JP2015218356A - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Cu2ZnSnS4膜形成用のスパッタリングターゲットであって、多相多結晶の硫化物焼結体で構成され、Cu2ZnSnS4相中に、Cu2SnS3相等による他の硫化物相が分散分布している組織を有することを特徴とするCZTSスパッタリングターゲット。Cu2S粉:31.3〜43.8wt%と、ZnS粉:14.9〜29.8wt%と、SnS2粉:33.9〜49.3wt%との混合紛体を、温度:500〜600℃で、焼結して焼結体を得るスパッタリングターゲットの製造方法。
【選択図】図1
Description
(1)本発明のスパッタリングターゲットは、Cu2ZnSnS4膜形成用のスパッタリングターゲットであって、Cu2ZnSnS4相中に、他の硫化物相が分散分布している組織を有することを特徴とする。
(2)(1)に記載のスパッタリングターゲットにおいて、前記他の硫化物相は、少なくともCu2SnS3相を含むことを特徴とする。
(3)本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、Cu2S粉:31.3〜43.8wt%と、ZnS粉:14.9〜29.8wt%と、SnS2粉:33.9〜49.3wt%との混合紛体を、温度:500〜600℃で、焼結して焼結体を得ることを特徴とする。
なお、Cu:Zn:Sn:S=2:1:1:4からずれた配合でスパッタリングターゲットを製造する場合、他の硫化物として、Cu2SnS3相以外に、CuS相、Cu2S相、SnS相、ZnS相等が生成する。
先ず、Cu2ZnSnS4膜をスパッタリング成膜できるスパッタリングターゲットを製造するため、原料として、2N5のCu2S粉(三津和化学薬品製)と、脱ガス処理済で4NのZnS粉(堺化学製)と、2N5のSnS2粉(三津和化学薬品製)とを用意した。そして、Cu2S粉を36.2wt%、ZnS粉を22.2wt%、SnS2粉を41.6wt%になるように秤量して、秤量された粉末350gをボールミル装置のポットに投入した。さらに、該ポットに、ヘキサンを400ml、直径5mmのZrO2ボールを0.5kg投入して、85rpmで回転させながら、8時間、混合した。得られた混合粉末を200℃以下に加熱されたホットプレート上で6時間乾燥させた。
上記実施例と比較するため、比較例1〜3のスパッタリングターゲットを作製した。比較例1〜3の場合は、実施例の場合と同様の混合粉末を用いて、圧力:200kgf/cm2、保持時間:2時間でホットプレス焼結されるが、比較例1の場合は、温度:400℃であり、比較例2の場合は、温度:650℃であり、比較例3の場合は、温度:750℃であって、焼結温度が本実施例の温度の範囲外となっている。
<破断点応力の測定>
幅5mm×厚さ3mm×長さ40mmの試験片を作製し、島津製作所製オートグラフAG−Xを用い、支点間距離20mm、速度0.5mm/minとして、3点曲げによる応力曲線を測定し、試験片が破断した瞬間の応力を測定することで求めた。
寸法及び重量測定を実施して、その数値から密度を算出した。算出した密度をCu2ZnSnS4の理論密度(4.73g/cm3)で割ることで密度比とした。
以上の結果を、以下の表2に示した。
Claims (3)
- Cu2ZnSnS4膜形成用のスパッタリングターゲットであって、
Cu2ZnSnS4相中に、他の硫化物相が分散分布している組織を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1に記載のスパッタリングターゲットにおいて、前記他の硫化物相は、少なくともCu2SnS3相を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。
- Cu2S粉:31.3〜43.8wt%と、ZnS粉:14.9〜29.8wt%と、SnS2粉:33.9〜49.3wt%との混合紛体を、温度:500〜600℃で、焼結して焼結体を得ることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
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