JP2015524166A5

JP2015524166A5 -

Info

Publication number: JP2015524166A5
Application number: JP2015513278A
Authority: JP
Filing date: 2013-05-24
Publication date: 2016-06-09

Claims

マイクロ波または高周波電磁放射の誘導放出を発生させるためのデバイスであって、
共振素子と利得媒質とを備える共振器構造と、
増幅されるマイクロ波または高周波電磁放射の入力ソースと、
前記共振器構造をポンピングすることによって前記電磁放射の増幅を引き起こすように配列されたエネルギーの入力部と、を備え、
前記共振素子は、１つ以上の折り返しを有する電気的に誘導性の金属ループ構造と、電気的に容量性の構造とを備える、
デバイス。
前記共振素子は、スプリットリング、ヘアピン、またはＬＣ共振器を備え、
前記電気的に容量性の構造は、ギャップ、スロットまたは平行板を備える、
請求項１に記載のデバイス。
前記電気的に誘導性の金属ループ構造は、金、銀または銅で形成される、
請求項１または請求項２に記載のデバイス。
前記電気的に誘導性の金属ループ構造は、金属層として形成される、
請求項１から３のいずれかに記載のデバイス。
前記金属層は、基板上に配設され、
前記基板は、１０よりも高い比誘電率を有する材料を備える、
請求項４に記載のデバイス。
前記金属層は、基板上に配設され、前記基板は、２０よりも高い比誘電率を有する材料を備える、
請求項４に記載のデバイス。
前記金属層は、基板上に配設され、前記基板は、単結晶材料、誘電体媒質、単結晶セラミック、焼結酸化物多結晶セラミック、高分子化合物、高分子複合材料、金属、金属誘電体構造、及びプリント回路板材料を含む群から選択される材料を備える、
請求項４に記載のデバイス。
前記電気的に誘導性の金属ループ構造は、第１の電気的に誘導性の金属ループ構造であり、前記共振素子がさらに、前記第１の電気的に誘導性の金属ループ構造内に配列された第２の電気的に誘導性の金属ループ構造を備え、
前記第１および第２の電気的に誘導性のループ構造は、同心円状に配列され、各々が、それぞれのギャップまたはスロットを備え、前記それぞれのギャップまたはスロットは、前記共振素子の互いに反対側に配列される、
請求項１から７のいずれかに記載のデバイス。
前記利得媒質は、前記共振素子内に配設され、前記共振素子内の相対的に高い磁場密度の１つ以上の領域に位置している、
請求項１から８のいずれかに記載のデバイス。
前記利得媒質は、多環芳香族炭化水素を包含する、
請求項１から９のいずれかに記載のデバイス。
前記利得媒質は、ペンタセンが添加されたｐ−テルフェニルを包含する、
請求項１０に記載のデバイス。
前記共振器構造は、１０ ^７ｃｍ ^−３のオーダーの磁気パーセル係数を有する
請求項１から１１のいずれかに記載のデバイス。
マイクロ波または高周波電磁放射の誘導放出を発生させるためのデバイスであって、
共振素子内に配設された利得媒質を備える共振器構造と、
増幅されるマイクロ波または高周波電磁放射の入力ソースと、
前記利得媒質をポンピングすることによって前記電磁放射の増幅を引き起こすように配列されたエネルギーの入力部と、を備え、
前記共振素子は、１３よりも高い比誘電率を有する材料を備える、
デバイス。
前記電磁放射の誘導放出は、１ｋＨｚ〜３００ＧＨｚのレンジの周波数でのものである、
請求項１から１３のいずれかに記載のデバイス。
前記電磁放射の誘導放出は、マイクロ波の周波数でのものである、
請求項１４に記載のデバイス。
前記電磁放射の誘導放出は、高周波でのものである、
請求項１４に記載のデバイス。
温度安定化または熱管理手段をさらに備える、
請求項１から１６のいずれかに記載のデバイス。
前記温度安定化または熱管理手段は、ペルティエ素子、スターリングサイクルクーラー、パルスチューブクーラー、フォースドエアまたはガスクーリング、及びギフォード−マクマホンクーラーを含む群から選択される、
請求項１７に記載のデバイス。
前記共振素子の周りのアウターケーシングを有しない、
請求項１から１８のいずれかに記載のデバイス。
前記利得媒質に磁場を印加するための手段をさらに備える、
請求項１から１９のいずれかに記載のデバイス。
前記磁場を印加するための手段は、永久磁石、及び電流が通され得るコイルを含む群から選択される、
請求項２０に記載のデバイス。
前記共振器構造の共振周波数を調整するための手段をさらに備える、
請求項１から２１のいずれかに記載のデバイス。
前記共振周波数を調整するための手段は、調節可能な壁、及び調整ねじを含む群から選択される、
請求項２２に記載のデバイス。
マイクロ波または高周波電磁放射の誘導放出を発生させる方法であって、
共振素子と利得媒質とを備える共振器構造を提供することと、
増幅されるマイクロ波または高周波電磁放射を前記共振器構造に供給することと、
エネルギーの入力を用いて前記共振器構造をポンピングすることにより前記電磁放射の増幅を引き起こすことと、を含み、
前記共振素子は、１つ以上の折り返しを有する電気的に誘導性の金属ループ構造と、電気的に容量性の構造とを備える、
方法。
マイクロ波または高周波電磁放射の誘導放出を発生させる方法であって、
共振素子内に配設された利得媒質を備える共振器構造を提供することと、
増幅されるマイクロ波または高周波電磁放射を前記共振器構造に供給することと、
エネルギーの入力を用いて前記利得媒質をポンピングすることにより前記電磁放射の増幅を引き起こすことと、を含み、
前記共振素子は、１３よりも高い比誘電率を有する材料を備える、
方法。