JP2015508375A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015508375A5
JP2015508375A5 JP2014547142A JP2014547142A JP2015508375A5 JP 2015508375 A5 JP2015508375 A5 JP 2015508375A5 JP 2014547142 A JP2014547142 A JP 2014547142A JP 2014547142 A JP2014547142 A JP 2014547142A JP 2015508375 A5 JP2015508375 A5 JP 2015508375A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas flow
heating
indium gallium
copper indium
stopped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014547142A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015508375A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/SE2012/051396 external-priority patent/WO2013089630A1/en
Publication of JP2015508375A publication Critical patent/JP2015508375A/ja
Publication of JP2015508375A5 publication Critical patent/JP2015508375A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (14)

  1. 式(I)CuInGa(1−x)Seでxが0.01から0.99の値である化合物を含む材料から、二酸化セレン及び銅インジウムガリウム残留物を供給するための方法であって、
    a)式(I)の前記化合物を含む材料を少なくとも500℃まで加熱するステップ、
    b)前記材料を、酸素を含むガスフローと接触させるステップ、及び
    d)形成された生成物を収集するステップ、
    を含む方法。
  2. xが0.95である請求項1に記載の方法。
  3. 前記材料が太陽電池用スパッタリングターゲットである請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記材料が500℃から1200℃の間の温度にまで加熱される請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記加熱が500℃、600℃、700℃、800℃、900℃又は1000℃で行われる請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
  6. ステップa)及びb)が少なくとも部分的に重複している請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
  7. ステップa)及びb)が重複する時間が6時間から36時間である請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記加熱がステップa)若しくはb)の後又はステップa)若しくはb)の間に停止される請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
  9. ステップb)の後かつステップd)の前にステップc)をさらに含み、ステップc)は、前記材料を冷却するステップである請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記材料が室温まで冷却される請求項に記載の方法。
  11. 前記ガスフローが空気、O、O又はそれらの混合物から構成される請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記ガスフローがステップb)、c)若しくはd)の後又はステップb)、c)若しくはd)の間に停止される請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
  13. 収集される生成物が、二酸化セレン及び/又は銅インジウムガリウム残留物である請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
  14. 請求項1から13のいずれか一項に記載の方法によって得られる銅インジウムガリウム残留物。
JP2014547142A 2011-12-15 2012-12-14 銅インジウムガリウムジセレニドのリサイクル Pending JP2015508375A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161570844P 2011-12-15 2011-12-15
SE1151203 2011-12-15
SE1151203-5 2011-12-15
US61/570,844 2011-12-15
PCT/SE2012/051396 WO2013089630A1 (en) 2011-12-15 2012-12-14 Recycling of copper indium gallium diselenide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015508375A JP2015508375A (ja) 2015-03-19
JP2015508375A5 true JP2015508375A5 (ja) 2016-02-04

Family

ID=48612944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014547142A Pending JP2015508375A (ja) 2011-12-15 2012-12-14 銅インジウムガリウムジセレニドのリサイクル

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140341799A1 (ja)
EP (1) EP2791054A4 (ja)
JP (1) JP2015508375A (ja)
WO (1) WO2013089630A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9994951B2 (en) 2013-03-15 2018-06-12 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Photovoltaic sputtering targets fabricated from reclaimed materials
TWI496896B (zh) * 2014-04-28 2015-08-21 Univ Nat Cheng Kung Recovery method of copper - free indium gallium selenium residue by heat treatment
CN114150197B (zh) * 2021-11-11 2022-09-13 烟台南山学院 一种物理接触快速可逆变色的液态金属复合材料及其应用

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2775509A (en) * 1953-03-03 1956-12-25 American Smelting Refining Selenium dioxide volatilization process
US2948591A (en) * 1957-03-22 1960-08-09 American Metal Climax Inc Selenium recovery process
US6126740A (en) * 1995-09-29 2000-10-03 Midwest Research Institute Solution synthesis of mixed-metal chalcogenide nanoparticles and spray deposition of precursor films
US5779877A (en) * 1997-05-12 1998-07-14 Drinkard Metalox, Inc. Recycling of CIS photovoltaic waste
DE19731160C2 (de) * 1997-07-21 1999-05-27 Pilkington Solar Int Gmbh Verfahren zum Trennen der Komponenten einer Verbundglasscheibe
AU2004301076B2 (en) * 2003-08-14 2009-11-05 University Of Johannesburg Group I-III-VI quaternary or higher alloy semiconductor films
JP4841931B2 (ja) * 2005-10-25 2011-12-21 財団法人電力中央研究所 耐熱金属材料の耐酸化性の改善方法および耐熱金属部材の製造方法
FR2905706B1 (fr) * 2006-09-07 2009-04-17 Commissariat Energie Atomique Procede d'elimination par recuit des precipites dans un materiau semi conducteur ii vi
WO2008102457A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Showa Shell Sekiyu K. K. Method of recovering constituent member of cis type thin-film solar cell module
JP2010034481A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
US20100226839A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-09 Solar Applied Materials Technology Corp. Method For Recovery of Gallium
WO2011148600A1 (ja) * 2010-05-24 2011-12-01 株式会社アルバック Cu-In-Ga合金粉末の製造方法、Cu-In-Ga-Se合金粉末の製造方法、Cu-In-Ga-Se合金焼結体の製造方法、Cu-In-Ga合金粉末及びCu-In-Ga-Se合金粉末
CA2721518C (en) * 2010-11-26 2013-02-05 Neo Material Technologies Inc. Treatment of indium gallium alloys and recovery of indium and gallium

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010535692A5 (ja)
MX2013000892A (es) Proceso para la recuperacion de compuestos oleaginosos a partir de biomasa.
PL401614A1 (pl) Sposób wytwarzania sadzy przy uzyciu wstepnie ogrzanego wsadu oraz sluzaca do tego instalacja
FR2996630B1 (fr) Procede de realisation d'un echangeur de chaleur contenant un materiau a changement de phase, echangeur obtenu et utilisations aux hautes temperatures.
JP2013199502A5 (ja)
JP2011192974A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012230889A5 (ja)
JP2013140696A5 (ja)
WO2010107282A3 (ko) 불소계 공중합체를 포함하는 태양전지 백시트 및 그 제조방법
JP2011119720A5 (ja) 酸化物半導体素子の作製方法
JP2015508375A5 (ja)
JP2012001634A5 (ja)
GB2446331A (en) Method and system to provide targeted advertising with search results
MY188961A (en) High-throughput thermal processing methods for producing high-efficiency crystalline silicon solar cells
WO2011112994A3 (en) Thermoelectric figure of merit enhancement by modification of the electronic density of states
IN2012DN03176A (ja)
WO2012165855A3 (en) Method of development for the enhancement of thermoelectric efficiency of thermoelectric material through annealing process
CN106653598A (zh) 一种扩散快速退火方法
JP2012190865A5 (ja)
MX359531B (es) Recuperación de calor de un proceso de reenfriamiento de túnel.
WO2014161531A3 (de) Verfahren und membranmodul zur energieeffizienten sauerstofferzeugung in der biomassevergasung
JP2016516014A5 (ja)
EP2666884A4 (en) CU-GA-TARGET AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND LIGHT ABSORBENT LAYER AND CIGS SOLAR CELL MADE OF A CU-GA ALLOY FILM WITH THE LIGHT ABSORBING LAYER
CN105237437B (zh) 一种恩他卡朋杂质化合物及其制备方法
WO2013170686A1 (zh) 铜铟镓合金的制备方法