JP2016046313A - 洗浄部材、洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体基板の表面に対する洗浄性能を向上させることができる洗浄部材、洗浄装置及び洗浄方法を提供する。【解決手段】洗浄部材4はイオン交換樹脂を含んで構成されており、洗浄部材4によって機械的に除去された砥粒等の粒子を、イオン交換樹脂のもつゼータ電位により、電気的に吸着し捕獲することができる。洗浄装置1は、該洗浄部材4の外面部を半導体基板2の表面に対し相対的に摺動させる駆動機構を備える。【選択図】図1
Description
本実施形態は、半導体基板の表面の洗浄に用いられる洗浄部材、洗浄装置及び洗浄方法に関する。
半導体装置の製造においては、半導体基板(ウエハ)に対する化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)の工程の後に、半導体基板の表面に残存する異物(研磨砥粒等)を除去するために、洗浄工程が実行される。この洗浄の工程は、一般に、半導体基板の表面にロールブラシを宛がうように配置し、洗浄液を供給しながら、半導体基板及びロールブラシを夫々回転させることにより行われる。前記ロールブラシは、外周面に複数の突起部を有する円筒状をなし、その外周部分は、PVA等の合成樹脂からスポンジ状に構成されている。これにて、半導体基板とロールブラシとの間の相対的摺動によって、半導体基板上の残存粒子等の異物が物理的に除去される。
半導体基板の洗浄の工程においては、特に、ロールブラシにより一旦除去(捕獲)した粒子が、半導体基板の表面に再付着するいわゆる逆汚染の問題があり、洗浄性能を向上させることが要望される。
そこで、半導体基板の表面に対する洗浄性能を向上させることができる洗浄部材、洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
実施形態の洗浄部材は、半導体基板の表面を相対的に摺動することにより、該半導体基板を洗浄する洗浄部材であって、イオン交換樹脂を含んで構成されるところに特徴を有する。
実施形態の洗浄装置は、半導体基板の表面を洗浄する洗浄装置であって、上記洗浄部材と、前記洗浄部材の外面部を半導体基板の表面に対し相対的に摺動させる駆動機構とを備えるところに特徴を有する。
また、実施形態の洗浄方法は、半導体基板の表面を洗浄する方法において、上記洗浄部材を備え、前記洗浄部材の外面部を半導体基板の表面に対し相対的に摺動させるところに特徴を有する。
(1)第1の実施形態
図1から図4を参照して、第1の実施形態について述べる。尚、以下に述べる各実施形態は、半導体基板(ウエハ)のCMP工程後の洗浄工程を実行する洗浄装置に適用したものとなっている。
図1から図4を参照して、第1の実施形態について述べる。尚、以下に述べる各実施形態は、半導体基板(ウエハ)のCMP工程後の洗浄工程を実行する洗浄装置に適用したものとなっている。
図1は、本実施形態に係る洗浄装置1の構成を概略的に示している。この洗浄装置1は、半導体基板(この場合半導体ウエハ)2を支持し回転させる回転支持部3、半導体基板2の表面(上面)に宛がわれて回転される本実施形態に係る洗浄部材としてのロールブラシ4、半導体基板2の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部5を備えて構成される。周知のように、前記半導体基板2は、外周の一箇所が直線状に切欠かれた如き薄い円板状をなしている。
前記回転支持部3は、前記半導体基板2の外周縁部を、例えば外周の6箇所において水平状態に支持すると共に、支持した半導体基板2を、その中心部の垂直軸周りに例えば矢印A方向に回転させるように構成されている。前記ロールブラシ4は、図2にも一部示すように、円筒状に構成され、前記回転支持部3に支持された半導体基板2の上面に、直径方向に水平に延びるように配置されるようになっている。
この場合、ロールブラシ4は、その一端側が支持体6によって支持されると共に、その支持体6内に配設された図示しない駆動機構により、例えば矢印B方向に回転されるように構成されている。このロールブラシ4の詳細については後述する。また、前記洗浄液供給部5は、ノズル5a(図2参照)を備え、前記半導体基板2の上面(ロールブラシ4による洗浄部分)に対し、前記ノズル5aから洗浄液W(純水、或いは、アルカリ性又は酸性の洗浄液)を供給するように構成されている。
上記した洗浄装置1においては、化学機械研磨(CMP)の工程を終えた半導体基板2が回転支持部3にセットされ、洗浄の工程が実行されるのであるが、前記CMPの工程では、図示しない研磨装置により、半導体基板2の表面の金属膜等が研磨される。周知のように、CMPの工程では、研磨剤(砥粒S)を含んだスラリーが供給されながら、研磨パッドにより、半導体基板2の表面(上面)が研磨される。この場合、砥粒Sとしては、例えば、セリア(CeO2 )、アルミナ(Al2 O3 )、シリカ(SiO2 )等が用いられる。CMPの工程を終えた半導体基板2の表面には、砥粒S(図3参照)などの異物が残存しており、洗浄工程では、砥粒Sの除去が行われる。
さて、本実施形態に係る洗浄部材たるロールブラシ4について、図2及び図3も参照して述べる。図3に示すように、このロールブラシ4は、円筒状(丸棒状)の芯材7の外周に、ブラシ部8を有して構成されている。前記芯材7は、支持体6に支持されて回転されるようになっており、前記ブラシ部8は、その芯材7に対し着脱(交換)可能に取付けられるようになっている。
このとき、ブラシ部8は、前記芯材7の外周に嵌合する円筒状の主部の外周面に、多数個の突起部9を有して構成されている。本実施形態では、ブラシ部8の主部は、イオン交換樹脂、この場合、網目構造を有する強塩基性陰イオン交換樹脂から、無数の微細な気孔(径が数百nm〜1μm)を有する多孔質状(スポンジ状)に構成されている。周知のように、この強塩基性陰イオン交換樹脂は、例えばスチレン−ビニルベンゼン系の共重合体からなる母体に、塩基性のイオン交換基を結合してなり、解離して強塩基性を呈し、陰イオンを交換するものである。強塩基性陰イオン交換樹脂は、全てのpH領域でプラスのゼータ電位を有する。尚、ここでは強塩基性陰イオン交換樹脂を採用したが、弱塩基性陰イオン交換樹脂を用いても良い。イオン交換樹脂は、アクリル酸或いはメタクリル酸とジビニルベンゼンとの共重合体を母体とするものであっても良い。
また、本実施形態では、前記突起部9は、例えばPVA(ポリビニルアルコール)樹脂から、やはり多孔質状(スポンジ状)に構成されている。この場合、PVAのゼータ電位は、酸性〜アルカリ性溶液中でマイナスである。尚、多数個の突起部9は、前記ブラシ部8の主部に対し、二色成形或いは接着剤を用いた貼合せ等により一体化(固着)されている。
次に、上記のように構成された洗浄装置1を用いた半導体基板2の洗浄の工程(本実施形態に係る洗浄方法)について、図4も参照して述べる。尚、ここでは、CMP工程における研磨剤(研磨砥粒S)としてセリアが用いられ、洗浄工程における洗浄液Wとして純水を用いる場合を具体例としながら説明する。
上述のように、CMPの工程を終えた半導体基板2は、洗浄装置1に搬入され、洗浄すべき面を上面としながら、回転支持部3に水平状態にセットされる。このとき、半導体基板2の表面(上面)には、CMP工程で使用された砥粒S(この場合セリア)を含むスラリーが残存している。そして、ロールブラシ4を、セットされた半導体基板2の上面に接する位置に移動させた上で、洗浄の工程が開始される。
この洗浄の工程では、半導体基板2の上面に対し、洗浄液供給部5のノズル5aから洗浄液W(純水)が供給されながら、半導体基板2が垂直軸周りに矢印A方向に回転されると共に、ロールブラシ4が半導体基板2の上面に接しながら矢印B方向に回転される。これにて、図3に示すように、半導体基板2の表面をロールブラシ4のブラシ部8が相対的に摺動することによって、半導体基板2に残存していたセリア粒子S等の異物が半導体基板2表面からはがされて、洗浄液Wと共に流れ去って外部へ排出される。このとき、ロールブラシ4の外周の突起部9の作用によって、セリア粒子Sは機械的に掻き取られるように除去される。これと共に、半導体基板2表面から離れたセリア粒子Sが、ロールブラシ4のブラシ部8の微細な気孔内に、洗浄液Wと共に浸透して捕獲されるようになる。
ここで、図4は、半導体基板2の研磨に用いられる、代表的な砥粒(セリア(CeO2 )、アルミナ(Al2 O3 )、シリカ(SiO2 ))のゼータ電位を示している。セリア粒子Sの場合は、純水(pHが8)中でマイナスのゼータ電位となっている。一方、ブラシ部8の材質として、従来から広く用いられているPVA(ポリビニルアルコール)のゼータ電位は、酸性〜アルカリ性溶液中でマイナスであることは周知の通りである。そのため、仮にブラシ部8の材質として全体がPVA製であるとすると、ブラシ部8とセリア粒子Sとが電気的に反発し、セリア粒子Sをブラシ部8で捕獲できず、半導体基板2への再付着が生じてしまう虞がある。
ところが、本実施形態のロールブラシ4では、ブラシ部8の主部が、プラスのゼータ電位をもつ強塩基性陰イオン交換樹脂から構成され、突起部9がPVA樹脂から構成されている。そのため、突起部9では、半導体基板2上のセリア粒子Sを、電気的な反発と機械的作用とによって除去することができる。そして、突起部9を除くブラシ部8の主部では、表面に付着したセリア粒子Sや、内部に純水Wと共に浸透したセリア粒子Sを、強塩基性陰イオン交換樹脂のもつプラスのゼータ電位により、電気的に吸着することができる。この場合、強塩基性陰イオン交換樹脂からなるブラシ部8は、無数の気孔を有して構成されているので、多量のセリア粒子Sを内部に吸着することが可能となる。
このように本実施形態によれば、ロールブラシ4のブラシ部8の主部を、強塩基性陰イオン交換樹脂を含んで構成すると共に、突起部9についてはPVA樹脂から構成したので、半導体基板2上に残留していたセリア粒子Sを、機械的除去と電気的吸着との双方の作用によって、半導体基板2に再付着することを抑制しながら、効果的に除去することができる。従って、半導体基板2の表面に対する洗浄性能を、大幅に向上させることができるという優れた効果を奏するものである。
尚、上記実施形態では、ブラシ部8を、強塩基性陰イオン交換樹脂を含んで構成したが、弱塩基性陰イオン交換樹脂を含んで構成しても、同様の効果を得ることができる。上記第1の実施形態の説明では、砥粒Sとして、洗浄液W中のゼータ電位がマイナスのセリア粒子を洗浄する場合において、ブラシ部8が強塩基性陰イオン交換樹脂(又は弱塩基性陰イオン交換樹脂)を含んで構成されるものとしたが、砥粒の洗浄液中のゼータ電位がプラスの砥粒であれば、強酸性陽イオン交換樹脂(又は弱酸性陽イオン交換樹脂)を用いるようにすれば良い。強酸性陽イオン交換樹脂は、全てのpH領域においてゼータ電位がマイナスになっている。このように、使用する洗浄液の種類で本発明の適用が制限されることはない。
また、半導体基板2の表面の被研磨膜が例えば銅である場合には、研磨粒子として主にシリカが用いられる。このときの洗浄液としてアルカリ洗浄液を用いた場合、図4に示したように、シリカ砥粒は、アルカリ領域でゼータ電位がマイナスになる。従って、第1の実施形態で用いたと同等の強塩基性陰イオン交換樹脂(又は弱塩基性陰イオン交換樹脂)を含んだロールブラシ4を用いることにより、優れた洗浄性能を得ることができる。
更に、半導体基板2の表面の被研磨膜が例えばタングステンである場合には、研磨粒子として主にアルミナが用いられる。このときの洗浄液として酸性洗浄液を用いた場合、図4に示したように、アルミナ砥粒は、酸性領域でゼータ電位がプラスになる。従ってこの場合には、ロールブラシ4のブラシ部8の主部を、強酸性陽イオン交換樹脂(又は弱酸性陽イオン交換樹脂)から構成することができ、これにより、洗浄性能を向上させることができる。このとき、突起部9については、PVA樹脂から構成しても良く、また他の材料を採用しても良い。
(2)第2の実施形態
次に、図5を参照しながら、第2の実施形態について述べる。この第2の実施形態が、上記第1の実施形態と異なるところは、洗浄部材たるロールブラシ11の構成にある。即ち、このロールブラシ11は、円筒状(丸棒状)の芯材7の外周に、ブラシ部12を着脱(交換)可能に有して構成されている。ブラシ部12は、前記芯材7の外周に嵌合する円筒状の主部の外周面に、多数個の突起部13を一体的に有して構成されている。
次に、図5を参照しながら、第2の実施形態について述べる。この第2の実施形態が、上記第1の実施形態と異なるところは、洗浄部材たるロールブラシ11の構成にある。即ち、このロールブラシ11は、円筒状(丸棒状)の芯材7の外周に、ブラシ部12を着脱(交換)可能に有して構成されている。ブラシ部12は、前記芯材7の外周に嵌合する円筒状の主部の外周面に、多数個の突起部13を一体的に有して構成されている。
本実施形態では、ブラシ部12の主部は、イオン交換樹脂、例えば強塩基性陰イオン交換樹脂(又は弱塩基性陰イオン交換樹脂)から、無数の微細な気孔を有する多孔質状(スポンジ状)に構成されている。そして、前記突起部13は、基端側(基端部13a)と先端側(先端部13b)とで材質を異ならせた2層構造を備えている。
このとき、先端部13bは、例えばPVA(ポリビニルアルコール)樹脂から、やはり多孔質状(スポンジ状)に構成されている。基端部13aは、ブラシ部12の主部と一体に即ち強塩基性陰イオン交換樹脂(又は弱塩基性陰イオン交換樹脂)から、多孔質状(スポンジ状)に構成されている。尚、基端部13aはブラシ部12の主部に対し一体に成形され、突起部13の先端部13bは、基端部13a(ブラシ部12)に対し二色成形或いは接着剤を用いた貼合せ等により一体化(固着)されている。
上記構成のロールブラシ11は、例えば、研磨砥粒Sとしてセリアを用いたCMP工程後の半導体基板2の洗浄工程に用いられ、また、この洗浄工程における洗浄液Wとして純水が用いられる。このとき、上記第1の実施形態と同様に、セリア粒子Sは、洗浄液(純水)W中でゼータ電位がマイナスである。これに対し、ロールブラシ11のうち、ブラシ部12の突起部13の先端部13bは、PVA製であるためゼータ電位がマイナスであり、ブラシ部12の主部、及び、突起部13の基端部13aは、強塩基性陰イオン交換樹脂(又は弱塩基性陰イオン交換樹脂)から構成されプラスのゼータ電位をもっている。
これにより、洗浄動作(ロールブラシ11の回転)により、突起部13の先端部13bでは、半導体基板2上のセリア粒子Sを、電気的な反発と機械的作用とによって除去することができる。そして、突起部13の先端部13bを除くブラシ部12の大部分で、表面に付着したセリア粒子Sや、内部に純水Wと共に浸透したセリア粒子Sを、強塩基性陰イオン交換樹脂(又は弱塩基性陰イオン交換樹脂)のもつプラスのゼータ電位により、電気的に吸着することができる。
従って、この第2の実施形態のロールブラシ11によれば、半導体基板2上に残留していたセリア粒子Sの再付着の防止効果をより一層高めることができ、半導体基板2の表面に対する洗浄性能を、大幅に向上させることができるという優れた効果を奏する。
(3)第3の実施形態、その他の実施形態
図6は、第3の実施形態に係る洗浄装置21の構成を概略的に示している。この洗浄装置21は、上記第1、第2の実施形態のようなロールブラシ4、11を備えることに代えて、洗浄部材としてのペンシルブラシ22を備えた、いわゆるペンシル洗浄装置から構成されている。
図6は、第3の実施形態に係る洗浄装置21の構成を概略的に示している。この洗浄装置21は、上記第1、第2の実施形態のようなロールブラシ4、11を備えることに代えて、洗浄部材としてのペンシルブラシ22を備えた、いわゆるペンシル洗浄装置から構成されている。
この洗浄装置21は、半導体基板2が水平状態にセットされ回転される回転支持部(図示せず)、前記ペンシルブラシ22、前記半導体基板2の上面に洗浄液を供給する洗浄液供給部(ノズル5aのみ図示)を備えて構成される。前記回転支持部の上方には、水平方向に延びる可動アーム23が設けられ、この可動アーム23の先端に下向きに回転シャフト24が設けられている。回転シャフト24の下端部にブラシホルダ25が取付けられ、前記ペンシルブラシ22は、ブラシホルダ25の下面側に着脱(交換)可能に装着(保持)されるようになっている。
前記ペンシルブラシ22は、全体として、下面側が下方に丸く膨らんだ形態の円板状をなし、本実施形態では、上側の基端部22aと、下側の先端部22bとで異なる材質とされた二層構造を備えている。このとき、下側の先端部22bは、例えばPVA樹脂から、多孔質状(スポンジ状)に構成され、上側の基端部22aは、イオン交換樹脂からやはり、多孔質状(スポンジ状)に構成されている。この場合も、除去したい砥粒のゼータ電位がマイナスであれば、強塩基性陰イオン交換樹脂(又は弱塩基性陰イオン交換樹脂)採用し、プラスであれば、強酸性陽イオン交換樹脂(又は弱酸性陽イオン交換樹脂)を採用することができる。
尚、詳しい図示は省略するが、回転支持部は、駆動機構により半導体基板2を回転させるように構成されている。また、前記可動アーム23は、水平方向に移動(搖動)するように構成されており、図示しない駆動機構により回転シャフト24ひいてはペンシルブラシ22を、垂直軸周りに回転させるように構成されている。
上記構成の洗浄装置21にあっても、例えばCMP工程後の半導体基板2が搬入され、洗浄すべき表面を上面として回転支持部にセットされる。そして、洗浄の工程では、半導体基板2の上面に対し、洗浄液供給部のノズル5aから純水等の洗浄液Wが供給されながら、半導体基板2が垂直軸周りに回転されると共に、ペンシルブラシ22が半導体基板2の上面に接しながら垂直軸周りに回転(更には可動アーム23による水平方向への移動)される。
このとき、ペンシルブラシ22の先端部22bが半導体基板2の上面に接して回転(摺動)することにより、半導体基板2に残存していた砥粒が機械的に除去される。これと共に、ペンシルブラシ22の基端部22aの表面及び内部では、砥粒が洗浄液Wと共に浸透して、電気的な吸着力により捕獲されるようになる。従って、この第3の実施形態においても、砥粒の半導体基板2への再付着が効果的に抑えられ、半導体基板2の表面に対する洗浄性能を、大幅に向上させることができるという優れた効果を奏する。
尚、上記した各実施形態では詳しく説明しなかったが、洗浄装置においては、採用されているイオン交換樹脂の種類の異なる複数種類のロールブラシ(ブラシ部)やペンシルブラシを用意しておき、洗浄する半導体基板(除去したい砥粒)の種類に応じて、洗浄部材を交換して使用できることは勿論である。更には、ロールブラシのブラシ部やペンシルブラシの使用に伴い、多量の砥粒が捕獲されている場合には、そのまま使用を続けると、半導体基板に対するいわゆる逆汚染の虞が生ずる。そのような場合には、洗浄部材を洗浄したり、新しいものに交換したりすることができる。
また、上記した各実施形態では、半導体基板2のCPM工程後の洗浄について説明したが、半導体製造プロセスの各工程における洗浄に、各実施形態の洗浄部材(洗浄装置)や洗浄方法を適用することができる。洗浄部材の材質としても、上記したPVAなどに限らず、各種の樹脂等採用することができる。その他、砥粒の材質、洗浄液の種類等についても、様々な変更が可能であり、洗浄装置の全体的な構成としても、2個のロールブラシで、半導体基板の両面を同時に洗浄するものであっても良い等、変形が可能である。
以上、本発明の複数の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
図面中、1、21は洗浄装置、2は半導体基板、4、11はロールブラシ(洗浄部材)、8、12はブラシ部、9、13は突起部、22はペンシルブラシ(洗浄部材)、Wは洗浄液、Sは砥粒を示す。
Claims (7)
- 半導体基板の表面を相対的に摺動することにより、該半導体基板を洗浄する洗浄部材であって、
イオン交換樹脂を含んで構成されることを特徴とする洗浄部材。 - 前記イオン交換樹脂は、強塩基性陰イオン交換樹脂、又は、強酸性陽イオン交換樹脂からなることを特徴とする請求項1記載の洗浄部材。
- 前記イオン交換樹脂は、弱塩基性陰イオン交換樹脂、又は、弱酸性陽イオン交換樹脂からなることを特徴とする請求項1記載の洗浄部材。
- 前記イオン交換樹脂は、スチレンとジビニルベンゼンとの共重合体、又は、アクリル酸或いはメタクリル酸とジビニルベンゼンとの共重合体を母体とすることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の洗浄部材。
- 半導体基板の表面を洗浄する洗浄装置であって、
請求項1から4のいずれか一項に記載の洗浄部材と、
前記洗浄部材の外面部を前記半導体基板の表面に対し相対的に摺動させる駆動機構とを備えることを特徴とする洗浄装置。 - 半導体基板の表面を洗浄する方法において、
請求項1から4のいずれか一項に記載の洗浄部材を備え、
前記洗浄部材の外面部を前記半導体基板の表面に対し相対的に摺動させることを特徴とする洗浄方法。 - 化学機械研磨後の半導体基板に対して前記洗浄部材による洗浄を行うことを特徴とする請求項6記載の洗浄方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014167563A JP2016046313A (ja) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | 洗浄部材、洗浄装置及び洗浄方法 |
US14/625,891 US20160056060A1 (en) | 2014-08-20 | 2015-02-19 | Cleaning member, cleaning apparatus, and cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014167563A JP2016046313A (ja) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | 洗浄部材、洗浄装置及び洗浄方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016046313A true JP2016046313A (ja) | 2016-04-04 |
Family
ID=55348892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014167563A Pending JP2016046313A (ja) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | 洗浄部材、洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160056060A1 (ja) |
JP (1) | JP2016046313A (ja) |
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- 2015-02-19 US US14/625,891 patent/US20160056060A1/en not_active Abandoned
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US20160056060A1 (en) | 2016-02-25 |
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