JP2016039639A - Power conversion device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power conversion device which can reduce the number of components and achieve low cost and downsizing.SOLUTION: A power conversion device 1 comprises: a semiconductor module 2; and a control circuit board 3 for performing operational control of the semiconductor module 2. The semiconductor module 2 includes: a body part 21 which incorporates a semiconductor element 20; a plurality of board connection terminals 23 which project from the body part 21 and are connected to the control circuit board 3; and a plurality of power terminals 22. The power terminals 22 include a positive electrode terminal 22a, a negative electrode terminal 22b and an AC terminal 22c. The control circuit board 3 includes a voltage measurement circuit 30 for measuring voltage between the positive electrode terminal 22a and the negative electrode terminal 22b. The power conversion device 1 comprises as the board connection terminal 23, a positive-side connection terminal 23a which is connected to the positive electrode terminal 22a in the body part 21 and has a tip connected to the voltage measurement circuit 30.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールに接続した制御回路基板とを備える電力変換装置に関する。   The present invention relates to a power conversion device including a semiconductor module containing a semiconductor element and a control circuit board connected to the semiconductor module.

例えば直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置として、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールに接続し上記半導体素子のスイッチング動作を制御する制御回路基板とを備えるものがある(下記特許文献1参照)。   For example, as a power conversion device that performs power conversion between direct current power and alternating current power, a semiconductor module including a semiconductor element and a control circuit board that is connected to the semiconductor module and controls a switching operation of the semiconductor element (See Patent Document 1 below).

上記半導体モジュールは、直流電源の正電極に接続される正極端子と、直流電源の負電極に接続される負極端子と、交流負荷に接続される交流端子とを備える。上記電力変換装置は、上記制御回路基板によって上記半導体素子をスイッチング動作させることにより、上記直流電源から供給される直流電力を交流電力に変換し、この交流電力を用いて、上記交流負荷を駆動するよう構成されている。   The semiconductor module includes a positive terminal connected to a positive electrode of a DC power source, a negative terminal connected to a negative electrode of the DC power source, and an AC terminal connected to an AC load. The power converter converts the DC power supplied from the DC power source into AC power by switching the semiconductor element with the control circuit board, and drives the AC load using the AC power. It is configured as follows.

上記制御回路基板には、正極端子と負極端子との間の電圧を測定する電圧測定回路が形成されている。上記電力変換装置は、上記電圧測定回路を用いて上記電圧を測定し、その測定結果を、上記半導体素子の動作制御等に利用している。   On the control circuit board, a voltage measuring circuit for measuring a voltage between the positive terminal and the negative terminal is formed. The power conversion apparatus measures the voltage using the voltage measurement circuit, and uses the measurement result for operation control of the semiconductor element.

上記正極端子には、直流電流の経路となるバスバーが溶接されている。このバスバーにワイヤーを接続してある。また、制御回路基板には、電圧測定回路に導通したコネクタが設けられている。上記ワイヤーをコネクタに接続することにより、上記電圧測定回路と上記正極端子とを電気接続するよう構成されている。   A bus bar serving as a path for direct current is welded to the positive terminal. A wire is connected to this bus bar. The control circuit board is provided with a connector that is electrically connected to the voltage measurement circuit. The voltage measuring circuit and the positive terminal are electrically connected by connecting the wire to a connector.

特開2010−1234523号公報JP 2010-1234523 A

しかしながら、上記電力変換装置は、正極端子と電圧測定回路とを接続するために、ワイヤーおよびコネクタが必要となるため、部品点数が多くなりやすいという問題がある。そのため、電力変換装置の製造コストが上昇しやすくなる。また、ワイヤーを引き回すための空間を確保する必要があるため、電力変換装置が大型化しやすくなる。   However, the power conversion device requires a wire and a connector to connect the positive electrode terminal and the voltage measurement circuit, so that there is a problem that the number of components tends to increase. Therefore, the manufacturing cost of the power conversion device is likely to increase. Moreover, since it is necessary to ensure the space for routing a wire, a power converter device becomes easy to enlarge.

本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、部品点数を低減でき、低コスト化できると共に、小型化が可能な電力変換装置を提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of such a background, and an object of the present invention is to provide a power conversion device capable of reducing the number of parts, reducing the cost, and reducing the size.

本発明の一態様は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、
該半導体モジュールに接続し上記半導体素子のスイッチング動作を制御する制御回路基板とを備え、
上記半導体モジュールは、上記半導体素子を内蔵した本体部と、該本体部から突出し上記制御回路基板に接続した複数の基板接続端子と、上記本体部から突出した複数本のパワー端子とを有し、該複数本のパワー端子には、直流電圧が加わる正極端子及び負極端子と、交流負荷に接続される交流端子とがあり、
上記制御回路基板には、上記正極端子と上記負極端子との間の電圧を測定する電圧測定回路を形成してあり、
上記基板接続端子として、上記本体部内において上記負極端子に接続しその先端が上記電圧測定回路に接続した負側接続端子と、上記本体部内において上記正極端子に接続しその先端が上記電圧測定回路に接続した正側接続端子とを備えることを特徴とする電力変換装置にある。
One embodiment of the present invention is a semiconductor module including a semiconductor element;
A control circuit board connected to the semiconductor module and controlling the switching operation of the semiconductor element,
The semiconductor module has a main body portion containing the semiconductor element, a plurality of substrate connection terminals protruding from the main body portion and connected to the control circuit board, and a plurality of power terminals protruding from the main body portion, The plurality of power terminals include a positive electrode terminal and a negative electrode terminal to which a DC voltage is applied, and an AC terminal connected to an AC load.
The control circuit board is formed with a voltage measuring circuit for measuring a voltage between the positive terminal and the negative terminal,
As the substrate connection terminal, a negative side connection terminal connected to the negative electrode terminal in the main body portion and connected to the voltage measurement circuit, and a negative connection terminal connected to the positive electrode terminal in the main body portion and connected to the voltage measurement circuit. The power converter is provided with a connected positive-side connection terminal.

上記電力変換装置の半導体モジュールは、上記基板接続端子として上記正側接続端子を備える。正側接続端子は、半導体モジュールの上記本体部内において正極端子に接続し、その先端が電圧測定回路に接続している。
そのため、ワイヤーやコネクタ等を用いなくても、正極端子と電圧測定回路とを電気接続することが可能となる。したがって、部品点数を削減でき、電力変換装置の製造コストを低減することができる。また、ワイヤーを引き回す空間を確保する必要がなくなるため、電力変換装置を小型化することができる。
The semiconductor module of the power converter includes the positive connection terminal as the board connection terminal. The positive connection terminal is connected to the positive terminal in the main body of the semiconductor module, and the tip thereof is connected to the voltage measurement circuit.
Therefore, the positive electrode terminal and the voltage measurement circuit can be electrically connected without using a wire, a connector, or the like. Therefore, the number of parts can be reduced, and the manufacturing cost of the power conversion device can be reduced. Moreover, since it is not necessary to secure a space for routing the wire, the power converter can be reduced in size.

以上のごとく、本発明によれば、部品点数を低減でき、低コスト化できると共に、小型化が可能な電力変換装置を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a power conversion device that can reduce the number of components, reduce costs, and can be reduced in size.

実施例1における、電力変換装置の断面図であって、図2のI-I断面図。It is sectional drawing of the power converter device in Example 1, Comprising: II sectional drawing of FIG. 図1のII-II断面図。II-II sectional drawing of FIG. 図1のIII-III断面図。III-III sectional drawing of FIG. 図1のIV-IV断面図。IV-IV sectional drawing of FIG. 実施例1における、半導体モジュールの回路図。1 is a circuit diagram of a semiconductor module in Embodiment 1. FIG. 実施例1における、電力変換装置の回路図。The circuit diagram of the power converter device in Example 1. FIG. 実施例1における、正側接続端子を備える半導体モジュールの平面図。The top view of a semiconductor module provided with the positive side connection terminal in Example 1. FIG. 図7のVIII-VIII断面図。VIII-VIII sectional drawing of FIG. 図7のIX-IX断面図。IX-IX sectional drawing of FIG. 実施例1における、正側接続端子を備えない半導体モジュールの平面図。The top view of the semiconductor module which is not provided with the positive side connection terminal in Example 1. FIG. 図3の要部拡大図。The principal part enlarged view of FIG. 図11のXII-XII断面図。XII-XII sectional drawing of FIG. 図12の要部拡大図。The principal part enlarged view of FIG. 実施例2における、電力変換装置の断面図。Sectional drawing of the power converter device in Example 2. FIG. 実施例3における、電力変換装置の断面図であって、図16のXV-XV断面図。It is sectional drawing of the power converter device in Example 3, Comprising: It is XV-XV sectional drawing of FIG. 図15のXVI-XVI断面図。XVI-XVI sectional drawing of FIG.

上記電力変換装置は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための車載用電力変換装置とすることができる。   The power conversion device can be a vehicle-mounted power conversion device to be mounted on a vehicle such as an electric vehicle or a hybrid vehicle.

(実施例1)
上記電力変換装置に係る実施例について、図1〜図13を用いて説明する。図1に示すごとく、本例の電力変換装置1は、半導体モジュール2と制御回路基板3とを備える。半導体モジュール2は、半導体素子20(図6参照)を内蔵している。制御回路基板3は、半導体モジュール2に接続しており、半導体素子20のスイッチング動作を制御している。
Example 1
The Example which concerns on the said power converter device is described using FIGS. As shown in FIG. 1, the power conversion device 1 of this example includes a semiconductor module 2 and a control circuit board 3. The semiconductor module 2 includes a semiconductor element 20 (see FIG. 6). The control circuit board 3 is connected to the semiconductor module 2 and controls the switching operation of the semiconductor element 20.

半導体モジュール2は、半導体素子20を内蔵した本体部21と、該本体部21から突出し制御回路基板3に接続した複数の基板接続端子23と、本体部21から突出した複数本のパワー端子22とを有する。複数本のパワー端子22には、直流電源8(図6参照)の直流電圧が加わる正極端子22a及び負極端子22bと、交流負荷83に接続される交流端子22cとがある。   The semiconductor module 2 includes a main body 21 containing the semiconductor element 20, a plurality of board connection terminals 23 protruding from the main body 21 and connected to the control circuit board 3, and a plurality of power terminals 22 protruding from the main body 21. Have The plurality of power terminals 22 include a positive terminal 22a and a negative terminal 22b to which a DC voltage of the DC power supply 8 (see FIG. 6) is applied, and an AC terminal 22c connected to the AC load 83.

図3、図6に示すごとく、制御回路基板3には、正極端子22aと負極端子22bとの間の電圧を測定する電圧測定回路30が形成されている。
電力変換装置1は、基板接続端子23として、負側接続端子23bと正側接続端子23aとを備える。負側接続端子23bは、本体部21内において負極端子22bに接続し(図9参照)、その先端が電圧測定回路30に接続している。また、正側接続端子23aは、本体部21内において正極端子22aに接続し(図8参照)、その先端が電圧測定回路30に接続している。
As shown in FIGS. 3 and 6, the control circuit board 3 is formed with a voltage measurement circuit 30 that measures the voltage between the positive terminal 22 a and the negative terminal 22 b.
The power conversion device 1 includes a negative side connection terminal 23 b and a positive side connection terminal 23 a as the board connection terminals 23. The negative connection terminal 23 b is connected to the negative electrode terminal 22 b in the main body 21 (see FIG. 9), and the tip thereof is connected to the voltage measurement circuit 30. Further, the positive side connection terminal 23 a is connected to the positive electrode terminal 22 a in the main body 21 (see FIG. 8), and the tip thereof is connected to the voltage measurement circuit 30.

本例の電力変換装置1は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電力変換装置である。   The power conversion device 1 of this example is a vehicle-mounted power conversion device to be mounted on a vehicle such as an electric vehicle or a hybrid vehicle.

図5に示すごとく、本例の半導体モジュール2は、2個の半導体素子20(IGBT素子)を内蔵している。基板接続端子23には、上記正側接続端子23aの他に、ダイオード29に接続したアノード端子23A及びカソード端子23Kと、IGBT素子のゲート端子23Gと、センスエミッタ23Seと、ケルビンエミッタ23Keとがある。アノード端子23Aとカソード端子23Kは、半導体モジュール2の温度を測定するために用いられる。センスエミッタ23Seは、IGBT素子のエミッタ電流の一部を取り出して測定するために用いられる。また、ケルビンエミッタ23Keは、ゲート端子23Gに対する基準電位を取り出すために用いられる。下アーム側IGBT素子のケルビンエミッタ23Keは、上記負側接続端子23bとなっている。   As shown in FIG. 5, the semiconductor module 2 of this example includes two semiconductor elements 20 (IGBT elements). In addition to the positive connection terminal 23a, the substrate connection terminal 23 includes an anode terminal 23A and a cathode terminal 23K connected to the diode 29, a gate terminal 23G of an IGBT element, a sense emitter 23Se, and a Kelvin emitter 23Ke. . The anode terminal 23 </ b> A and the cathode terminal 23 </ b> K are used for measuring the temperature of the semiconductor module 2. The sense emitter 23Se is used to extract and measure a part of the emitter current of the IGBT element. The Kelvin emitter 23Ke is used for taking out a reference potential for the gate terminal 23G. The Kelvin emitter 23 Ke of the lower arm side IGBT element is the negative side connection terminal 23 b.

図2に示すごとく、本例では、複数の半導体モジュール2と、複数の冷却管11とを積層して積層体10を構成してある。複数の半導体モジュール2のうち、積層体10の積層方向(X方向)における一端に位置する端部半導体モジュール2aに、上記正側接続端子23aおよび負側接続端子23bを形成してある。端部半導体モジュール2a以外の半導体モジュール2には、正側接続端子23aを形成していない。また、図3に示すごとく、基板接続端子23の突出方向(Z方向)から見たときに、端部半導体モジュール2aは、X方向において制御回路基板3の端縁31に隣り合う位置に配されている。   As shown in FIG. 2, in this example, a stacked body 10 is configured by stacking a plurality of semiconductor modules 2 and a plurality of cooling pipes 11. Among the plurality of semiconductor modules 2, the positive connection terminal 23 a and the negative connection terminal 23 b are formed on the end semiconductor module 2 a located at one end in the stacking direction (X direction) of the stacked body 10. The semiconductor module 2 other than the end semiconductor module 2a is not formed with the positive connection terminal 23a. Further, as shown in FIG. 3, when viewed from the protruding direction (Z direction) of the board connection terminal 23, the end semiconductor module 2 a is arranged at a position adjacent to the edge 31 of the control circuit board 3 in the X direction. ing.

個々の半導体モジュール2に形成された複数の基板接続端子23は、Z方向とX方向との双方に直交する幅方向(Y方向)に配列している。端部半導体モジュール2aに形成された複数の基板接続端子23のうち、Y方向における一端に位置する基板接続端子23を、上記正側接続端子23aとしてある。また、Y方向における他端に位置する基板接続端子23を、上記負側接続端子23bとしてある。   The plurality of substrate connection terminals 23 formed in each semiconductor module 2 are arranged in the width direction (Y direction) orthogonal to both the Z direction and the X direction. Of the plurality of substrate connection terminals 23 formed in the end semiconductor module 2a, the substrate connection terminal 23 located at one end in the Y direction is the positive connection terminal 23a. The board connection terminal 23 located at the other end in the Y direction is the negative connection terminal 23b.

図7〜図9に示すごとく、端部半導体モジュール2aは、正極放熱板28aと、負極放熱板28bと、交流放熱板28cとの、3枚の放熱板28を備える。これら3枚の放熱板28は、各々の表面が露出した状態で、本体部21に封止されている。正極放熱板28aは正極端子22aと連結しており、負極放熱板28bは負極端子22bと連結している。また、交流放熱板28cは、交流端子22cと連結している。正極放熱板28aと交流放熱板28cとの間に、上アーム側半導体素子20aが介在している。また、負極放熱板28bと交流放熱板28cとの間に、下アーム側半導体素子20bが介在している。   As shown in FIGS. 7 to 9, the end semiconductor module 2a includes three heat radiating plates 28, a positive heat radiating plate 28a, a negative electrode radiating plate 28b, and an AC heat radiating plate 28c. These three heat radiating plates 28 are sealed in the main body 21 with their respective surfaces exposed. The positive heat sink 28a is connected to the positive terminal 22a, and the negative heat sink 28b is connected to the negative terminal 22b. The AC heat radiating plate 28c is connected to the AC terminal 22c. The upper arm side semiconductor element 20a is interposed between the positive electrode heat sink 28a and the AC heat sink 28c. Further, the lower arm side semiconductor element 20b is interposed between the negative electrode heat sink 28b and the AC heat sink 28c.

図8に示すごとく、正側接続端子23aと、正極放熱板28aと、正極端子22aとは一体的に形成されている。正側接続端子23aは、正極放熱板28aを介して、正極端子22aに接続されている。正側接続端子23aは、半導体モジュール2の製造時において、放熱板28及び半導体素子20を金型に入れ、これらを樹脂成型する際に、正側放熱板28aを金型内に固定するために用いられる。正側接続端子23aの先端部230は、その基端部239よりも細く形成されている。先端部230の外径は、他の基板接続端子23の外径と略等しい。   As shown in FIG. 8, the positive side connection terminal 23a, the positive electrode heat dissipation plate 28a, and the positive electrode terminal 22a are integrally formed. The positive side connection terminal 23a is connected to the positive electrode terminal 22a through the positive electrode heat dissipation plate 28a. The positive side connection terminal 23a is used for fixing the positive side heat radiating plate 28a in the mold when the heat radiating plate 28 and the semiconductor element 20 are placed in a mold during resin module molding. Used. The distal end portion 230 of the positive connection terminal 23a is formed to be narrower than the proximal end portion 239. The outer diameter of the tip portion 230 is substantially equal to the outer diameter of the other board connection terminals 23.

図9に示すごとく、負側接続端子23bは、ワイヤー238によって、負極放熱板28bに接続されている。負側接続端子23bは、ワイヤー238と負側放熱板28bとを介して、負極端子22bに接続されている。   As shown in FIG. 9, the negative connection terminal 23 b is connected to the negative electrode heat radiating plate 28 b by a wire 238. The negative connection terminal 23b is connected to the negative electrode terminal 22b via the wire 238 and the negative heat dissipation plate 28b.

また、図10に示すごとく、端部半導体モジュール2a以外の半導体モジュール2は、正側接続端子23aを根元付近で切り取ってある。端部半導体モジュール2aと、その他の半導体モジュール2は、正側接続端子23a以外の部位は、全て同一である。   Further, as shown in FIG. 10, in the semiconductor modules 2 other than the end semiconductor module 2a, the positive connection terminal 23a is cut off near the root. The end semiconductor module 2a and the other semiconductor modules 2 are all the same except for the positive connection terminal 23a.

一方、図6に示すごとく、本例では、複数の半導体モジュール2を用いて、インバータ回路200を形成している。制御回路基板3を用いて、半導体モジュール2内の半導体素子20のスイッチング動作を制御している。これにより、直流電源81から供給される直流電力を交流電力に変換し、交流負荷83(三相交流モータ)を駆動させている。これにより、車両を走行させている。   On the other hand, as shown in FIG. 6, in this example, the inverter circuit 200 is formed using a plurality of semiconductor modules 2. The control circuit board 3 is used to control the switching operation of the semiconductor element 20 in the semiconductor module 2. Thereby, the DC power supplied from the DC power source 81 is converted into AC power, and the AC load 83 (three-phase AC motor) is driven. As a result, the vehicle is running.

制御回路基板3には、上述した電圧測定回路30が形成されている。電圧測定回路30は、絶縁抵抗5と、増幅回路39と、マイコン38とからなる。正側接続端子23aと負側接続端子23bとは、それぞれ電圧測定回路30に接続している。正側接続端子23aと負側接続端子23bとの間の電圧、すなわち正極端子22aと負極端子22bとの間の電圧を、絶縁抵抗5及び増幅回路39を介して、マイコン38によって測定するよう構成されている。そして、その測定値を、半導体素子20の動作を制御する際に利用している。   The voltage measurement circuit 30 described above is formed on the control circuit board 3. The voltage measurement circuit 30 includes an insulation resistor 5, an amplifier circuit 39, and a microcomputer 38. The positive side connection terminal 23 a and the negative side connection terminal 23 b are each connected to the voltage measurement circuit 30. The microcomputer 38 measures the voltage between the positive side connection terminal 23a and the negative side connection terminal 23b, that is, the voltage between the positive terminal 22a and the negative terminal 22b via the insulation resistor 5 and the amplifier circuit 39. Has been. The measured value is used when controlling the operation of the semiconductor element 20.

また、図6に示すごとく、本例の電力変換装置1は、正極端子22aと負極端子22bとの間に接続したコンデンサ12を備える。このコンデンサ12によって、正極端子22aと負極端子22bとの間に加わる直流電圧を平滑化している。   Moreover, as shown in FIG. 6, the power converter device 1 of this example includes a capacitor 12 connected between a positive electrode terminal 22a and a negative electrode terminal 22b. The capacitor 12 smoothes the DC voltage applied between the positive terminal 22a and the negative terminal 22b.

制御回路基板3には、コンデンサ12に蓄えられた電荷を放電するための、複数の放電抵抗4が実装されている。放電抵抗4は、正側接続端子23aと負側接続端子23bとに接続している。つまり、本例では、コンデンサ12に蓄えられた電荷を、正側接続端子23aと負側接続端子23bとを介して放電抵抗4に流し、放電している。放電抵抗4とコンデンサ12との間には、スイッチ等が設けられていない。そのため、電力変換装置1を使用している状態では、コンデンサ12に蓄えられた電荷は、放電抵抗4を常に流れる。したがって、何らかの原因でリレー150,151がオフになった時でも、コンデンサ12に蓄えられた電荷は、短時間で放電される。これにより、感電事故等が起きないようにしてある。   A plurality of discharge resistors 4 for discharging the electric charge stored in the capacitor 12 are mounted on the control circuit board 3. The discharge resistor 4 is connected to the positive connection terminal 23a and the negative connection terminal 23b. That is, in this example, the electric charge stored in the capacitor 12 is caused to flow through the discharge resistor 4 via the positive side connection terminal 23a and the negative side connection terminal 23b to be discharged. A switch or the like is not provided between the discharge resistor 4 and the capacitor 12. Therefore, in the state where the power conversion device 1 is used, the electric charge stored in the capacitor 12 always flows through the discharge resistor 4. Therefore, even when the relays 150 and 151 are turned off for some reason, the electric charge stored in the capacitor 12 is discharged in a short time. This prevents an electric shock accident or the like from occurring.

図3に示すごとく、複数の放電抵抗4は、Y方向に配列している。放電抵抗4は、X方向において、端部半導体モジュール2a(図2参照)の基板接続端子23と、制御回路基板3の端縁31との間に配されている。複数の放電抵抗4のうち、Y方向における一端に位置する放電抵抗4aは、正側接続端子23aに電気接続されている。また、Y方向における他端に位置する放電抵抗4bは、負側接続端子23bに電気接続されている。   As shown in FIG. 3, the plurality of discharge resistors 4 are arranged in the Y direction. The discharge resistor 4 is arranged between the board connection terminal 23 of the end semiconductor module 2a (see FIG. 2) and the edge 31 of the control circuit board 3 in the X direction. Among the plurality of discharge resistors 4, the discharge resistor 4a located at one end in the Y direction is electrically connected to the positive connection terminal 23a. In addition, the discharge resistor 4b located at the other end in the Y direction is electrically connected to the negative connection terminal 23b.

また、複数の放電抵抗4は、Z方向から見たときに、冷却管11と重なり合う位置に配されている。上述したように、電力変換装置1を稼働している間は、コンデンサ12に蓄えられた電荷を、常に放電抵抗4に流すようにしてある。そのため、電力変換装置1を稼働している間は、放電抵抗4は常に発熱する。したがって、放電抵抗4を冷却管11に近い位置に配置することにより、この冷却管11を利用して、放電抵抗4を冷却するようにしてある。   Further, the plurality of discharge resistors 4 are arranged at positions overlapping the cooling tube 11 when viewed from the Z direction. As described above, while the power conversion device 1 is in operation, the charge stored in the capacitor 12 is always passed through the discharge resistor 4. Therefore, the discharge resistor 4 always generates heat while the power conversion device 1 is operating. Therefore, by disposing the discharge resistor 4 at a position close to the cooling tube 11, the cooling resistor 11 is used to cool the discharge resistor 4.

本例では、複数の冷却管11のうちX方向における一端に位置する端部冷却管11a(図2参照)に対して、Z方向に重なり合う位置に、放電抵抗4を配置してある。端部冷却管11aは、片側のみ半導体モジュール2と接触しているため、その内部に流れる冷媒16の温度は比較的低い。したがって本例のように、複数の放電抵抗4を、Z方向において端部冷却管11aと重なり合う位置に配置すれば、放電抵抗4を効果的に冷却することが可能となる。   In this example, the discharge resistor 4 is arranged at a position overlapping with the end cooling tube 11a (see FIG. 2) located at one end in the X direction among the plurality of cooling tubes 11 in the Z direction. Since the end cooling pipe 11a is in contact with the semiconductor module 2 only on one side, the temperature of the refrigerant 16 flowing in the end cooling pipe 11a is relatively low. Therefore, as in this example, if the plurality of discharge resistors 4 are arranged at positions overlapping the end cooling tubes 11a in the Z direction, the discharge resistors 4 can be effectively cooled.

図11、図12に示すごとく、制御回路基板3の表面32には、金属薄膜からなる抵抗側放熱層36を形成してある。この金属薄膜によって、配線360等も形成してある。抵抗側放熱層36上に放電抵抗4を載置し、はんだ付けしてある。抵抗側放熱層36は、コンデンサ12の放電電流が流れる経路をなしている。また、抵抗側放熱層36は、放電抵抗4から発生した熱を伝導させて、放電抵抗4を冷却する役割も有する。   As shown in FIGS. 11 and 12, a resistance side heat radiation layer 36 made of a metal thin film is formed on the surface 32 of the control circuit board 3. Wiring 360 and the like are also formed by this metal thin film. The discharge resistor 4 is placed on the resistance-side heat radiation layer 36 and soldered. The resistance-side heat radiation layer 36 forms a path through which the discharge current of the capacitor 12 flows. The resistance-side heat radiation layer 36 also has a role of cooling the discharge resistor 4 by conducting heat generated from the discharge resistor 4.

図12に示すごとく、制御回路基板3の、冷却管11側の表面33には、金属薄膜からなる冷却管側放熱層37が形成されている。制御回路基板3には、Z方向に貫通するスルーホール35が形成されている。図13に示すごとく、スルーホール35の内周面には、めっき層351が形成されている。放電抵抗4から発生した抵抗熱は、抵抗側放熱層36、めっき層351、冷却管側放熱層37を伝導し、冷却管11に伝わる。これにより、放電抵抗4を効果的に冷却するようにしてある。   As shown in FIG. 12, a cooling pipe side heat radiation layer 37 made of a metal thin film is formed on the surface 33 of the control circuit board 3 on the cooling pipe 11 side. A through hole 35 penetrating in the Z direction is formed in the control circuit board 3. As shown in FIG. 13, a plating layer 351 is formed on the inner peripheral surface of the through hole 35. The resistance heat generated from the discharge resistor 4 is conducted through the resistance side heat radiation layer 36, the plating layer 351, and the cooling pipe side heat radiation layer 37 and is transmitted to the cooling pipe 11. Thereby, the discharge resistor 4 is effectively cooled.

図2に示すごとく、端部冷却管11aには、冷媒16を導入するための導入管13と、冷媒16を排出するための導出管14とが取り付けられている。また、X方向に隣り合う2つの冷却管11は、Y方向における両端にて、連結管15によって連結されている。冷媒16を導入管13に導入すると、冷媒16は連結管15を通って全ての冷却管11を流れ、導出管14から導出する。これにより、半導体モジュール2を冷却するよう構成されている。   As shown in FIG. 2, an inlet pipe 13 for introducing the refrigerant 16 and a lead-out pipe 14 for discharging the refrigerant 16 are attached to the end cooling pipe 11 a. Moreover, the two cooling pipes 11 adjacent to each other in the X direction are connected by connecting pipes 15 at both ends in the Y direction. When the refrigerant 16 is introduced into the introduction pipe 13, the refrigerant 16 flows through all the cooling pipes 11 through the connecting pipe 15 and is led out from the outlet pipe 14. Thereby, the semiconductor module 2 is configured to be cooled.

本例では図2、図4に示すごとく、積層体10に対してX方向に隣り合う位置に、加圧部材17(板ばね)を設けてある。この加圧部材17によって、積層体10を、ケース6の壁部61に向けて加圧している。これにより、半導体モジュール21と冷却管11との接触圧を確保しつつ、積層体10をケース6内に固定している。   In this example, as shown in FIGS. 2 and 4, a pressure member 17 (plate spring) is provided at a position adjacent to the laminated body 10 in the X direction. The pressurizing member 17 presses the laminated body 10 toward the wall portion 61 of the case 6. Thereby, the laminated body 10 is fixed in the case 6 while ensuring a contact pressure between the semiconductor module 21 and the cooling pipe 11.

図4に示すごとく、コンデンサ12は、コンデンサ素子121と、該コンデンサ素子121を封止する封止部材122と、コンデンサ素子121の電極面に接続された金属板123,124とを備える。金属板123,124の一部は封止部材122から突出して、接続端子125,126となっている。この接続端子125,126と、半導体モジュール2の正極端子22a(図1参照)及び負極端子22bとを、図示しないバスバーによって接続してある。   As shown in FIG. 4, the capacitor 12 includes a capacitor element 121, a sealing member 122 that seals the capacitor element 121, and metal plates 123 and 124 connected to the electrode surfaces of the capacitor element 121. Part of the metal plates 123 and 124 protrudes from the sealing member 122 to form connection terminals 125 and 126. The connection terminals 125 and 126 are connected to the positive terminal 22a (see FIG. 1) and the negative terminal 22b of the semiconductor module 2 by a bus bar (not shown).

本例の作用効果について説明する。図1に示すごとく、本例の電力変換装置1は、基板接続端子23として正側接続端子23aを備える。正側接続端子23aは、半導体モジュール2の本体部21内において正極端子22aに接続し、その先端が電圧測定回路30に接続している。
そのため、ワイヤーやコネクタ等を用いなくても、正極端子22aと電圧測定回路30とを電気接続することが可能となる。したがって、部品点数を削減でき、電力変換装置1の製造コストを低減することができる。また、ワイヤーを引き回す空間を確保する必要がなくなるため、電力変換装置1を小型化することができる。
The effect of this example will be described. As shown in FIG. 1, the power conversion device 1 of this example includes a positive side connection terminal 23 a as a board connection terminal 23. The positive connection terminal 23 a is connected to the positive terminal 22 a in the main body 21 of the semiconductor module 2, and the tip thereof is connected to the voltage measurement circuit 30.
Therefore, the positive electrode terminal 22a and the voltage measurement circuit 30 can be electrically connected without using a wire or a connector. Therefore, the number of parts can be reduced, and the manufacturing cost of the power conversion device 1 can be reduced. Moreover, since it is not necessary to ensure the space around which a wire is routed, the power converter device 1 can be reduced in size.

また、本例では図2に示すごとく、複数の半導体モジュール2のうち、X方向における一端に位置する端部半導体モジュール2aに、正側接続端子23a及び負側接続端子23bを形成してある。図3に示すごとく、Z方向から見たときに、端部半導体モジュール2aは、X方向において制御回路基板3の端縁31に隣り合う位置に配されている。
そのため図3に示すごとく、正側接続端子23a及び負側接続端子23bに接続される放電抵抗4等の部品を、端部半導体モジュール2aの基板接続端子23と、上記端縁31との間の領域に配置することができる。したがって、制御回路基板3の上記領域を有効活用することができる。
Moreover, in this example, as shown in FIG. 2, the positive side connection terminal 23a and the negative side connection terminal 23b are formed in the edge part semiconductor module 2a located in the one end in a X direction among the several semiconductor modules 2. FIG. As shown in FIG. 3, when viewed from the Z direction, the end semiconductor module 2 a is disposed at a position adjacent to the edge 31 of the control circuit board 3 in the X direction.
Therefore, as shown in FIG. 3, components such as the discharge resistor 4 connected to the positive side connection terminal 23 a and the negative side connection terminal 23 b are connected between the substrate connection terminal 23 of the end semiconductor module 2 a and the edge 31. Can be placed in the area. Therefore, the above-described area of the control circuit board 3 can be effectively used.

また、本例では図2に示すごとく、端部半導体モジュール2aに形成された複数の基板接続端子23のうち、Y方向における一端に位置する基板接続端子23を、正側接続端子23aとしてある。
そのため図3に示すごとく、放電抵抗4等の部品を複数個、直列接続して制御回路基板3に実装し、正側接続端子23aに接続する場合、この複数個の部品を、Y方向における一端側、すなわち正側接続端子23aを設けた側から、他端側に向けて、並べることができる。そのため、端部半導体モジュール2aの基板接続端子23と上記端縁31との間の領域を、Y方向における一端側から他端側まで有効活用することができる。
In this example, as shown in FIG. 2, among the plurality of substrate connection terminals 23 formed in the end semiconductor module 2a, the substrate connection terminal 23 located at one end in the Y direction is used as the positive connection terminal 23a.
Therefore, as shown in FIG. 3, when a plurality of components such as a discharge resistor 4 are connected in series and mounted on the control circuit board 3 and connected to the positive connection terminal 23a, the plurality of components are connected to one end in the Y direction. From the side, that is, the side where the positive connection terminal 23a is provided, it can be arranged toward the other end. Therefore, the region between the substrate connection terminal 23 of the end semiconductor module 2a and the end edge 31 can be effectively used from one end side to the other end side in the Y direction.

また、本例では、正側接続端子23aと負側接続端子23bとの間に、複数の放電抵抗4を直列接続してある。そして、これら複数の放電抵抗4をY方向において一列に配列してある。そのため、端部半導体モジュール2a(図2参照)の基板接続端子23と、上記端縁31との間の領域のように、X方向幅が狭い領域であっても、複数の放電抵抗4を配置することができる。そのため、制御回路基板3の上記領域を有効活用することができる。   In this example, a plurality of discharge resistors 4 are connected in series between the positive side connection terminal 23a and the negative side connection terminal 23b. The plurality of discharge resistors 4 are arranged in a line in the Y direction. Therefore, a plurality of discharge resistors 4 are arranged even in a region having a narrow width in the X direction, such as a region between the substrate connection terminal 23 of the end semiconductor module 2a (see FIG. 2) and the end edge 31. can do. Therefore, the above-mentioned area of the control circuit board 3 can be effectively used.

また、本例では図2、図3に示すごとく、放電抵抗4を、Z方向から見たときに、冷却管11と重なり合う位置に配置してある。
そのため、放電抵抗4を冷却11に近い位置に配することができ、この冷却管11を用いて、放電抵抗4を効果的に冷却することが可能となる。
Further, in this example, as shown in FIGS. 2 and 3, the discharge resistor 4 is arranged at a position overlapping the cooling tube 11 when viewed from the Z direction.
Therefore, the discharge resistor 4 can be disposed at a position close to the cooling 11, and the discharge resistor 4 can be effectively cooled using the cooling tube 11.

以上のごとく、本例によれば、部品点数を低減でき、低コスト化できると共に、小型化が可能な電力変換装置を提供することができる。   As described above, according to this example, it is possible to provide a power conversion device that can reduce the number of components, reduce costs, and can be reduced in size.

(実施例2)
以下の実施例においては、図面に用いた符号のうち、実施例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
(Example 2)
In the following embodiments, the same reference numerals used in the drawings among the reference numerals used in the drawings represent the same components as in the first embodiment unless otherwise specified.

本例は、半導体モジュール2の構成を変更した例である。図14に示すごとく、本例では、上アーム半導体素子20a(図5参照)と下アーム半導体素子20bとを、それぞれ別の半導体モジュール2に封止してある。上アーム半導体素子20aは、上アーム半導体モジュール2aに封止され、下アーム半導体素子20bは、下アーム半導体モジュール2bに封止されている。   In this example, the configuration of the semiconductor module 2 is changed. As shown in FIG. 14, in this example, the upper arm semiconductor element 20a (see FIG. 5) and the lower arm semiconductor element 20b are sealed in separate semiconductor modules 2, respectively. The upper arm semiconductor element 20a is sealed by the upper arm semiconductor module 2a, and the lower arm semiconductor element 20b is sealed by the lower arm semiconductor module 2b.

上アーム半導体モジュール2aには、正側接続端子23aを形成してある。また、下アーム半導体モジュール2bには、負側接続端子23bを形成してある。
その他、実施例1と同様の構成及び作用効果を備える。
A positive side connection terminal 23a is formed on the upper arm semiconductor module 2a. The lower arm semiconductor module 2b has a negative connection terminal 23b.
In addition, the configuration and operational effects similar to those of the first embodiment are provided.

(実施例3)
本例は、半導体モジュール2の構成を変更した例である。図15、図16に示すごとく、本例では、インバータ回路200(図6参照)を構成する全ての半導体素子20を、1個の半導体モジュール2内に封止してある。この半導体モジュール2の本体部21から、正極端子22aと、負極端子22bと、3本の交流端子22cとが突出している。また、本体部21から複数の基板接続端子23が突出している。この複数の基板接続端子23のうち一部の基板接続端子23を、正側接続端子23aとしてある。また、他の一部の基板接続端子23を、負側接続端子23bとしてある。
(Example 3)
In this example, the configuration of the semiconductor module 2 is changed. As shown in FIGS. 15 and 16, in this example, all the semiconductor elements 20 constituting the inverter circuit 200 (see FIG. 6) are sealed in one semiconductor module 2. From the main body 21 of the semiconductor module 2, a positive terminal 22 a, a negative terminal 22 b, and three AC terminals 22 c protrude. A plurality of substrate connection terminals 23 protrude from the main body 21. Among the plurality of board connection terminals 23, some of the board connection terminals 23 are used as positive side connection terminals 23 a. The other part of the board connection terminals 23 is used as the negative connection terminal 23b.

また、本例の電力変換装置1は、1個の冷却器110を備える。冷却器110内には、冷媒16が流れる流路111が形成されている。この1個の冷却器110を用いて、半導体モジュール2を冷却するよう構成されている。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を備える。
In addition, the power conversion apparatus 1 of this example includes one cooler 110. A flow path 111 through which the refrigerant 16 flows is formed in the cooler 110. The single cooler 110 is used to cool the semiconductor module 2.
In addition, the configuration and operational effects similar to those of the first embodiment are provided.

1 電力変換装置
2 半導体モジュール
20 半導体素子
21 本体部
22 パワー端子
22a 正極端子
22b 負極端子
22c 交流端子
23 基板接続端子
23a 正側接続端子
23b 負側接続端子
3 制御回路基板
30 電圧測定回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power converter 2 Semiconductor module 20 Semiconductor element 21 Main-body part 22 Power terminal 22a Positive electrode terminal 22b Negative electrode terminal 22c AC terminal 23 Board | substrate connection terminal 23a Positive side connection terminal 23b Negative side connection terminal 3 Control circuit board 30 Voltage measurement circuit

Claims (5)

半導体素子(20)を内蔵した半導体モジュール(2)と、
該半導体モジュール(2)に接続し上記半導体素子(20)のスイッチング動作を制御する制御回路基板(3)とを備え、
上記半導体モジュール(2)は、上記半導体素子(20)を内蔵した本体部(21)と、該本体部(21)から突出し上記制御回路基板(3)に接続した複数の基板接続端子(23)と、上記本体部(21)から突出した複数本のパワー端子(22)とを有し、該複数本のパワー端子(22)には、直流電圧が加わる正極端子(22a)及び負極端子(22b)と、交流負荷(83)に接続される交流端子(22c)とがあり、
上記制御回路基板(3)には、上記正極端子(22a)と上記負極端子(22b)との間の電圧を測定する電圧測定回路(30)を形成してあり、
上記基板接続端子(23)として、上記本体部(21)内において上記負極端子(22b)に接続しその先端が上記電圧測定回路(30)に接続した負側接続端子(23b)と、上記本体部(21)内において上記正極端子(22a)に接続しその先端が上記電圧測定回路(30)に接続した正側接続端子(23a)とを備えることを特徴とする電力変換装置(1)。
A semiconductor module (2) containing a semiconductor element (20);
A control circuit board (3) connected to the semiconductor module (2) and controlling the switching operation of the semiconductor element (20),
The semiconductor module (2) includes a main body (21) containing the semiconductor element (20) and a plurality of substrate connection terminals (23) protruding from the main body (21) and connected to the control circuit board (3). And a plurality of power terminals (22) protruding from the main body (21), and a positive terminal (22a) and a negative terminal (22b) to which a DC voltage is applied are applied to the plurality of power terminals (22). ) And an AC terminal (22c) connected to the AC load (83),
On the control circuit board (3), a voltage measuring circuit (30) for measuring a voltage between the positive terminal (22a) and the negative terminal (22b) is formed.
As the substrate connection terminal (23), a negative connection terminal (23b) having a tip connected to the voltage measurement circuit (30) connected to the negative terminal (22b) in the main body (21), and the main body A power converter (1) comprising a positive side connection terminal (23a) connected to the positive terminal (22a) and connected to the voltage measurement circuit (30) in the portion (21).
複数の上記半導体モジュール(2)と、該半導体モジュール(2)を冷却する複数の冷却管(11)とを積層した積層体(10)を構成してあり、上記複数の半導体モジュール(2)のうち、上記積層体(10)の積層方向における一端に位置する端部半導体モジュール(2a)に、上記正側接続端子(23a)および上記負側接続端子(23b)を形成してあり、上記基板接続端子(23)の突出方向から見たときに、上記端部半導体モジュール(2a)は、上記積層方向において上記制御回路基板(3)の端縁(31)に隣り合う位置に配されていることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。   A laminated body (10) is formed by laminating a plurality of the semiconductor modules (2) and a plurality of cooling pipes (11) for cooling the semiconductor modules (2), and the plurality of semiconductor modules (2) The positive connection terminal (23a) and the negative connection terminal (23b) are formed on the end semiconductor module (2a) positioned at one end in the stacking direction of the stacked body (10), and the substrate When viewed from the protruding direction of the connection terminal (23), the end semiconductor module (2a) is arranged at a position adjacent to the edge (31) of the control circuit board (3) in the stacking direction. The power conversion apparatus according to claim 1. 個々の上記半導体モジュール(2)に形成された上記複数の基板接続端子(23)は、上記突出方向と上記積層方向との双方に直交する幅方向に配列しており、上記端部半導体モジュール(2a)に形成された上記複数の基板接続端子(23)のうち上記幅方向における一端に位置する上記基板接続端子(23)が、上記正側接続端子(23a)とされていることを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置(1)。   The plurality of substrate connection terminals (23) formed in each of the semiconductor modules (2) are arranged in a width direction orthogonal to both the projecting direction and the stacking direction, and the end semiconductor modules ( Of the plurality of substrate connection terminals (23) formed in 2a), the substrate connection terminal (23) located at one end in the width direction is the positive connection terminal (23a). The power converter device (1) according to claim 2. 上記正極端子(22a)と上記負極端子(22b)との間に電気的に接続したコンデンサ(12)を備え、上記正側接続端子(23a)および上記負側接続端子(23b)を介して上記コンデンサ(12)に蓄えられた電荷を放電する複数の放電抵抗(4)を、上記制御回路基板(3)に実装してあり、上記複数の放電抵抗(4)は互いに直列接続されており、上記積層方向(10)における、上記端部半導体モジュール(2a)に形成された上記基板接続端子(23)と上記端縁(31)との間の位置に、上記複数の放電抵抗(4)が設けられ、該複数の放電抵抗(4)は上記幅方向において一列に配列していることを特徴とする請求項3に記載の電力変換装置(1)。   A capacitor (12) electrically connected between the positive terminal (22a) and the negative terminal (22b) is provided, and the capacitor is connected via the positive connection terminal (23a) and the negative connection terminal (23b). A plurality of discharge resistors (4) for discharging the charge stored in the capacitor (12) are mounted on the control circuit board (3), and the plurality of discharge resistors (4) are connected in series with each other, In the stacking direction (10), the plurality of discharge resistors (4) are located between the substrate connection terminal (23) and the edge (31) formed in the end semiconductor module (2a). The power converter (1) according to claim 3, wherein the plurality of discharge resistors (4) are arranged in a line in the width direction. 上記複数の放電抵抗(4)のうち少なくとも一部の上記放電抵抗(4)は、上記突出方向から見たときに上記冷却管(11)と重なり合う位置に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の電力変換装置(1)。   At least a part of the discharge resistors (4) among the plurality of discharge resistors (4) is arranged at a position overlapping the cooling tube (11) when viewed from the projecting direction. Item 5. The power conversion device (1) according to Item 4.
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