JP2016032009A

JP2016032009A - Photoelectric component

Info

Publication number: JP2016032009A
Application number: JP2014153402A
Authority: JP
Inventors: チェンチャオ−シン; Chao-Hsing Chen; ワンジア−クエン; Jia-Kuen Wang; リアオチェン−チィ; Chien-Chih Liao; ツェンツ−ヤオ; Tzu-Yao Tseng; コツン−カイ; Tsun-Kai Ko; シェンチェン−フ; Hu Shen Cheng
Original assignee: Epistar Corp
Current assignee: Epistar Corp
Priority date: 2014-07-29
Filing date: 2014-07-29
Publication date: 2016-03-07
Anticipated expiration: 2034-07-29
Also published as: JP6636237B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric component.SOLUTION: A photoelectric component includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a second conductive electrode, and at least two first conductive electrodes. The first semiconductor layer comprises at least four side edges, a first surface, and a second surface at an opposite side to the first surface. One corner part is formed by any two adjacent side edges. The second semiconductor layer is formed on the first surface of the first semiconductor layer. The second conductive electrode is formed on the second semiconductor layer. The first conductive electrodes are formed on the first surface of the first semiconductor layer. The first conductive electrodes at a portion are separated from each other to configure a design state.SELECTED DRAWING: Figure 3A

Description

本発明は光電部品に関し、特に光電部品の電極設計に関する。 The present invention relates to photoelectric components, and more particularly to electrode design of photoelectric components.

発光ダイオード（Light Emitting Diode、ＬＥＤ）の発光原理は、電子がｎ型半導体とｐ型半導体との間で移動するときのエネルギー差を利用して、光の形でエネルギーを放出することにある。発光ダイオードの発光原理と白熱電球の発光原理とが相違していることにより、発光ダイオードを冷光源ともいう。発光ダイオードは、耐久性が高く、寿命が長く、小型軽量で、電気消耗が低いという利点を有しているので、現在の照明分野では発光ダイオードに大きい期待を寄せ、それを次世代の照明装置とみなしている。発光ダイオードは、従来の光源を取って代わる傾向にあり、色々な分野に応用されている。例えば、交通信号、バックライト、街路燈、医療設備などに応用されている。 The light emission principle of a light emitting diode (LED) is to use the energy difference when electrons move between an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to emit energy in the form of light. The light emitting diode is also called a cold light source because the light emitting principle of the light emitting diode is different from the light emitting principle of the incandescent light bulb. Light-emitting diodes have the advantages of high durability, long life, small size and light weight, and low electric consumption. Therefore, there are high expectations for light-emitting diodes in the current lighting field. It is considered. Light emitting diodes tend to replace conventional light sources and are applied in various fields. For example, it is applied to traffic signals, backlights, street lamps, medical equipment, and the like.

図１は、従来の発光部品又は光電部品の構造を示す図である。図１に示すとおり、従来の発光部品１００は、透明基板１０、この透明基板１０上に位置する半導体積層１２と、この半導体積層１２上に位置する少なくとも一個の電極１４とを含む。該半導体積層１２は少なくとも、上から下へに向かって設けられた第一導電型半導体層１２０と、活性層１２２と、第二導電型半導体層１２４となどを含む。 FIG. 1 is a diagram showing the structure of a conventional light-emitting component or photoelectric component. As shown in FIG. 1, a conventional light emitting component 100 includes a transparent substrate 10, a semiconductor stack 12 positioned on the transparent substrate 10, and at least one electrode 14 positioned on the semiconductor stack 12. The semiconductor stack 12 includes at least a first conductive semiconductor layer 120, an active layer 122, a second conductive semiconductor layer 124, and the like provided from top to bottom.

前記発光部品１００とほかの部品とを組み合わせることにより、発光装置（Light Emitting apparatus）を更に形成することができる。図２は、従来の発光装置の構造を示す図である。図２に示すとおり、発光装置２００は、サブ載置板（sab mount）２０と、少なくとも１つの半田（solder）２２と、電気接続構造２４とを含む。該サブ載置板２０は、少なくとも１つの電子回路２０２を具備する。前記半田２２は、前記サブ載置板２０上に位置する。この半田２２で発光部品１００をサブ載置板２０上に接着固定させることにより、発光部品１００の基板１０とサブ載置板２０上の電子回路２０２とを電気接続させる。前記電気接続構造２４は、発光部品１００の電極１４とサブ載置板２０上の電子回路２０２とを電気接続させる。前記サブ載置板２０がリードフレーム（lead frame）又は大きいサイズのマウンティング基板（mounting substrate）であることにより、発光装置２００の電子回路を容易に配置し、その放熱効果を向上させることができる。 A light emitting apparatus can be further formed by combining the light emitting component 100 and other components. FIG. 2 is a diagram illustrating a structure of a conventional light emitting device. As shown in FIG. 2, the light emitting device 200 includes a sub mounting plate 20, at least one solder 22, and an electrical connection structure 24. The sub-mounting plate 20 includes at least one electronic circuit 202. The solder 22 is located on the sub-mounting plate 20. The light emitting component 100 is bonded and fixed on the sub-mounting plate 20 with the solder 22, thereby electrically connecting the substrate 10 of the light-emitting component 100 and the electronic circuit 202 on the sub-mounting plate 20. The electrical connection structure 24 electrically connects the electrode 14 of the light emitting component 100 and the electronic circuit 202 on the sub-mounting plate 20. When the sub-mounting plate 20 is a lead frame or a large mounting substrate, the electronic circuit of the light emitting device 200 can be easily arranged and the heat dissipation effect can be improved.

本発明の目的は、光電部品を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a photoelectric component.

本発明の光電部品は、第一半導体層と、第二半導体層と、第二導電性電極と、少なくとも二個の第一導電性電極とを含む。第一半導体層は、少なくとも４つの辺縁と、第一表面と、第一表面の反対側にある第二表面とを具備し、かついずれか２つの隣接する辺縁により１つの隅部が形成される。第二半導体層は、第一半導体層の第一表面上に形成される。第二導電性電極は、第二半導体層上に形成される。第一導電性電極は、第一半導体層の第一表面上に形成され、かつ一部分の第一導電性電極が互いに離れていることにより設計状態を構成する。 The photoelectric component of the present invention includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a second conductive electrode, and at least two first conductive electrodes. The first semiconductor layer has at least four edges, a first surface, and a second surface opposite the first surface, and one corner is formed by any two adjacent edges. Is done. The second semiconductor layer is formed on the first surface of the first semiconductor layer. The second conductive electrode is formed on the second semiconductor layer. The first conductive electrode is formed on the first surface of the first semiconductor layer, and a part of the first conductive electrode is separated from each other to constitute a design state.

従来のマトリックス式発光部品の側面構造を示す図である。It is a figure which shows the side structure of the conventional matrix type light-emitting component. 従来の発光装置の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional light-emitting device. 本発明の第一実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the photoelectric component which concerns on the 1st Example of this invention. 本発明の第一実施例に係る光電部品の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the photoelectric component which concerns on 1st Example of this invention. 本発明の他の実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the photoelectric component which concerns on the other Example of this invention. 本発明の他の実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the photoelectric component which concerns on the other Example of this invention. 本発明の他の実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the photoelectric component which concerns on the other Example of this invention. 本発明の他の実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the photoelectric component which concerns on the other Example of this invention. 本発明の他の実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the photoelectric component which concerns on the other Example of this invention. 発光モジュールを示す図である。It is a figure which shows a light emitting module. 発光モジュールを示す図である。It is a figure which shows a light emitting module. 発光モジュールを示す図である。It is a figure which shows a light emitting module. 光線生成装置を示す図である。It is a figure which shows a light beam generator. 光線生成装置を示す図である。It is a figure which shows a light beam generator. 電球を示す図である。It is a figure which shows a light bulb.

本発明は、光電部品又は発光部品及びその製造方法を公開する。本発明の説明をより詳細にするため、以下図３Ａ〜図７に基づいて本発明を詳細に説明する。 The present invention discloses a photoelectric component or a light emitting component and a manufacturing method thereof. In order to explain the present invention in more detail, the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3A to 7.

図３Ａと図３Ｂは、本発明の第一実施例に係る光電部品３００を示す平面図と断面図である。図３Ｂは、図３ＡのＡ−Ｂ−Ｃ方向に沿う断面を示す断面図である。光電部品３００は１つの基板３０を含む。この基板３０は、単一な材料で構成される基板に限定されるものではなく、異なる複数の材料で構成される複合式基板であってもよい。例えば、基板３０は、相互に接合される第一基板（図示せず）と第二基板（図示せず）とを含むことができる。 3A and 3B are a plan view and a cross-sectional view showing the photoelectric component 300 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3B is a cross-sectional view showing a cross section along the ABC direction of FIG. 3A. The photoelectric component 300 includes one substrate 30. The substrate 30 is not limited to a substrate composed of a single material, and may be a composite substrate composed of a plurality of different materials. For example, the substrate 30 may include a first substrate (not shown) and a second substrate (not shown) that are bonded together.

従来のエピタキシャル成長方法により、基板３０上にエピタキシャル積層３１を形成する。このエピタキシャル積層３１は、第一表面３１１１とこの第一表面３１１１の反対側にある第二表面３１１２とを具備する第一半導体層３１１と、第一半導体層３１１の第一表面３１１１上に形成される活性層３１２と、この活性層３１２上に形成される第二半導体層３１３とを含む。次は、リソグラフィープロセス技術で一部分のエピタキシャル積層を削除することにより、光電部品３００の辺縁の一部分の第一半導体層３１１を露出させるとともに、光電部品３００中に溝渠Ｓを形成する。本実施例において、この溝渠Ｓは、一部分の第一半導体層３１１を露出させ、かつ第二半導体層３１３に囲まれている。平面図において、本実施例の溝渠Ｓは長い帯状に形成されている。 An epitaxial stack 31 is formed on the substrate 30 by a conventional epitaxial growth method. The epitaxial stack 31 is formed on a first semiconductor layer 311 having a first surface 3111 and a second surface 3112 on the opposite side of the first surface 3111, and a first surface 3111 of the first semiconductor layer 311. Active layer 312 and a second semiconductor layer 313 formed on the active layer 312. Next, by removing a part of the epitaxial stack by the lithography process technique, the first semiconductor layer 311 at a part of the edge of the photoelectric component 300 is exposed, and the groove S is formed in the photoelectric component 300. In this embodiment, the groove S exposes a part of the first semiconductor layer 311 and is surrounded by the second semiconductor layer 313. In the plan view, the groove S of the present embodiment is formed in a long strip shape.

次は、化学気相成長方法（ＣＶＤ）、物理気相成長方法（ＰＶＤ）などの成長方法により、光電部品３００のエピタキシャル積層３１の表面と前記溝渠Ｓの側壁とに第一絶縁層３４１を形成する。 Next, the first insulating layer 341 is formed on the surface of the epitaxial layer 31 of the photoelectric component 300 and the side wall of the groove S by a growth method such as a chemical vapor deposition method (CVD) or a physical vapor deposition method (PVD). To do.

次は、光電部品３００の辺縁付近に露出されている第一半導体層３１１上に、少なくとも一個の第一の第一導電性電極３２１を形成する。本実施例において、第一の第一導電性電極３２１は第二半導体層３１３に囲まれておらず、前記溝渠Ｓ中には第二の第一導電性電極３２２が形成されている。本実施例において、離れている第一の第一導電性電極３２１と第二の第一導電性電極３２２で第一導電性電極を形成する電極設計方法を採用する。 Next, at least one first first conductive electrode 321 is formed on the first semiconductor layer 311 exposed near the edge of the photoelectric component 300. In the present embodiment, the first first conductive electrode 321 is not surrounded by the second semiconductor layer 313, and the second first conductive electrode 322 is formed in the groove S. In the present embodiment, an electrode design method is employed in which the first conductive electrode is formed by the separated first first conductive electrode 321 and second first conductive electrode 322.

本発明の実施例の電極設計方法は、電極の数量、電極の形状及び電極の位置を選択することにより、辺縁区域に接近する光電部品の電流分布を向上させることができる。例えば、この電極設計方法による第一導電性電極は、一個又は複数個の第一の第一導電性電極３２１と一個又は複数個の第二の第一導電性電極３２２と含み、上から見たこの第二の第一導電性電極３２２は、第二半導体層３１３に囲まれるとともに、長状に延伸されている。 The electrode design method of the embodiment of the present invention can improve the current distribution of the photoelectric component approaching the marginal area by selecting the number of electrodes, the shape of the electrode, and the position of the electrode. For example, the first conductive electrode according to this electrode design method includes one or more first first conductive electrodes 321 and one or more second first conductive electrodes 322, as viewed from above. The second first conductive electrode 322 is surrounded by the second semiconductor layer 313 and is elongated.

本実施例において、光電部品３００の第一半導体層３１１は少なくとも４つの辺縁を含み、隣接する２つの辺縁は１つの隅部を形成し、かつ辺縁を乗り越える導電構造は存在しない。本実施例において、第一の第一導電性電極３２１は、光電部品３００の同一辺縁の２つの隅部に形成され、かつ光電部品３００の辺縁を乗り越えないように互いに離れている。 In this embodiment, the first semiconductor layer 311 of the photoelectric component 300 includes at least four edges, two adjacent edges form one corner, and there is no conductive structure over the edge. In this embodiment, the first first conductive electrodes 321 are formed at two corners of the same edge of the photoelectric component 300 and are separated from each other so as not to get over the edge of the photoelectric component 300.

本実施例において、第一半導体層３１１上に投影される第一の第一導電性電極３２１の投影は所定の形状を有する。この形状は、多辺形、円形、楕円形、半円形又は円弧面を有する形状であることができる。第二の第一導電性電極３２２は、線形、円弧形、線形と円弧形を組合せた形状、又はそれらの一部分を有する形状であることができる。本実施例において、第二の第一導電性電極３２２は先端と末端を有し、先端の幅は末端の幅より広い。 In the present embodiment, the projection of the first first conductive electrode 321 projected on the first semiconductor layer 311 has a predetermined shape. This shape can be a polygonal, circular, elliptical, semi-circular or arcuate shape. The second first conductive electrode 322 can be linear, arcuate, a combination of linear and arcuate shapes, or a shape having a portion thereof. In the present embodiment, the second first conductive electrode 322 has a tip and an end, and the width of the tip is wider than the width of the end.

次は、第二半導体層３１３上に第二導電性電極３３を形成する。本実施例において、第一半導体層３１１上に投影された第二導電性電極３３の投影面積と第二半導体層３１３の上表面面積の比は、９０〜１００％の間にある。 Next, the second conductive electrode 33 is formed on the second semiconductor layer 313. In this embodiment, the ratio of the projected area of the second conductive electrode 33 projected onto the first semiconductor layer 311 and the upper surface area of the second semiconductor layer 313 is between 90% and 100%.

次は、前記第一の第一導電性電極３２１、第二の第一導電性電極３２２、第二導電性電極３３及び一部分の第一絶縁層３４１の上に第二絶縁層３４２を形成する。第二絶縁層３４２は第一開口３４２１を具備することができ、この第一開口３４２１は、第二導電性電極３３と後に続けて形成する第四電極３６とを電気接続させることに用いられる。第二絶縁層３４２は第二開口３４２２を更に具備することができ、この第二開口３４２２は、第一の第一導電性電極３２１と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。本実施例において、第一絶縁層３４１又は第二絶縁層３４２は、露出された前記第一半導体層３１１を完全に覆うことができる。 Next, a second insulating layer 342 is formed on the first first conductive electrode 321, the second first conductive electrode 322, the second conductive electrode 33, and a portion of the first insulating layer 341. The second insulating layer 342 may include a first opening 3421, and the first opening 3421 is used to electrically connect the second conductive electrode 33 and the fourth electrode 36 formed subsequently. The second insulating layer 342 may further include a second opening 3422, which electrically connects the first first conductive electrode 321 and the third electrode 35 formed subsequently. Used for. In this embodiment, the first insulating layer 341 or the second insulating layer 342 can completely cover the exposed first semiconductor layer 311.

本実施例において、前記第一絶縁層３４１又は第二絶縁層３４２は透明絶縁層であることができる。前記第一絶縁層３４１又は第二絶縁層３４２の材質は、酸化物、窒化物又はポリマー（polymer）であることができる。酸化物は、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、二酸化ケイ素（ＳiＯ_２）、酸化チタン（ＴiＯ_２）、五酸化タンタル（Tantalun Pentoxide、Ｔａ_２Ｏ_５）又は酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）を含み、窒化物は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（ＳiＮ_ｘ）を含み、ポリマーは、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutane、ＢＣＢ）などのような材料又はこれらの組合せを含むことができる。本実施例において、第一絶縁層３４１又は第二絶縁層３４２は、分布ブラッグ反射器（Distributed Bragg Reflector）構造を有することができる。 In the present embodiment, the first insulating layer 341 or the second insulating layer 342 may be a transparent insulating layer. The material of the first insulating layer 341 or the second insulating layer 342 may be an oxide, a nitride, or a polymer. The oxide includes aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ), silicon dioxide (SiO ₂ ), titanium oxide (TiO ₂ ), tantalum pentoxide (Tantalun Pentoxide, Ta ₂ O ₅ ), or aluminum oxide (AlO _x ), and is nitrided The material may include aluminum nitride (AlN), silicon nitride (SiN _x ), and the polymer may include materials such as polyimide, benzocyclobutane (BCB), or combinations thereof. In the present embodiment, the first insulating layer 341 or the second insulating layer 342 may have a distributed Bragg reflector structure.

最後に、前記第二絶縁層３４２、第一の第一導電性電極３２１、第二の第一導電性電極３２２の上に第三電極３５を形成するとともに、この第三電極３５を第一の第一導電性電極３２１、第二の第一導電性電極３２２に電気接続させる。かつ、前記第二絶縁層３４２、第二導電性電極３３上に第四電極３６を形成するとともに、この第四電極３６を第二導電性電極３３に電気接続させる。本実施例の平面図において、第一半導体層３１１上に投影された第三電極３５の投影面積と第四電極３６の投影面積の比は、８０〜１００％の間にある。 Finally, a third electrode 35 is formed on the second insulating layer 342, the first first conductive electrode 321, and the second first conductive electrode 322. Electrical connection is made to the first conductive electrode 321 and the second first conductive electrode 322. In addition, a fourth electrode 36 is formed on the second insulating layer 342 and the second conductive electrode 33, and the fourth electrode 36 is electrically connected to the second conductive electrode 33. In the plan view of the present embodiment, the ratio of the projected area of the third electrode 35 projected onto the first semiconductor layer 311 and the projected area of the fourth electrode 36 is between 80% and 100%.

本実施例において、第三電極３５は一部分の第一の第一導電性電極３２１のみを覆うことができるが、他の実施例において、この第三電極３５は第一の第一導電性電極３２１を覆わなくてもよい。 In the present embodiment, the third electrode 35 can cover only a portion of the first first conductive electrode 321, but in other embodiments, the third electrode 35 is the first first conductive electrode 321. Need not be covered.

本実施例において、基板３０の上表面から第三電極３５の頂部までの高さはＨ１であり、基板３０の上表面から第四電極３６の頂部までの高さはＨ２であり、Ｈ１とＨ２は略同じである。本実施例において、Ｈ１とＨ２の差は５〜１０％より小さい。Ｈ１とＨ２の差を調節することにより、光電部品３００と後に続けて形成する載置板又は回路部品とによって形成されるフリップチップ構造の断線確率を低減し、製品の良品率を向上させることができる。本実施例において、第三電極３５の辺縁と第四電極３６の辺縁との間の最小距離はＤ１であり、Ｄ１は５０μｍより大きい。他の実施例において、Ｄ１は５０〜２００μｍ又は１００〜２００μｍであることができる。 In this embodiment, the height from the upper surface of the substrate 30 to the top of the third electrode 35 is H1, and the height from the upper surface of the substrate 30 to the top of the fourth electrode 36 is H2, and H1 and H2 Are substantially the same. In this example, the difference between H1 and H2 is less than 5-10%. By adjusting the difference between H1 and H2, it is possible to reduce the disconnection probability of the flip chip structure formed by the photoelectric component 300 and the mounting plate or circuit component to be formed subsequently, and to improve the yield rate of products. it can. In this embodiment, the minimum distance between the edge of the third electrode 35 and the edge of the fourth electrode 36 is D1, and D1 is greater than 50 μm. In other examples, D1 can be 50-200 μm or 100-200 μm.

本実施例において、第一の第一導電性電極３２１、第二の第一導電性電極３２２、第二導電性電極３３、第三電極３５及び第四電極３６は、多層構造であるとともに／或いは反射層（図示せず）を含むことができる。この反射層は、活性層３１２が発した光線を８０％以上反射できる反射率を有する。本実施例において、第一の第一導電性電極３２１、第二の第一導電性電極３２２及び第三電極３５は、１つのプロセスで形成することができる。本実施例において、活性層３１２が発した光線は、第一の第一導電性電極３２１、第二の第一導電性電極３２２、第二導電性電極３３、第三電極３５及び第四電極３６に反射され、かつ基板３０の方向から光電部品３００の外部に出射される。 In the present embodiment, the first first conductive electrode 321, the second first conductive electrode 322, the second conductive electrode 33, the third electrode 35, and the fourth electrode 36 have a multilayer structure and / or. A reflective layer (not shown) can be included. This reflective layer has a reflectivity that can reflect 80% or more of the light emitted from the active layer 312. In the present embodiment, the first first conductive electrode 321, the second first conductive electrode 322, and the third electrode 35 can be formed in one process. In this embodiment, the light emitted from the active layer 312 is emitted from the first first conductive electrode 321, the second first conductive electrode 322, the second conductive electrode 33, the third electrode 35, and the fourth electrode 36. And is emitted from the direction of the substrate 30 to the outside of the photoelectric component 300.

所定の導電率を実現するため、第一の第一導電性電極３２１、第二の第一導電性電極３２２、第二導電性電極３３、第三電極３５及び第四電極３６の材質が金属であることが好ましい。例えば、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎi）、チタン（Ｔi）、スズ（Ｓｎ）などであるか、或いはそれらの合金又はそれらの積層構造であることができる。 In order to achieve a predetermined conductivity, the first first conductive electrode 321, the second first conductive electrode 322, the second conductive electrode 33, the third electrode 35, and the fourth electrode 36 are made of metal. Preferably there is. For example, for example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium (Ti), tin (Sn), etc. Or they can be alloys or laminated structures thereof.

本実施例において、載置板又は回路部品（図示せず）を提供し、かつワイヤボンディング又は半田付けによりこの載置板又は回路部品上に第一載置板電極（図示せず）と第二載置板電極（図示せず）を形成することができる。この第一載置板電極及び第二載置板電極は、光電部品３００の第三電極３５及び第四電極３６と共にフリップチップ構造を形成することができる。 In this embodiment, a mounting plate or circuit component (not shown) is provided, and a first mounting plate electrode (not shown) and a second plate are provided on the mounting plate or circuit component by wire bonding or soldering. A mounting plate electrode (not shown) can be formed. The first mounting plate electrode and the second mounting plate electrode can form a flip chip structure together with the third electrode 35 and the fourth electrode 36 of the photoelectric component 300.

本実施例において、第一の第一導電性電極３２１及び／又は第二の第一導電性電極３２２と第三電極３５との間に第一調節層（図示せず）を形成するとともに、この第一調節層を第一の第一導電性電極３２１及び／又は第二の第一導電性電極３２２と第三電極３５とに電気接続させることができる。他の実施例において、第二導電性電極３３と第四電極３６との間に第二調節層（図示せず）を形成するとともに、この第二調節層を第二導電性電極３３と第四電極３６とに電気接続させることができる。本実施例において、第一調節層と第二調節層はそれぞれ所定の高さを有し、かつ第一調節層と第二調節層の形成位置により、第一調節層と第二調節層の高さは前記高さＨ１とＨ２に影響を与えることができる（すなわち、高さＨ１とＨ２を調節することができる）。そのため、形成された第一調節層と第二調節層の高さをそれぞれ調節することにより、高さＨ１とＨ２との間の差を低減し、光電部品３００と後に続けて形成する載置板又は回路部品とによって形成されるフリップチップ構造の断線確率を低減し、製品の良品率を向上させることができる。本実施例において、第一半導体層３１１上に投影された第一調節層の投影面積は、第一半導体層３１１上に投影された第三電極３５の投影面積より大きいか、或いは第一半導体層３１１上に投影された第二調節層の投影面積は、第一半導体層３１１上に投影された第四電極３６の投影面積より大きい。本実施例において、第一調節層又は第二調節層の材質が金属であることが好ましい。例えば、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎi）、チタン（Ｔi）、スズ（Ｓｎ）などであるか、或いはそれらの合金又はそれらの積層構造であることができる。本実施例において、第一調節層又は第二調節層は、多層構造であるとともに／或いは反射層（図示せず）を含むことができる。この反射層は、活性層３１２が発した光線を８０％以上反射できる反射率を有する。 In this embodiment, a first adjustment layer (not shown) is formed between the first first conductive electrode 321 and / or the second first conductive electrode 322 and the third electrode 35, and this The first adjustment layer can be electrically connected to the first first conductive electrode 321 and / or the second first conductive electrode 322 and the third electrode 35. In another embodiment, a second adjustment layer (not shown) is formed between the second conductive electrode 33 and the fourth electrode 36, and the second adjustment layer is connected to the second conductive electrode 33 and the fourth electrode. It can be electrically connected to the electrode 36. In this embodiment, each of the first adjustment layer and the second adjustment layer has a predetermined height, and the height of the first adjustment layer and the second adjustment layer depends on the formation position of the first adjustment layer and the second adjustment layer. The height can affect the heights H1 and H2 (ie, the heights H1 and H2 can be adjusted). Therefore, by adjusting the heights of the formed first adjustment layer and second adjustment layer, the difference between the heights H1 and H2 is reduced, and the photoelectric component 300 and the mounting plate formed subsequently. Alternatively, it is possible to reduce the disconnection probability of the flip chip structure formed by the circuit components and improve the yield rate of products. In this embodiment, the projected area of the first adjustment layer projected on the first semiconductor layer 311 is larger than the projected area of the third electrode 35 projected on the first semiconductor layer 311, or the first semiconductor layer The projected area of the second adjustment layer projected on 311 is larger than the projected area of the fourth electrode 36 projected on the first semiconductor layer 311. In the present embodiment, the material of the first adjustment layer or the second adjustment layer is preferably a metal. For example, for example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium (Ti), tin (Sn), etc. Or they can be alloys or laminated structures thereof. In this embodiment, the first adjustment layer or the second adjustment layer may have a multilayer structure and / or include a reflective layer (not shown). This reflective layer has a reflectivity that can reflect 80% or more of the light emitted from the active layer 312.

図３Ｃは、本発明の第二実施例に係る光電部品４００を示す平面図である。本実施例の製造方法、使用する材料及び符号などは、上述した第一実施例のことと同一するので、ここでは再び説明しない。本発明の実施例の電極設計方法は、電極の数量、電極の形状及び電極の位置を選択することにより、辺縁区域に接近する光電部品４００の電流分布を向上させることができる。 FIG. 3C is a plan view showing the photoelectric component 400 according to the second embodiment of the present invention. Since the manufacturing method, materials used, and symbols of this embodiment are the same as those of the first embodiment described above, they will not be described again here. The electrode design method according to the embodiment of the present invention can improve the current distribution of the photoelectric component 400 approaching the marginal area by selecting the number of electrodes, the shape of the electrode, and the position of the electrode.

本実施例において、光電部品４００の第一半導体層３１１は少なくとも４つの辺縁を含み、隣接する２つの辺縁は１つの隅部を形成し、かつ辺縁を乗り越える導電構造は存在しない。本実施例において、第一の第一導電性電極３２１は、第一半導体層３１１のいずれか１つの隅部上に形成される。第二絶縁層３４２は第二開口３４２２を具備することができ、この第二開口３４２２は、第一の第一導電性電極３２１と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。第二の第一導電性電極３２２は、第一半導体層３１１上に形成され、かつ第二半導体層３１３に囲まれている。第二絶縁層３４２は第三開口３４２３を更に具備することができ、この第三開口３４２３は、第二の第一導電性電極３２２と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。 In the present embodiment, the first semiconductor layer 311 of the photoelectric component 400 includes at least four edges, two adjacent edges form one corner, and there is no conductive structure over the edge. In the present embodiment, the first first conductive electrode 321 is formed on any one corner of the first semiconductor layer 311. The second insulating layer 342 may include a second opening 3422, and the second opening 3422 electrically connects the first first conductive electrode 321 and the third electrode 35 formed subsequently. Used. The second first conductive electrode 322 is formed on the first semiconductor layer 311 and is surrounded by the second semiconductor layer 313. The second insulating layer 342 may further include a third opening 3423, which electrically connects the second first conductive electrode 322 and the third electrode 35 formed subsequently. Used for.

本実施例において、第一半導体層３１１上に投影される第一の第一導電性電極３２１の投影は所定の形状を有する。この形状は、多辺形、円形、楕円形、半円形又は円弧面を有する形状であることができる。第二の第一導電性電極３２２は延伸状に形成され、この形状は、線形、円弧形、線形と円弧形を組合せた形状、又はそれらの一部分を有する形状であることができる。本実施例において、第二の第一導電性電極３２２は先端と末端を有し、先端の幅は末端の幅より広い。 In the present embodiment, the projection of the first first conductive electrode 321 projected on the first semiconductor layer 311 has a predetermined shape. This shape can be a polygonal, circular, elliptical, semi-circular or arcuate shape. The second first conductive electrode 322 is formed in an elongated shape, and this shape may be a linear shape, an arc shape, a shape combining linear and arc shapes, or a shape having a part thereof. In the present embodiment, the second first conductive electrode 322 has a tip and an end, and the width of the tip is wider than the width of the end.

本実施例において、光電部品４００の辺縁付近に露出されている第一半導体層３１１上には、第三の第一導電性電極３２３が形成されている。本実施例において、第三の第一導電性電極３２３は第二半導体層３１３に囲まれていない。第二絶縁層３４２は第四開口３４２４を具備し、この第四開口３４２４は、第三の第一導電性電極３２３と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。光電部品４００の辺縁付近に露出されている第一半導体層３１１上には、第四の第一導電性電極３２４が形成されている。本実施例において、第四の第一導電性電極３２４は第二半導体層３１３に囲まれていない。第二絶縁層３４２は第五開口３４２５を具備し、この第五開口３４２５は、第四の第一導電性電極３２４と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。 In the present embodiment, a third first conductive electrode 323 is formed on the first semiconductor layer 311 exposed near the edge of the photoelectric component 400. In the present embodiment, the third first conductive electrode 323 is not surrounded by the second semiconductor layer 313. The second insulating layer 342 includes a fourth opening 3424, and the fourth opening 3424 is used to electrically connect the third first conductive electrode 323 and the third electrode 35 formed subsequently. A fourth first conductive electrode 324 is formed on the first semiconductor layer 311 exposed near the edge of the photoelectric component 400. In the present embodiment, the fourth first conductive electrode 324 is not surrounded by the second semiconductor layer 313. The second insulating layer 342 includes a fifth opening 3425, and the fifth opening 3425 is used to electrically connect the fourth first conductive electrode 324 and the third electrode 35 formed subsequently.

本実施例において、第一半導体層３１１上に投影される第三の第一導電性電極３２３の投影は所定の形状を有する。この形状は、多辺形、円形、楕円形、半円形又は円弧面を有する形状であることができる。第四の第一導電性電極３２４は、線形、円弧形、線形と円弧形を組合せた形状、又はそれらの一部分を有する形状であることができる。本実施例において、第四の第一導電性電極３２４は先端と末端を有し、先端の幅は末端の幅より広い。本実施例において、第三の第一導電性電極３２３と第四の第一導電性電極３２４の形状は相違している。 In the present embodiment, the projection of the third first conductive electrode 323 projected onto the first semiconductor layer 311 has a predetermined shape. This shape can be a polygonal, circular, elliptical, semi-circular or arcuate shape. The fourth first conductive electrode 324 may be linear, arcuate, a combination of linear and arcuate shapes, or a shape having a portion thereof. In the present embodiment, the fourth first conductive electrode 324 has a tip and an end, and the width of the tip is wider than the width of the end. In the present embodiment, the shapes of the third first conductive electrode 323 and the fourth first conductive electrode 324 are different.

本実施例において、製品の設計要求に応じて、第一の第一導電性電極３２１と第三の第一導電性電極３２３とを光電部品４００の同一辺縁の付近に形成し、かつ両者を分離させることができる。本実施例において、第一の第一導電性電極３２１と第四の第一導電性電極３２４を、又は第三の第一導電性電極３２３と第四の第一導電性電極３２４を光電部品４００の同一辺縁の付近に形成しなくてもよい。 In this embodiment, according to the design requirements of the product, the first first conductive electrode 321 and the third first conductive electrode 323 are formed in the vicinity of the same edge of the photoelectric component 400, and both are formed. Can be separated. In this embodiment, the first first conductive electrode 321 and the fourth first conductive electrode 324, or the third first conductive electrode 323 and the fourth first conductive electrode 324 are connected to the photoelectric component 400. It does not have to be formed near the same edge.

本実施例において、第四の第一導電性電極３２４の先端は第三電極３５に覆われており、第四の第一導電性電極３２４の末端は第四電極３６に覆われていない。本実施例において、第一半導体層３１１上に投影された第三電極３５の投影面積は、第一半導体層３１１上に投影された第四電極３６の投影面積より大きく、かつ第一半導体層３１１上に投影された第三電極３５の投影面積と第四電極３６の投影面積の比は、１１０〜１２０％の間にある。本実施例において、第二の第一導電性電極３２２と第四の第一導電性電極３２４の末端の延伸方向は略平行している。 In this embodiment, the tip of the fourth first conductive electrode 324 is covered with the third electrode 35, and the end of the fourth first conductive electrode 324 is not covered with the fourth electrode 36. In the present embodiment, the projected area of the third electrode 35 projected onto the first semiconductor layer 311 is larger than the projected area of the fourth electrode 36 projected onto the first semiconductor layer 311, and the first semiconductor layer 311. The ratio of the projected area of the third electrode 35 projected onto the projected area of the fourth electrode 36 is between 110 and 120%. In this embodiment, the extending directions of the ends of the second first conductive electrode 322 and the fourth first conductive electrode 324 are substantially parallel.

図４Ａは、本発明の第三実施例に係る光電部品５００を示す平面図である。本実施例の製造方法、使用する材料及び符号などは、上述した第一実施例のことと同一するので、ここでは再び説明しない。本発明の実施例の電極設計方法は、電極の数量、電極の形状及び電極の位置を選択することにより、辺縁区域に接近する光電部品５００の電流分布を向上させることができる。 FIG. 4A is a plan view showing a photoelectric component 500 according to the third embodiment of the present invention. Since the manufacturing method, materials used, and symbols of this embodiment are the same as those of the first embodiment described above, they will not be described again here. The electrode design method according to the embodiment of the present invention can improve the current distribution of the photoelectric component 500 approaching the marginal area by selecting the number of electrodes, the shape of the electrode, and the position of the electrode.

本実施例において、光電部品５００の４つの辺縁は長方形を形成し、隣接する２つの辺縁は１つの隅部を形成し、かつ辺縁を乗り越える導電構造は存在しない。それらの辺縁は、第一長辺Ｂ１と、第二長辺Ｂ３と、第一短辺Ｂ２と、第二短辺Ｂ４とを含む。本実施例において、第一長辺Ｂ１又は第二長辺Ｂ３の長さは、第一短辺Ｂ２又は第二短辺Ｂ４の長さより長い。本実施例において、第一半導体層３１１上に投影された第三電極３５と第四電極３６の投影は、第一長辺Ｂ１又は第二長辺Ｂ３に沿って配列されている。 In this embodiment, four edges of the photoelectric component 500 form a rectangle, two adjacent edges form one corner, and there is no conductive structure over the edge. These edges include a first long side B1, a second long side B3, a first short side B2, and a second short side B4. In the present embodiment, the length of the first long side B1 or the second long side B3 is longer than the length of the first short side B2 or the second short side B4. In the present embodiment, the projections of the third electrode 35 and the fourth electrode 36 projected on the first semiconductor layer 311 are arranged along the first long side B1 or the second long side B3.

本実施例において、互いに離れている二個の第一の第一導電性電極３２１は、第一短辺Ｂ２の２つの隅部上に形成されている。第二絶縁層３４２は第二開口３４２２を具備することができ、この第二開口３４２２は、第一の第一導電性電極３２１と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。二個の第四の第一導電性電極３２４はそれぞれ、第一短辺Ｂ２と第二短辺Ｂ４の辺縁付近に露出されている第一半導体層３１１上に形成されている。本実施例において、第三の第一導電性電極３２３は第一短辺Ｂ２上に形成されている。第二絶縁層３４２は第四開口３４２４を具備し、この第四開口３４２４は、第三の第一導電性電極３２３と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。第四の第一導電性電極３２４は第二半導体層３１３に囲まれていない。第二絶縁層３４２は第三開口３４２３を具備することができ、この第三開口３４２３は、第四の第一導電性電極３２４と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。 In the present embodiment, the two first first conductive electrodes 321 that are separated from each other are formed on the two corners of the first short side B2. The second insulating layer 342 may include a second opening 3422, and the second opening 3422 electrically connects the first first conductive electrode 321 and the third electrode 35 formed subsequently. Used. The two fourth first conductive electrodes 324 are respectively formed on the first semiconductor layer 311 exposed near the edges of the first short side B2 and the second short side B4. In the present embodiment, the third first conductive electrode 323 is formed on the first short side B2. The second insulating layer 342 includes a fourth opening 3424, and the fourth opening 3424 is used to electrically connect the third first conductive electrode 323 and the third electrode 35 formed subsequently. The fourth first conductive electrode 324 is not surrounded by the second semiconductor layer 313. The second insulating layer 342 may include a third opening 3423, which electrically connects the fourth first conductive electrode 324 and the subsequently formed third electrode 35. Used.

本実施例において、第三の第一導電性電極３２３から前記二個の第一の第一導電性電極３２１までの距離は略同じである。第一の第一導電性電極３２１、第四の第一導電性電極３２４及び第三電極３５は、１つのプロセスで形成することができる。 In this embodiment, the distance from the third first conductive electrode 323 to the two first first conductive electrodes 321 is substantially the same. The first first conductive electrode 321, the fourth first conductive electrode 324, and the third electrode 35 can be formed in one process.

本実施例において、第一半導体層３１１上に投影される第一の第一導電性電極３２１の投影は所定の形状を有する。この形状は、多辺形、円形、楕円形、半円形又は円弧面を有する形状であることができる。第一半導体層３１１上に投影される第三の第一導電性電極３２３の投影は所定の形状を有し、この形状は、多辺形、円形、楕円形、半円形又は円弧面を有する形状であることができる。第四の第一導電性電極３２４は延伸状に形成され、この形状は、線形、円弧形、線形と円弧形を組合せた形状、又はそれらの一部分を有する形状であることができる。本実施例において、第四の第一導電性電極３２４は先端と末端を有し、この先端の幅は末端の幅より広い。本実施例において、第三の第一導電性電極３２３と第四の第一導電性電極３２４の形状は相違している。 In the present embodiment, the projection of the first first conductive electrode 321 projected on the first semiconductor layer 311 has a predetermined shape. This shape can be a polygonal, circular, elliptical, semi-circular or arcuate shape. The projection of the third first conductive electrode 323 projected onto the first semiconductor layer 311 has a predetermined shape, which is a shape having a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, a semicircular shape, or an arc surface. Can be. The fourth first conductive electrode 324 is formed in an elongated shape, and this shape may be a linear shape, an arc shape, a shape combining linear and arc shapes, or a shape having a part thereof. In the present embodiment, the fourth first conductive electrode 324 has a tip and an end, and the width of the tip is wider than the width of the end. In the present embodiment, the shapes of the third first conductive electrode 323 and the fourth first conductive electrode 324 are different.

本実施例において、前記第四の第一導電性電極３２４の先端は第一短辺Ｂ２に向かい、末端は第二短辺Ｂ４に向かう。本実施例において、第四の第一導電性電極３２４の先端は第三電極３５に覆われており、第四の第一導電性電極３２４の末端は第四電極３６に覆われていない。本実施例において、前記二個の第四の第一導電性電極３２４の末端の延伸方向は略平行している。本実施例において、第一半導体層３１１上に投影された第三電極３５の投影面積は、第一半導体層３１１上に投影された第四電極３６の投影面積より大きく、かつ第一半導体層３１１上に投影された第三電極３５の投影面積と第四電極３６の投影面積の比は、１１０〜１２０％の間にある。 In the present embodiment, the tip of the fourth first conductive electrode 324 is directed to the first short side B2, and the end is directed to the second short side B4. In this embodiment, the tip of the fourth first conductive electrode 324 is covered with the third electrode 35, and the end of the fourth first conductive electrode 324 is not covered with the fourth electrode 36. In this embodiment, the extending directions of the ends of the two fourth first conductive electrodes 324 are substantially parallel. In the present embodiment, the projected area of the third electrode 35 projected onto the first semiconductor layer 311 is larger than the projected area of the fourth electrode 36 projected onto the first semiconductor layer 311, and the first semiconductor layer 311. The ratio of the projected area of the third electrode 35 projected onto the projected area of the fourth electrode 36 is between 110 and 120%.

図４Ｂは、本発明の第四実施例に係る光電部品６００を示す平面図である。本実施例の製造方法、使用する材料及び符号などは、上述した第一実施例のことと同一するので、ここでは再び説明しない。本発明の実施例の電極設計方法は、電極の数量、電極の形状及び電極の位置を選択することにより、辺縁区域に接近する光電部品６００の電流分布を向上させることができる。 FIG. 4B is a plan view showing a photoelectric component 600 according to the fourth embodiment of the present invention. Since the manufacturing method, materials used, and symbols of this embodiment are the same as those of the first embodiment described above, they will not be described again here. The electrode design method according to the embodiment of the present invention can improve the current distribution of the photoelectric component 600 approaching the marginal area by selecting the number of electrodes, the shape of the electrode, and the position of the electrode.

本実施例において、光電部品６００の４つの辺縁は長方形を形成し、隣接する２つの辺縁は１つの隅部を形成し、かつ辺縁を乗り越える導電構造は存在しない。光電部品６００は、第一長辺Ｂ１と、第二長辺Ｂ３と、第一短辺Ｂ２と、第二短辺Ｂ４とを含む。本実施例において、第一長辺Ｂ１又は第二長辺Ｂ３の長さは、第一短辺Ｂ２又は第二短辺Ｂ４の長さより長い。本実施例において、第一半導体層３１１上に投影された第三電極３５と第四電極３６の投影は、第一長辺Ｂ１又は第二長辺Ｂ３に沿って配列されている。 In this embodiment, the four edges of the photoelectric component 600 form a rectangle, the two adjacent edges form one corner, and there is no conductive structure over the edge. The photoelectric component 600 includes a first long side B1, a second long side B3, a first short side B2, and a second short side B4. In the present embodiment, the length of the first long side B1 or the second long side B3 is longer than the length of the first short side B2 or the second short side B4. In the present embodiment, the projections of the third electrode 35 and the fourth electrode 36 projected on the first semiconductor layer 311 are arranged along the first long side B1 or the second long side B3.

本実施例は、少なくとも一個の第一の第一導電性電極３２１を含む。本実施例において、四個の第一の第一導電性電極３２１を第一半導体層３１１の４つの隅部上に形成することができる。第二絶縁層３４２は第二開口３４２２を更に具備することができ、この第二開口３４２２は、第一の第一導電性電極３２１と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。二個の第二の第一導電性電極３２２は、第一半導体層３１１上に形成され、かつ第二半導体層３１３に囲まれている。第二絶縁層３４２は第三開口３４２３を更に具備することができ、この第三開口３４２３は、第二の第一導電性電極３２２と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。 The present embodiment includes at least one first first conductive electrode 321. In this embodiment, four first first conductive electrodes 321 can be formed on the four corners of the first semiconductor layer 311. The second insulating layer 342 may further include a second opening 3422, which electrically connects the first first conductive electrode 321 and the third electrode 35 formed subsequently. Used for. The two second first conductive electrodes 322 are formed on the first semiconductor layer 311 and surrounded by the second semiconductor layer 313. The second insulating layer 342 may further include a third opening 3423, which electrically connects the second first conductive electrode 322 and the third electrode 35 formed subsequently. Used for.

本実施例において、第一半導体層３１１上に投影される第一の第一導電性電極３２１の投影は所定の形状を有する。この形状は、多辺形、円形、楕円形、半円形又は円弧面を有する形状であることができる。第一半導体層３１１上に投影される第二の第一導電性電極３２２の投影は所定の形状を有し、この形状は、多辺形、円形、楕円形、半円形又は円弧面を有する形状であることができる。第四の第一導電性電極３２４は延伸状に形成され、この形状は、線形、円弧形、線形と円弧形を組合せた形状、又はそれらの一部分を有する形状であることができる。本実施例において、第一半導体層３１１上に投影された前記二個の第二の第一導電性電極３２２の投影の形状は、同一又は相違している。 In the present embodiment, the projection of the first first conductive electrode 321 projected on the first semiconductor layer 311 has a predetermined shape. This shape can be a polygonal, circular, elliptical, semi-circular or arcuate shape. The projection of the second first conductive electrode 322 projected onto the first semiconductor layer 311 has a predetermined shape, and this shape is a shape having a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, a semicircular shape, or an arc surface. Can be. The fourth first conductive electrode 324 is formed in an elongated shape, and this shape may be a linear shape, an arc shape, a shape combining linear and arc shapes, or a shape having a part thereof. In the present embodiment, the projected shapes of the two second first conductive electrodes 322 projected on the first semiconductor layer 311 are the same or different.

本実施例において、第三電極３５は２つの延伸部３５１を含み、かつこの２つの延伸部３５１により略凹部Ｒが形成される。第四電極３６はその凹部Ｒ内に位置する。第一の第一導電性電極３２１、第二の第一導電性電極３２２及び第三電極３５は、１つのプロセスで形成することができる。 In the present embodiment, the third electrode 35 includes two extending portions 351, and the substantially recessed portion R is formed by the two extending portions 351. The fourth electrode 36 is located in the recess R. The first first conductive electrode 321, the second first conductive electrode 322, and the third electrode 35 can be formed in one process.

図４Ｃは、本発明の第五実施例に係る光電部品７００を示す平面図である。本実施例の製造方法、使用する材料及び符号などは、上述した第一実施例のことと同一するので、ここでは再び説明しない。本発明の実施例の電極設計方法は、電極の数量、電極の形状及び電極の位置を選択することにより、辺縁区域に接近する光電部品７００の電流分布を向上させることができる。 FIG. 4C is a plan view showing a photoelectric component 700 according to the fifth embodiment of the present invention. Since the manufacturing method, materials used, and symbols of this embodiment are the same as those of the first embodiment described above, they will not be described again here. The electrode design method according to the embodiment of the present invention can improve the current distribution of the photoelectric component 700 approaching the marginal area by selecting the number of electrodes, the shape of the electrode, and the position of the electrode.

本実施例において、光電部品７００の第一半導体層３１１は少なくとも４つの辺縁を含み、隣接する２つの辺縁は１つの隅部を形成し、かつ辺縁を乗り越える導電構造は存在しない。本実施例は、第一半導体層３１１の４つの隅部上にそれぞれ形成される四個の第一の第一導電性電極３２１を含む。第二絶縁層３４２は第二開口３４２２を具備することができ、この第二開口３４２２は、第一の第一導電性電極３２１と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。第一半導体層３１１上に形成されている複数個の第二の第一導電性電極３２２は、第二半導体層３１３に囲まれている。第二絶縁層３４２は第四開口３４２４を具備し、この第四開口３４２４は、第二の第一導電性電極３２２と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。光電部品７００の辺縁付近に露出されている第一半導体層３１１上には、複数個の第三の第一導電性電極３２３が形成されている。すなわち、第三の第一導電性電極３２３は第二半導体層３１３に囲まれず、第一半導体層３１１のいずれか１つの辺縁は一個又は複数個の第三の第一導電性電極３２３を含むことができる。第二絶縁層３４２は第三開口３４２３を更に具備することができ、この第三開口３４２３は、第二の第一導電性電極３２２と後に続けて形成する第三電極３５とを電気接続させることに用いられる。 In the present embodiment, the first semiconductor layer 311 of the photoelectric component 700 includes at least four edges, two adjacent edges form one corner, and there is no conductive structure over the edge. The present embodiment includes four first first conductive electrodes 321 respectively formed on four corners of the first semiconductor layer 311. The second insulating layer 342 may include a second opening 3422, and the second opening 3422 electrically connects the first first conductive electrode 321 and the third electrode 35 formed subsequently. Used. The plurality of second first conductive electrodes 322 formed on the first semiconductor layer 311 are surrounded by the second semiconductor layer 313. The second insulating layer 342 includes a fourth opening 3424, and the fourth opening 3424 is used to electrically connect the second first conductive electrode 322 and the third electrode 35 formed subsequently. A plurality of third conductive electrodes 323 are formed on the first semiconductor layer 311 exposed near the edge of the photoelectric component 700. That is, the third first conductive electrode 323 is not surrounded by the second semiconductor layer 313, and any one edge of the first semiconductor layer 311 includes one or more third first conductive electrodes 323. be able to. The second insulating layer 342 may further include a third opening 3423, which electrically connects the second first conductive electrode 322 and the third electrode 35 formed subsequently. Used for.

本実施例において、第一半導体層３１１上に投影される第一の第一導電性電極３２１の投影は所定の形状を有する。この形状は、多辺形、円形、楕円形、半円形又は円弧面を有する形状であることができる。第一半導体層３１１上に投影される第二の第一導電性電極３２２の投影は所定の形状を有し、この形状は、多辺形、円形、楕円形、半円形又は円弧面を有する形状であることができる。本実施例において、第二の第一導電性電極３２２は延伸状に形成され、かつこの延伸方向は延伸部３５１の延伸方向に平行する。第二の第一導電性電極３２２の形状は、線形、円弧形、線形と円弧形を組合せた形状、又はそれらの一部分を有する形状であることができる。本実施例において、第一半導体層３１１上に投影された前記複数個の第二の第一導電性電極３２２の投影の形状は、同一又は相違している。第一半導体層３１１上に投影された第三の第一導電性電極３２３の投影は所定の形状を有し、この形状は、多辺形、円形、楕円形、半円形又は円弧面を有する形状であることができる。 In the present embodiment, the projection of the first first conductive electrode 321 projected on the first semiconductor layer 311 has a predetermined shape. This shape can be a polygonal, circular, elliptical, semi-circular or arcuate shape. The projection of the second first conductive electrode 322 projected onto the first semiconductor layer 311 has a predetermined shape, and this shape is a shape having a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, a semicircular shape, or an arc surface. Can be. In the present embodiment, the second first conductive electrode 322 is formed in a stretched shape, and the extending direction is parallel to the extending direction of the extending portion 351. The shape of the second first conductive electrode 322 may be linear, arcuate, a combination of linear and arcuate shapes, or a shape having a portion thereof. In the present embodiment, the projected shapes of the plurality of second first conductive electrodes 322 projected on the first semiconductor layer 311 are the same or different. The projection of the third first conductive electrode 323 projected on the first semiconductor layer 311 has a predetermined shape, and this shape is a shape having a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, a semicircular shape, or an arc surface. Can be.

本実施例において、第三電極３５は３つの延伸部３５１を含み、かつこの３つの延伸部３５１により２つの略凹部Ｒが形成される。２個の第四電極３６をその凹部Ｒ内に形成することができる。本実施例において、少なくとも１個の第二の第一導電性電極３２２はその凹部Ｒ内に形成することができる。 In the present embodiment, the third electrode 35 includes three extending portions 351, and two substantially recessed portions R are formed by the three extending portions 351. Two fourth electrodes 36 can be formed in the recess R. In this embodiment, at least one second first conductive electrode 322 can be formed in the recess R.

本実施例において、第一半導体層３１１上に投影された前記第一の第一導電性電極３２１、第二の第一導電性電極３２２、第三の第一導電性電極３２３及び第三電極３５の投影の形状は、同一又は相違することができる。かつ第一の第一導電性電極３２１、第二の第一導電性電極３２２、第三の第一導電性電極３２３及び第三電極３５は、１つのプロセスで形成することができる。 In this embodiment, the first first conductive electrode 321, the second first conductive electrode 322, the third first conductive electrode 323 and the third electrode 35 projected onto the first semiconductor layer 311. The projection shapes can be the same or different. The first first conductive electrode 321, the second first conductive electrode 322, the third first conductive electrode 323, and the third electrode 35 can be formed by one process.

図４Ｄは、本発明の第六実施例に係る光電部品７００`を示す平面図である。本実施例は、第五実施例の変形例であり、その製造方法、使用する材料及び符号などは、上述した第五実施例のことと同一するので、ここでは再び説明しない。 FIG. 4D is a plan view showing a photoelectric component 700 ′ according to the sixth embodiment of the present invention. The present embodiment is a modification of the fifth embodiment, and its manufacturing method, materials used, symbols, and the like are the same as those of the fifth embodiment described above, and will not be described again here.

本実施例において、光電部品７００`の第二絶縁層３４２は、複数の第一開口３４２１`を具備し、これらの第一開口は、第二導電性電極３３と後に続けて形成する第四電極３６とを電気接続させることに用いられる。本実施例において、第二絶縁層３４２が複数の第一開口３４２１`を具備することにより、第三電極３５と第四電極３６の高さの差を低減し、かつ後に続けて形成する載置板又は回路部品とによって形成されるフリップチップ構造の断線確率を低減することにより、製品の良品率を向上させることができる。 In the present embodiment, the second insulating layer 342 of the photoelectric component 700 ′ includes a plurality of first openings 3421 ′, and these first openings are the fourth electrodes formed subsequently to the second conductive electrode 33. 36 is used for electrical connection. In the present embodiment, the second insulating layer 342 includes a plurality of first openings 3421 ′ to reduce the difference in height between the third electrode 35 and the fourth electrode 36, and to be formed subsequently. By reducing the disconnection probability of the flip chip structure formed by the plate or the circuit component, the yield rate of products can be improved.

図５Ａ〜図５Ｃは発光モジュールを示す図であり、図５Ａは発光モジュールの外部を示す斜視図である。この発光モジュール８００は、載置体５０２と、光電部品（図示せず）と、複数個のレンズ５０４、５０６、５０８及び５１０と、二個の電力供給端末５１２及び５１４とを含む。その発光モジュール８００は、後述する発光ユニット５４０に連結される。 5A to 5C are views showing the light emitting module, and FIG. 5A is a perspective view showing the outside of the light emitting module. The light emitting module 800 includes a mounting body 502, a photoelectric component (not shown), a plurality of lenses 504, 506, 508, and 510, and two power supply terminals 512 and 514. The light emitting module 800 is connected to a light emitting unit 540 described later.

図５Ｂ〜図５Ｃは、発光モジュール８００の断面を示す図であり、図５Ｃは、図５ＢのＥ区域を示す拡大図である。載置体５０２は上載置体５０３と下載置体５０１を含み、下載置体５０１の一表面は上載置体５０３に接触する。レンズ５０４及び５０８は上載置体５０３に形成される。上載置体５０３には、少なくとも一つの孔５１５が形成されており、本発明の実施例の光電部品３００又はほかの実施例の光電部品（図示せず）は、下載置体５０１と接触するように該孔５１５に設けられ、かつ接着剤５２１に覆われる。接着剤５２１上にはレンズ５０８が設けられ、接着剤５２１の材料はシリコン樹脂、エポキシ樹脂又はほかの材料である。この実施例において、孔５１５の両側の側壁に反射層５１９を形成することにより、光取り出し効率を増加させ、かつ下載置体５０１の下表面に金属層５１７を形成することにより、放熱効果を向上させることができる。 5B to 5C are views showing a cross section of the light emitting module 800, and FIG. 5C is an enlarged view showing a section E of FIG. The mounting body 502 includes an upper mounting body 503 and a lower mounting body 501, and one surface of the lower mounting body 501 is in contact with the upper mounting body 503. The lenses 504 and 508 are formed on the upper mounting body 503. At least one hole 515 is formed in the upper mounting body 503 so that the photoelectric component 300 of the embodiment of the present invention or the photoelectric components (not shown) of the other embodiments are in contact with the lower mounting body 501. Provided in the hole 515 and covered with the adhesive 521. A lens 508 is provided on the adhesive 521, and the material of the adhesive 521 is silicon resin, epoxy resin, or other material. In this embodiment, the light extraction efficiency is increased by forming the reflective layers 519 on the side walls on both sides of the hole 515, and the heat radiation effect is improved by forming the metal layer 517 on the lower surface of the lower mounting body 501. Can be made.

図６Ａ〜図６Ｂは、光線生成装置９００を示す図である。この光線生成装置９００は、発光モジュールと８００と、発光ユニット５４０と、発光モジュールと８００に所定の電流を提供する電源供給システム（図示せず）と、電源供給システム（図示せず）を制御する制御部品（図示せず）とを含む。光線生成装置９００は、照明装置であることができる。例えば、街路燈、車燈又は室内照明装置であるか、或いは交通信号標識又は平面表示装置のバックライトモジュールのバックライトである。 6A to 6B are diagrams illustrating the light beam generation apparatus 900. The light generating device 900 controls a light emitting module 800, a light emitting unit 540, a power supply system (not shown) that supplies a predetermined current to the light emitting module 800, and a power supply system (not shown). Control components (not shown). The light generating device 900 can be a lighting device. For example, a street light, a vehicle or an indoor lighting device, or a backlight of a traffic signal sign or a backlight module of a flat display device.

図７は電球を示す図である。電球１０００は、カバー９２１と、レンズ９２２と、照明モジュール９２４と、フレーム９２５と、放熱器９２６と、挿入部９２７と、金口９２８とを含む。該照明モジュール９２４は、載置体９２３と、載置体９２３上に載置される本発明の実施例の少なくとも一個の光電部品３００又はほかの実施例の光電部品（図示せず）とを含む。 FIG. 7 shows a light bulb. The light bulb 1000 includes a cover 921, a lens 922, a lighting module 924, a frame 925, a radiator 926, an insertion portion 927, and a metal cap 928. The illumination module 924 includes a mounting body 923 and at least one photoelectric component 300 according to an embodiment of the present invention mounted on the mounting body 923 or a photoelectric component (not shown) according to another embodiment. .

具体的に、基板３０は成長（例えば、エピタキシャルの成長）及び／又は載置の基礎になる。基板の種類として、導電基板、不導電基板、透明基板又は不透明基板を選択することができる。導電基板の材料は、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、炭化ケイ素（ＳiＣ）、ケイ素（Ｓi）、アルミン酸リチウム（ＬiＡｌＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、金属であることができる。透明基板の材料は、サファイア（Sapphire）、アルミン酸リチウム（ＬiＡｌＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ガラス、ダイヤモンド、ＣＶＤダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン（Diamond−Like Carbon、ＤＬＣ）、スピネル（spinel、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ケイ素（ＳiＯ_ｘ）、リチウムガレート（ＬiＧａＯ_２）であることができる。 Specifically, the substrate 30 is the basis for growth (eg, epitaxial growth) and / or placement. As the type of the substrate, a conductive substrate, a nonconductive substrate, a transparent substrate, or an opaque substrate can be selected. The material of the conductive substrate is germanium (Ge), gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP), silicon carbide (SiC), silicon (Si), lithium aluminate (LiAlO ₂ ), zinc oxide (ZnO), It can be gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN), metal. The material of the transparent substrate is sapphire, lithium aluminate (LiAlO ₂ ), zinc oxide (ZnO), gallium nitride (GaN), glass, diamond, CVD diamond, diamond-like carbon (Diamond-Like Carbon, DLC), Spinel (spinel, MgAl ₂ O ₄ ), aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ), silicon oxide (SiO _x ), lithium gallate (LiGaO ₂ ).

エピタキシャル積層３１は、第一半導体層３１１と、活性層３１２と、第二半導体層３１３とを含む。第一半導体層３１１と第二半導体層３１３は、例えばクラッド層（cladding layer）又は制限層（confinement layer）になり、かつ単層構造又は多層構造に形成されることができる。前記第一半導体層３１１と第二半導体層３１３の種類、極性又は不純物は相違している。半導体層の種類として、ｐ型、ｎ型、i型のうちいずれか２種の組合せを選択することができる。半導体層は電子と正孔（Electron hole）をそれぞれ提供し、この電子と正孔が活性層３１２で反応して発光するようにする。第一半導体層３１１、活性層３１２及び第二半導体層３１３の材料は、III−Ｖ族半導体材料を含むことができる。例えば、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎ又はＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｐを含むことができ、この化学式において、０≦ｘ、ｙ≦１、（ｘ＋ｙ）≦１である。活性層３１２の材料によってエピタキシャル積層は、波長の範囲が６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの間にある赤光、波長の範囲が５３０ｎｍ〜５７０ｎｍの間にある緑光、波長の範囲が４５０ｎｍ〜４９０ｎｍの間にある青光、又は波長が４００ｎｍより小さい赤外線を発することができる。 The epitaxial stack 31 includes a first semiconductor layer 311, an active layer 312, and a second semiconductor layer 313. The first semiconductor layer 311 and the second semiconductor layer 313 are, for example, a cladding layer or a confinement layer, and may be formed in a single layer structure or a multilayer structure. The types, polarities, and impurities of the first semiconductor layer 311 and the second semiconductor layer 313 are different. As the type of the semiconductor layer, any two of p-type, n-type, and i-type can be selected. The semiconductor layer provides electrons and holes, respectively, so that the electrons and holes react with each other in the active layer 312 to emit light. The material of the first semiconductor layer 311, the active layer 312, and the second semiconductor layer 313 can include a III-V semiconductor material. For _{_{_{example, Al x In y Ga (1}}} -x-y) N , or _{_{_{Al x In y Ga (1-}}} x-y) can contain P, in this formula, 0 ≦ x, y ≦ 1 , (x + y) ≦ 1. Depending on the material of the active layer 312, the epitaxial stacking has red light with a wavelength range between 610 nm and 650 nm, green light with a wavelength range between 530 nm and 570 nm, and blue light with a wavelength range between 450 nm and 490 nm. Alternatively, infrared light having a wavelength of less than 400 nm can be emitted.

本発明の他の実施例において、光電部品３００、４００、５００、６００、７００、７００`は、エピタキシャル部品又は発光ダイオードであり、この発光光線の周波数スペクトルは、エピタキシャル積層において単層又は多層のような物理的要素又は化学的要素を変更することにより調節することができる。単層又は多層のエピタキシャル積層の材料は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、リン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）で構成された組から選択されることができる。活性層３１２の構造は、例えば、シングルヘテロ構造（single heterostructure、ＳＨ）、ダブルヘテロ構造（double heterostructure、ＤＨ）、両側ダブルヘテロ構造（double−side double heterostructure、ＤＤＨ）、又は多層量子井戸構造（multi−quantun well、ＭＱＷ）である。また、活性層３１２の量子井戸の対数を調節することによっても発光光線の波長を変更することができる。 In another embodiment of the present invention, the optoelectronic component 300, 400, 500, 600, 700, 700 'is an epitaxial component or a light emitting diode, and the frequency spectrum of the emitted light is like a single layer or multiple layers in the epitaxial stack. It can be adjusted by changing the physical or chemical element. A single-layer or multi-layer epitaxial stack material is a set of aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), nitrogen (N), zinc (Zn), and oxygen (O). Can be selected from. The structure of the active layer 312 may be, for example, a single heterostructure (SH), a double heterostructure (DH), a double-side double heterostructure (DDH), or a multilayer quantum well structure (multi -Quantun well (MQW). In addition, the wavelength of the emitted light can be changed by adjusting the logarithm of the quantum well of the active layer 312.

本発明の実施例において、必要に応じて第一半導体層３１１と基板３０との間に緩衝層（buffer layer、図示せず）を形成することができる。この緩衝層を二種の材料の間の設けることにより、基板３０の材料システムから第一半導体層３１１の材料システムへの過渡を実現することができる。発光ダイオードの構造において、緩衝層は、二種の材料の間の結晶格子が合わないことを低減する材料層になることができる。また、この緩衝層により、二種の材料、又は離れている二個の単層、多層又は構造を貼り合せることができる。緩衝層の材料は、例えば有機材料、無機材料、金属、半導体などから選択されることができる。緩衝層の構造は、反射層、導熱層、導電層、オーミック接触（ohmic contact）層、変形防止層、応力除去（stress release）層、応力調節（stress adjustment）層、ボンディング（bonding）層、波長変更層、機械的固定構造などになることができる。この実施例において、その緩衝層の材料は、窒化アルミニウム又は窒化ガリウムから選択され、かつスパッタリング又は原子層堆積装置（Atomic Layer Deposition、ＡＬＤ）の方法でその緩衝層を形成することができる。 In the embodiment of the present invention, a buffer layer (not shown) may be formed between the first semiconductor layer 311 and the substrate 30 as necessary. By providing this buffer layer between two kinds of materials, a transition from the material system of the substrate 30 to the material system of the first semiconductor layer 311 can be realized. In the structure of a light emitting diode, the buffer layer can be a material layer that reduces the mismatch of the crystal lattice between the two materials. In addition, this buffer layer allows two materials or two separated single layers, multilayers or structures to be bonded together. The material of the buffer layer can be selected from, for example, an organic material, an inorganic material, a metal, a semiconductor, and the like. The structure of the buffer layer is as follows: reflective layer, heat conducting layer, conductive layer, ohmic contact layer, deformation prevention layer, stress release layer, stress adjustment layer, bonding layer, wavelength It can be a change layer, a mechanical fixing structure, or the like. In this embodiment, the material of the buffer layer is selected from aluminum nitride or gallium nitride, and the buffer layer can be formed by the method of sputtering or atomic layer deposition (ALD).

第二半導体層３１３と第二導電性電極３３との間には、接触層（図示せず）を更に形成することができる。具体的に、この接触層は、光学層、電気層、又はそれらの組合せであることができる。光学層は、活性層から来るか或いは活性層に入射される電磁波又は光線を変更することができる。この「変更」とは、電磁波又は光線の少なくとも一種の光学特性を変更することをいう。この光学特性は、周波数、波長、強度、通量、効率、色温度、演色性（rendering index）、ライトフィールド（light field）、画角（angle of view）などを含むが、これらに限定されるものではない。電気層は、接触層のいずれか一組とその対向側との間の電圧、抵抗、電流、電気容量のうち少なくとも１つの数値、密度、分布が変化するようにするか或いは変化の趨勢が出るようにする。接触層の構成材料は、酸化物、導電酸化物、透明酸化物、５０％以上の透明率を有する酸化物、金属、透光金属、５０％又はその以上の透過率を有する金属、有機物、無機物、蛍光物、リン光物、セラミックス、半導体、不純物を含有する半導体、不純物を含有しない半導体のうちの少なくとも一種を含むことができる。ある応用おいて、接触層の材料は、酸化インジウムスズ、酸化スズカドミウム、酸化スズアンチモン、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム、酸化亜鉛スズのうちの少なくとも一種であることができる。透光型金属を採用する場合、その厚さが０．００５〜０．６μｍであることが好ましい。 A contact layer (not shown) can be further formed between the second semiconductor layer 313 and the second conductive electrode 33. Specifically, the contact layer can be an optical layer, an electrical layer, or a combination thereof. The optical layer can modify electromagnetic waves or light rays that come from or are incident on the active layer. This “change” refers to changing at least one optical characteristic of electromagnetic waves or light rays. These optical properties include, but are not limited to, frequency, wavelength, intensity, volume, efficiency, color temperature, rendering index, light field, angle of view, etc. It is not a thing. The electrical layer is configured to change or have a tendency to change at least one value, density, and distribution of voltage, resistance, current, and capacitance between any pair of contact layers and the opposite side. Like that. The constituent material of the contact layer is an oxide, a conductive oxide, a transparent oxide, an oxide having a transparency of 50% or more, a metal, a translucent metal, a metal having a transmittance of 50% or more, an organic substance, an inorganic substance , Phosphors, phosphors, ceramics, semiconductors, semiconductors containing impurities, and semiconductors containing no impurities. In one application, the material of the contact layer can be at least one of indium tin oxide, tin cadmium oxide, tin antimony oxide, indium zinc oxide, zinc aluminum oxide, and zinc tin oxide. When a translucent metal is employed, the thickness is preferably 0.005 to 0.6 μm.

以上、これらの発明の実施例を図面により詳述してきたが、実施例はこの発明の例示にしか過ぎないものであるため、この発明は実施例の構成にのみ限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれることは勿論である。また、例えば、各実施例に複数の構成が含まれている場合には、特に記載がなくとも、これらの構成の可能な組合せが含まれることは勿論である。また、複数の実施例や変形例が示されている場合には、特に記載がなくとも、これらに跨がった構成の組合せのうちの可能なものが含まれることは勿論である。また、図面に描かれている構成については、特に記載がなくとも、含まれることは勿論である。更に、「等」の用語がある場合には、同等のものを含むという意味で用いられている。また、「ほぼ」「約」「程度」などの用語がある場合には、常識的に認められる範囲や精度のものを含むという意味で用いられている。 The embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings. However, the embodiments are merely examples of the present invention, and the present invention is not limited only to the configuration of the embodiments. It goes without saying that design changes and the like within a scope not departing from the gist of the invention are included in the present invention. Further, for example, when each embodiment includes a plurality of configurations, it is a matter of course that possible combinations of these configurations are included even if not specifically described. Further, when a plurality of embodiments and modifications are shown, it is needless to say that possible combinations of configurations extending over these are included even if not specifically described. Further, the configuration depicted in the drawings is of course included even if not particularly described. Further, when there is a term of “etc.”, it is used in the sense that the equivalent is included. In addition, when there are terms such as “almost”, “about”, “degree”, etc., they are used in the sense that they include those in the range and accuracy recognized by common sense.

３００、４００、５００、６００、７００、７００` 光電部品
３０基板
３１エピタキシャル積層
３１１第一半導体層
３１１１第一表面
３１１２第二表面
３１２活性層
３１３第二半導体層
Ｓ溝渠
３４１第一絶縁層
３４２第二絶縁層
３４２１、３４２１` 第一開口
３４２２第二開口
３４２３第三開口
３４２４第四開口
３４２５第五開口
３２１第一の第一導電性電極
３２２第二の第一導電性電極
３２３第三の第一導電性電極
３２４第四の第一導電性電極
３３第二導電性電極
３５第三電極
Ｂ１第一長辺
Ｂ３第二長辺
Ｂ２第一短辺
Ｂ４第二短辺
３５１延伸部
Ｒ凹部
３６第四電極
８００発光モジュール
５０１下載置体
５０２載置体
５０３上載置体
５０４、５０６、５０８、５１０レンズ
５１２、５１４電力供給端末
５１５孔
５１７金属層
５１９反射層
５２１接着剤
５４０発光ユニット
９００光線生成装置
１０００電球
９２１カバー
９２２レンズ
９２３載置体
９２４照明モジュール
９２５フレーム
９２６放熱器
９２７挿入部
９２８金口
Ｈ１、Ｈ２高さ
Ｄ１最小距離 300, 400, 500, 600, 700, 700` Photoelectric component 30 Substrate 31 Epitaxial lamination 311 First semiconductor layer 3111 First surface 3112 Second surface 312 Active layer 313 Second semiconductor layer S Groove 341 First insulating layer 342 Second Insulating layers 3421, 3421 ′ first opening 3422 second opening 3423 third opening 3424 fourth opening 3425 fifth opening 321 first first conductive electrode 322 second first conductive electrode 323 third first conductivity Conductive electrode 324 fourth first conductive electrode 33 second conductive electrode 35 third electrode B1 first long side B3 second long side B2 first short side B4 second short side 351 extending portion R concave portion 36 fourth electrode 800 Light emitting module 501 Lower mounting body 502 Mounting body 503 Upper mounting body 504, 506, 508, 510 Lens 512, 514 Power Feed terminal 515 Hole 517 Metal layer 519 Reflective layer 521 Adhesive 540 Light emitting unit 900 Light generation device 1000 Light bulb 921 Cover 922 Lens 923 Mounted body 924 Illumination module 925 Frame 926 Radiator 927 Insertion part 928 Metal mouth H1, H2 Height D1 Minimum distance

Claims

A first surface comprising at least four edges, a first surface, and a second surface opposite the first surface, and any two adjacent edges forming a corner; A semiconductor layer;
A second semiconductor layer formed on the first surface of the first semiconductor layer;
A second conductive electrode formed on the second semiconductor layer;
A first conductive electrode formed on the first surface of the first semiconductor layer, wherein the first conductive electrode is separated from each other to form a design state; And photoelectric components.

The design state is as follows: (i) One or a plurality of first conductive electrodes are included, and the first first conductive electrode is at least one of the first semiconductor layers. Located near the corner,
(Ii) including one or more second first conductive electrodes, the second first conductive electrodes being surrounded by the second semiconductor layer;
(Iii) including one or more third first conductive electrodes, the third first conductive electrodes being located in the vicinity of at least one edge of the first semiconductor layer;
(Iv) including one or a plurality of fourth first conductive electrodes, the fourth first conductive electrodes being located in the vicinity of at least one edge of the first semiconductor layer, 2. The photoelectric component according to claim 1, wherein the shape of the first conductive electrode is selected from the group consisting of different shapes from the shape of the third first conductive electrode.

The second first conductive electrode and / or the fourth first conductive electrode are formed in an elongated shape, and the second first conductive electrode and / or the fourth first conductive electrode The shape is a linear shape, a circular arc shape, a combined shape of a linear shape and a circular arc shape, or a shape having a part thereof, and the second first conductive electrode and / or the fourth first conductive electrode The photoelectric component according to claim 2, comprising a tip and a terminal.

The projection of the first first conductive electrode, the second first conductive electrode and the third first conductive electrode projected on the first semiconductor layer has a predetermined shape, and this shape is The photoelectric component according to claim 2, wherein the photoelectric component has a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, a semicircular shape, or a shape having an arc surface.

3. The photoelectric device according to claim 2, further comprising a third electrode and a fourth electrode, wherein the third electrode is electrically connected to the first conductive electrode, and the fourth electrode is electrically connected to the second conductive electrode. parts.

The photoelectric component according to claim 5, wherein the fourth first conductive electrode has a tip and a terminal, and the terminal is not covered with the fourth electrode.

The ratio of the projected area of the third electrode projected onto the first semiconductor layer to the projected area of the fourth electrode is between 80% and 100%, and the minimum distance between the third electrode and the fourth electrode is 6. The photoelectric component according to claim 5, wherein a recess is formed by a plurality of extending portions included in the third electrode, and the fourth electrode is located in the recess.

A first adjustment layer formed between the first conductive electrode and the third electrode and electrically connected to the first conductive electrode and the third electrode;
A second adjustment layer formed between the second conductive electrode and the fourth electrode and electrically connected to the second conductive electrode and the fourth electrode;
The projected area of the first adjustment layer projected on the first semiconductor layer is larger than the projected area of the third electrode projected on the first semiconductor layer, or projected onto the first semiconductor layer. The photoelectric component according to claim 5, wherein a projected area of the second adjustment layer is larger than a projected area of the fourth electrode projected on the first semiconductor layer.

The first semiconductor layer includes a first edge and a second edge having a length smaller than the length of the first edge, and the second first conductive electrode or the fourth first conductivity. The conductive electrode has a tip and a terminal, and the extending direction of the second first conductive electrode or the fourth first conductive electrode is parallel to the first edge and projected onto the first semiconductor layer. The photoelectric component according to claim 5, wherein projections of the third electrode and the fourth electrode are arranged along the first edge.

The third electrode has a top, the distance from the top to the second surface of the first conductive electrode is H1, the fourth electrode has a top, and the first conductive from the top. The photoelectric component according to claim 5, wherein a distance to the second surface of the electrode is H2, and H1 and H2 are substantially the same.