JP2015525050A - 太陽電池パネル上に加熱層を作るためのフッ素ドープ酸化スズ(IV)(SnO2:F)の利用、及びその太陽電池パネル - Google Patents
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Links
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010257 thawing Methods 0.000 description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000009428 plumbing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S30/00—Structural details of PV modules other than those related to light conversion
- H02S30/10—Frame structures
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
- H02S40/10—Cleaning arrangements
- H02S40/12—Means for removing snow
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
太陽電池パネル上に加熱層を作るためのフッ素ドープ酸化スズ(IV)(SnO2:F)(FTO)の利用、また、前部(1)が、電極(3)が表面に置かれ、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の導電層(2)で覆われている太陽電池パネルに関する。電流源に接続されると、導電層(2)は加熱層になる。透明なポリマーフィルム(4)は、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の導電層(2)及び太陽電池(5)と密接かつ恒久的に結合される。【選択図】図1
Description
本発明は、太陽電池パネル上に加熱層を作るための、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)(FTO)の利用、及びその光電池パネルに関する。本発明は、電磁放射(好ましくは、太陽エネルギー)から電気エネルギーへの変換過程において利用される。
車の窓の除霜の際の、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の利用は、当技術の現状から既知である。
さらに、層構造を有する太陽電池パネルが既知である。太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池は、太陽電池パネルの最も重要な部分である。単電池は、pn接合の構造を有する半導体である。太陽電池パネルは、様々なタイプの半導体材料を使用して製造される。それらのタイプに従って、当該パネルは、単結晶タイプのシリコン(c−Si)、多結晶タイプのシリコン(m−Si)、ならびに、アモルファスシリコン(a−Si、a−Si:H)、セレン化銅インジウム(CIS)またはセレン化銅インジウムガリウム(CIGS)、及びテルル化カドミウム(CdTe)の薄層技術において作られるパネルに分類されている。太陽電池を保護する、太陽電池パネルの前部は、ガラスからできており、全構造は、支持構造へのパネルの固定を可能にする構成要素であるフレームに取り囲まれている。
既知の太陽電池パネル全ては、垂直の正面に設置されない場合、摂氏ゼロ度に近いあるいはこれを下回る温度で降水中の霜または雪の層で覆われやすい。これにより、パネル表面の一部が、例えば、雪、霜などによって覆い隠される状態では、性能がかなり低下することになり、全太陽光発電設備の全体的な効率が低下する。この問題は、冬、雪の降る季節に、摂氏ゼロ度を下回る温度で生じる。太陽電池パネルの既知の除雪及び除氷システムは、液状媒体(パネルの下に取り付けられた配管システム)を有するパネルまたはシステムより下に取り付けられた、抵抗線でできた電熱マットによる加熱をもたらす。その性質上、加熱マットを、除氷または除霜が求められる場所、すなわち、前部に直接配置することができず、パネルの下に配置する。これにより、マットからパネルの前部に向かう途中で望ましくない熱損失が生じる。
電力供給のための太陽電池はまた、特許文献1から既知である。太陽電池は雪を解かすための加熱要素を備えるが、この加熱要素は、太陽電池の一部のみに設けられ、このため、太陽電池の全表面の均一な加熱が妨げられる。
本発明は、太陽電池パネル上で加熱層を受容するための、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)(FTO)の利用を提供する。
本発明はまた、前部と、太陽電池(複数可)が内部に配置されたフレームとを含む太陽電池パネルであって、その前部は、電極が表面に置かれた、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の導電層で覆われていることを特徴とする太陽電池パネルに関する。フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の導電層の適切な抵抗により、当該導電層は、電圧源に接続されると加熱層になる。
好ましい実施形態では、太陽電池パネルは、前部がガラスからできていることを特徴とする。
望ましい実施形態では、太陽電池パネルは、前部の内側面が、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の導電層で覆われていることを特徴とする。
さらに別の実施形態では、太陽電池パネルは、透明なポリマーフィルムの層が、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の導電層と太陽電池との間に施されていることを特徴とする。有利には、透明なポリマーフィルムの層は、エチレン酢酸ビニル(EVA)フィルム、またはポリビニルブチラール(PVB)フィルムである。
また別の実施形態では、太陽電池パネルは、透明なポリマーフィルムの層が、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の導電層及び/または太陽電池と密接に結合していることを特徴とする。
別の望ましい実施形態では、太陽電池パネルは、電極が両端に配置されていることで、温度が均一に分布することを特徴とする。
本発明の利点は、太陽電池パネルの表面上の動作温度及び均一な温度分布に短時間で達することができることである。さらに、太陽電池パネルの除霜、除氷及び除雪中の熱損失を少なくする解決法がもたらされる。
本発明による解決法を図面に示す。
本発明の実施形態では、太陽電池パネルは、フレーム(図示せず)、及び、平板ガラスでできた前部1から成る。前部1上に、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)(FTO)の導電層2の薄いフィルムが施される。被覆された前部1は、例えば、透明なポリマーフィルム4を使用した、200℃以下の温度での成層過程において、太陽電池5に密接かつ恒久的に結合する。この透明なポリマーフィルム4は、例えば、エチレン酢酸ビニル(EVA)フィルム、またはポリビニルブチラール(PVB)フィルムである。この動作の結果、発熱体である、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の導電層2は、太陽電池5から直流的に絶縁される。フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の導電層2上で、導電性材料でできた電極3が、好ましくは相対して置かれる。電極3は電源ケーブル6に接続される。
本発明の動作は以下の通りである:電源ケーブル6は、例えば、電圧値が10÷250VであるDCまたはACの電圧源に接続される。電圧が印加されると、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の導電層2を電流が流れて、この層の抵抗で熱を生じさせる。生じた熱は、前部1を通って、霜、氷または雪の層の方に浸透し、これらが解けて太陽電池5が露出する。
Claims (9)
- 太陽電池パネル上における加熱層の構成であって、フッ素がドープされた酸化スズ(SnO2:F)を用いる
ことを特徴とする使用。 - 前部(1)と、内部に少なくとも1つの太陽電池(5)を含むフレームと、を含む太陽電池パネルであって、
前記前部(1)は、電極(3)が表面に置かれ、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の導電層(2)で覆われ、前記電極(3)が電圧源に接続されると、前記導電層(2)が加熱層になる
ことを特徴とする太陽電池パネル。 - 前記前部(1)はガラスからできている
請求項2に記載のパネル。 - 前記前部(1)の内側面が、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の前記導電層(2)で覆われている
請求項2または3に記載のパネル。 - 透明なポリマーフィルム(4)の層が、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の前記導電層(2)と前記太陽電池(5)との間に施されている
請求項4に記載のパネル。 - 前記透明なポリマーフィルム(4)の層が、フッ素がドープされた酸化スズ(IV)(SnO2:F)の前記導電層(2)及び/または前記太陽電池(5)と密接に結合している
請求項5に記載のパネル。 - 前記透明なポリマーフィルム(4)の層は、エチレン酢酸ビニル(EVA)フィルムである
請求項5または6に記載のパネル。 - 前記透明なポリマーフィルム(4)の層は、ポリビニルブチラール(PVB)フィルムである
請求項5または6に記載のパネル。 - 前記電極(3)が両端に配置されている
請求項2ないし8のいずれかに記載のパネル。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP12460005.7A EP2629337B1 (en) | 2012-02-16 | 2012-02-16 | Application of fluorine doped tin (IV) oxide SnO2:F for making a heating layer on a photovoltaic panel, and the photovoltaic panel |
EP12460005.7 | 2012-02-16 | ||
PCT/PL2013/000017 WO2013122489A1 (en) | 2012-02-16 | 2013-02-14 | Application of fluorine doped tin (iv) oxide sno2:f for making a heating layer on a photovoltaic panel, and the photovoltaic panel |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015525050A true JP2015525050A (ja) | 2015-08-27 |
Family
ID=47997749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014557595A Pending JP2015525050A (ja) | 2012-02-16 | 2013-02-14 | 太陽電池パネル上に加熱層を作るためのフッ素ドープ酸化スズ(IV)(SnO2:F)の利用、及びその太陽電池パネル |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150020869A1 (ja) |
EP (1) | EP2629337B1 (ja) |
JP (1) | JP2015525050A (ja) |
KR (1) | KR20140135950A (ja) |
CN (1) | CN104247041A (ja) |
AU (1) | AU2013220980A1 (ja) |
CA (1) | CA2863027A1 (ja) |
IN (1) | IN2014MN01232A (ja) |
PL (1) | PL2629337T3 (ja) |
RU (1) | RU2014126235A (ja) |
SG (1) | SG11201403595RA (ja) |
WO (1) | WO2013122489A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10505240B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-12-10 | Sunlight Aerospace Inc. | Methods and apparatus for thermal energy management in electric vehicles |
CN109546957A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-29 | 常州华美光电新材料有限公司 | 一种用于光伏组件的加热玻璃 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3521993B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2004-04-26 | ミサワホーム株式会社 | 太陽電池付屋根 |
JP3418781B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2003-06-23 | 幸作 板鼻 | 融雪屋根材及び融雪屋根構造 |
US6291763B1 (en) * | 1999-04-06 | 2001-09-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and photo cell |
JP2002021265A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Nissin Electric Co Ltd | 融雪装置 |
JP2007311635A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Ecomode:Kk | 融雪型太陽電池モジュール |
US7982126B2 (en) * | 2007-05-21 | 2011-07-19 | Macfarlane Alexander T | Photovoltaic module with improved heat transfer and recovery potential |
US20100236608A1 (en) * | 2009-03-20 | 2010-09-23 | Ball Jasper T | Photovoltaic module with heater |
US20110056924A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Benjamin Park Townsend | Solar defrost panels |
CN202013894U (zh) * | 2011-01-11 | 2011-10-19 | 上海勒卡彭建筑信息咨询有限公司 | 低反射融雪抗污太阳能晶体硅电池组件构件 |
-
2012
- 2012-02-16 EP EP12460005.7A patent/EP2629337B1/en active Active
- 2012-02-16 PL PL12460005T patent/PL2629337T3/pl unknown
-
2013
- 2013-02-14 KR KR1020147022244A patent/KR20140135950A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-02-14 JP JP2014557595A patent/JP2015525050A/ja active Pending
- 2013-02-14 CA CA2863027A patent/CA2863027A1/en not_active Abandoned
- 2013-02-14 AU AU2013220980A patent/AU2013220980A1/en not_active Abandoned
- 2013-02-14 WO PCT/PL2013/000017 patent/WO2013122489A1/en active Application Filing
- 2013-02-14 SG SG11201403595RA patent/SG11201403595RA/en unknown
- 2013-02-14 RU RU2014126235A patent/RU2014126235A/ru not_active Application Discontinuation
- 2013-02-14 CN CN201380009344.2A patent/CN104247041A/zh active Pending
- 2013-02-14 IN IN1232MUN2014 patent/IN2014MN01232A/en unknown
- 2013-02-14 US US14/373,061 patent/US20150020869A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2629337B1 (en) | 2016-10-19 |
EP2629337A1 (en) | 2013-08-21 |
WO2013122489A1 (en) | 2013-08-22 |
WO2013122489A8 (en) | 2014-03-13 |
SG11201403595RA (en) | 2014-08-28 |
KR20140135950A (ko) | 2014-11-27 |
PL2629337T3 (pl) | 2017-02-28 |
CA2863027A1 (en) | 2013-08-22 |
AU2013220980A1 (en) | 2014-06-26 |
RU2014126235A (ru) | 2016-01-27 |
CN104247041A (zh) | 2014-12-24 |
IN2014MN01232A (ja) | 2015-07-03 |
US20150020869A1 (en) | 2015-01-22 |
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