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光電変換素子と、
前記光電変換素子により生成された電荷に応じた電圧を出力する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタにバイアス電流を供給する負荷トランジスタと、
電圧値が互いに異なる第１の電圧又は第２の電圧を、入力容量素子を介して前記負荷トランジスタの制御ノードに入力する電圧供給部とを有し、
前記第２の電圧が前記入力容量素子を介して前記制御ノードに入力されることによって、前記負荷トランジスタが供給する前記バイアス電流の電流値が、前記第１の電圧が前記入力容量素子を介して前記制御ノードに入力されることによって、前記負荷トランジスタが供給する前記バイアス電流の電流値よりも大きいことを特徴とする撮像装置。 A photoelectric conversion element;
An amplification transistor that outputs a voltage according to the charge generated by the photoelectric conversion element;
A load transistor for supplying a bias current to the amplification transistor;
A voltage supply unit configured to input a first voltage or a second voltage having different voltage values to a control node of the load transistor via an input capacitance element;
When the second voltage is input to the control node via the input capacitance element, the current value of the bias current supplied by the load transistor is changed to the first voltage via the input capacitance element. The imaging apparatus, wherein the current value of the bias current supplied from the load transistor is larger than the current value supplied to the control node. 光電変換素子と、前記光電変換素子により生成された電荷に応じた電圧を出力する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタに第１のバイアス電流を供給する第１の負荷トランジスタと、
前記増幅トランジスタの出力を増幅して出力する増幅器と、
前記増幅器に第２のバイアス電流を供給する第２の負荷トランジスタと、
電圧値が互いに異なる第１の電圧又は第２の電圧を、入力容量素子を介して前記第２の負荷トランジスタの制御ノードに入力する電圧供給部とを有し、
前記第２の電圧が前記入力容量素子を介して前記制御ノードに入力されることによって、前記第２の負荷トランジスタが供給する前記第２のバイアス電流の電流値が、前記第１の電圧が前記入力容量素子を介して前記制御ノードに入力されることによって、前記第２の負荷トランジスタが供給する前記第２のバイアス電流の電流値よりも大きいことを特徴とする撮像装置。 A photoelectric conversion element, an amplification transistor that outputs a voltage according to the charge generated by the photoelectric conversion element, and
A first load transistor for supplying a first bias current to the amplification transistor;
An amplifier that amplifies and outputs the output of the amplification transistor;
A second load transistor for supplying a second bias current to the amplifier;
A voltage supply unit that inputs a first voltage or a second voltage having different voltage values to a control node of the second load transistor via an input capacitance element;
When the second voltage is input to the control node via the input capacitance element, the current value of the second bias current supplied by the second load transistor is set to be equal to the first voltage. An imaging apparatus, wherein the current value of the second bias current supplied from the second load transistor is larger than the current value of the second bias current when input to the control node via an input capacitance element. 光電変換素子と、前記光電変換素子により生成された電荷に応じた電圧を出力する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタにバイアス電流を供給する負荷トランジスタと、
制御ノードが前記負荷トランジスタの出力端子に接続され、第１の主ノードが前記負荷トランジスタの制御ノードにそれぞれ接続された入力トランジスタと、
電圧値が互いに異なる第１の電圧又は第２の電圧を、前記入力トランジスタの第２の主ノードに入力する電圧供給部とを有し、
前記第２の電圧が前記第２の主ノードに入力されることによって、前記負荷トランジスタが供給する前記バイアス電流の電流値が、前記第１の電圧が前記第２の主ノードに入力されることによって、前記負荷トランジスタが供給する前記バイアス電流の電流値よりも大きいことを特徴とする撮像装置。 A photoelectric conversion element, an amplification transistor that outputs a voltage according to the charge generated by the photoelectric conversion element, and
A load transistor for supplying a bias current to the amplification transistor;
An input transistor having a control node connected to the output terminal of the load transistor and a first main node connected to the control node of the load transistor;
A voltage supply unit configured to input a first voltage or a second voltage having different voltage values to the second main node of the input transistor;
When the second voltage is input to the second main node, the current value of the bias current supplied by the load transistor is input to the second main node. The imaging device is characterized in that it is larger than the current value of the bias current supplied by the load transistor. 前記第１の電圧と前記第２の電圧の差は、前記増幅トランジスタから出力される前記電圧に応じて制御されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。   4. The imaging apparatus according to claim 1, wherein a difference between the first voltage and the second voltage is controlled according to the voltage output from the amplification transistor. 5. . 前記電圧供給部が前記第２の電圧を出力する期間は前記増幅トランジスタから出力される電圧に応じて制御されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。   4. The imaging apparatus according to claim 1, wherein a period during which the voltage supply unit outputs the second voltage is controlled according to a voltage output from the amplification transistor. 5. 前記第２の電圧は前記第１の電圧よりも振幅が大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。   The imaging apparatus according to claim 1, wherein the second voltage has an amplitude larger than that of the first voltage. 前記光電変換素子と前記増幅トランジスタとの間の電気的経路を、オンの状態で導通とし、オフの状態で非導通とする転送トランジスタをさらに有し、
前記電圧供給部は、前記転送トランジスタがオフの状態においては前記第１の電圧を出力し、前記転送トランジスタがオフからオンとなった状態から所定の期間は、前記第２の電圧を出力し、前記所定の期間の経過後から再び前記転送トランジスタがオフの状態になるまでの期間は、前記第１の電圧を出力することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。 The electrical path between the photoelectric conversion element and the amplification transistor further includes a transfer transistor that is conductive when on and non-conductive when off.
The voltage supply unit outputs the first voltage when the transfer transistor is in an off state, and outputs the second voltage during a predetermined period from the state where the transfer transistor is turned off to on. The imaging according to any one of claims 1 to 6, wherein the first voltage is output during a period from the lapse of the predetermined period until the transfer transistor is turned off again. apparatus. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置がライン状に配置されていることを特徴とするラインセンサ。   8. A line sensor, wherein the imaging device according to claim 1 is arranged in a line. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置が行列状に配置されていることを特徴とするエリアセンサ。   8. An area sensor, wherein the imaging devices according to claim 1 are arranged in a matrix. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置を備えることを特徴とする撮像システム。   An imaging system comprising the imaging device according to claim 1. 請求項４又は５に記載の撮像装置を備える撮像システムであって、前記撮像システムのＩＳＯ感度設定に基づいて前記撮像装置の制御が行われることを特徴とする撮像システム。   An imaging system comprising the imaging device according to claim 4 or 5, wherein the imaging device is controlled based on an ISO sensitivity setting of the imaging system. 光電変換素子と、前記光電変換素子により生成された電荷に応じた電圧を出力する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタにバイアス電流を供給する負荷トランジスタとを有する撮像装置の駆動方法であって、
電圧値が互いに異なる第１の電圧と第２の電圧との一方ずつを、入力容量素子を介して前記負荷トランジスタの制御ノードに入力し、
前記第２の電圧を前記入力容量素子を介して前記制御ノードに入力することによって、前記負荷トランジスタが供給する前記バイアス電流の電流値が、前記第１の電圧を前記入力容量素子を介して前記制御ノードに入力することによって、前記負荷トランジスタが供給する前記バイアス電流の電流値よりも大きいことを特徴とする撮像装置の駆動方法。 A photoelectric conversion element, an amplification transistor that outputs a voltage according to the charge generated by the photoelectric conversion element, and
A driving method of an imaging device having a load transistor for supplying a bias current to the amplification transistor,
One of the first voltage and the second voltage having different voltage values is input to the control node of the load transistor via the input capacitance element,
By inputting the second voltage to the control node via the input capacitive element, the current value of the bias current supplied by the load transistor is changed to the first voltage via the input capacitive element. A driving method of an imaging apparatus, characterized in that an input value to the control node is larger than a current value of the bias current supplied from the load transistor. 前記光電変換素子と前記増幅トランジスタとの間の電気的経路を、オンの状態で導通とし、オフの状態で非導通とする転送トランジスタをさらに有し、
前記転送トランジスタがオフの状態においては前記第１の電圧を前記制御ノードに入力し、前記転送トランジスタがオフからオンとなった状態から所定の期間は、前記第２の電圧を前記制御ノードに入力し、前記所定の期間の経過後から前記転送トランジスタが再びオフの状態になるまでの期間は、前記第１の電圧を前記制御ノードに入力することを特徴とする請求項１２に記載の撮像装置の駆動方法。 The electrical path between the photoelectric conversion element and the amplification transistor further includes a transfer transistor that is conductive when on and non-conductive when off.
The first voltage is input to the control node when the transfer transistor is off, and the second voltage is input to the control node for a predetermined period after the transfer transistor is turned on. The imaging apparatus according to claim 12, wherein the first voltage is input to the control node during a period from when the predetermined period elapses until the transfer transistor is turned off again. Driving method. 光電変換素子と、前記光電変換素子により生成された電荷に応じた電圧を出力する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタに第１のバイアス電流を供給する第１の負荷トランジスタと、
前記増幅トランジスタの出力を増幅して出力する増幅器と、
前記増幅器に第２のバイアス電流を供給する第２の負荷トランジスタとを有する撮像装置の駆動方法であって、
電圧値が互いに異なる第１の電圧又は第２の電圧を、入力容量素子を介して前記第２の負荷トランジスタの制御ノードに入力し、
前記第２の電圧を前記入力容量素子を介して前記制御ノードに入力することによって、前記第２の負荷トランジスタが供給する前記第２のバイアス電流の電流値が、前記第１の電圧を前記入力容量素子を介して前記制御ノードに入力することによって、前記第２の負荷トランジスタが供給する前記第２のバイアス電流の電流値よりも大きいことを特徴とする撮像装置の駆動方法。 A photoelectric conversion element, an amplification transistor that outputs a voltage according to the charge generated by the photoelectric conversion element, and
A first load transistor for supplying a first bias current to the amplification transistor;
An amplifier that amplifies and outputs the output of the amplification transistor;
A driving method of an imaging device having a second load transistor for supplying a second bias current to the amplifier,
A first voltage or a second voltage having different voltage values is input to a control node of the second load transistor via an input capacitance element;
By inputting the second voltage to the control node via the input capacitance element, the current value of the second bias current supplied by the second load transistor is set so that the first voltage is input to the control node. A method for driving an imaging apparatus, characterized in that the current value of the second bias current supplied from the second load transistor is larger than the current value of the second bias current that is input to the control node via a capacitive element. 前記光電変換素子と前記増幅トランジスタとの間の電気的経路を、オンの状態で導通とし、オフの状態で非導通とする転送トランジスタをさらに有し、
前記転送トランジスタがオフの状態においては前記第１の電圧を前記制御ノードに入力し、前記転送トランジスタがオフからオンとなった状態から所定の期間は、前記第２の電圧を前記制御ノードに入力し、前記所定の期間の経過後から前記転送トランジスタが再びオフの状態になるまでの期間は、前記第１の電圧を前記制御ノードに入力することを特徴とする請求項１４に記載の撮像装置の駆動方法。 The electrical path between the photoelectric conversion element and the amplification transistor further includes a transfer transistor that is conductive when on and non-conductive when off.
The first voltage is input to the control node when the transfer transistor is off, and the second voltage is input to the control node for a predetermined period after the transfer transistor is turned on. 15. The imaging apparatus according to claim 14, wherein the first voltage is input to the control node during a period from the lapse of the predetermined period until the transfer transistor is turned off again. Driving method. 光電変換素子と、前記光電変換素子により生成された電荷に応じた電圧を出力する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタにバイアス電流を供給する負荷トランジスタと、
制御ノードが前記負荷トランジスタの出力端子に接続され、第１の主ノードが前記負荷トランジスタの制御ノードにそれぞれ接続された入力トランジスタとを有する撮像装置の駆動方法であって、
電圧値が互いに異なる第１の電圧又は第２の電圧を、前記入力トランジスタの第２の主ノードに入力し、
前記第２の電圧を前記第２の主ノードに入力することによって、前記負荷トランジスタが供給する前記バイアス電流の電流値が、前記第１の電圧を前記第２の主ノードに入力することによって、前記負荷トランジスタが供給する前記バイアス電流の電流値よりも大きいことを特徴とする撮像装置の駆動方法。 A photoelectric conversion element, an amplification transistor that outputs a voltage according to the charge generated by the photoelectric conversion element, and
A load transistor for supplying a bias current to the amplification transistor;
A driving method of an imaging apparatus, wherein a control node is connected to an output terminal of the load transistor, and a first main node is connected to an input transistor connected to the control node of the load transistor, respectively.
A first voltage or a second voltage having different voltage values is input to a second main node of the input transistor;
By inputting the second voltage to the second main node, the current value of the bias current supplied by the load transistor is input to the second main node by: A driving method of an imaging apparatus, wherein the bias transistor supplies a current value greater than a current value of the bias current. 前記光電変換素子と前記増幅トランジスタとの間の電気的経路を、オンの状態で導通とし、オフの状態で非導通とする転送トランジスタをさらに有し、
前記転送トランジスタがオフの状態においては前記第１の電圧を前記第２の主ノードに入力し、前記転送トランジスタがオフからオンとなった状態から所定の期間は、前記第２の電圧を前記第２の主ノードに入力し、前記所定の期間の経過後から前記転送トランジスタが再びオフの状態になるまでの期間は、前記第１の電圧を前記第２の主ノードに入力することを特徴とする請求項１６に記載の撮像装置の駆動方法。 The electrical path between the photoelectric conversion element and the amplification transistor further includes a transfer transistor that is conductive when on and non-conductive when off.
Wherein the transfer transistor is off inputs the first voltage to the second main node for a predetermined period from a state where the transfer transistor is turned on from off, the second voltage before Symbol input to the second main node, the period from after to the transfer transistor is turned off again for the predetermined time period, to enter the first voltage before Symbol second main node The driving method of the imaging apparatus according to claim 16, wherein
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