JP2015222242A - コヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置 - Google Patents

コヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置 Download PDF

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Abstract

【課題】高ダイナミックレンジかつ高分解能の分布反射計率を実現する。
【解決手段】コヒーレント光を出射する光源(501)からの光を第1の光と第2の光に分岐する光カプラ(502)と、第1の光を時間に対して線形に光周波数を掃引して、第3の光を出力するDSB−SC変調器(503)と、第2の光を励起光として用いて第3の光を増幅する位相感応増幅器(504)と、増幅した第3の光を測定光と参照光に分岐する光カプラ(506)と、測定光を被測定対象へ入射して時の反射光と参照光とを合波し、反射光と参照光との干渉波を生成して分岐するカプラ(509)と、干渉波を光検出する受光器(510)と、干渉信号を得るAD変換器(512)と、干渉信号を周波数解析するコンピュータ(513)とを備えたコヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置において、位相感応増幅器をパラメトリック増幅の効果を利用する位相感応光増幅器とした。
【選択図】図5

Description

本発明は、コヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置に関し、より具体的には、光部品や光伝送路からの反射光あるいは後方散乱光を高空間分解能で測定することが可能な光周波数領域反射測定装置に関する。
従来、光部品や光伝送路からの反射光および後方散乱光を高空間分解能で測定することが可能な手法として、コヒーレント光を用いた光周波数領域反射(C−OFDR:Coherent Optical Frequency Domain Reflectometry)測定法がある(例えば、非特許文献1参照)。このC−OFDR測定法は、測定対象に周波数掃引されたコヒーレント光を入射し、測定対象からの反射光および後方散乱光と、予め分岐された参照光をコヒーレント検波し、これによって得られた測定ビート信号を周波数解析することで、測定対象内の任意の位置での反射光および後方散乱光強度を得て、測定対象の損失分布や故障点の特定を可能にする技術である。
図1に光周波数領域反射測定装置(C−OFDR)の測定原理を示す。図1に示すC−OFDR100において、レーザー光源12からの出力光周波数は時間に対して直線的に掃引される。周波数掃引された光波Aは、光カプラ等の分岐部14で参照光Cと試験光B(信号光ともいう)とに分岐される。試験光Bは、サーキュレータ16を介して被測定対象ファイバ(FUT: Fiber under test)50に入射される。FUT内部で後方散乱された試験光Dは、再び光周波数領域反射測定装置100へ入射され、サーキュレータ16を介して光カプラ等の合分岐部18まで導波して参照光Cと合波され、光受光部20および解析装置22においてヘテロダイン検波される。ここで参照光Cと試験光Dとから生じるビート信号の周波数は、参照光に対する信号光の遅延時間で決まる。この2光波間での遅延時間は試験光のFUT内部での散乱光発生距離に比例するため、このビート信号を周波数解析(フーリエ変換)することでFUTにおける反射光強度の軸方向分布(FUTの長手方向の分布)が測定可能となる。
FUT内でのある地点zにおける反射光に着目すると、その地点からの反射光によって生じるビート周波数fとzとの関係は、光周波数掃引速度γ、光ファイバの屈折率nおよび光速cを用いて以下の式(1)のように表される。
Figure 2015222242
ただし、周波数掃引速度γは周波数掃引幅ΔFおよび周波数掃引時間Tを用いてγ=ΔF/Tである。空間分解能Δzは周波数分解能ΔBを用いて以下の式(2)のように表される。
Figure 2015222242
周波数分解能ΔBは掃引時間の逆数程度に制限されるため、式(2)は以下の式(3)のようになる。
Figure 2015222242
このように、C−OFDRでは周波数掃引速度γが一定でない場合(周波数掃引が非線形の場合)、ビート周波数の広がりにより、空間分解能の劣化が生じてしまう。さらに、高空間分解能測定には周波数掃引幅ΔFを広くする必要がある。また、光波のコヒーレンシを利用したビート周波数の測定であるため、長距離測定の実現には、参照光と反射光の光路長差に対し光源コヒーレンス長L(光の干渉性の度合いを表す値)が十分長くなくてはならない。このようにC−OFDRによる長距離高空間分解能測定には、コヒーレンス長が長く、時間に対して線形かつ広範囲に周波数掃引可能な光源を用いることが必要である。
C−OFDRに用いられる周波数掃引光源の実現方法としては、波長可変光源方式および外部変調方式がある。波長可変光源は広範囲な波長可変幅を有するため、高空間分解能測定が可能であるが、光源コヒーレンス長が短く、長距離測定には適さない。一方で高コヒーレント光源と外部変調器を用いた光周波数掃引光源系は、光源が有する高い可干渉性を損なうことなく光周波数掃引を実現できる。
外部変調器を用いた構成では、変調器に正弦波変調を加えることで光源のキャリア周波数に対して変調側波帯を生じさせ、この変調周波数を時間に対して線形に掃引することで変調側波帯を掃引する。このとき、複数の変調側波帯を発生させてしまうと各変調側波帯によって生じるビート信号スペクトルが周波数軸上で重なってしまうために、正しい後方散乱光分布が得られなくなってしまう。そこで、外部変調器としては搬送波抑圧両側波帯(DSB−SC:double sideband carrier with suppressed carrier)変調器(例えば、非特許文献2参照)や搬送波抑圧片側波帯(SSB−SC:single sideband carrier with suppressed carrier)変調器(例えば、非特許文献3参照)を用いて±1次の変調側波帯のみを利用して測定系を構成する方法がとられてきた。
W. Eickhoff et al., "Optical frequency domain reflectometry in single-mode fiber," Appl. Phys. Lett., American Institute of Physics, vol.39, no.9, pp.693-695, 1981 辻 幸嗣 外3名, 「2電極駆動型Mach-Zender変調器を用いたコヒーレントOFDR」, 1997年通信ソサイエティ大会, 電子情報通信学会, pp.546-547, 1997 Y. Koshikiya et al., "Long range and cm-level spatial resolution measurement using coherent optical frequency domain reflectometry with SSB-SC modulator and narrow linewidth fiber laser," Journal of Lightwave Technology, IEEE, vol.26, issue 18, pp.3287-3294, Sep. 2008
従来、外部変調器を用いて、±1次の変調側波帯のみを用いて周波数掃引をする場合、不要な高次の側波帯の発生を防ぐために、変調器に加える電圧は動作点を中心に線形な応答を示す領域のみで用いる。このため、変調の電力効率自体は悪く、変調器を通過することで光の強度は大きな損失を受ける。例えば、SSB−SC変調器をC−OFDRの外部変調器として用いる場合、通常20dB以上の損失が発生する。
OFDRの測定を行う場合、被測定ファイバからの微弱な反射光が雑音に埋もれてしまうことを防ぐためにある程度の入射パワーを確保することが必要である。このため、外部変調器の後段にEDFAを設置し、変調器による光パワーの損失を補償することが必要になっている。
しかしながら、EDFAのような位相不感応型光増幅器(PIA:Phase−Insensitive Amplifier)では、理想的な動作状態でも光の増幅前後で雑音指数が3dB以上となり、新たな雑音が付加されてしまうという問題がある。この新たに付加される雑音は、量子的に共役関係にある電磁界の2つの直交位相振幅を同時に増幅する場合に、増幅前後の両者の交換関係を保存するために必要であり、原理的に不可避な雑音であることが知られている。これにより、EDFA通過後の光は強度雑音・位相雑音ともに増加してしまう。光の可干渉性を利用するC−OFDRにおいて、位相雑音は測定の性能を制限する大きな要因となってしまう。位相雑音が増加することで、参照光と反射光のビート周波数に揺らぎが生じてしまい、ビートスペクトルが広がってしまう。このため、測定の空間分解能が劣化してしまう。また、強度雑音の増加により測定可能な最大ロスが低下してしまうため、ダイナミックレンジも劣化してしまう。
一方で、位相感応型光増幅器(PSA:Phase Sensitive Amplifier)は上記したPIAのような増幅前後での新たな雑音の増加を回避できる光増幅器として知られている。PSAは2つの直交位相振幅の一方に利得を、もう一方に減衰を与えるという特性を持っている。図2は、PIAとPSAの増幅のコンスタレーションマップ上でのイメージを示す図である。これらの特徴から、PSAは原理的に過剰雑音の発生なしに光強度を増幅でき、また位相雑音を低減する効果を備えている。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、位相感応型光増幅器(PSA)を、外部変調器を用いたC−OFDRの損失補償用の光増幅器として適用することで、従来のEDFAを利用した場合と比較して、測定対象の反射率分布の高い空間分解能を実現でき、また高いダイナミックレンジを得ることができるC−OFDRの構成法を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明の第1の態様は、被測定対象における光の伝播方向の反射率の分布を測定するコヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置である。コヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置は、コヒーレント光を出射する光源からの光を第1の光と第2の光に分岐する分岐手段と、第1の光を時間に対して線形に光周波数を掃引して、第3の光を出力する変調手段と、第2の光を励起光として用いて第3の光を増幅する位相感応増幅器と、増幅した第3の光を第4の光と第5の光に分岐する第2の分岐手段と、第4の光を測定光として被測定対象へ入射して被測定対象で反射された第4の光の反射光と、第5の光である参照光とを合波する合波手段であり、反射光と参照光との干渉波を生成する、合波手段と、干渉波を光検出して干渉信号を得る手段と、干渉信号を周波数解析する解析手段とを備える。コヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置は、位相感応増幅器はパラメトリック増幅の効果を利用する位相感応光増幅器であることを特徴とする。
一実施形態では、コヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置は、変調手段が、搬送波を抑圧し、搬送波スペクトルを中心に一次の両側波帯を発生させるように構成しても良い。また、コヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置は、変調手段と第2の分岐手段との間に、両側波帯のうちどちらか一方を分離する光フィルタを備えても良い。また、コヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置は、第2の分岐手段と合波手段との間の参照光が伝搬する経路に音響工学効果を利用する変調器を備えても良い。
他の実施形態では、パラメトリック増幅の効果を利用する位相感応光増幅器は、パラメトリック増幅を行う媒質が周期的に分極反転された2次非線形光学材料としても良い。例えば、パラメトリック増幅を行う媒質が周期的に分極反転された2次非線形光学材料は、LiNbO3、KNbO3、LiTaO3、LiNbxTa1-x3(0≦x≦1)またはKTiOPOとしても良く、あるいは、LiNbO3、KNbO3、LiTaO3、LiNbxTa1-x3(0≦x≦1)またはKTiOPOに、Mg、Zn、Fe、ScおよびInの少なくとも一種を添加物として含有した材料としても良い。
以上説明したように、本発明によれば、外部変調器を利用したC−OFDRにおいて、極めて低雑音に光強度を増幅でき、かつ位相雑音を低減することが可能な位相感応型光増幅器を変調器の後段で用いることで、被測定ファイバ及び光学部品の、広い範囲に渡り高空間分解能かつ高感度な損失評価が実現可能になる。
C−OFDRの測定系を示す図である。 従来の光増幅器と位相感応増幅器の出力の様子をコンスタレーションマップ上に示す図である。 位相感応増幅器の基本構成を示す図である。 本発明の一実施例にかかる二次非線形光学素子を用いた位相感応増幅器の構成を示す図である。 本発明の一実施例にかかるPSAを用いたC−OFDRの構成を示す図である。 本発明の一実施例にかかるPSAを用いたC−OFDRの測定結果を示す図である。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。本発明の実施形態に係る位相感応型光増幅器(PSA)を用いた光ファイバ反射率分布測定システム(C−OFDR系)、すなわちコヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置について説明する前に、その構成要素であるPSAについて述べる。
図3に位相感応光増幅器(PSA)300の基本的な構成を示す。この光増幅器300は、入力信号光を分岐する光分岐部304−1と、励起光源302と、励起光位相制御部303と、励起光と入力信号光を合波する光分岐部304−2と、合波された励起光と入力信号光とを入力とする位相感応光増幅部301と、位相感応光増幅部301からの信号光を分岐する光分岐部304−3とを備える。この光増幅器300において、位相感応光増幅部301は、入力される信号光と励起光の位相が一致すると信号光が増幅され(すなわち、入力信号光310は増幅され)、両者の位相が90度ずれた直交位相関係になると、信号光が減衰される(すなわち、入力信号光310は減衰する)特性を有する。この特性を利用して増幅利得が最大となるように励起光―信号光間の位相を一致させると、信号光と直交位相の自然放出光を発生させずに、つまりSN比を劣化させずに信号光を増幅することができる。
光分岐部304−1は、入力信号光310を信号光Eと信号光Fとに分岐する。信号光Fは、励起光源302へ供給される。
光分岐部304−3は、位相感応光増幅部301から出力される信号光Iを信号光Jと出力信号光312とに分岐する。信号光Jは、励起光位相制御部303へ供給される。
励起光源302からの信号光Gは、励起光位相制御部303へ供給され、励起光311として出力される。
励起光位相制御部303は、入力信号光310と励起光311の位相同期を達成するために、光分岐部304−1で入力信号光310から分岐された信号光Eの位相に同期するように励起光源からの信号光Gの位相を制御して、信号光Eの位相に同期した励起光311を出力する。励起光位相制御部303は、光分岐部304−3で分岐された位相感応光増幅部301から出力された信号光Iの一部である信号光Jを狭帯域の検出器で検波し、出力信号が最大となるように励起光311の位相を制御する。光分岐部304−2は、信号光Eと励起光311とを合波して信号光Hを出力する。その結果、互いに位相同期した信号光Eと励起光311とを合波した信号光Hが位相感応光増幅部301へ入力され、SN比の劣化のない光増幅を実現することができる。なお、励起光位相制御部303は、図3に示すような励起光源302の出力側で励起光の位相を制御する構成の他に、励起光源302の位相を直接制御する構成としてもよい。
次に、本実施形態にかかるC−OFDR測定系に用いる位相感応増幅器(PSA)の具体的構成を説明する。本実施形態の位相感応増幅器では、外部変調器通過後の微弱なレーザー光から非線形光学効果を得るのに十分なパワーを得るために、ファイバレーザー増幅器(EDFA)を用いて、入力光の一部を増幅する。増幅した入力光を第1の二次非線形光学素子に入射し、第1の二次非線形光学素子の内部で入力光の第二高調波が生成される。入力光の一部と第1の二次非線形光学素子で生成した第二高調波とを第2の二次非線形光学素子に入射してパラメトリック増幅を行うことで、位相感応増幅を行うことが出来る。
図4に本実施形態にかかるC−OFDR測定系に用いる位相感応増幅器(PSA)の具体的構成を示す。図4に示すPSA400は、偏波コントローラ402と、第1の光分岐部403と、位相変調器416と、圧電変換素子(PZT:piezoelectric transducer)による光ファイバ伸長器417と、エルビウム添加ファイバレーザー増幅器(EDFA)404と、第1の二次非線形光学素子405と、偏波保持ファイバ408と、第2の二次非線形光学素子409と、第2の光分岐部413と、光検出器414と、位相同期ループ(PLL)回路415とを備える。
偏波コントローラ402は、PSA400へ入射する信号光の一部を、偏波を調整する。
第1の二次非線形光学素子405は、第1のPPLN導波路406と、第1のPPLN導波路406の前段に配設された第1の空間光学系と、第1のPPLN導波路406の後段に配設された第1のダイクロイックミラー407を含む第2の空間光学系とを備える。
第2の二次非線形光学素子409は、第2のPPLN導波路411と、第2のPPLN導波路411の前段に配設された第2のダイクロイックミラー410を含む第3の空間光学系と、第2のPPLN導波路411の後段に配設された第3のダイクロイックミラー412を含む第4の空間光学系412とを備える。
第1の空間光学系は、第1の二次非線形素子405の入力ポートから入力された光を第1のPPLN導波路406に結合する。
第2の空間光学系は、第1のPPLN導波路406から出力された光を第1のダイクロイックミラー407を介して第1の二次非線形光学素子405の出力ポートに結合する。
第3の空間光学系は、第2の二次非線形光学素子409の入力ポートから入力された光を第2のダイクロイックミラー410を介して第2のPPLN導波路411に結合する。
第4の空間光学系は、第2のPPLN導波路411から出力された光を第3のダイクロイックミラー412を介して第2の二次非線形光学素子409の出力ポートに結合する。
図4に示される例では、PSA400に入射し偏波を調整した信号光(入力光)410は、光分岐部403によって光信号Kと光信号Lとに分岐されて、光信号Kは第2の二次非線形光学素子409に入射し、光信号Lは位相変調器415及び光ファイバ伸長器417を介して位相制御されてEDFA404に入射する。光通信に用いられる微弱なレーザー光から非線形光学効果を得るのに十分なパワーを得るために、EDFA404は、入射した信号光L(励起基本波光)を増幅し、増幅された信号光Mを第1の二次非線形光学素子405に入射させる。第1の二次非線形光学素子405では、入射した信号光Mから第2高調波の信号光Nが発生し、偏波保持ファイバ408を介して第2の二次非線形光学素子409に入射する。第2の二次非線形光学素子409では、入力光510から分岐された信号光Kと信号光Nとで縮退パラメトリック増幅を行うことで位相感応増幅を行い、信号光(出力信号光)Pを出力する。
本実施形態では、1.56μmの入力光を増幅するための位相感応増幅装置(PSA)400の機能を説明するが、入力光の波長はこれに限定されるものではない。PSA400においては、入力光の一部は、偏波コントローラ402へ入力されて偏波が調整された後に入力光401として出射する。入力光401は、光分岐部403で信号光Kと信号光Lに分岐される。信号光Lは、第1の励起光(不図示)と合波した後、エルビウム添加ファイバレーザー増幅器(EDFA)404へ入射し増幅されて、信号光Mとして出射する。信号光Mは、第1の二次非線形光学素子405に入射する。本実施形態の、二次非線形光学素子405は、周期的に分極反転されたニオブ酸リチウム(PPLN)から成る光導波路406を備える。入力光の第二高調波発生が可能となる擬似位相整合条件を満たす周期分極反転が形成されている。
第一のダイクロイックミラー407は1.56μm付近の波長の光を反射し、0.78μm付近の波長の光を透過させる特性をもっている。このため、第1のダイクロイッ クミラー407において、第1のPPLN導波路406から出射した0.78μmの波長をもつ励起光Nは透過し、1.56μmの波長をもつ励起基本波光と付随するASE光は反射されるために励起光から分離される。ダイクロイックミラー407を透過した0.78μmの励起光Nは、この波長0.78μmにおいてシングルモード伝搬特性をもつ偏波保持ファイバ408を介して、第2の二次非線形光学素子409へと導かれている。このとき、第1のダイクロイックミラー407で完全には取り除けなかった波長1.56μm付近の励起光およびASE光も偏波保持ファイバ408に入射されることになるが、0.78μmにおいてシングルモードであるこのファイバ408は波長1.56μmの光に対しては光の閉じ込めが弱いために、1m程度の長さを伝搬させることにより、これらの不用な光を効果的に減衰させることができる。
偏波保持ファイバ408により第2の二次非線形光学素子409へ導かれた励起光Nは、第2のダイクロイックミラー410を用いて波長1.56μmの信号光K(入力光401の一部)と合波される。第1のダイクロイックミラー407同様に第2のダイクロイックミラー410は、0.78μm付近の波長の光を透過させる特徴を有している。そして、第2のダイクロイックミラー410は入力光のみを反射させるために、第1のPPLN導波路406から出射され、第1のダイクロイックミラー407および偏波保持ファイバ408を透過/伝搬した(除去しきれなかった)波長1.56μm付近の励起入力光とASE光との残留成分を効果的に取り除くことができる。
励起光Nと合波された信号光Kは、第2のPPLN導波路411に入射する。第2のPPLN導波路411は、第1のPPLN導波路406と同等の性能、位相整合波長を有しており、パラメトリック増幅により、入力光を位相感応増幅することができる。本実施形態では、2つのPPLN導波路406,411はそれぞれ、個別の温度調節器により一定の温度となるように制御されている。2つのPPLN導波路の作製誤差のために同一温度において位相整合波長が一致しない場合が考えられるが、そのような場合でも両者を個々に温度制御することにより、両者の位相整合波長を一致させることができる。第2のPPLN導波路411から出射された信号光は、第三のダイクロイックミラー412により励起光N(0.78μm波長)と増幅された信号光P(出力光(1.56μm波長))とに分離される。このときも励起光と増幅された出力光とは、波長が全く異なるために、出力において不必要な第二高調波成分を効果的に取り除くことができる。
位相感応増幅(PSA)では、励起光と信号光の位相を同期させることが必要であるが、本構成では出力した増幅信号光Pの一部を光分岐部413で分岐して光検出器414で受光した後に位相同期ループ回路(PLL)415により位相同期を行っている。位相変調器416を用いてsin波により微弱な位相変調を励起光に施す。光検出器414とPLL回路415でその位相変調の位相ずれを検出して、PZTによる光ファイバ伸長器417の駆動電圧と位相変調器416のバイアス電圧とにフィードバックを行うことで、光ファイバ部品の振動や温度変動による光位相の変動を吸収して、安定的に位相感応増幅ができる。
図5に本発明の実施形態に係る位相感応増幅器(PSA)を用いた光ファイバ反射率分布測定システム(C−OFDR)、すなわちコヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置の具体的構成を示す。図5に示すC−OFDR500は、光源501と、DSB−SC変調器503と、PSA504と、入力に光源501が接続され、出力にDSB−SC変調器503とPSA504とが接続された分岐部502とを備える。分岐部502は、例えば、1入力2出力であり、一方の出力にはDSB−SC変調器503の入力が接続され、他方の出力にはPSA504の2つの入力の一方が接続されている。PSA504の2つの入力の他方は、DSB−SC変調器503の出力に接続されている。
また、C−OFDR500は、トリガ部514と、信号発生器515とを備える。
さらに、C−OFDR500は、PSA504の出力に接続されたフィルタ505と、フィルタ505の出力に接続された光カプラA等の分岐部506と、分岐部506の2つの出力の一方に接続されたサーキュレータと、分岐部506の2つの出力の他方に接続された光カプラB等の分岐部509とを備える。サーキュレータの2つの出力の一方は、分岐部509の2つの入力のうちの分岐部506の出力が接続されていない入力に接続されている。サーキュレータの2つの出力の他方は、コネクタ508を介して被測定ファイバ(FUT)に接続される。
さらにまた、C−OFDR500は、分岐部509の2つの出力に接続された受光器510と、受光器の出力をAD変換するAD変換器512と、AD変換器512と接続された解析装置としてのコンピュータ513とを備える。AD変換器512および信号発生器515には、DSB−SC変調器503における光の周波数の掃引のタイミングとAD変換器512におけるサンプリングのタイミングとを合わせるためのトリガがトリガ部514から供給される。これにより、AD変換器512は、光の周波数が掃引されている部分のみのサンプリング結果をコンピュータ513に供給することができる。
本実施形態において、光源501には、スペクトル線幅が2kHzの狭線幅ファイバレーザー(FL)を用いた。この線幅は約30kmのコヒーレンス長に相当する。FL501から出射されるレーザー光は、分岐部502で2つに分岐され、一方のレーザー光はPSA504において励起光を発生させるために用いられ、他方のレーザー光は、任意の信号発生器515によって駆動されるDSB−SC変調器503に入射する。
DSB−SC変調器503は、任意の信号発生器515からの正弦波周波数を2から12GHzまで時間に対して直線的に1秒間掃引することで、±1次変調側波帯の光周波数を掃引する。これは、周波数掃引幅ΔF=10GHz、周波数掃引速度γ=10GHz/sに相当し、空間分解能の理論式は式(3)より1cmである。
位相感応増幅(PSA)504は、通常縮退パラメトリック増幅を用いることで実現されるが、励起光波長に相当する光周波数から光周波数差だけ対称に離れた光の対が互いに位相同期している場合には、これらを非縮退パラメトリック増幅することでも位相感応増幅させることが可能であることが知られている。本実施形態のC−OFDR500においては、変調器503を用いて光源501の周波数を掃引するために、PSA504における励起光に用いるレーザー光の周波数と、変調器503通過後のPSA504において増幅されるレーザー光の周波数とは異なる。このため本実施形態では、変調器503としてDSB−SC変調器を用いることで、位相関係の確定した光のペアをつくり、非縮退動作による位相感応増幅を行う構成としている。
PSA504を通過した後の光はフィルタ507によって一方の側波帯を取り除いている。これは両側波帯を同時に被測定ファイバに入射した場合に、変調側波帯の反射光同士の干渉によるビートによって反射光強度が揺らいでしまうためである。本実施形態では光フィルタ507によって一方の変調側波帯を除去しているが、AO(Acoust Optical)変調器を参照光経路(光カプラA(506)と光カプラC(509)との間の光経路)に用いることでも変調側波帯の反射光同士の干渉によるビートを測定結果から分離することは可能である。
周波数変調されPSA504およびフィルタ507を通過した光を光カプラA(506)によって分岐し、一方はサーキュレータ507を介して5km長の被測定ファイバ(FUT)へ入射し、他方は参照光として参照光経路へと入射した。FUTからの反射光及び散乱光を光カプラB509にて参照光と合波し、反射点からの距離に依存したビート信号を得た。図6に測定したFUTの反射率分布を示す。
図6(a)に示すように、FUT終端におけるフレネル反射ピーク及びレイリー後方散乱光が観測された。ファイバ終端におけるフレネル反射ピークの分解能を測定したところ、図6(b)に示すように、PSAを用いた本実施例の構成においては3.1cmの分解能を達成できた。従来のEDFAを用いた構成で同じFUTを測定し、同様に分解能を測定したところ、図6(c)に示すように、分解能は5.2cmであった。以上から、PSAを用いてC−OFDRを構成することで分解能を改善できることが分かる。
本実施形態におけるPSAは、周期的に分極反転された二次非線形光学材料としてZnを添加したニオブ酸リチウム(LiNbO3)を用いたが、ニオブ酸リチウムに限定されるものではなく、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウムとタンタル酸リチウムの混晶(LiNb(x)Ta(1-x)O3(0≦x≦1))、ニオブ酸カリウム(KNbO3)、チタニルリン酸カリウム(KTiOPO4)等に代表される二次非線形光学材料であれば同様の効果が得られる。また二次非線形光学材料の添加物に関しても、Znをに限定されるものではなく、Znの代わりにMg、Zn、Sc、In、Feを用いても良く、もしくは添加物を添加しなくてもよい。
12,302 光源
14,18,304,403,413,502,506,509 光カプラ
16,507 サーキュレータ
20 受光部
22 解析装置
50 被測定ファイバ(FUT)
100 光周波数領域反射測定装置(C−OFDR)
300,400,504 位相感応光増幅器(PSA)
301 位相感応光増幅部
303 励起光位相制御部
402 偏波コントローラ
404 エルビウム添加ファイバレーザー増幅器(EDFA)
405 二次非線形光学素子(高調波発生(SHG)モジュール)
406,411 PPLN導波路
407,410,412 ダイクロイックミラー
408 偏波保持ファイバ
409 二次非線形光学素子(光パラメトリック増幅(OPA)モジュール)
414 光検出器
415 PLL
417 光ファイバ伸長器
500 位相感応増幅器を用いた光ファイバ反射率分布測定システム
501 光源,狭線幅ファイバレーザー(FL)
503 DSB−SC変調器
508 コネクタ
510 受光器
512 AD変換器
513 コンピュータ
514 トリガ部
515 信号発生器

Claims (6)

  1. コヒーレント光を出射する光源からの光を第1の光と第2の光に分岐する分岐手段と、
    前記第1の光を時間に対して線形に光周波数を掃引して、第3の光を出力する変調手段と、
    前記第2の光を励起光として用いて前記第3の光を増幅する位相感応増幅器と、
    前記増幅した第3の光を第4の光と第5の光に分岐する第2の分岐手段と、
    前記第4の光を測定光として被測定対象へ入射して前記被測定対象で反射された前記第4の光の反射光と、前記第5の光である参照光とを合波する合波手段であり、前記反射光と前記参照光との干渉波を生成する、合波手段と、
    前記干渉波を光検出して干渉信号を得る手段と、
    前記干渉信号を周波数解析する解析手段と
    を備えた、前記被測定対象における光の伝播方向の反射率の分布を測定するコヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置であって、
    前記位相感応増幅器はパラメトリック増幅の効果を利用する位相感応光増幅器である、ことを特徴とするコヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置。
  2. 前記変調手段は、搬送波を抑圧し、搬送波スペクトルを中心に一次の両側波帯を発生させることを特徴とする請求項1に記載のコヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置。
  3. 前記変調手段と前記第2の分岐手段との間に、前記両側波帯のうちどちらか一方を分離する光フィルタを備えることを特徴とする請求項2に記載のコヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置。
  4. 前記第2の分岐手段と前記合波手段との間の前記参照光が伝搬する経路に音響工学効果を利用する変調器を備えたことを特徴とする請求項2に記載のコヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置。
  5. 前記パラメトリック増幅の効果を利用する位相感応光増幅器は、パラメトリック増幅を行う媒質が周期的に分極反転された2次非線形光学材料である、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のコヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置。
  6. 前記パラメトリック増幅を行う媒質が周期的に分極反転された2次非線形光学材料は、LiNbO3、KNbO3、LiTaO3、LiNbxTa1-x3(0≦x≦1)またはKTiOPO、あるいは、LiNbO3、KNbO3、LiTaO3、LiNbxTa1-x3(0≦x≦1)またはKTiOPOに、Mg、Zn、Fe、ScおよびInの少なくとも一種を添加物として含有した材料である、ことを特徴とする請求項5に記載のコヒーレント光周波数領域リフレクトメトリ測定装置。
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