JP2016040874A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】白色画素を用いた色配列においてビニング動作が可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素PCには、緑色画素G、赤色画素R、青色画素Bおよび白色画素Wが設けられ、白色画素Wは画素アレイ部1に市松状に配置され、緑色画素Gは第2カラムおよび第4カラムにおいて白色画素W間に配置され、赤色画素Rは第1カラムにおいて白色画素W間に配置され、青色画素Bは第3カラムにおいて白色画素W間に配置されている。
【選択図】図1
【解決手段】画素PCには、緑色画素G、赤色画素R、青色画素Bおよび白色画素Wが設けられ、白色画素Wは画素アレイ部1に市松状に配置され、緑色画素Gは第2カラムおよび第4カラムにおいて白色画素W間に配置され、赤色画素Rは第1カラムにおいて白色画素W間に配置され、青色画素Bは第3カラムにおいて白色画素W間に配置されている。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、固体撮像装置に関する。
カラー撮像が可能な固体撮像装置の高感度化を図るため、色フィルタの一部に青色と緑色と赤色の光を透過する透明(白色)フィルタを用いる方法がある。この白色フィルタを用いた色フィルタ配列として様々な配列が提案されている。
本発明の一つの実施形態は、白色画素を用いた色配列においてビニング動作が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の一つの実施形態によれば、光電変換された電荷を蓄積する画素がロウ方向およびカラム方向にマトリックス状に配置された画素アレイ部を備え、前記画素は、第1波長域に感度を有する第1画素と、第2波長域に感度を有する第2画素と、第3波長域に感度を有する第3画素と、前記第1波長域、前記第2波長域および前記第3波長域に感度を有する第4画素とを備える。前記第4画素は前記画素アレイ部に市松状に配置され、前記第1画素は第2カラムおよび第4カラムにおいて前記第4画素間に配置され、前記第2画素は第1カラムにおいて前記第4画素間に配置され、前記第3画素は第3カラムにおいて前記第4画素間に配置されている。
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る固体撮像装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図1において、固体撮像装置には、画素アレイ部1が設けられている。画素アレイ部1には、光電変換した電荷を蓄積する画素PCがロウ方向RDおよびカラム方向CDにn(nは正の整数)行×m(mは正の整数)列分だけマトリックス状に配置されている。また、この画素アレイ部1において、ロウ方向RDには画素PCの読み出し制御を行う水平制御線Hlinが設けられ、カラム方向CDには画素PCから読み出された信号を伝送する垂直信号線Vlinが設けられている。画素PCには、緑色画素G、赤色画素R、青色画素Bおよび白色画素Wが設けられている。緑色画素Gは緑色に感度を有する。赤色画素Rは赤色に感度を有する。青色画素Bは青色に感度を有する。白色画素Wは緑色、赤色および緑色に感度を有する。なお、緑色画素G、赤色画素R、青色画素Bおよび白色画素Wは、色フィルタを用いて構成するようにしてもよいし、半導体層における光電変換層の深さおよび厚さを変化させることで構成するようにしてもよいし、光電変換層の材料を変化させることで構成するようにしてもよい。ここで、白色画素Wは画素アレイ部1に市松状に配置され、緑色画素Gは第2カラムおよび第4カラムにおいて白色画素W間に配置され、赤色画素Rは第1カラムにおいて白色画素W間に配置され、青色画素Bは第3カラムにおいて白色画素W間に配置されている。この構成では、4画素分の緑色画素G、2画素分の赤色画素R、2画素分の青色画素Bおよび8画素分の白色画素Wからなる横4×縦4画素分の画素配列を単位として、ロウ方向RDおよびカラム方向CDに繰り返し配置することができる。この時、第1カラムでは赤色画素Rと白色画素Wが交互に配置される。第2カラムおよび第4カラムでは緑色画素Gと白色画素Wが交互に配置される。第3カラムでは青色画素Bと白色画素Wが交互に配置される。すなわち、同一カラムでは2色分の画素PCが交互に配置される。
図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図1において、固体撮像装置には、画素アレイ部1が設けられている。画素アレイ部1には、光電変換した電荷を蓄積する画素PCがロウ方向RDおよびカラム方向CDにn(nは正の整数)行×m(mは正の整数)列分だけマトリックス状に配置されている。また、この画素アレイ部1において、ロウ方向RDには画素PCの読み出し制御を行う水平制御線Hlinが設けられ、カラム方向CDには画素PCから読み出された信号を伝送する垂直信号線Vlinが設けられている。画素PCには、緑色画素G、赤色画素R、青色画素Bおよび白色画素Wが設けられている。緑色画素Gは緑色に感度を有する。赤色画素Rは赤色に感度を有する。青色画素Bは青色に感度を有する。白色画素Wは緑色、赤色および緑色に感度を有する。なお、緑色画素G、赤色画素R、青色画素Bおよび白色画素Wは、色フィルタを用いて構成するようにしてもよいし、半導体層における光電変換層の深さおよび厚さを変化させることで構成するようにしてもよいし、光電変換層の材料を変化させることで構成するようにしてもよい。ここで、白色画素Wは画素アレイ部1に市松状に配置され、緑色画素Gは第2カラムおよび第4カラムにおいて白色画素W間に配置され、赤色画素Rは第1カラムにおいて白色画素W間に配置され、青色画素Bは第3カラムにおいて白色画素W間に配置されている。この構成では、4画素分の緑色画素G、2画素分の赤色画素R、2画素分の青色画素Bおよび8画素分の白色画素Wからなる横4×縦4画素分の画素配列を単位として、ロウ方向RDおよびカラム方向CDに繰り返し配置することができる。この時、第1カラムでは赤色画素Rと白色画素Wが交互に配置される。第2カラムおよび第4カラムでは緑色画素Gと白色画素Wが交互に配置される。第3カラムでは青色画素Bと白色画素Wが交互に配置される。すなわち、同一カラムでは2色分の画素PCが交互に配置される。
また、固体撮像装置には、読み出し対象となる画素PCを垂直方向に走査する垂直走査回路2、画素PCとの間でソースフォロア動作を行うことにより、画素PCから垂直信号線Vlinにカラムごとに画素信号を読み出す負荷回路3、各画素PCの信号成分のみを抽出するためのCDS処理を実施するとともにデジタル信号に変換するカラムADC回路4、カラムADC回路4にて検出された各画素PCの信号成分をカラムごとに記憶するラインメモリ5、読み出し対象となる画素PCを水平方向に走査する水平走査回路6、カラムADC回路4に基準電圧VREFを出力する基準電圧発生回路7、各画素PCの読み出しや蓄積のタイミングを制御するタイミング制御回路8、画素信号がデジタル化される前に同色画素をロウ方向RDにビニング処理するアナログ水平画素合成回路9および画素信号がデジタル化された後に同色画素をロウ方向RDにビニング処理するデジタル水平画素合成回路10が設けられている。タイミング制御回路8には、同色画素をカラム方向CDにビニング処理するアナログ垂直画素合成部8Aが設けられている。また、タイミング制御回路8にはマスタークロックMCKが入力される。基準電圧VREFはランプ波を用いることができる。
そして、ビニングなしで画素信号を読み出す場合、垂直走査回路2にて画素PCが1ラインずつ垂直方向に走査されることで、ロウ方向RDに画素PCが選択される。そして、負荷回路3において、その画素PCとの間でソースフォロア動作がカラムごとに行われることにより、画素PCから読み出された画素信号が垂直信号線Vlinを介して伝送され、カラムADC回路4に送られる。また、基準電圧発生回路7において、基準電圧VREFとしてランプ波が設定され、カラムADC回路4に送られる。そして、カラムADC回路4において、画素PCから読み出された信号レベルとリセットレベルがランプ波のレベルに一致するまでクロックのカウント動作が行われデジタル信号に変換する。その時の信号レベルとリセットレベルとの差分がとられることで各画素PCの信号成分がCDSにて検出され、ラインメモリ5を介して出力信号SOAとして出力される。
一方、ビニングありで画素信号を読み出す場合、垂直走査回路2にて画素PCが2ラインずつ垂直方向に走査されることで、ロウ方向RDに2ライン分の同色の画素PCが選択される。そして、負荷回路3において、2ライン分の画素PCとの間でソースフォロア動作がカラムごとに行われることによりカラム方向CDにビニング処理され、2ライン分の画素PCから読み出された画素信号が垂直信号線Vlinを介して伝送される。そして、アナログ水平画素合成回路9において、2カラム分の同色の画素PCについての垂直信号線Vlinがショートされ、2カラム分の同色の画素PCについての画素信号が混合されることでロウ方向RDにビニング処理され、カラムADC回路4に送られる。また、基準電圧発生回路7において、基準電圧VREFとしてランプ波が設定され、カラムADC回路4に送られる。そして、カラムADC回路4において、カラム方向CDおよびロウ方向RDにビニング処理された画素信号の信号レベルとリセットレベルがランプ波のレベルに一致するまでクロックのカウント動作が行われデジタル信号に変換する。その時の信号レベルとリセットレベルとの差分がとられることで、ビニング処理された画素信号の信号成分がCDSにて検出され、ラインメモリ5を介して出力信号SOBとして出力される。なお、アナログ水平画素合成回路9においてロウ方向RDのビニング処理をアナログ的に行うことなく、デジタル水平画素合成回路10において画素信号がデジタル化された後にロウ方向RDのビニング処理をデジタル的に行うようにしてもよい。このビニング処理は、画素信号の加算処理であってもよいし、画素信号の平均化処理であってもよい。
ここで、同一カラムでは2色分の画素PCを交互に配置することにより、白色画素を用いた色配列において、同一カラムで1つ置きに異色画素が同時に選択されないようにすることが可能となる。このため、白色画素を用いた色配列において、同一カラムで1つ置きに同色画素を同時に選択することが可能となり、ベイヤ配列を用いた場合に比べて高感度化を図りつつ、ビニング動作を実現することが可能となる。
図2は、図1の固体撮像装置の2画素1セル構成における横4×縦4画素分の画素の構成例を示す回路図である。
図2において、第1カラム〜第4カラムに対応して垂直信号線Vlin1〜Vlin4が設けられている。白色画素WにはフォトダイオードPD−Wが設けられ、フォトダイオードPD−Wは読み出しトランジスタTGwを介してフローティングディフュージョンFDに接続されている。緑色画素GにはフォトダイオードPD−Gが設けられ、フォトダイオードPD−Gは読み出しトランジスタTGgを介してフローティングディフュージョンFDに接続されている。赤色画素RにはフォトダイオードPD−Rが設けられ、フォトダイオードPD−Rは読み出しトランジスタTGrを介してフローティングディフュージョンFDに接続されている。青色画素BにはフォトダイオードPD−Bが設けられ、フォトダイオードPD−Bは読み出しトランジスタTGbを介してフローティングディフュージョンFDに接続されている。
ここで、第1カラムでは、2ライン分のフォトダイオードPD−W、PD−Rで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第3カラムでは、2ライン分のフォトダイオードPD−B、PD−Wで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第2カラムおよび第4カラムでは、2ライン分のフォトダイオードPD−G、PD−Wで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。
図2において、第1カラム〜第4カラムに対応して垂直信号線Vlin1〜Vlin4が設けられている。白色画素WにはフォトダイオードPD−Wが設けられ、フォトダイオードPD−Wは読み出しトランジスタTGwを介してフローティングディフュージョンFDに接続されている。緑色画素GにはフォトダイオードPD−Gが設けられ、フォトダイオードPD−Gは読み出しトランジスタTGgを介してフローティングディフュージョンFDに接続されている。赤色画素RにはフォトダイオードPD−Rが設けられ、フォトダイオードPD−Rは読み出しトランジスタTGrを介してフローティングディフュージョンFDに接続されている。青色画素BにはフォトダイオードPD−Bが設けられ、フォトダイオードPD−Bは読み出しトランジスタTGbを介してフローティングディフュージョンFDに接続されている。
ここで、第1カラムでは、2ライン分のフォトダイオードPD−W、PD−Rで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第3カラムでは、2ライン分のフォトダイオードPD−B、PD−Wで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第2カラムおよび第4カラムでは、2ライン分のフォトダイオードPD−G、PD−Wで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。
そして、各フローティングディフュージョンFDは、増幅トランジスタTampのゲートに接続され、各増幅トランジスタTampのソースはカラムごとに垂直信号線Vlin1〜Vlin4に接続され、各増幅トランジスタTampのドレインは行選択トランジスタTadrを介して電源電位VDDに接続されている。また、各フローティングディフュージョンFDは、リセットトランジスタTrstを介して電源電位VDDに接続されている。
そして、ビニングなしで画素信号を読み出す場合、1ライン目の読み出しトランジスタTGw、TGgがオンされることでフォトダイオードPD−W、PD−Gから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。次に、2ライン目の読み出しトランジスタTGr、TGw、TGbがオンされることでフォトダイオードPD−R、PD−W、PD−Bから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。次に、3ライン目の読み出しトランジスタTGw、TGgがオンされることでフォトダイオードPD−W、PD−Gから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。次に、4ライン目の読み出しトランジスタTGr、TGw、TGbがオンされることでフォトダイオードPD−R、PD−W、PD−Bから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。
一方、ビニングありで画素信号を読み出す場合、1ライン目および3ライン目の読み出しトランジスタTGw、TGgが同時にオンされることでフォトダイオードPD−W、PD−Gから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。この時、1ライン目および3ライン目において同一カラムには同色画素が配置されているので、1ライン目および3ライン目の画素から同時に画素信号を読み出した場合においても、混色を防止することができる。
次に、2ライン目および4ライン目の読み出しトランジスタTGr、TGw、TGbが同時にオンされることでフォトダイオードPD−R、PD−W、PD−Bから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。この時、2ライン目および4ライン目において同一カラムには同色画素が配置されているので、2ライン目および4ライン目の画素から同時に画素信号を読み出した場合においても、混色を防止することができる。
そして、ビニングなしで画素信号を読み出す場合、1ライン目の読み出しトランジスタTGw、TGgがオンされることでフォトダイオードPD−W、PD−Gから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。次に、2ライン目の読み出しトランジスタTGr、TGw、TGbがオンされることでフォトダイオードPD−R、PD−W、PD−Bから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。次に、3ライン目の読み出しトランジスタTGw、TGgがオンされることでフォトダイオードPD−W、PD−Gから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。次に、4ライン目の読み出しトランジスタTGr、TGw、TGbがオンされることでフォトダイオードPD−R、PD−W、PD−Bから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。
一方、ビニングありで画素信号を読み出す場合、1ライン目および3ライン目の読み出しトランジスタTGw、TGgが同時にオンされることでフォトダイオードPD−W、PD−Gから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。この時、1ライン目および3ライン目において同一カラムには同色画素が配置されているので、1ライン目および3ライン目の画素から同時に画素信号を読み出した場合においても、混色を防止することができる。
次に、2ライン目および4ライン目の読み出しトランジスタTGr、TGw、TGbが同時にオンされることでフォトダイオードPD−R、PD−W、PD−Bから画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin4にそれぞれ読み出される。この時、2ライン目および4ライン目において同一カラムには同色画素が配置されているので、2ライン目および4ライン目の画素から同時に画素信号を読み出した場合においても、混色を防止することができる。
図3は、図1の固体撮像装置の4画素1セル構成における横4×縦4画素分の画素の構成例を示す回路図である。
図3において、第1カラムでは、4ライン分のフォトダイオードPD−W、PD−Rで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第3カラムでは、4ライン分のフォトダイオードPD−B、PD−Wで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第2カラムおよび第4カラムでは、4ライン分のフォトダイオードPD−G、PD−Wで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。その他の構成は図2の構成と同様である。
図3の構成では、図2の構成に比べてフローティングディフュージョンFD、増幅トランジスタTamp、行選択トランジスタTadrおよびリセットトランジスタTrstの個数を半減させることができ、レイアウト面積を削減することができる。
図3において、第1カラムでは、4ライン分のフォトダイオードPD−W、PD−Rで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第3カラムでは、4ライン分のフォトダイオードPD−B、PD−Wで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第2カラムおよび第4カラムでは、4ライン分のフォトダイオードPD−G、PD−Wで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。その他の構成は図2の構成と同様である。
図3の構成では、図2の構成に比べてフローティングディフュージョンFD、増幅トランジスタTamp、行選択トランジスタTadrおよびリセットトランジスタTrstの個数を半減させることができ、レイアウト面積を削減することができる。
図4は、図1の固体撮像装置の4画素1セル構成における横4×縦4画素分の画素のその他の構成例を示す回路図である。
図4において、第1カラムおよび第2カラムの1ライン目および2ライン目において、横2×縦2画素分のフォトダイオードPD−W、PD−G、PD−Rで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第1カラムおよび第2カラムの3ライン目および4ライン目において、横2×縦2画素分のフォトダイオードPD−W、PD−G、PD−Rで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第3カラムおよび第4カラムの1ライン目および2ライン目において、横2×縦2画素分のフォトダイオードPD−W、PD−G、PD−Bで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第3カラムおよび第4カラムの3ライン目および4ライン目において、横2×縦2画素分のフォトダイオードPD−W、PD−G、PD−Bで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。その他の構成は図2の構成と同様である。
図4の構成では、図2の構成に比べてフローティングディフュージョンFD、増幅トランジスタTamp、行選択トランジスタTadrおよびリセットトランジスタTrstの個数を半減させることができ、レイアウト面積を削減することができる。
図4において、第1カラムおよび第2カラムの1ライン目および2ライン目において、横2×縦2画素分のフォトダイオードPD−W、PD−G、PD−Rで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第1カラムおよび第2カラムの3ライン目および4ライン目において、横2×縦2画素分のフォトダイオードPD−W、PD−G、PD−Rで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第3カラムおよび第4カラムの1ライン目および2ライン目において、横2×縦2画素分のフォトダイオードPD−W、PD−G、PD−Bで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。第3カラムおよび第4カラムの3ライン目および4ライン目において、横2×縦2画素分のフォトダイオードPD−W、PD−G、PD−Bで1個のフローティングディフュージョンFDが共有されている。その他の構成は図2の構成と同様である。
図4の構成では、図2の構成に比べてフローティングディフュージョンFD、増幅トランジスタTamp、行選択トランジスタTadrおよびリセットトランジスタTrstの個数を半減させることができ、レイアウト面積を削減することができる。
図5は、図1のアナログ水平画素合成回路9の構成例を示す回路図である。
図5において、第1カラム〜第8カラムに対応して垂直信号線Vlin1〜Vlin8が設けられている。第1ライン〜第nラインに対応して水平制御線Hlin1〜Hlinnが設けられている。アナログ水平画素合成回路9には、結合トランジスタT1〜T8が設けられている。結合トランジスタT1は垂直信号線Vlin1、Vlin3間に接続され、結合トランジスタT2は垂直信号線Vlin2、Vlin4間に接続され、結合トランジスタT3は垂直信号線Vlin5、Vlin7間に接続され、結合トランジスタT4は垂直信号線Vlin6、Vlin8間に接続されている。結合トランジスタT1〜T4のゲートは切替制御線HS13に接続されている。結合トランジスタT5は垂直信号線Vlin1、Vlin5間に接続され、結合トランジスタT6は垂直信号線Vlin2、Vlin4間に接続され、結合トランジスタT7は垂直信号線Vlin3、Vlin7間に接続され、結合トランジスタT8は垂直信号線Vlin6、Vlin8間に接続されている。結合トランジスタT5〜T8のゲートは切替制御線HS24に接続されている。
そして、切替制御線HS13の電位が立ち上がると、結合トランジスタT1〜T4がオンする。このため、第1ラインおよび第3ラインにおいて、ロウ方向RDに2画素分の緑色画素Gのビニング読み出しが行われるとともに、ロウ方向RDに2画素分の白色画素Wのビニング読み出しが行われる。また、切替制御線HS24の電位が立ち上がると、結合トランジスタT5〜T8がオンする。このため、第2ラインおよび第4ラインにおいて、ロウ方向RDに2画素分の赤色画素Rのビニング読み出しが行われ、ロウ方向RDに2画素分の青色画素Bのビニング読み出しが行われ、ロウ方向RDに2画素分の白色画素Wのビニング読み出しが行われる。
これにより、白色画素Wを用いた色配列において、同一ロウの同色画素の画素信号をアナログ的に混合することが可能となり、ベイヤ配列を用いた場合に比べて高感度化を図りつつ、ビニング動作を実現することが可能となる。
なお、図5では、水平2画素分の画素信号を混合させる構成を例にとったが、水平4画素分の画素信号を混合させるようにしてもよいし、水平8画素分の画素信号を混合させるようにしてもよい。
図5において、第1カラム〜第8カラムに対応して垂直信号線Vlin1〜Vlin8が設けられている。第1ライン〜第nラインに対応して水平制御線Hlin1〜Hlinnが設けられている。アナログ水平画素合成回路9には、結合トランジスタT1〜T8が設けられている。結合トランジスタT1は垂直信号線Vlin1、Vlin3間に接続され、結合トランジスタT2は垂直信号線Vlin2、Vlin4間に接続され、結合トランジスタT3は垂直信号線Vlin5、Vlin7間に接続され、結合トランジスタT4は垂直信号線Vlin6、Vlin8間に接続されている。結合トランジスタT1〜T4のゲートは切替制御線HS13に接続されている。結合トランジスタT5は垂直信号線Vlin1、Vlin5間に接続され、結合トランジスタT6は垂直信号線Vlin2、Vlin4間に接続され、結合トランジスタT7は垂直信号線Vlin3、Vlin7間に接続され、結合トランジスタT8は垂直信号線Vlin6、Vlin8間に接続されている。結合トランジスタT5〜T8のゲートは切替制御線HS24に接続されている。
そして、切替制御線HS13の電位が立ち上がると、結合トランジスタT1〜T4がオンする。このため、第1ラインおよび第3ラインにおいて、ロウ方向RDに2画素分の緑色画素Gのビニング読み出しが行われるとともに、ロウ方向RDに2画素分の白色画素Wのビニング読み出しが行われる。また、切替制御線HS24の電位が立ち上がると、結合トランジスタT5〜T8がオンする。このため、第2ラインおよび第4ラインにおいて、ロウ方向RDに2画素分の赤色画素Rのビニング読み出しが行われ、ロウ方向RDに2画素分の青色画素Bのビニング読み出しが行われ、ロウ方向RDに2画素分の白色画素Wのビニング読み出しが行われる。
これにより、白色画素Wを用いた色配列において、同一ロウの同色画素の画素信号をアナログ的に混合することが可能となり、ベイヤ配列を用いた場合に比べて高感度化を図りつつ、ビニング動作を実現することが可能となる。
なお、図5では、水平2画素分の画素信号を混合させる構成を例にとったが、水平4画素分の画素信号を混合させるようにしてもよいし、水平8画素分の画素信号を混合させるようにしてもよい。
図6(a)は、図1の固体撮像装置のビニング処理前の横8×縦8画素分の色配列を示す図、図6(b)は、図1の固体撮像装置のビニング処理後の横4×縦4画素分の色配列を示す図である。
図6(a)の横8×縦8画素分のビニング処理を行うことで、図6(b)の横4×縦4画素分の画素信号を得ることができる。だだし、図6(b)において、BWxyはビニング処理後の白色画素Wの画素信号、Wxyはビニング処理前の白色画素Wの画素信号、BGxyはビニング処理後の緑色画素Gの画素信号、Gxyはビニング処理前の緑色画素Gの画素信号、BRxyはビニング処理後の赤色画素Rの画素信号、Rxyはビニング処理前の赤色画素Rの画素信号、BBxyはビニング処理後の青色画素Bの画素信号、Bxyはビニング処理前の青色画素Bの画素信号を示す。xはx行目の画素、yはy列目の画素を示す。
ここで、赤色画素Rおよび青色画素Bではロウ方向RDに4画素ごとにビニング処理が行われる。また、白色画素Wではロウ方向RDに2画素ごとにビニング処理を行うことにより、解像度の低下を抑えることができる。
図6(a)の横8×縦8画素分のビニング処理を行うことで、図6(b)の横4×縦4画素分の画素信号を得ることができる。だだし、図6(b)において、BWxyはビニング処理後の白色画素Wの画素信号、Wxyはビニング処理前の白色画素Wの画素信号、BGxyはビニング処理後の緑色画素Gの画素信号、Gxyはビニング処理前の緑色画素Gの画素信号、BRxyはビニング処理後の赤色画素Rの画素信号、Rxyはビニング処理前の赤色画素Rの画素信号、BBxyはビニング処理後の青色画素Bの画素信号、Bxyはビニング処理前の青色画素Bの画素信号を示す。xはx行目の画素、yはy列目の画素を示す。
ここで、赤色画素Rおよび青色画素Bではロウ方向RDに4画素ごとにビニング処理が行われる。また、白色画素Wではロウ方向RDに2画素ごとにビニング処理を行うことにより、解像度の低下を抑えることができる。
(第2実施形態)
図7(a)は、第2実施形態に係る固体撮像装置のビニング処理前の横8×縦8画素分の色配列を示す図、図7(b)は、図1の固体撮像装置のビニング処理後の横4×縦4画素分の色配列を示す図である。
図7(a)の横8×縦8画素分のビニング処理を行うことで、図7(b)の横4×縦4画素分の画素信号を得ることができる。緑色画素G、赤色画素Rおよび青色画素Bについては、図7(b)のビニング処理は、図6(b)のビニング処理と同様である。白色画素Wについては、図6(b)のビニング処理では、白色画素Wが横3×縦3画素の範囲から選択されたが、図7(b)のビニング処理では、白色画素Wが横2×縦4画素の範囲から選択される。これにより、図7(b)のビニング処理では、斜め方向に1画素ごとにビニング処理を行うことができ、図6(b)のビニング処理に比べて水平解像度を向上させることができる。
図7(a)は、第2実施形態に係る固体撮像装置のビニング処理前の横8×縦8画素分の色配列を示す図、図7(b)は、図1の固体撮像装置のビニング処理後の横4×縦4画素分の色配列を示す図である。
図7(a)の横8×縦8画素分のビニング処理を行うことで、図7(b)の横4×縦4画素分の画素信号を得ることができる。緑色画素G、赤色画素Rおよび青色画素Bについては、図7(b)のビニング処理は、図6(b)のビニング処理と同様である。白色画素Wについては、図6(b)のビニング処理では、白色画素Wが横3×縦3画素の範囲から選択されたが、図7(b)のビニング処理では、白色画素Wが横2×縦4画素の範囲から選択される。これにより、図7(b)のビニング処理では、斜め方向に1画素ごとにビニング処理を行うことができ、図6(b)のビニング処理に比べて水平解像度を向上させることができる。
(第3実施形態)
図8は、第3実施形態に係る固体撮像装置に適用されるDC成分除去回路21の構成例を示す回路図である。
図8において、この構成では、図5の構成にDC成分除去回路21が追加されている。DC成分除去回路21には容量C1〜C8が設けられている。容量C1〜C8は、画素アレイ部1とアナログ水平画素合成回路9との間において垂直信号線Vlin1〜Vlin8にそれぞれ挿入されている。
ここで、垂直信号線Vlin1〜Vlin8にDC成分除去回路21を設けることにより、画素PCから読み出された画素信号のうちの変動分のみを負荷回路3に送ることが可能となる。このため、画素PCから読み出された画素信号のDC成分がカラム間でばらつく場合においても、垂直信号線Vlin1〜Vlin8間での電位差を低減することができ、ビニング動作時での負荷回路3におけるソースフォロア動作を正常に行わせることが可能となる。
図8は、第3実施形態に係る固体撮像装置に適用されるDC成分除去回路21の構成例を示す回路図である。
図8において、この構成では、図5の構成にDC成分除去回路21が追加されている。DC成分除去回路21には容量C1〜C8が設けられている。容量C1〜C8は、画素アレイ部1とアナログ水平画素合成回路9との間において垂直信号線Vlin1〜Vlin8にそれぞれ挿入されている。
ここで、垂直信号線Vlin1〜Vlin8にDC成分除去回路21を設けることにより、画素PCから読み出された画素信号のうちの変動分のみを負荷回路3に送ることが可能となる。このため、画素PCから読み出された画素信号のDC成分がカラム間でばらつく場合においても、垂直信号線Vlin1〜Vlin8間での電位差を低減することができ、ビニング動作時での負荷回路3におけるソースフォロア動作を正常に行わせることが可能となる。
(第4実施形態)
図9は、第4実施形態に係る固体撮像装置の2画素1セル構成における横4×縦4画素分の画素の構成例を示す回路図である。
図9において、第1カラムでは図2の垂直信号線Vlin1の代わりに垂直信号線Vlin11、Vlin12が設けられ、第2カラムでは図2の垂直信号線Vlin2の代わりに垂直信号線Vlin21、Vlin22が設けられ、第3カラムでは図2の垂直信号線Vlin3の代わりに垂直信号線Vlin31、Vlin32が設けられ、第4カラムでは図2の垂直信号線Vlin4の代わりに垂直信号線Vlin41、Vlin42が設けられている。垂直信号線Vlin11、Vlin21、Vlin31、Vlin41は第1ライン目および第2ライン目の画素に接続され、垂直信号線Vlin12、Vlin22、Vlin32、Vlin42は第3ライン目および第4ライン目の画素に接続されている。
図9は、第4実施形態に係る固体撮像装置の2画素1セル構成における横4×縦4画素分の画素の構成例を示す回路図である。
図9において、第1カラムでは図2の垂直信号線Vlin1の代わりに垂直信号線Vlin11、Vlin12が設けられ、第2カラムでは図2の垂直信号線Vlin2の代わりに垂直信号線Vlin21、Vlin22が設けられ、第3カラムでは図2の垂直信号線Vlin3の代わりに垂直信号線Vlin31、Vlin32が設けられ、第4カラムでは図2の垂直信号線Vlin4の代わりに垂直信号線Vlin41、Vlin42が設けられている。垂直信号線Vlin11、Vlin21、Vlin31、Vlin41は第1ライン目および第2ライン目の画素に接続され、垂直信号線Vlin12、Vlin22、Vlin32、Vlin42は第3ライン目および第4ライン目の画素に接続されている。
図10は、第4実施形態に係る固体撮像装置に適用されるDC成分除去回路22および選択回路23の構成例を示す回路図である。
図10において、この構成では、図5の構成にDC成分除去回路22および選択回路23が追加されている。また、図10の構成では、画素アレイ部1として図9の構成が用いられている。DC成分除去回路22には容量C11〜C81、C12〜C82が設けられている。容量C11〜C81、C12〜C82は、画素アレイ部1とアナログ水平画素合成回路9との間において垂直信号線Vlin11〜Vlin81、Vlin12〜Vlin82にそれぞれ挿入されている。選択回路23には選択トランジスタT11〜T81、T12〜T82が設けられている。選択トランジスタT11〜T81、T12〜T82は、画素アレイ部1とアナログ水平画素合成回路9との間において垂直信号線Vlin11〜Vlin81、Vlin12〜Vlin82にそれぞれ挿入されている。選択トランジスタT11〜T81のゲートは選択制御線VS1に接続され、選択トランジスタT12〜T82のゲートは選択制御線VS2に接続されている。
そして、ビニングなしで画素信号を読み出す場合、結合トランジスタT1〜T8はオフされることで垂直信号線Vlin1〜Vlin8が分離される。また、選択トランジスタT11〜T81と選択トランジスタT12〜T82とが別個にオンされることで垂直信号線Vlin11〜Vlin81と垂直信号線Vlin12〜Vlin82とが別個に選択される。そして、垂直信号線Vlin11〜Vlin81が選択されると、第1ライン目または第2ライン目の画素から読み出された画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin8に送られる。一方、垂直信号線Vlin12〜Vlin82が選択されると、第3ライン目または第4ライン目の画素から読み出された画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin8に送られる。
一方、ビニングありで画素信号を読み出す場合、選択トランジスタT11〜T81、T12〜T82が同時にオンされることで垂直信号線Vlin11〜Vlin81、Vlin12〜Vlin82が同時に選択される。そして、第1ライン目および第3ライン目の画素から読み出された画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin8に同時に送られることで、カラム方向CDにビニング処理される。この時、結合トランジスタT1〜T4がオンすることで、ロウ方向RDのビニング処理も同時に実行される。
その後、第2ライン目および第4ライン目の画素から読み出された画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin8に同時に送られることで、カラム方向CDにビニング処理される。この時、結合トランジスタT5〜T8がオンすることで、ロウ方向RDのビニング処理も同時に実行される。
ここで、ビニングありで画素信号を読み出す場合、選択トランジスタT11〜T81、T12〜T82を同時にオンすることで、2画素の信号差が大きい場合においても、平均化した画素信号を得ることができる。また、カラム方向CDのサンプリング数を1/2にすることが可能となるとともに、ロウ方向RDのサンプリング数を1/2にすることが可能となり、4倍速の高速動作を実現することが可能となる。
図10において、この構成では、図5の構成にDC成分除去回路22および選択回路23が追加されている。また、図10の構成では、画素アレイ部1として図9の構成が用いられている。DC成分除去回路22には容量C11〜C81、C12〜C82が設けられている。容量C11〜C81、C12〜C82は、画素アレイ部1とアナログ水平画素合成回路9との間において垂直信号線Vlin11〜Vlin81、Vlin12〜Vlin82にそれぞれ挿入されている。選択回路23には選択トランジスタT11〜T81、T12〜T82が設けられている。選択トランジスタT11〜T81、T12〜T82は、画素アレイ部1とアナログ水平画素合成回路9との間において垂直信号線Vlin11〜Vlin81、Vlin12〜Vlin82にそれぞれ挿入されている。選択トランジスタT11〜T81のゲートは選択制御線VS1に接続され、選択トランジスタT12〜T82のゲートは選択制御線VS2に接続されている。
そして、ビニングなしで画素信号を読み出す場合、結合トランジスタT1〜T8はオフされることで垂直信号線Vlin1〜Vlin8が分離される。また、選択トランジスタT11〜T81と選択トランジスタT12〜T82とが別個にオンされることで垂直信号線Vlin11〜Vlin81と垂直信号線Vlin12〜Vlin82とが別個に選択される。そして、垂直信号線Vlin11〜Vlin81が選択されると、第1ライン目または第2ライン目の画素から読み出された画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin8に送られる。一方、垂直信号線Vlin12〜Vlin82が選択されると、第3ライン目または第4ライン目の画素から読み出された画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin8に送られる。
一方、ビニングありで画素信号を読み出す場合、選択トランジスタT11〜T81、T12〜T82が同時にオンされることで垂直信号線Vlin11〜Vlin81、Vlin12〜Vlin82が同時に選択される。そして、第1ライン目および第3ライン目の画素から読み出された画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin8に同時に送られることで、カラム方向CDにビニング処理される。この時、結合トランジスタT1〜T4がオンすることで、ロウ方向RDのビニング処理も同時に実行される。
その後、第2ライン目および第4ライン目の画素から読み出された画素信号が垂直信号線Vlin1〜Vlin8に同時に送られることで、カラム方向CDにビニング処理される。この時、結合トランジスタT5〜T8がオンすることで、ロウ方向RDのビニング処理も同時に実行される。
ここで、ビニングありで画素信号を読み出す場合、選択トランジスタT11〜T81、T12〜T82を同時にオンすることで、2画素の信号差が大きい場合においても、平均化した画素信号を得ることができる。また、カラム方向CDのサンプリング数を1/2にすることが可能となるとともに、ロウ方向RDのサンプリング数を1/2にすることが可能となり、4倍速の高速動作を実現することが可能となる。
(第5実施形態)
図11は、第5実施形態に係る固体撮像装置に適用される信号処理回路の構成例を示すブロック図である。
図11において、CMOSセンサ32の前段にはレンズ31が設けられ、CMOSセンサ32の後段にはノイズ低減回路33、Wデモザイキング回路34A、RGBデモザイキング回路34B、ホワイトバランス回路35、リニアマトリックス回路36、輪郭強調ガンマ補正回路37およびYUV回路38が設けられている。なお、CMOSセンサ32としては、例えば、図1の構成を用いることができる。
そして、CMOSセンサ32からは、フル解像度読み出しでは出力信号SOAが出力され、ビニング読み出しでは出力信号SOBが出力される。そして、ノイズ低減回路33において、白傷および黒傷などの画素欠陥が補正され、ランダムノイズが低減される。次に、Wデモザイキング回路34Aにおいて、出力信号SOAまたは出力信号SOBの白色画素Wについてデモザイキング処理が行われる。このデモザイキング処理では、撮像画像がランダムであるか、縦横斜めに方向性があるかどうかが判断される。そして、出力信号SOAまたは出力信号SOBの緑色画素G、赤色画素Rおよび青色画素Bの位置が白色画素Wで補完されることで、W補完画像SWが生成される。例えば、B23の青色画素Bの位置のW23は(W13+W22+W24+W33)/4で与えることができる。
次に、RGBデモザイキング回路34Bにおいて、出力信号SOAまたは出力信号SOBのRGB画像SMについてデモザイキング処理が行われる。このデモザイキング処理では、白色画素Wの補完位置と、緑色画素G、赤色画素Rおよび青色画素Bの位置との間で信号比が算出される。そして、この信号比に応じて各色ごとに比率係数を求め、比率係数に基づいて白色画素Wの位置が緑色画素G、赤色画素Rおよび青色画素Bで補完されることで、G補完画像SG、R補完画像SR、B補完画像SBが生成される。例えば、緑色比率係数Kwgは(W12+W14+W32+W34)/(G12+G14+G32+G34)で与えることができる。赤色比率係数Kwrは(W21+W41)/(R21+R41)で与えることができる。青色比率係数Kwbは(W23+W43)/(B23+B43)で与えることができる。この時、W22の白色画素Wの位置において、G22はKwg*W22、R22はKwr*W22、B22はKwb*W22で与えることができる。G23はKwg*W23、R23はKwr*W23で与えることができる。
次に、ホワイトバランス回路35においてホワイトバランスが調整され、リニアマトリックス回路36において色再現性が改善され、輪郭強調ガンマ補正回路37において輪郭強調処理およびガンマ補正が行われ、YUV回路38において色変換処理が行われる。この時、YUV回路38はYUV信号またはRGB信号を出力することができる。
図11は、第5実施形態に係る固体撮像装置に適用される信号処理回路の構成例を示すブロック図である。
図11において、CMOSセンサ32の前段にはレンズ31が設けられ、CMOSセンサ32の後段にはノイズ低減回路33、Wデモザイキング回路34A、RGBデモザイキング回路34B、ホワイトバランス回路35、リニアマトリックス回路36、輪郭強調ガンマ補正回路37およびYUV回路38が設けられている。なお、CMOSセンサ32としては、例えば、図1の構成を用いることができる。
そして、CMOSセンサ32からは、フル解像度読み出しでは出力信号SOAが出力され、ビニング読み出しでは出力信号SOBが出力される。そして、ノイズ低減回路33において、白傷および黒傷などの画素欠陥が補正され、ランダムノイズが低減される。次に、Wデモザイキング回路34Aにおいて、出力信号SOAまたは出力信号SOBの白色画素Wについてデモザイキング処理が行われる。このデモザイキング処理では、撮像画像がランダムであるか、縦横斜めに方向性があるかどうかが判断される。そして、出力信号SOAまたは出力信号SOBの緑色画素G、赤色画素Rおよび青色画素Bの位置が白色画素Wで補完されることで、W補完画像SWが生成される。例えば、B23の青色画素Bの位置のW23は(W13+W22+W24+W33)/4で与えることができる。
次に、RGBデモザイキング回路34Bにおいて、出力信号SOAまたは出力信号SOBのRGB画像SMについてデモザイキング処理が行われる。このデモザイキング処理では、白色画素Wの補完位置と、緑色画素G、赤色画素Rおよび青色画素Bの位置との間で信号比が算出される。そして、この信号比に応じて各色ごとに比率係数を求め、比率係数に基づいて白色画素Wの位置が緑色画素G、赤色画素Rおよび青色画素Bで補完されることで、G補完画像SG、R補完画像SR、B補完画像SBが生成される。例えば、緑色比率係数Kwgは(W12+W14+W32+W34)/(G12+G14+G32+G34)で与えることができる。赤色比率係数Kwrは(W21+W41)/(R21+R41)で与えることができる。青色比率係数Kwbは(W23+W43)/(B23+B43)で与えることができる。この時、W22の白色画素Wの位置において、G22はKwg*W22、R22はKwr*W22、B22はKwb*W22で与えることができる。G23はKwg*W23、R23はKwr*W23で与えることができる。
次に、ホワイトバランス回路35においてホワイトバランスが調整され、リニアマトリックス回路36において色再現性が改善され、輪郭強調ガンマ補正回路37において輪郭強調処理およびガンマ補正が行われ、YUV回路38において色変換処理が行われる。この時、YUV回路38はYUV信号またはRGB信号を出力することができる。
(第6実施形態)
図12は、第6実施形態に係る固体撮像装置が適用されたデジタルカメラの概略構成を示すブロック図である。
図12において、デジタルカメラ11は、カメラモジュール12および後段処理部13を有する。カメラモジュール12は、撮像光学系14および固体撮像装置15を有する。後段処理部13は、イメージシグナルプロセッサ(ISP)16、記憶部17及び表示部18を有する。なお、ISP16の少なくとも一部の構成は固体撮像装置15とともに1チップ化するようにしてもよい。固体撮像装置15としては、例えば、図1の構成を用いることができる。この時、デジタル水平画素合成回路10は、イメージシグナルプロセッサ16に設けるようにしてもよい。
図12は、第6実施形態に係る固体撮像装置が適用されたデジタルカメラの概略構成を示すブロック図である。
図12において、デジタルカメラ11は、カメラモジュール12および後段処理部13を有する。カメラモジュール12は、撮像光学系14および固体撮像装置15を有する。後段処理部13は、イメージシグナルプロセッサ(ISP)16、記憶部17及び表示部18を有する。なお、ISP16の少なくとも一部の構成は固体撮像装置15とともに1チップ化するようにしてもよい。固体撮像装置15としては、例えば、図1の構成を用いることができる。この時、デジタル水平画素合成回路10は、イメージシグナルプロセッサ16に設けるようにしてもよい。
撮像光学系14は、被写体からの光を取り込み、被写体像を結像させる。固体撮像装置15は、被写体像を撮像する。ISP16は、固体撮像装置15での撮像により得られた画像信号を信号処理する。記憶部17は、ISP16での信号処理を経た画像を格納する。記憶部17は、ユーザの操作等に応じて、表示部18へ画像信号を出力する。表示部18は、ISP16あるいは記憶部17から入力される画像信号に応じて、画像を表示する。表示部18は、例えば、液晶ディスプレイである。なお、カメラモジュール12は、デジタルカメラ11以外にも、例えばカメラ付き携帯端末またはスマートフォン等の電子機器に適用するようにしてもよい。
なお、上述した実施形態では、2画素1セルおよび4画素1セルを例にとったが、1画素1セルまたは8画素1セルなどであってもよい。また、上述した実施形態では2画素1セルおよび4画素1セルに行選択トランジスタを設けた構成を示したが、行選択トランジスタはなくてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 画素アレイ部、2 垂直走査回路、3 負荷回路、4 カラムADC回路、5 ラインメモリ、6 水平走査回路、7 基準電圧発生回路、8 タイミング制御回路、8A アナログ垂直画素合成部、9 アナログ水平画素合成回路、10 デジタル水平画素合成回路、PC 画素、Vlin 垂直信号線、Hlin 水平制御線
Claims (5)
- 光電変換された電荷を蓄積する画素がロウ方向およびカラム方向にマトリックス状に配置された画素アレイ部を備え、
前記画素は、
第1波長域に感度を有する第1画素と、
第2波長域に感度を有する第2画素と、
第3波長域に感度を有する第3画素と、
前記第1波長域、前記第2波長域および前記第3波長域に感度を有する第4画素とを備え、
前記第4画素は前記画素アレイ部に市松状に配置され、
前記第1画素は第2カラムおよび第4カラムにおいて前記第4画素間に配置され、
前記第2画素は第1カラムにおいて前記第4画素間に配置され、
前記第3画素は第3カラムにおいて前記第4画素間に配置されている固体撮像装置。 - 前記第1画素は緑色画素、前記第2画素は赤色画素、前記第3画素は青色画素、前記第4画素は白色画素である請求項1に記載の固体撮像装置。
- 同色画素を前記カラム方向にビニング処理する垂直画素合成部と、
同色画素を前記ロウ方向にビニング処理する水平画素合成回路とを備える請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記画素から読み出された画素信号を前記カラム方向に伝送する垂直信号線を備え、
前記画素アレイ部と前記水平画素合成回路との間において前記垂直信号線ごとに挿入された容量を備える請求項3に記載の固体撮像装置。 - 第1カラムに設けられた第1垂直信号線と、
前記第1カラムに設けられた第2垂直信号線と、
前記第1垂直信号線を選択する第1選択スイッチと、
前記第2垂直信号線を選択する第2選択スイッチとを備え、
前記第1垂直信号線と前記第2垂直信号線はカラムの異なる同色画素に別個に接続可能とされる請求項1から4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN115442573A (zh) * | 2022-08-23 | 2022-12-06 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 图像处理方法、装置和电子设备 |
US11575859B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor |
-
2014
- 2014-08-12 JP JP2014164418A patent/JP2016040874A/ja active Pending
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US11843877B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor comprising array of colored pixels |
WO2022111015A1 (zh) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | 华为技术有限公司 | 一种图像传感器及成像装置 |
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