JP2016096233A - 固体撮像素子、製造方法、および電子装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ショットノイズの増大を抑止する。【解決手段】 本開示の一側面である固体撮像素子は、光電変換部を含む化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含むSi基板とが張り合わされて構成される積層型の固体撮像素子において、前記化合物半導体基板は、前記光電変換部と積層された第1の高濃度ドープ層を備え、前記Si基板には、Siプラグを備え、前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される。本開示は、積層型のCMOSイメージセンサに適用できる。【選択図】 図2
Description
本開示は、固体撮像素子、製造方法、および電子装置に関し、特に、光電変換部にて生成された光電子が回路部に転送されるまでの経路におけるショットノイズを低減できるようにした固体撮像素子、製造方法、および電子装置に関する。
従来、特に赤外光を検出する用途に用いるCMOSイメージセンサなどの固体撮像素子において、その光電変換部をInGaAsなどの化合物半導体基板上に設けることによって高感度化を実現する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
一方、固体撮像素子において、光電変換部にて生成された光電子を保持したり、後段に出力したりする回路部は、特性やコストなどの観点からSi基板上に設けることが多い。
したがって、光電変換部を含む化合物半導体基板と、回路部を含むSi基板とにより固体撮像素子を構成する場合、両者を何らかの手段によって電気的に接続する必要がある。
図1は、光電変換部を含む化合物半導体基板と、回路部を含むSi基板から成る固体撮像素子の従来の構成の一例を示している。
図1に示される固体撮像素子10は、Si基板11と、化合物半導体基板15が張り合わされて構成される。Si基板11には、MEM,FD,Vdd,TRX,TG,RSTなどの回路部12が形成されており、化合物半導体基板15と張り合わされる面には絶縁体層13が設けられている。また、Si基板11にはnSiプラグ20が縦方向に設けられている。
一方、化合物半導体基板15には、光電変換部16(p−化合物半導体16Aおよびn−化合物半導体16Bからなるp−n接合構造のフォトダイオード)が形成されており、光電変換部16の上層側(受光面側)には上部透明電極18が、下層側には金属層19が設けられている。また、化合物半導体基板15には金属層19に繋がる金属プラグ22が縦方向に設けられている。
Si基板11と化合物半導体基板15との接続は、Si基板11に設けられたnSiプラグ20と、化合物半導体基板15に設けた金属プラグ22とをn+Si層21を介して接続することにより実現される。すなわち、化合物半導体基板15の光電変換部16で生成された光電子は、金属層19、金属プラグ22、n+Si層21、およびnSiプラグ20を介して、Si基板11の回路部12に転送されることになる。
図1に示された従来の構成例の場合、光電変換部16で生成された光電子が回路部12に転送されるまでの経路に自由電子濃度の高い金属が存在し、多くの自由電子が存在するので、該自由電子の数に依存するショットノイズが増大してしまう要因となっていた。
本開示はこのような状況に鑑みてなされたものであり、固体撮像素子におけるショットノイズの増大を抑止できるようにするものである。
本開示の第1の側面である固体撮像素子は、光電変換部を含む化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含むSi基板とが張り合わされて構成される積層型の固体撮像素子において、前記化合物半導体基板は、前記光電変換部と積層された第1の高濃度ドープ層を備え、前記Si基板には、Siプラグを備え、前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される。
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層、前記第1の高濃度ドープ層の側面に接する第2の高濃度ドープ層、および前記Siプラグを介して前記回路部に転送されるようにすることができる。
前記第2の高濃度ドープ層は、Si層が前記第1の高濃度ドープ層と同じ半導体型で高濃度にドープされたものとすることができる。
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層、前記第1の高濃度ドープ層の側面に接する第2の高濃度ドープ層、前記Siプラグをエピタキシャル成長させたSiプラグエピタキシャル層、および前記Siプラグを介して前記回路部に転送されるようにすることができる。
前記光電変換部は、化合物半導体がp−n接合またはp−i−n接合されたフォトダイオードからなるようにすることができる。
前記フォトダイオードをなすp−化合物半導体には、Zn,Mg,Be,Cのうち一種がドーピングされているInGaAs、III−V系化合物、またはII−VI系化合物が採用され、n−化合物半導体には、Si,S,Se,Teのうち一種がドーピングされているInGaAs、III−V系化合物、またはII−VI系化合物が採用されているようにすることができる。
前記化合物半導体基板は、前記光電変換部を1画素毎に分離するための画素分離部をさらに備えることができる。
前記第2の高濃度ドープ層は、1画素毎に分離された前記光電変換部の外側の側面に接するように形成されているようにすることができる。
前記第2の高濃度ドープ層は、1画素毎に分離された前記光電変換部の内側中央付近の側面に接するように形成されているようにすることができる。
前記第1の高濃度ドープ層は、不純物濃度が1016/cm3以上5×1017/cm3以下とすることができる。
前記第1の高濃度ドープ層の厚さは、20nm以下とすることができる。
前記第2の高濃度ドープ層の厚さは、前記第1の高濃度ドープ層の厚さと同程度とすることができる。
前記化合物半導体基板と前記Si基板は、プラズマ接合処理、高温処理、または薬液処理によって張り合わされているようにすることができる。
前記化合物半導体基板と前記Si基板との貼り合わせ面には、絶縁体層が形成されているようにすることができる。
前記絶縁体層は、Si,Al,Ta、またはTiの酸化膜または窒化膜からなるようにすることができる。
本開示の第2の側面である製造方法は、固体撮像素子の製造方法において、光電変換部、第1の高濃度ドープ層、および絶縁体層が順に積層された化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含み、縦方向にSiプラグが形成され、表面に絶縁体層が形成されたSi基板との前記絶縁体層どうしを張り合わせ、前記第第1の高濃度ドープ層と前記Siプラグとを第2の高濃度ドープ層を介して電気的に接続するステップを含む。
本開示の第3の側面である電子装置は、固体撮像素子が搭載された電子装置において、前記固体撮像素子は、光電変換部を含む化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含むSi基板とが張り合わされて構成され、前記化合物半導体基板は、前記光電変換部と積層された第1の高濃度ドープ層を備え、前記Si基板には、Siプラグを備え、前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される。
本開示の第1乃至第3の側面においては、固体撮像素子において化合物半導体基板に含まれる光電変換部により生成された光電子は、第1の高濃度ドープ層およびSiプラグを介してSi基板に含まれる回路部に転送される。
本開示の第1乃至3の側面によれば、固体撮像素子におけるショットノイズの増大を抑止することができる。
以下、本開示を実施するための最良の形態(以下、実施の形態と称する)について、図面を参照しながら詳細に説明する。
<本開示の実施の形態である固体撮像素子の第1の構成例>
図2は、本開示の実施の形態である固体撮像素子の第1の構成例を示す断面図である。図3は、図2に示される固体撮像素子の受光面側の上面図である。
図2は、本開示の実施の形態である固体撮像素子の第1の構成例を示す断面図である。図3は、図2に示される固体撮像素子の受光面側の上面図である。
本開示の実施の形態である固体撮像素子30の第1の構成例は、図1に示された従来の固体撮像素子10と同様、回路部32を含むSi基板31と、光電変換部35を含む化合物半導体基板34が張り合わされて構成される、いわゆる、積層型の固体撮像素子である。
Si基板31には、MEM,FD,Vdd,TRX,TG,RSTなどの回路部32が形成されており、化合物半導体基板34と張り合わされる表面には絶縁体層33が設けられている。また、Si基板11には、画素毎にSiプラグ40が縦方向に設けられている。
一方、化合物半導体基板34には、光電変換部35(p−化合物半導体35Aおよびn−化合物半導体35Bからなるp−n接合構造のフォトダイオード)が形成されており、光電変換部35は、絶縁体層42から成る画素分離部51により画素毎に分離されている。光電変換部35の下層側には、不純物濃度が1016/cm3以上5×1017/cm3以下にドープ(dope)された厚さ20nm以下のn+化合物半導体36を介して絶縁体層37が、上層側(受光面側)には上部透明電極38が設けられている。
Si基板31と化合物半導体基板34とは、Si基板31の絶縁体層33と化合物半導体基板34の絶縁体層37が対向するように張り合わされている。
Si基板31と化合物半導体基板34とは、Si基板31の画素毎に縦方向に設けられるSiプラグ40が絶縁体層33および37を貫いて形成されるエピタキシャル成長部分(Siプラグエピタキシャル層41)と、化合物半導体基板34のn+化合物半導体36の横方向に連なって形成された、n+化合物半導体36とほぼ同じ厚さの薄いn+Si層43とが接続されることにより電気的な接続が実現される。
固体撮像素子30を構成する各部の具体例について説明する。Si基板31の上部表面に形成する絶縁体層33には、Si,Al,Ta,Tiなどの酸化膜、窒化膜などを採用できる。また、異なる材料の組み合わせを採用することもできる。さらに、界面準位の生成とその影響を抑制するために、Si基板31と絶縁体層33の間に高濃度にドープされたSi層を挿入することも可能である。
化合物半導体34の下部表面に形成する絶縁体層37には、Si,Al,Ta,Tiなどの酸化膜、窒化膜などを採用できる。n+化合物半導体36と絶縁体層37の間に、界面準位の生成とその影響を抑制する化合物材料、Ga,Inなどの酸化膜や窒化膜を挿入することも可能である。
Si基板31に設けるSiプラグ40の半導体極性は、本実施の形態ではn型としている。ただし、Siプラグ40の半導体極性はその周囲の構成の半導体極性に応じて決まるので、Siプラグ40の半導体極性をp型とする場合もあり得る。
p−化合物半導体35AにはZnがドーピングされているInGaAsを採用することができ、n−化合物半導体35BにはSiがドーピングされているInGaAsを採用することができる。これらの他、化合物半導体には、Al,Ga,Inのリン化物、ヒ化物、窒化物、アンチモン化物などのIII−V系化合物、Zn,Cd,Teなどの硫化物、セレン化物、テルル化物などのII−VI系化合物などを採用することができる。
また、光電変換部35には、p−n接合構造のフォトダイオードの代わりに、イントリンジック半導体層を挟んだp−i−n接合構造のフォトダイオードを採用してもよい。
固体撮像素子30においては、化合物半導体基板34の光電変換部35にて生成された光電子が、n+化合物半導体36、n+Si層43、nSiプラグエピタキシャル層41、およびnSiプラグ40を転送路として、Si基板31の回路部32に転送され、電荷信号として後段に出力される。
固体撮像素子30の場合、光電子の転送路に薄い高濃度半導体(n+化合物半導体36)が存在するので、その部分での自由電子によるショットノイズが発生する。ただし、導体(図1の金属層19および金属プラグ22)と半導体(図2のn+化合物半導体36)とのキャリア濃度は105程度以上異なり、ショットノイズはその平方根に比例して低減する。よって、固体撮像素子30は、光電子の転送路で発生するショットノイズを固体撮像素子10に比較して削減することができる。
また、自由電子数は、高濃度半導体(n+化合物半導体36)および高濃度Si層(n+Si層43)の体積に比例するため、これらの厚さは両者間で光電子を転送できる範囲で可能な限り薄いことが望ましい。
<本開示の実施の形態である固体撮像素子の第2の構成例>
次に、図4は、本開示の実施の形態である固体撮像素子の第2の構成例を示す断面図である。図5は、図4に示される固体撮像素子の受光面側の上面図である。なお、図2および図3に示された第1の構成例と共通する構成要素に対しては同一の符号を付しているので、その説明は適宜省略する。
次に、図4は、本開示の実施の形態である固体撮像素子の第2の構成例を示す断面図である。図5は、図4に示される固体撮像素子の受光面側の上面図である。なお、図2および図3に示された第1の構成例と共通する構成要素に対しては同一の符号を付しているので、その説明は適宜省略する。
本開示の実施の形態である固体撮像素子30の第2の構成例は、光電子を転送するためのSiプラグ40を各画素の中央付近に配置したものである。この場合、Siプラグ40を各画素の端に配置していた第1の構成例に比較し、光電子の転送路の横方向の距離が短くなるため、転送中に再結合してしまい電荷信号に変換されない光電子の数を減少させることができる。よって、光電子の転送効率を向上させることができる。
<本開示の実施の形態である固体撮像素子の製造方法>
次に、図6乃至図8は、本開示の実施の形態である固体撮像素子30の第1の構成例の製造工程を示している。
次に、図6乃至図8は、本開示の実施の形態である固体撮像素子30の第1の構成例の製造工程を示している。
始めに、従来のCMOSイメージセンサの製造方法と同様の方法により、図6Aに示す回路部32およびSiプラグ40を含むSi基板31を形成し、その表面に絶縁体層33を形成する。Siプラグ40は、例えばイオン注入等によって形成することができる。
次に、図6Bに示すように、化合物半導体基板34上に光電変換部35、n+化合物半導体36、および絶縁体層37を形成する。化合物半導体基板34には、例えばInP基板の他、GaAs基板、GaP基板、InSb基板、InAs基板などを用いることができる。光電変換部35を成すp−化合物半導体35Aおよびn−化合物半導体35Bの成膜にはMOCVD装置の他、MBE装置、LPE装置などを用いることができる。
絶縁体層33および絶縁体層37の成膜には、ALD装置の他、スパッタ装置、蒸着装置などを用いることができる。
このようにして形成されたSi基板31と化合物半導体基板34は、図6Cに示されるように、それぞれの絶縁体層33と絶縁体層37が貼り合わせ面となって接合される。この接合には、プラズマ接合の他、高温処理や薬液処理等を用いた直接接合などを用いることができる。
次に、図7Aに示されるように、化合物半導体基板34の受光面側の化合物半導体34Aを機械研磨と薬液によるエッチングで除去した後、化合物半導体34A上にハードマスク61を成膜する。さらに、フォトリソグラフィにより、1画素分の光電変換部35に対応する領域以外のハードマスク61を除去した後に、化合物半導体34A、p−化合物半導体35A、n−化合物半導体35B、およびn+化合物半導体36のエッチングを行う。これにより、図7Bに示されるように、ハードマスク61の下層側にのみ化合物半導体34A、p−化合物半導体35A、n−化合物半導体35B、およびn+化合物半導体36が残り、その周囲には画素分離部51となる空間が形成される。
そして、図7Cに示されるように、画素分離部51となる空間から、エッチングにより、絶縁体層37および絶縁体層33を貫いてSiプラグ40に達する接続孔62が形成される。続いて、図8Aに示されるように、Siプラグエピタキシャル層41とn+Si層43を接続孔62の位置に選択的にエピタキシャル成長させる。このとき、n+Si層43とn+化合物半導体層4の断面位置が一致し、電気的に接続されるようにSiプラグエピタキシャル層41の厚さを調整する。
最後に、ハードマスク61を除去した後、画素分離部51の空間を埋めるように絶縁体層13を成膜し、p−化合物半導体35Aの表面が出るまで平面研磨を行い、その上に上部透明電極38を成膜する。上部透明電極38は、フォトリソグラフィとエッチングによって所望のパターンに加工する。以上のようにして固体撮像素子30の第1の構成例は製造される。なお、固体撮像素子30の第2の構成例についても同様の工程によって製造できる。
<固体撮像素子30の使用例>
次に、図9は固体撮像素子30の使用例を示している。
次に、図9は固体撮像素子30の使用例を示している。
上述したイメージセンサは、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
なお、本開示の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
本開示は以下のような構成も取ることができる。
(1)
光電変換部を含む化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含むSi基板とが張り合わされて構成される積層型の固体撮像素子において、
前記化合物半導体基板は、前記光電変換部と積層された第1の高濃度ドープ層を備え、
前記Si基板には、Siプラグを備え、
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
固体撮像素子。
(2)
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層、前記第1の高濃度ドープ層の側面に接する第2の高濃度ドープ層、および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記第2の高濃度ドープ層は、Si層が前記第1の高濃度ドープ層と同じ半導体型で高濃度にドープされたものである
前記(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層、前記第1の高濃度ドープ層の側面に接する第2の高濃度ドープ層、前記Siプラグをエピタキシャル成長させたSiプラグエピタキシャル層、および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
前記(1)から(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記光電変換部は、化合物半導体がp−n接合またはp−i−n接合されたフォトダイオードからなる
前記(1)から(4)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(6)
前記フォトダイオードをなすp−化合物半導体には、Zn,Mg,Be,Cのうち一種がドーピングされているInGaAs、III−V系化合物、またはII−VI系化合物が採用され、n−化合物半導体には、Si,S,Se,Teのうち一種がドーピングされているInGaAs、III−V系化合物、またはII−VI系化合物が採用されている
前記(5)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記化合物半導体基板は、前記光電変換部を1画素毎に分離するための画素分離部を
さらに備える前記(1)から(6)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(8)
前記第2の高濃度ドープ層は、1画素毎に分離された前記光電変換部の外側の側面に接するように形成されている
前記(7)に記載の固体撮像素子。
(9)
前記第2の高濃度ドープ層は、1画素毎に分離された前記光電変換部の内側中央付近の側面に接するように形成されている
前記(7)に記載の固体撮像素子。
(10)
前記第1の高濃度ドープ層は、不純物濃度が1016/cm3以上5×1017/cm3以下である
前記(1)から(9)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(11)
前記第1の高濃度ドープ層の厚さは、20nm以下である
前記(1)から(10)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(12)
前記第2の高濃度ドープ層の厚さは、前記第1の高濃度ドープ層の厚さと同程度である
前記(11)に記載の固体撮像素子。
(13)
前記化合物半導体基板と前記Si基板は、プラズマ接合処理、高温処理、または薬液処理によって張り合わされている
前記(1)から(12)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(14)
前記化合物半導体基板と前記Si基板との貼り合わせ面には、絶縁体層が形成されている
前記(1)から(13)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(15)
前記絶縁体層は、Si,Al,Ta、またはTiの酸化膜または窒化膜からなる
前記(14)に記載の固体撮像素子。
(16)
固体撮像素子の製造方法において、
光電変換部、第1の高濃度ドープ層、および絶縁体層が順に積層された化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含み、縦方向にSiプラグが形成され、表面に絶縁体層が形成されたSi基板との前記絶縁体層どうしを張り合わせ、
前記第第1の高濃度ドープ層と前記Siプラグとを第2の高濃度ドープ層を介して電気的に接続する
ステップを含む製造方法。
(17)
固体撮像素子が搭載された電子装置において、
前記固体撮像素子は、
光電変換部を含む化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含むSi基板とが張り合わされて構成され、
前記化合物半導体基板は、前記光電変換部と積層された第1の高濃度ドープ層を備え、
前記Si基板には、Siプラグを備え、
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
電子装置。
(1)
光電変換部を含む化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含むSi基板とが張り合わされて構成される積層型の固体撮像素子において、
前記化合物半導体基板は、前記光電変換部と積層された第1の高濃度ドープ層を備え、
前記Si基板には、Siプラグを備え、
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
固体撮像素子。
(2)
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層、前記第1の高濃度ドープ層の側面に接する第2の高濃度ドープ層、および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記第2の高濃度ドープ層は、Si層が前記第1の高濃度ドープ層と同じ半導体型で高濃度にドープされたものである
前記(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層、前記第1の高濃度ドープ層の側面に接する第2の高濃度ドープ層、前記Siプラグをエピタキシャル成長させたSiプラグエピタキシャル層、および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
前記(1)から(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記光電変換部は、化合物半導体がp−n接合またはp−i−n接合されたフォトダイオードからなる
前記(1)から(4)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(6)
前記フォトダイオードをなすp−化合物半導体には、Zn,Mg,Be,Cのうち一種がドーピングされているInGaAs、III−V系化合物、またはII−VI系化合物が採用され、n−化合物半導体には、Si,S,Se,Teのうち一種がドーピングされているInGaAs、III−V系化合物、またはII−VI系化合物が採用されている
前記(5)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記化合物半導体基板は、前記光電変換部を1画素毎に分離するための画素分離部を
さらに備える前記(1)から(6)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(8)
前記第2の高濃度ドープ層は、1画素毎に分離された前記光電変換部の外側の側面に接するように形成されている
前記(7)に記載の固体撮像素子。
(9)
前記第2の高濃度ドープ層は、1画素毎に分離された前記光電変換部の内側中央付近の側面に接するように形成されている
前記(7)に記載の固体撮像素子。
(10)
前記第1の高濃度ドープ層は、不純物濃度が1016/cm3以上5×1017/cm3以下である
前記(1)から(9)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(11)
前記第1の高濃度ドープ層の厚さは、20nm以下である
前記(1)から(10)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(12)
前記第2の高濃度ドープ層の厚さは、前記第1の高濃度ドープ層の厚さと同程度である
前記(11)に記載の固体撮像素子。
(13)
前記化合物半導体基板と前記Si基板は、プラズマ接合処理、高温処理、または薬液処理によって張り合わされている
前記(1)から(12)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(14)
前記化合物半導体基板と前記Si基板との貼り合わせ面には、絶縁体層が形成されている
前記(1)から(13)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(15)
前記絶縁体層は、Si,Al,Ta、またはTiの酸化膜または窒化膜からなる
前記(14)に記載の固体撮像素子。
(16)
固体撮像素子の製造方法において、
光電変換部、第1の高濃度ドープ層、および絶縁体層が順に積層された化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含み、縦方向にSiプラグが形成され、表面に絶縁体層が形成されたSi基板との前記絶縁体層どうしを張り合わせ、
前記第第1の高濃度ドープ層と前記Siプラグとを第2の高濃度ドープ層を介して電気的に接続する
ステップを含む製造方法。
(17)
固体撮像素子が搭載された電子装置において、
前記固体撮像素子は、
光電変換部を含む化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含むSi基板とが張り合わされて構成され、
前記化合物半導体基板は、前記光電変換部と積層された第1の高濃度ドープ層を備え、
前記Si基板には、Siプラグを備え、
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
電子装置。
30 固体撮像素子, 31 Si基板, 32 回路部, 33 絶縁体層, 34 化合物半導体基板, 35 光電変換部, 35A p−化合物半導体, 35B n−化合物半導体, 36 n+化合物半導体, 37 絶縁体層, 38 上部透明電極, 40 Siプラグ, 41 Siプラグエピタキシャル層, 42 絶縁体層, 43 n+Si層, 51 画素分離部, 52 画素境界
Claims (17)
- 光電変換部を含む化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含むSi基板とが張り合わされて構成される積層型の固体撮像素子において、
前記化合物半導体基板は、前記光電変換部と積層された第1の高濃度ドープ層を備え、
前記Si基板には、Siプラグを備え、
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
固体撮像素子。 - 前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層、前記第1の高濃度ドープ層の側面に接する第2の高濃度ドープ層、および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の高濃度ドープ層は、Si層が前記第1の高濃度ドープ層と同じ半導体型で高濃度にドープされたものである
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層、前記第1の高濃度ドープ層の側面に接する第2の高濃度ドープ層、前記Siプラグをエピタキシャル成長させたSiプラグエピタキシャル層、および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部は、化合物半導体がp−n接合またはp−i−n接合されたフォトダイオードからなる
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記フォトダイオードをなすp−化合物半導体には、Zn,Mg,Be,Cのうち一種がドーピングされているInGaAs、III−V系化合物、またはII−VI系化合物が採用され、n−化合物半導体には、Si,S,Se,Teのうち一種がドーピングされているInGaAs、III−V系化合物、またはII−VI系化合物が採用されている
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記化合物半導体基板は、前記光電変換部を1画素毎に分離するための画素分離部を
さらに備える請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の高濃度ドープ層は、1画素毎に分離された前記光電変換部の外側の側面に接するように形成されている
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の高濃度ドープ層は、1画素毎に分離された前記光電変換部の内側中央付近の側面に接するように形成されている
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の高濃度ドープ層は、不純物濃度が1016/cm3以上5×1017/cm3以下である
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の高濃度ドープ層の厚さは、20nm以下である
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の高濃度ドープ層の厚さは、前記第1の高濃度ドープ層の厚さと同程度である
請求項11に記載の固体撮像素子。 - 前記化合物半導体基板と前記Si基板は、プラズマ接合処理、高温処理、または薬液処理によって張り合わされている
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記化合物半導体基板と前記Si基板との貼り合わせ面には、絶縁体層が形成されている
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記絶縁体層は、Si,Al,Ta、またはTiの酸化膜または窒化膜からなる
請求項14に記載の固体撮像素子。 - 固体撮像素子の製造方法において、
光電変換部、第1の高濃度ドープ層、および絶縁体層が順に積層された化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含み、縦方向にSiプラグが形成され、表面に絶縁体層が形成されたSi基板との前記絶縁体層どうしを張り合わせ、
前記第第1の高濃度ドープ層と前記Siプラグとを第2の高濃度ドープ層を介して電気的に接続する
ステップを含む製造方法。 - 固体撮像素子が搭載された電子装置において、
前記固体撮像素子は、
光電変換部を含む化合物半導体基板と、前記光電変換部により生成された光電子を処理するための回路部を含むSi基板とが張り合わされて構成され、
前記化合物半導体基板は、前記光電変換部と積層された第1の高濃度ドープ層を備え、
前記Si基板には、Siプラグを備え、
前記光電変換部により生成された光電子は、前記第1の高濃度ドープ層および前記Siプラグを介して前記回路部に転送される
電子装置。
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