JP2016045307A - Display device - Google Patents

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佐々木 亨
Toru Sasaki
亨 佐々木
佐藤 敏浩
Toshihiro Sato
敏浩 佐藤
足立 昌哉
Masaya Adachi
昌哉 足立
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device that curbs reflection light in holding capacitor wiring among pixel electrodes.SOLUTION: A display device according to one embodiment of the present invention has: a plurality of pixels that includes a holding capacitor electrode facing a pixel electrode via an insulative film; and a member that is arranged among the plurality of pixels, and has a function curbing reflection light. The display device may further have: a bank layer to be arranged among the plurality of pixels; an OLED light emitting layer that is arranged on the pixel electrode and bank layer; a negative pole that is arranged on the OLED light emitting layer; an encapsulation film that is arranged on the negative pole; and a filler to be arranged on the encapsulation film. Further, the member having the function curbing the reflection light may be a light absorber. Furthermore, the member having the function curbing the reflection light may be a reflection reduction layer.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、表示装置に関し、特に隣接画素への光漏れや不要混色を防ぐ技術に関する。   The present invention relates to a display device, and more particularly to a technique for preventing light leakage to an adjacent pixel and unnecessary color mixing.

近年、モバイル用途の発光表示装置において、高精細化や低消費電力化に対する要求が強くなってきている。モバイル用途の表示装置としては、液晶表示装置(Liquid Crystal Display Device:LCD)や、有機EL表示装置等の自発光素子(OLED:Organic Light−Emitting Diode)を利用した表示装置や、電子ペーパー等が採用されている。   In recent years, there is an increasing demand for high definition and low power consumption in light emitting display devices for mobile use. Examples of mobile display devices include liquid crystal display devices (LCDs), display devices that use self-luminous elements (OLEDs) such as organic EL display devices, and electronic paper. It has been adopted.

その中でも、ディスプレイパネルの薄型化や高輝度化や高速化を目的として、有機EL表示装置の開発が進められている。有機EL表示装置は、OLEDから構成された画素を備えた表示装置であり、機械的な動作がないために反応速度が速く、各画素自体が発光するために高輝度表示が可能になるとともに、バックライト光源や偏光板が不要となるために薄型化が可能になるので、次世代の表示装置として期待されている。   Among them, the development of organic EL display devices is being promoted for the purpose of reducing the thickness of the display panel, increasing the brightness, and increasing the speed. The organic EL display device is a display device having pixels composed of OLEDs, has a high reaction speed because there is no mechanical operation, and each pixel itself emits light, enabling high luminance display, Since a backlight light source and a polarizing plate are not required, the thickness can be reduced, which is expected as a next-generation display device.

OLED素子の陽極として作用する画素電極の下側の層に、絶縁膜を介して金属からなる保持(補助)容量電極を配置して保持容量を構成し、隣接画素の保持容量電極を保持容量配線で接続した表示装置として、例えば特許文献1がある。図14は、従来技術に係る表示装置の断面図であり、上述の保持容量電極を配置した表示装置の構造を示したものである。ここで、OLED素子からの斜め方向へ出射される光92の一部は、屈折率の異なる層の界面で反射した後に、画素電極間の保持容量配線で再び反射し、隣接画素へ進行する。隣接画素へ進行する光95は、隣接画素で本来表示すべき光に重畳するため、光漏れや不要混色となり、表示特性に影響を及ぼす。   A holding (auxiliary) capacitor electrode made of metal is arranged on the lower layer of the pixel electrode that acts as an anode of the OLED element through an insulating film to form a holding capacitor, and the holding capacitor electrode of the adjacent pixel is connected to the holding capacitor wiring For example, there is Patent Document 1 as a display device connected in the above. FIG. 14 is a cross-sectional view of a display device according to the prior art, and shows the structure of the display device in which the above-described storage capacitor electrode is arranged. Here, a part of the light 92 emitted in an oblique direction from the OLED element is reflected by the interface of the layers having different refractive indexes, then reflected again by the storage capacitor wiring between the pixel electrodes, and proceeds to the adjacent pixel. Since the light 95 traveling to the adjacent pixel is superimposed on the light that should be originally displayed on the adjacent pixel, light leakage or unnecessary color mixing occurs and affects display characteristics.

特開2009−109519号公報JP 2009-109519 A

本発明は、画素電極間の保持容量配線での反射光を抑制した表示装置を提供することを、目的の一つとする。   An object of the present invention is to provide a display device in which reflected light from a storage capacitor wiring between pixel electrodes is suppressed.

本発明の一実施形態による表示装置は、絶縁膜を介して画素電極と対向する保持容量電極を含む複数の画素と、複数の画素の間に配置され、反射光を抑制する機能を持つ部材とを有する。   A display device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pixels including a storage capacitor electrode facing a pixel electrode through an insulating film, and a member that is disposed between the plurality of pixels and has a function of suppressing reflected light. Have

また、複数の画素の間に配置されるバンク層と、画素電極及びバンク層上に配置されるOLED発光層と、OLED発光層上に配置される陰極と、陰極上に配置される封止膜と、封止膜上に配置される充填材とをさらに有することを特徴としてもよい。   Moreover, the bank layer arrange | positioned between several pixels, the OLED light emitting layer arrange | positioned on a pixel electrode and a bank layer, the cathode arrange | positioned on an OLED light emitting layer, and the sealing film arrange | positioned on a cathode And a filler disposed on the sealing film.

また、反射光を抑制する機能を持つ部材は、光吸収体であることを特徴としてもよい。   The member having a function of suppressing reflected light may be a light absorber.

また、光吸収体は、黒色顔料を含有する感光性樹脂からなることを特徴としてもよい。   The light absorber may be made of a photosensitive resin containing a black pigment.

また、光吸収体は、保持容量電極上に配置されることを特徴としてもよい。   The light absorber may be arranged on the storage capacitor electrode.

また、光吸収体は、絶縁膜上に配置されることを特徴としてもよい。   The light absorber may be arranged on the insulating film.

また、光吸収体は、バンク層上に配置されることを特徴としてもよい。   The light absorber may be disposed on the bank layer.

また、反射光を抑制する機能を持つ部材は、光散乱体であることを特徴としてもよい。   Further, the member having a function of suppressing reflected light may be a light scatterer.

また、光散乱体は、保持容量電極上に配置されることを特徴としてもよい。   The light scatterer may be arranged on the storage capacitor electrode.

また、光散乱体は、絶縁膜の屈折率と異なる屈折率の微粒子を含有する感光性樹脂であることを特徴としてもよい。   In addition, the light scatterer may be a photosensitive resin containing fine particles having a refractive index different from that of the insulating film.

また、光散乱体は、保持容量電極の絶縁膜側の表面に凹凸を形成したものであることを特徴としてもよい。   Further, the light scatterer may be characterized in that irregularities are formed on the surface of the storage capacitor electrode on the insulating film side.

また、反射光を抑制する機能を持つ部材は、反射低減層であることを特徴としてもよい。   Further, the member having a function of suppressing reflected light may be a reflection reducing layer.

また、反射低減層は誘電体積層膜からなり、誘電体積層膜の屈折率は絶縁膜の屈折率と異なることを特徴としてもよい。   The reflection reducing layer may be made of a dielectric laminated film, and the refractive index of the dielectric laminated film may be different from the refractive index of the insulating film.

本発明の一実施形態における表示装置の斜視図を示す図である。It is a figure which shows the perspective view of the display apparatus in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態における表示装置の平面図を示す図である。It is a figure which shows the top view of the display apparatus in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態における表示装置の画素回路を示す図である。It is a figure which shows the pixel circuit of the display apparatus in one Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。It is a figure which shows the top view of the pixel circuit of the display apparatus in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態における表示装置の画素回路の断面図を示す図である。It is a figure which shows sectional drawing of the pixel circuit of the display apparatus in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態の変形例1における表示装置の画素回路の断面図を示す図である。It is a figure which shows sectional drawing of the pixel circuit of the display apparatus in the modification 1 of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態の変形例2における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。It is a figure which shows the top view of the pixel circuit of the display apparatus in the modification 2 of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態の変形例3における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。It is a figure which shows the top view of the pixel circuit of the display apparatus in the modification 3 of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態の変形例4における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。It is a figure which shows the top view of the pixel circuit of the display apparatus in the modification 4 of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。It is a figure which shows the top view of the pixel circuit of the display apparatus in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態における表示装置の画素回路の断面図を示す図である。It is a figure which shows sectional drawing of the pixel circuit of the display apparatus in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。It is a figure which shows the top view of the pixel circuit of the display apparatus in 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態における表示装置の画素回路の断面図を示す図である。It is a figure which shows sectional drawing of the pixel circuit of the display apparatus in 3rd Embodiment of this invention. 従来技術における表示装置の断面図を示す図である。It is a figure which shows sectional drawing of the display apparatus in a prior art.

以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate modifications while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. In addition, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, and the like of each part in comparison with actual aspects for the sake of clarity of explanation, but are merely examples, and the interpretation of the present invention is not limited. It is not limited. In addition, in the present specification and each drawing, elements similar to those described above with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description may be omitted as appropriate.

<実施形態1>
図1乃至9を用いて、実施形態1に係る表示装置の構成を説明する。実施形態1では、反射光を抑制する機能を有する部材として、光吸収体31が用いられる。
<Embodiment 1>
The configuration of the display device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. In the first embodiment, the light absorber 31 is used as a member having a function of suppressing reflected light.

[表示装置の概要]
まず、図1及び2を用いて、実施形態に係る表示装置の概要を説明する。図1は、本発明の実施形態1における表示装置の斜視図を示す図である。また、図2は、本発明の実施形態1における表示装置の平面図を示す図である。
[Outline of display device]
First, the outline of the display device according to the embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram showing a perspective view of a display device according to Embodiment 1 of the present invention. Moreover, FIG. 2 is a figure which shows the top view of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention.

実施形態1における表示装置は、図1及び2に示すように、複数の画素のそれぞれに発光素子が設けられ、画素電極40がマトリクス状に配置された表示領域210を有する基板200、基板200に対向する対向基板300、対向基板300が露出された領域に設けられたドライバIC400及びFPC(Flexible Printed Circuits)500を有する。基板200は、表示領域210と、表示領域210の周辺に位置する周辺領域220とに分けられる。対向基板300には、表示領域210に画素電極40がマトリクス状に配列され、複数の画素電極40のそれぞれに実施例で説明する画素回路が配置される。FPC500には、駆動回路を制御するコントローラ回路に接続される端子部600が備えられている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the display device in Embodiment 1 includes a substrate 200 having a display region 210 in which a light emitting element is provided in each of a plurality of pixels, and pixel electrodes 40 are arranged in a matrix. It includes a counter substrate 300 facing the driver IC, a driver IC 400 provided in a region where the counter substrate 300 is exposed, and an FPC (Flexible Printed Circuits) 500. The substrate 200 is divided into a display area 210 and a peripheral area 220 located around the display area 210. In the counter substrate 300, the pixel electrodes 40 are arranged in a matrix in the display region 210, and the pixel circuits described in the embodiment are disposed in each of the plurality of pixel electrodes 40. The FPC 500 includes a terminal portion 600 that is connected to a controller circuit that controls the drive circuit.

図2を参照すると、表示領域210には、横方向に走査信号線61が、縦方向には映像信号線62及び駆動電源線63が、マトリクス状をなすよう配置される。画素電極40は、走査信号線61、映像信号線62及び駆動電源線63によって囲まれた領域に対応している。図2では、説明のため画素電極40と、走査信号線61、映像信号線62及び駆動電源線63で囲まれる領域とを重ねずに図示したが、画素電極40とこれらの線は平面上で重なって配置されてもよい。   Referring to FIG. 2, in the display area 210, scanning signal lines 61 are arranged in the horizontal direction, and video signal lines 62 and drive power supply lines 63 are arranged in a matrix in the vertical direction. The pixel electrode 40 corresponds to a region surrounded by the scanning signal line 61, the video signal line 62, and the drive power supply line 63. In FIG. 2, the pixel electrode 40 and the region surrounded by the scanning signal line 61, the video signal line 62, and the drive power supply line 63 are illustrated for the sake of explanation without overlapping, but the pixel electrode 40 and these lines are on a plane. They may be placed one on top of the other.

[画素の回路図]
次に、図3を用いて、実施形態の画素回路を説明する。
[Pixel circuit diagram]
Next, the pixel circuit of the embodiment will be described with reference to FIG.

図3に示すように、実施形態1の画素回路12は、制御TFT71、駆動TFT72及び蓄積容量73によって構成される。例えば制御TFT71及び駆動TFT72にn型半導体を用いた場合、制御TFT71のゲートは走査信号線61に接続され、ソースは映像信号線62に接続され、ドレインは蓄積容量73の一端及び駆動TFT72のゲートに接続される。駆動TFT72のドレインは駆動電源線63に接続され、ソースは画素電極40に接続される。画素電極40は蓄積容量73の他端、OLED素子74の陽極及び保持容量36の一端に接続される。保持容量36の他端は保持容量電極30である。隣接する画素に対応する保持容量電極30は、保持容量配線35によってそれぞれ接続される。なお、図3では図示しないが、上下方向の保持容量電極30も、保持容量配線35によってそれぞれ接続される。   As shown in FIG. 3, the pixel circuit 12 according to the first embodiment includes a control TFT 71, a drive TFT 72, and a storage capacitor 73. For example, when an n-type semiconductor is used for the control TFT 71 and the drive TFT 72, the gate of the control TFT 71 is connected to the scanning signal line 61, the source is connected to the video signal line 62, the drain is one end of the storage capacitor 73, and the gate of the drive TFT 72. Connected to. The drain of the drive TFT 72 is connected to the drive power supply line 63, and the source is connected to the pixel electrode 40. The pixel electrode 40 is connected to the other end of the storage capacitor 73, the anode of the OLED element 74, and one end of the storage capacitor 36. The other end of the storage capacitor 36 is a storage capacitor electrode 30. The storage capacitor electrodes 30 corresponding to the adjacent pixels are connected to each other by a storage capacitor wiring 35. Although not shown in FIG. 3, the storage capacitor electrodes 30 in the vertical direction are also connected by the storage capacitor wiring 35.

制御TFT71のゲートに所定の電圧が印加されると、制御TFT71は映像信号線62に応じた電位を蓄積容量73に与える。駆動TFT72のゲートは蓄積容量73によって電位が保持されており、蓄積容量73の電荷に対応した電流を駆動電源線63からOLED素子74の陽極に供給する。OLED素子74の陰極は、接地電極又は負電位の陰極18に接続される。   When a predetermined voltage is applied to the gate of the control TFT 71, the control TFT 71 gives a potential corresponding to the video signal line 62 to the storage capacitor 73. A potential of the gate of the driving TFT 72 is held by the storage capacitor 73, and a current corresponding to the charge of the storage capacitor 73 is supplied from the drive power supply line 63 to the anode of the OLED element 74. The cathode of the OLED element 74 is connected to the ground electrode or the negative potential cathode 18.

[画素の構成]
次に、図4及び5を用いて、実施形態1における光吸収体31の構成を説明する。
[Pixel configuration]
Next, the configuration of the light absorber 31 in the first embodiment will be described with reference to FIGS.

図4は、実施形態1における光吸収体31の平面図であり、画素電極40が縦に3個、横に4個並んで配置された部分を拡大したものである。画素電極40は矩形状に形成されており、右上部分に保持容量電極30の開口部42が形成され、開口部42が形成される領域を除いた部分に発光部41がL字型に形成されている。隣接する画素電極40の間と、開口部42が配置される領域には、バンク層16(図示せず)が配置される。発光部41は、バンク層16(図示せず)が配置されていない領域であり、OLED発光層17(図示せず)が実際に発光する。   FIG. 4 is a plan view of the light absorber 31 according to the first embodiment, and is an enlarged view of a portion in which three pixel electrodes 40 are arranged vertically and four horizontally. The pixel electrode 40 is formed in a rectangular shape, the opening 42 of the storage capacitor electrode 30 is formed in the upper right portion, and the light emitting portion 41 is formed in an L shape in a portion excluding the region where the opening 42 is formed. ing. A bank layer 16 (not shown) is disposed between adjacent pixel electrodes 40 and in a region where the opening 42 is disposed. The light emitting unit 41 is an area where the bank layer 16 (not shown) is not disposed, and the OLED light emitting layer 17 (not shown) actually emits light.

光吸収体31は、上下左右に隣接する画素電極40の間に配置される。光吸収体31は、隣接する画素電極40の間隔に相当する幅を有するよう配置されることが望ましい。より好ましくは、図4に示すように、画素電極40の間隔よりも広く配置されることが望ましい。   The light absorber 31 is disposed between the pixel electrodes 40 adjacent in the vertical and horizontal directions. The light absorber 31 is desirably arranged to have a width corresponding to the interval between the adjacent pixel electrodes 40. More preferably, as shown in FIG. 4, it is desirable that the gap be arranged wider than the interval between the pixel electrodes 40.

図5は、実施形態1における表示装置の画素回路において、図4のA−A’線における断面図を示したものである。   FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG. 4 in the pixel circuit of the display device according to the first embodiment.

下基板11上に画素回路12が配置され、下基板11及び画素回路12上に層間絶縁膜13が配置される。ここで、下基板11はガラス、樹脂等で形成され、層間絶縁膜13は、下側に窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料で形成された層が複数積層されてもよく、走査信号線61、映像信号線62及び駆動電源線63(いずれも図示せず)が適宜配置される。また、層間絶縁膜13の上側には、アクリル、ポリイミド等の有機材料で形成される、平坦化のための層が形成されてもよい。   A pixel circuit 12 is disposed on the lower substrate 11, and an interlayer insulating film 13 is disposed on the lower substrate 11 and the pixel circuit 12. Here, the lower substrate 11 may be formed of glass, resin, or the like, and the interlayer insulating film 13 may be formed by laminating a plurality of layers formed of an inorganic material such as silicon nitride or silicon oxide on the lower side. The video signal line 62 and the drive power supply line 63 (both not shown) are appropriately arranged. Further, a planarization layer made of an organic material such as acrylic or polyimide may be formed above the interlayer insulating film 13.

層間絶縁膜13上に、保持容量電極30及び保持容量配線35が配置される。ここで、保持容量電極30及び保持容量配線35は、同一の部材を層間絶縁膜13上に積層して形成され、後述する画素電極40と対向する部分が保持容量電極30として機能し、画素電極40間などのそれ以外の部分が保持容量配線35として機能する。以下、説明の簡略のため、保持容量電極30及び保持容量配線35をまとめて保持容量電極30として説明する。   A storage capacitor electrode 30 and a storage capacitor line 35 are disposed on the interlayer insulating film 13. Here, the storage capacitor electrode 30 and the storage capacitor wiring 35 are formed by laminating the same member on the interlayer insulating film 13, and a portion facing a pixel electrode 40 described later functions as the storage capacitor electrode 30. The other portions such as 40 function as the storage capacitor wiring 35. Hereinafter, for the sake of simplicity, the storage capacitor electrode 30 and the storage capacitor wiring 35 will be collectively described as the storage capacitor electrode 30.

保持容量電極30上で、隣接する画素電極40間に相当する部分に、光吸収体31が配置される。光吸収体31には、カーボンブラックやチタンブラック等の黒色顔料を有する顔料を含有する感光性樹脂が用いられてもよい。この材料を用いた場合、一般的なフォトリソグラフィー装置を用いて感光性樹脂を加工できるため、図4に示すような所望のパターン形状の光吸収体を形成できる。また、光吸収体31に到達した光94が光吸収体31を通過して保持容量電極30で反射後、再び光吸収体31を通過する間の経路で十分吸収されるように、光吸収体31の厚さを光吸収体31の吸収係数に応じて設定することが望ましい。   On the storage capacitor electrode 30, the light absorber 31 is disposed in a portion corresponding to the space between the adjacent pixel electrodes 40. For the light absorber 31, a photosensitive resin containing a pigment having a black pigment such as carbon black or titanium black may be used. When this material is used, the photosensitive resin can be processed using a general photolithography apparatus, so that a light absorber having a desired pattern shape as shown in FIG. 4 can be formed. In addition, the light absorber so that the light 94 that has reached the light absorber 31 passes through the light absorber 31 and is reflected by the storage capacitor electrode 30 and then is sufficiently absorbed by the path that passes through the light absorber 31 again. It is desirable to set the thickness of 31 according to the absorption coefficient of the light absorber 31.

層間絶縁膜13には、画素電極40と画素回路12を電気的に接続するためのコンタクトホール14が配置される。コンタクトホール14が保持容量電極30に接しないように、保持容量電極30に開口部42が形成されている。保持容量電極30、光吸収体31、コンタクトホール14及び層間絶縁膜13上に容量絶縁膜15が形成される。容量絶縁膜15上には、画素電極40が形成される。容量絶縁膜15の層間絶縁膜13の上部には、画素電極40と画素回路12を電気的に接続するためのコンタクトホール14が形成される。保持容量電極30は容量絶縁膜15を介して画素電極40と対向し、保持容量36を構成する。   A contact hole 14 for electrically connecting the pixel electrode 40 and the pixel circuit 12 is disposed in the interlayer insulating film 13. An opening 42 is formed in the storage capacitor electrode 30 so that the contact hole 14 does not contact the storage capacitor electrode 30. A capacitor insulating film 15 is formed on the storage capacitor electrode 30, the light absorber 31, the contact hole 14, and the interlayer insulating film 13. A pixel electrode 40 is formed on the capacitor insulating film 15. A contact hole 14 for electrically connecting the pixel electrode 40 and the pixel circuit 12 is formed on the interlayer insulating film 13 of the capacitor insulating film 15. The storage capacitor electrode 30 faces the pixel electrode 40 with the capacitor insulating film 15 interposed therebetween, and forms a storage capacitor 36.

画素電極40が配置されない領域に、画素を区画するためのバンク層16が形成される。また、コンタクトホール14が配置される領域にも、バンク層16が形成される。バンク層16は、アクリルやポリイミド等の透明な絶縁性の有機材料が用いられる。バンク層16及び画素電極40上に、OLED発光層17、陰極18、封止膜19が順次積層され、封止膜19上には充填材20が形成される。バンク層16上に積層されたOLED発光層17、陰極18、封止膜19は、バンク層16の形状に沿って、丸みを帯びて形成される。充填材20上には、カラーフィルタ21、22、23が配置される。バンク層16の上側には、ブラックマトリクス24が形成される。カラーフィルタ21、22、23及びブラックマトリクス24上に、上基板25が形成される。   A bank layer 16 for partitioning pixels is formed in a region where the pixel electrode 40 is not disposed. A bank layer 16 is also formed in a region where the contact hole 14 is disposed. The bank layer 16 is made of a transparent insulating organic material such as acrylic or polyimide. An OLED light emitting layer 17, a cathode 18, and a sealing film 19 are sequentially stacked on the bank layer 16 and the pixel electrode 40, and a filler 20 is formed on the sealing film 19. The OLED light emitting layer 17, the cathode 18, and the sealing film 19 stacked on the bank layer 16 are rounded along the shape of the bank layer 16. Color filters 21, 22, and 23 are disposed on the filler 20. A black matrix 24 is formed on the bank layer 16. An upper substrate 25 is formed on the color filters 21, 22, 23 and the black matrix 24.

画素電極40と陰極18との間に所定の電圧が印加されると、画素電極40と陰極18間のOLED発光層17は発光し、OLED発光層17から出射される光は全方向に及ぶ。OLED発光層17から上方向へ出射される光91は、陰極18、封止膜19、充填材20を透過し、カラーフィルタ22を通過して所望の色の光として発せられる。一方、OLED発光層17から斜め方向へ出射された光92は、封止膜19と充填材20の界面である点Pに到達する。封止膜19と充填材20の屈折率は一般に異なっており、バンク層16付近の封止膜19と充填材20の界面はバンク層16の形状に沿って丸みを帯びているので、OLED発光層17から出射された光の角度と界面の角度によって、光の反射及び屈折が生じる。図6では、光92と同方向に屈折した光93と、点Pで反射してバンク層16に向かう光94が生じていることを示している。   When a predetermined voltage is applied between the pixel electrode 40 and the cathode 18, the OLED light emitting layer 17 between the pixel electrode 40 and the cathode 18 emits light, and light emitted from the OLED light emitting layer 17 extends in all directions. The light 91 emitted upward from the OLED light emitting layer 17 passes through the cathode 18, the sealing film 19, and the filler 20, passes through the color filter 22, and is emitted as light of a desired color. On the other hand, the light 92 emitted from the OLED light emitting layer 17 in an oblique direction reaches a point P that is an interface between the sealing film 19 and the filler 20. The refractive index of the sealing film 19 and the filler 20 is generally different, and the interface between the sealing film 19 and the filler 20 in the vicinity of the bank layer 16 is rounded along the shape of the bank layer 16, so that OLED emission Reflection and refraction of light occur depending on the angle of light emitted from the layer 17 and the angle of the interface. FIG. 6 shows that light 93 refracted in the same direction as the light 92 and light 94 reflected at the point P toward the bank layer 16 are generated.

光93は、ブラックマトリクス24に入射して減衰されるので、隣の画素のカラーフィルタ21を通過して外部に出射されることはない。仮に、第1実施形態とは異なり、隣接する画素電極40の間に該当する部分に光吸収体31が形成されていない場合、光94は点Qで反射する。光95’は点Qで反射されたと仮定された光であり、画素電極40及びブラックマトリクス24に入射しない場合、隣の画素であるカラーフィルタ21を通過して外部に出射されてしまう。   Since the light 93 enters the black matrix 24 and is attenuated, it does not pass through the color filter 21 of the adjacent pixel and is not emitted to the outside. Unlike the first embodiment, when the light absorber 31 is not formed in a corresponding portion between adjacent pixel electrodes 40, the light 94 is reflected at the point Q. The light 95 ′ is assumed to be reflected at the point Q. When the light 95 ′ does not enter the pixel electrode 40 and the black matrix 24, the light 95 ′ passes through the color filter 21 that is an adjacent pixel and is emitted to the outside.

上述のように、第1実施形態では、保持容量電極30上で、隣接する画素電極40の間に相当する部分に、光吸収体31が配置される。光吸収体31が配置されていることによって、点Pで反射した光94は光吸収体31に吸収され、隣の画素へ向かう反射光は発生しない。これによって、上下左右に隣接する画素への光漏れや不要混色を防ぎ、表示装置の表示特性を向上させることが可能となる。   As described above, in the first embodiment, the light absorber 31 is disposed on the storage capacitor electrode 30 in a portion corresponding to between the adjacent pixel electrodes 40. Since the light absorber 31 is arranged, the light 94 reflected at the point P is absorbed by the light absorber 31 and no reflected light directed to the adjacent pixel is generated. As a result, it is possible to prevent light leakage and unnecessary color mixing to pixels adjacent in the vertical and horizontal directions, and to improve the display characteristics of the display device.

なお、本発明ではOLED発光層17が白発光であり、カラーフィルタ21〜23があることが前提となる。これはカラーフィルタがなく、サブ画素ごとに赤、緑、青の色にてOLED発光層が発光する形態の場合は、点Pおよび点Qによる反射を経た出射光は光91と異なる色となることが無く、混色の問題が起きないからである。   In the present invention, it is assumed that the OLED light emitting layer 17 emits white light and the color filters 21 to 23 are present. In the case where there is no color filter and the OLED light emitting layer emits light in red, green, and blue colors for each sub-pixel, the emitted light that has been reflected by the points P and Q has a different color from the light 91. This is because there is no color mixing problem.

(変形例1)
実施例1では、光吸収体31を保持容量電極30上に接して配置したが、本発明はこれに限られない。光吸収体31は、バンク層16付近の封止膜19と充填材20の界面で反射した光が、保持容量電極30に進行するのを防ぐ位置に配置すればよい。
(Modification 1)
In the first embodiment, the light absorber 31 is disposed in contact with the storage capacitor electrode 30, but the present invention is not limited to this. The light absorber 31 may be disposed at a position that prevents light reflected at the interface between the sealing film 19 and the filler 20 near the bank layer 16 from traveling to the storage capacitor electrode 30.

図6は、実施形態1の変形例1における表示装置の画素回路の断面図を示す図である。図5と図6とを比較すると、図6では光吸収体31が容量絶縁膜15上に配置されている点が異なる。図6を参照すると、容量絶縁膜15上に配置された光吸収体31が、点Pで反射した光94を吸収して、保持容量電極30へ進行させないことがわかる。   FIG. 6 is a diagram illustrating a cross-sectional view of a pixel circuit of the display device according to the first modification of the first embodiment. 5 is compared with FIG. 6 in that the light absorber 31 is disposed on the capacitive insulating film 15 in FIG. Referring to FIG. 6, it can be seen that the light absorber 31 disposed on the capacitor insulating film 15 absorbs the light 94 reflected at the point P and does not travel to the storage capacitor electrode 30.

図6では、光吸収体31は画素電極40が配置されない領域全体に配置されており、容量絶縁膜15は光吸収体31又は画素電極40に覆われている構成をとっているが、本発明はこれに限らない。変形例1のように光吸収体31を容量絶縁膜15上に配置する場合、図5と比較すると光吸収体31が配置される位置が点Pに近いので、点Pで反射した光94が保持容量電極30で反射し隣の画素に向かうことを防ぐためには、隣接する画素電極40の間隔よりも狭く光吸収体31を形成してもよい。   In FIG. 6, the light absorber 31 is disposed over the entire region where the pixel electrode 40 is not disposed, and the capacitive insulating film 15 is covered with the light absorber 31 or the pixel electrode 40. Is not limited to this. When the light absorber 31 is disposed on the capacitive insulating film 15 as in Modification 1, the position where the light absorber 31 is disposed is closer to the point P as compared to FIG. In order to prevent reflection from the storage capacitor electrode 30 and heading to the adjacent pixel, the light absorber 31 may be formed narrower than the interval between the adjacent pixel electrodes 40.

さらに、変形例1とは異なり、例えば容量絶縁膜15を多層構造とし、容量絶縁膜15の内部に光吸収体31を配置しても良い。また、バンク層16の上又はその内部に光吸収体31を配置してもよい。   Further, unlike the first modification, for example, the capacitor insulating film 15 may have a multilayer structure, and the light absorber 31 may be disposed inside the capacitor insulating film 15. Further, the light absorber 31 may be disposed on or inside the bank layer 16.

(変形例2)
図7は、実施形態1の変形例2における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。図4と図7とを比較すると、図7では、光吸収体31が隣接する画素電極40の上下左右に配置され、斜め方向には配置されていない点が異なる。斜めに隣り合う画素電極40の距離は、上下又は左右に隣り合う画素電極40の距離よりも長いので、斜めに隣り合う画素間の光漏れや不要混色の影響は、上下又は左右に隣り合う画素間の影響よりも小さい。したがって、画素電極40の斜め方向に光吸収体31を配置しなくても、不要混色等の影響は小さく、その反面、実施例1と比較して光吸収体31の製造コストを下げることが可能になる。
(Modification 2)
FIG. 7 is a diagram illustrating a plan view of a pixel circuit of the display device according to the second modification of the first embodiment. 4 and FIG. 7 is different from FIG. 7 in that the light absorber 31 is arranged on the upper, lower, left, and right sides of the adjacent pixel electrode 40 and is not arranged in an oblique direction. Since the distance between the pixel electrodes 40 diagonally adjacent to each other is longer than the distance between the pixel electrodes 40 adjacent to each other vertically or horizontally, the influence of light leakage and unnecessary color mixing between the pixels adjacent to each other diagonally is the pixel adjacent to the pixel vertically. Less than the effect between. Therefore, even if the light absorber 31 is not disposed in the diagonal direction of the pixel electrode 40, the influence of unnecessary color mixing is small, but on the other hand, the manufacturing cost of the light absorber 31 can be reduced as compared with the first embodiment. become.

また、例えば上下方向に同色を発光する画素が配置される表示装置の場合、同色の画素間での不要混色等の影響は比較的小さいので、画素電極40の上下方向には光吸収体31を配置しない構成とすることも可能である。   Further, for example, in the case of a display device in which pixels emitting the same color in the vertical direction are arranged, the influence of unnecessary color mixing between pixels of the same color is relatively small. Therefore, the light absorber 31 is provided in the vertical direction of the pixel electrode 40. It is possible to adopt a configuration in which no arrangement is made.

(変形例3)
図8は、実施形態1の変形例3における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。図8と図7とを比較すると、いずれも光吸収体31が隣接する画素電極40の上下左右に配置されているものの、図8では開口部42の付近に光吸収体31が配置されていない点が異なる。
(Modification 3)
FIG. 8 is a diagram illustrating a plan view of a pixel circuit of the display device in the third modification of the first embodiment. Comparing FIG. 8 and FIG. 7, in each case, the light absorber 31 is disposed on the top, bottom, left and right of the adjacent pixel electrode 40, but in FIG. 8, the light absorber 31 is not disposed near the opening 42. The point is different.

図8に示すように、矩形状の画素電極40の頂点付近に開口部42が存在し、発光部41はL字型を形成している。上下に隣接する発光部41の開口部42が存在する付近は、発光部41間の間隔が比較的広いので、封止膜19と充填材20との界面で反射した光が保持容量電極30の形成された層へ到達する可能性は低い。また、開口部42にはコンタクトホール14(図示せず)が存在し、封止膜19と充填材20との界面で反射した光の障害物として機能する。したがって、開口部42の付近には光吸収体31を形成しなくても、保持容量電極30の反射を抑制することが可能となる。このような構成をとることによって、変形例2よりもさらに製造コストを下げることが可能となる。なお、変形例3においても、変形例2の説明で述べたように、同色を発光する画素が隣接する場合には、当該画素電極40の間に光吸収体31を配置しない構成とすることも可能である。   As shown in FIG. 8, an opening 42 exists near the apex of the rectangular pixel electrode 40, and the light emitting unit 41 forms an L shape. In the vicinity where the opening 42 of the light emitting unit 41 adjacent to the upper and lower sides is present, the interval between the light emitting units 41 is relatively wide, so that the light reflected at the interface between the sealing film 19 and the filler 20 The possibility of reaching the formed layer is low. In addition, a contact hole 14 (not shown) exists in the opening 42 and functions as an obstacle for light reflected at the interface between the sealing film 19 and the filler 20. Therefore, reflection of the storage capacitor electrode 30 can be suppressed without forming the light absorber 31 in the vicinity of the opening 42. By adopting such a configuration, the manufacturing cost can be further reduced as compared with the second modification. In the third modification, as described in the description of the second modification, when pixels emitting the same color are adjacent to each other, the light absorber 31 may not be disposed between the pixel electrodes 40. Is possible.

(変形例4)
図9は、実施形態1の変形例4における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。変形例4は、光吸収体31に、隣接する画素で表示する光の波長域に吸収帯を有する顔料を含有する感光性樹脂が用いられる。
(Modification 4)
FIG. 9 is a diagram illustrating a plan view of a pixel circuit of the display device according to the fourth modification of the first embodiment. In the fourth modification, a photosensitive resin containing a pigment having an absorption band in the wavelength range of light displayed in adjacent pixels is used for the light absorber 31.

図9では、左から順に赤色を表示する発光部41r、緑色を表示する発光部41g、青色を表示する発光部41b、そして赤色を表示する発光部41rが順に配置され、上下方向には同一色を表示する発光部41r、41g又は41bが配置される。   In FIG. 9, a light emitting unit 41r for displaying red, a light emitting unit 41g for displaying green, a light emitting unit 41b for displaying blue, and a light emitting unit 41r for displaying red are arranged in order from the left, and the same color in the vertical direction. A light emitting unit 41r, 41g, or 41b for displaying is arranged.

赤色を表示する画素の発光部41rから隣接する緑色を表示する画素に向かう光による混色を抑制するには、この光の緑色波長域の成分が光吸収体で吸収されればよい。反対に、緑色を表示する画素の発光部41gから隣接する赤色を表示する画素に向かう光による混色を抑制するには、この光の赤色波長域の成分が光吸収体で吸収されればよい。これらを同時に実現するには、光吸収体の両側の画素で表示する緑色波長域および赤色波長域に吸収帯が存在し、青色波長域の光を透過する光吸収体であってもよい。したがって、発光部41rを有する画素電極40と、発光部41gを有する画素電極40との間には、青色波長域を透過する光吸収体31bを配置する。同様に、発光部41gを有する画素電極40と発光部41bを有する画素電極40との間には、赤色波長域を透過する光吸収体31rを配置し、発光部41bを有する画素電極40と発光部41rを有する画素電極40との間には、緑色波長域を透過する光吸収体31gを配置する。   In order to suppress color mixture due to light traveling from the light emitting portion 41r of the pixel displaying red toward the adjacent pixel displaying green, the component in the green wavelength region of this light may be absorbed by the light absorber. On the other hand, in order to suppress color mixture due to light traveling from the light emitting portion 41g of the pixel displaying green to the adjacent pixel displaying red, the component in the red wavelength region of this light may be absorbed by the light absorber. In order to realize these simultaneously, a light absorber that has absorption bands in the green wavelength region and the red wavelength region displayed by the pixels on both sides of the light absorber and transmits light in the blue wavelength region may be used. Therefore, the light absorber 31b that transmits the blue wavelength region is disposed between the pixel electrode 40 having the light emitting portion 41r and the pixel electrode 40 having the light emitting portion 41g. Similarly, between the pixel electrode 40 having the light emitting portion 41g and the pixel electrode 40 having the light emitting portion 41b, a light absorber 31r that transmits the red wavelength region is disposed, and the pixel electrode 40 having the light emitting portion 41b emits light. Between the pixel electrode 40 which has the part 41r, the light absorber 31g which permeate | transmits a green wavelength range is arrange | positioned.

上下に隣接する同色の画素間においても、上述の吸収帯に関する説明があてはまるが、必ずしも赤、緑、青以外の色を追加する必要はない。例えば、赤色を表示する画素間では、赤色波長域に吸収帯が存在すればよく、シアン波長域の光を透過する吸収体であってもよいが、緑色または青色波長域の光を透過する吸収体でもよい。ここでは、赤色の発光部41rを有する画素電極40間には、青色波長域を透過する光吸収体31bを配置し、緑色の発光部41gを有する画素電極40間には、赤色波長域を透過する光吸収体31rを配置し、青色の発光部41bを有する画素電極40間には、緑色波長域を透過する光吸収体31gを配置した。   The description regarding the absorption band described above also applies to pixels of the same color that are vertically adjacent to each other, but it is not always necessary to add colors other than red, green, and blue. For example, an absorption band in the red wavelength range may be present between pixels displaying red, and an absorber that transmits light in the cyan wavelength range may be used, but absorption that transmits light in the green or blue wavelength range may be used. It may be the body. Here, a light absorber 31b that transmits the blue wavelength region is disposed between the pixel electrodes 40 having the red light emitting portion 41r, and the red wavelength region is transmitted between the pixel electrodes 40 having the green light emitting portion 41g. A light absorber 31g that transmits the green wavelength region is disposed between the pixel electrodes 40 having the blue light emitting portion 41b.

<実施形態2>
次に、図10及び11を用いて、実施形態2に係る表示装置の構成を説明する。実施形態2では、反射光を抑制する機能を有する部材として、光散乱体32が用いられる。なお、特に言及しない部分については、実施形態2と実施形態1とは共通するものとする。
<Embodiment 2>
Next, the configuration of the display device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, a light scatterer 32 is used as a member having a function of suppressing reflected light. Note that the second embodiment and the first embodiment are common to portions that are not particularly mentioned.

図10は、実施形態2における光散乱体32の平面図である。図4と同様に、光散乱体32は、上下左右に隣接する画素電極40の間に配置される。   FIG. 10 is a plan view of the light scatterer 32 in the second embodiment. Similar to FIG. 4, the light scatterer 32 is disposed between the pixel electrodes 40 adjacent in the vertical and horizontal directions.

図11は、実施形態2における表示装置の画素回路において、図10のA−A’線における断面図を示したものである。   FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 10 in the pixel circuit of the display device according to the second embodiment.

図11を参照すると、保持容量電極30上で、隣接する画素電極40の間に相当する幅をもって、光散乱体32が配置される。光散乱体32には、容量絶縁膜15の屈折率と異なる屈折率を有する微粒子を含有した、感光性樹脂を用いても良い。あるいは、保持容量電極30の上面の一部に凹凸を形成して、光散乱体32としてもよい。   Referring to FIG. 11, the light scatterer 32 is disposed on the storage capacitor electrode 30 with a corresponding width between adjacent pixel electrodes 40. For the light scatterer 32, a photosensitive resin containing fine particles having a refractive index different from that of the capacitive insulating film 15 may be used. Alternatively, the light scatterer 32 may be formed by forming irregularities on a part of the upper surface of the storage capacitor electrode 30.

点Pで反射した光94が光散乱体32の点Q2に到達すると、光94は光散乱体32の上側に分散して反射する。反射した光の一部である光96が、隣接する画素のカラーフィルタ21を通過して、混色を生じさせる場合もあるが、光96は光95の散乱した反射光の一部でしかないため、混色の影響を抑制することができる。   When the light 94 reflected at the point P reaches the point Q2 of the light scatterer 32, the light 94 is dispersed and reflected on the upper side of the light scatterer 32. Although the light 96 that is a part of the reflected light may pass through the color filter 21 of the adjacent pixel and cause color mixing, the light 96 is only a part of the reflected light scattered by the light 95. The influence of color mixing can be suppressed.

(変形例)
実施形態2における光散乱体32の平面上の配置に関しては、実施形態1の変形例2及び3と同様である。断面における光散乱体32の配置に関しても、実施形態1の変形例1と同様に、必ずしも保持容量電極30に接して配置されなくともよい。ただし、光散乱体32で反射される光のうち、混色を生じる角度に反射する光を可及的に減少させるという観点からは、光散乱体32は保持容量電極30に接して配置されることが好ましい。
(Modification)
The arrangement on the plane of the light scatterer 32 in the second embodiment is the same as in the second and third modifications of the first embodiment. Regarding the arrangement of the light scatterers 32 in the cross section, as in the first modification of the first embodiment, the light scatterers 32 are not necessarily arranged in contact with the storage capacitor electrode 30. However, the light scatterer 32 is disposed in contact with the storage capacitor electrode 30 from the viewpoint of reducing as much as possible the light reflected by the light scatterer 32 at an angle causing color mixing. Is preferred.

<実施形態3>
次に、図12及び13を用いて、実施形態3に係る表示装置の構成を説明する。実施形態3では、反射光を抑制する機能を有する部材として、反射低減層33が用いられる。なお、特に言及しない部分については、実施形態3と実施形態1とは共通するものとする。
<Embodiment 3>
Next, the configuration of the display device according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. In the third embodiment, the reflection reducing layer 33 is used as a member having a function of suppressing reflected light. It should be noted that Embodiments 3 and 1 are common to portions that are not particularly mentioned.

図12は、実施形態3における反射低減層33の平面図である。反射低減層33は、保持容量電極30(図示せず)上に積層されるので、平面上は開口部42を除く領域に配置される。   FIG. 12 is a plan view of the reflection reducing layer 33 in the third embodiment. Since the reflection reducing layer 33 is laminated on the storage capacitor electrode 30 (not shown), the reflection reducing layer 33 is arranged in a region excluding the opening 42 on the plane.

図13は、実施形態3における表示装置の画素回路において、図12のA−A’線における断面図を示したものである。   FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 12 in the pixel circuit of the display device according to the third embodiment.

図13を参照すると、保持容量電極30上に、反射低減層33が積層される。反射低減層33には、光の反射を低減させる性質を有する材質が用いられ、例えば容量絶縁膜15の屈折率と異なる屈折率を有する誘電体積層膜が用いられる。材料としては、窒化シリコンや酸化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム等の複数の誘電体薄膜を繰り返し積層した積層膜であり、保持容量電極30及び保持容量配線35をフォトリソグラフィープロセスによってパターン形成する際に一括加工することで、反射低減層33を作製すればよい。この場合、誘電体積層膜に入射した光と保持容量電極30での反射光が光学干渉によって弱め合う条件に各層の膜厚を調整することが望ましい。   Referring to FIG. 13, the reflection reducing layer 33 is stacked on the storage capacitor electrode 30. The reflection reducing layer 33 is made of a material having a property of reducing the reflection of light. For example, a dielectric laminated film having a refractive index different from the refractive index of the capacitive insulating film 15 is used. The material is a laminated film in which a plurality of dielectric thin films such as silicon nitride, silicon oxide, titanium oxide, zirconium oxide, and aluminum oxide are repeatedly laminated, and the storage capacitor electrode 30 and the storage capacitor wiring 35 are patterned by a photolithography process. In this case, the reflection reduction layer 33 may be manufactured by batch processing. In this case, it is desirable to adjust the film thickness of each layer so that light incident on the dielectric laminated film and reflected light from the storage capacitor electrode 30 are weakened by optical interference.

点Pで反射した光94が反射低減層33の点Q3に到達すると、点Q3で反射した光97が進行する。光97は、隣接する画素のカラーフィルタ21を通過するが、反射低減層33で反射した光97は光94と比較して光の強さが低減しているので、混色の影響を抑制することができる。   When the light 94 reflected at the point P reaches the point Q3 of the reflection reducing layer 33, the light 97 reflected at the point Q3 proceeds. The light 97 passes through the color filter 21 of the adjacent pixel, but the intensity of the light 97 reflected by the reflection reducing layer 33 is reduced compared to the light 94, so that the influence of color mixing is suppressed. Can do.

(変形例)
実施形態3における反射低減層33の平面上の配置に関しては、実施形態1並びにその変形例2及び3と同様に、隣接する画素電極40間に配置されてもよい。断面における反射低減層33の配置に関しても、実施形態1の変形例1と同様に、必ずしも保持容量電極30に接して配置されなくともよい。ただし、反射低減層33で反射される光のうち、混色を生じる角度に反射する光を可及的に減少させるという観点からは、反射低減層33は保持容量電極30に接して配置されることが好ましい。
(Modification)
Regarding the arrangement of the reflection reducing layer 33 on the plane in the third embodiment, it may be arranged between the adjacent pixel electrodes 40 as in the first embodiment and the modifications 2 and 3. Regarding the arrangement of the reflection reducing layer 33 in the cross section, it is not always necessary to be in contact with the storage capacitor electrode 30 as in the first modification of the first embodiment. However, the reflection reduction layer 33 is disposed in contact with the storage capacitor electrode 30 from the viewpoint of reducing as much as possible the light reflected at an angle that causes color mixing among the light reflected by the reflection reduction layer 33. Is preferred.

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったものの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。   In the scope of the idea of the present invention, those skilled in the art can conceive various changes and modifications, and it is understood that these changes and modifications also belong to the scope of the present invention. For example, although the person skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design of the above-described embodiments, or added the process, omitted, or changed the conditions, the gist of the present invention As long as it is provided, it is included in the scope of the present invention.

11:下基板
12:画素回路
13:層間絶縁膜
14:コンタクトホール
15:容量絶縁膜
16:バンク層
17:OLED発光層
18:陰極
19:封止膜
20:充填材
21、22、23:カラーフィルタ
24:ブラックマトリクス
25:上基板
30:保持容量電極
31、31r、31g、31b:光吸収体
32:光散乱体
33:反射低減層
35:保持容量配線
36:保持容量
40:画素電極
41、41r、41g、41b:発光部
42:開口部
61:走査信号線
62:映像信号線
63:駆動電源線
71:制御TFT
72:駆動TFT
73:蓄積容量
74:OLED素子
11: Lower substrate 12: Pixel circuit 13: Interlayer insulating film 14: Contact hole 15: Capacitor insulating film 16: Bank layer 17: OLED light emitting layer 18: Cathode 19: Sealing film 20: Fillers 21, 22, 23: Color Filter 24: Black matrix 25: Upper substrate 30: Retention capacitance electrodes 31, 31r, 31g, 31b: Light absorber 32: Light scatterer 33: Reflection reduction layer 35: Retention capacitance wiring 36: Retention capacitance 40: Pixel electrode 41 41r, 41g, 41b: light emitting section 42: opening 61: scanning signal line 62: video signal line 63: drive power supply line 71: control TFT
72: Drive TFT
73: Storage capacitor 74: OLED element

Claims (13)

絶縁膜を介して画素電極と対向する保持容量電極を含む複数の画素と、
前記複数の画素の間に配置され、反射光を抑制する機能を持つ部材と
を有する表示装置。
A plurality of pixels including a storage capacitor electrode facing the pixel electrode through an insulating film;
A display device comprising: a member disposed between the plurality of pixels and having a function of suppressing reflected light.
前記複数の画素の間に配置されるバンク層と、
前記画素電極及び前記バンク層上に配置されるOLED発光層と、
前記OLED発光層上に配置される陰極と、
前記陰極上に配置される封止膜と、
前記封止膜上に配置される充填材と
をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
A bank layer disposed between the plurality of pixels;
An OLED light emitting layer disposed on the pixel electrode and the bank layer;
A cathode disposed on the OLED light-emitting layer;
A sealing film disposed on the cathode;
The display device according to claim 1, further comprising: a filler disposed on the sealing film.
前記反射光を抑制する機能を持つ部材は、光吸収体であることを特徴とする、請求項2に記載の表示装置。   The display device according to claim 2, wherein the member having a function of suppressing reflected light is a light absorber. 前記光吸収体は、黒色顔料を含有する感光性樹脂からなることを特徴とする、請求項3に記載の表示装置。   The display device according to claim 3, wherein the light absorber is made of a photosensitive resin containing a black pigment. 前記光吸収体は、前記保持容量電極上に配置されることを特徴とする、請求項3に記載の表示装置。   The display device according to claim 3, wherein the light absorber is disposed on the storage capacitor electrode. 前記光吸収体は、前記絶縁膜上に配置されることを特徴とする、請求項3に記載の表示装置。   The display device according to claim 3, wherein the light absorber is disposed on the insulating film. 前記光吸収体は、前記バンク層上に配置されることを特徴とする、請求項3に記載の表示装置。   The display device according to claim 3, wherein the light absorber is disposed on the bank layer. 前記反射光を抑制する機能を持つ部材は、光散乱体であることを特徴とする、請求項2に記載の表示装置。   The display device according to claim 2, wherein the member having a function of suppressing the reflected light is a light scatterer. 前記光散乱体は、前記保持容量電極上に配置されることを特徴とする、請求項8に記載の表示装置。   The display device according to claim 8, wherein the light scatterer is disposed on the storage capacitor electrode. 前記光散乱体は、前記絶縁膜の屈折率と異なる屈折率の微粒子を含有する感光性樹脂であることを特徴とする、請求項9に記載の表示装置。   The display device according to claim 9, wherein the light scatterer is a photosensitive resin containing fine particles having a refractive index different from that of the insulating film. 前記光散乱体は、前記保持容量電極の前記絶縁膜側の表面に凹凸を形成したものであることを特徴とする、請求項9に記載の表示装置。   The display device according to claim 9, wherein the light scatterer is formed by forming irregularities on a surface of the storage capacitor electrode on the insulating film side. 前記反射光を抑制する機能を持つ部材は、反射低減層であることを特徴とする、請求項2に記載の表示装置。   The display device according to claim 2, wherein the member having a function of suppressing reflected light is a reflection reducing layer. 前記反射低減層は誘電体積層膜からなり、前記誘電体積層膜の屈折率は前記絶縁膜の屈折率と異なることを特徴とする、請求項12に記載の表示装置。   The display device according to claim 12, wherein the reflection reduction layer is made of a dielectric laminated film, and a refractive index of the dielectric laminated film is different from a refractive index of the insulating film.
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