JP2016029344A - Inspection device and inspection method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique to simply perform positioning of a solar battery among a plurality of inspection units.SOLUTION: An index unit 45 is provided at a position fixed relative to a solar battery 9 held by a sample table 4, and performs luminescence emission. A luminescence measuring system 5 obtains a luminescence image by photographing the luminescence emission of the index unit 45 and the solar battery 9. A terahertz wave measuring system 2 includes a camera 6 for taking a visible image. A moving stage 3 moves the sample table 4 between the luminescence measuring system 5 and the terahertz wave measuring system 2. An inspection object place setting unit 711 sets an inspection object place of the solar battery 9 inspected in the terahertz wave measuring system 2. A position determination unit 713 determines the position of the inspection object place of the solar battery 9 on the basis of the image of the index unit 45 in the luminescence image and the image of the index unit 45 in the visible image obtained by the camera 6.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

この発明は、太陽電池を検査する技術に関する。   The present invention relates to a technique for inspecting a solar cell.

太陽電池の欠陥等を検査する技術として、EL(Electro-Luminescence)測定またはPL(Photo-Luminescence)測定が知られている。EL測定は、太陽電池に順バイアス電圧を印加してEL発光させ、これを撮影するものである。また、PL測定は、赤外線光等を太陽電池に照射してPL発光させ、これを撮影するものである。   As a technique for inspecting defects and the like of solar cells, EL (Electro-Luminescence) measurement or PL (Photo-Luminescence) measurement is known. In EL measurement, a forward bias voltage is applied to a solar cell to emit EL light, and this is photographed. In the PL measurement, infrared light or the like is irradiated on a solar cell to emit PL light, and this is photographed.

また、最近では、太陽電池の検査手法として、パルス光の照射に応じて、太陽電池から放射されるテラヘルツ波を測定することが提案されている(例えば、特許文献1)。このテラヘルツ波測定では、太陽電池をパルス光で走査することによって、太陽電池からテラヘルツ波を放射させる。そしてその放射されたテラヘルツ波の強度を測定することによって、太陽電池の欠陥などを検査する。   Recently, as a solar cell inspection method, it has been proposed to measure a terahertz wave radiated from a solar cell in response to irradiation with pulsed light (for example, Patent Document 1). In the terahertz wave measurement, a terahertz wave is emitted from the solar cell by scanning the solar cell with pulsed light. And the defect of a solar cell etc. are test | inspected by measuring the intensity | strength of the emitted terahertz wave.

特開2013−19861号公報JP2013-19861A

ところで、予めEL測定またはPL測定によって、肉眼では検出困難な欠陥を抽出し、これをテラヘルツ波測定の検査対象箇所とすることは、検査時間の短縮する上で有効である。特に、太陽電池の広範囲をプローブ光で走査する場合においても、検査時間が長時間化する虞があるため、予めEL測定またはPL測定によって検査対象範囲を絞り込むことは有効である。   By the way, extracting defects that are difficult to detect with the naked eye by EL measurement or PL measurement in advance and setting them as inspection target locations for terahertz wave measurement is effective in reducing inspection time. In particular, even when a wide range of a solar cell is scanned with probe light, it is effective to narrow down the inspection object range in advance by EL measurement or PL measurement because the inspection time may be prolonged.

EL/PL測定系とテラヘルツ波測定系が異なる場所に設けられている場合、ELまたはPL測定後に、EL/PL測定系からテラヘルツ波測定系へ太陽電池を移動させる必要がある。すると、テラヘルツ波測定系において検査対象箇所を精度よく特定する必要があるが、検査対象箇所を肉眼等で確認できない場合には、その特定は困難である。そこで、太陽電池に対して固定された位置にあるマーク(指標)を、EL/PL測定系およびテラヘルツ波測定系で同じように検出することで、位置合わせを行えばよい。しかしながら、このような位置合わせを行うためには、EL/PL測定系にて可視画像を別途取得する作業が必要となる。また、ELまたはPL測定用のイメージセンサで可視画像を取得できない場合、可視画像撮影用のカメラを別途設ける必要がある。このため、異なる検査部間で、太陽電池の位置合わせをより簡易に行う技術が求められている。   When the EL / PL measurement system and the terahertz wave measurement system are provided at different locations, it is necessary to move the solar cell from the EL / PL measurement system to the terahertz wave measurement system after the EL or PL measurement. Then, although it is necessary to specify the inspection target location with high accuracy in the terahertz wave measurement system, it is difficult to specify when the inspection target location cannot be confirmed with the naked eye or the like. Therefore, alignment may be performed by detecting the mark (index) at a fixed position with respect to the solar cell in the same manner in the EL / PL measurement system and the terahertz wave measurement system. However, in order to perform such alignment, it is necessary to separately acquire a visible image in the EL / PL measurement system. In addition, when a visible image cannot be acquired by an image sensor for EL or PL measurement, it is necessary to separately provide a camera for capturing a visible image. For this reason, the technique which performs alignment of a solar cell more easily between different test | inspection parts is calculated | required.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであって、複数の検査部間で太陽電池の位置合わせを簡易に行う技術を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of the said subject, Comprising: It aims at providing the technique which aligns a solar cell easily between several test | inspection parts.

上記の課題を解決するため、第1の態様は、太陽電池を検査する検査装置であって、太陽電池を保持する保持部と、前記保持部に保持されている前記太陽電池に対して固定された位置に設けられており、ルミネッセンス発光する指標部と、前記指標部のルミネッセンス発光、および、前記太陽電池のルミネッセンス発光を撮影することによってルミネッセンス画像を取得する第一検査部と、プローブ光の照射に応じて前記太陽電池から放射されるテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部、および、前記指標部の像を取得する像取得部を有する第二検査部と、前記第一検査部と前記第二検査部との間で、前記保持部を移動させる移動機構と、前記第二検査部において検査される前記太陽電池の検査対象箇所を設定する検査対象箇所設定部と、前記第一検査部において取得される前記ルミネッセンス画像における前記指標部の像、および、前記第二検査部において前記像取得部によって取得される前記指標部の像に基づき、前記太陽電池における前記検査対象箇所の位置を特定する位置特定部とを備える。   In order to solve the above-described problem, a first aspect is an inspection apparatus that inspects a solar cell, and is fixed to a holding unit that holds the solar cell and the solar cell that is held by the holding unit. A first inspection unit that obtains a luminescence image by photographing the luminescence emission of the indicator unit, the luminescence emission of the indicator unit, and the luminescence emission of the solar cell, and probe light irradiation. A terahertz wave detection unit that detects a terahertz wave emitted from the solar cell according to the second inspection unit, an image acquisition unit that acquires an image of the index unit, the first inspection unit, and the second A moving mechanism that moves the holding unit between the inspection unit, and an inspection target location setting unit that sets an inspection target location of the solar cell to be inspected in the second inspection unit; The inspection object in the solar cell based on the image of the indicator part in the luminescence image acquired in the first inspection part and the image of the indicator part acquired by the image acquisition part in the second inspection part A position specifying unit for specifying the position of the place.

また、第2の態様は、第1の態様に係る検査装置であって、前記指標部が、前記保持部に設けられている。   Moreover, a 2nd aspect is an inspection apparatus which concerns on a 1st aspect, Comprising: The said parameter | index part is provided in the said holding | maintenance part.

また、第3の態様は、第2の態様に係る検査装置であって、前記指標部を前記保持部に対して取り外し可能に取り付ける取付機構、をさらに備えている。   Moreover, a 3rd aspect is an inspection apparatus which concerns on a 2nd aspect, Comprising: The attachment mechanism which attaches the said indicator | index part with respect to the said holding | maintenance part further is provided.

また、第4の態様は、第1から第3の態様のいずれか1態様に係る検査装置であって、前記第二検査部の前記像取得部が、前記指標部の可視画像を撮影する撮影部を含む。   The fourth aspect is an inspection apparatus according to any one of the first to third aspects, in which the image acquisition unit of the second inspection unit captures a visible image of the index unit. Part.

また、第5の態様は、第1から第3の態様のいずれか1態様に係る検査装置であって、前記第二検査部の前記像取得部が、前記指標部に対する前記プローブ光の照射に応じて前記指標部から発生するテラヘルツ波に基づく像を取得する。   A fifth aspect is an inspection apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the image acquisition unit of the second inspection unit is configured to irradiate the probe unit with the probe light. In response, an image based on the terahertz wave generated from the index unit is acquired.

また、第6の態様は、太陽電池を検査する検査方法であって、(a)太陽電池を保持部にて保持する工程と、(b)前記保持部に保持された前記太陽電池のルミネッセンス発光、および、前記保持部に保持された前記太陽電池に対して固定された位置に設けられている指標部のルミネッセンス発光を撮影してルミネッセンス画像を取得する工程と、(c)前記(b)工程の後、前記太陽電池から放射されるテラヘルツ波を検出することによって、前記太陽電池を検査する第二検査部において検査される前記太陽電池の検査対象箇所を設定する工程と、(d)前記(b)工程の後、前記第二検査部へ移動させる工程と、(e)前記(d)工程の後、前記第二検査部にて前記指標部の像を取得する工程と、(f)前記(b)工程で取得された前記ルミネッセンス画像における前記指標部の像、および、前記(e)工程で取得された前記指標部の像に基づき、前記太陽電池における前記検査対象箇所の位置を特定する工程と、(g)前記(f)工程で特定した前記検査対象箇所を前記第二検査部で検査する工程とを含む。   Moreover, a 6th aspect is an inspection method which test | inspects a solar cell, Comprising: (a) The process of hold | maintaining a solar cell in a holding part, (b) Luminescence light emission of the said solar cell hold | maintained at the said holding part. And (c) said (b) process which acquires the luminescence image by imaging | photography the luminescence light emission of the parameter | index part provided in the position fixed with respect to the said solar cell hold | maintained at the said holding | maintenance part, Thereafter, by detecting a terahertz wave radiated from the solar cell, a step of setting an inspection target portion of the solar cell to be inspected in a second inspection unit for inspecting the solar cell, and (d) b) a step of moving to the second inspection unit after the step; (e) a step of acquiring an image of the indicator portion at the second inspection unit after the step (d); (B) acquired in step A step of identifying the position of the inspection target location in the solar cell based on the image of the indicator portion in the minence image and the image of the indicator portion obtained in the step (e); ) Inspecting the inspection object location specified in the process by the second inspection unit.

第1から第3の態様に係る検査装置によると、第一検査部から第二検査部移動させた際の位置合わせを、第一検査部で取得されるルミネッセンス画像における指標部の像、および、第二検査部で取得される指標部の像に基づいて、第二検査部で検査する太陽電池の検査対象箇所を正確に特定できる。したがって、簡易に位置合わせを行うことができる。   According to the inspection apparatus according to the first to third aspects, the alignment when the second inspection part is moved from the first inspection part, the image of the indicator part in the luminescence image acquired by the first inspection part, and Based on the image of the index part acquired by the second inspection part, it is possible to accurately specify the inspection target part of the solar cell to be inspected by the second inspection part. Therefore, alignment can be performed easily.

また、第2の態様に係る検査装置によると、指標部を保持部に設けることによって、太陽電池に対する指標部の位置を固定できる。   Moreover, according to the inspection apparatus which concerns on a 2nd aspect, the position of the parameter | index part with respect to a solar cell can be fixed by providing a parameter | index part in a holding | maintenance part.

また、第3の態様に係る検査装置によると、目的に応じて指標部を取り替えることができる。   Moreover, according to the inspection apparatus which concerns on a 3rd aspect, an indicator part can be replaced | exchanged according to the objective.

また、第4の態様に係る検査装置によると、可視画像における指標部の像から、指標部の位置を特定することができる。   Moreover, according to the inspection apparatus which concerns on a 4th aspect, the position of an index part can be specified from the image of the index part in a visible image.

また、第5の態様に係る検査装置によると、テラヘルツ波に基づいて生成された像における指標部の像から、指標部の位置を特定することができる。   Moreover, according to the inspection apparatus which concerns on a 5th aspect, the position of a parameter | index part can be pinpointed from the image of the parameter | index part in the image produced | generated based on the terahertz wave.

また、第6の態様に係る検査方法によると、第一検査部から第二検査部移動させた際の位置合わせを、第一検査部で取得されるルミネッセンス画像における指標部の像および第二検査部で取得される指標部の像に基づいて、第二検査部で検査する太陽電池の検査対象箇所を正確に特定できる。したがって、簡易に位置合わせを行うことができる。   Further, according to the inspection method according to the sixth aspect, the alignment when the second inspection unit is moved from the first inspection unit, the image of the index portion in the luminescence image acquired by the first inspection unit, and the second inspection Based on the image of the index part acquired by the part, it is possible to accurately specify the inspection target portion of the solar cell to be inspected by the second inspection part. Therefore, alignment can be performed easily.

実施形態に係る検査装置の概略側面図である。It is a schematic side view of the inspection apparatus which concerns on embodiment. 試料台の電圧印加テーブルに保持された太陽電池を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the solar cell hold | maintained at the voltage application table of the sample stand. テラヘルツ波測定系の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a terahertz wave measurement system. 検査装置における制御部と他の要素との電気的な接続を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electrical connection of the control part and other element in a test | inspection apparatus. 検査装置を用いた検査例の流れ図である。It is a flowchart of the example of an inspection using an inspection device. 太陽電池のEL画像および異なるLUTに基づく加工後のEL画像を示す図である。It is a figure which shows the EL image of the solar cell, and the EL image after the process based on different LUT.

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, the component described in this embodiment is an illustration to the last, and is not a thing of the meaning which limits the scope of the present invention only to them. In the drawings, the size and number of each part may be exaggerated or simplified as necessary for easy understanding.

<装置構成>
図1は、実施形態に係る検査装置100の概略側面図である。検査装置100は、フォトデバイスである検査対象物である太陽電池9に対して、パルス光を照射し、該パルス光の照射に応じて太陽電池9から放射される電磁波(主に、周波数が0.1THz〜30THzのテラヘルツ波)を検出することによって、検査対象物の検査を行う。
<Device configuration>
FIG. 1 is a schematic side view of an inspection apparatus 100 according to the embodiment. The inspection apparatus 100 irradiates a solar cell 9 that is an inspection target, which is a photo device, with pulsed light, and emits electromagnetic waves (mainly having a frequency of 0) from the solar cell 9 in response to the irradiation of the pulsed light. .1 THz to 30 THz) is detected to inspect the inspection object.

検査装置100は、装置架台1、テラヘルツ波測定系2、移動ステージ3、試料台4、ルミネッセンス測定系5、カメラ6および制御部7を備えている。   The inspection apparatus 100 includes an apparatus base 1, a terahertz wave measurement system 2, a moving stage 3, a sample stage 4, a luminescence measurement system 5, a camera 6, and a control unit 7.

図1および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とする右手系のXYZ直交座標系を適宜付している。移動ステージ3の表面に平行な面を水平面(XY平面)とし、それに垂直な上下方向を鉛直方向(Z軸方向)としている。また、ルミネッセンス測定系5から見て、テラヘルツ波測定系2が配置されている側を+Y側とし、その反対側を−Y側とする。また、ルミネッセンス測定系5の側からテラヘルツ波測定系2の側を見たとき、右手側は+X側とし、左手側は−X側としている。さらに、Z軸方向の上側を+Z側とし、下側を−Z側とする。   In FIG. 1 and the subsequent figures, a right-handed XYZ orthogonal coordinate system with the Z-axis direction as the vertical direction and the XY plane as the horizontal plane is appropriately attached to clarify the directional relationship. A plane parallel to the surface of the moving stage 3 is a horizontal plane (XY plane), and a vertical direction perpendicular thereto is a vertical direction (Z-axis direction). Further, when viewed from the luminescence measurement system 5, the side on which the terahertz wave measurement system 2 is arranged is defined as + Y side, and the opposite side is defined as -Y side. When the terahertz wave measurement system 2 side is viewed from the luminescence measurement system 5 side, the right hand side is the + X side and the left hand side is the -X side. Further, the upper side in the Z-axis direction is the + Z side, and the lower side is the -Z side.

テラヘルツ波測定系2は、下方に配された太陽電池9に対して、上方からパルス光を照射し、放射されるテラヘルツ波パルスを検出装置である。テラヘルツ波測定系2の構成については、後に詳述する。   The terahertz wave measuring system 2 is a device for detecting a radiated terahertz wave pulse by irradiating a solar cell 9 disposed below with pulsed light from above. The configuration of the terahertz wave measurement system 2 will be described in detail later.

移動ステージ3は、ステージ駆動機構31によって、X軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の各方向に移動する。ステージ駆動機構31は、移動ステージ3をX軸方向に移動させるX軸方向移動機構、移動ステージ3をY軸方向に移動するY軸方向移動機構、移動ステージ3をZ軸方向に昇降させる昇降機構を備えている。さらに、ステージ駆動機構31は、Z軸周りの回転方向(θ軸方向)に移動させる回転機構を備えている。   The moving stage 3 is moved in the X axis direction, the Y axis direction, and the Z axis direction by the stage drive mechanism 31. The stage drive mechanism 31 includes an X-axis direction moving mechanism that moves the moving stage 3 in the X-axis direction, a Y-axis direction moving mechanism that moves the moving stage 3 in the Y-axis direction, and an elevating mechanism that moves the moving stage 3 up and down in the Z-axis direction. It has. Furthermore, the stage drive mechanism 31 includes a rotation mechanism that moves in the rotation direction around the Z axis (θ axis direction).

試料台4は、移動ステージ3の上面に取り付けられている。試料台4は、電圧印加テーブル41と、電極ピンユニット43を備えている。   The sample stage 4 is attached to the upper surface of the moving stage 3. The sample stage 4 includes a voltage application table 41 and an electrode pin unit 43.

電圧印加テーブル41は、例えば銅などの電気伝導性の高い素材で構成されており、さらにその表面が金メッキされている。また、電圧印加テーブル41の表面には、複数の吸着孔が形成されている。吸着孔は吸引ポンプに接続されており、当該吸引ポンプを駆動することによって、太陽電池9の裏面が電圧印加テーブル41に吸着される。これによって、太陽電池9が試料台4に固定される。なお、電圧印加テーブル41の表面に、複数の吸着溝を設け、当該各吸着溝内に、上記複数の吸着孔を形成してもよい。この場合、複数の吸着溝に沿って太陽電池9が吸着されるため、太陽電池9を強固に固定できる。試料台4の電圧印加テーブル41は、保持部の一例である。   The voltage application table 41 is made of a material having high electrical conductivity such as copper, and the surface thereof is gold-plated. A plurality of suction holes are formed on the surface of the voltage application table 41. The suction hole is connected to a suction pump, and the back surface of the solar cell 9 is sucked to the voltage application table 41 by driving the suction pump. As a result, the solar cell 9 is fixed to the sample stage 4. A plurality of suction grooves may be provided on the surface of the voltage application table 41, and the plurality of suction holes may be formed in the suction grooves. In this case, since the solar cell 9 is adsorbed along the plurality of adsorption grooves, the solar cell 9 can be firmly fixed. The voltage application table 41 of the sample stage 4 is an example of a holding unit.

移動ステージ3がX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向に移動することよって、移動ステージ3上の試料台4に保持された太陽電池9が、X軸方向、Y軸方向およびZ軸方向のそれぞれに移動することとなる。   As the moving stage 3 moves in the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction, the solar cell 9 held on the sample stage 4 on the moving stage 3 moves in the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction. It will move to each.

図1に示すように、ステージ駆動機構31のY軸方向移動機構は、移動ステージ3を位置L1,L2,L3にそれぞれ移動させる。位置L1は、太陽電池9を電圧印加テーブル41に設置するための移動ステージ3の位置である。位置L2は、位置L1よりも+Y側の位置であって、ルミネッセンス測定系5(第一検査部)において太陽電池9のEL測定またはPL測定を行う位置である。さらに、位置L3は、位置L2よりも+Y側の位置であって、テラヘルツ波測定系2(第二検査部)に備えられたカメラ6によって後述する指標部45を撮影する位置である。   As shown in FIG. 1, the Y-axis direction moving mechanism of the stage drive mechanism 31 moves the moving stage 3 to positions L1, L2, and L3, respectively. The position L1 is the position of the moving stage 3 for installing the solar cell 9 on the voltage application table 41. The position L2 is a position on the + Y side from the position L1, and is a position where the EL measurement or the PL measurement of the solar cell 9 is performed in the luminescence measurement system 5 (first inspection unit). Furthermore, the position L3 is a position on the + Y side from the position L2, and is a position where a later-described index unit 45 is photographed by the camera 6 provided in the terahertz wave measurement system 2 (second inspection unit).

電極ピンユニット43は、導電性の複数の電極ピン431と、当該複数の電極ピン431を支持する導電性の電極バー432を備えている。   The electrode pin unit 43 includes a plurality of conductive electrode pins 431 and a conductive electrode bar 432 that supports the plurality of electrode pins 431.

電極バー432は、複数の棒状の電極ピン431を、Y軸方向に所定の間隔をあけて、かつ、各々がZ方向に沿って起立するように保持する。本実施形態では、電極バー432は、試料台4に保持された太陽電池9の表面側電極であるバスバー電極93に沿うように保持する。また、電極ピンユニット43は、後述する複数の指標部45のそれぞれに当接させる複数の電極ピン431を備えている。   The electrode bar 432 holds a plurality of rod-shaped electrode pins 431 so as to stand up along the Z direction at a predetermined interval in the Y-axis direction. In the present embodiment, the electrode bar 432 is held along the bus bar electrode 93 that is the surface side electrode of the solar cell 9 held on the sample stage 4. The electrode pin unit 43 includes a plurality of electrode pins 431 that are brought into contact with each of a plurality of index portions 45 described later.

試料台4は、電圧印加テーブル41を太陽電池9の裏面側電極に接触させ、かつ、複数の電極ピン431を、太陽電池9の表面側電極(ここでは、後述するバスバー電極93)に接触させる。電圧印加テーブル41および電極ピンユニット43は、電気的に接続されており、太陽電池9の表面側電極および裏面側電極の間で電圧を印加する。   The sample stage 4 brings the voltage application table 41 into contact with the back side electrode of the solar cell 9, and brings the plurality of electrode pins 431 into contact with the front side electrode of the solar cell 9 (here, a bus bar electrode 93 described later). . The voltage application table 41 and the electrode pin unit 43 are electrically connected and apply a voltage between the front surface side electrode and the back surface side electrode of the solar cell 9.

ルミネッセンス測定系5は、EL(Electro-Luminescence)測定またはPL(Photo-Luminescence)測定を行う。以下の説明では、EL測定およびPL測定のそれぞれを、特に区別しない場合には、単に「ルミネッセンス測定」と称する場合がある。ルミネッセンス測定系5では、カバー部材51によって太陽電池9が覆われ、その状態でルミネッセンス測定が行われる。   The luminescence measurement system 5 performs EL (Electro-Luminescence) measurement or PL (Photo-Luminescence) measurement. In the following description, the EL measurement and the PL measurement may be simply referred to as “luminescence measurement” unless otherwise distinguished. In the luminescence measurement system 5, the solar cell 9 is covered by the cover member 51, and the luminescence measurement is performed in that state.

より具体的には、ルミネッセンス測定系5は、EL測定を行うためのイメージセンサ53を備えている。EL測定を行う場合には、ルミネッセンス測定系5において、電圧印加テーブル41および電極ピンユニット43を介して、太陽電池9に順方向バイアスの電圧が印加される。これによって、ルミネッセンス測定系5は、太陽電池9をEL発光させ、当該EL発光をイメージセンサ53によって撮影する。これによって、ルミネッセンス画像であるEL画像が取得される。イメージセンサ53は、例えば波長が約800nm〜1600nmの光を検出可能であることが好ましく、波長が約1000nm〜1400nmの光を検出可能であることがより好ましい。   More specifically, the luminescence measurement system 5 includes an image sensor 53 for performing EL measurement. When performing EL measurement, a forward bias voltage is applied to the solar cell 9 via the voltage application table 41 and the electrode pin unit 43 in the luminescence measurement system 5. As a result, the luminescence measurement system 5 causes the solar cell 9 to emit EL, and the image sensor 53 captures the EL emission. Thus, an EL image that is a luminescence image is acquired. For example, the image sensor 53 is preferably capable of detecting light having a wavelength of about 800 nm to 1600 nm, and more preferably capable of detecting light having a wavelength of about 1000 nm to 1400 nm.

また、ルミネッセンス測定系5は、PLプローブ光源55を備えている。ルミネッセンス測定系5は、PLプローブ光源55から照射されたPLプローブ光によって、太陽電池9をPL発光させ、当該PL発光をイメージセンサ53によって撮影する。これによって、PL画像が取得される。   The luminescence measurement system 5 includes a PL probe light source 55. The luminescence measurement system 5 causes the solar cell 9 to emit PL using the PL probe light emitted from the PL probe light source 55, and images the PL emission using the image sensor 53. Thereby, a PL image is acquired.

以下の説明では、EL画像およびPL画像のそれぞれを、特に区別しない場合には、単に「ルミネッセンス画像」と称する場合がある。   In the following description, each of the EL image and the PL image may be simply referred to as “luminescence image” unless otherwise distinguished.

ルミネッセンス測定系5は、必ずしもEL測定およびPL測定の双方を行うための構成を備えていなくてもよく、いずれか一方のみの測定を行うように構成されていてもよい。   The luminescence measurement system 5 is not necessarily provided with a configuration for performing both EL measurement and PL measurement, and may be configured to perform measurement of only one of them.

図2は、試料台4の電圧印加テーブル41に保持された太陽電池9を示す概略平面図である。図2に示されるように、電圧印加テーブル41には、複数の指標部45が設けられている。本実施形態では、太陽電池9を保持する領域の外側四隅のそれぞれに、指標部45が設けられている。このように、各指標部45は、太陽電池9を保持する電圧印加テーブル41に設けられている。したがって、各指標部45は、太陽電池9に対して固定された位置に設けられている。   FIG. 2 is a schematic plan view showing the solar cell 9 held on the voltage application table 41 of the sample stage 4. As shown in FIG. 2, the voltage application table 41 is provided with a plurality of indicator portions 45. In the present embodiment, the indicator portions 45 are provided at the outer four corners of the region holding the solar cell 9. As described above, each index unit 45 is provided in the voltage application table 41 that holds the solar cell 9. Therefore, each indicator portion 45 is provided at a position fixed with respect to the solar cell 9.

なお、保持部を構成する電圧印加テーブル41の表面に、各指標部45を取り外し可能に取り付ける取付機構を設けてもよい。取付機構の具体的構成は種々考えられるが、例えば指標部45の外周形状に合う形状の枠材を電圧印加テーブル41における所定位置に設けることが考えられる。当該枠材の内部に指標部45を収納することによって、指標部45を固定することが可能である。また、枠材に指標部45を固定するクランプ機構を設けてもよい。さらに、指標部45自体の裏面側に粘着材等を設け、当該粘着材を介して指標部45を電圧印加テーブル41に取り外し可能に取り付けることも考えられる。   In addition, you may provide the attachment mechanism which attaches each index part 45 so that removal is possible on the surface of the voltage application table 41 which comprises a holding | maintenance part. Various specific configurations of the attachment mechanism are conceivable. For example, it is conceivable to provide a frame material having a shape that matches the outer peripheral shape of the index portion 45 at a predetermined position in the voltage application table 41. By storing the indicator portion 45 inside the frame member, the indicator portion 45 can be fixed. In addition, a clamp mechanism for fixing the indicator portion 45 to the frame member may be provided. Furthermore, it is conceivable that an adhesive material or the like is provided on the back side of the index portion 45 itself, and the index portion 45 is detachably attached to the voltage application table 41 via the adhesive material.

指標部45は、ルミネッセンス測定系5において、ルミネッセンス発光するように構成されている。具体的には、指標部45は、n型半導体層、p型半導体層、裏面電極および表面電極を備えた一般的な太陽電池として構成されている。このため、指標部45は、ルミネッセンス測定系5において、試料台4によって順バイアス電圧が印加されることで、EL発光する。また、指標部45は、PLプローブ光源55から照射されたPLプローブ光によって、PL発光する。またはPLプローブ光の照射を受けて、PL発光する。指標部45のEL発光またはPL発光は、イメージセンサ53によって撮影される。以下の説明では、EL発光およびPL発光のそれぞれを、特に区別しない場合には、単に「ルミネッセンス発光」と称する場合がある。   The indicator unit 45 is configured to emit luminescence in the luminescence measurement system 5. Specifically, the indicator unit 45 is configured as a general solar cell including an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, a back electrode, and a front electrode. For this reason, the indicator unit 45 emits EL light when a forward bias voltage is applied by the sample stage 4 in the luminescence measurement system 5. The indicator unit 45 emits PL with the PL probe light emitted from the PL probe light source 55. Alternatively, PL light is emitted upon irradiation with the PL probe light. EL light emission or PL light emission of the indicator unit 45 is photographed by the image sensor 53. In the following description, EL emission and PL emission may be simply referred to as “luminescence emission” unless otherwise distinguished.

図2に示すように、各指標部45は、矩形状の太陽電池本体451、当該太陽電池本体451の表面に取り付けられた十字形状の表面電極452を備えている。なお、EL測定の際には、この表面電極452に電極ピン431が当接され、太陽電池本体451に順バイアス電圧が印加される。指標部45がルミネッセンス発光した場合、表面電極452が、非発光部分の像としてEL画像またはPL画像に表示される。そこで、この十字状部分の交差点の位置を検出することによって、指標部45の位置を正確に特定できる。   As shown in FIG. 2, each indicator portion 45 includes a rectangular solar cell main body 451 and a cross-shaped surface electrode 452 attached to the surface of the solar cell main body 451. In the EL measurement, the electrode pin 431 is brought into contact with the surface electrode 452 and a forward bias voltage is applied to the solar cell body 451. When the indicator 45 emits luminescence, the surface electrode 452 is displayed on the EL image or the PL image as an image of a non-light emitting portion. Therefore, the position of the indicator portion 45 can be accurately specified by detecting the position of the intersection of the cross-shaped portion.

もちろん、指標部45の形状は図2に示すものに限定されるものではない。表面電極452の形状を十字形状以外の特定形状(例えば円形)としてもよい。この場合、ルミネッセンス画像における当該特定形状の非発光部分の重心位置等を求めることで、指標部45の位置を特定することが考えられる。   Of course, the shape of the indicator portion 45 is not limited to that shown in FIG. The shape of the surface electrode 452 may be a specific shape (for example, a circle) other than the cross shape. In this case, it is conceivable to determine the position of the index portion 45 by obtaining the barycentric position or the like of the non-light-emitting portion of the specific shape in the luminescence image.

指標部45を設ける位置は、図2に示される位置に限定されない。ただし、図2に示すように、指標部45は、電圧印加テーブル41の表面において、2箇所以上の異なる位置に設けることによって、各指標部45および太陽電池9間の位置関係を具体的に特定できる。   The position where the index part 45 is provided is not limited to the position shown in FIG. However, as shown in FIG. 2, the indicator portion 45 is provided at two or more different positions on the surface of the voltage application table 41 to specifically identify the positional relationship between each indicator portion 45 and the solar cell 9. it can.

指標部45は、好ましくは、太陽電池9と同様の材料、例えば、太陽電池9と同一のバンドギャップを有する部材で構成される。この場合、太陽電池9がルミネッセンス発光する条件のもとで、指標部45もルミネッセンス発光させることができる。   The indicator portion 45 is preferably made of the same material as that of the solar cell 9, for example, a member having the same band gap as that of the solar cell 9. In this case, the indicator portion 45 can also emit luminescence under the condition that the solar cell 9 emits luminescence.

図2に示す太陽電池9の受光面91に形成された表面側電極は、一方向に沿って延びる3本の長尺矩形板状のバスバー電極93と、これらバスバー電極93に直交するように延びる多数の細長板状のフィンガー電極95とで構成されている。バスバー電極93は、フィンガー電極95に比べて幅広に形成されている。なお、図2に示すように、太陽電池9は、各バスバー電極93の長手方向がY軸方向に沿うように配置される。このため、太陽電池9に電圧を印可する場合、Y軸方向に沿って一定間隔で並ぶ複数の電極ピン431が、各バスバー電極93のそれぞれに当接される。   The surface-side electrodes formed on the light-receiving surface 91 of the solar cell 9 shown in FIG. 2 are three elongated rectangular plate-like bus bar electrodes 93 extending along one direction, and extend so as to be orthogonal to the bus bar electrodes 93. It is composed of a large number of elongated plate-like finger electrodes 95. The bus bar electrode 93 is formed wider than the finger electrode 95. In addition, as shown in FIG. 2, the solar cell 9 is arrange | positioned so that the longitudinal direction of each bus-bar electrode 93 may follow a Y-axis direction. For this reason, when a voltage is applied to the solar cell 9, the plurality of electrode pins 431 arranged at regular intervals along the Y-axis direction are brought into contact with the respective bus bar electrodes 93.

図3は、テラヘルツ波測定系2の概略構成図である。テラヘルツ波測定系2は、プローブ光照射部22、テラヘルツ波検出部23および遅延部24を備えている。   FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the terahertz wave measurement system 2. The terahertz wave measurement system 2 includes a probe light irradiation unit 22, a terahertz wave detection unit 23, and a delay unit 24.

プローブ光照射部22は、フェムト秒レーザ221を備えている。フェムト秒レーザ221は、例えば、360nm(ナノメートル)以上1.5μm(マイクロメートル)以下の可視光領域を含む波長のパルス光(パルス光LP1)を放射する。具体例としては、中心波長が800nm付近であり、周期が数kHz〜数百MHz、パルス幅が10〜150フェムト秒程度の直線偏光のパルス光が、フェムト秒レーザ221から放射される。もちろん、その他の波長領域(例えば、青色波長(450〜495nm)、緑色波長(495〜570nm)などの可視光波長)のパルス光が出射されるようにしてもよい。   The probe light irradiation unit 22 includes a femtosecond laser 221. The femtosecond laser 221 emits pulsed light (pulsed light LP1) having a wavelength including a visible light region of, for example, 360 nm (nanometers) or more and 1.5 μm (micrometers) or less. As a specific example, linearly polarized pulsed light having a center wavelength of around 800 nm, a period of several kHz to several hundred MHz, and a pulse width of about 10 to 150 femtoseconds is emitted from the femtosecond laser 221. Of course, pulse light in other wavelength regions (for example, visible light wavelengths such as blue wavelength (450 to 495 nm) and green wavelength (495 to 570 nm)) may be emitted.

フェムト秒レーザ221から出射されたパルス光LP1は、ビームスプリッタB1により2つに分割される。分割された一方のパルス光(パルス光LP11)は、太陽電池9に照射される。このとき、プローブ光照射部22は、パルス光LP11の照射を、受光面91側から行う。また、パルス光LP11の光軸が、太陽電池9の受光面91に対して斜めに入射するように、パルス光LP11が太陽電池9に対して照射される。本実施形態では、入射角度が45度となるように照射角度が設定されている。ただし、入射角度はこのような角度に限定されるものではなく、0度から90度の範囲内で適宜変更することができる。   The pulsed light LP1 emitted from the femtosecond laser 221 is divided into two by the beam splitter B1. One of the divided pulse lights (pulse light LP11) is applied to the solar cell 9. At this time, the probe light irradiation unit 22 performs irradiation of the pulsed light LP11 from the light receiving surface 91 side. In addition, the pulsed light LP11 is applied to the solar cell 9 so that the optical axis of the pulsed light LP11 is obliquely incident on the light receiving surface 91 of the solar cell 9. In the present embodiment, the irradiation angle is set so that the incident angle is 45 degrees. However, the incident angle is not limited to such an angle, and can be appropriately changed within the range of 0 to 90 degrees.

太陽電池9などフォトデバイスは、例えば、p型とn型の半導体が接合されたpn接合部を有している。このpn接合部付近では電子と正孔とが互いに拡散して結びつく拡散電流が生じることによって、pn接合部付近に電子と正孔とがほとんど存在しない空乏層が形成されている。この領域では、電子と正孔をそれぞれn型、p型領域に引き戻す力が生じるため、フォトデバイスの内部に電場(内部電界)が生じている。   The photo device such as the solar cell 9 has, for example, a pn junction part in which a p-type semiconductor and an n-type semiconductor are joined. In the vicinity of this pn junction, a depletion layer in which electrons and holes hardly exist is formed in the vicinity of the pn junction by generating a diffusion current in which electrons and holes are diffused and combined with each other. In this region, a force for pulling electrons and holes back to the n-type and p-type regions is generated, so an electric field (internal electric field) is generated inside the photo device.

仮に、禁制帯幅を超えるエネルギーを持つ光がpn接合部に照射された場合、pn接合部において発生した自由電子および自由正孔が、内部電界によって、自由電子がn型半導体側へ、取り残された自由正孔がp型半導体側へ移動する。フォトデバイスでは、この電流がn型半導体およびp型半導体のそれぞれに取り付けられた電極を介して、外部に取り出される。例えば太陽電池の場合、pn接合部の空乏層に光が照射されたときに生じる自由電子と自由正孔の移動が、直流電流として利用される。   If light having energy exceeding the forbidden band width is irradiated to the pn junction, free electrons and free holes generated in the pn junction are left behind by the internal electric field to the n-type semiconductor side. Free holes move to the p-type semiconductor side. In the photo device, this current is extracted to the outside through electrodes attached to the n-type semiconductor and the p-type semiconductor. For example, in the case of a solar cell, the movement of free electrons and free holes generated when light is irradiated to the depletion layer at the pn junction is used as a direct current.

マクスウェルの方程式によると、電流に変化が生じたとき、その電流の時間微分に比例した強度の電磁波が発生する。すなわち、空乏層などの光励起キャリア発生領域にパルス光が照射されることで、瞬間的に光電流の発生および消滅が起こる。この瞬間的に発生する光電流の時間微分に比例して、電磁波パルス(テラヘルツ波パルスLT1)が発生する。   According to Maxwell's equation, when a change occurs in the current, an electromagnetic wave having an intensity proportional to the time derivative of the current is generated. That is, when a photoexcited carrier generation region such as a depletion layer is irradiated with pulsed light, generation and extinction of a photocurrent occurs instantaneously. An electromagnetic wave pulse (terahertz wave pulse LT1) is generated in proportion to the temporal differentiation of the instantaneously generated photocurrent.

図3に示すように、ビームスプリッタB1によって分割された他方のパルス光は、検出光LP12として遅延部24を経由し、テラヘルツ波検出部23のテラヘルツ波検出器231に入射する。また、パルス光LP11の照射に応じて発生したテラヘルツ波パルスLT1は、放物面鏡などによって適宜集光され、テラヘルツ波検出器231に入射する。   As shown in FIG. 3, the other pulse light split by the beam splitter B <b> 1 enters the terahertz wave detector 231 of the terahertz wave detection unit 23 via the delay unit 24 as the detection light LP <b> 12. Further, the terahertz wave pulse LT1 generated in response to the irradiation of the pulsed light LP11 is appropriately condensed by a parabolic mirror or the like and is incident on the terahertz wave detector 231.

なお、図1に示すように、パルス光LP11は、Y軸方向沿って(図1の例では、+Y側から−Y側に向けて)太陽電池9に照射される。また、Y軸方向に沿って(図1の例では、+Y側から−Y側に向けて)放射されるテラヘルツ波パルスLT1が、テラヘルツ波検出器231によって検出される。このように、本実施形態では、パルス光LP11の照射方向、および、検出されるテラヘルツ波パルスLT1の放射方向が、複数の電極ピン431が所定間隔をあけて配列される方向(すなわち、Y軸方向)に一致している。このため、複数の電極ピン431によって、プローブ光であるパルス光LP11が遮られたり、あるいは、発生したテラヘルツ波パルスLT1が複数の電極ピン431によって遮られたりすることを抑制できる。   As shown in FIG. 1, the pulsed light LP11 is applied to the solar cell 9 along the Y-axis direction (in the example of FIG. 1, from the + Y side to the -Y side). Further, the terahertz wave pulse LT1 radiated along the Y-axis direction (in the example of FIG. 1, from the + Y side to the −Y side) is detected by the terahertz wave detector 231. Thus, in the present embodiment, the irradiation direction of the pulsed light LP11 and the radiation direction of the detected terahertz wave pulse LT1 are the directions in which the plurality of electrode pins 431 are arranged at a predetermined interval (that is, the Y axis). Direction). For this reason, it is possible to prevent the pulse light LP11 that is the probe light from being blocked by the plurality of electrode pins 431, or the generated terahertz wave pulse LT1 from being blocked by the plurality of electrode pins 431.

テラヘルツ波検出器231は、電磁波検出素子として、例えば、光伝導スイッチを備えている。テラヘルツ波パルスLT1がテラヘルツ波検出器231に入射する状態で、検出光LP12がテラヘルツ波検出器231に照射されると、光伝導スイッチに瞬間的にテラヘルツ波パルスLT1の電界強度に応じた電流が発生する。この電界強度に応じた電流は、I/V変換回路、A/D変換回路などを介してデジタル量に変換される。このようにして、テラヘルツ波検出部23は、検出光LP12の照射に応じて、太陽電池9を透過したテラヘルツ波パルスLT1の電界強度を検出する。なお、光伝導スイッチとは異なる他の素子、例えば非線形光学結晶を採用することも考えられる。   The terahertz wave detector 231 includes, for example, a photoconductive switch as an electromagnetic wave detection element. When the terahertz wave pulse LT1 is incident on the terahertz wave detector 231 and the detection light LP12 is applied to the terahertz wave detector 231, a current corresponding to the electric field strength of the terahertz wave pulse LT1 is instantaneously applied to the photoconductive switch. Occur. The current corresponding to the electric field strength is converted into a digital quantity via an I / V conversion circuit, an A / D conversion circuit, or the like. In this way, the terahertz wave detection unit 23 detects the electric field strength of the terahertz wave pulse LT1 that has passed through the solar cell 9 in accordance with the irradiation of the detection light LP12. It is also conceivable to employ another element different from the photoconductive switch, such as a nonlinear optical crystal.

遅延部24は、検出光LP12のテラヘルツ波検出器231への到達時間を連続的に変更する光学装置である。遅延部24は、検出光LP12の入射方向に沿って直線移動する遅延ステージ241と遅延ステージ241を移動させる遅延ステージ駆動機構242とを備えている。遅延ステージ241は、検出光LP12をその入射方向に折り返させる折り返しミラー10Mを備えている。また、遅延ステージ駆動機構242は、制御部7の制御に基づいて、検出光LP12の入射方向に沿って遅延ステージ241を平行移動させる。遅延ステージ241が平行移動することによって、ビームスプリッタB1からテラヘルツ波検出器231までの検出光LP12の光路長が連続的に変更される。   The delay unit 24 is an optical device that continuously changes the arrival time of the detection light LP12 to the terahertz wave detector 231. The delay unit 24 includes a delay stage 241 that moves linearly along the incident direction of the detection light LP12 and a delay stage drive mechanism 242 that moves the delay stage 241. The delay stage 241 includes a folding mirror 10M that folds the detection light LP12 in the incident direction. The delay stage driving mechanism 242 translates the delay stage 241 along the incident direction of the detection light LP12 based on the control of the control unit 7. As the delay stage 241 moves in parallel, the optical path length of the detection light LP12 from the beam splitter B1 to the terahertz wave detector 231 is continuously changed.

遅延ステージ241は、テラヘルツ波パルスLT1がテラヘルツ波検出器231に到達する時間と、検出光LP12がテラヘルツ波検出器231へ到達する時間との差(位相差)を変更する。具体的には、遅延ステージ241によって、検出光LP12の光路長を変化することによって、テラヘルツ波検出器231においてテラヘルツ波パルスLT1の電界強度を検出するタイミング(検出タイミングまたはサンプリングタイミング)が遅延される。   The delay stage 241 changes the difference (phase difference) between the time when the terahertz wave pulse LT1 reaches the terahertz wave detector 231 and the time when the detection light LP12 reaches the terahertz wave detector 231. Specifically, the delay stage 241 changes the optical path length of the detection light LP12, thereby delaying the timing (detection timing or sampling timing) at which the terahertz wave detector 231 detects the electric field strength of the terahertz wave pulse LT1. .

なお、遅延ステージ241とは異なる構成によって、検出光LP12のテラヘルツ波検出器231への到達時間を変更することも可能である。具体的には、電気光学効果を利用することが考えられる。すなわち、印加する電圧を変化させることで屈折率が変化する電気光学素子を、遅延素子として用いてもよい。例えば、特許文献である特開2009−175127号公報に開示された電気光学素子を利用することができる。   Note that the arrival time of the detection light LP12 at the terahertz wave detector 231 can be changed by a configuration different from that of the delay stage 241. Specifically, it can be considered to use the electro-optic effect. That is, an electro-optic element whose refractive index changes by changing the applied voltage may be used as the delay element. For example, an electro-optic element disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-175127, which is a patent document, can be used.

また、検出光LP12の光路長を変更する代わりに、太陽電池9に向かうパルス光LP11の光路長、もしくは、太陽電池9から放射されたテラヘルツ波パルスLT1の光路長を変更してもよい。いずれの場合においても、テラヘルツ波検出器231に検出光LP12が到達する時間に対して、テラヘルツ波検出器231にテラヘルツ波パルスLT1が到達する時間をずらすことができる。つまり、テラヘルツ波検出器231におけるテラヘルツ波パルスLT1の検出タイミングを遅延させることができる。   Instead of changing the optical path length of the detection light LP12, the optical path length of the pulsed light LP11 directed to the solar cell 9 or the optical path length of the terahertz wave pulse LT1 emitted from the solar cell 9 may be changed. In any case, the time for the terahertz wave pulse LT1 to reach the terahertz wave detector 231 can be shifted from the time for the detection light LP12 to reach the terahertz wave detector 231. That is, the detection timing of the terahertz wave pulse LT1 in the terahertz wave detector 231 can be delayed.

ステージ駆動機構31は、移動ステージ3に取り付けられた試料台4に保持されている太陽電池9を、プローブ光照射部22に対して、XY平面内で相対的に移動させる。つまり、検査装置100は、太陽電池9の受光面91をパルス光LP11で走査可能に構成されている。したがって、本実施形態では、ステージ駆動機構31は、走査機構を構成している。ただし、太陽電池9を移動させる代わりに、または、太陽電池9を移動させると共に、プローブ光照射部22およびテラヘルツ波検出部23をXY平面内で移動させる移動手段を設けてもよい。   The stage drive mechanism 31 moves the solar cell 9 held on the sample stage 4 attached to the moving stage 3 relative to the probe light irradiation unit 22 in the XY plane. That is, the inspection apparatus 100 is configured to be able to scan the light receiving surface 91 of the solar cell 9 with the pulsed light LP11. Accordingly, in the present embodiment, the stage drive mechanism 31 constitutes a scanning mechanism. However, instead of moving the solar cell 9, or while moving the solar cell 9, a moving unit that moves the probe light irradiation unit 22 and the terahertz wave detection unit 23 in the XY plane may be provided.

また、パルス光LP11自体の光路を変更する走査機構を採用してもよい。具体的には、往復揺動するガルバノミラーによって、パルス光LP11の光路を、太陽電池9の受光面91に平行なXY平面に沿って変更することが考えられる。また、ガルバノミラーの代わりに、ポリゴンミラー、ピエゾミラーまたは音響光学素子などを採用してもよい。   Also, a scanning mechanism that changes the optical path of the pulsed light LP11 itself may be employed. Specifically, it is conceivable to change the optical path of the pulsed light LP11 along an XY plane parallel to the light receiving surface 91 of the solar cell 9 by a galvano mirror that reciprocally swings. Further, instead of the galvanometer mirror, a polygon mirror, a piezo mirror, or an acoustooptic device may be employed.

太陽電池9について、テラヘルツ波測定を行う場合には、試料台4の電圧印加テーブル41および電極ピンユニット43を介して、太陽電池9に逆バイアス電圧を印加してもよい。これによって、太陽電池9から放射されるテラヘルツ波パルスLT1の強度を高めることができる。また、電圧印加テーブル41および電極バー432間を短絡接続して、太陽電池9の表面側電極と裏面側電極とを短絡することも考えられる。この場合においても、太陽電池9から放射されるテラヘルツ波パルスLT1の強度を高めることができる。   When terahertz wave measurement is performed on the solar cell 9, a reverse bias voltage may be applied to the solar cell 9 via the voltage application table 41 and the electrode pin unit 43 of the sample table 4. Thereby, the intensity of the terahertz wave pulse LT1 emitted from the solar cell 9 can be increased. It is also conceivable that the voltage application table 41 and the electrode bar 432 are short-circuited to short-circuit the front surface side electrode and the back surface side electrode of the solar cell 9. Even in this case, the intensity of the terahertz wave pulse LT1 radiated from the solar cell 9 can be increased.

図4は、検査装置100における制御部7と他の要素との電気的な接続を示すブロック図である。制御部7は、演算装置としてのCPU71、読み取り専用のROM72、主にCPU71のワーキングエリアとして使用されるRAMおよび不揮発性の記録媒体である記憶部74を備えている。制御部7は、表示部61、操作部62、ステージ駆動機構31、遅延ステージ駆動機構242、ルミネッセンス測定系5、イメージセンサ53およびカメラ6といった検査装置100の各要素とバス配線、ネットワーク回線またはシリアル通信回線などを介して接続されている。制御部7は、これらの要素の動作制御を行ったり、これらの要素からデータを受け取ったりする。   FIG. 4 is a block diagram illustrating an electrical connection between the control unit 7 and other elements in the inspection apparatus 100. The control unit 7 includes a CPU 71 as an arithmetic device, a read-only ROM 72, a RAM mainly used as a working area of the CPU 71, and a storage unit 74 that is a non-volatile recording medium. The control unit 7 includes each element of the inspection apparatus 100 such as the display unit 61, the operation unit 62, the stage drive mechanism 31, the delay stage drive mechanism 242, the luminescence measurement system 5, the image sensor 53, and the camera 6, and bus wiring, network line, or serial. It is connected via a communication line. The control unit 7 controls the operation of these elements and receives data from these elements.

CPU71は、ROM72内に格納されているプログラム75を読み取りつつ実行することによって、RAM73または記憶部74に記憶されている各種データについての演算処理を行う。このように、制御部7は、CPU71、ROM72、RAM73および記憶部74を備えており、一般的なコンピュータとして構成されている。   The CPU 71 performs arithmetic processing on various data stored in the RAM 73 or the storage unit 74 by reading and executing the program 75 stored in the ROM 72. As described above, the control unit 7 includes the CPU 71, the ROM 72, the RAM 73, and the storage unit 74, and is configured as a general computer.

表示部61は、液晶表示装置などで構成されており、各種情報をオペレータに提示する。操作部62は、マウス、キーボードなどの各種入力装置として構成されており、オペレータが制御部7に与える指令のための操作を受け付ける。なお、表示部61がタッチパネル機能を備えることによって、表示部61が操作部62の機能の一部または全部を備えていてもよい。   The display unit 61 is configured by a liquid crystal display device or the like, and presents various information to the operator. The operation unit 62 is configured as various input devices such as a mouse and a keyboard, and accepts operations for commands given by the operator to the control unit 7. In addition, the display part 61 may be provided with a part or all of the function of the operation part 62 by providing the display part 61 with a touch panel function.

また、CPU71は、プログラム75にしたがって動作することによって、画像加工部711、検査対象箇所設定部712および位置特定部713として機能する。   The CPU 71 functions as an image processing unit 711, an inspection target location setting unit 712, and a position specifying unit 713 by operating according to the program 75.

画像加工部711は、ルミネッセンス画像を加工する機能である。イメージセンサ53で取得したルミネッセンス画像のデータは、各画素毎にルミネッセンス発光の発光強度に応じた画素値を保持したものである。つまり、ルミネッセンス画像は、ルミネッセンス発光強度の分布を示す画像である。画像加工部711は、記憶部74に予め保存されているルックアップテーブル(LUT)741を参照することによって、各画素毎にカラー化用の画素値に変換する。このように、画像加工部711は、LUC741に基づいて、元のルミネッセンス画像を、発光強度分布をカラーで表現したルミネッセンス画像に加工する。また、元のルミネッセンス画像が、特定の範囲の発光強度を強調したルミネッセンス画像に加工される、LUT741が用いられてもよい。   The image processing unit 711 has a function of processing a luminescence image. The luminescence image data acquired by the image sensor 53 holds pixel values corresponding to the emission intensity of luminescence emission for each pixel. That is, the luminescence image is an image showing the distribution of luminescence emission intensity. The image processing unit 711 refers to a lookup table (LUT) 741 stored in advance in the storage unit 74 to convert each pixel into a pixel value for colorization. As described above, the image processing unit 711 processes the original luminescence image into a luminescence image in which the emission intensity distribution is expressed in color based on the LUC 741. Further, an LUT 741 in which the original luminescence image is processed into a luminescence image in which the light emission intensity in a specific range is emphasized may be used.

このように、1種類のLUT741だけではなく、互いに異なるLUT741を複数用意しておくことが望ましい。異なるLUT741に基づき、画像加工部711が複数のルミネッセンス画像を生成することによって、太陽電池9の欠陥(例えば、内部擦り傷、クラック、成膜不良、膜厚ムラ、結晶粒界や、電極の印刷ミス、電極の孔蝕(腐蝕)、電極の劣化、剥離による電極の断線等)の検出が容易となる。ただし、画像加工部711は、必ずしも必要ではなく、省略することも可能である。   As described above, it is desirable to prepare not only one type of LUT 741 but also a plurality of different LUTs 741. The image processing unit 711 generates a plurality of luminescence images based on different LUTs 741, thereby causing defects in the solar cell 9 (for example, internal scratches, cracks, film formation defects, film thickness unevenness, crystal grain boundaries, and electrode printing mistakes). Detection of electrode pitting (corrosion), electrode deterioration, electrode disconnection due to peeling, and the like is facilitated. However, the image processing unit 711 is not necessarily required and can be omitted.

検査対象箇所設定部712は、テラヘルツ波測定系2において、テラヘルツ波測定を行うべき箇所(検査対象箇所)を指定する命令を受け付ける。検査対象箇所の指定は、オペレータが操作部62のマウスまたはキーボードなどを操作することによって行われる。本実施例では、検査対象箇所設定部712は、画像加工部711によって生成されたルミネッセンス画像を表示部61に表示する。そして、オペレータは、その表示部61に表示されたルミネッセンス画像を参照しつつ、操作部62を操作することによって、テラヘルツ波測定を行う検査対象箇所を指定する入力を行う。検査対象箇所設定部712は、その入力に従って、検査対象箇所を示す検査対象箇所情報を記憶部74に保存する。   The inspection target location setting unit 712 receives an instruction for designating a location (inspection target location) where terahertz wave measurement is to be performed in the terahertz wave measurement system 2. The inspection target portion is designated by operating the mouse or keyboard of the operation unit 62 by the operator. In the present embodiment, the inspection target location setting unit 712 displays the luminescence image generated by the image processing unit 711 on the display unit 61. Then, the operator operates the operation unit 62 while referring to the luminescence image displayed on the display unit 61 to perform an input for designating the inspection target location where the terahertz wave measurement is performed. The inspection target location setting unit 712 stores inspection target location information indicating the inspection target location in the storage unit 74 in accordance with the input.

位置特定部713は、ルミネッセンス画像における指標部45の像、および、カメラ6によって取得される可視画像における指標部45の像に基づき、太陽電池9における検査対象箇所の位置を特定する。可視画像を撮影するカメラ6は、像取得部の一例である。   The position specifying unit 713 specifies the position of the inspection target location in the solar cell 9 based on the image of the index unit 45 in the luminescence image and the image of the index unit 45 in the visible image acquired by the camera 6. The camera 6 that captures a visible image is an example of an image acquisition unit.

なお、画像加工部711、検査対象箇所設定部712および位置特定部713の一部または全部は、専用の回路で構成されることによって、ハードウェア的に実現されてもよい。   Note that some or all of the image processing unit 711, the inspection target location setting unit 712, and the position specifying unit 713 may be realized by hardware by being configured by a dedicated circuit.

<検査例>
図5は、検査装置100を用いた検査例の流れ図である。以下の各工程における検査装置100の動作は、特に断らない限り、制御部7の制御の下に行われるものとする。
<Inspection example>
FIG. 5 is a flowchart of an inspection example using the inspection apparatus 100. The operation of the inspection apparatus 100 in each of the following processes is performed under the control of the control unit 7 unless otherwise specified.

まず、太陽電池9が電圧印加テーブル41に保持される(ステップS11)。そして、移動ステージ3を移動させることによって、太陽電池9をルミネッセンス測定系5(第一検査部)に移動させる(ステップS12)。   First, the solar cell 9 is held in the voltage application table 41 (step S11). And the solar cell 9 is moved to the luminescence measurement system 5 (1st test | inspection part) by moving the movement stage 3 (step S12).

ルミネッセンス測定系5では、太陽電池9について、ルミネッセンス測定が行われる。これによって、太陽電池9のルミネッセンス画像を取得する(ステップS13)。このとき、指標部45のルミネッセンス発光も撮影されるため、4つの指標部45の像も含むルミネッセンス画像が取得されることとなる。   In the luminescence measurement system 5, luminescence measurement is performed on the solar cell 9. Thereby, the luminescence image of the solar cell 9 is acquired (step S13). At this time, since the luminescence emission of the indicator portion 45 is also photographed, a luminescence image including images of the four indicator portions 45 is acquired.

次に、画像加工部711が、ルミネッセンス画像を加工する(ステップS14)。具体的には、画像加工部711は、LUT741を参照して、元のルミネッセンス画像を、発光強度に応じてカラー化したルミネッセンス画像、あるいは、特定の発光強度の範囲を強調したルミネッセンス画像に加工する。なお、ステップS14の工程は、省略することも可能である。   Next, the image processing unit 711 processes the luminescence image (step S14). Specifically, the image processing unit 711 refers to the LUT 741 to process the original luminescence image into a luminescence image colored according to the emission intensity or a luminescence image in which a specific emission intensity range is emphasized. . The step S14 can be omitted.

図6は、太陽電池9のEL画像i1および異なるLUT741に基づく加工後のEL画像i2〜i4を示す図である。なお、図示のEL画像i1〜i4は、太陽電池9の一部を示す図である。図示のように、異なるLUT741に基づいて加工されたEL画像i2〜i4を生成することによって、異なる観点から、太陽電池9のEL発光の強度分布を観察できる。このため、太陽電池9の欠陥候補箇所の検出が容易となるため、テラヘルツ波測定を行うべき部分を指定し易くなる。   FIG. 6 is a diagram showing EL images i <b> 1 to i <b> 4 after processing based on the EL image i <b> 1 of the solar cell 9 and different LUTs 741. Note that the illustrated EL images i <b> 1 to i <b> 4 are diagrams illustrating a part of the solar cell 9. As illustrated, by generating EL images i <b> 2 to i <b> 4 processed based on different LUTs 741, the EL light emission intensity distribution of the solar cell 9 can be observed from different viewpoints. For this reason, since the detection of the defect candidate location of the solar cell 9 becomes easy, it becomes easy to specify the part which should perform terahertz wave measurement.

次に、ルミネッセンス画像に基づき、テラヘルツ波測定を行うべき検査対象箇所の設定が行われる(ステップS15)。具体的には、ステップS14で取得された加工後のルミネッセンス画像、もしくは、ステップS13で取得された元のルミネッセンス画像が表示部61に表示された状態で、オペレータが、テラヘルツ波測定を行うべき検査対象箇所の指定する入力を行う。この入力に基づき、検査対象箇所設定部712が検査対象箇所を設定する。   Next, based on the luminescence image, an inspection target location where terahertz wave measurement is to be performed is set (step S15). Specifically, the operator should perform the terahertz wave measurement in a state where the processed luminescence image acquired in step S14 or the original luminescence image acquired in step S13 is displayed on the display unit 61. Perform input to specify the target location. Based on this input, the inspection target location setting unit 712 sets the inspection target location.

検査対象箇所の設定が完了すると、検査装置100は、ステージ駆動機構31を駆動して、太陽電池9をルミネッセンス測定系5の位置からテラヘルツ波測定系2の位置へ移動させる(ステップS16)。なお、ステップS16は、ステップS14の後、かつ、ステップS15よりも前に実行されてもよい。   When the setting of the inspection target location is completed, the inspection apparatus 100 drives the stage drive mechanism 31 to move the solar cell 9 from the position of the luminescence measurement system 5 to the position of the terahertz wave measurement system 2 (step S16). Note that step S16 may be executed after step S14 and before step S15.

カメラ6によって、太陽電池9を撮影する。これによって、4つの指標部45および太陽電池9の像が含まれる可視画像が取得される(ステップS17)。そして、テラヘルツ波測定系2に移動した太陽電池9における、検査対象箇所の特定が行われる(ステップS18)。   The solar cell 9 is photographed by the camera 6. As a result, a visible image including images of the four indicator portions 45 and the solar cell 9 is acquired (step S17). And the location for a test | inspection in the solar cell 9 which moved to the terahertz wave measurement system 2 is specified (step S18).

このステップS18では、位置特定部713が、ステップS13で取得されたルミネッセンス画像(または、ステップS14で取得した加工後のルミネッセンス画像)に含まれる4つの指標部45の位置を特定する。さらに、位置特定部713は、ステップS17で取得された可視画像に含まれる4つの指標部45の位置を特定する。これによって、ルミネッセンス画像に基づいて指定された検査対象箇所を、可視画像上において特定することができる。   In step S18, the position specifying unit 713 specifies the positions of the four index units 45 included in the luminescence image acquired in step S13 (or the processed luminescence image acquired in step S14). Further, the position specifying unit 713 specifies the positions of the four index units 45 included in the visible image acquired in step S17. Thereby, the inspection object location designated based on the luminescence image can be specified on the visible image.

検査対象箇所の特定が完了すると、テラヘルツ波測定系2において、テラヘルツ波測定が行われる(ステップS19)。具体的には、位置特定部713によって特定された検査対象箇所にパルス光LP11の照射が行うべく、制御部7がステージ駆動機構31を制御する。そして、太陽電池9の検査対象箇所にプローブ光であるパルス光LP11が照射され、それに応じて太陽電池9から放射されるテラヘルツ波パルスLT1が測定される。   When the identification of the inspection target portion is completed, the terahertz wave measurement system 2 performs terahertz wave measurement (step S19). Specifically, the control unit 7 controls the stage drive mechanism 31 so that the inspection target location specified by the position specifying unit 713 is irradiated with the pulsed light LP11. And the pulsed light LP11 which is probe light is irradiated to the test object location of the solar cell 9, and the terahertz wave pulse LT1 radiated | emitted from the solar cell 9 according to it is measured.

なお、検査装置100は、検査対象箇所についてテラヘルツ波測定する場合、まず、可視画像に含まれる各指標部45の位置に基づいて、太陽電池9の位置(向きなども含む。)を調整する(アライメント)。これによって、太陽電池9のルミネッセンス測定系5およびテラヘルツ波測定系2間の搬送で生じた、太陽電池9の位置ずれが補正される。その後に、太陽電池9の検査対象箇所にパルス光LP11の照射する。   In addition, when the inspection apparatus 100 performs the terahertz wave measurement on the inspection target portion, first, the position (including the orientation and the like) of the solar cell 9 is adjusted based on the position of each index unit 45 included in the visible image ( alignment). Thereby, the positional deviation of the solar cell 9 caused by the conveyance between the luminescence measurement system 5 and the terahertz wave measurement system 2 of the solar cell 9 is corrected. Thereafter, the inspection target portion of the solar cell 9 is irradiated with the pulsed light LP11.

以上説明したように、本実施形態に係る検査装置100によると、指標部45自体がルミネッセンス発光するように構成されている。このため、ルミネッセンス測定系5において、可視画像を取得する装置および作業が不要となる。このため、ルミネッセンス測定系5およびテラヘルツ波測定系2の両者間で太陽電池9を移動させた際における位置合わせを簡易的に行うことができる。   As described above, according to the inspection apparatus 100 according to the present embodiment, the indicator unit 45 itself is configured to emit luminescence. For this reason, in the luminescence measurement system 5, the apparatus and operation | work which acquire a visible image become unnecessary. For this reason, it is possible to easily perform alignment when the solar cell 9 is moved between the luminescence measurement system 5 and the terahertz wave measurement system 2.

以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。   Although the embodiment has been described above, the present invention is not limited to the above, and various modifications are possible.

例えば、上記実施形態では、太陽電池9を保持する保持部(電圧印加テーブル41)に、指標部45が設けられている。しかしながら、検査試料である太陽電池9に、指標部45を設けてもよい。この場合、十字形状などの所定形状に形成された薄膜状の電極を、太陽電池9の受光面91の任意の位置に複数設けることが考えられる。この場合、該電極に電極ピン431を当接させて太陽電池9に順バイアス電圧を印加すれば、該電極の周囲をEL発光させることができる。このため、指標部としての電極を、非発光部分としてイメージセンサ53で検出できる。また、このような指標部としての薄膜状の電極は、バスバー電極93またはフィンガー電極95を設ける工程で、容易に形成することが可能である。もちろん、指標部としての電極を、後から太陽電池9に取り付けするようにしてもよい。   For example, in the above embodiment, the index unit 45 is provided in the holding unit (voltage application table 41) that holds the solar cell 9. However, the indicator part 45 may be provided in the solar cell 9 that is a test sample. In this case, a plurality of thin-film electrodes formed in a predetermined shape such as a cross shape may be provided at an arbitrary position on the light receiving surface 91 of the solar cell 9. In this case, if a forward bias voltage is applied to the solar cell 9 by bringing the electrode pin 431 into contact with the electrode, EL light can be emitted around the electrode. For this reason, the electrode as the index portion can be detected by the image sensor 53 as the non-light emitting portion. In addition, such a thin film electrode as the index portion can be easily formed in the step of providing the bus bar electrode 93 or the finger electrode 95. Of course, you may make it attach the electrode as a parameter | index part to the solar cell 9 later.

また、上記実施形態では、可視画像から指標部45の位置を特定するものとして説明した。しかしながら、可視画像の代わりに、例えばテラヘルツ波の強度分布を画像化したイメージング画像から指標部45の位置を特定することも考えられる。例えば、各指標部45およびその周辺を含む領域を、プローブ光であるパルス光LP11で走査する。これによって指標部45から発生するテラヘルツ波の強度分布を画像化し、該画像に基づいて各指標部45の位置を特定することが考えられる。この場合、プローブ光照射部22、テラヘルツ波検出部23、ステージ駆動機構31が、指標部45から発生するテラヘルツ波に基づく像を取得する像取得部を構成する。この場合、可視画像を撮影するカメラ6を省略することも可能である。   Moreover, in the said embodiment, it demonstrated as what identifies the position of the parameter | index part 45 from a visible image. However, it is also conceivable to specify the position of the index unit 45 from an imaging image obtained by imaging the intensity distribution of terahertz waves, for example, instead of the visible image. For example, the region including each index portion 45 and its periphery is scanned with pulsed light LP11 that is probe light. Thus, it is conceivable that the intensity distribution of the terahertz wave generated from the index unit 45 is imaged and the position of each index unit 45 is specified based on the image. In this case, the probe light irradiation unit 22, the terahertz wave detection unit 23, and the stage drive mechanism 31 constitute an image acquisition unit that acquires an image based on the terahertz wave generated from the index unit 45. In this case, it is possible to omit the camera 6 that captures a visible image.

また、指標部として、太陽電池9の受光面91に、ルミネッセンス光を遮る遮光部材を設けてもよい。この場合においても、太陽電池9がルミネッセンス発光した際に、遮光部材によって光が遮光されるため、イメージセンサ53によって非発光部分として検出することができる。遮光部材として、例えば粘着性テープを採用すれば、太陽電池9に容易に取り付けることができる。   Moreover, you may provide the light-shielding member which interrupts luminescence light in the light-receiving surface 91 of the solar cell 9 as an indicator | index part. Also in this case, when the solar cell 9 emits luminescence, the light is blocked by the light blocking member, so that it can be detected by the image sensor 53 as a non-light emitting portion. If, for example, an adhesive tape is employed as the light shielding member, it can be easily attached to the solar cell 9.

また、上記実施形態では、フェムト秒レーザ221からパルス光を出射させて、太陽電池9からパルス状のテラヘルツ波を放射させている。しかしながら、フェムト秒レーザ221の代わりに、発振周波数がわずかに相違する2つの連続光を出射する2つの光源を利用することも可能である(特開2013−170864号公報)。具体的には、2つの連続光を、光導波路である光ファイバなどで形成されたカプラによって重ね合わせることで、差周波に対応する光ビート信号を生成する。そして、この光ビート信号を、太陽電池9に照射することによって、その光ビート信号の周波数に応じた電磁波(テラヘルツ波)を放射させることができる。   In the above embodiment, pulsed light is emitted from the femtosecond laser 221, and pulsed terahertz waves are emitted from the solar cell 9. However, instead of the femtosecond laser 221, it is also possible to use two light sources that emit two continuous lights having slightly different oscillation frequencies (Japanese Patent Laid-Open No. 2013-170864). Specifically, an optical beat signal corresponding to the difference frequency is generated by superimposing two continuous lights by a coupler formed by an optical fiber or the like that is an optical waveguide. Then, by irradiating the solar cell 9 with this optical beat signal, an electromagnetic wave (terahertz wave) corresponding to the frequency of the optical beat signal can be emitted.

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。また、上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。   Although the present invention has been described in detail, the above description is illustrative in all aspects, and the present invention is not limited thereto. It is understood that countless variations that are not illustrated can be envisaged without departing from the scope of the present invention. Moreover, each structure demonstrated by said each embodiment and each modification can be suitably combined or abbreviate | omitted unless it mutually contradicts.

100 検査装置
1 装置架台
2 テラヘルツ波測定系(第二検査部)
22 プローブ光照射部
221 フェムト秒レーザ
231 テラヘルツ波検出器
23 テラヘルツ波検出部
24 遅延部
241 遅延ステージ
242 遅延ステージ駆動機構
3 移動ステージ
31 ステージ駆動機構(移動機構)
4 試料台
41 電圧印加テーブル
43 電極ピンユニット
431 電極ピン
432 電極バー
45 指標部
451 太陽電池本体
452 表面電極
5 ルミネッセンス測定系(第一検査部)
53 イメージセンサ
55 PLプローブ光源
6 カメラ(撮影部)
7 制御部
71 CPU
711 画像加工部
712 検査対象箇所設定部
713 位置特定部
74 記憶部
9 太陽電池
91 受光面
93 バスバー電極
95 フィンガー電極
LP11 パルス光(プローブ光)
LP12 検出光
LT1 テラヘルツ波パルス
i1〜i4 EL画像
100 Inspection Equipment 1 Equipment Base 2 Terahertz Wave Measurement System (Second Inspection Department)
22 probe light irradiation unit 221 femtosecond laser 231 terahertz wave detector 23 terahertz wave detection unit 24 delay unit 241 delay stage 242 delay stage driving mechanism 3 moving stage 31 stage driving mechanism (moving mechanism)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 Sample stand 41 Voltage application table 43 Electrode pin unit 431 Electrode pin 432 Electrode bar 45 Indicator part 451 Solar cell main body 452 Surface electrode 5 Luminescence measurement system (1st test | inspection part)
53 Image sensor 55 PL probe light source 6 Camera (shooting unit)
7 Control unit 71 CPU
711 Image processing unit 712 Inspection target location setting unit 713 Position specifying unit 74 Storage unit 9 Solar cell 91 Light receiving surface 93 Bus bar electrode 95 Finger electrode LP11 Pulse light (probe light)
LP12 detection light LT1 terahertz wave pulse i1 to i4 EL image

Claims (6)

太陽電池を検査する検査装置であって、
太陽電池を保持する保持部と、
前記保持部に保持されている前記太陽電池に対して固定された位置に設けられており、ルミネッセンス発光する指標部と、
前記指標部のルミネッセンス発光、および、前記太陽電池のルミネッセンス発光を撮影することによって、ルミネッセンス画像を取得する第一検査部と、
プローブ光の照射に応じて前記太陽電池から放射されるテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部、および、前記指標部の像を取得する像取得部を有する第二検査部と、
前記第一検査部と前記第二検査部との間で、前記保持部を移動させる移動機構と、
前記第二検査部において検査される前記太陽電池の検査対象箇所を設定する検査対象箇所設定部と、
前記第一検査部において取得される前記ルミネッセンス画像における前記指標部の像、および、前記第二検査部において前記像取得部によって取得される前記指標部の像に基づき、前記太陽電池における前記検査対象箇所の位置を特定する位置特定部と、
を備える、検査装置。
An inspection device for inspecting solar cells,
A holding unit for holding the solar cell;
Provided at a position fixed to the solar cell held by the holding unit, and an indicator unit for emitting luminescence;
A first inspection unit that acquires a luminescence image by photographing the luminescence emission of the indicator unit and the luminescence emission of the solar cell;
A terahertz wave detection unit that detects a terahertz wave emitted from the solar cell in response to irradiation with probe light, and a second inspection unit that includes an image acquisition unit that acquires an image of the index unit;
A moving mechanism for moving the holding unit between the first inspection unit and the second inspection unit;
An inspection object location setting unit for setting an inspection object location of the solar cell to be inspected in the second inspection unit;
The inspection object in the solar cell based on the image of the indicator part in the luminescence image acquired in the first inspection part and the image of the indicator part acquired by the image acquisition part in the second inspection part A position specifying part for specifying the position of the place;
An inspection apparatus comprising:
請求項1に記載の検査装置であって、
前記指標部が、前記保持部に設けられている、検査装置。
The inspection apparatus according to claim 1,
The inspection apparatus, wherein the index part is provided in the holding part.
請求項2に記載の検査装置であって、
前記指標部を前記保持部に対して取り外し可能に取り付ける取付機構、をさらに備えている、検査装置。
The inspection apparatus according to claim 2,
An inspection apparatus, further comprising an attachment mechanism for removably attaching the indicator portion to the holding portion.
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の検査装置であって、
前記第二検査部の前記像取得部が、前記指標部の可視画像を撮影する撮影部を含む、検査装置。
The inspection apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein
The inspection apparatus, wherein the image acquisition unit of the second inspection unit includes an imaging unit that captures a visible image of the index unit.
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の検査装置であって、
前記第二検査部の前記像取得部が、前記指標部に対する前記プローブ光の照射に応じて前記指標部から発生するテラヘルツ波に基づく像を取得する、検査装置。
The inspection apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein
The inspection apparatus, wherein the image acquisition unit of the second inspection unit acquires an image based on a terahertz wave generated from the index unit in response to irradiation of the probe light to the index unit.
太陽電池を検査する検査方法であって、
(a) 太陽電池を保持部にて保持する工程と、
(b) 前記保持部に保持された前記太陽電池のルミネッセンス発光、および、前記保持部に保持された前記太陽電池に対して固定された位置に設けられている指標部のルミネッセンス発光を撮影してルミネッセンス画像を取得する工程と、
(c) 前記(b)工程の後、前記太陽電池から放射されるテラヘルツ波を検出することによって、前記太陽電池を検査する第二検査部において検査される前記太陽電池の検査対象箇所を設定する工程と、
(d) 前記(b)工程の後、前記第二検査部へ移動させる工程と、
(e) 前記(d)工程の後、前記第二検査部にて前記指標部の像を取得する工程と、
(f) 前記(b)工程で取得された前記ルミネッセンス画像における前記指標部の像、および、前記(e)工程で取得された前記指標部の像に基づき、前記太陽電池における前記検査対象箇所の位置を特定する工程と、
(g) 前記(f)工程で特定した前記検査対象箇所を前記第二検査部で検査する工程と、
を含む、検査方法。
An inspection method for inspecting a solar cell,
(A) a step of holding the solar cell in the holding unit;
(B) Photographing the luminescence emission of the solar cell held by the holding unit and the luminescence emission of the indicator unit provided at a position fixed to the solar cell held by the holding unit Obtaining a luminescence image; and
(C) After the step (b), by detecting a terahertz wave radiated from the solar cell, the inspection target portion of the solar cell to be inspected in the second inspection unit inspecting the solar cell is set Process,
(D) After the step (b), the step of moving to the second inspection unit;
(E) after the step (d), obtaining an image of the indicator portion at the second inspection portion;
(F) Based on the image of the indicator portion in the luminescence image acquired in the step (b) and the image of the indicator portion acquired in the step (e), Identifying the position;
(G) a step of inspecting the inspection target portion specified in the step (f) by the second inspection unit;
Including an inspection method.
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