JP2015519717A5 - - Google Patents

Description

種々の実施態様においては、グリッドＡ３０８とグリッドＢ３１０とが、規定された間隔で互いに隔たっている。より狭い間隔で互いに隔たった複数のグリッドにより、複数のイオン質量から成るより狭い範囲のパケット(packet、イオンパケット、イオン集合体、イオン群）が前記ゲートによって分離検出されることが可能である。いくつかの場合には、グリッドを隔離する間隔が、１．０ｍｍ，１．５ｍｍ，２．０ｍｍ，２．５ｍｍ，３．０ｍｍ，３．５ｍｍ，４．０ｍｍ，５．０ｍｍ，６．０ｍｍ，７．０ｍｍ，８．０ｍｍ，９．０ｍｍまたは１０．０ｍｍである。前記複数本のチューブ（および複数のグリッド）がドリフト・ポテンシャル（drift potential、ドリフト電位）のレベルに保持されるため、高電圧(high voltage、ドリフト電圧より高い電圧）を前記ピンに印加することにより、前記イオン・ビームのうち前記グリッド間隔内に位置する部分の大角度での偏向(wide deflection)が促進される。他の複数のゲート（例えば、ブラッドベリ−ニールセン（Bradbury-Nielsen）・ゲート）とは異なり、パルス・ピン・イオン・ゲート３００は、製造が容易であり、単一の高電圧パルスのみを必要とし、前記ピンを包囲するグリッド間隔(grid spacing、グリッド空間の距離）の変動によって調整可能な「ウインドウ」を有する。

パルス・ピン・イオン・ゲート３００は、任意の導電性材料、例えば銅のようなものから製造してもよい。グリッドＡ３０８およびグリッドＢ３１０は、高透過ゲートを製造するために用いることが可能である任意の材料、例えば、ニッケル・メッシュから製造することが可能である。

Claims (10)

1. 飛行時間型質量分析計のために構成されている一体構造型のディテクタ・ブロックであって、
   当該ディタクタ・ブロック内の中央穴内のイオン・ドリフト領域と、
   当該ディテクタ・ブロックの遠位端部に搭載されている第１チャンネル・プレート・ディテクタと、
   パルス・ピン・イオン・ゲートと
   を含み、
   そのパルス・ピン・イオン・ゲートは、
   前記中央穴内に、前記イオン・ドリフト領域の中心線に対して側方に延びる姿勢で配置されているピン・エレメントであって、前記中央穴から電気的に絶縁されているものと、
   前記イオン・ドリフト領域に電気的に接続されている第１および第２グリッドであって、前記中央穴内に、前記ピン・エレメントより近位位置と遠位位置とに配置されているものと
   を有するディテクタ・ブロック。
2. 請求項１に記載のディテクタ・ブロックであって、さらに、当該ディテクタ・ブロックの近位端部に搭載されている第２チャンネル・プレート・ディテクタを含むディテクタ・ブロック。
3. パルス・ピン・イオン・ゲートであって、
   イオン・ドリフト領域内に、そのイオン・ドリフト領域の中心線に対して側方に延びる姿勢で配置されているピン・エレメントであって、前記イオン・ドリフト領域から電気的に絶縁されているものと、
   前記イオン・ドリフト領域を横切るとともにそのイオン・ドリフト領域に電気的に接続されている第１および第２グリッドと
   を含み、
   それら第１および第２グリッドは、前記中央穴内に、前記ピン・エレメントより近位位置と遠位位置とに配置されているパルス・ピン・イオン・ゲート。
4. ワイヤ・リング・リフレクトロンであって、
   非導電性の円筒状フレームと、
   複数の導電性のワイヤ・エレメントであって、それぞれ、前記円筒状フレームの断面を包囲し、それにより、近位端部と遠位端部とを有する円筒状のワイヤ・リング・リフレクトロンを形成するものと
   を含み、
   隣接するワイヤ・エレメントは、抵抗器によって電気的に接続されているワイヤ・リング・リフレクトロン。
5. 請求項４に記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、電位が、当該リフレクトロンの中央線に沿って、当該リフレクトロンの、前記近位端部からの距離に応じて、その近位端部から線形的に増加するワイヤ・リング・リフレクトロン。
6. 請求項４に記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、電位いが、当該リフレクトロンの中央線に沿って、増加する勾配で、当該リフレクトロンの、前記近位端部から前記遠位端部まで非線形的に増加するワイヤ・リング・リフレクトロン。
7. 請求項４または６に記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、複数のエレメント内において、当該リフレクトロンの前記近位端部から前記遠位端部まで連続的に並ぶ複数の抵抗器の各々が、減少する抵抗値を有するワイヤ・リング・リフレクトロン。
8. 請求項４または６に記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、ワイヤ・エレメント間の間隔が、当該リフレクトロンの前記近位端部から当該リフレクトロンの前記遠位端部まで減少するワイヤ・リング・リフレクトロン。
9. 質量分析計であって、
   ソース領域と、
   請求項１または２に記載の一体構造型のディテクタ・ブロックであって、前記ソース領域に関連した作動を行うものと、
   請求項４ないし８のいずれかに記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、前記一体構造型のディテクタ・ブロックに関連した作動を行うものと
   を含む質量分析計。
10. 質量分析計であって、
    ソース領域と、
    請求項３に記載のパルス・ピン・イオン・ゲートであって、前記ソース領域に関連した作動を行うものと、
    請求項４ないし８のいずれかに記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、前記パルス・ピン・イオン・ゲートに関連した作動を行うものと
    を含む質量分析計。