JP2016071306A - Correction method of member for manufacturing wire grid polarizer, method for manufacturing wire grid polarizer, and exposure method - Google Patents

Correction method of member for manufacturing wire grid polarizer, method for manufacturing wire grid polarizer, and exposure method Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an easy and suitable correction method of a member to be used for manufacturing a wire grid polarizer, a method for manufacturing a wire grid polarizer for suppressing generation of a white (void) defect, and an exposure method using the wire grid polarizer.SOLUTION: The method for manufacturing a wire grid polarizer includes steps of: forming a resist pattern on a grid material layer of a transparent substrate having the grid material layer on one surface; and etching the grid material layer by using the resist pattern as an etching mask to form an opening to manufacture a wire grid. When a defective portion is present in a member for forming the resist pattern in the above method, the member is corrected through the following steps: an appearance inspection step of determining a defect type and specifying a defective portion; and a defect correction step of eliminating a pattern in a desired region including the defective portion where correction is required.SELECTED DRAWING: Figure 8

Description

本発明は、ワイヤーグリッド偏光子、例えば、液晶表示装置等に使用する配向膜を光配向により形成する際に使用するワイヤーグリッド偏光子を製造するための部材の修正方法と、ワイヤーグリッド偏光子の製造方法、ワイヤーグリッド偏光子を用いた露光方法に関する。   The present invention relates to a method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer used for forming a wire grid polarizer, for example, an alignment film used for a liquid crystal display device or the like by photo-alignment, and a wire grid polarizer. The present invention relates to a manufacturing method and an exposure method using a wire grid polarizer.

液晶表示装置では、液晶分子に所望の配向を付与するための配向膜が必要であり、このような配向膜は、布材等を樹脂層に擦りつけて溝を作るラビング方式により作製されていた。しかし、従来の配向膜の製造方法では、使用する布材等から生じる異物の付着が問題となっていた。
近年、配向膜の製造において、ワイヤーグリッド偏光子を用いた光配向処理が用いられている。この光配向処理は、微細な金属細線を平行に複数備えたワイヤーグリッド偏光子に紫外線を照射し、出射された直線偏光を硬化性樹脂組成物に照射することにより異方性を持たせるものである。例えば、波長が２００〜４００ｎｍ程度の紫外線を使用する場合、ワイヤーグリッド偏光子は、金属細線が波長の１／２以下程度のピッチで配列されて構成されるグリッドを備える必要があり、このようなワイヤーグリッド偏光子の製造においては微細な加工技術が必要である。そのため、半導体製造に使われるリソグラフィ技術やエッチング技術を利用して、ガラス基板上にグリッドを形成することによりワイヤーグリッド偏光子を製造している（特許文献１）。 In a liquid crystal display device, an alignment film for imparting a desired alignment to liquid crystal molecules is necessary, and such an alignment film is manufactured by a rubbing method in which a cloth material or the like is rubbed against a resin layer to form a groove. . However, in the conventional method for producing an alignment film, there is a problem of adhesion of foreign matters generated from a cloth material to be used.
In recent years, photo-alignment processing using a wire grid polarizer has been used in the manufacture of alignment films. This photo-alignment treatment is to give anisotropy by irradiating ultraviolet rays to a wire grid polarizer having a plurality of fine metal wires in parallel and irradiating the curable resin composition with emitted linearly polarized light. is there. For example, when using ultraviolet rays having a wavelength of about 200 to 400 nm, the wire grid polarizer needs to include a grid configured by arranging metal thin wires at a pitch of about ½ or less of the wavelength. In manufacturing a wire grid polarizer, a fine processing technique is required. Therefore, a wire grid polarizer is manufactured by forming a grid on a glass substrate using a lithography technique and an etching technique used in semiconductor manufacturing (Patent Document 1).

このようなワイヤーグリッド偏光子において、金属細線の間隙部位等の透光部位に遮光性の異物等が位置するような欠陥（黒欠陥）や、金属細線が欠損している欠陥（白欠陥）が存在する場合、光配向処理に支障を来す原因となる。このため、ピンポイントで黒欠陥部位を除去したり、白欠陥部位に遮光材料を堆積することにより修正を行う必要がある。
また、ガラス基板上へのグリッドの形成工程が終了した後に、ネガ型感光性樹脂と遮光性材料とを含む組成物をワイヤーグリッド偏光子のグリッド側に塗布し、グリッドが形成されていない面側から露光する工程を有するワイヤーグリッド偏光子の製造方法が提案されている（特許文献２）。このワイヤーグリッド偏光子の製造方法は、欠陥箇所において無偏光光が漏れてしまうことを逆に利用し、欠陥箇所のみを露光することにより遮光膜を形成するものである。 In such a wire grid polarizer, there is a defect (black defect) in which a light-shielding foreign substance or the like is located in a light-transmitting part such as a gap part of a fine metal wire, or a defect (white defect) in which a fine metal wire is missing. When it exists, it will cause trouble in a photo-alignment process. For this reason, it is necessary to correct by removing the black defect portion at a pinpoint or by depositing a light shielding material on the white defect portion.
Moreover, after the formation process of the grid on a glass substrate is complete | finished, the surface side in which the composition containing negative photosensitive resin and light-shielding material is apply | coated to the grid side of a wire grid polarizer, and the grid is not formed A method for manufacturing a wire grid polarizer having a step of exposing to light has been proposed (Patent Document 2). This manufacturing method of the wire grid polarizer uses the fact that non-polarized light leaks at a defective portion, and forms a light-shielding film by exposing only the defective portion.

特許第４５０６４１２号公報Japanese Patent No. 4506212 特開２０１２−１８９９３７号公報JP 2012-189937 A

しかし、ワイヤーグリッド偏光子のグリッドに生じた欠陥箇所を個々に修正する場合、スループットが著しく低下し、ワイヤーグリッド偏光子の製造コストの低減に重大な支障を来すという問題があった。また、ワイヤーグリッド偏光子のグリッドのサイズが小さくなるにつれ、発生する欠陥のサイズも小さくなり、それを修正するには高額な装置と高度の技術が必要であった。   However, in the case of individually correcting the defect portions generated in the grid of the wire grid polarizer, there is a problem that the throughput is remarkably lowered and seriously hinders the reduction of the manufacturing cost of the wire grid polarizer. In addition, as the grid size of the wire grid polarizer is reduced, the size of the generated defect is also reduced, and expensive equipment and advanced technology are required to correct it.

また、特許文献２に記載のように、欠陥箇所において無偏光光が漏れてしまうことを利用し、欠陥箇所のみを露光することにより遮光膜を形成する修正工程は、一度の工程で欠陥箇所を全て修正することが可能であり、欠陥修正の効率が高いものである。しかし、特定の欠陥箇所を見つけて修正するものではなく、当該ワイヤーグリッド偏光子に修正が必要か否かの判断を行うことなく、グリッドが形成された全てのワイヤーグリッド偏光子に対して修正工程が適用されるので、結果的にスループットが低下するという問題があり、また、この修正工程に由来した新たな欠陥が発生するという問題もあった。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、ワイヤーグリッド偏光子の製造に使用する部材の簡便かつ適切な修正方法と、白欠陥の発生を抑制したワイヤーグリッド偏光子の製造方法、ワイヤーグリッド偏光子を使用した露光方法を提供することを目的とする。 Moreover, as described in Patent Document 2, the correction process for forming the light-shielding film by exposing only the defective portion using the fact that non-polarized light leaks at the defective portion is performed in a single step. All can be corrected, and the efficiency of defect correction is high. However, it is not intended to find and correct a specific defect location, and it is a correction process for all the wire grid polarizers on which grids are formed without determining whether the wire grid polarizer needs to be corrected. As a result, there is a problem that throughput is lowered as a result, and there is also a problem that a new defect derived from this correction process occurs.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a simple and appropriate correction method for a member used for manufacturing a wire grid polarizer, and the manufacture of a wire grid polarizer that suppresses the occurrence of white defects. It is an object to provide a method and an exposure method using a wire grid polarizer.

本発明者は、ワイヤーグリッド偏光子に存在する白欠陥は、ワイヤーグリッド偏光子がマスターモールドやフォトマスクを用いて製造される段階で生じることは希であり、ワイヤーグリッド偏光子の製造段階で使用するマスターモールドやフォトマスクに存在する欠陥が原因であること、および、修正が必要な欠陥箇所が数個程度ならば、欠陥検査で得られた情報と関連付けることによりピンポイントで個々に簡便な方法による修正を実施した方が高効率となることに着眼して、本発明に想到したものである。   The present inventor found that white defects present in the wire grid polarizer rarely occur when the wire grid polarizer is manufactured using a master mold or a photomask, and are used in the manufacturing stage of the wire grid polarizer. If the cause is a defect existing in the master mold or photomask to be repaired and if there are several defects that need to be corrected, it can be pinpointed and easily linked to the information obtained by defect inspection. The present invention has been conceived by focusing on the fact that it is more efficient to perform the correction according to the above.

上述のような目的を達成するために、本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法は、ワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の欠陥種類を判別し、欠陥箇所を特定する外観検査工程と、前記製造用部材の修正が必要な欠陥箇所を含む所望の領域のパターンを消滅させる欠陥修正工程と、を有するような構成とした。   In order to achieve the object as described above, the method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention is a visual inspection process for determining a defect type of a member for manufacturing a wire grid polarizer and identifying a defect location. And a defect correcting step for eliminating a pattern of a desired region including a defective portion that requires correction of the manufacturing member.

本発明の他の態様として、前記製造用部材は、インプリント用モールドであり、前記欠陥修正工程では、前記インプリント用モールドが備える凹凸構造の修正が必要な欠陥箇所を含む所望の領域を、前記凹凸構造を構成する凹部と同等以上の深さを有する凹部とすることによりパターンを消滅させるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記製造用部材は、ネガ型感光性レジストを使用してレジストパターンを形成するためのフォトマスクであり、前記欠陥修正工程では、前記フォトマスクの修正が必要な欠陥箇所を含む所望の領域において、遮光部を除去することによりパターンを消滅させるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記製造用部材は、ポジ型感光性レジストを使用してレジストパターンを形成するためのフォトマスクであり、前記欠陥修正工程では、前記フォトマスクの修正が必要な欠陥箇所を含む所望の領域を遮光材料で被覆することによりパターンを消滅させるような構成とした。 As another aspect of the present invention, the manufacturing member is an imprint mold, and in the defect correction step, a desired region including a defect portion that requires correction of the concavo-convex structure provided in the imprint mold, It was set as the structure which eliminate | eradicates a pattern by setting it as the recessed part which has the depth more than the recessed part which comprises the said uneven structure.
As another aspect of the present invention, the manufacturing member is a photomask for forming a resist pattern using a negative photosensitive resist, and the defect that requires correction of the photomask in the defect correction step. In a desired region including a portion, the pattern is eliminated by removing the light shielding portion.
As another aspect of the present invention, the manufacturing member is a photomask for forming a resist pattern using a positive photosensitive resist, and the defect that needs to be corrected in the defect correcting step. A desired area including a portion is covered with a light shielding material so that the pattern disappears.

本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法は、ワイヤーグリッド偏光子の製造用部材を用いて、一の面にグリッド材料層を備える透明基板の該グリッド材料層上にレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをエッチングマスクとして前記グリッド材料層をエッチングすることにより開口部を形成しワイヤーグリッドを作製する工程と、を有し、前記製造用部材は、ワイヤーグリッドを構成するワイヤー部が欠損した欠陥をワイヤーグリッド偏光子に生じさせるような欠陥箇所が存在しないものであるような構成とした。   The method for manufacturing a wire grid polarizer of the present invention includes a step of forming a resist pattern on the grid material layer of a transparent substrate having a grid material layer on one surface using a member for manufacturing a wire grid polarizer, Forming a wire grid by etching the grid material layer using the resist pattern as an etching mask, and the manufacturing member has a defect in which a wire part constituting the wire grid is missing. In such a configuration, there is no defect portion that causes a wire grid polarizer.

本発明の他の態様として、前記製造用部材は、上述の本発明の修正方法により欠陥箇所の修正を施したものであるような構成とした。   As another aspect of the present invention, the manufacturing member is configured such that a defect portion is corrected by the correction method of the present invention described above.

本発明の露光方法は、光源からの照射光をワイヤーグリッド偏光子を介して被露光体に照射する露光方法であって、前記ワイヤーグリッド偏光子として、ワイヤーグリッドを構成するワイヤー部が欠損した欠陥が存在しないものを使用し、前記ワイヤーグリッド偏光子の前記ワイヤー部の長手方向に沿って前記被露光体と前記ワイヤーグリッド偏光子を相対的に移動させるような構成とした。   The exposure method of the present invention is an exposure method for irradiating an object to be exposed with light emitted from a light source via a wire grid polarizer, and the wire grid constituting the wire grid is defective as the wire grid polarizer. Is used, and the object to be exposed and the wire grid polarizer are relatively moved along the longitudinal direction of the wire portion of the wire grid polarizer.

本発明の他の態様として、前記ワイヤーグリッド偏光子として、上述の本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法により製造したワイヤーグリッド偏光子を使用するような構成とした。   As another aspect of the present invention, the wire grid polarizer manufactured by the above-described method for manufacturing a wire grid polarizer of the present invention is used as the wire grid polarizer.

本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法は、ワイヤーグリッド偏光子の製造に使用する部材の欠陥箇所、特に製造したワイヤーグリッド偏光子に白欠陥を生じるような欠陥箇所を、高額な修正装置を用いることなく、欠陥検査で得られた情報と関連付けることにより個々に簡便に修正することができる。
また、本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法は、白欠陥のないワイヤーグリッド偏光子を、個々のワイヤーグリッド偏光子における欠陥修正を行うことなく、高いスループットで製造することが可能である。
また、本発明の露光方法は、白欠陥のないワイヤーグリッド偏光子を使用することにより、仮にワイヤーグリッド偏光子に黒欠陥が存在しても、黒欠陥の周辺部から出射される直線偏光によって補うことができ、被露光体に対して安定した露光を行うことが可能である。 The method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention is expensive for a defective part of a member used for manufacturing a wire grid polarizer, particularly a defective part causing a white defect in the manufactured wire grid polarizer. Without using a correction device, it can be easily corrected individually by associating with information obtained by defect inspection.
Moreover, the manufacturing method of the wire grid polarizer of this invention can manufacture the wire grid polarizer without a white defect with high throughput, without performing the defect correction in each wire grid polarizer.
In addition, the exposure method of the present invention uses a wire grid polarizer without white defects, so that even if there are black defects in the wire grid polarizer, they are compensated by linearly polarized light emitted from the periphery of the black defects. Therefore, stable exposure can be performed on the object to be exposed.

図１は、ワイヤーグリッド偏光子の一例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an example of a wire grid polarizer. 図２は、図１に示されるワイヤーグリッド偏光子のＩ−Ｉ線における縦断面図である。2 is a longitudinal sectional view taken along line II of the wire grid polarizer shown in FIG. 図３は、本発明の露光方法を説明するための図面である。FIG. 3 is a drawing for explaining the exposure method of the present invention. 図４は、図１および図２に示されるワイヤーグリッド偏光子において、白欠陥が存在する場合を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a case where a white defect exists in the wire grid polarizer shown in FIGS. 1 and 2. 図５は、ワイヤーグリッド偏光子の製造用のインプリント用モールドが備える凹凸構造の例を示す部分平面図である。FIG. 5 is a partial plan view showing an example of a concavo-convex structure provided in an imprint mold for manufacturing a wire grid polarizer. 図６は、図５に示されるインプリント用モールドのII−II線における縦断面図である。6 is a longitudinal sectional view taken along the line II-II of the imprint mold shown in FIG. 図７は、欠陥を有するインプリント用モールドを使用したワイヤーグリッド偏光子の製造例を示す工程図である。FIG. 7 is a process diagram showing an example of manufacturing a wire grid polarizer using a defective imprint mold. 図８は、本発明による欠陥箇所の修正が行われたインプリント用モールドの部分平面図である。FIG. 8 is a partial plan view of an imprint mold in which a defect portion is corrected according to the present invention. 図９は、図８に示されるインプリント用モールドのIII−III線における縦断面図である。9 is a longitudinal sectional view taken along the line III-III of the imprint mold shown in FIG. 図１０は、本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法の一実施形態を示す工程図である。FIG. 10 is a process diagram showing an embodiment of a method for producing a wire grid polarizer of the present invention. 図１１は、図１０に示すように製造されたワイヤーグリッド偏光子の平面図である。FIG. 11 is a plan view of the wire grid polarizer manufactured as shown in FIG. 図１２は、ワイヤーグリッド偏光子の製造用のフォトマスクが備える遮光部の例を示す部分平面図である。FIG. 12 is a partial plan view showing an example of a light shielding portion provided in a photomask for manufacturing a wire grid polarizer. 図１３は、図１２に示されるフォトマスクのＶ−Ｖ線における縦断面図である。FIG. 13 is a longitudinal sectional view taken along line VV of the photomask shown in FIG. 図１４は、欠陥を有するフォトマスクを使用したワイヤーグリッド偏光子の製造例を示す工程図である。FIG. 14 is a process diagram showing an example of manufacturing a wire grid polarizer using a photomask having defects. 図１５は、本発明による欠陥箇所の修正が行われたフォトマスクの部分平面図である。FIG. 15 is a partial plan view of a photomask in which a defect portion is corrected according to the present invention. 図１６は、図１５に示されるフォトマスクのVI−VI線における縦断面図である。16 is a longitudinal sectional view taken along the line VI-VI of the photomask shown in FIG. 図１７は、本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。FIG. 17 is a process diagram showing another embodiment of the method for manufacturing a wire grid polarizer of the present invention. 図１８は、図１７に示すように製造されたワイヤーグリッド偏光子の平面図である。FIG. 18 is a plan view of the wire grid polarizer manufactured as shown in FIG. 図１９は、ワイヤーグリッド偏光子の製造用のフォトマスクが備える遮光部の例を示す部分平面図である。FIG. 19 is a partial plan view showing an example of a light shielding portion provided in a photomask for manufacturing a wire grid polarizer. 図２０は、図１９に示されるフォトマスクのVIII−VIII線における縦断面図である。FIG. 20 is a longitudinal sectional view taken along line VIII-VIII of the photomask shown in FIG. 図２１は、欠陥を有するフォトマスクを使用したワイヤーグリッド偏光子の製造例を示す工程図である。FIG. 21 is a process diagram showing an example of manufacturing a wire grid polarizer using a photomask having defects. 図２２は、本発明による欠陥箇所の修正が行われたフォトマスクの部分平面図である。FIG. 22 is a partial plan view of a photomask in which a defect portion is corrected according to the present invention. 図２３は、図２２に示されるフォトマスクのIX−IX線における縦断面図である。FIG. 23 is a longitudinal sectional view taken along line IX-IX of the photomask shown in FIG. 図２４は、本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。FIG. 24 is a process diagram showing another embodiment of the method for producing a wire grid polarizer of the present invention. 図２５は、図２４に示すように製造されたワイヤーグリッド偏光子の平面図である。FIG. 25 is a plan view of the wire grid polarizer manufactured as shown in FIG.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
Note that the drawings are schematic or conceptual, and the dimensions of each member, the ratio of sizes between the members, etc. are not necessarily the same as the actual ones, and represent the same members. However, in some cases, the dimensions and ratios may be different depending on the drawing.

図１は、ワイヤーグリッド偏光子の一例を示す平面図であり、図２は、図１に示されるワイヤーグリッド偏光子のＩ−Ｉ線における縦断面図である。図１および図２において、ワイヤーグリッド偏光子１１は、透明基板１２の一方の面１２ａにグリッド領域１３が設定されている。このグリッド領域１３にはグリッド材料層１４が位置しており、グリッド材料層１４にはライン形状の開口部１６が所望のピッチで複数配列されて形成されている。そして、開口部１６間に位置するグリッド材料層１４であるワイヤー部１７と開口部１６によりワイヤーグリッド１５が構成されている。尚、図１では、グリッド領域１３に斜鎖線を付して示しており、このグリッド領域１３の全域には、矢印Ａで示される方向に延設されたライン形状の開口部１６が形成されている。また、図１では、このようなグリッド領域１３の一部を拡大して平面図で示しており、この拡大平面図ではワイヤー部１７に斜線を付している。
ライン形状の開口部１６のライン幅Ｗ１は、ワイヤーグリッド偏光子に使用する光のピーク波長に応じて設定することができ、例えば、１０〜１００ｎｍの範囲内で適宜設定することができ、開口部１６間に位置するワイヤー部１７の幅Ｗ２も、１０〜１００ｎｍの範囲内で適宜設定することができる。 FIG. 1 is a plan view showing an example of a wire grid polarizer, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view taken along line II of the wire grid polarizer shown in FIG. In FIG. 1 and FIG. 2, the grid region 13 is set on the one surface 12 a of the transparent substrate 12 in the wire grid polarizer 11. A grid material layer 14 is located in the grid region 13, and a plurality of line-shaped openings 16 are arranged at a desired pitch in the grid material layer 14. And the wire grid 15 is comprised by the wire part 17 and the opening part 16 which are the grid material layers 14 located between the opening parts 16. FIG. In FIG. 1, the grid region 13 is shown with diagonal lines, and a line-shaped opening 16 extending in the direction indicated by the arrow A is formed in the entire region of the grid region 13. Yes. Further, in FIG. 1, a part of the grid region 13 is enlarged and shown in a plan view. In the enlarged plan view, the wire portion 17 is hatched.
The line width W1 of the line-shaped opening 16 can be set according to the peak wavelength of light used for the wire grid polarizer, and can be set as appropriate within a range of 10 to 100 nm, for example. The width W2 of the wire part 17 located between 16 can also be suitably set within the range of 10 to 100 nm.

このようなワイヤーグリッド偏光子１１を構成する透明基板１２としては、例えば、石英ガラス、合成石英、フッ化マグネシウム等のリジッド材、あるいは、透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブル材を用いることができる。
尚、本発明において透明とは、波長２００〜４００ｎｍにおける光線透過率が５０％以上、好ましくは７０％以上であることを意味する。光線透過率の測定は、日本分光（株）製 Ｖ−６５０を用いて行うことができる。
また、ワイヤーグリッド１５を構成するワイヤー部１７の材質（グリッド材料層１４の材質）としては、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、珪素化モリブデン、酸化チタン等の金属、金属化合物等の導電性材料、誘電性材料を挙げることができ、これらのいずれかを単独で、あるいは、組み合わせで使用することができる。このようなワイヤー部１７の厚みは、１０〜５００ｎｍの範囲で適宜設定することができる。 As the transparent substrate 12 constituting such a wire grid polarizer 11, for example, a rigid material such as quartz glass, synthetic quartz or magnesium fluoride, or a flexible material such as a transparent resin film or an optical resin plate is provided. A transparent flexible material can be used.
In the present invention, transparent means that the light transmittance at a wavelength of 200 to 400 nm is 50% or more, preferably 70% or more. The measurement of light transmittance can be performed using JASCO Corporation V-650.
Moreover, as a material of the wire part 17 which comprises the wire grid 15 (material of the grid material layer 14), electroconductivity, such as metals, metal compounds, such as aluminum, gold | metal | money, silver, copper, molybdenum silicide, titanium oxide, etc., for example. Examples thereof include materials and dielectric materials, and any of these can be used alone or in combination. The thickness of such a wire part 17 can be suitably set in the range of 10 to 500 nm.

本発明の露光方法では、ワイヤーグリッドを構成するワイヤー部が欠損した欠陥が存在しないワイヤーグリッド偏光子を使用し、ワイヤーグリッド偏光子のワイヤー部の長手方向に沿って被露光体とワイヤーグリッド偏光子を相対的に移動させながら、光源からの照射光をワイヤーグリッド偏光子を介して被露光体に照射する。図１、図２に示されるワイヤーグリッド偏光子１１は、ワイヤーグリッド１５を構成するワイヤー部１７が欠損した欠陥（白欠陥）が存在しないものであり、本発明の露光方法に使用することができる。図３は、このようなワイヤーグリッド偏光子１１を使用した本発明の露光方法を示す図面であり、光源１の下方にワイヤーグリッド偏光子１１を配設する。このワイヤーグリッド偏光子１１は、ワイヤー部１７の長手方向が図示の矢印Ａで示される方向である。そして、光源１から光をワイヤーグリッド偏光子１１に照射した状態で、被露光体１０を載置したステージを矢印ａ方向に移動させることにより、ワイヤーグリッド偏光子１１を透過した直線偏光を被露光体１０に照射する。光源１は、所望の中心波長を有する光をワイヤーグリッド偏光子１１のグリッド領域１３を照射可能なものであれば特に制限はなく、図示例のような面光源であってもよく、また、ライン状の光源と反射鏡を組み合わせた光源等であってもよい。   In the exposure method of the present invention, a wire grid polarizer having no defect in which the wire part constituting the wire grid is missing is used, and the object to be exposed and the wire grid polarizer along the longitudinal direction of the wire part of the wire grid polarizer are used. The object to be exposed is irradiated with the irradiation light from the light source via the wire grid polarizer while relatively moving. The wire grid polarizer 11 shown in FIGS. 1 and 2 does not have a defect (white defect) in which the wire portion 17 constituting the wire grid 15 is missing, and can be used in the exposure method of the present invention. . FIG. 3 is a drawing showing an exposure method of the present invention using such a wire grid polarizer 11, and the wire grid polarizer 11 is disposed below the light source 1. In the wire grid polarizer 11, the longitudinal direction of the wire portion 17 is the direction indicated by the arrow A shown in the figure. Then, the linearly polarized light transmitted through the wire grid polarizer 11 is exposed by moving the stage on which the exposure object 10 is placed in the direction of arrow a while the light grid 1 is irradiated with light from the light source 1. The body 10 is irradiated. The light source 1 is not particularly limited as long as it can irradiate the grid region 13 of the wire grid polarizer 11 with light having a desired center wavelength, and may be a surface light source as shown in the drawing. The light source etc. which combined the shape light source and the reflective mirror may be sufficient.

尚、本発明の露光方法では、複数のワイヤーグリッド偏光子を、ワイヤー部１７の長手方向が同一となるように、例えば、ワイヤー部１７の長手方向の相違が５°以下となるように配置して使用することができる。但し、後述する本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法より欠陥を修正し、この製造用部材を使用して製造したワイヤーグリッド偏光子を複数使用する場合、被露光体とワイヤーグリッド偏光子との相対的な移動方向において、欠陥修正箇所が同一線上に位置しないように複数のワイヤーグリッド偏光子を配置する。
ここで、図４に示されるように、ワイヤーグリッド１５を構成するワイヤー部１７が欠損した欠陥（白欠陥）、および、ワイヤー部１７の間隙部位（開口部１６）に遮光性の異物等が位置するような欠陥（黒欠陥）が存在するワイヤーグリッド偏光子を本発明の露光方法に使用した場合の不具合を説明する。 In the exposure method of the present invention, the plurality of wire grid polarizers are arranged so that the longitudinal direction of the wire portion 17 is the same, for example, the difference in the longitudinal direction of the wire portion 17 is 5 ° or less. Can be used. However, when a defect is corrected by the method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer of the present invention described later and a plurality of wire grid polarizers manufactured using the member for manufacturing are used, the exposed object and the wire grid A plurality of wire grid polarizers are arranged so that defect correction locations are not located on the same line in the direction of movement relative to the polarizer.
Here, as shown in FIG. 4, a defect (white defect) in which the wire portion 17 constituting the wire grid 15 is lost, and a light-shielding foreign matter or the like is located in the gap portion (opening portion 16) of the wire portion 17. A problem when a wire grid polarizer having such defects (black defects) is used in the exposure method of the present invention will be described.

図４（Ａ）に示されるワイヤーグリッド偏光子１１Ｄには、ワイヤーグリッド１５を構成するワイヤー部１７の一部に欠損箇所である白欠陥１８Ｗと、ワイヤー部１７の間隙部位（開口部１６）に遮光性の異物等が位置する黒欠陥１８Ｂが存在している。このような白欠陥１８Ｗ、黒欠陥１８Ｂが存在するワイヤーグリッド偏光子１１を介して被露光体を露光、例えば、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄを介して紫外線を配向膜形成用の光硬化性樹脂組成物に照射する場合、本発明の露光方法では、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄのワイヤー部１７の長手方向に沿って被露光体を移動させながら露光するので、黒欠陥１８Ｂによる影響が、黒欠陥１８Ｂの周辺部から出射される直線偏光によって補われ、所望の異方性を光硬化性樹脂組成物にもたせることができる。しかし、ワイヤー部１７の長手方向に沿ってワイヤーグリッド偏光子１１Ｄと光硬化性樹脂組成物とを相対的に移動させても、白欠陥１８Ｗが存在する箇所から無偏光光が光硬化性樹脂組成物に照射されてしまう。これにより、図４（Ｂ）に示されるように、形成された配向膜１０には、無偏光光が照射され正常な配向がなされていない欠陥箇所１０′（図示例では鎖線で示している）が生じる。このため、本発明の露光方法では、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄにおける白欠陥１８Ｗの存在を排除することが重要となる。しかし、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄに存在する白欠陥１８Ｗは、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄが製造された後に生じることは希であり、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄの製造用部材に存在する欠陥が白欠陥の主原因となる。
以下に、ワイヤーグリッド偏光子の製造用部材に存在する欠陥と、本発明による製造用部材の修正方法を説明する。 In the wire grid polarizer 11D shown in FIG. 4 (A), a white defect 18W which is a defective part in a part of the wire part 17 constituting the wire grid 15 and a gap part (opening part 16) of the wire part 17 are provided. There is a black defect 18B where a light-shielding foreign matter or the like is located. The exposed object is exposed through the wire grid polarizer 11 in which such white defects 18W and black defects 18B are present, for example, a photocurable resin composition for forming an alignment film with ultraviolet rays through the wire grid polarizer 11D. In the exposure method of the present invention, the exposure is performed while moving the object to be exposed along the longitudinal direction of the wire portion 17 of the wire grid polarizer 11D, so that the influence of the black defect 18B affects the periphery of the black defect 18B. It is supplemented by linearly polarized light emitted from the portion, and the desired anisotropy can be imparted to the photocurable resin composition. However, even if the wire grid polarizer 11D and the photocurable resin composition are relatively moved along the longitudinal direction of the wire portion 17, the non-polarized light is generated from the portion where the white defect 18W is present. Things will be irradiated. As a result, as shown in FIG. 4B, the formed alignment film 10 is irradiated with non-polarized light and is not normally aligned, and thus a defective portion 10 ′ (indicated by a chain line in the illustrated example). Occurs. For this reason, in the exposure method of the present invention, it is important to eliminate the presence of the white defect 18W in the wire grid polarizer 11D. However, the white defect 18W existing in the wire grid polarizer 11D rarely occurs after the wire grid polarizer 11D is manufactured, and the defect present in the member for manufacturing the wire grid polarizer 11D is mainly a white defect. Cause.
Below, the defect which exists in the member for manufacture of a wire grid polarizer, and the correction method of the member for manufacture by this invention are demonstrated.

＜製造用部材がインプリント用モールドの場合＞
図５〜図７は、ワイヤーグリッド偏光子の製造用部材がインプリント用モールドであり、このインプリント用モールドに存在する欠陥を説明するための図である。
図５は、ワイヤーグリッド偏光子の製造用のインプリント用モールドが備える凹凸構造の例を示す部分平面図であり、図６は、図５に示されるインプリント用モールドのII−II線における縦断面図である。インプリント用モールド２１は、基材２２と、この基材２２の一方の面の所望の領域に形成された凹凸構造２３を有している。凹凸構造２３は、矢印Ａ方向に沿ったライン形状の凹部２３ａと、このような凹部２３ａを画定する凸部２３ｂを有している。図５では、凹凸構造２３を構成する凸部２３ｂに斜線を付して示している。インプリント用モールド２１を構成する基材２２の材質は、特に制限はなく、例えば、ワイヤーグリッド偏光子の製造に使用する硬化性レジストが光硬化性である場合には、これを硬化させるための照射光が透過可能な材料を用いることができ、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材、可撓性を有するものを用いることができる。また、使用する硬化性レジストが光硬化性ではない場合や、ワイヤーグリッド偏光子を構成する透明基板側から硬化性レジストを硬化させるための光を照射可能である場合には、基材２２は光透過性を具備しなくてもよく、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。 <When the manufacturing member is an imprint mold>
5-7 is a figure for demonstrating the defect which the member for manufacture of a wire grid polarizer is an imprint mold, and exists in this imprint mold.
FIG. 5 is a partial plan view showing an example of a concavo-convex structure provided in an imprint mold for manufacturing a wire grid polarizer, and FIG. 6 is a longitudinal section taken along line II-II of the imprint mold shown in FIG. FIG. The imprint mold 21 has a base material 22 and a concavo-convex structure 23 formed in a desired region on one surface of the base material 22. The concavo-convex structure 23 has a line-shaped concave portion 23a along the direction of arrow A and a convex portion 23b that defines the concave portion 23a. In FIG. 5, the convex portions 23 b constituting the concavo-convex structure 23 are indicated by hatching. The material of the base material 22 constituting the imprint mold 21 is not particularly limited. For example, when the curable resist used for manufacturing the wire grid polarizer is photocurable, the material for curing the curable resist is used. A material capable of transmitting irradiation light can be used, for example, glass such as quartz glass, silicate glass, calcium fluoride, magnesium fluoride, acrylic glass, sapphire and gallium nitride, polycarbonate, polystyrene, Resins such as acrylic and polypropylene, or any of these laminated materials and flexible materials can be used. Further, when the curable resist to be used is not photocurable, or when light for curing the curable resist can be irradiated from the transparent substrate side constituting the wire grid polarizer, the base material 22 is light. In addition to the above materials, for example, metals such as silicon, nickel, titanium, and aluminum, alloys thereof, oxides, nitrides, or any laminated material thereof may be used. Can do.

この例では、インプリント用モールド２１は、モールド製造時のパターン欠陥や異物付着等の理由により、隣接する凸部２３ｂが繋がっている黒欠陥２４Ｂと、凹凸構造２３を構成する凸部２３ｂの一部が欠損している白欠陥２４Ｗが存在する状態を示している。
図７は、このような欠陥を有するインプリント用モールド２１を、インプリントリソグラフィ方法において使用することにより、ワイヤーグリッド偏光子を製造する例を示す工程図である。この図７には、図６に示すインプリント用モールド２１の断面が示されている。まず、透明基板１２の面１２ａ上にグリッド材料層１４を形成し、このグリッド材料層１４上に硬化性レジスト１０１を供給する。次いで、インプリント用モールド２１と透明基板１２とを近接させて、インプリント用モールド２１と硬化性レジスト１０１とを接触させることにより、インプリント用モールド２１の凹凸構造２３の凹部２３ａ内に硬化性レジストを展開する（図７（Ａ））。 In this example, the imprint mold 21 includes a black defect 24B in which adjacent convex portions 23b are connected and a convex portion 23b that constitutes the concavo-convex structure 23 due to a pattern defect or foreign matter adhesion at the time of mold manufacture. A state is shown in which there is a white defect 24W in which a part is missing.
FIG. 7 is a process diagram showing an example of manufacturing a wire grid polarizer by using the imprint mold 21 having such a defect in an imprint lithography method. FIG. 7 shows a cross section of the imprint mold 21 shown in FIG. First, the grid material layer 14 is formed on the surface 12 a of the transparent substrate 12, and the curable resist 101 is supplied onto the grid material layer 14. Next, the imprint mold 21 and the transparent substrate 12 are brought close to each other, and the imprint mold 21 and the curable resist 101 are brought into contact with each other, whereby curable properties are formed in the concave portion 23 a of the concave-convex structure 23 of the imprint mold 21. The resist is developed (FIG. 7A).

次に、硬化性レジスト１０１を硬化した後、インプリント用モールド２１を離型する。これにより、グリッド材料層１４上にエッチングレジスト層１０２が形成された状態となる（図７（Ｂ））。このように形成されたエッチングレジスト層１０２には、インプリント用モールド２１の凹凸構造２３の凹部２３ａが転写された凸部パターン１０３が存在するとともに、インプリント用モールド２１に存在する黒欠陥２４Ｂに起因した凸部パターンの欠損部位１０３′、白欠陥２４Ｗに起因した凸部パターンの繋がり部位１０４が生じている。尚、図７（Ｂ）は、インプリント用モールド２１の凸部２３ｂと透明基板１２との間に生じる残膜を除去した状態を示している。   Next, after the curable resist 101 is cured, the imprint mold 21 is released. As a result, the etching resist layer 102 is formed on the grid material layer 14 (FIG. 7B). In the etching resist layer 102 formed in this way, there is a convex pattern 103 to which the concave portion 23a of the concave-convex structure 23 of the imprint mold 21 is transferred, and black defects 24B existing in the imprint mold 21 are also present. The resulting convex part pattern missing part 103 ′ and the convex part pattern connecting part 104 resulting from the white defect 24 </ b> W are generated. FIG. 7B shows a state in which the remaining film generated between the convex portion 23b of the imprint mold 21 and the transparent substrate 12 is removed.

次いで、エッチングレジスト層１０２をエッチングマスクとしてグリッド材料層１４をエッチングし、これにより開口部１６を形成することにより、開口部１６とワイヤー部１７を有するワイヤーグリッド１５が形成され、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄが得られる（図７（Ｃ））。このワイヤーグリッド偏光子１１Ｄには、インプリント用モールド２１に存在する黒欠陥２４Ｂに起因したワイヤー部１７の欠損部位である白欠陥１８Ｗと、白欠陥２４Ｗに起因したワイヤー部１７の繋がり部位である黒欠陥１８Ｂが存在している。したがって、このようなワイヤーグリッド偏光子１１Ｄは、本発明の露光方法に使用することはできない。
上記のような欠陥を有するインプリント用モールド２１を例として、本発明の修正方法の一実施形態を説明する。 Next, the grid material layer 14 is etched using the etching resist layer 102 as an etching mask, thereby forming the opening 16, thereby forming the wire grid 15 having the opening 16 and the wire 17, and the wire grid polarizer 11 </ b> D. Is obtained (FIG. 7C). This wire grid polarizer 11D is a connecting part of the white defect 18W, which is a defect part of the wire part 17 caused by the black defect 24B present in the imprint mold 21, and the wire part 17 caused by the white defect 24W. A black defect 18B exists. Therefore, such a wire grid polarizer 11D cannot be used in the exposure method of the present invention.
An embodiment of the correction method of the present invention will be described using the imprint mold 21 having the defects as described above as an example.

本発明では、外観検査工程において、インプリント用モールド２１の欠陥の種類を判別し、欠陥箇所を特定する。インプリント用モールド２１の欠陥の種類には、上記のように、隣接する凸部２３ｂが繋がっている黒欠陥２４Ｂと、凹凸構造２３を構成する凸部２３ｂの一部が欠損している白欠陥２４Ｗとが存在するので、インプリント用モールド２１の凹凸構造２３に欠陥が存在する場合、黒欠陥であるか白欠陥であるかを判別する。また、凹凸構造２３に存在する欠陥箇所の特定では、例えば、欠陥の位置座標を特定することができ、また、欠陥が存在する領域を特定してもよい。このような外観検査は、例えば、ＸＹステージ上にインプリント用モールド２１を載置し走査型電子顕微鏡を用いて行うことができる。また、ＸＹステージ上にインプリント用モールド２１を載置し、透過率測定器により計測スポット内の透過率変化を測定することにより外観検査を行ってもよい。この場合、計測スポット内に白欠陥が存在すると、透過率が正常部における透過率よりも上昇し、計測スポット内に黒欠陥が存在すると、透過率が正常部における透過率よりも下降するので、透過率変化を測定することにより白欠陥、黒欠陥の存在を検出することができる。計測スポットの寸法は、適宜設定することができ、例えば、直径数μｍ程度として、欠陥が存在する領域を特定することができる。   In the present invention, in the appearance inspection process, the type of defect in the imprint mold 21 is determined, and the defective portion is specified. As described above, the defect type of the imprint mold 21 includes a black defect 24B in which adjacent convex portions 23b are connected and a white defect in which a part of the convex portions 23b constituting the concavo-convex structure 23 is missing. Therefore, if there is a defect in the concavo-convex structure 23 of the imprint mold 21, it is determined whether it is a black defect or a white defect. Moreover, in the specification of the defect location which exists in the uneven structure 23, the position coordinate of a defect can be specified, for example, and you may specify the area | region where a defect exists. Such an appearance inspection can be performed, for example, by placing an imprint mold 21 on an XY stage and using a scanning electron microscope. Further, the appearance inspection may be performed by placing the imprint mold 21 on the XY stage and measuring the transmittance change in the measurement spot with a transmittance measuring device. In this case, if there is a white defect in the measurement spot, the transmittance is higher than the transmittance in the normal part, and if there is a black defect in the measurement spot, the transmittance is lower than the transmittance in the normal part. The presence of white defects and black defects can be detected by measuring the transmittance change. The dimension of the measurement spot can be set as appropriate. For example, the area where the defect exists can be specified with a diameter of about several μm.

次に、欠陥修正工程において、まず修正が必要な欠陥箇所を決定する。上記のような外観検査工程において検出された黒欠陥２４Ｂ、白欠陥２４Ｗの中で、黒欠陥２４Ｂは、インプリント用モールド２１を使用することにより製造されるワイヤーグリッド偏光子１１Ｄに白欠陥１８Ｗを生じさせる原因となる欠陥である。そして、上述のように、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄに白欠陥１８Ｗが存在することにより、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄを介した紫外線照射において、無偏光光が照射されることとなり、形成された配向膜に、正常な配向がなされていない欠陥箇所が生じることとなる。このため、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄにおける白欠陥１８Ｗの原因となるインプリント用モールド２１の黒欠陥２４Ｂは、修正が必要な欠陥箇所となる。   Next, in the defect correction step, first, a defect location that needs to be corrected is determined. Among the black defects 24B and white defects 24W detected in the appearance inspection process as described above, the black defects 24B are formed by using the imprint mold 21 to form the white defects 18W on the wire grid polarizer 11D. It is a defect that causes it to occur. And as above-mentioned, by the white defect 18W existing in wire grid polarizer 11D, in the ultraviolet irradiation through wire grid polarizer 11D, unpolarized light will be irradiated, and the formed alignment film Thus, a defective portion that is not normally oriented is generated. For this reason, the black defect 24B of the imprint mold 21 that causes the white defect 18W in the wire grid polarizer 11D is a defective portion that needs to be corrected.

尚、黒欠陥であっても、隣接する凸部２３ｂが繋がっている箇所の寸法が極微小であり、インプリント用モールド２１を使用することにより製造するワイヤーグリッド偏光子に白欠陥１８Ｗを生じさせる原因とはならない場合には、修正が必要な欠陥箇所から除外することができる。但し、このような極微小な黒欠陥が他の異物等の付着の起点となって、修正が必要な欠陥箇所に成長する可能性もあるため、極微小な黒欠陥を修正が必要な欠陥箇所に含めることに何ら制限はない。
また、インプリント用モールド２１の白欠陥２４Ｗは、そのまま残存させても、後述のように、ワイヤーグリッド偏光子の製造において特に支障を来すことはないが、例えば、レーザアシストＣＶＤ、集束イオンビームアシストＣＶＤ、電子線アシストＣＶＤ等により、白欠陥２４Ｗのみにピンポイントで遮光材料を堆積することにより修正を行うことを排除するものではない。 Even if it is a black defect, the dimension of the portion where the adjacent convex portions 23b are connected is extremely small, and a white defect 18W is generated in the wire grid polarizer manufactured by using the imprint mold 21. If it is not the cause, it can be excluded from the defective part that needs to be corrected. However, since such a very small black defect may become a starting point for the attachment of other foreign matters, etc., it may grow to a defective part that needs to be corrected. There are no restrictions on inclusion.
Further, even if the white defect 24W of the imprint mold 21 is left as it is, there is no particular problem in the production of the wire grid polarizer as described later. For example, laser assisted CVD, focused ion beam, etc. It is not excluded that correction is performed by depositing a light shielding material only on the white defect 24W by means of assist CVD, electron beam assist CVD, or the like.

次に、修正が必要な欠陥箇所を含む所望の領域のパターンを消滅させる。図８は、本発明による欠陥箇所の修正が行われたインプリント用モールドの部分平面図であり、図９は、図８に示されるインプリント用モールドのIII−III線における縦断面図である。図８および図９に示される欠陥修正後のインプリント用モールド２１Ｒは、凹凸構造２３の修正が必要な欠陥箇所２４Ｂを含む所望の領域２５（図８において二点鎖線で囲まれる領域）を、凹凸構造２３の凹部２３ａと同等以上の深さを有する凹部２３ａ′とすることによりパターンを消滅させたものである。図９（Ａ）に示される例では、凹部２３ａ′の深さが凹凸構造２３の凹部２３ａと同じものであり、図９（Ｂ）に示される例では、凹部２３ａ′の深さが凹凸構造２３の凹部２３ａよりも大きいものである。   Next, the pattern of a desired area including a defective portion that needs to be corrected is eliminated. FIG. 8 is a partial plan view of an imprint mold in which a defect portion is corrected according to the present invention, and FIG. 9 is a longitudinal sectional view taken along line III-III of the imprint mold shown in FIG. . The imprint mold 21R after the defect correction shown in FIGS. 8 and 9 includes a desired region 25 (a region surrounded by a two-dot chain line in FIG. 8) including the defect portion 24B that requires correction of the uneven structure 23. The pattern is extinguished by forming a recess 23 a ′ having a depth equal to or greater than the recess 23 a of the concavo-convex structure 23. In the example shown in FIG. 9A, the depth of the recess 23a ′ is the same as that of the recess 23a of the uneven structure 23, and in the example shown in FIG. 9B, the depth of the recess 23a ′ is the uneven structure. 23 is larger than the recess 23a.

上記の欠陥箇所２４Ｂを含む所望の領域２５は、黒欠陥である欠陥箇所２４Ｂの原因である隣接する凸部２３ｂを繋げている部位を含むように適宜設定することができ、このようなパターンを消滅させる領域２５の幅は、数百ｎｍ〜数μｍであってよい。例えば、欠陥箇所の座標を特定している場合には、特定された欠陥箇所の座標を基に、領域２５の座標を決定することができる。例えば、修正最小寸法が１μｍオーダーの修正装置を用いて、凹凸構造２３を構成する凸部２３ｂを除去することにより、あるいは、凹凸構造２３を構成する凸部２３ｂを除去した後に更に基材２２を所定の深さまで除去することにより、凹部２３ａ′を形成し、これによりパターンを消滅させることができる。使用する修正装置としては、例えば、集束イオンビーム、電子線で所望部位を除去する装置、原子間力顕微鏡のプローブを用いて物理的に削る装置等を挙げることができる。
尚、図示例のインプリント用モールド２１Ｒは、白欠陥２４Ｗがそのまま残存する例となっている。 The desired region 25 including the defective portion 24B can be appropriately set so as to include a portion connecting adjacent convex portions 23b that are the cause of the defective portion 24B that is a black defect. The width of the region 25 to be extinguished may be several hundred nm to several μm. For example, when the coordinates of the defective part are specified, the coordinates of the region 25 can be determined based on the coordinates of the specified defective part. For example, by using a correction device having a correction minimum dimension of the order of 1 μm, the base material 22 is further removed by removing the convex portions 23b constituting the concave-convex structure 23 or after removing the convex portions 23b constituting the concave-convex structure 23. By removing to a predetermined depth, the recess 23a 'can be formed, thereby eliminating the pattern. Examples of the correction device to be used include a device that removes a desired portion with a focused ion beam and an electron beam, and a device that physically cuts using a probe of an atomic force microscope.
In the illustrated example, the imprint mold 21R is an example in which the white defect 24W remains as it is.

このような本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法は、ワイヤーグリッド偏光子の製造に使用する部材の欠陥箇所、特に製造したワイヤーグリッド偏光子に白欠陥を生じるような欠陥箇所を、高額な修正装置を用いることなく、欠陥検査で得られた情報と関連付けることにより個々に簡便に修正することができる。   Such a method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention includes a defect part of a member used for manufacturing a wire grid polarizer, particularly a defect part that causes a white defect in the manufactured wire grid polarizer. It is possible to easily and individually correct by associating with information obtained by defect inspection without using an expensive correction device.

図１０は、本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法の一実施形態を示す工程図である。このワイヤーグリッド偏光子の製造例は、本発明により欠陥箇所の修正が行われたインプリント用モールド２１Ｒ（図９（Ａ）参照）を、インプリントリソグラフィ方法において使用することによりワイヤーグリッド偏光子を製造する例である。まず、一方の面１２ａ上にグリッド材料層１４を形成した透明基板１２のグリッド材料層１４上に、硬化性レジスト１０１を供給し、インプリント用モールド２１Ｒと透明基板１２とを近接させて、インプリント用モールド２１Ｒと硬化性レジスト１０１とを接触させることにより、インプリント用モールド２１Ｒの凹凸構造２３の凹部２３ａ、凹部２３ａ′内に硬化性レジストを展開する（図１０（Ａ））。   FIG. 10 is a process diagram showing an embodiment of a method for producing a wire grid polarizer of the present invention. This wire grid polarizer manufacturing example uses an imprint mold 21R (see FIG. 9 (A)) in which a defect is corrected according to the present invention in an imprint lithography method. This is an example of manufacturing. First, the curable resist 101 is supplied onto the grid material layer 14 of the transparent substrate 12 in which the grid material layer 14 is formed on the one surface 12a, and the imprint mold 21R and the transparent substrate 12 are brought close to each other. By bringing the printing mold 21R and the curable resist 101 into contact with each other, the curable resist is developed in the concave portions 23a and 23a ′ of the concave-convex structure 23 of the imprint mold 21R (FIG. 10A).

硬化性レジスト１０１は、後述のエッチングレジスト層１０２が、グリッド材料層１４のエッチングにおいてエッチング耐性を発現するものであり、従来の硬化性のエッチングレジスト材料から、グリッド材料層１４の材質等に応じて適宜選択することができる。硬化性レジスト１０１の供給は、例えば、インクジェット法、ディスペンス法等の公知の手段を用いて行うことができる。また、グリッド材料層１４上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜を後述のエッチングレジスト層１０２を介してエッチングすることによりハードマスクを形成し、このハードマスクを介してグリッド材料層１４をエッチングするようにしてもよい。   In the curable resist 101, an etching resist layer 102 described later develops etching resistance in the etching of the grid material layer 14, and from the conventional curable etching resist material, depending on the material of the grid material layer 14 and the like. It can be selected appropriately. The supply of the curable resist 101 can be performed using a known means such as an inkjet method or a dispensing method. Further, a metal thin film is formed on the grid material layer 14, a hard mask is formed by etching the metal thin film through an etching resist layer 102 described later, and the grid material layer 14 is etched through the hard mask. You may do it.

次に、硬化性レジスト１０１を硬化した後、インプリント用モールド２１Ｒを離型する。これにより、グリッド材料層１４上にエッチングレジスト層１０２が形成された状態となる（図１０（Ｂ））。このように形成されたエッチングレジスト層１０２には、インプリント用モールド２１Ｒの凹凸構造２３の凹部２３ａが転写された凸部パターン１０３が存在するとともに、インプリント用モールド２１Ｒに存在する白欠陥２４Ｗに起因した凸部パターンの繋がり部位１０４と、修正箇所の凹部２３ａ′に起因した凸部パターンの繋がり部位１０５が存在している。   Next, after the curable resist 101 is cured, the imprint mold 21R is released. As a result, the etching resist layer 102 is formed on the grid material layer 14 (FIG. 10B). In the etching resist layer 102 formed in this manner, there is a convex pattern 103 to which the concave portion 23a of the concave-convex structure 23 of the imprint mold 21R is transferred, and white defects 24W present in the imprint mold 21R. There is a convex pattern connection portion 104 caused by the protrusion and a convex pattern connection portion 105 caused by the concave portion 23a ′ of the correction portion.

次いで、エッチングレジスト層１０２をエッチングマスクとしてグリッド材料層１４をエッチングすることにより開口部１６を形成する。これにより、開口部１６とワイヤー部１７を有するワイヤーグリッド１５が形成され、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒが得られる（図１０（Ｃ））。図１１は、このように製造されたワイヤーグリッド偏光子１１Ｒの平面図であり、上述の図１に相当するものである。したがって、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒは、透明基板１２の一方の面１２ａにグリッド領域１３が設定されており、グリッド領域１３にはグリッド材料層１４が位置している。このグリッド材料層１４にはライン形状の開口部１６が所望のピッチで複数配列されて形成されており、開口部１６間に位置するグリッド材料層１４であるワイヤー部１７と開口部１６によりワイヤーグリッド１５が構成されている。尚、図１１では、グリッド領域１３に斜鎖線を付しており、このグリッド領域１３の一部を拡大して平面図で示しており、図１０（Ｃ）は、この拡大平面図のIV−IV線における縦断面図である。   Next, the opening 16 is formed by etching the grid material layer 14 using the etching resist layer 102 as an etching mask. Thereby, the wire grid 15 which has the opening part 16 and the wire part 17 is formed, and wire grid polarizer 11R is obtained (FIG.10 (C)). FIG. 11 is a plan view of the wire grid polarizer 11R manufactured as described above, and corresponds to FIG. 1 described above. Therefore, in the wire grid polarizer 11 </ b> R, the grid region 13 is set on one surface 12 a of the transparent substrate 12, and the grid material layer 14 is located in the grid region 13. A plurality of line-shaped openings 16 are arranged in the grid material layer 14 at a desired pitch, and a wire grid is formed by the wire parts 17 and the openings 16 that are the grid material layers 14 positioned between the openings 16. 15 is configured. In FIG. 11, the grid area 13 is hatched, and a part of the grid area 13 is enlarged and shown in a plan view. FIG. It is a longitudinal cross-sectional view in the IV line.

図１０（Ｃ）および図１１に示されるように、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒには、インプリント用モールド２１Ｒに存在する白欠陥２４Ｗに起因したワイヤー部１７の繋がり部位である黒欠陥１８Ｂと、インプリント用モールド２１Ｒの修正箇所の凹部２３ａ′に起因した黒欠陥１８Ｂ′が存在している。このように、インプリント用モールド２１Ｒの凹部２３ａ′は、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒでは、黒欠陥となり、白欠陥の発生原因とはならず、白欠陥のないワイヤーグリッド偏光子の製造が可能となる。
このような本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法は、個々のワイヤーグリッド偏光子における欠陥修正を行うことなく、白欠陥のないワイヤーグリッド偏光子を高いスループットで製造することが可能である。 As shown in FIGS. 10C and 11, the wire grid polarizer 11 </ b> R has black defects 18 </ b> B that are connected portions of the wire portions 17 due to the white defects 24 </ b> W existing in the imprint mold 21 </ b> R, There is a black defect 18B ′ caused by the concave portion 23a ′ at the correction portion of the printing mold 21R. As described above, the recess 23a ′ of the imprint mold 21R becomes a black defect in the wire grid polarizer 11R and does not cause a white defect, and a wire grid polarizer without a white defect can be manufactured. .
Such a method for manufacturing a wire grid polarizer of the present invention can manufacture a wire grid polarizer free of white defects at a high throughput without correcting defects in individual wire grid polarizers.

＜製造用部材がネガ型感光性レジストを使用するフォトマスクの場合＞
図１２〜図１４は、ワイヤーグリッド偏光子の製造用部材がネガ型感光性レジストを使用するフォトマスクであり、このフォトマスクに存在する欠陥を説明するための図である。
図１２は、ワイヤーグリッド偏光子の製造用のフォトマスクが備える遮光部の例を示す部分平面図であり、図１３は、図１２に示されるフォトマスクのＶ−Ｖ線における縦断面図である。フォトマスク４１は、基材４２と、この基材４２の一方の面の所望の領域に形成された遮光部４３を有している。図１２では、遮光部４３に斜線を付して示している。フォトマスク４１を構成する基材４２の材質は、特に制限はなく、ネガ型感光性レジストを露光するための照射光が透過可能な材料を用いることができる。
この例では、フォトマスク４１は、遮光部形成時に異物付着等の理由により、隣接する遮光部４３が繋がっている黒欠陥４４Ｂと、遮光部４３の一部が欠損している白欠陥４４Ｗが存在する状態を示している。 <When the manufacturing member is a photomask using a negative photosensitive resist>
12 to 14 are photomasks using a negative photosensitive resist as a member for manufacturing a wire grid polarizer, and are diagrams for explaining defects existing in the photomask.
FIG. 12 is a partial plan view showing an example of a light shielding portion provided in a photomask for manufacturing a wire grid polarizer, and FIG. 13 is a longitudinal sectional view taken along line VV of the photomask shown in FIG. . The photomask 41 has a base material 42 and a light shielding part 43 formed in a desired region on one surface of the base material 42. In FIG. 12, the light shielding portion 43 is indicated by hatching. The material of the base material 42 constituting the photomask 41 is not particularly limited, and a material that can transmit irradiation light for exposing the negative photosensitive resist can be used.
In this example, the photomask 41 has a black defect 44B in which adjacent light-shielding portions 43 are connected and a white defect 44W in which a part of the light-shielding portion 43 is missing due to foreign matter adhesion or the like when forming the light-shielding portions. It shows the state to do.

図１４は、このような欠陥を有するフォトマスク４１を、フォトリソグラフィ方法において使用することにより、ワイヤーグリッド偏光子を製造する例を示す工程図である。この図１４には、図１３に示すフォトマスク４１の断面が示されている。まず、透明基板１２の面１２ａ上にグリッド材料層１４を形成し、このグリッド材料層１４上にネガ型感光性レジストを塗布することによりレジスト層２０１を形成する。次いで、フォトマスク４１を介してレジスト層２０１を露光する（図１４（Ａ））。
次に、露光後のレジスト層２０１を現像することにより未露光部位を除去する。これにより、グリッド材料層１４上にエッチングレジスト層２０２が形成された状態となる（図１４（Ｂ））。このように形成されたエッチングレジスト層２０２には、フォトマスク４１の遮光部４３間を透過した光で硬化することにより形成されたレジストパターン２０３が存在し、また、フォトマスク４１に存在する黒欠陥４４Ｂに起因したレジストパターンの欠損部位２０３′、白欠陥４４Ｗに起因したレジストパターンの繋がり部位２０４が存在している。 FIG. 14 is a process diagram showing an example of manufacturing a wire grid polarizer by using a photomask 41 having such a defect in a photolithography method. FIG. 14 shows a cross section of the photomask 41 shown in FIG. First, the grid material layer 14 is formed on the surface 12 a of the transparent substrate 12, and a negative photosensitive resist is applied on the grid material layer 14 to form the resist layer 201. Next, the resist layer 201 is exposed through the photomask 41 (FIG. 14A).
Next, the unexposed portion is removed by developing the exposed resist layer 201. As a result, the etching resist layer 202 is formed on the grid material layer 14 (FIG. 14B). In the etching resist layer 202 formed in this way, there is a resist pattern 203 formed by curing with light transmitted between the light shielding portions 43 of the photomask 41, and black defects present in the photomask 41 are present. There is a resist pattern deficient portion 203 'caused by 44B and a resist pattern connecting portion 204 caused by white defect 44W.

次いで、エッチングレジスト層２０２をエッチングマスクとしてグリッド材料層１４をエッチングすることにより開口部１６を形成する。これにより、開口部１６とワイヤー部１７を有するワイヤーグリッド１５が形成され、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄが得られる（図１４（Ｃ））。このワイヤーグリッド偏光子１１Ｄには、フォトマスク４１に存在する黒欠陥４４Ｂに起因したワイヤー部１７の欠損部位である白欠陥１８Ｗと、白欠陥４４Ｗに起因したワイヤー部１７の繋がり部位である黒欠陥１８Ｂとが存在している。したがって、このようなワイヤーグリッド偏光子１１Ｄは、本発明の露光方法に使用することはできない。
上記のような欠陥を有するフォトマスク４１を例として、本発明の修正方法の一実施形態を説明する。 Next, the opening 16 is formed by etching the grid material layer 14 using the etching resist layer 202 as an etching mask. Thereby, the wire grid 15 which has the opening part 16 and the wire part 17 is formed, and wire grid polarizer 11D is obtained (FIG.14 (C)). The wire grid polarizer 11D includes a white defect 18W, which is a defect portion of the wire portion 17 caused by the black defect 44B existing in the photomask 41, and a black defect, which is a connection portion of the wire portion 17 caused by the white defect 44W. 18B exists. Therefore, such a wire grid polarizer 11D cannot be used in the exposure method of the present invention.
An embodiment of the correction method of the present invention will be described by taking the photomask 41 having the above defects as an example.

本発明では、外観検査工程において、フォトマスク４１の欠陥の種類を判別し、欠陥箇所を特定する。フォトマスク４１の欠陥の種類には、上記のように、隣接する遮光部４３が繋がっている黒欠陥４４Ｂと、遮光部４３の一部が欠損している白欠陥４４Ｗとが存在するので、フォトマスク４１に欠陥が存在する場合、黒欠陥であるか白欠陥であるかを判別する。また、フォトマスク４１に存在する欠陥箇所の特定では、例えば、欠陥の位置座標を特定することができ、また、欠陥が存在する領域を特定してもよい。このような外観検査は、例えば、ＸＹステージ上にフォトマスク４１を載置し走査型電子顕微鏡を用いて行うことができる。また、ＸＹステージ上にフォトマスク４１を載置し、透過率測定器により計測スポット内の透過率変化を測定することにより外観検査を行ってもよい。この場合、計測スポット内に白欠陥が存在すると、透過率が正常部における透過率よりも上昇し、計測スポット内に黒欠陥が存在すると、透過率が正常部における透過率よりも下降するので、透過率変化を測定することにより白欠陥、黒欠陥の存在を検出することができる。計測スポットの寸法は、適宜設定することができ、例えば、直径数μｍ程度として、欠陥が存在する領域を特定することができる。   In the present invention, in the appearance inspection process, the type of defect of the photomask 41 is determined, and the defect location is specified. As described above, the defect types of the photomask 41 include the black defect 44B in which the adjacent light-shielding parts 43 are connected and the white defect 44W in which a part of the light-shielding part 43 is missing. If there is a defect in the mask 41, it is determined whether it is a black defect or a white defect. Moreover, in the specification of the defect location which exists in the photomask 41, the position coordinate of a defect can be specified, for example, and you may specify the area | region where a defect exists. Such an appearance inspection can be performed using, for example, a scanning electron microscope with the photomask 41 placed on the XY stage. Further, the appearance inspection may be performed by placing the photomask 41 on the XY stage and measuring the transmittance change in the measurement spot with a transmittance measuring device. In this case, if there is a white defect in the measurement spot, the transmittance is higher than the transmittance in the normal part, and if there is a black defect in the measurement spot, the transmittance is lower than the transmittance in the normal part. The presence of white defects and black defects can be detected by measuring the transmittance change. The dimension of the measurement spot can be set as appropriate. For example, the area where the defect exists can be specified with a diameter of about several μm.

次に、欠陥修正工程において、まず修正が必要な欠陥箇所を決定する。上記のような外観検査工程において検出された黒欠陥４４Ｂ、白欠陥４４Ｗの中で、黒欠陥４４Ｂは、図１４に示すように、フォトマスク４１を使用することにより製造されるワイヤーグリッド偏光子１１Ｄに白欠陥１８Ｗを生じさせる原因となる欠陥である。そして、上述のように、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄに白欠陥１８Ｗが存在することにより、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄを介した紫外線照射において、無偏光光が照射されることとなり、形成された配向膜に、正常な配向がなされていない欠陥箇所が生じることとなる。このため、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄにおける白欠陥１８Ｗの原因となるフォトマスク４１の黒欠陥４４Ｂは、修正が必要な欠陥箇所となる。   Next, in the defect correction step, first, a defect location that needs to be corrected is determined. Among the black defects 44B and white defects 44W detected in the appearance inspection process as described above, the black defect 44B is a wire grid polarizer 11D manufactured by using a photomask 41 as shown in FIG. This is a defect that causes the white defect 18W. And as above-mentioned, by the white defect 18W existing in wire grid polarizer 11D, in the ultraviolet irradiation through wire grid polarizer 11D, unpolarized light will be irradiated, and the formed alignment film Thus, a defective portion that is not normally oriented is generated. For this reason, the black defect 44B of the photomask 41 that causes the white defect 18W in the wire grid polarizer 11D is a defect location that needs to be corrected.

尚、黒欠陥であっても、隣接する遮光部４３が繋がっている箇所の寸法が極微小であり、フォトマスク４１を使用することにより製造するワイヤーグリッド偏光子に白欠陥１８Ｗを生じさせる原因とはならない場合には、修正が必要な欠陥箇所から除外することができる。但し、このような極微小な黒欠陥が他の異物等の付着の起点となって、修正が必要な欠陥箇所に成長する可能性もあるため、極微小な黒欠陥を修正が必要な欠陥箇所に含めることに何ら制限はない。
また、フォトマスク４１に白欠陥４４Ｗが存在する場合、この白欠陥４４Ｗは、そのまま残存させても、ワイヤーグリッド偏光子の製造において白欠陥を生じる原因とはならないが、例えば、レーザアシストＣＶＤ、集束イオンビームアシストＣＶＤ、電子線アシストＣＶＤ等により、白欠陥４４Ｗのみにピンポイントで遮光材料を堆積して修正を行うことを排除するものではない。 In addition, even if it is a black defect, the dimension of the location where the adjacent light-shielding part 43 is connected is very small, and it causes the white defect 18W in the wire grid polarizer manufactured by using the photomask 41. If this is not the case, it can be excluded from a defect that needs to be corrected. However, since such a very small black defect may become a starting point for the attachment of other foreign matters, etc., it may grow to a defective part that needs to be corrected. There are no restrictions on inclusion.
Further, when the white defect 44W exists in the photomask 41, even if the white defect 44W is left as it is, it does not cause a white defect in the manufacture of the wire grid polarizer, but for example, laser assisted CVD, focusing It does not exclude that a light shielding material is deposited and corrected only on the white defect 44W by ion beam assisted CVD, electron beam assisted CVD, or the like.

次に、修正が必要な欠陥箇所を含む所望の領域のパターンを消滅させる。図１５は、本発明による欠陥箇所の修正が行われたフォトマスクの部分平面図であり、図１６は、図１５に示されるフォトマスクのVI−VI線における縦断面図である。図１５および図１６に示される欠陥修正後のフォトマスク４１Ｒは、修正が必要な欠陥箇所４４Ｂを含む所望の領域４５（図１５において二点鎖線で囲まれる領域）において、遮光部４３を除去することによりパターンを消滅させたものである。   Next, the pattern of a desired area including a defective portion that needs to be corrected is eliminated. FIG. 15 is a partial plan view of a photomask in which a defect portion has been corrected according to the present invention, and FIG. 16 is a longitudinal sectional view taken along line VI-VI of the photomask shown in FIG. The photomask 41R after the defect correction shown in FIGS. 15 and 16 removes the light-shielding portion 43 in a desired region 45 (a region surrounded by a two-dot chain line in FIG. 15) including the defect portion 44B that needs to be corrected. As a result, the pattern disappears.

上記の領域４５は、隣接する遮光部４３を繋げている黒欠陥４４Ｂを含むように適宜設定することができ、このようなパターンを消滅させる領域４５の幅は、数百ｎｍ〜数μｍであってよい。例えば、欠陥箇所の座標を特定している場合には、特定された欠陥箇所の座標を基に、領域４５の座標を決定することができる。例えば、修正最小寸法が１μｍオーダーの修正装置を用いて遮光部４３を除去することにより、パターンを消滅させることができる。使用する修正装置としては、例えば、集束イオンビーム、電子線で所望部位を除去する装置、原子間力顕微鏡のプローブを用いて物理的に削る装置等を使用することができる。尚、図示例のフォトマスク４１Ｒは、白欠陥４４Ｗがそのまま残存する例となっている。   The region 45 can be appropriately set so as to include a black defect 44B connecting adjacent light shielding portions 43, and the width of the region 45 where such a pattern disappears is several hundred nm to several μm. It's okay. For example, when the coordinates of the defective part are specified, the coordinates of the region 45 can be determined based on the coordinates of the specified defective part. For example, the pattern can be extinguished by removing the light shielding portion 43 using a correction device having a minimum correction dimension of the order of 1 μm. As the correction device to be used, for example, a focused ion beam, a device for removing a desired site with an electron beam, a device for physically cutting using a probe of an atomic force microscope, or the like can be used. In the illustrated photomask 41R, the white defect 44W remains as it is.

このような本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法は、ワイヤーグリッド偏光子の製造に使用する部材の欠陥箇所、特に製造したワイヤーグリッド偏光子に白欠陥を生じるような欠陥箇所を、高額な修正装置を用いることなく、欠陥検査で得られた情報と関連付けて個々に簡便に修正することができる。   Such a method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention includes a defect part of a member used for manufacturing a wire grid polarizer, particularly a defect part that causes a white defect in the manufactured wire grid polarizer. Without using an expensive correction device, it is possible to easily and individually correct the information in association with information obtained by defect inspection.

図１７は、本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。このワイヤーグリッド偏光子の製造例は、本発明により欠陥箇所の修正が行われたフォトマスク４１Ｒを、フォトリソグラフィ方法において使用することにより、ワイヤーグリッド偏光子を製造する例であり、この図１７には、図１６に示すフォトマスク４１Ｒの断面が示されている。まず、一方の面１２ａ上にグリッド材料層１４を形成した透明基板１２のグリッド材料層１４上に、ネガ型感光性レジストを塗布することによりレジスト層２０１を形成する。次いで、フォトマスク４１Ｒを介してレジスト層２０１を露光する（図１７（Ａ））。   FIG. 17 is a process diagram showing another embodiment of the method for manufacturing a wire grid polarizer of the present invention. This example of manufacturing a wire grid polarizer is an example of manufacturing a wire grid polarizer by using a photomask 41R in which a defect portion has been corrected according to the present invention in a photolithography method. FIG. 16 shows a cross section of the photomask 41R shown in FIG. First, a resist layer 201 is formed by applying a negative photosensitive resist on the grid material layer 14 of the transparent substrate 12 on which the grid material layer 14 is formed on one surface 12a. Next, the resist layer 201 is exposed through the photomask 41R (FIG. 17A).

ネガ型感光性レジストは、後述のエッチングレジスト層２０２が、グリッド材料層１４のエッチングにおいてエッチング耐性を発現するものであり、従来のネガ型感光性のエッチングレジスト材料から、グリッド材料層１４の材質等に応じて適宜選択することができる。レジスト層２０１の形成は、スピンコート法、ディスペンスコート法、ディップコート法、スプレーコート法、インクジェット法等の公知の塗布手段を用いて行うことができる。また、グリッド材料層１４上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜を後述のエッチングレジスト層２０２を介してエッチングすることによりハードマスクを形成し、このハードマスクを介してグリッド材料層１４をエッチングするようにしてもよい。   In the negative photosensitive resist, an etching resist layer 202 described later exhibits etching resistance in the etching of the grid material layer 14, and the material of the grid material layer 14 is changed from a conventional negative photosensitive etching resist material. It can be selected as appropriate according to the conditions. The resist layer 201 can be formed by using known coating means such as a spin coat method, a dispense coat method, a dip coat method, a spray coat method, and an ink jet method. Further, a metal thin film is formed on the grid material layer 14, a hard mask is formed by etching the metal thin film through an etching resist layer 202 described later, and the grid material layer 14 is etched through the hard mask. You may do it.

次に、露光後のレジスト層２０１を現像することにより未露光部位を除去する。これにより、グリッド材料層１４上にエッチングレジスト層２０２が形成された状態となる（図１７（Ｂ））。このように形成されたエッチングレジスト層２０２には、フォトマスク４１Ｒの遮光部４３間を透過した光で露光され形成されたレジストパターン２０３が存在するとともに、フォトマスク４１Ｒに存在する白欠陥４４Ｗに起因したレジストパターン２０３の繋がり部位２０４と、フォトマスク４１Ｒの修正箇所（遮光部４３を除去した領域４５）に起因したレジストパターンの繋がり部位２０５が存在している。   Next, the unexposed portion is removed by developing the exposed resist layer 201. As a result, the etching resist layer 202 is formed on the grid material layer 14 (FIG. 17B). In the etching resist layer 202 formed in this way, there is a resist pattern 203 formed by exposure with light transmitted between the light shielding portions 43 of the photomask 41R, and also due to white defects 44W existing in the photomask 41R. The resist pattern 203 connection portion 204 and the resist pattern connection portion 205 due to the corrected portion of the photomask 41R (the region 45 from which the light shielding portion 43 is removed) exist.

次いで、エッチングレジスト層２０２をエッチングマスクとしてグリッド材料層１４をエッチングすることにより開口部１６を形成する。これにより、開口部１６とワイヤー部１７を有するワイヤーグリッド１５が形成され、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒが得られる（図１７（Ｃ））。図１８は、このように製造されたワイヤーグリッド偏光子１１Ｒの平面図であり、上述の図１に相当するものである。したがって、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒは、透明基板１２の一方の面１２ａにグリッド領域１３が設定されており、グリッド領域１３にはグリッド材料層１４が位置している。このグリッド材料層１４にはライン形状の開口部１６が所望のピッチで複数配列されて形成されており、開口部１６間に位置するグリッド材料層１４であるワイヤー部１７と開口部１６によりワイヤーグリッド１５が構成されている。尚、図１８では、グリッド領域１３に斜鎖線を付しており、このグリッド領域１３の一部を拡大して平面図で示しており、図１７（Ｃ）は、この拡大平面図のVII−VII線における縦断面図である。   Next, the opening 16 is formed by etching the grid material layer 14 using the etching resist layer 202 as an etching mask. Thereby, the wire grid 15 which has the opening part 16 and the wire part 17 is formed, and wire grid polarizer 11R is obtained (FIG.17 (C)). FIG. 18 is a plan view of the wire grid polarizer 11R manufactured in this manner, and corresponds to FIG. 1 described above. Therefore, in the wire grid polarizer 11 </ b> R, the grid region 13 is set on one surface 12 a of the transparent substrate 12, and the grid material layer 14 is located in the grid region 13. A plurality of line-shaped openings 16 are arranged in the grid material layer 14 at a desired pitch, and a wire grid is formed by the wire parts 17 and the openings 16 that are the grid material layers 14 positioned between the openings 16. 15 is configured. In FIG. 18, the grid area 13 is hatched, and a part of the grid area 13 is enlarged and shown in a plan view. FIG. 17C is an enlarged plan view of FIG. It is a longitudinal cross-sectional view in the VII line.

図１７（Ｃ）および図１８に示されるように、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒには、フォトマスク４１Ｒに存在する白欠陥４４Ｗに起因したワイヤー部１７の繋がり部位である黒欠陥１８Ｂと、フォトマスク４１Ｒの修正箇所に起因した黒欠陥１８Ｂ′が存在している。このように、フォトマスク４１Ｒの修正箇所（遮光部４３を除去した領域４５）は、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒでは、黒欠陥となり、白欠陥の発生原因とはならず、白欠陥のないワイヤーグリッド偏光子の製造が可能となる。
このような本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法は、個々のワイヤーグリッド偏光子における欠陥修正を行うことなく、白欠陥のないワイヤーグリッド偏光子を高いスループットで製造することが可能である。 As shown in FIG. 17C and FIG. 18, the wire grid polarizer 11R includes a black defect 18B that is a connecting portion of the wire portion 17 caused by the white defect 44W existing in the photomask 41R, and a photomask 41R. There is a black defect 18B 'caused by the corrected portion. As described above, the corrected portion of the photomask 41R (the region 45 from which the light-shielding portion 43 is removed) becomes a black defect in the wire grid polarizer 11R, and does not cause a white defect. The child can be manufactured.
Such a method for manufacturing a wire grid polarizer of the present invention can manufacture a wire grid polarizer free of white defects at a high throughput without correcting defects in individual wire grid polarizers.

＜製造用部材がポジ型感光性レジストを使用するフォトマスクの場合＞
図１９〜図２１は、ワイヤーグリッド偏光子の製造用部材がポジ型感光性レジストを使用するフォトマスクであり、このフォトマスクに存在する欠陥を説明するための図である。
図１９は、ワイヤーグリッド偏光子の製造用のフォトマスクが備える遮光部の例を示す部分平面図であり、図２０は、図１９に示されるフォトマスクのVIII−VIII線における縦断面図である。フォトマスク６１は、基材６２と、この基材６２の一方の面の所望の領域に形成された遮光部６３を有している。図１９では、遮光部６３に斜線を付して示している。フォトマスク６１を構成する基材６２の材質は、特に制限はなく、ポジ型感光性レジストを露光するための照射光が透過可能な材料を用いることができる。
この例では、フォトマスク６１は、遮光部６３の一部が欠損している白欠陥６４Ｗと、遮光部形成時に異物付着等の理由により、隣接する遮光部６３が繋がっている黒欠陥６４Ｂが存在する状態を示している。 <When the production member is a photomask using a positive photosensitive resist>
19 to 21 are photomasks using a positive photosensitive resist as a member for manufacturing a wire grid polarizer, and are diagrams for explaining defects existing in the photomask.
FIG. 19 is a partial plan view showing an example of a light shielding portion provided in a photomask for manufacturing a wire grid polarizer, and FIG. 20 is a longitudinal sectional view taken along line VIII-VIII of the photomask shown in FIG. . The photomask 61 has a base material 62 and a light shielding part 63 formed in a desired region on one surface of the base material 62. In FIG. 19, the light shielding portion 63 is indicated by hatching. The material of the base material 62 constituting the photomask 61 is not particularly limited, and a material that can transmit irradiation light for exposing the positive photosensitive resist can be used.
In this example, the photomask 61 has a white defect 64W in which a part of the light shielding part 63 is missing and a black defect 64B in which the adjacent light shielding parts 63 are connected due to foreign matter adhesion or the like when the light shielding part is formed. It shows the state to do.

図２１は、このような欠陥を有するフォトマスク６１を、フォトリソグラフィ方法において使用することにより、ワイヤーグリッド偏光子１１を製造する例を示す工程図であり、この図２１には、図２０に示すフォトマスク６１の断面が示されている。まず、透明基板１２の面１２ａ上にグリッド材料層１４を形成し、次に、このグリッド材料層１４上にポジ型感光性レジストを塗布することによりレジスト層３０１を形成する。次いで、フォトマスク６１を介してレジスト層３０１を露光する（図２１（Ａ））。
次に、露光後のレジスト層３０１を現像することにより露光部位を除去する。これにより、グリッド材料層１４上にエッチングレジスト層３０２が形成された状態となる（図２１（Ｂ））。このように形成されたエッチングレジスト層３０２には、フォトマスク６１の遮光部６３に対応する未露光部位に形成されたレジストパターン３０３が存在するとともに、フォトマスク６１に存在する白欠陥６４Ｗに起因したレジストパターンの欠損部位３０３′と、黒欠陥６４Ｂに起因したレジストパターンの繋がり部位３０４が存在している。 FIG. 21 is a process diagram showing an example of manufacturing the wire grid polarizer 11 by using the photomask 61 having such a defect in a photolithography method, and FIG. A cross section of the photomask 61 is shown. First, the grid material layer 14 is formed on the surface 12 a of the transparent substrate 12, and then a positive photosensitive resist is applied on the grid material layer 14 to form a resist layer 301. Next, the resist layer 301 is exposed through the photomask 61 (FIG. 21A).
Next, the exposed portion is removed by developing the resist layer 301 after exposure. As a result, the etching resist layer 302 is formed on the grid material layer 14 (FIG. 21B). In the etching resist layer 302 formed in this way, there is a resist pattern 303 formed at an unexposed portion corresponding to the light shielding portion 63 of the photomask 61, and also due to white defects 64W existing in the photomask 61. A resist pattern defect portion 303 ′ and a resist pattern connection portion 304 caused by the black defect 64 </ b> B exist.

次いで、エッチングレジスト層３０２をエッチングマスクとしてグリッド材料層１４をエッチングすることにより開口部１６を形成する。これにより、開口部１６とワイヤー部１７を有するワイヤーグリッド１５が形成され、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄが得られる（図２１（Ｃ））。このワイヤーグリッド偏光子１１Ｄには、フォトマスク６１に存在する白欠陥６４Ｗに起因したワイヤー部１７の欠損部位である白欠陥１８Ｗと、黒欠陥６４Ｂに起因したワイヤー部１７の繋がり部位である黒欠陥１８Ｂとが存在している。したがって、このようなワイヤーグリッド偏光子１１Ｄは、本発明の露光方法に使用することはできない。
上記のような欠陥を有するフォトマスク６１を例として、本発明の修正方法の一実施形態を説明する。 Next, the opening 16 is formed by etching the grid material layer 14 using the etching resist layer 302 as an etching mask. Thereby, the wire grid 15 which has the opening part 16 and the wire part 17 is formed, and wire grid polarizer 11D is obtained (FIG.21 (C)). The wire grid polarizer 11D includes a white defect 18W, which is a defective portion of the wire portion 17 caused by the white defect 64W existing in the photomask 61, and a black defect, which is a connected portion of the wire portion 17 caused by the black defect 64B. 18B exists. Therefore, such a wire grid polarizer 11D cannot be used in the exposure method of the present invention.
An embodiment of the correction method of the present invention will be described using the photomask 61 having the defects as described above as an example.

本発明では、外観検査工程において、フォトマスク６１の欠陥の種類を判別し、欠陥箇所を特定する。フォトマスク６１の欠陥の種類には、上記のように、遮光部６３の一部が欠損している白欠陥６４Ｗと、隣接する遮光部６３が繋がっている黒欠陥６４Ｂとが存在するので、フォトマスク６１に欠陥が存在する場合、白欠陥であるか黒欠陥であるかを判別する。また、フォトマスク６１に存在する欠陥箇所の特定では、例えば、欠陥の位置座標を特定することができる。また、欠陥が存在する領域を特定してもよい。このような外観検査は、例えば、ＸＹステージ上にフォトマスク６１を載置し走査型電子顕微鏡を用いて行うことができる。また、上述と同様に、ＸＹステージ上にフォトマスク６１を載置し、透過率測定器により計測スポット内の透過率変化を測定することにより外観検査を行ってもよい。   In the present invention, in the appearance inspection process, the type of defect in the photomask 61 is determined and the defect location is specified. As described above, the defect type of the photomask 61 includes the white defect 64W in which a part of the light shielding part 63 is lost and the black defect 64B in which the adjacent light shielding part 63 is connected. If there is a defect in the mask 61, it is determined whether it is a white defect or a black defect. Further, in the specification of the defect location existing in the photomask 61, for example, the position coordinates of the defect can be specified. Moreover, you may specify the area | region where a defect exists. Such an appearance inspection can be performed using, for example, a scanning electron microscope with the photomask 61 placed on an XY stage. Similarly to the above, the appearance inspection may be performed by placing the photomask 61 on the XY stage and measuring the transmittance change in the measurement spot with a transmittance measuring device.

次に、欠陥修正工程において、修正が必要な欠陥箇所を決定する。上記のような外観検査工程において検出された白欠陥６４Ｗ、黒欠陥６４Ｂの中で、白欠陥６４Ｗは、図２１に示すように、フォトマスク６１を使用することにより製造されるワイヤーグリッド偏光子１１Ｄに白欠陥１８Ｗを生じさせる原因となる欠陥である。そして、上述のように、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄに白欠陥１８Ｗが存在することにより、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄを介した紫外線照射において、無偏光光が照射されることとなり、形成された配向膜に、正常な配向がなされていない欠陥箇所が生じることとなる。このため、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｄにおける白欠陥１８Ｗの原因となるフォトマスク６１の白欠陥６４Ｗは、修正が必要な欠陥箇所となる。   Next, in the defect correction step, a defect location that needs to be corrected is determined. Of the white defects 64W and black defects 64B detected in the appearance inspection process as described above, the white defects 64W are manufactured by using a photomask 61 as shown in FIG. This is a defect that causes the white defect 18W. And as above-mentioned, by the white defect 18W existing in wire grid polarizer 11D, in the ultraviolet irradiation through wire grid polarizer 11D, unpolarized light will be irradiated, and the formed alignment film Thus, a defective portion that is not normally oriented is generated. For this reason, the white defect 64W of the photomask 61 that causes the white defect 18W in the wire grid polarizer 11D is a defect location that needs to be corrected.

尚、白欠陥であっても、欠損箇所の寸法が極微小であり、フォトマスク６１を使用することにより製造するワイヤーグリッド偏光子１１に白欠陥１８Ｗを生じさせる原因とはならない場合には、修正が必要な欠陥箇所から除外することができる。但し、このような極微小な白欠陥を修正が必要な欠陥箇所に含めることに何ら制限はない。
また、フォトマスク６１に黒欠陥６４Ｂが存在する場合、この黒欠陥６４Ｂは、そのまま残存させても、ワイヤーグリッド偏光子の製造において白欠陥を生じる原因とはならないが、例えば、集束イオンビーム、電子線で黒欠陥６４Ｂを除去したり、原子間力顕微鏡のプローブを用いて物理的に黒欠陥６４Ｂを削ることを排除するものではない。 In addition, even if it is a white defect, the dimension of a defect | deletion location is very small, and when it does not cause the white defect 18W to produce in the wire grid polarizer 11 manufactured by using the photomask 61, correction is carried out. Can be excluded from the necessary defective parts. However, there is no limit to including such a very small white defect in a defect portion that needs to be corrected.
Further, when the black defect 64B exists in the photomask 61, even if the black defect 64B is left as it is, it does not cause a white defect in the manufacture of the wire grid polarizer, but for example, a focused ion beam, an electron It does not exclude that the black defect 64B is removed by a line or that the black defect 64B is physically cut using a probe of an atomic force microscope.

次に、修正が必要な欠陥箇所を含む所望の領域のパターンを消滅させる。図２２は、本発明による欠陥箇所の修正が行われたフォトマスクの部分平面図であり、図２３は、図２２に示されるフォトマスクのIX−IX線における縦断面図である。図２２および図２３に示される欠陥修正後のフォトマスク６１Ｒは、遮光部６３の修正が必要な欠陥箇所６４Ｗを含む所望の領域６５（二点鎖線で囲まれる領域）を遮光材料６６で被覆することによりパターンを消滅させたものである。   Next, the pattern of a desired area including a defective portion that needs to be corrected is eliminated. FIG. 22 is a partial plan view of a photomask in which a defect portion is corrected according to the present invention, and FIG. 23 is a longitudinal sectional view taken along line IX-IX of the photomask shown in FIG. The photomask 61R after defect correction shown in FIG. 22 and FIG. 23 covers a desired region 65 (region surrounded by a two-dot chain line) including a defect portion 64W that requires correction of the light shielding portion 63 with the light shielding material 66. As a result, the pattern disappears.

上記の欠陥箇所６４Ｗを含む所望の領域６５は、白欠陥である遮光部６３の欠損部位を含むように適宜設定することができ、このようなパターンを消滅させる領域６５の幅は、数百ｎｍ〜数μｍであってよい。例えば、欠陥箇所の座標を特定している場合には、特定された欠陥箇所の座標を基に、領域６５の座標を決定することができる。例えば、修正最小寸法が１μｍオーダーの修正装置を用いて遮光部４３を除去することにより、パターンを消滅させることができる。使用する修正装置としては、例えば、レーザアシストＣＶＤ、集束イオンビームアシストＣＶＤ、電子線アシストＣＶＤ等のような遮光材料の堆積が化工な装置を使用することができる。尚、図示例のフォトマスク６１Ｒは、黒欠陥６４Ｂがそのまま残存する例となっている。   The desired region 65 including the defect portion 64W can be appropriately set so as to include a defect portion of the light-shielding portion 63 that is a white defect, and the width of the region 65 that eliminates such a pattern is several hundred nm. It may be up to several μm. For example, when the coordinates of the defective part are specified, the coordinates of the region 65 can be determined based on the coordinates of the specified defective part. For example, the pattern can be extinguished by removing the light shielding portion 43 using a correction device having a minimum correction dimension of the order of 1 μm. As a correction device to be used, for example, a device in which deposition of a light shielding material such as laser assisted CVD, focused ion beam assisted CVD, electron beam assisted CVD, or the like is processed can be used. In the illustrated photomask 61R, the black defect 64B remains as it is.

このような本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法は、ワイヤーグリッド偏光子の製造に使用する部材の欠陥箇所、特に製造したワイヤーグリッド偏光子に白欠陥を生じるような欠陥箇所を、高額な修正装置を用いることなく、欠陥検査で得られた情報と関連付けて個々に簡便に修正することができる。   Such a method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention includes a defect part of a member used for manufacturing a wire grid polarizer, particularly a defect part that causes a white defect in the manufactured wire grid polarizer. Without using an expensive correction device, it is possible to easily and individually correct the information in association with information obtained by defect inspection.

図２４は、本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。このワイヤーグリッド偏光子の製造例は、フォトリソグラフィ方法で、本発明により欠陥箇所の修正が行われたフォトマスク６１Ｒを使用することによりワイヤーグリッド偏光子１１を製造する例であり、この図２４には、図２３に示すフォトマスク６１Ｒの断面が示されている。まず、一方の面１２ａ上にグリッド材料層１４を形成した透明基板１２のグリッド材料層１４上に、ポジ型感光性レジストを塗布することによりレジスト層３０１を形成する。次いで、フォトマスク６１Ｒを介してレジスト層３０１を露光する（図２４（Ａ））。   FIG. 24 is a process diagram showing another embodiment of the method for producing a wire grid polarizer of the present invention. This manufacturing example of the wire grid polarizer is an example of manufacturing the wire grid polarizer 11 by using the photomask 61R in which the defect portion is corrected according to the present invention by a photolithography method. Shows a cross section of the photomask 61R shown in FIG. First, a resist layer 301 is formed by applying a positive photosensitive resist on the grid material layer 14 of the transparent substrate 12 on which the grid material layer 14 is formed on one surface 12a. Next, the resist layer 301 is exposed through the photomask 61R (FIG. 24A).

ポジ型感光性レジストは、後述のエッチングレジスト層３０２が、グリッド材料層１４のエッチングにおいてエッチング耐性を発現するものであり、従来のポジ型感光性のエッチングレジスト材料から、グリッド材料層１４の材質等に応じて適宜選択することができる。レジスト層３０１の形成は、スピンコート法、ディスペンスコート法、ディップコート法、スプレーコート法、インクジェット法等の公知の塗布手段を用いて行うことができる。また、グリッド材料層１４上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜を後述のエッチングレジスト層３０２を介してエッチングすることによりハードマスクを形成し、このハードマスクを介してグリッド材料層１４をエッチングするようにしてもよい。   In the positive type photosensitive resist, an etching resist layer 302 described later exhibits etching resistance in etching of the grid material layer 14, and the material of the grid material layer 14 is changed from a conventional positive type photosensitive etching resist material. It can be selected as appropriate according to the conditions. The resist layer 301 can be formed using a known coating means such as a spin coat method, a dispense coat method, a dip coat method, a spray coat method, or an ink jet method. Further, a metal thin film is formed on the grid material layer 14, a hard mask is formed by etching the metal thin film through an etching resist layer 302 described later, and the grid material layer 14 is etched through the hard mask. You may do it.

次に、露光後のレジスト層３０１を現像することにより露光部位を除去する。これにより、グリッド材料層１４上にエッチングレジスト層３０２が形成された状態となる（図２４（Ｂ））。このように形成されたエッチングレジスト層３０２には、フォトマスク６１Ｒの遮光部６３に対応する未露光部位に形成されたレジストパターン３０３が存在するとともに、フォトマスク６１Ｒに存在する黒欠陥６４Ｂに起因したレジストパターンの繋がり部位３０４と、フォトマスク６１Ｒの修正箇所（遮光部材６６で被覆した領域６５）に起因したレジストパターンの繋がり部位３０５が存在している。   Next, the exposed portion is removed by developing the resist layer 301 after exposure. As a result, an etching resist layer 302 is formed on the grid material layer 14 (FIG. 24B). In the etching resist layer 302 formed in this way, a resist pattern 303 formed at an unexposed portion corresponding to the light-shielding portion 63 of the photomask 61R is present, and due to the black defect 64B existing in the photomask 61R. There is a resist pattern connection portion 304 and a resist pattern connection portion 305 caused by a correction portion of the photomask 61R (region 65 covered by the light shielding member 66).

次いで、エッチングレジスト層３０２をエッチングマスクとしてグリッド材料層１４をエッチングすることにより開口部１６を形成する。これにより、開口部１６とワイヤー部１７を有するワイヤーグリッド１５が形成され、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒが得られる（図２４（Ｃ））。図２５は、このように製造されたワイヤーグリッド偏光子１１Ｒの平面図であり、上述の図１に相当するものである。したがって、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒは、透明基板１２の一方の面１２ａにグリッド領域１３が設定されており、このグリッド領域１３にはグリッド材料層１４が位置しており、このグリッド材料層１４にはライン形状の開口部１６が所望のピッチで複数配列されて形成されており、開口部１６間に位置するグリッド材料層１４であるワイヤー部１７と開口部１６によりワイヤーグリッド１５が構成されている。尚、図２５では、グリッド領域１３に斜鎖線を付しており、このグリッド領域１３の一部を拡大して平面図で示しており、図２４（Ｃ）は、この拡大平面図のＸ−Ｘ線における縦断面図である。   Next, the opening 16 is formed by etching the grid material layer 14 using the etching resist layer 302 as an etching mask. Thereby, the wire grid 15 which has the opening part 16 and the wire part 17 is formed, and wire grid polarizer 11R is obtained (FIG.24 (C)). FIG. 25 is a plan view of the wire grid polarizer 11R manufactured as described above, and corresponds to FIG. 1 described above. Therefore, in the wire grid polarizer 11R, the grid region 13 is set on one surface 12a of the transparent substrate 12, and the grid material layer 14 is located in the grid region 13, and the grid material layer 14 has A plurality of line-shaped openings 16 are formed and arranged at a desired pitch, and a wire grid 15 is configured by the wire parts 17 and the openings 16 that are the grid material layers 14 positioned between the openings 16. In FIG. 25, the grid area 13 is hatched, and a part of the grid area 13 is enlarged and shown in a plan view. FIG. 24C is an X- It is a longitudinal cross-sectional view in a X-ray.

図２４（Ｃ）および図２５に示されるように、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒには、フォトマスク６１Ｒに存在する黒欠陥６４Ｂに起因したワイヤー部１７の繋がり部位である黒欠陥１８Ｂと、フォトマスク６１Ｒの修正箇所に起因した黒欠陥１８Ｂ′が存在している。このように、フォトマスク６１Ｒの修正箇所（遮光部材６６で被覆した領域６５）は、ワイヤーグリッド偏光子１１Ｒでは、黒欠陥となり、白欠陥の発生原因とはならず、白欠陥のないワイヤーグリッド偏光子の製造が可能となる。
このような本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法は、個々のワイヤーグリッド偏光子における欠陥修正を行うことなく、白欠陥のないワイヤーグリッド偏光子を高いスループットで製造することが可能である。
上述のワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法、ワイヤーグリッド偏光子の製造方法、ワイヤーグリッド偏光子を使用した露光方法の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。 As shown in FIG. 24C and FIG. 25, the wire grid polarizer 11R includes a black defect 18B that is a connecting portion of the wire portion 17 due to the black defect 64B existing in the photomask 61R, and a photomask 61R. There is a black defect 18B 'caused by the corrected portion. As described above, the corrected portion of the photomask 61R (the region 65 covered with the light shielding member 66) becomes a black defect in the wire grid polarizer 11R, and does not cause a white defect and does not cause a white defect. The child can be manufactured.
Such a method for manufacturing a wire grid polarizer of the present invention can manufacture a wire grid polarizer free of white defects at a high throughput without correcting defects in individual wire grid polarizers.
Embodiments of the above-described method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer, a method for manufacturing a wire grid polarizer, and an exposure method using a wire grid polarizer are examples, and the present invention is not limited thereto. .

種々の用途のワイヤーグリッド偏光子の製造、ワイヤーグリッド偏光子を使用した加工に適用可能である。   The present invention can be applied to manufacture of wire grid polarizers for various uses and processing using wire grid polarizers.

１１，１１Ｄ，１１Ｒ…ワイヤーグリッド偏光子
１２…透明基板
１３…グリッド領域
１４…グリッド材料層
１５…ワイヤーグリッド
１６…開口部
１７…ワイヤー部
１８Ｗ…白欠陥
１８Ｂ，１８Ｂ′…黒欠陥
２１，２１Ｒ…インプリント用モールド
２２…基材
２３…凹凸構造
２３ａ′…修正箇所である凹部
２４Ｗ…白欠陥
２４Ｂ…黒欠陥
４１，４１Ｒ…フォトマスク
４３…遮光部
４４Ｗ…白欠陥
４４Ｂ…黒欠陥
６１，６１Ｒ…フォトマスク
６３…遮光部
６４Ｗ…白欠陥
６４Ｂ…黒欠陥
６６…遮光部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11, 11D, 11R ... Wire grid polarizer 12 ... Transparent substrate 13 ... Grid area | region 14 ... Grid material layer 15 ... Wire grid 16 ... Opening part 17 ... Wire part 18W ... White defect 18B, 18B '... Black defect 21,21R ... Imprint mold 22 ... Substrate 23 ... Uneven structure 23a '... Recessed recess 24W ... White defect 24B ... Black defect 41, 41R ... Photomask 43 ... Light shielding part 44W ... White defect 44B ... Black defect 61, 61R ... Photomask 63 ... Light shielding portion 64W ... White defect 64B ... Black defect 66 ... Light shielding member

Claims (8)

ワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の欠陥種類を判別し、欠陥箇所を特定する外観検査工程と、
前記製造用部材の修正が必要な欠陥箇所を含む所望の領域のパターンを消滅させる欠陥修正工程と、を有することを特徴とするワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法。 Appearance inspection process to determine the defect type of the wire grid polarizer manufacturing member and identify the defect location,
And a defect correcting step of eliminating a pattern of a desired region including a defective portion that requires correction of the manufacturing member. A method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer, comprising: 前記製造用部材は、インプリント用モールドであり、前記欠陥修正工程では、前記インプリント用モールドが備える凹凸構造の修正が必要な欠陥箇所を含む所望の領域を、前記凹凸構造を構成する凹部と同等以上の深さを有する凹部とすることによりパターンを消滅させることを特徴とする請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法。   The manufacturing member is an imprint mold, and in the defect correction step, a desired region including a defect portion that requires correction of the concavo-convex structure included in the imprint mold is formed as a concave portion constituting the concavo-convex structure. The method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer according to claim 1, wherein the pattern is eliminated by forming a recess having a depth equal to or greater than that. 前記製造用部材は、ネガ型感光性レジストを使用してレジストパターンを形成するためのフォトマスクであり、前記欠陥修正工程では、前記フォトマスクの修正が必要な欠陥箇所を含む所望の領域において、遮光部を除去することによりパターンを消滅させることを特徴とする請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法。   The manufacturing member is a photomask for forming a resist pattern using a negative photosensitive resist, and in the defect correction step, in a desired region including a defect portion that requires correction of the photomask, The method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer according to claim 1, wherein the pattern is eliminated by removing the light shielding portion. 前記製造用部材は、ポジ型感光性レジストを使用してレジストパターンを形成するためのフォトマスクであり、前記欠陥修正工程では、前記フォトマスクの修正が必要な欠陥箇所を含む所望の領域を遮光材料で被覆することによりパターンを消滅させることを特徴とする請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法。   The manufacturing member is a photomask for forming a resist pattern using a positive photosensitive resist. In the defect correction step, a desired region including a defective portion that needs to be corrected is shielded from light. The method for correcting a member for manufacturing a wire grid polarizer according to claim 1, wherein the pattern is extinguished by coating with a material. ワイヤーグリッド偏光子の製造用部材を用いて、一の面にグリッド材料層を備える透明基板の該グリッド材料層上にレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをエッチングマスクとして前記グリッド材料層をエッチングすることにより開口部を形成しワイヤーグリッドを作製する工程と、を有し、
前記製造用部材は、ワイヤーグリッドを構成するワイヤー部が欠損した欠陥をワイヤーグリッド偏光子に生じさせるような欠陥箇所が存在しないものであることを特徴とするワイヤーグリッド偏光子の製造方法。 A step of forming a resist pattern on the grid material layer of a transparent substrate having a grid material layer on one surface using a member for manufacturing a wire grid polarizer, and the grid material layer as an etching mask Forming a wire grid by etching to form a wire grid, and
The method for manufacturing a wire grid polarizer, wherein the manufacturing member does not have a defect portion that causes the wire grid polarizer to have a defect in which a wire portion constituting the wire grid is lost. 前記製造用部材は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の修正方法により欠陥箇所の修正を施したものであることを特徴とする請求項５に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。   The method for manufacturing a wire grid polarizer according to claim 5, wherein the manufacturing member has a defect portion corrected by the correction method according to claim 1. . 光源からの照射光をワイヤーグリッド偏光子を介して被露光体に照射する露光方法において、
前記ワイヤーグリッド偏光子として、ワイヤーグリッドを構成するワイヤー部が欠損した欠陥が存在しないものを使用し、前記ワイヤーグリッド偏光子の前記ワイヤー部の長手方向に沿って前記被露光体と前記ワイヤーグリッド偏光子を相対的に移動させることを特徴とする露光方法。 In an exposure method of irradiating an object to be exposed with light irradiated from a light source via a wire grid polarizer,
As the wire grid polarizer, one having no defect in which the wire portion constituting the wire grid is missing, and the object to be exposed and the wire grid polarization along the longitudinal direction of the wire portion of the wire grid polarizer are used. An exposure method characterized by relatively moving a child. 前記ワイヤーグリッド偏光子として、請求項５または請求項６に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法により製造したワイヤーグリッド偏光子を使用することを特徴とする請求項７に記載の露光方法。   The exposure method according to claim 7, wherein a wire grid polarizer manufactured by the method of manufacturing a wire grid polarizer according to claim 5 or 6 is used as the wire grid polarizer.
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