JP2015201592A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】各ダイパッド間をつなぐ、ダイパッド間吊り部を設けることによって、ワイヤボンディング時にクランプ性を向上させ、良好なワイヤボンディング接合ができる面実装型半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、隣り合って配置された少なくとも2つのダイパッドと、端子と、ダイパッド間吊り部とを有するリードフレームを用意する工程と、隣り合って配置されたダイパッド間がダイパッド間吊り部によって相互に連結された状態で、半導体チップを搭載し、半導体チップと端子とをワイヤで接続するワイヤボンディング工程と、ワイヤボンディング工程の後に、ダイパッド間吊り部を切断して、隣り合って配置されたダイパッドを相互に分離する工程と、相互に分離された少なくとも2つのダイパッドを含むように、端子の少なくとも一部と半導体チップとを単一の樹脂封止体で被覆する樹脂モールド工程とを含むことを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の半導体装置は、隣り合って配置された少なくとも2つのダイパッドと、端子と、ダイパッド間吊り部とを有するリードフレームを用意する工程と、隣り合って配置されたダイパッド間がダイパッド間吊り部によって相互に連結された状態で、半導体チップを搭載し、半導体チップと端子とをワイヤで接続するワイヤボンディング工程と、ワイヤボンディング工程の後に、ダイパッド間吊り部を切断して、隣り合って配置されたダイパッドを相互に分離する工程と、相互に分離された少なくとも2つのダイパッドを含むように、端子の少なくとも一部と半導体チップとを単一の樹脂封止体で被覆する樹脂モールド工程とを含むことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に回路基板等に面実装される半導体装置およびその製造方法に関する。
ダイパッド上に搭載された半導体チップと、半導体チップを封止する樹脂封止体と、を備えた半導体装置において、半導体チップを搭載する複数のダイパッドを備え、裏面を樹脂封止体の外部に露出させた半導体装置が従来技術として知られている(例えば、特許文献1参照)。これにより、保証温度が相互に異なる半導体チップを複数搭載した面実装型半導体装置とすることができる。
従来技術によれば、複数のダイパッドに複数の半導体チップを搭載することが可能である。しかしながら、各ダイパッドが独立している場合、ワイヤボンディング時に、各ダイパッドを個々にクランプすることが難しい。特に、半導体装置の低背化のために、ダイパッドを含むリードフレームの厚さを薄くすると、リードフレームが変形しやすくなり、ワイヤの接合状態が安定しないという課題がある。
従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、各ダイパッド間をつなぐ、ダイパッド間吊り部を設けることによって、ワイヤボンディング時にクランプ性を向上させ、良好なワイヤボンディング接合ができる面実装型半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
上述の課題を解決するために、本発明は以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体装置100の製造方法は、隣り合って配置された少なくとも2つのダイパッド21と、前記ダイパッド21に隣接して配置された端子22と、前記隣り合って配置されたダイパッド21間を相互に連結するダイパッド間吊り部24とを有するリードフレーム2を用意する工程と、隣り合って配置された前記ダイパッド21間が前記ダイパッド間吊り部24によって相互に連結された状態で、前記ダイパッド21の上面に半導体チップ1を搭載し、前記半導体チップ1と前記端子22とをワイヤ3で接続するワイヤボンディング工程と、前記ワイヤボンディング工程の後に、前記ダイパッド間吊り部24を切断して、隣り合って配置された前記ダイパッド21を相互に分離する工程と、相互に分離された少なくとも2つの前記ダイパッド21を含むように、前記端子22の少なくとも一部と前記半導体チップ1とを単一の樹脂封止体で被覆する樹脂モールド工程とを含むことを特徴とする。
本発明の半導体装置100は、前記ダイパッド21と、前記端子22と、を有するリードフレーム2と、前記ダイパッド21の上面に搭載される前記半導体チップ1と、前記半導体チップ1と、前記ダイパッド21および前記端子22の上面を被覆する前記樹脂封止体4と、を備え、前記ダイパッド21の下面が前記樹脂封止体4の下面と同じ平面に配置され、前記樹脂封止体4の下面に露出する半導体装置100において、前記リードフレーム2の厚さは0.3mm以下であり、複数の前記半導体チップ1を複数の前記ダイパッド21の上面に搭載し、向かい合う前記ダイパッド21の側面には、前記突起部25が、前記吊り部23の延長線上に形成されていることを特徴とする。
本発明は、以上のように構成されているので、ワイヤボンディング時にクランプ性を向上させ、良好なワイヤボンディング接合ができる面実装型半導体装置とその製造方法を提供することができる。
以下、本発明を実施するための形態について、図を参照して詳細に説明する。なお以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための例示であって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の実施の形態は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための例示であって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の実施の形態は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。
以下、図面を参照して本発明の実施例1に係る半導体装置100を説明する。図1は、本発明の実施例に係る半導体装置100の平面透視図である。図2は、その断面側面図である。図3は、リードフレームの上面図である。
図1に示すように、半導体装置100は、半導体チップ1と、ダイパッド21、端子22と、ワイヤ3と、樹脂封止体4とで構成されている。
半導体チップ1は、上面に電極(図示せず)を有している。半導体チップ1は、トランジスタであり、例えば高温動作可能な化合物半導体素子の炭化珪素(SiC)である。
図3に示すように、リードフレーム2は、ダイパッド21と、端子22と、吊り部23と、ダイパッド間吊り部24を有している。また、リードフレーム2は、熱伝導率の高い銅又は銅合金で構成され、例えばその厚さは0.2mm程度である。
ダイパッド21は、上面に接合材(図示ぜす)を介して半導体チップ1が搭載される。さらに、ダイパッド21の下面は樹脂封止体4の下面と同じ平面に配置され、樹脂封止体4の下面に露出しており、半導体装置100を回路基板上に面実装する際に、半導体装置100と回路基板との間の電気的接続や放熱接続として用いられる。
また、向かい合うダイパッド21の側面には、突起部25が形成されている。突起部25は、吊り部23の延長線上に配置される。
また、向かい合うダイパッド21の側面には、突起部25が形成されている。突起部25は、吊り部23の延長線上に配置される。
端子22は、半導体チップ1から配線されたワイヤ3の一端が接続される内部端子であり、樹脂封止体4の外部へ導出し、半導体装置100の外部端子となる。
ワイヤ3は、銅または銅合金からなる細線で、半導体チップ1の電極とリードフレーム2の端子22の上面(ボンディング面)に接続される。例えば細線の直径は28ミクロンの銅線である。材質は金または金合金、あるいはアルミニウムまたはアルミニウム合金でも可能である。
樹脂封止体4は、リードフレーム2のダイパッド21の上面、端子22の上面、半導体チップ1、ワイヤ3を覆い、半導体装置100の外形形状を構成する。例えば半導体チップ1の動作温度に対する充分な耐熱性や絶縁性をもつ樹脂材料であるエポキシ樹脂をトランスファーモールド金型により成形される。
次に、半導体装置100の製造方法について説明する。
まず、リードフレーム2に、ダイパッド21と、端子22と、吊り部23と、ダイパッド間吊り部24と、を形成する。
吊り部23はリードフレーム2の枠体に固定し接続される部分である。
また、ダイパッド間吊り部24は、吊り部23の延長線上に配置され、各ダイパッド間を繋いでいる。吊り部23と、ダイパッド間吊り部24と、が延長線上に配置されることによって、ワイヤボンディングの際の変形に強くなる。
吊り部23はリードフレーム2の枠体に固定し接続される部分である。
また、ダイパッド間吊り部24は、吊り部23の延長線上に配置され、各ダイパッド間を繋いでいる。吊り部23と、ダイパッド間吊り部24と、が延長線上に配置されることによって、ワイヤボンディングの際の変形に強くなる。
次に、リードフレーム2のダイパッド3の上面に接合材であるはんだ(図示せず)等を介して、半導体チップ1を搭載し固着する。
次に、ワイヤボンディング工程では、ワイヤボンディング装置を用いて、半導体チップ1の電極(図示せず)の上面とリードフレーム2の端子22の上面間をワイヤ3で電気的機械的に配線接続する。
次に、ワイヤボンディング工程にて、ワイヤ3で配線した後、突起部25を形成するように、ダイパッド間吊り部24を切断して除去する。
次に、封止工程では、モールド金型を用いて、モールド樹脂でリードフレーム2のダイパッド21の上面、端子22の上面、半導体チップ1、ワイヤ3を覆い、樹脂封止し、樹脂封止体4を成形する。
以上により、半導体装置100が完成する。
次に、上述の実施例1に係る半導体装置100および、その製造方法の効果を説明する。
本発明の実施例1に係る半導体装置100は、隣り合って配置された少なくとも2つのダイパッド21と、前記ダイパッド21に隣接して配置された端子22と、前記隣り合って配置されたダイパッド21間を相互に連結するダイパッド間吊り部24とを有するリードフレーム2を用意する工程と、隣り合って配置された前記ダイパッド21間が前記ダイパッド間吊り部24によって相互に連結された状態で、前記ダイパッド21の上面に半導体チップ1を搭載し、前記半導体チップ1と前記端子22とをワイヤ3で接続するワイヤボンディング工程と、前記ワイヤボンディング工程の後に、前記ダイパッド間吊り部24を切断して、隣り合って配置された前記ダイパッド21を相互に分離する工程と、相互に分離された少なくとも2つの前記ダイパッド21を含むように、前記端子22の少なくとも一部と前記半導体チップ1とを単一の樹脂封止体で被覆する樹脂モールド工程とを含むことを特徴とする。
これにより、ワイヤボンディング時にクランプ性を向上させ、良好なワイヤボンディング接合ができる。
これにより、ワイヤボンディング時にクランプ性を向上させ、良好なワイヤボンディング接合ができる。
上述のように、本発明を実施するための形態を記載したが、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例が可能であることが明らかになるはずである。
また、図2に示すように、ダイパッド21の周囲に段差を付けることができる。段差は端子の板厚の半分以下、例えば0.1mmとするとよい。これにより、ダイパッド21の上面の実装面積を確保し、ダイパッド21の裏面間の絶縁距離も確保することができる。また、面実装時のはんだブリッジを防止し、ダイパッド21と樹脂封止体4からダイパッド21が剥がれることを防止し、水分が浸入を抑制する効果がある。
また、モールド樹脂をエポキシ樹脂としたが、ブロム(Br)非含有のハロゲンフリー樹脂としてもよい。これにより、環境性能を向上することができる。
また、リードフレーム2を銅又は銅合金としたが、アルミニウム又はアルミニウム合金であってもよい。これにより、材料費を低減することができる。ただし、その表面には、接合材料やワイヤが接合可能なように、各種めっき処理が施されていることが好ましい。
また、半導体チップ1をSiCで構成されたものとしたが、例えば窒化ガリウム(GaN)、シリコン(Si)等で構成することもできる。これにより、上述の構成や効果が変わることはない。
また、上述の例では、単一の半導体チップとしたが、リードフレームの上に複数の半導体チップが搭載される場合、SiCとGaN等との組み合わせでもよい。
1、半導体チップ
2、リードフレーム
21、ダイパッド
22、端子
23、吊り部
24、ダイパッド間吊り部
25、突起部
3、ワイヤ
4、樹脂封止体
100、半導体装置
2、リードフレーム
21、ダイパッド
22、端子
23、吊り部
24、ダイパッド間吊り部
25、突起部
3、ワイヤ
4、樹脂封止体
100、半導体装置
Claims (2)
- 隣り合って配置された少なくとも2つのダイパッド21と、前記ダイパッド21に隣接して配置された端子22と、前記隣り合って配置されたダイパッド21間を相互に連結するダイパッド間吊り部24とを有するリードフレーム2を用意する工程と、隣り合って配置された前記ダイパッド21間が前記ダイパッド間吊り部24によって相互に連結された状態で、前記ダイパッド21の上面に半導体チップ1を搭載し、前記半導体チップ1と前記端子22とをワイヤ3で接続するワイヤボンディング工程と、前記ワイヤボンディング工程の後に、前記ダイパッド間吊り部24を切断して、隣り合って配置された前記ダイパッド21を相互に分離する工程と、相互に分離された少なくとも2つの前記ダイパッド21を含むように、前記端子22の少なくとも一部と前記半導体チップ1とを単一の樹脂封止体で被覆する樹脂モールド工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記ダイパッド21と、前記端子22と、を有するリードフレーム2と、前記ダイパッド21の上面に搭載される前記半導体チップ1と、前記半導体チップ1と、前記ダイパッド21および前記端子22の上面を被覆する前記樹脂封止体4と、を備え、前記ダイパッド21の下面が前記樹脂封止体4の下面と同じ平面に配置され、前記樹脂封止体4の下面に露出する半導体装置100において、前記リードフレーム2の厚さは0.3mm以下であり、複数の前記半導体チップ1を複数の前記ダイパッド21の上面に搭載し、向かい合う前記ダイパッド21の側面には、前記突起部25が、前記吊り部23の延長線上に形成されていることを特徴とする請求項1記載の製造方法で製造される半導体装置。
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JP2017191895A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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