JP2015203643A - 粒径測定方法、粒径測定装置および粒径測定プログラム - Google Patents
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Abstract
Description
(1)材料における所定領域の結晶組織が撮影された処理対象画像、および前記結晶組織中の結晶粒の輪郭領域を顕在化させるための参照画像を用意する画像準備ステップと、前記処理対象画像の下に前記参照画像を重ね合わせる画像積層ステップと、前記処理対象画像を構成する各画素の画素値に対して、所定の画素値を閾値として二値化処理を施す二値化処理ステップと、前記処理対象画像において、下限が前記二値化処理の閾値よりも高い所定の画素値範囲に対応する領域を透明化する透明化処理ステップと、前記処理対象画像と前記参照画像との重ね合わせにより顕在化された、前記結晶組織に含まれる結晶粒の白色の輪郭領域を黒色化するように前記閾値を調整しながら二値化処理を行う閾値調整ステップと、切断法により前記結晶組織に含まれる結晶粒の平均粒径を測定する粒径測定ステップとを備えることを特徴とする粒径測定方法。
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。図1は、本発明による粒径測定方法のフローチャートを示す図である。まず、ステップS1において、材料における所定領域の結晶組織が撮影された処理対象画像、および結晶組織中の結晶粒の輪郭領域を顕在化させるための参照画像を用意する。
次に、本発明による粒径測定装置について説明する。図7は、本発明による粒径測定装置のブロック図を示している。この図に示す粒径測定装置1は、画像導入部11と、二値化処理部12と、透明化処理部13と、閾値調整部14と、粒径測定部15とを備える。以下、各構成について説明する。
さらに、本発明の一態様として、上述した粒径測定装置1を、各装置として機能するコンピュータとして構成させることができる。コンピュータに、前述した各構成要素を実現させるためのプログラムは、各コンピュータの内部または外部に備えられる記憶部に記憶される。そのような記憶部は、外付けハードディスクなどの外部記憶装置、あるいはROMまたはRAMなどの内部記憶装置で実現することができる。各コンピュータに備えられる制御部は、中央演算処理装置(CPU)などの制御で実現することができる。即ち、CPUが、各構成要素の機能を実現するための処理内容が記述されたプログラムを、適宜、記憶部から読み込んで、各構成要素の機能をコンピュータ上で実現させることができる。ここで、各構成要素の機能をハードウェアの全部又は一部で実現してもよい。
本発明による粒径測定方法(発明例)、手作業(従来例1)および単純な二値化処理および切断方法を用いた方法(従来例2)の3種類の方法により、純鉄圧粉磁芯の結晶粒の平均粒径の測定を行った。測定に供した処理対象画像は、図8に示す、視野が異なる画像1〜3の3枚の画像であり、純鉄圧粉磁芯サンプルの観察面を耐水ペーパーで研磨した後、ダイヤモンドバフで鏡面仕上げした後に、3体積%ナイタール液を用いて結晶粒界を現出させた組織を、光学顕微鏡により撮影した画像である。画像1〜3は、いずれも256階調のグレースケール画像である。以下、発明例、従来例1および従来例2の各々について、測定方法を具体的に説明する。
図1に示したフローチャートに従って、図8に示した画像1〜3に含まれる結晶粒の平均粒径を測定した。すなわち、まず、処理対象画像としての画像1〜3のそれぞれについて複製画像を作成して参照画像とし、画像1〜3のそれぞれの下に重ね合わせた。次いで、処理対象画像を構成する各画素の画素値に対して、128を閾値として二値化処理をした後、画像1〜3のそれぞれにおいて、165〜197の画素値範囲に対応する領域を透明化し、続いて処理対象画像と参照画像との重ね合わせにより顕在化された、結晶組織に含まれる白色の結晶粒の輪郭領域を黒色化するように閾値を調整しながら二値化処理を行った、最後に、切断法により結晶組織に含まれる結晶粒の平均粒径を測定した。その際、具体的な測定条件は、以下のとおりである。すなわち、画像に対して垂直な測定線を5本、水平な測定線を5本等間隔に配置し、測定線が横切った黒色化領域の数で測定線の全長を割った値を各線で求め、平均値を算出し、この値を平均粒径とした。
手作業により、図8に示した画像1〜3に含まれる結晶粒の平均粒径を測定した。すなわち、画像に対して垂直な測定線を5本、水平な測定線を5本等間隔に配置し、測定線が横切った粒界の数で測定線の全長を割った値を各線で求め、平均値を算出し、この値を平均粒径とした。
単純な二値化処理および切断方法を用いた方法により、図8に示した画像1〜3に含まれる結晶粒の平均粒径を測定した。すなわち、画像に対して垂直な測定線を5本、水平な測定線を5本等間隔に配置し、測定線が横切った黒色化領域の数で測定線の全長を割った値を各線で求め、平均値を算出し、この値を平均粒径とした。
測定結果を表1に示す。表から明らかなように、発明例は、従来例1および従来例2に比べて測定者による測定結果のばらつきが低減しており、全ての視野で個人差1μm未満となっている。また、従来例1と発明例の測定結果を各視野で比較すると、その差は全ての視野で1μm未満となっていることから、従来例1と同等の測定結果が得られることが分かる。以上より、本発明による粒径測定方法は、手作業による従来例1と同等の測定結果を測定者による測定結果のばらつきを低減しつつ測定できることが分かる。
11 画像導入部
12 二値化処理部
13 透明化処理部
14 閾値調整部
15 粒径測定部
S1 画像導入ステップ
S2 画像積層ステップ
S3 二値化処理ステップ
S4 透明化処理ステップ
S5 閾値調整ステップ
S6 粒径測定ステップ
Claims (8)
- 材料における所定領域の結晶組織が撮影された処理対象画像、および前記結晶組織中の結晶粒の輪郭領域を顕在化させるための参照画像を用意する画像準備ステップと、
前記処理対象画像の下に前記参照画像を重ね合わせる画像積層ステップと、
前記処理対象画像を構成する各画素の画素値に対して、所定の画素値を閾値として二値化処理を施す二値化処理ステップと、
前記処理対象画像において、下限が前記二値化処理の閾値よりも高い所定の画素値範囲に対応する領域を透明化する透明化処理ステップと、
前記処理対象画像と前記参照画像との重ね合わせにより顕在化された、前記結晶組織に含まれる結晶粒の白色の輪郭領域を黒色化するように前記閾値を調整しながら二値化処理を行う閾値調整ステップと、
切断法により前記結晶組織に含まれる結晶粒の平均粒径を測定する粒径測定ステップと、
を備えることを特徴とする粒径測定方法。 - 前記参照画像は前記処理対象画像の複製画像である、請求項1に記載された方法。
- 前記二値化処理に用いる閾値は、前記処理対象画像の階調値の半分の値である、請求項1または2に記載された方法。
- 透明化処理が施された前記処理対象画像と前記参照画像との重複により前記結晶組織中の結晶の輪郭領域が顕在化しない場合には、前記閾値の低減、前記画素値範囲の拡大、あるいは前記画素値範囲の画素値の小さい方向へのシフトを行った後に、前記二値化処理ステップ、前記透明化処理ステップ、前記閾値調整ステップおよび前記粒径測定ステップを再度行う、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 材料における所定領域の結晶組織が撮影された処理対象画像、および前記結晶組織中の結晶粒の輪郭領域を顕在化させるための参照画像を取り込み、前記処理対象画像の下に前記参照画像を重ね合わせる画像導入部と、
前記処理対象画像を構成する各画素の画素値に対して、所定の画素値を閾値として二値化処理を施す二値化処理部と、
前記処理対象画像において、下限が前記二値化処理の閾値より高い所定の画素値範囲に対応する領域を透明化する透明化処理部と、
前記処理対象画像と前記参照画像との重ね合わせにより顕在化された、前記結晶組織に含まれる結晶粒の白色の輪郭領域を黒色化するように前記閾値を調整しながら二値化処理を行う閾値調整部と、
切断法により前記結晶組織に含まれる結晶粒の平均粒径を測定する粒径測定部と、
を備えることを特徴とする粒径測定装置。 - 前記参照画像は前記処理対象画像の複製画像である、請求項5に記載された装置。
- 前記二値化処理に用いる閾値は、前記処理対象画像の階調値の半分の値である、請求項5または6に記載された装置。
- コンピュータを、請求項5〜7のいずれか1項に記載された粒径測定装置として機能させるためのプログラム。
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