JP2016069262A - Manufacturing method for glass substrate and manufacturing apparatus for glass substrate - Google Patents

Manufacturing method for glass substrate and manufacturing apparatus for glass substrate Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a glass substrate etc., that can suppress part of an aggregate from being mixed as foreign matter with molten glass by suppressing aggregation of platinum group metal vaporized in a vapor phase space of a glass processing device made at least partially of a material including the platinum group metal.SOLUTION: There is provided a manufacturing method for a glass substrate which comprises a glass processing device made of platinum group metal, the method comprising: forming a vapor phase space above the liquid level of molten glass in the glass processing device; and processing the molten glass while reducing the amount of foreign matter powder dust present in the vapor phase space so as to suppress aggregation of platinum volatile matter included in the vapor phase space at a temperature at which the platinum group metal vaporizes in the glass processing device.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、ガラス基板の製造方法、及び、ガラス基板の製造装置に関する。   The present invention relates to a glass substrate manufacturing method and a glass substrate manufacturing apparatus.

ガラス基板は、一般的に、ガラス原料から熔融ガラスを生成した後、清澄工程、均質化工程を経て、熔融ガラスをガラス基板へ成形することで製造される。
ところで、高温の熔融ガラスから品位の高いガラス基板を量産するためには、ガラス基板の欠陥の要因となる異物等が、ガラス基板を製造するいずれの装置からも熔融ガラスへ混入しないよう考慮することが望まれる。このため、ガラス基板の製造過程において熔融ガラスに接する部材の内壁は、その部材に接する熔融ガラスの温度、要求されるガラス基板の品質等に応じ、適切な材料により構成する必要がある。たとえば、熔融ガラスを生成した後成形工程に供給するまでの間、熔融ガラスは高温状態になるため、清澄工程を行う清澄装置、均質化工程を行う攪拌装置、及び熔融ガラスを移送するガラス供給管は、耐熱性の高い白金あるいは白金合金である白金族金属を用いて構成されている。しかし、白金族金属は、ガラス熔融に必要な高温下では揮発し易い。そして白金族金属の揮発物が気相空間を取り巻く内壁に凝集して凝集物をつくり、この凝集物の一部が離脱して熔融ガラス中に異物となって混入し、ガラス基板の品質の低下を招くおそれがあった。
A glass substrate is generally produced by forming molten glass from a glass raw material, and then forming the molten glass into a glass substrate through a clarification step and a homogenization step.
By the way, in order to mass-produce high-quality glass substrates from high-temperature molten glass, consideration should be given so that foreign substances that cause defects in the glass substrate do not enter the molten glass from any apparatus that manufactures the glass substrate. Is desired. For this reason, the inner wall of the member in contact with the molten glass in the manufacturing process of the glass substrate needs to be made of an appropriate material according to the temperature of the molten glass in contact with the member, the required quality of the glass substrate, and the like. For example, since molten glass is in a high temperature state after it is produced and supplied to the molding process, a clarification device that performs a clarification process, a stirring device that performs a homogenization process, and a glass supply pipe that transfers the molten glass Is made of platinum group metal which is platinum or platinum alloy having high heat resistance. However, platinum group metals are likely to volatilize at high temperatures required for glass melting. The volatiles of the platinum group metal aggregate on the inner wall surrounding the gas phase space to form an aggregate. A part of the aggregate separates and enters the molten glass as a foreign substance, resulting in a deterioration in the quality of the glass substrate. There was a risk of inviting.

これに対して、白金異物の混入のおそれが少なく、コード脈理や異物欠点などの光学欠陥の少ない高品質ガラスを得ることができるガラス溶融炉が知られている(特許文献1)。
当該ガラス溶融炉では、天井部を設けて閉塞した槽本体の内壁面の下部が、白金または白金合金でなる白金面によって形成されており、かつ該白金面は、その上端が溶融ガラスの槽上部雰囲気中に露出しない位置となるように形成されている。
On the other hand, there is known a glass melting furnace that can obtain a high-quality glass that is less likely to be mixed with platinum foreign matter and has few optical defects such as cord striae and foreign matter defects (Patent Document 1).
In the glass melting furnace, the lower part of the inner wall surface of the tank body closed by providing a ceiling is formed by a platinum surface made of platinum or a platinum alloy, and the platinum surface has an upper end at the upper part of the molten glass tank. It is formed so as to be a position not exposed in the atmosphere.

特開2010−202444号公報JP 2010-202444 A

上記特許文献1のように、熔融ガラスの液面上部の気相空間の雰囲気と白金族金属の壁面との接触面を無くせば、白金族金属の揮発は生じない。また、気相空間の雰囲気と接触する白金族金属の内壁の接触面積を小さくすることで、白金族金属の揮発を低減することができる、と考えられる。しかし、気相空間の雰囲気と接触する白金族金属の内壁の接触面積を小さくした場合であっても、白金族金属を壁面から十分に揮発を低減することがでず、白金族金属が凝集していた。気相空間には、レンガ屑等の微小な物質が浮遊している。このような微小な物質が浮遊していると、浮遊している物質を核として、白金が凝集する。気相空間において、白金族金属が凝集するのを抑制するためには、気相空間中にある核となる物質を低減する必要がある。   If the contact surface between the atmosphere of the gas phase space above the liquid surface of the molten glass and the wall surface of the platinum group metal is eliminated as in Patent Document 1, volatilization of the platinum group metal does not occur. Further, it is considered that volatilization of the platinum group metal can be reduced by reducing the contact area of the inner wall of the platinum group metal that is in contact with the atmosphere of the gas phase space. However, even when the contact area of the inner wall of the platinum group metal in contact with the atmosphere in the gas phase space is reduced, the volatilization of the platinum group metal cannot be sufficiently reduced from the wall surface, and the platinum group metal aggregates. It was. In the gas phase space, minute substances such as brick waste float. When such a minute substance floats, platinum aggregates using the suspended substance as a nucleus. In order to suppress the aggregation of the platinum group metal in the gas phase space, it is necessary to reduce the substance serving as a nucleus in the gas phase space.

そこで、本発明は、ガラス基板の製造過程で用いられる、少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置において熔融ガラスを処理する際、ガラス処理装置内に存在する異物粉塵の量を低減することにより、気相空間内で揮発した白金族金属の凝集を抑制し、凝集物の一部が異物となって熔融ガラスに混入することを抑制することができるガラス基板の製造方法及びガラス基板の製造装置を提供することを目的とする。   In view of this, the present invention is a method for producing foreign matter dust existing in a glass processing apparatus when processing molten glass in a glass processing apparatus that is used in a glass substrate manufacturing process and is made of a material containing at least a platinum group metal. By reducing the amount, a method for producing a glass substrate that suppresses aggregation of the platinum group metal volatilized in the gas phase space and suppresses that a part of the aggregate becomes a foreign substance and enters the molten glass. And it aims at providing the manufacturing apparatus of a glass substrate.

本発明の一態様は、白金族金属で構成されたガラス処理装置を備えるガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス処理装置の内部において、熔融ガラスの液面より上方に気相空間が形成され、
前記ガラス処理装置の内部で前記白金族金属が揮発する温度以上において、前記気相空間に含まれる白金揮発物の凝集を抑制するよう、前記気相空間に存在する異物粉塵の量を低減して前記熔融ガラスを処理する、
ことを特徴とする。
One aspect of the present invention is a method of manufacturing a glass substrate including a glass processing apparatus composed of a platinum group metal,
Inside the glass processing apparatus, a gas phase space is formed above the liquid surface of the molten glass,
Reduce the amount of foreign dust present in the gas phase space so as to suppress aggregation of platinum volatiles contained in the gas phase space above the temperature at which the platinum group metal volatilizes inside the glass processing apparatus. Treating the molten glass;
It is characterized by that.

前記気相空間にある前記異物粉塵の量について、粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が3000000個/L以下、粒径5μm以上の異物粉塵の数が300000個/L以下である、ことが好ましい。   Regarding the amount of foreign matter dust in the gas phase space, the number of foreign matter dust having a particle size of 0.3 μm to less than 5 μm is 3000000 / L or less, and the number of foreign matter dust having a particle size of 5 μm or more is 300000 / L or less. It is preferable that there is.

前記異物粉塵の量の低減は、前記気相空間に存在する異物粉塵の吸引、及び/又は、前記気相空間への清浄気体の流入により行う、ことが好ましい。   The amount of the foreign dust is preferably reduced by suctioning foreign dust existing in the gas phase space and / or inflow of clean gas into the gas phase space.

前記異物粉塵は、アルミナ、ジルコニア、ジルコン、酸化錫、及び、ホウ酸の一種、又は、それらの組合せからなる微粒子である、ことが好ましい。   The foreign dust is preferably fine particles made of one of alumina, zirconia, zircon, tin oxide, and boric acid, or a combination thereof.

本発明の他の態様は、白金族金属で構成されたガラス処理装置を備えるガラス基板の製造装置であって、
前記ガラス処理装置の内部において、熔融ガラスの液面より上方に気相空間が形成され、
前記ガラス処理装置の内部で前記白金族金属が揮発する温度以上において、前記気相空間に含まれる白金揮発物の凝集を抑制するよう、前記気相空間に存在する異物粉塵の量を低減して前記熔融ガラスを処理する、
ことを特徴とする。
Another aspect of the present invention is a glass substrate manufacturing apparatus including a glass processing apparatus made of a platinum group metal,
Inside the glass processing apparatus, a gas phase space is formed above the liquid surface of the molten glass,
Reduce the amount of foreign dust present in the gas phase space so as to suppress aggregation of platinum volatiles contained in the gas phase space above the temperature at which the platinum group metal volatilizes inside the glass processing apparatus. Treating the molten glass;
It is characterized by that.

本発明によれば、ガラス基板の成形前の熔融ガラスを処理する工程において、ガラス処理装置の気相空間内で揮発した白金族金属の揮発物の凝集を低減することができる。これにより、熔融ガラスに異物が混入することを抑制することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the process of processing the molten glass before shaping | molding of a glass substrate, aggregation of the volatile matter of the platinum group metal volatilized within the gaseous-phase space of a glass processing apparatus can be reduced. Thereby, it can suppress that a foreign material mixes in molten glass.

実施形態に係るガラス基板製造方法の工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process of the glass substrate manufacturing method which concerns on embodiment. 実施形態に係るガラス基板製造装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the glass substrate manufacturing apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る清澄管を主に表した外観図である。It is the external view which mainly represented the clarification pipe | tube which concerns on embodiment. 実施形態に係る清澄管の長手方向における概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in the longitudinal direction of the clarification pipe | tube which concerns on embodiment. 実施形態に係る清澄管の内部を表す断面図と清澄管の温度プロファイルの一例を示す図である。It is a figure showing an example of a temperature profile of a sectional view showing the inside of a clarification pipe concerning an embodiment, and a clarification pipe. 異物粉塵の粒子を核として揮発した白金族金属が凝集することを説明するための模式的な図である。It is a schematic diagram for demonstrating that the platinum group metal which volatilized by using the particle | grains of a foreign dust as a nucleus aggregates.

(ガラス基板の製造方法及びガラス基板製造装置)
本発明に係るガラス基板の製造方法及びガラス基板製造装置の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係るガラス基板製造方法の工程の一例を示すフローチャートである。ガラス基板の製造方法は、図1に示されるように、主として、熔解工程S1と、清澄工程S2と、攪拌工程S3と、成形工程S4と、徐冷工程S5と、切断工程S6とを備える。
図2は、本実施形態に係るガラス基板の製造装置200の構成の一例を示す模式図である。ガラス基板の製造装置200は、熔解槽40と、清澄管41と、攪拌装置100と、成形装置42と、移送管43a,43b,43cとを備える。移送管43aは、熔解槽40と清澄管41を接続する。移送管43bは、清澄管41と攪拌装置100を接続する。移送管43cは、攪拌装置100と成形装置42を接続する。
(Glass substrate manufacturing method and glass substrate manufacturing apparatus)
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments of a glass substrate manufacturing method and a glass substrate manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a flowchart showing an example of steps of the glass substrate manufacturing method according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the glass substrate manufacturing method mainly includes a melting step S1, a refining step S2, a stirring step S3, a forming step S4, a slow cooling step S5, and a cutting step S6.
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of the configuration of the glass substrate manufacturing apparatus 200 according to the present embodiment. The glass substrate manufacturing apparatus 200 includes a melting tank 40, a clarification tube 41, a stirring device 100, a molding device 42, and transfer tubes 43a, 43b, and 43c. The transfer pipe 43 a connects the melting tank 40 and the clarification pipe 41. The transfer pipe 43 b connects the clarification pipe 41 and the stirring device 100. The transfer pipe 43 c connects the stirring device 100 and the molding device 42.

熔解工程S1では、ガラスの原料を熔解して熔融ガラスが生成される。熔融ガラスは、熔解槽に貯留され、所望の温度を有するように加熱される。熔融ガラスは、清澄剤を含有する。環境負荷低減の観点から、清澄剤として酸化スズが好適に用いられる。
熔解槽40では、ガラス原料は、その組成等に応じた温度に加熱されて熔解される。これにより、熔解槽40では、例えば、1500℃〜1620℃の高温の熔融ガラスGが得られる。なお、熔解槽40では、少なくとも1対の電極間に電流を流すことで、電極間の熔融ガラスGが通電加熱されてもよく、また、通電加熱に加えてバーナーによる火焔を補助的に与えることで、ガラス原料が加熱されてもよい。
In the melting step S1, molten glass is produced by melting glass raw materials. The molten glass is stored in a melting tank and heated to have a desired temperature. The molten glass contains a fining agent. From the viewpoint of reducing the environmental load, tin oxide is suitably used as a fining agent.
In the melting tank 40, the glass raw material is heated and melted at a temperature according to its composition. Thereby, in the melting tank 40, the high temperature molten glass G of 1500 degreeC-1620 degreeC is obtained, for example. In the melting tank 40, the molten glass G between the electrodes may be energized and heated by passing an electric current between at least one pair of electrodes. In addition to the energization heating, a flame by the burner is supplementarily given. The glass raw material may be heated.

清澄工程S2では、移送管及び清澄管の内部を熔融ガラスが流れる。最初に、熔融ガラスの温度を上昇させる。清澄剤は、昇温により還元反応を起こして酸素を放出する。熔融ガラス中に含まれる泡は、放出した酸素を吸収して成長し、熔融ガラスの液面に浮上し、破泡して消滅する。次に、清澄工程S2では、熔融ガラスの温度を低下させる。これにより、還元された清澄剤は、酸化反応を起こして、熔融ガラス中に残存している酸素等のガス成分を吸収する。
具体的には、熔解槽40で得られた熔融ガラスGは、熔解槽40から移送管43aを通過して清澄管41に流入する。清澄管41および移送管43a,43b,43cは、白金あるいは白金合金である白金族金属製の管である。なお、白金族金属は、単一の白金族元素からなる金属、および、白金族元素からなる金属の合金を意味する。白金族元素は、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)およびイリジウム(Ir)の6元素である。白金族金属は、融点が高く、熔融ガラスに対する耐食性に優れている。清澄管41には、熔解槽40と同様に加熱手段が設けられている。また、少なくとも移送管43aにも加熱手段が設けられている。清澄工程S2では、熔融ガラスGがさらに昇温させられることで清澄される。例えば、清澄管41における熔融ガラスGの温度は、1600℃〜1720℃である。
清澄管41において清澄された熔融ガラスGは、清澄管41から移送管43bを通過して攪拌装置100に流入する。熔融ガラスGは、移送管43bを通過する際に冷却される。
In the clarification step S2, the molten glass flows inside the transfer tube and the clarification tube. First, the temperature of the molten glass is raised. The refining agent causes a reduction reaction with an increase in temperature to release oxygen. Bubbles contained in the molten glass grow by absorbing the released oxygen, rise to the liquid surface of the molten glass, break up and disappear. Next, in the refining step S2, the temperature of the molten glass is lowered. Thereby, the reduced fining agent causes an oxidation reaction and absorbs gas components such as oxygen remaining in the molten glass.
Specifically, the molten glass G obtained in the melting tank 40 passes through the transfer pipe 43 a from the melting tank 40 and flows into the clarification pipe 41. The clarification tube 41 and the transfer tubes 43a, 43b, and 43c are tubes made of platinum group metal that is platinum or a platinum alloy. The platinum group metal means a metal composed of a single platinum group element and a metal alloy composed of a platinum group element. The platinum group elements are six elements of platinum (Pt), palladium (Pd), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), osmium (Os) and iridium (Ir). Platinum group metals have a high melting point and are excellent in corrosion resistance to molten glass. The clarification tube 41 is provided with a heating means similar to the melting tank 40. At least the transfer pipe 43a is also provided with a heating means. In the clarification step S2, the molten glass G is clarified by further raising the temperature. For example, the temperature of the molten glass G in the clarification tube 41 is 1600 ° C to 1720 ° C.
The molten glass G clarified in the clarification tube 41 passes through the transfer tube 43b from the clarification tube 41 and flows into the stirring device 100. The molten glass G is cooled when passing through the transfer tube 43b.

攪拌工程S3では、清澄された熔融ガラスが攪拌されて、熔融ガラスの成分が均質化される。これにより、ガラス基板の脈理等の原因である熔融ガラスの組成ムラが低減される。均質化された熔融ガラスは、成形工程S4に送られる。
具体的には、攪拌装置100では、清澄管41を通過する熔融ガラスGの温度よりも低い温度で、熔融ガラスGが攪拌される。例えば、攪拌装置100において、熔融ガラスGの温度は、1250℃〜1450℃である。例えば、攪拌装置100において、熔融ガラスGの粘度は、500ポアズ〜1300ポアズである。熔融ガラスGは、攪拌装置100において攪拌されて均質化される。
攪拌装置100で均質化された熔融ガラスGは、攪拌装置100から移送管43cを通過して成形装置42に流入する。熔融ガラスGは、移送管43cを通過する際に、熔融ガラスGの成形に適した粘度となるように冷却される。例えば、熔融ガラスGは、1100〜1300℃まで冷却される。
In the stirring step S3, the clarified molten glass is stirred, and the components of the molten glass are homogenized. Thereby, the composition nonuniformity of the molten glass which is a cause of the striae etc. of a glass substrate is reduced. The homogenized molten glass is sent to the forming step S4.
Specifically, in the stirring device 100, the molten glass G is stirred at a temperature lower than the temperature of the molten glass G passing through the clarification tube 41. For example, in the stirring device 100, the temperature of the molten glass G is 1250 ° C to 1450 ° C. For example, in the stirring device 100, the viscosity of the molten glass G is 500 poise to 1300 poise. The molten glass G is stirred and homogenized in the stirring device 100.
The molten glass G homogenized by the stirrer 100 flows from the stirrer 100 through the transfer pipe 43 c and flows into the molding device 42. When the molten glass G passes through the transfer tube 43c, it is cooled so as to have a viscosity suitable for forming the molten glass G. For example, the molten glass G is cooled to 1100 to 1300 ° C.

成形工程S4では、オーバーフローダウンドロー法またはフロート法によって、熔融ガラスからシートガラスが連続的に成形される。
具体的には、成形装置42に流入した熔融ガラスGは、成形炉(図示せず)の内部に設置されている成形体52に供給される。成形体52の上面には、成形体52の長手方向に沿って溝が形成されている。熔融ガラスGは、成形体52の上面の溝に供給される。溝から溢れた熔融ガラスGは、成形体52の一対の側面を伝って下方へ流下する。成形体52の側面を流下した一対の熔融ガラスGは、成形体52の下端で合流して、シートガラスGRが連続的に成形される。
In the forming step S4, the sheet glass is continuously formed from the molten glass by the overflow downdraw method or the float method.
Specifically, the molten glass G that has flowed into the molding apparatus 42 is supplied to a molded body 52 installed inside a molding furnace (not shown). A groove is formed on the upper surface of the molded body 52 along the longitudinal direction of the molded body 52. The molten glass G is supplied to the groove on the upper surface of the molded body 52. The molten glass G overflowing from the groove flows down along the pair of side surfaces of the molded body 52. A pair of molten glass G which flowed down the side surface of the molded body 52 joins at the lower end of the molded body 52, and the sheet glass GR is continuously molded.

徐冷工程S5では、成形工程S4で連続的に成形されたシートガラスが所望の厚みを有し、かつ、歪みおよび反りが生じないように徐々に冷却される。
切断工程S6では、徐冷工程S5で徐冷されたシートガラスが所定の長さに切断されて、ガラスシートが得られる。ガラスシートは、さらに、所定のサイズに切断されて、ガラス基板が得られる。
In the slow cooling step S5, the sheet glass continuously formed in the forming step S4 has a desired thickness and is gradually cooled so as not to be distorted and warped.
In cutting process S6, the sheet glass annealed in slow cooling process S5 is cut | disconnected by predetermined length, and a glass sheet is obtained. The glass sheet is further cut into a predetermined size to obtain a glass substrate.

このように、本実施形態のガラス基板の製造方法は、ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、ガラス処理装置において熔融ガラスを処理する処理工程、例えば清澄装置において熔融ガラスを清澄する清澄工程と、を有する。ガラス処理装置は、熔融ガラスが流れる液相と、熔融ガラスの液面と壁から形成される気相空間とを有し、気相空間を囲む壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されている。
以下、ガラス処理装置として清澄管41を含んだ清澄装置を用いて説明するが、ガラス処理装置は、熔解槽40と成形装置42との間に設けられ、熔融ガラスGに所定の処理をする装置である限りにおいて、特に制限されない。ガラス処理装置は、清澄装置の他に、例えば攪拌装置、あるいは熔融ガラスを移送する移送管を対象とすることもできる。したがって、熔融ガラスGの処理は、熔融ガラスを清澄する処理の他に、熔融ガラスを均質化する処理、熔融ガラスを移送する処理等を含む。
As described above, the glass substrate manufacturing method of the present embodiment includes a melting step of melting glass raw material to produce a molten glass, and a processing step of processing the molten glass in the glass processing device, for example, a molten glass in a clarification device. A clarification step of clarification. The glass processing apparatus has a liquid phase in which a molten glass flows, a gas phase space formed by a liquid surface and a wall of the molten glass, and at least a part of the wall surrounding the gas phase space is a material containing a platinum group metal. It is configured.
Hereinafter, although it demonstrates using the clarification apparatus containing the clarification pipe | tube 41 as a glass processing apparatus, a glass processing apparatus is provided between the melting tank 40 and the shaping | molding apparatus 42, and is an apparatus which performs predetermined processing to the molten glass G As long as it is, it is not particularly limited. In addition to the refining device, the glass processing device can be, for example, a stirring device or a transfer pipe for transferring molten glass. Therefore, the process of the molten glass G includes the process of homogenizing the molten glass, the process of transferring the molten glass, and the like in addition to the process of clarifying the molten glass.

(ガラス基板の適用例)
本実施形態のガラス基板の製造方法によって製造されるガラス基板は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ(FPD)用のガラス基板やディスプレイを保護するカバーガラスとして、特に適している。FPD用のガラス基板としては、無アルカリガラス、または、アルカリ微量含有ガラスが用いられる。FPD用のガラス基板は、高温時における粘性が高い。例えば、102.5ポアズの粘性を有する熔融ガラスの温度は、1500℃以上である。
(Application example of glass substrate)
The glass substrate manufactured by the glass substrate manufacturing method of the present embodiment is particularly suitable as a glass substrate for a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display, a plasma display, and an organic EL display and a cover glass for protecting the display. Yes. As the glass substrate for FPD, non-alkali glass or alkali-containing glass is used. A glass substrate for FPD has high viscosity at high temperatures. For example, the temperature of the molten glass having a viscosity of 10 2.5 poise is 1500 ° C. or higher.

(ガラス組成)
熔解槽40では、図示されない加熱手段によりガラス原料が熔解され、熔融ガラスGが生成される。ガラス原料は、所望の組成のガラスを実質的に得ることができるように調製される。ガラスの組成の一例として、FPD用のガラス基板として好適な無アルカリガラスは、SiO:50質量%〜70質量%、Al:0質量%〜25質量%、B:0質量%〜15質量%、MgO:0質量%〜10質量%、CaO:0質量%〜20質量%、SrO:0質量%〜20質量%、BaO:0質量%〜10質量%を含有する。ここで、MgO、CaO、SrOおよびBaOの合計の含有量は、5質量%〜30質量%である。
(Glass composition)
In the melting tank 40, the glass raw material is melted by heating means (not shown), and molten glass G is generated. The glass raw material is prepared so that a glass having a desired composition can be substantially obtained. As an example of the glass composition, non-alkali glass suitable as a glass substrate for FPD is SiO 2 : 50 mass% to 70 mass%, Al 2 O 3 : 0 mass% to 25 mass%, B 2 O 3 : 0. Mass% to 15 mass%, MgO: 0 mass% to 10 mass%, CaO: 0 mass% to 20 mass%, SrO: 0 mass% to 20 mass%, BaO: 0 mass% to 10 mass%. Here, the total content of MgO, CaO, SrO and BaO is 5% by mass to 30% by mass.

また、FPD用のガラス基板として、アルカリ金属を微量含むアルカリ微量含有ガラスを用いてもよい。アルカリ微量含有ガラスは、成分として、0.1質量%〜0.5質量%のR’Oを含み、好ましくは、0.2質量%〜0.5質量%のR’Oを含む。ここで、R’は、Li、NaおよびKから選択される少なくとも1種である。なお、R’Oの含有量の合計は、0.1質量%未満であってもよい。 Moreover, you may use the alkali trace amount glass which contains a trace amount of alkali metals as a glass substrate for FPD. Alkaline trace containing glass, as component, 'comprises 2 O, preferably, 0.2 wt% to 0.5 wt% R' of R 0.1 wt% to 0.5 wt% including the 2 O. Here, R ′ is at least one selected from Li, Na and K. The total content of R ′ 2 O may be less than 0.1% by mass.

本発明によって製造されるガラスは、上記成分に加えて、SnO:0.01質量%〜1質量%(好ましくは、0.01質量%〜0.5質量%)、Fe:0質量%〜0.2質量%(好ましくは、0.01質量%〜0.08質量%)をさらに含有してもよい。また、本発明によって製造されるガラスは、環境負荷を考慮して、As、SbおよびPbOを実質的に含有しない。 In addition to the above components, the glass produced according to the present invention includes SnO 2 : 0.01% by mass to 1% by mass (preferably 0.01% by mass to 0.5% by mass), Fe 2 O 3 : 0. You may further contain mass%-0.2 mass% (preferably 0.01 mass%-0.08 mass%). The glass produced by the present invention, in consideration of the environmental load, substantially free of As 2 O 3, Sb 2 O 3 , and PbO.

(清澄管の構成)
次に、清澄装置の清澄管41の構成について詳細に説明する。なお、清澄装置は、清澄管41の他に、通気管41a、加熱電極41b、及び、清澄管41の外周を囲む図示されない耐火物保護層及び耐火物レンガを含む。図3は、清澄管41を主に表す外観図である。図4は、清澄管41の長手方向における概略断面図である。
(Configuration of clarification tube)
Next, the structure of the clarification pipe | tube 41 of a clarification apparatus is demonstrated in detail. In addition to the clarification pipe 41, the clarification apparatus includes a vent pipe 41a, a heating electrode 41b, and a refractory protective layer (not shown) and a refractory brick that surround the outer periphery of the clarification pipe 41. FIG. 3 is an external view mainly showing the clarification tube 41. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view in the longitudinal direction of the clarification tube 41.

清澄管41には、通気管41a、および、一対の加熱電極41bが取り付けられている。清澄管41は、その内部に、熔融ガラスGが流れる液相と、熔融ガラスGの液面LSと清澄管41の壁から形成される気相空間41cを有する。気相空間41cは、熔融ガラスGの流れの方向に沿って形成されている。気相空間41cを囲む壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されている。本実施形態では、気相空間41cを囲む壁全体が白金族金属を含む材料で構成されている。   A ventilation pipe 41a and a pair of heating electrodes 41b are attached to the clarification pipe 41. The clarification tube 41 has a gas phase space 41 c formed therein from the liquid phase in which the molten glass G flows, the liquid level LS of the molten glass G, and the wall of the clarification tube 41. The gas phase space 41 c is formed along the flow direction of the molten glass G. At least a part of the wall surrounding the gas phase space 41c is made of a material containing a platinum group metal. In the present embodiment, the entire wall surrounding the gas phase space 41c is made of a material containing a platinum group metal.

通気管41aは、熔融ガラスGが流れる方向の途中であり、気相空間41cと接する壁に設けられ、気相空間41cと清澄管41の外側の大気とを連通させる。通気管41aは、清澄管41と同様に、白金族金属で成形されることが好ましい。通気管41aは放熱機能により、通気管41aの温度が低下し易いので、通気管41aを加熱するための加熱機構を設けてもよい。   The vent pipe 41a is provided in the middle of the direction in which the molten glass G flows and is provided on a wall in contact with the gas phase space 41c, and communicates the gas phase space 41c with the atmosphere outside the clarification tube 41. The vent pipe 41a is preferably formed of a platinum group metal, like the clarification pipe 41. Since the temperature of the vent pipe 41a is likely to decrease due to the heat dissipation function, the vent pipe 41a may be provided with a heating mechanism for heating the vent pipe 41a.

一対の加熱電極41bは、清澄管41aの両端に設けられたフランジ形状の電極板である。加熱電極41bは、図示されない電源から供給される電流を清澄管41に流し、この電流により、清澄管41は通電加熱される。清澄剤として酸化スズを用いる場合、例えば清澄管41は最高温度が1600℃〜1750℃、より好ましくは1630℃〜1750℃となるように加熱され、熔融ガラスGは最高温度が酸化スズの還元反応が起こる温度、例えば1600℃〜1720℃、より好ましくは1620℃〜1720℃に加熱される。清澄管41を流れる電流を制御することで、清澄管41の内部を流れる熔融ガラスGの温度を制御することができる。加熱電極41bには、加熱電極41bの過熱による破損を抑制するために、加熱電極41bに接触するように冷却管(図示せず)が設けられている。加熱電極41bが冷却管により冷却されると、加熱電極41b近傍の清澄管41a及び気相空間41cも冷却される。このため、加熱電極41bの近傍では、温度が低くなる領域が形成される。この温度が低い領域では、揮発物の凝集が起きやすくなる。ここで、近傍とは、所定の位置(ここでは加熱電極41bの位置)から例えば50cmの範囲内を意味する。
加熱電極41bは清澄管41に一対設けられるが、清澄管41の数は特に制限されない。加熱電極41bによる通電加熱により、清澄管41の気相空間41cと接する壁の温度は、例えば1500〜1750℃の範囲にある。
The pair of heating electrodes 41b are flange-shaped electrode plates provided at both ends of the clarification tube 41a. The heating electrode 41b allows a current supplied from a power source (not shown) to flow through the clarification tube 41, and the clarification tube 41 is energized and heated by this current. When tin oxide is used as the fining agent, for example, the fining tube 41 is heated so that the maximum temperature is 1600 ° C to 1750 ° C, more preferably 1630 ° C to 1750 ° C, and the molten glass G has a maximum temperature reduction reaction of tin oxide. For example, 1600 ° C. to 1720 ° C., more preferably 1620 ° C. to 1720 ° C. By controlling the current flowing through the clarification tube 41, the temperature of the molten glass G flowing inside the clarification tube 41 can be controlled. The heating electrode 41b is provided with a cooling pipe (not shown) so as to be in contact with the heating electrode 41b in order to suppress damage due to overheating of the heating electrode 41b. When the heating electrode 41b is cooled by the cooling pipe, the clarification pipe 41a and the gas phase space 41c in the vicinity of the heating electrode 41b are also cooled. For this reason, the area | region where temperature becomes low is formed in the vicinity of the heating electrode 41b. In the region where the temperature is low, volatiles tend to aggregate. Here, the vicinity means, for example, within a range of 50 cm from a predetermined position (here, the position of the heating electrode 41b).
Although a pair of heating electrodes 41b are provided in the clarification tube 41, the number of clarification tubes 41 is not particularly limited. The temperature of the wall in contact with the gas phase space 41c of the clarification tube 41 by energization heating by the heating electrode 41b is, for example, in the range of 1500 to 1750 ° C.

清澄管41の内部では、熔融ガラスGに添加されている清澄剤、例えば酸化スズの酸化還元反応によって、熔融ガラスGに含まれるCOまたはSOを含む泡が除去される。具体的には、最初に、熔融ガラスGの温度を上げて、清澄剤を還元させることにより、酸素の泡を熔融ガラスG中に発生させる。熔融ガラスG中に含まれるCO、N、SO等の気体成分を含む泡は、清澄剤の還元反応によって生じた酸素を吸収する。酸素を吸収して成長した泡は、熔融ガラスGの液面に浮上し泡を放出する、すなわち破泡して消滅する。消滅した泡に含まれていたガスは、気相空間41cに放出され、通気管41aを経由して清澄管41の外部に排出される。次に、熔融ガラスGの温度を下げて、還元された清澄剤を酸化させる。これにより、熔融ガラスG中に残留する泡の酸素が熔融ガラスGに吸収される(吸収処理)。こうして、残存する泡は小さくなり消滅する。このように、清澄剤の酸化還元反応によって、熔融ガラスGに含まれる泡が除去される。 Inside the clarification tube 41, bubbles containing CO 2 or SO 2 contained in the molten glass G are removed by a redox agent added to the molten glass G, for example, an oxidation-reduction reaction of tin oxide. Specifically, first, the temperature of the molten glass G is raised to reduce the fining agent, thereby generating oxygen bubbles in the molten glass G. Bubbles containing gaseous components such as CO 2 , N 2 and SO 2 contained in the molten glass G absorb oxygen generated by the reductive reaction of the clarifying agent. The bubbles that have grown by absorbing oxygen float on the liquid surface of the molten glass G and release the bubbles, that is, they disappear and disappear. The gas contained in the extinguished bubbles is discharged into the gas phase space 41c and discharged to the outside of the clarification tube 41 through the vent tube 41a. Next, the temperature of the molten glass G is lowered to oxidize the reduced fining agent. Thereby, the oxygen of the bubble which remains in the molten glass G is absorbed by the molten glass G (absorption process). Thus, the remaining bubbles are reduced and disappear. In this way, bubbles contained in the molten glass G are removed by the oxidation-reduction reaction of the clarifying agent.

図示されていないが、清澄管41の外壁面には耐火物保護層が設けられる。耐火物保護層の外側には、さらに、耐火物レンガが設けられる。耐火物レンガは、基台(図示せず)に載置されている。   Although not shown, a refractory protective layer is provided on the outer wall surface of the clarification tube 41. A refractory brick is further provided outside the refractory protective layer. The refractory brick is placed on a base (not shown).

清澄管41の外壁側には、気相空間41c内の粉塵量を制御するための集塵装置44が設けられる。集塵装置44は、例えば、気体を吸引するパイプ44a、吸引した気体に含まれる粉塵を吸着するフィルタ、粉塵センサ等を備える。集塵装置44は、パイプ44aから気相空間41cの気体を吸引し、気相空間41cの気体に含まれる異物な粉塵を吸着することにより、気相空間41c内の粉塵量を制御する。気相空間41c内の集塵量が多い、つまり、気相空間41c内に多数の異物粉塵の粒子が存在すると、この異物粉塵を核として、揮発した白金族金属が凝集する。ここで、異物粉塵とは、耐火物、耐火物レンガなどから発生する、アルミナ、ジルコニア、ジルコンの一種など、あるいは、熔融ガラスからの揮発物である、酸化錫、ホウ酸など、又は、それらの組み合わせからなる微粒子であって、空気中に漂う微粒子、壁に付着した微粒子をいう。ただし、本件の主張から逸脱しない範囲で、他の成分を含んでも良い。本実施形態では、清澄管41の気相空間41c内において白金族金属の凝集を抑制するように、気相空間41c内の粉塵量が制御されている。気相空間41c内の粉塵量を制御することにより、清澄管41の内壁等に白金族金属が凝集するのを抑制することができる。この点は、後述する。なお、気相空間41c内の粉塵量を制御する方法、清澄管41の内壁に付着した粉塵を除去する方法は、公知の方法を用いることができる。また、パイプ44aは、通気管41aは放熱機能により、パイプ44aの温度が低下し易いので、通気管41aと同様に、パイプ44aを加熱するための加熱機構を設けてもよい。また、通気管41aの中にパイプ44aを入れるのではなく、通気管41aの先にパイプ44aを連結させ、通気管41a全体から集塵を行ってもよい。また、通気管41a、もしくは清澄管41aの壁に空けられた別の通気口から、清浄な空気を流入させることにより、粉塵を除去する効果を高めても良い。この場合に流入させる気体は、空気だけに限らず、例えば窒素、酸素、アルゴン、その混合気体、その他の清浄な気体であってもよい。また、別の形態の方法として、パイプ44aを用いず、清澄管41の設置されている部屋全体の粉塵量を、集塵装置44によって制御することによって、間接的に清澄管41内の粉塵量を制御する方法を用いてもよい。気相空間41cと清澄管41の外部(清澄管41が設置された部屋)とは通気管41aにより通じているため、清澄管41の外部の粉塵量を低減することにより、気相空間41c内の粉塵量を低減することができる。この場合においても、気相空間41c内の粉塵量を制御する方法、気相空間41cを集塵する方法は、公知の方法を用いることができる。   A dust collecting device 44 for controlling the amount of dust in the gas phase space 41 c is provided on the outer wall side of the clarification tube 41. The dust collector 44 includes, for example, a pipe 44a that sucks gas, a filter that adsorbs dust contained in the sucked gas, a dust sensor, and the like. The dust collector 44 controls the amount of dust in the gas phase space 41c by sucking the gas in the gas phase space 41c from the pipe 44a and adsorbing foreign dust contained in the gas in the gas phase space 41c. If the amount of dust in the gas phase space 41c is large, that is, if a large number of particles of foreign matter dust exist in the gas phase space 41c, the volatilized platinum group metal aggregates with the foreign matter dust as a nucleus. Here, foreign dust is generated from refractories, refractory bricks, etc., alumina, zirconia, a kind of zircon, etc., or volatiles from molten glass, such as tin oxide, boric acid, etc. Fine particles that are a combination of fine particles floating in the air and adhering to the walls. However, other components may be included without departing from the assertion of the present case. In the present embodiment, the amount of dust in the gas phase space 41 c is controlled so as to suppress the aggregation of the platinum group metal in the gas phase space 41 c of the clarification tube 41. By controlling the amount of dust in the gas phase space 41c, it is possible to prevent the platinum group metal from aggregating on the inner wall of the clarification tube 41 or the like. This point will be described later. As a method for controlling the amount of dust in the gas phase space 41c and a method for removing dust adhering to the inner wall of the clarification tube 41, known methods can be used. Further, the pipe 44a may be provided with a heating mechanism for heating the pipe 44a in the same manner as the vent pipe 41a because the temperature of the pipe 44a is likely to decrease due to the heat radiation function of the vent pipe 41a. Alternatively, the pipe 44a may be connected to the tip of the vent pipe 41a instead of putting the pipe 44a into the vent pipe 41a, and dust may be collected from the entire vent pipe 41a. Further, the effect of removing dust may be enhanced by flowing clean air from the ventilation pipe 41a or another ventilation hole opened in the wall of the clarification pipe 41a. In this case, the gas to be introduced is not limited to air, but may be, for example, nitrogen, oxygen, argon, a mixed gas thereof, or other clean gas. As another form of method, the amount of dust in the clarification tube 41 is indirectly controlled by controlling the amount of dust in the entire room where the clarification tube 41 is installed without using the pipe 44a. You may use the method of controlling. Since the gas phase space 41c and the outside of the clarification tube 41 (the room in which the clarification tube 41 is installed) are communicated with each other through the ventilation tube 41a, the amount of dust outside the clarification tube 41 is reduced, so that the inside of the gas phase space 41c The amount of dust can be reduced. Also in this case, a known method can be used as a method for controlling the amount of dust in the gas phase space 41c and a method for collecting the dust in the gas phase space 41c.

このような清澄工程では、気相空間41cの空間、及び、気相空間41cを形成する清澄管41の壁において、熔融ガラスGの流れの方向である上流方向あるいは下流方向に沿って温度勾配を有する温度勾配領域が形成される。この温度勾配領域は、清澄管41の加熱及び放熱の少なくとも一方を用いて形成される。この温度勾配領域において温度の高い領域では、熔融ガラスから揮発する酸化錫などの量が多くなる。本実施形態において、気相空間41cの温度の高い領域は、加熱電極41b及び通気管41aから離れた領域である。図5は、清澄管41のX方向の位置に合わせて表した清澄管41の温度プロファイル(清澄管41の気相空間41cと接する壁のX方向の温度プロファイル)の一例を示している。温度プロファイルでは、清澄管41の熔融ガラスGの流入する側の端41dと通気管41aとの間で、温度が最高温度となっている。この最高温度の位置Pから、清澄管41の端41dに向かって温度が低下する温度勾配が形成されている。同様に、最高温度の位置Pから、通気管41aのX方向の位置に向かって温度が低下する温度勾配が形成されている。また、温度勾配領域は、図示されないが、上記以外に、通気管41aのX方向の位置と清澄管41の熔融ガラスGの流出する側の端41eとの間にも形成されている。清澄管41の温度と気相空間41cの温度とは相関関係があるため、気相空間41cの温度プロファイルは、清澄管41の温度プロファイルと同様の温度プロファイルが形成される。ここで、加熱電極41b及び通気管41a付近では温度の低い領域41f、41gが形成されるため、酸化錫などの熔融ガラスからの揮発物の再結晶化が起こりやすい。このため、気相空間41cにおいて、加熱電極41b及び通気管41a付近に、温度の低い領域41f、41g、つまり、熔融ガラスからの揮発物に起因する異物粉塵の数が多く、白金揮発物の凝集が起きやすい領域が形成される。特に通気管41a付近は外部空間と繋がっているために、耐火物や耐火物レンガに起因する異物粉塵の流入量も多い。従って、この異物粉塵の数が多く、白金族金属の揮発物の凝集が起きやすい領域の粉塵量を低減させることにより、白金族金属の揮発物が気相空間41c内で凝集すること抑制できる。   In such a clarification step, a temperature gradient is provided along the upstream or downstream direction, which is the flow direction of the molten glass G, in the space of the gas phase space 41c and the wall of the clarification tube 41 forming the gas phase space 41c. A temperature gradient region is formed. This temperature gradient region is formed using at least one of heating and heat dissipation of the clarification tube 41. In the temperature gradient region where the temperature is high, the amount of tin oxide volatilized from the molten glass increases. In the present embodiment, the high temperature region of the gas phase space 41c is a region away from the heating electrode 41b and the vent pipe 41a. FIG. 5 shows an example of the temperature profile of the clarification tube 41 (the temperature profile of the wall in contact with the gas phase space 41c of the clarification tube 41 in the X direction) expressed in accordance with the position of the clarification tube 41 in the X direction. In the temperature profile, the temperature is the highest between the end 41d of the clarification tube 41 on the side where the molten glass G flows and the vent tube 41a. A temperature gradient is formed such that the temperature decreases from the highest temperature position P toward the end 41 d of the clarification tube 41. Similarly, a temperature gradient is formed in which the temperature decreases from the highest temperature position P toward the position of the vent pipe 41a in the X direction. In addition to the above, the temperature gradient region is also formed between the position in the X direction of the ventilation tube 41a and the end 41e of the clarification tube 41 on the side where the molten glass G flows out. Since the temperature of the clarification tube 41 and the temperature of the gas phase space 41 c have a correlation, the temperature profile of the gas phase space 41 c is the same as the temperature profile of the clarification tube 41. Here, since the low temperature regions 41f and 41g are formed in the vicinity of the heating electrode 41b and the vent pipe 41a, recrystallization of volatiles from molten glass such as tin oxide is likely to occur. For this reason, in the gas phase space 41c, in the vicinity of the heating electrode 41b and the vent pipe 41a, the low temperature regions 41f and 41g, that is, the number of foreign particles due to the volatile matter from the molten glass is large, and the aggregation of the platinum volatile matter A region where susceptibility is likely to occur is formed. In particular, since the vicinity of the vent pipe 41a is connected to the external space, there is a large amount of foreign matter inflow due to the refractory and the refractory bricks. Therefore, by reducing the amount of dust in a region where the number of foreign dusts is large and aggregation of platinum group metal volatiles is likely to occur, it is possible to suppress aggregation of platinum group metal volatiles in the gas phase space 41c.

図6は、異物粉塵(例えば、レンガ屑の粉塵)を核として揮発した白金族金属が凝集することを説明するための模式的な図である。揮発した白金族金属(Pt)は、気相空間41cにあるレンガ屑の粉塵(D)に触れると、レンガ屑の粉塵を核として、白金族金属の固体が析出する。この白金族金属の析出物に、さらに揮発した白金族金属が吸着し、析出物が成長することによって、気相空間41cにおいて白金族金属の凝集物が形成される。また、気相空間41c内の異物粉塵が多い場合、気相空間41cの内壁にも多数の異物粉塵が付着している。揮発した白金族金属は、気相空間41cの内壁に付着した異物粉塵を核として、白金族金属の凝集物を生成する。気相空間41cの内壁に形成された白金族金属の凝集物が剥がれ落ちて、熔融ガラスMに落下すると、熔融ガラスGに白金族金属の異物が混入することとなる。一般に、例えばレンガ屑などの異物との界面では、白金族金属の析出は起こりやすい。よって、異物粉塵と気相との界面の面積が大きいと、生成する白金揮発物の凝集物の数は多くなる。このため、白金揮発物の凝集を抑制するためには、気相に接する界面の面積を小さくする必要がある。異物粉塵の数を減らして、異物粉塵と白金揮発物との界面の総面積を小さくすることで、白金揮発物の凝集を抑制できる。また、異物粉塵の粒径を小さくする、つまり、粒径が大きい異物粉塵を除去することにより、気相に接する界面の面積を減らし、白金揮発物の凝集を抑制することができる。界面の総面積Sは、異物粉塵が球体であり、異物粉塵の平均粒径がrの場合、一つの異物粉塵における界面の面積4π(r/2)に、異物粉塵の数nを乗じて求められため、S=n×πrとなる。従って、本実施形態では、集塵装置44を用いて気相空間41c内の異物集塵を除去することにより、異物粉塵の数nを減らし、また、粒径の大きな異物粉塵を除去して異物粉塵の平均粒径rを小さくすることにより、白金族金属の揮発物の凝集を抑制する。 FIG. 6 is a schematic diagram for explaining that the platinum group metal volatilized using foreign dust (for example, brick dust) as a nucleus aggregates. When the volatilized platinum group metal (Pt) touches the brick dust (D) in the gas phase space 41c, a platinum group metal solid is deposited using the brick dust as a nucleus. Volatilized platinum group metal is further adsorbed on the platinum group metal precipitates, and the precipitates grow, whereby aggregates of platinum group metals are formed in the gas phase space 41c. In addition, when there is a large amount of foreign matter dust in the gas phase space 41c, a large number of foreign matter dust is also attached to the inner wall of the gas phase space 41c. The volatilized platinum group metal generates aggregates of the platinum group metal with the foreign dust adhering to the inner wall of the gas phase space 41c as a nucleus. When the aggregate of platinum group metal formed on the inner wall of the gas phase space 41 c peels off and falls onto the molten glass M, the foreign material of the platinum group metal is mixed into the molten glass G. In general, platinum group metal is likely to precipitate at an interface with a foreign object such as brick scrap. Therefore, when the area of the interface between the foreign dust and the gas phase is large, the number of aggregates of platinum volatiles to be generated increases. For this reason, in order to suppress aggregation of platinum volatiles, it is necessary to reduce the area of the interface in contact with the gas phase. Aggregation of platinum volatiles can be suppressed by reducing the number of foreign particles and reducing the total area of the interface between foreign particles and platinum volatiles. Further, by reducing the particle size of the foreign dust, that is, by removing the foreign dust having a large particle size, the area of the interface in contact with the gas phase can be reduced, and aggregation of platinum volatiles can be suppressed. When the foreign particle dust is a sphere and the average particle size of the foreign particle dust is r, the total area S of the interface is obtained by multiplying the area 4π (r / 2) 2 of the single foreign particle by the number n of the foreign particle dust. Therefore, S = n × πr 2 is obtained. Therefore, in the present embodiment, the dust collection device 44 is used to remove foreign matter dust in the gas phase space 41c, thereby reducing the number n of foreign matter dust and removing foreign matter dust having a large particle size to remove foreign matter. By reducing the average particle size r of the dust, aggregation of platinum group metal volatiles is suppressed.

本実施形態では、白金族金属が揮発する温度として気相空間41cの温度が例えば1400℃以上において、集塵装置44を用いて、気相空間41cにある粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が3000000個/L以下、及び、粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が300000個/L以下の環境になるよう気相空間41cを集塵する。これにより、異物集塵を核として白金揮発物が凝集するのを抑制でき、熔融ガラスGに白金族金属の凝集物である異物が混入すること防ぐことができる。   In the present embodiment, when the temperature of the gas phase space 41c is, for example, 1400 ° C. or more as the temperature at which the platinum group metal volatilizes, the particle size in the gas phase space 41c is 0.3 μm or more to less than 5 μm using the dust collector 44. The gas phase space 41c is collected so that the number of foreign particles is 3000000 / L or less and the number of foreign particles having a particle diameter of 5 μm to less than 300 μm is 300000 / L. Thereby, it is possible to suppress the aggregation of platinum volatiles by using foreign matter dust as a nucleus, and it is possible to prevent foreign matters that are aggregates of platinum group metals from being mixed into the molten glass G.

本実施形態に係る製造方法は、白金族合金製の清澄管41において、酸化スズを清澄剤として使用する場合に、特に効果的である。近年、環境負荷の観点から、Asの替わりに酸化スズが清澄剤として用いられる。酸化スズを使用する場合、Asを使用する場合よりも、清澄管41において熔融ガラスGをより高温にする必要があるため、白金族金属の揮発の問題が顕著になる。そして、白金族金属の揮発が促進されると、清澄管41の内壁および通気管41aの内壁に白金族金属の揮発物が異物として凝集し付着しやすくなる。清澄管41において熔融ガラスGがより高温になると、酸化錫揮発物も多くなる。このため、気相空間41cにおいて集塵し、核となる酸化錫揮発物の数を低減させることにより、白金族金属の揮発物の凝集を抑制することができるため、本実施形態の製造方法は効果的である。また、気相空間41c内の粉塵量を低減することで、清澄管41の内壁等に白金族金属が凝集するのを抑制できるため、清澄管41の構造を変更することなく、簡便に実施することができる。 The production method according to the present embodiment is particularly effective when tin oxide is used as a fining agent in the fining tube 41 made of a platinum group alloy. In recent years, tin oxide is used as a refining agent instead of As 2 O 3 from the viewpoint of environmental burden. When tin oxide is used, the molten glass G needs to be heated to a higher temperature in the clarification tube 41 than when As 2 O 3 is used, and thus the problem of volatilization of the platinum group metal becomes significant. When the volatilization of the platinum group metal is promoted, the volatiles of the platinum group metal are easily aggregated and adhered to the inner wall of the clarification tube 41 and the inner wall of the ventilation tube 41a. When the molten glass G becomes higher temperature in the clarification tube 41, the tin oxide volatiles also increase. For this reason, since the aggregation of platinum group metal volatiles can be suppressed by collecting the dust in the gas phase space 41c and reducing the number of tin oxide volatiles serving as nuclei, the manufacturing method of this embodiment is effective. It is. Moreover, since it can suppress that a platinum group metal aggregates on the inner wall etc. of the clarification pipe | tube 41 by reducing the dust amount in the gaseous-phase space 41c, it implements simply, without changing the structure of the clarification pipe | tube 41. be able to.

本実施形態の製造方法は、FPD用ガラス基板の製造、ディスプレイを保護するカバーガラスの製造、磁気ディスク用ガラスの製造、あるいは太陽電池用ガラス基板の製造において適用することができる。特に、本実施形態の製造方法は、白金族金属で構成した清澄管41において、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイおよび有機ELディスプレイ等のFPD用ガラス基板の製造に好適なガラス原料から生成される熔融ガラスを清澄する場合に効果的である。
清澄管41では、熔融ガラスGの粘度を、熔融ガラスGに含まれる泡が液面に浮上しやすい値に調節することにより、熔融ガラスGが清澄される。しかし、FPD用ガラス基板に好適な無アルカリガラスおよびアルカリ微量含有ガラスは、高温時において高い粘度を有する。例えば、無アルカリガラスおよびアルカリ微量含有ガラスを成形するために用いる熔融ガラスGは、粘度が102.5poiseである場合に、1500℃以上の温度を有する。そのため、清澄工程において、熔融ガラスの温度を、通常のアルカリガラスの熔融ガラスの温度に比べて高くする必要があるため、上述した白金族金属の揮発の問題が顕著になる。そして、白金族金属の揮発が促進されると、清澄管41の内壁および通気管41aの内壁に白金族金属の凝集物が異物として付着しやすくなる。この点で、本実施形態の製造方法は効果的である。
The production method of the present embodiment can be applied in the production of a glass substrate for FPD, the production of a cover glass for protecting a display, the production of glass for a magnetic disk, or the production of a glass substrate for a solar cell. In particular, the manufacturing method of the present embodiment uses molten glass produced from a glass raw material suitable for manufacturing a glass substrate for FPD such as a liquid crystal display, a plasma display, and an organic EL display in a clarification tube 41 made of a platinum group metal. It is effective when clarifying.
In the clarification tube 41, the molten glass G is clarified by adjusting the viscosity of the molten glass G to a value at which bubbles contained in the molten glass G can easily float on the liquid surface. However, non-alkali glass and glass containing a small amount of alkali suitable for a glass substrate for FPD have high viscosity at high temperatures. For example, the molten glass G used to mold the alkali-free glass and the alkali-containing glass has a temperature of 1500 ° C. or higher when the viscosity is 10 2.5 poise. Therefore, in the clarification step, it is necessary to increase the temperature of the molten glass as compared with the temperature of a normal alkali glass molten glass, so that the above-described problem of volatilization of the platinum group metal becomes remarkable. When the volatilization of the platinum group metal is promoted, the aggregates of the platinum group metal are likely to adhere to the inner wall of the clarification tube 41 and the inner wall of the ventilation tube 41a as foreign matter. In this respect, the manufacturing method of the present embodiment is effective.

以下に、実施例により本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. In addition, this invention is not limited to a following example.

(実施例1)
清澄剤として酸化錫を用い、図3に示す清澄管41を用いて、熔融ガラスの清澄を行うとともに、上記実施形態の集塵量調整を行い、清澄後、2270mm×2000mmであり、厚さが0.5mmのシートガラスに成形し、100枚のガラス基板を作成した(実施例)。
清澄管41の気相空間41cの粉塵量の調整は、上記の集塵装置44を用いて、パイプ44aから気相空間41cの気体を吸引し、気相空間41cの気体に含まれる粉塵を除去することにより行った。気相空間41cの温度が1400℃以上になるよう設定し、気相空間41cの粉塵量を調整し、ガラス基板の白金異物の有無を、目視で確認した。気相空間41cの粉塵量が、(1)粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が3000000個/L超〜10000000個/L以下であって粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が300000個/L超〜1000000個/L以下の場合の環境、(2)粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が1000000個/L超〜3000000個/L以下であって粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が10000個/L超〜300000個/L以下の場合の環境、(3)粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が300000個/L超〜1000000個/L以下であって粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が1000個/L超〜10000個/L以下の場合の環境、(4)粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が300000個/L以下であって粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が1000個/L以下の場合の環境となるように調整した。また、粒径400μm程度の異物粉塵の数が2000000個/L程度の環境となるように調整した。また、ガラス基板のガラス組成は、SiO 66.6モル%、Al 10.6モル%、B 11.0モル%、MgO,CaO,SrO及びBaOの合量 11.4モル%であり、歪点は660℃、粘度が102.5ポアズであるときの熔融ガラスの温度は1570℃であった。
Example 1
Using tin oxide as a fining agent and clarifying the molten glass using the fining tube 41 shown in FIG. 3, adjusting the dust collection amount of the above embodiment, and after fining, the thickness is 2270 mm × 2000 mm, and the thickness is The glass sheet was formed into 0.5 mm sheet glass to prepare 100 glass substrates (Examples).
The amount of dust in the gas phase space 41c of the clarification tube 41 is adjusted by using the dust collector 44 to suck the gas in the gas phase space 41c from the pipe 44a and remove the dust contained in the gas in the gas phase space 41c. It was done by doing. The temperature of the gas phase space 41c was set to 1400 ° C. or higher, the amount of dust in the gas phase space 41c was adjusted, and the presence or absence of platinum foreign matter on the glass substrate was visually confirmed. The amount of dust in the gas phase space 41c is (1) the number of foreign particles having a particle size of 0.3 μm to less than 5 μm is more than 3000000 / L to 10000000 / L and foreign particles having a particle size of 5 μm to less than 300 μm Environment when the number of dust is more than 300,000 / L to 1,000,000 / L, (2) The number of foreign dust with a particle size of 0.3 μm to less than 5 μm is more than 1,000,000 / L to less than 3000000 / L And the environment when the number of foreign dust particles having a particle size of 5 μm or more and less than 300 μm is more than 10,000 / L to 300,000 particles / L, (3) The number of foreign dust particles having a particle size of 0.3 μm or more and less than 5 μm is 300,000. Environment in which the number of foreign matter dust having a particle size of 5 μm or more and less than 300 μm is more than 1000 / L to 10000 / L or less, and (4) a particle size of 0.3 μm. Was adjusted to above the number of ~5μm less foreign material dust is the number of foreign matter dust below ~300Myuemu 300000 pieces / L or less was in a particle size 5μm or the 1000 / L or less in the case of the environment. Moreover, it adjusted so that it might become an environment whose number of the foreign material dust of about 400 micrometers particle size is about 20000 pieces / L. The glass composition of the glass substrate was as follows: SiO 2 66.6 mol%, Al 2 O 3 10.6 mol%, B 2 O 3 11.0 mol%, MgO, CaO, SrO and BaO combined 11.4 Molten%, the strain point was 660 ° C., and the temperature of the molten glass when the viscosity was 10 2.5 poise was 1570 ° C.

その結果、粒径400μm程度の異物粉塵の数が2000000個/L程度となる環境下で作製したガラス基板の白金異物の数は平均250個であった。これに対して、(1)粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が3000000個/L超〜10000000個/L以下であって粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が300000個/L超〜1000000個/L以下の場合の環境下で作製したガラス基板の白金異物の数は平均25個であり、(2)粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が1000000個/L超〜3000000個/L以下であって粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が10000個/L超〜300000個/L以下の場合の環境下で作製したガラス基板の白金異物の数は平均5個、(3)粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が300000個/L超〜1000000個/L以下であって粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が1000個/L超〜10000個/L以下の場合の環境下で作製したガラス基板の白金異物の数は平均1.5個、(4)粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が300000個/L以下であって粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が1000個/L以下の場合の環境下で作製したガラス基板の白金異物の数は平均0.2個であった。従って、気相空間41cの粉塵を、粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が3000000個/L以下、粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が300000個/L以下にすることにより、白金族金属の揮発物の凝集を抑制でき、白金異物の数を低減することができた。また、粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が3000000個/L超〜10000000個/L以下、粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が300000個/L超〜1000000個/L以下の場合の環境下であっても、ガラス基板に白金異物が含まれる量が増えるが、白金族金属の揮発物の凝集を抑制できることがわかった。   As a result, the average number of foreign platinum particles in the glass substrate produced in an environment where the number of foreign dust particles having a particle size of about 400 μm was about 2000000 / L was 250. On the other hand, (1) the number of foreign matter dust having a particle size of 0.3 μm or more and less than 5 μm is more than 3000000 / L and less than 10000000 / L, and the number of foreign matter dust having a particle size of 5 μm or more and less than 300 μm. The number of platinum foreign objects on the glass substrate produced under the environment of more than 300000 pieces / L to 1000000 pieces / L or less is an average of 25 pieces, and (2) the number of foreign matter dust particles having a particle size of 0.3 μm to less than 5 μm. Of a glass substrate produced in an environment where the number of foreign particles having a particle size of more than 1000000 / L to 3000000 / L or less and a particle size of 5 μm to less than 300 μm is more than 10,000 / L to 300000 / L The average number of foreign particles of platinum is 5, and (3) the number of foreign particles having a particle size of 0.3 μm to less than 5 μm is more than 300000 / L to 1000000 / L and the particle size is 5 μm to 300 μm. The number of platinum foreign objects on the glass substrate produced under the environment when the number of foreign object dusts is more than 1000 / L to 10000 / L or less is 1.5 on average, and (4) a particle size of 0.3 μm to 5 μm. The number of foreign foreign particles less than 300,000 / L and the number of foreign foreign particles having a particle diameter of 5 μm or more and less than 300 μm is 1000 / L or less is the average number of platinum foreign objects on the glass substrate produced in the environment. There were 0.2. Accordingly, the number of foreign dust particles having a particle size of 0.3 μm to less than 5 μm is 3000000 / L or less, and the number of foreign dust particles having a particle size of 5 μm to less than 300 μm is set to 300000 pieces / L or less. By doing this, aggregation of platinum group metal volatiles could be suppressed, and the number of platinum foreign matter could be reduced. Further, the number of foreign matter dust having a particle size of 0.3 μm or more and less than 5 μm is more than 3000000 / L to 10000000 / L or less, and the number of foreign matter dust having a particle size of 5 μm or more to less than 300 μm is more than 300000 / L to 1000000. Even under an environment of less than / L, the amount of platinum foreign matter contained in the glass substrate increases, but it was found that aggregation of platinum group metal volatiles can be suppressed.

以上、本発明のガラス基板の製造方法及びガラス基板の製造装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。   As mentioned above, although the manufacturing method of the glass substrate and the manufacturing apparatus of the glass substrate of this invention were demonstrated in detail, this invention is not limited to the said embodiment, In the range which does not deviate from the main point of this invention, various improvement and a change are carried out. Of course.

40 熔解槽
41 清澄管
41a 通気管
41b 加熱電極
41c 気相空間
42d 端
42 成形装置
43a,43b.43c 移送管
44 集塵装置
44a パイプ
52 成形体
100 攪拌装置
200 ガラス基板の製造装置
G 熔融ガラス
40 melting tank 41 clarification pipe 41a vent pipe 41b heating electrode 41c gas phase space 42d end 42 molding apparatus 43a, 43b. 43c Transfer pipe 44 Dust collector 44a Pipe 52 Molded body 100 Stirrer 200 Glass substrate manufacturing apparatus G Molten glass

Claims (5)

白金族金属で構成されたガラス処理装置を備えるガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス処理装置の内部において、熔融ガラスの液面より上方に気相空間が形成され、
前記ガラス処理装置の内部で前記白金族金属が揮発する温度以上において、前記気相空間に含まれる白金揮発物の凝集を抑制するよう、前記気相空間に存在する異物粉塵の量を低減して前記熔融ガラスを処理する、
ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
A method for producing a glass substrate comprising a glass processing apparatus composed of a platinum group metal,
Inside the glass processing apparatus, a gas phase space is formed above the liquid surface of the molten glass,
Reduce the amount of foreign dust present in the gas phase space so as to suppress aggregation of platinum volatiles contained in the gas phase space above the temperature at which the platinum group metal volatilizes inside the glass processing apparatus. Treating the molten glass;
A method for producing a glass substrate, comprising:
前記気相空間にある前記異物粉塵の量について、粒径0.3μm以上〜5μm未満の異物粉塵の数が3000000個/L以下、粒径5μm以上〜300μm未満の異物粉塵の数が300000個/L以下である、
ことを特徴とする請求項1に記載のガラス基板の製造方法。
Regarding the amount of foreign matter dust in the gas phase space, the number of foreign matter dust having a particle size of 0.3 μm to less than 5 μm is 3000000 / L or less, and the number of foreign matter dust having a particle size of 5 μm to less than 300 μm is 300000 / L or less,
The method for producing a glass substrate according to claim 1.
前記異物粉塵の量の低減は、前記気相空間に存在する異物粉塵の吸引、及び/又は、前記気相空間への清浄気体の流入により行う、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のガラス基板の製造方法。
The amount of foreign dust is reduced by sucking foreign dust existing in the gas phase space and / or by flowing clean gas into the gas phase space.
The manufacturing method of the glass substrate of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
前記異物粉塵は、アルミナ、ジルコニア、ジルコン、酸化錫、及び、ホウ酸の一種、又は、それらの組合せからなる微粒子である、
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のガラス基板の製造方法。
The foreign matter dust is fine particles made of alumina, zirconia, zircon, tin oxide, and boric acid, or a combination thereof.
The manufacturing method of the glass substrate as described in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.
白金族金属で構成されたガラス処理装置を備えるガラス基板の製造装置であって、
前記ガラス処理装置の内部において、熔融ガラスの液面より上方に気相空間が形成され、
前記ガラス処理装置の内部で前記白金族金属が揮発する温度以上において、前記気相空間に含まれる白金揮発物の凝集を抑制するよう、前記気相空間に存在する異物粉塵の量を低減して前記熔融ガラスを処理する、
ことを特徴とするガラス基板の製造装置。
A glass substrate manufacturing apparatus comprising a glass processing apparatus made of a platinum group metal,
Inside the glass processing apparatus, a gas phase space is formed above the liquid surface of the molten glass,
Reduce the amount of foreign dust present in the gas phase space so as to suppress aggregation of platinum volatiles contained in the gas phase space above the temperature at which the platinum group metal volatilizes inside the glass processing apparatus. Treating the molten glass;
An apparatus for producing a glass substrate.
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