JP2016024416A - 光配向照射装置及び光配向照射方法 - Google Patents

光配向照射装置及び光配向照射方法 Download PDF

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義和 大谷
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Masahiro Mori
雅宏 森
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Abstract

【課題】ブリュースター型の偏光板を使用する光配向処理において、S波成分を使用した光配向を実現することを目的とする。【解決手段】本発明に係る光配向照射装置は、前記光源部から出射された光源光を、ブリュースター型の複数の偏光板で順に反射させて形成した偏光光を、ステージと対向する側に設けられた開口から出射し、走査部にて偏光光照射部とステージを相対的に移動させつつ、開口から射出される偏光光を基板に照射することを特徴とする。【選択図】図5

Description

本発明は、液晶表示板製造分野にて使用されるものであって、特に、液晶表示装置に用いられる基板上において、液晶分子が望ましい角度と方向に整列するよう配向膜に配向性を付与するための光配向照射装置に関するものである。
近年の液晶表示分野の利用が拡大し需要が増大するに従って、旧来の液晶表示装置の欠点であった視野角、コントラスト比、動画性能表示などの改善が強く求められている。特に液晶表示基板上にて、液晶分子に配向性を付与する配向膜においては、配向方向の均一化、プレチルト角の付与、単一画素内での複数領域の形成(マルチドメイン)など各種改善が進められている。
従来、液晶表示基板上に形成されたポリマー層(配向膜)に配向特性を付与することの利点並びにそのための技術は広く知られている。このような配向特性を付与する方法として布ラビング法と称される方法があるが、この方法は、布を巻き付けたローラーを回転させつつ、基板を移動させて、表面のポリマー層を強く一方向に擦る処理である。
しかしながら、この布ラビング法では、静電気の発生、配向膜表面に生じる傷、粉じんの発生など様々な欠点が指摘されている。特に、近年、液晶表示装置が高精細化する状況においては、僅かな傷であっても観察する画質に影響することが考えられる。この布ラビング法の問題を回避するため、配向膜に紫外領域の偏光光を照射して配向特性を付与する光ラビング法が知られている。
基板面に塗布された配向膜に対して、偏光光を照射して配向処理を行う、光配向照射装置では、棒状のランプを照射する光源に対してワイヤーグリッド偏光子により、偏光照射光を生成するタイプのものがある。この照射装置では、棒状のランプでの出射光は長軸に沿った照度は比較的均一に出来るものの、ワイヤーグリッド偏光子自体の性能のバラつきによって照度がばらつく問題があり、これを均一化するために、一方向に沿って並べて配置された遮光手段を、並べた一方向と交差する方向に調整可能としたものがある。
その一方で、光源の出射部分から基板照射面に向けて略平行光を照射する紫外線ランプで、少なくとも照射領域の長軸方向に沿って複数並べたタイプのものがある。このタイプの配向照射装置では、理論上、ランプの長尺方向の長さに制限が無いことや、照射光が略平行光であるために質の良い光が照射できること、更には波長帯の依存性が非常に少ないブリュースター型の偏光子によって偏光照射光が生成されるために、幅広い波長帯の偏光光が利用できるなどの利点がある(特許文献1、2)。
図10には、特許文献1、2に記載されるような、ブリュースター型の偏光板Bを使用する従来の光配向方法を示したものである。図中、光配向の対象となる基板Aの設置面をXY平面、基板Aの走査方向をY方向、XY平面に直交する方向をZ方向としている。ブリュースター型の偏光板Bは、ブリュースター角度で入射する光をP波成分とS波成分に分ける偏光機能を有している。ブリュースター型の偏光板Bを透過した光源光のP波成分は、基板Aの照射領域を照射する。一方、ブリュースター型の偏光板Bで反射した光源光のS波成分は、光配向に使用されることなく除去される。
このようにブリュースター型の偏光板Bを使用した光配向方法では、ブリュースター型の偏光板Bは、図10に示されるように、基板Aに対して傾斜角度を有して配置されることが一般的である。このような配置形態では、照射領域の幅方向(X方向)において、ブリュースター型の偏光板Bと照射領域の距離を略一定とすることが可能であり、照射領域の幅方向における照射光の特性を揃えることが可能となっている。
特許第5177266号公報 特許第5077465号公報
図10に示すブリュースター型の偏光板Bを使用する従来の光配向では、走査方向がP波成分の方向と略一致したものとなっている。このように走査方向とP波成分の方向が略一致した場合、基板Aの幅方向で発生する偏光光の特性のバラツキが走査によって積分されず、基板Aの配向特性にバラツキが生じることが考えられる。
図10に示す従来の配向において、P波成分の方向を走査方向に対して傾斜させるには、ブリュースター型の偏光板BをXY平面内で回転させることが考えられる。しかしながら、そのような場合、ブリュースター型の偏光板Bの高さが高くなり、装置が大型化するため、現実的ではない。また、照射領域の幅方向(X方向)において、ブリュースター型の偏光板Bと照射領域の距離が異なるため、照射光の特性も不揃いになってしまう。
本発明は、ブリュースター偏光板を使用して光配向を行う光配向照射装置において、配向対象となる基板に対して優れた配向特性を付与することを目的とするものである。
そのため、本発明に係る光配向照射装置は、以下の構成を採用する。
ステージと、偏光光照射部と、走査部と、制御部と、を備え、
前記ステージは、配向膜が表面に形成された基板を載置可能とし、
前記偏光光照射部は、光源部と、複数の偏光板を有し、
前記光源部は、光源光を出射し、
前記複数の偏光板は、ブリュースター型の偏光板であり、前記光源部から出射された光源光を前記複数の偏光板で順に反射させて形成した偏光光を、前記ステージ側に出射し、
前記制御部は、前記走査部にて前記偏光光照射部と前記ステージを相対的に移動させつつ、前記偏光光照射部から射出される偏光光を前記基板に照射する光配向処理を実行する。
さらに本発明に係る光配向照射装置において、
前記複数の偏光板は、透過するP波成分の波長帯域が異なる偏光特性を有する。
さらに本発明に係る光配向照射装置において、
前記偏向光照射部は、波長制限フィルタを有し、
前記複数の偏光板の偏光特性は、前記波長制限フィルタが透過する波長帯域内のP波成分を除去する。
また本発明に係る光配向照射方法において、
基板に対する偏光光の照射領域を走査することで光配向を行う光配向照射方法において、
光源部から光源光を出射させ、
前記光源部から出射された光源光を、ブリュースター型の複数の偏光板で順に反射させて形成した偏光光を前記基板に照射する。
本発明の光配向照射装置、光配向照射方法によれば、ブリュースター型の複数の偏光板で順に反射させて形成した偏光光を前記基板に照射することによって、ブリュースター型の偏光板で反射したS波成分を基板に照射することが可能である。したがって、基板に照射する偏光光を、基板の走査方向に対して傾斜させることが可能となり、優れた配向特性を基板に付与することが可能である。また、複数の偏光板で反射させることで、光路を屈曲させ、装置の小型化を図ることも可能となる。
さらに、本発明の光配向照射装置、光配向照射方法によれば、複数の偏光板の偏光特性を異ならせることで、基板に照射する偏光光(S波成分のみ)の波長帯域の拡大を図ることが可能となる。ブリュースター型の偏光板の偏光特性(波長帯域)は、光配向に必要な波長帯域よりも狭い場合がある。複数の偏光板の偏光特性を異ならせることで、基板に照射する偏光光の波長帯域の拡大を図り、偏光光を光配向に必要な波長帯域とすることが可能となる。
さらに、本発明の光配向照射装置、光配向照射方法によれば、波長制限フィルタを設けることで、基板Aに照射される偏光光中に、不要なP波成分が混入することが抑制される。したがって、P波成分の混入が抑制された質の高い偏光光によって光配向を行うことが可能となり、基板に優れた配向特性を付与することが可能となる。
光配向照射装置の上面図(第1実施形態) 光配向照射装置の上面図(第1実施形態、照射時) 光配向照射装置の側断面図(第1実施形態) 光源部の下面図、断面図(第1実施形態) 光配向照射装置の光路を示す断面図(第1実施形態) 偏光板による波長の変化を説明するための図(第1実施形態) 光配向照射装置の制御構成を示すブロック図(第1実施形態) 光配向照射装置の光配向処理を示すフロー図 光配向照射装置の光路を示す断面図(第2実施形態) ブリュースター偏光板を使用した従来の光配向を説明するための図
(第1実施形態)
本発明に係る光配向照射装置の第1実施形態について説明する。図1、図2は、第1実施形態について、光配向照射装置1の構成を示す上面図である。本実施形態の光配向照射装置1は、偏光光照射部2、ステージ11、走査部を主な構成要素として有する。偏光光照射部2は、基板Aの表面に形成された配向膜に対して、ステージ11側に形成された開口25fを通して、紫外線を照射することで、配向膜に配向特性を付与する手段である。図1に示されるように、本実施形態では、ステージ11の面(基板Aの面)をXY平面とし、XY平面に直交する軸をZ軸としている。そして、ステージ11の移動方向をY方向に設定している。
ステージ11には、露光対象となる基板Aが設置される。本実施形態では、基板Aの走査方向が、液晶表示装置としての利用時における縦方向または横方向となるように設置される。露光対象となる基板Aの表面には、ポリイミドなどの光反応性高分子からなる膜状の高分子からなる配向膜が形成されている。この配向膜上に偏光紫外線を照射して高分子膜を変性せしめ、図示されていない以降の工程で高分子膜上に液晶分子を塗布すると、液晶分子が高分子膜から作用を受け特定の方向に整列(配向)する。本来は、この配向特性が付与された高分子膜を配向膜と称するが、一般に配向特性を付与する以前の高分子膜も配向膜と称しており、本明細書においても配向特性を付与する以前の高分子膜も含めて配向膜と称する。
走査部は、紫外線を照射する偏光光照射部2とステージ11を相対的に移動させる手段である。本実施形態では、基台19に対して偏光光照射部2は固定されており、走査部は、基台19に対してステージ11をY軸方向に移動させる。ステージ11は、2本のLMレール14a、14b上を移動するLMブロック15a〜15d上に固定されている。本実施形態では、ステージ11を移動させる走査部として、ボールネジ16を使用している。ボールネジ16は、ステージ11の下方に設けられた受け部に貫通して設けられている。ボールネジ16は、一端が軸受け18で、他端がボールネジ駆動部17で軸支されており、ボールネジ駆動部17の回転制御にて、ステージ11をY軸方向に移動させる。
本実施形態の走査部は、偏光光照射部2とステージ11を相対的に移動させるため、偏光光照射部2を固定し、ステージ11を移動させる形態としているが、偏光光照射部2を移動させる、あるいは、偏光光照射部2とステージ11を両方移動させる形態としてもよい。また、走査部には、ボールネジ16を採用しているが、ステージ11あるいは偏光光照射部2を移動させる手段には、各種形態を採用することが考えられる。例えば、リニアモータを採用することが考えられる。リニアモータは、駆動時に振動の発生が少ないとともに、位置決めの精度が高いため、本発明における走査部に採用することが好適である。
図1に示す状態から、偏光光照射部2にて紫外線(偏光光)を照射しつつ、ステージ11を移動させることで、ステージ11上に載置された基板Aに対する光配向処理が実行される。ステージ11の移動は、ボールネジ駆動部17でボールネジ16を回転させることで行われる。図2には、基板Aが開口25fに対向する位置を通過する様子が示されている。開口25fからは紫外線が射出され、開口25fの下方を通過する基板Aの表面に照射される。このように基板Aに紫外線を照射する光配向処理を行うことで、基板Aの表面に形成されている配向膜に配向特性を付与することが可能となる。
図3は、光配向照射装置1についてYZ平面内での側断面図を示した図である。特に、偏光光照射部2の内部構成について説明するための図である。偏光光照射部2は、照射部筐体21、光源部22、第1偏光板24a〜第4偏光板24d、遮蔽部材23を有して構成されている。照射部筐体21の内部には、複数の隔壁を有している。隔壁には、光源部22から出射した紫外線を通過させるための開口25a〜25fが設けられている。本実施形態では、光源部22から出射した紫外線が、第1偏光板24a、第2偏光板24b、第3偏光板24c、第4偏光板24dの順で反射した後、開口25fから出射し、基板Aに照射される。
遮蔽部材23は、Y軸方向に移動可能な板状の部材である。図3の状態は開口25cを開放した状態であるが、遮蔽部材23をY軸負の方向に移動させることで、開口25cを閉鎖する。偏光光照射部2による紫外線照射が不要な場合、遮蔽部材23を移動させ、開口25cを遮蔽する。光源部22を点灯開始した場合、紫外線の照度が安定化するのには数十分の時間が必要となる場合がある。本実施形態では、紫外線照射が一時的に不要な場合、遮蔽部材23で開口25cを遮蔽しておくことで、紫外線照射を中断するとともに、紫外線照射が必要なときに開口25cを開放することで、偏光光照射部2による紫外線照射を迅速に復旧させることが可能となる。また、遮蔽部材23で開口25cを閉鎖しておくことで、不要な時間に紫外線を照射させることなく、装置の構成部品を紫外線による劣化から保護することも可能となる。
図4は、第1実施形態(第2実施形態でも使用可能)で使用する光源部22の下面図、断面図である。本実施形態の光源部22は、複数のショートアークランプ221を備えて構成されている。従来の光配向照射装置では、大面積の基板Aを均一に配向させるため、ロングアークランプのような大型の光源が使用されることが一般的である。ロングアークランプは、大きい基板Aに対応できる長い光源を形成することが困難であり、また、高価になりがちである。また、このような大型の光源は、発熱量が多いため、水冷で対応する必要があり、システム構成が大がかりとなっていた。本実施形態では、紫外線の光源にショートアークランプ221を使用することで、取り扱いが容易になると共に、冷却も空冷で対応できるためシステム構成を容易なものとしている。
図4(A)は、光源部22を下方(Z軸負の方向)から眺めた下面図であり、図4(B)は、図4(A)に示す下面図に記載するD−D間の断面図である。本実施形態の光源部22は、ショートアークランプ221が複数配列されたランプ列222a〜222cを備えて構成されている。このようにショートアークランプ221をX軸方向、すなわち、基板Aの幅方向にわたって複数配列することで、非常に長い紫外線光源を形成することが可能となる。したがって、幅の大きな基板Aに対してもランプ列222a〜222c中のショートアークランプ221の数を増やすことで対応可能となる。
なお、本実施形態のショートアークランプ221には、出射された紫外線の波長を制限する波長制限フィルタ221aが設けられている。波長制限フィルタ221aは、ショートアークランプ221のレンズ面のコーティング等によって構成することが可能である。波長制限フィルタ221aは、上限と下限を有する通過波長帯域を有するものが使用される。本実施形態では、上限波長を420[nm]、下限波長を300[nm]に設定している。このように波長制限フィルタ221aを設けることで、基板Aに照射される紫外線に第1偏光板24a〜第4偏光板24dの有効波長外の不要なP波成分が混入することが抑制される。本実施形態では、各ショートアークランプ221が波長制限フィルタ221aを有する構成としたが、この波長制限フィルタ221aは、基板Aに照射されるまでの紫外線の光路中、適宜箇所に設けることとしてもよい。
なお、波長制限フィルタ221aの下限波長は、240[nm]とすることが好ましい。ショートアークランプ221における40nm以下の波長は大気中の酸素を分解し、オゾンを発生させる。オゾンは、物質を酸化させる効果が強く、装置を構成する部品のみならず人体にも影響を及ぼす可能性がある。したがって、使用するショートアークランプ221について、240nm以下の波長帯を出射しない構成とすることで、オゾンの発生を抑えた構成とすることが可能となる。
また、本実施形態では、複数のランプ列222a〜222cが設けられている。このような構成により、各ランプ列222a〜222c内でのショートアークランプ221間で発生するX軸方向の照度のばらつきを緩和することが可能となる。特に、図4(A)に示すように、隣接するランプ列222a〜222c間でショートアークランプ221の中心位置を異ならせる(ずらす)ことで、ショートアークランプ221の隣接部付近で生じる照度のばらつきの緩和が図られる。
本実施形態では、各ランプ列222a〜222cの照射中心軸223a〜223cが交点Mpで交わるように各ランプ列222a〜222cを傾斜して配置している。このような構成により、各ランプ列222a〜222cから出射された紫外線は、基板A上における照射領域が重畳され、基板A上における偏光光の照射強度の増加が図られる。また、本実施形態では、光源部22から出射された紫外線は、第1偏光板24a〜第4偏光板24dで反射され、所望の周波数帯域における偏光紫外線に変換されることとなるが、このように紫外線が光路を経るに連れて集束することで、照射部筐体21の小型化を図ることも可能となる。
では、このような偏光光照射部2について、光源部22から出射された紫外線が、基板Aに照射されるまでの光路について説明する。図5は、偏光光照射部2の光路を示す断面図である。光源部22から出射された紫外線は、開口25aから照射部筐体21内に入射する。照射部筐体21に入射した紫外線は、開口25b、25cを通過して、第1偏光板24aに入射する。本実施形態の第1偏光板24a〜第4偏光板24dは、ブリュースター型の偏光板を使用している。したがって、各第1偏光板24a〜第4偏光板24dは、照射部筐体21中において、定められたブリュースター角度で紫外線が入射するように配置されている。ブリュースター型の偏光板は、その有効波長帯域において、P波を透過させ、S波を反射させる偏光特性を有する。各第1偏光板24a〜第4偏光板24dは、偏光特性(有効波長帯域)が異なるものを使用している。ブリュースター型の偏光板の有効波長帯域は、光配向処理に必要な有効波長帯域よりも小さい。本実施形態では、有効波長帯域の異なる複数の偏光板を使用することで、光配向処理に必要なS波の有効波長帯域を稼いでいる。
図6には、第1偏光板24a〜第4偏光板24dによる波長の変化を説明するための図が示されている。図6(A)は、光源部22から出射した光源光を示したものである。横軸は波長であり、縦軸は光の強度(照度)を示している。光源光は、S波成分(S0)とP波成分(P0)を含んで構成される。図6では、S波成分を実線で、P波成分を破線で示している。実際にはS波成分(実線)とP波成分(破線)が重畳する箇所について、図では分かりやすいように、僅かにずらして記載している。図6(A)に示される光源光は、波長制限フィルタ221aにより、上限波長が420[nm]に、下限波長が300[nm]に制限された波長帯域を有して構成されている。この波長帯域内に同強度のS波成分(S0)とP波成分(P0)を含んでいる。
第1偏光板24aの有効波長帯域W1は、上限波長が340[nm]、下限波長が300[nm]の有効波長帯域を有する。したがって、図6(B)に示されるように、第1偏光板24aで反射された紫外線は、有効波長帯域W1におけるP波成分がカットされる。第1偏光板24aで反射した紫外線は、第2偏光板24bに定められているブリュースター角度で第2偏光板24bに入射する。第2偏光板24bの有効波長帯域W2は、上限波長が380[nm]、下限波長が340[nm]の有効波長帯域を有する。したがって、図6(C)に示されるように、第2偏光板24bで反射された紫外線は、有効波長帯域W2におけるP波成分がカットされる。
第2偏光板24bで反射した紫外線は、開口25dを通過し、第3偏光板24cに定められているブリュースター角度で第3偏光板24cに入射する。第3偏光板24cの有効波長帯域W3は、上限波長が420[nm]、下限波長が380[nm]の有効波長帯域を有する。したがって、図6(D)に示されるように、第3偏光板24cで反射された紫外線は、有効波長帯域W3におけるP波成分がカットされる。第3偏光板24cで反射した紫外線は、第4偏光板24dに入射する。第4偏光板24dの有効波長帯域W4は、上限波長が420[nm]、下限波長が380[nm]の有効波長帯域を有する。したがって、図6(E)に示されるように、第4偏光板24dで反射された紫外線は、有効波長帯域W4におけるP波成分がカットされる。
このように第1偏光板24a〜第4偏光板24dで反射させることで、光源部22から出射され、開口25fから出射されるまでの光路を屈曲させることで、偏光光照射部2に必要な高さHを抑えることが可能となっている。光配向照射装置1が設置される現場は、天井が低く、背の高い装置を設置できない場合がある。本実施形態の光配向照射装置1は、高さHを抑えることで、天井の低い現場にも設置することが可能である。また、照射部筐体21中、各第1偏光板24a〜第4偏光板24dを透過した光(P波成分)は、基板Aに照射する紫外線の光路に混入しないように隔壁で遮断することが、優れた配向特性を実現する上で好ましい。
第4偏光板24dで反射した紫外線は、開口25fから出射され、基板Aに照射される。基板Aに照射される紫外線は、図6(E)に示されるように、第1偏光板24a〜第4偏光板24dでの反射によって、P波成分(P4)が除去され、光配向処理に必要なS波成分(S4)のみとなる。このように本実施形態では、ブリュースター型の偏光板にて紫外線を偏光する光配向照射装置1において、S波成分の配向光にて基板Aを配向させることが可能である。P波成分を使用した形態と異なり、S波成分は、走査方向に対して角度を有するため、基板Aに対して優れた配向特性を付与することが可能となる。
図7は、光配向照射装置1の制御構成が示されている。制御構成としては、光配向照射装置1を統括して制御する制御部81を有している。制御部81は、所謂コンピュータを利用して構成することが可能であり、CPU、RAM、ROM、ハードディスク等の記憶部を備えている。記憶部には、各種処理を実行するためのプログラムや、情報(データ)が記憶される。制御部81には、ユーザーに対して各種情報を表示するための表示部83、ユーザーから各種情報、指示を入力するための入力部84が接続されている。表示部83と入力部84は、タッチパネル画面として構成することとしてもよい。制御部81の制御対象としては、ボールネジ駆動部17によるボールネジ16の回転制御、光源部22の点灯制御、遮蔽部材23の開閉制御を行うことが可能である。
このような光配向照射装置1の制御構成に基づき、基板Aの配向膜に対する光配向処理が実行される。図8には、光配向処理のフロー図が示されている。光配向処理が開始すると、制御部81は、遮蔽部材23を閉状態に変更し、開口25cを塞ぐことで、照射部筐体21から紫外線が出射されない状態にする(S101)。そして、光源部22を点灯する(S102)。光源部22にはショートアークランプ221を使用しているが、紫外線の照度が安定化するには時間がかかることがある。本実施形態では、光源部22の照度が安定するのを待ってから、基板Aに紫外線を照射することとしている。
光源部22が照射可能状態となった、すなわち、出射する紫外線の照度が安定したと判断された場合(S103:Yes)、制御部81は、遮蔽部材23を開状態に変更し、開口25fからステージ11側に紫外線を照射開始する(S104)。そして、走査手段により、基板Aに対する紫外線の照射領域を走査させる(S105)。本実施形態では、ボールネジ駆動部17によってボールネジ16を回転駆動することで、ステージ11をY軸方向に移動させ、照射領域の走査を行うこととしている。基板Aに対する照射領域の走査が完了した場合(S106:Yes)、制御部81は、走査手段を停止(S107)させ、遮蔽部材を閉状態に変更(S108)して、光配向処理を終了する。
(第2実施形態)
図3に示されるように第1実施形態では、照射部筐体21上に光源部22を配置する構成としているが、本発明は、偏光板によって光路を屈曲させるため、光源部22のは、必ずしも照射部筐体21の上方に配置する必要は無く、その配置を自由に選択することが可能である。図9は、第2実施形態について、光配向照射装置の構成、及び、光路を示した断面図である。本実施形態は、照射部筐体21の側面に光源部22を配置した構成となっている。したがって、第2実施形態の偏光光照射部2は、光源部22の高さを必要とせず、第1実施形態の偏光光照射部2よりも低い高さH’を実現している。
また、第2実施形態の偏光光照射部2は、第1実施形態の偏光光照射部2を90度傾けた配置となっている。第1偏光板24a〜第4偏光板24dは、ブリュースター角度を満たすように照射部筐体21内に設置する必要がある。第1実施形態の傾斜角度(XY平面と各第1偏光板24a〜第4偏光板24dが形成する角度)は、45度以上となっている。一方、第2実施形態では、偏光光照射部2が90度傾いた配置となるため、第1偏光板24a〜第4偏光板24dの傾斜角度は45度以下となっている。したがって、第1実施形態よりも各第1偏光板24a〜第4偏光板24dについて、Z軸方向の高さを抑え、低い偏光光照射部2の高さH’を実現している。
1…光配向照射装置 221…ショートアークランプ
2…偏光光照射部 221a…波長制限フィルタ
11…ステージ 222a〜222c…ランプ列
12…回転部 223a〜222c…照射中心
14a、14b…LMレール 23…遮蔽部材
15c、15d…LMブロック 24a…第1偏光板
16…ボールネジ 24b…第2偏光板
17…ボールネジ駆動部 24c…第3偏光板
18…軸受 24d…第4偏光板
19…基台 25a〜25f…開口
21…照射部筐体 A…基板
22…光源部

Claims (4)

  1. ステージと、偏光光照射部と、走査部と、制御部と、を備え、
    前記ステージは、配向膜が表面に形成された基板を載置可能とし、
    前記偏光光照射部は、光源部と、複数の偏光板を有し、
    前記光源部は、光源光を出射し、
    前記複数の偏光板は、ブリュースター型の偏光板であり、前記光源部から出射された光源光を前記複数の偏光板で順に反射させて形成した偏光光を、前記ステージ側に出射し、
    前記制御部は、前記走査部にて前記偏光光照射部と前記ステージを相対的に移動させつつ、前記偏光光照射部から射出される偏光光を前記基板に照射する光配向処理を実行する
    光配向照射装置。
  2. 前記複数の偏光板は、透過するP波成分の波長帯域が異なる偏光特性を有する
    請求項1に記載の光配向照射装置。
  3. 前記偏向光照射部は、波長制限フィルタを有し、
    前記複数の偏光板の偏光特性は、前記波長制限フィルタが透過する波長帯域内のP波成分を除去する
    請求項2に記載の光配向照射装置。
  4. 基板に対する偏光光の照射領域を走査することで光配向を行う光配向照射方法において、
    光源部から光源光を出射させ、
    前記光源部から出射された光源光を、ブリュースター型の複数の偏光板で順に反射させて形成した偏光光を前記基板に照射する
    光配向照射方法。
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