JP2016071018A - Manufacturing method of liquid crystal device - Google Patents

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朋子 赤川
Tomoko Akagawa
朋子 赤川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a liquid crystal device 100 that can reduce deterioration of a liquid crystal material to extend the life of the liquid crystal device.SOLUTION: A manufacturing method of a liquid crystal device includes the steps of: arranging, on one side of a filter 50 having a first liquid crystal material 54a, a liquid crystal panel 100a having a pair of substrates bonded with a photocurable sealing material 14 while sandwiching a second liquid crystal material 15a therebetween; and irradiating the sealing material 14 in the liquid crystal panel 100a with light including an ultraviolet ray L1 from the other side of the filter 50 to cure the sealing material 14 through the filter 50.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、液晶装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal device.

上記液晶装置は、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型の表示装置や、投写型表示装置(プロジェクター)のライトバルブなどにおいて用いられている。   As the liquid crystal device, for example, an active drive type liquid crystal device including a transistor for each pixel as an element for switching control of a pixel electrode is known. Liquid crystal devices are used in, for example, direct-view display devices and light valves of projection display devices (projectors).

液晶装置の製造方法は、例えば、まず素子基板における液晶層が配置される周囲にシール材を塗布する。その後、シール材で囲まれた中に液晶を供給し、素子基板と対向基板とを貼り合わせる。そして、シール材に紫外線を照射してシール材を硬化させる。   In the manufacturing method of the liquid crystal device, for example, first, a sealing material is applied around the liquid crystal layer on the element substrate. After that, the liquid crystal is supplied into the area surrounded by the sealing material, and the element substrate and the counter substrate are bonded to each other. Then, the sealing material is cured by irradiating the sealing material with ultraviolet rays.

このとき、液晶装置に紫外線を照射した際、シール材に近い液晶材料に、特に液晶材料にダメージを与えやすい波長(例えば、360nm以下)の光が照射されると、液晶材料が劣化して表示品質が低下するという問題がある。   At this time, when the liquid crystal device is irradiated with ultraviolet rays, if the liquid crystal material close to the sealing material is irradiated with light having a wavelength (for example, 360 nm or less) that easily damages the liquid crystal material, the liquid crystal material is deteriorated and displayed. There is a problem that the quality deteriorates.

そこで、例えば、ネオセラムなどの材料をフィルターとして用いて、短波長側の波長の透過を抑える方法がある。また、例えば、特許文献1には、紫外線透過率の低いフィルターを介して光を照射する方法が開示されている。   Therefore, for example, there is a method of suppressing transmission of a short wavelength side wavelength by using a material such as neoceram as a filter. For example, Patent Document 1 discloses a method of irradiating light through a filter having a low ultraviolet transmittance.

特開2002−98975号公報JP 2002-98975 A

しかしながら、シール材を硬化させるためのシール硬化開始剤も液晶材料にダメージを与えやすい波長領域(360nm付近)で反応するものがあり、液晶材料にダメージを与えにくく、かつシール材を硬化させるには、使用する波長の波長帯域が狭いという課題がある。また、特許文献1のように紫外線透過率を低くすると、波長帯域によってはシール材が硬化しにくかったり、硬化するのに時間がかかったりするという課題がある。   However, some seal curing initiators for curing the sealing material react in a wavelength region (around 360 nm) that easily damages the liquid crystal material, and it is difficult to damage the liquid crystal material, and to cure the sealing material. There is a problem that the wavelength band of the wavelength to be used is narrow. Further, when the ultraviolet transmittance is lowered as in Patent Document 1, there is a problem that depending on the wavelength band, the sealing material is difficult to be cured or it takes time to be cured.

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   An aspect of the present invention has been made to solve at least a part of the above problems, and can be realized as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第1液晶材料を有するフィルターの一方の側に、第2液晶材料を挟持した状態で光硬化型のシール材によって貼り合わされた一対の基板を有する液晶パネルを配置する工程と、前記フィルターの他方の側から紫外線を含む光を照射して、前記フィルターを介して前記液晶パネルの前記シール材を硬化させる工程と、を有することを特徴とする。   Application Example 1 A method for manufacturing a liquid crystal device according to this application example includes a pair of light-curing sealing materials bonded to one side of a filter having a first liquid crystal material with the second liquid crystal material sandwiched therebetween. Arranging a liquid crystal panel having a substrate, and irradiating light containing ultraviolet rays from the other side of the filter to cure the sealing material of the liquid crystal panel through the filter. Features.

本適用例によれば、紫外線は液晶パネルに入射する前にフィルターを透過する。よって、フィルターに備えられた第1液晶材料によって、従来では除去することができなかった、少なくとも第2液晶材料の劣化に起因する特定波長の光を吸収させることができる。これにより、シール材を硬化する際に、紫外線を第2液晶材料に照射しても、第2液晶材料へのダメージを抑えながらシール材を硬化させることができる。その結果、表示品質を向上させることができると共に、液晶パネルの寿命を向上させることができる。   According to this application example, the ultraviolet rays pass through the filter before entering the liquid crystal panel. Therefore, the first liquid crystal material provided in the filter can absorb at least light having a specific wavelength caused by deterioration of the second liquid crystal material, which could not be removed conventionally. Accordingly, when the sealing material is cured, the sealing material can be cured while suppressing damage to the second liquid crystal material even if the second liquid crystal material is irradiated with ultraviolet rays. As a result, the display quality can be improved and the life of the liquid crystal panel can be improved.

[適用例2]上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第1液晶材料と前記第2液晶材料とは同じ液晶材料であることが好ましい。   Application Example 2 In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the application example, it is preferable that the first liquid crystal material and the second liquid crystal material are the same liquid crystal material.

本適用例によれば、同じ液晶材料を用いるので、第2液晶材料にダメージを与える波長を特定しなくても、第2液晶材料にダメージを与える波長を第1液晶材料で吸収することが可能となり、第2液晶材料にダメージが与えられることを抑えることができる。   According to this application example, since the same liquid crystal material is used, the wavelength that damages the second liquid crystal material can be absorbed by the first liquid crystal material without specifying the wavelength that damages the second liquid crystal material. Thus, damage to the second liquid crystal material can be suppressed.

[適用例3]上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記フィルターのセル厚は、前記液晶パネルのセル厚と比較して厚いことが好ましい。   Application Example 3 In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the application example, it is preferable that the cell thickness of the filter is thicker than the cell thickness of the liquid crystal panel.

本適用例によれば、フィルターのセル厚の方が厚いので、フィルターに備えられた第1液晶材料によって、第2液晶材料にダメージを与える波長を、より確実に吸収することができる。   According to this application example, since the cell thickness of the filter is thicker, the wavelength that damages the second liquid crystal material can be more reliably absorbed by the first liquid crystal material provided in the filter.

[適用例4]上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記シール材を硬化させる工程は、前記第1液晶材料を等方相の状態にして前記紫外線を照射することが好ましい。   Application Example 4 In the method of manufacturing a liquid crystal device according to the application example, it is preferable that the step of curing the sealing material is performed by irradiating the ultraviolet light with the first liquid crystal material in an isotropic phase.

本適用例によれば、第1液晶材料を、例えば、加熱して等方相の状態で紫外線を通過させるので、入射光が散乱することを抑えることができ、光学特性に大きな影響を及ぼすことを抑えることができる。   According to this application example, the first liquid crystal material is heated to pass ultraviolet rays in an isotropic phase state, for example, so that the scattering of incident light can be suppressed and the optical characteristics are greatly affected. Can be suppressed.

[適用例5]上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記フィルターと前記液晶パネルとの間に、少なくとも平面視で前記シール材と重なる領域が開口するマスクを配置する工程を有することが好ましい。   Application Example 5 In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the application example described above, the method may include a step of disposing a mask that opens at least in a region overlapping with the sealing material in a plan view between the filter and the liquid crystal panel. preferable.

本適用例によれば、液晶パネルのシール材に紫外線を照射させることができる。言い換えれば、紫外線を照射させたくない領域は、マスクによって紫外線が照射されることを抑えることができる。   According to this application example, the sealing material of the liquid crystal panel can be irradiated with ultraviolet rays. In other words, a region where it is not desired to be irradiated with ultraviolet rays can be prevented from being irradiated with ultraviolet rays by the mask.

[適用例6]上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記フィルターは、少なくとも平面視で前記シール材と重なる領域以外の領域に遮光膜が形成されていることが好ましい。   Application Example 6 In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the application example described above, it is preferable that the filter has a light shielding film formed in a region other than at least a region overlapping the sealing material in plan view.

本適用例によれば、フィルターに遮光膜が形成されているので、遮光膜が形成されたマスクを別に配置する場合と比較して、部品点数を少なくすることができる。   According to this application example, since the light shielding film is formed on the filter, the number of components can be reduced as compared with the case where the mask on which the light shielding film is formed is separately arranged.

液晶装置の構成を示す模式平面図。FIG. 2 is a schematic plan view illustrating a configuration of a liquid crystal device. 図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line H-H ′ of the liquid crystal device illustrated in FIG. 1. フィルターの構成を示す模式図であり、(a)はフィルターの構成を示す概略平面図、(b)はフィルターの構成を示す概略断面図、(c)はフィルターに設けられたヒーターの構成を示す概略平面図。It is a schematic diagram which shows the structure of a filter, (a) is a schematic plan view which shows the structure of a filter, (b) is a schematic sectional drawing which shows the structure of a filter, (c) shows the structure of the heater provided in the filter. FIG. 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。5 is a flowchart showing a method for manufacturing a liquid crystal device in the order of steps. 液晶装置の製造方法のうちシール材を硬化する方法を示す模式図。The schematic diagram which shows the method of hardening | curing a sealing material among the manufacturing methods of a liquid crystal device. 各フィルターの光の透過率とシール硬化開始剤の光の吸収量を表すグラフ。The graph showing the light transmittance of each filter, and the light absorption amount of a seal hardening initiator. 液晶装置を備えた投写型表示装置の構成を示す概略図。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration of a projection display device including a liquid crystal device. 第2実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a liquid crystal device according to a second embodiment.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。   In the following embodiments, for example, when “on the substrate” is described, the substrate is disposed so as to be in contact with the substrate, or is disposed on the substrate via another component, or the substrate. It is assumed that a part is arranged so as to be in contact with each other and a part is arranged via another component.

(第1実施形態)
本実施形態では、液晶装置の一例として薄膜トランジスター(TFT:Thin Film Transistor)を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投写型表示装置(液晶プロジェクター)の光変調手段(液晶ライトバルブ)として好適に用いることができるものである。
(First embodiment)
In this embodiment, an active matrix liquid crystal device including a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element will be described as an example of the liquid crystal device. This liquid crystal device can be suitably used, for example, as light modulation means (liquid crystal light valve) of a projection display device (liquid crystal projector) described later.

<液晶装置の構成>
図1は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構成を、図1及び図2を参照しながら説明する。
<Configuration of liquid crystal device>
FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid crystal device. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line HH ′ of the liquid crystal device shown in FIG. Hereinafter, the configuration of the liquid crystal device will be described with reference to FIGS.

図1及び図2に示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向配置された素子基板10及び対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された第2液晶層15とを有する。素子基板10の第1基材10aは、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板などの基板が用いられている。対向基板20の第2基材20aは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal device 100 according to the present embodiment includes an element substrate 10 and a counter substrate 20 that are disposed to face each other, and a second liquid crystal layer 15 that is sandwiched between the pair of substrates. As the first base material 10a of the element substrate 10, for example, a substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, or a silicon substrate is used. As the second base material 20a of the counter substrate 20, for example, a transparent substrate such as a glass substrate or a quartz substrate is used.

素子基板10は対向基板20よりも大きく、両基板は、対向基板20の外縁に沿って配置されたシール材14を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する第2液晶材料15aが封入されて第2液晶層15が構成されている。   The element substrate 10 is larger than the counter substrate 20, and both the substrates are bonded via a sealing material 14 disposed along the outer edge of the counter substrate 20. A second liquid crystal layer 15 is configured by sealing a second liquid crystal material 15 a having positive or negative dielectric anisotropy in the gap.

シール材14は、例えば、紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材14には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー(図示せず)が混入されている。   For example, an adhesive such as an ultraviolet curable epoxy resin is employed as the sealing material 14. Spacers (not shown) are mixed in the sealing material 14 to keep the distance between the pair of substrates constant.

シール材14の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Pを含む表示領域Eが設けられている。また、シール材14と表示領域Eとの間に表示領域Eを取り囲んで見切り部18が設けられている。見切り部18は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。   A display area E including a plurality of pixels P arranged in a matrix is provided inside the sealing material 14. Further, a parting part 18 is provided between the sealing material 14 and the display area E so as to surround the display area E. The parting part 18 is made of, for example, a light shielding metal or metal oxide.

表示領域Eの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域(図示せず)が設けられている。また、図1及び図2では図示を省略したが、表示領域Eにおいて複数の画素Pをそれぞれ平面的に区分する遮光部(ブラックマトリックス:BM)が対向基板20に設けられている。   Around the display region E, a dummy pixel region (not shown) that does not contribute to display is provided. Although not shown in FIGS. 1 and 2, a light shielding portion (black matrix: BM) that divides a plurality of pixels P in a plane in the display area E is provided on the counter substrate 20.

素子基板10には、複数の外部接続端子35が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第1辺部とシール材14との間にデータ線駆動回路22が設けられている。また、第1辺部に対向する第2辺部に沿ったシール材14と表示領域Eとの間に検査回路25が設けられている。   The element substrate 10 is provided with a terminal portion in which a plurality of external connection terminals 35 are arranged. A data line driving circuit 22 is provided between the first side portion along the terminal portion and the sealing material 14. In addition, an inspection circuit 25 is provided between the sealing material 14 and the display area E along the second side facing the first side.

さらに、第1辺部と直交し互いに対向する第3辺部及び第4辺部に沿ったシール材14と表示領域Eとの間に走査線駆動回路24が設けられている。また、第2辺部のシール材14と検査回路25との間に、2つの走査線駆動回路24を繋ぐ複数の配線29が設けられている。   Further, a scanning line driving circuit 24 is provided between the seal material 14 and the display area E along the third side and the fourth side that are orthogonal to the first side and face each other. A plurality of wirings 29 that connect the two scanning line driving circuits 24 are provided between the sealing material 14 on the second side and the inspection circuit 25.

これらデータ線駆動回路22、走査線駆動回路24に繋がる配線は、第1辺部に沿って配列した複数の外部接続端子35に接続されている。以降、該1辺部に沿った方向をX方向とし、該1辺部と直交し互いに対向する第3辺部及び第4辺部に沿った方向をY方向として説明する。なお、検査回路25の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路22に沿ったシール材14と表示領域Eとの間に設けてもよい。   The wirings connected to the data line driving circuit 22 and the scanning line driving circuit 24 are connected to a plurality of external connection terminals 35 arranged along the first side. Hereinafter, the direction along the one side will be referred to as the X direction, and the direction along the third side and the fourth side that are orthogonal to the one side and face each other will be described as the Y direction. The arrangement of the inspection circuit 25 is not limited to this, and the inspection circuit 25 may be provided between the seal material 14 along the data line driving circuit 22 and the display area E.

図2に示すように、第1基材10aの第2液晶層15側の表面には、画素Pごとに設けられた透光性の画素電極27及びスイッチング素子である薄膜トランジスター(TFT:Thin Film Transistor、以降、「TFT30」と呼称する)と、信号配線と、これらを覆う配向膜28とが形成されている。   As shown in FIG. 2, on the surface of the first base material 10a on the second liquid crystal layer 15 side, a light-transmitting pixel electrode 27 provided for each pixel P and a thin film transistor (TFT: Thin Film) as a switching element. Transistor, hereinafter referred to as “TFT 30”), signal wiring, and an alignment film 28 covering these are formed.

また、TFT30における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板10は、第1基材10aと、第1基材10a上に形成された画素電極27、TFT30、信号配線、配向膜28を含むものである。   In addition, a light shielding structure is employed that prevents light from entering the semiconductor layer in the TFT 30 to make the switching operation unstable. The element substrate 10 includes a first base material 10a, a pixel electrode 27, a TFT 30, a signal wiring, and an alignment film 28 formed on the first base material 10a.

第2基材20aの第2液晶層15側の表面には、見切り部18と、これを覆うように成膜された絶縁層33と、絶縁層33を覆うように設けられた対向電極31と、対向電極31を覆う配向膜32とが設けられている。本発明における対向基板20は、少なくとも見切り部18、対向電極31、配向膜32を含むものである。   On the surface of the second base material 20a on the second liquid crystal layer 15 side, there are a parting portion 18, an insulating layer 33 formed so as to cover it, and a counter electrode 31 provided so as to cover the insulating layer 33. An alignment film 32 that covers the counter electrode 31 is provided. The counter substrate 20 in the present invention includes at least the parting part 18, the counter electrode 31, and the alignment film 32.

見切り部18は、図1に示すように、表示領域Eを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路24、検査回路25と重なる位置に設けられている。これにより対向基板20側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Eに入射しないように遮蔽して、表示領域Eの表示における高いコントラストを確保している。   As shown in FIG. 1, the parting part 18 surrounds the display area E and is provided at a position overlapping the scanning line driving circuit 24 and the inspection circuit 25 in plan view. Thus, the light incident on these circuits from the counter substrate 20 side is shielded to prevent the circuit from malfunctioning due to the light. Further, unnecessary stray light is shielded from entering the display area E, and high contrast in the display of the display area E is ensured.

絶縁層33は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部18を覆うように設けられている。このような絶縁層33の形成方法としては、例えばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて成膜する方法が挙げられる。   The insulating layer 33 is made of, for example, an inorganic material such as silicon oxide, and is provided so as to cover the parting portion 18 with light transmittance. As a method of forming such an insulating layer 33, for example, a method of forming a film using a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like can be cited.

対向電極31は、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜からなり、絶縁層33を覆うと共に、図1に示すように対向基板20の隅に設けられた上下導通部26に電気的に接続されている。上下導通部26は、素子基板10側の配線に電気的に接続している。   The counter electrode 31 is made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide), for example, covers the insulating layer 33 and is electrically connected to the vertical conduction part 26 provided at the corner of the counter substrate 20 as shown in FIG. It is connected. The vertical conduction part 26 is electrically connected to the wiring on the element substrate 10 side.

画素電極27を覆う配向膜28および対向電極31を覆う配向膜32は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。配向膜28,32としては、気相成長法を用いてSiOx(酸化シリコン)などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた配向膜が挙げられる。   The alignment film 28 covering the pixel electrode 27 and the alignment film 32 covering the counter electrode 31 are selected based on the optical design of the liquid crystal device 100. As the alignment films 28 and 32, an alignment film formed by depositing an inorganic material such as SiOx (silicon oxide) by using a vapor phase growth method and approximately perpendicularly aligning with liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy. Is mentioned.

このような液晶装置100は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板10と対向基板20とを含む液晶装置100の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。   Such a liquid crystal device 100 is, for example, a transmissive type, and normally white of the pixel P when the voltage is not applied is larger than the transmittance when the voltage is applied, or the pixel P when the voltage is not applied. A normally black mode optical design is adopted in which the transmittance is smaller than the transmittance when a voltage is applied. Polarizing elements are arranged and used in accordance with the optical design on the light incident side and the light exit side of the liquid crystal device 100 including the element substrate 10 and the counter substrate 20, respectively.

本実施形態では、以降、配向膜28,32として前述した配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。   In the present embodiment, an example in which a normally black mode optical design is applied using the alignment film described above as the alignment films 28 and 32 and a liquid crystal having negative dielectric anisotropy will be described.

<フィルターの構成>
図3は、フィルターの構成を示す模式図であり、(a)はフィルターの構成を示す概略平面図であり、(b)はフィルターの構成を示す概略断面図であり、(c)はフィルターに設けられたヒーターの構成を示す概略平面図である。以下、フィルターの構成を、図3を参照しながら説明する。
<Configuration of filter>
FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the filter, (a) is a schematic plan view showing the configuration of the filter, (b) is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the filter, and (c) is a schematic view of the filter. It is a schematic plan view which shows the structure of the provided heater. The configuration of the filter will be described below with reference to FIG.

図3に示すように、フィルター50は、シール材53を介して貼り合わされた第1基板51と、第2基板52と、第1基板51と第2基板52との間に挟持された第1液晶層54とを有する。第1液晶層54は、第1液晶材料54aで構成されている。   As shown in FIG. 3, the filter 50 includes a first substrate 51, a second substrate 52, and a first substrate 51 sandwiched between the first substrate 51 and the second substrate 52, which are bonded together via a sealing material 53. And a liquid crystal layer 54. The first liquid crystal layer 54 is composed of a first liquid crystal material 54a.

第1基板51及び第2基板52は、透明な例えば石英基板やガラス基板などからなる。第1基板51の第1液晶層54に面する側と反対側の表面51aには、ヒーター55が設けられている。   The first substrate 51 and the second substrate 52 are made of a transparent substrate such as a quartz substrate or a glass substrate. A heater 55 is provided on the surface 51 a opposite to the side facing the first liquid crystal layer 54 of the first substrate 51.

図3(b)及び図3(c)に示すように、ヒーター55は、例えば、アルミニウムなどの金属や該金属を含む合金、あるいは導電性の樹脂材料などを用いて形成された抵抗体である。ヒーター55は、一対の基板51,52の外縁に沿って額縁状に配置されたシール材53よりもやや内側に同じく額縁状に配置されている。ヒーター55は2つの接続端55a,55bを有しており、2つの接続端55a,55bに電圧を印加することで抵抗体が発熱し、第1基板51を加熱する。これにより、第1基板51と第2基板52との間に挟持された第1液晶層54が加温される構成となっている。   As shown in FIGS. 3B and 3C, the heater 55 is a resistor formed using, for example, a metal such as aluminum, an alloy containing the metal, or a conductive resin material. . The heater 55 is similarly arranged in a frame shape slightly inside the sealing material 53 arranged in a frame shape along the outer edges of the pair of substrates 51 and 52. The heater 55 has two connection ends 55a and 55b. When a voltage is applied to the two connection ends 55a and 55b, the resistor generates heat and heats the first substrate 51. Thereby, the first liquid crystal layer 54 sandwiched between the first substrate 51 and the second substrate 52 is heated.

フィルター50は、ランプ61(図5参照)からの光が、ヒーター55で囲まれた領域を通過するように一対の基板51,52の大きさが設定されている。言い換えれば、ランプ61からの光をヒーター55によって遮らないように、一対の基板51,52の大きさと、第1基板51に対するヒーター55の位置が規定されている。   In the filter 50, the size of the pair of substrates 51 and 52 is set so that light from the lamp 61 (see FIG. 5) passes through an area surrounded by the heater 55. In other words, the size of the pair of substrates 51 and 52 and the position of the heater 55 relative to the first substrate 51 are defined so that the light from the lamp 61 is not blocked by the heater 55.

なお、本実施形態の場合、フィルター50は、ランプ61の近傍に配置されるので、ヒーター55は、フィルター50における光の入射側と反対側の表面に形成されていることが、ランプ61からの照明光を有効利用する観点から好ましい。   In the case of this embodiment, the filter 50 is disposed in the vicinity of the lamp 61, so that the heater 55 is formed on the surface of the filter 50 opposite to the light incident side. This is preferable from the viewpoint of effectively using illumination light.

本実施形態では、液晶装置100の第2液晶層15を構成する第2液晶材料15aと、フィルター50の第1液晶層54を構成する第1液晶材料54aは同じものが用いられている。また、液晶装置100の第2液晶層15の厚みd1(セル厚、図2参照)よりも、フィルター50の第1液晶層54の厚みd2(セル厚)の方が大きい。   In the present embodiment, the second liquid crystal material 15 a constituting the second liquid crystal layer 15 of the liquid crystal device 100 and the first liquid crystal material 54 a constituting the first liquid crystal layer 54 of the filter 50 are the same. Further, the thickness d2 (cell thickness) of the first liquid crystal layer 54 of the filter 50 is larger than the thickness d1 (cell thickness, see FIG. 2) of the second liquid crystal layer 15 of the liquid crystal device 100.

フィルター50において、第1液晶材料54a(液晶分子)を所定の方向に配向させる配向膜は、第1基板51及び第2基板52に設けられていない。したがって、第1液晶材料54aとして、正または負の誘電異方性を有する例えばネマチックの液晶分子を一対の基板51,52の間に封入すると、室温では液晶分子同士が分子間力によって長軸方向がある程度揃うことから第1液晶層54に入射した光が散乱され、第1液晶層54の外観は白濁した状態になる。   In the filter 50, an alignment film that aligns the first liquid crystal material 54 a (liquid crystal molecules) in a predetermined direction is not provided on the first substrate 51 and the second substrate 52. Therefore, when, for example, nematic liquid crystal molecules having positive or negative dielectric anisotropy are enclosed between the pair of substrates 51 and 52 as the first liquid crystal material 54a, the liquid crystal molecules are aligned in the major axis direction at room temperature due to intermolecular forces. Therefore, the light incident on the first liquid crystal layer 54 is scattered, and the appearance of the first liquid crystal layer 54 becomes clouded.

上述したヒーター55に電圧を印加して第1液晶層54を加温し、第1液晶層54を相転移点(Ni点)以上の温度とすれば、液晶分子の配向状態をランダムにして第1液晶層54を光学的に等方相とすることができる。これにより、室温では白濁していた第1液晶層54をNi点以上とすることで透明な状態とすることができる。   If the first liquid crystal layer 54 is heated by applying a voltage to the heater 55 described above and the first liquid crystal layer 54 is set to a temperature equal to or higher than the phase transition point (Ni point), the alignment state of the liquid crystal molecules is changed randomly. One liquid crystal layer 54 can be optically isotropic. Thereby, it can be set as a transparent state by making the 1st liquid crystal layer 54 cloudy at room temperature into more than Ni point.

<液晶装置の製造方法>
図4は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図5は、液晶装置の製造方法のうちシール材を硬化する方法を示す模式図であり、(a)は模式断面図、(b)は平面的なマスクと液晶パネルとの関係を示す概略平面図である。図6は、各フィルターの光の透過率とシール硬化開始剤の光の吸収量を表すグラフである。以下、液晶装置の製造方法を、図4〜図6を参照しながら説明する。
<Method for manufacturing liquid crystal device>
FIG. 4 is a flowchart showing the method of manufacturing the liquid crystal device in the order of steps. 5A and 5B are schematic views showing a method for curing a sealing material in a method for manufacturing a liquid crystal device, wherein FIG. 5A is a schematic cross-sectional view, and FIG. 5B is a schematic plan view showing a relationship between a planar mask and a liquid crystal panel. FIG. FIG. 6 is a graph showing the light transmittance of each filter and the amount of light absorbed by the seal curing initiator. Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal device will be described with reference to FIGS.

最初に、素子基板10側の製造方法を説明する。図4に示すように、まず、ステップS11では、石英基板などからなる第1基材10a上にTFT30を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、第1基材10a上にTFT30を形成する。   First, a manufacturing method on the element substrate 10 side will be described. As shown in FIG. 4, first, in step S11, the TFT 30 is formed on the first base material 10a made of a quartz substrate or the like. Specifically, the TFT 30 is formed on the first base material 10a by using a well-known film forming technique, photolithography technique, and etching technique.

ステップS12では、画素電極27を形成する。製造方法としては、上記と同様に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、画素電極27を形成する。   In step S12, the pixel electrode 27 is formed. As a manufacturing method, similarly to the above, the pixel electrode 27 is formed by using a well-known film formation technique, photolithography technique, and etching technique.

ステップS13では、配向膜28を形成する。具体的には、画素電極27を覆うように配向膜28を形成する。配向膜28の製造方法としては、例えば、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、素子基板10側が完成する。 In step S13, the alignment film 28 is formed. Specifically, the alignment film 28 is formed so as to cover the pixel electrode 27. As a manufacturing method of the alignment film 28, for example, an oblique deposition method in which an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ) is obliquely deposited is used. Thus, the element substrate 10 side is completed.

次に、対向基板20側の製造方法を説明する。まず、ステップS21では、対向電極31を形成する。具体的には、ガラス基板等の透光性材料からなる第2基材20a上に、例えば、プラズマCVD法などを用いて、酸化シリコンなどからなる絶縁層33を成膜する。その後、絶縁層33を覆うように、周知の成膜技術を用いて対向電極31を成膜する。   Next, a manufacturing method on the counter substrate 20 side will be described. First, in step S21, the counter electrode 31 is formed. Specifically, the insulating layer 33 made of silicon oxide or the like is formed on the second base material 20a made of a light-transmitting material such as a glass substrate by using, for example, a plasma CVD method. Thereafter, the counter electrode 31 is formed using a known film formation technique so as to cover the insulating layer 33.

ステップS22では、対向電極31を覆うように配向膜32を形成する。具体的には、配向膜28の場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板20側が完成する。次に、素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる方法を説明する。   In step S <b> 22, the alignment film 32 is formed so as to cover the counter electrode 31. Specifically, it is the same as the case of the alignment film 28, and is formed by using, for example, an oblique deposition method. Thus, the counter substrate 20 side is completed. Next, a method for bonding the element substrate 10 and the counter substrate 20 will be described.

ステップS31では、素子基板10上にシール材14を塗布する。具体的には、素子基板10とディスペンサー(吐出装置でも可能)との相対的な位置関係を変化させて、素子基板10における表示領域Eの周縁部に(シール領域に)シール材14を塗布する。   In step S <b> 31, the sealing material 14 is applied on the element substrate 10. Specifically, the relative positional relationship between the element substrate 10 and the dispenser (which may be a discharge device) is changed, and the sealing material 14 is applied to the peripheral portion of the display area E (on the seal area) on the element substrate 10. .

シール材14としては、例えば、光硬化型(紫外線硬化型)が挙げられる。また、シール材14には、例えば、素子基板10と対向基板20との間隔(ギャップ或いはセルギャップ)を所定値とするためのスペーサー等のギャップ材が含まれている。   Examples of the sealing material 14 include a photocuring type (ultraviolet curing type). Further, the sealing material 14 includes, for example, a gap material such as a spacer for setting a distance (gap or cell gap) between the element substrate 10 and the counter substrate 20 to a predetermined value.

ステップS32では、シール材14で囲まれた中に第2液晶材料15aを滴下する。詳しくは、シール材14で囲まれた領域に第2液晶材料15aを滴下する(ODF(One Drop Fill)方式)。滴下する方法としては、例えば、インクジェットヘッドなどを用いることができる。また、第2液晶材料15aは、シール材14によって囲まれた領域(表示領域E)の中央部に滴下することが望ましい。   In step S <b> 32, the second liquid crystal material 15 a is dropped inside the seal material 14. Specifically, the second liquid crystal material 15a is dropped onto an area surrounded by the sealing material 14 (ODF (One Drop Fill) method). As a dropping method, for example, an ink jet head can be used. Further, it is desirable that the second liquid crystal material 15a is dropped on the central portion of the region (display region E) surrounded by the sealing material 14.

ステップS33では、素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる。具体的には、素子基板10に塗布されたシール材14を介して素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる。   In step S33, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together. Specifically, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together via the sealing material 14 applied to the element substrate 10.

ステップS34(液晶パネルを配置する工程、シール材を硬化させる工程)では、シール材14に紫外線L1を照射して硬化させる。具体的には、図5(a)に示すように、液晶装置100となる前の液晶パネル100aが複数形成された大型基板100b(液晶パネル100a)の上方にフィルター50を配置する。   In step S34 (the step of arranging the liquid crystal panel and the step of curing the sealing material), the sealing material 14 is irradiated with ultraviolet rays L1 and cured. Specifically, as shown in FIG. 5A, a filter 50 is disposed above a large substrate 100b (liquid crystal panel 100a) on which a plurality of liquid crystal panels 100a before forming the liquid crystal device 100 are formed.

また、上記したように、フィルター50のヒーター55に電圧を印加して第1液晶層54を加温し、第1液晶層54を光学的に等方相とする。この状態でフィルター50の他方の側から紫外線を含む光を照射する。加温する温度は、例えば、100℃程度である。   In addition, as described above, a voltage is applied to the heater 55 of the filter 50 to heat the first liquid crystal layer 54 and to make the first liquid crystal layer 54 optically isotropic. In this state, light including ultraviolet rays is irradiated from the other side of the filter 50. The temperature to heat is about 100 degreeC, for example.

また、大型基板100bとフィルター50との間に、平面視でシール材14と重なる領域が開口するマスク71を配置する。つまり、シール材14を除く領域になるべく紫外線L1が照射しないようにする。   In addition, a mask 71 having an opening that overlaps with the sealing material 14 in a plan view is disposed between the large substrate 100b and the filter 50. That is, the ultraviolet ray L1 is prevented from being irradiated as much as possible in the region excluding the sealing material 14.

具体的には、図5(b)に示すように、大型基板100bを構成する液晶パネル100aのシール材14と平面視で重なる領域に、マスク71の開口部71aが配置されている。更に具体的には、シール材14を確実に硬化させるため、開口部71aの領域がシール材14から表示領域E側(第2液晶層15側)に入った領域までとなっている。つまり、第2液晶層15の第2液晶材料15aにダメージを与える紫外線L1が照射されることとなる。   Specifically, as shown in FIG. 5B, the opening 71a of the mask 71 is arranged in a region overlapping the sealing material 14 of the liquid crystal panel 100a constituting the large substrate 100b in plan view. More specifically, the region of the opening 71a extends from the sealing material 14 to the display region E side (second liquid crystal layer 15 side) in order to cure the sealing material 14 with certainty. That is, the ultraviolet light L1 that damages the second liquid crystal material 15a of the second liquid crystal layer 15 is irradiated.

しかしながら、第1液晶材料54aを有するフィルター50に紫外線L1を通すことによって、図5に示すように、第2液晶材料15aにダメージを与える紫外線L1を、ダメージを与えにくい紫外線L2にすることができる。   However, by passing the ultraviolet ray L1 through the filter 50 having the first liquid crystal material 54a, as shown in FIG. 5, the ultraviolet ray L1 that damages the second liquid crystal material 15a can be changed to the ultraviolet ray L2 that is not easily damaged. .

図6に示すグラフは、横軸に波長(nm)を示しており、具体的には、330nm〜400nmまでの範囲の波長を示している。縦軸には光の透過率(%)と光の吸収量(arb.unit)とを示している。   In the graph shown in FIG. 6, the horizontal axis indicates the wavelength (nm), and specifically indicates the wavelength in the range of 330 nm to 400 nm. The vertical axis shows the light transmittance (%) and the light absorption amount (arb.unit).

グラフに示す曲線は、従来用いられていたネオセラムフィルターの波長と透過率との関係、本実施形態のフィルター50の波長と透過率との関係、シール硬化開始剤の波長と吸収量との関係を示すものである。   The curves shown in the graph are the relationship between the wavelength and transmittance of a conventionally used neo-ceram filter, the relationship between the wavelength and transmittance of the filter 50 of the present embodiment, and the relationship between the wavelength and absorption amount of the seal curing initiator. Is shown.

液晶材料15a,54aにダメージを与える光の波長は、例えば、360nm以下である。シール材14の硬化に使用するランプ61の波長は、350nm〜400nm程度である。ネオセラムの曲線は、340nmから400nmになるに従って、緩やかに光の透過率が向上する。これに対して、フィルター50の曲線は、355nmから365nmになるに従って、急激に透過率が向上する。   The wavelength of light that damages the liquid crystal materials 15a and 54a is, for example, 360 nm or less. The wavelength of the lamp 61 used for curing the sealing material 14 is about 350 nm to 400 nm. In the neo-serum curve, the light transmittance is gradually improved as it goes from 340 nm to 400 nm. On the other hand, the transmittance of the curve of the filter 50 is sharply improved as it goes from 355 nm to 365 nm.

また、ネオセラムは、340nm以下の波長の光をカットすることができる。本実施形態のフィルター50は、355nm以下の波長の光をカットすることができる。よって、ネオセラムと比較してフィルター50は、液晶材料15a,54aにダメージを与える波長の光をより多くカットすることができる。   Neoceram can cut light having a wavelength of 340 nm or less. The filter 50 of the present embodiment can cut light having a wavelength of 355 nm or less. Therefore, the filter 50 can cut more light having a wavelength that damages the liquid crystal materials 15a and 54a as compared with neo-serum.

例えば、365nm付近の波長でみると、ネオセラムの透過率が50%であることに対して、フィルター50の透過率が90%近くあり、フィルター50の方が、シール材14の硬化に必要な波長帯域の光をより高い透過率で通すことができる。よって、シール材14を早く硬化させることができる。   For example, when viewed at a wavelength near 365 nm, the transmittance of neoceram is 50%, whereas the transmittance of the filter 50 is nearly 90%, and the filter 50 has a wavelength necessary for curing the sealing material 14. Band light can be transmitted with higher transmittance. Therefore, the sealing material 14 can be cured quickly.

また、シール材14を硬化させるためのシール硬化開始剤の吸収量も、0.1arb.unitあり、確実に低波長領域の光でも吸収することができ、硬化を開始することができる。よって、液晶パネル100aの第2液晶材料15aにダメージを与えない様にすることができる。以上により、液晶装置100が完成する。   Further, the absorption amount of the seal curing initiator for curing the sealing material 14 is also 0.1 arb.unit, so that it can be reliably absorbed even in the light of a low wavelength region, and curing can be started. Therefore, the second liquid crystal material 15a of the liquid crystal panel 100a can be prevented from being damaged. Thus, the liquid crystal device 100 is completed.

<投写型表示装置の構成>
次に、本実施形態の投写型表示装置について、図7を参照しながら説明する。図7は、上記した液晶装置を備えた投写型表示装置の構成を示す概略図である。
<Configuration of projection display device>
Next, the projection display apparatus of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic diagram showing a configuration of a projection display device including the above-described liquid crystal device.

図7に示すように、本実施形態の投写型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投写レンズ1207とを備えている。   As shown in FIG. 7, the projection display apparatus 1000 according to the present embodiment includes a polarization illumination apparatus 1100 arranged along the system optical axis L, two dichroic mirrors 1104 and 1105 as light separation elements, and three Reflective mirrors 1106, 1107, 1108, five relay lenses 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, three transmissive liquid crystal light valves 1210, 1220, 1230 as light modulation means, and a cross dichroic as a light combiner A prism 1206 and a projection lens 1207 are provided.

偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。   The polarized light illumination device 1100 is generally configured by a lamp unit 1101 as a light source composed of a white light source such as an ultra-high pressure mercury lamp or a halogen lamp, an integrator lens 1102, and a polarization conversion element 1103.

ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光(R)を反射させ、緑色光(G)と青色光(B)とを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光(G)を反射させ、青色光(B)を透過させる。   The dichroic mirror 1104 reflects red light (R) and transmits green light (G) and blue light (B) among the polarized light beams emitted from the polarization illumination device 1100. Another dichroic mirror 1105 reflects the green light (G) transmitted through the dichroic mirror 1104 and transmits the blue light (B).

ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光(R)は、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。   The red light (R) reflected by the dichroic mirror 1104 is reflected by the reflection mirror 1106 and then enters the liquid crystal light valve 1210 via the relay lens 1205. Green light (G) reflected by the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1220 via the relay lens 1204. The blue light (B) transmitted through the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1230 via a light guide system including three relay lenses 1201, 1202, 1203 and two reflection mirrors 1107, 1108.

液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報(映像信号)に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。   The liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 are disposed to face the incident surfaces of the cross dichroic prism 1206 for each color light. The color light incident on the liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 is modulated based on video information (video signal) and emitted toward the cross dichroic prism 1206.

このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ1207によってスクリーン1300上に投写され、画像が拡大されて表示される。   In this prism, four right-angle prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. The three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and the light representing the color image is synthesized. The synthesized light is projected onto the screen 1300 by the projection lens 1207, which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

液晶ライトバルブ1210は、上述した液晶装置100が適用されたものである。液晶装置100は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。   The liquid crystal light valve 1210 is the one to which the liquid crystal device 100 described above is applied. The liquid crystal device 100 is arranged with a gap between a pair of polarizing elements arranged in crossed Nicols on the incident side and the emission side of colored light. The same applies to the other liquid crystal light valves 1220 and 1230.

このような投写型表示装置1000によれば、液晶ライトバルブ1210,1220,1230を用いているので、高寿命で高い表示品質を得ることができる。   According to such a projection display apparatus 1000, since the liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 are used, high display quality can be obtained with a long lifetime.

以上詳述したように、第1実施形態の液晶装置100の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the method for manufacturing the liquid crystal device 100 of the first embodiment, the following effects can be obtained.

(1)第1実施形態の液晶装置100の製造方法によれば、紫外線L1は液晶パネル100aに入射する前にフィルター50を透過する。よって、フィルター50に備えられた第1液晶材料54aによって、従来では除去することができなかった、少なくとも第2液晶材料15aの劣化に起因する特定波長の光を吸収させる(カットさせる)ことができる。これにより、シール材14を硬化する際に、紫外線L1を照射しても、液晶材料にダメージを与える波長が液晶パネル100aに届きにくくなり、第2液晶材料15aへのダメージを抑えながらシール材14を硬化させることができる。その結果、表示品質を向上させることができると共に、液晶装置100の寿命を向上させることができる。また、シール材14の硬化に必要な波長帯域の光を、より高い透過率で通すことができるので、シール材14の硬化を早く行うことができる。   (1) According to the method for manufacturing the liquid crystal device 100 of the first embodiment, the ultraviolet rays L1 pass through the filter 50 before entering the liquid crystal panel 100a. Therefore, the first liquid crystal material 54a provided in the filter 50 can absorb (cut) light having a specific wavelength that cannot be removed in the past and is caused by at least deterioration of the second liquid crystal material 15a. . As a result, when the sealing material 14 is cured, the wavelength that damages the liquid crystal material does not reach the liquid crystal panel 100a even if the ultraviolet ray L1 is irradiated, and the sealing material 14 is suppressed while preventing damage to the second liquid crystal material 15a. Can be cured. As a result, display quality can be improved and the life of the liquid crystal device 100 can be improved. Moreover, since the light of the wavelength band required for hardening of the sealing material 14 can be permeate | transmitted with a higher transmittance | permeability, hardening of the sealing material 14 can be performed quickly.

(2)第1実施形態の液晶装置100の製造方法によれば、第2液晶材料15a及び第1液晶材料54aは同じ液晶材料であるので、第2液晶材料15aにダメージを与える波長を予め特定しなくても、第2液晶材料15aにダメージを与える波長を第1液晶材料54aで吸収することが可能となり、第2液晶材料15aにダメージが与えられることを抑えることができる。   (2) According to the method for manufacturing the liquid crystal device 100 of the first embodiment, since the second liquid crystal material 15a and the first liquid crystal material 54a are the same liquid crystal material, the wavelength that damages the second liquid crystal material 15a is specified in advance. Even if not, the wavelength that damages the second liquid crystal material 15a can be absorbed by the first liquid crystal material 54a, and damage to the second liquid crystal material 15a can be suppressed.

(3)第1実施形態の液晶装置100の製造方法によれば、液晶装置100の第2液晶層15のセル厚d1に対して、フィルター50の第1液晶層54のセル厚d2の方が厚いので、第2液晶材料15aにダメージを与える波長の吸収量を多くすることが可能となり、フィルター50でより確実に吸収する(カットする)ことができる。また、同じセル厚にする場合と比較して、フィルター50の吸収寿命を延ばすことができる。   (3) According to the method for manufacturing the liquid crystal device 100 of the first embodiment, the cell thickness d2 of the first liquid crystal layer 54 of the filter 50 is greater than the cell thickness d1 of the second liquid crystal layer 15 of the liquid crystal device 100. Since it is thick, it is possible to increase the amount of absorption of the wavelength that damages the second liquid crystal material 15a, and the filter 50 can absorb (cut) more reliably. Moreover, the absorption lifetime of the filter 50 can be extended compared with the case where it makes the same cell thickness.

(4)第1実施形態の液晶装置100の製造方法によれば、フィルター50にヒーター55を設けて加熱することにより、第1液晶材料54aを等方相の状態にすることができる。よって、加熱しながら紫外線を照射することにより、フィルター50に入射した紫外線が散乱することを防止することが可能となり、光学特性に大きな影響を及ぼすことを抑えることができる。   (4) According to the manufacturing method of the liquid crystal device 100 of the first embodiment, the first liquid crystal material 54a can be brought into an isotropic phase by providing the filter 50 with the heater 55 and heating it. Therefore, it is possible to prevent the ultraviolet rays incident on the filter 50 from being scattered by irradiating the ultraviolet rays while heating, and to suppress a great influence on the optical characteristics.

(第2実施形態)
<液晶装置の製造方法>
図8は、第2実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図8を参照しながら説明する。
(Second Embodiment)
<Method for manufacturing liquid crystal device>
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the liquid crystal device of the second embodiment. Hereinafter, a method of manufacturing the liquid crystal device will be described with reference to FIG.

第2実施形態の液晶装置100の製造方法は、上述の第1実施形態の製造方法と比べて、マスク71(遮光膜151)をフィルター150に内蔵させてマスク71を省略する部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第2実施形態では、第1実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。   The manufacturing method of the liquid crystal device 100 of the second embodiment differs from the manufacturing method of the first embodiment described above in that the mask 71 (the light shielding film 151) is built in the filter 150 and the mask 71 is omitted. The portion is generally the same. Therefore, in the second embodiment, portions different from the first embodiment will be described in detail, and descriptions of other overlapping portions will be omitted as appropriate.

図8に示すように、第2実施形態のフィルター150は、第1基板51上に、平面視で大型基板100b(液晶パネル100a)のシール材14と重なる領域が開口する遮光膜151が形成されている。第2実施形態の液晶装置100の製造方法は、ステップS34のシール材14の硬化(図4参照)において、大型基板100bの上方に、マスク71を介すことなく、フィルター150を配置する。   As shown in FIG. 8, in the filter 150 of the second embodiment, a light-shielding film 151 is formed on the first substrate 51. The light-shielding film 151 opens in a region overlapping with the sealing material 14 of the large substrate 100b (liquid crystal panel 100a) in plan view. ing. In the method for manufacturing the liquid crystal device 100 according to the second embodiment, the filter 150 is disposed above the large substrate 100b without the mask 71 in the curing of the sealing material 14 in step S34 (see FIG. 4).

次に、ランプ61からの紫外線L1をフィルター150に照射して、第1液晶材料54a及び遮光膜151を通過した紫外線L2がシール材14に照射される。これにより、マスク71を用いることなく、大型基板100bのシール材14が塗布された領域に紫外線L2を照射させることができる。   Next, the filter 150 is irradiated with the ultraviolet light L1 from the lamp 61, and the ultraviolet light L2 that has passed through the first liquid crystal material 54a and the light shielding film 151 is irradiated onto the sealing material 14. Thereby, the ultraviolet-ray L2 can be irradiated to the area | region where the sealing material 14 of the large sized board | substrate 100b was apply | coated, without using the mask 71. FIG.

以上詳述したように、第2実施形態の液晶装置100の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the method for manufacturing the liquid crystal device 100 of the second embodiment, the following effects can be obtained.

(5)第2実施形態の液晶装置100の製造方法によれば、フィルター150にマスク71と同じ機能を有する遮光膜151を内蔵するので、遮光膜が形成されたマスク71を別に配置する場合と比較して、部品点数を少なくすることができる。   (5) According to the method for manufacturing the liquid crystal device 100 of the second embodiment, since the light shielding film 151 having the same function as the mask 71 is built in the filter 150, the mask 71 on which the light shielding film is formed is disposed separately. In comparison, the number of parts can be reduced.

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。   The aspect of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. It is included in the range. Moreover, it can also implement with the following forms.

(変形例1)
上記したように、液晶パネル100aの第2液晶層15を構成する第2液晶材料15aと、フィルター50の第1液晶層54を構成する第1液晶材料54aとは、同じであることに限定されず、異なっていてもよい。この場合、予めフィルター50を通過する紫外線の波長を確認しておくことが望ましい。
(変形例2)
上記したように、フィルター50にヒーター55を設けることに限定されず、例えば、熱電対や加熱装置を備えるようにしてもよい。また、ランプ61の熱をフィルター50に伝える部材が備えられていてもよい。
(変形例3)
上記したように、フィルター50を構成する第1基板51及び第2基板52に石英基板やガラス基板を用いることに限定されず、例えば、ネオセラムガラスを用いるようにしてもよい。これによれば、短波長領域(例えば、330nm以下)の光を、より確実にカットすることができる。
(Modification 1)
As described above, the second liquid crystal material 15a constituting the second liquid crystal layer 15 of the liquid crystal panel 100a and the first liquid crystal material 54a constituting the first liquid crystal layer 54 of the filter 50 are limited to being the same. It may be different. In this case, it is desirable to confirm the wavelength of the ultraviolet light that passes through the filter 50 in advance.
(Modification 2)
As described above, the filter 50 is not limited to the provision of the heater 55, and for example, a thermocouple or a heating device may be provided. Further, a member that transmits heat of the lamp 61 to the filter 50 may be provided.
(Modification 3)
As described above, the first substrate 51 and the second substrate 52 constituting the filter 50 are not limited to using a quartz substrate or a glass substrate, and for example, neo-ceram glass may be used. According to this, light in a short wavelength region (for example, 330 nm or less) can be cut more reliably.

10…素子基板、10a…第1基材、14…シール材、15…第2液晶層、15a…第2液晶材料、18…見切り部、20…対向基板、20a…第2基材、22…データ線駆動回路、24…走査線駆動回路、25…検査回路、26…上下導通部、27…画素電極、28,32…配向膜、29…配線、30…TFT、31…対向電極、33…絶縁層、35…外部接続端子、50,150…フィルター、51…第1基板、51a…表面、52…第2基板、53…シール材、54…第1液晶層、54a…第1液晶材料、55…ヒーター、55a,55b…接続端、61…ランプ、71…マスク、71a…開口部、100…液晶装置、100a…液晶パネル、100b…大型基板、151…遮光膜、1000…投写型表示装置、1100…偏光照明装置、1101…ランプユニット、1102…インテグレーターレンズ、1103…偏光変換素子、1104,1105…ダイクロイックミラー、1106,1107,1108…反射ミラー、1201,1202,1203,1204,1205…リレーレンズ、1206…クロスダイクロイックプリズム、1207…投写レンズ、1210,1220,1230…液晶ライトバルブ、1300…スクリーン。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Element substrate, 10a ... 1st base material, 14 ... Sealing material, 15 ... 2nd liquid crystal layer, 15a ... 2nd liquid crystal material, 18 ... Parting part, 20 ... Opposite substrate, 20a ... 2nd base material, 22 ... Data line drive circuit, 24 ... Scanning line drive circuit, 25 ... Inspection circuit, 26 ... Vertical conduction part, 27 ... Pixel electrode, 28,32 ... Alignment film, 29 ... Wiring, 30 ... TFT, 31 ... Counter electrode, 33 ... Insulating layer, 35 ... external connection terminal, 50,150 ... filter, 51 ... first substrate, 51a ... surface, 52 ... second substrate, 53 ... sealing material, 54 ... first liquid crystal layer, 54a ... first liquid crystal material, 55 ... heater, 55a, 55b ... connection end, 61 ... lamp, 71 ... mask, 71a ... opening, 100 ... liquid crystal device, 100a ... liquid crystal panel, 100b ... large substrate, 151 ... light shielding film, 1000 ... projection type display device 1100: Polarized illumination equipment DESCRIPTION OF SYMBOLS 1101 ... Lamp unit 1102 ... Integrator lens 1103 ... Polarization conversion element 1104, 1105 ... Dichroic mirror, 1106, 1107, 1108 ... Reflection mirror, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205 ... Relay lens, 1206 ... Cross dichroic Prism, 1207 ... projection lens, 1210, 1220, 1230 ... liquid crystal light valve, 1300 ... screen.

Claims (6)

第1液晶材料を有するフィルターの一方の側に、第2液晶材料を挟持した状態で光硬化型のシール材によって貼り合わされた一対の基板を有する液晶パネルを配置する工程と、
前記フィルターの他方の側から紫外線を含む光を照射して、前記フィルターを介して前記液晶パネルの前記シール材を硬化させる工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
Disposing a liquid crystal panel having a pair of substrates bonded to each other on one side of a filter having the first liquid crystal material by a photo-curing sealing material in a state of sandwiching the second liquid crystal material;
Irradiating light including ultraviolet rays from the other side of the filter, and curing the sealing material of the liquid crystal panel through the filter;
A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising:
請求項1に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第1液晶材料と前記第2液晶材料とは同じ液晶材料であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
A manufacturing method of a liquid crystal device according to claim 1,
The method for manufacturing a liquid crystal device, wherein the first liquid crystal material and the second liquid crystal material are the same liquid crystal material.
請求項1又は請求項2に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記フィルターのセル厚は、前記液晶パネルのセル厚と比較して厚いことを特徴とする液晶装置の製造方法。
A method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 1 or 2,
The method of manufacturing a liquid crystal device, wherein a cell thickness of the filter is thicker than a cell thickness of the liquid crystal panel.
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記シール材を硬化させる工程は、前記第1液晶材料を等方相の状態にして前記紫外線を照射することを特徴とする液晶装置の製造方法。
A method for manufacturing a liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3,
The method of curing the sealing material includes irradiating the ultraviolet light with the first liquid crystal material in an isotropic state.
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記フィルターと前記液晶パネルとの間に、少なくとも平面視で前記シール材と重なる領域が開口するマスクを配置する工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
A method for manufacturing a liquid crystal device according to any one of claims 1 to 4,
A method of manufacturing a liquid crystal device, comprising a step of arranging a mask having an opening in an area overlapping with the sealing material at least in a plan view between the filter and the liquid crystal panel.
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記フィルターは、少なくとも平面視で前記シール材と重なる領域以外の領域に遮光膜が形成されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
A method for manufacturing a liquid crystal device according to any one of claims 1 to 4,
The method for manufacturing a liquid crystal device, wherein the filter has a light shielding film formed in a region other than a region overlapping at least the sealing material in a plan view.
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