JP2015228443A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイボンド工程における低分子シロキサンのボンディングパッドへの付着を抑制することができ、かつ、ワイヤーボンディング工程の工程数を低減することのできる構造を有する発光素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る発光素子１は、ボンディングワイヤー接続用のボンディングパッド１５と、ボンディングパッド１５の上面１５ｕ及び側面１５ｓを被覆する、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗの群から選択される少なくとも１種の金属をＡｕに混合させた材料からなる被覆膜１６と、を有する。
【選択図】図１
【解決手段】本発明の一態様に係る発光素子１は、ボンディングワイヤー接続用のボンディングパッド１５と、ボンディングパッド１５の上面１５ｕ及び側面１５ｓを被覆する、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗの群から選択される少なくとも１種の金属をＡｕに混合させた材料からなる被覆膜１６と、を有する。
【選択図】図１
Description
本発明は、発光素子及びその製造方法に関する。
従来、最表面がＡｕで構成されるボンディングパッドと、その表面を保護するＳｉＯ２からなる保護層と、ボンディングパッドと保護層との間に形成されたＴａ等からなる被覆層を有する発光素子が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１の発光素子によれば、被覆層がダイボンド工程における低分子シロキサンのボンディングパッドへの付着を抑制し、ボンディングパッドとボンディングワイヤーとの接合強度の低下を抑えることができる。
また、特許文献１には、ボンディングパッド表面のＡｕと被覆層のＴａ等が合金化する場合があることが開示されている。
特許文献１によれば、ボンディングワイヤーとボンディングパッドとをＡｕ−Ａｕ接合させるために、ワイヤーボンディングの前に被覆層をプラズマエッチングにより削っている。これは、被覆層の全領域が合金化している訳ではなく、被覆層の表面近傍にはＡｕがほとんど存在していないことによると考えられる。
特許文献１に開示されるような発光素子の製造工程において、ワイヤーボンディングの前の被覆層のエッチング工程を省略することができれば、工程数の低減、及びそれに伴う製造コストの低減を実現することができる。
本発明の目的の一つは、ダイボンド工程における低分子シロキサンのボンディングパッドへの付着を抑制することができ、かつ、ワイヤーボンディング工程の工程数を低減することのできる構造を有する発光素子、及びその製造方法を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記［１］〜［７］の発光素子を提供する。
［１］ボンディングワイヤー接続用のボンディングパッドと、前記ボンディングパッドの上面及び側面を被覆する、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗの群から選択される少なくとも１種の金属をＡｕに混合させた材料からなる被覆膜と、を有する発光素子。
［２］前記被覆膜が、ＴａをＡｕに混合させた材料からなる、前記［１］に記載の発光素子。
［３］前記被覆膜のＴａの濃度が３．０体積％以上、１０．９体積％以下である、前記［２］に記載の発光素子。
［４］発光波長が３５０ｎｍ以上５１４ｎｍ以下である、前記［２］又は［３］に記載の発光素子。
［５］前記被覆膜の厚さが１００Å以上、３０００Å以下である、前記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［６］前記被覆膜を介して前記ボンディングパッドの側面を被覆する、ＳｉＯ２からなる保護膜をさらに有する、前記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の発光素子。
［７］前記被覆膜は、前記金属のスパッタリングターゲットとＡｕのスパッタリングターゲットを用いて、前記ボンディングパッドの上面及び側面に前記金属とＡｕを同時にスパッタリングすることにより形成される膜である、前記［１］〜［６］のいずれか１項に記載の発光素子。
また、本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記［８］〜［１２］の発光素子の製造方法を提供する。
［８］Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗの群から選択される少なくとも１種の金属のスパッタリングターゲットとＡｕのスパッタリングターゲットを用いて、ボンディングパッドの上面及び側面に前記金属とＡｕを同時にスパッタリングすることにより、前記金属をＡｕに混合させた材料からなる被覆膜を形成する工程、を含む発光素子の製造方法。
［９］ＴａのスパッタリングターゲットとＡｕのスパッタリングターゲットを用いて、ＴａをＡｕに混合させた材料からなる前記被覆膜を形成する、前記［８］に記載の発光素子の製造方法。
［１０］前記被覆膜のＴａの濃度が３．０体積％以上、１０．９体積％以下である、前記［９］に記載の発光素子の製造方法。
［１１］前記被覆膜の厚さが１００Å以上、３０００Å以下である、前記［８］〜［１０］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［１２］前記ボンディングパッドの側面を、ＳｉＯ２からなる保護膜により前記被覆膜を介して被覆する工程をさらに含む、前記［８］〜［１１］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
本発明によれば、ダイボンド工程における低分子シロキサンのボンディングパッドへの付着を抑制することができ、かつ、ワイヤーボンディング工程の工程数を低減することのできる構造を有する発光素子、及びその製造方法を提供することができる。
〔実施の形態〕
（発光素子の構成）
図１は、実施の形態に係る発光素子１の垂直断面図である。
（発光素子の構成）
図１は、実施の形態に係る発光素子１の垂直断面図である。
発光素子１は、基板１０と、基板１０上のｎ型半導体層１１と、ｎ型半導体層１１上の発光層１２と、発光層１２上のｐ型半導体層１３と、ｐ型半導体層１３上の透明電極層１４と、透明電極層１４上及びｎ型半導体層１１上のボンディングパッド１５と、ボンディングバッド１５の上面１５ｕ及び側面１５ｓを被覆する被覆膜１６と、被覆膜１６を介してボンディングバッド１５の側面を被覆する保護膜１７と、を有する。
発光素子１は、ＬＥＤチップやレーザーダイオード等の発光素子であり、ボンディングバッド１５に接続されるボンディングワイヤーから電源が供給される。
基板１０は、例えば、サファイア基板である。
ｎ型半導体層１１、発光層１２、およびｐ型半導体層１３は、例えば、それぞれIII族窒化物化合物半導体からなる。III族窒化物化合物半導体は、例えば、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の四元系のIII族窒化物化合物半導体である。
ｎ型半導体層１１は、例えば、ｎ型コンタクト層、ｎ型ＥＳＤ層、およびｎ型クラッド層からなる積層構造を有し、それらの各層はＳｉ等のｎ型ドーパントを含む。
発光層１２は、例えば、複数の井戸層と複数の障壁層とを含む多重量子井戸構造を有する。例えば、井戸層はＩｎＧａＮから、障壁層はＧａＮ、ＩｎＧａＮ若しくはＡｌＧａＮから形成される。
ｐ型半導体層１３は、例えば、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層からなる積層構造を有し、それらの各層はＭｇ等のｐ型ドーパントを含む。
ｎ型半導体層１１、発光層１２、およびｐ型半導体層１３は、例えば、有機金属化学気相成長法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD）、分子線エピタキシー法（Molecular Beam Epitaxy : MBE）、又はハライド気相エピタキシー法（Halide Vapor Phase Epitaxy : HVPE）により基板１０上に結晶をエピタキシャル成長させることにより形成される。なお、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３の位置は逆であってもよい。
透明電極層１４は、ＩＴＯ（ＳｎドープＩｎ２Ｏ３）等からなる透明な層であり、ボンディングパッド１５から流れる電流をｐ型半導体層１３へ均等に拡散させることができる。透明電極層１４は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はゾルゲル法を用いて形成される。
ボンディングパッド１５は、ボンディングワイヤーを接続するための、最表面がＡｕ層の電極であり、例えば、Ｔａ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造を有する。ボンディングパッド１５を介してｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３との間に電圧を印加することにより、発光層１２から光が発せられる。ボンディングパッド１５は、スパッタリング法等を用いて形成することができる。
被覆膜１６は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗの群から選択される少なくとも１種の金属をＡｕに混合させた材料からなる。
被覆膜１６は、発光素子１を支持基板やリードフレームに固定するダイボンディング工程において、シリコーン系樹脂からなるダイボンディング用接着剤に含まれる低分子シロキサンがボンディングパッド１５の表面に付着することを抑制できる。
低分子シロキサンは、主に、接着剤を硬化させるための加熱工程において、接着剤から揮発する。低分子シロキサンはＡｕに付着しやすい性質を有し、ボンディングパッド１５の表面に付着した低分子シロキサンは、ボンディングワイヤーとボンディングパッド１５の接合強度を低下させる。
上記の被覆膜１６に含まれるＴａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗは、低分子シロキサンとの親和性が低く、これらの金属を含む被覆膜１６には、低分子シロキサンが付着しにくい。
また、被覆膜１６は、ボンディングパッド１５と保護膜１７との密着性を向上させることができる。特に、保護膜１７がＳｉＯ２からなる場合は、ボンディングパッド１５の表面のＡｕ層との密着性が低く、剥がれやすいため、被覆膜１６の密着層としての機能が重要である。
被覆膜１６は、上記のＴａ等の金属のスパッタリングターゲットと、Ａｕのスパッタリングターゲットを用いて、ボンディングパッド１５の上面１５ｕ及び側面１５ｓにＴａ等の金属とＡｕを同時にスパッタリングすることにより形成される。このため、被覆膜１６の全体が、Ｔａ等の金属がＡｕに混合された材料からなる。
被覆層１６の厚さは、１００Å（１０ｎｍ）以上であることが好ましい。厚さが１００Å以上の場合に、ダイボンディング工程におけるボンディングパッド１５への低分子シロキサンの付着を効果的に抑えることができる。
また、被覆層１６の厚さは、３０００Å（３００ｎｍ）以下であることが好ましい。３０００Åより大きくなっても、成膜時間の増加に値するような上記の効果（ボンディングパッド１５への低分子シロキサンの付着の抑制、及びボンディングパッド１５と保護膜１７との密着性の増加）の向上はみられないためである。
被覆層１６がＴａをＡｕに混合させた材料からなる場合、Ｔａの濃度が３．０体積％以上であることが好ましい。Ｔａの濃度が３．０体積％以上である場合、被覆層１６の厚さが十分（１００Å以上）であれば、ダイボンディング工程において、ボンディングパッド１５への低分子シロキサンの付着をほぼ完全に防ぐことができる。
また、被覆層１６がＴａをＡｕに混合させた材料からなる場合、Ｔａの濃度が１０．９体積％以下であることが好ましい。Ｔａの濃度が１０．９体積％以下である場合、例えば、発光素子１の発光波長が３５０ｎｍ以上５１４ｎｍ以下であれば、発光素子１の発する光の反射率がＴａ濃度０％のＡｕ膜よりも高くなる。これにより、例えば、発光素子１から発せられ、発光素子１を封止する封止樹脂と外気との界面で反射して発光素子１側へ戻ってくる光を効果的に反射し、パッケージの光取出効率を向上させることができる。
保護膜１７は、ワイヤーボンディング工程においてボンディングパッド１５に横方向の力が加わったときの、ボンディングパッド１５の剥がれを防止することができる。保護膜１７は、ＳｉＯ２等からなる。
また、保護膜１７は、図１に示されるように、ボンディングパッド１５の上面１５ｕ上の領域を除いて、発光素子１の全表面を覆ってもよい。
図２（ａ）は、ボンディングパッド１５にボンディングワイヤー２１を接続した状態を表す垂直断面図である。図２（ｂ）は、比較例として、被覆膜１６の代わりにＴａ等の金属からなる被覆膜２６を用いた場合の垂直断面図である。
被覆膜２６は、Ｔａ等の低分子シロキサンとの親和性が低い金属からなるものとする。このため、図２（ａ）に示される被覆膜１６も、図２（ａ）に示される被覆膜２６も、ダイボンディング工程におけるボンディングパッド１５への低分子シロキサンの付着を抑えることができる。
しかしながら、被覆膜２６はＡｕを含まないため、ボンディングパッド１５とボンディングワイヤー２１の先端のボール２０との間にＡｕ−Ａｕ接合を形成するためには、図２（ｂ）に示されるように、ボンディングパッド１５の上面１５ｕ上の被覆膜２６をエッチングにより除去した後にワイヤーボンディングを行う必要がある。
なお、ボンディングパッド１５の表面のＡｕ層のＡｕと被覆膜２６の金属が反応して合金化することが考えられるが、ボール２０と被覆膜２６との間にＡｕ−Ａｕ接合を形成できるほどの濃度のＡｕが被覆膜２６の表面まで達することは非常に困難である。特に、被覆膜２６がＴａ等の熱拡散しにくい金属からなる場合は、被覆膜２６のボンディングパッド１５側の極浅い領域にのみＡｕが存在しうると考えられる。
一方、本実施の形態に係る被覆膜１６は、全体的に十分な濃度のＡｕが含まれているため、ボール２０との間にＡｕ−Ａｕ接合を形成することができる。このため、図２（ａ）に示されるように、被覆膜１６を除去することなく、ボンディングパッド１５とボール２０との間にＡｕ−Ａｕ接合を形成することができ、エッチング工程を省略する事ができる。
（シロキサン付着率の評価）
図３は、被覆膜１６がＴａをＡｕに混合させた材料からなる場合の、被覆膜１６のＴａ濃度と低分子シロキサンの付着率との関係を示すグラフである。図３の横軸は、被覆膜１６のＴａ濃度（体積％）を示し、縦軸は低分子シロキサンの付着率（％）を示す。
図３は、被覆膜１６がＴａをＡｕに混合させた材料からなる場合の、被覆膜１６のＴａ濃度と低分子シロキサンの付着率との関係を示すグラフである。図３の横軸は、被覆膜１６のＴａ濃度（体積％）を示し、縦軸は低分子シロキサンの付着率（％）を示す。
低分子シロキサンの付着率の評価方法を以下に示す。まず、シリコーン製のダイアタッチペースト（接着剤）を用いて、発光素子１をセラミック基板に実装し（ダイボンディング）、さらに、セラミック基板の端にダイアタッチペーストを盛る。そして、セラミック基板をオーブンに入れ、１５０℃で２時間加熱し、ダイアタッチペーストを硬化させる。ここまでの工程を経て、ボンディングパッド１５上、すなわち被覆膜１６上に低分子シロキサンが付着する確率を、低分子シロキサンの付着率とした。
なお、いずれのＴａ濃度の被覆膜１６も、膜厚は２０００Åである。
図３は、被覆膜１６のＴａ濃度が３．０体積％以上であるときに、ボンディングパッド１５上への低分子シロキサンの付着率がほぼ０になることを示している。
（ボンディングワイヤーの接合強度の評価）
図４は、被覆膜１６がＴａをＡｕに混合させた材料からなる場合の、被覆膜１６のＴａ濃度とボンディングワイヤー２１の被覆膜１６への接合強度との関係を示すグラフである。図４の横軸は、被覆膜１６のＴａ濃度（体積％）を示し、縦軸はボンディングワイヤー２１の被覆膜１６への接合強度を表すシェア強度（ｇ）を示す。
図４は、被覆膜１６がＴａをＡｕに混合させた材料からなる場合の、被覆膜１６のＴａ濃度とボンディングワイヤー２１の被覆膜１６への接合強度との関係を示すグラフである。図４の横軸は、被覆膜１６のＴａ濃度（体積％）を示し、縦軸はボンディングワイヤー２１の被覆膜１６への接合強度を表すシェア強度（ｇ）を示す。
ボンディングワイヤーの接合強度の評価方法を以下に示す。まず、ボンディングパッド１５の上面１５ｕ上に、被覆膜１６を介してボンディングワイヤー２１を接合させる。そして、荷重センサーに取り付けられたシェアツールにより、ボンディングワイヤー２１の先端のボール２０に水平方向の力を加え、ボール２０が破断されたときの荷重値を測定する。このボール２０が破断されたときの荷重値をシェア強度とする。
なお、いずれのＴａ濃度の被覆膜１６も、膜厚は２０００Åである。
図４に示されるように、いずれの被覆膜１６も、Ａｕ膜（Ｔａ濃度０質量％）と同等のシェア強度を有している。このことは、少なくとも、Ｔａ濃度が１０．９体積％以下であれば、被覆膜１６とボンディングワイヤー２１の間に十分な強度のＡｕ−Ａｕ接合が形成され、その接合強度がＡｕ膜とボンディングワイヤーの接合強度に劣らないことを示している。
（被覆膜の反射率の評価）
図５（ａ）は、被覆膜１６がＴａをＡｕに混合させた材料からなる場合の、Ｔａの濃度と反射率との関係を示すグラフである。図５（ａ）の横軸は、反射する光の波長（ｎｍ）を示し、縦軸は反射率（％）を示す。
図５（ａ）は、被覆膜１６がＴａをＡｕに混合させた材料からなる場合の、Ｔａの濃度と反射率との関係を示すグラフである。図５（ａ）の横軸は、反射する光の波長（ｎｍ）を示し、縦軸は反射率（％）を示す。
図５（ａ）には、Ｔａ濃度がそれぞれ６．９体積％、９．１体積％、１０．９体積％の３種の被覆膜１６と、比較例としての、Ａｕ膜（Ｔａ濃度０体積％）、及びＴａ膜（Ｔａ濃度１００体積％）の測定データが示されている。これらのいずれの膜も、膜厚は２０００Åである。
図５（ａ）は、被覆膜１６の反射率がＴａの濃度に依存することを示している。特に、３５０ｎｍ以上５１４ｎｍ以下の波長域では、上記３種の被覆膜１６の反射率がＡｕ膜の反射率よりも高い。また、３５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で、上記３種の被覆膜１６の反射率がＴａ膜の反射率よりも高い。
図６（ａ）は、光の波長が４５０ｎｍであるときのＴａの濃度と反射率との関係を示すグラフである。図６（ａ）のデータは、図５（ａ）のデータから抽出されたものである。
図６（ａ）は、光の波長が４５０ｎｍであるとき、被覆膜１６のＴａ濃度が１０．９体積％まで増加するほど反射率が増加し、１００体積％になると急激に低下することを示している。
図５（ｂ）は、被覆膜１６がＴａをＡｕに混合させた材料からなる場合の、膜厚と反射率との関係を示すグラフである。図５（ｂ）の横軸は、反射する光の波長（ｎｍ）を示し、縦軸は反射率（％）を示す。
図５（ｂ）には、膜厚がそれぞれ５００Å、１０００Å、２０００Å、３０００Åである４種の被覆膜１６の測定データが示されている。これらのいずれの膜も、Ｔａ濃度は６．９体積％である。
図５（ｃ）は、被覆膜１６がＴａをＡｕに混合させた材料からなる場合の、スパッタリング時のスパッタリングターゲットと基板１０との間隔と反射率との関係を示すグラフである。図５（ｃ）の横軸は、反射する光の波長（ｎｍ）を示し、縦軸は反射率（％）を示す。
図５（ｃ）には、スパッタリングターゲットと基板１０との間隔がそれぞれ１５０ｍｍ、１８５ｍｍ、２２０ｍｍであるスパッタリングにより成膜された３種の被覆膜１６の測定データが示されている。これらのいずれの膜も、Ｔａ濃度は６．９体積％であり、膜厚は２０００Åである。
図５（ｂ）、（ｃ）は、被覆膜１６の反射率が膜厚及びスパッタリングターゲットと基板１０との間隔にほとんど依存しないことを示している。
図６（ｂ）は、光の波長が４５０ｎｍであるときの、膜厚と反射率との関係、及びスパッタリングターゲットと基板１０との間隔と反射率との関係を示すグラフである。図６（ｂ）のデータは、図５（ｂ）、（ｃ）のデータから抽出されたものである。なお、図６（ｂ）の「ＴＳ」はスパッタリングターゲットと基板１０との間隔を意味する。
図６（ｂ）は、光の波長が４５０ｎｍであるとき、被覆膜１６の反射率が膜厚及びスパッタリングターゲットと基板１０との間隔にほとんど依存しないことを示している。
（実施の形態の効果）
上記の実施の形態によれば、Ｔａ等の金属をＡｕに混合させた材料からなる被覆膜１６でボンディングパッド１５の上面１５ｕ及び側面１５ｓを覆うことにより、ダイボンディング工程におけるボンディングパッド１５への低分子シロキサンの付着を抑えることができる。また、ワイヤーボンディング工程において被覆膜１６にボンディングワイヤーを十分な強度で接合させることができるため、被覆膜１６を除去してボンディングパッド１５にボンディングワイヤーを直接接合させる必要がなく、エッチング工程を省略することができる。
上記の実施の形態によれば、Ｔａ等の金属をＡｕに混合させた材料からなる被覆膜１６でボンディングパッド１５の上面１５ｕ及び側面１５ｓを覆うことにより、ダイボンディング工程におけるボンディングパッド１５への低分子シロキサンの付着を抑えることができる。また、ワイヤーボンディング工程において被覆膜１６にボンディングワイヤーを十分な強度で接合させることができるため、被覆膜１６を除去してボンディングパッド１５にボンディングワイヤーを直接接合させる必要がなく、エッチング工程を省略することができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
１ 発光素子
１５ ボンディングパッド
１６ 被覆膜
１７ 保護膜
１５ ボンディングパッド
１６ 被覆膜
１７ 保護膜
Claims (12)
- ボンディングワイヤー接続用のボンディングパッドと、
前記ボンディングパッドの上面及び側面を被覆する、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗの群から選択される少なくとも１種の金属をＡｕに混合させた材料からなる被覆膜と、
を有する発光素子。 - 前記被覆膜が、ＴａをＡｕに混合させた材料からなる、
請求項１に記載の発光素子。 - 前記被覆膜のＴａの濃度が３．０体積％以上、１０．９体積％以下である、
請求項２に記載の発光素子。 - 発光波長が３５０ｎｍ以上５１４ｎｍ以下である、
請求項２又は３に記載の発光素子。 - 前記被覆膜の厚さが１００Å以上、３０００Å以下である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光素子。 - 前記被覆膜を介して前記ボンディングパッドの側面を被覆する、ＳｉＯ２からなる保護膜をさらに有する、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光素子。 - 前記被覆膜は、前記金属のスパッタリングターゲットとＡｕのスパッタリングターゲットを用いて、前記ボンディングパッドの上面及び側面に前記金属とＡｕを同時にスパッタリングすることにより形成される膜である、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光素子。 - Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗの群から選択される少なくとも１種の金属のスパッタリングターゲットとＡｕのスパッタリングターゲットを用いて、ボンディングパッドの上面及び側面に前記金属とＡｕを同時にスパッタリングすることにより、前記金属をＡｕに混合させた材料からなる被覆膜を形成する工程、
を含む発光素子の製造方法。 - ＴａのスパッタリングターゲットとＡｕのスパッタリングターゲットを用いて、ＴａをＡｕに混合させた材料からなる前記被覆膜を形成する、
請求項８に記載の発光素子の製造方法。 - 前記被覆膜のＴａの濃度が３．０体積％以上、１０．９体積％以下である、
請求項９に記載の発光素子の製造方法。 - 前記被覆膜の厚さが１００Å以上、３０００Å以下である、
請求項８〜１０のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。 - 前記ボンディングパッドの側面を、ＳｉＯ２からなる保護膜により前記被覆膜を介して被覆する工程をさらに含む、
請求項８〜１１のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
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2015
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