JP2016009943A - ダイオードスイッチ回路 - Google Patents

Abstract

【課題】高電圧の高周波信号を安定的に切替えることが可能なダイオードスイッチ回路を比較的安価に提供する。【解決手段】端子部Ｆ１ＩＮ側のダイオードＤ１ＣがＯＮ状態の時、端子部Ｆ１ＩＮ側に供給される高周波信号が整流回路ＲＣ１を介して整流されて、他のダイオードＤ１Ｄの逆バイアス電圧として印加されるため、他のダイオードＤ１Ｄは確実にＯＦＦされる。また、他の端子部Ｆ２ＩＮ側のダイオードＤ１ＤがＯＮ状態の時、他の端子部Ｆ２ＩＮ側に供給される高周波信号が整流回路ＲＣ２を介して整流され、その出力がダイオードＤ１Ｃの逆バイアス電圧として印加されるため、ダイオードＤ１Ｃは確実にＯＦＦされる。これによって、一のダイオードＤ１Ｃと他のダイオードＤ１Ｄは同期した安定動作が可能になる。【選択図】図１

Description

本発明は、信号を切替えて出力するダイオードスイッチ回路、特に高電圧で高周波の信号切替に適したダイオードスイッチ回路に関する。

一般に、この種のダイオードスイッチ回路は、生体刺激装置等の医療機器の他に各種分野にも使用されている。これは図４に示すように、高周波信号の通過経路を、高周波信号の入力端子となる端子部Ｆ１ＩＮと高周波信号の出力端子となる共通端子部ＦＯＵＴとの間と、他の高周波信号の入力端子となる他の端子部Ｆ２ＩＮと前記共通端子ＦＯＵＴとの間の何れかに切替えるために、スイッチ素子としてのダイオードＤ１Ａ，Ｄ１Ｂを備えている。

各ダイオードＤ１Ａ，Ｄ１Ｂのアノード側と各端子部Ｆ１ＩＮ，Ｆ２ＩＮ間にはコンデンサＣ１Ａ，Ｃ１Ｂがそれぞれ挿入接続され、各ダイオードＤ１Ａ，Ｄ１Ｂのカソード側と共通端子部ＦＯＵＴ間にはコンデンサＣ２Ａ，Ｃ２Ｂが挿入接続されている。

前記ダイオードＤ１Ａのアノード側には、正の動作電圧ＶＣＣ１とアースとの間に抵抗Ｒ１Ａと抵抗Ｒ２Ａとの直列回路が設けられ、前記抵抗Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａの接続点が前記ダイオードＤ１Ａのアノードに接続されている。同様に前記ダイオードＤ１Ｂのアノード側には、動作電圧ＶＣＣ１とアースとの間に抵抗Ｒ１Ｂと抵抗Ｒ２Ｂとの直列回路が設けられ、前記抵抗Ｒ１Ｂ，Ｒ２Ｂの接続点が前記ダイオードＤ１Ｂのアノードに接続されている。

前記ダイオードＤ１Ａのカソード側には、動作電圧ＶＣＣ１とアースとの間に抵抗Ｒ３ＡとコイルＬ１ＡとトランジスタＱ１Ａとの直列回路が設けられ、前記抵抗Ｒ３Ａと前記コイルＬ１Ａの接続点が、前記ダイオードＤ１Ａのカソードに接続されている。前記トランジスタＱ１ＡのコレクタにはコイルＬ１Ａが、またエミッタにはアースがそれぞれ接続されている。同様に前記ダイオードＤ１Ｂのカソード側には、動作電圧ＶＣＣ１とアースとの間に抵抗Ｒ３ＢとコイルＬ１ＢとトランジスタＱ１Ｂとの直列回路が設けられ、前記抵抗Ｒ３Ｂと前記コイルＬ１Ｂの接続点が、前記ダイオードＤ１Ｂのカソードに接続されている。前記トランジスタＱ１ＢのコレクタにはコイルＬ１Ｂが、またエミッタにはアースがそれぞれ接続されている。

さらに、各ダイオードＤ１Ａ，Ｄ１ＢのＯＮ（オン）／ＯＦＦ（オフ）を制御するために、前記トランジスタＱ１ＡのベースにはＮＯＴ回路Ｎ１の出力側が接続され、前記ＮＯＴ回路Ｎ１の入力側は前記トランジスタＱ１Ｂのベースに接続されているとともに、制御信号の入力端子となる端子ＤＳＷに接続されている。

以上の回路構成において、前記コンデンサＣ１Ａ，Ｃ２Ａ，Ｃ１Ｂ，Ｃ２Ｂは高周波線路の直流成分カット用素子であり、前記端子Ｆ１ＩＮ，Ｆ２ＩＮと共通端子ＦＯＵＴとを高周波的に接続するためのものである。抵抗Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ１Ｂ，Ｒ２Ｂはダイオード順バイアス用素子、抵抗Ｒ３Ａ，Ｒ３Ｂはダイオード逆バイアス用素子となる。コイルＬ１Ａ，Ｌ１Ｂは、高周波成分漏れ防止用素子である。

図５は、図４に示すダイオードスイッチ回路の波形図であり、同図（Ａ）は端子Ｆ１ＩＮに供給される高周波信号、（Ｂ）は他の端子Ｆ２ＩＮに供給される高周波信号、（Ｃ）は端子ＤＳＷに供給される制御信号をそれぞれ示している。そして、制御信号がＬ（ロー）の時、ＮＯＴ回路Ｎ１の出力はＨ（ハイ）となり、トランジスタＱ１ＡはＯＮ状態となるため、前記ダイオードＤ１Ａのアノード側に抵抗Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａで分圧された電圧が順バイアスとして印加される。このためダイオードＤ１ＡはＯＮし、ダイオードＤ１Ａのアノード電圧を表す図５（Ｄ）や、ダイオードＤ１Ａのカソード電圧を表す図５（Ｅ）に示す様に、図５（Ａ）に示す高周波信号が流れ共通端子ＦＯＵＴに出力される。

一方、このときのトランジスタＱ１ＢはＯＦＦ状態であるため、ダイオードＤ１Ｂのアノードには図５（Ｆ）に示す抵抗Ｒ１Ｂ，Ｒ２Ｂで分圧された電圧が順バイアスとして印加されるとともに、カソードには抵抗Ｒ３Ａを介して同図（Ｇ）に示す逆バイアス電圧が印加され、ダイオードＤ１ＢはＯＦＦする。このため同図（Ｂ）に示す他の高周波信号は、共通端子ＦＯＵＴに出力されない。このようにして制御信号がＬの時は、端子Ｆ１Ｎと共通端子ＦＯＵＴが高周波的に接続される。

制御信号がＨの時は、逆にダイオードＱ１ＢがＯＮ、ダイオードＱ１ＡがＯＦＦになり、端子Ｆ２ＩＮと共通端子ＦＯＵＴが高周波的に接続される。

上述したダイオードスイッチ回路では、例えば制御信号がＬの期間中に、ＯＦＦ側のダイオードＤ１Ｂのカソード側には抵抗Ｒ３Ｂを通して、ほぼ動作電圧ＶＣＣ１に等しい逆バイアス電圧が印加され、アノード側には抵抗Ｒ１Ｂ，Ｒ２Ｂを介して順バイアス電圧が印加されるので、端子Ｆ２ＩＮからの高周波の電圧がその電圧差以内であればダイオードＤ１ＢのＯＦＦ状態が維持される。

したがって、端子Ｆ１ＩＮ，Ｆ２ＩＮに供給する高周波信号の電圧が高くなればなるほど高い正の動作電圧ＶＣＣ１が逆バイアスとして必要となり、またこの動作電圧ＶＣＣ１はダイオードＤ１Ａ，Ｄ１ＢのＯＮ時に流す電源も兼ねるので、電力的にも大きくなるという問題があった。また、ダイオードＯＦＦ時のアイソレーションを十分にとることができないという問題があった。

特開２００１−３２６５０２号公報

こうした問題に対して、上記特許文献１には、アノード側が端子部に接続され、カソード側がノードを介して共通端子部に接続されたＰＩＮダイオードと、前記ＰＩＮダイオードのアノード側に正のバイアス電圧を印加するバイアス部と、アノード側が前記端子部と異なる他の端子部に接続され、カソード側が前記ノードを介して前記共通端子に接続された他のＰＩＮダイオードと、前記他のＰＩＮダイオードのアノード側に負のバイアス電圧を印加する他のバイアス部と、前記ＰＩＮダイオードから流れるバイアス電流を制限する制限抵抗を有し、前記ノードに接続された直流リターン部を備え、前記正のバイアス電圧から前記ＰＩＮダイオードの順方向電圧降下分を除いた前記ノードにおける電圧と前記負のバイアス電圧との間の電位差を、オフバイアスとして他のＰＩＮダイオードに印加するように構成したダイオードスイッチ回路が提案されている。

上記の構成によればアイソレーションの低下を防止できるものの、負のバイアス電圧を用いる必要があり、また正負のバイアス電圧を切り替える必要があるため複雑な回路構成になるという問題がある。

そこで本発明は、高電圧の高周波信号を安定的に切替えることが可能なダイオードスイッチ回路を比較的安価に提供することを目的とする。

請求項１の発明では、高周波信号の通過経路を一の端子部と共通端子部との間と、他の端子部と前記共通端子との間とで切替えるダイオードスイッチ回路において、前記一の端子部側のダイオードのアノード側と前記他の端子部側のダイオードのカソード側とを整流回路を介して接続するとともに、前記他の端子部側のダイオードのアノード側と前記一の端子部側のダイオードのカソード側とを整流回路を介して接続したことにより構成される。

請求項２の発明では、前記ダイオードに順バイアス電圧及び逆バイアス電圧を供給するバイアス電源を備えたことにより構成される。

請求項１の発明では、前記一の端子部側のダイオードがＯＮ状態の時、前記端子部側に供給される高周波信号が前記整流回路を介して整流され、前記他のダイオードの逆バイアス電圧として印加されるため他のダイオードはＯＦＦされる。前記他の端子部側のダイオードがＯＮ状態の時、前記他の端子部側に供給される高周波信号が前記整流回路を介して整流され、前記一の端子部側のダイオードの逆バイアス電圧として印加されるためダイオードはＯＦＦされる。これによってダイオードと他のダイオードは同期した安定動作が可能になる。

また請求項１の発明では、高周波信号が高電圧になってもこの高電圧の高周波信号を逆バイアスとして使用するため逆バイアスも高い電圧になり、ダイオードＯＦＦ時のアイソレーションを十分にとることができ、安定した動作が可能である。

請求項２の発明では、バイアス電源からダイオードの順バイアス電圧及び逆バイアス電圧が供給される。

本発明におけるダイオードスイッチ回路の一例を示す回路図である。 図１の動作を示す波形図である。 他の実施例を示す回路図である。 従来のダイオードスイッチ回路の一例を示す回路図である。 図４の動作を示す波形図である。

以下、添付図面を参照して、本発明におけるダイオードスイッチ回路の好適な一実施形態について説明する。なお、従来技術で示した図４と同一箇所には同一符号を用いる。

ダイオードスイッチ回路の構成を示す図１において、ここでは高周波信号の通過経路を、高周波信号の入力端子となる端子部Ｆ１ＩＮと高周波信号の出力端子となる共通端子部ＦＯＵＴとの間と、他の高周波信号の入力端子となる他の端子部Ｆ２ＩＮと前記共通端子ＦＯＵＴとの間の何れかに切替えるために、スイッチ素子としてのダイオードＤ１Ｃ，Ｄ１Ｄを備えている。

各ダイオードＤ１Ｃ，Ｄ１Ｄのアノード側と各端子部Ｆ１ＩＮ，Ｆ２ＩＮ間にはコンデンサＣ１Ｃ，Ｃ１Ｄがそれぞれ挿入接続され、各ダイオードＤ１Ｃ，Ｄ１Ｄのカソード側と共通端子部ＦＯＵＴ間にはコンデンサＣ２Ｃ，Ｃ２Ｄが挿入接続されている。

前記ダイオードＤ１Ｃのアノード側には、正のバイアス電源となる固定した動作電圧ＶＣＣ２とアースとの間に抵抗Ｒ１Ｃと抵抗Ｒ２Ｃとの直列回路が設けられ、前記抵抗Ｒ１Ｃ，Ｒ２Ｃの接続点が前記ダイオードＤ１Ｃのアノードに接続されている。同様に前記ダイオードＤ１Ｄのアノード側には、動作電圧ＶＣＣ２とアースとの間に抵抗Ｒ１Ｄと抵抗Ｒ２Ｄとの直列回路が設けられ、前記抵抗Ｒ１Ｄ，Ｒ２Ｄの接続点が前記ダイオードＤ１Ｄのアノードに接続されている。

前記ダイオードＤ１Ｃのカソード側には、動作電圧ＶＣＣ２とアースとの間に抵抗Ｒ３ＣとコイルＬ１ＣとトランジスタＱ１Ｃとの直列回路が設けられ、前記抵抗Ｒ３Ｃと前記コイルＬ１Ｃの接続点が、前記ダイオードＤ１Ｃのカソードに接続されている。前記トランジスタＱ１ＣのコレクタにはコイルＬ１Ｃが接続され、またエミッタにはアースがそれぞれ接続されている。同様に前記ダイオードＤ１Ｄのカソード側には、動作電圧ＶＣＣ２とアースとの間に抵抗Ｒ３ＤとコイルＬ１ＤとトランジスタＱ１Ｄとの直列回路が設けられ、前記抵抗Ｒ３Ｄと前記コイルＬ１Ｄの接続点が、ダイオードＤ１Ｄのカソードに接続されている。前記トランジスタＱ１ＤのコレクタにはコイルＬ１Ｄが、またエミッタにはアースがそれぞれ接続されている。

さらに、各ダイオードＤ１Ｃ，Ｄ１ＤのＯＮ／ＯＦＦを制御するために、前記トランジスタＱ１ＣのベースにはＮＯＴ回路Ｎ２の出力側が接続され、前記ＮＯＴ回路Ｎ２の入力側は前記トランジスタＱ１Ｄのベースに接続されているとともに、制御信号の入力端子となる端子ＤＳＷに接続されている。

前記コンデンサＣ１Ｃ，Ｃ２Ｃ，Ｃ１Ｄ，Ｃ２Ｄは高周波線路の直流成分カット用素子であり、前記端子Ｆ１ＩＮ，Ｆ２ＩＮと共通端子ＦＯＵＴとを高周波的に接続するためのものである。抵抗Ｒ１Ｃ，Ｒ２Ｃ，Ｒ１Ｄ，Ｒ２ＤはダイオードＯＮ用素子、抵抗Ｒ３Ｃ，Ｒ３ＤはダイオードＯＦＦ用素子となる。コイルＬ１Ｃ，Ｌ１Ｄは、高周波成分漏れ防止用素子である。

以上の回路構成に、本実施形態では各ダイオードＤ１Ｃ，Ｄ１Ｄの逆バイアス電圧生成回路が付加される。具体的には、前記端子Ｆ１ＩＮと前記コンデンサＣ１Ｃとの間には後述する整流回路ＲＣ１が接続され、この整流回路ＲＣ１で整流された出力が、抵抗Ｒ４Ｄを介してダイオードＤ１Ｄのカソード側に逆バイアス電圧として印加されるようになっている。

前記整流回路ＲＣ１は、前記端子Ｆ１ＩＮと前記コンデンサＣ１Ｃとの接続点とアースとの間に、コンデンサＣ３ＣとダイオードＤ２Ｃとの直列回路が接続され、前記ダイオードＤ２Ｃのカソードは前記コンデンサＣ３Ｃに接続され、ダイオードＤ２Ｃのアノードはアースに接続されている。前記コンデンサＣ３Ｃと前記ダイオードＤ２Ｃの接続点と、前記他の端子Ｆ２ＩＮ側の前記ダイオードＤ１Ｄと前記コンデンサＣ２Ｄとの接続点との間には、ダイオードＤ３Ｃと抵抗Ｒ４Ｄとの直列回路が挿入接続されている。前記ダイオードＤ３Ｃと前記抵抗Ｒ４Ｄとの接続点とアースとの間には、コンデンサＣ４Ｃが接続されている。

同様に、前記他の端子Ｆ２ＩＮと前記コンデンサＣ１Ｄとの間には後述する整流回路ＲＣ２が接続され、この整流回路ＲＣ２で整流された出力が、抵抗Ｒ４Ｃを介して前記ダイオードＤ１Ｃのカソード側に逆バイアス電圧として印加されるようになっている。

前記整流回路ＲＣ２は、前記他の端子Ｆ２ＩＮと前記コンデンサＣ１Ｄとの接続点とアースとの間に、コンデンサＣ３ＤとダイオードＤ２Ｄとの直列回路が接続され、前記ダイオードＤ２Ｄのカソードは前記コンデンサＣ３Ｄに接続され、ダイオードＤ２Ｄのアノードはアースに接続されている。前記コンデンサＣ３Ｄと前記ダイオードＤ２Ｄの接続点と、前記端子Ｆ１ＩＮ側の前記ダイオードＤ１Ｃと前記コンデンサＣ２Ｃとの接続点との間には、ダイオードＤ３Ｄと抵抗Ｒ４Ｃの直列回路が挿入接続されている。前記ダイオードＤ３Ｄと前記抵抗Ｒ４Ｃとの接続点とアースとの間には、コンデンサＣ４Ｄが接続されている。

次に、上記構成のダイオードスイッチ回路について、その作用を図２に示す各部の波形図で説明する。なお、同図（Ａ）は端子Ｆ１ＩＮに供給される例えば１ＭＨｚの高周波信号、（Ｂ）は他の端子Ｆ２ＩＮに供給される例えば３ＭＨｚの高周波信号、（Ｃ）は端子ＤＳＷに供給される例えば１ｍｓ以内の高速切替可能な制御信号をそれぞれ示している。これらの高周波信号や制御信号は、生体刺激装置に組み込まれたＣＰＵなどの制御回路（図示せず）から、所定のタイミングで生成出力される。また、端子Ｆ１ＩＮまたは端子Ｆ２ＩＮのいずれか一方の高周波信号を刺激電流として出力する共通端子部ＦＯＵＴは、生体刺激装置の導子電極として、予め生体患部に装着される。

そして、制御信号がＬの時、ＮＯＴ回路Ｎ２の出力はＨとなり、トランジスタＱ１ＣはＯＮ状態となるため、ダイオードＤ１Ｃのアノード側には抵抗Ｒ１Ｃ，Ｒ２Ｃで分圧された電圧が順バイアスとして印加される。そのため、ダイオードＤ１ＣはＯＮし、ダイオードＤ１Ｃのアノード電圧を表す図２（Ｄ）や、ダイオードＤ１Ｃのカソード電圧を表す図２（Ｅ）に示す様に、図２（Ａ）に示す高周波信号が流れ共通端子ＦＯＵＴに出力される。

一方、このときのトランジスタＱ１ＤはＯＦＦ状態であるため、ダイオードＤ１Ｄのアノードには図２（Ｆ）に示す抵抗Ｒ１Ｄ，Ｒ２Ｄの分圧分が印加されるとともに、カソードには抵抗Ｒ３Ｄを介して同図（Ｇ）に示す逆バイアス電圧が印加される。さらに、ダイオードＤ１ＣのＯＮ動作によって流れた高周波信号が前記整流回路ＲＣ１で整流され、その出力が抵抗Ｒ４Ｄを介して逆バイアス電圧として印加される。これにより、ダイオードＤ１Ｄは確実にＯＦＦする。このため同図（Ｂ）に示す他の高周波信号は、共通端子ＦＯＵＴに出力されない。このようにして制御信号がＬの時は、端子Ｆ１Ｎと共通端子ＦＯＵＴが高周波的に接続される。

制御信号がＨの時は、逆にダイオードＤ１ＤがＯＮ、ダイオードＤ１ＣがＯＦＦになり、端子Ｆ２ＩＮと共通端子ＦＯＵＴが高周波的に接続される。この場合、ダイオードＤ１Ｃのカソードには抵抗Ｒ４Ｃを介して同図（Ｅ）に示す逆バイアス電圧が印加されるだけでなく、ダイオードＤ１ＤのＯＮ動作によって流れた高周波信号が前記整流回路ＲＣ２で整流され、その出力が逆バイアス電圧として印加されることにより、ダイオードＤ１Ｃは確実にＯＦＦする。このため、同図（Ａ）に示す高周波信号は、共通端子ＦＯＵＴに供給されない。

上述したダイオードスイッチ回路では、ＯＦＦ側のダイオードＤ１Ｄのカソードには抵抗Ｒ３Ｄを通してほぼＶＣＣ２に等しい電圧が印加され、アノードには抵抗Ｒ１Ｄ，Ｒ２Ｄで分圧された電圧が印加される。

上記のように本発明では、前記端子部Ｆ１ＩＮ側のダイオードＤ１ＣがＯＮ状態の時、前記端子部Ｆ１ＩＮ側に供給される高周波信号が前記整流回路ＲＣ１を介して整流され、その出力が前記他のダイオードＤ１Ｄの逆バイアス電圧として印加されるため、他のダイオードＤ１Ｄは確実にＯＦＦされる。前記他の端子部Ｆ２ＩＮ側のダイオードＤ１ＤがＯＮ状態の時、前記他の端子部Ｆ２ＩＮ側に供給される高周波信号が前記整流回路ＲＣ２を介して整流され、その出力が前記ダイオードＤ１Ｃの逆バイアス電圧として印加されるため、ダイオードＤ１Ｃは確実にＯＦＦされる。これによって、一のダイオードＤ１Ｃと他のダイオードＤ１Ｄは同期した安定動作が可能になる。

また本発明では、高周波信号が高電圧になってもこの高電圧の高周波信号が整流された高い逆バイアス電圧として使用される。このため逆バイアスも高い電圧になるため、ダイオードＤ１ＣやダイオードＤ１ＤのＯＦＦ時におけるアイソレーションを十分にとることができ、安定した動作が可能である。これにより、所望の逆バイアス電圧を得るために、スイッチングレギュレータのような大掛かりな回路をわざわざ組み込まなくても、高電圧の高周波信号を安定的に切替えることが可能なダイオードスイッチ回路を比較的安価に提供できる。またダイオードＤ１Ｃ，Ｄ１ＤのＯＦＦ動作が確実になり、安定した切替動作が可能になる。

また本発明では、ＯＮ側の通過経路の高周波信号を整流してＯＦＦ側のダイオードに逆バイアスとして印加するものであるため、電流はほとんど流れず、ここで消費される電力は僅かなものになる。

図３は本発明の他の実施形態であり、例えば５ＭＨｚの高周波信号の入力端子Ｆ３ＩＮを追加したものであり、高周波信号の入力端子の数は自由に選定できることを示している。この場合、前記入力端子Ｆ３ＩＮから共通端子ＦＯＵＴまでの回路構成は、他の入力端子Ｆ２ＩＮから共通端子ＦＯＵＴまでの回路構成と基本的に同じであり、ＮＯＴ回路Ｎ２は使用せず、入力端子ＤＳＷ１〜３にはそれぞれＨレベルの制御信号が選択的に供給されるようになっている。またコンデンサＣ２Ｅは前記共通端子ＦＯＵＴに接続され、ダイオードＤ３ＥとコンデンサＣ４Ｅの接続点は前記ダイオードＤ３ＤとコンデンサＣ４Ｄの接続点に接続され、抵抗Ｒ４Ｅは前記ダイオードＤ３Ｃと抵抗Ｒ４Ｄの接続点に接続されている。

そして、Ｆ１ＩＮから供給される高周波信号が、入力端子Ｆ２ＩＮの高周波信号または入力信号Ｆ３ＩＮの高周波信号と組み合わされて、共通信号ＦＯＵＴから出力される。この組合せの切替は入力端子ＤＳＷ１〜３からの制御信号によって制御される。例えばＤＳＷ１に図２（Ｃ）に示す制御信号が供給され、ＤＳＷ３に図２（Ｃ）と逆の信号が供給され、ＤＳＷ２に制御信号が供給されない時、１ＭＨｚと５ＭＨｚの組合せの高周波信号が共通端子ＦＯＵＴから出力される。この場合においてもダイオードＤ１ＣのＯＮにより入力端子Ｆ１ＩＮから供給された高周波信号は整流回路ＳＲ１を介して逆バイアス電圧がダイオードＤ１Ｅに印加され、ダイオードＤ１ＥのＯＮにより入力端子Ｆ３ＩＮから供給された高周波信号は整流回路ＳＲ３を介して逆バイアス電圧がダイオードＤ１Ｃに印加される。これによって、本実施形態によっても上記実施形態と同様な効果を有する。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えばダイオードの種類は適宜選定すればよく、また高周波信号を整流する回路構成も適宜選定することが可能である。また本発明は、ダイオードのＯＮ，ＯＦＦで高周波信号を切り替える各種のダイオードスイッチング回路に適用できる。

Ｆ１ＩＮ 一の端子部
Ｆ２ＩＮ 他の端子部
Ｆ３ＩＮ 他の端子部
ＦＯＵＴ 共通端子部
Ｄ１Ｃ ダイオード
Ｄ１Ｄ ダイオード
Ｄ１Ｅ ダイオード
ＲＣ１ 整流回路
ＲＣ２ 整流回路
ＲＣ３ 整流回路
ＶＣＣ２ バイアス電源

Claims (2)

1. 高周波信号の通過経路を一の端子部と共通端子部との間と、他の端子部と前記共通端子との間とで切替えるダイオードスイッチ回路において、前記一の端子部側のダイオードのアノード側と前記他の端子部側のダイオードのカソード側とを整流回路を介して接続するとともに、前記他の端子部側のダイオードのアノード側と前記一の端子部側のダイオードのカソード側とを整流回路を介して接続したことを特徴とするダイオードスイッチ回路。
2. 前記ダイオードに順バイアス電圧及び逆バイアス電圧を供給するバイアス電源を備えたことを特徴とする請求項１記載のダイオードスイッチング回路。

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