer as a bottom surface.
前記外側絶縁層は、前記内側絶縁層と同じ材質で構成されている。 In the wiring board with a cavity of Claim 4,
The outer insulating layer is made of the same material as the inner insulating layer.
前記外側絶縁層は、前記内側絶縁層より薄くなっている。 In the wiring board with a cavity according to claim 4 or 5,
The outer insulating layer is thinner than the inner insulating layer.
前記内側絶縁層上に導体層を形成することと、
前記内側絶縁層及び前記導体層上の外側に配置される外側絶縁層を形成することと、
前記外側絶縁層及び前記内側絶縁層を貫通して前記外側絶縁層の外側を向く面で開口する電子部品内蔵用のキャビティを形成することと、を有するキャビティ付き配線板の製造方法であって、
前記外側絶縁層に、前記キャビティの開口とは別に、前記導体層の一部をアライメントマークとして露出させる位置決め開口を形成する。 Forming an inner insulating layer disposed inside in the thickness direction;
Forming a conductor layer on the inner insulating layer;
Forming an outer insulating layer disposed outside on the inner insulating layer and the conductor layer;
Forming a cavity for incorporating an electronic component that penetrates the outer insulating layer and the inner insulating layer and opens on a surface facing the outer side of the outer insulating layer, and a method of manufacturing a wiring board with a cavity, comprising:
In addition to the opening of the cavity, a positioning opening that exposes a part of the conductor layer as an alignment mark is formed in the outer insulating layer.
前記キャビティの形成と前記位置決め開口の形成とを共にレーザ加工により行い、
前記キャビティの形成に使用されるレーザで前記位置決め開口を形成する。 In the wiring board with a cavity of Claim 8,
Both the formation of the cavity and the formation of the positioning opening are performed by laser processing,
The positioning opening is formed by a laser used to form the cavity.
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