JP2016086021A - Defect correction device and defect correction method for substrate and defect correction part structure for substrate - Google Patents

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昭浩 山中
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英道 藤原
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徹幸 岩下
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To appropriately correct the disconnected portion of an electrode pattern formed on a substrate by using paste-like conductive materials.SOLUTION: A defect correction device 100 includes: a squeegee probe 10; a Z stage 120; an XY stage 110; and a control device 200. The squeegee probe 10 shapes paste 4 applied to a disconnected portion 3. The control device 200 controls a Z stage 120 such that a distance D between the squeegee probe 10 and electrode patterns 21 and 22 becomes a predetermined value Dth, and controls the XY stage 110 to scan the squeegee probe 10 in a state that the distance D is held to be the predetermined value Dth. The predetermined value Dth is determined in accordance with a contraction amount by the burning of the paste 4.SELECTED DRAWING: Figure 8

Description

本発明は、基板の欠陥修正装置および欠陥修正方法、ならびに基板の欠陥修正部構造に関し、より特定的には、基板に形成された電極パターンの断線部分をペースト状導電材を用いて修正する、基板の欠陥修正装置および欠陥修正方法、ならびに上記欠陥修正方法を用いて形成された、基板の欠陥修正部構造に関する。   The present invention relates to a defect correction apparatus and defect correction method for a substrate, and a defect correction portion structure for a substrate, and more specifically, a broken portion of an electrode pattern formed on a substrate is corrected using a paste-like conductive material. The present invention relates to a defect correcting apparatus and a defect correcting method for a substrate, and a defect correcting portion structure of the substrate formed by using the defect correcting method.

近年、付加価値の高いプリント基板が実用化されている。このようなプリント基板の具体例としては、高密度に電極パターンが形成された複数の配線層を含む高密度多層基板や、抵抗、インダクタ、またはキャパシタ等が内層に配置された部品内蔵型基板が挙げられる。これらプリント基板の製造においては特に、歩留まりを改善してコストを低減することが求められる。そのため、検査工程において電極パターンの断線(オープン欠陥)が発見された場合に、単に欠陥品としてその基板を廃棄するのに代えて、断線部分を修正する技術への要求が高まっている。   In recent years, high value-added printed circuit boards have been put into practical use. Specific examples of such a printed circuit board include a high-density multilayer board including a plurality of wiring layers in which electrode patterns are formed at a high density, and a component-embedded board in which resistors, inductors, capacitors, etc. are arranged in an inner layer. Can be mentioned. In the production of these printed circuit boards, it is particularly required to improve the yield and reduce the cost. Therefore, when an electrode pattern disconnection (open defect) is found in the inspection process, there is an increasing demand for a technique for correcting the disconnection portion instead of simply discarding the substrate as a defective product.

たとえば特許第2983879号公報(特許文献1)は、ペーストが付着した針を修正箇所に接触させてペーストを塗布する基板の修正方法を開示する(たとえば特許文献1の図3参照)。   For example, Japanese Patent No. 2983879 (Patent Document 1) discloses a method for correcting a substrate in which a paste is applied by bringing a needle to which the paste is attached into contact with a corrected portion (see, for example, FIG. 3 of Patent Document 1).

また、たとえば特許第3705688号公報(特許文献2)は、基板に形成されたリブに生じた欠陥部分の修正方法を開示する。この修正方法は、欠陥部分にペーストを塗布する工程と、整形部材を走査させることにより、塗布されたペーストの厚みがリブの高さと略等しくなるようにペーストを整形する工程とを備える。   Further, for example, Japanese Patent No. 3705688 (Patent Document 2) discloses a method for correcting a defective portion generated in a rib formed on a substrate. This correction method includes a step of applying a paste to the defective portion and a step of shaping the paste so that the thickness of the applied paste is substantially equal to the height of the rib by scanning the shaping member.

特許第2983879号公報Japanese Patent No. 2983879 特許第3705688号公報Japanese Patent No. 3705688

積層基板において、特許文献1に開示の修正方法を用いて断線部分を修正すると、修正箇所の厚み(断線部分に塗布されたペーストの焼成後の厚み)が適正値よりも大きくなる場合がある。この場合、修正箇所と、その箇所の上層に配置された電極パターンとの間に十分な距離を確保することができず、電気的なノイズが発生し易くなる可能性がある。しかし、修正箇所の厚みについて特許文献1では特に考慮されていない。   In the multilayer substrate, when the disconnection portion is corrected using the correction method disclosed in Patent Document 1, the thickness of the correction portion (the thickness after baking of the paste applied to the disconnection portion) may be larger than an appropriate value. In this case, there is a possibility that a sufficient distance cannot be ensured between the corrected portion and the electrode pattern disposed in the upper layer of the portion, and electrical noise is likely to occur. However, Patent Document 1 does not particularly take into consideration the thickness of the corrected portion.

一方、特許文献2は、塗布されたペーストの厚みがリブの高さと略等しくなるようにペーストを整形することを開示するものの、この整形は塗布直後のペーストの高さに基づいて行なわれる。そのため、整形後の焼成によりペーストが収縮すると、修正箇所の厚みが適正値よりも小さくなる可能性がある。この場合、修正箇所の抵抗が相対的に大きくなるため熱損失が増大し、将来的に修正箇所において再び断線が生じる可能性が高くなってしまう。   On the other hand, Patent Document 2 discloses that the paste is shaped so that the thickness of the applied paste is substantially equal to the height of the rib, but this shaping is performed based on the height of the paste immediately after application. Therefore, if the paste shrinks due to baking after shaping, the thickness of the corrected portion may be smaller than the appropriate value. In this case, since the resistance at the correction location becomes relatively large, the heat loss increases, and there is a high possibility that the disconnection will occur again at the correction location in the future.

本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板上に形成された電極パターンの断線部分を適切に修正することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to appropriately correct a broken portion of an electrode pattern formed on a substrate.

本発明のある局面に従う基板の欠陥修正装置は、基板上に形成された電極パターンの断線部分を、焼成により導電性を発現するペーストを用いて修正する。基板の欠陥修正装置は、整形部材と、調整機構と、走査機構と、調整機構および走査機構を制御する制御装置とを備える。整形部材は、断線部分に塗布されたペーストを整形するために設けられる。調整機構は、整形部材と電極パターンとの間の距離を調整する。走査機構は、塗布されたペーストに対して整形部材を走査する。制御装置は、上記距離が所定値となるように調整機構を制御するとともに、上記距離を所定値に保持した状態において、整形機構により整形部材を走査する。上記所定値は、ペーストの焼成による収縮量に応じて定められる。   A defect correction apparatus for a substrate according to an aspect of the present invention corrects a disconnected portion of an electrode pattern formed on a substrate using a paste that develops conductivity by firing. The defect correction apparatus for a substrate includes a shaping member, an adjustment mechanism, a scanning mechanism, and a control device that controls the adjustment mechanism and the scanning mechanism. The shaping member is provided for shaping the paste applied to the disconnected portion. The adjustment mechanism adjusts the distance between the shaping member and the electrode pattern. The scanning mechanism scans the shaping member with respect to the applied paste. The control device controls the adjusting mechanism so that the distance becomes a predetermined value, and scans the shaping member by the shaping mechanism in a state where the distance is held at the predetermined value. The predetermined value is determined according to the amount of shrinkage caused by baking the paste.

好ましくは、上記所定値は、走査後かつ焼成前のペーストの厚さと、電極パターンの厚さとの差である。上記走査後かつ焼成前のペーストの厚さは、ペーストが焼成により収縮した際に、当該収縮後のペーストの厚さが電極パターンの厚さと略同一となるように定められる。   Preferably, the predetermined value is a difference between the thickness of the paste after scanning and before firing and the thickness of the electrode pattern. The thickness of the paste after scanning and before firing is determined such that when the paste shrinks due to firing, the thickness of the paste after shrinkage is substantially the same as the thickness of the electrode pattern.

好ましくは、整形部材は、針状部材を含む。針状部材は、円筒形状の基端部と、基端部の先端に設けられた楔形状の先端部とを有する。   Preferably, the shaping member includes a needle-like member. The needle-like member has a cylindrical base end and a wedge-shaped front end provided at the tip of the base end.

好ましくは、基板の欠陥修正装置は、調整機構の制御により整形部材が電極パターンに接触したことを検出する検出部をさらに備える。制御装置は、検出部による検出結果に基づいて、距離を調整する。   Preferably, the defect correction apparatus for a substrate further includes a detection unit that detects that the shaping member has contacted the electrode pattern under the control of the adjustment mechanism. The control device adjusts the distance based on the detection result by the detection unit.

本発明の他の局面に従う基板の欠陥修正方法は、基板上に形成された電極パターンの断線部分を修正する。基板の欠陥修正方法は、断線部分に、焼成により導電性を発現するペーストを塗布するステップと、整形部材と電極パターンとの間の距離が所定値となるように調整するステップと、上記距離を所定値に保持した状態において、断線部分に塗布されたペーストに対して整形部材を走査するステップと、当該走査により整形されたペースト状導電材を焼成するステップとを備える。上記所定値は、ペーストの焼成による収縮量に応じて定められる。   A defect correction method for a substrate according to another aspect of the present invention corrects a broken portion of an electrode pattern formed on the substrate. A defect correction method for a substrate includes a step of applying a paste that develops conductivity by firing to a disconnected portion, a step of adjusting a distance between the shaping member and the electrode pattern to be a predetermined value, and the above distance. A step of scanning the shaping member with respect to the paste applied to the broken portion and a step of firing the paste-like conductive material shaped by the scanning in a state where the predetermined value is maintained. The predetermined value is determined according to the amount of shrinkage caused by baking the paste.

好ましくは、上記所定値は、上記走査するステップの実行後かつ上記焼成するステップの実行前のペーストの厚さと、電極パターンの厚さとの差である。上記走査するステップの実行後かつ上記焼成するステップの実行前のペーストの厚さは、断線部分に塗布されたペーストが上記焼成するステップにより収縮した際に、当該収縮後のペーストの厚さが電極パターンの厚さと略同一となるように定められる。   Preferably, the predetermined value is a difference between a thickness of the paste after execution of the scanning step and before execution of the baking step, and a thickness of the electrode pattern. The thickness of the paste after execution of the scanning step and before execution of the firing step is such that when the paste applied to the disconnected portion is shrunk by the firing step, the thickness of the paste after the shrinkage is an electrode. It is determined to be substantially the same as the thickness of the pattern.

好ましくは、基板の欠陥修正方法は、走査するステップに先立って、塗布されたペーストを乾燥させるステップをさらに備える。   Preferably, the substrate defect correcting method further includes a step of drying the applied paste prior to the scanning step.

好ましくは、塗布するステップにおいて、ペーストが電極パターンの少なくとも一部と重複するようにペーストを塗布する。   Preferably, in the applying step, the paste is applied so that the paste overlaps at least a part of the electrode pattern.

本発明のさらに他の局面に従う基板の欠陥修正部構造において、上記基板の欠陥修正方法を用いて焼成されたペーストは、電極パターンの少なくとも一部と重複して形成される。   In the defect correcting portion structure for a substrate according to still another aspect of the present invention, the paste fired using the defect correcting method for the substrate is formed so as to overlap with at least a part of the electrode pattern.

本発明によれば、基板上に形成された電極パターンの断線部分をペースト状導電材を用いて適切に修正することができる。   According to the present invention, the broken portion of the electrode pattern formed on the substrate can be appropriately corrected using the paste-like conductive material.

本実施の形態に係る欠陥修正方法が適用される基板の一例を説明するための基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate for demonstrating an example of the board | substrate with which the defect correction method concerning this Embodiment is applied. 図1のII−II線に沿う基板の断面図である。It is sectional drawing of the board | substrate along the II-II line of FIG. 本実施の形態に係る欠陥修正装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the defect correction apparatus which concerns on this Embodiment. 図3に示す修正ユニットに取り付けられたスキージ針を用いて断線部分を修正する様子を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a mode that a disconnection part is corrected using the squeegee needle | hook attached to the correction unit shown in FIG. 図4に示すスキージ針の拡大図である。It is an enlarged view of the squeegee needle shown in FIG. 図4に示すスキージ針の拡大図である。It is an enlarged view of the squeegee needle shown in FIG. 図4に示すスキージ針の拡大図である。It is an enlarged view of the squeegee needle shown in FIG. 実施の形態1における基板の欠陥修正方法を説明するためのフローチャートである。3 is a flowchart for explaining a defect correction method for a substrate in the first embodiment. 図8に示す欠陥修正方法の各工程を模式的に表す図である。It is a figure which represents typically each process of the defect correction method shown in FIG. 実施の形態2における基板の欠陥修正方法を説明するためのフローチャートである。6 is a flowchart for explaining a defect correction method for a substrate in the second embodiment. 図10に示す欠陥修正方法の各工程を模式的に表す図である。It is a figure which represents typically each process of the defect correction method shown in FIG. 抵抗の低減効果の評価に用いた基板を示す図である。It is a figure which shows the board | substrate used for evaluation of the reduction effect of resistance. 図12に示すXIII―XIII線に沿う基板の断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of the substrate along the line XIII-XIII shown in FIG. 12. 抵抗の低減効果の評価結果を示す図である。It is a figure which shows the evaluation result of the reduction effect of resistance.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated.

[各実施の形態で共通の構成]
<修正対象となる基板>
図1は、本実施の形態に係る欠陥修正方法が適用される基板の一例を説明するための基板の平面図である。図2は、図1のII−II線に沿う基板の断面図である。
[Configuration common to each embodiment]
<Substrate to be corrected>
FIG. 1 is a plan view of a substrate for explaining an example of the substrate to which the defect correcting method according to the present embodiment is applied. FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate along the line II-II in FIG.

図1および図2を参照して、基板1は、たとえばプリント基板であって、多くの電子部品を実装できるように電極パターンが高密度に形成されている。図1および図2に示す例では、電極パターンの一部として、電極パターン21,22と、電極パターン21,22に隣接する電極パターン23,24とが示されている。   Referring to FIGS. 1 and 2, substrate 1 is, for example, a printed circuit board, and electrode patterns are formed with high density so that many electronic components can be mounted. In the example shown in FIGS. 1 and 2, electrode patterns 21 and 22 and electrode patterns 23 and 24 adjacent to the electrode patterns 21 and 22 are shown as part of the electrode pattern.

電極パターン21,22は元々1本の電極パターンとして設計されたものであるが、断線部分3において断線している。断線は電極パターン21,22が延在する方向に沿って発生している。図1では、断線部分3の輪郭のうち断線部分3の両側が破線で示されている。   The electrode patterns 21 and 22 are originally designed as one electrode pattern, but are disconnected at the disconnected portion 3. The disconnection occurs along the direction in which the electrode patterns 21 and 22 extend. In FIG. 1, both sides of the broken portion 3 in the outline of the broken portion 3 are indicated by broken lines.

なお、図1および図2では、断線部分3において電極パターン21と電極パターン22とが完全に断線しているが、断線の態様はこれに限定されるものではない。たとえば、断線部分3において、電極パターン21,22と電気的に接続された細いパターン(電極パターン21,22の幅よりも小さな幅を有するパターン)が存在していてもよい。   1 and 2, the electrode pattern 21 and the electrode pattern 22 are completely disconnected at the disconnection portion 3, but the disconnection mode is not limited to this. For example, a thin pattern (a pattern having a width smaller than the width of the electrode patterns 21 and 22) electrically connected to the electrode patterns 21 and 22 may exist in the disconnected portion 3.

<欠陥修正装置の構成>
図3は、本実施の形態に係る欠陥修正装置の全体構成を示す図である。図3を参照して、欠陥修正装置100は、XYステージ110と、真空チャックテーブル120と、Zステージ130と、修正ユニット140と、レーザ光源150と、撮影装置160と、制御装置200とを備える。X方向およびY方向は水平方向を表す。Z方向は鉛直方向を表し、重力の向きはZ方向下方である。
<Configuration of defect correction device>
FIG. 3 is a diagram showing an overall configuration of the defect correction apparatus according to the present embodiment. With reference to FIG. 3, the defect correction apparatus 100 includes an XY stage 110, a vacuum chuck table 120, a Z stage 130, a correction unit 140, a laser light source 150, an imaging apparatus 160, and a control apparatus 200. . The X direction and the Y direction represent the horizontal direction. The Z direction represents the vertical direction, and the direction of gravity is downward in the Z direction.

XYステージ110(走査機構)は、制御装置200の制御に基づいて、水平方向に移動することができるように構成されている。真空チャックテーブル120は、XYステージ110上に設けられており、修正対象となるワークW(たとえば図1および図2に示す基板1)をXYステージ110上に固定する。   The XY stage 110 (scanning mechanism) is configured to be able to move in the horizontal direction under the control of the control device 200. The vacuum chuck table 120 is provided on the XY stage 110, and fixes the workpiece W (for example, the substrate 1 shown in FIGS. 1 and 2) to be corrected on the XY stage 110.

Zステージ130(調整機構)は、制御装置200の制御に基づいて、鉛直方向に移動することができるように構成されている。Zステージ130には、修正ユニット140と、レーザ光源150と、撮影装置160とが設けられている。   The Z stage 130 (adjustment mechanism) is configured to be able to move in the vertical direction based on the control of the control device 200. The Z stage 130 is provided with a correction unit 140, a laser light source 150, and an imaging device 160.

修正ユニット140は、各種形状およびサイズの針を取り付け可能に構成されている。より具体的には、修正ユニット140には、断線箇所の修正用のペーストを塗布するための塗布針(図示せず)と、塗布されたペーストを整形するためのスキージ針10(整形部材)とが取り付け可能である。ペーストは、焼成により導電性を発現する。本実施の形態で採用されるスキージ針10の形状については、図4〜図7を参照して後に詳細に説明する。制御装置200は、Zステージ130を鉛直方向に移動させることによって針(塗布針またはスキージ針10)とワークWとの間の距離を調整するとともに、XYステージ110を水平方向に移動させることによってワークWに対して針を走査する。   The correction unit 140 is configured so that needles of various shapes and sizes can be attached. More specifically, the correction unit 140 includes an application needle (not shown) for applying a paste for correcting a broken portion, and a squeegee needle 10 (a shaping member) for shaping the applied paste. Can be attached. The paste develops conductivity by firing. The shape of the squeegee needle 10 employed in the present embodiment will be described in detail later with reference to FIGS. The control device 200 adjusts the distance between the needle (coating needle or squeegee needle 10) and the workpiece W by moving the Z stage 130 in the vertical direction, and moves the XY stage 110 in the horizontal direction. Scan the needle against W.

レーザ光源150は、塗布されたペーストを焼成または乾燥させるためのレーザ光を出射する。レーザ光源150の種類は特に限定されるものではないが、たとえばCOレーザまたは半導体レーザをレーザ光源150に用いることができる。制御装置200は、XYステージ110およびZステージ130を移動させることによって、レーザ光の照射位置を調整する。 The laser light source 150 emits laser light for baking or drying the applied paste. The type of the laser light source 150 is not particularly limited. For example, a CO 2 laser or a semiconductor laser can be used for the laser light source 150. The control device 200 adjusts the irradiation position of the laser light by moving the XY stage 110 and the Z stage 130.

撮影装置160は、ワークWを撮影し、撮影された画像のデータを制御装置200に出力する。1つの実施例として、CCD(Charge Coupled Device)カメラを撮影装置160に用いることができる。制御装置200は、撮影装置160からの画像データに基づいて、XYステージ110およびZステージ130の移動方向および移動量を制御する。   The imaging device 160 images the workpiece W and outputs the captured image data to the control device 200. As one embodiment, a CCD (Charge Coupled Device) camera can be used for the photographing device 160. The control device 200 controls the movement direction and movement amount of the XY stage 110 and the Z stage 130 based on the image data from the imaging device 160.

制御装置200は、上述のように、XYステージ110、Zステージ130、レーザ光源150、および撮影装置160を制御する。制御装置200は、たとえばマイクロコンピュータまたはパーソナルコンピュータ等によって実現される。   As described above, the control device 200 controls the XY stage 110, the Z stage 130, the laser light source 150, and the photographing device 160. The control device 200 is realized by a microcomputer or a personal computer, for example.

なお、XYステージ110およびZステージ130の構成は、修正ユニット140およびレーザ光源150をワークW(たとえば基板1)に対して相対的に移動させることが可能であれば、上記の構成に限定されるものではない。   Note that the configurations of the XY stage 110 and the Z stage 130 are limited to the above configurations as long as the correction unit 140 and the laser light source 150 can be moved relative to the workpiece W (for example, the substrate 1). It is not a thing.

図4は、図3に示す修正ユニット140に取り付けられたスキージ針10を用いて断線部分3を修正する様子を説明するための図である。図3および図4を参照して、スキージ針10は、電極パターン21,22の上面に沿って水平方向に走査されることにより、断線部分3に塗布されたペースト4を整形する。   FIG. 4 is a diagram for explaining how the broken portion 3 is corrected using the squeegee needle 10 attached to the correction unit 140 shown in FIG. 3 and 4, the squeegee needle 10 shapes the paste 4 applied to the disconnected portion 3 by scanning in the horizontal direction along the upper surfaces of the electrode patterns 21 and 22.

スキージ針10には、歪ゲージ15(検出部)が設けられている。歪ゲージ15は、スキージ針10の歪みを検出し、その検出結果を制御装置200に出力する。制御装置200は、スキージ針10の歪みに基づいて、スキージ針10が電極パターン21,22の上面に接触したことを検出することができる。   The squeegee needle 10 is provided with a strain gauge 15 (detection unit). The strain gauge 15 detects the strain of the squeegee needle 10 and outputs the detection result to the control device 200. The control device 200 can detect that the squeegee needle 10 is in contact with the upper surfaces of the electrode patterns 21 and 22 based on the distortion of the squeegee needle 10.

図5〜図7は、図4に示すスキージ針10の拡大図である。図5〜図7を参照して、スキージ針10は、円筒形状の基端部11と、基端部11よりも先端に設けられた楔形状の先端部12とを有する。楔形状は、たとえば円筒形状の基端部11の中心軸Lに対して傾斜した平面121および平面122によって形成されている。平面121,122が交わる直線部123を用いてペースト4を整形することにより、整形されたペースト4の面を良好に平坦にすることができる(図4参照)。   5 to 7 are enlarged views of the squeegee needle 10 shown in FIG. With reference to FIGS. 5 to 7, the squeegee needle 10 includes a cylindrical base end portion 11 and a wedge-shaped front end portion 12 provided at the front end of the base end portion 11. The wedge shape is formed by a plane 121 and a plane 122 that are inclined with respect to the central axis L of the cylindrical base end portion 11, for example. By shaping the paste 4 using the straight part 123 where the planes 121 and 122 intersect, the surface of the shaped paste 4 can be satisfactorily flattened (see FIG. 4).

[実施の形態1]
図8は、実施の形態1における基板1の欠陥修正方法を説明するためのフローチャートである。図9は、図8に示す欠陥修正方法の各工程を模式的に表す図である。
[Embodiment 1]
FIG. 8 is a flowchart for explaining the defect correcting method for substrate 1 in the first embodiment. FIG. 9 is a diagram schematically showing each step of the defect correcting method shown in FIG.

図8および図9を参照して、ステップ(以下、Sと略す)10において、制御装置200は、電極パターン21,22間の断線部分3にペースト4を塗布する(図9(a)参照)。なお、ペースト4の塗布方法は特に限定されず、たとえば塗布針(図示せず)の先端にペースト4を付着させて塗布する方法であっても、ノズルからペーストを押し出して塗布するディスペンサ(図示せず)を用いる方法であってもよい。   8 and 9, in step (hereinafter abbreviated as S) 10, control device 200 applies paste 4 to disconnection portion 3 between electrode patterns 21 and 22 (see FIG. 9A). . The method for applying the paste 4 is not particularly limited. For example, even when the paste 4 is applied to the tip of an application needle (not shown), the dispenser (not shown) applies the paste by pushing it out of the nozzle. May be used.

S20において、制御装置200は、Zステージ130を制御してスキージ針10を鉛直方向下方に移動させ、スキージ針10の先端部12を電極パターン21および電極パターン22のいずれか一方の上面に接触させる。図4および図9(b)に示す例では、スキージ針10の先端部12を電極パターン22の上面に接触させる場合が示されている。制御装置200は、予め定められた判定値を歪ゲージ15の検出値が上回った場合に、先端部12が電極パターン22の上面に接触したと判定することができる。   In S <b> 20, the control device 200 controls the Z stage 130 to move the squeegee needle 10 downward in the vertical direction and bring the tip 12 of the squeegee needle 10 into contact with the upper surface of one of the electrode pattern 21 and the electrode pattern 22. . In the example shown in FIG. 4 and FIG. 9B, the case where the tip 12 of the squeegee needle 10 is brought into contact with the upper surface of the electrode pattern 22 is shown. The control device 200 can determine that the tip 12 has contacted the upper surface of the electrode pattern 22 when the detection value of the strain gauge 15 exceeds a predetermined determination value.

S30において、制御装置200は、電極パターン22の上面の高さを基準として、Zステージ130を制御してスキージ針10を鉛直方向上方に移動させる(図9(c)参照)。この移動量、言い換えるとスキージ針10の先端部12と電極パターン21,22との間の距離Dは、ペースト4の焼成による収縮量に応じて定められる。   In S30, the control device 200 controls the Z stage 130 to move the squeegee needle 10 upward in the vertical direction with reference to the height of the upper surface of the electrode pattern 22 (see FIG. 9C). This amount of movement, in other words, the distance D between the tip 12 of the squeegee needle 10 and the electrode patterns 21 and 22 is determined according to the amount of shrinkage due to baking of the paste 4.

より具体的には、焼成後においてもペースト4の厚みDAが電極パターン21,22の厚みDBとほぼ等しくなるように(両者の差が数μm程度となるように)、あるいはペースト4の厚みDAが電極パターン21,22の厚みDBよりもわずかに大きくなる(たとえば10μm程度大きくなる)ように、焼成によるペースト4の収縮量を考慮して、距離Dは所定値Dthに設定される(図9(d),(f)参照)。言い換えると、所定値Dthは、走査後かつ焼成前のペースト4の厚さと、電極パターン21,22の厚さとの差であり、走査後かつ焼成前のペーストの厚さ4は、ペースト4の焼成による収縮量に応じて定められる。また、好ましくは、走査後かつ焼成前のペースト4の厚さは、ペースト4が焼成により収縮した際に、当該収縮後のペースト4の厚さDAが電極パターン21,22の厚さDBと略同一となるように定められる。ここで「略同一」には、たとえば数μm〜10μm程度の誤差が含まれ得る。   More specifically, even after firing, the thickness DA of the paste 4 is substantially equal to the thickness DB of the electrode patterns 21 and 22 (so that the difference between them is about several μm), or the thickness DA of the paste 4 The distance D is set to a predetermined value Dth in consideration of the shrinkage amount of the paste 4 due to the firing so that the thickness DB becomes slightly larger than the thickness DB of the electrode patterns 21 and 22 (for example, about 10 μm) (FIG. 9). (See (d) and (f)). In other words, the predetermined value Dth is the difference between the thickness of the paste 4 after scanning and before firing and the thickness of the electrode patterns 21 and 22, and the thickness 4 of the paste after scanning and before firing is the firing of the paste 4 It is determined according to the amount of contraction due to. Preferably, the thickness of the paste 4 after scanning and before firing is such that when the paste 4 shrinks due to firing, the thickness DA of the paste 4 after shrinkage is substantially equal to the thickness DB of the electrode patterns 21 and 22. It is determined to be the same. Here, “substantially the same” may include, for example, an error of about several μm to 10 μm.

なお、所定値Dthは、たとえばペースト4の特性(材料、金属含有量、金属の粒度、溶剤、粘度など)、焼成条件(温度プロファイル、焼成雰囲気など)、断線部分3の形状(長さ、幅、厚みなど)に応じて実験的に決定することができる。   The predetermined value Dth is, for example, the characteristics (material, metal content, metal particle size, solvent, viscosity, etc.) of the paste 4, firing conditions (temperature profile, firing atmosphere, etc.), and the shape (length, width) of the disconnected portion 3. , Thickness, etc.) can be determined experimentally.

なお、スキージ針10の先端部12と電極パターン21(または電極パターン22)との間の距離Dが所定値Dthに達するまでのスキージ針10の移動量は、スキージ針10の先端部12と電極パターン21の上面とが接触したか否かの判定基準を考慮して設定することが好ましい。一例として、歪ゲージ15の検出値が0からわずかに変化しただけでも接触と判定する場合、制御装置200は、移動量をある値ΔZ1に設定する。一方、検出値が0よりもある程度大きな判定値を上回った場合に接触と判定する場合、制御装置200は、移動量を別の値ΔZ2(ΔZ2>ΔZ1)に設定する。   The amount of movement of the squeegee needle 10 until the distance D between the tip 12 of the squeegee needle 10 and the electrode pattern 21 (or electrode pattern 22) reaches a predetermined value Dth is the tip 12 of the squeegee needle 10 and the electrode. It is preferable to set in consideration of a criterion for determining whether or not the upper surface of the pattern 21 is in contact. As an example, when determining that the contact is made even if the detection value of the strain gauge 15 slightly changes from 0, the control device 200 sets the movement amount to a certain value ΔZ1. On the other hand, when the contact value is determined when the detected value exceeds a determination value that is somewhat larger than 0, the control device 200 sets the movement amount to another value ΔZ2 (ΔZ2> ΔZ1).

S40において、制御装置200は、距離Dを所定値Dthに保持した状態において、断線部分3に塗布されたペースト4に対して水平方向に走査させる(図9(d)および図9(e)参照)。これにより、ペースト4のうち電極パターン21,22の上面よりも上方にある部分の厚みが所定値Dthとなるようにペースト4が整形される。   In S40, the control device 200 scans the paste 4 applied to the disconnected portion 3 in the horizontal direction in a state where the distance D is maintained at the predetermined value Dth (see FIG. 9D and FIG. 9E). ). As a result, the paste 4 is shaped so that the thickness of the portion of the paste 4 above the upper surfaces of the electrode patterns 21 and 22 has a predetermined value Dth.

S50において、制御装置200は、レーザ光源150の制御によりレーザ光をペースト4に照射してペースト4を焼成する(図9(f)参照)。ただし、ペースト4の焼成方法はこれに限定されず、たとえば電気炉を用いてもよい。   In S50, the control device 200 irradiates the paste 4 with laser light under the control of the laser light source 150 to fire the paste 4 (see FIG. 9F). However, the baking method of the paste 4 is not limited to this, For example, you may use an electric furnace.

このように、実施の形態1によれば、焼成によるペーストの収縮量を考慮して、スキージ針を走査する際のスキージ針と電極パターンの上面との間の距離が設定される。これにより、修正箇所の厚み(焼成後のペーストの厚み)が電極パターンの正常な部分の厚みとほぼ等しくなるように、あるいはわずかに大きくなるように断線部分を修正することができる。   Thus, according to Embodiment 1, the distance between the squeegee needle and the upper surface of the electrode pattern when scanning the squeegee needle is set in consideration of the shrinkage amount of the paste due to baking. As a result, the disconnected portion can be corrected so that the thickness of the corrected portion (the thickness of the paste after firing) is substantially equal to or slightly larger than the thickness of the normal portion of the electrode pattern.

したがって、実施の形態1に係る欠陥修正方法を積層基板に適用すれば、積層された配線層間の電極パターンの距離が適正値よりも小さくなることを防止できる。その結果として、電気的なノイズの発生を抑制することができる。   Therefore, when the defect correction method according to the first embodiment is applied to the laminated substrate, it is possible to prevent the distance between the electrode patterns between the laminated wiring layers from becoming smaller than an appropriate value. As a result, generation of electrical noise can be suppressed.

[実施の形態2]
ペーストの粘度が比較的低い場合、スキージ針の走査によりペーストを整形しても、整形後のペーストは、焼成工程が開始されるまでの間、その形状を維持することができないことがあり得る。そこで、実施の形態2では、ペーストの粘度を走査工程および焼成工程(図9に示すS40,S50)に適した粘度に調整する構成について説明する。なお、実施の形態2に係る欠陥修正装置の構成は、図3〜図7にて説明した欠陥修正装置100の構成と同等であるため、詳細な説明は繰り返さない。
[Embodiment 2]
When the viscosity of the paste is relatively low, even if the paste is shaped by scanning with a squeegee needle, the shaped paste may not be able to maintain its shape until the firing process is started. In the second embodiment, a configuration for adjusting the viscosity of the paste to a viscosity suitable for the scanning process and the baking process (S40 and S50 shown in FIG. 9) will be described. The configuration of the defect correction apparatus according to the second embodiment is the same as the configuration of defect correction apparatus 100 described with reference to FIGS.

図10は、実施の形態2における基板1の欠陥修正方法を説明するためのフローチャートである。図11は、図10に示す欠陥修正方法の各工程を模式的に表す図である。図10に示すフローチャートは、S12,S14の処理をさらに備える点において、図8に示す実施の形態1のフローチャートと異なる。図10に示すフローチャートのそれ以外の処理は、図8に示すフローチャートの対応する処理と同等であるため、詳細な説明は繰り返さない。   FIG. 10 is a flowchart for explaining a defect correcting method for substrate 1 in the second embodiment. FIG. 11 is a diagram schematically showing each step of the defect correction method shown in FIG. The flowchart shown in FIG. 10 differs from the flowchart of the first embodiment shown in FIG. 8 in that it further includes the processes of S12 and S14. The other processes in the flowchart shown in FIG. 10 are the same as the corresponding processes in the flowchart shown in FIG. 8, and thus detailed description will not be repeated.

図10および図11を参照して、S12において、制御装置200は、ペースト4の粘度が基準値以下であるか否かを判定する。制御装置200の使用者は、たとえば、ペースト4の粘度の仕様値または粘度計による測定値をペースト4の粘度として、入力機器(図示せず)を用いて制御装置200に入力することができる。制御装置200は、その入力値を予め定められた基準値と比較して、ペースト4が低粘度であるか否かを判定する。   Referring to FIGS. 10 and 11, in S12, control device 200 determines whether or not the viscosity of paste 4 is equal to or lower than a reference value. The user of the control device 200 can input, for example, the specification value of the viscosity of the paste 4 or the value measured by the viscometer into the control device 200 using the input device (not shown) as the viscosity of the paste 4. Control device 200 compares the input value with a predetermined reference value to determine whether paste 4 has a low viscosity.

ペースト4の粘度が基準値よりも高い場合(S12においてNO)、制御装置200は、ペースト4は走査工程および焼成工程に適した十分な粘度を有するとして、S14をスキップして処理をS20に進める。一方、ペースト4の粘度が基準値以下の場合(S12においてYES)、制御装置200は、ペースト4の粘度が適正値よりも低いとして、処理をS14に進める。   When the viscosity of paste 4 is higher than the reference value (NO in S12), control device 200 skips S14 and advances the process to S20, assuming that paste 4 has sufficient viscosity suitable for the scanning process and the firing process. . On the other hand, when the viscosity of paste 4 is equal to or lower than the reference value (YES in S12), control device 200 advances the process to S14, assuming that the viscosity of paste 4 is lower than the appropriate value.

S14において、制御装置200は、レーザ光源150の制御によりレーザ光をペースト4に照射してペースト4を乾燥させる(図11(b)参照)。これにより、ペースト4の粘度が走査および焼成に適した粘度となるように調整される。レーザ光の強度および照射時間は、塗布されたペースト4の形状(長さ、幅、厚みなど)、ペースト4の特性に応じて実験的に決定することができる。その後、制御装置200は処理をS20に進める。S20以降の処理は実施の形態1における対応する処理(図8参照)と同等であるため、詳細な説明は繰り返さない。   In S <b> 14, the control device 200 irradiates the paste 4 with laser light under the control of the laser light source 150 to dry the paste 4 (see FIG. 11B). Thereby, the viscosity of the paste 4 is adjusted so as to be a viscosity suitable for scanning and baking. The intensity and irradiation time of the laser beam can be experimentally determined according to the shape (length, width, thickness, etc.) of the applied paste 4 and the characteristics of the paste 4. Thereafter, the control device 200 advances the process to S20. Since the processing after S20 is equivalent to the corresponding processing in Embodiment 1 (see FIG. 8), detailed description will not be repeated.

このように、実施の形態2によれば、ペーストが低粘度の場合に、スキージでの整形に先立ってペーストを乾燥させる。これにより、スキージでの整形に適した粘度となるようにペーストの粘度を増加させることができるとともに、整形後のペーストは、焼成工程が開始されるまでその形状を維持することができる。したがって、より粘度の低いペーストを使用することが可能となるため、ペーストの選択の幅を広げることができる。   Thus, according to Embodiment 2, when the paste has a low viscosity, the paste is dried prior to shaping with the squeegee. Thereby, the viscosity of the paste can be increased so that the viscosity is suitable for shaping with a squeegee, and the shape of the shaped paste can be maintained until the firing step is started. Therefore, it becomes possible to use a paste having a lower viscosity, so that the selection range of the paste can be expanded.

<抵抗の低減効果>
本実施の形態に係る修正方法によれば、焼成後の修正箇所の厚みが適正値よりも小さくなることが防止されるため、電極パターンの正常な部分と同程度の抵抗を有するように修正箇所の抵抗を低減することができる。以下、電極パターン(テストパターン)を用いて抵抗の低減効果を評価した結果について説明する。
<Reducing effect of resistance>
According to the correction method according to the present embodiment, since the thickness of the corrected portion after firing is prevented from becoming smaller than an appropriate value, the corrected portion has a resistance comparable to that of a normal portion of the electrode pattern. The resistance can be reduced. Hereinafter, the results of evaluating the resistance reduction effect using the electrode pattern (test pattern) will be described.

図12は、抵抗の低減効果の評価に用いた基板を示す図である。図13は、図12に示すXIII―XIII線に沿う基板の断面図である。図12および図13を参照して、電極パターン21,22の幅および厚みは、それぞれ50μmおよび30μmであった。電極パターン21,22間の断線部分3の長さは100μmであった。図示しないが、基板1に形成された電極パターン21,22の各々の長さは10mmであった。   FIG. 12 is a diagram illustrating a substrate used for evaluating the resistance reduction effect. 13 is a cross-sectional view of the substrate along the line XIII-XIII shown in FIG. Referring to FIGS. 12 and 13, the width and thickness of electrode patterns 21 and 22 were 50 μm and 30 μm, respectively. The length of the disconnected portion 3 between the electrode patterns 21 and 22 was 100 μm. Although not shown, each of the electrode patterns 21 and 22 formed on the substrate 1 has a length of 10 mm.

断線部分3をペースト4を用いて修正した。ペースト4には、金属粒子を含み、加熱により体積が減少する収縮性を有するものを用いた。ペースト4を塗布する際にスキージ条件を変えて、比較例および6種類のサンプルを準備した。各サンプルではパラメータとして、ペースト4のうち電極パターン21の上面との重複部分の厚みD1、断線部分3において電極パターン21,22の上面を基準としたペースト4の中央部分の高さH、ペースト4のうち電極パターン22の上面との重複部分の厚みD2、電極パターン21とペースト4との重複部分の長さL1、および、電極パターン22とペースト4との重複部分の長さL2が用いられた。修正後の基板1について、電極パターン21と電極パターン22との間の抵抗を測定した。   The disconnected portion 3 was corrected using the paste 4. As the paste 4, a paste containing metal particles and having a shrinkability in which the volume is reduced by heating was used. A squeegee condition was changed when applying the paste 4, and a comparative example and six types of samples were prepared. In each sample, as parameters, the thickness D1 of the portion of the paste 4 overlapping the upper surface of the electrode pattern 21, the height H of the central portion of the paste 4 with respect to the upper surfaces of the electrode patterns 21 and 22 in the disconnected portion 3, and the paste 4 Among them, the thickness D2 of the overlapping portion with the upper surface of the electrode pattern 22, the length L1 of the overlapping portion between the electrode pattern 21 and the paste 4, and the length L2 of the overlapping portion between the electrode pattern 22 and the paste 4 were used. . With respect to the substrate 1 after correction, the resistance between the electrode pattern 21 and the electrode pattern 22 was measured.

図14は、抵抗の低減効果の評価結果を示す図である。図14において、抵抗比とは、断線が生じていない比較例を基準としたサンプルの抵抗値(=サンプルの電極パターン抵抗値/比較例の電極パターンの抵抗値)を示す。   FIG. 14 is a diagram illustrating an evaluation result of a resistance reduction effect. In FIG. 14, the resistance ratio indicates the resistance value of the sample (= electrode pattern resistance value of the sample / resistance value of the electrode pattern of the comparative example) based on the comparative example in which no disconnection occurs.

図14を参照して、サンプル5,6の抵抗値は非常に大きく、それぞれ比較例の抵抗値の200倍以上および23倍であった。これは、サンプル4,5の重複部分の長さL1,L2が適正値(適正な範囲の下限値)よりも小さいためと考えられる。同様に、サンプル2の抵抗値も非常に大きく、比較例の抵抗値の9.2倍であった。これは、サンプル2の重複部分の厚みD1,D2が適正値よりも小さいためと考えられる。   Referring to FIG. 14, the resistance values of Samples 5 and 6 were very large, which were 200 times or more and 23 times the resistance value of the comparative example, respectively. This is thought to be because the lengths L1 and L2 of the overlapping portions of the samples 4 and 5 are smaller than the appropriate value (the lower limit value of the appropriate range). Similarly, the resistance value of Sample 2 was very large, which was 9.2 times that of the comparative example. This is considered because the thicknesses D1 and D2 of the overlapping portions of the sample 2 are smaller than the appropriate values.

一方、サンプル3,4の抵抗値については、比較例の抵抗値の1.6倍にまで低減することができた。これは、サンプル3,4の重複部分の長さL1,L2および厚みD1,D2の各値が、いずれも適正な範囲内になっているためと考えられる。   On the other hand, the resistance values of Samples 3 and 4 could be reduced to 1.6 times the resistance value of the comparative example. This is presumably because the lengths L1 and L2 and the thicknesses D1 and D2 of the overlapping portions of the samples 3 and 4 are within appropriate ranges.

このように、サンプル5,6の評価結果から、修正箇所の抵抗が非常に大きな値となることを抑制するためには、ある程度の長さの重複部分が必要であることが分かる。そして、サンプル2の評価結果から、重複部分の厚みが適正な範囲内となるように調整することによって、修正箇所の抵抗を正常な電極パターン(比較例のように断線が生じていない電極パターン)の抵抗と同程度にまで低減可能であることが分かる。その結果、修正箇所における熱損失の増大により断線が再び生じる可能性を低減することができる。すなわち、修正後の基板の信頼性を向上させることができる。   Thus, from the evaluation results of Samples 5 and 6, it can be seen that an overlapping portion of a certain length is necessary to suppress the resistance of the corrected portion from becoming a very large value. And from the evaluation result of sample 2, by adjusting the thickness of the overlapping portion to be within an appropriate range, the resistance of the corrected portion is a normal electrode pattern (an electrode pattern in which no disconnection occurs as in the comparative example) It can be seen that the resistance can be reduced to the same level as the resistance. As a result, it is possible to reduce the possibility of disconnection occurring again due to an increase in heat loss at the corrected location. That is, the reliability of the substrate after correction can be improved.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

1 基板、3 断線箇所、4 ペースト、10 スキージ針、11 基端部、12 先端部、15 歪ゲージ、21〜24 電極パターン、100 欠陥修正装置、110 XYステージ、120 真空チャックテーブル、130 Zステージ、140 修正ユニット、150 レーザ光源、160 撮影装置、200 制御装置、W ワーク。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate, 3 Disconnection location, 4 Paste, 10 Squeegee needle, 11 Base end, 12 Tip, 15 Strain gauge, 21-24 Electrode pattern, 100 Defect correction device, 110 XY stage, 120 Vacuum chuck table, 130 Z stage , 140 correction unit, 150 laser light source, 160 photographing device, 200 control device, W work.

Claims (9)

基板上に形成された電極パターンの断線部分を、焼成により導電性を発現するペーストを用いて修正する、基板の欠陥修正装置であって、
断線部分に塗布された前記ペーストを整形するための整形部材と、
前記整形部材と前記電極パターンとの間の距離を調整する調整機構と、
塗布された前記ペーストに対して前記整形部材を走査する走査機構と、
前記調整機構および前記走査機構を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記距離が所定値となるように前記調整機構を制御するとともに、前記距離を前記所定値に保持した状態において、前記走査機構により前記整形部材を走査し、
前記所定値は、前記ペーストの焼成による収縮量に応じて定められる、基板の欠陥修正装置。
A defect correction apparatus for a substrate, wherein the broken portion of the electrode pattern formed on the substrate is corrected using a paste that develops conductivity by firing,
A shaping member for shaping the paste applied to the disconnected portion;
An adjustment mechanism for adjusting the distance between the shaping member and the electrode pattern;
A scanning mechanism for scanning the shaping member with respect to the applied paste;
A controller for controlling the adjustment mechanism and the scanning mechanism,
The control device controls the adjustment mechanism so that the distance becomes a predetermined value, and in the state where the distance is held at the predetermined value, scans the shaping member by the scanning mechanism,
The predetermined value is determined according to the amount of shrinkage caused by firing of the paste.
前記所定値は、走査後かつ焼成前の前記ペーストの厚さと、前記電極パターンの厚さとの差であり、
走査後かつ焼成前の前記ペーストの厚さは、前記ペーストが焼成により収縮した際に、当該収縮後の前記ペーストの厚さが前記電極パターンの厚さと略同一となるように定められる、請求項1に記載の基板の欠陥修正装置。
The predetermined value is a difference between the thickness of the paste after scanning and before firing, and the thickness of the electrode pattern,
The thickness of the paste after scanning and before firing is determined such that when the paste shrinks due to firing, the thickness of the paste after shrinkage is substantially the same as the thickness of the electrode pattern. 2. The defect correction apparatus for a substrate according to 1.
前記整形部材は、針状部材を含み、
前記針状部材は、
円筒形状の基端部と、
前記基端部の先端に設けられた楔形状の先端部とを有する、請求項1または2に記載の基板の欠陥修正装置。
The shaping member includes a needle-shaped member,
The needle-shaped member is
A cylindrical base end;
The defect correction apparatus for a substrate according to claim 1, further comprising a wedge-shaped distal end portion provided at a distal end of the base end portion.
前記調整機構の制御により前記整形部材が前記電極パターンに接触したことを検出する検出部をさらに備え、
前記制御装置は、前記検出部による検出結果に基づいて、前記距離を調整する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板の欠陥修正装置。
A detection unit for detecting that the shaping member is in contact with the electrode pattern under the control of the adjustment mechanism;
The said control apparatus is a defect correction apparatus of the board | substrate of any one of Claims 1-3 which adjusts the said distance based on the detection result by the said detection part.
基板上に形成された電極パターンの断線部分を修正する、基板の欠陥修正方法であって、
断線部分に、焼成により導電性を発現するペーストを塗布するステップと、
整形部材と前記電極パターンとの間の距離が所定値となるように調整するステップと、
前記距離を前記所定値に保持した状態において、断線部分に塗布された前記ペーストに対して前記整形部材を走査するステップと、
当該走査により整形された前記ペーストを焼成するステップとを備え、
前記所定値は、前記ペーストの焼成による収縮量に応じて定められる、基板の欠陥修正方法。
A defect correction method for a substrate, which corrects a broken portion of an electrode pattern formed on the substrate,
Applying a paste that develops conductivity by firing to the disconnected portion; and
Adjusting the distance between the shaping member and the electrode pattern to be a predetermined value;
Scanning the shaping member with respect to the paste applied to the broken portion in a state where the distance is held at the predetermined value;
Firing the paste shaped by the scanning,
The predetermined value is determined in accordance with a shrinkage amount due to baking of the paste.
前記所定値は、前記走査するステップの実行後かつ前記焼成するステップの実行前の前記ペーストの厚さと、前記電極パターンの厚さとの差であり、
前記走査するステップの実行後かつ前記焼成するステップの実行前の前記ペーストの厚さは、前記ペーストが前記焼成するステップにより収縮した際に、当該収縮後の前記ペーストの厚さが前記電極パターンの厚さと略同一となるように定められる、請求項5に記載の基板の欠陥修正方法。
The predetermined value is a difference between a thickness of the paste after execution of the scanning step and before execution of the baking step, and a thickness of the electrode pattern,
The thickness of the paste after execution of the scanning step and before execution of the firing step is such that when the paste is shrunk by the firing step, the thickness of the paste after the shrinkage is that of the electrode pattern. 6. The defect correction method for a substrate according to claim 5, wherein the defect correction method is determined so as to be substantially the same as the thickness.
前記走査するステップに先立って、塗布された前記ペーストを乾燥させるステップをさらに備える、請求項5または6に記載の基板の欠陥修正方法。   The defect correction method for a substrate according to claim 5, further comprising a step of drying the applied paste prior to the scanning step. 前記塗布するステップにおいて、前記ペーストが前記電極パターンの少なくとも一部と重複するように前記ペーストを塗布する、請求項5〜7のいずれか1項に記載の基板の欠陥修正方法。   The substrate defect correction method according to claim 5, wherein in the applying step, the paste is applied so that the paste overlaps at least a part of the electrode pattern. 請求項5〜7のいずれか1項に記載の基板の欠陥修正方法を用いて焼成された前記ペーストは、前記電極パターンの少なくとも一部と重複して形成される、基板の欠陥修正部構造。   The defect correction part structure of a board | substrate with which the said paste baked using the defect correction method of the board | substrate of any one of Claims 5-7 overlaps with at least one part of the said electrode pattern.
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