JP2016032067A - リードフレーム装着ｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスがリードフレームに装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、複合基板１を準備する工程と、半導体層付複合基板２を形成する工程と、第１のリードフレーム複合体３を形成する工程と、第２のリードフレーム複合体４を形成する工程と、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃを形成する工程と、を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスがリードフレームに装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法に関する。

支持基板とＩＩＩ族窒化物半導体膜とが貼り合わされた複合基板は、そのＩＩＩ族窒化物半導体膜上に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させることにより、低コストで高品質のＩＩＩ族窒化物半導体ウエハおよび／またはＩＩＩ族窒化物半導体デバイスが得られる。

たとえば、特開２０１４−０３６１９５号公報（特許文献１）は、複合基板を用いたＩＩＩ族窒化物半導体ウエハおよびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法を開示する。

特開２０１４−０３６１９５号公報

特開２０１４−０３６１９５号公報（特許文献１）は、ＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させるための複合基板の支持基板である下地基板としてムライト焼結基板などの絶縁性の酸化物焼結体基板を用いているため、縦型のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを作製するためには、ＩＩＩ族窒化物半導体層を下地基板から導電性の支持基板に貼り換える必要があり、導電性の支持基板に貼り換えたＩＩＩ族窒化物半導体層を導電性の支持基板ごとリードフレームなどに実装する必要があった。

このため、特開２０１４−０３６１９５号公報（特許文献１）のＩＩＩ族窒化物半導体ウエハの製造方法によるＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造およびリードフレームへの実装は、効率が低く歩留まりが低いという問題点があった。

そこで、上記問題点を解決するため、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスがリードフレームに装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明のある態様にかかるリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法は、支持基板とＩＩＩ族窒化物半導体膜とが貼り合わされた複合基板を準備する工程と、複合基板のＩＩＩ族窒化物半導体膜側に、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層と、第１の電極と、をこの順に形成することにより、半導体層付複合基板を形成する工程と、半導体層付複合基板の第１の電極側にリードフレームを貼り合わせることにより、第１のリードフレーム複合体を形成する工程と、第１のリードフレーム複合体から複合基板の少なくとも支持基板を除去することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体膜およびＩＩＩ族窒化物半導体層のいずれかが露出した第２のリードフレーム複合体を形成する工程と、第２のリードフレーム複合体の露出したＩＩＩ族窒化物半導体膜およびＩＩＩ族窒化物半導体層のいずれか側に第２の電極を形成することにより、リードフレームに装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを形成する工程と、を含む。

本発明の別の態様にかかるリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスは、第１の電極、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層、および第２の電極がこの順に配置されたＩＩＩ族窒化物半導体デバイスと、リードフレームと、を含み、リードフレームに、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスが、第１の電極側で装着され、ＩＩＩ族窒化物半導体の全体の厚さが５μｍ以下である。

本発明のある態様にかかるリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法の一例を示す概略断面図である。 従来の典型的な貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法および実装方法の一例を示す概略断面図である。 本発明のある態様にかかるリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法における複合基板を準備する工程の一例を示す概略断面図である。

[本発明の実施形態の説明]
本発明のある実施形態にかかるリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法は、支持基板とＩＩＩ族窒化物半導体膜とが貼り合わされた複合基板を準備する工程と、複合基板のＩＩＩ族窒化物半導体膜側に、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層と、第１の電極と、をこの順に形成することにより、半導体層付複合基板を形成する工程と、半導体層付複合基板の第１の電極側にリードフレームを貼り合わせることにより、第１のリードフレーム複合体を形成する工程と、第１のリードフレーム複合体から複合基板の少なくとも支持基板を除去することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体膜およびＩＩＩ族窒化物半導体層のいずれかが露出した第２のリードフレーム複合体を形成する工程と、第２のリードフレーム複合体の露出したＩＩＩ族窒化物半導体膜およびＩＩＩ族窒化物半導体層のいずれか側に第２の電極を形成することにより、リードフレームに装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを形成する工程と、を含む。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法は、半導体層付複合基板の第１の電極側にリードフレームを貼り合わせることにより第１のリードフレーム複合体を形成し、これから複合基板の少なくとも支持基板を除去することにより、リードフレームに装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを高効率および高歩留まりで製造することができる。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法において、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを形成する工程の後、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを電気的に接続する工程と、電気的に接続されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの少なくとも電気的に接続された部分の周りを絶縁性材料で被覆する工程と、をさらに含むことができる。かかる工程をさらに含むことにより、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをさらに高効率および高歩留まりで製造することができる。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法において、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを形成する工程の後、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを電気的に接続する工程の前に、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをチップ化する工程をさらに含むことができる。かかる工程をさらに含むことにより、チップ化されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを高効率および高歩留まりで製造することができる。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法における第１の電極からＩＩＩ族窒化物半導体層を含んで第２の電極までのＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの全体の厚さを５μｍ以下とすることができる。これにより、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを低抵抗化できる。

本発明の別の実施形態にかかるリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスは、第１の電極、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層、および第２の電極がこの順に配置されたＩＩＩ族窒化物半導体デバイスと、リードフレームと、を含み、リードフレームに、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスが、第１の電極側で装着され、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの全体の厚さが５μｍ以下である。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスは、高効率および高歩留まりで製造され、かつ、低抵抗である。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスは、さらに、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスが電気的に接続され、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの少なくとも電気的に接続された部分の周りが絶縁性材料で被覆されることができる。これにより、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスがさらに高効率および高歩留まりで得られる。

[本発明の実施形態の詳細]
＜実施形態１：リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法＞
図１を参照して、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、支持基板１１とＩＩＩ族窒化物半導体膜１３とが貼り合わされた複合基板１を準備する工程（図１（Ａ））と、複合基板１のＩＩＩ族窒化物半導体膜１３側に、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２０と、第１の電極３１と、をこの順に形成することにより、半導体層付複合基板２を形成する工程（図１（Ｂ））と、半導体層付複合基板２の第１の電極３１側にリードフレーム４１を貼り合わせることにより、第１のリードフレーム複合体３を形成する工程（図１（Ｃ）および（Ｄ））と、第１のリードフレーム複合体３から複合基板１の少なくとも支持基板１１を除去することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３およびＩＩＩ族窒化物半導体層２０のいずれかが露出した第２のリードフレーム複合体４を形成する工程（図１（Ｅ））と、第２のリードフレーム複合体４の露出したＩＩＩ族窒化物半導体膜１３およびＩＩＩ族窒化物半導体層２０のいずれか側に第２の電極３２を形成することにより、リードフレーム４１に装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５を形成する工程（図１（Ｆ））と、を含む。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、半導体層付複合基板２の第１の電極３１側にリードフレーム４１を貼り合わせることにより第１のリードフレーム複合体３を形成し、これから複合基板１の少なくとも支持基板１１を除去することにより、リードフレーム４１に装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃを高効率および高歩留まりで製造することができる。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法においては、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍ，５Ｍｃをさらに高効率および高歩留まりで製造する観点から、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５を形成する工程の後（図１（Ｆ））、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃを電気的に接続する工程（図１（Ｈ））と、電気的に接続されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃの少なくとも電気的に接続された部分の周りを絶縁性材料６０で被覆する工程（図１（Ｉ）））と、をさらに含むことができる。

さらに、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法においては、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをさらに高効率および高歩留まりで製造する観点から、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５を形成する工程の後（図１（Ｆ））、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃを電気的に接続する工程（図１（Ｈ））の前に、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５をチップ化する工程（図１（Ｇ））をさらに含むことができる。

さらに、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法においては、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６を小型化するとともに低抵抗化する観点から、第１の電極３１からＩＩＩ族窒化物半導体層２０を含んで第２の電極３２までのＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６の全体の厚さを５μｍ以下とすることができ、さらに１μｍ以下とすることができる。

ここで、図２を参照して、従来の典型的な貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９，９ｃの製造方法は、支持基板１１とＩＩＩ族窒化物半導体膜１３とが貼り合わされた複合基板１を準備する工程（図２（Ａ））と、複合基板１のＩＩＩ族窒化物半導体膜１３側に、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２０と、第１の電極３１と、をこの順に形成することにより、半導体層付複合基板２を形成する工程（図２（Ｂ））と、半導体層付複合基板２の第１の電極３１側に接合金属膜３９を介在させて導電性の貼り換え支持基板９０を貼り合せることにより、積層基板７を形成する工程（図２（Ｃ）および（Ｄ））と、積層基板７から複合基板１の少なくとも支持基板１１を除去することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３およびＩＩＩ族窒化物半導体層２０のいずれかが露出した半導体層付貼り換え支持基板８を形成する工程（図２（Ｅ））と、半導体層付貼り換え支持基板８の露出したＩＩＩ族窒化物半導体膜１３およびＩＩＩ族窒化物半導体層２０のいずれか側に第２の電極３２を形成することにより、貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９を形成する工程（図２（Ｆ））と、貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９をチップ化する工程（図２（Ｇ））と、を含む。

また、図２を参照して、従来の典型的な貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９，９ｃの実装方法は、チップ化された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９ｃを実装基板４３上のリードフレーム４１にたとえば接合金属膜３４、３９を介在させて装着する工程（図２（Ｈ））と、リードフレーム４１に装着された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９ｃを実装基板４３上の別のリードフレーム４２にたとえばワイヤ４４により電気的に接続する工程（図２（Ｈ））と、電気的に接続された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９ｃの少なくとも電気的に接続された部分の周りを絶縁性材料６０で被覆する工程（図２（Ｉ））と、を含む。

すなわち、従来の典型的な貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９，９ｃの製造方法および実装方法は、多くの工程を含んでいるため、製造および実装の際の効率および歩留まりが低下する。また、製造され実装された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９，９ｃは、貼り換え支持基板９０を含むため、嵩が大きく、小型化および低抵抗化が困難である。

これに対して、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、半導体層付複合基板２の第１の電極３１側にリードフレーム４１を貼り合わせることにより第１のリードフレーム複合体３を形成し、これから複合基板１の少なくとも支持基板１１を除去することから、リードフレーム４１に装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃを高効率および高歩留まりで製造することができる。また、本実施形態の製造方法により得られたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃは、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスが第１の電極３１、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２０、および第２の電極３２を含むが、貼り換え支持基板などの支持基板を含まないため、嵩が小さく、小型化および低抵抗化が可能である。

（支持基板とＩＩＩ族窒化物半導体膜とが貼り合わされた複合基板１を準備する工程）
図１（Ａ）を参照して、まず、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、支持基板１１とＩＩＩ族窒化物半導体膜１３とが貼り合わされた複合基板１を準備する工程を含む。

ここで、図３を参照して、複合基板１を準備する工程は、特に制限はないが、支持基板１１の一主面１１ｍ側に転位密度が低く結晶性が高いＩＩＩ族窒化物半導体膜１３が貼り合わされた接合強度が高い複合基板１を効率的に準備する観点から、支持基板１１の主面１１ｍ上に接合膜１２ａを形成するサブ工程（図３（Ａ））と、ＩＩＩ族窒化物半導体膜ドナー基板１３Ｄの主面１３ｎ上に接合膜１２ｂを形成し、ＩＩＩ族窒化物半導体膜ドナー基板１３Ｄの主面１３ｎから所定の深さの位置にイオン注入領域１３ｉを形成するサブ工程（図３（Ｂ））と、支持基板１１に形成された接合膜１２ａとＩＩＩ族窒化物半導体膜ドナー基板１３Ｄに形成された接合膜１２ｂとを貼り合わせるサブ工程（図３（Ｃ））と、ＩＩＩ族窒化物半導体膜ドナー基板１３Ｄをイオン注入領域１３ｉにおいてＩＩＩ族窒化物半導体膜１３と残りのＩＩＩ族窒化物半導体膜ドナー基板１３Ｄｒとに分離することにより、支持基板１１の一主面１１ｍ上に接合膜１２を介在させてＩＩＩ族窒化物半導体膜１３が接合された複合基板１を形成するサブ工程（図３（Ｄ））と、を含むことが好ましい。このようにして、支持基板１１とＩＩＩ族窒化物半導体膜１３とが接合膜１２を介在させて貼り合わされた複合基板１が得られる。

（半導体層付複合基板を形成する工程）
図１（Ｂ）を参照して、次に、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、複合基板１のＩＩＩ族窒化物半導体膜１３側に、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２０と、第１の電極３１と、をこの順に形成することにより、半導体層付複合基板２を形成する工程を含む。

ここで、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０を形成する方法は、特に制限はないが、転位密度が低く結晶性の高いＩＩＩ族窒化物半導体層２０をエピタキシャル成長させる観点から、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相堆積）法、ＭＢＥ（分子線気相成長）法などが好ましい。ＩＩＩ族窒化物半導体層２０は、特に制限はないが、ＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）を形成する観点からは第１のＩＩＩ族窒化物半導体層２１としてのｎ⁺型ＩＩＩ族窒化物半導体層と第２のＩＩＩ族窒化物半導体層２２としてのｎ^-型ＩＩＩ族窒化物半導体層とを含むことが好ましく、ＰＮＤ（ＰＮ接合ダイオード）を形成する観点からは第１のＩＩＩ族窒化物半導体層２１としてのｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層と第２のＩＩＩ族窒化物半導体層２２としてのｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層とを含むことが好ましい。

また、第１の電極３１を形成する方法は、特に制限はないが、第１の電極３１を効率よく形成する観点から、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法、スパッタ法などが好ましい。第１の電極３１は、特に制限はないが、ＳＢＤを形成する観点からはＩＩＩ族窒化物半導体層２０とショットキー接触するショットキー電極であることかが好ましく、ＰＮＤを形成する観点からはＩＩＩ族窒化物半導体層２０とオーミック接触するオーミック電極であることが好ましい。

なお、第１の電極３１としてショットキー電極を形成する場合には、耐電圧を高くする観点から、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０を形成した後第１の電極３１を形成する前に、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０上に開口部を有する絶縁膜（図示せず）を形成し、絶縁膜の開口部におけるＩＩＩ族窒化物半導体層上および開口部近傍（開口部からたとえば１０μｍまでの部分）の絶縁膜上に第１の電極３１を形成することが好ましい。絶縁膜を形成する方法は、特に制限はなく、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などが挙げられる。絶縁膜に開口部を形成する方法は、特に制限はなく、フォトロソグラフィー法で形成したレジストマスク（図示せず）を用いて絶縁膜をエッチングする方法などが挙げられる。

（第１のリードフレーム複合体を形成する工程）
図１（Ｃ）および（Ｄ）を参照して、次に、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、半導体層付複合基板２の第１の電極３１側にリードフレーム４１を貼り合わせることにより、第１のリードフレーム複合体３を形成する工程を含む。

ここで、半導体層付複合基板２の第１の電極３１側にリードフレーム４１を貼り合わせる方法は、特に制限はないが、第１の電極３１とリードフレーム４１との接合強度を高くする観点から、リードフレーム４１上に接合金属膜３４を形成し、接合金属膜３４を介在させて、半導体層付複合基板２の第１の電極３１側にリードフレーム４１を貼り合わせることが好ましい。

（第２のリードフレーム複合体を形成する工程）
図１（Ｅ）を参照して、次に、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、第１のリードフレーム複合体３から複合基板１の少なくとも支持基板１１を除去することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３およびＩＩＩ族窒化物半導体層２０のいずれかが露出した第２のリードフレーム複合体４を形成する工程を含む。

ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３が露出した第２のリードフレーム複合体４を形成する場合には、少なくとも支持基板１１を除去する。また、図示していないが、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０が露出した第２のリードフレーム複合体を形成する場合には、少なくとも支持基板１１およびＩＩＩ族窒化物半導体膜１３を除去する。

また、図１（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、支持基板１１とＩＩＩ族窒化物半導体膜１３とが接合膜１２を介在させて貼り合わされている複合基板１においては、支持基板１１に加えて接合膜１２をも除去する。

ここで、第１のリードフレーム複合体３から、複合基板１の支持基板１１、接合膜１２およびＩＩＩ族窒化物半導体膜１３を除去する方法は、除去する基板または膜に適した方法であれば特に制限はなく、切削、研削、研磨、エッチングなどの方法が挙げられる。

このようにして、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３およびＩＩＩ族窒化物半導体層２０のいずれかが露出した第２のリードフレーム複合体４が得られる。

（リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを形成する工程）
図１（Ｆ）を参照して、次に、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、第２のリードフレーム複合体４の露出したＩＩＩ族窒化物半導体膜１３およびＩＩＩ族窒化物半導体層２０のいずれか側に第２の電極３２を形成することにより、リードフレーム４１に装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５を形成する工程と、を含む。

ここで、第２の電極３２を形成する方法は、特に制限はないが、第２の電極３２を効率よく形成する観点から、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法、スパッタ法などが好ましい。第２の電極３２は、特に制限はないが、抵抗をより低下する観点から、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０とオーミック接触するオーミック電極であることが好ましい。

（リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをチップ化する工程）
図１（Ｇ）を参照して、次に、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃをさらに高効率および高歩留まりで製造する観点から、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５をチップ化する工程（図１（Ｇ））をさらに含むことが好ましい。

ここで、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５をチップ化する方法は、特に制限はなく、ダイシング法などが挙げられる。

（リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを電気的に接続する工程）
図１（Ｈ）を参照して、次に、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃをさらに高効率および高歩留まりで製造する観点から、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃを電気的に接続する工程をさらに含むことが好ましい。

ここで、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃを電気的に接続する方法は、特に制限はないが、効率的に接続する観点から、仮固定材５０上に、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃと別のリードフレーム４２とを適宜配置して、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃの第２の電極３２と別のリードフレーム４２とをたとえばワイヤ４４で電気的に接続する方法などが好ましい。

（リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの少なくとも電気的に接続された部分の周りを絶縁性材料６０で被覆する工程）
図１（Ｉ）を参照して、次に、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍ，５Ｍｃをさらに高効率および高歩留まりで製造する観点から、電気的に接続されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃの少なくとも電気的に接続された部分の周りを絶縁性材料６０で被覆する工程をさらに含むことが好ましい。

ここで、電気的に接続されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃの少なくとも電気的に接続された部分の周りを絶縁性材料６０で被覆する方法は、特に制限はないが、電気的に接続された部分の周りを確実に絶縁する観点から、仮固定材５０上に配置されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃおよび別のリードフレーム４２の少なくとも電気的に接続された部分（たとえば、リードフレーム４１、接合金属膜３４、第１の電極３１、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３、第２の電極３２、ワイヤ４４、および別のリードフレーム４２）の周りを絶縁性材料で被覆することが好ましい。絶縁性材料を被覆する方法は、特に制限はなく、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法などが挙げられる。

なお、図１（Ｉ）においては、複数のチップ化されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５ｃをまとめて絶縁性材料６０で被覆する場合を図示しているが、各チップ化されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５ｃ毎に絶縁性材料６０で被覆してもよい。

（絶縁性材料で被覆されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをチップ化する工程）
図１（Ｊ）を参照して、次に、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法は、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍ，５Ｍｃをさらに高効率および高歩留まりで製造する観点から、絶縁性材料で被覆されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍをチップ化する工程を含むことができる。

このようにして、絶縁性材料で被覆されかつチップ化されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍｃが得られる。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃの製造方法においては、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６を小型化するとともに低抵抗化する観点から、第１の電極３１からＩＩＩ族窒化物半導体層２０を含んで第２の電極３２までのＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６の全体の厚さを５μｍ以下とすることが好ましく、１μｍ以下とすることがより好ましい。

＜実施形態２：リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス＞
図１を参照して、本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃは、第１の電極３１、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２０、および第２の電極３２がこの順に配置されたＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６と、リードフレーム４１と、を含み、リードフレーム４１にＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６が、第１の電極３１側で装着され、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６の全体の厚さが５μｍ以下である。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃは、高効率および高歩留まりで製造され、かつ、小型で低抵抗である。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃは、第１の電極３１とＩＩＩ族窒化物半導体層２０との間に、複合基板１由来のＩＩＩ族窒化物半導体膜１３をさらに含むことができる。

第１の電極３１は、特に制限はないが、ＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）を形成する観点からはＩＩＩ族窒化物半導体層２０とショットキー接触するショットキー電極であることが好ましく、ＰＮＤ（ＰＮ接合ダイオード）を形成する観点からはＩＩＩ族窒化物半導体層２０とオーミック接触するオーミック電極であることが好ましい。第１の電極３１は、ショットキー電極とする観点からはＮｉ電極、Ａｕ電極、Ｐｔ電極、Ｎｉ／Ａｕ電極などが好ましく、オーミック電極とする観点からはＡｌ電極、Ｔｉ／Ａｌ電極などが好ましい。

ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３は、特に制限はないが、縦型ＳＢＤまたは縦型ＰＮＤを形成する観点から、導電性のＩＩＩ族窒化物半導体膜（たとえばｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体膜）であることが好ましい。

ＩＩＩ族窒化物半導体層２０は、特に制限はないが、ＳＢＤを形成する観点からは第１のＩＩＩ族窒化物半導体層２１としてのｎ⁺型ＩＩＩ族窒化物半導体層と第２のＩＩＩ族窒化物半導体層２２としてのｎ^-型ＩＩＩ族窒化物半導体層とを含むことが好ましく、ｐｎ接合ダイオードを形成する観点からは第１のＩＩＩ族窒化物半導体層２１としてのｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層と第２のＩＩＩ族窒化物半導体層２２としてのｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層とを含むことが好ましい。

第２の電極３２は、特に制限はないが、抵抗を低下する観点から、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０とオーミック接触するオーミック電極であることが好ましい。第２の電極は、オーミック電極とする観点から、Ａｌ電極、Ｔｉ／Ａｌ電極などが好ましい。

第１の電極３１、任意のＩＩＩ族窒化物半導体膜１３、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２０、および第２の電極３２がこの順に配置されたＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６の全体の厚さは、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６を小型化および低抵抗化する観点から、５μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましい。

本実施形態のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃは、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍ，５Ｍｃがさらに高効率および高歩留まりで得られる観点から、さらに、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃが電気的に接続され、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃの少なくとも電気的に接続された部分の周りが絶縁性材料６０で被覆されていることが好ましい。

絶縁性材料６０は、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃの少なくとも電気的に接続された部分を絶縁できるものであれば特に制限はなく、ガラス、セラミックスなどの絶縁性無機材料、エポキシ樹脂などの絶縁性有機材料などが挙げられる。

（実施例１）
１．複合基板の準備
図１（Ａ）を参照して、支持基板１１である厚さが４５０μｍのムライト基板とＩＩＩ族窒化物半導体膜１３である厚さが１５０ｎｍでドナー濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ−ＧａＮ膜とが接合膜１２である厚さ４００ｎｍのＳｉＯ₂膜を介在させて貼り合わされた直径が２インチ（５．０８ｃｍ）の複合基板１を準備した。かかる複合基板１は、図３に示すように、支持基板１１とイオン注入領域１３ｉが形成されたＩＩＩ族窒化物半導体膜ドナー基板１３Ｄとを接合膜１２を介在させて貼り合わせた後、ＩＩＩ族窒化物半導体膜ドナー基板１３Ｄをイオン注入領域１３ｉにおいてＩＩＩ族窒化物半導体膜１３と残りのＩＩＩ族窒化物半導体膜ドナー基板１３Ｄｒとに分離することにより得られたものであり、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３は、その転位密度が１０⁵ｃｍ^-2台（すなわち１×１０⁶ｃｍ^-2未満）と低く、高い結晶性を有していた。

２．半導体層付複合基板の形成
図１（Ｂ）を参照して、複合基板１のＩＩＩ族窒化物半導体膜１３側に、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０として、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相堆積）法により、第１のＩＩＩ族窒化物半導体層２１である厚さが１μｍでドナー濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ⁺−ＧａＮ層と、第２のＩＩＩ族窒化物半導体層２２である厚さが７μｍでドナー濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3のｎ^-−ＧａＮ層をこの順に形成した。次いで、第２のＩＩＩ族窒化物半導体層２２上に、フォトリソグラフィー法でレジストマスクを形成し、ＥＢ（電子線）蒸着法により厚さが５ｎｍのＮｉ層および厚さが３０ｎｍのＡｕ層を形成し、アセトンを用いてリフトオフすることによりパターン化した。次いで、ＲＴＡ（高速アニール炉）を用いて、窒素雰囲気下４００℃で３分間アニールすることにより、第１の電極３１である一辺が１ｍｍの正方形のショットキー電極を形成した。こうして、半導体層付複合基板２が得られた。

３．第１のリードフレーム複合体の形成
図１（Ｃ）を参照して、Ｃｕ製のリードフレーム４１を準備し、リードフレーム４１上に、フォトリソグラフィー法、ＥＢ蒸着法およびアセトンを用いたリフトオフにより、第１の電極３１のパターンに合わせてパターン化した厚さが５ｎｍのＮｉ層および厚さが３０ｎｍのＡｕ層を形成した。

図１（Ｄ）を参照して、リードフレーム４１の第１の電極３１に、ＰｂＳｎからなるはんだで形成された接合金属膜３４を介在させてリードフレームをワイヤボンダーを用いて貼り合せることにより接合させた。接合条件は、１Ｐａ未満の真空雰囲気下３００℃で１０分間であった。こうして、第１のリードフレーム複合体３が得られた。

４．第２のリードフレーム複合体の形成
図１（Ｅ）を参照して、第１のリードフレーム複合体３から、複合基板１の支持基板１１および接合膜１２を除去した。具体的には、支持基板１１であるムライト基板を平面研削機を用いて厚さが４０μｍになるまで研削した。次いで、５０質量％フッ化水素酸水溶液に８時間浸漬することにより、接合膜１２であるＳｉＯ₂膜をエッチング除去することにより、支持基板１１をリフトオフした。こうして、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３であるｎ−ＧａＮ膜が露出した第２のリードフレーム複合体４が得られた。

５．リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの形成
図１（Ｆ）を参照して、第２のリードフレーム複合体４の露出したＩＩＩ族窒化物半導体膜１３上に、ＥＢ蒸着法により、厚さが５０ｎｍのＡｌ層、厚さが５０ｎｍのＴｉ層、厚さが２００ｎｍのＰｔ層および厚さが６００ｎｍのＡｕ層をこの順に形成することにより、第２の電極３２であるオーミック電極を形成した。こうして、第１の電極３１、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３、および第２の電極３２を含むＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６が、その第１の電極３１側で接合金属膜３４を介在させてリードフレーム４１に装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５が得られた。

６．リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスのチップ化
図１（Ｇ）を参照して、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５を、ダイシングにより、主面が１．５ｍｍ×１．５ｍｍの大きさのチップに分割した。こうして、チップ化されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５ｃが得られた。

７．リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの電気的接続
図１（Ｈ）を参照して、仮固定材５０である仮止めテープ上に、チップ化したリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５ｃおよびＣｕ製の別のリードフレーム４２を配置して、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５ｃの第２の電極３２と別のリードフレーム４２とをＡｌ製のワイヤ４４で電気的に接続した。こうして、電気的に接続されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５ｃが得られた。

８．リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５，５ｃの少なくとも電気的接続部分の絶縁性材料による被覆
図１（Ｉ）を参照して、電気的に接続されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５ｃの電気的に接続された部分であるリードフレーム４１、接合金属膜３４、第１の電極３１、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３、第２の電極３２、ワイヤ４４、および別のリードフレーム４２の周りを、絶縁性材料６０であるエポキシ樹脂で被覆した。こうして、絶縁性材料により被覆されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍが得られた。

９．絶縁性材料により被覆されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍのチップ化
図１（Ｊ）を参照して、絶縁性材料６０により被覆されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍを、ダイシングにより、チップ化した。次いで、仮固定材５０を絶縁性材料により被覆されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍから剥離した。こうして、絶縁性材料６０により被覆されかつチップ化されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍｃが得られた。かかるリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍｃのリードフレーム４１の一部および別のリードフレーム４２の一部が露出していた。

得られたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍｃは、実装基板（図示せず）に適宜配置することにより、容易に実装が可能であった。また、リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍｃは、そのＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６の全体の厚さが８．２μｍときわめて薄かった。上記のようにして作製した１００個のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス５Ｍｃについて、それらの特性オン抵抗の平均値は０．９ｍΩｃｍ²と極めて低く、その歩留まり率は９５％と極めて高かった。

（比較例１）
１．複合基板の準備
図２（Ａ）を参照して、実施例１と同様の複合基板１を準備した。

２．半導体層付複合基板の形成
図２（Ｂ）を参照して、実施例１と同様の半導体層付複合基板２を形成した。

３．積層基板の形成
図２（Ｃ）を参照して、導電性の貼り換え支持基板９０として厚さが４５０μｍでドナー濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3のムライト基板を準備し、貼り換え支持基板９０上にＥＢ蒸着法により厚さが５ｎｍのＮｉ層および厚さが３０ｎｍのＡｕ層を形成し、さらにその上に抵抗加熱蒸着法により厚さが１００μｍのＡｕ−Ｓｎ層（化学組成はＡｕが７０質量％でＳｎが３０質量％）を形成することにより、接合金属膜３９を形成した。

図２（Ｄ）を参照して、半導体層付複合基板２の第１の電極３１に接合金属膜３９を介在させて貼り換え支持基板９０をウエハボンダーを用いて貼り合せることにより接合させた。接合条件は、１Ｐａ未満の真空雰囲気下３００℃で１０分間であった。こうして、積層基板７が得られた。

４．半導体層付貼り換え支持基板の形成
図２（Ｅ）を参照して、積層基板７から、複合基板１の支持基板１１および接合膜１２を除去した。具体的には、支持基板１１であるムライト基板を平面研削機を用いて厚さが４０μｍになるまで研削した。次いで、５０質量％フッ化水素酸水溶液に８時間浸漬することにより、接合膜１２であるＳｉＯ₂膜をエッチング除去することにより、支持基板１１をリフトオフした。こうして、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３であるｎ−ＧａＮ膜が露出した半導体層付貼り換え支持基板８が得られた。

５．貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの形成
図２（Ｆ）を参照して、半導体層付貼り換え支持基板８の露出したＩＩＩ族窒化物半導体膜１３上に、ＥＢ蒸着法により、厚さが５０ｎｍのＡｌ層、厚さが５０ｎｍのＴｉ層、厚さが２００ｎｍのＰｔ層および厚さが６００ｎｍのＡｕ層をこの順に形成することにより、第２の電極３２であるオーミック電極を形成した。こうして、第１の電極３１、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３、および第２の電極３２を含むＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６が、その第１の電極３１側で接合金属膜３９を介在させて貼り換え支持基板９０に接合された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９が得られた。

６．貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスのチップ化
図２（Ｇ）を参照して、貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９を、ダイシングにより、主面が１．５ｍｍ×１．５ｍｍの大きさのチップに分割した。こうして、チップ化された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９ｃが得られた。

７．貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスのリードフレームへの装着
図２（Ｈ）を参照して、チップ化された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９ｃを、実装基板４３上のリードフレーム４１上に、接合金属膜３９，３４を介在させて装着した。

具体的には、貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９ｃの貼り換え支持基板９０上に、上記と同様にして、接合金属膜３９を形成した。また、実装基板４３上のリードフレーム４１上に、ＥＢ蒸着法により厚さが５ｎｍのＮｉ層および厚さが３０ｎｍのＡｕ層を形成した。さらにその上に抵抗加熱蒸着法により厚さが１００μｍのＡｕ−Ｓｎ層（化学組成はＡｕが７０質量％でＳｎが３０質量％）を形成することにより、接合金属膜３４を形成した。

次いで、実装基板４３のリードフレーム４１の接合金属膜３４に接合金属膜３９を介在させて貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９ｃをウエハボンダーを用いて貼り合せることにより接合させた。接合条件は、１Ｐａ未満の真空雰囲気下３００℃で１０分間であった。こうして、貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９ｃを実装基板４３のリードフレーム４１上に装着した。

８．貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの電気的接続
図２（Ｈ）を参照して、実装基板４３のリードフレーム４１上に装着した貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９ｃの第２の電極３２と実装基板４３の別のリードフレーム４２とをＣｕ製のワイヤ４４で電気的に接続した。こうして、リードフレームに装着され電気的に接続された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９ｃが得られた。

９．貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの少なくとも電気的接続部分の絶縁性材料による被覆
図２（Ｉ）を参照して、リードフレームに装着され電気的に接続された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９ｃの電気的に接続された部分であるリードフレーム４１、接合金属膜３４、接合金属膜３９、貼り換え支持基板９０、接合金属膜３９、第１の電極３１、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０、ＩＩＩ族窒化物半導体膜１３、第２の電極３２、ワイヤ４４、および別のリードフレーム４２の周りを、絶縁性材料６０であるエポキシ樹脂で被覆した。こうして、リードフレームに装着され電気的に接続された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９，９ｃが絶縁性材料により被覆された。このようにして、貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９，９ｃが実装基板４３に実装された。

上記のように、貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９，９ｃの製造および実装は、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス６への貼り換え支持基板９０の貼り合せおよび貼り換え支持基板９０へのリードフレーム４１の貼り合せという２回の貼り合せ工程を必要とし、また、リードフレームに装着され電気的に接続された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９，９ｃをその配置パターンに応じて絶縁性材料により被覆する工程を必要とするため、効率が低かった。また、実装された貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９，９ｃは、厚さ４５０μｍの厚い貼り換え支持基板９０を含んでいるため、小型化が困難であった。上記のようにして作製した１００個の貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス９，９ｃについて、それらの特性オン抵抗の平均値は１．５ｍΩｃｍ²と高く、その歩留まり率は５０％と低かった。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 複合基板
２ 半導体層付複合基板
３ 第１のリードフレーム複合体
４ 第２のリードフレーム複合体
５，５ｃ，５Ｍ，５Ｍｃ リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス
６ ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス
７ 積層基板
８ 半導体層付貼り換え支持基板
９，９ｃ 貼り換え支持基板付ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス
１１ 支持基板
１２ 接合膜
１３ ＩＩＩ族窒化物半導体膜
２０ ＩＩＩ族窒化物半導体層
２１ 第１のＩＩＩ族窒化物半導体層
２２ 第２のＩＩＩ族窒化物半導体層
３１ 第１の電極
３２ 第２の電極
３４，３９ 接合金属膜
４１ リードフレーム
４２ 別のリードフレーム
５０ 仮固定材
６０ 絶縁性樹脂
９０ 貼り換え支持基板。

Claims (6)

1. 支持基板とＩＩＩ族窒化物半導体膜とが貼り合わされた複合基板を準備する工程と、
   前記複合基板の前記ＩＩＩ族窒化物半導体膜側に、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層と、第１の電極と、をこの順に形成することにより、半導体層付複合基板を形成する工程と、
   前記半導体層付複合基板の前記第１の電極側にリードフレームを貼り合わせることにより、第１のリードフレーム複合体を形成する工程と、
   前記第１のリードフレーム複合体から前記複合基板の少なくとも支持基板を除去することにより、前記ＩＩＩ族窒化物半導体膜および前記ＩＩＩ族窒化物半導体層のいずれかが露出した第２のリードフレーム複合体を形成する工程と、
   前記第２のリードフレーム複合体の露出した前記ＩＩＩ族窒化物半導体膜および前記ＩＩＩ族窒化物半導体層のいずれか側に第２の電極を形成することにより、前記リードフレームに装着されたリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを形成する工程と、を含むリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法。
2. 前記リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを形成する工程の後、
   前記リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを電気的に接続する工程と、
   電気的に接続された前記リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの少なくとも電気的に接続された部分の周りを絶縁性材料で被覆する工程と、をさらに含む請求項１に記載のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法。
3. 前記リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを形成する工程の後、前記リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを電気的に接続する工程の前に、
   前記リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをチップ化する工程をさらに含む請求項２に記載のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法。
4. 前記リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスにおける前記第１の電極から前記ＩＩＩ族窒化物半導体層を含んで前記第２の電極までのＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの全体の厚さが５μｍ以下である請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法。
5. 第１の電極、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層、および第２の電極がこの順に配置されたＩＩＩ族窒化物半導体デバイスと、リードフレームと、を含み、
   前記リードフレームに、前記ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスが、前記第１の電極側で装着され、
   前記ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの全体の厚さが５μｍ以下であるリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス。
6. 前記ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスが電気的に接続され、
   前記リードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの少なくとも電気的に接続された部分の周りが絶縁性材料で被覆されている請求項５に記載のリードフレーム装着ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス。

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