JP2015226007A - 熱電変換素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】熱電性能に優れた低コストの熱電変換素子の製造方法を提供すること。【解決手段】磁化されるとともに磁化方向と交差する方向に温度勾配を形成することができるよう構成された磁性体と、温度勾配の方向に交差する磁性体の表面に形成され、スピン軌道相互作用を有する材料を含む起電体と、を有する熱電変換素子を製造する方法。熱電変換素子の製造方法は、結晶性酸化物からなる磁性体を形成する磁性体形成工程S1と、磁性体を、酸素を含む雰囲気中において700℃以上にて熱処理する熱処理工程S4と、熱処理後の磁性体の表面に起電体を成膜する起電体成膜工程S6と、を有する。【選択図】図2
Description
本発明は、磁性体と起電体とからなる熱電変換素子の製造方法に関する。
熱エネルギーを電力に変換する熱電変換素子としては、例えば、ゼーベック効果を利用したものがある。かかる熱電変換素子は、例えば、p型半導体とn型半導体とを組み合わせた熱電対を多数直列に接続してモジュール化することで、電圧を取出している。このように、充分な電圧を取出すためには、多数の半導体を直列接続する必要があり、部品点数が多くなるという問題がある。
これに対し、近年、スピンゼーベック効果を利用した熱電変換素子が種々開発されている(特許文献1等)。このスピンゼーベック効果を利用した熱電変換素子によれば、構造を簡素化することができ、部品点数を低減することができる。
しかしながら、スピンゼーベック効果を利用した熱電変換素子は、実際には、熱電性能(熱起電力性能)を充分に取り出すことができていないのが現状である。すなわち、磁性体における起電体を設けた面側とその反対面側との温度差に対する、起電体に生じる起電力の大きさの割合(以下、これを適宜、「単位温度差あたりの起電力」という。)が、充分に大きく得られていない。
なお、特許文献1には、磁性体の形成する段階、すなわち、結晶化させる際に、熱処理を行うことが記載されているが、この特許文献1に記載の製造方法では、充分な熱電性能を有する熱電変換素子を得ることが困難であった。
なお、特許文献1には、磁性体の形成する段階、すなわち、結晶化させる際に、熱処理を行うことが記載されているが、この特許文献1に記載の製造方法では、充分な熱電性能を有する熱電変換素子を得ることが困難であった。
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、熱電性能に優れた低コストの熱電変換素子の製造方法を提供しようとするものである。
本発明の一態様は、磁化されるとともに磁化方向と交差する方向に温度勾配を形成することができるよう構成された磁性体と、上記温度勾配の方向に交差する上記磁性体の表面に形成され、スピン軌道相互作用を有する材料を含む起電体と、を有する熱電変換素子を製造する方法であって、
結晶性酸化物からなる上記磁性体を形成する磁性体形成工程と、
上記磁性体を、酸素を含む雰囲気中において700℃以上にて熱処理する熱処理工程と、
熱処理後の上記磁性体の表面に上記起電体を成膜する起電体成膜工程と、
を有することを特徴とする熱電変換素子の製造方法にある。
結晶性酸化物からなる上記磁性体を形成する磁性体形成工程と、
上記磁性体を、酸素を含む雰囲気中において700℃以上にて熱処理する熱処理工程と、
熱処理後の上記磁性体の表面に上記起電体を成膜する起電体成膜工程と、
を有することを特徴とする熱電変換素子の製造方法にある。
上記熱電変換素子の製造方法は、上記熱処理工程を備える。これにより、得られる熱電変換素子の単位温度差あたりの起電力を大きくすることができる。発明者らは、スピンゼーベック効果を利用した従来の熱電変換素子において、大きな起電力を得ることができない要因の一つとして、磁性体を構成する結晶性酸化物から酸素が欠落している可能性に着目した。そこで、熱電変換素子の製造過程において、結晶性酸化物からなる磁性体を、酸素を含む雰囲気中において700℃以上にて熱処理する熱処理工程を設けることを検討した。そして、この熱処理工程を行うことにより得られた熱電変換素子の熱電性能を調べたところ、後述するごとく、従来のものに比べて大幅に熱電性能を向上させることができることが分かった。
以上のごとく、本発明によれば、熱電性能に優れた低コストの熱電変換素子の製造方法を提供することができる。
上記熱処理工程における熱処理温度は、800℃以上であることが好ましい。この場合には、単位温度差あたりの起電力をより向上させることができる。
また、上記熱電変換素子の製造方法は、磁性体形成工程と熱処理工程との間、もしくは熱処理工程と起電体成膜工程との間に、他の工程を有していてもよい。
また、上記熱電変換素子の製造方法は、磁性体形成工程と熱処理工程との間、もしくは熱処理工程と起電体成膜工程との間に、他の工程を有していてもよい。
(実施例1)
上記熱電変換素子の製造方法の実施例につき、図1、図2を用いて説明する。
本例の製造方法によって得られる熱電変換素子1は、図1に示すごとく、磁性体2と起電体3とを有する。磁性体2は、磁化されるとともに磁化方向Mと交差する方向に温度勾配(温度差ΔT)を形成することができるよう構成されている。また、起電体3は、温度勾配(温度差ΔT)の方向に交差する磁性体2の表面21に形成され、スピン軌道相互作用を有する。
上記熱電変換素子の製造方法の実施例につき、図1、図2を用いて説明する。
本例の製造方法によって得られる熱電変換素子1は、図1に示すごとく、磁性体2と起電体3とを有する。磁性体2は、磁化されるとともに磁化方向Mと交差する方向に温度勾配(温度差ΔT)を形成することができるよう構成されている。また、起電体3は、温度勾配(温度差ΔT)の方向に交差する磁性体2の表面21に形成され、スピン軌道相互作用を有する。
そして、本例の熱電変換素子1の製造方法は、図2に示すごとく、下記の磁性体形成工程S1と、熱処理工程S4と、起電体成膜工程S6と、を有する。
磁性体形成工程S1は、結晶性酸化物からなる磁性体2を形成する工程である。
熱処理工程S4は、磁性体2を、酸素を含む雰囲気中において700℃以上にて熱処理する工程である。
起電体成膜工程S6は、熱処理後の磁性体2の表面に起電体3を成膜する工程である。
上記熱処理工程S4における熱処理温度は、800℃以上であることが好ましい。
磁性体形成工程S1は、結晶性酸化物からなる磁性体2を形成する工程である。
熱処理工程S4は、磁性体2を、酸素を含む雰囲気中において700℃以上にて熱処理する工程である。
起電体成膜工程S6は、熱処理後の磁性体2の表面に起電体3を成膜する工程である。
上記熱処理工程S4における熱処理温度は、800℃以上であることが好ましい。
より具体的な製造方法の一例を、図2を用いつつ、以下に示す。
まず、磁性体形成工程S1においては、イットリウム鉄ガーネット(Y3Fe5O12:以下において適宜「YIG」という。)の多結晶体を、所望の形状及び大きさに切断して、磁性体2を得る。なお、YIGの多結晶体は、磁性体形成工程S1よりも前の工程において、熱処理を行いながら結晶成長させることにより形成することができる。
まず、磁性体形成工程S1においては、イットリウム鉄ガーネット(Y3Fe5O12:以下において適宜「YIG」という。)の多結晶体を、所望の形状及び大きさに切断して、磁性体2を得る。なお、YIGの多結晶体は、磁性体形成工程S1よりも前の工程において、熱処理を行いながら結晶成長させることにより形成することができる。
次いで、切断後の磁性体2の一方の主面(表面21)を研磨する(研磨工程S2)。
次いで、磁性体2を、有機溶剤中にて、約5分間超音波洗浄する(洗浄工程S3)。
次いで、結晶性酸化物からなる磁性体2を、酸素を含む雰囲気中において700℃以上にて熱処理する(熱処理工程S4)。つまり、すでに結晶化した状態の磁性体2を、例えば大気雰囲気中において、熱処理する。
次いで、磁性体2を、有機溶剤中にて、約5分間超音波洗浄する(洗浄工程S3)。
次いで、結晶性酸化物からなる磁性体2を、酸素を含む雰囲気中において700℃以上にて熱処理する(熱処理工程S4)。つまり、すでに結晶化した状態の磁性体2を、例えば大気雰囲気中において、熱処理する。
次いで、磁性体2を、有機溶剤中にて、約5分間超音波洗浄する(洗浄工程S5)。
次いで、磁性体2における研磨された主面(表面21)の全面に、スパッタによって白金を成膜することにより、起電体3を形成する(起電体成膜工程S6)。
以上により、図1に示す熱電変換素子1を得る。
次いで、磁性体2における研磨された主面(表面21)の全面に、スパッタによって白金を成膜することにより、起電体3を形成する(起電体成膜工程S6)。
以上により、図1に示す熱電変換素子1を得る。
本例においては、熱電変換素子1の磁性体2は板状に形成されており、その一方の主面(表面21)に起電体3が成膜されている。それゆえ、この熱電変換素子1によって発電する際には、板状の磁性体2の厚み方向に温度勾配(温度差ΔT)を形成する。磁性体2としては、例えばYIG等の磁性絶縁体を用いることが好ましいが、特に磁性絶縁体に限定されるものではなく、例えば、パーマロイ等の強磁性金属を用いることもできる。
また、磁性体2は、温度勾配(温度差ΔT)の向きと直交するとともに、起電体3において生じさせようとする起電力の向きと直交する方向に、磁化される(矢印M参照)。本例においては、磁性体2の短手方向に磁化される。
磁性体2は、例えば、予め磁化されているものを用いてもよいし、磁場中に配置されることで所定方向に磁場が印加された状態となっていてもよい。すなわち、前者の場合、例えば、磁性体2は強磁性体であって、短手方向の磁気モーメントを有する永久磁石の状態となっていてもよい。後者の場合、例えば、磁性体2は常磁性体であってもよく、外部磁場を磁性体2の短手方向にかけて熱電変換素子1を用いることとなる。
次に、本例の作用効果につき説明する。
上記熱電変換素子1の製造方法は、上記熱処理工程を備える。これにより、得られる熱電変換素子1の単位温度差あたりの起電力を大きくすることができる。発明者らは、スピンゼーベック効果を利用した従来の熱電変換素子において、大きな起電力を得ることができない要因の一つとして、磁性体を構成する結晶性酸化物から酸素が欠落している可能性に着目した。そこで、熱電変換素子1の製造過程において、結晶性酸化物からなる磁性体2を、酸素を含む雰囲気中において700℃以上にて熱処理する熱処理工程を設けることを検討した。そして、この熱処理工程を行うことにより得られた熱電変換素子1の熱電性能を調べたところ、後述するごとく、従来のものに比べて大幅に熱電性能を向上させることができることが分かった。
上記熱電変換素子1の製造方法は、上記熱処理工程を備える。これにより、得られる熱電変換素子1の単位温度差あたりの起電力を大きくすることができる。発明者らは、スピンゼーベック効果を利用した従来の熱電変換素子において、大きな起電力を得ることができない要因の一つとして、磁性体を構成する結晶性酸化物から酸素が欠落している可能性に着目した。そこで、熱電変換素子1の製造過程において、結晶性酸化物からなる磁性体2を、酸素を含む雰囲気中において700℃以上にて熱処理する熱処理工程を設けることを検討した。そして、この熱処理工程を行うことにより得られた熱電変換素子1の熱電性能を調べたところ、後述するごとく、従来のものに比べて大幅に熱電性能を向上させることができることが分かった。
また、上記熱処理工程における熱処理温度を、800℃以上とすることにより、一層熱電性能を向上させることができることができることも見出した。
以上のごとく、本例によれば、熱電性能に優れた低コストの熱電変換素子の製造方法を提供することができる。
(実験例1)
本例は、図3〜図5に示すごとく、上記熱処理工程S4の有無、及び熱処理工程S4における熱処理温度と、熱電変換素子における熱電性能との関係を調べた例である。
すなわち、実施例1に示した熱電変換素子の製造方法における上記熱処理工程S4における熱処理温度を種々変更して、複数の熱電変換素子10を作製した。また、上記熱処理工程S4を行わない方法によっても、熱電変換素子10を作製した。
本例は、図3〜図5に示すごとく、上記熱処理工程S4の有無、及び熱処理工程S4における熱処理温度と、熱電変換素子における熱電性能との関係を調べた例である。
すなわち、実施例1に示した熱電変換素子の製造方法における上記熱処理工程S4における熱処理温度を種々変更して、複数の熱電変換素子10を作製した。また、上記熱処理工程S4を行わない方法によっても、熱電変換素子10を作製した。
具体的には、まず、上記磁性体形成工程S1においては、YIGの多結晶体を、幅2mm、長さ5mm、厚み0.9mmの形状及び大きさに切断して、磁性体2を得た。多結晶体の切断には、ダイヤモンドカッターソーを用いた。
次いで、切断後の磁性体2の一方の主面(表面21)を研磨した(研磨工程S2)。
次いで、磁性体2を、有機溶剤中にて、約5分間超音波洗浄した(洗浄工程S3)。
次いで、切断後の磁性体2の一方の主面(表面21)を研磨した(研磨工程S2)。
次いで、磁性体2を、有機溶剤中にて、約5分間超音波洗浄した(洗浄工程S3)。
次いで、結晶性酸化物からなる磁性体2を、酸素を含む雰囲気中において、各熱処理温度にて、熱処理した(熱処理工程S4)。つまり、すでに結晶化した状態の磁性体2を、大気雰囲気中において、熱処理した。そして、熱処理温度を、400℃、600℃、800℃、1000℃の4種類に振り、各条件につき、3サンプルずつ試料を作製した。
この熱処理工程S4は、アドバンテック社製の電気炉FUW220PAを用いた。熱処理の温度プロファイルとしては、上記熱処理温度までの昇温時間を2時間、熱処理温度における保持時間を5時間、熱処理温度から常温までの降温時間を10時間とした。
この熱処理工程S4は、アドバンテック社製の電気炉FUW220PAを用いた。熱処理の温度プロファイルとしては、上記熱処理温度までの昇温時間を2時間、熱処理温度における保持時間を5時間、熱処理温度から常温までの降温時間を10時間とした。
次いで、磁性体2を、有機溶剤中にて、約5分間超音波洗浄した(洗浄工程S5)後、磁性体2における研磨された主面(表面21)の全面に、スパッタによって白金を成膜することにより、起電体3を形成した(起電体成膜工程S6)。起電体3の膜厚は、2.5nmとした。
以上により、熱電変換素子10を得た。
以上により、熱電変換素子10を得た。
また、上述のごとく、熱処理工程S4を行わない製造方法、すなわち、上記の製造方法のうち、熱処理工程S4のみを行わず、他の工程は上記と同様に行う方法により、3つのサンプルを作製した。
そして、各試料の単位温度差あたりの起電力を測定した。ここで、単位温度差あたりの起電力の測定にあたっては、図3に示すごとく、熱電変換素子10の厚み方向に、温度勾配を形成する。ここで、磁性体2における起電体3側の主面(表面21)と、その反対側の主面22との温度差を、30K(ケルビン)とした。
そして、熱電変換素子10の幅方向に磁場Hを印加することにより、磁性体2を幅方向に磁化させた。この状態で、起電体3における長手方向の両端の間の電圧を測定することで、起電力Vを測定した。電圧計4としては、ケースレーインスツルメンツ社製のナノボルトメータ2182Aを用いた。
ここで、図4に示すごとく、上記磁場Hの大きさを、−140mT〜140mTの間にて徐々に変化させつつ、起電力Vを測定すると、磁場Hの大きさがある大きさ以上となったとき、起電力Vの大きさは飽和する。この飽和電圧Vmaxの大きさが、その熱電変換素子10の熱電性能に起因するとともに、上記温度差ΔTに比例するものである。したがって、この飽和電圧Vmaxを温度差(ΔT=30K)にて除した値を、単位温度差あたりの起電力(Vmax/ΔT=Vmax/30K)として、評価した。その結果を図5に示す。上記のように、各水準につき3つのサンプルを作製したが、図5に示すデータは、3つのサンプルの実測値の平均である。また、図5において、熱処理温度0℃の位置にプロットされたデータは、便宜的に、熱処理工程S4を行っていない試料についてのデータを表している。
同図から分かるように、熱処理工程S4を行っていないものに比べ、700℃以上の熱処理工程S4を行った熱電変換素子は、単位温度差あたりの起電力が、2倍以上と大きかった。また、熱処理を行っても、600℃以下の熱処理温度では、起電力の改善がほとんど見られず、700℃以上の熱処理が必要であることが分かる。さらには、熱処理温度を800℃以上とすることで、熱電変換素子の単位温度差あたりの起電力をより確実に向上させることができることが分かる。
(実験例2)
本例は、図6に示すごとく、酸素を含む雰囲気中において熱処理工程S4を行うことによる効果を検証した例である。
すなわち、熱処理工程S4以外は、上記実験例1と同様の工程を経て熱電変換素子の比較試料を作製し、実施例1と同様の方法で、単位温度差あたりの起電力を測定した。
つまり、上記比較試料を製造するにあたっては、熱処理工程を真空中(1×10-6Pa以下)において行った。また、本例においては、熱処理温度を、350℃、500℃、650℃とし、それぞれ2サンプルずつ作製した。
本例は、図6に示すごとく、酸素を含む雰囲気中において熱処理工程S4を行うことによる効果を検証した例である。
すなわち、熱処理工程S4以外は、上記実験例1と同様の工程を経て熱電変換素子の比較試料を作製し、実施例1と同様の方法で、単位温度差あたりの起電力を測定した。
つまり、上記比較試料を製造するにあたっては、熱処理工程を真空中(1×10-6Pa以下)において行った。また、本例においては、熱処理温度を、350℃、500℃、650℃とし、それぞれ2サンプルずつ作製した。
これらの試料につき、単位温度差あたりの起電力を測定したところ、図6に示す結果が得られた。
同図から分かるように、磁性体を真空中において熱処理をしても、熱電変換素子の単位温度差あたりの起電力の改善にはつながらない。むしろ、熱処理温度を650℃まで高くすると、起電力が低下するという結果も得られた。
同図から分かるように、磁性体を真空中において熱処理をしても、熱電変換素子の単位温度差あたりの起電力の改善にはつながらない。むしろ、熱処理温度を650℃まで高くすると、起電力が低下するという結果も得られた。
上記実験例1及び実験例2の結果は、上述の発明者らの仮説に沿うものである。つまり、上述したように、スピンゼーベック効果を利用した従来の熱電変換素子において、大きな起電力を得ることができない要因の一つとして、磁性体を構成する結晶性酸化物から酸素が欠落している可能性が考えられる。そこで、酸素を含む雰囲気中において、磁性体2を700℃以上にて熱処理することで、磁性体に対して欠落していた酸素を補うことができる。これにより、磁性体2におけるスピンゼーベック効果を向上させることができると考えられる。
(実施例2)
本例は、図7に示すごとく、磁性体2を、基板11上に薄膜として形成し、その表面に起電体3を形成することにより、熱電変換素子1を構成した例である。
すなわち、磁性体形成工程S1において、基板11の表面に、気相成長法又は液相成長法により、磁性体2を成膜する。
本例は、図7に示すごとく、磁性体2を、基板11上に薄膜として形成し、その表面に起電体3を形成することにより、熱電変換素子1を構成した例である。
すなわち、磁性体形成工程S1において、基板11の表面に、気相成長法又は液相成長法により、磁性体2を成膜する。
基板11としては、例えばGGG(ガリウム・ガドリニウム・ガーネット、Gd3Ga5O12)単結晶基板、Si(シリコン)基板等を用いることができる。
その他は、実施例1と同様である。なお、本例又は本例に関する図面において用いた符号のうち、実施例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
その他は、実施例1と同様である。なお、本例又は本例に関する図面において用いた符号のうち、実施例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
本例の場合には、磁性体2の厚みを例えばμmオーダーと薄くした熱電変換素子1を容易に得ることができる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(実施例3)
本例は、図8に示すごとく、磁性体2を筒状とした熱電変換素子1の例である。
そして、磁性体2の外周面に、起電体3を形成してある。起電体3は、磁性体2の周方向に沿って螺旋状に形成されている。そして、筒状の磁性体2は、その軸方向に沿って磁化される。また、磁性体2の径方向に、温度勾配(温度差ΔT)が形成されるよう構成されている。
本例は、図8に示すごとく、磁性体2を筒状とした熱電変換素子1の例である。
そして、磁性体2の外周面に、起電体3を形成してある。起電体3は、磁性体2の周方向に沿って螺旋状に形成されている。そして、筒状の磁性体2は、その軸方向に沿って磁化される。また、磁性体2の径方向に、温度勾配(温度差ΔT)が形成されるよう構成されている。
つまり、本例の熱電変換素子1は、筒状の磁性体2の内周側と外周側との間に、温度差ΔTを形成するとともに、軸方向に磁性体2を磁化させることにより、螺旋状の起電体3に起電力を生じさせるよう構成されている。
本例の熱電変換素子1を製造するにあたっては、例えば、磁性体形成工程S1において、円筒形状の磁性体2を作製し、熱処理工程S4後の起電体成膜工程S6において、磁性体2の外周面21に、スパッタ法、印刷法等により、起電体3を形成することができる。
その他は、実施例1と同様である。なお、本例又は本例に関する図面において用いた符号のうち、実施例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
本例の場合には、特に発電効率に優れた熱電変換素子を得ることができる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
1 熱電変換素子
2 磁性体
21 表面
3 起電体
M 磁化方向
ΔT 温度差
2 磁性体
21 表面
3 起電体
M 磁化方向
ΔT 温度差
Claims (2)
- 磁化されるとともに磁化方向(M)と交差する方向に温度勾配を形成することができるよう構成された磁性体(2)と、上記温度勾配の方向に交差する上記磁性体(2)の表面に形成され、スピン軌道相互作用を有する材料を含む起電体(3)と、を有する熱電変換素子(1)を製造する方法であって、
結晶性酸化物からなる上記磁性体(2)を形成する磁性体形成工程(S1)と、
上記磁性体(2)を、酸素を含む雰囲気中において700℃以上にて熱処理する熱処理工程(S4)と、
熱処理後の上記磁性体(2)の表面に上記起電体(3)を成膜する起電体成膜工程(S6)と、
を有することを特徴とする熱電変換素子(1)の製造方法。 - 上記熱処理工程(S4)における熱処理温度は、800℃以上であることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換素子(1)の製造方法。
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- 2014-05-29 JP JP2014111237A patent/JP2015226007A/ja active Pending
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