JP2015501525A - 高処理能力のイオン注入装置 - Google Patents
高処理能力のイオン注入装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015501525A JP2015501525A JP2014540124A JP2014540124A JP2015501525A JP 2015501525 A JP2015501525 A JP 2015501525A JP 2014540124 A JP2014540124 A JP 2014540124A JP 2014540124 A JP2014540124 A JP 2014540124A JP 2015501525 A JP2015501525 A JP 2015501525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ion implantation
- mask
- carrier
- workpieces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 174
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 132
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/024—Moving components not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31706—Ion implantation characterised by the area treated
- H01J2237/3171—Ion implantation characterised by the area treated patterned
- H01J2237/31711—Ion implantation characterised by the area treated patterned using mask
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (25)
- イオン源と、
このイオン源に連結されているとともに、複数の抽出電極によりこのイオン源から分離されている処理室と、
複数のワークピースを保持するように構成されたキャリアと、
前記処理室内のマスクローダであって、マスクを前記キャリアに連結させるように構成された当該マスクローダと
を具えるイオン注入装置。 - 請求項1に記載のイオン注入装置において、前記イオン源がRFイオン源を有しているイオン注入装置。
- 請求項1に記載のイオン注入装置において、前記マスクは前記キャリアに磁気的に固着されているイオン注入装置。
- 請求項1に記載のイオン注入装置において、前記マスクは前記キャリアに機械的に固着されているイオン注入装置。
- 請求項1に記載のイオン注入装置において、前記マスクは前記複数のワークピースを覆うのに充分な大きさの寸法を有しているイオン注入装置。
- 請求項1に記載のイオン注入装置において、このイオン注入装置が更に、前記キャリアを、前記イオン源から指向されるイオンビームを通って移動させるように構成されたスキャンロボットを具えているイオン注入装置。
- 請求項6に記載のイオン注入装置において、前記スキャンロボットは、互いに直交している水平ローディング位置及び垂直イオン注入位置を有しており、前記スキャンロボットは、前記複数のワークピースが前記イオンビームの経路内に位置するように、前記キャリアを前記水平ローディング位置から前記垂直イオン注入位置へ回転させるように構成されているイオン注入装置。
- 請求項1に記載のイオン注入装置において、前記複数のワークピースは前記抽出電極のすぐ下流にあるようになっているイオン注入装置。
- 請求項1に記載のイオン注入装置において、イオンビームは前記イオン源から前記複数のワークピースに向けて直線状に投射されるようになっているイオン注入装置。
- イオン源と、
このイオン源に連結されているとともに、複数の抽出電極によりこのイオン源から分離されている処理室と、
複数のワークピースを保持するように構成されたキャリアと、
前記処理室内のマスクローダであって、マスクを前記キャリアに連結させるように構成された当該マスクローダと、
前記処理室に連結された移送室と、
この移送室に連結されたロードロックと、
前記移送室内の移送ロボットであって、前記複数のワークピースを前記ロードロックと前記処理室との間で移動させる当該移送ロボットと、
前記ロードロックに連結され、前記複数のワークピースを前記ロードロックからローディング及びアンローディングするように構成されたワークピース移動システムと
を具えるイオン注入装置。 - 請求項10に記載のイオン注入装置において、前記イオン源がRFイオン源を有しているイオン注入装置。
- 請求項10に記載のイオン注入装置において、前記マスクは前記キャリアに磁気的に固着されているイオン注入装置。
- 請求項10に記載のイオン注入装置において、前記マスクは前記キャリアに機械的に固着されているイオン注入装置。
- 請求項10に記載のイオン注入装置において、前記マスクは前記複数のワークピースを覆うのに充分な大きさの寸法を有しているイオン注入装置。
- 請求項10に記載のイオン注入装置において、このイオン注入装置が更に、前記キャリアを、前記イオン源から指向されるイオンビームを通って移動させるように構成されたスキャンロボットを具えているイオン注入装置。
- 請求項15に記載のイオン注入装置において、前記スキャンロボットは、互いに直交している水平ローディング位置及び垂直イオン注入位置を有しており、前記スキャンロボットは、前記複数のワークピースが前記イオンビームの経路内に位置するように、前記キャリアを前記水平ローディング位置から前記垂直イオン注入位置へ回転させるように構成されているイオン注入装置。
- 請求項10に記載のイオン注入装置において、このイオン注入装置が更に、前記移送室に連結されている他の、すなわち第2のロードロックを具えているイオン注入装置。
- 請求項10に記載のイオン注入装置において、このイオン注入装置が更に、
他の、すなわち第2のイオン源であって、前記イオン源、すなわち第1のイオン源と、この第2のイオン源との一方がn型イオンを発生し、他方がp型イオンを発生するようにした当該第2のイオン源と、
前記移送室及び前記第2のイオン源に連結された他の、すなわち第2の処理室であって、この第2の処理室が他の、すなわち第2の複数の抽出電極により前記第2のイオン源から分離されているようにした当該第2の処理室と、
この第2の処理室内の他の、すなわち第2のマスクローダであって、この第2のマスクローダは他の、すなわち第2のマスクを前記キャリアに連結させるように構成されている当該第2のマスクローダと
を具えているイオン注入装置。 - 請求項18に記載のイオン注入装置において、このイオン注入装置が更に、前記処理室、すなわち第1の処理室及び前記第2の処理室に連結された他の、すなわち第2の移送室を具えているイオン注入装置。
- 請求項10に記載のイオン注入装置において、前記複数のワークピースは前記抽出電極のすぐ下流にあるようになっているイオン注入装置。
- 請求項10に記載のイオン注入装置において、イオンビームは前記イオン源から前記複数のワークピースに向けて直線状に投射されるようになっているイオン注入装置。
- 複数のワークピースをキャリア上にマトリックスにローディングするステップと、
前記複数のワークピースの各ワークピースの表面の全体にイオン注入するためにイオンビームにより前記キャリアをスキャニングするステップを有するブランケットイオン注入を実行するステップと、
前記キャリアに、複数の孔が規定されているマスクを連結し、このマスクにより前記複数のワークピースの各ワークピースを少なくとも部分的に覆うようにするステップと、
前記マスクを前記キャリアに連結した後に、前記イオンビームにより前記キャリアをスキャニングして、前記マスクを介して前記複数のワークピースの各ワークピースの前記表面の領域にイオン注入する選択的なイオン注入を実行するステップと
を具えているイオン注入方法。 - 請求項22に記載のイオン注入方法において、前記選択的なイオン注入を前記ブランケットイオン注入の前に実行するイオン注入方法。
- 請求項22に記載のイオン注入方法において、前記ローディングを水平ローディング位置で行い、前記ブランケットイオン注入及び前記選択的なイオン注入を垂直イオン注入位置で行い、前記水平ローディング位置及び前記垂直イオン注入位置は互いに直交しているようにするイオン注入方法。
- 請求項22に記載のイオン注入方法において、前記ブランケットイオン注入と、前記マスクの前記連結と、前記選択的なイオン注入とを、前記複数のワークピースを収容している室内の真空を遮断することなく実行するイオン注入方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161554720P | 2011-11-02 | 2011-11-02 | |
US61/554,720 | 2011-11-02 | ||
US13/662,110 | 2012-10-26 | ||
US13/662,110 US9437392B2 (en) | 2011-11-02 | 2012-10-26 | High-throughput ion implanter |
PCT/US2012/063272 WO2013067317A1 (en) | 2011-11-02 | 2012-11-02 | High-throughput ion implanter |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015501525A true JP2015501525A (ja) | 2015-01-15 |
JP2015501525A5 JP2015501525A5 (ja) | 2015-12-17 |
JP6266523B2 JP6266523B2 (ja) | 2018-01-24 |
Family
ID=48172730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014540124A Expired - Fee Related JP6266523B2 (ja) | 2011-11-02 | 2012-11-02 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9437392B2 (ja) |
JP (1) | JP6266523B2 (ja) |
KR (1) | KR101751307B1 (ja) |
CN (1) | CN104011826B (ja) |
TW (1) | TWI559377B (ja) |
WO (1) | WO2013067317A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112011101956T5 (de) * | 2010-06-10 | 2013-05-02 | Ulvac, Inc. | Solarzellen-Herstellungsvorrichtung und Solarzellen-Herstellungsverfahren |
US9514912B2 (en) * | 2014-09-10 | 2016-12-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Control of ion angular distribution of ion beams with hidden deflection electrode |
CN118299316A (zh) * | 2024-04-28 | 2024-07-05 | 扬州韩思半导体科技有限公司 | 一种用于半导体芯片制造离子注入机 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6113542A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン注入用マスク装置及びそれを用いたイオン注入法 |
JPH06291073A (ja) * | 1993-04-06 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不純物のドーピング方法及びそれに使用する装置 |
JP2007053386A (ja) * | 2006-08-18 | 2007-03-01 | Hitachi Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
JP2008533721A (ja) * | 2005-03-09 | 2008-08-21 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 単一基板上で多数の工程段階を実現する方法および装置 |
US20100308236A1 (en) * | 2009-06-08 | 2010-12-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Masking apparatus for an ion implanter |
WO2010147997A2 (en) * | 2009-06-16 | 2010-12-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates | Workpiece handling system |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4030622A (en) | 1975-05-23 | 1977-06-21 | Pass-Port Systems, Inc. | Wafer transport system |
FR2383702A1 (fr) | 1977-03-18 | 1978-10-13 | Anvar | Perfectionnements aux procedes et dispositifs de dopage de materiaux semi-conducteurs |
JPS58164134A (ja) | 1982-03-24 | 1983-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4252237B2 (ja) | 2000-12-06 | 2009-04-08 | 株式会社アルバック | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
US7057192B2 (en) | 2004-02-06 | 2006-06-06 | Kaim Robert E | Radial scan arm and collimator for serial processing of semiconductor wafers with ribbon beams |
JP4969781B2 (ja) | 2005-01-14 | 2012-07-04 | 株式会社アルバック | プラズマドーピング装置 |
JP2006278316A (ja) | 2005-02-02 | 2006-10-12 | Advanced Ion Beam Technology Inc | リボンビームで半導体ウエハのシリーズ処理するための放射走査アーム及びコリメータ |
CN101138080A (zh) | 2005-03-09 | 2008-03-05 | 瓦里安半导体设备公司 | 在单一基板上进行多个处理步骤的方法及其装置 |
JP2006302528A (ja) | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
US7776727B2 (en) | 2007-08-31 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Methods of emitter formation in solar cells |
US7820460B2 (en) | 2007-09-07 | 2010-10-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Patterned assembly for manufacturing a solar cell and a method thereof |
US7727866B2 (en) | 2008-03-05 | 2010-06-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Use of chained implants in solar cells |
EP2141733A1 (en) | 2008-03-14 | 2010-01-06 | Intevac, Inc. | System and method for processing substrates with detachable mask |
US8795466B2 (en) * | 2008-06-14 | 2014-08-05 | Intevac, Inc. | System and method for processing substrates with detachable mask |
US8330128B2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-12-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Implant mask with moveable hinged mask segments |
US8749053B2 (en) | 2009-06-23 | 2014-06-10 | Intevac, Inc. | Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications |
US8698104B2 (en) | 2009-11-09 | 2014-04-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for handling multiple workpieces for matrix configuration processing |
US8461030B2 (en) | 2009-11-17 | 2013-06-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for controllably implanting workpieces |
EP2814051A1 (en) | 2010-02-09 | 2014-12-17 | Intevac, Inc. | Shadow mask implantation system |
CN101964319B (zh) | 2010-08-04 | 2013-03-20 | 清华大学 | 离子注入机晶圆传送系统及晶圆传送方法 |
US8216923B2 (en) * | 2010-10-01 | 2012-07-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Integrated shadow mask/carrier for patterned ion implantation |
-
2012
- 2012-10-26 US US13/662,110 patent/US9437392B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-01 TW TW101140619A patent/TWI559377B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-11-02 JP JP2014540124A patent/JP6266523B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-02 KR KR1020147014716A patent/KR101751307B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-02 WO PCT/US2012/063272 patent/WO2013067317A1/en active Application Filing
- 2012-11-02 CN CN201280064441.7A patent/CN104011826B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6113542A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン注入用マスク装置及びそれを用いたイオン注入法 |
JPH06291073A (ja) * | 1993-04-06 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不純物のドーピング方法及びそれに使用する装置 |
JP2008533721A (ja) * | 2005-03-09 | 2008-08-21 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 単一基板上で多数の工程段階を実現する方法および装置 |
JP2007053386A (ja) * | 2006-08-18 | 2007-03-01 | Hitachi Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
US20100308236A1 (en) * | 2009-06-08 | 2010-12-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Masking apparatus for an ion implanter |
WO2010147997A2 (en) * | 2009-06-16 | 2010-12-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates | Workpiece handling system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI559377B (zh) | 2016-11-21 |
CN104011826A (zh) | 2014-08-27 |
KR101751307B1 (ko) | 2017-06-27 |
US9437392B2 (en) | 2016-09-06 |
WO2013067317A1 (en) | 2013-05-10 |
CN104011826B (zh) | 2017-06-23 |
KR20140097269A (ko) | 2014-08-06 |
US20130108799A1 (en) | 2013-05-02 |
TW201324592A (zh) | 2013-06-16 |
JP6266523B2 (ja) | 2018-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10679883B2 (en) | Wafer plate and mask arrangement for substrate fabrication | |
US10062600B2 (en) | System and method for bi-facial processing of substrates | |
US9694989B2 (en) | Workpiece handling system and methods of workpiece handling | |
KR102327286B1 (ko) | 기판의 양면 처리를 위한 시스템 및 방법 | |
US8330128B2 (en) | Implant mask with moveable hinged mask segments | |
CN108290694B (zh) | 用于衬底制造的晶圆板和掩模装置 | |
US20110027463A1 (en) | Workpiece handling system | |
US20130287526A1 (en) | System architecture for vacuum processing | |
KR20120104221A (ko) | 매트릭스 형태 공정을 위한 다수 워크피스들 핸들링 시스템 및 방법 | |
JP6266523B2 (ja) | イオン注入装置及びイオン注入方法 | |
CN211788912U (zh) | 离子注入机的作业平台 | |
JP5892802B2 (ja) | イオン注入方法、搬送容器及びイオン注入装置 | |
KR101456842B1 (ko) | 태양 전지 제조 장치 및 태양 전지 제조 방법 | |
KR20060134569A (ko) | 이온주입장치의 엔드 스테이션 모듈 | |
KR20070059495A (ko) | 반도체소자 제조설비 | |
JPH11111212A (ja) | イオン注入装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151026 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161209 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170904 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6266523 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |