JP2015207655A - Imprint mold, blank for imprint mold, method for manufacturing imprint mold substrate, and method for manufacturing imprint mold - Google Patents

Imprint mold, blank for imprint mold, method for manufacturing imprint mold substrate, and method for manufacturing imprint mold Download PDF

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imprint mold capable of removing a fine uneven pattern by polishing treatment without worsening flatness of an upper surface of a convex structure part, blank for imprint mold, a method for manufacturing an imprint mold substrate, and a method for manufacturing an imprint mold.SOLUTION: An imprint mold 1 comprises a base part 2 including a first surface 2A and a second surface 2B facing the first surface 2A, a convex structure part 3 and a convex part 4 protruding from the first surface 2A, and a fine uneven pattern 5 formed on an upper surface 3A of the convex structure part 3. The convex part 4 is located around the convex structure part 3 in a plan view from the first surface 2A side. The height Tof the convex part 4 is substantially the same as the height Tof the convex structure part 3.

Description

本発明は、インプリントモールド、インプリントモールド用ブランクス、並びにインプリントモールド用基板やインプリントモールドを製造する方法に関する。   The present invention relates to an imprint mold, imprint mold blanks, and a method for manufacturing an imprint mold substrate and an imprint mold.

微細加工技術としてのナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸パターンが形成されてなる型部材（インプリントモールド）を用い、当該微細凹凸パターンをインプリント材料等の被加工物に転写することで微細凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である（特許文献１参照）。特に、半導体デバイスにおける配線パターン等のさらなる微細化の進行等に伴い、半導体デバイスの製造プロセス等においてナノインプリント技術が益々注目されている。   Nanoimprint technology as a microfabrication technology uses a mold member (imprint mold) in which a fine concavo-convex pattern is formed on the surface of a substrate, and transfers the fine concavo-convex pattern to a workpiece such as an imprint material. This is a pattern formation technique for transferring a fine concavo-convex pattern at an equal magnification (see Patent Document 1). In particular, with the progress of further miniaturization of wiring patterns and the like in semiconductor devices, nanoimprint technology is gaining more and more attention in semiconductor device manufacturing processes and the like.

一般に、電子線露光等の微細加工技術を用いて形成された微細凹凸パターンを有するモールド（マスターモールド）を作製し、当該マスターモールドを用いたインプリント処理により、当該マスターモールドの微細凹凸パターンが凹凸反転してなるモールド（レプリカモールド）が大量に作製される。このレプリカモールドが、半導体製品等の製造工程の一つであるインプリント処理に使用されるのが通常である。このようなレプリカモールドを用いてインプリント処理を行うのは、作製に多大な時間とコストを要するマスターモールドの破損リスクを低減するためである。   In general, a mold having a fine concavo-convex pattern (master mold) formed using a fine processing technique such as electron beam exposure is produced, and the fine concavo-convex pattern of the master mold is concavo-convex by imprint processing using the master mold. A large number of inverted molds (replica molds) are produced. This replica mold is usually used for imprint processing, which is one of the manufacturing processes for semiconductor products and the like. The reason why imprint processing is performed using such a replica mold is to reduce the risk of damage to the master mold, which requires a great amount of time and cost for production.

上記マスターモールドやレプリカモールド（以下「インプリントモールド等」という場合がある。）は、いずれ破損して廃棄されることがある。その際、上記インプリントモールド等をそのまま廃棄することは、製造コストや、環境上の観点から好ましくない。そのため、上記インプリントモールド等の微細凹凸パターンを除去し、インプリントモールド用基板として再生することが望まれている。   The master mold and replica mold (hereinafter sometimes referred to as “imprint mold”) may be damaged and discarded. In that case, it is not preferable to discard the imprint mold or the like as it is from the viewpoint of manufacturing cost and environment. Therefore, it is desired to remove the fine concavo-convex pattern such as the imprint mold and reproduce it as an imprint mold substrate.

上記インプリントモールド等の微細凹凸パターンを除去する方法として、例えば、研磨スラリーを上記インプリントモールド等の被研磨面（微細凹凸パターンが形成されている面）に供給しながら、ウレタン等の研磨パッドが貼り付けられた定盤を押し付けて研磨する方法（特許文献２参照）等が考えられる。この研磨処理は、相対的に粒径の大きい（０．３〜３μｍ程度）酸化セリウムを主材とする研磨スラリーを用いる第１次研磨処理と、相対的に粒径の小さい（１０〜３００ｎｍ程度）コロイダルシリカを含む研磨スラリーを用いる第２次研磨処理とを含む。   As a method for removing the fine concavo-convex pattern such as the imprint mold, for example, a polishing pad such as urethane while supplying a polishing slurry to a surface to be polished (surface on which the fine concavo-convex pattern is formed) such as the imprint mold. A method of polishing by pressing a surface plate to which is attached (see Patent Document 2) or the like is conceivable. This polishing process includes a primary polishing process using a polishing slurry mainly composed of cerium oxide having a relatively large particle size (about 0.3 to 3 μm) and a relatively small particle size (about 10 to 300 nm). And a secondary polishing treatment using a polishing slurry containing colloidal silica.

米国特許第５，７７２，９０５号US Pat. No. 5,772,905 特開昭６４−４０２６７号公報JP-A 64-40267

一般に、図８に示すように、インプリントモールド１００（特にレプリカモールド）としては、第１の面２００Ａ及びそれに対向する第２の面２００Ｂを有する基部２００と、基部２００の第１の面２００Ａから突出する凸構造部３００とを有し、凸構造部３００の上面３００Ａに微細凹凸パターン５００が形成されており、第２の面２００Ｂに窪み部６００が形成されているものが用いられる。   In general, as shown in FIG. 8, an imprint mold 100 (particularly a replica mold) includes a base 200 having a first surface 200A and a second surface 200B facing the first surface 200A, and a first surface 200A of the base 200. A projection having a protruding convex structure 300, a fine concave / convex pattern 500 formed on the upper surface 300A of the convex structure 300, and a recess 600 formed on the second surface 200B is used.

このような構成を有するインプリントモールド１００の微細凹凸パターン５００を除去するために上記特許文献２に開示されている研磨方法により凸構造部３００の上面３００Ａを研磨する。この場合、定盤９２に貼り付けられた研磨パッド９１を凸構造部３００の上面３００Ａに当接させたときの応力や、インプリントモールド１００の自重等により、インプリントモールド１００の基部２００、特に基部２００のうちの窪み部６００の形成されている部分（その他の部分に比べて厚さの薄い部分）が湾曲するように変形するおそれがある（図９参照）。このように変形したまま上記研磨処理を行うと、凸構造部３００の外周縁近傍の研磨量が凸構造部３００の中央部近傍の研磨量よりも多くなり、凸構造部３００の上面３００Ａのフラットネス（平坦性）が悪化し、特に凸構造部３００の外周縁の角部が丸くなったインプリントモールド用基板として再生されてしまうという問題がある（図１０参照）。特に、相対的に粒径の大きい（０．３〜３μｍ程度）酸化セリウムを主材とする研磨スラリーを用いる第１次研磨処理により、上記問題が生じ得る。   In order to remove the fine concavo-convex pattern 500 of the imprint mold 100 having such a configuration, the upper surface 300A of the convex structure portion 300 is polished by the polishing method disclosed in Patent Document 2. In this case, the base 200 of the imprint mold 100, particularly the stress when the polishing pad 91 attached to the surface plate 92 is brought into contact with the upper surface 300 </ b> A of the convex structure 300, the weight of the imprint mold 100, There is a possibility that a portion of the base portion 200 where the hollow portion 600 is formed (a portion having a smaller thickness than other portions) is deformed so as to be curved (see FIG. 9). When the polishing process is performed with the deformation as described above, the polishing amount in the vicinity of the outer peripheral edge of the convex structure portion 300 becomes larger than the polishing amount in the vicinity of the central portion of the convex structure portion 300, and the upper surface 300A of the convex structure portion 300 is flat There is a problem that the roughness (flatness) deteriorates, and in particular, the substrate is regenerated as an imprint mold substrate in which the corners of the outer peripheral edge of the convex structure 300 are rounded (see FIG. 10). In particular, the above-described problem may occur due to the primary polishing process using a polishing slurry mainly composed of cerium oxide having a relatively large particle size (about 0.3 to 3 μm).

上記研磨処理により微細凹凸パターン５００が除去された凸構造部３００の上面３００Ａのフラットネス（平坦性）が悪化したインプリントモールド用基板を用いてインプリントモールドを製造すると、当該インプリントモールドを用いたインプリント処理時に、凸構造部３００の上面３００Ａのフラットネス（平坦性）の悪化を原因として、インプリント樹脂の残膜厚の均一性が低下し、結果として、当該インプリントモールドを用いて形成される転写パターンの寸法精度を悪化させるおそれがある。   When an imprint mold is manufactured using a substrate for imprint mold in which the flatness (flatness) of the upper surface 300A of the convex structure portion 300 from which the fine concavo-convex pattern 500 has been removed by the polishing process is deteriorated, the imprint mold is used. During the imprint process, the uniformity of the residual film thickness of the imprint resin is reduced due to the deterioration of the flatness (flatness) of the upper surface 300A of the convex structure 300, and as a result, the imprint mold is used. There is a possibility that the dimensional accuracy of the formed transfer pattern is deteriorated.

上記課題に鑑みて、本発明は、凸構造部の上面のフラットネス（平坦性）を悪化させることなく、研磨処理により微細凹凸パターンを除去することが可能なインプリントモールド、インプリントモールド用ブランクス、並びにインプリントモールド用基板及びインプリントモールドを製造する方法を提供することを目的とする。   In view of the above problems, the present invention provides an imprint mold and an imprint mold blank that can remove a fine uneven pattern by polishing without deteriorating the flatness (flatness) of the upper surface of the convex structure portion. And an imprint mold substrate and a method for producing the imprint mold.

上記課題を解決するために、本発明は、第１の面及び当該第１の面に対向する第２の面を有する基部と、前記第１の面から突出する凸構造部及び凸部と、前記凸構造部の上面に形成されている微細凹凸パターンとを備え、前記凸部は、前記第１の面側からの平面視において前記凸構造部の周囲に位置しており、前記凸部の高さは、前記凸構造部の高さと実質的に同一であることを特徴とするインプリントモールドを提供する（発明１）。   In order to solve the above problems, the present invention provides a base having a first surface and a second surface facing the first surface, a convex structure portion and a convex portion protruding from the first surface, A fine concavo-convex pattern formed on the upper surface of the convex structure portion, and the convex portion is located around the convex structure portion in a plan view from the first surface side. An imprint mold is provided in which the height is substantially the same as the height of the convex structure portion (Invention 1).

上記発明（発明１）によれば、凸構造部と実質的に同一の高さを有する凸部が、凸構造部の周囲に位置しているため、当該インプリントモールドの微細凹凸パターンを研磨処理により除去し、再生しようとするときに、基部の変形を防止することができ、その結果、基部の変形により凸構造部の上面のフラットネス（平坦性）が悪化するのを防止することができる。   According to the said invention (invention 1), since the convex part which has substantially the same height as a convex structure part is located in the circumference | surroundings of a convex structure part, the fine uneven | corrugated pattern of the said imprint mold is grind | polished. Therefore, it is possible to prevent the base from being deformed when it is removed and regenerated, and as a result, it is possible to prevent the flatness (flatness) of the upper surface of the convex structure portion from being deteriorated by the deformation of the base. .

本発明において、「凸部の高さが、凸構造部の高さと実質的に同一である」とは、基部の第１の面を基準とした凸部の高さが、当該第１の面を基準とした凸構造部の高さに対して−１．０〜＋０．３％であること、好適には−０．５〜０％であることを意味するものとする。   In the present invention, “the height of the convex portion is substantially the same as the height of the convex structure portion” means that the height of the convex portion based on the first surface of the base portion is the first surface. It means that it is -1.0 to + 0.3%, preferably -0.5 to 0% with respect to the height of the convex structure portion with respect to.

上記発明（発明１）において、前記凸部は、前記第１の面上に複数設けられており、前記各凸部は、前記第１の面側からの平面視において、前記凸構造部を中心とした対称性を有する位置に設けられているのが好ましい（発明２）。   In the above invention (Invention 1), a plurality of the convex portions are provided on the first surface, and each convex portion is centered on the convex structure portion in a plan view from the first surface side. It is preferable to be provided at a position having the symmetry as described above (Invention 2).

上記発明（発明１，２）において、前記凸構造部は、平面視略矩形状であり、前記第１の面上であって、前記凸構造部の周囲の領域に前記凸構造部と同一形状の矩形領域を複数並列配置したときに、前記凸部は、前記矩形領域のいずれかの辺上に位置するのが好ましい（発明３）。   In the said invention (invention 1 and 2), the said convex structure part is substantially rectangular shape in planar view, Comprising: The same shape as the said convex structure part on the said 1st surface, and the area | region around the said convex structure part When a plurality of rectangular regions are arranged in parallel, it is preferable that the convex portion is located on any side of the rectangular region (Invention 3).

上記発明（発明１〜３）において、前記基部の前記第２の面には、窪み部が形成されており、前記窪み部は、前記基部の平面視において当該窪み部を前記第１の面側に投影した投影領域が前記凸構造部を包摂するように、前記第２の面に形成されており、前記凸部は、少なくとも、前記第１の面側に前記窪み部を投影した前記投影領域よりも外側に設けられているのが好ましい（発明４）。   In the said invention (invention 1-3), the said 2nd surface of the said base is formed with the hollow part, and the said hollow part is the said 1st surface side in the planar view of the said base part. The projected area is formed on the second surface so that the projected area projected onto the projection structure part includes the projected structure part, and the projected part projects at least the depression part on the first surface side. It is preferable to be provided outside (Invention 4).

上記発明（発明１〜４）において、前記凸構造部は、平面視略矩形状であり、前記凸構造部の上面は、複数の小領域と隣接する小領域間に位置する境界領域とを含み、前記微細凹凸パターンは、前記複数の小領域のそれぞれに形成されており、前記第１の面上における前記凸構造部の周囲の領域に前記凸構造部と同一形状の矩形領域を複数並列配置したときに、前記凸部は、前記矩形領域内の前記境界領域に相当する領域に位置するのが好ましい（発明５）。   In the said invention (invention 1-4), the said convex structure part is planar view substantially rectangular shape, and the upper surface of the said convex structure part contains the boundary area | region located between a several small area | region and an adjacent small area | region. The fine concavo-convex pattern is formed in each of the plurality of small regions, and a plurality of rectangular regions having the same shape as the convex structure portion are arranged in parallel in a region around the convex structure portion on the first surface. Then, it is preferable that the convex portion is located in a region corresponding to the boundary region in the rectangular region (Invention 5).

また、本発明は、上記発明（発明１〜５）に係るインプリントモールドの前記凸構造部の上面を研磨する研磨工程を有し、前記研磨工程において、定盤に取り付けられた研磨具を前記凸構造部の上面及び前記凸部に当接させた状態で、当該研磨具に研磨剤を供給しながら前記定盤を前記インプリントモールドに対して相対的に回転させることにより、前記凸構造部の上面を研磨することを特徴とするインプリントモールド用基板の製造方法を提供する（発明６）。   Moreover, this invention has a grinding | polishing process which grind | polishes the upper surface of the said convex structure part of the imprint mold which concerns on the said invention (invention 1-5), The polishing tool attached to the surface plate in the said grinding | polishing process WHEREIN: By rotating the surface plate relative to the imprint mold while supplying an abrasive to the polishing tool in a state of being in contact with the upper surface of the convex structure portion and the convex portion, the convex structure portion A method for producing an imprint mold substrate is provided, wherein the upper surface of the substrate is polished (Invention 6).

さらに、本発明は、上記発明（発明６）に係るインプリントモールド用基板の製造方法により製造された前記インプリントモールド用基板の前記凸構造部の上面に微細凹凸パターンを形成するパターン形成工程を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する（発明７）。   Furthermore, the present invention provides a pattern forming step of forming a fine concavo-convex pattern on the upper surface of the convex structure portion of the imprint mold substrate manufactured by the method for manufacturing an imprint mold substrate according to the invention (invention 6). An imprint mold manufacturing method is provided (Invention 7).

さらにまた、本発明は、第１の面及び当該第１の面に対向する第２の面を有する基部と、前記第１の面から突出する凸構造部及び凸部とを備え、前記凸部は、前記第１の面側からの平面視において前記凸構造部の周囲に位置しており、前記凸部の高さは、前記凸構造部の高さと実質的に同一であり、前記基部の前記第２の面には、窪み部が形成されており、前記窪み部は、前記基部の平面視において当該窪み部を前記第１の面側に投影した投影領域が前記凸構造部を包摂するように、前記第２の面に形成されており、前記凸部は、少なくとも、前記第１の面側に前記窪み部を投影した前記投影領域よりも外側に設けられていることを特徴とするインプリントモールド用ブランクスを提供する（発明８）。   Furthermore, the present invention includes a base having a first surface and a second surface facing the first surface, and a convex structure and a convex protruding from the first surface, and the convex Is located around the convex structure portion in plan view from the first surface side, and the height of the convex portion is substantially the same as the height of the convex structure portion. A recess is formed on the second surface, and the recess has a projection region in which the recess is projected on the first surface side in a plan view of the base to include the convex structure. As described above, it is formed on the second surface, and the convex portion is provided at least outside the projection region in which the depression is projected on the first surface side. Blanks for imprint molds are provided (Invention 8).

本発明によれば、凸構造部の上面のフラットネス（平坦性）を悪化させることなく、研磨処理により微細凹凸パターンを除去することが可能なインプリントモールド、インプリントモールド用ブランクス、並びにインプリントモールド用基板及びインプリントモールドを製造する方法を提供することができる。   According to the present invention, an imprint mold, a blank for imprint mold, and an imprint capable of removing a fine uneven pattern by a polishing process without deteriorating flatness (flatness) of an upper surface of a convex structure portion A method of manufacturing a mold substrate and an imprint mold can be provided.

図１は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。FIG. 1 is a cut end view showing a schematic configuration of an imprint mold according to an embodiment of the present invention. 図２は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of an imprint mold according to an embodiment of the present invention. 図３は、本発明の一実施形態における凸部の具体的態様を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a specific aspect of the convex portion in one embodiment of the present invention. 図４（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの他の概略構成を示す平面図である。4A and 4B are plan views showing another schematic configuration of the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図５は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。FIG. 5 is a process flow diagram showing each step of the imprint mold manufacturing method according to the embodiment of the present invention in a cut end view. 図６は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの凸構造部の上面を研磨する工程を概略的に示す側面図である。FIG. 6 is a side view schematically showing a step of polishing the upper surface of the convex structure portion of the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図７は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の製造方法及び新たなインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。FIG. 7 is a process flow diagram showing each step of the imprint mold substrate manufacturing method and the new imprint mold manufacturing method according to an embodiment of the present invention in a cut end view. 図８は、従来のインプリントモールドの概略構成を示す切断他面図である。FIG. 8 is a cross-sectional side view showing a schematic configuration of a conventional imprint mold. 図９は、従来のインプリントモールドの凸構造部の上面を研磨する工程を概略的に示す切断端面図である。FIG. 9 is a cut end view schematically showing a step of polishing the upper surface of the convex structure portion of the conventional imprint mold. 図１０は、従来の方法により凸構造部の上面を研磨して再生されたインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。FIG. 10 is a cut end view showing a schematic configuration of an imprint mold substrate which is regenerated by polishing the upper surface of the convex structure portion by a conventional method.

以下、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドについて、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図であり、図２は、本実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す平面図である。   Hereinafter, an imprint mold according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cut end view illustrating a schematic configuration of an imprint mold according to the present embodiment, and FIG. 2 is a plan view illustrating a schematic configuration of the imprint mold according to the present embodiment.

図１に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド１は、第１の面２Ａ及び当該第１の面２Ａに対向する第２の面２Ｂを有する基部２と、第１の面２Ａから突出する凸構造部３及び凸部４とを備え、凸構造部３の上面３Ａに微細凹凸パターン５が形成されており、第２の面２Ｂに窪み部６が形成されている。   As shown in FIG. 1, the imprint mold 1 according to the present embodiment includes a first surface 2A and a base 2 having a second surface 2B facing the first surface 2A, and the first surface 2A. Protruding convex structures 3 and convex parts 4 are provided, a fine uneven pattern 5 is formed on the upper surface 3A of the convex structure 3, and a recess 6 is formed on the second surface 2B.

基部２を構成する材料は、本実施形態に係るインプリントモールド１の用途（光インプリント用、熱インプリント用等の用途）に応じた材料であって、インプリントモールド用基板を構成する材料として一般的なもの（例えば、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス材料、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂材料、これらのうちから任意に選択された２以上の材料を積層してなる積層材料等の透明材料；ニッケル、チタン、アルミニウム等の金属材料；シリコン、窒化ガリウム等の半導体材料等）により構成される。なお、本実施形態において「透明」とは、波長３００〜４５０ｎｍの光線の透過率が８５％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上である。   The material constituting the base 2 is a material corresponding to the use of the imprint mold 1 according to the present embodiment (use for optical imprint, thermal imprint, etc.), and constitutes the imprint mold substrate. General materials (for example, glass materials such as quartz glass, soda glass, fluorite, calcium fluoride, magnesium fluoride, acrylic glass, resin materials such as polycarbonate, polypropylene, polyethylene, etc., are arbitrarily selected from these In addition, a transparent material such as a laminated material obtained by laminating two or more materials; a metal material such as nickel, titanium, or aluminum; a semiconductor material such as silicon or gallium nitride, or the like). In the present embodiment, “transparent” means that the transmittance of light having a wavelength of 300 to 450 nm is 85% or more, and preferably 90% or more.

基部２の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状、略円形状等が挙げられる。光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるインプリントモールド１であれば、通常、基部２の平面視形状は略矩形状である。   The shape of the base 2 in plan view is not particularly limited, and examples thereof include a substantially rectangular shape and a substantially circular shape. If it is the imprint mold 1 which consists of a quartz glass substrate generally used for optical imprints, the planar view shape of the base 2 is usually a substantially rectangular shape.

基部２の大きさも特に限定されるものではないが、上述した石英ガラス基板からなるインプリントモールド１としては、一般に、上記基部２として１５２ｍｍ×１５２ｍｍの大きさを有するものが用いられる。また、基部２の厚さＴ2は、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。 The size of the base 2 is not particularly limited, but as the imprint mold 1 made of the above-described quartz glass substrate, generally, the base 2 having a size of 152 mm × 152 mm is used. The thickness T 2 of the base 2, the intensity, considering handling properties, etc., for example, may be appropriately set within a range of about 300Myuemu～10mm.

基部２の第１の面２Ａから突出する凸構造部３は、平面視において基部２の略中央に設けられている。かかる凸構造部３の形状は、略矩形状、略円形状等を例示することができる。   The convex structure portion 3 protruding from the first surface 2A of the base portion 2 is provided at substantially the center of the base portion 2 in plan view. Examples of the shape of the convex structure portion 3 include a substantially rectangular shape and a substantially circular shape.

凸構造部３の大きさは、インプリントモールド１を用いたインプリント処理を経て製造される製品等に応じて適宜設定されるものである。例えば、３３ｍｍ×２６ｍｍの略矩形状の凸構造部３を挙げることができる。   The size of the convex structure portion 3 is appropriately set according to a product manufactured through an imprint process using the imprint mold 1. For example, a substantially rectangular convex structure portion 3 of 33 mm × 26 mm can be given.

凸構造部３の高さＴ3は、インプリントモールド１が凸構造部３を備える目的を果たし得る限り、特に制限されるものではなく、例えば、１０〜１００μｍ程度に設定され得る。 The height T 3 of the convex structure portion 3 is not particularly limited as long as the imprint mold 1 can achieve the purpose of including the convex structure portion 3, and can be set to about 10 to 100 μm, for example.

基部２の第２の面２Ｂには、所定の大きさの窪み部６が形成されている。窪み部６が形成されていることで、本実施形態に係るインプリントモールド１を用いたインプリント処理時、特にインプリント樹脂との接触時やインプリントモールド１の剥離時に、基部２、特に凸構造部３の上面３Ａを湾曲させることができる。その結果、凸構造部３の上面３Ａとインプリント樹脂とを接触させるときに、微細凹凸パターン５とインプリント樹脂との間に空気を挟みこむのを抑制することができ、また、転写パターンからインプリントモールド１を容易に剥離することができる。   A recess 6 having a predetermined size is formed on the second surface 2B of the base 2. By forming the depression 6, the base 2, particularly the convex, is formed during imprint processing using the imprint mold 1 according to the present embodiment, particularly when in contact with the imprint resin or when the imprint mold 1 is peeled off. The upper surface 3A of the structure part 3 can be curved. As a result, when the upper surface 3A of the convex structure 3 and the imprint resin are brought into contact with each other, it is possible to prevent air from being sandwiched between the fine uneven pattern 5 and the imprint resin, and from the transfer pattern. The imprint mold 1 can be easily peeled off.

窪み部６の平面視形状は、略円形状であるのが好ましい。略円形状であることで、インプリント処理時、特に凸構造部３の上面３Ａとインプリント樹脂とを接触させる時やインプリント樹脂からインプリントモールド１を剥離する時に、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３Ａを、その面内において実質的に均一に湾曲させることができる。   It is preferable that the planar view shape of the hollow portion 6 is a substantially circular shape. Due to the substantially circular shape, the convexity of the imprint mold 1 is imprinted, particularly when the upper surface 3A of the convex structure 3 is brought into contact with the imprint resin or when the imprint mold 1 is peeled off from the imprint resin. The upper surface 3A of the structure portion 3 can be curved substantially uniformly in the plane.

図２に示すように、窪み部６の平面視における大きさは、窪み部６を基部２の第１の面２Ａ側に投影した投影領域ＨＡ内に、凸構造部３が包摂される程度の大きさである限り、特に制限されるものではない。当該投影領域ＨＡが凸構造部３を包摂不可能な大きさであると、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３Ａの全面を効果的に湾曲させることができないおそれがある。なお、図２において、凸構造部３の上面３Ａに形成されている微細凹凸パターン５は、図示が省略されている。   As shown in FIG. 2, the size of the depression 6 in plan view is such that the convex structure 3 is included in the projection area HA in which the depression 6 is projected on the first surface 2A side of the base 2. As long as it is a size, it is not particularly limited. If the projection area HA has a size that does not allow the convex structure portion 3 to be included, the entire upper surface 3A of the convex structure portion 3 of the imprint mold 1 may not be effectively curved. In FIG. 2, the fine concavo-convex pattern 5 formed on the upper surface 3 </ b> A of the convex structure portion 3 is not shown.

凸部４は、基部２の平面視において、凸構造部３の周囲に設けられている。凸部４の平面視形状としては、略矩形状、略円形状、ライン状等を例示することができる。凸部４の高さＴ4は、凸構造部３の高さＴ3と実質的に同一である。凸部４の高さＴ4が凸構造部３の高さＴ3と実質的に同一であることで、凸構造部３の上面３Ａに研磨処理を施す際、研磨具に凸構造部３の上面３Ａのみならず、凸部４も当接する。そのため、当該研磨処理時に、基部２、特に基部２における窪み部６の形成されている部分（他の部分よりも薄い部分）の変形を抑制することができる。その結果、凸構造部３の上面３Ａに研磨処理を施してインプリントモールド１を再生する場合に、凸構造部３の上面３Ａの平坦性を悪化させることがない。一方、凸部４の高さＴ4が、凸構造部３の高さＴ3よりも低すぎると、上記研磨具を凸構造部３の上面３Ａに当接させたときに、基部２が湾曲するようにして変形するおそれがあり、その結果、凸構造部３の上面３Ａのフラットネス（平坦性）が悪化するおそれがある。また、凸部４の高さＴ4が、凸構造部３の高さＴ3よりも高すぎると、インプリント処理時に当該凸部４が被転写基板に接触してしまうおそれがあり、また、研磨処理に際しては凸構造部３の上面３Ａに研磨具を当接させることができず、効果的に研磨することができないおそれがある。 The convex portion 4 is provided around the convex structure portion 3 in the plan view of the base portion 2. As a planar view shape of the convex part 4, a substantially rectangular shape, a substantially circular shape, a line shape, etc. can be illustrated. The height T 4 of the convex portion 4 is substantially the same as the height T 3 of the convex structure portion 3. Since the height T 4 of the convex portion 4 is substantially the same as the height T 3 of the convex structure portion 3, when the upper surface 3 A of the convex structure portion 3 is subjected to a polishing process, Not only the upper surface 3A but also the convex part 4 abuts. Therefore, at the time of the polishing process, it is possible to suppress deformation of the base 2, particularly a portion where the recess 6 is formed in the base 2 (a portion thinner than other portions). As a result, when the imprint mold 1 is regenerated by polishing the upper surface 3A of the convex structure portion 3, the flatness of the upper surface 3A of the convex structure portion 3 is not deteriorated. On the other hand, if the height T 4 of the convex portion 4 is too lower than the height T 3 of the convex structure portion 3, the base portion 2 is curved when the polishing tool is brought into contact with the upper surface 3 A of the convex structure portion 3. As a result, the flatness (flatness) of the upper surface 3A of the convex structure 3 may be deteriorated. The height T 4 of the protrusion 4 is too high than the height T 3 of the convex portions 3, there is a possibility that the protrusions 4 at the time of imprinting can come into contact to the transfer substrate, also, In the polishing process, the polishing tool cannot be brought into contact with the upper surface 3A of the convex structure portion 3, and it may not be possible to polish effectively.

なお、本実施形態において、「凸構造部３の高さＴ3」とは、基部２の第１の面２Ａを基準とした高さ、すなわち第１の面２Ａから凸構造部３の上面３Ａまでの長さ（第１の面２Ａに対する垂直方向の長さ）を意味し、「凸部４の高さＴ4」とは、基部２の第１の面２Ａを基準とした高さ、すなわち第１の面２Ａから凸部４の上端までの長さ（第１の面２Ａに対する垂直方向の長さ）を意味するものとする。そして、「凸部４の高さＴ4が凸構造部３の高さＴ3と実質的に同一である」とは、凸部４の高さＴ4が凸構造部３の高さＴ3に対して−１．０〜＋０．３％であること、好適には−０．５〜０．０％であることを意味するものとする。 In the present embodiment, the "convex height T 3 of the structure 3 ', height from the first surface 2A of the base 2, i.e. the upper surface 3A of the convex portions 3 from the first surface 2A (Height in the vertical direction with respect to the first surface 2A), and the “height T 4 of the convex portion 4 ” is a height based on the first surface 2A of the base portion 2, that is, It means the length from the first surface 2A to the upper end of the convex portion 4 (the length in the direction perpendicular to the first surface 2A). Then, the "height T 4 of the convex portion 4 is substantially the same as the height T 3 of the convex portions 3 ', the height T 3 of the height T 4 of the protrusion 4 is convex structure section 3 -1.0 to + 0.3%, preferably -0.5 to 0.0%.

本実施形態に係るインプリントモールド１は、複数の凸部４を有していてもよい。この場合、複数の凸部４は、基部２の平面視において、凸構造部３の上面３Ａを中心とする、より具体的には凸構造部３の上面３Ａの図形重心を中心とする対称性（線対称性、回転対称性等）を有する位置に設けられているのが好ましい。特にＮ回対称性（Ｎは２以上の整数である。）等の回転対称性を有する位置に設けられているのが好ましい。複数の凸部４が凸構造部３の上面３Ａ（上面３Ａの図形重心）を中心とする対称性を有する位置に設けられていることで、本実施形態に係るインプリントモールド１を再生するために凸構造部３の上面３Ａに研磨具を当接させて研磨処理を行う際に、凸構造部３の上面３Ａにかかる応力（研磨具の当接による応力）が、当該上面３Ａの面内において実質的に均一になる。その結果、凸構造部３の上面３Ａの平坦性を悪化させることなく、上記研磨処理を行うことができるという効果を奏する。   The imprint mold 1 according to the present embodiment may have a plurality of convex portions 4. In this case, the plurality of convex portions 4 are symmetrical with respect to the top surface 3 </ b> A of the convex structure portion 3 in the plan view of the base portion 2, more specifically, centered on the figure gravity center of the upper surface 3 </ b> A of the convex structure portion 3. It is preferably provided at a position having (line symmetry, rotational symmetry, etc.). In particular, it is preferably provided at a position having rotational symmetry such as N-fold symmetry (N is an integer of 2 or more). In order to regenerate the imprint mold 1 according to the present embodiment, the plurality of convex portions 4 are provided at positions having symmetry with respect to the upper surface 3A of the convex structure portion 3 (the graphic center of the upper surface 3A). When a polishing tool is brought into contact with the upper surface 3A of the convex structure portion 3 to perform the polishing process, stress applied to the upper surface 3A of the convex structure portion 3 (stress due to contact of the polishing tool) is in-plane with the upper surface 3A. Becomes substantially uniform. As a result, the above polishing process can be performed without deteriorating the flatness of the upper surface 3A of the convex structure portion 3.

上記対称性を有する位置に設けられる凸部４としては、例えば、複数のライン状の凸部４が凸構造部３の上面３Ａを中心として放射状に配置される態様（図３（Ａ）参照）、複数のライン状の凸部４が第１方向及び当該第１方向に直交する第２方向のいずれかに延伸する態様（図３（Ｂ）参照）、環状の凸部４が凸構造部３の周囲を取り囲む態様（図３（Ｃ）参照）等が挙げられるが、これらの態様に限定されるものではない。   As the convex part 4 provided in the position which has the said symmetry, the aspect with which the several linear convex part 4 is arrange | positioned radially centering on the upper surface 3A of the convex structure part 3, for example (refer FIG. 3 (A)). A mode in which the plurality of line-shaped convex portions 4 extend in either the first direction or the second direction orthogonal to the first direction (see FIG. 3B), and the annular convex portion 4 is the convex structure portion 3. Although the aspect (refer FIG.3 (C)) surrounding the circumference | surroundings, etc. are mentioned, It is not limited to these aspects.

本実施形態に係るインプリントモールド１が、ステップアンドリピート方式のインプリント処理により被転写基板の複数の領域に転写パターンを形成するために用いられるもののである場合、複数の凸部４は、当該インプリントモールド１を用いたインプリント処理によりパターン形成される被転写基板のスクライブラインに相当する位置に設けられていることが好ましい。被転写基板のスクライブラインには転写パターンが形成されないため、当該スクライブラインに相当する位置に設けられていることで、被転写基板上に形成された転写パターンに凸部４が接触するのを防止することができる。   When the imprint mold 1 according to the present embodiment is used for forming a transfer pattern in a plurality of regions of a transfer substrate by a step-and-repeat imprint process, the plurality of convex portions 4 are It is preferable to be provided at a position corresponding to a scribe line of a transfer substrate on which a pattern is formed by imprint processing using the imprint mold 1. Since a transfer pattern is not formed on the scribe line of the transfer substrate, the protrusion 4 is prevented from contacting the transfer pattern formed on the transfer substrate by being provided at a position corresponding to the scribe line. can do.

具体的には、図４（Ａ）に示すように、凸構造部３が平面視矩形形状であって、凸構造部３の上面３Ａの略全面に微細凹凸パターン５（図４（Ａ）においては図示を省略する）が形成されている場合、基部２の第１の面２Ａ側からの平面視において、第１の面２Ａ上（凸構造部３の周囲）に凸構造部３と同一外形の矩形領域３０を複数配置したときの、各矩形領域３０の辺３１が、上記被転写基板のスクライブラインに相当する位置となる。このような場合において、凸部４は、各矩形領域３０のいずれかの辺３１上（各辺３１を延伸させた線上）に位置するように設けられ得る。このような位置に凸部４が設けられていることで、インプリント処理時に被転写基板のスクライブライン上に凸部４が位置することとなり、被転写基板上に形成された転写パターンに凸部４が接触するのを防止することができる。   Specifically, as shown in FIG. 4A, the convex structure portion 3 has a rectangular shape in plan view, and a fine uneven pattern 5 (in FIG. 4A) is formed on substantially the entire upper surface 3A of the convex structure portion 3. In the plan view from the first surface 2A side of the base 2, the same outer shape as the convex structure 3 on the first surface 2A (around the convex structure 3). When a plurality of rectangular regions 30 are arranged, a side 31 of each rectangular region 30 is a position corresponding to the scribe line of the transfer substrate. In such a case, the convex part 4 can be provided so that it may be located on either side 31 (on the line which extended each side 31) of each rectangular area | region 30. FIG. By providing the convex portion 4 at such a position, the convex portion 4 is positioned on the scribe line of the transfer substrate during imprint processing, and the convex portion is formed on the transfer pattern formed on the transfer substrate. It can prevent that 4 contacts.

また、図４（Ｂ）に示すように、凸構造部３が平面視矩形形状であって、当該凸構造部３の上面３Ａが十字状の境界領域３Ｂにより複数の小領域Ｓ１〜Ｓ４に区分されて各小領域Ｓ１〜Ｓ４に微細凹凸パターン５（図４（Ｂ）においては図示を省略する）が形成されており、各小領域Ｓ１〜Ｓ４の微細凹凸パターン５が一つの製品（例えば半導体製品等）を製造するために用いられるパターンである場合、すなわち、一回のインプリント処理により、複数個（図４（Ｂ）に示す例においては４個）の製品（半導体製品等）用の転写パターンが形成される場合、基部２の第１の面２Ａ側からの平面視において、第１の面２Ａ上（凸構造部３の周囲）に凸構造部３と同一外形の矩形領域３０を複数配置したときに、各矩形領域３０の辺３１と、各矩形領域３０内における、凸構造部３の上面３Ａの十字状の境界領域３Ｂに相当する線分３２が、上記被転写基板のスクライブラインに相当する位置となる。このような場合において、凸部４は、少なくとも、上記線分３２上に位置するように設けられ得る。なお、図４（Ｂ）に示す例においては、各矩形領域３０のいずれかの辺３１上（各辺３１を延伸させた線上）に凸部４が位置していてもよい。   Further, as shown in FIG. 4B, the convex structure portion 3 has a rectangular shape in plan view, and the upper surface 3A of the convex structure portion 3 is divided into a plurality of small regions S1 to S4 by a cross-shaped boundary region 3B. Thus, the fine unevenness pattern 5 (not shown in FIG. 4B) is formed in each of the small regions S1 to S4, and the fine unevenness pattern 5 in each of the small regions S1 to S4 is one product (for example, a semiconductor Product, etc.), that is, for a plurality of products (four in the example shown in FIG. 4B) (semiconductor products, etc.) by one imprint process. When the transfer pattern is formed, a rectangular region 30 having the same outer shape as the convex structure portion 3 is formed on the first surface 2A (around the convex structure portion 3) in a plan view from the first surface 2A side of the base portion 2. When a plurality of arrangements are made, the sides 31 of each rectangular area 30 and each In the form region 30, the line segment 32 which corresponds to the cross-shaped boundary region 3B of the upper surface 3A of the convex portions 3 becomes the position corresponding to the scribe line of the transfer target substrate. In such a case, the convex part 4 can be provided at least on the line segment 32. In the example shown in FIG. 4B, the convex portion 4 may be located on any side 31 of each rectangular region 30 (on a line obtained by extending each side 31).

なお、図４（Ｂ）においては、凸構造部３の上面３Ａが４個（２×２）の小領域に区分されている例を挙げて説明したが、このような態様に限定されるものではなく、本実施形態に係るインプリントモールド１は、例えば、凸構造部３の上面３Ａが６個（３×２）の小領域に区分されているものであってもよい。   In FIG. 4B, the upper surface 3A of the convex structure portion 3 has been described with an example in which the upper surface 3A is divided into four (2 × 2) small regions. Instead, the imprint mold 1 according to the present embodiment may be one in which the upper surface 3A of the convex structure portion 3 is divided into six (3 × 2) small regions, for example.

上記凸部４は、第１の面２Ａ側からの平面視において、窪み部６を第１の面２Ａ側に投影した投影領域ＨＡの内側及び投影領域ＨＡの外側のいずれか一方、又はそれらの両方に設けられていてもよく、特に少なくとも上記凸部４の一部は、投影領域ＨＡの外側に設けられているのが好ましい。このとき、例えば、一の凸部４が投影領域ＨＡを跨ぐようにして投影領域ＨＡの内側及び外側に設けられていてもよいし、複数の凸部４が第１の面２Ａ上に設けられる場合には少なくとも投影領域ＨＡの外側に凸部４が設けられていてもよい。投影領域ＨＡの少なくとも外側に凸部４が設けられていることで、凸構造部３の上面３Ａに研磨処理を施す際に、基部２の変形を効果的に防止することができ、凸構造部３の上面３Ａのフラットネス（平坦性）を悪化させることなく当該凸構造部３の上面３Ａを研磨することができる。   The convex portion 4 is, in plan view from the first surface 2A side, one of the inside of the projection area HA and the outside of the projection area HA obtained by projecting the depression 6 on the first surface 2A side, or those It may be provided in both, and it is particularly preferable that at least a part of the convex portion 4 is provided outside the projection area HA. At this time, for example, one convex part 4 may be provided inside and outside the projection area HA so as to straddle the projection area HA, or a plurality of convex parts 4 are provided on the first surface 2A. In some cases, the convex portion 4 may be provided at least outside the projection area HA. By providing the convex part 4 at least outside the projection area HA, it is possible to effectively prevent the deformation of the base part 2 when the upper surface 3A of the convex structure part 3 is subjected to the polishing process. The upper surface 3A of the convex structure 3 can be polished without deteriorating the flatness (flatness) of the upper surface 3A.

凸部４の寸法（凸部４の形状がライン状であれば短手方向の幅、凸部４の形状がピラー状であれば直径又は対角長さ）は、特に制限されるものではなく、１０〜２００μｍ程度に設定され得る。本実施形態に係るインプリントモールド１が、ステップアンドリピート方式のインプリント処理により被転写基板の複数の領域に転写パターンを形成するために用いられるものであれば、凸部４の寸法は、当該インプリントモールド１を用いたインプリント処理によりパターン形成される被転写基板のスクライブラインよりも小さい寸法である。具体的には、スクライブラインの寸法に対して５０〜９５％程度であり、好適には８０〜９５％程度である。   The dimensions of the protrusions 4 (the width in the short direction if the shape of the protrusions 4 is a line shape, the diameter or the diagonal length if the shape of the protrusions 4 is a pillar shape) are not particularly limited. , About 10 to 200 μm. If the imprint mold 1 according to the present embodiment is used for forming a transfer pattern in a plurality of regions of a substrate to be transferred by a step-and-repeat type imprint process, the dimensions of the protrusions 4 are The dimension is smaller than the scribe line of the transfer substrate to be patterned by the imprint process using the imprint mold 1. Specifically, it is about 50 to 95% with respect to the dimension of the scribe line, and preferably about 80 to 95%.

上述した本実施形態に係るインプリントモールド１は、以下のようにして製造することができる。図５は、本実施形態に係るインプリントモールド１の製造工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。   The imprint mold 1 according to the present embodiment described above can be manufactured as follows. FIG. 5 is a process flow diagram showing the manufacturing process of the imprint mold 1 according to the present embodiment in a cut end view.

まず、第１の面２Ａにハードマスク層７が形成されてなるインプリントモールド用基板１０を準備する（図５（Ａ）参照）。   First, an imprint mold substrate 10 having a hard mask layer 7 formed on the first surface 2A is prepared (see FIG. 5A).

インプリントモールド用基板１０としては、例えば、インプリントモールドを製造する際に一般的に用いられる基板（例えば、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板；ニッケル基板、チタン基板、アルミニウム基板等の金属基板；シリコン基板、窒化ガリウム基板等の半導体基板等）を用いることができる。   As the substrate 10 for imprint mold, for example, a substrate generally used when manufacturing an imprint mold (for example, quartz glass, soda glass, fluorite, calcium fluoride substrate, magnesium fluoride substrate, acrylic glass, etc.) Glass substrates, polycarbonate substrates, polypropylene substrates, resin substrates such as polyethylene substrates, transparent substrates such as laminated substrates formed by laminating two or more substrates selected from these substrates; nickel substrates, titanium substrates, aluminum substrates Or a metal substrate such as a silicon substrate, a semiconductor substrate such as a gallium nitride substrate, or the like.

インプリントモールド用基板１０の厚さは、基板の強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。なお、本実施形態において「透明」とは、波長３００〜４５０ｎｍの光線の透過率が８５％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上である。   The thickness of the imprint mold substrate 10 can be appropriately set in the range of, for example, about 300 μm to 10 mm in consideration of the strength of the substrate, handling suitability, and the like. In the present embodiment, “transparent” means that the transmittance of light having a wavelength of 300 to 450 nm is 85% or more, and preferably 90% or more.

ハードマスク層７を構成する材料としては、例えば、クロム、チタン、タンタル、珪素、アルミニウム等の金属；窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル化合物、窒化チタン、窒化珪素、酸窒化珪素等を単独で、又は任意に選択した２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the material constituting the hard mask layer 7 include metals such as chromium, titanium, tantalum, silicon, and aluminum; chromium-based compounds such as chromium nitride, chromium oxide, and chromium oxynitride, tantalum oxide, tantalum oxynitride, and boron oxide. A tantalum compound such as tantalum tantalum or tantalum oxynitride, titanium nitride, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like can be used alone or in combination of two or more selected arbitrarily.

ハードマスク層７は、後述する工程（図５（Ｃ）参照）にてパターニングされ、それにより形成されたハードマスクパターン７１，７２は、インプリントモールド用基板１０をエッチングして凸構造部３及び凸部４を形成するときのマスクとして用いられる（図５（Ｄ）参照）。そのため、インプリントモールド用基板１０の種類に応じたエッチング選択比等を考慮して、ハードマスク層７の構成材料を選択するのが好ましい。例えば、インプリントモールド用基板１０が石英ガラスにより構成される場合、ハードマスク層７としては、金属クロム膜、酸化クロム膜、窒化クロム膜等のクロム系化合物膜等が好適に選択され得る。   The hard mask layer 7 is patterned in a process described later (see FIG. 5C), and the hard mask patterns 71 and 72 formed thereby are formed by etching the imprint mold substrate 10 and the convex structures 3 and It is used as a mask when forming the convex portion 4 (see FIG. 5D). Therefore, it is preferable to select the constituent material of the hard mask layer 7 in consideration of the etching selection ratio according to the type of the substrate 10 for imprint mold. For example, when the imprint mold substrate 10 is made of quartz glass, a chromium-based compound film such as a metal chromium film, a chromium oxide film, or a chromium nitride film can be suitably selected as the hard mask layer 7.

ハードマスク層７の厚さは、インプリントモールド用基板１０の種類に応じたエッチング選択比等を考慮して適宜設定される。例えば、インプリントモールド用基板１０が石英ガラスにより構成され、ハードマスク層７が金属クロム膜である場合、ハードマスク層７の厚さは、１０ｎｍ〜１μｍ程度である。   The thickness of the hard mask layer 7 is appropriately set in consideration of the etching selectivity according to the type of the imprint mold substrate 10. For example, when the imprint mold substrate 10 is made of quartz glass and the hard mask layer 7 is a metal chromium film, the thickness of the hard mask layer 7 is about 10 nm to 1 μm.

次に、ハードマスク層７上に、凸構造部３に相当するレジストパターン８１及び凸部４に相当するレジストパターン８２を、フォトリソグラフィー法等により形成する（図５（Ｂ））。   Next, a resist pattern 81 corresponding to the convex structure portion 3 and a resist pattern 82 corresponding to the convex portion 4 are formed on the hard mask layer 7 by a photolithography method or the like (FIG. 5B).

レジストパターン８１，８２を構成するレジスト材料としては、特に制限されることなく、フォトリソグラフィー法等により一般的に用いられるエネルギー線感応型レジスト材料等を用いることができる。   The resist material constituting the resist patterns 81 and 82 is not particularly limited, and an energy beam sensitive resist material or the like generally used by a photolithography method or the like can be used.

続いて、レジストパターン８１，８２をマスクとして用い、ハードマスク層７をエッチングしてハードマスクパターン７１，７２を形成する（図５（Ｃ））。そして、ハードマスクパターン７１，７２をマスクとして用い、インプリントモールド用基板１０をエッチングして凸構造部３及び凸部４を形成し、残存するハードマスクパターン７１，７２及びレジストパターン８１，８２を除去する（図５（Ｄ））。   Subsequently, using the resist patterns 81 and 82 as a mask, the hard mask layer 7 is etched to form hard mask patterns 71 and 72 (FIG. 5C). Then, using the hard mask patterns 71 and 72 as a mask, the imprint mold substrate 10 is etched to form the convex structure portion 3 and the convex portion 4, and the remaining hard mask patterns 71 and 72 and the resist patterns 81 and 82 are formed. It is removed (FIG. 5D).

最後に、インプリントモールド用基板１０の第２の面２Ｂ側に窪み部６を形成し、その後、所望により、第１の面２Ａ、凸構造部３の上面３Ａ及び凸部４の上にハードマスク層７０を形成する（図５（Ｅ））。窪み部６は、当該窪み部６に対応する開口部を有するレジスト膜をインプリントモールド用基板１０の第２の面２Ｂ側に形成して当該レジスト膜をマスクとするエッチング処理により形成されてもよいし、所定の掘削工具等を用いた掘削処理により形成されてもよい。これにより、第１の面２Ａ側から突出する凸構造部３及び凸部４を有し、第２の面２Ｂ側に窪み部６が形成されているインプリントモールド用ブランクス１１を作製することができる。   Finally, a recess 6 is formed on the second surface 2B side of the substrate 10 for imprint molding, and then, if desired, the first surface 2A, the upper surface 3A of the convex structure portion 3 and the hard surface on the convex portion 4 are hardened. A mask layer 70 is formed (FIG. 5E). The recess 6 may be formed by an etching process using the resist film as a mask by forming a resist film having an opening corresponding to the recess 6 on the second surface 2B side of the imprint mold substrate 10. Alternatively, it may be formed by excavation processing using a predetermined excavation tool or the like. Thus, the imprint mold blanks 11 having the convex structure portion 3 and the convex portion 4 protruding from the first surface 2A side and having the recess portion 6 formed on the second surface 2B side can be produced. it can.

このように、凸構造部３及び凸部４を同一工程で形成することで、凸構造部３の高さＴ3と凸部４の高さＴ4とを実質的に同一にすることができる。また、本実施形態に係るインプリントモールド１が、ステップアンドリピート方式のインプリント処理により被転写基板の複数の領域に転写パターンを形成するために用いられるものである場合、凸部４は、当該被転写基板のスクライブラインに相当する位置に設けられる必要があるため、当該凸部４には高い位置精度が要求される。この点、凸構造部３と凸部４とを同一工程で形成することで、凸部４の位置ずれが生じ難くなり、高い位置精度で凸部４を形成することができるという効果も奏する。 Thus, by forming the convex portions 3 and the projections 4 in the same step, the convex portions 3 of the height T 3 and the convex portion 4 and the height T 4 can be substantially the same . Further, when the imprint mold 1 according to the present embodiment is used for forming a transfer pattern in a plurality of regions of a transfer substrate by a step-and-repeat type imprint process, Since it is necessary to be provided at a position corresponding to the scribe line of the transfer substrate, the convex portion 4 is required to have high positional accuracy. In this regard, by forming the convex structure portion 3 and the convex portion 4 in the same process, the positional deviation of the convex portion 4 is less likely to occur, and the convex portion 4 can be formed with high positional accuracy.

上記のようにして作製されたインプリントモールド用ブランクス１１の凸構造部３の上面３Ａに、従来公知の方法により微細凹凸パターン５を形成することで、本実施形態に係るインプリントモールド１を製造することができる（図５（Ｆ））。   The imprint mold 1 according to the present embodiment is manufactured by forming the fine concavo-convex pattern 5 on the upper surface 3A of the convex structure portion 3 of the imprint mold blanks 11 produced as described above by a conventionally known method. (FIG. 5F).

上述したように、本実施形態に係るインプリントモールド１によれば、凸構造部３の高さＴ3と実質的に同一の高さＴ4の凸部４を有するため、凸構造部３の上面３Ａに研磨処理を施す際、研磨具に凸構造部３の上面３Ａのみならず、凸部４も当接する。そのため、当該研磨処理時に、基部２、特に基部２における窪み部６の形成されている部分（他の部分よりも薄い部分）の変形を抑制することができる。その結果、使用済みのインプリントモールド１を再生するために凸構造部３の上面３Ａに研磨処理を施すときに、凸構造部３の上面３Ａのフラットネス（平坦性）を悪化させることなく研磨することができる。 As described above, according to the imprint mold 1 according to the present embodiment, the convex portions 3 of the height T 3 is substantially the same height T 4 for having a convex portion 4, the convex portions 3 When polishing the upper surface 3A, not only the upper surface 3A of the convex structure part 3 but also the convex part 4 abuts on the polishing tool. Therefore, at the time of the polishing process, it is possible to suppress deformation of the base 2, particularly a portion where the recess 6 is formed in the base 2 (a portion thinner than other portions). As a result, when the polishing process is performed on the upper surface 3A of the convex structure portion 3 in order to regenerate the used imprint mold 1, the polishing is performed without deteriorating the flatness (flatness) of the upper surface 3A of the convex structure portion 3. can do.

続いて、上記インプリントモールド１を再生して、新たなインプリントモールドを製造する方法について説明する。図６は、本実施形態においてインプリントモールドの凸構造部の上面を研磨する工程を概略的に示す側面図であり、図７は、本実施形態における新たなインプリントモールドを製造する方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。   Next, a method for regenerating the imprint mold 1 and manufacturing a new imprint mold will be described. FIG. 6 is a side view schematically showing a step of polishing the upper surface of the convex structure portion of the imprint mold in the present embodiment, and FIG. 7 shows each method of manufacturing a new imprint mold in the present embodiment. It is a process flow figure showing a process with a cut end view.

まず、不織布、研磨布、ウレタン等の研磨具９１が取り付けられた研磨定盤９２を準備し、当該研磨具９１に対してインプリントモールド１を押圧するようにして、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３Ａを研磨具９１に当接させる（図６参照）。このとき、研磨具９１に凸構造部３とともに凸部４も当接させるようにする。これにより、その後の研磨処理において、インプリントモールド１の基部２、特に基部２における窪み部６の形成されている部分（他の部分よりも薄い部分）の変形を抑制することができる。その結果、凸構造部３の上面３Ａのフラットネス（平坦性）を悪化させることなく研磨することができる。   First, a convex surface structure of the imprint mold 1 is prepared by preparing a polishing surface plate 92 to which a polishing tool 91 such as a nonwoven fabric, a polishing cloth, or urethane is attached, and pressing the imprint mold 1 against the polishing tool 91. The upper surface 3A of the part 3 is brought into contact with the polishing tool 91 (see FIG. 6). At this time, the convex portion 4 is brought into contact with the polishing tool 91 together with the convex structure portion 3. Thereby, in the subsequent polishing process, deformation of the base 2 of the imprint mold 1, in particular, a portion where the recess 6 is formed in the base 2 (a portion thinner than other portions) can be suppressed. As a result, polishing can be performed without deteriorating the flatness (flatness) of the upper surface 3A of the convex structure portion 3.

そして、研磨具９１に対して研磨スラリーを供給することで研磨具９１と凸構造部３の上面３Ａとの間に研磨スラリーを供給し、凸構造部３に対して相対的に研磨定盤９２（研磨具９１）を回転させて、凸構造部３の上面３Ａに研磨処理を施す（図６参照）。   Then, by supplying the polishing slurry to the polishing tool 91, the polishing slurry is supplied between the polishing tool 91 and the upper surface 3 </ b> A of the convex structure portion 3, and the polishing surface plate 92 is relative to the convex structure portion 3. (Polishing tool 91) is rotated to polish the upper surface 3A of the convex structure 3 (see FIG. 6).

研磨スラリーとしては、インプリントモールド１を構成する材質等に応じて適宜選択することができ、例えば、コロイド粒子（コロイダルシリカ等）を含む研磨スラリー等を用いることができる。   As a polishing slurry, it can select suitably according to the material etc. which comprise the imprint mold 1, For example, the polishing slurry etc. which contain colloidal particles (colloidal silica etc.) can be used.

上記研磨処理における研磨量は、研磨処理によりインプリントモールド１の微細凹凸パターン５を消失させ、凸構造部３の上面３Ａを平坦面とすることのできる程度の研磨量であれば特に制限はなく、微細凹凸パターン５の深さ以上程度であればよい。   The polishing amount in the polishing process is not particularly limited as long as the polishing process is such that the fine uneven pattern 5 of the imprint mold 1 can be eliminated by the polishing process and the upper surface 3A of the convex structure portion 3 can be made flat. As long as it is about the depth of the fine concavo-convex pattern 5 or more.

上記研磨処理は、好ましくは、相対的に粒径の大きい（平均粒径０．３〜３μｍ程度）酸化セリウムを主材とする研磨スラリーを供給して研磨する１次研磨処理と、１次研磨処理後に、相対的に粒径の小さい（平均粒径１０〜３００ｎｍ程度）コロイダルシリカを含む研磨スラリーを供給して研磨する２次研磨とを含む。なお、インプリントモールド１の微細凹凸パターン５の深さが５ｎｍ程度である場合、１次研磨処理を省略してもよい。   The above polishing treatment is preferably performed by supplying a polishing slurry mainly composed of cerium oxide having a relatively large particle size (average particle size of about 0.3 to 3 μm) and polishing. And secondary polishing in which a polishing slurry containing colloidal silica having a relatively small particle size (average particle size of about 10 to 300 nm) is supplied and polished after the treatment. In addition, when the depth of the fine concavo-convex pattern 5 of the imprint mold 1 is about 5 nm, the primary polishing process may be omitted.

このようにして、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３Ａを研磨し、微細凹凸パターン５を消失させることで、インプリントモールド用基板を製造（再生）することができる。   Thus, the imprint mold substrate can be manufactured (regenerated) by polishing the upper surface 3A of the convex structure portion 3 of the imprint mold 1 and eliminating the fine uneven pattern 5.

上述したインプリントモールド用基板の製造（再生）方法によれば、インプリントモールド１の第１の面２Ａに凸部４が設けられており、当該凸部４の高さＴ4が凸構造部３の高さＴ3と実質的に同一であるため、凸構造部３の上面３Ａを研磨する際に、研磨具９１が凸構造部３のみならず、凸部４にも当接する。その結果、インプリントモールド１の基部２の変形を抑制し、凸構造部３の上面３Ａのフラットネス（平坦性）を悪化させることなく、凸構造部３の上面３Ａを研磨することができる。よって、凸構造部３の上面３Ａのフラットネス（平坦性）が良好なインプリントモールド用基板を製造することができる。 According to the above-described method for manufacturing (reproducing) an imprint mold substrate, the convex portion 4 is provided on the first surface 2A of the imprint mold 1, and the height T 4 of the convex portion 4 is the convex structure portion. 3 is substantially the same as the height T 3 of 3. Therefore, when polishing the upper surface 3A of the convex structure portion 3, the polishing tool 91 contacts not only the convex structure portion 3 but also the convex portion 4. As a result, the deformation of the base portion 2 of the imprint mold 1 can be suppressed, and the upper surface 3A of the convex structure portion 3 can be polished without deteriorating the flatness (flatness) of the upper surface 3A of the convex structure portion 3. Therefore, an imprint mold substrate with good flatness (flatness) of the upper surface 3A of the convex structure portion 3 can be manufactured.

上記インプリントモールド用基板に所定の洗浄処理等を施した後、当該インプリントモールド用基板の第１の面２Ａ、凸構造部３の上面３Ａ及び凸部４の上にハードマスク層７３，７４，７５を形成する（図７（Ａ）参照）。そして、凸構造部３の上面３Ａ上のハードマスク層７４上にレジストパターン（図示せず）を形成し、レジストパターンをマスクとしてハードマスク層７４をエッチング（ドライエッチング）してハードマスクパターン７６を形成する（図７（Ｂ）参照）。その後、ハードマスクパターン７６をマスクとして凸構造部３の上面３Ａをエッチングして微細凹凸パターン５を形成する。これにより、新たなインプリントモールド１’を製造することができる（図７（Ｃ）参照）。   After performing a predetermined cleaning process or the like on the imprint mold substrate, the hard mask layers 73 and 74 are formed on the first surface 2A of the imprint mold substrate, the upper surface 3A of the convex structure portion 3, and the convex portion 4. , 75 (see FIG. 7A). Then, a resist pattern (not shown) is formed on the hard mask layer 74 on the upper surface 3A of the convex structure portion 3, and the hard mask layer 74 is etched (dry etching) using the resist pattern as a mask to form a hard mask pattern 76. It is formed (see FIG. 7B). Thereafter, the fine uneven pattern 5 is formed by etching the upper surface 3A of the convex structure portion 3 using the hard mask pattern 76 as a mask. As a result, a new imprint mold 1 ′ can be manufactured (see FIG. 7C).

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。   The embodiment described above is described for facilitating understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

上記実施形態において、インプリントモールド１は、基部２の第２の面２Ｂに窪み部６が形成されているものを例に挙げたが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、第２の面２Ｂに窪み部６が形成されていないものであってもよい。   In the said embodiment, although the imprint mold 1 gave the example in which the hollow part 6 was formed in the 2nd surface 2B of the base 2, the present invention is not limited to such an aspect. In addition, the recess 6 may not be formed on the second surface 2B.

以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、下記の実施例等によって何ら限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example etc. are given and this invention is demonstrated further in detail, this invention is not limited at all by the following Example etc.

〔実施例１〕
再生対象たるインプリントモールドとして、微細凹凸パターン５を有しない以外は、図１に示す構成を有するインプリントモールド１を被験試料として準備した。 [Example 1]
As an imprint mold to be reproduced, an imprint mold 1 having the configuration shown in FIG. 1 was prepared as a test sample, except that the fine uneven pattern 5 was not provided.

このインプリントモールド１の凸構造部３の上面３Ａに、下記に示す条件で研磨処理を施した。
研磨スラリー：コロイダルシリカを含む研磨スラリー
研磨装置：自転公転式研磨装置
研磨パッド：スウェード系研磨パッド
研磨量：１０００ｎｍ Polishing processing was performed on the upper surface 3A of the convex structure portion 3 of the imprint mold 1 under the following conditions.
Polishing slurry: Polishing slurry containing colloidal silica Polishing device: Rotating and revolving polishing device Polishing pad: Suede type polishing pad Polishing amount: 1000 nm

研磨処理後の凸構造部３の上面３Ａの平坦度を、非接触三次元形状測定装置（製品名：ＮＨ−４Ｎ，三鷹光器社製）を用いて測定したところ、研磨前後での平坦度の変化量（研磨処理前の凸構造部３の上面３Ａの平坦度と研磨処理後の当該平坦度との差分）は５０ｎｍであった。   The flatness of the upper surface 3A of the convex structure portion 3 after the polishing treatment was measured using a non-contact three-dimensional shape measuring device (product name: NH-4N, manufactured by Mitaka Kogyo Co., Ltd.). The amount of change (the difference between the flatness of the upper surface 3A of the convex structure 3 before the polishing treatment and the flatness after the polishing treatment) was 50 nm.

〔比較例１〕
凸部４を有しない以外は、実施例１と同様の構成を有するインプリントモールドを用意し、実施例１と同様に凸構造部３の上面３Ａに研磨処理を施した。 [Comparative Example 1]
An imprint mold having the same configuration as in Example 1 was prepared except that the convex portion 4 was not provided, and the upper surface 3A of the convex structure portion 3 was subjected to polishing treatment in the same manner as in Example 1.

研磨処理後の凸構造部３の上面３Ａの平坦度を、非接触三次元形状測定装置（製品名：ＮＨ−４Ｎ，三鷹光器社製）を用いて測定したところ、研磨処理前後での平坦度の変化量（研磨処理前の凸構造部３の上面３Ａの平坦度と研磨処理後の当該平坦度との差分）は３００ｎｍであった。   When the flatness of the upper surface 3A of the convex structure part 3 after the polishing process is measured using a non-contact three-dimensional shape measuring device (product name: NH-4N, manufactured by Mitaka Kogyo Co., Ltd.), the flatness before and after the polishing process is measured. The amount of change in the degree (the difference between the flatness of the upper surface 3A of the convex structure part 3 before the polishing process and the flatness after the polishing process) was 300 nm.

比較例１の研磨処理後の凸構造部３の上面３Ａの平坦度は、実施例１の研磨処理後の凸構造部３の上面３Ａの平坦度よりも劣化していた。特に、比較例１においては、凸構造部３の外周縁の角部が丸くなるように研磨されていた。この比較例１の凸構造部３の上面３Ａの平坦度が劣化したのは、比較例１のインプリントモールドが凸部４を有していないことにより、凸構造部３を研磨具に押圧したときに基部２が変形し、その状態で研磨されたことが原因であると考えられる。このように、インプリントモールド１の凸構造部３と実質的に同一の高さの凸部４が当該凸構造部３の周囲に設けられていることで、当該インプリントモールド１の凸構造部３のフラットネス（平坦性）を維持しつつ、微細凹凸パターン５を研磨処理により消失させ、インプリントモールド用基板として再生可能であると考えられる。   The flatness of the upper surface 3A of the convex structure part 3 after the polishing process of Comparative Example 1 was deteriorated more than the flatness of the upper surface 3A of the convex structure part 3 after the polishing process of Example 1. In particular, in the comparative example 1, it was grind | polished so that the corner | angular part of the outer periphery of the convex structure part 3 might become round. The flatness of the upper surface 3A of the convex structure part 3 of Comparative Example 1 was deteriorated because the imprint mold of Comparative Example 1 did not have the convex part 4, and the convex structure part 3 was pressed against the polishing tool. It is considered that the cause is that the base 2 is sometimes deformed and polished in that state. Thus, the convex structure part of the imprint mold 1 is provided by providing the convex part 4 having substantially the same height as the convex structure part 3 of the imprint mold 1 around the convex structure part 3. It is considered that the fine concavo-convex pattern 5 is lost by polishing treatment while maintaining the flatness (flatness) of 3, and can be regenerated as an imprint mold substrate.

本発明は、半導体基板等に微細凹凸パターンを形成するためにインプリントモールドを用いてナノインプリント工程を実施するような微細加工技術分野において有用である。   The present invention is useful in the field of microfabrication technology in which a nanoimprint process is performed using an imprint mold in order to form a fine uneven pattern on a semiconductor substrate or the like.

１，１’…インプリントモールド
２…基部
２Ａ…第１の面
２Ｂ…第２の面
３…凸構造部
４…凸部
５…微細凹凸パターン
６…窪み部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1 '... Imprint mold 2 ... Base 2A ... 1st surface 2B ... 2nd surface 3 ... Convex structure part 4 ... Convex part 5 ... Fine uneven | corrugated pattern 6 ... Indentation part

Claims (8)

第１の面及び当該第１の面に対向する第２の面を有する基部と、
前記第１の面から突出する凸構造部及び凸部と、
前記凸構造部の上面に形成されている微細凹凸パターンと
を備え、
前記凸部は、前記第１の面側からの平面視において前記凸構造部の周囲に位置しており、
前記凸部の高さは、前記凸構造部の高さと実質的に同一であることを特徴とするインプリントモールド。 A base having a first surface and a second surface opposite the first surface;
A convex structure portion and a convex portion protruding from the first surface;
A fine concavo-convex pattern formed on the upper surface of the convex structure portion,
The convex portion is located around the convex structure portion in a plan view from the first surface side,
The height of the said convex part is substantially the same as the height of the said convex structure part, The imprint mold characterized by the above-mentioned. 前記凸部は、前記第１の面上に複数設けられており、
前記各凸部は、前記第１の面側からの平面視において、前記凸構造部を中心とした対称性を有する位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド。 A plurality of the convex portions are provided on the first surface,
2. The imprint mold according to claim 1, wherein each of the convex portions is provided at a position having symmetry with respect to the convex structure portion in a plan view from the first surface side. . 前記凸構造部は、平面視略矩形状であり、
前記第１の面上における前記凸構造部の周囲の領域に、前記凸構造部と同一形状の矩形領域を複数並列配置したときに、前記凸部は、前記矩形領域のいずれかの辺上に位置することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントモールド。 The convex structure portion has a substantially rectangular shape in plan view,
When a plurality of rectangular regions having the same shape as the convex structure portion are arranged in parallel in the region around the convex structure portion on the first surface, the convex portion is on any side of the rectangular region. The imprint mold according to claim 1, wherein the imprint mold is located. 前記凸構造部は、平面視略矩形状であり、
前記凸構造部の上面は、複数の小領域と隣接する小領域間に位置する境界領域とを含み、
前記微細凹凸パターンは、前記複数の小領域のそれぞれに形成されており、
前記第１の面上における前記凸構造部の周囲の領域に、前記凸構造部と同一形状の矩形領域を複数並列配置したときに、前記凸部は、前記矩形領域内における前記境界領域に相当する領域に位置することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のインプリントモールド。 The convex structure portion has a substantially rectangular shape in plan view,
The upper surface of the convex structure portion includes a plurality of small regions and a boundary region located between adjacent small regions,
The fine concavo-convex pattern is formed in each of the plurality of small regions,
When a plurality of rectangular regions having the same shape as the convex structure portion are arranged in parallel in the region around the convex structure portion on the first surface, the convex portion corresponds to the boundary region in the rectangular region. The imprint mold according to claim 1, wherein the imprint mold is located in a region where the imprint is performed. 前記基部の前記第２の面には、窪み部が形成されており、
前記窪み部は、前記基部の平面視において当該窪み部を前記第１の面側に投影した投影領域が前記凸構造部を包摂するように、前記第２の面に形成されており、
前記凸部は、少なくとも、前記第１の面側に前記窪み部を投影した前記投影領域よりも外側に設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインプリントモールド。 A recess is formed on the second surface of the base,
The recess is formed on the second surface such that a projection region obtained by projecting the recess on the first surface side in the plan view of the base includes the convex structure.
The imprint mold according to any one of claims 1 to 4, wherein the convex portion is provided at least on the outer side of the projection region in which the hollow portion is projected on the first surface side. . 請求項１〜５のいずれかに記載のインプリントモールドの前記凸構造部の上面を研磨する研磨工程を有し、
前記研磨工程において、定盤に取り付けられた研磨具を前記凸構造部の上面及び前記凸部に当接させた状態で、当該研磨具に研磨剤を供給しながら前記定盤を前記インプリントモールドに対して相対的に回転させることにより、前記凸構造部の上面を研磨することを特徴とするインプリントモールド用基板の製造方法。 A polishing step of polishing the upper surface of the convex structure part of the imprint mold according to any one of claims 1 to 5,
In the polishing step, with the polishing tool attached to the surface plate in contact with the upper surface of the convex structure portion and the convex portion, the surface plate is moved to the imprint mold while supplying an abrasive to the polishing tool. A method for manufacturing an imprint mold substrate, wherein the upper surface of the convex structure portion is polished by rotating it relative to the substrate. 請求項６に記載のインプリントモールド用基板の製造方法により製造された前記インプリントモールド用基板の前記凸構造部の上面に微細凹凸パターンを形成するパターン形成工程を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。   It has a pattern formation process which forms a fine unevenness | corrugation pattern on the upper surface of the said convex structure part of the said substrate for imprint molds manufactured by the manufacturing method of the substrate for imprint molds of Claim 6. Mold manufacturing method. 第１の面及び当該第１の面に対向する第２の面を有する基部と、
前記第１の面から突出する凸構造部及び凸部と
を備え、
前記凸部は、前記第１の面側からの平面視において前記凸構造部の周囲に位置しており、
前記凸部の高さは、前記凸構造部の高さと実質的に同一であり、
前記基部の前記第２の面には、窪み部が形成されており、
前記窪み部は、前記基部の平面視において当該窪み部を前記第１の面側に投影した投影領域が前記凸構造部を包摂するように、前記第２の面に形成されており、
前記凸部は、少なくとも、前記第１の面側に前記窪み部を投影した前記投影領域よりも外側に設けられていることを特徴とするインプリントモールド用ブランクス。 A base having a first surface and a second surface opposite the first surface;
A convex structure portion and a convex portion protruding from the first surface;
The convex portion is located around the convex structure portion in a plan view from the first surface side,
The height of the convex portion is substantially the same as the height of the convex structure portion,
A recess is formed on the second surface of the base,
The recess is formed on the second surface such that a projection region obtained by projecting the recess on the first surface side in the plan view of the base includes the convex structure.
The imprint mold blank is characterized in that the convex portion is provided at least on the outer side of the projection region where the hollow portion is projected on the first surface side.
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