JP2015535619A - 切替可能指向性赤外放射線源 - Google Patents
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Abstract
Description
ε(λ,θ)=I(λ,θ)/I0(λ,T)
によって定義される。I0(λ,T)は、波長λでの温度Tにおける黒体の単色放射束であり、I(λ,θ)は、方向θにおける同じ波長での物体の単色放射束である。
− 1999年にはCarminatiら、次いでShchegrovら(2000年)が、共振面モードに関連する場が、高い空間的コヒーレンスを有することを実証した。しかしながら、この場はなお界面近傍に制限されているため、遠方界熱放射は依然としてインコヒーレントである。
− 2002年にはGreffetら(Greffet et.al.,2002)が、表面格子を使用して、これらの波の空間的コヒーレンスを遠方界にエクスポートし得ることを実証した。そのような線源100’の構造を図1に示す。線源100’はSiCのバルク試料50’からなり、その表面はエッチングされ、1D格子を形成している。しかしながら、このタイプの線源の欠点の1つは、波長を有する放射方向のドリフトにある。さらに、高い指向性は、p偏波、すなわち共振面モードが結合する唯一の偏波にのみに観察され、この偏波の電界は、表面に沿った成分を全く有していない。したがって、s偏波については、放射される放射線は依然としてインコヒーレントである。
− この欠点を軽減するために、Kollyukhら(2003年)、Ben−Abdallah(2004年)およびCelanovicら(2005年)は、単一膜またはマイクロキャビティを使用して、ファブリペロー型導波モードおよびキャビティモードの存在を利用し、両方の偏波状態に対して同時に放射パターンを制御することを提案した。しかしながら、まさに熱アンテナであるこれらの構造は低い放射率レベルを示す。
− これらの線源のコヒーレンス度を改善するために、他のより複雑な構造が提案されている。これは、Leeら(2005年)によって提案された構造に当てはまる。これらの線源は、極性材料に結合された周期的な1次元多層構造(1Dスタック)からなり、光のs偏波状態およびp偏波状態の両方に対して放射の方向および周波数を同時に制御することができる。しかしながら、このタイプの平面線源の放射の指向性制御はなお低い。
− この問題を緩和するために、上で説明した構造の多くの特徴を関連付ける複合構造が開発されている(Drevillon et.al.,2007)。これらの構造の中で、BattulaおよびChen(2006年)によって提案された構造が言及され得る。その構造は、ここでは、表面格子と1Dフォトニック結晶すなわち1D表面格子との間に配置されたキャビティからなるナノ構造多層材料に関する。この構造では、可視および近赤外域において高い空間的コヒーレンスだけでなく時間的コヒーレンスも有する線源を得ることができた。この構造の長いコヒーレンス長は、一方では格子の表面上におけるエバネッセント波の励磁に起因する。他方では、フォトニック結晶は偏光子として働き、指向性ではないであろう非共振のs偏波放射線の放射を抑制して、放射の共振成分に対してのみ高い放射率を維持する。最後に、高い時間的コヒーレンス度(ひいては小さい幅)は、フォトニック結晶の上にあり、かつ共振モードの周波数で放射を増幅するキャビティの存在に起因する。
− またJoulainおよびLoizeau(2007年)は、表面格子を単純なガイド部に結合することによって、一時的にコヒーレントな指向性熱源を得ることが可能であろうことを実証している。しかしながら、この作業は理論的な手法に依拠しており、1次元格子に限られた。
− さらに、メタマテリアル、すなわち負の誘電率および負の透磁率を示す人工複合構造を使用して、熱放射の方向を制御することが想定されている(Enoch,2002)。しかしながら、赤外域で自然磁気共鳴がないこと、および製造の困難さから、これらの材料の開発が遅れている。
− しかしながら2005年には、研究者チーム(Zhang et.al.,2005)が、穿孔誘電体構造と金属膜とを組み合わせることによって、近赤外(2μm)域で3Dメタマテリアルを設計することが可能であろうことを実証した。類似した結果が、金線ベースの複合構造を使用して、遠赤外(40〜60μm)域でも得られた(Wang et.al.,2007)。Zhangら(2005年)によって提案された構造とは対照的に、その光学挙動は、これらの構造内の電磁波間における1組の複雑な干渉に基づいていた。「s」偏波に対するものを含む負の屈折率が生じることを可能にするのは、ワイヤに沿った定常波の存在である。
− ワイヤ、フィラメントまたはストリップなどの弱指向性赤外放射線源と、
− 例えば、放物線状または放物面状の反射面などの、放射線を望ましい方向に集中させることができる機械装置であって、その配向が変更され得る機械装置と
を関連付けることにある。ガラス光学部品は一般に中赤外域で使用できず、これらの波長に適した代替材料(ZnSe、Ge、CsI)からなる光学部品は、高価かつ脆弱である。
− 外部層の材料が結晶状態にある場合の非放射線源(黒体の放射率に対して非常に低い放射率)、および
− 外部層が、次いで回折格子を形成するハイブリッド結晶/非晶状態にある場合の、線源と同じ温度における黒体の放射に類似した放射を備えた高放射率指向性線源
で動作する。
− 基板と、
− 対応する波長が赤外帯域にある温度Tcで相変化し、かつ結晶相および非晶相を有する金属絶縁体転移材料からなる制御可能セルを備える外部層と、
− 制御可能セルが非晶相に制御される場合に、この外部層内に回折格子を形成するように制御可能セルの相変化を制御するための制御手段と
を備えることを主に特徴とする線源である。
− 基板10であって、MITの臨界温度付近の温度を確保する機能、および、基板10が作られる材料のウィーン波長を中心とする前記赤外帯域の1次放射線源としての機能を提供し、帯域幅がプランクの法則によって与えられる基板10と、
− 放射線を方向付けるための外部層20と
を備える。
− λc≒5.5μmに対応するTc=530°KのLaCrO3、または
− λc≒7.4μmに対応するTc=393°KのBaTiO3、または
− λc≒8.5μmに対応するTc=340°KのVO2、または
− λc≒18μmに対応するTc=160°KのV2O3
である。
− 純粋な結晶相(曲線a)では無指向性で、非常に弱く、
− ハイブリッド相(曲線b)では指向性で、約+50°および−50°を中心とする。
− すべてのセルが制御可能51である場合には、格子は、要求される回折格子に応じて、特定のセルを非晶状態に、他のセルを結晶状態に制御することによって得られる。
− 一変形形態によれば、MIT材料のセルに関する場合、特定のセル53は制御可能ではなく、絶縁状態ひいては結晶状態11のままである。格子は、特定の他のセル(したがって、これらのセルは制御可能な群51に属する)またはこれらの制御可能セルのすべてを非晶状態に制御することによって得られる。後者の場合を図示する。
○平面xy内の1次元周期格子50についての図4aおよび図4bは、
− (I=0の時)すべてのセル(制御可能セル51および制御不能セル53の両方)が結晶状態11にあり、したがって回折格子を形成せず(図4a)、
− (I=I0の時)制御可能セル51が非晶状態11’にあり、制御不能セル53が結晶状態11にあり、それによって共に回折格子を形成する(図4b)
ことを示す。
○平面xy内の2次元周期格子50についての図4cは、(I=I0の時)制御可能セル51が非晶状態にあり、制御不能セル53が結晶状態にあり、制御可能セルおよび制御不能セルが共に回折格子を形成することを示す。
Km=(2π/λ)sinθ+m2π/P
によって示されるように、線源の放射方向は、回折格子50の周期および次元に依存する。ここで、Kmは次数mの回折波の平行成分であり、θは放射角度、Pは格子周期である。
− 前記金属絶縁体転移材料からなる均一外部層22であって、溝のパターンが付けられておらず、エッチングもされていない点で均一である層22と、
− 外部下層22内に得るべきセルのパターンに応じて空間的に変調される熱伝導率を有する下部層21とを備える。それは通常、熱伝導率がはるかに低いSiO2のゾーンを画定することができるように、マスクを介して、したがって空間的選択性を有して表面が熱酸化されているSiの層に関する。シリコンの熱伝導率は約130W/°K/mであり、シリカの熱伝導率は約1.4W/K/m、すなわち約100倍低いことが想起される。この下層21の熱伝導率は、電気的手段によって制御される。上に示したように、この熱伝導性下層は、外部下層との界面で表面モードを支持する材料からなることが好ましい。
− 家庭用加熱システム、またはより一般には、熱流量を管理するためのシステム、
− 工業プロセス(化学反応、接着など)の熱制御、
− 食品加工分野(オーブン、乾燥、凍結乾燥など)
− ガスを分析するために使用される赤外分光法、および
− ステルス赤外線源
が言及され得る。
Claims (12)
- 赤外帯域における指向性放射線の線源(100)において、少なくとも基板(10)と、金属絶縁体転移材料であって、対応する波長が前記赤外帯域にある温度Tcに対するその温度に応じて相変化し、かつ結晶相(11)および非晶相(11’)を有する金属絶縁体転移材料からなる制御可能セル(51)を備える外部層(20)と、前記セル(51)が前記非晶相に制御される場合に、前記外部層(20)内に回折格子(50)を形成するように前記セルの前記相変化を制御するための制御手段とを備え、したがって、切替可能指向性線源をもたらすことを特徴とする、線源(100)。
- 前記回折格子(50)が周期的であることを特徴とする、請求項1に記載の放射線源。
- 前記制御手段(52)が電気的であることを特徴とする、請求項1または2に記載の放射線源。
- 前記制御手段が、セル群であって、各群が可変数のセルを備えるセル群を制御可能であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射線源。
- 前記放射線源が、前記制御手段を監視するための手段を備え、前記監視手段が、前記回折格子(50)の空間特性を修正するように、したがって放射方向が変調され得る切替可能指向性線源をもたらすように構成されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の放射線源。
- 前記基板(10)が、表面モードを支持することができる材料からなることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の放射線源。
- 前記制御可能セル(51)が、熱的および電気的絶縁体(15、15’)によって囲まれていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の放射線源。
- 前記セル/基板絶縁体(15)がSiO2の層であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の放射線源。
- 前記基板(10)が、前記外部層(20)のMIT材料と同じMIT材料からなることを特徴とする、請求項7または8に記載の放射線源。
- 前記電気制御手段が、電気パルスの発生器を備えることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項に記載の放射線源。
- 前記制御可能セル(51)を備える前記外部層(20)が、前記金属絶縁体転移材料からなる均一外部層(22)と、空間的変化に応じて外部下層内に前記セル(51)を形成するための空間的可変熱伝導性の下部下層(21)とを備えること、および、前記セルを集合的に制御するための前記制御手段が、空間的可変熱伝導性の前記下層(21)の介在によって加熱が変調される単一の熱的または電気的制御部からなることを特徴とする、請求項1または2に記載の放射線源。
- 前記金属絶縁体転移材料が、バナジウム酸化物またはチタン酸バリウムまたはランタンペロブスカイトからなる群に属することを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項に記載の放射線源。
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