JP2015523723A - High voltage junction field effect transistor - Google Patents
High voltage junction field effect transistor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015523723A JP2015523723A JP2015516426A JP2015516426A JP2015523723A JP 2015523723 A JP2015523723 A JP 2015523723A JP 2015516426 A JP2015516426 A JP 2015516426A JP 2015516426 A JP2015516426 A JP 2015516426A JP 2015523723 A JP2015523723 A JP 2015523723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- region
- doped region
- high voltage
- disposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
- H01L29/1058—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with PN junction gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1066—Gate region of field-effect devices with PN junction gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/808—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a PN junction gate, e.g. PN homojunction gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
- H01L29/0649—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
- H01L29/0653—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps adjoining the input or output region of a field-effect device, e.g. the source or drain region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
本発明は、高電圧ＪＦＥＴを開示する。高電圧ＪＦＥＴは、第１導電型エピタキシャル層上に配置された第２導電型ドリフト領域と；第２導電型ドリフト領域内に配置された第２導電型ドレイン高ドープ領域と；第２導電型ドリフト領域上及び第２導電型ドレイン高ドープ領域の１つの側に配置されたドレイン端子酸素領域と；第２導電型ドリフト領域の１つの側に配置された第１導電型ウェル領域と；第１導電型ウェル領域上に配置された第２導電型ソース高ドープ領域及び第１導電型ゲート高ドープ領域、並びにゲートソース端子酸素領域と；第２導電型ソース高ドープ領域と第２導電型ドリフト領域との間に配置された第２導電型チャネル層と；第２導電型チャネル層上に配置された誘電体層及びフィールド電極プレートとを含む。ドレイン電極が、第２導電型ドレイン高ドープ領域から電気的に導出され、ソース電極が、フィールド電極プレートと第２導電型ソース高ドープ領域との接続から電気的に導出され、ゲート電極が、第１導電型ゲート高ドープ領域から電気的に導出される。このトランジスタは高降伏電圧を有し、集積容易である。【選択図】図１The present invention discloses a high voltage JFET. The high voltage JFET includes a second conductivity type drift region disposed on the first conductivity type epitaxial layer; a second conductivity type drain highly doped region disposed in the second conductivity type drift region; and a second conductivity type drift A drain terminal oxygen region disposed on the region and on one side of the second conductivity type drain heavily doped region; a first conductivity type well region disposed on one side of the second conductivity type drift region; A second conductivity type source highly doped region and a first conductivity type gate highly doped region, and a gate source terminal oxygen region disposed on the well region; a second conductivity type source highly doped region and a second conductivity type drift region; A second conductivity type channel layer disposed between the second conductivity type channel layer; and a dielectric layer and a field electrode plate disposed on the second conductivity type channel layer. The drain electrode is electrically derived from the second conductivity type drain heavily doped region, the source electrode is electrically derived from the connection between the field electrode plate and the second conductivity type source highly doped region, and the gate electrode is electrically coupled to the first electrode. It is electrically derived from the one-conductivity type gate highly doped region. This transistor has a high breakdown voltage and is easy to integrate. [Selection] Figure 1
Description
本発明は、電界効果トランジスタのデバイス構造に関し、より具体的には、半導体製造の分野に属する、高電圧で適用されるＪＦＥＴ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；接合型電界効果トランジスタ）に関する。 The present invention relates to a device structure of a field effect transistor, and more particularly to a JFET (Junction Field Effect Transistor) applied at a high voltage, which belongs to the field of semiconductor manufacturing.
電界効果トランジスタは、例えば、増幅器回路、バイアス回路若しくは降圧回路、始動回路又は可変抵抗等に適用される種々のシミュレーション回路を設計するために広く用いられる。高電圧デバイスに対して新たに現れつつある要求として、電界効果トランジスタの様々な種類の降伏電圧（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）を改善する方法が、高電圧電界効果トランジスタの設計目標になってきている。 Field effect transistors are widely used to design various simulation circuits applied to, for example, amplifier circuits, bias circuits or step-down circuits, starting circuits, variable resistors, and the like. As an emerging requirement for high voltage devices, methods for improving various types of breakdown voltages of field effect transistors have become design goals for high voltage field effect transistors.
ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）において、プレーナ拡散（ｐｌａｎａｒ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）技術を用いたＤＭＯＳ（Ｄｏｕｂｌｅ−ｄｉｆｆｕｓｅｄ ＭＯＳ；二重拡散ＭＯＳ）は、高電流駆動能力、低いオン抵抗、及び高い降伏電圧等の特徴を備えるので、ＤＭＯＳは、パワーデバイスにより広く用いられている。ここでは、ＬＤＭＯＳＦＥＴ（Ｌａｔｅｒａｌ Ｄｏｕｂｌｅ−ｄｉｆｆｕｓｅｄ ＭＯＳＦＥＴ；横型二重拡散ＭＯＳ）は、ＣＭＯＳ技術により適合するため、ＤＭＯＳが広く用いられている。通常、ＤＭＯＳデバイスには、活性領域とドレイン領域との間にドリフト領域が設けられ、ドリフト領域の不純物濃度は比較的低い。ＬＤＭＯＳが高電圧に接続されると、ドリフト領域は高インピーダンスを有するので、ドリフト領域は比較的高電圧に耐えることができる。さらに、ＬＤＭＯＳの多結晶層又は金属層が、ドリフト領域の酸素領域の上に延び、フィールド電極プレートとして働き、これにより、ドリフト領域の表面電場が弱まり、降伏電圧を改善するという利点がもたらされる。 In a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor), a DMOS (Double-diffused MOS) using a planar diffusion technique has a high current driving capability. DMOS is widely used by power devices because it has features such as low on-resistance and high breakdown voltage. Here, an LDMOSFET (Lateral Double-diffused MOSFET; lateral double-diffused MOS) is more suitable for CMOS technology, and thus a DMOS is widely used. Usually, a DMOS device is provided with a drift region between an active region and a drain region, and the impurity concentration of the drift region is relatively low. When the LDMOS is connected to a high voltage, the drift region can withstand a relatively high voltage because the drift region has a high impedance. In addition, the polycrystalline or metal layer of the LDMOS extends over the oxygen region of the drift region and acts as a field electrode plate, which provides the advantage that the surface electric field of the drift region is weakened and the breakdown voltage is improved.
ＪＦＥＴにおいては、ＬＤＭＯＳＦＥＴとは異なり、ＪＦＥＴのドレイン電極電圧が、ドレイン電極及びゲート電極のＰＮ接合に印加され、破壊点は、通常、表面上ではなく本体内に配置される。従って、フィールド電極によっても又は他のタイプによっても、ＪＦＥＴの降伏電圧を改善することができない。つまり、従来のＪＦＥＴはＰＮ接合により制限され、降伏電圧は約２０〜３０ボルトであり、そのため高電圧場におけるＪＦＥＴの適用が制限される。 In the JFET, unlike the LDMOSFET, the drain electrode voltage of the JFET is applied to the PN junction of the drain electrode and the gate electrode, and the breakdown point is usually placed in the body rather than on the surface. Therefore, the breakdown voltage of the JFET cannot be improved by the field electrode or other types. That is, the conventional JFET is limited by the PN junction, and the breakdown voltage is about 20 to 30 volts, which limits the application of the JFET in a high voltage field.
しかしながら、新たに現れつつある高電圧半導体集積回路技術においては、電力管理チップのようなチップの要件を満たすために、高電圧ＭＯＳトランジスタだけではなく、高降伏電圧を有しかつＣＭＯＳ／ＬＤＭＯＳ集積回路製造技術に適合する高電圧ＪＦＥＴも必要とされる。 However, in the emerging high voltage semiconductor integrated circuit technology, not only high voltage MOS transistors but also high breakdown voltages and CMOS / LDMOS integrated circuits are used to meet the requirements of chips such as power management chips. There is also a need for high voltage JFETs that are compatible with manufacturing technology.
本発明により解決されるべき技術的問題は、高降伏電圧を有しかつＣＭＯＳ／ＬＤＭＯＳ集積回路に適合する高電圧ＪＦＥＴを提供することである。 The technical problem to be solved by the present invention is to provide a high voltage JFET that has a high breakdown voltage and is compatible with CMOS / LDMOS integrated circuits.
上記の技術的問題を解決するために、本発明により次のような解決法が採用される。：
高電圧接合型電界効果トランジスタが、
第１導電型エピタキシャル層を備えた半導体基板と、
第１導電型エピタキシャル層上に配置された第２導電型ドリフト領域と、
第２導電型ドリフト領域内に配置された第２導電型ドレイン高ドープ（ｈｅａｖｉｌｙ ｄｏｐｅｄ）領域と、
第２導電型ドリフト領域上及び第２導電型ドレイン高ドープ領域の１つの側に配置されたドレイン端子酸素領域と、
第２導電型ドリフト領域の１つの側に配置され、第１導電型エピタキシャル層により第２導電型ドリフト領域から分離される、第１導電型ウェル領域と、
第１導電型ウェル領域上に配置された第２導電型ソース高ドープ領域及び第１導電型ゲート高ドープ領域、並びに第２導電型ソース高ドープ領域と第１導電型ゲート高ドープ領域との間に設けられ、第１導電型ゲート高ドープ領域から第２導電型ソース高ドープ領域を分離するゲートソース端子酸素領域と、
第２導電型ソース高ドープ領域と第２導電型ドリフト領域との間に配置された第２導電型チャネル層と、
第２導電型チャネル層上に配置され、ドレイン端子酸素領域の表面の一部分まで延びるフィールド電極プレート、並びにフィールド電極プレートと第２導電型チャネル層との間及び同じくフィールド電極プレートと第２導電型ドリフト領域との間に設けられた誘電体層と、
を含み、
ドレイン電極が、第２導電型ドレイン高ドープ領域から電気的に導出され、ソース電極が、フィールド電極プレートと第２導電型ソース高ドープ領域との接続から電気的に導出され、ゲート電極が、第１導電型ゲート高ドープ領域から電気的に導出される。
In order to solve the above technical problem, the following solution is adopted by the present invention. :
High voltage junction field effect transistor
A semiconductor substrate comprising a first conductivity type epitaxial layer;
A second conductivity type drift region disposed on the first conductivity type epitaxial layer;
A second conductivity type drain heavily doped region disposed in the second conductivity type drift region;
A drain terminal oxygen region disposed on the second conductivity type drift region and on one side of the second conductivity type drain heavily doped region;
A first conductivity type well region disposed on one side of the second conductivity type drift region and separated from the second conductivity type drift region by the first conductivity type epitaxial layer;
The second conductivity type source highly doped region and the first conductivity type gate highly doped region disposed on the first conductivity type well region, and between the second conductivity type source highly doped region and the first conductivity type gate highly doped region. A gate source terminal oxygen region for separating the second conductivity type source highly doped region from the first conductivity type gate highly doped region,
A second conductivity type channel layer disposed between the second conductivity type source heavily doped region and the second conductivity type drift region;
A field electrode plate disposed on the second conductivity type channel layer and extending to a part of the surface of the drain terminal oxygen region, and between the field electrode plate and the second conductivity type channel layer and also the field electrode plate and the second conductivity type drift A dielectric layer provided between the regions;
Including
The drain electrode is electrically derived from the second conductivity type drain heavily doped region, the source electrode is electrically derived from the connection between the field electrode plate and the second conductivity type source highly doped region, and the gate electrode is electrically coupled to the first electrode. It is electrically derived from the one-conductivity type gate highly doped region.
好ましい実施形態において、第２導電型チャネル層は、イオン注入により形成された第２導電型注入層である。 In a preferred embodiment, the second conductivity type channel layer is a second conductivity type implantation layer formed by ion implantation.
好ましい実施形態において、フィールド電極プレートは多結晶層又は金属層である。 In a preferred embodiment, the field electrode plate is a polycrystalline layer or a metal layer.
好ましい実施形態において、高電圧電界効果トランジスタは、その両側に第２導電型ウェル領域を備えており、第２導電型ディープウェル領域が、第１導電型エピタキシャル層の下に設けられて、高電圧電界効果トランジスタを分離する。 In a preferred embodiment, the high voltage field effect transistor includes a second conductivity type well region on both sides thereof, and the second conductivity type deep well region is provided below the first conductivity type epitaxial layer, Isolate the field effect transistor.
好ましい実施形態において、耐高電圧構造体が、第１導電型ウェル領域の反対側の第２導電型ドリフト領域の１つの側に設けられる。 In a preferred embodiment, a high voltage resistant structure is provided on one side of the second conductivity type drift region opposite the first conductivity type well region.
好ましい実施形態において、第１導電型はＰ型であり、前記第２導電型はＮ型である。 In a preferred embodiment, the first conductivity type is P-type and the second conductivity type is N-type.
好ましい実施形態において、第１導電型はＮ型であり、前記第２導電型はＰ型である。 In a preferred embodiment, the first conductivity type is N type, and the second conductivity type is P type.
別の実施形態による高電圧接合型電界効果トランジスタが、
第１導電型エピタキシャル層を備えた半導体基板と、
第１導電型エピタキシャル層上に配置された第２導電型ドリフト領域と、
第２導電型ドリフト領域内に配置された第２導電型ドレイン高ドープ領域と、
第２導電型ドレイン高ドープ領域の両側に配置され、両方とも第２導電型ドリフト領域上に配置された、２つのドレイン端子酸素領域と、
第２導電型ドリフト領域の両側に配置され、各々が第１導電型エピタキシャル層により第２導電型ドリフト領域から分離される、２つの第１導電型ウェル領域と、
第１導電型ウェル領域の各々の中の第２導電型ソース高ドープ領域及び第１導電型ゲート高ドープ領域、並びに第２導電型ソース高ドープ領域と第１導電型ゲート高ドープ領域との間に設けられて、第１導電型ゲート高ドープ領域から第２導電型ソース高ドープ領域を分離するゲートソース端子酸素領域と、
各々が１つの第２導電型ソース高ドープ領域と第２導電型ドリフト領域との間に配置された、２つの第２導電型チャネル層と、
それぞれ２つの第２導電型チャネル層上に配置され、各々が対応するドレイン端子酸素領域の表面の一部分まで延びる２つのフィールド電極プレート、並びにフィールド電極プレートと第２導電型チャネル層との間及び同じくフィールド電極プレートと第２導電型ドリフト領域との間に設けられた誘電体層と、
を含み、
ドレイン電極が、２つの第２導電型ドレイン高ドープ領域から電気的に導出され、ソース電極が、ドレイン電極の反対側の２つのフィールド電極プレートと２つの第２導電型ソース高ドープ領域との接続から電気的に導出され、ゲート電極が、ドレイン電極の両側の２つの第１導電型ゲート高ドープ領域の接続から電気的に導出される。
A high voltage junction field effect transistor according to another embodiment comprises:
A semiconductor substrate comprising a first conductivity type epitaxial layer;
A second conductivity type drift region disposed on the first conductivity type epitaxial layer;
A second conductivity type drain heavily doped region disposed in the second conductivity type drift region;
Two drain terminal oxygen regions disposed on opposite sides of the second conductivity type drain heavily doped region, both disposed on the second conductivity type drift region;
Two first conductivity type well regions disposed on both sides of the second conductivity type drift region, each separated from the second conductivity type drift region by a first conductivity type epitaxial layer;
A second conductivity type source highly doped region and a first conductivity type gate highly doped region in each of the first conductivity type well regions, and between the second conductivity type source highly doped region and the first conductivity type gate highly doped region. A gate source terminal oxygen region separating the second conductivity type source highly doped region from the first conductivity type gate highly doped region;
Two second conductivity type channel layers, each disposed between one second conductivity type source heavily doped region and a second conductivity type drift region;
Two field electrode plates, each disposed on two second conductivity type channel layers, each extending to a portion of the surface of the corresponding drain terminal oxygen region, and between the field electrode plate and the second conductivity type channel layer and A dielectric layer provided between the field electrode plate and the second conductivity type drift region;
Including
The drain electrode is electrically derived from the two second conductivity type drain heavily doped regions, and the source electrode is connected to the two field electrode plates opposite to the drain electrode and the two second conductivity type source highly doped regions. The gate electrode is electrically derived from the connection of the two first conductivity type gate highly doped regions on both sides of the drain electrode.
好ましい実施形態において、第２導電型チャネル層は、イオン注入により形成された第２導電型注入層である。 In a preferred embodiment, the second conductivity type channel layer is a second conductivity type implantation layer formed by ion implantation.
好ましい実施形態において、フィールド電極プレートは多結晶層又は金属層である。 In a preferred embodiment, the field electrode plate is a polycrystalline layer or a metal layer.
好ましい実施形態において、高電圧電界効果トランジスタは、その両側に第２導電型ウェル領域を備えており、第２導電型ディープウェル領域が、第１導電型エピタキシャル層の下に設けられて、高電圧電界効果トランジスタを分離する。 In a preferred embodiment, the high voltage field effect transistor includes a second conductivity type well region on both sides thereof, and the second conductivity type deep well region is provided below the first conductivity type epitaxial layer, Isolate the field effect transistor.
好ましい実施形態において、第１導電型はＰ型であり、前記第２導電型はＮ型である。 In a preferred embodiment, the first conductivity type is P-type and the second conductivity type is N-type.
好ましい実施形態において、第１導電型はＮ型であり、前記第２導電型はＰ型である。 In a preferred embodiment, the first conductivity type is N type, and the second conductivity type is P type.
本発明の高電圧ＪＦＥＴは、ＬＤＭＯＳの耐高電圧構造体を参考とし、エピタキシャル層の表面上にチャネルを配置し、チャネルとドレイン端子酸素領域上に設けられたフィールド電極プレートでＲＥＳＵＥＦ原理を用いて、ＪＦＥＴの降伏電圧を大幅に高める。チャネル注入層の注入条件を制御することにより、高電圧ＪＦＥＴのピンチ・オフ電圧を調整することができる。高電圧半導体集積回路製造技術の要件を満たすために、高電圧ＪＦＥＴの製造技術は、従来のＣＭＯＳ／ＬＤＭＯＳ集積回路製造技術に適合する。 The high-voltage JFET of the present invention refers to the high-voltage structure of the LDMOS, uses a RESUEF principle with a field electrode plate provided on the surface of the epitaxial layer and a channel electrode on the surface of the epitaxial layer. Greatly increases the breakdown voltage of the JFET. By controlling the injection conditions of the channel injection layer, the pinch-off voltage of the high voltage JFET can be adjusted. To meet the requirements of high voltage semiconductor integrated circuit manufacturing technology, the high voltage JFET manufacturing technology is compatible with conventional CMOS / LDMOS integrated circuit manufacturing technology.
添付図面を参照して、本発明の技術的解決法が、以下に明確かつ完全に説明される。説明される実施形態は、本発明の実施形態の全てではなく、単に一部分にすぎないことは明らかである。本発明の実施形態に基づいて当業者により得られる全ての他の実施形態は、創造的努力なしに、本発明の保護範囲内に入るであろう。 The technical solutions of the present invention will be clearly and completely described below with reference to the accompanying drawings. Apparently, the described embodiments are merely a part rather than all of the embodiments of the present invention. All other embodiments obtained by persons of ordinary skill in the art based on the embodiments of the present invention will fall within the protection scope of the present invention without creative efforts.
以下に、本発明の実施形態における添付図面を参照して、本発明の実施形態の技術的解決法を明確に説明する。明らかに、説明される実施形態は、本発明の実施形態の全てではなく、単に一部分にすぎない。本発明の実施形態に従って当業者により得られる全ての他の実施形態は、創造的努力なしに、本発明の保護範囲内に入るであろう。 The technical solutions of the embodiments of the present invention will be clearly described below with reference to the accompanying drawings in the embodiments of the present invention. Apparently, the described embodiments are merely a part rather than all of the embodiments of the present invention. All other embodiments obtained by a person of ordinary skill in the art according to the embodiments of the present invention will fall within the protection scope of the present invention without creative efforts.
背景で説明されるように、ＰＮ接合による制限として、従来のＪＦＥＴの降伏電圧は、約２０〜３０ボルトである。高電圧半導体集積回路技術の要件を満たすために、本発明は、より高い入力電圧に適合され、ＣＭＯＳ／ＬＤＭＯＳ集積回路製造技術に適合する、高電圧ＪＦＥＴを提供する。デバイスの構造は、図面を参照して以下に具体的に説明される。 As explained in the background, as a limitation due to the PN junction, the breakdown voltage of a conventional JFET is about 20-30 volts. To meet the requirements of high voltage semiconductor integrated circuit technology, the present invention provides a high voltage JFET that is adapted to higher input voltages and compatible with CMOS / LDMOS integrated circuit manufacturing technology. The structure of the device will be specifically described below with reference to the drawings.
実施形態１
図１を参照すると、高電圧ＪＦＥＴが、第１導電型エピタキシャル層１００を備えた半導体基板と；第１導電型エピタキシャル層１００上に配置された第２導電型ドリフト領域１１０と；第２導電型ドリフト領域１１０内に配置された第２導電型ドレイン高ドープ領域１２０と；第２導電型ドリフト領域１１０上及び第２導電型ドレイン高ドープ領域１２０の１つの側に配置されたドレイン端子酸素領域１３０と；第２導電型ドリフト領域１１０の１つの側に配置され、第１導電型エピタキシャル層１００により第２導電型ドリフト領域１１０から分離される第１導電型ウェル領域１４０と；第１導電型ウェル領域１４０上に配置された第２導電型ソース高ドープ領域１５０及び第１導電型ゲート高ドープ領域１６０、並びに第２導電型ソース高ドープ領域１５０と第１導電型ゲート高ドープ領域１６０との間に設けられ、上記２つの領域１５０、１６０を分離するゲートソース端子酸素領域１７０と；第２導電型ソース高ドープ領域１５０と第２導電型ドリフト領域１１０との間に配置された第２導電型チャネル層１８０と；第２導電型チャネル層１８０上に配置され、ドレイン端子酸素領域１３０の表面の一部分に延びるフィールド電極プレート１９０、並びにフィールド電極プレート１９０と第２導電型チャネル層１８０との間及びフィールド電極プレート１９０と第２導電型ドリフト領域１１０との間に設けられた誘電体層１９１と；第２導電型ドレイン高ドープ領域１２０から電気的に導出されたドレイン電極Ｄと；フィールド電極プレート１９０と第２導電型ソース高ドープ領域１５０との接続から電気的に導出されたソース電極Ｓと；第１導電型ゲート高ドープ領域１６０から電気的に導出されたゲート電極Ｇとを含む。
Referring to FIG. 1, a high voltage JFET includes a semiconductor substrate having a first conductivity
第１導電型がＰ型として選択された場合、第２導電型はＮ型として選択され、デバイスはＮチャネルＪＦＥＴとなる。第１導電型がＮ型として選択され、第２導電型がＰ型として選択された場合、デバイスはＰチャネルＪＦＥＴとなる。ドレイン電極Ｄ、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇは、金属配線から導出することができ、これは当業者には周知であり、本明細書には詳細に説明しない。 If the first conductivity type is selected as P-type, the second conductivity type is selected as N-type and the device is an N-channel JFET. If the first conductivity type is selected as N-type and the second conductivity type is selected as P-type, the device is a P-channel JFET. The drain electrode D, source electrode S, and gate electrode G can be derived from metal wiring, which is well known to those skilled in the art and will not be described in detail herein.
ゲート電極Ｇは、第１導電型ゲート高ドープ領域１６０を介して第１導電型ウェル領域１４０に接続され、第１導電型ウェル領域１４０と第２導電型チャネル層１８０との間の欠乏領域が、ゲート電極電圧に影響を受けることがあり、それによりＪＦＥＴの電流及びオンオフが制御される。好ましくは、第２導電型チャネル層１８０は、イオン注入により形成された第２導電型注入層であり、注入条件を制御することにより、電界効果トランジスタのピンチ・オフ電圧を調整することができる。
The gate electrode G is connected to the first conductivity
ＪＦＥＴのドレイン端子は、ＬＤＭＯＳの耐高電圧構造体を参考とし、第２導電型ドリフト領域１１０、ドレイン端子酸素領域１３０を備え、フィールド電極プレート１９０はドレイン端子酸素領域１３０の表面の一部分まで延び、チャネルはエピタキシャル層の表面上に配置され、ＲＥＳＵＲＥ原理を用いてＪＦＥＴの降伏電圧を大幅に高める。フィールド電極プレート１９０は、多結晶層又は金属層とすることができる。実施形態において、フィールド電極プレート１９０は多結晶層であることが好ましい。フィールド電極プレート１９０は、ソース電極Ｓに接続され、同じ電位を保持する。こうした金属配線のために、第１導電型ウェル領域１４０と第２導電型チャネル層１８０との間の欠乏領域によってのみ、ピンチ・オフ電圧を制御することができる。フィールド電極プレート１９０の電位が浮遊接続された場合、誘導電位により、ピンチ・オフ電圧の変動が生じることがある。フィールド電極プレート１９０が、ゲート電極Ｇ、すなわち第１導電型ウェル領域１４０に接続された場合、これにより生じた逆バイアスは、図１の部分Ａ上の第２導電型ドリフト領域１１０の電荷を容易に排出し、ピンチ・オフ電圧が第２導電型チャネル層１８０の技術条件によって制御できなくなり、トランジスタが早期にカットオフ領域に入ることがある。
The drain terminal of the JFET refers to the high-voltage structure of the LDMOS, and includes the second conductivity type drift region 110 and the drain
さらに、デバイスを基板から分離し、異なる設計の要件を満たすために、高電圧電界効果トランジスタは、その両側の第２導電型ウェル領域１０１と、第１導電型エピタキシャル層１００の下の第２導電型ディープウェル領域１０２とを備えており、これにより、高電圧電界効果トランジスタを分離するための分離構造体が形成される。
Further, in order to separate the device from the substrate and meet different design requirements, the high voltage field effect transistor includes a second conductivity
本実施形態の好ましいソリューションとして、高圧を、高圧ＪＦＥＴのドレイン電極Ｄに印加し、低濃度及び大きいサイズを有するウェル領域のような耐高圧構造体、すなわち従来のウェル分離構造体を、第１導電型ウェル領域１４０の反対側の第２導電型ドリフト領域１１０の側に設け、これにより、高電圧の印加時にＪＦＥＴがもたらす周囲デバイスへの影響を回避することができる。
As a preferable solution of the present embodiment, a high voltage is applied to the drain electrode D of the high voltage JFET, and a high voltage resistant structure such as a well region having a low concentration and a large size, that is, a conventional well isolation structure is used as the first conductive By providing the second conductivity type drift region 110 on the opposite side of the
実施形態２
図２を参照すると、別の１つの高圧ＪＦＥＴが、第１導電型エピタキシャル層２００を備えた半導体基板と；第１導電型エピタキシャル層２００上に配置された第２導電型ドリフト領域２１０と；第２導電型ドリフト領域２１０内に配置された第２導電型ドレイン高ドープ領域２２０と；第２導電型ドレイン高ドープ領域２２０の両側に配置され、両方とも第２導電型ドリフト領域２１０上に配置された、第１のドレイン端子酸素領域２３０及び第２のドレイン端子酸素領域２３００と；第２導電型ドリフト領域２１０の両側に配置され、両方とも第１導電型エピタキシャル層２００により第２導電型ドリフト領域２１０から分離される、第１の第１導電型ウェル領域２４０及び第２の第１導電型ウェル領域２４００と；第１の第１導電型ウェル領域２４０内に配置された第１の第２導電型ソース高ドープ領域２６０及び第１の第１導電型ゲート高ドープ領域２５０、並びに第１の第２導電型ソース高ドープ領域２６０と第１の第１導電型ゲート高ドープ領域２５０との間に配置され、上記２つの高ドープ領域２６０、２５０を分離する第１のゲートソース端子酸素領域２７０と；第２の第１導電型ウェル領域２４００内に配置された第２の第２導電型ソース高ドープ領域２６００及び第２の第１導電型ゲート高ドープ領域２５００、並びに第２の第２導電型ソース高ドープ領域２６００と第２の第１導電型ゲート高ドープ領域２５００との間に配置され、上記２つの高ドープ領域２６００、２５００を分離する第２のゲートソース端子酸素領域２７００と；第１の第２導電型ソース高ドープ領域２５０と第２導電型ドリフト領域２１０との間に配置された第１の第２導電型チャネル層２８０と；第２の第２導電型ソース高ドープ領域２５００と第２導電型ドリフト領域２１０との間に配置された第２の第２導電型チャネル層２８００と；それぞれ、第１の第２導電型チャネル層２８０及び第２の第２導電型チャネル層２８００上に配置され、かつ、第１のドレイン端子酸素領域２３０及び第２のドレイン端子酸素領域２３００の表面の一部分まで延びる第１のフィールド電極プレート２９０及び第２の多結晶領域フィールド電極プレート２９００と、第１のフィールド電極プレート２９０と第１の第２導電型チャネル層２８０との間及び同じく第１のフィールド電極プレート２９０と第２導電型ドリフト領域２１０との間に設けられた第１の誘電体層２９１と、第２のフィールド電極プレート２９００と第２の第２導電型チャネル層２８００との間及び同じく第２のフィールド電極プレート２９００と第２導電型ドリフト領域２１０との間に設けられた第２の誘電体層２９１０と；第２導電型ドレイン高ドープ領域２２０から電気的に導出されるドレイン電極Ｄと；ドレイン電極Ｄの両側の、第１のフィールド電極プレート２９０と第２のフィールド電極プレート２９００、並びに第１の第２導電型ソース高ドープ領域２５０と第２の第２導電型ソース高ドープ領域２５００との接続から電気的に導出されるソース電極Ｓと；ドレイン電極Ｄの両側の、第１の第２導電型ソース高ドープ領域２６０と第２の第２導電型ソース高ドープ領域２６００との接続から電気的に導出されるゲート電極Ｇとを含む。
Referring to FIG. 2, another high voltage JFET includes a semiconductor substrate with a first conductivity type epitaxial layer 200; a second conductivity
第１導電型がＰ型として選択された場合、第２導電型はＮ型として選択され、従って、デバイスはＮチャネルＪＦＥＴとなり、第１導電型がＮ型として選択された場合、第２導電型はＰ型として選択され、従って、デバイスはＰチャネルＪＦＥＴとなる。ドレイン電極Ｄ、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇは、金属配線から導出することができ、これは当業者には周知であり、本明細書には具体的詳細を説明しない。 If the first conductivity type is selected as P-type, the second conductivity type is selected as N-type, so the device is an N-channel JFET, and if the first conductivity type is selected as N-type, the second conductivity type Is selected as P-type, so the device is a P-channel JFET. The drain electrode D, the source electrode S, and the gate electrode G can be derived from metal wiring, which is well known to those skilled in the art, and no specific details will be described herein.
好ましくは、第１の第２導電型チャネル層２８０及び第２の第２導電型チャネル層２８００の両方とも、イオン注入により形成された第２導電型注入層である。
Preferably, both the first second conductivity
好ましくは、フィールド電極プレート１９０は、多結晶層又は金属層とすることができる。本実施形態においては、多結晶層である。
Preferably, the
好ましくは、高電圧電界効果トランジスタは、その両側の２つの第２導電型ウェル領域２０１と、これにより高電圧電界効果トランジスタを分離する、第１導電型エピタキシャル層２００の下の第２導電型ディープウェル領域２０２とを備えることができる。
Preferably, the high voltage field effect transistor has a second conductivity type deep under the first conductivity type epitaxial layer 200 that separates the two second conductivity type well
こうした構造体と実施形態１により与えられるＪＦＥＴとの間の差は、ドレイン電極Ｄの両側に活性構造体（ソース電極及びゲート電極）が備わっており、こうした設計は、高電圧の印加時にＪＦＥＴがもたらす周囲デバイスへの影響を回避でき、耐高電圧構造体を付加的に追加する必要もなく、チップ表面積を節約できることである。こうした二重ソース端子及びゲート端子の設計は、デバイスの性能も向上させる。
The difference between such a structure and the JFET provided by
上記のＪＦＥＴデバイスを製造するために、フォトエッチング工程を追加すること、及び第２導電型注入層を注入してチャネル領域を形成することに加えて、他の工程及びその製造条件も、従来のＣＭＯＳ／ＬＤＭＯＳ集積回路製造技術に適合する。 In order to manufacture the above-mentioned JFET device, in addition to adding a photo-etching process and injecting a second conductivity type injection layer to form a channel region, other processes and manufacturing conditions are also conventional. Compatible with CMOS / LDMOS integrated circuit manufacturing technology.
本ソリューションの実現可能性を検証するために、これにより製造されたデバイスの試験が行われた。 In order to verify the feasibility of the solution, the devices produced were tested.
図３及び図４を参照すると、図３は、Ｉｄ−Ｖｇｓのドレイン電極電流−ゲートソース電圧の特性グラフであり、図４は、Ｉｄ−Ｖｄｓのドレイン電極電流−ドレインソース電極電圧の特性グラフであり、そのピンチ・オフ電圧は、約−６ボルトであり、その降伏電圧は全て約５０ボルトより上である。 Referring to FIGS. 3 and 4, FIG. 3 is a characteristic graph of drain electrode current-gate source voltage of Id-Vgs, and FIG. 4 is a characteristic graph of drain electrode current-drain source electrode voltage of Id-Vds. Yes, its pinch-off voltage is about -6 volts, and its breakdown voltage is all above about 50 volts.
本発明により与えられる高電圧ＪＦＥＴは、耐高電圧性という要件を満たすだけでなく、良好なＪＦＥＴ ＩＶ特性ももたらし、ＣＭＯＳ／ＬＤＭＯＳ集積回路製造技術に適し、従って、統合が容易である。 The high voltage JFET provided by the present invention not only satisfies the requirement of high voltage resistance, but also provides good JFET IV characteristics, is suitable for CMOS / LDMOS integrated circuit manufacturing technology and is therefore easy to integrate.
上述の開示された実施形態は、当業者が本発明を実装又は使用するのを可能にすることができる。当業者であれば、他の実施形態の実施において、本発明の趣旨又は範囲の一般的な原理から逸脱することなく、本明細書に定められたような、これらの実施形態の種々の修正をなし得ることが、当業者には明らかであろう。従って、本発明は、本明細書で示される実施形態に限定されるものではなく、最も広い範囲の原理及び新規な特徴と一致するように開示した本明細書に従う。 The above disclosed embodiments can enable those skilled in the art to implement or use the invention. Those skilled in the art will appreciate that various modifications of these embodiments, as defined herein, may be made in implementing other embodiments without departing from the general principles of the spirit or scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that this can be done. Accordingly, the present invention is not intended to be limited to the embodiments shown herein, but to the specification disclosed to be consistent with the broadest range of principles and novel features.
１００、２００：第１導電型エピタキシャル層
１０１：第２導電型ウェル領域
１０２：第２導電型ディープウェル領域
１１０、２１０：第２導電型ドリフト領域
１２０、２２０：第２導電型ドレイン高ドープ領域
１３０、２３０、２３００：ドレイン端子酸素領域
１４０、２４０、２４００：第１導電型ウェル領域
１５０：第２導電型ソース高ドープ領域
１６０：第１導電型ゲート高ドープ領域
１７０：ゲートソース高ドープ領域
１８０、２８０、２８００：第２導電型チャネル層
１９０、２９０、２９００：フィールド電極プレート
１９１、２９１、２９１０：誘電体層
２５０、２５００：第１導電型ゲート高ドープ領域
２６０、２６００：第２導電型ソース高ドープ領域
２７０、２７００：ゲートソース端子酸素領域
Ｄ：ドレイン電極
Ｓ：ソース電極
Ｇ：ゲート電極
100, 200: first conductivity type epitaxial layer 101: second conductivity type well region 102: second conductivity type deep well region 110, 210: second conductivity
Claims (13)
前記第１導電型エピタキシャル層上に配置された第２導電型ドリフト領域と、
前記第２導電型ドリフト領域内に配置された第２導電型ドレイン高ドープ領域と、
前記第２導電型ドリフト領域上及び前記第２導電型ドレイン高ドープ領域の１つの側に配置されたドレイン端子酸素領域と、
前記第２導電型ドリフト領域の１つの側に配置され、前記第１導電型エピタキシャル層により前記第２導電型ドリフト領域から分離される、第１導電型ウェル領域と、
前記第１導電型ウェル領域上に配置された第２導電型ソース高ドープ領域及び第１導電型ゲート高ドープ領域、並びに前記第２導電型ソース高ドープ領域と前記第１導電型ゲート高ドープ領域との間に設けられ、前記第１導電型ゲート高ドープ領域から前記第２導電型ソース高ドープ領域を分離するゲートソース端子酸素領域と、
前記第２導電型ソース高ドープ領域と前記第２導電型ドリフト領域との間に配置された第２導電型チャネル層と、
前記第２導電型チャネル層上に配置され、前記ドレイン端子酸素領域の表面の一部分まで延びるフィールド電極プレート、並びに前記フィールド電極プレートと前記第２導電型チャネル層との間及び同じく前記フィールド電極プレートと前記第２導電型ドリフト領域との間に設けられた誘電体層と、
を含み、
ドレイン電極が、前記第２導電型ドレイン高ドープ領域から電気的に導出され、ソース電極が、前記フィールド電極プレートと前記第２導電型ソース高ドープ領域との接続から電気的に導出され、ゲート電極が、前記第１導電型ゲート高ドープ領域から電気的に導出されることを特徴とする、高電圧接合型電界効果トランジスタ。 A semiconductor substrate comprising a first conductivity type epitaxial layer;
A second conductivity type drift region disposed on the first conductivity type epitaxial layer;
A second conductivity type drain heavily doped region disposed in the second conductivity type drift region;
A drain terminal oxygen region disposed on the second conductivity type drift region and on one side of the second conductivity type drain heavily doped region;
A first conductivity type well region disposed on one side of the second conductivity type drift region and separated from the second conductivity type drift region by the first conductivity type epitaxial layer;
The second conductivity type source heavily doped region and the first conductivity type gate highly doped region, and the second conductivity type source highly doped region and the first conductivity type gate highly doped region disposed on the first conductivity type well region. A gate source terminal oxygen region separating the second conductivity type source highly doped region from the first conductivity type gate highly doped region,
A second conductivity type channel layer disposed between the second conductivity type source heavily doped region and the second conductivity type drift region;
A field electrode plate disposed on the second conductivity type channel layer and extending to a part of the surface of the drain terminal oxygen region; and between the field electrode plate and the second conductivity type channel layer and also the field electrode plate; A dielectric layer provided between the second conductivity type drift region;
Including
A drain electrode is electrically derived from the second conductivity type drain highly doped region, and a source electrode is electrically derived from a connection between the field electrode plate and the second conductivity type source highly doped region, and a gate electrode Is electrically derived from the first-conductivity-type gate heavily doped region.
前記第１導電型エピタキシャル層上に配置された第２導電型ドリフト領域と、
前記第２導電型ドリフト領域内に配置された第２導電型ドレイン高ドープ領域と、
前記第２導電型ドレイン高ドープ領域の両側に配置され、両方とも前記第２導電型ドリフト領域上に配置された、２つのドレイン端子酸素領域と、
前記第２導電型ドリフト領域の両側に配置され、各々が前記第１導電型エピタキシャル層により前記第２導電型ドリフト領域から分離される、２つの第１導電型ウェル領域と、
前記第１導電型ウェル領域の各々の中の第２導電型ソース高ドープ領域及び第１導電型ゲート高ドープ領域、並びに前記第２導電型ソース高ドープ領域と前記第１導電型ゲート高ドープ領域との間に設けられて、前記第１導電型ゲート高ドープ領域から前記第２導電型ソース高ドープ領域を分離するゲートソース端子酸素領域と、
各々が１つの第２導電型ソース高ドープ領域と前記第２導電型ドリフト領域との間に配置された、２つの第２導電型チャネル層と、
それぞれ前記２つの第２導電型チャネル層上に配置され、各々が対応するドレイン端子酸素領域の表面の一部分まで延びる２つのフィールド電極プレート、並びに前記フィールド電極プレートと前記第２導電型チャネル層との間及び同じく前記フィールド電極プレートと前記第２導電型ドリフト領域との間に設けられた誘電体層と、
を含み、
ドレイン電極が、前記２つの第２導電型ドレイン高ドープ領域から電気的に導出され、ソース電極が、前記ドレイン電極の両側の前記２つのフィールド電極プレートと前記２つの第２導電型ソース高ドープ領域との接続から電気的に導出され、ゲート電極が、前記ドレイン電極の両側の、前記２つの第１導電型ゲート高ドープ領域の接続から電気的に導出されることを特徴とする、高電圧接合型電界効果トランジスタ。 A semiconductor substrate comprising a first conductivity type epitaxial layer;
A second conductivity type drift region disposed on the first conductivity type epitaxial layer;
A second conductivity type drain heavily doped region disposed in the second conductivity type drift region;
Two drain terminal oxygen regions disposed on both sides of the second conductivity type drain heavily doped region, both disposed on the second conductivity type drift region;
Two first conductivity type well regions disposed on both sides of the second conductivity type drift region, each separated from the second conductivity type drift region by the first conductivity type epitaxial layer;
A second conductivity type source heavily doped region and a first conductivity type gate highly doped region in each of the first conductivity type well regions, and the second conductivity type source highly doped region and the first conductivity type gate highly doped region. A gate source terminal oxygen region separating the second conductivity type source highly doped region from the first conductivity type gate highly doped region,
Two second conductivity type channel layers, each disposed between one second conductivity type source heavily doped region and the second conductivity type drift region;
Two field electrode plates each disposed on the two second conductivity type channel layers, each extending to a portion of the surface of the corresponding drain terminal oxygen region, and the field electrode plate and the second conductivity type channel layer And a dielectric layer provided between the field electrode plate and the second conductivity type drift region,
Including
A drain electrode is electrically derived from the two second conductivity type drain heavily doped regions, and a source electrode is the two field electrode plates on both sides of the drain electrode and the two second conductivity type source highly doped regions. A high voltage junction, wherein the gate electrode is electrically derived from the connection of the two first-conductivity-type gate highly doped regions on both sides of the drain electrode. Type field effect transistor.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210192221.4 | 2012-06-12 | ||
| CN201210192221.4A CN103489912B (en) | 2012-06-12 | 2012-06-12 | A kind of high-voltage junction field-effect transistor |
| PCT/CN2013/077119 WO2013185604A1 (en) | 2012-06-12 | 2013-06-10 | High voltage junction field effect transistor |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015523723A true JP2015523723A (en) | 2015-08-13 |
| JP2015523723A5 JP2015523723A5 (en) | 2017-02-23 |
| JP6109931B2 JP6109931B2 (en) | 2017-04-05 |
Family
ID=49757533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015516426A Active JP6109931B2 (en) | 2012-06-12 | 2013-06-10 | High voltage junction field effect transistor |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9543451B2 (en) |
| EP (1) | EP2860762B1 (en) |
| JP (1) | JP6109931B2 (en) |
| CN (1) | CN103489912B (en) |
| WO (1) | WO2013185604A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113066854A (en) * | 2021-03-18 | 2021-07-02 | 电子科技大学 | High-voltage Junction Field Effect Transistor (JFET) device and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9111992B2 (en) * | 2011-09-13 | 2015-08-18 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor device including an n-well structure |
| US9299857B2 (en) * | 2014-06-19 | 2016-03-29 | Macronix International Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10784372B2 (en) * | 2015-04-03 | 2020-09-22 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Semiconductor device with high voltage field effect transistor and junction field effect transistor |
| KR101975630B1 (en) * | 2015-04-03 | 2019-08-29 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Semiconductor Structure having a Junction Field Effect Transistor and a High Voltage Transistor and Method for Manufacturing the same |
| US9543452B1 (en) * | 2015-07-01 | 2017-01-10 | Macronix International Co., Ltd. | High voltage junction field effect transistor |
| US9583612B1 (en) | 2016-01-21 | 2017-02-28 | Texas Instruments Incorporated | Drift region implant self-aligned to field relief oxide with sidewall dielectric |
| CN108807379B (en) * | 2017-05-05 | 2021-08-27 | 立锜科技股份有限公司 | High-voltage depletion type MOS (Metal oxide semiconductor) element with adjustable threshold voltage and manufacturing method thereof |
| US10361296B2 (en) | 2017-06-29 | 2019-07-23 | Monolith Semiconductor Inc. | Metal oxide semiconductor (MOS) controlled devices and methods of making the same |
| TWI650866B (en) * | 2017-08-30 | 2019-02-11 | 立錡科技股份有限公司 | High voltage component and method of manufacturing same |
| CN109473427B (en) * | 2017-09-08 | 2020-06-30 | 立锜科技股份有限公司 | High voltage device and method for manufacturing the same |
| CN110350018B (en) * | 2018-04-02 | 2023-05-26 | 世界先进积体电路股份有限公司 | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
| US11289613B2 (en) | 2019-10-16 | 2022-03-29 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic device including a junction field-effect transistor |
| CN111180509B (en) * | 2019-12-31 | 2022-08-23 | 杰华特微电子股份有限公司 | Junction field effect transistor and electrostatic discharge structure thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889872A (en) * | 1981-11-24 | 1983-05-28 | Hitachi Ltd | Junction type field effect semiconductor device |
| JPH10209175A (en) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Nikon Corp | Junction field-effect transistor and its manufacture |
| CN101969072A (en) * | 2010-08-27 | 2011-02-09 | 东南大学 | Consumption type N-type lateral double-diffusion metal-oxide semiconductor for reducing voltage |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4314267A (en) * | 1978-06-13 | 1982-02-02 | Ibm Corporation | Dense high performance JFET compatible with NPN transistor formation and merged BIFET |
| US4407005A (en) * | 1980-01-21 | 1983-09-27 | Texas Instruments Incorporated | N-Channel JFET device having a buried channel region, and method for making same |
| US5910664A (en) * | 1996-11-05 | 1999-06-08 | International Rectifier Corporation | Emitter-switched transistor structures |
| US6037238A (en) | 1999-01-04 | 2000-03-14 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Process to reduce defect formation occurring during shallow trench isolation formation |
| US20050104132A1 (en) * | 2001-01-23 | 2005-05-19 | Tsutomu Imoto | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2004200391A (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| US8207580B2 (en) * | 2009-05-29 | 2012-06-26 | Power Integrations, Inc. | Power integrated circuit device with incorporated sense FET |
| US8344472B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-01-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method |
| US8541862B2 (en) * | 2011-11-30 | 2013-09-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device with self-biased isolation |
-
2012
- 2012-06-12 CN CN201210192221.4A patent/CN103489912B/en active Active
-
2013
- 2013-06-10 US US14/407,599 patent/US9543451B2/en active Active
- 2013-06-10 WO PCT/CN2013/077119 patent/WO2013185604A1/en active Application Filing
- 2013-06-10 EP EP13804198.3A patent/EP2860762B1/en active Active
- 2013-06-10 JP JP2015516426A patent/JP6109931B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889872A (en) * | 1981-11-24 | 1983-05-28 | Hitachi Ltd | Junction type field effect semiconductor device |
| JPH10209175A (en) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Nikon Corp | Junction field-effect transistor and its manufacture |
| CN101969072A (en) * | 2010-08-27 | 2011-02-09 | 东南大学 | Consumption type N-type lateral double-diffusion metal-oxide semiconductor for reducing voltage |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113066854A (en) * | 2021-03-18 | 2021-07-02 | 电子科技大学 | High-voltage Junction Field Effect Transistor (JFET) device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103489912B (en) | 2016-02-24 |
| JP6109931B2 (en) | 2017-04-05 |
| CN103489912A (en) | 2014-01-01 |
| EP2860762A1 (en) | 2015-04-15 |
| US20150137192A1 (en) | 2015-05-21 |
| US9543451B2 (en) | 2017-01-10 |
| EP2860762B1 (en) | 2019-10-23 |
| EP2860762A4 (en) | 2016-02-17 |
| WO2013185604A1 (en) | 2013-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6109931B2 (en) | High voltage junction field effect transistor | |
| US10109625B2 (en) | JFET and LDMOS transistor formed using deep diffusion regions | |
| JP2015523723A5 (en) | ||
| US11069805B2 (en) | Embedded JFETs for high voltage applications | |
| US10229993B2 (en) | LDMOS transistors including resurf layers and stepped-gates, and associated systems and methods | |
| JP5641131B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| TWI449175B (en) | Dual channel trench ldmos transistors and bcd process with deep trench isolation | |
| US11557588B2 (en) | Multi-transistor device including first and second LDMOS transistors having respective drift regions separated in a thickness direction by a shared RESURF layer | |
| JP2009135360A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| JP2019503591A (en) | Power semiconductor devices | |
| US20090179273A1 (en) | Semiconductor device | |
| CN106549062A (en) | The double mode conduction of P N reduces surface field（RESURF）LDMOS | |
| CN111725071A (en) | Silicon-based junction accumulation layer and buffer layer lateral double-diffusion field effect transistor and manufacturing method thereof | |
| JP2004031519A (en) | Semiconductor device | |
| TWI531064B (en) | Lateral diffusion metal oxide semiconductor transistor structure | |
| TWI527233B (en) | Split gate lateral double-diffused mos structure | |
| CN101847659A (en) | Laterally double diffusion metallic oxide semiconductor | |
| TW200623410A (en) | Isolated high-voltage mosfet devices in integrated circuits |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160323 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161031 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161031 |
|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20161221 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170308 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6109931 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |