JP2016090639A - Method for manufacturing base material including metal wire, polarization element, and electrode substrate - Google Patents

Method for manufacturing base material including metal wire, polarization element, and electrode substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2016090639A
JP2016090639A JP2014221284A JP2014221284A JP2016090639A JP 2016090639 A JP2016090639 A JP 2016090639A JP 2014221284 A JP2014221284 A JP 2014221284A JP 2014221284 A JP2014221284 A JP 2014221284A JP 2016090639 A JP2016090639 A JP 2016090639A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
metal wire
metal
base material
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014221284A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6455077B2 (en
Inventor
仁 浜口
Hitoshi Hamaguchi
仁 浜口
健朗 田中
Takero Tanaka
健朗 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP2014221284A priority Critical patent/JP6455077B2/en
Publication of JP2016090639A publication Critical patent/JP2016090639A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6455077B2 publication Critical patent/JP6455077B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Polarising Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a base material including a metal wire capable of suppressing wet spreading and oozing of composition for forming a metal wire and capable of forming a high-definition metal wire on the base material, and to provide a polarization element and an electrode substrate.SOLUTION: A method for manufacturing a base material including a metal wire includes the steps of: (i) forming a coating film of a composition for forming a film that contains an acid-generating agent and a polymer having an acid-dissociable group on a substrate 1; (ii) irradiating a prescribed portion of the coating film with radioactive rays; (iii) providing a layer of a composition for forming a metal wire having a line width of 0.1 μm to 20 μm on the coating film that is irradiated with radioactive rays; and (iv) heating the layer of the composition for forming a metal wire to form a pattern 6 to become a metal wire. A polarization element and an electrode substrate are manufactured according to the method for manufacturing a base material including a metal wire.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、金属線を有する基材の製造方法、偏光素子および電極基板に関し、特に金属線を有する基材の製造方法とそれを用いて製造された偏光素子および電極基板に関する。   The present invention relates to a method for producing a base material having a metal wire, a polarizing element and an electrode substrate, and more particularly to a method for producing a base material having a metal wire and a polarizing element and an electrode substrate produced using the method.

近年、基材上にナノワイヤー等と称される極細い金属線を格子状に配置し、偏光素子や表示素子用の電極基板を製造する技術の開発が盛んに進められている。   2. Description of the Related Art In recent years, development of a technique for manufacturing an electrode substrate for a polarizing element and a display element by arranging extremely thin metal wires called nanowires on a base material in a lattice shape has been actively promoted.

例えば、特許文献1に記載される偏光素子はワイヤーグリッド型と称され、基材上に極細い金属線を格子状に複数配列し、それら金属線間の間隔を可視光の波長よりもかなり小さくすることによって製造することができる。このワイヤーグリッド型の偏光素子は、光の反射を利用して偏光を行うことができるので、光の有効利用の点からも望ましいものである。   For example, the polarizing element described in Patent Document 1 is called a wire grid type, and a plurality of extremely thin metal wires are arranged in a lattice shape on a substrate, and the interval between the metal wires is considerably smaller than the wavelength of visible light. Can be manufactured. Since this wire grid type polarization element can be polarized by utilizing reflection of light, it is also desirable from the viewpoint of effective use of light.

また、基材となる光透過性の基板上に、線幅100nm程度の極細い金属線を、例えば、格子状に設けることにより、電極基板を製造することができる。このような電極基板は、金属線の線幅が極細く、隣接する金属線同士の間に開口部が形成されて高い開口率を実現できる。そのため、光透過性に優れ、透過型の表示素子用として表示素子の製造に用いることができる。極細い金属線を電極として有する電極基板は、原材料の枯渇が懸念されるITOを電極に用いたITO付の電極基板の代替が期待される。   Moreover, an electrode substrate can be manufactured by providing a very thin metal wire having a line width of about 100 nm in a lattice shape on a light-transmitting substrate serving as a base material. In such an electrode substrate, the line width of the metal line is extremely narrow, and an opening is formed between adjacent metal lines, thereby realizing a high aperture ratio. Therefore, it is excellent in light transmittance and can be used for manufacturing a display element for a transmissive display element. An electrode substrate having an extremely thin metal wire as an electrode is expected to be an alternative to an electrode substrate with ITO using ITO as an electrode, which is feared to be depleted of raw materials.

以上のような偏光素子や電極基板を実現するには、上述したように、基材となる基板上に、例えば、100nm程度の線幅の金属線を複数形成し、それらを格子状に配列する技術が求められる。しかし、このような極細い金属線を、よく知られた従来のフォトリソグラフィー法によって簡便且つ高いスループットで基板上に形成するのは難しい。   In order to realize the polarizing element and the electrode substrate as described above, as described above, for example, a plurality of metal lines having a line width of about 100 nm are formed on a substrate serving as a base material, and they are arranged in a lattice pattern. Technology is required. However, it is difficult to form such an extremely thin metal wire on a substrate simply and with high throughput by a well-known conventional photolithography method.

そこで、格子状の金属線の形成が可能なパターンを直接印刷することができるプリンテッドエレクトロニクス技術が注目されている。この技術は、通常のフォトリソグラフィー法が有する、露光されたパターンの現像を含む多段の工程や、蒸着法等の真空工程を省略することができ、大幅な工程の簡略化が期待されている。   Therefore, printed electronics technology that can directly print a pattern capable of forming a grid-like metal line has attracted attention. This technique can omit a multi-step process including development of an exposed pattern and a vacuum process such as a vapor deposition method, which are included in a normal photolithography method, and is expected to greatly simplify the process.

インクジェットやスクリーン印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷等の印刷法は、基板上に直接、所望の形状を備えた金属線を形成できることから、簡便で低コストなプロセスとして使用される。しかしながら、金属線を形成するにあたり、印刷に使用する液状またはインク状の金属線形成材料が流動する結果、これらの濡れ広がりや滲みが生じ、直線性に優れる微細なパターンとして金属線を形成するには限界があった。   Printing methods such as inkjet, screen printing, gravure printing, and gravure offset printing can be used as a simple and low-cost process because a metal line having a desired shape can be formed directly on a substrate. However, in forming a metal wire, the liquid or ink-like metal wire forming material used for printing flows, and as a result, these wetting spread and bleeding occur, and the metal wire is formed as a fine pattern with excellent linearity. There was a limit.

また、金属線の形成材料となる金属線形成組成物を印刷によりパターニングし、熱焼成や光焼成により金属線を形成する技術が活発に検討されているが(例えば、特許文献2を参照。)、印刷時の材料の広がりや滲みの問題に加え、得られる配線の基板との密着性において問題があった。   Moreover, although the metal wire formation composition used as a metal wire formation material is patterned by printing, and the technique which forms a metal wire by thermal baking or light baking is actively examined (for example, refer patent document 2). In addition to the problem of material spreading and bleeding during printing, there was a problem in the adhesion of the resulting wiring to the substrate.

そこで、上述の課題を解決して高精細な印刷を可能とし、また、高精細な金属線形成のため、配線の下地となる層(下地層)を設ける技術が検討されている。下地層を設ける下地処理は、基板上に塗布された金属線形成組成物の濡れ広がり、滲み等を抑え、印刷性を向上させることを目的として行われる場合が多い。   In view of this, a technique for solving the above-described problems to enable high-definition printing and providing a layer (underlayer) serving as a base of wiring for forming a high-definition metal line has been studied. The base treatment for providing the base layer is often performed for the purpose of suppressing wet spread, bleeding, etc. of the metal line forming composition applied on the substrate and improving printability.

例えば、基材である基板上にエポキシ基のグラフトを行う技術が知られている(例えば、特許文献3および特許文献4を参照。)。また、基板上に光触媒を塗布する技術が知られている(例えば、特許文献5および特許文献6を参照。)。さらに、基板上にアクリル系の共重合体を塗布する技術が知られている(例えば、特許文献7および特許文献8を参照。)。   For example, a technique of grafting an epoxy group on a substrate that is a base material is known (see, for example, Patent Document 3 and Patent Document 4). Moreover, the technique of apply | coating a photocatalyst on a board | substrate is known (for example, refer patent document 5 and patent document 6). Furthermore, a technique for applying an acrylic copolymer on a substrate is known (see, for example, Patent Document 7 and Patent Document 8).

特開2006−84776号公報JP 2006-84776 A 特開2011−241309号公報JP 2011-241309 A 特開2003−114525号公報JP 2003-114525 A 特開2006−58797号公報JP 2006-58797 A 特開2003−209340号公報JP 2003-209340 A 特開2004−98351号公報JP 2004-98351 A 特開2012−232434号公報JP 2012-232434 A 特開2012−218318号公報JP 2012-218318 A

しかしながら、従来の下地層を設ける下地処理では、金属線の形成材料である金属線形成組成物を印刷した後、その濡れ広がり、滲みの抑制が十分ではない。そのため、例えば、線幅が0.1μm以上20μm以下、すなわち、0.1μm〜20μmのような高精細な金属線の形成を行うことは困難であり、線幅0.1μm〜20μmの金属線からなる金属格子を0.1μmより大きく200μm以下の周期で配設することは困難であった。例えば、従来の下地処理では、金属線形成組成物が塗布される下地層表面の特性は一様である。このため、金属線形成組成物が所定のパターンで印刷された場合、その組成物が印刷直後の状態から拡がってしまうのを十分に抑えることができなかった。   However, in the base treatment for providing a conventional base layer, after the metal wire forming composition, which is a metal wire forming material, is printed, the wetting, spreading and bleeding are not sufficiently suppressed. Therefore, for example, it is difficult to form a high-definition metal line having a line width of 0.1 μm to 20 μm, that is, 0.1 μm to 20 μm. From a metal line having a line width of 0.1 μm to 20 μm It was difficult to dispose a metal grid having a period greater than 0.1 μm and not greater than 200 μm. For example, in the conventional ground treatment, the properties of the ground layer surface to which the metal line forming composition is applied are uniform. For this reason, when the metal line forming composition was printed in a predetermined pattern, it was not possible to sufficiently suppress the composition from spreading immediately after printing.

本発明は、以上の知見に基づいてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、金属線形成のための金属線形成組成物の濡れ広がり、滲みを抑えて、線幅0.1μm〜20μmのような高精細な金属線を基材上に形成する金属線を有する基材の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made based on the above findings. That is, an object of the present invention is to form a high-definition metal wire having a line width of 0.1 μm to 20 μm on a substrate while suppressing the wetting and spreading of the metal wire forming composition for forming the metal wire. It is providing the manufacturing method of the base material which has a metal wire.

また、本発明の目的は、上述の金属線を有する基材の製造方法を用いて製造されて、基材上に金属線からなる金属格子を有し、その金属格子の周期が0.1μmより大きく200μm以下である偏光素子を提供することにある。   Another object of the present invention is to manufacture a substrate having a metal wire as described above, and to have a metal lattice made of a metal wire on the substrate, and the period of the metal lattice is from 0.1 μm. The object is to provide a polarizing element having a size of 200 μm or less.

また、本発明の目的は、上述の金属線を有する基材の製造方法を用いて製造されて、基材となる基板上に金属線からなる高精細な金属格子を有する電極基板を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide an electrode substrate that is manufactured using the above-described method for manufacturing a base material having a metal wire, and that has a high-definition metal lattice made of metal wires on the base material substrate. It is in.

本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。   Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.

本発明の第1の態様は、下記の(i)〜(iv)の工程を有することを特徴とする金属線を有する基材の製造方法に関する。
(i)酸解離性基を有する重合体と酸発生剤とを含む膜形成組成物の塗膜を基材上に形成する工程
(ii)前記塗膜の所定部分に放射線照射を行う工程
(iii)前記放射線照射がなされた塗膜上に、線幅0.1μm〜20μmの金属線形成組成物の層を設ける工程
(iv)前記金属線形成組成物の層を加熱する工程
1st aspect of this invention is related with the manufacturing method of the base material which has a metal wire characterized by having the process of following (i)-(iv).
(I) The process of forming the coating film of the film forming composition containing the polymer which has an acid dissociable group, and an acid generator on a base material (ii) The process of irradiating a predetermined part of the said coating film with radiation (iii) ) A step of providing a layer of a metal line forming composition having a line width of 0.1 μm to 20 μm on the coating film irradiated with the radiation. (Iv) A step of heating the layer of the metal line forming composition.

本発明の第1の態様において、(ii)の工程は、前記放射線照射後の塗膜を加熱する工程を含むことが好ましい。   1st aspect of this invention WHEREIN: It is preferable that the process of (ii) includes the process of heating the coating film after the said radiation irradiation.

本発明の第1の態様において、前記酸解離性基が、フッ素原子を含むことが好ましい。   In the first aspect of the present invention, the acid dissociable group preferably contains a fluorine atom.

本発明の第1の態様において、前記酸解離性基が、アセタール結合およびヘミアセタールエステル結合の群から選ばれる少なくとも1つの構造単位を含む基であることが好ましい。   In the first aspect of the present invention, the acid dissociable group is preferably a group containing at least one structural unit selected from the group of an acetal bond and a hemiacetal ester bond.

本発明の第1の態様において、前記酸解離性基が、アセタール結合およびヘミアセタールエステル結合の群から選ばれる少なくとも1つの構造単位を含む基である場合、そのアセタール結合およびヘミアセタールエステル結合の群から選ばれる少なくとも1つの構造単位を含む基が、下記式(1−1)および下記式(1−2)で示される構成単位の群から選ばれる少なくとも1つを有することが好ましい。   In the first aspect of the present invention, when the acid dissociable group is a group containing at least one structural unit selected from the group of an acetal bond and a hemiacetal ester bond, the group of the acetal bond and the hemiacetal ester bond It is preferable that the group containing at least one structural unit selected from has at least one selected from the group of structural units represented by the following formula (1-1) and the following formula (1-2).

Figure 2016090639
(式(1−1)および(1−2)中、RおよびRはそれぞれ独立して、水素原子またはメチル基を示し、Rfは独立して、フッ素原子を有する有機基を示す。*は結合部位を示す。)
Figure 2016090639
(In formulas (1-1) and (1-2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and Rf independently represents an organic group having a fluorine atom. Indicates a binding site.)

本発明の第1の態様において、前記膜形成組成物が、エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物を含むことが好ましい。   1st aspect of this invention WHEREIN: It is preferable that the said film formation composition contains the polymeric compound which has an ethylenically unsaturated bond.

本発明の第1の態様において、前記膜形成組成物が、下記式(2)〜下記式(5)で示される構成単位の群から選ばれる少なくとも1つを有することが好ましい。   1st aspect of this invention WHEREIN: It is preferable that the said film formation composition has at least 1 chosen from the group of the structural unit shown by following formula (2)-following formula (5).

Figure 2016090639
(式(2)〜(5)中、Rは独立して、水素原子またはメチル基を示す。Rは独立して、メチレン基、炭素数2〜12のアルキレン基、炭素数2〜12のアルケニレン基、炭素数6〜12の置換または非置換の芳香族炭化水素基、炭素数4〜12の置換または非置換の脂環式炭化水素基、または、これらの基の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された基を示す。Rは独立して、1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭化水素基を示す。mは0または1を示す。nは独立して、0〜12を示す。)
Figure 2016090639
(In formulas (2) to (5), R 3 independently represents a hydrogen atom or a methyl group. R 4 independently represents a methylene group, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, or 2 to 12 carbon atoms. An alkenylene group, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms, or one or more hydrogens of these groups A group in which an atom is substituted with a fluorine atom, R 5 independently represents a hydrocarbon group in which one or more hydrogen atoms have been substituted with a fluorine atom, m represents 0 or 1, and n represents independently. 0-12 are shown.)

本発明の第2の態様は、本発明の第1の態様の金属線を有する基材の製造方法を用いて製造され、前記金属線からなる金属格子の周期が0.1μmより大きく200μm以下であることを特徴とする偏光素子に関する。   A second aspect of the present invention is manufactured by using the method for manufacturing a base material having a metal wire according to the first aspect of the present invention, wherein a period of a metal lattice made of the metal wire is greater than 0.1 μm and less than or equal to 200 μm. The present invention relates to a polarizing element.

本発明の第3の態様は、本発明の第1の態様の金属線を有する基材の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電極基板に関する。   A third aspect of the present invention relates to an electrode substrate manufactured using the method for manufacturing a base material having a metal wire according to the first aspect of the present invention.

本発明の第1の態様によれば、金属線形成のための金属線形成組成物の濡れ広がり、滲みを抑えて、線幅0.1μm〜20μmのような高精細な金属線を基材上に形成する金属線を有する基材の製造方法が提供される。   According to the first aspect of the present invention, a high-definition metal line having a line width of 0.1 μm to 20 μm is suppressed on a substrate while suppressing spreading and spreading of the metal line-forming composition for forming a metal line. A method for producing a substrate having a metal wire to be formed is provided.

本発明の第2の態様によれば、基材上に金属線からなる金属格子を有し、その金属格子の周期が0.1μmより大きく200μm以下である偏光素子が提供される。   According to the second aspect of the present invention, there is provided a polarizing element having a metal grid made of a metal wire on a substrate, and the period of the metal grid being greater than 0.1 μm and not greater than 200 μm.

本発明の第3の態様によれば、基材となる基板上に金属線からなる高精細な金属格子を有する電極基板が提供される。   According to the 3rd aspect of this invention, the electrode substrate which has a high-definition metal lattice which consists of a metal wire on the board | substrate used as a base material is provided.

基板上に形成された本発明の実施形態の感放射線性組成物の塗膜を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the coating film of the radiation sensitive composition of embodiment of this invention formed on the board | substrate. 基板上の本発明の実施形態の感放射線性組成物の塗膜の露光を模式的に説明する断面図である。It is sectional drawing which illustrates typically exposure of the coating film of the radiation sensitive composition of embodiment of this invention on a board | substrate. 一部が露光された本発明の実施形態の感放射線性組成物の塗膜の加熱を模式的に説明する断面図である。It is sectional drawing which illustrates typically the heating of the coating film of the radiation sensitive composition of embodiment of this invention in which one part was exposed. 本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法における金属線形成材料の層の形成を模式的に説明する断面図である。It is sectional drawing which illustrates typically formation of the layer of the metal wire formation material in the manufacturing method of the base material which has a metal wire of embodiment of this invention. 基板上に形成された本発明の実施形態のパターンを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the pattern of embodiment of this invention formed on the board | substrate. 本発明の実施形態の偏光素子の構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the polarizing element of embodiment of this invention. 本発明の実施形態の偏光素子の断面構造を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross-section of the polarizing element of embodiment of this invention. 本発明の実施形態の電極基板の構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the electrode substrate of embodiment of this invention. 本発明の実施形態の電極基板の断面構造を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross-sectional structure of the electrode substrate of embodiment of this invention.

以下で、適宜図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate.

〔金属線を有する基材の製造方法〕
本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法は、下記の(i)〜(iv)の工程を含んで構成される。そして、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法は、従来のフォトリソグラフィー法で必要とされた現像工程を含まないという特徴を有する。
(i)酸解離性基を有する重合体と酸発生剤とを含む膜形成組成物の塗膜を基材上に形成する工程
(ii)前記塗膜の所定部分に放射線照射を行う工程
(iii)前記放射線照射がなされた塗膜上に、線幅0.1μm〜20μmの金属線形成組成物の層を設ける工程
(iv)前記金属線形成組成物の層を加熱する工程
[Method for producing substrate having metal wire]
The manufacturing method of the base material which has a metal wire of embodiment of this invention is comprised including the process of following (i)-(iv). And the manufacturing method of the base material which has a metal wire of embodiment of this invention has the characteristics that the image development process required by the conventional photolithography method is not included.
(I) The process of forming the coating film of the film forming composition containing the polymer which has an acid dissociable group, and an acid generator on a base material (ii) The process of irradiating a predetermined part of the said coating film with radiation (iii) ) A step of providing a layer of a metal line forming composition having a line width of 0.1 μm to 20 μm on the coating film irradiated with the radiation. (Iv) A step of heating the layer of the metal line forming composition.

上述の(i)〜(iv)の各工程(以下、工程(i)、工程(ii)、工程(iii)、工程(iv)ともいう。)により、従来パターニングに必要である現像工程を用いることなく基材上に線幅0.1μm〜20μmの金属線を形成することができ、金属線を有する基材を製造することができる。   The development steps that are conventionally required for patterning are used in the steps (i) to (iv) described above (hereinafter also referred to as steps (i), (ii), (iii), and (iv)). A metal wire having a line width of 0.1 μm to 20 μm can be formed on the substrate without any problem, and a substrate having a metal wire can be produced.

以下、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法が有する各工程について説明する。   Hereinafter, each process which the manufacturing method of the base material which has a metal wire of embodiment of this invention has is demonstrated.

[工程(i)]
図1は、基板上に形成された本発明の実施形態の感放射線性組成物の塗膜を模式的に示す断面図である。
[Step (i)]
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a coating film of a radiation-sensitive composition according to an embodiment of the present invention formed on a substrate.

本工程(i)は、基材の例である基板1上に酸解離性基を有する化合物および酸発生剤を含む膜形成組成物を塗布した後、好ましくは塗布面を加熱(プレベーク)することにより、基板1上に塗膜2を形成する工程である。ここで、上述の膜形成組成物は、酸解離性基を有する化合物および酸発生剤を含んで感放射線性を有することが好ましい。以下、感放射線性を備えた本発明に実施形態の膜形成組成物を感放射線性組成物とも称する。   In this step (i), after a film-forming composition containing an acid-dissociable group-containing compound and an acid generator is applied on the substrate 1 which is an example of a base material, the coated surface is preferably heated (pre-baked). In this step, the coating film 2 is formed on the substrate 1. Here, the film-forming composition described above preferably includes a compound having an acid dissociable group and an acid generator and has radiation sensitivity. Hereinafter, the film-forming composition according to the embodiment having radiation sensitivity is also referred to as a radiation-sensitive composition.

工程(i)において、上述の感放射線性組成物を用いることにより、以下で説明する各工程において現像工程を行うことなく、基板1上に、後に金属線を形成するための凹部を形成することができる。
尚、感放射線性組成物については、この後、具体的に説明する。
In step (i), by using the above-mentioned radiation-sensitive composition, a recess for forming a metal wire later is formed on the substrate 1 without performing a development step in each step described below. Can do.
The radiation sensitive composition will be specifically described later.

使用できる基板1の材質としては、例えば、ガラス、石英、シリコン、樹脂等を挙げることができる。樹脂の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体(ROMPポリマー)およびその水素添加物が挙げられる。   Examples of the material of the substrate 1 that can be used include glass, quartz, silicon, and resin. Specific examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, cyclic olefin ring-opening polymer (ROMP polymer), and hydrogenated products thereof.

また、基板1としては、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法によって、ワイヤーグリッド型の偏光素子や表示素子等に利用可能な電極基板の提供を可能とすることから、それらの構成に好適な光透過性を備えた樹脂基板、ガラス基板が好ましい。   In addition, as the substrate 1, it is possible to provide an electrode substrate that can be used for a wire grid type polarizing element, a display element, and the like by the method for manufacturing a base material having a metal wire according to an embodiment of the present invention. A resin substrate and a glass substrate having light transmittance suitable for the structure are preferable.

尚、基板1に感放射線性組成物を塗布する前に、必要に応じて基板表面を洗浄、粗面化、微少な凹凸面の付与等の前処理を施しておいてもよい。   In addition, before apply | coating a radiation sensitive composition to the board | substrate 1, you may perform pretreatments, such as washing | cleaning, roughening, and giving a fine uneven surface, as needed.

感放射線性組成物の塗布方法としては特に限定されず、はけやブラシを用いた塗布法、ディッピング法、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法、フレキソ印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、ディスペンス法等の適宜の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、特にスリットダイ塗布法またはスピンコート法が好ましい。   The application method of the radiation-sensitive composition is not particularly limited, and is a coating method using a brush or brush, a dipping method, a spray method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar An appropriate method such as a coating method, flexographic printing, offset printing, ink jet printing, or dispensing method can be employed. Among these coating methods, a slit die coating method or a spin coating method is particularly preferable.

工程(i)で形成される塗膜2の厚みは、所望の用途に応じ適宜調整すればよいが、好ましくは0.01μm〜5μm、より好ましくは0.05μm〜3μmである。   The thickness of the coating film 2 formed in the step (i) may be appropriately adjusted according to a desired application, but is preferably 0.01 μm to 5 μm, more preferably 0.05 μm to 3 μm.

プレベークの条件は、用いる感放射線性組成物の組成等によっても異なるが、好ましくは60℃〜120℃で1分間〜10分間程度である。   The pre-baking conditions vary depending on the composition of the radiation-sensitive composition used, but are preferably about 60 to 120 ° C. for 1 to 10 minutes.

[工程(ii)]
工程(ii)は、工程(i)で形成した塗膜2の少なくとも一部に放射線を照射して露光を行う工程である。
[Step (ii)]
Step (ii) is a step of performing exposure by irradiating at least a part of the coating film 2 formed in step (i) with radiation.

図2は、基板上の本発明の実施形態の感放射線性組成物の塗膜の露光を模式的に説明する断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating exposure of a coating film of the radiation-sensitive composition of the embodiment of the present invention on a substrate.

工程(ii)では、図2に示すように、基板1上の塗膜2の一部に放射線が照射され、放射線照射部3と放射線未照射部3−2とを有する塗膜2aが形成される。   In step (ii), as shown in FIG. 2, a part of the coating film 2 on the substrate 1 is irradiated with radiation, and a coating film 2a having a radiation irradiation part 3 and a radiation non-irradiation part 3-2 is formed. The

工程(ii)では、形成したい金属線の形状と同様の形状の放射線照射部3が形成されるように、所定のパターンを有するフォトマスクを介して、または直描式露光装置を用いて所定のパターンを描画露光することができる。   In the step (ii), a predetermined pattern is used through a photomask having a predetermined pattern or using a direct drawing type exposure apparatus so that the radiation irradiation section 3 having the same shape as the shape of the metal wire to be formed is formed. A pattern can be drawn and exposed.

このとき、塗膜2aの放射線照射部3の線幅は、後述する工程(iii)で塗膜上に線幅0.1μm以上20μm以下、すなわち、線幅0.1μm〜20μmの金属線形成組成物の層を設けるのに好適となるように、0.1μm以上20μm以下、すなわち、0.1μm〜20μmとすることが好ましい。そして、本実施形態の金属線を有する基材の製造方法を用い、金属線からなる金属格子の周期が0.1μmより大きく200μm以下である本発明の実施形態の偏光素子を提供する場合には、線幅0.1μm〜20μmの放射線照射部3を格子状に0.1μmより大きく200μm以下の周期で配列させて設けることが好ましい。特に、製造される金属線を有する基材において、金属線の線幅と隣接する金属線間の距離が等しく形成されて、金属線の配列の周期が金属線の線幅の2倍に設定される場合、塗膜2aの放射線照射部3は、線幅が0.1μm〜20μmとされ、格子状に0.2μm〜40μmの周期で配列されることが好ましい。   At this time, the line width of the radiation irradiating part 3 of the coating film 2a is a metal line forming composition having a line width of 0.1 μm to 20 μm on the coating film in the step (iii) described later, that is, a line width of 0.1 μm to 20 μm. It is preferably 0.1 μm or more and 20 μm or less, that is, 0.1 μm to 20 μm so as to be suitable for providing an object layer. And when providing the polarizing element of embodiment of this invention which uses the manufacturing method of the base material which has a metal wire of this embodiment, and the period of the metal grating | lattice which consists of metal wires is larger than 0.1 micrometer and is 200 micrometers or less. The radiation irradiating portions 3 having a line width of 0.1 μm to 20 μm are preferably arranged in a lattice pattern with a period greater than 0.1 μm and not greater than 200 μm. In particular, in a base material having a metal wire to be manufactured, the line width of the metal wire and the distance between the adjacent metal wires are formed to be equal, and the period of the arrangement of the metal wires is set to twice the line width of the metal wires. In this case, it is preferable that the radiation irradiation part 3 of the coating film 2a has a line width of 0.1 μm to 20 μm and is arranged in a lattice pattern with a period of 0.2 μm to 40 μm.

本工程(ii)において、露光に使用される放射線としては、線幅0.1μm〜20μmの所定のパターンを描画露光できるように、紫外線、遠紫外線、荷電粒子線、X線等を使用できる。   In this step (ii), as the radiation used for exposure, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, charged particle beams, X-rays, or the like can be used so that a predetermined pattern having a line width of 0.1 μm to 20 μm can be drawn and exposed.

工程(ii)により、図1の塗膜2中に存在する酸解離性基が酸発生剤の効果により脱離し揮発する。その結果、図2に示すように、放射線照射部3の膜厚が放射線未照射部3−2の膜厚に比べ薄くなり、凹部からなる凹パターンが形成される。このとき、酸解離性基がフッ素原子を有していれば、工程(i)で得られた塗膜2および放射線未照射部3−2は撥液性を示すが、放射線照射部3は酸解離性基の消失に伴い、放射線未照射部3−2に比べ親液性となる。   By the step (ii), the acid dissociable group present in the coating film 2 in FIG. 1 is eliminated and volatilized by the effect of the acid generator. As a result, as shown in FIG. 2, the film thickness of the radiation irradiation part 3 becomes thinner than the film thickness of the radiation non-irradiation part 3-2, and a concave pattern consisting of concave parts is formed. At this time, if the acid dissociable group has a fluorine atom, the coating film 2 and the radiation non-irradiated part 3-2 obtained in the step (i) exhibit liquid repellency, but the radiation irradiated part 3 is an acid. Along with disappearance of the dissociable group, it becomes lyophilic as compared with the radiation non-irradiated part 3-2.

したがって、工程(i)において、使用する感放射線性組成物が、フッ素原子を含む酸解離性基を有する重合体を含む場合には、工程(ii)により、基板1上に、撥液性の放射線未照射部3−2と、放射線未照射部3−2より親液性の凹部である放射線照射部3とを有する塗膜が形成される。   Therefore, in step (i), when the radiation-sensitive composition to be used contains a polymer having an acid-dissociable group containing a fluorine atom, liquid repellent property is formed on the substrate 1 by step (ii). The coating film which has the radiation non-irradiation part 3-2 and the radiation irradiation part 3 which is a lyophilic recessed part from the radiation non-irradiation part 3-2 is formed.

図3は、一部が露光された本発明の実施形態の感放射線性組成物の塗膜の加熱を模式的に説明する断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating heating of the coating film of the radiation-sensitive composition according to the embodiment of the present invention that is partially exposed.

工程(ii)では、図2に示す露光の後、図3に示す加熱の工程を設けることができる。   In the step (ii), a heating step shown in FIG. 3 can be provided after the exposure shown in FIG.

工程(ii)では、露光後の塗膜を加熱することで、工程(ii)の放射線照射部であった部分に相当する凹部13と、工程(ii)の放射線未照射部であった部分に相当する凸部12とを有する塗膜を形成することができる。   In the step (ii), by heating the coating film after exposure, the concave portion 13 corresponding to the portion that was the radiation irradiated portion in the step (ii) and the portion that was the radiation non-irradiated portion in the step (ii) A coating film having the corresponding convex portion 12 can be formed.

この加熱の工程により、図2の露光後の放射線照射部3において生じた、酸解離性基が酸発生剤の効果により脱離した成分をさらに揮発させることができる。その結果、図2の放射線照射部3における凹状のくぼみがさらに深化し(凹部13の膜厚がさらに薄くなり)、凹部13の膜厚が前記凸部12の膜厚に対して10%以上薄い形状の塗膜を形成することができる。   By this heating step, the component generated in the radiation irradiation section 3 after the exposure shown in FIG. 2 and from which the acid dissociable group is eliminated due to the effect of the acid generator can be further volatilized. As a result, the concave depression in the radiation irradiation section 3 of FIG. 2 is further deepened (the film thickness of the recess 13 is further reduced), and the film thickness of the recess 13 is 10% or more thinner than the film thickness of the protrusion 12. A coating film having a shape can be formed.

工程(i)において、使用する感放射線性組成物が、フッ素原子を含む酸解離性基を有する重合体を含む場合には、工程(ii)の加熱の工程により、基板上に、撥液性の凸部12と、該部分より親液性の凹部13とを有する塗膜が形成される。そして、このような塗膜上に液状の金属線形成材料の層を形成すると、凸部12と凹部13の膜厚差が大きいため、塗膜表面の凹凸により凹部13上に該金属線形成材料が集まりやすくなる。加えて、この塗膜表面形状の効果だけではなく、該表面の親液・撥液性により、凹部13上に該金属線形成材料が集まりやすくなり、所望される形状の金属線形成組成物の層、具体的には高精細な金属線形成組成物の層を形成しやすくなる。   In the step (i), when the radiation-sensitive composition to be used contains a polymer having an acid-dissociable group containing a fluorine atom, a liquid repellency is formed on the substrate by the heating step in the step (ii). The coating film which has the convex part 12 and the lyophilic concave part 13 from this part is formed. And when a layer of a liquid metal wire forming material is formed on such a coating film, since the film thickness difference between the convex portion 12 and the concave portion 13 is large, the metal wire forming material is formed on the concave portion 13 by the unevenness of the coating film surface. Becomes easier to gather. In addition, not only the effect of the surface shape of the coating film but also the lyophilic / liquid repellency of the surface makes it easy for the metal wire forming material to collect on the recess 13, and the desired shape of the metal wire forming composition. It becomes easy to form a layer, specifically, a layer of a high-definition metal wire forming composition.

また、工程(i)において、使用する感放射線性組成物が、フッ素原子を含む酸解離性基を有する重合体を含む場合には、上述した放射線の照射による露光によって、フッ素原子を有する基が脱離することなる。この脱離基は比較的揮発し易いため、工程(ii)の加熱の工程により簡便に、凸部12と凹部13の膜厚差の大きい塗膜を形成することができる。   In the step (i), when the radiation-sensitive composition to be used includes a polymer having an acid-dissociable group containing a fluorine atom, the group having a fluorine atom is exposed by the above-described exposure by irradiation with radiation. Detach. Since this leaving group is relatively easily volatilized, a coating film having a large film thickness difference between the convex portion 12 and the concave portion 13 can be easily formed by the heating step of step (ii).

工程(ii)の加熱の工程における塗膜を加熱する方法としては、例えば、該塗膜付の基板1を、ホットプレート、バッチ式オーブンまたはコンベア式オーブンを用いて加熱する方法、ドライヤー等を用いて熱風乾燥する方法、真空ベークする方法が挙げられる。   As a method of heating the coating film in the heating step of step (ii), for example, a method of heating the substrate 1 with the coating film using a hot plate, a batch type oven or a conveyor type oven, a dryer or the like is used. And hot air drying and vacuum baking.

前記加熱の工程における加熱の条件は、工程(i)で用いる感放射線性組成物の組成や、工程(ii)での塗膜の厚み等によっても異なるが、好ましくは60℃〜150℃で3分間〜30分間程度である。   The heating conditions in the heating step vary depending on the composition of the radiation-sensitive composition used in step (i), the thickness of the coating film in step (ii), etc., but are preferably 3 at 60 ° C to 150 ° C. About 30 minutes.

工程(ii)の加熱の工程では、凹部13の膜厚が前記凸部の膜厚に対して、好ましくは10%以上薄い、より好ましくは11%以上薄い、さらに好ましくは12%〜70%薄い形状の塗膜を形成することが望ましい。得られる塗膜がこのような形状を有していると、凹部13に金属線形成材料の層を形成する際に、塗膜表面の凹凸の段差により、凹部13から該金属線形成材料が溢れ出にくく、また、凹部13以外の箇所に該金属線形成材料が残りにくくなるため、多量の金属線形成組成物を用いて高精細な金属線形成組成物の層を形成することができ、多量の金属線形成組成物を用いても高精細な金属線を得ることができる。   In the heating step of step (ii), the thickness of the concave portion 13 is preferably 10% or more thinner, more preferably 11% or thinner, more preferably 12% to 70% thinner than the thickness of the convex portion. It is desirable to form a coating film having a shape. When the obtained coating film has such a shape, when the metal wire forming material layer is formed in the recess 13, the metal wire forming material overflows from the recess 13 due to unevenness on the surface of the coating film. Since the metal wire forming material is less likely to remain in places other than the recess 13, a high-definition metal wire forming composition layer can be formed using a large amount of the metal wire forming composition. A high-definition metal wire can be obtained even if the metal wire forming composition is used.

尚、工程(ii)の加熱の工程で得られる凹部13の膜厚は、所望の用途に応じ適宜調整すればよいが、好ましくは0.01μm〜18μm、より好ましくは0.05μm〜15μmである。   In addition, although the film thickness of the recessed part 13 obtained by the heating process of process (ii) should just be adjusted suitably according to a desired use, Preferably it is 0.01 micrometer-18 micrometers, More preferably, it is 0.05 micrometer-15 micrometers. .

前記凹部13表面と凸部12表面のテトラデカンに対する接触角差(凸部12表面の接触角−凹部13表面の接触角)は、好ましくは30°以上であり、より好ましくは40°以上、さらに好ましくは50°以上である。接触角差が前記範囲にあることにより、後述する工程(iii)において、凸部12表面にも液状の金属線形成材料の層を形成した場合であっても、撥液部である凸部12において、該金属線形成材料をはじき、親液部である凹部13に該金属線形成材料が移動しやすくなることにより、凹部13に沿った金属線形成材料の層の形成が可能となる。そして、その後、凹部13に沿った金属線の形成が可能となる。   The contact angle difference between the surface of the concave portion 13 and the surface of the convex portion 12 with respect to tetradecane (contact angle of the surface of the convex portion 12−contact angle of the surface of the concave portion 13) is preferably 30 ° or more, more preferably 40 ° or more, and still more preferably. Is 50 ° or more. When the contact angle difference is in the above range, even in the case where a layer of a liquid metal wire forming material is formed on the surface of the convex portion 12 in the step (iii) described later, the convex portion 12 that is a liquid repellent portion. In this case, the metal line forming material is repelled and the metal line forming material easily moves to the recess 13 which is a lyophilic part, so that a layer of the metal line forming material along the recess 13 can be formed. After that, it is possible to form a metal line along the recess 13.

尚、凹部13表面および凸部12表面とは、それぞれ図3で示すように、基板1上に形成された塗膜の、基板1に接する側とは反対側の表面のことをいう。   Note that the surface of the concave portion 13 and the surface of the convex portion 12 are surfaces on the side opposite to the side in contact with the substrate 1 of the coating film formed on the substrate 1, as shown in FIG.

得られる凹部13と凸部12が、凹部13の膜厚が前記凸部12の膜厚に対して10%以上薄く、かつ、凹部13表面と凸部12表面のテトラデカンに対する接触角差が30°以上という条件を満たすと、前記と同様の理由から、多量の金属線形成材料を凹部13上のみに容易に塗布することが可能となる。   The resulting recesses 13 and protrusions 12 have a thickness of the recesses 13 that is 10% or more thinner than the thickness of the protrusions 12, and the contact angle difference between the surfaces of the recesses 13 and the protrusions 12 with respect to tetradecane is 30 °. When the above condition is satisfied, a large amount of metal wire forming material can be easily applied only to the recess 13 for the same reason as described above.

[工程(iii)]
図4は、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法における金属線形成材料の層の形成を模式的に説明する断面図である。
[Step (iii)]
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating the formation of a metal wire-forming material layer in the method for producing a base material having a metal wire according to an embodiment of the present invention.

工程(iii)では、工程(ii)で放射線照射がなされた塗膜上に、金属線形成組成物4の層5を設ける。このとき、図4に示す例のように、好ましくは、工程(ii)の加熱の工程によって形成された凹部13上に金属線形成材料4の層5を形成する。   In the step (iii), the layer 5 of the metal wire forming composition 4 is provided on the coating film irradiated with the radiation in the step (ii). At this time, as in the example shown in FIG. 4, the layer 5 of the metal wire forming material 4 is preferably formed on the recess 13 formed by the heating step of the step (ii).

そして、図2に示した塗膜2aの放射線照射部3の線幅は、0.1μm〜20μmとされている。したがって、本工程(iii)では、図4に示す例のように、塗膜の凹部13上に、線幅0.1μm〜20μmの金属線形成組成物4の層5が設けられる。そして、本実施形態の金属線を有する基材の製造方法を用い、金属線からなる金属格子の周期が0.1μmより大きく200μm以下である本発明の実施形態の偏光素子を提供する場合には、線幅0.1μm〜20μmの金属線形成組成物4の層5をストライプ状に0.1μmより大きく200μm以下の周期、すなわち、0.1μmより大きく200μm以下の形成ピッチで配列させることが好ましい。特に、製造される金属線を有する基材において、金属線の線幅と隣接する金属線間の距離が等しく形成されて、金属線の配列の周期が金属線の線幅の2倍に設定される場合、金属線形成組成物4の層5は、線幅が0.1μm〜20μmとされ、格子状に0.2μm〜40μmの周期で配列されることが好ましい。   And the line | wire width of the radiation irradiation part 3 of the coating film 2a shown in FIG. 2 shall be 0.1 micrometer-20 micrometers. Therefore, in this step (iii), as in the example shown in FIG. 4, the layer 5 of the metal wire forming composition 4 having a line width of 0.1 μm to 20 μm is provided on the concave portion 13 of the coating film. And when providing the polarizing element of embodiment of this invention which uses the manufacturing method of the base material which has a metal wire of this embodiment, and the period of the metal grating | lattice which consists of metal wires is larger than 0.1 micrometer and is 200 micrometers or less. The layer 5 of the metal line forming composition 4 having a line width of 0.1 μm to 20 μm is preferably arranged in a stripe shape with a period of greater than 0.1 μm and not greater than 200 μm, that is, with a formation pitch of greater than 0.1 μm and not greater than 200 μm. . In particular, in a base material having a metal wire to be manufactured, the line width of the metal wire and the distance between the adjacent metal wires are formed to be equal, and the period of the arrangement of the metal wires is set to twice the line width of the metal wires. In this case, the layer 5 of the metal line-forming composition 4 preferably has a line width of 0.1 μm to 20 μm and is arranged in a lattice pattern with a period of 0.2 μm to 40 μm.

尚、金属線形成組成物4については、後に具体的に説明する。   The metal wire forming composition 4 will be specifically described later.

本工程において、放射線照射がなされた塗膜上に、金属線形成組成物4の層5を設ける方法としては、特に限定されず、公知の塗布法を用いることができる。   In this step, the method for providing the layer 5 of the metal wire-forming composition 4 on the coating film irradiated with radiation is not particularly limited, and a known coating method can be used.

前記塗布の方法としては、特に限定されず、例えば、はけやブラシを用いた塗布法、ディッピング法、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法、スキージ法、フレキソ印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、ディスペンス法等の適宜の方法を採用することができる。この中でも特にディッピング法、スプレー法、スピンコート法、スリットダイ塗布法、オフセット印刷、インクジェット印刷、ディスペンス法が好ましい。   The coating method is not particularly limited. For example, a coating method using a brush or brush, a dipping method, a spray method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method. Appropriate methods such as a method, a squeegee method, a flexographic printing, an offset printing, an ink jet printing, and a dispensing method can be employed. Among these, the dipping method, the spray method, the spin coating method, the slit die coating method, the offset printing, the ink jet printing, and the dispensing method are particularly preferable.

また、上述した塗布法に依らず、例えば、凹部13を有する塗膜を備えた基板1上に、液状の金属線形成組成物4を垂らすまたは振りかける等して供給すれば、金属線形成組成物4の層5を設けることができる。   Further, regardless of the above-described coating method, for example, if the liquid metal wire-forming composition 4 is supplied on the substrate 1 provided with the coating film having the recesses 13 by hanging or sprinkling, the metal wire-forming composition. Four layers 5 can be provided.

上述の工程(ii)による塗膜の形成された基板1では、例えば、撥液性の凸部12とそれより親液性の凹部13とを有するため、本工程(iii)において液状の金属線形成材料4を用いる場合には、前記いずれの方法を用いても、凸部12では該金属線形成材料4がはじかれ、凹部13に集まりやすいため、凹部13に沿って金属線形成材料4の層5が形成された状態となる。   The substrate 1 on which the coating film is formed by the above-described step (ii) has, for example, a liquid-repellent convex portion 12 and a lyophilic concave portion 13 so that a liquid metal wire is used in this step (iii). When the forming material 4 is used, the metal line forming material 4 is repelled in the convex portion 12 and easily gathers in the concave portion 13 regardless of which method is used. The layer 5 is formed.

[工程(iv)]
工程(iv)は、工程(iii)で得られた金属線形成材料の層の形成された基板を加熱する工程である。
[Step (iv)]
Step (iv) is a step of heating the substrate on which the layer of the metal line forming material obtained in step (iii) is formed.

図5は、基板上に形成された本発明の実施形態のパターンを模式的に示す断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a pattern of an embodiment of the present invention formed on a substrate.

この工程(iv)により金属線形成材料の層からパターン6が形成されて、これが金属線となる。その結果、本工程(iv)において、金属線を有する基板が製造される。このとき、基板1上の凸部12は、上述したように感放射線性組成物から形成されて光透過性を有することができ、基板1上に光透過性の領域を形成することができる。   By this step (iv), the pattern 6 is formed from the layer of the metal wire forming material, and this becomes the metal wire. As a result, in this step (iv), a substrate having a metal wire is manufactured. At this time, the convex part 12 on the substrate 1 is formed of the radiation-sensitive composition as described above and can have light transmission, and a light-transmitting region can be formed on the substrate 1.

前記加熱の温度としては特に限定されないが、190℃以下が好ましい。また、基板1として、ポリエチレンテレフタレートなどの耐熱性に乏しいフィルムを用いる場合には、該フィルムの耐熱温度以下、具体的には150℃以下が好ましい。   The heating temperature is not particularly limited, but is preferably 190 ° C. or lower. Further, when a film having poor heat resistance such as polyethylene terephthalate is used as the substrate 1, it is preferably not higher than the heat resistant temperature of the film, specifically 150 ° C. or lower.

また、加熱時間も特に制限されないが、1分間〜120分間が好ましく、3分間〜60分間がより好ましい。   The heating time is not particularly limited, but is preferably 1 minute to 120 minutes, more preferably 3 minutes to 60 minutes.

前記加熱の方法としては、例えば、ホットプレート、バッチ式オーブンまたはコンベア式オーブンを用いて加熱する方法、ドライヤー等を用いて熱風乾燥する方法、真空ベークする方法が挙げられる。   Examples of the heating method include a method of heating using a hot plate, a batch type oven or a conveyor type oven, a method of drying with hot air using a dryer or the like, and a method of vacuum baking.

本工程(iv)により形成された金属線のパターン6は、密着性等の特性に優れ、高精細な金属線や電極の形成に有効となる。そして、金属線のパターン6は、図4に示した工程(iii)における金属線形成組成物4の層5の線幅に基づいて、線幅が、例えば、0.1μm〜20μmとなる。そして、本実施形態の金属線を有する基材の製造方法を用い、金属線からなる金属格子の周期が0.1μmより大きく200μm以下である本発明の実施形態の偏光素子を提供する場合には、線幅0.1μm〜20μmのパターン6をストライプ状に0.1μmより大きく200μm以下の周期、すなわち、0.1μmより大きく200μm以下の形成ピッチで配列させることが好ましい。特に、製造される金属線を有する基材において、金属線の線幅と隣接する金属線間の距離が等しく形成されて、金属線の配列の周期が金属線の線幅の2倍に設定される場合、パターン6は、線幅が0.1μm〜20μmとされ、格子状に0.2μm〜40μmの周期で配列されることが好ましい。   The metal wire pattern 6 formed in this step (iv) is excellent in properties such as adhesion, and is effective in forming high-definition metal wires and electrodes. The metal line pattern 6 has a line width of, for example, 0.1 μm to 20 μm based on the line width of the layer 5 of the metal line forming composition 4 in the step (iii) shown in FIG. And when providing the polarizing element of embodiment of this invention which uses the manufacturing method of the base material which has a metal wire of this embodiment, and the period of the metal grating | lattice which consists of metal wires is larger than 0.1 micrometer and is 200 micrometers or less. The pattern 6 having a line width of 0.1 μm to 20 μm is preferably arranged in a stripe pattern with a period of greater than 0.1 μm and less than or equal to 200 μm, that is, a formation pitch greater than 0.1 μm and less than or equal to 200 μm. In particular, in a base material having a metal wire to be manufactured, the line width of the metal wire and the distance between the adjacent metal wires are formed to be equal, and the period of the arrangement of the metal wires is set to twice the line width of the metal wires. In this case, it is preferable that the pattern 6 has a line width of 0.1 μm to 20 μm and is arranged in a lattice pattern with a period of 0.2 μm to 40 μm.

そして、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法によって製造された金属線を有する基板は、後述するように、ワイヤーグリッド型の偏光素子として、または、表示素子等に利用可能な電極基板として使用することができる。   And the board | substrate which has a metal wire manufactured by the manufacturing method of the base material which has a metal wire of embodiment of this invention can be utilized for a display element etc. as a wire grid type polarizing element so that it may mention later. It can be used as an electrode substrate.

〔感放射線性組成物〕
本発明の実施形態の感放射線性組成物は、上述したように、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法に用いられる膜形成組成物の例であって、金属線を有する基材の提供に用いられ、ひいては、ワイヤーグリッド型の偏光素子や電極基板等の提供に用いられる。
[Radiation sensitive composition]
As described above, the radiation-sensitive composition of the embodiment of the present invention is an example of a film-forming composition used in the method for producing a substrate having a metal wire of the embodiment of the present invention, and has a metal wire. It is used for providing a base material, and by extension, for providing a wire grid type polarizing element, an electrode substrate and the like.

本発明の実施形態の感放射線性組成物(以下、単に、感放射線性組成物と称することがある。)は、本発明の実施形態の酸解離性基を有する重合体(以下、単に、[A]重合体と称することがある。)を成分として含有する。   The radiation-sensitive composition of the embodiment of the present invention (hereinafter sometimes simply referred to as a radiation-sensitive composition) is a polymer having an acid-dissociable group of the embodiment of the present invention (hereinafter simply referred to as [ A] may be referred to as a polymer.

感放射線性組成物は、[A]重合体のほか、溶剤を含有することができる。また、感放射線性組成物は、酸発生剤を含むことができる。さらに、感放射線性組成物は、エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物を含むことができ、また、感放射線性重合開始剤を含むことができる。   The radiation-sensitive composition can contain a solvent in addition to the [A] polymer. Moreover, the radiation sensitive composition can contain an acid generator. Further, the radiation-sensitive composition can contain a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and can contain a radiation-sensitive polymerization initiator.

感放射線性組成物は、溶剤(以下、[B]溶剤と称することがある。)を含有することで液状を呈し、塗布によって塗膜を形成し、容易に金属線形成のための、所謂、下地層を形成することができる。   The radiation-sensitive composition exhibits a liquid state by containing a solvent (hereinafter sometimes referred to as [B] solvent), forms a coating film by coating, and is a so-called for easily forming a metal wire. An underlayer can be formed.

また、感放射線性組成物は、酸発生剤(以下、[C]酸発生剤と称することがある。)を含有することで、所望とする高感度の感放射性を有することができる。また、酸発生剤の補助材料としてさらに増感剤(以下、[D]増感剤と称することがある。)を含んでもよい。さらに、酸発生剤からの酸の拡散抑制材としてクエンチャー(以下、[E]クエンチャーと称することがある。)を含むことができる。   In addition, the radiation-sensitive composition can have desired high-sensitivity radiation sensitivity by containing an acid generator (hereinafter sometimes referred to as [C] acid generator). Further, it may further contain a sensitizer (hereinafter sometimes referred to as [D] sensitizer) as an auxiliary material for the acid generator. Furthermore, a quencher (hereinafter sometimes referred to as [E] quencher) may be included as a material for suppressing the diffusion of acid from the acid generator.

さらに、感放射線性組成物は、エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物(以下、[F]重合性化合物と称することがある。)を含有することができる。またさらに、感放射線性組成物は、感放射線性重合開始剤(以下[G]感放射線性重合開始剤と称することがある。)を含有することができる。
そして、感放射線性組成物は、本発明の効果を損なわない限り、その他の任意成分を含有することができる。
Furthermore, the radiation-sensitive composition can contain a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond (hereinafter sometimes referred to as [F] polymerizable compound). Furthermore, the radiation-sensitive composition can contain a radiation-sensitive polymerization initiator (hereinafter sometimes referred to as [G] radiation-sensitive polymerization initiator).
And a radiation sensitive composition can contain another arbitrary component, unless the effect of this invention is impaired.

感放射線性組成物の粘度(温度:20℃、剪断速度:10sec−1)は、所望の塗布方法および形成したい塗膜の膜厚等によって調節すればよい。膜厚0.5μm〜2μmの塗膜を形成する場合であって、塗布方法としてスピンコート法を用いる場合、好ましくは5cP(0.003Pa・s)〜20cP(0.02Pa・s)を例示でき、塗布方法としてスリットダイ塗布法を用いる場合、好ましくは1cP(0.001Pa・s)〜20cP(0.01Pa・s)を例示できる。 The viscosity (temperature: 20 ° C., shear rate: 10 sec −1 ) of the radiation-sensitive composition may be adjusted depending on the desired coating method and the film thickness of the coating film to be formed. When a coating film having a film thickness of 0.5 μm to 2 μm is formed and the spin coating method is used as the coating method, preferably 5 cP (0.003 Pa · s) to 20 cP (0.02 Pa · s) can be exemplified. When the slit die coating method is used as the coating method, preferably 1 cP (0.001 Pa · s) to 20 cP (0.01 Pa · s) can be exemplified.

<[A]重合体>
本発明の実施形態の感放射線性組成物の成分となる[A]酸解離性基を有する重合体([A]重合体)は、アセタール結合およびヘミアセタールエステル結合の群から選ばれる少なくとも1つの構造単位を含む基を有する。より具体的には下記式(1−1)、(1−2)で示される構造単位を含むことが好ましい。
<[A] polymer>
[A] The polymer having an acid-dissociable group ([A] polymer), which is a component of the radiation-sensitive composition according to the embodiment of the present invention, is at least one selected from the group consisting of an acetal bond and a hemiacetal ester bond. It has a group containing a structural unit. More specifically, it preferably includes structural units represented by the following formulas (1-1) and (1-2).

Figure 2016090639
(式(1−1)および式(1−2)中、RおよびRはそれぞれ独立して、水素原子またはメチル基を示し、Rfは独立して、フッ素原子で置換された有機基を示す。*は、結合部位を示す。)
Figure 2016090639
(In Formula (1-1) and Formula (1-2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and Rf independently represents an organic group substituted with a fluorine atom. * Indicates a binding site.)

アセタール結合を含む化合物は、アルコールと基CH=C(R)−O−を有する化合物とを反応させることで得ることができ、ヘミアセタールエステル結合を含む化合物は、カルボン酸と基CH=C(R)−O−を有する化合物とを反応させることで得ることができる。 A compound containing an acetal bond can be obtained by reacting an alcohol with a compound having a group CH 2 ═C (R 1 ) —O—, and a compound containing a hemiacetal ester bond can be obtained by reacting a carboxylic acid with a group CH 2. It can be obtained by reacting with a compound having ═C (R 1 ) —O—.

前記Rfとしては、フッ素原子を有する有機基が挙げられる。   Examples of Rf include organic groups having a fluorine atom.

前記Rfとしては、下記式(1−1−1)〜(1−1−33)で示す基が好ましい。   As Rf, groups represented by the following formulas (1-1-1) to (1-1-33) are preferable.

Figure 2016090639
Figure 2016090639

Figure 2016090639
Figure 2016090639

Figure 2016090639
Figure 2016090639

[A]重合体は、前駆体である水酸基を有する化合物の水酸基に、下記式(1)で示されるビニルエーテル化合物(以下、「化合物(1)」と称することがある。)に由来する保護基が導入されてなる構造を有することが好ましい。また、[A]重合体は、前駆体であるカルボキシル基を有する化合物のカルボキシル基に、化合物(1)に由来する保護基が導入されてなる構造を有していてもよい。   [A] The polymer is a protecting group derived from a vinyl ether compound represented by the following formula (1) (hereinafter sometimes referred to as “compound (1)”) on the hydroxyl group of the precursor-containing compound having a hydroxyl group. It is preferable to have a structure in which is introduced. [A] The polymer may have a structure in which a protecting group derived from the compound (1) is introduced into the carboxyl group of the compound having a carboxyl group as a precursor.

これらの化合物(以下、「化合物(a)」と称することがある。)、特に前駆体として水酸基を有する化合物は、熱による保護基の脱離が生じ難いという性質を備え、一方で、放射線照射による保護基の脱離の制御ができるという性質を備えるため、[A]重合体の形成に好適に使用できる。さらに、化合物(a)は、[A]重合体を形成した場合、後述する[C]酸発生剤との組み合わせによって、放射線照射による、より高精度の保護基の脱離の制御が可能となるため好ましい。   These compounds (hereinafter sometimes referred to as “compound (a)”), in particular compounds having a hydroxyl group as a precursor, have the property that the removal of the protecting group by heat hardly occurs, while radiation irradiation. It can be suitably used for forming the polymer [A] because it has the property that it can control the elimination of the protecting group by. Further, when the compound (a) forms the [A] polymer, it becomes possible to control the elimination of the protecting group with higher accuracy by irradiation with the combination with the [C] acid generator described later. Therefore, it is preferable.

Figure 2016090639
Figure 2016090639

上記式(1)中、Rは、水素原子またはメチル基を示す。 In the above formula (1), R 0 represents a hydrogen atom or a methyl group.

上記式(1)中、Rは独立して、メチレン基、炭素数2〜12のアルキレン基、炭素数2〜12のアルケニレン基、炭素数6〜13の置換または非置換の芳香族炭化水素基、炭素数4〜12の置換または非置換の脂環式炭化水素基、または、これらの基の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された基を示す。 In the above formula (1), R A is independently a methylene group, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, an alkenylene group having 2 to 12 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon having 6 to 13 carbon atoms. A group, a substituted or unsubstituted alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms, or a group in which one or more hydrogen atoms of these groups are substituted with a fluorine atom;

上記式(1)のRにおける炭素数2〜12のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基等が挙げられる。 As the alkylene group having 2 to 12 carbon atoms in R A of the above formula (1), ethylene group, propylene group, butylene group, pentylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, nonylene group, decylene group, undecylene group, And dodecylene group.

上記式(1)のRにおける炭素数2〜12のアルケニレン基としては、ビニレン基、エテン−1,2−ジイル基、2−ブテン−1,4−ジイル等が挙げられる。 Examples of the alkenylene group having 2 to 12 carbon atoms in R A of the above formula (1) include vinylene group, ethene-1,2-diyl group, 2-butene-1,4-diyl and the like.

上記式(1)のRにおける炭素数6〜13の置換または非置換の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、トリレン基、メシチレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基が挙げられる。 Examples of the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 13 carbon atoms in R A of the above formula (1) include a phenylene group, a tolylene group, a mesitylene group, a naphthylene group, and a biphenylene group.

上記式(1)のRにおける炭素数4〜12の置換または非置換の脂環式炭化水素基としては、(シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、ビシクロへキシル基)が挙げられる。 As the substituted or unsubstituted alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms in R A of the above formula (1), (cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, bicyclohexyl group) Is mentioned.

上記式(1)のRにおける、メチレン基、炭素数2〜12のアルキレン基、炭素数6〜13の置換または非置換の芳香族炭化水素基または炭素数4〜12の置換または非置換の脂環式炭化水素基の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された基としては、前記で例示した基の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。 In R A of the above formula (1), a methylene group, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 13 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group having 4 to 12 carbon atoms. Examples of the group in which one or more hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group are substituted with fluorine atoms include groups in which one or more hydrogen atoms of the groups exemplified above are substituted with fluorine atoms.

上記式(1)のRとしては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、フェニレン基、ビニレン基が好ましい。 R A in the above formula (1) is preferably a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentamethylene group, a hexamethylene group, a phenylene group, or a vinylene group.

上記式(1)中、Rは、炭化水素基の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された基を示す。 In the above formula (1), R B represents a group in which one or more hydrogen atoms of a hydrocarbon group are substituted with fluorine atoms.

上記式(1)中、Rは、例えば、前記Rfにおける前記式(1−1−1)〜(1−1−33)で示す基、2,2,2−トリフルオロエチル基、4,4,5,5,6,6,6,−ヘプタフルオロへキシル基、1,2,2−トリフルオロビニル基が挙げられ、2,2,2−トリフルオロエチル基、前記式(1−1−1)の3,3,3−トリフルオロプロピル基、式(1−1−2)の4,4,4−トリフルオロブチル基、式(1−1−4)の3,3,4,4,4−ペンタフルオロブチル基、4,4,5,5,6,6,6−ヘプタフルオロヘキシル基、式(1−1−8)の3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−トリデカフルオロオクチル基、1,2,2−トリフルオロビニル基、式(1−1−29)の2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル基が好ましい。 In the formula (1), R B is, for example, a group represented by the formulas (1-1-1) to (1-1-33) in the Rf, a 2,2,2-trifluoroethyl group, 4, 4,5,5,6,6,6, -heptafluorohexyl group and 1,2,2-trifluorovinyl group, and 2,2,2-trifluoroethyl group, the above formula (1-1 -1) 3,3,3-trifluoropropyl group, formula (1-1-2) 4,4,4-trifluorobutyl group, formula (1-1-4) 3,3,4, 4,4-pentafluorobutyl group, 4,4,5,5,6,6,6-heptafluorohexyl group, 3,3,4,4,5,5,6 of formula (1-1-8) , 6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl group, 1,2,2-trifluorovinyl group, 2,3,4,5,6-pen of formula (1-1-29) A tafluorophenyl group is preferred.

上記式(1)中、xは0〜12の整数を示し、0〜9の整数が好ましく、0がより好ましい。   In said formula (1), x shows the integer of 0-12, the integer of 0-9 is preferable and 0 is more preferable.

上述した本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法の工程(i)で形成される塗膜は、[A]重合体に基づく特性を示し、[A]重合体の形成に上述の化合物(a)を用いる場合、該化合物(a)が有する保護基に由来する特性を示す。具体的には、[A]重合体を含む感放射線性組成物から塗膜を形成すると、まず、前記工程(i)において、撥液性の塗膜が形成され、この塗膜を放射線照射すると、露光部分では、[A]重合体中の保護基の脱離が生じ、保護基が脱離した部分では、水酸基やカルボキシル基が残って、保護基に起因した撥液性が失われる。   The coating film formed in step (i) of the method for producing a substrate having a metal wire according to the embodiment of the present invention described above exhibits characteristics based on [A] polymer, and is described above in the formation of [A] polymer. When the compound (a) is used, the compound (a) exhibits characteristics derived from the protecting group. Specifically, when a coating film is formed from the radiation-sensitive composition containing the [A] polymer, first, in the step (i), a liquid-repellent coating film is formed, and this coating film is irradiated with radiation. In the exposed part, the protecting group in the [A] polymer is eliminated, and in the part from which the protecting group is eliminated, a hydroxyl group or a carboxyl group remains, and the liquid repellency resulting from the protecting group is lost.

次に、[A]重合体を得るための方法について説明する。[A]重合体を得るための方法としては、前駆体となる化合物として重合体を用いる方法と、前駆体となる化合物としてモノマーを用いる方法の2つの方法が可能である。   Next, the method for obtaining the [A] polymer is demonstrated. [A] As a method for obtaining a polymer, two methods are possible: a method using a polymer as a precursor compound, and a method using a monomer as a precursor compound.

前駆体となる化合物として重合体を用いる方法では、前駆体となる重合体が水酸基またはカルボキシル基を分子内に含有し、前駆体となる重合体の水酸基に前記化合物(1)を反応させることで[A]重合体を得ることができる。   In the method of using a polymer as the precursor compound, the precursor polymer contains a hydroxyl group or a carboxyl group in the molecule, and the compound (1) is reacted with the hydroxyl group of the precursor polymer. [A] A polymer can be obtained.

また、前駆体となる化合物としてモノマーを用いる方法では、前駆体となるモノマーが分子内に水酸基またはカルボキシル基を含有し、前駆体となるモノマーの水酸基またはカルボキシル基に前記化合物(1)を反応させた後、得られたモノマーを重合させることで[A]重合体を得ることができる。   In the method using a monomer as the precursor compound, the precursor monomer contains a hydroxyl group or a carboxyl group in the molecule, and the compound (1) is reacted with the hydroxyl group or carboxyl group of the precursor monomer. Then, the [A] polymer can be obtained by polymerizing the obtained monomer.

以下、[A]重合体を得るための2つの方法について、より具体的に説明する。   Hereinafter, the two methods for obtaining the [A] polymer will be described more specifically.

(1)前駆体となる化合物として重合体を用いる方法
この方法では、水酸基またはカルボキシル基を有するモノマーを重合して水酸基またはカルボキシル基を有する重合体(前駆体)を得て、その後、前駆体となる重合体の水酸基またはカルボキシル基に前記化合物(1)を反応させて、[A]重合体を得る。
(1) Method of using a polymer as a compound to be a precursor In this method, a monomer having a hydroxyl group or a carboxyl group is polymerized to obtain a polymer having a hydroxyl group or a carboxyl group (precursor), and then the precursor and The compound (1) is reacted with the hydroxyl group or carboxyl group of the resulting polymer to obtain the [A] polymer.

上述の水酸基を有するモノマーとしては、(メタ)アクリル酸エステルが好ましく、例えば、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシブチルメタクリレート、2−ヒドロキシブチルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート、2−アクリロイロキシエチル−2−ヒドロキシルエチルフタル酸、ジプロピレングリコールメタクリレート、ジプロピレングリコールアクリレート、4−ヒドロキシブチルメタクリレート、4−ヒドロキシブチルアクリレート、シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート、シクロヘキサンジメタノールモノメタクリレート、エチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノメタクリレート、ポリプロピレングリコールモノアクリレート、グリセリンモノメタクリレート、グリセリンモノアクリレート、ポリエチレングリコールモノメタクリレート、ポリエチレングリコールモノアクリレート、ポリ(エチレングリコール−プロピレングリコール)モノメタクリレート、ポリ(エチレングリコール−プロピレングリコール)モノアクリレート、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールモノメタクリレート、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールモノアクリレート、ポリ(エチレングリコール−テトラメチレングリコール)モノメタクリレート、ポリ(エチレングリコール−テトラメチレングリコール)モノアクリレート、ポリ(プロピレングリコール−テトラメチレングリコール)モノメタクリレート、ポリ(プロピレングリコール−テトラメチレングリコール)モノアクリレート、プロピレングリコールポリブチレングリコールモノメタクリレート、プロピレングリコールポリブチレングリコールモノアクリレート、p−ヒドロキシフェニルメタクリレート、パラヒドロキシフェニルアクリレートを挙げることができ、以下の株式会社ダイセル製のプラクセルFM1、プラクセルFM1D、プラクセルFM2D、プラクセルFM3、プラクセルFM3X、プラクセルFM4、プラクセルFM5、プラクセルFA1、プラクセルFA1DDM、プラクセルFA2D、プラクセルFA5、プラクセルFA10Lを挙げることができる。   As the above-mentioned monomer having a hydroxyl group, (meth) acrylic acid ester is preferable. For example, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxybutyl methacrylate, 2-hydroxybutyl acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-acryloyloxyethyl-2-hydroxylethylphthalic acid, dipropylene glycol methacrylate, dipropylene glycol acrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 4-hydroxybutyl Acrylate, cyclohexanedimethanol monoacrylate, cyclohexanedimethanol monomethacrylate, ethyl α- (hydroxy Chill) acrylate, polypropylene glycol monomethacrylate, polypropylene glycol monoacrylate, glycerin monomethacrylate, glycerin monoacrylate, polyethylene glycol monomethacrylate, polyethylene glycol monoacrylate, poly (ethylene glycol-propylene glycol) monomethacrylate, poly (ethylene glycol-propylene glycol) ) Monoacrylate, polyethylene glycol-polypropylene glycol monomethacrylate, polyethylene glycol-polypropylene glycol monoacrylate, poly (ethylene glycol-tetramethylene glycol) monomethacrylate, poly (ethylene glycol-tetramethylene glycol) monoacrylate, poly (pro (Pyrene glycol-tetramethylene glycol) monomethacrylate, poly (propylene glycol-tetramethylene glycol) monoacrylate, propylene glycol polybutylene glycol monomethacrylate, propylene glycol polybutylene glycol monoacrylate, p-hydroxyphenyl methacrylate, parahydroxyphenyl acrylate Examples include Plascel FM1, Plaxel FM1D, Plaxel FM2D, Plaxel FM3, Plaxel FM3X, Plaxel FM4, Plaxel FM5, Plaxel FA1, Plaxel FA1DDM, Plaxel FA2D, Plaxel FA5L and Plaxel FA10L manufactured by Daicel Corporation it can.

上述のカルボキシル基を有するモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、2−アクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−アクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルテトラヒドロフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルテトラヒドロフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2−アクリロイルオキシプロピルフタル酸、2−メタクリロイルオキシプロピルフタル酸、2−アクリロイルオキシプロピルテトラヒドロフタル酸、2−メタクリロイルオキシプロピルテトラヒドロフタル酸、2−アクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロフタル酸、2−メタクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロフタル酸を挙げることができる。   Examples of the monomer having a carboxyl group include acrylic acid, methacrylic acid, 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-acryloyloxyethyl phthalic acid, 2-methacryloyloxyethyl phthalic acid, 2- Acryloyloxyethyltetrahydrophthalic acid, 2-methacryloyloxyethyltetrahydrophthalic acid, 2-acryloyloxyethylhexahydrophthalic acid, 2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid, 2-acryloyloxypropylphthalic acid, 2-methacryloyloxypropylphthalate Acid, 2-acryloyloxypropyltetrahydrophthalic acid, 2-methacryloyloxypropyltetrahydrophthalic acid, 2-acryloyloxypropylhexahydrophthalate Acid, and 2-methacryloyloxy propyl hexahydrophthalic acid.

[A]重合体の前駆体となる、水酸基またはカルボキシル基を有する重合体は、上述の水酸基またはカルボキシル基を有するモノマーのみを用いて得ることができるほか、上述の水酸基またはカルボキシル基を有するモノマーと、水酸基またはカルボキシル基を有するモノマー以外のモノマーとを共重合して得ることができる。水酸基またはカルボキシル基を有するモノマー以外のモノマーとしては、(メタ)アクリル酸鎖状アルキルエステル、(メタ)アクリル酸環状アルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル、不飽和芳香族化合物、共役ジエン、テトラヒドロフラン骨格を含有する不飽和化合物、マレイミドおよびこれら以外のモノマー等を挙げることができる。   [A] A polymer having a hydroxyl group or a carboxyl group, which is a precursor of the polymer, can be obtained using only the monomer having a hydroxyl group or a carboxyl group as described above; It can be obtained by copolymerizing with a monomer other than a monomer having a hydroxyl group or a carboxyl group. As monomers other than the monomer having a hydroxyl group or a carboxyl group, (meth) acrylic acid chain alkyl ester, (meth) acrylic acid cyclic alkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, unsaturated aromatic compound, conjugated diene, tetrahydrofuran Examples thereof include unsaturated compounds containing a skeleton, maleimide, and other monomers.

より具体的に説明すると、上述の(メタ)アクリル酸鎖状アルキルエステルとしては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸イソデシル、メタクリル酸n−ラウリル、メタクリル酸トリデシル、メタクリル酸n−ステアリル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸sec−ブチル、アクリル酸t−ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸イソデシル、アクリル酸n−ラウリル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸n−ステアリル等が挙げられる。   More specifically, examples of the (meth) acrylic acid chain alkyl ester include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, methacrylic acid. 2-ethylhexyl acid, isodecyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate , 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, n-lauryl acrylate, tridecyl acrylate, n-stearyl acrylate, and the like.

また、上述の(メタ)アクリル酸環状アルキルエステルとしては、例えば、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸2−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸イソボルニル、シクロヘキシルアクリレート、2−メチルシクロヘキシルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルアクリレート、イソボルニルアクリレート等が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic acid cyclic alkyl ester include, for example, cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, methacryl Examples include acid isobornyl, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, and isobornyl acrylate.

また、上述の(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジルが挙げられる。   Examples of the above (meth) acrylic acid aryl ester include phenyl methacrylate, benzyl methacrylate, phenyl acrylate, and benzyl acrylate.

また、上述の不飽和芳香族化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレンが挙げられる。   Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene, α-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, and p-methoxystyrene.

また、上述の共役ジエンとしては、例えば、1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエンが挙げられる。   Examples of the conjugated diene include 1,3-butadiene, isoprene, and 2,3-dimethyl-1,3-butadiene.

また、上述のテトラヒドロフラン骨格を含有する不飽和化合物としては、例えば、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、2−メタクリロイルオキシ−プロピオン酸テトラヒドロフルフリルエステル、3−(メタ)アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−2−オンが挙げられる。   Examples of the unsaturated compound containing the tetrahydrofuran skeleton include tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, and 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one. Can be mentioned.

また、上述のマレイミドとしては、例えば、N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−トリルマレイミド、N−ナフチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−ヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミドが挙げられる。   Examples of the maleimide include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-tolylmaleimide, N-naphthylmaleimide, N-ethylmaleimide, N-hexylmaleimide, and N-benzylmaleimide.

またそれ以外のモノマーとして、例えば、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシル、アクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシル、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチル、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチルアクリレートが挙げられる。 As other monomers, for example, glycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl acrylate, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) ) -3-ethyloxetane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl An acrylate is mentioned.

[A]重合体の前駆体となる、水酸基またはカルボキシル基を有する重合体を合成するための重合反応に用いられる溶媒としては、例えば、アルコール、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、ケトン、エステルが挙げられる。   [A] Examples of the solvent used in the polymerization reaction for synthesizing a polymer having a hydroxyl group or a carboxyl group, which serves as a polymer precursor, include alcohols, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, and diethylene glycol monoalkyl ethers. , Diethylene glycol dialkyl ether, dipropylene glycol dialkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol alkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether propionate, ketone and ester.

[A]重合体の前駆体となる、水酸基またはカルボキシル基を有する重合体を得るための重合反応においては、分子量を調整するために、分子量調整剤を使用できる。分子量調整剤としては、例えば、クロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;n−ヘキシルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマーが挙げられる。   [A] In the polymerization reaction for obtaining a polymer having a hydroxyl group or a carboxyl group, which is a precursor of the polymer, a molecular weight modifier can be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight modifier include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan, and thioglycolic acid; Examples thereof include xanthogens such as dimethylxanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide; terpinolene and α-methylstyrene dimer.

水酸基またはカルボキシル基を有する重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)としては、1000〜30000が好ましく、5000〜20000がより好ましい。水酸基またはカルボキシル基を有する重合体のMwを上述の範囲とすることで、[A]重合体を含有する感放射線性組成物の感度を高めることができる。   The polystyrene-reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer having a hydroxyl group or a carboxyl group by gel permeation chromatography (GPC) is preferably 1000 to 30000, more preferably 5000 to 20000. By setting Mw of the polymer having a hydroxyl group or a carboxyl group within the above range, the sensitivity of the radiation-sensitive composition containing the [A] polymer can be increased.

次に、水酸基またはカルボキシル基を有する重合体の水酸基またはカルボキシル基に前記化合物(1)を反応させ、[A]重合体を得る方法は、下記式で示されるように、水酸基またはカルボキシル基にビニルエーテル基を付加させることによって行うことができる。   Next, the method of obtaining the polymer [A] by reacting the hydroxyl group or carboxyl group of a polymer having a hydroxyl group or a carboxyl group with the compound (1) is represented by the following formula. This can be done by adding a group.

Figure 2016090639
Figure 2016090639

そして、[A]重合体を得る方法は、公知の方法を参考にすることができ、例えば、特開2005−187609号公報に記載される方法を参考とすることができる。   And the method of obtaining a [A] polymer can refer to a well-known method, for example, can refer to the method described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-187609.

具体的には、水酸基を有する重合体の水酸基と前記化合物(1)のビニルエーテル基によってアセタール結合を生成して、または、カルボキシル基を有するモノマーのカルボキシル基と前記化合物(1)のビニルエーテル基によってヘキアセタールエステル結合を生成して、付加物を形成する。   Specifically, an acetal bond is formed by the hydroxyl group of the polymer having a hydroxyl group and the vinyl ether group of the compound (1), or a hexyl group is formed by the carboxyl group of the monomer having a carboxyl group and the vinyl ether group of the compound (1). An acetal ester bond is formed to form an adduct.

例えば、水酸基またはカルボキシル基を有する重合体を適宜の有機溶媒中に溶解した後、重合体の有する水酸基またはカルボキシル基に対して等モルまたは過剰量の前記化合物(1)を加え、得られた反応混合物を0℃から室温(25℃)程度の温度に冷却した後、上述の有機溶媒と同じ溶媒に溶解させた酸(例えば、シュウ酸溶液)を触媒として滴下し、滴下終了後、室温下で1時間〜24時間攪拌し、反応させる。反応終了後、有機溶剤を除去することにより、目的の[A]重合体を得ることができる。   For example, after dissolving a polymer having a hydroxyl group or a carboxyl group in an appropriate organic solvent, an equimolar or excess amount of the compound (1) is added to the hydroxyl group or carboxyl group of the polymer, and the resulting reaction is obtained. After cooling the mixture to a temperature of about 0 ° C. to room temperature (25 ° C.), an acid (for example, an oxalic acid solution) dissolved in the same solvent as the organic solvent described above is added dropwise as a catalyst. Stir for 1 to 24 hours to react. After completion of the reaction, the desired [A] polymer can be obtained by removing the organic solvent.

(2)前駆体となる化合物としてモノマーを用いる方法
この方法では、水酸基またはカルボキシル基を有するモノマーの水酸基またはカルボキシル基に前記化合物(1)を反応させて付加物を得て、それらを重合させることで、[A]重合体を得る。このような[A]重合体を得る方法は、公知の方法を参考にすることができる。例えば、特開2005−187609号公報に記載されているように、水酸基を有するモノマーの水酸基とビニルエーテル化合物のビニルエーテル基によってアセタール結合を生成して、または、カルボキシル基を有するモノマーのカルボキシル基と前記化合物(1)のビニルエーテル基によってヘキアセタールエステル結合を生成して、付加物を形成する。次いで、得られたモノマーを用いて、上述した水酸基またはカルボキシル基を有する重合体の製造方法と同様にして、[A]重合体を得ることができる。
(2) Method of using a monomer as a precursor compound In this method, the compound (1) is reacted with a hydroxyl group or a carboxyl group of a monomer having a hydroxyl group or a carboxyl group to obtain an adduct and polymerize them. [A] A polymer is obtained. A known method can be referred to for obtaining such a polymer [A]. For example, as described in JP-A-2005-187609, an acetal bond is formed by a hydroxyl group of a monomer having a hydroxyl group and a vinyl ether group of a vinyl ether compound, or a carboxyl group of the monomer having a carboxyl group and the compound A hexacetal ester bond is formed by the vinyl ether group of (1) to form an adduct. Next, using the obtained monomer, the [A] polymer can be obtained in the same manner as in the method for producing a polymer having a hydroxyl group or a carboxyl group as described above.

以上のようにして得られる[A]重合体の好ましい例としては、下記式(2)〜(5)で示される構成単位よりなる群から選ばれる少なくとも1つを有する重合体を挙げることができる。   Preferred examples of the [A] polymer obtained as described above include polymers having at least one selected from the group consisting of structural units represented by the following formulas (2) to (5). .

Figure 2016090639
(式(2)〜(5)中、Rは独立して、水素原子またはメチル基を示す。Rは独立して、メチレン基、炭素数2〜12のアルキレン基、炭素数6〜13の芳香族炭化水素基、炭素数4〜12の置換または非置換の脂環式炭化水素基、または、これらの基の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された基を示す。Rは独立して、炭化水素基の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された基を示す。mは0または1を示す。nは独立して0〜12を示す。)
Figure 2016090639
(In formulas (2) to (5), R 3 independently represents a hydrogen atom or a methyl group. R 4 independently represents a methylene group, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, or 6 to 13 carbon atoms. aromatic hydrocarbon group, .R 5 showing a substituted or unsubstituted alicyclic hydrocarbon group, or one or more hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms in these groups, C4-12 Independently represents a group in which one or more hydrogen atoms of a hydrocarbon group are substituted with a fluorine atom, m represents 0 or 1, and n independently represents 0 to 12.)

そして、[A]重合体の好ましい例である、上記式(2)〜式(5)で示される構成単位よりなる群から選ばれる少なくとも1つを有する重合体の具体的な例としては、以下の重合体を挙げることができる。   And as a specific example of a polymer having at least one selected from the group consisting of structural units represented by the above formulas (2) to (5), which is a preferred example of the [A] polymer, Can be mentioned.

Figure 2016090639
Figure 2016090639

[A]重合体は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   [A] A polymer may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for it.

<[B]溶剤>
[B]溶剤としては特に限定されないが、[A]重合体のほか、後述する[C]酸発生剤および[F]重合性化合物等の各成分を均一に溶解または分散することができる溶剤が好ましい。
<[B] solvent>
[B] Although it does not specifically limit as a solvent, The solvent which can melt | dissolve or disperse | distribute each component, such as a [C] acid generator mentioned later and a [F] polymeric compound, in addition to a [A] polymer uniformly. preferable.

好適な[B]溶剤としては、アルコール系溶剤、エーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、ケトン類およびエステル類等を挙げることができる。   Suitable [B] solvents include alcohol solvents, ethers, diethylene glycol alkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionates, aliphatic hydrocarbons. , Aromatic hydrocarbons, ketones and esters.

上述のアルコール系溶剤としては、1−ヘキサノール、1−オクタノール、1−ノナノール、1−ドデカノール、1,6−ヘキサンジオール、1,8−オクタンジオール等の長鎖アルキルアルコール類;
ベンジルアルコール等の芳香族アルコール類;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類等を挙げることができる。
これらのアルコール系溶剤は、単独でまたは2種以上併用して使用することができる。
Examples of the alcohol solvent include long-chain alkyl alcohols such as 1-hexanol, 1-octanol, 1-nonanol, 1-dodecanol, 1,6-hexanediol, 1,8-octanediol;
Aromatic alcohols such as benzyl alcohol;
Ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether;
Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether;
Examples include dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, and dipropylene glycol monobutyl ether.
These alcohol solvents can be used alone or in combination of two or more.

これらアルコール系溶剤のうち、特に塗工性向上の観点から、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルが好ましい。   Among these alcohol solvents, benzyl alcohol, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol monoethyl ether are particularly preferable from the viewpoint of improving coatability.

上述のエーテル類としては、例えば、テトラヒドロフラン、ヘキシルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、1,4−ジオキサンを挙げることができる。   Examples of the ethers include tetrahydrofuran, hexyl methyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol diethyl ether, and 1,4-dioxane.

上述のジエチレングリコールアルキルエーテル類としては、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等を挙げることができる。   Examples of the diethylene glycol alkyl ethers include diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether.

上述のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類としては、例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー等を挙げることができる。   Examples of the ethylene glycol alkyl ether acetates include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.

上述のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテートを挙げることができる。   Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetates include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and propylene glycol monobutyl ether acetate.

上述のプロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネートを挙げることができる。   Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionates include propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, and propylene glycol monobutyl ether propionate. Can be mentioned.

上述の脂肪族炭化水素類としては、例えば、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン、n−ウンデカン、n−ドデカン、シクロヘキサン、デカリンを挙げることができる。   Examples of the above-mentioned aliphatic hydrocarbons include n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane, n-undecane, n-dodecane, cyclohexane and decalin. Can do.

上述の芳香族炭化水素類としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、i−プロピルベンゼン、n−ブチルベンゼン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンを挙げることができる。   Examples of the aromatic hydrocarbons include benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, n-propylbenzene, i-propylbenzene, n-butylbenzene, mesitylene, chlorobenzene, and dichlorobenzene.

上述のケトン類としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノンを挙げることができる。   Examples of the ketones include methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone.

上述のエステル類としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル等を挙げることができる。   Examples of the esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, 2-hydroxy-2- Ethyl methylpropionate, methyl hydroxyacetate, hydroxyethyl acetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, Butyl 3-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate Butyl ethoxy acetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propyl propoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propyl butoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, Examples include propyl 2-methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate and the like.

以上で挙げた[B]溶剤は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   [B] solvent mentioned above may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.

[B]溶剤の使用量は、感放射線性組成物の[B]溶剤を除く成分100質量部に対して、好ましくは200質量部〜1600質量部、より好ましくは400質量部〜1000質量部である。[B]溶剤の使用量を上述の範囲内とすることによって、感放射線性組成物のガラス基板等に対する塗布性を向上し、さらに塗布ムラ(筋状ムラ、ピン跡ムラ、モヤムラ等)の発生を抑制し、膜厚均一性の向上した塗膜を得ることができる。   [B] The amount of the solvent used is preferably 200 parts by mass to 1600 parts by mass, more preferably 400 parts by mass to 1000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component excluding the solvent [B] of the radiation-sensitive composition. is there. [B] By making the amount of the solvent used within the above-mentioned range, the coating property of the radiation-sensitive composition on the glass substrate and the like is improved, and furthermore, uneven coating (such as streaky unevenness, uneven pin trace, and unevenness) occurs. And a coating film with improved film thickness uniformity can be obtained.

<[C]酸発生剤>
[C]酸発生剤は、少なくとも放射線の照射によって酸を発生する化合物である。感放射線性組成物が、[C]酸発生剤を含有することで、[A]重合体から酸解離性基を脱離させることができる。
<[C] acid generator>
[C] The acid generator is a compound that generates an acid at least upon irradiation with radiation. When the radiation-sensitive composition contains the [C] acid generator, the acid-dissociable group can be eliminated from the [A] polymer.

[C]酸発生剤としては、例えば、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物等が挙げられる。
[C]酸発生剤は、単独でまたは2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
[C] Examples of the acid generator include oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, and carboxylic acid ester compounds.
[C] The acid generators may be used alone or in combination of two or more.

[オキシムスルホネート化合物]
上述のオキシムスルホネート化合物としては、下記式(6)で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物が好ましい。
[Oxime sulfonate compound]
As said oxime sulfonate compound, the compound containing the oxime sulfonate group represented by following formula (6) is preferable.

Figure 2016090639
Figure 2016090639

前記式(6)中、R11は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のフルオロアルキル基、炭素数4〜12の脂環式炭化水素基、炭素数6〜20のアリール基、あるいはこれらのアルキル基、脂環式炭化水素基およびアリール基が有する水素原子の一部または全部が置換基で置換された基である。 In the formula (6), R 11 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms, or an aryl having 6 to 20 carbon atoms. Or a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, alicyclic hydrocarbon group and aryl group are substituted with a substituent.

上述のR11で表されるアルキル基としては、炭素数1〜12の直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましい。この炭素数1〜12の直鎖状または分岐状のアルキル基は置換基により置換されていてもよく、置換基としては、例えば、炭素数1〜10のアルコキシ基、7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基等の橋かけ環式脂環基を含む脂環式基等が挙げられる。炭素数1〜12のフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプチルフルオロプロピル基等が挙げられる。 As the alkyl group represented by R 11 described above, a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms is preferable. The linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms and 7,7-dimethyl-2. -An alicyclic group containing a bridged cyclic alicyclic group such as an oxonorbornyl group. Examples of the fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a heptylfluoropropyl group, and the like.

上述のR11で表される炭素数4〜12の脂環式炭化水素基は置換基により置換されていてもよく、置換基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。 The alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms represented by R 11 described above may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, A halogen atom is mentioned.

上述のR11で表される炭素数6〜20のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基が好ましい。上述のアリール基は置換基により置換されていてもよく、置換基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。 The aryl group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 11 is preferably a phenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, or a xylyl group. The above aryl group may be substituted by a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, and a halogen atom.

前記式(6)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば、下記式(6−1)、下記式(6−2)、下記式(6−3)で表されるオキシムスルホネート化合物が挙げられる。   Examples of the compound containing an oxime sulfonate group represented by the formula (6) include an oxime sulfonate represented by the following formula (6-1), the following formula (6-2), and the following formula (6-3). Compounds.

Figure 2016090639
Figure 2016090639

前記式(6−1)、前記式(6−2)および前記式(6−3)中、R11は、上述した式(6)と同義である。前記式(6−1)、前記式(6−2)および前記式(6−3)中、R15は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のフルオロアルキル基である。
式(6−3)中、Xは、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子である。mは、0〜3の整数である。但し、Xが複数の場合、複数のXは同一であっても異なっていてもよい。
In Formula (6-1), Formula (6-2), and Formula (6-3), R 11 has the same meaning as Formula (6) described above. In the formula (6-1), the formula (6-2), and the formula (6-3), R 15 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or a fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
In formula (6-3), X represents an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. m is an integer of 0-3. However, when there are a plurality of Xs, the plurality of Xs may be the same or different.

前記式(6−3)のXで表されるアルキル基としては、炭素数1〜4の直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましい。上述のXで表されるアルコキシ基としては、炭素数1〜4の直鎖状または分岐状のアルコキシ基が好ましい。上述のXで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。mとしては、0または1が好ましい。前記式(6−3)においては、mが1であり、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルト位である化合物が特に好ましい。   The alkyl group represented by X in the formula (6-3) is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy group represented by X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. As m, 0 or 1 is preferable. In the formula (6-3), a compound in which m is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is an ortho position is particularly preferable.

前記(6−3)で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば、下記式(6−3−1)〜(6−3−5)で表される化合物等が挙げられる。   Examples of the oxime sulfonate compound represented by (6-3) include compounds represented by the following formulas (6-3-1) to (6-3-5).

Figure 2016090639
Figure 2016090639

前記式(6−3−1)〜前記式(6−3−5)で表される化合物は、それぞれ(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリルであり、市販品として入手できる。   The compounds represented by the formula (6-3-1) to the formula (6-3-5) are each represented by (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl). Acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino)-(4-methoxyphenyl) acetonitrile, obtained as a commercial product it can.

[オニウム塩]
[C]酸発生剤として好ましいオニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、アルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩が挙げられる。
[Onium salt]
[C] Preferred onium salts as acid generators include, for example, diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, alkylsulfonium salt, benzylsulfonium salt, dibenzylsulfonium salt, substituted benzylsulfonium salt, benzothiazonium salt, tetrahydrothio Phenium salts are mentioned.

上述したジフェニルヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス(2,6−ジフルオロフェニル)ボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホン酸が挙げられる。   Examples of the diphenyliodonium salt include diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p-toluenesulfonate. , Diphenyliodonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexa Fluoroarsenate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium tri Fluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphorsulfonic acid Can be mentioned.

上述したトリフェニルスルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス(2,6−ジフルオロフェニル)ボレートが挙げられる。   Examples of the triphenylsulfonium salt described above include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, And triphenylsulfonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate.

上述のアルキルスルホニウム塩としては、例えば、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−3−クロロ−4−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートが挙げられる。   Examples of the alkylsulfonium salt include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, and dimethyl. Examples include -4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, and dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate.

上述のベンジルスルホニウム塩としては、例えば、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−2−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートが挙げられる。   Examples of the benzylsulfonium salt include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and benzyl-4. -Methoxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4 -Hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate.

上述のジベンジルスルホニウム塩としては、例えば、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートが挙げられる。   Examples of the dibenzylsulfonium salt include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyldibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4- Methoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4- And methoxybenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate.

上述の置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えば、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−ニトロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p−ニトロベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5−ジクロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o−クロロベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートが挙げられる。   Examples of the substituted benzylsulfonium salt include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-chlorobenzyl-4- Hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl -3-Chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate.

上述したベンゾチアゾニウム塩としては、例えば、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3−(p−メトキシベンジル)ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−2−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−5−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネートが挙げられる。   Examples of the benzothiazonium salt described above include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, 3- (p -Methoxybenzyl) benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate.

上述したテトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば、4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(5−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(6−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネートが挙げられる。   Examples of the tetrahydrothiophenium salt described above include 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophene. Nitrotrifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium- 1,1,2,2-tetrafluoro-2- (norbornan-2-yl) ethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (5-t-butoxy) Carbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) 1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (6-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] Heptan-2-yl) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate.

[スルホンイミド化合物]
[C]酸発生剤として好ましいスルホンイミド化合物としては、例えば、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(エチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(プロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ペンチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ヘキシルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ヘプチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(オクチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ノニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド等が挙げられる
[Sulfonimide compound]
[C] As a preferred sulfonimide compound as an acid generator, for example, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-tri Fluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (camphor Sulfonyloxy) diphenylmaleimide, 4-methylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenyl) Sulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2 .1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- ( Nonafluorobutanesulfonyloxy Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide , N- (camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2 2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide N- (4-methylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-trifluoromethylphenol) Nylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4 -Fluorophenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane -5,6-oxy-2,3-dicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3- Carboximide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboximide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] Heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboximide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2 , 3-dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (Phenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (2-trifluoro) Romethylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyl Dicarboximide, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (ethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (butylsulfonyloxy) naphthyl Dicarboximide, N- (pentylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (heptylsulfo) Nyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (nonylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide and the like.

[ハロゲン含有化合物]
[C]酸発生剤として好ましいハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物が挙げられる。
[Halogen-containing compounds]
[C] Preferred halogen-containing compounds as acid generators include, for example, haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds and haloalkyl group-containing heterocyclic compounds.

[ジアゾメタン化合物]
[C]酸発生剤として好ましいジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル−p−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(ベンゾイル)ジアゾメタン等が挙げられる。
[Diazomethane compounds]
[C] Preferred diazomethane compounds as acid generators include, for example, bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (p-tolylsulfonyl) diazomethane, bis (2 , 4-Xylylsulfonyl) diazomethane, bis (p-chlorophenylsulfonyl) diazomethane, methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane, cyclohexylsulfonyl (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) Examples include diazomethane and phenylsulfonyl (benzoyl) diazomethane.

[スルホン化合物]
[C]酸発生剤として好ましいスルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物が挙げられる。
[Sulfone compound]
[C] Examples of the sulfone compound preferable as the acid generator include β-ketosulfone compounds, β-sulfonylsulfone compounds, and diaryldisulfone compounds.

[スルホン酸エステル化合物]
[C]酸発生剤として好ましいスルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネートが挙げられる。
[Sulfonic acid ester compounds]
[C] Preferred sulfonic acid ester compounds as acid generators include, for example, alkyl sulfonic acid esters, haloalkyl sulfonic acid esters, aryl sulfonic acid esters, and imino sulfonates.

[カルボン酸エステル化合物]
[C]酸発生剤として好ましいカルボン酸エステル化合物としては、例えば、カルボン酸o−ニトロベンジルエステルが挙げられる。
[Carboxylic ester compounds]
[C] Preferred examples of the carboxylic acid ester compound as the acid generator include carboxylic acid o-nitrobenzyl ester.

[C]酸発生剤としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホン酸エステル化合物が好ましく、オキシムスルホネート化合物がより好ましい。上述したオキシムスルホネート化合物としては、前記式(6−3−1)〜(6−3−5)で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物が好ましく、前記式(6−3−5)で表される化合物がより好ましい。   [C] The acid generator is preferably an oxime sulfonate compound, an onium salt, or a sulfonic acid ester compound, and more preferably an oxime sulfonate compound. As the oxime sulfonate compound described above, a compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formulas (6-3-1) to (6-3-5) is preferable, and is represented by the above formula (6-3-5). Are more preferred.

また、上述したオニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩が好ましく、4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートがより好ましく、4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートがさらに好ましい。上述したスルホン酸エステル化合物としては、ハロアルキルスルホン酸エステルが好ましく、N−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルがより好ましい。[C]酸発生剤を上述の化合物とすることで、本実施形態の感放射線性組成物は感度を向上させることができ、さらに溶解性を向上させることができる。   Further, as the above-described onium salt, a tetrahydrothiophenium salt and a benzylsulfonium salt are preferable, and 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium. Hexafluorophosphate is more preferable, and 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate is more preferable. As the sulfonic acid ester compound described above, a haloalkylsulfonic acid ester is preferable, and N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonic acid ester is more preferable. [C] By making an acid generator into the above-mentioned compound, the radiation sensitive composition of this embodiment can improve a sensitivity, and can further improve solubility.

感放射線性組成物において、[C]酸発生剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部〜10質量部が好ましく、1質量部〜5質量部がより好ましい。[C]酸発生剤の含有量を上述の範囲とすることで、感放射線性組成物の感度を最適化することができる。   In the radiation sensitive composition, the content of the [C] acid generator is preferably 0.1 part by mass to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer [A], and 1 part by mass to 5 parts by mass. Is more preferable. [C] By making content of an acid generator into the above-mentioned range, the sensitivity of a radiation sensitive composition can be optimized.

<[D]増感剤>
本発明の実施形態の感放射線性組成物は、[D]増感剤を含有することができる。
本発明の実施形態の感放射線性組成物が、[D]増感剤をさらに含有することで、感放射線性組成物の放射線感度をより向上することができる。[D]増感剤は、放射線を吸収して電子励起状態となる化合物であることが好ましい。電子励起状態となった[D]増感剤は、[C]酸発生剤と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱等が生じ、これにより[C]酸発生剤は化学変化を起こして分解し酸を生成する。
<[D] sensitizer>
The radiation sensitive composition of embodiment of this invention can contain a [D] sensitizer.
The radiation sensitive composition of embodiment of this invention can further improve the radiation sensitivity of a radiation sensitive composition because it further contains a [D] sensitizer. [D] The sensitizer is preferably a compound that absorbs radiation and becomes an electronically excited state. When the [D] sensitizer in the electronically excited state is brought into contact with the [C] acid generator, electron transfer, energy transfer, heat generation, and the like occur, and the [C] acid generator undergoes a chemical change. Decomposes to produce acid.

[D]増感剤としては、以下の化合物類に属する化合物等が挙げられる。   [D] Examples of the sensitizer include compounds belonging to the following compounds.

[D]増感剤としては、例えば、ピレン、ペリレン、トリフェニレン、アントラセン、9,10−ジブトキシアントラセン、9,10−ジエトキシアントラセン,3,7−ジメトキシアントラセン、9,10−ジプロピルオキシアントラセン等の多核芳香族類;
フルオレッセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル等のキサンテン類;
キサントン、チオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン等のキサントン類;
チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン等のシアニン類;
メロシアニン、カルボメロシアニン等のメロシアニン類;
ローダシアニン類;
オキソノール類;
チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー等のチアジン類;
アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン等のアクリジン類;
アクリドン、10−ブチル−2−クロロアクリドン等のアクリドン類;
アントラキノン等のアントラキノン類;
スクアリウム等のスクアリウム類;
スチリル類;
2−[2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル]ベンゾオキサゾール等のベーススチリル類;
7−ジエチルアミノ4−メチルクマリン、7−ヒドロキシ4−メチルクマリン、2,3,6,7−テトラヒドロ−9−メチル−1H,5H,11H[l]ベンゾピラノ[6,7,8−ij]キノリジン−11−ノン等のクマリン類等が挙げられる。
[D] Examples of the sensitizer include pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, and 9,10-dipropyloxyanthracene. Polynuclear aromatics such as;
Xanthenes such as fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B, rose bengal;
Xanthones such as xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, isopropylthioxanthone;
Cyanines such as thiacarbocyanine, oxacarbocyanine;
Merocyanines such as merocyanine and carbomerocyanine;
Rhodocyanines;
Oxonols;
Thiazines such as thionine, methylene blue and toluidine blue;
Acridines such as acridine orange, chloroflavin, acriflavine;
Acridones such as acridone, 10-butyl-2-chloroacridone;
Anthraquinones such as anthraquinone;
Squariums such as squalium;
Styryls;
Base styryls such as 2- [2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl] benzoxazole;
7-diethylamino 4-methylcoumarin, 7-hydroxy 4-methylcoumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H [l] benzopyrano [6,7,8-ij] quinolidine- Coumarins, such as 11-non, etc. are mentioned.

これらの[D]増感剤のうち、多核芳香族類、アクリドン類、スチリル類、ベーススチリル類、クマリン類、キサントン類が好ましく、キサントン類がより好ましい。キサントン類の中でもジエチルチオキサントンおよびイソプロピルチオキサントンが特に好ましい   Among these [D] sensitizers, polynuclear aromatics, acridones, styryls, base styryls, coumarins, and xanthones are preferable, and xanthones are more preferable. Of the xanthones, diethylthioxanthone and isopropylthioxanthone are particularly preferred

感放射線性組成物において、[D]増感剤は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   In the radiation-sensitive composition, the [D] sensitizer may be used alone or in combination of two or more.

感放射線性組成物において、[D]増感剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部〜8質量部が好ましく、1質量部〜4質量部がより好ましい。[D]増感剤の含有量を上述の範囲とすることで、感放射線性組成物の感度を最適化することができる。   In the radiation sensitive composition, the content of [D] sensitizer is preferably 0.1 part by mass to 8 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer [A], and 1 part by mass to 4 parts by mass. Is more preferable. [D] By making content of a sensitizer into the above-mentioned range, the sensitivity of a radiation sensitive composition can be optimized.

<[E]クエンチャー>
本発明の実施形態の感放射線性組成物は、上述した[A]重合体、[C]酸発生剤、[D]増感剤のほか、[E]クエンチャーを含有することができる。
<[E] quencher>
The radiation-sensitive composition of the embodiment of the present invention can contain an [E] quencher in addition to the above-described [A] polymer, [C] acid generator, and [D] sensitizer.

[E]クエンチャーは、[C]酸発生剤からの酸の拡散を防止する酸拡散抑制材として機能する。[E]クエンチャーとしては、放射線の照射による露光によって弱酸を発生する光崩壊性塩基を用いることができる。光崩壊性塩基は、露光部においては酸を発生する一方、未露光部ではアニオンによる高い酸捕捉機能が発揮されて、[C]酸発生剤からの酸を補足し、露光部から未露光部拡散する酸を失活させる。すなわち、未露光部のみにおいて酸を失活させるため、保護基の脱離反応のコントラストが向上し、結果として解像性をより向上させることができる。光崩壊性塩基の一例として、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物がある。   The [E] quencher functions as an acid diffusion inhibitor that prevents the diffusion of acid from the [C] acid generator. [E] As the quencher, a photodegradable base that generates a weak acid by exposure to radiation can be used. The photodegradable base generates an acid in the exposed area, while the non-exposed area exhibits a high acid scavenging function by an anion to supplement the acid from the [C] acid generator, and from the exposed area to the unexposed area. Deactivates the diffusing acid. That is, since the acid is deactivated only in the unexposed area, the contrast of the protecting group elimination reaction is improved, and as a result, the resolution can be further improved. As an example of the photodegradable base, there is an onium salt compound that is decomposed by exposure and loses acid diffusion controllability.

感放射線性組成物において、[E]クエンチャーは、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   In the radiation-sensitive composition, the [E] quencher may be used alone or in combination of two or more.

感放射線性組成物において、[E]クエンチャーの含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.001質量部〜5質量部が好ましく、0.005質量部〜3質量部がより好ましい。[D]増感剤の含有量を上述の範囲とすることで、感放射線性組成物の反応性を最適化できる。   In the radiation-sensitive composition, the content of [E] quencher is preferably 0.001 to 5 parts by mass, and 0.005 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of [A] polymer. Part is more preferred. [D] By making content of a sensitizer into the above-mentioned range, the reactivity of a radiation sensitive composition can be optimized.

<[F]重合性化合物>
感放射線性組成物は、[F]重合性化合物を含有することで、該感放射線性組成物の硬化を行うことができる。
<[F] polymerizable compound>
The radiation sensitive composition can cure the radiation sensitive composition by containing the [F] polymerizable compound.

[F]重合性化合物は、エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物である。但し、[A]重合体以外の化合物である。   [F] The polymerizable compound is a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond. However, [A] is a compound other than a polymer.

このような[F]重合性化合物としては、重合性が良好であり、感放射線性組成物から得られる膜の強度が向上するという観点から、単官能、2官能または3官能以上の(メタ)アクリル酸エステルが好ましい。   As such a [F] polymerizable compound, monofunctional, bifunctional, or trifunctional or higher (meth) from the viewpoint of good polymerizability and improved strength of the film obtained from the radiation-sensitive composition. Acrylic acid esters are preferred.

尚、単官能化合物とは、(メタ)アクリロイル基を1つ有する化合物のことをいい、2官能または3官能以上の化合物とは、それぞれ、(メタ)アクリロイル基を2つまたは3つ以上有する化合物のことをいう。   The monofunctional compound refers to a compound having one (meth) acryloyl group, and the bifunctional or trifunctional or higher functional compound is a compound having two or three (meth) acryloyl groups, respectively. I mean.

上述した単官能(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルメタクリレート、(2−アクリロイルオキシエチル)(2−ヒドロキシプロピル)フタレート、(2−メタクリロイルオキシエチル)(2−ヒドロキシプロピル)フタレート、ω−カルボキシポリカプロラクトンモノアクリレートが挙げられる。市販品としては、例えば、アロニックス(登録商標)M−101、同M−111、同M−114、同M−5300(以上、東亞合成社);KAYARAD(登録商標)TC−110S、同TC−120S(以上、日本化薬社);ビスコート158、同2311(以上、大阪有機化学工業社)が挙げられる。   Examples of the monofunctional (meth) acrylic acid ester described above include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, diethylene glycol monoethyl ether acrylate, diethylene glycol monoethyl ether methacrylate, (2-acryloyloxyethyl) (2-hydroxy Propyl) phthalate, (2-methacryloyloxyethyl) (2-hydroxypropyl) phthalate, and ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate. As a commercial item, for example, Aronix (registered trademark) M-101, M-111, M-114, M-5300 (above, Toagosei Co., Ltd.); KAYARAD (registered trademark) TC-110S, TC- 120S (above, Nippon Kayaku Co., Ltd.); Biscote 158, 2311 (above, Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.).

上述した2官能(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、1,9−ノナンジオールジアクリレート、1,9−ノナンジオールジメタクリレートが挙げられる。市販品としては、例えば、アロニックス(登録商標)M−210、同M−240、同M−6200(以上、東亞合成社);KAYARAD(登録商標)HDDA、同HX−220、同R−604(以上、日本化薬社);ビスコート260、同312、同335HP(以上、大阪有機化学工業社);ライトアクリレート1,9−NDA(共栄社化学社)が挙げられる。   Examples of the bifunctional (meth) acrylic acid ester described above include ethylene glycol diacrylate, propylene glycol diacrylate, propylene glycol dimethacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, tetra Examples include ethylene glycol dimethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, 1,9-nonanediol diacrylate, and 1,9-nonanediol dimethacrylate. Examples of commercially available products include Aronix (registered trademark) M-210, M-240, M-6200 (above, Toagosei Co., Ltd.); KAYARAD (registered trademark) HDDA, HX-220, R-604 ( As mentioned above, Nippon Kayaku Co., Ltd.); Biscoat 260, 312 and 335HP (Osaka Organic Chemical Co., Ltd.); Light acrylate 1,9-NDA (Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) can be mentioned.

上述した3官能以上の(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリ(2−アクリロイルオキシエチル)フォスフェート、トリ(2−メタクリロイルオキシエチル)フォスフェート、コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、コハク酸変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレートのほか、直鎖アルキレン基および脂環式構造を有し、かつ2個以上のイソシアネート基を有する化合物と、分子内に1個以上の水酸基とを有し、かつ3個、4個または5個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物と反応させて得られる多官能ウレタンアクリレート系化合物が挙げられる。市販品としては、例えば、アロニックス(登録商標)M−309、同M−315、同M−400、同M−405、同M−450、同M−7100、同M−8030、同M−8060、同TO−1450(以上、東亞合成社);KAYARAD(登録商標)TMPTA、同DPHA、同DPCA−20、同DPCA−30、同DPCA−60、同DPCA−120、同DPEA−12(以上、日本化薬社);ビスコート295、同300、同360、同GPT、同3PA、同400(以上、大阪有機化学工業社);多官能ウレタンアクリレート系化合物を含有する市販品としては、ニューフロンティア(登録商標)R−1150(第一工業製薬社)、KAYARAD(登録商標)DPHA−40H(日本化薬社)等が挙げられる。   Examples of the above-described trifunctional or higher functional (meth) acrylic acid ester include trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, diester. Pentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, a mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, ethylene oxide modified dipentaerythritol hexaacrylate, tri (2- Acryloyloxyethylene ) Phosphate, tri (2-methacryloyloxyethyl) phosphate, succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate, succinic acid-modified dipentaerythritol pentaacrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, linear alkylene group and alicyclic ring A compound having a formula structure and having two or more isocyanate groups and one or more hydroxyl groups in the molecule and having three, four or five (meth) acryloyloxy groups The polyfunctional urethane acrylate type compound obtained by making it react with is mentioned. Examples of commercially available products include Aronix (registered trademark) M-309, M-315, M-400, M-405, M-450, M-7100, M-8030, and M-8060. TO-1450 (above, Toagosei Co., Ltd.); KAYARAD (registered trademark) TMPTA, DPHA, DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60, DPCA-120, DPEA-12 (above, Nippon Kayaku Co., Ltd.); Biscoat 295, 300, 360, GPT, 3PA, 400 (Osaka Organic Chemical Co., Ltd.); commercial products containing polyfunctional urethane acrylate compounds include New Frontier ( Registered trademark) R-1150 (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.), KAYARAD (registered trademark) DPHA-40H (Nippon Kayaku Co., Ltd.), and the like.

これらの[F]重合性化合物のうち、ω−カルボキシポリカプロラクトンモノアクリレート、1,9−ノナンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとジペンタエリスリトールペンタアクリレートとの混合物、エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、コハク酸変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、多官能ウレタンアクリレート系化合物を含有する市販品等が好ましい。中でも、3官能以上の(メタ)アクリル酸エステルが好ましく、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとジペンタエリスリトールペンタアクリレートとの混合物が特に好ましい。   Among these [F] polymerizable compounds, ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, Dipentaerythritol hexaacrylate, mixture of dipentaerythritol hexaacrylate and dipentaerythritol pentaacrylate, ethylene oxide modified dipentaerythritol hexaacrylate, succinic acid modified pentaerythritol triacrylate, succinic acid modified dipentaerythritol pentaacrylate, polyfunctional urethane Commercial products containing acrylate compounds are preferred. Among them, a tri- or higher functional (meth) acrylic acid ester is preferable, and a mixture of dipentaerythritol hexaacrylate and dipentaerythritol pentaacrylate is particularly preferable.

感放射線性組成物において、[F]重合性化合物は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   In the radiation-sensitive composition, the [F] polymerizable compound may be used alone or in combination of two or more.

感放射線性組成物において、[F]重合性化合物の使用量は、[A]重合体100質量部に対して、1質量部〜300質量部が好ましく、3質量部〜200質量部がより好ましく、5質量部〜100質量部がさらに好ましい。[F]重合性化合物の使用量を上述の範囲内とすることで、感放射線性樹脂組成物から得られる塗膜の高度を高め、耐熱性をより良好とすることができる。   In the radiation-sensitive composition, the amount of the [F] polymerizable compound used is preferably 1 part by mass to 300 parts by mass and more preferably 3 parts by mass to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer [A]. 5 mass parts-100 mass parts are more preferable. [F] By making the usage-amount of a polymeric compound into the above-mentioned range, the height of the coating film obtained from a radiation sensitive resin composition can be raised, and heat resistance can be made more favorable.

<[G]感放射線性重合開始剤>
[G]感放射線性重合開始剤は、放射線の照射を受けて、[F]重合性化合物の重合を促進する化合物である。したがって、感放射線性組成物が[F]重合性化合物を含有する場合、[G]感放射線性重合開始剤を用いることが好ましい。
<[G] Radiation sensitive polymerization initiator>
[G] The radiation-sensitive polymerization initiator is a compound that accelerates the polymerization of the [F] polymerizable compound when irradiated with radiation. Therefore, when a radiation sensitive composition contains a [F] polymeric compound, it is preferable to use a [G] radiation sensitive polymerization initiator.

[G]感放射線性重合開始剤としては、O−アシルオキシム化合物、アセトフェノン化合物、ビイミダゾール化合物等を挙げることができる。   [G] Examples of radiation sensitive polymerization initiators include O-acyl oxime compounds, acetophenone compounds, biimidazole compounds and the like.

上述したO−アシルオキシム化合物の具体例としては、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、1−〔9−エチル−6−ベンゾイル−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−オクタン−1−オンオキシム−O−アセテート、1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−エタン−1−オンオキシム−O−ベンゾエート、1−〔9−n−ブチル−6−(2−エチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−エタン−1−オンオキシム−O−ベンゾエート、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロフラニルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロピラニルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチル−5−テトラヒドロフラニルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−{2−メチル−4−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラニル)メトキシベンゾイル}−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)が挙げられる。これらのO−アシルオキシム化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。   Specific examples of the O-acyloxime compound described above include ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), 1 -[9-ethyl-6-benzoyl-9. H. -Carbazol-3-yl] -octane-1-one oxime-O-acetate, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, 1- [9-n-butyl-6- (2-ethylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydropyranylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-dioxolanyl) methoxybenzoyl } -9. H. -Carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime). These O-acyloxime compounds can be used alone or in admixture of two or more.

これらのうちで、好ましいO−アシルオキシム化合物としては、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−{2−メチル−4−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラニル)メトキシベンゾイル}−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)を挙げることができる。   Among these, preferable O-acyloxime compounds include ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), Ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-dioxolanyl) methoxybenzoyl } -9. H. -Carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime).

上述したアセトフェノン化合物としては、例えば、α−アミノケトン化合物、α−ヒドロキシケトン化合物を挙げることができる。   Examples of the acetophenone compound described above include an α-aminoketone compound and an α-hydroxyketone compound.

上述のα−アミノケトン化合物の具体例としては、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン、2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オンを挙げることができる。   Specific examples of the α-aminoketone compound include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one and 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl). Examples include -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one and 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one.

上述のα−ヒドロキシケトン化合物の具体例としては、1−フェニル−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−i−プロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを挙げることができる。   Specific examples of the α-hydroxyketone compound include 1-phenyl-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-i-propylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropane- Examples thereof include 1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone.

以上のアセトフェノン化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。   The above acetophenone compounds can be used alone or in admixture of two or more.

これらのアセトフェノン化合物のうちα−アミノケトン化合物が好ましく、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン、2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オンが特に好ましい。   Of these acetophenone compounds, α-aminoketone compounds are preferred, and 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one, 2- Methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one is particularly preferred.

上述したビイミダゾール化合物の具体例としては、2,2’−ビス(2−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス(4−エトキシカルボニルフェニル)−1,2’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(2−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(2,4,6−トリクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾールを挙げることができる。これらのビイミダゾール化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。   Specific examples of the above-mentioned biimidazole compound include 2,2′-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) -1,2′-biimidazole, 2,2′-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenyl-1,2′-biimidazole, 2,2′-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenyl-1, Mention may be made of 2'-biimidazole. These biimidazole compounds can be used alone or in admixture of two or more.

これらのビイミダゾール化合物のうち、2,2’−ビス(2−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(2,4,6−トリクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾールが好ましく、2,2’−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾールが特に好ましい。   Among these biimidazole compounds, 2,2′-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenyl-1,2′-biimidazole, 2,2′-bis (2, 4-dichlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenyl-1,2′-biimidazole, 2,2′-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4 ′, 5 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole is preferred, 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole Is particularly preferred.

感放射線性組成物において、[G]感放射線性重合開始剤としてビイミダゾール化合物を使用する場合、これを増感するために、ジアルキルアミノ基を有する脂肪族または芳香族化合物を添加することができる。尚、以下で、ジアルキルアミノ基を有する脂肪族または芳香族化合物をアミノ系増感剤という。   In the radiation-sensitive composition, when a biimidazole compound is used as the [G] radiation-sensitive polymerization initiator, an aliphatic or aromatic compound having a dialkylamino group can be added to sensitize it. . Hereinafter, an aliphatic or aromatic compound having a dialkylamino group is referred to as an amino sensitizer.

このようなアミノ系増感剤としては、例えば、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを挙げることができる。これらのアミノ系増感剤のうち、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンが特に好ましい。これらのアミノ系増感剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。   Examples of such amino sensitizers include 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone and 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone. Of these amino sensitizers, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone is particularly preferred. These amino sensitizers can be used alone or in admixture of two or more.

さらに、ビイミダゾール化合物とアミノ系増感剤とを併用する場合、水素ラジカル供与剤としてチオール化合物を添加することができる。ビイミダゾール化合物は、アミノ系増感剤によって増感されて開裂し、イミダゾールラジカルを発生するが、そのままでは高い重合開始能が発現しない場合がある。しかし、ビイミダゾール化合物とアミノ系増感剤とが共存する系に、チオール化合物を添加することにより、イミダゾールラジカルにチオール化合物から水素ラジカルが供与される。その結果、イミダゾールラジカルが中性のイミダゾールに変換されるとともに、重合開始能の高い硫黄ラジカルを有する成分が発生する。このため、感放射線性組成物に、ビイミダゾール化合物、アミノ系増感剤およびチオール化合物を添加する場合、低放射線照射量であっても硬度の高い膜を形成することができる。   Furthermore, when a biimidazole compound and an amino sensitizer are used in combination, a thiol compound can be added as a hydrogen radical donor. A biimidazole compound is sensitized by an amino sensitizer and cleaved to generate an imidazole radical, but may not exhibit high polymerization initiation ability as it is. However, by adding a thiol compound to a system in which a biimidazole compound and an amino sensitizer coexist, a hydrogen radical is donated from the thiol compound to the imidazole radical. As a result, the imidazole radical is converted to neutral imidazole, and a component having a sulfur radical having a high polymerization initiating ability is generated. For this reason, when a biimidazole compound, an amino sensitizer, and a thiol compound are added to the radiation-sensitive composition, a film having high hardness can be formed even at a low radiation dose.

そのようなチオール化合物の具体例としては、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−メルカプトベンゾイミダゾール、2−メルカプト−5−メトキシベンゾチアゾール等の芳香族チオール化合物;
3−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトプロピオン酸メチル等の脂肪族モノチオール化合物;
ペンタエリストールテトラ(メルカプトアセテート)、ペンタエリストールテトラ(3−メルカプトプロピオネート)等の2官能以上の脂肪族チオール化合物を挙げることができる。
Specific examples of such thiol compounds include aromatic thiol compounds such as 2-mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercapto-5-methoxybenzothiazole;
Aliphatic monothiol compounds such as 3-mercaptopropionic acid and methyl 3-mercaptopropionate;
Bifunctional or higher aliphatic thiol compounds such as pentaerythritol tetra (mercaptoacetate) and pentaerythritol tetra (3-mercaptopropionate) can be exemplified.

これらのチオール化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。   These thiol compounds can be used alone or in admixture of two or more.

これらのチオール化合物の中でも、2−メルカプトベンゾチアゾールが特に好ましい。   Among these thiol compounds, 2-mercaptobenzothiazole is particularly preferable.

ビイミダゾール化合物とアミノ系増感剤とを併用する場合、アミノ系増感剤の使用量としては、ビイミダゾール化合物100質量部に対して、好ましくは0.1質量部〜50質量部であり、より好ましくは1質量部〜20質量部である。アミノ系増感剤の使用量を上述の範囲内とすることによって、露光時の反応性を向上させることができる。   When a biimidazole compound and an amino sensitizer are used in combination, the use amount of the amino sensitizer is preferably 0.1 parts by mass to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the biimidazole compound. More preferably, it is 1 mass part-20 mass parts. The reactivity at the time of exposure can be improved by making the usage-amount of an amino sensitizer into the above-mentioned range.

また、ビイミダゾール化合物、アミノ系増感剤およびチオール化合物を併用する場合、チオール化合物の使用量としては、ビイミダゾール化合物100質量部に対して、好ましくは0.1質量部〜50質量部であり、より好ましくは1質量部〜20質量部である。チオール化合物の使用量を上述の範囲内とすることによって、露光時の反応性をより向上させることができる。   Moreover, when using together a biimidazole compound, an amino type sensitizer, and a thiol compound, as the usage-amount of a thiol compound, Preferably it is 0.1 mass part-50 mass parts with respect to 100 mass parts of biimidazole compounds. More preferably, it is 1 mass part-20 mass parts. By making the usage-amount of a thiol compound in the above-mentioned range, the reactivity at the time of exposure can be improved more.

感放射線性組成物は、[G]感放射線性重合開始剤を含有する場合、O−アシルオキシム化合物およびアセトフェノン化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含有することが好ましく、さらにビイミダゾール化合物を含有してもよい。   When the radiation sensitive composition contains a [G] radiation sensitive polymerization initiator, it preferably contains at least one selected from the group consisting of an O-acyloxime compound and an acetophenone compound, and further a biimidazole compound. It may contain.

[G]感放射線性重合開始剤は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   [G] A radiation-sensitive polymerization initiator may be used alone or in combination of two or more.

[G]感放射線性重合開始剤の使用量は、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.05質量部〜30質量部、より好ましくは0.1質量部〜15質量部である。[G]感放射線性重合開始剤の使用量を上述の範囲内とすることによって、感放射線性組成物は、低露光量でも、高い放射線感度で塗膜の硬化を行うことができる。   [G] The amount of the radiation-sensitive polymerization initiator used is preferably 0.05 to 30 parts by mass, more preferably 0.1 to 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. It is. [G] By making the usage-amount of a radiation-sensitive polymerization initiator into the above-mentioned range, the radiation-sensitive composition can cure the coating film with high radiation sensitivity even at a low exposure amount.

<その他の任意成分>
本発明の実施形態の感放射線性組成物は、さらに、本発明の効果を損なわない限りその他の任意成分を含有することができる。
<Other optional components>
The radiation-sensitive composition of the embodiment of the present invention can further contain other optional components as long as the effects of the present invention are not impaired.

その他の任意成分としては、界面活性剤、保存安定剤、接着助剤、耐熱性向上剤等を挙げることができる。
その他の任意成分は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。
Examples of other optional components include a surfactant, a storage stabilizer, an adhesion aid, and a heat resistance improver.
Other optional components may be used alone or in combination of two or more.

次に、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法に用いられて、公正な金属線の形成に用いられる金属線形成組成物について説明する。   Next, the metal wire forming composition used in the method for producing a substrate having a metal wire according to an embodiment of the present invention and used for forming a fair metal wire will be described.

〔金属線形成組成物〕
上述した金属線形成組成物は特に限定されるものではない。金属線形成組成物は、金属線を形成できるような材料であればよく、流動性を持った液状のインク、ペーストであることが好ましい。
[Metal wire forming composition]
The metal wire forming composition described above is not particularly limited. The metal wire forming composition may be any material that can form a metal wire, and is preferably a liquid ink or paste having fluidity.

すなわち、金属線形成組成物は、金属線形成インクおよび金属線形成ペーストが好ましく、具体的には、金属粒子を分散したインクまたはペースト、金属塩と還元剤とを含むインクまたはペースト、還元雰囲気下による加熱で金属化が可能な金属酸化物粒子を分散したインクまたはペーストが好ましい。   That is, the metal line forming composition is preferably a metal line forming ink and a metal line forming paste. Specifically, an ink or paste in which metal particles are dispersed, an ink or paste containing a metal salt and a reducing agent, under a reducing atmosphere. An ink or paste in which metal oxide particles that can be metallized by heating with is dispersed is preferable.

これらのインクまたはペーストは、上述した各種の塗布法等により、そのインクやペーストの層の形成が可能であり、ひいては、金属線形成組成物の層を形成が可能である。そして、その金属線形成組成物の層は、上述したように、加熱されて金属線を形成することができる。   These inks or pastes can be formed into a layer of the ink or paste by the above-described various coating methods, and thus a layer of the metal wire forming composition can be formed. And the layer of the metal wire forming composition can be heated to form a metal wire as described above.

このような金属線形成インクおよび金属線形成ペーストとしては、粘度(温度:20℃、剪断速度:10sec−1)が、好ましくは0.001Pa・s〜100Pa・s、より好ましくは0.001Pa・s〜1Pa・sの範囲にある材料が望ましい。 As such a metal line forming ink and metal line forming paste, the viscosity (temperature: 20 ° C., shear rate: 10 sec −1 ) is preferably 0.001 Pa · s to 100 Pa · s, more preferably 0.001 Pa · s. A material in the range of s to 1 Pa · s is desirable.

尚、上述した本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法の工程(iii)において、オフセット印刷、スクリーン印刷等の方法によって金属線形成組成物の層の形成を行う場合、高粘度領域の材料が適しており、このときの金属線形成組成物の粘度は、1Pa・s〜50Pa・sが好ましい。特にオフセット印刷の場合、粘度は、10Pa・s〜50Pa・sが好ましい。   In addition, in the process (iii) of the manufacturing method of the base material which has a metal wire of embodiment of this invention mentioned above, when forming the layer of a metal wire formation composition by methods, such as offset printing and screen printing, it is high viscosity. The material of the region is suitable, and the viscosity of the metal wire forming composition at this time is preferably 1 Pa · s to 50 Pa · s. Particularly in the case of offset printing, the viscosity is preferably 10 Pa · s to 50 Pa · s.

<金属塩>
金属線形成組成物が金属塩と還元剤とを含む場合、その金属塩に含まれる金属イオンが前記還元剤により還元されて金属単体となり、その結果、金属線が形成される。
<Metal salt>
When the metal wire forming composition contains a metal salt and a reducing agent, metal ions contained in the metal salt are reduced by the reducing agent to form a simple metal, and as a result, a metal wire is formed.

前記金属塩としては銀塩、銅塩が好ましい。   The metal salt is preferably a silver salt or a copper salt.

例えば、金属塩が銀塩である場合、銀塩に含まれる銀イオンが還元剤により還元されて銀単体となり、銀からなる金属線が形成される。また、金属塩が銅塩である場合、銅塩に含まれる銅イオンが還元剤により還元され、銅単体となり、銅からなる金属線が形成される。   For example, when the metal salt is a silver salt, silver ions contained in the silver salt are reduced by a reducing agent to form silver alone, and a metal wire made of silver is formed. When the metal salt is a copper salt, copper ions contained in the copper salt are reduced by a reducing agent to form copper alone, thereby forming a metal wire made of copper.

前記金属塩は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   The said metal salt may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for it.

上述の銀塩としては、銀の塩であれば特に限定されない。
例えば、硝酸銀、酢酸銀、酸化銀、アセチルアセトン銀、安息香酸銀、臭素酸銀、臭化銀、炭酸銀、塩化銀、クエン酸銀、フッ化銀、ヨウ素酸銀、ヨウ化銀、乳酸銀、亜硝酸銀、過塩素酸銀、リン酸銀、硫酸銀、硫化銀、およびトリフルオロ酢酸銀を挙げることができる。
The silver salt is not particularly limited as long as it is a silver salt.
For example, silver nitrate, silver acetate, silver oxide, silver acetylacetone, silver benzoate, silver bromate, silver bromide, silver carbonate, silver chloride, silver citrate, silver fluoride, silver iodate, silver iodide, silver lactate, Mention may be made of silver nitrite, silver perchlorate, silver phosphate, silver sulfate, silver sulfide and silver trifluoroacetate.

上述の銅塩としては、銅イオンを含有する化合物であればよく、特に限定するものではないが、例えば、銅イオンと、無機アニオン種および有機アニオン種のうちの少なくとも一方とからなる銅塩が挙げられる。これらの中でも、溶解度の観点から、銅カルボン酸塩、銅の水酸化物、および銅とアセチルアセトン誘導体との錯塩からなる群より選ばれる1種または2種以上を用いることが好ましい。   The copper salt is not particularly limited as long as it is a compound containing copper ions. For example, a copper salt composed of copper ions and at least one of an inorganic anion species and an organic anion species is used. Can be mentioned. Among these, from the viewpoint of solubility, it is preferable to use one or more selected from the group consisting of a copper carboxylate, a copper hydroxide, and a complex salt of copper and an acetylacetone derivative.

上述した銅カルボン酸塩としては、例えば、マロン酸銅、コハク酸銅、マレイン酸銅等のジカルボン酸との銅塩、安息香酸銅、サリチル酸銅等の芳香族カルボン酸との銅塩、酢酸銅、トリフルオロ酢酸銅、プロピオン酸銅、酪酸銅、イソ酪酸銅、2−メチル酪酸銅、2−エチル酪酸銅、吉草酸銅、イソ吉草酸銅、ピバリン酸銅、ヘキサン酸銅、ヘプタン酸銅、オクタン酸銅、2−エチルヘキサン酸銅、ノナン酸銅、ギ酸銅、ヒドロキシ酢酸銅、グリオキシル酸銅、乳酸銅、シュウ酸銅、酒石酸銅、リンゴ酸銅、クエン酸銅等のモノカルボキシ基を有する有機酸との銅塩が好適な化合物として挙げられる。尚、ギ酸銅は、無水和物でもよく、水和していてもよい。ギ酸銅の水和物としては、四水和物が挙げられる。   Examples of the copper carboxylate described above include copper salts with dicarboxylic acids such as copper malonate, copper succinate and copper maleate, copper salts with aromatic carboxylic acids such as copper benzoate and copper salicylate, and copper acetate. , Copper trifluoroacetate, copper propionate, copper butyrate, copper isobutyrate, copper 2-methylbutyrate, copper 2-ethylbutyrate, copper valerate, copper isovalerate, copper pivalate, copper hexanoate, copper heptanoate, It has a monocarboxy group such as copper octanoate, copper 2-ethylhexanoate, copper nonanoate, copper formate, copper hydroxyacetate, copper glyoxylate, copper lactate, copper oxalate, copper tartrate, copper malate, copper citrate, etc. A copper salt with an organic acid is mentioned as a suitable compound. Note that copper formate may be anhydrous or hydrated. Examples of the hydrate of copper formate include tetrahydrate.

また、上述した銅とアセチルアセトン誘導体との錯塩としては、例えば、アセチルアセトナト銅、1,1,1−トリメチルアセチルアセトナト銅、1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルアセチルアセトナト銅、1,1,1−トリフルオロアセチルアセトナト銅、および1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅が好適な化合物として挙げられる。   Examples of the complex salt of copper and an acetylacetone derivative described above include acetylacetonato copper, 1,1,1-trimethylacetylacetonato copper, 1,1,1,5,5,5-hexamethylacetylacetonate. Copper, 1,1,1-trifluoroacetylacetonatocopper, and 1,1,1,5,5,5-hexafluoroacetylacetonatocopper are suitable compounds.

これらの中でも、還元剤または溶剤に対する溶解性や分散性、形成される配線の電気抵抗特性を考慮した場合、酢酸銅、プロピオン酸銅、イソ酪酸銅、吉草酸銅、イソ吉草酸銅、ギ酸銅、ギ酸銅四水和物、グリオキシル酸銅等の銅カルボン酸塩が好ましい。   Among these, considering the solubility and dispersibility in the reducing agent or solvent, and the electrical resistance characteristics of the formed wiring, copper acetate, copper propionate, copper isobutyrate, copper valerate, copper isovalerate, copper formate Copper carboxylates such as copper formate tetrahydrate and copper glyoxylate are preferred.

前記金属塩としては、形成される金属線の着色を抑える観点からは、銀白色の金属線を形成できる銀塩の使用が好ましい。また、金属塩としては、金属原子のマイグレーションを抑制する観点からは、銅塩の使用が好ましい。そして、銅塩の中でも、特に還元性に優れるギ酸銅が好ましい。ギ酸銅としては、無水和物でもよく、ギ酸銅四水和物でもよい。   As the metal salt, it is preferable to use a silver salt capable of forming a silver-white metal wire from the viewpoint of suppressing coloring of the formed metal wire. As the metal salt, it is preferable to use a copper salt from the viewpoint of suppressing migration of metal atoms. Of the copper salts, copper formate is particularly preferred because of its excellent reducibility. Copper formate may be anhydrous or copper formate tetrahydrate.

金属線形成組成物における金属塩の含有量としては、金属線形成組成物の全量に対して0.01質量%〜50質量%の範囲が好ましく、0.1質量%〜30質量%の範囲がより好ましい。金属塩の含有量を前記範囲とすることによって、安定かつ優れた導電性を有する配線を形成することができる。低抵抗値の配線を得る観点からは、金属塩の含有量は0.01質量%以上であることが好ましい。また、化学的に安定した金属線形成組成物を得る観点からは、金属塩の含有量が50質量%以下であることが好ましい。   As content of the metal salt in a metal wire formation composition, the range of 0.01 mass%-50 mass% is preferable with respect to the whole quantity of a metal wire formation composition, and the range of 0.1 mass%-30 mass% is preferable. More preferred. By setting the content of the metal salt in the above range, a wiring having stable and excellent conductivity can be formed. From the viewpoint of obtaining a low resistance wiring, the content of the metal salt is preferably 0.01% by mass or more. From the viewpoint of obtaining a chemically stable metal wire forming composition, the metal salt content is preferably 50% by mass or less.

<還元剤>
上述した金属線形成組成物は、金属塩に含まれる金属イオンを還元して金属単体とすることを目的として、上述した金属塩とともに、還元剤を含有することが好ましい。還元剤は、用いられる金属塩に含まれる金属イオンに対し還元性を有していれば特に限定するものではない。
<Reducing agent>
The metal line forming composition described above preferably contains a reducing agent together with the metal salt described above for the purpose of reducing the metal ions contained in the metal salt to form a simple metal. The reducing agent is not particularly limited as long as it has reducibility to the metal ion contained in the metal salt used.

前記還元剤としては、例えば、チオール基、ニトリル基、アミノ基、ヒドロキシ基およびヒドロキシカルボニル基からなる群より選ばれる1種または2種以上の官能基を有する単分子化合物や、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選ばれる1種または2種以上のヘテロ原子を分子構造内に有するポリマーが挙げられる。   Examples of the reducing agent include monomolecular compounds having one or more functional groups selected from the group consisting of thiol groups, nitrile groups, amino groups, hydroxy groups, and hydroxycarbonyl groups, nitrogen atoms, oxygen atoms And a polymer having in its molecular structure one or more heteroatoms selected from the group consisting of sulfur atoms.

前記単分子化合物としては、例えば、アルカンチオール類、アミン類、ヒドラジン類、モノアルコール類、ジオール類、ヒドロキシアミン類、α−ヒドロキシケトン類およびカルボン酸類が挙げられる。   Examples of the monomolecular compound include alkanethiols, amines, hydrazines, monoalcohols, diols, hydroxyamines, α-hydroxyketones and carboxylic acids.

前記ポリマーとしては、例えば、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコールおよびポリエチレンオキシドが挙げられる。   Examples of the polymer include polyvinyl pyrrolidone, polyethyleneimine, polyaniline, polypyrrole, polythiophene, polyacrylamide, polyacrylic acid, carboxymethylcellulose, polyvinyl alcohol, and polyethylene oxide.

これらの中でも、金属塩の溶解性等を考慮すると、アルカンチオール類およびアミン類からなる群より選ばれる1種以上が好ましい。   Among these, considering the solubility of the metal salt and the like, at least one selected from the group consisting of alkanethiols and amines is preferable.

上述のアルカンチオール類としては、例えば、エタンチオール、n−プロパンチオール、i−プロパンチオール、n−ブタンチオール、i−ブタンチオール、t−ブタンチオール、n−ペンタンチオール、n−ヘキサンチオール、n−ヘプタンチオール、n−オクタンチオール、2−エチルヘキサンチオールが挙げられる。   Examples of the alkanethiols include ethanethiol, n-propanethiol, i-propanethiol, n-butanethiol, i-butanethiol, t-butanethiol, n-pentanethiol, n-hexanethiol, n- Examples include heptane thiol, n-octane thiol, and 2-ethylhexane thiol.

また、上述のアミン類としてはアミン化合物を挙げることができ、例えば、3−(2−エチルヘキシルオキシ)プロピルアミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、i−プロピルアミン、n−ブチルアミン、i−ブチルアミン、t−ブチルアミン、n−ペンチルアミン、n−ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、2−エチルヘキシルアミン、2−エチルヘキシルプロピルアミン、3−エトキシプロピルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン、n−ウンデシルアミン、n−ドデシルアミン、n−トリデシルアミン、n−テトラデシルアミン、n−ペンタデシルアミン、n−ヘキサデシルアミン、ベンジルアミン、アミノアセトアルデヒドジエチルアセタール等のモノアミン化合物、エチレンジアミン、N−メチルエチレンジアミン、N,N’−ジメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、N−エチルエチレンジアミン、N,N’−ジエチルエチレンジアミン、1,3−プロパンジアミン、N,N’−ジメチル−1,3−プロパンジアミン、1,4−ブタンジアミン、N,N’−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、1,5−ペンタンジアミン、N,N’−ジメチル−1,5−ペンタンジアミン、1,6−ヘキサンジアミン、N,N’−ジメチル−1,6−ヘキサンジアミン、イソホロンジアミン等のジアミン化合物、ジエチレントリアミン、N,N,N’,N’’N’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、N−(アミノエチル)ピペラジン、N−(アミノプロピル)ピペラジン等のトリアミン化合物が挙げられる。   Examples of the amines include amine compounds such as 3- (2-ethylhexyloxy) propylamine, ethylamine, n-propylamine, i-propylamine, n-butylamine, i-butylamine, t -Butylamine, n-pentylamine, n-hexylamine, cyclohexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, 2-ethylhexylamine, 2-ethylhexylpropylamine, 3-ethoxypropylamine, n-nonylamine, n-decylamine Monoamine compounds such as n-undecylamine, n-dodecylamine, n-tridecylamine, n-tetradecylamine, n-pentadecylamine, n-hexadecylamine, benzylamine, aminoacetaldehyde diethyl acetal, Range amine, N-methylethylenediamine, N, N′-dimethylethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, N-ethylethylenediamine, N, N′-diethylethylenediamine, 1,3-propanediamine, N, N′-dimethyl-1,3-propanediamine, 1,4-butanediamine, N, N′-dimethyl-1,4-butanediamine, 1,5-pentanediamine, N, N′-dimethyl-1 , 5-pentanediamine, 1,6-hexanediamine, N, N′-dimethyl-1,6-hexanediamine, diamine compounds such as isophoronediamine, diethylenetriamine, N, N, N ′, N ″ N ″ − Pentamethyldiethylenetriamine, N- (aminoethyl) piperazine, N- (aminopropyl) piperazine, etc. Triamine compounds.

上述したヒドラジン類としては、例えば、1,1−ジ−n−ブチルヒドラジン、1,1−ジ−t−ブチルヒドラジン、1,1−ジ−n−ペンチルドラジン、1,1−ジ−n−ヘキシルヒドラジン、1,1−ジシクロヘキシルヒドラジン、1,1−ジ−n−ヘプチルヒドラジン、1,1−ジ−n−オクチルヒドラジン、1,1−ジ−(2−エチルヘキシル)ヒドラジン、1,1−ジフェニルヒドラジン、1,1−ジベンジルヒドラジン、1,2−ジ−n−ブチルヒドラジン、1,2−ジ−t−ブチルヒドラジン、1,2−ジ−n−ペンチルドラジン、1,2−ジ−n−ヘキシルヒドラジン、1,2−ジシクロヘキシルヒドラジン、1,2−ジ−n−ヘプチルヒドラジン、1,2−ジ−n−オクチルヒドラジン、1,2−ジ−(2−エチルヘキシル)ヒドラジン、1,2−ジフェニルヒドラジンおよび1,2−ジベンジルヒドラジンが挙げられる。   Examples of the hydrazines described above include 1,1-di-n-butylhydrazine, 1,1-di-t-butylhydrazine, 1,1-di-n-pentyldrazine, 1,1-di-n. -Hexylhydrazine, 1,1-dicyclohexylhydrazine, 1,1-di-n-heptylhydrazine, 1,1-di-n-octylhydrazine, 1,1-di- (2-ethylhexyl) hydrazine, 1,1- Diphenylhydrazine, 1,1-dibenzylhydrazine, 1,2-di-n-butylhydrazine, 1,2-di-t-butylhydrazine, 1,2-di-n-pentyldrazine, 1,2-di -N-hexylhydrazine, 1,2-dicyclohexylhydrazine, 1,2-di-n-heptylhydrazine, 1,2-di-n-octylhydrazine, 1,2-di- (2-ethylhexyl) ) Hydrazine, 1,2-diphenyl hydrazine and 1,2-benzyl hydrazine.

上述したモノアルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、n−プロピアルコール、i−プロピルアルコール、n−ブチルアルコール、i−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ターピネオールが挙げられる。   Examples of the monoalcohols described above include methanol, ethanol, n-propyl alcohol, i-propyl alcohol, n-butyl alcohol, i-butyl alcohol, sec-butyl alcohol, pentanol, hexanol, heptanol, octanol, and cyclohexanol. , Benzyl alcohol, and terpineol.

上述したジオール類としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,2−ブタンジオール、1,2−ペンタンジオール、1,2−ヘキサンジオール、2,3−ブタンジオール、2,3−ペンタンジオール、2,3−ヘキサンジオール、2,3−ヘプタンジオール、3,4−ヘキサンジオール、3,4−ヘプタンジオール、3,4−オクタンジオール、3,4−ノナンジオール、3,4−デカンジオール、4,5−オクタンジオール、4,5−ノナンジオール、4,5−デカンジオール、5,6−デカンジオール、3−N,N−ジメチルアミノ−1,2−プロパンジオール、3−N,N−ジエチルアミノ−1,2−プロパンジオール、3−N,N−ジ−n−プロピルアミノ−1,2−プロパンジオール、3−N,N−ジ−i−プロピルアミノ−1,2−プロパンジオール、3−N,N−ジ−n−ブチルアミノ−1,2−プロパンジオール、3−N,N−ジ−i−ブチルアミノ−1,2−プロパンジオールおよび3−N,N−ジ−t−ブチルアミノ−1,2−プロパンジオールが挙げられる。   Examples of the diols described above include ethylene glycol, propylene glycol, 1,2-butanediol, 1,2-pentanediol, 1,2-hexanediol, 2,3-butanediol, 2,3-pentanediol, 2,3-hexanediol, 2,3-heptanediol, 3,4-hexanediol, 3,4-heptanediol, 3,4-octanediol, 3,4-nonanediol, 3,4-decanediol, 4 , 5-octanediol, 4,5-nonanediol, 4,5-decanediol, 5,6-decanediol, 3-N, N-dimethylamino-1,2-propanediol, 3-N, N-diethylamino -1,2-propanediol, 3-N, N-di-n-propylamino-1,2-propanediol, 3-N, N-di- -Propylamino-1,2-propanediol, 3-N, N-di-n-butylamino-1,2-propanediol, 3-N, N-di-i-butylamino-1,2-propanediol And 3-N, N-di-t-butylamino-1,2-propanediol.

上述したヒドロキシアミン類としては、例えば、N,N−ジエチルヒドロキシルアミン、N,N−ジ−n−プロピルヒドロキシルアミン、N,N−ジ−n−ブチルヒドロキシルアミン、N,N−ジ−n−ペンチルヒドロキシルアミンおよびN,N−ジ−n−ヘキシルヒドロキシルアミンが挙げられる。   Examples of the hydroxyamines described above include N, N-diethylhydroxylamine, N, N-di-n-propylhydroxylamine, N, N-di-n-butylhydroxylamine, N, N-di-n- Mention may be made of pentylhydroxylamine and N, N-di-n-hexylhydroxylamine.

上述したα−ヒドロキシケトン類としては、例えば、ヒドロキシアセトン、1−ヒドロキシ−2−ブタノン、3−ヒドロキシ−2−ブタノン、1−ヒドロキシ−2−ペンタノン、3−ヒドロキシ−2−ペンタノン、2−ヒドロキシ−3−ペンタノン、3−ヒドロキシ−2−ヘキサノン、2−ヒドロキシ−3−ヘキサノン、4−ヒドロキシ−3−ヘキサノン、4−ヒドロキシ−3−ヘプタノン、3−ヒドロキシ−4−ヘプタノンおよび5−ヒドロキシ−4−オクタノンが挙げられる。   Examples of the α-hydroxy ketones described above include hydroxyacetone, 1-hydroxy-2-butanone, 3-hydroxy-2-butanone, 1-hydroxy-2-pentanone, 3-hydroxy-2-pentanone, and 2-hydroxy. -3-pentanone, 3-hydroxy-2-hexanone, 2-hydroxy-3-hexanone, 4-hydroxy-3-hexanone, 4-hydroxy-3-heptanone, 3-hydroxy-4-heptanone and 5-hydroxy-4 -Octanone.

上述したカルボン酸類としては、金属塩に対し還元性を有するものであれば特に限定するものではないが、例えば、ギ酸、ヒドロキシ酢酸、グリオキシル酸、乳酸、シュウ酸、酒石酸、リンゴ酸およびクエン酸が挙げられる。   The carboxylic acids described above are not particularly limited as long as they have a reducing property with respect to metal salts. For example, formic acid, hydroxyacetic acid, glyoxylic acid, lactic acid, oxalic acid, tartaric acid, malic acid, and citric acid can be used. Can be mentioned.

以上の還元剤は、上述の金属塩の種類に応じて、これを還元できるものを1種または2種以上、適宜選択または組み合わせて用いることができる。例えば、金属塩としてギ酸銅を用いる場合、還元剤はアミン化合物が好ましく、2−エチルヘキシルプロピルアミンおよび3−エトキシプロピルアミンがより好ましい。   The above reducing agents can be used by appropriately selecting or combining one or two or more of those capable of reducing them according to the kind of the metal salt. For example, when copper formate is used as the metal salt, the reducing agent is preferably an amine compound, more preferably 2-ethylhexylpropylamine or 3-ethoxypropylamine.

上述した金属線形成組成物における還元剤の含有量としては、金属線形成組成物の全量に対して、1質量%〜99質量%の範囲が好ましく、10質量%〜90質量%の範囲がより好ましい。還元剤の含有量を1質量%〜99質量%の範囲とすることによって、高精度にパターニングされた高精細の金属線を形成できる。またさらに、10質量%〜90質量%の範囲とすることによって、下地となる層との密着性に優れた金属線を形成することができる。   As content of the reducing agent in the metal wire formation composition mentioned above, the range of 1 mass%-99 mass% is preferable with respect to the whole quantity of a metal wire formation composition, and the range of 10 mass%-90 mass% is more. preferable. By setting the content of the reducing agent in the range of 1% by mass to 99% by mass, a high-definition metal wire patterned with high accuracy can be formed. Furthermore, the metal wire excellent in adhesiveness with the layer used as a foundation | substrate can be formed by setting it as the range of 10 mass%-90 mass%.

<金属微粒子>
上述した金属線形成組成物は、金属塩の還元析出速度を向上させる目的、または、金属線形成組成物の粘度を調節する目的で、金属微粒子を含有することができる。
<Metal fine particles>
The metal line forming composition described above can contain metal fine particles for the purpose of improving the reduction precipitation rate of the metal salt or adjusting the viscosity of the metal line forming composition.

金属微粒子としては、特に限定されるものではないが、該粒子の導電性と安定性の観点からは、例えば、金、銀、銅、白金およびパラジウムからなる群より選ばれる1種または2種以上の金属種を含有する粒子であることが好ましい。これらの金属種は、単体であってもその他の金属との合金であってもよい。これらの金属種が単体である場合、好ましい金属微粒子としては、金微粒子、銀微粒子、銅微粒子、白金微粒子およびパラジウム微粒子からなる群より選択される少なくとも1種または2種以上の組み合わせが挙げられる。   The metal fine particles are not particularly limited, but from the viewpoint of the conductivity and stability of the particles, for example, one or more selected from the group consisting of gold, silver, copper, platinum and palladium It is preferable that the particles contain the above metal species. These metal species may be simple substances or alloys with other metals. When these metal species are simple substances, preferable metal fine particles include at least one kind or a combination of two or more kinds selected from the group consisting of gold fine particles, silver fine particles, copper fine particles, platinum fine particles and palladium fine particles.

前記金属微粒子の中でもコスト面、入手の容易さ、および配線を形成するときの触媒能から、銀、銅およびパラジウムからなる群より選ばれる1種または2種以上の金属種を含有する金属微粒子が好ましい。これら以外の金属微粒子を使用してもよいが、例えば、金属塩に銅塩を用いた場合、銅イオンにより金属微粒子が酸化を受けたり、触媒能が低下して銅塩から金属銅への還元析出速度が低下したりするおそれがあるため、上述した金属微粒子を使用することがより好ましい。   Among the metal fine particles, there are metal fine particles containing one or more metal species selected from the group consisting of silver, copper and palladium from the viewpoint of cost, availability, and catalytic ability when forming wiring. preferable. Metal fine particles other than these may be used. For example, when a copper salt is used as the metal salt, the metal fine particles are oxidized by copper ions, or the catalytic ability is reduced to reduce the copper salt to metal copper. Since the deposition rate may be reduced, it is more preferable to use the metal fine particles described above.

前記金属微粒子の平均粒子径は、0.01μm〜5μmの範囲であることが好ましい。金属表面の活性が高くなって酸化反応が生じることを防止する観点、および、金属微粒子同士の凝集を防止する観点から、金属微粒子の粒子径は上記のように0.01μm以上が好ましい。また、高精細な金属線を形成する観点から、金属微粒子の平均粒子径は上記のように5μm以下であることが好ましい。   The average particle size of the metal fine particles is preferably in the range of 0.01 μm to 5 μm. From the viewpoint of preventing the metal surface activity from increasing and causing an oxidation reaction, and from the viewpoint of preventing aggregation of the metal fine particles, the particle diameter of the metal fine particles is preferably 0.01 μm or more as described above. From the viewpoint of forming a high-definition metal wire, the average particle size of the metal fine particles is preferably 5 μm or less as described above.

前記平均粒子径の測定方法は以下の通りである。   The method for measuring the average particle size is as follows.

透過型電子顕微鏡(TEM)、電界放射型透過電子顕微鏡(FE−TEM)、電界放射型走査電子顕微鏡(FE−SEM)等の顕微鏡を用いて観測された視野の中から、任意に3箇所選択し、粒径測定に最も適した倍率で撮影する。得られた各々の写真から、任意に粒子を100個選択し、粒子の長軸を透過型電子顕微鏡(TEM)、電界放射型透過電子顕微鏡(FE−TEM)、電界放射型走査電子顕微鏡(FE−SEM)等で測定し、測定倍率を除して粒子径を算出し、これらの値を算術平均することにより求めることができる。また、標準偏差については、上述の観察時に個々の金属微粒子の粒子径と数により求めることができる。   Select any three locations from the field of view observed using a microscope such as a transmission electron microscope (TEM), a field emission transmission electron microscope (FE-TEM), or a field emission scanning electron microscope (FE-SEM). Then, shoot at the most suitable magnification for particle size measurement. From each of the obtained photographs, 100 particles were arbitrarily selected, and the long axis of the particles was selected from transmission electron microscope (TEM), field emission transmission electron microscope (FE-TEM), field emission scanning electron microscope (FE). -SEM) or the like, the particle size is calculated by dividing the measurement magnification, and these values can be obtained by arithmetic averaging. Further, the standard deviation can be obtained from the particle diameter and number of individual metal fine particles during the above observation.

前記金属微粒子は市販のものでもよいし、公知の方法により合成したものでもよく、特に限定されない。公知の合成方法としては、例えば、スパッタリング法やガス中蒸着法等の気相法(乾式法)や、金属化合物溶液を表面保護剤の存在下、還元して金属微粒子を析出させる等の液相法(湿式法)が挙げられる。   The metal fine particles may be commercially available or may be synthesized by a known method, and are not particularly limited. As a known synthesis method, for example, a gas phase method (dry method) such as a sputtering method or an in-gas deposition method, or a liquid phase in which a metal compound solution is reduced in the presence of a surface protective agent to precipitate metal fine particles. Method (wet method).

金属微粒子中の金属純度については特に限定するものではないが、低純度であると得られる配線の導電性に悪影響を与えるおそれがあるため、95%以上が好ましく、99%以上がより好ましい。   The metal purity in the metal fine particles is not particularly limited, but is preferably 95% or more, and more preferably 99% or more, because the low purity may adversely affect the conductivity of the resulting wiring.

金属線形成組成物における金属微粒子の含有量としては、金属線形成組成物の全量に対して、0質量%〜60質量%の範囲が好ましく、1質量%〜40質量%がより好ましく、1質量%〜20質量%の範囲が特に好ましい。   As content of the metal fine particle in a metal wire formation composition, the range of 0 mass%-60 mass% is preferable with respect to the whole quantity of a metal wire formation composition, 1 mass%-40 mass% are more preferable, 1 mass A range of% to 20% by mass is particularly preferable.

<溶剤>
上述した金属線形成組成物は、該金属線形成組成物の粘度を調節して金属線の生産性を向上させる観点や、均一な形状の金属線を得る観点から、溶剤を含有することが好ましい。
<Solvent>
The metal wire forming composition described above preferably contains a solvent from the viewpoint of adjusting the viscosity of the metal wire forming composition to improve the productivity of the metal wire and obtaining a uniform shaped metal wire. .

溶剤としては、金属線形成組成物中の各成分を溶解または分散することができるものであり、金属塩の還元反応に関与しない有機溶媒が挙げられる。具体的には、エーテル類、エステル類、脂肪族炭化水素類および芳香族炭化水素類からなる群より選ばれる1種または相溶性のある2種以上の混合物が挙げられる。   Examples of the solvent include an organic solvent that can dissolve or disperse each component in the metal wire forming composition and does not participate in the reduction reaction of the metal salt. Specifically, one type selected from the group consisting of ethers, esters, aliphatic hydrocarbons and aromatic hydrocarbons or a mixture of two or more types compatible with each other can be used.

エーテル類、脂肪族炭化水素類および芳香族炭化水素類としては、上述した感放射線性組成物の[B]溶剤として例示した化合物等が挙げられる。   Examples of ethers, aliphatic hydrocarbons, and aromatic hydrocarbons include compounds exemplified as the [B] solvent of the radiation-sensitive composition described above.

エステル類としては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、γ−ブチロラクトン、その他、上述した感放射線性組成物の[B]溶剤として例示した化合物が挙げられる。   Examples of the esters include methyl formate, ethyl formate, butyl formate, γ-butyrolactone, and other compounds exemplified as the [B] solvent of the radiation-sensitive composition described above.

これら有機溶剤のうち、特に金属線形成組成物の粘度の調整の容易さの観点から、エーテル類が好ましく、特にヘキシルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等が好ましい。   Of these organic solvents, ethers are preferable, particularly hexyl methyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and the like from the viewpoint of easy adjustment of the viscosity of the metal wire-forming composition.

金属線形成組成物に含有される溶剤の含有量は、金属線形成組成物の全量に対して0質量%〜95質量%の範囲であることが好ましく、1質量%〜70質量%の範囲であることがより好ましく、10質量%〜50質量%の範囲であることが特に好ましい。   The content of the solvent contained in the metal wire forming composition is preferably in the range of 0% by mass to 95% by mass with respect to the total amount of the metal wire forming composition, and in the range of 1% by mass to 70% by mass. More preferably, it is particularly preferably in the range of 10% by mass to 50% by mass.

金属線形成組成物は、上述の各成分を混合することで製造することができる。その場合の混合方法としては、特に限定するものではないが、例えば、攪拌羽による攪拌、スターラーおよび攪拌子による攪拌、沸盪器による攪拌、超音波(ホモジナイザー)による攪拌が挙げられる。攪拌条件としては、例えば、攪拌羽による攪拌の場合、攪拌羽の回転速度が、通常1rpm〜4000rpmの範囲、好ましくは100rpm〜2000rpmの範囲である。   A metal wire formation composition can be manufactured by mixing each above-mentioned ingredient. In this case, the mixing method is not particularly limited, and examples thereof include stirring with a stirring blade, stirring with a stirrer and a stirrer, stirring with a shaker, and stirring with ultrasonic waves (homogenizer). As stirring conditions, for example, in the case of stirring with stirring blades, the rotation speed of the stirring blades is usually in the range of 1 rpm to 4000 rpm, preferably in the range of 100 rpm to 2000 rpm.

〔偏光素子〕
本発明の実施形態の偏光素子は、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法を用いて製造されたワイヤーグリッド型の偏光素子である。本発明の実施形態の偏光素子は、金属線からなる金属格子の周期が10nm〜200nmであることを特徴とする。
(Polarizing element)
The polarizing element of embodiment of this invention is a wire grid type polarizing element manufactured using the manufacturing method of the base material which has a metal wire of embodiment of this invention. The polarizing element of the embodiment of the present invention is characterized in that the period of the metal grating made of the metal wire is 10 nm to 200 nm.

本発明の実施形態の偏光素子は、図1〜図5を用いて説明した本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法にしたがって製造することができる。すなわち、本発明の実施形態の偏光素子は、上述した本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法と同様の、下記(i)〜(iv)の工程を含む製造方法によって製造することができる。
(i)酸解離性基を有する重合体と酸発生剤とを含む膜形成組成物の塗膜を基材上に形成する工程
(ii)前記塗膜の所定部分に放射線照射を行う工程
(iii)前記放射線照射がなされた塗膜上に、線幅0.1μm以上20μm以下、すなわち、線幅0.1μm〜20μmの金属線形成組成物の層を設ける工程
(iv)前記金属線形成組成物の層を加熱する工程
The polarizing element of embodiment of this invention can be manufactured according to the manufacturing method of the base material which has a metal wire of embodiment of this invention demonstrated using FIGS. That is, the polarizing element of the embodiment of the present invention is manufactured by the manufacturing method including the following steps (i) to (iv), which is the same as the above-described manufacturing method of the substrate having the metal wire of the embodiment of the present invention. be able to.
(I) The process of forming the coating film of the film forming composition containing the polymer which has an acid dissociable group, and an acid generator on a base material (ii) The process of irradiating a predetermined part of the said coating film with radiation (iii) ) A step of providing a layer of a metal line forming composition having a line width of 0.1 μm or more and 20 μm or less, ie, a line width of 0.1 μm to 20 μm, on the coating film that has been irradiated with radiation (iv) The metal line forming composition Heating the layer

そして、上記(ii)の工程は、前記放射線照射後の塗膜を加熱する工程を含むことができる。   And the process of said (ii) can include the process of heating the coating film after the said radiation irradiation.

したがって、本発明の実施形態の偏光素子は、例えば、図5に示した金属線を有する基板と同様の構造を有する。より具体的には、本発明の実施形態の偏光素子は、例えば、図5に示した金属線を有する基板を用いて構成することができる。したがって、本発明の実施形態の偏光素子の構成について図面を用いて説明する場合、図5等の金属線を有する基板と共通する構成要素については、同一の符号を付し、重複する詳細な説明は省略する。   Therefore, the polarizing element according to the embodiment of the present invention has the same structure as the substrate having a metal wire shown in FIG. 5, for example. More specifically, the polarizing element according to the embodiment of the present invention can be configured using, for example, a substrate having a metal wire shown in FIG. Therefore, when the configuration of the polarizing element according to the embodiment of the present invention is described with reference to the drawings, the same reference numerals are given to the same components as those of the substrate having a metal wire in FIG. Is omitted.

図6は、本発明の実施形態の偏光素子の構成を模式的に示す平面図である。   FIG. 6 is a plan view schematically showing the configuration of the polarizing element of the embodiment of the present invention.

図7は、本発明の実施形態の偏光素子の断面構造を模式的に示す図である。   FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of the polarizing element according to the embodiment of the present invention.

図6および図7に示す本発明の実施形態の偏光素子100は、基材の例となる基板1上に金属線101からなる金属格子を設けて構成される。この金属格子は、上述したように、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法にしたがって基板1上に形成されたものである。金属格子は、互いに略平行となるように複数の極細い金属線101を略一定の周期で配列した構造を有する。そして、その金属線101はそれぞれ、上述した図5の金属線形成材料の層から形成されたパターン6に対応し、金属線として用いられたものである。   A polarizing element 100 according to an embodiment of the present invention shown in FIGS. 6 and 7 is configured by providing a metal grid made of metal wires 101 on a substrate 1 as an example of a base material. As described above, the metal grid is formed on the substrate 1 according to the method for manufacturing the base material having the metal wire according to the embodiment of the present invention. The metal lattice has a structure in which a plurality of extremely thin metal wires 101 are arranged at a substantially constant period so as to be substantially parallel to each other. Each of the metal wires 101 corresponds to the pattern 6 formed from the metal wire forming material layer of FIG. 5 described above, and is used as a metal wire.

そして、金属線101は、上述した金属線形成材料を用い、図6および図7に示すように、撥液性の凸部12とそれより親液性の凹部13とを有する基板1上で、凹部13に沿うように形成されている。尚、基板1上の凸部12は、上述したように感放射線性組成物から形成されて光透過性を有することができ、基板1上に光透過性の領域を形成することができる。また、図7に示す例では、図3〜図5と同様に凹部13の底部であって金属線101の下に、層103が配置されている。凹部13の層103は、上述した図2の放射線放射部3が図3の加熱工程によって加熱されて形成されたものと同様であり、凹部13に親液性を付与できる下地層となる。   And the metal wire 101 uses the metal wire forming material mentioned above, and as shown in FIG.6 and FIG.7, on the board | substrate 1 which has the liquid-repellent convex part 12 and the lyophilic concave part 13 from it, It is formed along the recess 13. In addition, the convex part 12 on the board | substrate 1 is formed from a radiation sensitive composition as mentioned above, can have a light transmittance, and can form a light transmissive area | region on the board | substrate 1. FIG. In the example shown in FIG. 7, the layer 103 is disposed at the bottom of the recess 13 and below the metal wire 101 as in FIGS. 3 to 5. The layer 103 of the concave portion 13 is the same as that formed by heating the radiation emitting portion 3 of FIG. 2 described above by the heating step of FIG. 3, and serves as a base layer that can impart lyophilicity to the concave portion 13.

本発明の実施形態の偏光素子100において、金属線101の線幅は、線幅0.1μm〜20μmであることが好ましく、金属線101からなる金属格子の周期は0.1μmより大きく200μm以下であることが好ましい。   In the polarizing element 100 of the embodiment of the present invention, the line width of the metal wire 101 is preferably 0.1 μm to 20 μm, and the period of the metal grating made of the metal wire 101 is greater than 0.1 μm and less than 200 μm. Preferably there is.

偏光素子100において、金属線101間の間隔、すなわち、金属格子の周期は、偏光対象である光の波長よりもかなり小さい必要がある。これにより、偏光板等の偏光素子として使用することができる。尚、偏光板とは、板状体に限定されず、シート状体、フィルム状体などの他の形態も含むものとする。   In the polarizing element 100, the interval between the metal lines 101, that is, the period of the metal grating needs to be considerably smaller than the wavelength of the light to be polarized. Thereby, it can be used as a polarizing element such as a polarizing plate. The polarizing plate is not limited to a plate-like body, and includes other forms such as a sheet-like body and a film-like body.

このような構成の偏光素子101においては、金属線101の長手方向と略平行な光成分(A)は、金属線101が金属として機能して反射される。一方、金属線101の長手方向と略直交する光成分(B)は透過する。すなわち、偏光素子101は、光成分(B)に関しては金属線101が存在していても透明体として機能する。このため、偏光素子101 は、偏光対象の光の一部を金属線101で反射し、残りを透過させることにより、偏光機能を発揮する。   In the polarizing element 101 having such a configuration, the light component (A) substantially parallel to the longitudinal direction of the metal wire 101 is reflected by the metal wire 101 functioning as a metal. On the other hand, the light component (B) substantially orthogonal to the longitudinal direction of the metal wire 101 is transmitted. That is, the polarizing element 101 functions as a transparent body with respect to the light component (B) even if the metal wire 101 exists. For this reason, the polarizing element 101 exhibits a polarizing function by reflecting a part of the light to be polarized by the metal wire 101 and transmitting the remaining light.

本発明の実施形態の偏光素子100は、反射型の偏光素子を構成することができ、従来知られた偏光板等の吸収型の偏光素子と比べて光の利用効率の点で優れている。   The polarizing element 100 according to the embodiment of the present invention can constitute a reflective polarizing element, and is superior in terms of light utilization efficiency as compared with a conventionally known absorbing polarizing element such as a polarizing plate.

〔電極基板〕
本発明の実施形態の電極基板は、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法を用いて製造され、極細い金属線を格子状に配列して構成された金属電極を有する電極基板である。本発明の実施形態の電極基板は、電極を構成する金属線の線幅が、線幅0.1μm〜20μmであることを特徴とする。
[Electrode substrate]
An electrode substrate according to an embodiment of the present invention is manufactured using the method for manufacturing a base material having a metal wire according to an embodiment of the present invention, and has an electrode having a metal electrode configured by arranging extremely thin metal wires in a grid pattern. It is a substrate. The electrode substrate according to the embodiment of the present invention is characterized in that the metal line constituting the electrode has a line width of 0.1 μm to 20 μm.

本発明の実施形態の電極基板は、上述したように、図1〜図5を用いて説明した本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法にしたがって製造することができる。すなわち、本発明の実施形態の偏光素子は、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法と同様の、下記(i)〜(iv)の工程を含む製造方法によって製造することができる。
(i)酸解離性基を有する重合体と酸発生剤とを含む膜形成組成物の塗膜を基材上に形成する工程
(ii)前記塗膜の所定部分に放射線照射を行う工程
(iii)前記放射線照射がなされた塗膜上に、線幅0.1μm以上20μm以下、すなわち、線幅0.1μm〜20μmの金属線形成組成物の層を設ける工程
(iv)前記金属線形成組成物の層を加熱する工程
As described above, the electrode substrate according to the embodiment of the present invention can be manufactured according to the method for manufacturing a base material having a metal wire according to the embodiment of the present invention described with reference to FIGS. That is, the polarizing element of the embodiment of the present invention can be manufactured by the manufacturing method including the following steps (i) to (iv), which is the same as the manufacturing method of the substrate having the metal wire of the embodiment of the present invention. it can.
(I) The process of forming the coating film of the film forming composition containing the polymer which has an acid dissociable group, and an acid generator on a base material (ii) The process of irradiating a predetermined part of the said coating film with radiation (iii) ) A step of providing a layer of a metal line forming composition having a line width of 0.1 μm or more and 20 μm or less, that is, a line width of 0.1 μm to 20 μm, on the coating film that has been irradiated with radiation (iv) The metal line forming composition Heating the layer

そして、上記(ii)の工程は、前記放射線照射後の塗膜を加熱する工程を含むことができる。   And the process of said (ii) can include the process of heating the coating film after the said radiation irradiation.

したがって、本発明の実施形態の電極基板は、例えば、図5に示した金属線を有する基板と共通する構成要素を含み、類似した構造を有する。そのため、本発明の実施形態の電極基板の構成について図面を用いて説明する場合、図5等の金属線を有する基板と共通する構成要素については、同一の符号を付し、重複する詳細な説明は省略する。   Therefore, the electrode substrate according to the embodiment of the present invention includes, for example, components common to the substrate having the metal wire shown in FIG. 5 and has a similar structure. Therefore, when the configuration of the electrode substrate of the embodiment of the present invention is described with reference to the drawings, the same reference numerals are given to the same components as those of the substrate having metal wires in FIG. Is omitted.

図8は、本発明の実施形態の電極基板の構成を模式的に示す平面図である。   FIG. 8 is a plan view schematically showing the configuration of the electrode substrate according to the embodiment of the present invention.

図9は、本発明の実施形態の電極基板の断面構造を模式的に示す図である。   FIG. 9 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of the electrode substrate according to the embodiment of the present invention.

図8および図9に示す本発明の実施形態の電極基板200は、基材の例となる光透過性の基板1上に金属線201を格子状に配列して構成される。この格子状の金属線201は、上述したように、本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法にしたがって基板1上に形成されたものである。すなわち、金属線201はそれぞれ、上述した図5の金属線形成材料の層から形成されたパターン6に対応し、金属線として用いられたものである。   The electrode substrate 200 according to the embodiment of the present invention shown in FIGS. 8 and 9 is configured by arranging metal wires 201 in a grid pattern on a light-transmitting substrate 1 as an example of a base material. As described above, the grid-like metal wire 201 is formed on the substrate 1 according to the method for manufacturing a base material having a metal wire according to the embodiment of the present invention. That is, each of the metal lines 201 corresponds to the pattern 6 formed from the above-described layer of the metal line forming material in FIG. 5 and is used as a metal line.

そして、金属線201は、上述した金属線形成材料を用い、図8および図9に示すように、撥液性の凸部12とそれより親液性の凹部13とを有する基板1上で、凹部13に沿うように形成されている。このとき、本発明の実施形態の電極基板200は、その製造に用いられる本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法の工程(ii)において、格子状に配列された金属線201と同様の形状の放射線照射部3が形成されるように、格子状のパターンを有するフォトマスクを介して、または直描式露光装置を用いて格子状のパターンが描画露光される。その結果、図9に示す例においては、凹部13が、図8に示した金属線201の格子状の配列に対応すべく、格子状に形成されている。そして、基板1上の凸部12は、上述したように感放射線性組成物から形成されて光透過性を有することができ、基板1上に光透過性の領域を形成することができる。   And the metal wire 201 uses the metal wire forming material mentioned above, and as shown in FIG.8 and FIG.9, on the board | substrate 1 which has the liquid-repellent convex part 12 and the lyophilic concave part 13 from it, It is formed along the recess 13. At this time, the electrode substrate 200 according to the embodiment of the present invention has the metal wires 201 arranged in a grid pattern in the step (ii) of the manufacturing method of the base material having the metal wires according to the embodiment of the present invention used for the manufacture thereof. The grid pattern is drawn and exposed through a photomask having a grid pattern or by using a direct drawing type exposure apparatus so that the radiation irradiation section 3 having the same shape as that shown in FIG. As a result, in the example shown in FIG. 9, the recesses 13 are formed in a lattice shape so as to correspond to the lattice-like arrangement of the metal wires 201 shown in FIG. And the convex part 12 on the board | substrate 1 is formed from a radiation sensitive composition as mentioned above, can have a light transmittance, and can form a light transmissive area | region on the board | substrate 1. FIG.

また、図9に示す例では、図3〜図5と同様に凹部13の底部であって金属線101の下に、層203が配置されている。凹部13の層203は、上述した図2の放射線放射部3が図3の加熱工程によって加熱されて形成されたものと同様であり、凹部13に親液性を付与できる下地層となる。   In the example shown in FIG. 9, the layer 203 is disposed at the bottom of the recess 13 and below the metal wire 101 as in FIGS. 3 to 5. The layer 203 of the concave portion 13 is the same as that formed by heating the radiation emitting portion 3 of FIG. 2 described above by the heating step of FIG. 3, and serves as an underlayer capable of imparting lyophilicity to the concave portion 13.

本発明の実施形態の電極基板200において、金属線201の線幅は、0.1μm〜20μmであることが好ましい。そして、互いに略平行となる複数の金属線201の配列周期は、図8の縦方向に伸びる複数の金属線201および横方向に伸びる複数の金属線201のいずれにおいても、金属線201の線幅の5倍〜10倍程度に設定されることが好ましい。すなわち、金属線201の線幅が100nm(0.1μm)である場合、複数の金属線201の配列周期は、500nm(0.5μm)〜1000nm(1μm)であることが好ましい。このように金属線201の線幅と配列周期を設定することにより、本発明の実施形態の電極基板200は、60%〜80%程度の高い可視光透過率を実現することが可能となる。   In the electrode substrate 200 of the embodiment of the present invention, the line width of the metal wire 201 is preferably 0.1 μm to 20 μm. The arrangement period of the plurality of metal lines 201 that are substantially parallel to each other is equal to the line width of the metal lines 201 in both the plurality of metal lines 201 extending in the vertical direction and the plurality of metal lines 201 extending in the horizontal direction in FIG. Is preferably set to about 5 to 10 times. That is, when the metal line 201 has a line width of 100 nm (0.1 μm), the arrangement period of the plurality of metal lines 201 is preferably 500 nm (0.5 μm) to 1000 nm (1 μm). By setting the line width and arrangement period of the metal wires 201 in this way, the electrode substrate 200 according to the embodiment of the present invention can achieve a high visible light transmittance of about 60% to 80%.

したがって、本発明の実施形態の電極基板200は、光透過性の基板1上に、線幅0.1μm〜20μmの極細い金属線を格子状に設けることにより、高い開口率を実現できる。そして、電極基板200は、導電性に優れた金属電極を備えるとともに光透過性に優れ、透過型の表示素子用として、表示素子の製造に用いることができる。   Therefore, the electrode substrate 200 according to the embodiment of the present invention can achieve a high aperture ratio by providing ultrafine metal wires with a line width of 0.1 μm to 20 μm in a grid pattern on the light transmissive substrate 1. The electrode substrate 200 includes a metal electrode having excellent conductivity and excellent light transmittance, and can be used for manufacturing a display element for a transmissive display element.

その結果、本発明の実施形態の電極基板200は、原材料の枯渇が懸念されるITOを電極に用いたITO付電極基板の代替が可能となる。   As a result, the electrode substrate 200 according to the embodiment of the present invention can be substituted for the electrode substrate with ITO using ITO as an electrode, which is feared to be depleted of raw materials.

以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、本発明は、この実施例に限定的して解釈されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is explained in full detail based on an Example, this invention is limited to this Example and is not interpreted.

[GPC分析]
重合体(A)および重合体(PA)の重量平均分子量(Mw)および分子量分布(Mw/Mn)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC、東ソー(株)製、商品名:HLC−8220)法を用いて、テトラヒドロフラン(THF)溶媒の条件下、ポリスチレン換算で測定した。
・測定方法:ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法
・標準物質:ポリスチレン換算
・装置 :東ソー(株)製、商品名:HLC−8220
・カラム :東ソー(株)製ガードカラムHXL−H、TSK gel G7000HXL、TSK gel GMHXL 2本、TSK gel G2000HXLを順次連結したもの
・溶媒 :テトラヒドロフラン
・サンプル濃度:0.7質量%
・注入量 :70μL
・流速 :1mL/min
[GPC analysis]
The weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymer (A) and the polymer (PA) were determined by gel permeation chromatography (GPC, manufactured by Tosoh Corporation, trade name: HLC-8220). Was measured in terms of polystyrene under conditions of tetrahydrofuran (THF) solvent.
Measurement method: Gel permeation chromatography (GPC) method Standard material: Polystyrene conversion Device: Tosoh Co., Ltd., trade name: HLC-8220
Column: Tosoh Co., Ltd. guard column H XL- H, TSK gel G7000H XL , TSK gel GMH XL , TSK gel G2000H XL sequentially connected Solvent: tetrahydrofuran Sample concentration: 0.7% by mass
・ Injection volume: 70 μL
・ Flow rate: 1mL / min

H−NMRの測定]
H−NMRは、核磁気共鳴装置(Bruker製 AVANCEIII AV400N)で25℃、CDCLで測定した。
[Measurement of 1 H-NMR]
1 H-NMR was measured at 25 ° C. and CDCL 3 with a nuclear magnetic resonance apparatus (AVANCE III AV400N manufactured by Bruker).

本実施例では、上述した本発明の実施形態の[A]酸解離性基を有する重合体の例である重合体(以下、[A]重合体という。)を合成した。   In this example, a polymer (hereinafter referred to as [A] polymer) which was an example of the polymer having an [A] acid dissociable group according to the embodiment of the present invention described above was synthesized.

<[A]重合体の合成>
[合成例1]
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)8質量部、2,4−ジフェニル−4−メチル−1−ペンテン2質量部、および、ジエチレングリコールジメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸2−ヒドロキシエチル42質量部、メタクリル酸ベンジル58質量部を仕込み、窒素雰囲気下、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を4時間保持して重合することにより、共重合体である重合体(A−1)を含有する溶液を得た(固形分濃度=34.6質量%、Mw=26000、Mw/Mn=2.2)。尚、固形分濃度は共重合体溶液の全質量に占める共重合体質量の割合を意味する。
<[A] Synthesis of polymer>
[Synthesis Example 1]
In a flask equipped with a condenser and a stirrer, 8 parts by mass of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate), 2 parts by mass of 2,4-diphenyl-4-methyl-1-pentene, and diethylene glycol 200 parts by mass of dimethyl ether was charged. Subsequently, 42 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate and 58 parts by mass of benzyl methacrylate were charged, the temperature of the solution was raised to 80 ° C. while gently stirring in a nitrogen atmosphere, and this temperature was maintained for 4 hours for polymerization. As a result, a solution containing the polymer (A-1) as a copolymer was obtained (solid content concentration = 34.6% by mass, Mw = 26000, Mw / Mn = 2.2). In addition, solid content concentration means the ratio of the copolymer mass which occupies for the total mass of a copolymer solution.

次いで、得られた重合体(A−1)を含む溶液10質量部に、ジエチレングリコールジメチルエーテル13質量部、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−トリデカフルオロ−1−ビニルオキシオクタン4.8質量部を加え、十分に攪拌した後、トリフルオロ酢酸0.27質量部を加え、窒素雰囲気下、80℃で9時間反応させた。続いて反応溶液を室温まで冷却し、ピリジン0.3質量部を加え反応をクエンチした。得られた反応溶液を大過剰のメタノールに滴下することにより再沈殿精製を行い、続いて10質量部のジエチレングリコールジメチルエーテルに溶解させた後、大過剰のヘキサンに滴下することにより再沈殿精製を行い、乾燥後、白色固形状の共重合体として[A]重合体(P−1)が6.8質量部得られた。得られた[A]重合体(P−1)についてH−NMRを用いて分析を行い、アセタール化が進行していることを確認した(化学シフト:4.80ppm、アセタール基C−H)。 Next, to 10 parts by mass of the solution containing the obtained polymer (A-1), 13 parts by mass of diethylene glycol dimethyl ether, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8, After adding 4.8 parts by mass of 8-tridecafluoro-1-vinyloxyoctane and stirring sufficiently, 0.27 parts by mass of trifluoroacetic acid was added and reacted at 80 ° C. for 9 hours in a nitrogen atmosphere. Subsequently, the reaction solution was cooled to room temperature, and 0.3 parts by mass of pyridine was added to quench the reaction. The resulting reaction solution is purified by reprecipitation by adding dropwise to a large excess of methanol, and subsequently dissolved in 10 parts by mass of diethylene glycol dimethyl ether, followed by reprecipitation purification by adding dropwise to a large excess of hexane, After drying, 6.8 parts by mass of [A] polymer (P-1) was obtained as a white solid copolymer. The obtained [A] polymer (P-1) was analyzed using 1 H-NMR to confirm that acetalization had progressed (chemical shift: 4.80 ppm, acetal group C—H). .

<感放射線性組成物の調製>
[実施例1]
上記合成例1で得られた[A]重合体(P−1)を100質量部、[C]酸発生剤としてN−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルを2質量部、[D]増感剤として2−イソプロピルチオキサントンを1質量部、および、[E]クエンチャーとして2−フェニルベンゾイミダゾールを混合し、界面活性剤としてポリフローNo75(共栄社化学(株)製)0.1質量部を加え、固形分濃度が20質量%となるように、それぞれ[B]溶剤として、ジエチレングリコールジメチルエーテルを加えた後、孔径0.5μmのミリポアフィルタでろ過することにより、感放射線性組成物を調製した。
<Preparation of radiation-sensitive composition>
[Example 1]
100 parts by mass of [A] polymer (P-1) obtained in Synthesis Example 1 above, 2 parts by mass of N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonic acid ester as [C] acid generator, and [D] increase 1 part by mass of 2-isopropylthioxanthone as a sensitizer and 2-phenylbenzimidazole as an [E] quencher are mixed, and 0.1 part by mass of Polyflow No75 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) is added as a surfactant. Then, after adding diethylene glycol dimethyl ether as a [B] solvent so that the solid content concentration was 20% by mass, a radiation sensitive composition was prepared by filtering with a Millipore filter having a pore size of 0.5 μm.

<金属線形成組成物>
銀からなる金属線を形成するための金属線(銀線)形成組成物として、金属線(銀線)形成インクであるハリマ化成社製のNPS−JLを使用した。
<Metal wire forming composition>
As a metal wire (silver wire) forming composition for forming a metal wire made of silver, NPS-JL manufactured by Harima Kasei Co., Ltd., which is a metal wire (silver wire) forming ink, was used.

<膜評価>
[実施例2]
実施例1で調製した感放射線性組成物を用いて膜形成を行い、以下の評価を実施した。
<Membrane evaluation>
[Example 2]
Film formation was performed using the radiation-sensitive composition prepared in Example 1, and the following evaluation was performed.

[接触角]
無アルカリガラス基板上に、実施例1で調製した感放射線性組成物をそれぞれスピンナーで塗布した後、90℃のホットプレート上で2分間プレベークすることにより0.5μm厚の塗膜を形成した。次いで、得られた塗膜に石英マスク(コンタクト)を介して高圧水銀ランプを用い(露光機:大日本科研社製MA−1400)、露光量を250mJ/cmとして放射線照射を行った。その後、ホットプレートを用い110℃で5分ベークすることにより、露光部(凹部)が親液部となり、露光部分以外(凸部)が撥液部となった、親液部と撥液部とによりパターニングされた膜(以下、「親撥パターニング膜」と称することがある。)を形成した。形成された親撥パターニング膜において、接触角計(協和界面科学社製CA−X)を用い、親液部に相当する露光部の塗膜表面、撥液部に相当する未露光部分の塗膜表面それぞれにおける、水、テトラデカンの接触角を測定し、親撥性能を確認した。
[Contact angle]
The radiation-sensitive composition prepared in Example 1 was applied onto an alkali-free glass substrate with a spinner, and then prebaked on a 90 ° C. hot plate for 2 minutes to form a 0.5 μm thick coating film. Subsequently, the obtained coating film was irradiated with radiation through a quartz mask (contact) using a high-pressure mercury lamp (exposure machine: MA-1400 manufactured by Dainippon Kaken Co., Ltd.) and an exposure amount of 250 mJ / cm 2 . Then, by baking for 5 minutes at 110 ° C. using a hot plate, the exposed part (concave part) becomes a lyophilic part, and the part other than the exposed part (convex part) becomes a lyophobic part. A film patterned by the above (hereinafter, sometimes referred to as a “hydrophobic patterning film”) was formed. In the formed lyophobic patterning film, using a contact angle meter (CA-X manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.), the coating film surface of the exposed part corresponding to the lyophilic part, and the coating film of the unexposed part corresponding to the lyophobic part The contact angle of water and tetradecane on each surface was measured to confirm the repellency.

評価の結果、露光部表面における水の接触角は73度であり、未露光部表面における水の接触角は108度であった。そして、露光部表面におけるテトラデカンの接触角は5度であり、未露光部表面におけるテトラデカンの接触角は64度であった。   As a result of the evaluation, the contact angle of water on the exposed surface was 73 degrees, and the contact angle of water on the unexposed surface was 108 degrees. The contact angle of tetradecane on the exposed surface was 5 degrees, and the contact angle of tetradecane on the unexposed surface was 64 degrees.

[凹パターニング性確認]
実施例1で調製した感放射線性組成物を用い、前記[接触角]と同様の方法で得られた膜に関して、露光部(凹部)と未露光部(凸部)の膜厚を接触式膜厚計(キーエンス製:アルファステップIQ)で測定した。そして、未露光部の膜厚と露光部の膜厚との差を算出し、下記式からの膜厚減少率(%)を算出することにより凹形状形成性を確認した。
[Concave patterning confirmation]
Using the radiation-sensitive composition prepared in Example 1, regarding the film obtained by the same method as the above [Contact Angle], the film thickness of the exposed part (concave part) and the unexposed part (convex part) is changed to a contact type film. The thickness was measured with a thickness gauge (manufactured by Keyence: Alpha Step IQ). And the difference of the film thickness of an unexposed part and the film thickness of an exposed part was computed, and concave shape formation property was confirmed by calculating the film thickness reduction rate (%) from a following formula.

Figure 2016090639
Figure 2016090639

評価の結果、未露光部の膜厚と露光部の膜厚との差は0.13μmであり、膜厚減少率(%)は26%であった。   As a result of the evaluation, the difference between the film thickness of the unexposed area and the film thickness of the exposed area was 0.13 μm, and the film thickness reduction rate (%) was 26%.

<金属線を有する基材の製造>
[実施例3]
東京エレクトロン社製のクリーントラックACT−8を用い、基材である無アルカリガラス基板上に、実施例1で調製した感放射線性組成物をスピンナーで塗布した後、90℃のホットプレート上で2分間プレベークすることにより0.5μm厚の塗膜を形成した。
<Manufacture of a base material having a metal wire>
[Example 3]
Using a clean track ACT-8 manufactured by Tokyo Electron Co., Ltd., the radiation-sensitive composition prepared in Example 1 was coated on a non-alkali glass substrate as a base material with a spinner, and then 2 on a 90 ° C. hot plate. A 0.5 μm thick coating film was formed by pre-baking for a minute.

次いで、得られた基板上の塗膜に対し、簡易型の電子線描画装置(日立社製、型式HL800D、出力;50KeV、電流密度;5.0アンペア/cm)を用いて電子ビームを照射し、露光を行った。この電子ビームによる露光は、塗膜上に、一方向に伸びる複数本のライン状の電子ビーム照射部が形成され、それらが互いに離間して一定の周期で配置されるようにして行われた。その結果、複数本のライン状の電子ビーム照射部はそれぞれ、隣接するライン状の電子ビーム照射部との間で、同様にライン状をなす電子ビーム未照射部を挟んで配置されることになる。そして、ライン状の電子ビーム照射部とライン状の電子ビーム未照射部とは、塗膜上でストライプ状に配列されることになる。このとき、塗膜の電子ビーム照射部の線幅は200nmとし、その配列周期は400nmとした。 Next, the coating film on the obtained substrate was irradiated with an electron beam using a simple electron beam drawing apparatus (manufactured by Hitachi, model HL800D, output: 50 KeV, current density: 5.0 amperes / cm 2 ). Then, exposure was performed. The exposure with the electron beam was performed such that a plurality of line-shaped electron beam irradiation portions extending in one direction were formed on the coating film, and they were spaced apart from each other and arranged at a constant period. As a result, each of the plurality of line-shaped electron beam irradiation units is disposed between the adjacent line-shaped electron beam irradiation units with the line-shaped electron beam non-irradiation units in the same manner. . The line-shaped electron beam irradiated portion and the line-shaped electron beam non-irradiated portion are arranged in stripes on the coating film. At this time, the line width of the electron beam irradiation part of the coating film was 200 nm, and the arrangement period was 400 nm.

電子ビームによる露光の後、同じクリーントラックACT−8内で、110℃、5分間の条件で加熱を行った。この露光後の加熱により、電子ビーム照射部に凹部が形成されて親液部となり、電子ビーム未照射部が凸部を形成して撥液部となった。この親液部と撥液部とによりパターニングされた膜を、以下で、親撥パターニング膜と称することがある。   After exposure with an electron beam, heating was performed at 110 ° C. for 5 minutes in the same clean track ACT-8. By this heating after exposure, a concave portion was formed in the electron beam irradiated portion to become a lyophilic portion, and a non-electron beam irradiated portion formed a convex portion to become a liquid repellent portion. Hereinafter, the film patterned by the lyophilic part and the lyophobic part may be referred to as a lyophilic patterning film.

次に、上述の親撥パターニング膜が形成された基板上に、上述した金属線(銀線)形成組成物をスピンナーで塗布した。その結果、親撥パターニング膜の撥液部では、金属線形成組成物が弾き飛ばされて、親液部にのみ金属線形成組成物の層が形成された。この金属線形成組成物の層は、親液部を構成する上述の凹部に沿って形成されたものであってライン状の形状を備え、その線幅は200nmであった。   Next, the metal wire (silver wire) forming composition described above was applied by a spinner on the substrate on which the above-described hydrophilic / repellent patterning film was formed. As a result, in the liquid repellent part of the lyophobic patterning film, the metal line forming composition was blown off, and a layer of the metal line forming composition was formed only in the lyophilic part. The layer of the metal line forming composition was formed along the above-mentioned concave portion constituting the lyophilic part, and had a line shape, and the line width was 200 nm.

次に、ホットプレートを用い、焼成雰囲気を水素ガスを用いた還元雰囲気として、前述のライン状の金属線形成組成物の層が形成された基板を、200℃で10分間加熱処理した。そして、基板上に極細い銀線を複数本形成し、金属線である銀線を有する基板を製造した。   Next, the substrate on which the layer of the above-described line-shaped metal wire forming composition was formed was heat-treated at 200 ° C. for 10 minutes using a hot plate and a firing atmosphere as a reducing atmosphere using hydrogen gas. Then, a plurality of extremely thin silver wires were formed on the substrate to produce a substrate having a silver wire that is a metal wire.

製造された銀線を有する基板において、銀線は、上述した電子ビーム照射部の形状と配置に対応する形状と配置を備えていた。すなわち、複数本の銀線は、それぞれの線幅が200nmであり、その配列周期は400nmであった。得られた銀線を有する基板は、その複数本の銀線を金属格子とし、反射型の偏光板を構成することができた。   In the manufactured substrate having a silver wire, the silver wire had a shape and an arrangement corresponding to the shape and arrangement of the electron beam irradiation section described above. That is, each of the plurality of silver wires had a line width of 200 nm and an arrangement period of 400 nm. The obtained substrate having silver wires was able to constitute a reflective polarizing plate using the plurality of silver wires as a metal lattice.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

例えば、上述した本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法において、上記の(i)〜(iv)の工程を2回以上繰り返し、基材の一方の面に、異なる金属線の層を複数層設けることも可能である。その場合、平面視で、基材上により小さい周期で金属線を配列することも可能となり、より高精細な金属格子の形成された基材を容易に製造することができる。   For example, in the above-described method for producing a substrate having a metal wire according to the embodiment of the present invention, the above steps (i) to (iv) are repeated twice or more, and different metal wires are formed on one surface of the substrate. It is also possible to provide a plurality of layers. In that case, the metal wires can be arranged on the base material with a smaller period in plan view, and a base material on which a finer metal lattice is formed can be easily manufactured.

また、上述した本発明の実施形態の金属線を有する基材の製造方法において、上記の(i)〜(iv)の工程を実施して光透過性の基材の一方の面(表面)に所定線幅で所定周期の金属線を形成した後、その基板のもう一方の面(裏面)に対し、上記の(i)〜(iv)の工程を実施して、基材の裏面に所定線幅で所定周期の金属線を形成することも可能である。平面視で、基材上により小さい周期で金属線を配列することも可能となり、より高精細な金属格子の形成された基材を容易に製造することができる。   Moreover, in the manufacturing method of the base material which has a metal wire of embodiment of this invention mentioned above, the process of said (i)-(iv) is implemented and one surface (surface) of a light-transmissive base material is carried out. After forming a metal line with a predetermined line width and a predetermined period, the above-mentioned steps (i) to (iv) are performed on the other surface (back surface) of the substrate, and a predetermined line is formed on the back surface of the substrate. It is also possible to form a metal wire with a predetermined period in width. In plan view, the metal wires can be arranged on the base material with a smaller period, and a base material on which a higher-definition metal lattice is formed can be easily manufactured.

本発明は、高精度の配線を多様な基材上に形成する技術として利用できる。また、本発明は、高精細な金属線を多様な基材上に形成する技術として利用できる。   The present invention can be used as a technique for forming highly accurate wiring on various substrates. The present invention can also be used as a technique for forming high-definition metal wires on various substrates.

1 基板
2,2a 塗膜
3 放射線照射部
3−2 放射線未照射部
4 金属線形成材料
5,103,203 層層
6 パターン
12 凸部
13 凹部
100 偏光素子
101,201 金属線
200 電極基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2, 2a Coating film 3 Radiation irradiation part 3-2 Radiation non-irradiation part 4 Metal wire formation material 5,103,203 Layer layer 6 Pattern 12 Convex part 13 Concave part 100 Polarizing element 101,201 Metal line 200 Electrode board

Claims (9)

下記の(i)〜(iv)の工程を有することを特徴とする金属線を有する基材の製造方法。
(i)酸解離性基を有する重合体と酸発生剤とを含む膜形成組成物の塗膜を基材上に形成する工程
(ii)前記塗膜の所定部分に放射線照射を行う工程
(iii)前記放射線照射がなされた塗膜上に、線幅0.1μm〜20μmの金属線形成組成物の層を設ける工程
(iv)前記金属線形成組成物の層を加熱する工程
The manufacturing method of the base material which has a metal wire characterized by having the process of following (i)-(iv).
(I) The process of forming the coating film of the film forming composition containing the polymer which has an acid dissociable group, and an acid generator on a base material (ii) The process of irradiating a predetermined part of the said coating film with radiation (iii) ) A step of providing a layer of a metal line forming composition having a line width of 0.1 μm to 20 μm on the coating film irradiated with the radiation. (Iv) A step of heating the layer of the metal line forming composition.
(ii)の工程は、前記放射線照射後の塗膜を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の金属線を有する基材の製造方法。   The method for producing a substrate having a metal wire according to claim 1, wherein the step (ii) includes a step of heating the coating film after irradiation with radiation. 前記酸解離性基が、フッ素原子を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の金属線を有する基材の製造方法。   The said acid dissociable group contains a fluorine atom, The manufacturing method of the base material which has a metal wire of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 前記酸解離性基が、アセタール結合およびヘミアセタールエステル結合の群から選ばれる少なくとも1つの構造単位を含む基であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の金属線を有する基材の製造方法。   4. The metal wire according to claim 1, wherein the acid dissociable group is a group containing at least one structural unit selected from the group of an acetal bond and a hemiacetal ester bond. The manufacturing method of the base material which has. 前記アセタール結合およびヘミアセタールエステル結合の群から選ばれる少なくとも1つの構造単位を含む基が、下記式(1−1)および下記式(1−2)で示される構成単位の群から選ばれる少なくとも1つを有することを特徴とする請求項4に記載の金属線を有する基材の製造方法。
Figure 2016090639
(式(1−1)および(1−2)中、RおよびRはそれぞれ独立して、水素原子またはメチル基を示し、Rfは独立して、フッ素原子を有する有機基を示す。*は結合部位を示す。)
The group containing at least one structural unit selected from the group of the acetal bond and the hemiacetal ester bond is at least one selected from the group of structural units represented by the following formula (1-1) and the following formula (1-2). The manufacturing method of the base material which has a metal wire of Claim 4 characterized by the above-mentioned.
Figure 2016090639
(In formulas (1-1) and (1-2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and Rf independently represents an organic group having a fluorine atom. Indicates a binding site.)
前記膜形成組成物が、エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の金属線を有する基材の製造方法。   The said film forming composition contains the polymeric compound which has an ethylenically unsaturated bond, The manufacturing method of the base material which has a metal wire of any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. 前記膜形成組成物が、下記式(2)〜下記式(5)で示される構成単位の群から選ばれる少なくとも1つを有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の金属線を有する基材の製造方法。
Figure 2016090639
(式(2)〜(5)中、Rは独立して、水素原子またはメチル基を示す。Rは独立して、メチレン基、炭素数2〜12のアルキレン基、炭素数2〜12のアルケニレン基、炭素数6〜12の置換または非置換の芳香族炭化水素基、炭素数4〜12の置換または非置換の脂環式炭化水素基、または、これらの基の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された基を示す。Rは独立して、1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭化水素基を示す。mは0または1を示す。nは独立して、0〜12を示す。)
The said film formation composition has at least 1 chosen from the group of the structural unit shown by following formula (2)-following formula (5), The any one of Claims 1-6 characterized by the above-mentioned. The manufacturing method of the base material which has a metal wire.
Figure 2016090639
(In formulas (2) to (5), R 3 independently represents a hydrogen atom or a methyl group. R 4 independently represents a methylene group, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, or 2 to 12 carbon atoms. An alkenylene group, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms, or one or more hydrogens of these groups A group in which an atom is substituted with a fluorine atom, R 5 independently represents a hydrocarbon group in which one or more hydrogen atoms have been substituted with a fluorine atom, m represents 0 or 1, and n represents independently. 0-12 are shown.)
請求項1〜7のいずれか1項に記載の金属線を有する基材の製造方法を用いて製造され、前記金属線からなる金属格子の周期が0.1μmより大きく200μm以下であることを特徴とする偏光素子。   It is manufactured using the manufacturing method of the base material which has a metal wire of any one of Claims 1-7, The period of the metal lattice which consists of the said metal wire is larger than 0.1 micrometer and is 200 micrometers or less, It is characterized by the above-mentioned. A polarizing element. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の金属線を有する基材の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電極基板。   An electrode substrate manufactured using the method for manufacturing a base material having a metal wire according to any one of claims 1 to 7.
JP2014221284A 2014-10-30 2014-10-30 Method for producing substrate having metal wire, polarizing element and electrode substrate Active JP6455077B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014221284A JP6455077B2 (en) 2014-10-30 2014-10-30 Method for producing substrate having metal wire, polarizing element and electrode substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014221284A JP6455077B2 (en) 2014-10-30 2014-10-30 Method for producing substrate having metal wire, polarizing element and electrode substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016090639A true JP2016090639A (en) 2016-05-23
JP6455077B2 JP6455077B2 (en) 2019-01-23

Family

ID=56018473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014221284A Active JP6455077B2 (en) 2014-10-30 2014-10-30 Method for producing substrate having metal wire, polarizing element and electrode substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6455077B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190133783A (en) * 2017-04-10 2019-12-03 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 Method of manufacturing wire grid polarizer
WO2020012753A1 (en) * 2018-07-11 2020-01-16 Jsr株式会社 Curable composition, structure and method for forming same

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002290016A (en) * 2001-03-28 2002-10-04 Toshiba Corp Method of manufacturing composite member, photosensitive composition, insulator, and composite member
JP2004077831A (en) * 2002-08-19 2004-03-11 Shin Etsu Chem Co Ltd Polarizer and method for manufacturing polarizer
JP2005037881A (en) * 2003-04-21 2005-02-10 Fuji Photo Film Co Ltd Pattern forming method, image forming method, fine particle adsorption pattern forming method, conductive pattern forming method, pattern forming material, and planographic printing plate
JP2005202176A (en) * 2004-01-16 2005-07-28 Hitachi Ltd Pattern forming method
WO2006129800A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Daikin Industries, Ltd. Surface treating agent for pattern formation
JP2008004303A (en) * 2006-06-20 2008-01-10 Fujifilm Corp Conductive pattern formation method, and wire grid polarizer
JP2010204297A (en) * 2009-03-02 2010-09-16 Teijin Ltd Wire grid polarizer and method for manufacturing the same
JP2012141533A (en) * 2011-01-06 2012-07-26 Canon Inc Manufacturing method for wire grid polarizer and wire grid polarizer
JP2014197143A (en) * 2013-03-29 2014-10-16 Jsr株式会社 Conductive pattern forming method, resin composition, conductive pattern, and electronic circuit

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002290016A (en) * 2001-03-28 2002-10-04 Toshiba Corp Method of manufacturing composite member, photosensitive composition, insulator, and composite member
JP2004077831A (en) * 2002-08-19 2004-03-11 Shin Etsu Chem Co Ltd Polarizer and method for manufacturing polarizer
JP2005037881A (en) * 2003-04-21 2005-02-10 Fuji Photo Film Co Ltd Pattern forming method, image forming method, fine particle adsorption pattern forming method, conductive pattern forming method, pattern forming material, and planographic printing plate
JP2005202176A (en) * 2004-01-16 2005-07-28 Hitachi Ltd Pattern forming method
WO2006129800A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Daikin Industries, Ltd. Surface treating agent for pattern formation
JP2008004303A (en) * 2006-06-20 2008-01-10 Fujifilm Corp Conductive pattern formation method, and wire grid polarizer
JP2010204297A (en) * 2009-03-02 2010-09-16 Teijin Ltd Wire grid polarizer and method for manufacturing the same
JP2012141533A (en) * 2011-01-06 2012-07-26 Canon Inc Manufacturing method for wire grid polarizer and wire grid polarizer
JP2014197143A (en) * 2013-03-29 2014-10-16 Jsr株式会社 Conductive pattern forming method, resin composition, conductive pattern, and electronic circuit

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190133783A (en) * 2017-04-10 2019-12-03 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 Method of manufacturing wire grid polarizer
JP2020505649A (en) * 2017-04-10 2020-02-20 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Manufacturing method of wire grid polarizer
KR102304859B1 (en) * 2017-04-10 2021-09-24 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 Manufacturing method of wire grid polarizer
WO2020012753A1 (en) * 2018-07-11 2020-01-16 Jsr株式会社 Curable composition, structure and method for forming same

Also Published As

Publication number Publication date
JP6455077B2 (en) 2019-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6296053B2 (en) Method for producing substrate having concave pattern, composition, method for forming conductive film, electronic circuit and electronic device
JP6414203B2 (en) Wiring manufacturing method, electronic circuit manufacturing method, and electronic device manufacturing method
TWI793206B (en) Compound, composition, cured product and method for producing the cured product
KR101806822B1 (en) Positive type photosensitive resin composition, method for formation of cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device
JP5507208B2 (en) Positive photosensitive resin composition, cured film, interlayer insulating film, organic EL display device, and liquid crystal display device
JP5191567B2 (en) Positive photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
WO2018074539A1 (en) Method for forming cured film, radiation-sensitive resin composition, and display element and sensor provided with cured film
WO2016039327A1 (en) Method for manufacturing structure having recessed pattern, resin composition, method for forming electroconductive film, electronic circuit, and electronic device
JP6455077B2 (en) Method for producing substrate having metal wire, polarizing element and electrode substrate
TW201133144A (en) Negative photo sensitive resin composition, interlayer insulating film and forming method thereof
JP2016160393A (en) Curable resin composition, cured film for display element, method for forming the same, and display element
JP6799267B2 (en) Method of forming laminated wiring
JP7147741B2 (en) Method for manufacturing plated model
JP6528384B2 (en) Method of manufacturing base material having lyophilic part and liquid repellent part, composition, method of forming conductive film, electronic circuit and electronic device
JP2017220372A (en) Inspection method, composition, inspection substrate, manufacturing method for organic electro luminescence element, and inspection apparatus
JP2009222792A (en) Photosensitive resin composition, and method for forming light-shielding image
TW202325698A (en) Compound, latent ultraviolet light absorber, composition, cured product, and cured product production method
WO2020012753A1 (en) Curable composition, structure and method for forming same
JP7063049B2 (en) Radiation-sensitive compositions and their uses
KR20120081949A (en) Positive photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20160727

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20161011

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170721

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180417

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180508

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20181016

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181025

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20181105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181203

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6455077

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250