JP2016024013A - 半導体マイクロ分析チップ - Google Patents
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Abstract
Description
図1及び図2は、第1の実施形態に係わる半導体マイクロ分析チップの概略構成を説明するためのもので、図1は斜視図、図2は図1の矢視A−A’断面図である。
図5及び図6は、第2の実施形態に係わる半導体マイクロ分析チップの概略構成を説明するためのもので、図5は斜視図、図6(a)は図5のB−B’断面図、図6(b)は図5のC−C’断面図である。なお、図1及び図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
次いで、図7(b)に示すように、Si基板10の表面に熱酸化によるSiO2 膜11aを形成する。これにより、流路の隔壁25は、第1の実施形態と同様にSiO2 フェンスとなる。
図9及び図10は、第3の実施形態に係わる半導体マイクロ分析チップの概略構成を説明するためのもので、図9は斜視図、図10は図9のD−D’断面図である。なお、図1及び図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図11及び図12は、第4の実施形態に係わる半導体マイクロ分析チップの概略構成を説明するためのもので、図11は斜視図、図12は図11のE−E’断面図である。なお、図1及び図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図15は、第5の実施形態に係わる半導体マイクロ分析チップの概略構成を示す斜視図である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図16及び図17は、第6の実施形態に係わる半導体マイクロ分析チップの概略構成を説明するためのもので、図16は斜視図、図17は図16のF−F’断面図である。なお、図1及び図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図20は、第7の実施形態に係わる半導体マイクロ分析チップの概略構成を説明するためのものであり、(a)は同実施形態のマイクロ分析チップの平面図、(b)は(a)のG−G’断面図である。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
基板の表面部を選択的にエッチングすることにより、検体液が流入可能な基板掘り込み型の第1の流路と、前記検体液の導入又は排出のための基板掘り込み型のリザーバと、を形成する工程と、
前記第1の流路の一部に、前記検体液中の微粒子を通過させるための微細孔を形成する工程と、
前記第1の流路の一部又は前記リザーバの一部に、底面と側壁面との成す角を鈍角にするための側壁テーパ面を形成する工程と、
前記第1の流路の一部又は前記リザーバの一部に、前記底面から前記基板の表面に渡り前記側壁テーパ面を通る第1の電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体マイクロ分析チップの製造方法。
11a…SiO2 膜
11b,11c…キャップ層
11d…スペーサ層
12,17…犠牲層
21…第1の流路
22…第2の流路
24…テーパ
25…隔壁
30…微細孔
35…溝
31…第1の電極
32…第2の電極
31a,32a…電極部分
31b,32b…引き出し部分
41a,41b,42a,42b…リザーバ
50…ピラーアレイ
Claims (18)
- 基板の表面部に設けられ、検体液が流入可能な基板掘り込み型の第1の流路と、
前記第1の流路の一部に設けられ、前記検体液中の微粒子を通過させるための微細孔と、
前記第1の流路の少なくとも一方の端部に設けられ、前記検体液の導入又は排出のための基板掘り込み型のリザーバと、
前記第1の流路又は前記リザーバの一部に設けられた第1の電極と、
を具備し、
前記第1の電極は、前記第1の流路又は前記リザーバの底面から前記基板の表面に渡って設けられ、前記第1の電極が設けられる領域で、前記底面から前記表面に至る領域に前記第1の電極の高さ方向の曲がりを小さくするテーパ面を有することを特徴とする半導体マイクロ分析チップ。 - 前記第1の電極が設けられる領域で、前記第1の流路又は前記リザーバの底面と側壁面との成す角が鈍角になっていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体マイクロ分析チップ。
- 前記第1の電極は、前記第1の流路の前記微細孔の近傍に設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体マイクロ分析チップ。
- 前記第1の電極を設ける部分に、前記第1の流路と同じ深さの掘り込み底面を有する溝が形成され、
前記第1の電極は、前記微細孔近傍の前記流路の底面から前記溝の底面に延在して形成された電極部分と、前記電極部分の上面に接続され、前記基板の表面に引き出された引き出し部分とを有し、
前記第1の電極が設けられる領域で、前記溝の底面と側壁面との成す角が鈍角になっていることを特徴とする、請求項3に記載の半導体マイクロ分析チップ。 - 前記基板の表面部に一部が前記第1の流路に近接して設けられ、前記検体液又は電解液が流入可能な基板掘り込み型の第2の流路を更に有し、前記微細孔は前記第1及び第2の流路の近接部に設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体マイクロ分析チップ。
- 前記第2の流路の一部に第2の電極を更に有し、
前記第2の電極は、前記第2の流路の底面から前記基板の表面に渡って設けられ、前記第2の電極が設けられる領域で、前記底面から前記表面に至る領域に前記第2の電極の高さ方向の曲がりを小さくするテーパ面を有することを特徴とする、請求項5に記載の半導体マイクロ分析チップ。 - 前記第2の電極が設けられる領域で、前記第2の流路の底面と側壁面との成す角が鈍角になっていることを特徴とする、請求項6に記載の半導体マイクロ分析チップ。
- 前記基板の表面部に一部が前記第1の流路と交差するように設けられ、前記検体液又は電解液が流入可能な絶縁膜トンネル型の第2の流路を更に有し、
前記微細孔は、前記第1及び第2の流路の交差部に設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体マイクロ分析チップ。 - 前記第2の流路の一部に第2の電極を更に有し、
前記第2の電極は、前記第2の流路の内壁上面から前記基板の表面に渡って設けられ、前記第2の電極が設けられる領域で、前記第2の流路の内壁上面と側壁面との成す角が鈍角になっていることを特徴とする、請求項8に記載の半導体マイクロ分析チップ。 - 前記第1の流路の内部に、該流路の底面から上面に延在する複数の柱状体を有することを特徴とする、請求項1に記載の半導体マイクロ分析チップ。
- 基板の表面部に設けられ、検体液が流入可能な基板掘り込み型の第1の流路と、
前記基板の表面部に一部が前記第1の流路に近接又は交差して設けられ、検体液又は電解液が流入可能な第2の流路と、
前記第1の流路と前記第2の流路との近接又は交差部に設けられ、前記検体液中の微粒子を通過させるための微細孔と、
前記第1の流路の両端にそれぞれ設けられ、前記検体液の導入及び排出のための基板掘り込み型の第1のリザーバと、
前記第2の流路の両端にそれぞれ設けられ、前記検体液又は電解液の導入及び排出のための基板掘り込み型の第2のリザーバと、
前記第1の流路の一部又は前記第1のリザーバの一部に設けられた第1の電極と、
前記第2の流路の一部又は前記第2のリザーバの一部に設けられた第2の電極と、
を具備し、
前記第1の電極は、前記第1の流路又は前記第1のリザーバの底面から前記基板の表面に渡って設けられ、前記第1の電極が設けられる領域で、前記の底面から表面に至る領域に前記第1の電極の高さ方向の曲がりを小さくするテーパ面を有することを特徴とする半導体マイクロ分析チップ。 - 前記第2の流路は、一部が前記第1の流路に近接して設けられた基板掘り込み型の流路であり、
前記第2の電極は、前記第2の流路又は前記第2のリザーバの底面から前記基板の表面に渡って設けられ、前記第2の電極が設けられる領域で、前記第2の流路又は前記第2のリザーバの底面から前記基板の表面に至る領域に前記第2の電極の高さ方向の曲がりを小さくするテーパ面を有することを特徴とする、請求項11に記載の半導体マイクロ分析チップ。 - 前記第1の電極が設けられる領域で、前記第1の流路又は前記第1のリザーバの底面と側壁面との成す角が鈍角になっており、
前記第2の電極が設けられる領域で、前記第2の流路又は前記第2のリザーバの底面と側壁面との成す角が鈍角になっていることを特徴とする、請求項12に記載の半導体マイクロ分析チップ。 - 前記第2の流路は、一部が前記第1の流路に交差して設けられた絶縁膜トンネル型の流路であり、
前記第2の電極は、前記第2の流路の内壁上面から前記基板の表面に渡って設けられ、前記第2の電極が設けられる領域で、前記第2の流路の内壁上面と側壁面との成す角が鈍角になっていることを特徴とする、請求項11に記載の半導体マイクロ分析チップ。 - 前記第2の流路は、断面が下辺側よりも上辺側が短い台形状であることを特徴とする、請求項14に記載の半導体マイクロ分析チップ。
- 前記第1及び第2の電極は、前記微細孔の近傍に設けられていることを特徴とする、請求項11乃至15の何れかに記載の半導体マイクロ分析チップ。
- 前記第1の電極を設ける部分に、前記第1の流路と同じ深さの掘り込み底面を有する溝が形成され、
前記第1の電極は、前記微細孔近傍の前記流路の底面から前記溝の底面に延在して形成された電極部分と、前記電極部分の上面に接続され、前記溝を介して前記基板の表面に引き出された引き出し部分とを有し、
前記第1の電極が設けられる領域で、前記溝の底面と側壁面との成す角が鈍角になっていることを特徴とする、請求項11に記載の半導体マイクロ分析チップ。 - 前記第1の電極は、前記検体液の導入側の前記第1のリザーバの底面から前記基板の表面に渡って形成され、
前記第2の電極は、前記検体液又は電解液の導入側の前記第2のリザーバの底面から前記基板の表面に渡って形成されていることを特徴とする、請求項11に記載の半導体マイクロ分析チップ。
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Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
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WO2021166629A1 (ja) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | Nok株式会社 | 粒子解析装置 |
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KR102143185B1 (ko) * | 2019-05-30 | 2020-08-10 | 서울대학교산학협력단 | 이온 다이오드 |
WO2021038977A1 (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | Nok株式会社 | 粒子解析装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002277380A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Horiba Ltd | マイクロ血球カウンタ |
JP2005539222A (ja) * | 2002-09-12 | 2005-12-22 | インテル・コーポレーション | リアルタイム(生)化学分子検出用の統合多孔質基材/センサ内蔵微量流体装置 |
JP2008039541A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | National Institute For Materials Science | マイクロ流路チップ及びそれを用いた生体高分子の処理方法 |
JP2008216038A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化学物質検出センサ |
US20120298511A1 (en) * | 2009-12-02 | 2012-11-29 | Takatoki Yamamoto | Channel device and sample treatment apparatus including the same |
WO2013076943A1 (ja) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | パナソニック株式会社 | 生体分子の1分子検出方法および1分子検出装置、疾病マーカ検査装置 |
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---|---|---|---|---|
US5132745A (en) | 1990-10-05 | 1992-07-21 | General Electric Company | Thin film transistor having an improved gate structure and gate coverage by the gate dielectric |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002277380A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Horiba Ltd | マイクロ血球カウンタ |
JP2005539222A (ja) * | 2002-09-12 | 2005-12-22 | インテル・コーポレーション | リアルタイム(生)化学分子検出用の統合多孔質基材/センサ内蔵微量流体装置 |
JP2008039541A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | National Institute For Materials Science | マイクロ流路チップ及びそれを用いた生体高分子の処理方法 |
JP2008216038A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化学物質検出センサ |
US20120298511A1 (en) * | 2009-12-02 | 2012-11-29 | Takatoki Yamamoto | Channel device and sample treatment apparatus including the same |
WO2013076943A1 (ja) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | パナソニック株式会社 | 生体分子の1分子検出方法および1分子検出装置、疾病マーカ検査装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9770714B2 (en) | 2015-02-09 | 2017-09-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Analysis package for detecting particles in a sample liquid, and including shield layers |
US9885680B2 (en) | 2015-02-09 | 2018-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Analysis package for detecting particles in a sample liquid including an analysis chip mounted on a package board |
US9895691B2 (en) | 2015-02-09 | 2018-02-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Analysis package for detecting particles in a sample liquid |
WO2021166629A1 (ja) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | Nok株式会社 | 粒子解析装置 |
WO2022070669A1 (ja) * | 2020-09-29 | 2022-04-07 | Nok株式会社 | 粒子解析装置およびその製造方法 |
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