JP2015506505A - メモリ装置のウェアレベリング - Google Patents

Abstract

データ蓄積装置でウェアレベリングを管理する方法は、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値を満たすか否かを判断することを含む。第１の不揮発性メモリダイは複数のメモリダイに含まれる。この方法は、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値を満たすという判断に応じて、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分から複数のメモリダイのうちの第２の不揮発性メモリダイへ第１のデータを移動することをも含む。

Description

本発明は、一般的にデータ蓄積に関する。

メモリ装置にデータを蓄積する能力は技術の進歩にともない向上している。例えば、フラッシュメモリ装置は半導体装置で不揮発性データ蓄積を可能にし、この半導体装置は１つ以上のメモリコアを含み、各コアは該当するメモリダイ上に配置され得る。

書き込み、読み出し、消去、およびメモリ素子が関わる他のメモリ操作のため、メモリダイのメモリ素子でウェアが起こり得る。過度のウェアを被ったメモリ素子は信頼できる蓄積素子でなくなる可能性がある。メモリダイで信頼できる蓄積素子の数が減少すると、メモリダイからのデータ読み出しの誤り率は増加する。誤り率がメモリ装置の誤り訂正能力を上回ると、メモリ装置の有用寿命は終わったとみなされる。

ウェアレベリングはメモリダイの寿命を延ばし得る手法であり、メモリダイ内のメモリ素子でウェアを分散するためにメモリダイのメモリ素子間でデータを移動することを通常含む。頻繁にアクセスされるデータをある１つのメモリ素子から別のメモリ素子に移すことにより、読み出し、書き込み、消去、リフレッシュ、および他のメモリ操作をも含むメモリ操作が、２つ以上のメモリ素子に分散される。その結果、メモリダイはウェアレベリングがない場合より長い有用寿命を有し得る。

データはデータ蓄積装置の異なるメモリダイ間で移動され得る。ある１つのメモリダイから別のメモリダイへデータを移動するか否かの決定は、メモリダイの一方または両方に関連付けられた信頼性測定値に基づき得る。データ蓄積装置の中で複数のメモリダイのうちの他の不揮発性メモリダイへデータを移動することにより（ウェアレベリング）、単一メモリダイ内でのデータ移動にウェアレベリングを限定する場合に比べて複数のメモリダイの有用寿命を延ばし得る。

複数のメモリダイのうちの第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値を管理し、かつ信頼性測定値がしきい値を満たすか否かを判断する方法および装置が提示される。しきい値には第１の不揮発性メモリダイの第１の部分の信頼性が関連付けられ得る。信頼性測定値がしきい値を満たすという判断に応じて、第１の部分に蓄積されたデータは複数のメモリダイの第２の不揮発性メモリダイへ移動され得る。第２の不揮発性メモリダイの特定部分に対するデータ移動は、その特定部分に関連付けられた信頼性測定値が第２の不揮発性メモリダイの特定部分に関連付けられたしきい値に満たない値を有することを条件とし得る。

複数のメモリダイのメモリダイ間でデータを移動するように構成された周辺回路を備えるデータ蓄積装置の特定の実施形態を示すブロック図である。 周辺回路と、複数のメモリダイのメモリダイ間でデータを移動するように構成されたコントローラとを備えるデータ蓄積装置の特定の実施形態を示すブロック図である。 複数のメモリダイのメモリダイ間でデータを移動するように構成されたコントローラを備えるデータ蓄積装置の特定の実施形態を示すブロック図である。 データ蓄積装置でウェアレベリングを管理する方法の特定の実施形態を示す流れ図である。 データ蓄積装置でウェアレベリングを管理する方法の別の実施形態を示す流れ図である。 データ蓄積装置でウェアレベリングを管理する方法の別の実施形態を示す流れ図である。 データ蓄積装置でウェアレベリングを管理する方法の別の実施形態を示す流れ図である。 データ蓄積装置でウェアレベリングを管理する方法の別の実施形態を示す流れ図である。

データは不揮発性メモリの一部分（例えば、不揮発性メモリのページまたはブロック）に蓄積され得る。不揮発性メモリの各部分は、通常は多数の書き込み、読み出し、他のメモリ操作、またはこれらの組み合わせのために、ウェアを被り得る。

不揮発性メモリの一部分のウェアは当該部分の信頼性測定値に反映され得る。例えば、信頼性測定値は、当該部分に対する書き込み、読み出し、他のメモリアクセス、またはこれらの組み合わせの数に基づき判断され得る。あるいは、信頼性測定値は当該部分にデータが書き込まれた後の経過時間に基づき得る。信頼性測定値は、当該部分の信頼性について、つまり当該部分に蓄積されたデータ表現が当該部分に書き込まれたデータの正確な表現であるか否かについて、指標を提供し得る。

信頼性測定値は、その値を信頼性基準に関連するしきい値に比較することによって評価され得る。メモリの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値に達するかしきい値を超過すると、第１の部分は信頼できないとみなされ得る。これに応じて、蓄積されているデータは不揮発性メモリの第２の部分へ移動され得る。ウェアを均一にするために第２の部分へデータを移動することにより（ウェアレベリング）、蓄積されたデータの信頼性は向上し得る。具体的に説明すると、第２の部分へデータを移動することで、蓄積されたデータで誤りが生じる確率は第１の部分にデータを残す場合に比べて減少し得る。

ウェアレベリングはメモリダイの一部分から当該メモリダイの別の部分へのデータ移動に限定され得る。あるいは、ウェアレベリングはメモリダイ間のデータ移動に拡張され得る。ウェアレベリングがダイの一部分から同一ダイの別の部分へデータを移すことに限定される場合は、ダイのいずれか１つが他のダイより早く消耗し得る。１スタックのメモリダイ等、複数のメモリダイを含むメモリ装置では、スタック内の単一のダイを差し替えることが困難であるため、単一のメモリダイに偏ったウェアはメモリ装置の有効寿命を制限し得る。複数のメモリダイにわたるデータ移動にウェアレベリングを応用することにより、メモリダイのいずれか１つにウェアが偏る見込みは低減され、メモリ装置全体の有用寿命は延びる。

図１は、１スタック１０１のメモリダイと、スタック１０１のメモリダイ間でデータを移動することによってウェアレベリングを遂行するように構成されたコントローラ１８０とを備えるデータ蓄積装置１００のブロック図である。データ蓄積装置１００はまた、第１の周辺ダイ１２０と、第２の周辺ダイ１４０と、第３の周辺ダイ１５０と、第４の周辺ダイ１７０とを備える。周辺ダイ１２０、１４０、１５０、１７０の各々はメモリダイスタック１０１のそれぞれのメモリダイへ結合される。他の実施形態において、データ蓄積装置１００は、積み重ねられず、別の幾何学的構成で配置された複数のダイを含み、例えば、隣り合わせに配置されたダイ、またはダイ数がそれぞれ等しいかまたは異なる数個のスタックに配置されたダイを有するマルチダイパッケージを含み得る。本願明細書における図１の説明は、データ蓄積装置１００の複数のメモリダイのあらゆる幾何学的構成に当てはまる。

データ蓄積装置１００は、例えば、Ｓｅｃｕｒｅ Ｄｉｇｉｔａｌ ＳＤ（登録商標）カード、ｍｉｃｒｏＳＤ（登録商標）カード、ｍｉｎｉＳＤ（登録商標）カード（デラウェア州ウィルミントンのSD-3C LLC の商標）、ＭｕｌｔｉＭｅｄｉａＣａｒｄ（登録商標）（ＭＭＣ）カード（バージニア州アーリントンのJEDEC Solid State Technology Associationの商標）、またはＣｏｍｐａｃｔＦｌａｓｈ（登録商標）（ＣＦ）カード（カリフォルニア州ミルピタスのサンディスク コーポレイションの商標）といったメモリカードに含まれ得る。あるいは、データ蓄積装置１００は、ホスト装置に組み込まれたメモリであってよく、例えば説明的な例としてｅＭＭＣ（登録商標）（バージニア州アーリントンのJEDEC Solid State Technology Associationの商標）メモリ、またはｅＳＤメモリであってもよい。あるいは、データ蓄積装置１００は、携帯電話機、タブレット、可搬型コンピュータ、個人用携帯情報端末を含む計算装置等に利用され得る組み込みメモリ（例えば、組み込みフラッシュダイ）であってもよい。

スタック１０１は、周辺回路インターフェイス１０３を含む第１のメモリダイ１０２と、周辺回路インターフェイス１０５を含む第２のメモリダイ１０４と、周辺回路インターフェイス１０７を含む第３のメモリダイ１０６と、周辺回路インターフェイス１０９を含む第４のメモリダイ１０８とを含む。スタック１０１のメモリダイのいずれか１つ以上はフラッシュメモリ（例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリ）を含み得る。４つのメモリダイを有するスタック１０１が示されているが、他の実施形態においてスタック１０１は２つのメモリダイ、３つのメモリダイ、または５つ以上のメモリダイを有し得る。

第１のメモリダイ１０２は、周辺回路インターフェイス１０３を介し、かつ第１の周辺ダイ１２０のコアインターフェイス１２７を介し、周辺ダイ１２０の第１の周辺回路１２２へ結合され得る。第２のメモリダイ１０４は、周辺回路インターフェイス１０５を介し、かつ第２の周辺ダイ１４０のコアインターフェイス１４７を介し、第２の周辺ダイ１４０の第２の周辺回路１４２へ結合され得る。第３のメモリダイ１０６は、周辺回路インターフェイス１０７を介し、かつ第３の周辺ダイ１５０のコアインターフェイス１５７を介し、第３の周辺ダイ１５０の第３の周辺回路１５２へ結合され得る。第４のメモリダイ１０８は、周辺回路インターフェイス１０９を介し、かつ第４の周辺ダイ１７０のコアインターフェイス１７７を介し、第４の周辺ダイ１７０の第４の周辺回路１７２へ結合され得る。

第１の周辺回路１２２は、第１の周辺ダイ１２０のコントローラインターフェイス１２９を介し、かつコントローラ１８０の第１の装置インターフェイス１３１を介し、コントローラ１８０へ結合され得る。第２の周辺回路１４２は、第２の周辺ダイ１４０のコントローラインターフェイス１４９を介し、かつコントローラ１８０の第２の装置インターフェイス１３３を介し、コントローラ１８０へ結合され得る。第３の周辺回路１５２は、第３の周辺ダイ１５０のコントローラインターフェイス１５９を介し、かつコントローラ１８０の第３の装置インターフェイス１３５を介し、コントローラ１８０へ結合され得る。第４の周辺回路１７２は、第４の周辺ダイ１７０のコントローラインターフェイス１７９を介し、かつコントローラ１８０の第４の装置インターフェイス１３７を介し、コントローラ１８０へ結合され得る。装置インターフェイス１３１、１３３、１３５、１３７のいずれか１つ以上は直列化／非直列化（ＳＥＲＤＥＳ）インターフェイスであってもよい。

第１の周辺回路１２２は、コアインターフェイス１２７を介して第１の不揮発性メモリダイ１０２と通信し、かつコントローラインターフェイス１２９を介してコントローラ１８０と通信するように構成され得る。例えば、コントローラインターフェイス１２９は、１対の線上で差動信号によりコントローラ１８０との通信を可能にするＳＥＲＤＥＳインターフェイスであってもよい。第１の周辺回路１２２は、コントローラによって従来実施されてきた１つ以上の操作（誤り訂正符号化および復号化等）、あるいはフラッシュメモリによって従来実施されてきた１つ以上の操作（データラッチング操作、状態マシン操作等）を遂行するように構成され得る。

第１の周辺回路１２２は、第１のメモリダイ１０２で行われるメモリ操作に応じて信頼性測定値表１３０を更新するように構成された追跡回路１２４を含む。例えば、追跡回路１２４は、メモリダイ１０２へ書き込まれるデータに対応する信頼性測定値表１３０で書き込み／消去サイクル数を更新するように構成され得る。追跡回路１２４はまた、信頼性測定値表１３０内の項目をしきい値１２６に比較し、かつある特定の項目がしきい値１２６を満たす場合にコントローラ１８０に合図するように構成され得る。

同様に、第２の周辺回路１４２は第２の不揮発性メモリダイ１０４と通信するように構成され、追跡回路１４３を含み得る。第２の周辺回路１４２はしきい値１４６と信頼性測定値表１４４とを蓄積し得る。第３の周辺回路１５２は第３の不揮発性メモリダイ１０６と通信するように構成され、追跡回路１５４を含み得る。第３の周辺回路１５２はしきい値１５６と信頼性測定値表１５８とを蓄積し得る。第４の周辺回路１７２は第４の不揮発性メモリダイ１０８と通信するように構成され、追跡回路１７３を含み得る。第４の周辺回路１７２はしきい値１７６と信頼性測定値表１７４とを蓄積し得る。信頼性測定値表１３０、１４４、１５８、１７４のいずれか１つ以上、および／またはしきい値１２６、１４６、１５６、１７６のいずれか１つ以上は、オンボードメモリ（例えば、該当する周辺回路内の不揮発性蓄積部）に蓄積され得る。

作動中にコントローラ１８０はスタック１０１で行われるデータ操作（例えば、書き込み操作、読み出し操作、および消去操作）を制御し得る。例えば、コントローラ１８０は書き込みコマンドとデータを周辺ダイ１２０へ送信し、周辺ダイ１２０は第１のメモリダイ１０２にデータを蓄積し得る。データは第１のメモリダイ１０２のいずれかの部分に蓄積され得る。（「部分」は１ページのメモリ、１ブロックのメモリ、またはメモリダイ上の別のメモリ区分を指し得る。）例えば、データ１３２は第１のメモリダイ１０２の第１の部分１１０に蓄積され得る。第１の部分１１０に関連付けられた信頼性測定値１２８を管理する追跡回路１２４は、表１３０で信頼性測定値１２８を更新し得る。

追跡回路１２４は、第１のメモリダイ１０２の各部分に対応する信頼性測定値を信頼性測定値表１３０内で管理し得る。信頼性測定値表１３０の中で信頼性測定値を管理することにより、第１の周辺回路１２２はメモリダイ間でデータ移動が行われるべき時を検知し得る。例えば、第１の周辺回路１２２は、信頼性測定値表１３０の中にある１つ以上の信頼性測定値がしきい値１２６を満たすかまたはしきい値１２６を超過することを検知し得る。

第１の周辺回路１２２は信頼性測定値１２８がしきい値１２６を満たすこと（しきい値１２６以上であること）を判断し得る。これに応じて、第１の周辺回路１２２は別のメモリダイへのデータ１３２の移動に着手し得る。例えば、第１の周辺回路１２２はコントローラ１８０内のダイ間ウェアレベリング制御部１８２へ信号を送信し、第１の部分１１０に蓄積されたデータ１３２を移すべきことを伝え得る。

ダイ間ウェアレベリング制御部１８２はデータ１３２の目的地を特定するため、追跡回路１４３、１５４、１７３のいずれか１つ以上に問い合わせを行い得る。この問い合わせに応じて、追跡回路１４３、１５４、１７３の各々はダイ間ウェアレベリング制御部１８２へ応答を送信し、データ移動のために該当するメモリダイの状態を伝える。

ダイ間ウェアレベリング制御部１８２は第２のメモリダイ１０４でデータ１３２の目的地を選択し、データ１３２を取り出すことを第１の周辺回路１２２に指図し得る。例えば、ダイ間ウェアレベリング制御部１８２は、第２の不揮発性メモリダイ１０４の第２の部分１１２に関連付けられた第２の信頼性測定値１４８が第２のメモリダイ１０４に関連付けられたしきい値１４６に満たないことが確認されることを条件とし、第２の部分１１２を移動の目的地として選択し得る。第２の信頼性測定値１４８がしきい値１４６に満たないか否かの判断は第２の周辺回路１４２によって遂行され得る。

コントローラ１８０のダイ間ウェアレベリング制御部１８２は、第１のメモリダイ１０２から第２のメモリダイ１０４の第２の部分１１２へのデータ１３２の移動を誘導し得る。第２の周辺回路１４２は第２のメモリダイ１０４にデータ１３２を蓄積し得る。

別の例において、第２のデータ１６２は第３のメモリダイ１０６の第３の部分１１４から移され、第４のメモリダイ１０８に蓄積され得る。例えば、第３の部分１１４に関連付けられた信頼性測定値１６０がしきい値１５６を満たすという判断が下され得る。ダイ間ウェアレベリング制御部１８２は目的地（例えば、第４のメモリダイ１０８の部分１１６）を選択し、データ１６２を取り出すことを第３の周辺回路１５２に指図し得る。第４の部分１１６への第２のデータ１６２の移動は、第４の部分１１６に関連付けられた信頼性測定値１７８がしきい値１７６に満たないと判断されることを条件とし得る。

信頼性測定値表１３０、１４４、１５８、１７４で管理される信頼性測定値は、スタック１０１内のメモリダイの対応する部分に対するメモリアクセス操作（例えば、読み出し操作、書き込み操作、または他のメモリ操作）を追跡し得る。代替的にまたは追加的に、信頼性測定値はメモリダイの特定部分にデータが書き込まれた後の経過時間の判断を可能にし得る。例えば、追跡回路１２４はデータ１３２が部分１１０に書き込まれたときのタイムスタンプを記録し、かつこのタイムスタンプをシステムクロックに比較して経過時間を計算し得る。追跡回路１２４は経過時間がしきい値（例えば、しきい値１２６）を超過したか否かを判断し得る。

それぞれのしきい値（例えば、しきい値１２６、１４６、１５６、１７６）は、１つ以上の基準（例えば、該当するメモリダイの周囲条件）に基づき選択され得る。例えば、作動温度はメモリダイの信頼性に影響を与え、スタック１０１の内側に位置するメモリダイは外側に位置するメモリダイより高温で作動し得る。高い周囲温度は蓄積されたデータを急速に劣化させ得るため、内側に位置するメモリダイ（例えば、第２のメモリダイ１０４または第３のメモリダイ１０６）のしきい値は外側に位置するメモリダイ（例えば、第１のメモリダイ１０２または第４のメモリダイ１０８）より小さくしてもよい。小さいしきい値はメモリダイの短い有用寿命を反映し、しきい値が小さいほど、少ないメモリ操作の後かまたはデータ書き込み以降の短い経過時間の後に、データは移動され得る。

ダイ間ウェアレベリングを遂行することにより、装置１００はそれぞれのダイの中で個別にウェアレベリングを遂行する場合に比べて長い有用寿命を有し得る。データは、ウェアが多いダイからウェアが少ないダイへ移動され得る。その結果、単一のメモリダイで生じる過度のウェアによる装置１００の早期故障は軽減され得る。

図２は、周辺回路と、複数のメモリダイのメモリダイ間でデータを移動するように構成されたコントローラとを備えるデータ蓄積装置２００のブロック図である。データ蓄積装置２００は、メモリダイのスタック２０１と、コントローラ２８０と、複数の周辺ダイ２２０、２４０、２５０とを備える。スタック２０１内のメモリダイの各々は不揮発性メモリダイであってよく、例えばＮＡＮＤフラッシュメモリであってもよい。他の実施形態において、データ蓄積装置２００は、積み重ねられず、別の幾何学的構成で配置された複数のダイを含み、例えば隣り合わせに配置されたダイ、またはダイ数がそれぞれ等しいかまたは異なる数個のスタックに配置されたダイを含み得る。本願明細書における図２の説明はデータ蓄積装置２００の複数のメモリダイのあらゆる幾何学的構成に当てはまる。

メモリスタック２０１は、周辺回路インターフェイス２０３を含む第１のメモリダイ２０２と、周辺回路インターフェイス２０５を含む第２のメモリダイ２０４と、周辺回路インターフェイス２０７を含む第３のメモリダイ２０６とを含み得る。３つのメモリダイを有するスタック２０１が示されているが、他の実施形態においてスタック２０１は２つのメモリダイまたは４つ以上のメモリダイを有し得る。

第１のメモリダイ２０２は、第１の周辺回路インターフェイス２０３を介し、かつ第１の周辺ダイ２２０のコアインターフェイス２２７を介し、第１の周辺ダイ２２０の第１の周辺回路２２２へ結合され得る。第２のメモリダイ２０４は、第２の周辺回路インターフェイス２０５を介し、かつ第２の周辺ダイ２４０のコアインターフェイス２４７を介し、第２の周辺ダイ２４０の第２の周辺回路２４２へ結合され得る。第３のメモリダイ２０６は、第３の周辺回路インターフェイス２０７を介し、かつ第３の周辺ダイ２５０のコアインターフェイス２５７を介し、第３の周辺ダイ２５０の第３の周辺回路２５２へ結合され得る。

第１の周辺回路２２２は、第１の周辺ダイ２２０のコントローラインターフェイス２２９を介し、かつコントローラ２８０の第１の装置インターフェイス２３１を介し、コントローラ２８０へ結合され得る。第２の周辺回路２４２は、第２の周辺ダイ２４０のコントローラインターフェイス２４９を介し、かつコントローラ２８０の第２の装置インターフェイス２３３を介し、コントローラ２８０へ結合され得る。第３の周辺回路２５２は、第３の周辺ダイ２５０のコントローラインターフェイス２５９を介し、かつコントローラ２８０の第３の装置インターフェイス２３５を介し、コントローラ２８０へ結合され得る。装置インターフェイス２３１、２３３、２３５のいずれか１つ以上は直列化／非直列化（ＳＥＲＤＥＳ）インターフェイスであってもよい。

コントローラ２８０はプロセッサ２８２を含み、このプロセッサ２８２はウェアレベリング回路２８４を含み得る。コントローラ２８０はまた、１つ以上のしきい値を蓄積するしきい値蓄積部２８６を含み得る。コントローラ２８０はまた、メモリ２８８を含み、このメモリ２８８は命令２９０を含み、この命令２９０がプロセッサ２８２によって実行されると、プロセッサ２８２は操作（例えば、スタック２０１内の各ダイにつき信頼性測定値を生成し更新すること）を遂行する。コントローラ２８０はメモリダイ２０２、２０４、２０６にそれぞれ対応する信頼性測定値表２３０、２４４、２５８を含み得る。

プロセッサ２１２は、メモリダイ（例えば、第１のメモリダイ２０２）で、信頼性測定値が該当するしきい値を満たす１つ以上の部分を識別するように構成され得る。ウェアレベリング回路２８４は、該当するしきい値を満たす信頼性測定値を有する識別された各部分からメモリダイスタック２０１の別のメモリダイの該当する別個の部分に至るデータの移動を開始するように構成され得る。データは、別の部分の信頼性測定値が該当するしきい値に満たない値を有することを条件とし、その別の部分へ書き込まれ得る。

作動中にコントローラ２８０はメモリダイ２０２の複数の部分の各々に関連付けられた信頼性測定値を蓄積し得る。例えば、コントローラ２８０は第１の部分２１０に関連付けられた信頼性測定値２２８を信頼性測定値表２３０に蓄積し得る。コントローラ２８０は、第１の部分２１０に関わる事象（例えば、部分２１０の読み出し、部分２１０への書き込み、部分２１０に関わる別のメモリ操作、またはこれらの組み合わせ）が起こるたびに、信頼性測定値２２８の値を更新することによって信頼性測定値２２８を管理し得る。あるいは、信頼性測定値は第１の部分に対するデータ書き込み以降の経過時間に基づき更新され得る。

プロセッサ２８２は、しきい値蓄積部２８６に蓄積されたしきい値と信頼性測定値２２８との比較を遂行し得る。プロセッサ２８２は信頼性測定値２２８がしきい値を満たすと判断し、これに応じてウェアレベリング回路２８４は第１の周辺回路２２２と第２の周辺回路２４２を介して第１の部分２１０に蓄積されたデータ２３２を第２のメモリダイ２０４へ移動し得る。部分２１２に対応する信頼性測定値が、しきい値（例えば、部分２１２に関連付けられたしきい値または第２のメモリダイ２０４に関連付けられたしきい値）に満たない値を有することを条件とし、データ２３２は第２のメモリダイ２０４の部分２１２へ書き込まれ得る。

コントローラ２８０は複数の信頼性測定値を管理し、それぞれの信頼性測定値はメモリダイの対応する部分に関連付けられる。それぞれの信頼性測定値には、不揮発性メモリダイの対応する部分に関わるメモリの読み出し、書き込み、他のメモリ操作、またはこれらの組み合わせの数が関連付けられ得る。コントローラ２８０では、メモリダイスタック２０１の対応する部分に対してメモリアクセス、書き込み、または他のメモリ操作が行われるたびに信頼性測定値を更新することによって複数の信頼性測定値の各々が管理され得る。代替的にまたは追加的に、それぞれの信頼性測定値にはメモリダイの部分に対する書き込み以降に経過した時間が関連付けられ、それぞれの信頼性測定値は経過時間に基づき更新され得る。

図３は、メモリダイのスタック３０１と、スタック３０１のメモリダイ間でデータを移動するように構成されたコントローラ３８０とを備えるデータ蓄積装置３００のブロック図である。

スタック３０１は、第１のコントローラインターフェイス３２７を含む第１のメモリダイ３０２と、第２のコントローラインターフェイス３４７を含む第２のメモリダイ３０４と、第３のコントローラインターフェイス３５７を含む第３のメモリダイ３０６とを含む。スタック３０１のメモリダイのいずれか１つ以上はフラッシュメモリ（例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリ）を含み得る。３つのメモリダイを有するスタック３０１が示されているが、他の実施形態において、スタック３０１は２つのメモリダイまたは４つ以上のメモリダイを有し得る。他の実施形態において、データ蓄積装置３００は、積み重ねられず、別の幾何学的構成で配置された複数のダイを含み、例えば隣り合わせに配置されたダイ、またはダイ数がそれぞれ等しいかまたは異なる数個のスタックに配置されたダイを含む。本願明細書における図３の説明はメモリダイ（例えば、メモリダイ３０２、３０４、３０６）のあらゆる幾何学的構成に当てはまる。

第１のメモリダイ３０２は、第１のコントローラインターフェイス３２７を介し、かつコントローラ３８０の第１のメモリインターフェイス３２９を介し、コントローラ３８０へ結合され得る。第２のメモリダイ３０４は、第２のコントローラインターフェイス３４７を介し、かつコントローラ３８０の第２のメモリインターフェイス３３１を介し、コントローラ３８０へ結合され得る。第３のメモリダイ３０６は、第３のコントローラインターフェイス３５７を介し、かつコントローラ３８０の第３のメモリインターフェイス３３３を介し、コントローラ３８０へ結合され得る。

コントローラ３８０は、第１のメモリダイ３０２に対応する第１の信頼性測定値表３３０と、第２のメモリダイ３０４に対応する第２の信頼性測定値表３４４と、第３のメモリダイ３０６に対応する第３の信頼性測定値表３５８とを含み得る。コントローラ３８０はまた、ウェアレベリング回路３８４およびしきい値蓄積部３８６を含み得るプロセッサ３８２と、プロセッサ３８２によって実行される命令３９０を含むメモリ３８８とを含み得る。メモリ３８８はコントローラ３８０内の不揮発性メモリであってもよい。あるいは、メモリ３８８は起動時に命令３９０を受け取り得る揮発性メモリであってもよい。

コントローラ３８０は、メモリダイの１つ以上の部分の各々に関連付けられた信頼性測定値（例えば、第１のメモリダイ３０２の第１の部分３１０に関連付けられた信頼性測定値３２８）を管理するように構成され得る。コントローラ３８０は、部分３１０の読み出し、部分３１０への書き込み、第１の部分３１０に対する他のメモリ操作、またはこれらの組み合わせがあるたびに、値を更新することによって信頼性測定値３２８を管理し得る。あるいは、信頼性測定値は部分３１０に対する書き込み時間以降に経過した時間に相当し、経過時間に基づき更新され得る。

作動中にプロセッサ３８２は信頼性測定値を管理し、更新済みの信頼性測定値が該当するしきい値を満たすか否かの判断が下され得る。ある１つの部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値蓄積部３８６に蓄積された該当するしきい値を満たすという判断に応じて、コントローラ３８０はこの部分に蓄積されたデータを別のメモリダイへ移動し得る。例えば、信頼性測定値３２８が該当するしきい値を満たすと判断されると、コントローラ３８０のウェアレベリング回路３８４は、第１の部分３１０からコントローラ３８０を介して第２のメモリダイ３０４の第２の部分３１２に至るデータ３３２の移動に着手し得る。第２のメモリダイ３０４の第２の部分３１２に至るデータ３３２の移動は、部分３１２に関連付けられた信頼性測定値が部分３１２に関連付けられた該当するしきい値に満たない値を有するという判断を条件とし得る。

図４は、データ蓄積装置（例えば、図１、２または３のデータ蓄積装置）でウェアレベリングを管理する方法の流れ図である。４０２では、複数のメモリダイ（例えば、１スタックのメモリダイ）に含まれる第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値を満たすか否かについて判断が下され得る。例えば、図１の信頼性測定値１２８がしきい値１２６を満たすか否かについて判断が下され得る。

４０４では、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値を満たすという判断に応じて、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分から複数のメモリダイの第２の不揮発性メモリダイへ第１のデータが移動され得る。例えば、図１で信頼性測定値１２８がしきい値１２６を満たすと、第１のメモリダイ１０２の部分１１０から第２のメモリダイ１０４へデータ１３２が移動され得る。４０６でこの方法は終了する。

第１のデータは、第１の不揮発性メモリダイと通信するように構成された第１の周辺回路を介して第１の不揮発性メモリダイの第１の部分から第２の不揮発性メモリダイへ移動され得る。例えば、図１のデータ１３２は、第１のメモリダイ１０２の部分１１０から第１の周辺回路１２２を介して取り出され得る。第１のデータは、第２の不揮発性メモリダイと通信するように構成された第２の周辺回路を介して第２の不揮発性メモリダイへ移動され得る。例えば、図１のデータ１３２は、周辺回路１４２を介して第２のメモリダイ１０４へ移動され得る。

方法４００は、複数のメモリダイの第３の不揮発性メモリダイの特定部分に関連付けられた信頼性測定値が該当するしきい値を満たすことを判断することと、この判断に応じて、その特定部分に蓄積された第２のデータを複数のメモリダイの第４の不揮発性メモリダイへ移動することとをさらに含み得る。例えば、図１で、第３のメモリダイ１０６の部分１１４に関連付けられた信頼性測定値１６０はしきい値１５６を満たすと判断され得る。これに応じて、部分１１４に蓄積されたデータ１６２は第４のメモリダイ１０８（あるいは例えば、メモリダイスタック１０１の別のメモリダイ）へ移動され得る。第２のデータは、第３の不揮発性メモリダイと通信するように構成された第３の周辺回路を介して移動され得る。例えば、図１のデータ１６２は、第３のメモリダイ１０６と通信するように構成された周辺回路１５２を介して移動され得る。

第２のデータは、第３の周辺回路（例えば、図１の周辺回路１５２）から第２のデータを受信し、かつ第２のデータを第４の不揮発性メモリダイへ伝達するように構成された第４の周辺回路を介し、第４の不揮発性メモリダイへ移動され得る。例えば、図１のデータ１６２は、周辺回路１５２からコントローラ１８０を介してデータ１６２を受信し、かつデータ１６２を第４のメモリダイ１０８へ伝達するように構成された周辺回路１７２を介し、第４のメモリダイ１０８へ移動され得る。

方法４００は、第１の不揮発性メモリダイの複数の部分の各部分に関連付けられた対応する信頼性測定値を管理することを含み得る。方法４００はまた、複数のメモリダイの各不揮発性メモリダイの各部分に関連付けられた対応する信頼性測定値を管理することを含み得る。例えば、図１で、周辺回路１２２、１４２、１５２、１７２の各々は、対応する追跡回路１２４、１４３、１５４、１７３により、対応するメモリダイ１０２、１０４、１０６、１０８の各部分に関連付けられた対応する信頼性測定値を管理し得る。データは、第２の不揮発性メモリダイの特定部分に関連付けられた対応する信頼性測定値がしきい値に満たないと判断されることを条件とし、メモリダイ（例えば、第２の不揮発性メモリダイ１０４）または別のメモリダイ（例えば、メモリダイ１０６またはメモリダイ１０８）の特定部分へ移動され得る。

第２の不揮発性メモリダイの特定部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値を満たすという判断に応じて、この方法では、該当するしきい値に満たない関連する信頼性測定値を有する別の特定部分を探すことを含み得る。該当するしきい値に満たない関連する信頼性測定値を有する別の特定部分が見つかったことを受けて、データはこの別の特定部分へ移動され得る。

各不揮発性メモリダイの複数の部分の各部分につき、対応する信頼性測定値がコントローラによって管理され得る。コントローラは対応する周辺回路を介して複数のメモリダイの各々へ結合され、この周辺回路は第１のメモリダイへ結合された第１の周辺回路と第２のメモリダイへ結合された第２の周辺回路とを含む。例えば、図２で、コントローラ２８０はメモリダイ２０２、２０４、２０６の各部分の信頼性測定値を管理し得る。コントローラ２８０は、周辺ダイ２２０、２４０、２５０上の対応する周辺回路によってメモリダイ２０２、２０４、２０６の各々へ結合される。

第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値には、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対するメモリアクセス数が関連付けられ得る。例えば、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値は、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対してメモリアクセスがあるたびに更新され得る。

第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値には、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対する書き込み操作数が関連付けられ得る。第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値は、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対して書き込み操作があるたびに更新され得る。代替的にまたは追加的に、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値には、第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対する第１のデータの書き込み時間以降の経過時間が関連付けられ得る。

図５は、複数のメモリダイを有するデータ蓄積装置（例えば、図１、２または３のデータ蓄積装置）でウェアレベリングを管理する方法５００を示している。５０２では部分インデックスｊが値０に初期化される。５０４では、前回の信頼性測定値の更新以降にｉ番目のダイのｊ番目の部分に関わるメモリ事象（例えば、ｊ番目の部分に対する書き込みまたはｊ番目の部分に対する読み出し）が起きたか否かについて、判断が下される。ｉ番目のダイのｊ番目の部分に関わるメモリ事象が起きた場合は、５０８でｉ番目のダイのｊ番目の部分の信頼性測定値が更新される。例えば、図１で、追跡回路１２４は、メモリダイ１０２の対応する部分で起きたメモリ事象に応じて、信頼性測定値表１３０に蓄積された信頼性測定値を更新し得る。前回の信頼性測定値の更新以降にｉ番目のダイのｊ番目の部分に関わるメモリ事象が起きなかった場合は、５０６でインデックスｊが１増加され、方法は５０４へ戻り、前回の信頼性測定値の更新以降にｊ＋１番目の部分でメモリ事象が起きたか否かを判断する。

５１０では、ｉ番目のダイのｊ番目の部分の信頼性測定値がしきい値を満たすか（しきい値以上か）否かについて判断が下される。信頼性測定値が該当するしきい値以上である場合は、５１２でｉ番目のダイのｊ番目の部分に蓄積されたデータが別のダイへ移動される。ｉ番目のダイのｊ番目の部分の信頼性測定値がしきい値に満たない場合は、５０６でインデックスｊが増加され、方法は５０４へ戻る。

５１４では、ｉ番目のダイの全ての部分が検討済みか否かについて判断が下される。ｉ番目のダイの全ての部分（全てのｊ値）が検討済みの場合は、５１６で方法が終了する。ｉ番目のダイで検討されていない部分がある場合はインデックスｊが増加され、方法は５０４へ戻る。

図６は、データ蓄積装置（例えば、図１、２、または３のデータ蓄積装置）でウェアレベリングを管理する方法６００を示している。６０２では、メモリダイインデックスが０に初期化される。６０４では、特定のダイを識別するメモリダイインデックスｉが１増加される。６０６では、ダイ部分インデックスが値０に初期化される。

６０８では、前回の信頼性測定値の更新以降にｉ番目のダイのｊ番目の部分でメモリ事象が起きたか否かについて、すなわちｉ番目のダイのｊ番目の部分に対して書き込み、メモリアクセス、別のメモリ操作、またはこれらの組み合わせが行われたか否かについて、判断が下される。前回の信頼性測定値の更新以降にｉ番目のダイのｊ番目の部分に対して書き込み、メモリアクセス、または別のメモリ操作が行われた場合は、６１２でｉ番目のダイのｊ番目の部分に関連付けられた信頼性測定値が更新される。

６１４では、ｉ番目のダイのｊ番目の部分に関連付けられた信頼性測定値が関連するしきい値を満たすか（しきい値以上か）否かについて判断が下される。しきい値が満たされない場合、方法は６１０へ戻ってダイ部分インデックスを増加させ、６０８へ進む。信頼性測定値がしきい値を満たす場合は、６１６でｉ番目のメモリダイのｊ番目の部分に蓄積されたデータが別のダイへ移される。６１８では、ｉ番目のダイの全ての部分が検討済みか否かについて判断が下される。ｉ番目のダイに検討されていない部分がある場合は、６１０でダイ部分インデックスｊが増加され、方法は６０８へ戻る。

ｉ番目のダイの全ての部分が検討済みの場合は、６２０で各ダイが検討済みか（インデックスｉがＩ_tot に等しいか）否かについて判断が下される。複数のメモリダイで検討されていないダイがある場合、方法は６０４でメモリダイインデックスｉを１増加させ、６０６へ進みダイ部分インデックスを初期化する。６２０で全てのダイが検討済みの場合、方法は６０２へ戻る。

図７は、データ蓄積装置（例えば、図１、２または３のデータ蓄積装置）でウェアレベリングを管理する方法７００を示している。７０２では、部分インデックスｊが値０に初期化される。７０４では、ｉ番目のダイのｊ番目の部分に対するデータ書き込み以降の経過時間が更新される。７０６では、経過時間がしきい値を満たすか（しきい値以上か）否かについて判断が下される。経過時間がしきい値以上でなければ７１４でｊが増加され、７０４でｉ番目のダイのｊ番目の部分の経過時間が更新される。経過時間がしきい値を満たす場合、方法は７０８へ進み、７０８ではｉ番目のダイのｊ番目の部分に蓄積されたデータが別のダイへ移動される。

７１０では、ｉ番目のダイの全ての部分が検討済みか否かについて判断が下される。ｉ番目のダイで検討されていない部分がある場合、方法は７１４でｊを増加させ、７０４へ戻る。ｉ番目のダイの全ての部分が検討済みの場合、方法は７１２で終了する。

図８は、データ蓄積装置（例えば、図１、２、または３のデータ蓄積装置）でウェアレベリングを管理する方法を示している。データ蓄積装置は複数のメモリダイを含み、各メモリダイにはメモリダイインデックスｉ（ｉ＝０〜Ｉ_total ）が標示される。８０２ではメモリダイインデックスｉが０に初期化される。８０４ではメモリダイインデックスｉが１増加される。ダイ部分インデックスｊは８０６で０に初期化され、８０８で増加される。

８１０では、ｉ番目のダイのｊ番目の部分に関連付けられた経過時間Ｔ_elapsed が更新される。例えば、ｉ番目のダイのｊ番目の部分に対する最初のデータ書き込み以降の経過時間Ｔ_elapsed が更新される。８１２では、経過時間Ｔ_elapsed がしきい値時間を満たすか（しきい値時間以上か）否かについて判断が下される。ｉ番目のダイのｊ番目の部分の経過時間Ｔ_elapsed がしきい値を満たさない場合は、８０８でインデックスｊが増加される。

Ｔ_elapsed がしきい値を満たす場合は、ｉ番目のメモリダイのｊ番目の部分に蓄積されたデータが移動済みでなければ、８１４で別のダイへ移動される。８１６では、ｉ番目のダイの全ての部分が検討済みか否かについて判断が下される。ｉ番目のダイの１つ以上の部分が検討済みでなければ、８０８でダイ部分インデックスｊが増加される。

８１６でｉ番目のダイの全ての部分が検討済みなら、８１８で全てのダイが検討済みか否かについて判断が下される。１つ以上のダイが検討済みでなければ、８０４でメモリダイインデックスが１増加され、８０６でダイ部分インデックスｊが初期化される。全てのダイが検討済みなら、８０２でメモリダイインデックスｉが初期化され、方法は繰り返し得る。

図に示された種々の構成品はブロック構成品として描かれ、一般的な用語で説明されているが、これらの構成品は、図１、２または３の機器１００、２００または３００がかかる構成品またはこれらの組み合わせに関わる特定の機能を遂行することを可能にするように構成された１つ以上のマイクロプロセッサ、状態マシン、または他の回路を含み得る。例えば、図１のダイ間ウェアレベリング制御部１８２は、データ蓄積装置でウェアレベリングを管理し、かつメモリスタックの１メモリダイから別のメモリダイへデータを移動するための物理的構成品（例えば、ハードウェアコントローラ、状態マシン、論理回路、または他の構造）を含み得る。

代替的にまたは追加的に、図１のデータ蓄積装置１００は実行可能な命令（例えば、図２の命令２９０）を含み、この実行可能な命令はダイ間ウェアレベリング制御部１８２の１つ以上の機能を実施するためにコントローラ１８０によって実行され、この命令はスタック１０１またはランダムアクセスメモリに蓄積され得る。代替的にまたは追加的に、コントローラ１８０によって実行される実行可能な命令は、スタック１０１とは別の独立したメモリ（例えば、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ））に蓄積され得る。

データ蓄積装置１００、２００または３００は、１つ以上の外部装置に選択的に結合されるように構成された可搬型装置に含まれ得る。あるいは、データ蓄積装置１００、２００または３００は、１つ以上のホスト装置（例えば、可搬型通信装置の筐体）の中に取り付けられてもまたは組み込まれてもよい。例えば、データ蓄積装置１００はパッケージされた機器の中にあってよく、無線電話機、個人用携帯情報端末（ＰＤＡ）、ゲーム装置またはコンソール、可搬型ナビゲーション装置、コンピュータ装置、または内部不揮発性メモリを使用する他の装置の中にあってもよい。データ蓄積装置１００、２００または３００は不揮発性メモリを含み、例えばフラッシュメモリ（例えば、ＮＡＮＤ、ＮＯＲ、マルチレベルセル（ＭＬＣ）、分割ビット線ＮＯＲ（ＤＩＮＯＲ）、ＡＮＤ、高容量結合比（ＨｉＣＲ）、非対称コンタクトレストランジスタ（ＡＣＴ）、または他のフラッシュメモリ）、消去可能でプログラム可能な読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的に消去可能でプログラム可能な読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ワンタイムプログラマブルメモリ（ＯＴＰ）、三次元（３Ｄ）メモリ装置、３Ｄダイオード式メモリ装置、抵抗メモリ装置、または他種の不揮発性メモリを含み得る。

本願明細書に記載された実施形態の説明は、種々の実施形態を全般的に理解するためのものである。本願明細書の記載から別の実施形態を導き出し利用することもでき、本願明細書の記載範囲から逸脱することなく構造的および論理的な代替および変更を行うことはできる。本願明細書の記載は種々の実施形態の後続の改作または変形例をも対象として含む。本願明細書の記載と図は制限的ではなく、説明的とみなすべきものである。

Claims (36)

1. データ蓄積装置でウェアレベリングを管理する方法であって、
   複数のメモリダイに含まれる第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値を満たすか否かを判断するステップと、
   前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値を満たすという判断に応じて、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分から複数のメモリダイのうちの第２の不揮発性メモリダイへ第１のデータを移動するステップと、
   を含む方法。
2. 請求項１記載の方法において、
   第１のデータは前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分から第１の周辺回路を介して前記第２の不揮発性メモリダイへ移動され、前記第１の周辺回路は前記第１の不揮発性メモリダイと通信するように構成される方法。
3. 請求項１記載の方法において、
   第１のデータは第２の周辺回路を介して前記第２の不揮発性メモリダイへ移動され、前記第２の周辺回路は前記第２の不揮発性メモリダイと通信するように構成される方法。
4. 請求項１記載の方法において、
   複数のメモリダイのうちの第３の不揮発性メモリダイの特定部分に関連付けられた信頼性測定値が該当するしきい値を満たすことを判断するステップと、
   前記判断するステップに応じて、前記第３の不揮発性メモリダイの特定部分に蓄積された第２のデータを複数のメモリダイのうちの第４の不揮発性メモリダイへ移動するステップと、
   をさらに含む方法。
5. 請求項４記載の方法において、
   第２のデータは第３の周辺回路を介して移動され、前記第３の周辺回路は前記第３の不揮発性メモリダイと通信するように構成される方法。
6. 請求項５記載の方法において、
   第２のデータは第４の周辺回路を介して前記第４の不揮発性メモリダイへ移動され、前記第４の周辺回路は前記第３の周辺回路から第２のデータを受信し、かつ第２のデータを前記第４の不揮発性メモリダイへ伝達するように構成される方法。
7. 請求項１記載の方法において、
   前記第１の不揮発性メモリダイの複数の部分の各部分に関連付けられた対応する信頼性測定値を管理するステップをさらに含む方法。
8. 請求項１記載の方法において、
   複数のメモリダイの各不揮発性メモリダイの対応する複数の部分の各部分に関連付けられた対応する信頼性測定値を管理するステップをさらに含む方法。
9. 請求項１記載の方法において、
   第１のデータは、前記第２の不揮発性メモリダイの特定部分に関連付けられた対応する信頼性測定値が第２のしきい値に満たないと判断されることを条件とし、前記第２の不揮発性メモリダイの特定部分へ移動される方法。
10. 請求項９記載の方法において、
    前記第２の不揮発性メモリダイの特定部分に関連付けられた対応する信頼性測定値が第２のしきい値を満たすという判断に応じて、
    複数のメモリダイのうちのいずれか１つのメモリダイに位置し、該当するしきい値に満たない関連する信頼性測定値を有する別の特定部分を探すステップと、
    該当するしきい値に満たない関連する信頼性測定値を有する別の特定部分が見つかったことを受けて、その別の特定部分へ第１のデータを移動するステップと、
    をさらに含む方法。
11. 請求項１記載の方法において、
    前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値を、前記第１の周辺回路によって管理する方法。
12. 請求項１記載の方法において、
    前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値を、前記第１の不揮発性メモリダイと前記第２の不揮発性メモリダイとを含む複数のメモリダイの各々に結合されたコントローラによって管理し、前記コントローラは第１の周辺ダイ上の第１の周辺回路を介して前記第１の不揮発性メモリダイへ結合され、かつ第２の周辺ダイ上の第２の周辺回路を介して前記第２の不揮発性メモリダイへ結合される方法。
13. 請求項１記載の方法において、
    各不揮発性メモリダイの複数の部分の各部分につき、対応する信頼性測定値をコントローラによって管理し、前記コントローラは対応する周辺回路を介して複数のメモリダイの各々へ結合され、前記周辺回路は前記第１の不揮発性メモリダイへ結合された第１の周辺回路と前記第２の不揮発性メモリダイへ結合された第２の周辺回路とを備える方法。
14. 請求項１記載の方法において、
    前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値には、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対するメモリアクセス数が関連付けられる方法。
15. 請求項１４記載の方法において、
    前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値は、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対してメモリアクセスがあるたびに更新される方法。
16. 請求項１記載の方法において、
    前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値には、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対する書き込み操作数が関連付けられる方法。
17. 請求項１６記載の方法において、
    前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値は、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対して書き込み操作があるたびに更新される方法。
18. 請求項１記載の方法において、
    前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値には、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対する第１のデータの書き込み時間以降の経過時間が関連付けられる方法。
19. データ蓄積装置であって、
    複数の不揮発性メモリダイと、
    複数の不揮発性メモリダイの各々へ結合されたコントローラと、を備え、
    前記コントローラは、
    複数の不揮発性メモリダイのうちの第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値を管理し、
    前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値を満たすか否かを判断し、かつ
    前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値を満たすという判断に応じて、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分から複数の不揮発性メモリダイのうちの第２の不揮発性メモリダイへデータを移動するように構成されるデータ蓄積装置。
20. 請求項１９記載のデータ蓄積装置において、
    前記コントローラは、前記第２の不揮発性メモリダイの第２の部分に関連付けられた第２の信頼性測定値が第２のしきい値を下回ることが確認されることを条件とし、前記第２の不揮発性メモリダイの第２の部分へデータを移動するように構成されるデータ蓄積装置。
21. 請求項１９記載のデータ蓄積装置において、
    信頼性測定値には、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対するメモリアクセス数が関連付けられるデータ蓄積装置。
22. 請求項２１記載のデータ蓄積装置において、
    信頼性測定値は、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対してメモリアクセスがあるたびに更新されるデータ蓄積装置。
23. 請求項１９記載のデータ蓄積装置において、
    信頼性測定値には、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対する書き込み操作数が関連付けられるデータ蓄積装置。
24. 請求項２３記載のデータ蓄積装置において、
    信頼性測定値は、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対して書き込み操作があるたびに更新されるデータ蓄積装置。
25. 請求項１９記載のデータ蓄積装置において、
    信頼性測定値には、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に対するデータの書き込み時間以降の経過時間が関連付けられるデータ蓄積装置。
26. 機器において、
    複数のメモリダイのうちの第１の不揮発性メモリダイと通信するように構成された第１の周辺回路と、
    前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値がしきい値を満たすという判断に応じて、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分から前記第１の周辺回路を介して複数のメモリダイのうちの第２の不揮発性メモリダイへデータを移動するように構成されたコントローラと、
    を備える機器。
27. 請求項２６記載の機器において、
    前記コントローラは第２の周辺回路を介して複数のメモリダイのうちの第２の不揮発性メモリダイへデータを移動するように構成され、前記第２の周辺回路には前記第２の不揮発性メモリダイが連結される機器。
28. 請求項２６記載の機器において、
    前記コントローラは、前記第１の不揮発性メモリダイの第１の部分に関連付けられた信頼性測定値を管理するように構成される機器。
29. 請求項２６記載の機器において、
    前記コントローラは対応する周辺回路を介して複数のメモリダイの各不揮発性メモリダイへ結合される機器。
30. 請求項２６記載の機器において、
    前記コントローラは、複数のメモリダイの各不揮発性メモリダイの対応する複数の部分の各々に関連付けられた対応する信頼性測定値を管理するように構成される機器。
31. 請求項２６記載の機器において、
    前記コントローラは、
    前記第１の不揮発性メモリダイの対応する部分に各々関連付けられた複数の信頼性測定値を管理し、
    前記第１の不揮発性メモリダイで該当するしきい値を満たす信頼性測定値が関連付けられた１つ以上の部分を識別し、かつ
    識別された各部分から複数のメモリダイのうちの１つ以上の他のメモリダイの該当する別個の部分へデータを移動するようにさらに構成される機器。
32. 請求項３１記載の機器において、
    各信頼性測定値には、前記第１の不揮発性メモリダイの該当する部分に対するメモリアクセス数が関連付けられる機器。
33. 請求項３２記載の機器において、
    複数の信頼性測定値は、前記第１の不揮発性メモリダイの特定部分に対してメモリアクセスがあるたびに、前記第１の不揮発性メモリダイの特定部分に対応する信頼性測定値を更新することによって管理される機器。
34. 請求項３１記載の機器において、
    各信頼性測定値には、前記第１の不揮発性メモリダイの該当する部分に対する書き込み操作数が関連付けられる機器。
35. 請求項３４記載の機器において、
    複数の信頼性測定値は、前記第１の不揮発性メモリダイの特定部分に対して書き込み操作があるたびに、前記第１の不揮発性メモリダイの特定部分に対応する信頼性測定値を更新することによって管理される機器。
36. 請求項２９記載の機器において、
    各信頼性測定値には、前記第１の不揮発性メモリダイの該当する部分に対する書き込み時間以降の経過時間が関連付けられる機器。

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