JP2016076494A - Conductive paste, connection structure, and method for manufacturing connection structure - Google Patents

Conductive paste, connection structure, and method for manufacturing connection structure Download PDF

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英亮 石澤
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敬士 久保田
仁志 山際
Hitoshi Yamagiwa
仁志 山際
弾一 宮崎
Danichi Miyazaki
弾一 宮崎
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淳 長谷川
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Satoshi Saito
諭 齋藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive paste capable of efficiently arranging solder particles on electrodes to improve conduction reliability between the electrodes.SOLUTION: A conductive paste 11 comprises a thermosetting component 11B and a plurality of solder particles 11A, and the zeta potential on the surface of the solder particles 11A is plus. The solder particle 11a includes an anionic polymer disposed on the surface of a solder particle 11A body. The dielectric constant of a component excluding the solder particles 11A in the conductive paste 11 is preferably 3.4 or more and 6 or less, the viscosity of the conductive paste 11 at 25°C is preferably 10-800 Pa s, and the average particle diameter of the solder particles 11A is desirably 1-40 μm.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、はんだ粒子を含む導電ペーストに関する。また、本発明は、上記導電ペーストを用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。   The present invention relates to a conductive paste containing solder particles. The present invention also relates to a connection structure using the conductive paste and a method for manufacturing the connection structure.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。   Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder resin.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。   In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.

上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。   For example, when electrically connecting the electrode of the flexible printed circuit board and the electrode of the glass epoxy substrate by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass epoxy substrate. To do. Next, a flexible printed circuit board is laminated, and heated and pressurized. As a result, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected via the conductive particles to obtain a connection structure.

上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献1には、熱硬化性樹脂を含む樹脂層と、はんだ粉と、硬化剤とを含み、上記はんだ粉と上記硬化剤とが上記樹脂層中に存在する接着テープが開示されている。この接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。   As an example of the anisotropic conductive material, the following Patent Document 1 includes a resin layer containing a thermosetting resin, solder powder, and a curing agent, and the solder powder and the curing agent include the resin layer. An adhesive tape present therein is disclosed. This adhesive tape is in the form of a film, not a paste.

また、特許文献1では、上記接着テープを用いた接着方法が開示されている。具体的には、第一基板、接着テープ、第二基板、接着テープ、及び第三基板を下からこの順に積層して、積層体を得る。このとき、第一基板の表面に設けられた第一電極と、第二基板の表面に設けられた第二電極とを対向させる。また、第二基板の表面に設けられた第二電極と第三基板の表面に設けられた第三電極とを対向させる。そして、積層体を所定の温度で加熱して接着する。これにより、接続構造体を得る。   Patent Document 1 discloses a bonding method using the above-mentioned adhesive tape. Specifically, a first substrate, an adhesive tape, a second substrate, an adhesive tape, and a third substrate are laminated in this order from the bottom to obtain a laminate. At this time, the first electrode provided on the surface of the first substrate is opposed to the second electrode provided on the surface of the second substrate. Moreover, the 2nd electrode provided in the surface of the 2nd board | substrate and the 3rd electrode provided in the surface of the 3rd board | substrate are made to oppose. Then, the laminate is heated and bonded at a predetermined temperature. Thereby, a connection structure is obtained.

WO2008/023452A1WO2008 / 023452A1

特許文献1に記載の接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。このため、はんだ粉を電極(ライン)上に効率的に配置することは困難である。例えば、特許文献1に記載の接着テープでは、はんだ粉の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)にも配置されやすい。電極が形成されていない領域に配置されたはんだ粉は、電極間の導通に寄与しない。   The adhesive tape described in Patent Document 1 is in a film form and not in a paste form. For this reason, it is difficult to efficiently arrange the solder powder on the electrodes (lines). For example, in the adhesive tape described in Patent Document 1, a part of the solder powder is easily placed in a region (space) where no electrode is formed. Solder powder disposed in a region where no electrode is formed does not contribute to conduction between the electrodes.

また、はんだ粉を含む異方性導電ペーストであっても、はんだ粉が電極(ライン)上に効率的に配置されないことがある。   Moreover, even if it is the anisotropic conductive paste containing solder powder, solder powder may not be efficiently arrange | positioned on an electrode (line).

本発明の目的は、はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の導通信頼性を高めることができる導電ペーストを提供することである。また、本発明は、上記導電ペーストを用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。   The objective of this invention is providing the electrically conductive paste which can arrange | position a solder particle efficiently on an electrode and can improve the conduction | electrical_connection reliability between electrodes. Moreover, this invention is providing the manufacturing method of the connection structure and connection structure using the said electrically conductive paste.

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含み、前記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスである、導電ペーストが提供される。   According to a wide aspect of the present invention, there is provided a conductive paste comprising a thermosetting component and a plurality of solder particles, wherein the surface of the solder particles has a positive zeta potential.

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記はんだ粒子が、はんだ粒子本体と、前記はんだ粒子本体の表面上に配置されたアニオンポリマーとを有する。   On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the said solder particle has a solder particle main body and the anion polymer arrange | positioned on the surface of the said solder particle main body.

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、導電ペースト中の前記はんだ粒子を除く成分を用いて測定された誘電率が3.4以上、6以下である。   On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the dielectric constant measured using the component except the said solder particle in an electrically conductive paste is 3.4 or more and 6 or less.

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、25℃での粘度が、10Pa・s以上、800Pa・s以下である。   On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the viscosity in 25 degreeC is 10 Pa.s or more and 800 Pa.s or less.

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記はんだ粒子の融点以下の温度領域での粘度の最低値が、0.1Pa・s以上、10Pa・s以下である。   On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the minimum value of the viscosity in the temperature range below the melting point of the said solder particle is 0.1 Pa.s or more and 10 Pa.s or less.

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記はんだ粒子の平均粒子径が1μm以上、40μm以下である。   On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the average particle diameter of the said solder particle is 1 micrometer or more and 40 micrometers or less.

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記導電ペースト100重量%中、前記はんだ粒子の含有量が10重量%以上、60重量%以下である。   On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, content of the said solder particle is 10 to 60 weight% in 100 weight% of said electrically conductive paste.

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記はんだ粒子の粒子径のCV値が5%以上、40%以下である。   On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the CV value of the particle diameter of the said solder particle is 5% or more and 40% or less.

本発明の広い局面によれば、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電ペーストにより形成されており、前記第1の電極と前記第2の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a first connection target member having at least one first electrode on the surface, a second connection target member having at least one second electrode on the surface, and the first The connection target member and a connection part connecting the second connection target member are formed, and the connection part is formed of the above-described conductive paste, and the first electrode and the second electrode A connection structure is provided in which an electrode is electrically connected by a solder portion in the connection portion.

本発明の広い局面によれば、上述した導電ペーストを用いて、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、前記導電ペーストを配置する工程と、前記導電ペーストの前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置する工程と、前記はんだ粒子の融点以上かつ前記熱硬化性成分の硬化温度以上に前記導電ペーストを加熱することで、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電ペーストにより形成し、かつ、前記第1の電極と前記第2の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える、接続構造体の製造方法が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, using the conductive paste described above, the step of disposing the conductive paste on the surface of the first connection target member having at least one first electrode on the surface; On the surface opposite to the first connection target member side of the paste, the second connection target member having at least one second electrode on the surface is formed by the first electrode and the second electrode. The first connection target member and the second connection target member are disposed so as to face each other, and by heating the conductive paste to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder particles and equal to or higher than the curing temperature of the thermosetting component. And a step of electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion. , Manufacturing method of connection structure It is provided.

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、前記導電ペーストには、前記第2の接続対象部材の重量が加わる。   In a specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressure is applied, and the conductive paste includes The weight of the second connection target member is added.

前記第1の電極と前記接続部と前記第2の電極との積層方向に前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、前記接続部中のはんだ部が配置されていることが好ましい。前記第1の電極及び前記第2の電極の内の少なくとも一方の側面が、内側に向かって傾斜しており、傾斜している電極の傾斜部の先端における内角が20度以上、80度以下であることが好ましい。前記第2の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。   When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is preferable that the solder part in the connection part is arranged in 50% or more of the area of 100% of the part facing the two electrodes. At least one side surface of the first electrode and the second electrode is inclined inward, and the inner angle at the tip of the inclined portion of the inclined electrode is not less than 20 degrees and not more than 80 degrees. Preferably there is. The second connection target member is preferably a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board.

本発明に係る導電ペーストは、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含み、上記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスであるので、電極間を電気的に接続した場合に、はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の導通信頼性を高めることができる。   The conductive paste according to the present invention contains a thermosetting component and a plurality of solder particles, and since the zeta potential of the surface of the solder particles is positive, the solder particles are electrically connected when the electrodes are electrically connected. It can arrange | position efficiently on an electrode and can improve the conduction | electrical_connection reliability between electrodes.

図1は、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて得られる接続構造体を模式的に示す部分切欠正面断面図である。FIG. 1 is a partially cutaway front sectional view schematically showing a connection structure obtained using a conductive paste according to an embodiment of the present invention. 図2(a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて、接続構造体を製造する方法の一例の各工程を説明するための図である。2A to 2C are diagrams for explaining each step of an example of a method for manufacturing a connection structure using the conductive paste according to the embodiment of the present invention. 図3は、接続構造体の変形例を示す部分切欠正面断面図である。FIG. 3 is a partially cutaway front sectional view showing a modified example of the connection structure. 図4は、電極の形状の一例を説明するための模式的な正面図である。FIG. 4 is a schematic front view for explaining an example of the shape of the electrode. 図5(a),(b)及び(c)は、本発明の実施形態に含まれる導電ペーストを用いた接続構造体の一例を示す画像であり、図5(a)及び(b)は断面画像であり、図5(c)は平面画像である。5A, 5B, and 5C are images showing an example of a connection structure using the conductive paste included in the embodiment of the present invention. FIGS. 5A and 5B are cross-sectional views. FIG. 5C is a planar image. 図6(a),(b)及び(c)は、本発明の実施形態に含まれない導電ペーストを用いた接続構造体の一例を示す画像であり、図6(a)及び(b)は断面画像であり、図6(c)は平面画像である。6A, 6B, and 6C are images showing an example of a connection structure using a conductive paste that is not included in the embodiment of the present invention, and FIGS. 6A and 6B are images. FIG. 6C is a cross-sectional image, and FIG. 6C is a planar image.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

本発明に係る導電ペーストは、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含む。本発明に係る導電ペーストでは、上記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスである。一般的なはんだ粒子の表面のゼータ電位は、プラスではない。本発明に係る導電ペーストでは、はんだ粒子の表面のゼータ電位をプラスにして用いる。   The conductive paste according to the present invention includes a thermosetting component and a plurality of solder particles. In the conductive paste according to the present invention, the zeta potential on the surface of the solder particles is positive. The zeta potential on the surface of general solder particles is not positive. In the conductive paste according to the present invention, the zeta potential on the surface of the solder particles is used with a positive value.

本発明に係る導電ペーストでは、上記の構成が採用されているので、電極間を電気的に接続した場合に、複数のはんだ粒子が、上下の対向した電極間に集まりやすく、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上に効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。従って、電極間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。このような効果を得るために、上記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスであることは大きく寄与する。上記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスであるはんだ粒子は、互いに寄り集まりやすい。   In the conductive paste according to the present invention, since the above-described configuration is adopted, when the electrodes are electrically connected, the plurality of solder particles are likely to gather between the upper and lower electrodes, and the plurality of solder particles are collected. It can arrange | position efficiently on an electrode (line). Moreover, it is difficult for some of the plurality of solder particles to be disposed in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder particles disposed in a region where no electrode is formed can be considerably reduced. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes that should not be connected, and to improve insulation reliability. In order to obtain such an effect, the positive zeta potential on the surface of the solder particles contributes greatly. Solder particles having a positive zeta potential on the surface of the solder particles tend to gather together.

また、はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスであることにより、接続対象部材の電極が金属である場合、電極の表面の電荷がマイナスとなるため、電極上にはんだ粒子が凝集しやすくなると推定される。はんだ粒子のゼータ電位は、1mV以下であることが好ましい。はんだ粒子のゼータ電位が、1mV以下であることにより、導電ペーストの粘度が熱等により低下した場合に、はんだ粒子同士の反発が小さいため、はんだ粒子同士がより一層凝集しやすくなると推定される。   In addition, since the zeta potential on the surface of the solder particles is positive, when the electrode of the connection target member is a metal, the charge on the surface of the electrode becomes negative, so it is estimated that the solder particles are likely to aggregate on the electrode. The The zeta potential of the solder particles is preferably 1 mV or less. When the zeta potential of the solder particles is 1 mV or less, when the viscosity of the conductive paste is reduced by heat or the like, the repulsion between the solder particles is small, so that the solder particles are more likely to aggregate.

本発明に係る導電ペーストは、以下の本発明に係る接続構造体の製造方法に好適に用いることができる。   The electrically conductive paste which concerns on this invention can be used suitably for the manufacturing method of the connection structure which concerns on the following this invention.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、導電ペーストと、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材とを用いる。本発明に係る接続構造体の製造方法で用いられる導電材料は、導電フィルムではなく、導電ペーストである。上記導電ペーストは、複数のはんだ粒子と、熱硬化性成分とを含む。上記第1の接続対象部材は、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する。上記第2の接続対象部材は、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する。   In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, the conductive paste, the first connection target member, and the second connection target member are used. The conductive material used in the method for manufacturing a connection structure according to the present invention is not a conductive film but a conductive paste. The conductive paste includes a plurality of solder particles and a thermosetting component. The first connection target member has at least one first electrode on the surface. The second connection target member has at least one second electrode on the surface.

本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記第1の接続対象部材の表面上に、本発明に係る導電ペーストを配置する工程と、上記導電ペーストの上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、上記第2の接続対象部材を、上記第1の電極と上記第2の電極とが対向するように配置する工程と、上記はんだ粒子の融点以上及び上記熱硬化性成分の硬化温度以上に上記導電ペーストを加熱することで、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電ペーストにより形成し、かつ、上記第1の電極と上記第2の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加わることが好ましい。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量の力を超える加圧圧力は加わらないことが好ましい。   In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the step of disposing the conductive paste according to the present invention on the surface of the first connection target member, and the first connection target member side of the conductive paste include: On the opposite surface, the step of disposing the second connection object member so that the first electrode and the second electrode face each other, the melting point of the solder particles or higher, and the thermosetting component By heating the conductive paste above the curing temperature, a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member is formed by the conductive paste, and the first And electrically connecting the second electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion. In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressure is applied, and the second connection is applied to the conductive paste. The weight of the target member is preferably added. In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, the conductive paste has a weight force of the second connection target member. It is preferable not to apply a pressure higher than.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記の構成が採用されているので、複数のはんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間に集まりやすく、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上に効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。従って、第1の電極と第2の電極との間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。   In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, since the above-described configuration is adopted, the plurality of solder particles are easily collected between the first electrode and the second electrode, and the plurality of solder particles are collected on the electrode ( Line). Moreover, it is difficult for some of the plurality of solder particles to be disposed in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder particles disposed in a region where no electrode is formed can be considerably reduced. Therefore, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes that should not be connected, and to improve insulation reliability.

このように、複数のはんだ粒子を電極上に効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくするためには、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いる必要があることを、本発明者らは見出した。   Thus, in order to efficiently arrange a plurality of solder particles on the electrode and to considerably reduce the amount of solder particles arranged in the region where the electrode is not formed, a conductive paste is used instead of a conductive film. The inventors have found that they need to be used.

さらに、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストに、上記第2の接続対象部材の重量が加われば、接続部が形成される前に電極が形成されていない領域(スペース)に配置されていたはんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間により一層集まりやすくなり、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上に効率的に配置することができることも、本発明者らは見出した。本発明では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いるという構成と、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加わるようにするという構成とを組み合わせて採用することには、本発明の効果をより一層高いレベルで得るために大きな意味がある。   Furthermore, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, if the weight of the second connection target member is added to the conductive paste without applying pressure, the connection portion is Solder particles arranged in a region (space) where no electrode is formed before being formed are more easily collected between the first electrode and the second electrode, and a plurality of solder particles are separated into electrodes (lines). The inventors have also found that they can be arranged efficiently above. In the present invention, a configuration in which a conductive paste is used instead of a conductive film and a configuration in which the weight of the second connection target member is added to the conductive paste without applying pressure are used in combination. This has a great meaning in order to obtain the effects of the present invention at a higher level.

なお、WO2008/023452A1では、はんだ粉を電極表面に押し流して効率よく移動させる観点からは、接着時に所定の圧力で加圧するとよいことが記載されており、加圧圧力は、はんだ領域をさらに確実に形成する観点では、例えば、0MPa以上、好ましくは1MPa以上とすることが記載されており、更に、接着テープに意図的に加える圧力が0MPaであっても、接着テープ上に配置された部材の自重により、接着テープに所定の圧力が加わってもよいことが記載されている。WO2008/023452A1では、接着テープに意図的に加える圧力が0MPaであってもよいことは記載されているが、0MPaを超える圧力を付与した場合と0MPaとした場合との効果の差異については、何ら記載されていない。   In addition, WO2008 / 023452A1 describes that it is preferable to pressurize with a predetermined pressure at the time of bonding from the viewpoint of efficiently moving the solder powder to the electrode surface, and the pressurizing pressure further ensures the solder area. For example, it is described that the pressure is set to 0 MPa or more, preferably 1 MPa or more. Further, even if the pressure intentionally applied to the adhesive tape is 0 MPa, the member disposed on the adhesive tape It is described that a predetermined pressure may be applied to the adhesive tape by its own weight. In WO2008 / 023452A1, it is described that the pressure applied intentionally to the adhesive tape may be 0 MPa, but there is no difference between the effect when the pressure exceeding 0 MPa is applied and when the pressure is set to 0 MPa. Not listed.

また、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部の厚みを適宜調整することも可能である。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。   In addition, when a conductive paste is used instead of a conductive film, the thickness of the connection portion can be appropriately adjusted depending on the amount of the conductive paste applied. On the other hand, in the conductive film, in order to change or adjust the thickness of the connection portion, it is necessary to prepare a conductive film having a different thickness or to prepare a conductive film having a predetermined thickness. There is.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。   Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings.

先ず、図1に、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて得られる接続構造体を模式的に部分切欠正面断面図で示す。   First, FIG. 1 schematically shows a connection structure obtained by using a conductive paste according to an embodiment of the present invention in a partially cutaway front sectional view.

図1に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材3と、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4とを備える。接続部4は、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含む導電ペーストにより形成されている。この導電ペーストでは、上記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスである。   The connection structure 1 shown in FIG. 1 is a connection that connects a first connection target member 2, a second connection target member 3, and the first connection target member 2 and the second connection target member 3. Part 4. The connection part 4 is formed of a conductive paste containing a thermosetting component and a plurality of solder particles. In this conductive paste, the zeta potential on the surface of the solder particles is positive.

接続部4は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部4Aと、熱硬化性成分が熱硬化された硬化物部4Bとを有する。   The connection portion 4 includes a solder portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and joined to each other, and a cured product portion 4B in which a thermosetting component is thermally cured.

第1の接続対象部材2は表面(上面)に、複数の第1の電極2aを有する。第2の接続対象部材3は表面(下面)に、複数の第2の電極3aを有する。第1の電極2aと第2の電極3aとが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。従って、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。なお、接続部4において、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだは存在しない。はんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだ部4Aと離れたはんだは存在しない。なお、少量であれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)に、はんだが存在していてもよい。   The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2a on the surface (upper surface). The second connection target member 3 has a plurality of second electrodes 3a on the surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by the solder portion 4A. Therefore, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 are electrically connected by the solder portion 4A. In the connection portion 4, no solder exists in a region (cured product portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In an area different from the solder part 4A (hardened product part 4B part), there is no solder separated from the solder part 4A. If the amount is small, the solder may be present in a region (cured product portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a.

図1に示すように、接続構造体1では、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部4Aが形成されている。このため、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電性の外表面がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接触面積が大きくなる。このため、接続構造体1における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電ペーストは、フラックスを含んでいてもよい。フラックスを用いた場合には、加熱により、一般にフラックスは次第に失活する。   As shown in FIG. 1, in the connection structure 1, after a plurality of solder particles are melted, the melt of the solder particles wets and spreads on the surface of the electrode and is solidified to form a solder portion 4 </ b> A. For this reason, the connection area of 4 A of solder parts and the 1st electrode 2a, and 4 A of solder parts, and the 2nd electrode 3a becomes large. That is, by using the solder particles, the solder portion 4A, the first electrode 2a, and the solder portion are compared with the case where the conductive outer surface is made of a metal such as nickel, gold or copper. The contact area between 4A and the second electrode 3a increases. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability and connection reliability in the connection structure 1 become high. Note that the conductive paste may contain a flux. When the flux is used, the flux is generally deactivated gradually by heating.

なお、図1に示す接続構造体1では、はんだ部4Aの全てが、第1,第2の電極2a,3a間の対向している領域に位置している。図3に示す変形例の接続構造体1Xは、接続部4Xのみが、図1に示す接続構造体1と異なる。接続部4Xは、はんだ部4XAと硬化物部4XBとを有する。接続構造体1Xのように、はんだ部4XAの多くが、第1,第2の電極2a,3aの対向している領域に位置しており、はんだ部4XAの一部が第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部4XAは、はんだ部4XAの一部であり、はんだ部4XAから離れたはんだではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだの量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだが硬化物部中に存在していてもよい。   In addition, in the connection structure 1 shown in FIG. 1, all the solder parts 4A are located in the area | region which the 1st, 2nd electrodes 2a and 3a oppose. The connection structure 1X of the modification shown in FIG. 3 is different from the connection structure 1 shown in FIG. 1 only in the connection portion 4X. The connection part 4X has the solder part 4XA and the hardened | cured material part 4XB. As in the connection structure 1X, most of the solder portions 4XA are located in regions where the first and second electrodes 2a and 3a are opposed to each other, and a part of the solder portion 4XA is first and second. You may protrude to the side from the area | region which electrode 2a, 3a has opposed. The solder part 4XA protruding laterally from the region where the first and second electrodes 2a and 3a are opposed is a part of the solder part 4XA and is not a solder separated from the solder part 4XA. In the present embodiment, the amount of solder away from the solder portion can be reduced, but the solder away from the solder portion may exist in the cured product portion.

はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体1を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体1Xを得ることが容易になる。   If the amount of solder particles used is reduced, the connection structure 1 can be easily obtained. If the amount of the solder particles used is increased, it becomes easy to obtain the connection structure 1X.

導通信頼性をより一層高める観点からは、接続構造体1,1Xでは、第1の電極2aと接続部4と第2の電極3aとの積層方向に第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分をみたときに、第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、好ましくは75%以上に、接続部4,4X中のはんだ部4A,4XAが配置されていることが好ましい。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability, in the connection structures 1 and 1X, the first electrode 2a and the second electrode 3a are arranged in the stacking direction of the first electrode 2a, the connection portion 4, and the second electrode 3a. When the portion facing each other is viewed at 50% or more, preferably 75% or more of 100% of the area of the facing portion between the first electrode 2a and the second electrode 3a, the connecting portion 4, It is preferable that the solder portions 4A and 4XA in 4X are arranged.

次に、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて、接続構造体1を製造する方法の一例を説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the connection structure 1 using the conductive paste according to the embodiment of the present invention will be described.

先ず、第1の電極2aを表面(上面)に有する第1の接続対象部材2を用意する。次に、図2(a)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上に、熱硬化性成分11Bと、複数のはんだ粒子11Aとを含む導電ペースト11を配置する(第1の工程)。第1の接続対象部材2の第1の電極2aが設けられた表面上に、導電ペースト11を配置する。導電ペースト11の配置の後に、はんだ粒子11Aは、第1の電極2a(ライン)上と、第1の電極2aが形成されていない領域(スペース)上との双方に配置されている。   First, the 1st connection object member 2 which has the 1st electrode 2a on the surface (upper surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2A, a conductive paste 11 including a thermosetting component 11B and a plurality of solder particles 11A is disposed on the surface of the first connection target member 2 (first Process). The conductive paste 11 is disposed on the surface of the first connection target member 2 on which the first electrode 2a is provided. After the conductive paste 11 is disposed, the solder particles 11A are disposed both on the first electrode 2a (line) and on a region (space) where the first electrode 2a is not formed.

導電ペースト11の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。   The arrangement method of the conductive paste 11 is not particularly limited, and examples thereof include application with a dispenser, screen printing, and ejection with an inkjet device.

また、第2の電極3aを表面(下面)に有する第2の接続対象部材3を用意する。次に、図2(b)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上の導電ペースト11において、導電ペースト11の第1の接続対象部材2側とは反対側の表面上に、第2の接続対象部材3を配置する(第2の工程)。導電ペースト11の表面上に、第2の電極3a側から、第2の接続対象部材3を配置する。このとき、第1の電極2aと第2の電極3aとを対向させる。   Moreover, the 2nd connection object member 3 which has the 2nd electrode 3a on the surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2B, in the conductive paste 11 on the surface of the first connection target member 2, on the surface of the conductive paste 11 opposite to the first connection target member 2 side, The 2nd connection object member 3 is arrange | positioned (2nd process). On the surface of the conductive paste 11, the second connection target member 3 is disposed from the second electrode 3a side. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a are opposed to each other.

次に、はんだ粒子11Aの融点以上及び熱硬化性成分11Bの硬化温度以上に導電ペースト11を加熱する(第3の工程)。すなわち、はんだ粒子11Aの融点及び熱硬化性成分11Bの硬化温度の内のより低い温度以上に、導電ペースト11を加熱する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子11Aは、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まる(自己凝集効果)。本実施形態では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いているために、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に効果的に集まる。また、はんだ粒子11Aは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分11Bは熱硬化する。この結果、図2(c)に示すように、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4を、導電ペースト11により形成する。導電ペースト11により接続部4が形成され、複数のはんだ粒子11Aが接合することによってはんだ部4Aが形成され、熱硬化性成分11Bが熱硬化することによって硬化物部4Bが形成される。はんだ粒子11Aは速やかに移動するので、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に位置していないはんだ粒子11Aの移動が開始してから、第1の電極2aと第2の電極3aとの間にはんだ粒子11Aの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。   Next, the conductive paste 11 is heated above the melting point of the solder particles 11A and above the curing temperature of the thermosetting component 11B (third step). That is, the conductive paste 11 is heated to a temperature lower than the melting point of the solder particles 11A and the curing temperature of the thermosetting component 11B. At the time of this heating, the solder particles 11A that existed in the region where no electrode is formed gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a (self-aggregation effect). In this embodiment, since the conductive paste is used instead of the conductive film, the solder particles 11A are effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Also, the solder particles 11A are melted and joined together. Further, the thermosetting component 11B is thermoset. As a result, as shown in FIG. 2C, the connection portion 4 connecting the first connection target member 2 and the second connection target member 3 is formed with the conductive paste 11. The connection part 4 is formed by the conductive paste 11, the solder part 4A is formed by joining a plurality of solder particles 11A, and the cured part 4B is formed by thermosetting the thermosetting component 11B. Since the solder particles 11A move quickly, the first electrode 2a and the second electrode are moved after the movement of the solder particles 11A not located between the first electrode 2a and the second electrode 3a starts. It is not necessary to keep the temperature constant until the movement of the solder particles 11A is completed.

本実施形態では、上記第2の工程及び上記第3の工程において、加圧を行っていない。本実施形態では、導電ペースト11には、第2の接続対象部材3の重量が加わる。このため、接続部4の形成時に、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に効果的に集まる。なお、上記第2の工程及び上記第3の工程の内の少なくとも一方において、加圧を行えば、はんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間に集まろうとする作用が阻害される傾向が高くなる。このことは、本発明者らによって見出された。   In the present embodiment, no pressure is applied in the second step and the third step. In the present embodiment, the weight of the second connection target member 3 is added to the conductive paste 11. For this reason, when the connection part 4 is formed, the solder particles 11A are effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In addition, if pressure is applied in at least one of the second step and the third step, the action of the solder particles trying to collect between the first electrode and the second electrode is hindered. The tendency to become higher. This has been found by the inventors.

このようにして、図1に示す接続構造体1が得られる。なお、上記第2の工程と上記第3の工程とは連続して行われてもよい。また、上記第2の工程を行った後に、得られる第1の接続対象部材2と導電ペースト11と第2の接続対象部材3との積層体を、加熱部に移動させて、上記第3の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。   In this way, the connection structure 1 shown in FIG. 1 is obtained. The second step and the third step may be performed continuously. Moreover, after performing the said 2nd process, the laminated body of the obtained 1st connection object member 2, the electrically conductive paste 11, and the 2nd connection object member 3 is moved to a heating part, and said 3rd said You may perform a process. In order to perform the heating, the laminate may be disposed on a heating member, or the laminate may be disposed in a heated space.

導通信頼性をより一層高める観点からは、接続構造体1,1Xでは、第1の電極2aと接続部4と第2の電極3aとの積層方向に第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分をみたときに、第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、接続部4,4X中のはんだ部4A,4XAが配置されている接続構造体1,1Xを得ることが好ましい。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability, in the connection structures 1 and 1X, the first electrode 2a and the second electrode 3a are arranged in the stacking direction of the first electrode 2a, the connection portion 4, and the second electrode 3a. When the portion facing each other is seen, the solder portions 4A in the connection portions 4A, 4X are not less than 50% in the area 100% of the portions facing the first electrode 2a and the second electrode 3a. It is preferable to obtain a connection structure 1, 1X in which 4XA is arranged.

上記第3の工程における加熱温度は、はんだ粒子の融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上であれば特に限定されない。上記加熱温度は、好ましくは130℃以上、より好ましくは160℃以上、好ましくは450℃以下、より好ましくは250℃以下、更に好ましくは200℃以下である。   The heating temperature in the third step is not particularly limited as long as it is not lower than the melting point of the solder particles and not lower than the curing temperature of the thermosetting component. The heating temperature is preferably 130 ° C. or higher, more preferably 160 ° C. or higher, preferably 450 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, and still more preferably 200 ° C. or lower.

なお、上記第3の工程の後に、位置の修正や製造のやり直しを目的として、第1の接続対象部材又は第2の接続対象部材を、接続部から剥離することができる。この剥離を行うための加熱温度は、好ましくははんだ粒子の融点以上、より好ましくははんだ粒子の融点(℃)+10℃以上である。この剥離を行うための加熱温度は、はんだ粒子の融点(℃)+100℃以下であってもよい。   In addition, after the said 3rd process, a 1st connection object member or a 2nd connection object member can be peeled from a connection part for the purpose of correction of a position or re-production. The heating temperature for performing this peeling is preferably not lower than the melting point of the solder particles, more preferably not lower than the melting point (° C.) of the solder particles + 10 ° C. The heating temperature for performing this peeling may be the melting point (° C.) of the solder particles + 100 ° C. or less.

上記第3の工程における加熱方法としては、はんだ粒子の融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上に、接続構造体全体を、リフロー炉を用いて又はオーブンを用いて加熱する方法や、接続構造体の接続部のみを局所的に加熱する方法が挙げられる。   As the heating method in the third step, a method of heating the entire connection structure using a reflow furnace or an oven above the melting point of the solder particles and the curing temperature of the thermosetting component, or a connection structure The method of heating only the connection part of a body locally is mentioned.

局所的に加熱する方法に用いる器具としては、ホットプレート、熱風を付与するヒートガン、はんだゴテ、及び赤外線ヒーター等が挙げられる。   As a tool used for the method of heating locally, a hot plate, a heat gun for applying hot air, a soldering iron, an infrared heater, and the like can be given.

また、ホットプレートにて局所的に加熱する際、接続部直下は、熱伝導性の高い金属にて、その他の加熱することが好ましくない個所は、フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質にて、ホットプレート上面を形成することが好ましい。   In addition, when heating locally with a hot plate, the metal directly under the connection is made of a metal with high thermal conductivity, and other places where heating is not preferred are made of a material with low thermal conductivity such as a fluororesin. The upper surface of the hot plate is preferably formed.

なお、上記第1の接続対象部材は、少なくとも1つの第1の電極を有していればよい。上記第1の接続対象部材は複数の第1の電極を有することが好ましい。上記第2の接続対象部材は、少なくとも1つの第2の電極を有していればよい。上記第2の接続対象部材は複数の第2の電極を有することが好ましい。   In addition, the said 1st connection object member should just have at least 1 1st electrode. The first connection target member preferably has a plurality of first electrodes. The said 2nd connection object member should just have at least 1 2nd electrode. The second connection target member preferably has a plurality of second electrodes.

上記第1,第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1,第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記第1,第2の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。   The said 1st, 2nd connection object member is not specifically limited. Specific examples of the first and second connection target members include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and resin films, printed boards, flexible printed boards, flexible flat cables, rigid flexible boards, glass epoxies. Examples thereof include electronic components such as circuit boards such as substrates and glass substrates. The first and second connection target members are preferably electronic components.

上記第1,第2の接続対象部材の好ましい組み合わせとしては、コンデンサ及びダイオード等の電子部品と、回路基板との組み合わせが挙げられる。この組み合わせでは、電子部品の底面積(はんだにより接続される側の表面積)が、8000μm以下であることが好ましい。また、この組み合わせでは、電子部品の側面に電極が形成されておらず、電子部品の底面(はんだにより接続される側の表面)のみに電極が形成されていることが好ましい。電子部品の底面全体に、上記導電ペーストを塗布することで、電子部品の片方のみが立ち上がってしまうマンハッタン現象を抑制することができ、電極間に凝集したはんだによって、高い接続信頼性を得ることができる。 A preferable combination of the first and second connection target members includes a combination of an electronic component such as a capacitor and a diode and a circuit board. In this combination, the bottom area of the electronic component (surface area on the side connected by solder) is preferably 8000 μm 2 or less. In this combination, it is preferable that the electrode is not formed on the side surface of the electronic component, and the electrode is formed only on the bottom surface (the surface on the side connected by the solder) of the electronic component. By applying the conductive paste to the entire bottom surface of the electronic component, the Manhattan phenomenon in which only one of the electronic components rises can be suppressed, and high connection reliability can be obtained by the solder aggregated between the electrodes. it can.

また、上記第1,第2の接続対象部材の好ましい組み合わせとしては、半導体チップ又は半導体パッケージと、回路基板との組み合わせが挙げられる。この組み合わせでは、半導体チップ又は半導体パッケージの接続面に、電極のみが形成されており、バンプが形成されていないことが好ましい。上記導電ペーストを用いて接続を行うことにより、対向した電極間に、導電ペースト中のはんだ粒子が凝集することでバンプを形成することができるとともに、形成されたバンプが、熱硬化性成分の硬化物で補強された接続構造体を得ることができる。   A preferable combination of the first and second connection target members includes a combination of a semiconductor chip or a semiconductor package and a circuit board. In this combination, it is preferable that only the electrode is formed on the connection surface of the semiconductor chip or the semiconductor package, and no bump is formed. By making a connection using the conductive paste, bumps can be formed by agglomeration of solder particles in the conductive paste between the opposing electrodes, and the formed bumps can cure the thermosetting component. A connection structure reinforced with objects can be obtained.

また、上記第1,第2の接続対象部材の好ましい組み合わせとしては、ケーブル線と、回路基板との組み合わせが挙げられる。回路基板の電極上に配置されたケーブル線を覆うようにはんだ粒子を凝集させて接続を行うことができるとともに、その周りを覆う熱硬化性成分が硬化することで、信頼性の高い接続構造体を得ることができる。   A preferable combination of the first and second connection target members includes a combination of a cable line and a circuit board. A highly reliable connection structure that can be connected by agglomerating solder particles so as to cover the cable wires arranged on the electrodes of the circuit board, and the thermosetting component covering the periphery is cured. Can be obtained.

また、上記第1,第2の接続対象部材の好ましい組み合わせとしては、回路基板と、回路基板との組み合わせが挙げられる。例えば、第1の接続対象部材の接続面とは反対の裏面に半導体部品がある場合、圧力をかけずに第2の接続対象部材の接続を行うことができる。これにより、第1の接続対象部材の接続面とは反対の裏面に位置している半導体部品の不良の発生を抑えて、良好な接続構造体を得ることができる。   A preferable combination of the first and second connection target members includes a combination of a circuit board and a circuit board. For example, when there is a semiconductor component on the back surface opposite to the connection surface of the first connection target member, the second connection target member can be connected without applying pressure. Thereby, generation | occurrence | production of the defect of the semiconductor component located in the back surface opposite to the connection surface of a 1st connection object member can be suppressed, and a favorable connection structure can be obtained.

また、上記第1,第2の接続対象部材の好ましい組み合わせとしては、EMI対策として、携帯電話等の基板上に配置される金属製のカバーであるシールドカバー又はシールドケースと、回路基板との組み合わせが挙げられる。シールドカバー及びシールドケース以外の電子部品を回路基板上に実装した後、上記導電ペーストを用いて接続を行うことにより、通常の鉛フリーはんだと比較して、低温でシールドカバー又はシールドケースと回路基板とを接続することができ、既に実装されたシールドカバー又はシールドケース以外の電子部品への熱ダメージを低減することができる。   In addition, as a preferable combination of the first and second connection target members, as a measure against EMI, a combination of a shield cover or a shield case, which is a metal cover disposed on a substrate such as a cellular phone, and a circuit board Is mentioned. After mounting electronic components other than the shield cover and shield case on the circuit board, the shield cover or shield case and circuit board are connected at a lower temperature compared to ordinary lead-free solder by connecting using the above conductive paste. Can be connected, and thermal damage to electronic components other than the already mounted shield cover or shield case can be reduced.

また、外周に金属の第1の電極(配線)を有する第1の接続対象部材と、第1の電極(配線)に対向させる第2の電極(配線)を有する第2の接続対象部材との組み合わせが挙げられる。第1の接続対象部材と第2の接続対象部材とを上記導電ペーストにて貼りあわせ、加熱することで、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との対向した第1,第2の電極間をはんだで接続し、その周辺を熱硬化性成分の硬化物で固めた接続構造体が得られる。これにより外周部から第1の接続対象部材と第2の接続対象材とが貼りあわされた内部に、水及び水蒸気が浸入することを防止することができる。   In addition, a first connection target member having a metal first electrode (wiring) on the outer periphery and a second connection target member having a second electrode (wiring) opposed to the first electrode (wiring) Combinations are listed. The first connection target member and the second connection target member are bonded to each other with the conductive paste and heated, whereby the first connection target member and the second connection target member are opposed to each other. A connection structure in which the electrodes are connected with solder and the periphery thereof is hardened with a cured product of a thermosetting component is obtained. Thereby, it can prevent that water and water vapor | steam penetrate | invade into the inside where the 1st connection object member and the 2nd connection object material were pasted together from the outer peripheral part.

また、上記第1,第2の接続対象部材の好ましい組み合わせとしては、携帯電話等に搭載されるカメラモジュールの基板とフレキシブルプリント基板等との組み合わせも挙げられる。この組み合わせでは、フレキシブル基板側から加熱を行い、カメラモジュールのレンズ側から圧力を掛けずに実装を行うことが可能であるため、カメラモジュールの光学系にダメージを与えずに実装を行うことができる。   Moreover, as a preferable combination of the first and second connection target members, a combination of a camera module board mounted on a mobile phone or the like and a flexible printed board or the like may be mentioned. With this combination, it is possible to perform mounting without damaging the optical system of the camera module because it is possible to heat from the flexible substrate side and mount without applying pressure from the lens side of the camera module. .

工法の一例として、一方の接続対象部材に、導電ペーストを塗布し、熱や、光により、熱硬化性成分を半硬化させた後、他方の接続対象部材に貼りあわせ、次に、再度はんだが溶融する温度以上にて貼りあわせ、接着する方法が挙げられる。熱硬化性成分を半硬化させる場合には、はんだの融点温度以上の条件下にて、熱硬化性成分を半硬化させると、塗布した接続対象部材の電極上にはんだが凝集し、バンプを形成させることができる。熱硬化性成分を半硬化させることにより、第1の接続対象部材の第1の電極と第2の接続対象部材の第2の電極とを精度よく位置合わせすることができ、接続信頼性を高めることができる。   As an example of the construction method, a conductive paste is applied to one connection target member, the thermosetting component is semi-cured by heat or light, and then bonded to the other connection target member. A method of bonding and adhering at a temperature higher than the melting temperature is mentioned. When semi-curing the thermosetting component, if the thermosetting component is semi-cured under the condition above the melting point temperature of the solder, the solder will aggregate on the electrode of the applied member to be connected, forming a bump. Can be made. By semi-curing the thermosetting component, the first electrode of the first connection target member and the second electrode of the second connection target member can be accurately aligned, and the connection reliability is improved. be able to.

工法の他の例として、回路基板の配線上に導電ペーストを塗布し、はんだの融点以上に加熱を行うことで、配線上にはんだを凝集させて、高さ方向に厚みがある配線を形成する配線の形成方法も挙げられる。この工法は、配線の断面積を向上させることができるので、高電流を流す配線の形成に有用である。   As another example of the construction method, a conductive paste is applied on the wiring of the circuit board and heated to the melting point of the solder or higher, thereby aggregating the solder on the wiring and forming a wiring having a thickness in the height direction. A method for forming wiring is also included. Since this method can improve the cross-sectional area of the wiring, it is useful for forming a wiring through which a high current flows.

工法の更に他の例として、ビアが形成された回路基板、又は、半導体チップ又はウェハ等の半導体部品上に、導電ペーストを塗布し、はんだの融点以上に加熱することで、ビア内にはんだを充填させる工法が挙げられる。これにより、回路基板と半導体部品との表面及び裏面を導通させることができるとともに、ビア周辺を熱硬化性成分の硬化物で補強することで、信頼性の高い接続構造体が得られる。   As still another example of the construction method, a conductive paste is applied on a circuit board on which vias are formed, or a semiconductor component such as a semiconductor chip or a wafer, and the solder is heated to a temperature higher than the melting point of the solder so that the solder is formed in the vias. The method of filling is mentioned. Accordingly, the front and back surfaces of the circuit board and the semiconductor component can be made conductive, and a highly reliable connection structure can be obtained by reinforcing the periphery of the via with a cured product of a thermosetting component.

上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。上記第2の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだ粒子が電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、本発明に係る導電ペーストを用いているために、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだ粒子を電極上に効率的に集めることができ、電極間の導通信頼性を充分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップなどの他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。上記第1,第2の接続対象部材は、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板又はフレキシブルフラットケーブルであってもよく、リジッドフレキシブル基板であってもよい。   It is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. The second connection target member is preferably a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. Resin films, flexible printed boards, flexible flat cables, and rigid flexible boards have the property of being highly flexible and relatively lightweight. When a conductive film is used for connection of such a connection object member, there exists a tendency for a solder particle not to gather on an electrode. On the other hand, since the conductive paste according to the present invention is used, even if a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board is used, the solder particles can be efficiently collected on the electrode. And the reliability of conduction between the electrodes can be sufficiently enhanced. When using a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board, the reliability of conduction between electrodes by not applying pressure compared to the case of using other connection target members such as a semiconductor chip. The improvement effect can be obtained more effectively. The first and second connection target members may be a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極、SUS電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板又はフレキシブルフラットケーブルである場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。   Examples of the electrodes provided on the connection target member include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, silver electrodes, molybdenum electrodes, SUS electrodes, and tungsten electrodes. When the connection object member is a flexible printed circuit board or a flexible flat cable, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.

図4に示すように、第1の接続対象部材2Yの第1の電極2a及び第2の接続対象部材3Yの第2の電極3aの内の少なくとも一方の側面が、内側に向かって傾斜していることが好ましい。第1の電極2a及び第2の電極3aの双方の側面が、内側に向かって傾斜していることが好ましい。電極の側面が内側に向かって傾斜している場合に、電極の接続側とは反対側から電極の接続側に向かって電極幅が狭くなる。傾斜している電極の傾斜部の先端における内角(図4のC)は好ましくは20度以上、好ましくは90度未満、より好ましくは85度以下、更に好ましくは80度以下である。上記のような傾斜面を有する電極を用いれば、はんだ粒子が電極上により一層集まりやすくなる。これは、電極の側面が、はんだ粒子の移動を妨げにくくなるためであると考えられる。特に、はんだ粒子を寄り集めるために、上記傾斜構造は大きな効果を発揮する。   As shown in FIG. 4, at least one side surface of the first electrode 2a of the first connection target member 2Y and the second electrode 3a of the second connection target member 3Y is inclined inward. Preferably it is. It is preferable that both side surfaces of the first electrode 2a and the second electrode 3a are inclined inward. When the side surface of the electrode is inclined inward, the electrode width becomes narrower from the side opposite to the electrode connection side toward the electrode connection side. The internal angle (C in FIG. 4) at the tip of the inclined portion of the inclined electrode is preferably 20 degrees or more, preferably less than 90 degrees, more preferably 85 degrees or less, and even more preferably 80 degrees or less. When the electrode having the inclined surface as described above is used, the solder particles are more easily collected on the electrode. This is thought to be because the side surface of the electrode is less likely to hinder the movement of the solder particles. In particular, the inclined structure exhibits a great effect in order to gather solder particles.

上記第1の電極と上記第2の電極とが対向している位置における上記接続部の距離D1は好ましくは3μm以上、より好ましくは5μm以上、好ましくは40μm以下、より好ましくは30μm以下である。上記距離D1が上記下限以上であると、接続部と接続対象部材との接続信頼性がより一層高くなる。上記距離D1が上記上限以下であると、接続部の形成時にはんだ粒子が電極上により一層集まりやすくなり、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。また、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記距離D1は好ましくは10μm以上、より好ましくは12μm以上である。   The distance D1 of the connecting portion at the position where the first electrode and the second electrode face each other is preferably 3 μm or more, more preferably 5 μm or more, preferably 40 μm or less, more preferably 30 μm or less. When the distance D1 is equal to or greater than the lower limit, the connection reliability between the connection portion and the connection target member is further increased. When the distance D1 is less than or equal to the above upper limit, solder particles are more likely to gather on the electrodes when the connection portion is formed, and the conduction reliability between the electrodes is further enhanced. Further, from the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes, the distance D1 is preferably 10 μm or more, more preferably 12 μm or more.

はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置するために、上記導電ペーストの25℃での粘度η1は好ましくは10Pa・s以上、より好ましくは50Pa・s以上、更に好ましくは100Pa・s以上、好ましくは800Pa・s以下、より好ましくは600Pa・s以下、更に好ましくは500Pa・s以下である。   In order to arrange the solder particles more efficiently on the electrode, the viscosity η1 at 25 ° C. of the conductive paste is preferably 10 Pa · s or more, more preferably 50 Pa · s or more, and further preferably 100 Pa · s or more, preferably Is 800 Pa · s or less, more preferably 600 Pa · s or less, and still more preferably 500 Pa · s or less.

上記粘度は、配合成分の種類及び配合量に適宜調整可能である。また、フィラーの使用により、粘度を比較的高くすることができる。   The said viscosity can be suitably adjusted with the kind and compounding quantity of a compounding component. Further, the use of a filler can make the viscosity relatively high.

上記粘度は、例えば、E型粘度計(東機産業社製)等を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定可能である。   The viscosity can be measured, for example, using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) and the like at 25 ° C. and 5 rpm.

25℃以上、上記はんだ粒子(はんだ)の融点℃以下の温度領域での、上記導電ペーストの粘度の最低値(最低溶融粘度の値)は、好ましくは0.1Pa・s以上、より好ましくは0.2Pa・s以上、好ましくは10Pa・s以下、より好ましくは1Pa・s以下である。上記粘度の最低値が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。   The minimum value of viscosity of the conductive paste (minimum melt viscosity value) in a temperature range of 25 ° C. or higher and the melting point of the solder particles (solder) is preferably 0.1 Pa · s or higher, more preferably 0. .2 Pa · s or more, preferably 10 Pa · s or less, more preferably 1 Pa · s or less. When the minimum value of the viscosity is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles can be arranged more efficiently on the electrode.

上記粘度の最低値は、STRESSTECH(EOLOGICA社製)等を用いて、歪制御1rad、周波数1Hz、昇温速度20℃/分、測定温度範囲40〜200℃(但し、はんだ粒子の融点が200℃を超える場合には温度上限をはんだ粒子の融点とする)の条件の条件で測定可能である。測定結果から、はんだ粒子の融点℃以下の温度領域での粘度の最低値が評価される。   The minimum value of the above viscosity is STRESSTECH (manufactured by EOLOGICA), etc., strain control 1 rad, frequency 1 Hz, heating rate 20 ° C./min, measurement temperature range 40 to 200 ° C. (however, the melting point of solder particles is 200 ° C. In the case of exceeding the upper limit of the temperature, the melting point of the solder particles is taken into account). From the measurement result, the minimum value of the viscosity in the temperature region of the solder particle melting point or lower is evaluated.

上記はんだ粒子を除く成分を用いて測定された誘電率は好ましくは3.4以上、より好ましくは3.5以上、更に好ましくは4以上、好ましくは6以下、より好ましくは5以下である。上記はんだ粒子を除く成分は、導電ペーストからはんだ粒子を取り除いて得てもよく、導電ペーストにおけるはんだ粒子を除く配合成分を配合して得てもよい。上記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスであって、上記はんだ粒子を除く成分の誘電率が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層集まりやすくなる。   The dielectric constant measured using the component excluding the solder particles is preferably 3.4 or more, more preferably 3.5 or more, still more preferably 4 or more, preferably 6 or less, more preferably 5 or less. The component excluding the solder particles may be obtained by removing the solder particles from the conductive paste, or may be obtained by adding a compounding component excluding the solder particles in the conductive paste. When the zeta potential on the surface of the solder particles is positive and the dielectric constant of the component excluding the solder particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the solder particles are more likely to collect on the electrode.

上記誘電率は、誘電体測定装置(東洋テクニカ社製、126096W型)を用いて、サンプルサイズ直径20mm、厚み100μm、印加電圧0.2MV/m、応答スピード8ms、及び測定周波数100MHzの条件で測定可能である。   The dielectric constant is measured using a dielectric measuring device (Toyo Technica Co., Ltd., 126096W type) under the conditions of a sample size diameter of 20 mm, a thickness of 100 μm, an applied voltage of 0.2 MV / m, a response speed of 8 ms, and a measurement frequency of 100 MHz. Is possible.

はんだ粒子を電極上に更に一層効率的に配置する観点からは、25℃以上、上記はんだ粒子の融点℃以下の温度領域での、上記導電ペーストの粘度の最低値(最低溶融粘度の値)が上記下限以上及び上記上限以下であり、かつ、上記はんだ粒子を除く成分を用いて測定された誘電率が上記下限以上及び上記上限以下であることが好ましい。   From the viewpoint of more efficiently disposing the solder particles on the electrode, the minimum value of the viscosity of the conductive paste (the value of the minimum melt viscosity) in the temperature range of 25 ° C. or higher and the melting point of the solder particles or lower is 0 ° C. It is preferable that the dielectric constant measured using the component excluding the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit.

上記導電ペーストは、熱硬化性成分と複数のはんだ粒子とを含む。上記熱硬化性成分は、加熱により硬化可能な硬化性化合物(熱硬化性化合物)と、熱硬化剤とを含むことが好ましい。上記導電ペーストはフラックスを含むことが好ましい。   The conductive paste includes a thermosetting component and a plurality of solder particles. The thermosetting component preferably includes a curable compound (thermosetting compound) that can be cured by heating, and a thermosetting agent. The conductive paste preferably contains a flux.

以下、本発明の他の詳細を説明する。   Hereinafter, other details of the present invention will be described.

(はんだ粒子)
上記はんだ粒子は、はんだを導電性の外表面に有する。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスである。
(Solder particles)
The solder particles have solder on a conductive outer surface. As for the said solder particle, both a center part and an electroconductive outer surface are formed with the solder. The zeta potential on the surface of the solder particle is positive.

表面のゼータ電位をプラスすることが容易であることから、上記はんだ粒子は、はんだ粒子本体と、上記はんだ粒子本体の表面上に配置されたアニオンポリマーとを有することが好ましい。上記はんだ粒子は、はんだ粒子本体をアニオンポリマー又はアニオンポリマーとなる化合物で表面処理することにより得られることが好ましい。上記アニオンポリマー及び上記アニオンポリマーとなる化合物はそれぞれ、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記アニオンポリマーは、酸性基を有するポリマーである。   Since it is easy to add the zeta potential on the surface, the solder particles preferably have a solder particle body and an anionic polymer disposed on the surface of the solder particle body. The solder particles are preferably obtained by surface-treating the solder particle body with an anionic polymer or a compound that becomes an anionic polymer. As for the said anion polymer and the compound used as the said anion polymer, only 1 type may respectively be used and 2 or more types may be used together. The anionic polymer is a polymer having an acidic group.

はんだ粒子本体をアニオンポリマーで表面処理する方法としては、アニオンポリマーとして、例えば(メタ)アクリル酸を共重合した(メタ)アクリルポリマー、ジカルボン酸とジオールとから合成されかつ両末端にカルボキシル基を有するポリエステルポリマー、ジカルボン酸の分子間脱水縮合反応により得られかつ両末端にカルボキシル基を有するポリマー、ジカルボン酸とジアミンから合成されかつ両末端にカルボキシル基を有するポリエステルポリマー、並びにカルボキシル基を有する変性ポバール(日本合成化学社製「ゴーセネックスT」)等を用いて、アニオンポリマーのカルボキシル基と、はんだ粒子本体の表面の水酸基とを反応させる方法が挙げられる。   As a method of surface-treating the solder particle body with an anionic polymer, as an anionic polymer, for example, a (meth) acrylic polymer copolymerized with (meth) acrylic acid, synthesized from a dicarboxylic acid and a diol and having carboxyl groups at both ends Polyester polymer, polymer obtained by intermolecular dehydration condensation reaction of dicarboxylic acid and having carboxyl groups at both ends, polyester polymer synthesized from dicarboxylic acid and diamine and having carboxyl groups at both ends, and modified poval having carboxyl groups ( A method of reacting a carboxyl group of an anionic polymer with a hydroxyl group on the surface of a solder particle body using “GOHSEX T” manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd., etc.

上記アニオンポリマーのアニオン部分としては、上記カルボキシル基が挙げられ、それ以外には、トシル基p−HCCS(=O)2−)及びスルホン酸イオン基(−SO3−)、リン酸イオン基(−PO4−)等が挙げられる。 The anionic portion of the anionic polymer, the carboxyl group and the like, in otherwise, tosyl p-H 3 CC 6 H 4 S (= O) 2-) and a sulfonate ion group (-SO 3-) And phosphate ion group (—PO 4− ) and the like.

また、表面処理の他の方法としては、はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基を有し、さらに、付加、縮合反応により重合可能な官能基を有する化合物を用いて、この化合物をはんだ粒子本体の表面上にてポリマー化する方法が挙げられる。はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基としては、カルボキシル基等が挙げられ、付加、縮合反応により重合する官能基としては、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、及び(メタ)アクリロイル基が挙げられる。   As another method for the surface treatment, a compound having a functional group that reacts with a hydroxyl group on the surface of the solder particle body and further having a functional group that can be polymerized by an addition or condensation reaction is used. The method of polymerizing on the surface of a particle main body is mentioned. Examples of the functional group that reacts with the hydroxyl group on the surface of the solder particle body include a carboxyl group, and examples of the functional group that polymerizes by addition and condensation reactions include a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, and a (meth) acryloyl group. It is done.

また、表面処理の他の方法としては、はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基を有し、さらに重合可能な官能基を有する化合物にて、はんだ粒子本体の表面を修飾した後に、アニオンポリマーにて表面処理してもよい。はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基を有し、さらに重合可能な官能基を有する化合物としては、イソシアネート基を有するシランカップリング剤が挙げられる。上記はんだ粒子は、イソシアネート基を有するシランカップリング剤を用いて得られていることが好ましい。   As another method of surface treatment, the surface of the solder particle body is modified with a compound having a functional group that reacts with a hydroxyl group on the surface of the solder particle body and having a polymerizable functional group, and then an anion. You may surface-treat with a polymer. Examples of the compound having a functional group that reacts with a hydroxyl group on the surface of the solder particle body and further having a polymerizable functional group include a silane coupling agent having an isocyanate group. It is preferable that the solder particles are obtained using a silane coupling agent having an isocyanate group.

上記アニオンポリマーの重量平均分子量は好ましくは2000以上、より好ましくは3000以上、好ましくは10000以下、より好ましくは8000以下である。上記重量平均分子量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子の表面に十分な量の電荷、及びフラックス性を導入することができる。これにより、はんだ粒子の表面のゼータ電位を好適な範囲に制御することが容易であり、かつ、接続対象部材の接続時に、電極の表面の酸化膜を効果的に除去することができる。   The weight average molecular weight of the anionic polymer is preferably 2000 or more, more preferably 3000 or more, preferably 10,000 or less, more preferably 8000 or less. When the weight average molecular weight is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, a sufficient amount of charge and flux properties can be introduced on the surface of the solder particles. Thereby, it is easy to control the zeta potential on the surface of the solder particles within a suitable range, and the oxide film on the surface of the electrode can be effectively removed when the connection target member is connected.

上記重量平均分子量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子本体の表面上にアニオンポリマーを配置することが容易であり、はんだ粒子の表面のゼータ電位をプラスにすることが容易であり、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができる。   When the weight average molecular weight is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is easy to dispose an anionic polymer on the surface of the solder particle body, and it is easy to make the zeta potential on the surface of the solder particle positive. The solder particles can be arranged on the electrodes even more efficiently.

上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。   The weight average molecular weight indicates a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

はんだ粒子本体をアニオンポリマーとなる化合物で表面処理することにより得られたポリマーの重量平均分子量は、はんだ粒子中のはんだを溶解し、ポリマーの分解を起こさない希塩酸等により、はんだ粒子を除去した後、残存しているポリマーの重量平均分子量を測定することで求めることができる。   The weight average molecular weight of the polymer obtained by surface-treating the solder particle body with a compound that becomes an anionic polymer is obtained by dissolving the solder in the solder particles and removing the solder particles with dilute hydrochloric acid or the like that does not cause decomposition of the polymer. It can be determined by measuring the weight average molecular weight of the remaining polymer.

アニオンポリマーのはんだ粒子の表面における導入量に関しては、はんだ粒子1gあたりの酸価が、好ましくは1mgKOH以上、より好ましくは2mgKOH以上、好ましくは10mgKOH以下、より好ましくは6mgKOH以下である。   Regarding the introduction amount of the anionic polymer on the surface of the solder particles, the acid value per 1 g of the solder particles is preferably 1 mgKOH or more, more preferably 2 mgKOH or more, preferably 10 mgKOH or less, more preferably 6 mgKOH or less.

上記酸価は以下のようにして測定可能である。はんだ粒子1gを、アセトン36gに添加し、超音波にて1分間分散させる。その後、指示薬として、フェノールフタレインを用い、0.1mol/Lの水酸化カリウムエタノール溶液にて滴定する。   The acid value can be measured as follows. 1 g of solder particles is added to 36 g of acetone and dispersed with an ultrasonic wave for 1 minute. Thereafter, phenolphthalein is used as an indicator and titrated with a 0.1 mol / L potassium hydroxide ethanol solution.

上記はんだは、融点が450℃以下である低融点金属であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が450℃以下である低融点金属粒子であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が450℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは300℃以下、より好ましくは160℃以下である。また、上記はんだ粒子は錫を含む。上記はんだ粒子に含まれる金属100重量%中、錫の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは70重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が上記下限以上であると、はんだ部と電極との接続信頼性がより一層高くなる。   The solder is preferably a low melting point metal having a melting point of 450 ° C. or lower. The solder particles are preferably low melting point metal particles having a melting point of 450 ° C. or lower. The low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal. The low melting point metal is a metal having a melting point of 450 ° C. or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower. The solder particles include tin. In 100% by weight of the metal contained in the solder particles, the content of tin is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more. When the content of tin in the solder particles is equal to or higher than the lower limit, the connection reliability between the solder portion and the electrode is further enhanced.

なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置(堀場製作所社製「ICP−AES」)、又は蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX−800HS」)等を用いて測定可能である。   The tin content is determined using a high frequency inductively coupled plasma optical emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba, Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu). It can be measured.

上記はんだ粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性が効果的に高くなる。   By using the solder particles, the solder is melted and joined to the electrodes, and the solder portion conducts between the electrodes. For example, since the solder portion and the electrode are not in point contact but in surface contact, the connection resistance is lowered. In addition, the use of solder particles increases the bonding strength between the solder portion and the electrode. As a result, peeling between the solder portion and the electrode is further less likely to occur, and the conduction reliability and the connection reliability are effectively increased.

上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。なかでも、電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。   The low melting point metal constituting the solder particles is not particularly limited. The low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin. Examples of the alloy include a tin-silver alloy, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy, and a tin-indium alloy. Especially, since it is excellent in the wettability with respect to an electrode, it is preferable that the said low melting metal is a tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, and a tin-indium alloy. More preferred are a tin-bismuth alloy and a tin-indium alloy.

上記はんだ粒子は、JIS Z3001:溶接用語に基づき、液相線が450℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ粒子の組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫−インジウム系(117℃共晶)、又は錫−ビスマス系(139℃共晶)が好ましい。すなわち、上記はんだ粒子は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。   The solder particles are preferably a filler material having a liquidus line of 450 ° C. or lower based on JIS Z3001: welding terms. Examples of the composition of the solder particles include metal compositions containing zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium and the like. Among them, a tin-indium system (117 ° C. eutectic) or a tin-bismuth system (139 ° C. eutectic) which is low-melting and lead-free is preferable. That is, the solder particles preferably do not contain lead, and preferably contain tin and indium, or contain tin and bismuth.

上記はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだ部と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ粒子100重量%中、好ましくは0.0001重量%以上、好ましくは1重量%以下である。   In order to further increase the bonding strength between the solder part and the electrode, the solder particles include nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese, chromium. Further, it may contain a metal such as molybdenum and palladium. Moreover, from the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder portion and the electrode, the solder particles preferably contain nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder part and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0.0001% by weight or more, preferably 1% by weight in 100% by weight of the solder particles. % Or less.

上記はんだ粒子の平均粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、更に好ましくは3μm以上、特に好ましくは5μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは40μm以下、より一層好ましくは30μm以下、更に好ましくは20μm以下、特に好ましくは15μm以下、最も好ましくは10μm以下である。上記はんだ粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。上記はんだ粒子の平均粒子径は、3μm以上、30μm以下であることが特に好ましい。   The average particle diameter of the solder particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, still more preferably 3 μm or more, particularly preferably 5 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 40 μm or less, and even more preferably 30 μm. Hereinafter, it is more preferably 20 μm or less, particularly preferably 15 μm or less, and most preferably 10 μm or less. When the average particle diameter of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles can be more efficiently arranged on the electrode. The average particle diameter of the solder particles is particularly preferably 3 μm or more and 30 μm or less.

上記はんだ粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。はんだ粒子の平均粒子径は、例えば、任意のはんだ粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。   The “average particle diameter” of the solder particles indicates a number average particle diameter. The average particle diameter of the solder particles is obtained, for example, by observing 50 arbitrary solder particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、好ましくは5%以上、より好ましくは10%以上、好ましくは40%以下、より好ましくは30%以下である。上記粒子径の変動係数が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができる。但し、上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、5%未満であってもよい。   The coefficient of variation of the particle diameter of the solder particles is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, preferably 40% or less, more preferably 30% or less. When the variation coefficient of the particle diameter is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles can be more efficiently arranged on the electrode. However, the coefficient of variation of the particle diameter of the solder particles may be less than 5%.

上記変動係数(CV値)は下記式で表される。   The coefficient of variation (CV value) is expressed by the following equation.

CV値(%)=(ρ/Dn)×100
ρ:はんだ粒子の粒子径の標準偏差
Dn:はんだ粒子の粒子径の平均値
CV value (%) = (ρ / Dn) × 100
ρ: Standard deviation of particle diameter of solder particles Dn: Average value of particle diameter of solder particles

上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは1重量%以上、より好ましくは2重量%以上、更に好ましくは10重量%以上、特に好ましくは20重量%以上、最も好ましくは30重量%以上、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、更に好ましくは50重量%以下である。上記はんだ粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだ粒子を多く配置することが容易であり、導通信頼性がより一層高くなる。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ粒子の含有量は多い方が好ましい。   The content of the solder particles in 100% by weight of the conductive paste is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, particularly preferably 20% by weight or more, and most preferably 30%. % By weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, and still more preferably 50% by weight or less. When the content of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is possible to more efficiently arrange the solder particles on the electrodes, and it is easy to arrange many solder particles between the electrodes, The conduction reliability is further increased. From the viewpoint of further improving the conduction reliability, it is preferable that the content of the solder particles is large.

上記はんだ粒子の表面のゼータ電位はプラスである。ゼータ電位は以下のようにして測定される。   The zeta potential on the surface of the solder particles is positive. The zeta potential is measured as follows.

ゼータ電位の測定方法:
はんだ粒子0.05gを、メタノール10gに入れ、超音波処理等をすることで、均一に分散させて、分散液を得る。この分散液を用いて、かつBeckman Coulter社製「Delsamax PRO」を用いて、電気泳動測定法にて、ゼータ電位を測定することができる。
Zeta potential measurement method:
0.05 g of solder particles are put in 10 g of methanol and subjected to ultrasonic treatment or the like to uniformly disperse to obtain a dispersion. The zeta potential can be measured by electrophoretic measurement using this dispersion and “Delsamax PRO” manufactured by Beckman Coulter.

導電ペーストに既に分散されているはんだ粒子のゼータ電位の測定方法としては、下記が挙げられる。例えば、導電ペーストのはんだ粒子を除く成分を溶解可能な溶剤に、導電ペースト中のはんだ粒子を除く成分を溶解させ、沈殿法や、遠心分離にてはんだ粒子を分取した後、メタノールで洗浄し、上記方法にて測定することができる。この時、導電ペースト中の添加剤、界面活性剤を洗浄できる溶剤にて、洗浄を行うことが好ましい。   Examples of the method for measuring the zeta potential of solder particles already dispersed in the conductive paste include the following. For example, in a solvent that can dissolve the components other than the solder particles of the conductive paste, dissolve the components other than the solder particles in the conductive paste, separate the solder particles by precipitation or centrifugation, and then wash with methanol. , And can be measured by the above method. At this time, it is preferable to perform washing with a solvent capable of washing the additive and the surfactant in the conductive paste.

具体的には、メチルエチルケトン(MEK)50gに、導電ペースト1gを添加し、超音波にて、23℃にて1分間、分散させた後、ろ紙にて、はんだ粒子を分取する。その後、はんだ粒子をメタノールで洗浄し、はんだ粒子0.05gを秤量し、メタノール10gに入れ、超音波処理等をすることで、均一に分散させて、分散液を得る。この分散液を用いて、かつBeckman Coulter社製「Delsamax PRO」を用いて、電気泳動測定法にて、23℃にて、ゼータ電位を測定することができる。pHの調整は行わなくてもよい。   Specifically, 1 g of conductive paste is added to 50 g of methyl ethyl ketone (MEK), and the mixture is dispersed with ultrasonic waves at 23 ° C. for 1 minute, and then the solder particles are collected with a filter paper. Thereafter, the solder particles are washed with methanol, 0.05 g of the solder particles are weighed, put into 10 g of methanol, and subjected to ultrasonic treatment or the like to uniformly disperse to obtain a dispersion. Using this dispersion and using “Delsamax PRO” manufactured by Beckman Coulter, the zeta potential can be measured at 23 ° C. by electrophoretic measurement. It is not necessary to adjust the pH.

はんだ粒子のゼータ電位は好ましくは0mVを超え、好ましくは10mV以下、より好ましくは5mV以下、より一層好ましくは1mV以下、更に好ましくは0.7mV以下、特に好ましくは0.5mV以下である。ゼータ電位が上記上限以下であると、導電接続時にはんだ粒子が集まりやすい。ゼータ電位が0mV以下であると、実装時に電極上へのはんだ粒子の凝集が不十分なことがある。   The zeta potential of the solder particles is preferably more than 0 mV, preferably 10 mV or less, more preferably 5 mV or less, even more preferably 1 mV or less, still more preferably 0.7 mV or less, and particularly preferably 0.5 mV or less. If the zeta potential is less than or equal to the above upper limit, solder particles tend to collect during conductive connection. When the zeta potential is 0 mV or less, the aggregation of solder particles on the electrode may be insufficient during mounting.

(加熱により硬化可能な化合物:熱硬化性成分)
上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。なかでも、導電ペーストの硬化性及び粘度をより一層良好にし、接続信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物が好ましい。
(Compound curable by heating: thermosetting component)
Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. Among these, an epoxy compound is preferable from the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive paste and further improving the connection reliability.

上記導電ペースト100重量%中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、好ましくは99重量%以下、より好ましくは98重量%以下、更に好ましくは90重量%以下、特に好ましくは80重量%以下である。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性成分の含有量は多い方が好ましい。   In 100% by weight of the conductive paste, the content of the thermosetting compound is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and preferably 99% by weight or less. Is 98% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and particularly preferably 80% by weight or less. From the viewpoint of further improving the impact resistance, it is preferable that the content of the thermosetting component is large.

(熱硬化剤:熱硬化性成分)
上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤、酸無水物、熱カチオン開始剤及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting agent: thermosetting component)
The thermosetting agent thermosets the thermosetting compound. Examples of the thermosetting agent include an imidazole curing agent, an amine curing agent, a phenol curing agent, a polythiol curing agent, an acid anhydride, a thermal cation initiator, and a thermal radical generator. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

なかでも、導電ペーストを低温でより一層速やかに硬化可能であるので、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤が好ましい。また、加熱により硬化可能な硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときに保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。   Among these, an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, or an amine curing agent is preferable because the conductive paste can be cured more rapidly at a low temperature. Moreover, since a storage stability becomes high when the curable compound curable by heating and the thermosetting agent are mixed, a latent curing agent is preferable. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent. In addition, the said thermosetting agent may be coat | covered with polymeric substances, such as a polyurethane resin or a polyester resin.

上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン及び2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。   The imidazole curing agent is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adducts.

上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−3−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−3−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−3−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。   The polythiol curing agent is not particularly limited, and examples thereof include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate. .

上記ポリチオール硬化剤の溶解度パラメーターは、好ましくは9.5以上、好ましくは12以下である。上記溶解度パラメーターは、Fedors法にて計算される。例えば、トリメチロールプロパントリス−3−メルカプトプロピオネートの溶解度パラメーターは9.6、ジペンタエリスリトールヘキサ−3−メルカプトプロピオネートの溶解度パラメーターは11.4である。   The solubility parameter of the polythiol curing agent is preferably 9.5 or more, and preferably 12 or less. The solubility parameter is calculated by the Fedors method. For example, the solubility parameter of trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate is 9.6, and the solubility parameter of dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate is 11.4.

上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラスピロ[5.5]ウンデカン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。   The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylene diamine, octamethylene diamine, decamethylene diamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5]. Examples include undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.

上記熱カチオン硬化剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−p−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。   Examples of the thermal cationic curing agent include iodonium-based cationic curing agents, oxonium-based cationic curing agents, and sulfonium-based cationic curing agents. Examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate. Examples of the oxonium-based cationic curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate. Examples of the sulfonium-based cationic curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate.

上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイゾブチロニトリル(AIBN)等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−tert−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。   The thermal radical generator is not particularly limited, and examples thereof include azo compounds and organic peroxides. Examples of the azo compound include azobisisobutyronitrile (AIBN). Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.

上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、更に好ましくは80℃以上、好ましくは250℃以下、より好ましくは200℃以下、更に好ましくは150℃以下、特に好ましくは140℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記熱硬化剤の反応開始温度は80℃以上、140℃以下であることが特に好ましい。   The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably 50 ° C or higher, more preferably 70 ° C or higher, still more preferably 80 ° C or higher, preferably 250 ° C or lower, more preferably 200 ° C or lower, still more preferably 150 ° C or lower, Especially preferably, it is 140 degrees C or less. When the reaction start temperature of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles are more efficiently arranged on the electrode. The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is particularly preferably 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower.

はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、5℃以上高いことがより好ましく、10℃以上高いことが更に好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably higher than the melting point of the solder in the solder particles, more preferably 5 ° C. or more, more preferably 10 It is more preferable that the temperature is higher than ° C.

上記熱硬化剤の反応開始温度は、DSCでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。   The reaction start temperature of the thermosetting agent means a temperature at which the exothermic peak of DSC starts to rise.

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは1重量部以上、好ましくは200重量部以下、より好ましくは100重量部以下、更に好ましくは75重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、導電ペーストを充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。   The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound. Part or less, more preferably 75 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is at least the above lower limit, it is easy to sufficiently cure the conductive paste. When the content of the thermosetting agent is not more than the above upper limit, it is difficult for an excess thermosetting agent that did not participate in curing after curing to remain, and the heat resistance of the cured product is further enhanced.

(フラックス)
上記導電ペーストは、フラックスを含むことが好ましい。フラックスの使用により、はんだを電極上により一層効果的に配置することができる。該フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(flux)
The conductive paste preferably contains a flux. By using flux, the solder can be more effectively placed on the electrode. The flux is not particularly limited. As the flux, a flux generally used for soldering or the like can be used. Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, hydrazine, an organic acid, and pine resin. Etc. As for the said flux, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸、松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を2個以上有する有機酸、松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   Examples of the molten salt include ammonium chloride. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid, and glutaric acid. Examples of the pine resin include activated pine resin and non-activated pine resin. The flux is preferably an organic acid having two or more carboxyl groups, pine resin. The flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or pine resin. By using an organic acid having two or more carboxyl groups, pine resin, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   The rosin is a rosin composed mainly of abietic acid. The flux is preferably rosins, and more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

上記フラックスの融点は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、更に好ましくは80℃以上、好ましくは200℃以下、より好ましくは160℃以下、より一層好ましくは150℃以下、更に好ましくは140℃以下である。上記フラックスの融点が上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記フラックスの融点は80℃以上、190℃以下であることが好ましい。上記フラックスの融点は80℃以上、140℃以下であることが特に好ましい。   The melting point of the flux is preferably 50 ° C. or higher, more preferably 70 ° C. or higher, still more preferably 80 ° C. or higher, preferably 200 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower, even more preferably 150 ° C. or lower, still more preferably. 140 ° C. or lower. When the melting point of the flux is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the flux effect is more effectively exhibited and the solder particles are more efficiently arranged on the electrode. The melting point of the flux is preferably 80 ° C. or higher and 190 ° C. or lower. The melting point of the flux is particularly preferably 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower.

融点が80℃以上、190℃以下である上記フラックスとしては、コハク酸(融点186℃)、グルタル酸(融点96℃)、アジピン酸(融点152℃)、ピメリン酸(融点104℃)、スベリン酸(融点142℃)等のジカルボン酸、安息香酸(融点122℃)、リンゴ酸(融点130℃)等が挙げられる。   Examples of the flux having a melting point of 80 ° C. or higher and 190 ° C. or lower include succinic acid (melting point 186 ° C.), glutaric acid (melting point 96 ° C.), adipic acid (melting point 152 ° C.), pimelic acid (melting point 104 ° C.), suberic acid Examples thereof include dicarboxylic acids such as (melting point 142 ° C.), benzoic acid (melting point 122 ° C.), and malic acid (melting point 130 ° C.).

また、上記フラックスの沸点は200℃以下であることが好ましい。   The boiling point of the flux is preferably 200 ° C. or lower.

はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、低いことが好ましく、5℃以上低いことがより好ましく、10℃以上低いことが更に好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably lower than the melting point of the solder in the solder particles, more preferably 5 ° C. or more, more preferably 10 ° C. or more. Is more preferable.

はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記熱硬化剤の反応開始温度よりも、低いことが好ましく、5℃以上低いことがより好ましく、10℃以上低いことが更に好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably lower than the reaction start temperature of the thermosetting agent, more preferably 5 ° C. or more, and more preferably 10 ° C. or less. More preferably.

上記フラックスは、導電ペースト中に分散されていてもよく、はんだ粒子の表面上に付着していてもよい。   The said flux may be disperse | distributed in the electrically conductive paste and may adhere on the surface of the solder particle.

上記フラックスは、加熱によりカチオンを放出するフラックスであることが好ましい。加熱によりカチオンを放出するフラックスの使用により、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。   The flux is preferably a flux that releases cations by heating. By using a flux that releases cations upon heating, the solder particles can be arranged more efficiently on the electrode.

上記導電ペースト100重量%中、上記フラックスの含有量は好ましくは0.5重量%以上、好ましくは30重量%以下、より好ましくは25重量%以下である。上記導電ペーストは、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。   In 100% by weight of the conductive paste, the content of the flux is preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, more preferably 25% by weight or less. The conductive paste may not contain a flux. When the flux content is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it becomes more difficult to form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode is more effective. Can be removed.

(フィラー)
上記導電ペーストには、フィラーを添加してもよい。フィラーは、有機フィラーであってもよく、無機フィラーであってもよい。フィラーの添加により、はんだ粒子の凝集する距離を抑制し、基板の全電極上に対して、はんだ粒子を均一に凝集させることができる。
(Filler)
A filler may be added to the conductive paste. The filler may be an organic filler or an inorganic filler. By adding the filler, the distance at which the solder particles aggregate can be suppressed, and the solder particles can be uniformly aggregated on all the electrodes of the substrate.

上記導電ペースト100重量%中、上記フィラーの含有量は好ましくは0重量%(未含有)以上、好ましくは5重量%以下、より好ましくは2重量%以下、更に好ましくは1重量%以下である。上記フィラーの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。   In 100% by weight of the conductive paste, the filler content is preferably 0% by weight (not contained) or more, preferably 5% by weight or less, more preferably 2% by weight or less, and still more preferably 1% by weight or less. When the content of the filler is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles are more efficiently arranged on the electrode.

(高誘電率を有する化合物)
上記導電ペーストには、水酸基、チオール基又はカルボキシル基を有する化合物、アミン化合物、並びにイミダゾール化合物等の高誘電率を有する化合物を添加してもよい。高誘電率を有する化合物は、高誘電率を有する硬化剤であってもよい。
(Compound with high dielectric constant)
A compound having a high dielectric constant such as a compound having a hydroxyl group, a thiol group or a carboxyl group, an amine compound, and an imidazole compound may be added to the conductive paste. The compound having a high dielectric constant may be a curing agent having a high dielectric constant.

上記導電ペースト100重量%中、上記高誘電率を有する化合物(高誘電率硬化剤など)の含有量は好ましくは5重量部以上、より好ましくは10重量部以上、好ましくは40重量部以下、より好ましくは30重量部以下である。また、上記高誘電率を有する化合物は、エポキシ基と反応する官能基を有する化合物であることが好ましい。上記高誘電率を有する化合物の誘電率は、4以上であり、好ましくは5以上、好ましくは7以下である。   The content of the compound having a high dielectric constant (such as a high dielectric constant curing agent) in 100% by weight of the conductive paste is preferably 5 parts by weight or more, more preferably 10 parts by weight or more, and preferably 40 parts by weight or less. The amount is preferably 30 parts by weight or less. The compound having a high dielectric constant is preferably a compound having a functional group that reacts with an epoxy group. The compound having a high dielectric constant has a dielectric constant of 4 or more, preferably 5 or more, and preferably 7 or less.

(他の成分)
上記導電ペーストは、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
(Other ingredients)
If necessary, the conductive paste is, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, and a lubricant. In addition, various additives such as an antistatic agent and a flame retardant may be included.

(導電ペーストの他の詳細)
上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。
(Other details of conductive paste)
The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste.

上記導電ペースト100重量%中、上記熱硬化性成分の含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは20重量%以上、より一層好ましくは30重量%以上、更に好ましくは40重量%以上、更に一層好ましくは50重量%以上、特に好ましくは55重量%以上、最も好ましくは70重量%以上、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記熱硬化性成分の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電ペーストにより接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。   In 100% by weight of the conductive paste, the content of the thermosetting component is preferably 10% by weight or more, more preferably 20% by weight or more, still more preferably 30% by weight or more, and further preferably 40% by weight or more. More preferably, it is 50% by weight or more, particularly preferably 55% by weight or more, most preferably 70% by weight or more, preferably 99.99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the thermosetting component is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the connection reliability of the connection target member connected by the conductive paste is further increased. Become.

上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、更に好ましくは45重量%以下である。上記はんだ粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   In 100% by weight of the conductive paste, the content of the solder particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, Preferably it is 45 weight% or less. When the content of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

本発明における特定のはんだ粒子により導通信頼性を高めることができるので、電極が形成されている部分のライン(L)が50μm以上、150μm未満である場合に、上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは20重量%以上、より好ましくは30重量%以上、好ましくは55重量%以下、より好ましくは45重量%以下である。   Since the conduction reliability can be improved by the specific solder particles in the present invention, when the line (L) where the electrode is formed is 50 μm or more and less than 150 μm, The content of the solder particles is preferably 20% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, preferably 55% by weight or less, more preferably 45% by weight or less.

本発明における特定のはんだ粒子により導通信頼性を高めることができるので、電極が形成されていない部分のスペース(S)が50μm以上、150μm未満である場合に、上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、好ましくは70重量%以下、より好ましくは60重量%以下である。   Since the conduction reliability can be enhanced by the specific solder particles in the present invention, when the space (S) where the electrode is not formed is 50 μm or more and less than 150 μm, The content of the solder particles is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, preferably 70% by weight or less, more preferably 60% by weight or less.

また、本発明における特定のはんだ粒子により導通信頼性を高めることができるので、電極が形成されている部分のライン(L)が150μm以上、1000μm未満である場合に、上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、好ましくは70重量%以下、より好ましくは60重量%以下である。   In addition, since the conduction reliability can be enhanced by the specific solder particles in the present invention, when the line (L) where the electrode is formed is 150 μm or more and less than 1000 μm, the conductive paste is 100% by weight. The solder particle content is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, preferably 70% by weight or less, more preferably 60% by weight or less.

本発明における特定のはんだ粒子により導通信頼性を高めることができるので、電極が形成されていない部分のスペース(S)が150μm以上、1000μm未満である場合に、上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、好ましくは70重量%以下、より好ましくは60重量%以下である。   Since the conduction reliability can be improved by the specific solder particles in the present invention, when the space (S) where the electrode is not formed is 150 μm or more and less than 1000 μm, The content of the solder particles is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, preferably 70% by weight or less, more preferably 60% by weight or less.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

ポリマーA:
ビスフェノールFと1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールF型エポキシ樹脂との反応物(ポリマーA)の合成:
ビスフェノールF(4,4’−メチレンビスフェノールと2,4’−メチレンビスフェノールと2,2’−メチレンビスフェノールとを重量比で2:3:1で含む)72重量部、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル70重量部、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(DIC社製「EPICLON EXA−830CRP」)30重量部を、3つ口フラスコに入れ、窒素フロー下にて、150℃で溶解させた。その後、水酸基とエポキシ基との付加反応触媒であるテトラーn−ブチルスルホニウムブロミド0.1重量部を添加し、窒素フロー下にて、150℃で6時間、付加重合反応させることにより反応物(ポリマーA)を得た。
Polymer A:
Synthesis of reaction product (polymer A) of bisphenol F with 1,6-hexanediol diglycidyl ether and bisphenol F type epoxy resin:
72 parts by weight of bisphenol F (containing 4,4′-methylene bisphenol, 2,4′-methylene bisphenol and 2,2′-methylene bisphenol in a weight ratio of 2: 3: 1), 1,6-hexanediol 70 parts by weight of glycidyl ether and 30 parts by weight of a bisphenol F type epoxy resin (“EPICLON EXA-830CRP” manufactured by DIC) were placed in a three-necked flask and dissolved at 150 ° C. under a nitrogen flow. Thereafter, 0.1 part by weight of tetra-n-butylsulfonium bromide, which is an addition reaction catalyst between a hydroxyl group and an epoxy group, was added, and an addition polymerization reaction was performed at 150 ° C. for 6 hours under a nitrogen flow. A) was obtained.

NMRにより、付加重合反応が進行したことを確認して、反応物(ポリマーA)が、ビスフェノールFに由来する水酸基と1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールF型エポキシ樹脂のエポキシ基とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつエポキシ基を両末端に有することを確認した。   By confirming that the addition polymerization reaction has progressed by NMR, the reaction product (polymer A) is composed of a hydroxyl group derived from bisphenol F, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, and an epoxy group of bisphenol F type epoxy resin. It was confirmed that it has a structural unit bonded to the main chain and has an epoxy group at both ends.

GPCにより得られた反応物(ポリマーA)の重量平均分子量は10000、数平均分子量は3500であった。   The reaction product (polymer A) obtained by GPC had a weight average molecular weight of 10,000 and a number average molecular weight of 3,500.

ポリマーB:両末端エポキシ基剛直骨格フェノキシ樹脂、三菱化学社製「YX6900BH45」、重量平均分子量16000   Polymer B: both end epoxy group rigid skeleton phenoxy resin, “YX6900BH45” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, weight average molecular weight 16000

熱硬化性化合物1:レゾルシノール型エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製「EX−201」   Thermosetting compound 1: Resorcinol type epoxy compound, “EX-201” manufactured by Nagase ChemteX Corporation

熱硬化性化合物2:ナフタレン型エポキシ化合物、DIC社製「HP−4032D」   Thermosetting compound 2: Naphthalene type epoxy compound, “HP-4032D” manufactured by DIC

高誘電率硬化剤:ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)   High dielectric constant curing agent: pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate)

熱硬化剤:昭和電工社製「カレンズMT PE1」   Thermosetting agent: “Karenz MT PE1” manufactured by Showa Denko KK

フラックス:アジピン酸、和光純薬工業社製   Flux: Adipic acid, manufactured by Wako Pure Chemical Industries

はんだ粒子1〜6,9の作製方法:
アニオンポリマー1を有するはんだ粒子:はんだ粒子本体200gと、アジピン酸40gと、アセトン70gとを3つ口フラスコに秤量し、次にはんだ粒子本体の表面の水酸基とアジピン酸のカルボキシル基との脱水縮合触媒であるジブチル錫オキサイド0.3gを添加し、60℃で4時間反応させた。その後、はんだ粒子を濾過することで回収した。
Method for producing solder particles 1-6, 9:
Solder particles having anionic polymer 1: 200 g of solder particle main body, 40 g of adipic acid, and 70 g of acetone are weighed in a three-necked flask, and then dehydration condensation between the hydroxyl group on the surface of the solder particle main body and the carboxyl group of adipic acid 0.3 g of dibutyltin oxide as a catalyst was added and reacted at 60 ° C. for 4 hours. Thereafter, the solder particles were collected by filtration.

回収したはんだ粒子と、アジピン酸50gと、トルエン200gと、パラトルエンスルホン酸0.3gとを3つ口フラスコに秤量し、真空引き、及び還流を行いながら、120℃で、3時間反応させた。この際、ディーンスターク抽出装置を用いて、脱水縮合により生成した水を除去しながら反応させた。   The collected solder particles, 50 g of adipic acid, 200 g of toluene, and 0.3 g of paratoluenesulfonic acid were weighed in a three-necked flask and reacted at 120 ° C. for 3 hours while evacuating and refluxing. . At this time, the reaction was carried out while removing water produced by dehydration condensation using a Dean-Stark extraction device.

その後、濾過によりはんだ粒子を回収し、ヘキサンにて洗浄し、乾燥した。その後、得られたはんだ粒子をボールミルで解砕した後、所定のCV値となるように篩を選択した。   Thereafter, the solder particles were collected by filtration, washed with hexane, and dried. Thereafter, the obtained solder particles were crushed with a ball mill, and then a sieve was selected so as to obtain a predetermined CV value.

アニオンポリマー2を有するはんだ粒子:
上記アニオンポリマー1を形成する際に、アジピン酸を、グルタル酸に変更したこと以外は、アニオンポリマー1を有するはんだ粒子と同様にして、はんだ粒子を得た。
Solder particles having anionic polymer 2:
Solder particles were obtained in the same manner as the solder particles having anionic polymer 1 except that adipic acid was changed to glutaric acid when forming the anionic polymer 1.

(ゼータ電位測定)
また、得られたはんだ粒子を、アニオンポリマー1又はアニオンポリマー2を有するはんだ粒子0.05gを、メタノール10gに入れ、超音波処理をすることで、均一に分散させて、分散液を得た。この分散液を用いて、かつBeckman Coulter社製「Delsamax PRO」を用いて、電気泳動測定法にて、ゼータ電位を測定した。測定時に、液温を23℃とし、pHの調整は行わなかった。
(Zeta potential measurement)
Moreover, 0.05 g of solder particles having the anion polymer 1 or the anion polymer 2 were put in 10 g of methanol and subjected to ultrasonic treatment to uniformly disperse the obtained solder particles, thereby obtaining a dispersion. The zeta potential was measured by electrophoretic measurement using this dispersion and “Delsamax PRO” manufactured by Beckman Coulter. During the measurement, the liquid temperature was 23 ° C., and the pH was not adjusted.

(アニオンポリマーの重量平均分子量)
はんだ粒子の表面のアニオンポリマー1の重量平均分子量は、0.1Nの塩酸を用い、はんだを溶解した後、ポリマーを濾過により回収し、GPCにより求めた。
(Weight average molecular weight of anionic polymer)
The weight average molecular weight of the anionic polymer 1 on the surface of the solder particles was obtained by dissolving the solder using 0.1N hydrochloric acid, collecting the polymer by filtration, and determining by GPC.

(はんだ粒子のCV値)
CV値を、レーザー回折式粒度分布測定装置(堀場製作所社製「LA−920」)にて、測定した。
(CV value of solder particles)
The CV value was measured with a laser diffraction particle size distribution analyzer (“LA-920” manufactured by Horiba, Ltd.).

はんだ粒子1(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「ST−3」を選別したはんだ粒子本体を用い、表面処理を行ったアニオンポリマー1を有するはんだ粒子、平均粒子径4μm、CV値7%、表面のゼータ電位:+0.65mV、ポリマー分子量Mw=6500)   Solder particles 1 (SnBi solder particles, melting point 139 ° C., solder particles main body selected from Mitsui Kinzoku “ST-3”), surface-treated solder particles having anionic polymer 1, average particle diameter 4 μm, CV value 7%, zeta potential on the surface: +0.65 mV, polymer molecular weight Mw = 6500)

はんだ粒子2(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「ST−5」を選別したはんだ粒子本体を用い、表面処理を行ったアニオンポリマー1を有するはんだ粒子、平均粒子径6μm、CV値10%、表面のゼータ電位:+0.61mV、ポリマー分子量Mw=6800)   Solder particles 2 (SnBi solder particles, melting point 139 ° C., solder particles main body selected from Mitsui Kinzoku Co., Ltd. “ST-5”, surface-treated solder particles having anionic polymer 1, average particle diameter 6 μm, CV value 10%, surface zeta potential: +0.61 mV, polymer molecular weight Mw = 6800)

はんだ粒子3(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「DS10」を選別したはんだ粒子本体を用い、表面処理を行ったアニオンポリマー1を有するはんだ粒子、平均粒子径13μm、CV値20%、表面のゼータ電位:+0.48mV、ポリマー分子量Mw=7000)   Solder particle 3 (SnBi solder particle, melting point 139 ° C., solder particle body selected from Mitsui Kinzoku “DS10”, surface-treated solder particle having anionic polymer 1, average particle diameter 13 μm, CV value 20% Surface zeta potential: +0.48 mV, polymer molecular weight Mw = 7000)

はんだ粒子4(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「10−25」を選別したはんだ粒子本体を用い、表面処理を行ったアニオンポリマー1を有するはんだ粒子、平均粒子径25μm、CV値15%、表面のゼータ電位:+0.4mV、ポリマー分子量Mw=8000)   Solder particles 4 (SnBi solder particles, melting point 139 ° C., solder particles main body selected from “10-25” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.), surface-treated solder particles having anionic polymer 1, average particle diameter 25 μm, CV value 15%, surface zeta potential: +0.4 mV, polymer molecular weight Mw = 8000)

はんだ粒子5(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「ST−3」を選別したはんだ粒子本体を用い、表面処理を行ったアニオンポリマー2を有するはんだ粒子、平均粒子径4μm、CV値7%、表面のゼータ電位:+0.7mV、ポリマー分子量Mw=7000)   Solder particle 5 (SnBi solder particle, melting point 139 ° C., solder particle body selected from “ST-3” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., surface treated anionic polymer 2 solder particle, average particle diameter 4 μm, CV value 7%, surface zeta potential: +0.7 mV, polymer molecular weight Mw = 7000)

はんだ粒子6(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「10−25」を選別したはんだ粒子を用い、表面処理を行ったアニオンポリマー2を有するはんだ粒子、平均粒子径25μm、CV値15%、表面のゼータ電位:+0.5mV、ポリマー分子量Mw=7500)   Solder particles 6 (SnBi solder particles, melting point 139 ° C., solder particles selected from “10-25” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.), surface-treated solder particles having anionic polymer 2, average particle diameter 25 μm, CV value 15 %, Surface zeta potential: +0.5 mV, polymer molecular weight Mw = 7500)

はんだ粒子7(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「10−25」を選別した粒子、平均粒子径22μm、CV値14%、表面のゼータ電位:−27mV)   Solder particles 7 (SnBi solder particles, melting point 139 ° C., particles selected from Mitsui Kinzoku “10-25”, average particle diameter 22 μm, CV value 14%, surface zeta potential: −27 mV)

はんだ粒子8(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「20−40」を選別した粒子、平均粒子径38μm、CV値20%、表面のゼータ電位:−25mV)   Solder particles 8 (SnBi solder particles, melting point 139 ° C., particles selected from Mitsui Kinzoku “20-40”, average particle size 38 μm, CV value 20%, surface zeta potential: −25 mV)

また、はんだ粒子1と表面処理量のみを異ならせて、以下のはんだ粒子9を作製した。
はんだ粒子9(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「ST−3」を選別したはんだ粒子本体を用い、表面処理を行ったアニオンポリマー1を有するはんだ粒子、平均粒子径4μm、CV値7%、表面のゼータ電位:+0.1mV、ポリマー分子量Mw=6500)
Also, the following solder particles 9 were produced by changing only the surface treatment amount from the solder particles 1.
Solder particle 9 (SnBi solder particle, melting point 139 ° C., solder particle body selected from “ST-3” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., surface-treated solder particle having anionic polymer 1, average particle diameter 4 μm, CV value 7%, zeta potential on the surface: +0.1 mV, polymer molecular weight Mw = 6500)

導電性粒子1:樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み3μmのはんだ層(錫:ビスマス=43重量%:57重量%)が形成されている導電性粒子   Conductive particles 1: a copper layer having a thickness of 1 μm is formed on the surface of the resin particles, and a solder layer having a thickness of 3 μm (tin: bismuth = 43 wt%: 57 wt%) is formed on the surface of the copper layer. Conductive particles

導電性粒子1の作製方法:
平均粒子径10μmのジビニルベンゼン樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−210」)を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚さ0.1μmの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解銅めっきし、厚さ1μmの銅層を形成した。更に、錫及びビスマスを含有する電解めっき液を用いて、電解めっきし、厚さ3μmのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み3μmのはんだ層(錫:ビスマス=43重量%:57重量%)が形成されている導電性粒子1を作製した。
Production method of conductive particles 1:
Divinylbenzene resin particles having an average particle diameter of 10 μm (“Micropearl SP-210” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were subjected to electroless nickel plating to form a base nickel plating layer having a thickness of 0.1 μm on the surface of the resin particles. Next, the resin particles on which the base nickel plating layer was formed were subjected to electrolytic copper plating to form a 1 μm thick copper layer. Furthermore, electrolytic plating was performed using an electrolytic plating solution containing tin and bismuth to form a solder layer having a thickness of 3 μm. Thus, a 1 μm thick copper layer is formed on the surface of the resin particles, and a 3 μm thick solder layer (tin: bismuth = 43 wt%: 57 wt%) is formed on the surface of the copper layer. Conductive particles 1 were prepared.

フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「YP−50S」)   Phenoxy resin (“YP-50S” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.)

(実施例1〜12及び15〜17)
(1)異方性導電ペーストの作製
下記の表1,2に示す成分を下記の表1,2に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。
(Examples 1-12 and 15-17)
(1) Preparation of anisotropic conductive paste The components shown in Tables 1 and 2 below were blended in the blending amounts shown in Tables 1 and 2 to obtain anisotropic conductive pastes.

(2)第1の接続構造体(L/S=50μm/50μm)の作製
L/Sが50μm/50μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが50μm/50μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材)を用意した。なお、ガラスエポキシ基板の電極とフレキシブルプリント基板の電極との双方の側面は、内側に向かって傾斜しており、傾斜している電極の傾斜部の先端における内角Cは75度である。
(2) Production of first connection structure (L / S = 50 μm / 50 μm) Glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 μm) with L / S of 50 μm / 50 μm on the upper surface (First connection object member) was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 micrometers) whose L / S is 50 micrometers / 50 micrometers on the lower surface was prepared. Note that the side surfaces of both the electrode of the glass epoxy substrate and the electrode of the flexible printed board are inclined inward, and the inner angle C at the tip of the inclined portion of the inclined electrode is 75 degrees.

ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との重ね合わせ面積は、1.5cm×4mmとし、接続した電極数は75対とした。   The overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board was 1.5 cm × 4 mm, and the number of connected electrodes was 75 pairs.

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ50μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。このとき、加圧を行わなかった。異方性導電ペースト層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その後、異方性導電ペースト層の温度が185℃となるように加熱しながら、はんだを溶融させ、かつ異方性導電ペースト層を185℃で硬化させ、第1の接続構造体を得た。   The anisotropic conductive paste immediately after fabrication was applied to the upper surface of the glass epoxy substrate so as to have a thickness of 50 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. At this time, no pressure was applied. The weight of the flexible printed board is added to the anisotropic conductive paste layer. Thereafter, while heating the anisotropic conductive paste layer to a temperature of 185 ° C., the solder was melted and the anisotropic conductive paste layer was cured at 185 ° C. to obtain a first connection structure.

(3)第2の接続構造体(L/S=75μm/75μm)の作製
L/Sが75μm/75μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが75μm/75μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材)を用意した。
(3) Production of second connection structure (L / S = 75 μm / 75 μm) Glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 μm) having L / S of 75 μm / 75 μm on the upper surface (First connection object member) was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 micrometers) whose L / S is 75 micrometers / 75 micrometers on the lower surface was prepared.

L/Sが異なる上記ガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板を用いたこと以外は第1の接続構造体の作製と同様にして、第2の接続構造体を得た。   A second connection structure was obtained in the same manner as the production of the first connection structure except that the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board having different L / S were used.

(4)第3の接続構造体(L/S=100μm/100μm)の作製
L/Sが100μm/100μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが100μm/100μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材)を用意した。
(4) Production of third connection structure (L / S = 100 μm / 100 μm) Glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 μm) having L / S of 100 μm / 100 μm on the upper surface (First connection object member) was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 micrometers) whose L / S is 100 micrometers / 100 micrometers on the lower surface was prepared.

L/Sが異なる上記ガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板を用いたこと以外は第1の接続構造体の作製と同様にして、第3の接続構造体を得た。   A third connection structure was obtained in the same manner as the production of the first connection structure except that the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board having different L / S were used.

(実施例13)
電極サイズ/電極間スペース(L/S)が、100μm/100μm(第3の接続構造体用)、75μm/75μm(第2の接続構造体用)、50μm/50μm(第1の接続構造体用)である、5mm角の半導体チップ(厚み400μm)と、それに対向する電極を有したガラスエポキシ基板(サイズ30×30mm、厚み0.4mm)を用い、実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。
(Example 13)
The electrode size / interelectrode space (L / S) is 100 μm / 100 μm (for the third connection structure), 75 μm / 75 μm (for the second connection structure), 50 μm / 50 μm (for the first connection structure) ) And a glass epoxy substrate (size 30 × 30 mm, thickness 0.4 mm) having a 5 mm square semiconductor chip (thickness 400 μm) and an electrode facing it, Second and third connection structures were obtained.

(実施例14)
第1,第2,第3の接続構造体を得る際に、ガラスエポキシ基板の電極とフレキシブルプリント基板の電極との双方の側面に傾斜構造をなくしたこと(内角Cは90度)以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。
(Example 14)
When obtaining the first, second, and third connection structures, except that the inclined structures were eliminated on both sides of the electrodes of the glass epoxy board and the flexible printed board (inner angle C was 90 degrees). In the same manner as in Example 1, first, second, and third connection structures were obtained.

(比較例1〜4)
(1)異方性導電ペーストの作製
下記の表2に示す成分を下記の表2に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。
(Comparative Examples 1-4)
(1) Preparation of anisotropic conductive paste The components shown in Table 2 below were blended in the blending amounts shown in Table 2 to obtain anisotropic conductive paste. First, second, and third connection structures were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained anisotropic conductive paste was used.

(比較例4)
フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「YP−50S」)10重量部をメチルエチルケトン(MEK)に固形分が50重量%となるように溶解させて、溶解液を得た。下記の表2に示すフェノキシ樹脂を除く成分を下記の表2に示す配合量と、上記溶解液の全量とを配合して、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌した後、バーコーターを用いて乾燥後の厚みが30μmになるよう離型PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に塗工した。室温で真空乾燥することで、MEKを除去することにより、異方性導電フィルムを得た。
(Comparative Example 4)
10 parts by weight of phenoxy resin (“YP-50S” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.) was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK) so that the solid content was 50% by weight to obtain a solution. Ingredients other than the phenoxy resin shown in Table 2 below were blended with the blending amounts shown in Table 2 below and the total amount of the above solution, and after stirring for 5 minutes at 2000 rpm using a planetary stirrer, a bar coater was used. It was coated on a release PET (polyethylene terephthalate) film so that the thickness after drying was 30 μm. An anisotropic conductive film was obtained by removing MEK by vacuum drying at room temperature.

異方性導電フィルムを用いたこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。   Except having used the anisotropic conductive film, it carried out similarly to Example 1, and obtained the 1st, 2nd, 3rd connection structure.

(比較例5)
L/Sが100μm/100μm(第3の接続構造体用)、75μm/75μm(第2の接続構造体用)、50μm/50μm(第1の接続構造体用)の銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を下面に有する半導体チップを用意した。
(Comparative Example 5)
Copper electrode patterns (copper electrode thickness) with L / S of 100 μm / 100 μm (for the third connection structure), 75 μm / 75 μm (for the second connection structure), and 50 μm / 50 μm (for the first connection structure) A semiconductor chip having 10 μm) on the lower surface was prepared.

フレキシブルプリント基板を半導体チップに変更したこと以外は比較例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。   First, second, and third connection structures were obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the flexible printed circuit board was changed to a semiconductor chip.

(評価)
(1)粘度
異方性導電ペーストの25℃での粘度η1を、E型粘度計(東機産業社製)を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定した。
(Evaluation)
(1) Viscosity The viscosity η1 at 25 ° C. of the anisotropic conductive paste was measured under the conditions of 25 ° C. and 5 rpm using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

(2)最低溶融粘度
25℃からはんだ粒子の融点又は導電性粒子の表面のはんだの融点までの温度領域での、異方性導電ペーストの最低溶融粘度を測定した。
(2) Minimum melt viscosity The minimum melt viscosity of the anisotropic conductive paste in the temperature range from 25 ° C. to the melting point of the solder particles or the melting point of the solder on the surface of the conductive particles was measured.

(3)誘電率
下記の表1,2に示す配合成分において、導電ペースト中のはんだ粒子を除く成分を配合した配合物を用意した。この配合物を用いて、誘電体測定装置(東洋テクニカ社製、126096W型)を用いて、サンプルサイズ直径20mm、厚み100μm、印加電圧0.2MV/m、応答スピード8ms、測定スピード115回/秒の条件で、誘電率の測定を行った。
(3) Dielectric constant In the blending components shown in Tables 1 and 2 below, a blend was prepared by blending components excluding solder particles in the conductive paste. Using this composition, using a dielectric measuring device (Toyo Technica, 126096W type), sample size diameter 20 mm, thickness 100 μm, applied voltage 0.2 MV / m, response speed 8 ms, measurement speed 115 times / second. The dielectric constant was measured under the conditions described above.

(4)接続部の距離(電極間の間隔)
得られた第1の接続構造体を断面観察することにより、上下の電極が対向している位置における接続部の距離D1(電極間の間隔)を評価した。
(4) Distance of connection part (interval between electrodes)
By observing a cross section of the obtained first connection structure, the distance D1 (interval between electrodes) of the connection portion at the position where the upper and lower electrodes face each other was evaluated.

(5)電極上のはんだの配置精度
得られた第1の接続構造体の断面(図1に示す方向の断面)において、はんだの全面積100%中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだの面積(%)を評価した。なお、5つの断面における面積の平均を算出した。電極上のはんだの配置精度を下記の基準で判定した。
(5) Solder placement accuracy on electrodes In the cross-section (cross-section in the direction shown in FIG. 1) of the obtained first connection structure, it is separated from the solder portion disposed between the electrodes in 100% of the total area of the solder. Thus, the area (%) of the solder remaining in the cured product was evaluated. In addition, the average of the area in five cross sections was computed. The placement accuracy of the solder on the electrode was determined according to the following criteria.

[電極上のはんだの配置精度の判定基準]
○○:断面に現われているはんだの全面積100%中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)の面積が0%以上、1%以下
○:断面に現われているはんだの全面積100%中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)の面積が1%を超え、10%以下
△:断面に現われているはんだの全面積100%中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)の面積が10%を超え、30%以下
×:断面に現われているはんだの全面積100%中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)の面積が30%を超える
[Criteria for solder placement accuracy on electrodes]
OO: The area of the solder (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portion arranged between the electrodes in the total area of 100% of the solder appearing in the cross section is 0% or more and 1% or less ○: Out of 100% of the total area of the solder appearing in the cross section, the area of the solder (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portion disposed between the electrodes exceeds 1% and is 10% or less Δ: The area of the solder (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portion arranged between the electrodes exceeds 100% in the total area of 100% of the solder appearing in the cross section, and is 30% or less X: Out of the total area of 100% of the solder appearing in the cross section, the area of the solder (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portion disposed between the electrodes exceeds 30%

(6)上下の電極間の導通信頼性
得られた第1,第2,第3の接続構造体(n=15個)において、上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、4端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。
(6) Conduction reliability between upper and lower electrodes In the obtained first, second and third connection structures (n = 15), the connection resistance between the upper and lower electrodes was measured by the four-terminal method, respectively. . The average value of connection resistance was calculated. Note that the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed from the relationship of voltage = current × resistance. The conduction reliability was determined according to the following criteria.

[導通信頼性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が8.0Ω以下
○:接続抵抗の平均値が8.0Ωを超え、10.0Ω以下
△:接続抵抗の平均値が10.0Ωを超え、15.0Ω以下
×:接続抵抗の平均値が15.0Ωを超える
[Judgment criteria for conduction reliability]
○○: Average value of connection resistance is 8.0Ω or less ○: Average value of connection resistance exceeds 8.0Ω and 10.0Ω or less △: Average value of connection resistance exceeds 10.0Ω and 15.0Ω or less × : Average connection resistance exceeds 15.0Ω

(7)隣接する電極間の絶縁信頼性
得られた第1,第2,第3の接続構造体(n=15個)において、温度85℃、及び湿度85%の雰囲気中に100時間放置後、隣接する電極間に、5Vを印加し、抵抗値を25箇所で測定した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。
(7) Insulation reliability between adjacent electrodes The obtained first, second and third connection structures (n = 15) were left in an atmosphere of 85 ° C. and 85% humidity for 100 hours. 5V was applied between the adjacent electrodes, and the resistance value was measured at 25 locations. Insulation reliability was judged according to the following criteria.

[絶縁信頼性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が10Ω以上
○:接続抵抗の平均値が10Ω以上、10Ω未満
△:接続抵抗の平均値が10Ω以上、10Ω未満
×:接続抵抗の平均値が10Ω未満
[Criteria for insulation reliability]
◯: Average value of connection resistance is 10 7 Ω or more ○: Average value of connection resistance is 10 6 Ω or more, less than 10 7 Ω △: Average value of connection resistance is 10 5 Ω or more, less than 10 6 Ω ×: Connection The average resistance is less than 10 5 Ω

(8)電極上のはんだの配置精度
第1の電極と接続部と第2の電極との積層方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、第1の電極と第2の電極との対向し合う部分の面積100%中、接続部中のはんだ部が配置されている面積A(%)を評価した。なお、5つの断面における面積の平均を算出した。電極上のはんだの配置精度を下記の基準で判定した。
(8) Solder placement accuracy on the electrode When the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is viewed, The area A (%) in which the solder part in the connection part is arranged was evaluated in the area of 100% of the part where the electrode and the second electrode face each other. In addition, the average of the area in five cross sections was computed. The placement accuracy of the solder on the electrode was determined according to the following criteria.

[電極上のはんだの配置精度の判定基準]
○○:上記面積Aが75%以上、100%以下
○:上記面積Aが50%以上、75%未満
△:上記面積Aが30%以上、50%未満
×:上記面積Aが30%未満
[Criteria for solder placement accuracy on electrodes]
◯: The area A is 75% or more and 100% or less ◯: The area A is 50% or more and less than 75% Δ: The area A is 30% or more and less than 50% X: The area A is less than 30%

(9)インピーダンスの測定
Tektronix社製「DSA8200 インピーダンス測定装置」を用い、プローブとして、Tektoronix社製「P80318」を用いて、TDR法にて、隣接する電極における差動インピーダンスを測定した。第3の接続構造体にて、基板、FPCの差動インピーダンス(90Ω)に対し、異方導電ペーストで接続した箇所のインピーダンスの差異を求めた。インピーダンスの測定を下記の基準で判定した。
(9) Impedance measurement The differential impedance of adjacent electrodes was measured by the TDR method using a Tektronix "DSA8200 impedance measurement device" and a Tektronix "P80318" as a probe. In the third connection structure, the difference in impedance at locations connected by the anisotropic conductive paste was obtained with respect to the differential impedance (90Ω) of the substrate and FPC. Impedance measurement was determined according to the following criteria.

[インピーダンスの測定の判定基準]
○○:接続した箇所の差動インピーダンスが、−5Ω未満
○:接続した箇所の差動インピーダンスが、−5Ω以上、−10Ω未満
△:接続した箇所の差動インピーダンスが、−10Ω以上、−15Ω未満
×:接続した箇所の差動インピーダンスが、−15Ω以上
[Criteria for impedance measurement]
○○: The differential impedance of the connected part is less than −5Ω ○: The differential impedance of the connected part is −5Ω or more and less than −10Ω Δ: The differential impedance of the connected part is −10Ω or more, −15Ω Less than ×: The differential impedance of the connected part is -15Ω or more

結果を下記の表1,2に示す。   The results are shown in Tables 1 and 2 below.

実施例1と比較例1との結果の差異と、実施例13と比較例5の結果との差異から、第2の接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合に、第2の接続対象部材が半導体チップである場合と比べて、本発明の導電ペーストの使用による導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られることがわかる。   From the difference between the results of Example 1 and Comparative Example 1 and the difference between the results of Example 13 and Comparative Example 5, when the second connection target member is a flexible printed circuit board, the second connection target member is It can be seen that the effect of improving the conduction reliability by using the conductive paste of the present invention can be obtained more effectively than in the case of a semiconductor chip.

フレキシブルプリント基板にかえて、樹脂フィルム及びフレキシブルフラットケーブルを用いた場合でも、同様であった。   The same was true when a resin film and a flexible flat cable were used instead of the flexible printed circuit board.

また、図5(a),(b)及び(c)に、本発明の実施形態に含まれる導電ペーストを用いた接続構造体の一例を示した。図5(a)及び(b)は断面画像であり、図5(c)は平面画像である。図5(a),(b),(c)では、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)が存在していないことがわかる。   FIGS. 5A, 5B, and 5C show an example of a connection structure using the conductive paste included in the embodiment of the present invention. 5A and 5B are cross-sectional images, and FIG. 5C is a planar image. 5A, 5B, and 5C, it can be seen that there is no solder (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portions arranged between the electrodes.

さらに、図6(a),(b)及び(c)に、本発明の実施形態に含まれない導電ペーストを用いた接続構造体の一例を示した。図6(a)及び(b)は断面画像であり、図6(c)は平面画像である。図6(a),(b),(c)では、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)が、はんだ部の側方に複数存在していることがわかる。なお、接続部を形成する工程において、加圧を行っても、図6(a),(b)及び(c)に示す接続構造体と同様の接続構造体が得られることを確認した。   Further, FIGS. 6A, 6B and 6C show an example of a connection structure using a conductive paste not included in the embodiment of the present invention. 6A and 6B are cross-sectional images, and FIG. 6C is a planar image. 6 (a), 6 (b), and 6 (c), there are a plurality of solders (solder particles) left in the cured product apart from the solder portions arranged between the electrodes, on the side of the solder portions. You can see that In addition, it confirmed that the connection structure similar to the connection structure shown to FIG. 6 (a), (b) and (c) was obtained even if it pressurized in the process of forming a connection part.

1,1X…接続構造体
2,2Y…第1の接続対象部材
2a…第1の電極
3,3Y…第2の接続対象部材
3a…第2の電極
4,4X…接続部
4A,4XA…はんだ部
4B,4XB…硬化物部
11…導電ペースト
11A…はんだ粒子
11B…熱硬化性成分
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1X ... Connection structure 2, 2Y ... 1st connection object member 2a ... 1st electrode 3, 3Y ... 2nd connection object member 3a ... 2nd electrode 4, 4X ... Connection part 4A, 4XA ... Solder Part 4B, 4XB ... Cured part 11 ... Conductive paste 11A ... Solder particles 11B ... Thermosetting component

Claims (17)

熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含み、
前記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスである、導電ペースト。
A thermosetting component and a plurality of solder particles;
A conductive paste having a positive zeta potential on the surface of the solder particles.
前記はんだ粒子が、はんだ粒子本体と、前記はんだ粒子本体の表面上に配置されたアニオンポリマーとを有する、請求項1に記載の導電ペースト。   The conductive paste according to claim 1, wherein the solder particles have a solder particle main body and an anionic polymer disposed on a surface of the solder particle main body. 導電ペースト中の前記はんだ粒子を除く成分を用いて測定された誘電率が3.4以上、6以下である、請求項1又は2に記載の導電ペースト。   The electrically conductive paste of Claim 1 or 2 whose dielectric constant measured using the component except the said solder particle in an electrically conductive paste is 3.4 or more and 6 or less. 25℃での粘度が、10Pa・s以上、800Pa・s以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電ペースト。   The electrically conductive paste of any one of Claims 1-3 whose viscosity in 25 degreeC is 10 Pa.s or more and 800 Pa.s or less. 25℃以上、前記はんだ粒子の融点以下の温度領域での粘度の最低値が、0.1Pa・s以上、10Pa・s以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電ペースト。   The conductive paste according to any one of claims 1 to 3, wherein a minimum value of viscosity in a temperature range of 25 ° C or higher and lower than a melting point of the solder particles is 0.1 Pa · s or higher and 10 Pa · s or lower. . 前記はんだ粒子の平均粒子径が1μm以上、40μm以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電ペースト。   The electrically conductive paste of any one of Claims 1-5 whose average particle diameter of the said solder particle is 1 micrometer or more and 40 micrometers or less. 導電ペースト100重量%中、前記はんだ粒子の含有量が10重量%以上、60重量%以下である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電ペースト。   The electrically conductive paste of any one of Claims 1-6 whose content of the said solder particle is 10 to 60 weight% in 100 weight% of electrically conductive paste. 前記はんだ粒子の粒子径のCV値が5%以上、40%以下である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電ペースト。   The electrically conductive paste of any one of Claims 1-7 whose CV value of the particle diameter of the said solder particle is 5% or more and 40% or less. 少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項1〜8のいずれか1項に記載の導電ペーストにより形成されており、
前記第1の電極と前記第2の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体。
A first connection target member having at least one first electrode on its surface;
A second connection target member having at least one second electrode on its surface;
A connecting portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The connection portion is formed of the conductive paste according to any one of claims 1 to 8,
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion.
前記第1の電極と前記接続部と前記第2の電極との積層方向に前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、前記接続部中のはんだ部が配置されている、請求項9に記載の接続構造体。   When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode 10. The connection structure according to claim 9, wherein the solder portion in the connection portion is arranged in 50% or more of the area of 100% of the portion facing the two electrodes. 前記第1の電極及び前記第2の電極の内の少なくとも一方の側面が、内側に向かって傾斜しており、傾斜している電極の傾斜部の先端における内角が20度以上、80度以下である、請求項9又は10に記載の接続構造体。   At least one side surface of the first electrode and the second electrode is inclined inward, and the inner angle at the tip of the inclined portion of the inclined electrode is not less than 20 degrees and not more than 80 degrees. The connection structure according to claim 9 or 10, wherein there is a connection structure. 前記第2の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板である、請求項9〜11のいずれか1項に記載の接続構造体。   The connection structure according to any one of claims 9 to 11, wherein the second connection target member is a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. 請求項1〜8のいずれか1項に記載の導電ペーストを用いて、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、前記導電ペーストを配置する工程と、
前記導電ペーストの前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置する工程と、
前記はんだ粒子の融点以上かつ前記熱硬化性成分の硬化温度以上に前記導電ペーストを加熱することで、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電ペーストにより形成し、かつ、前記第1の電極と前記第2の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える、接続構造体の製造方法。
Using the conductive paste according to claim 1, disposing the conductive paste on a surface of a first connection target member having at least one first electrode on the surface;
On the surface opposite to the first connection target member side of the conductive paste, a second connection target member having at least one second electrode on the surface, the first electrode and the second electrode And a step of arranging so as to face each other,
By connecting the first connection target member and the second connection target member by heating the conductive paste above the melting point of the solder particles and above the curing temperature of the thermosetting component, And a step of electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion, the method comprising: forming the conductive paste;
前記第1の電極と前記接続部と前記第2の電極との積層方向に前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、前記接続部中のはんだ部が配置されている接続構造体を得る、請求項13に記載の接続構造体の製造方法。   When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode The manufacturing method of the connection structure of Claim 13 which obtains the connection structure by which the solder part in the said connection part is arrange | positioned in 50% or more in 100% of the area of the part which opposes two electrodes. . 前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、前記導電ペーストには、前記第2の接続対象部材の重量が加わる、請求項13又は14に記載の接続構造体の製造方法。   15. The weight of the second connection target member is added to the conductive paste without applying pressure in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion. The manufacturing method of the connection structure of description. 前記第1の電極及び前記第2の電極の内の少なくとも一方の側面が、内側に向かって傾斜しており、傾斜している電極の傾斜部の先端における内角が20度以上、80度以下である、請求項13〜15のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。   At least one side surface of the first electrode and the second electrode is inclined inward, and the inner angle at the tip of the inclined portion of the inclined electrode is not less than 20 degrees and not more than 80 degrees. The manufacturing method of the connection structure of any one of Claims 13-15 which exists. 前記第2の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板である、請求項13〜16のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。   The manufacturing method of the connection structure of any one of Claims 13-16 whose said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210021543A (en) 2018-06-26 2021-02-26 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Solder Particles and Method for Producing Solder Particles
KR20210021544A (en) 2018-06-26 2021-02-26 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Anisotropic conductive film, manufacturing method thereof, and manufacturing method of connection structure
KR20210024024A (en) 2018-06-26 2021-03-04 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Solder particles
WO2021131620A1 (en) 2019-12-27 2021-07-01 昭和電工マテリアルズ株式会社 Connection structure and manufucturing method therefor

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6581434B2 (en) * 2015-08-24 2019-09-25 積水化学工業株式会社 Conductive material and connection structure
JP6600234B2 (en) * 2015-11-16 2019-10-30 積水化学工業株式会社 Conductive material and connection structure
JP2017224602A (en) * 2016-06-13 2017-12-21 積水化学工業株式会社 Conductive material, connection structure and method for producing connection structure
JP6481085B2 (en) * 2016-09-16 2019-03-13 株式会社ワンダーフューチャーコーポレーション Solder joining method and solder joining apparatus
CN109791813B (en) * 2016-09-30 2020-08-14 积水化成品工业株式会社 Conductive resin particles and use thereof
US11101052B2 (en) * 2016-10-06 2021-08-24 Sekisui Chemical Co., Ltd. Conductive material, connection structure and method for producing connection structure
WO2018147426A1 (en) * 2017-02-13 2018-08-16 タツタ電線株式会社 Shield film, shielded printed circuit board, and method for manufacturing shielded printed circuit board
JP6557694B2 (en) * 2017-03-16 2019-08-07 株式会社タムラ製作所 Thermosetting flux composition and method for producing electronic substrate
KR20200098486A (en) * 2017-12-22 2020-08-20 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Solder particles, conductive material, storage method of solder particles, storage method of conductive material, manufacturing method of conductive material, connection structure and manufacturing method of connection structure
KR20200098485A (en) * 2017-12-22 2020-08-20 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Solder particles, conductive material, storage method of solder particles, storage method of conductive material, manufacturing method of conductive material, connection structure and manufacturing method of connection structure

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4254995B2 (en) * 2002-04-26 2009-04-15 日立化成工業株式会社 Anisotropic conductive adhesive and circuit board
JPWO2008023452A1 (en) * 2006-08-25 2010-01-07 住友ベークライト株式会社 Adhesive tape, joined body and semiconductor package
EP2073316A4 (en) * 2006-09-26 2010-07-21 Hitachi Chemical Co Ltd Anisotropic conductive adhesive composition, anisotropic conductive film, circuit member connecting structure and method for manufacturing coated particles
EP2079084A4 (en) * 2006-10-17 2010-09-08 Hitachi Chemical Co Ltd Coated particle and method for producing the same, anisotropic conductive adhesive composition using coated particle, and anisotropic conductive adhesive film
JP5644067B2 (en) * 2008-07-23 2014-12-24 日立化成株式会社 Insulation coated conductive particles
CN102160125B (en) * 2008-09-19 2013-07-03 株式会社日本触媒 Electroconductive particles and anisotropic electroconductive material using the same
JP2010272514A (en) * 2009-04-20 2010-12-02 Idemitsu Kosan Co Ltd Conductive oxide particulate dispersion composition, conductive paint composition, and conductive film
US20130000964A1 (en) * 2010-04-22 2013-01-03 Hiroshi Kobayashi Anisotropic conductive material and connection structure
JP5964597B2 (en) * 2011-03-30 2016-08-03 株式会社タムラ製作所 Anisotropic conductive paste and method of connecting electronic parts using the same
KR101480179B1 (en) * 2011-12-30 2015-01-09 제일모직주식회사 Cmp slurry composition and polishing method using the same
JP6423583B2 (en) * 2012-05-14 2018-11-14 積水化学工業株式会社 Conductive particle material, conductive material, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP2014017248A (en) * 2012-06-14 2014-01-30 Sekisui Chem Co Ltd Conductive material, production method of conductive material, and connection structure
JP5939063B2 (en) * 2012-07-11 2016-06-22 日立化成株式会社 Insulating coated conductive particles and anisotropic conductive adhesive using the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210021543A (en) 2018-06-26 2021-02-26 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Solder Particles and Method for Producing Solder Particles
KR20210021544A (en) 2018-06-26 2021-02-26 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Anisotropic conductive film, manufacturing method thereof, and manufacturing method of connection structure
KR20210024024A (en) 2018-06-26 2021-03-04 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Solder particles
WO2021131620A1 (en) 2019-12-27 2021-07-01 昭和電工マテリアルズ株式会社 Connection structure and manufucturing method therefor
KR20220123241A (en) 2019-12-27 2022-09-06 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Bonded structure and manufacturing method of bonded structure

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