JP2015198244A - 積層アレイ電子部品及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】内部コイルがデカップリング(De−coupling)された構造であるが、高い結合係数を有し、高電流帯域での効率のみならず低電流帯域での効率も改善された、積層アレイ電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の非磁性体層111が積層されたセラミック本体と、複数の非磁性体層上に配置されたそれぞれの内部コイルパターン125が非磁性体層を貫通するビア電極によって連結された複数の内部コイル部と、セラミック本体の幅方向の両側面に配置され、複数の内部コイル部のそれぞれの第1の引出部128と接続する複数の入力端子及び複数の内部コイル部のそれぞれの第2の引出部129と接続する複数の出力端子と、を含む。複数の内部コイル部は互いに電気的に接続されない第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122を含み、第1の内部コイル部と第2の内部コイル部は回転方向が逆である。
【選択図】図3

Description

本発明は、積層アレイ電子部品及びその製造方法に関する。
印刷回路基板に実装される受動素子の実装面積を減らすために、内部に複数の内部コイルが配置されたアレイ(Array)型インダクタを用いる。
また、半導体製造技術の進歩によるICの高性能化に伴い、使用電力が増加し、高電流の使用が増加しており、電子部品をアレイ(Array)化することにより低電流を印加することができる。
アレイ(Array)型インダクタは、入力端子及び出力端子と連結された複数の内部コイルにおいて電流の流れ方向が同じカップリング(coupling)構造と、電流の流れ方向が逆のデカップリング(De−coupling)構造を有する。
デカップリング(De−coupling)構造を用いる場合、相互誘導による影響が少なくて高電流帯域での効率が良いが、結合係数が低くて低電流帯域での効率が低いという問題がある。
日本特開2001−023822号公報
本発明の目的は、内部コイルがデカップリング(De−coupling)された構造であるが、結合係数が向上することにより低電流帯域での効率が改善された積層型アレイ電子部品及びその製造方法を提供することである。
本発明の一形態によれば、複数の非磁性体層が積層されたセラミック本体と、上記複数の非磁性体層上に配置されたそれぞれの内部コイルパターンが上記非磁性体層を貫通するビア電極によって連結された複数の内部コイル部と、上記セラミック本体の幅方向の両側面に配置され、上記複数の内部コイル部のそれぞれの第1の引出部と接続する複数の入力端子及び上記複数の内部コイル部のそれぞれの第2の引出部と接続する複数の出力端子と、を含み、上記複数の内部コイル部は互いに電気的に接続されない第1の内部コイル部及び第2の内部コイル部を含み、上記第1の内部コイル部と第2の内部コイル部は回転方向が逆である積層アレイ電子部品が提供される。
上記セラミック本体の上部及び下部に磁性体を含む上部カバー層及び下部カバー層が配置されることができる。
上記非磁性体層はガラスを含み、上記ガラスは亜鉛(Zn)、銅(Cu)、鉄(Fe)、珪素(Si)、チタニウム(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、ビスマス(Bi)及びホウ素(B)からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
上記非磁性体層は、中央部に磁性体部が配置されることができる。
上記磁性体部は、上記非磁性体層上に配置された内部コイルパターンから上記内部コイルパターンの線幅の1/5以上の間隔をおいて配置されることができる。
上記磁性体は、Mn−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、Ni−Zn−Cu系フェライト、Mn−Mg系フェライト、Ba系フェライト及びLi系フェライトからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
本発明の他の形態によれば、複数の磁性体層又は非磁性体層が積層されたセラミック本体と、上記セラミック本体の内部に、複数の内部コイルパターンがビア電極によって連結されて配置された第1の内部コイル部及び第2の内部コイル部と、上記第1の内部コイル部及び第2の内部コイル部のそれぞれの第1の引出部と接続する第1の入力端子及び第2の入力端子、及び上記第1の内部コイル部及び第2の内部コイル部のそれぞれの第2の引出部と接続する第1の出力端子及び第2の出力端子と、を含み、上記内部コイルパターンは非磁性体層上に形成され、上記第1の内部コイル部と第2の内部コイル部は回転方向が逆である積層アレイ電子部品が提供される。
上記セラミック本体の上部及び下部には上部カバー層及び下部カバー層が配置され、上記上部カバー層及び下部カバー層は磁性体を含むことができる。
上記非磁性体層はガラスを含み、上記ガラスは亜鉛(Zn)、銅(Cu)、鉄(Fe)、珪素(Si)、チタニウム(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、ビスマス(Bi)及びホウ素(B)からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
上記非磁性体層は、中央部に磁性体部が配置されることができる。
上記磁性体部は、上記非磁性体層上に配置された内部コイルパターンから上記内部コイルパターンの線幅の1/5以上の間隔をおいて配置されることができる。
上記磁性体層は、Mn−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、Ni−Zn−Cu系フェライト、Mn−Mg系フェライト、Ba系フェライト及びLi系フェライトからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
本発明の他の形態によれば、複数の非磁性体シートを製造する段階と、上記非磁性体シート上に内部コイルパターンを形成する段階と、上記内部コイルパターンが形成された非磁性体シートを積層して、内部に複数の内部コイル部を含むセラミック本体を形成する段階と、上記セラミック本体の幅方向の両側面に、上記複数の内部コイル部のそれぞれの第1の引出部と接続する複数の入力端子及び上記複数の内部コイル部のそれぞれの第2の引出部と接続する複数の出力端子を形成する段階と、を含み、上記複数の内部コイル部は互いに電気的に接続されない第1の内部コイル部及び第2の内部コイル部を含み、上記第1の内部コイル部と第2の内部コイル部は回転方向が逆となるように形成される積層アレイ電子部品の製造方法が提供される。
上記内部コイルパターンが形成された非磁性体シートを積層した後、上部及び下部に磁性体シートを積層して、磁性体を含む上部カバー層及び下部カバー層を形成することができる。
上記非磁性体シートはガラスを含み、上記ガラスは亜鉛(Zn)、銅(Cu)、鉄(Fe)、珪素(Si)、チタニウム(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、ビスマス(Bi)及びホウ素(B)からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
上記非磁性体シートの中央部に磁性体部を形成し、これを積層して、上記内部コイル部を貫通する磁性体コア部を形成することができる。
上記磁性体部は、上記非磁性体シート上に形成された内部コイルパターンから上記内部コイルパターンの線幅の1/5以上の間隔をおいて形成されることができる。
上記磁性体は、Mn−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、Ni−Zn−Cu系フェライト、Mn−Mg系フェライト、Ba系フェライト及びLi系フェライトからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
本発明の一形態によれば、内部コイルがデカップリング(De−coupling)された構造であるが、高い結合係数を有することから、PMIC(Power Management Integrated Circuit)又はDC−DCコンバータの低電流帯域(待機モード)での効率が改善されることができる。
また、デカップリング(De−coupling)構造であることから、相互誘導による影響を最小化することができるため、高電流帯域(動作モード)での効率も改善されることができる。
本発明の一実施形態による積層アレイ電子部品の斜視図である。 図1のI−I’線に沿う断面図である。 本発明の一実施形態による積層アレイ電子部品の分解斜視図である。 本発明の他の実施形態による積層アレイ電子部品の分解斜視図である。 本発明の他の実施形態による積層アレイ電子部品の分解斜視図である。 本発明の他の実施形態による積層アレイ電子部品の分解斜視図である。 本発明の一実施形態による、中央部に磁性体部が形成された非磁性体層を示す図である。 本発明の一実施形態による積層アレイ電子部品の製造方法を示す工程図である。
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
積層アレイ電子部品
以下、本発明の一実施形態による積層アレイ電子部品を説明するにあたり、特に、積層型インダクタアレイを例に挙げて説明するが、これに制限されない。
図1は本発明の一実施形態による積層アレイ電子部品の斜視図であり、図2は図1のI−I’線に沿う断面図である。
図1及び図2を参照すると、本発明の一実施形態による積層アレイ電子部品100は、セラミック本体110、上記セラミック本体110の内部に配置された複数の内部コイル部120、上記セラミック本体110の幅方向の両側面に配置された入力端子131、132及び出力端子141、142を含む。
セラミック本体110は、六面体状であれば良い。本発明の実施形態を明確に説明するために六面体の方向を定義すると、図1に表示されたL、W及びTはそれぞれ長さ方向、幅方向及び厚さ方向を示す。
セラミック本体110は複数の磁性体層又は非磁性体層が焼結された状態で、隣接する磁性体層又は非磁性体層間の境界は走査電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いなくては確認できない程度に一体化されることができる。
セラミック本体110の内部に形成された複数の内部コイル部120は、互いに電気的に接続されない第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122を含むことができる。第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122は、ビア電極によって連結されず、非磁性体層111によって絶縁される。このように、上記セラミック本体110の内部に、第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122が電気的に相互連結されずに個別の内部コイル部として配置されるため、アレイ(Array)型電子部品を形成することができる。
図3〜図6は、本発明の一実施形態による積層アレイ電子部品の分解斜視図である。
図3を参照すると、第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122は、複数の非磁性体層111上に形成された内部コイルパターン125がビア電極(図示せず)によって連結されて形成されることができる。
第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122は、上記セラミック本体110の幅方向の一側面に露出する第1の引出部128、及び上記セラミック本体110の幅方向の他側面に露出する第2の引出部129をそれぞれ有する。
第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122の第1の引出部128はセラミック本体110の幅方向の一側面に形成された入力端子131、132とそれぞれ接続され、第2の引出部129はセラミック本体110の他側面に形成された出力端子141、142とそれぞれ接続される。
第1の内部コイル部121と第2の内部コイル部122は、回転方向が逆のデカップリング(De−coupling)構造であれば良い。
例えば、入力端子131と接続する第1の内部コイル部121の第1の引出部128から出力端子141と接続する第1の内部コイル部121の第2の引出部129への回転方向が反時計回りであり、入力端子132と接続する第2の内部コイル部122の第1の引出部128から出力端子142と接続する第2の内部コイル部122の第2の引出部129への回転方向が時計回りであれば良い。
この際、上記第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122を形成する内部コイルパターン125が非磁性体層111に形成されることにより結合係数を向上させることができ、結合係数が向上すると、デカップリング(De−coupling)構造であっても高電流帯域での効率のみならず低電流帯域での効率も改善することができる。
上記非磁性体層111はガラスを含み、上記ガラスは亜鉛(Zn)、銅(Cu)、鉄(Fe)、珪素(Si)、チタニウム(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、ビスマス(Bi)及びホウ素(B)からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
上記内部コイルパターン125は、導電性金属を含む導電性ペーストを印刷して形成されることができる。上記導電性金属は、電気伝導度に優れた金属であれば特に制限されず、例えば、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタニウム(Ti)、金(Au)、銅(Cu)又は白金(Pt)等の単独型又は混合型であれば良い。
第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122の上部及び下部には、複数の磁性体層が積層されて形成された上部カバー層115及び下部カバー層116が配置されることができる。
磁性体を含む上部及び下部カバー層115、116を形成することにより、インダクタンスを増加させることができる。
図4を参照すると、内部コイルパターン125が形成された非磁性体層111以外に内部コイルパターン125が形成されていない非磁性体層111がさらに含まれることができる。
内部コイルパターン125が形成されていない非磁性体層111を第1の内部コイル部121又は第2の内部コイル部122に隣接して積層させることにより、第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122間のインダクタンス偏差を減らすことができる。
図5を参照すると、内部コイルパターン125が形成された非磁性体層111の中央部に磁性体部112が配置されることができる。
非磁性体層111の中央部に磁性体部112を形成することにより、インダクタンスを容易に具現することができる。
上記磁性体部112は、Mn−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、Ni−Zn−Cu系フェライト、Mn−Mg系フェライト、Ba系フェライト、Li系フェライト等の公知のフェライトを含むことができる。
内部コイルパターン125が形成された非磁性体層111の中央部に磁性体部112を形成し、これを連続的に積層させて、内部コイル部120を貫通する磁性体コア部を形成することができる。
図6を参照すると、内部コイルパターン125が形成された非磁性体層111以外に内部コイルパターン125が形成されていない非磁性体層111の中央部にも磁性体部112が形成されることができる。
図7は、本発明の一実施形態による、中央部に磁性体部が形成された非磁性体層を示す図である。
図7を参照すると、非磁性体層111の中央部に形成された磁性体部112は、上記非磁性体層111上に形成された内部コイルパターン125から上記内部コイルパターン125の線幅W1の1/5以上の間隔をおいて形成されることができる。
即ち、上記磁性体部112と上記内部コイルパターン125との間隔W2は、上記内部コイルパターン125の線幅W1の1/5以上であれば良い。
上記磁性体部112が内部コイルパターン125の線幅W1の1/5未満の間隔をおいて形成される場合は、第1及び第2の内部コイル部121、122の結合係数が低下する可能性がある。
下記表1は、内部コイルパターンを全て磁性体層上に形成したデカップリング(De−coupling)構造の第1及び第2の内部コイル部(比較例)及び本発明の一実施形態による図3〜6の結合係数を示すものである。
Figure 2015198244
上記表1から分かるように、内部コイル部が磁性体層に形成された比較例は結合係数が0.32であるのに対し、内部コイル部が非磁性体層に形成された図3〜図6の本発明の実施形態は結合係数が0.84〜0.88と顕著に増加した。したがって、デカップリング(De−coupling)構造であっても、低電流帯域でも効率が改善されることができる。
積層アレイ電子部品の製造方法
図8は、本発明の一実施形態による積層アレイ電子部品の製造方法を示す工程図である。
図8を参照すると、まず、複数の非磁性体シートを製造することができる。
非磁性体シートに用いられる非磁性体はガラスを含み、上記ガラスは亜鉛(Zn)、銅(Cu)、鉄(Fe)、珪素(Si)、チタニウム(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、ビスマス(Bi)及びホウ素(B)からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
上記非磁性体、バインダー(binder)、可塑剤及び溶媒等を混合して形成されたスラリーをキャリアフィルム(carrier film)上に塗布し乾燥して複数の非磁性体シートを製造することができる。
次に、上記非磁性体シート上に内部コイルパターン125を形成することができる。
上記内部コイルパターン125は、導電性金属を含む導電性ペーストを非磁性体シート上に印刷工法等で塗布して形成されることができる。
上記導電性金属は、電気伝導度に優れた金属であれば特に制限されず、例えば、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタニウム(Ti)、金(Au)、銅(Cu)又は白金(Pt)等の単独型又は混合型であれば良い。
導電性ペーストの印刷方法としてはスクリーン印刷法又はグラビア印刷法等を用いることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
次に、上記内部コイルパターン125が形成された非磁性体シートを積層して、内部に複数の内部コイル部120を含むセラミック本体110を形成することができる。
セラミック本体110の内部に形成される複数の内部コイル部120は、互いに電気的に接続されない第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122を含むことができる。
第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122は、複数の非磁性体シート上に形成された内部コイルパターン125がビア電極(図示せず)によって電気的に接続されて形成されることができる。
第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122は、上記セラミック本体110の幅方向の一側面に露出する第1の引出部128、及び上記セラミック本体110の幅方向の他側面に露出する第2の引出部129をそれぞれ有する。
第1の内部コイル部121と第2の内部コイル部122は、回転方向が逆のデカップリング(De−coupling)構造であれば良い。
この際、内部コイルパターン125を非磁性体シートに形成し、内部コイルパターン125が形成された非磁性体シートを積層して上記第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122を形成することにより結合係数を向上させることができ、結合係数が向上すると、デカップリング(De−coupling)構造であっても高電流帯域での効率のみならず低電流帯域での効率も改善することができる。
内部コイルパターン125が形成された非磁性体シート以外に内部コイルパターン125が形成されていない非磁性体シートをさらに積層することができる。
内部コイルパターン125が形成されていない非磁性体シートを第1の内部コイル部121又は第2の内部コイル部122に隣接して積層させることにより、第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122間のインダクタンス偏差を減らすことができる。
また、内部コイルパターン125が形成された非磁性体シートの中央部に磁性体部112を形成することができる。
非磁性体シートの中央部に磁性体部112を形成することにより、インダクタンスを容易に具現することができる。
上記磁性体部112は、Mn−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、Ni−Zn−Cu系フェライト、Mn−Mg系フェライト、Ba系フェライト、Li系フェライト等の公知のフェライトを含むことができる。
内部コイルパターン125が形成された非磁性体シートの中央部に磁性体部112を形成し、これを連続的に積層させて、内部コイル部120を貫通する磁性体コア部を形成することができる。
内部コイルパターン125が形成された非磁性体シート以外に内部コイルパターン125が形成されていない非磁性体シートの中央部にも磁性体部112を形成することができる。
非磁性体シートの中央部に形成された磁性体部112は、上記非磁性体シート上に形成された内部コイルパターン125から上記内部コイルパターン125の線幅W1の1/5以上の間隔をおいて形成されることができる。
即ち、上記磁性体部112と上記内部コイルパターン125との間隔W2は、上記内部コイルパターン125の線幅W1の1/5以上であれば良い。
上記磁性体部112が内部コイルパターン125の線幅W1の1/5未満の間隔をおいて形成される場合は、第1及び第2の内部コイル部121、122の結合係数が低下する可能性がある。
内部コイルパターン125が形成された非磁性体シートを積層した後、その上部及び下部に複数の磁性体シートを積層して、磁性体を含む上部カバー層115及び下部カバー層116を形成することができる。
磁性体を含む上部及び下部カバー層115、116を形成することにより、インダクタンスを増加させることができる。
次に、上記セラミック本体110の幅方向の一側面に、上記第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122のそれぞれの第1の引出部128と接続する複数の入力端子131、132を形成し、上記セラミック本体110の幅方向の他側面に、上記第1の内部コイル部121及び第2の内部コイル部122のそれぞれの第2の引出部129と接続する複数の出力端子141、142を形成することができる。
上記入力端子131、132及び出力端子141、142は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成され、例えば、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、スズ(Sn)又は銀(Ag)等の単独又はこれらの合金等で形成されることができる。
入力端子131、132及び出力端子141、142を形成する方法としては、入力端子131、132及び出力端子141、142の形状によってプリンティング法のみならずディッピング(dipping)法等も行うことができる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
100 積層アレイ電子部品
120 内部コイル部
110 セラミック本体
121、122 第1及び第2の内部コイル部
111 非磁性体層
125 内部コイルパターン
112 磁性体部
128 第1の引出部
115 上部カバー層
129 第2の引出部
116 下部カバー層
131、132 入力端子
141、142出力端子

Claims (18)

  1. 複数の非磁性体層が積層されたセラミック本体と、
    前記複数の非磁性体層上に配置されたそれぞれの内部コイルパターンが前記非磁性体層を貫通するビア電極によって連結された複数の内部コイル部と、
    前記セラミック本体の幅方向の両側面に配置され、前記複数の内部コイル部のそれぞれの第1の引出部と接続する複数の入力端子及び前記複数の内部コイル部のそれぞれの第2の引出部と接続する複数の出力端子と、
    を含み、
    前記複数の内部コイル部は互いに電気的に接続されない第1の内部コイル部及び第2の内部コイル部を含み、前記第1の内部コイル部と第2の内部コイル部は回転方向が逆である、積層アレイ電子部品。
  2. 前記セラミック本体の上部及び下部に磁性体を含む上部カバー層及び下部カバー層がさらに配置される、請求項1に記載の積層アレイ電子部品。
  3. 前記非磁性体層はガラスを含み、前記ガラスは亜鉛(Zn)、銅(Cu)、鉄(Fe)、珪素(Si)、チタニウム(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、ビスマス(Bi)及びホウ素(B)からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項1に記載の積層アレイ電子部品。
  4. 前記非磁性体層は、中央部に磁性体部が配置される、請求項1に記載の積層アレイ電子部品。
  5. 前記磁性体部は、前記非磁性体層上に配置された内部コイルパターンから前記内部コイルパターンの線幅の1/5以上の間隔をおいて配置される、請求項4に記載の積層アレイ電子部品。
  6. 前記磁性体は、Mn−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、Ni−Zn−Cu系フェライト、Mn−Mg系フェライト、Ba系フェライト及びLi系フェライトからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項2又は4に記載の積層アレイ電子部品。
  7. 複数の磁性体層又は非磁性体層が積層されたセラミック本体と、
    前記セラミック本体の内部に、複数の内部コイルパターンがビア電極によって連結されて配置された第1の内部コイル部及び第2の内部コイル部と、
    前記第1の内部コイル部及び第2の内部コイル部のそれぞれの第1の引出部と接続する第1の入力端子及び第2の入力端子、及び前記第1の内部コイル部及び第2の内部コイル部のそれぞれの第2の引出部と接続する第1の出力端子及び第2の出力端子と、
    を含み、
    前記内部コイルパターンは非磁性体層上に形成され、前記第1の内部コイル部と第2の内部コイル部は回転方向が逆である、積層アレイ電子部品。
  8. 前記セラミック本体の上部及び下部には上部カバー層及び下部カバー層が配置され、前記上部カバー層及び下部カバー層は磁性体を含む、請求項7に記載の積層アレイ電子部品。
  9. 前記非磁性体層はガラスを含み、前記ガラスは亜鉛(Zn)、銅(Cu)、鉄(Fe)、珪素(Si)、チタニウム(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、ビスマス(Bi)及びホウ素(B)からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項7に記載の積層アレイ電子部品。
  10. 前記非磁性体層は、中央部に磁性体部が配置される、請求項7に記載の積層アレイ電子部品。
  11. 前記磁性体部は、前記非磁性体層上に配置された内部コイルパターンから前記内部コイルパターンの線幅の1/5以上の間隔をおいて配置される、請求項10に記載の積層アレイ電子部品。
  12. 前記磁性体層は、Mn−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、Ni−Zn−Cu系フェライト、Mn−Mg系フェライト、Ba系フェライト及びLi系フェライトからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項7に記載の積層アレイ電子部品。
  13. 複数の非磁性体シートを製造する段階と、
    前記非磁性体シート上に内部コイルパターンを形成する段階と、
    前記内部コイルパターンが形成された非磁性体シートを積層して、内部に複数の内部コイル部を含むセラミック本体を形成する段階と、
    前記セラミック本体の幅方向の両側面に、前記複数の内部コイル部のそれぞれの第1の引出部と接続する複数の入力端子及び前記複数の内部コイル部のそれぞれの第2の引出部と接続する複数の出力端子を形成する段階と、
    を含み、
    前記複数の内部コイル部は互いに電気的に接続されない第1の内部コイル部及び第2の内部コイル部を含み、前記第1の内部コイル部と第2の内部コイル部は回転方向が逆となるように形成される、積層アレイ電子部品の製造方法。
  14. 前記内部コイルパターンが形成された非磁性体シートを積層した後、上部及び下部に磁性体シートを積層して、磁性体を含む上部カバー層及び下部カバー層を形成する、請求項13に記載の積層アレイ電子部品の製造方法。
  15. 前記非磁性体シートはガラスを含み、前記ガラスは亜鉛(Zn)、銅(Cu)、鉄(Fe)、珪素(Si)、チタニウム(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、ビスマス(Bi)及びホウ素(B)からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項13に記載の積層アレイ電子部品の製造方法。
  16. 前記非磁性体シートの中央部に磁性体部を形成し、これを積層して、前記内部コイル部を貫通する磁性体コア部を形成する、請求項13に記載の積層アレイ電子部品の製造方法。
  17. 前記磁性体部は、前記非磁性体シート上に形成された内部コイルパターンから前記内部コイルパターンの線幅の1/5以上の間隔をおいて形成される、請求項16に記載の積層アレイ電子部品の製造方法。
  18. 前記磁性体は、Mn−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、Ni−Zn−Cu系フェライト、Mn−Mg系フェライト、Ba系フェライト及びLi系フェライトからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項14又は16に記載の積層アレイ電子部品の製造方法。
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