JP2015195415A - Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method - Google Patents
Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015195415A JP2015195415A JP2015158260A JP2015158260A JP2015195415A JP 2015195415 A JP2015195415 A JP 2015195415A JP 2015158260 A JP2015158260 A JP 2015158260A JP 2015158260 A JP2015158260 A JP 2015158260A JP 2015195415 A JP2015195415 A JP 2015195415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat spreader
- sheet member
- semiconductor device
- back surface
- front surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
Description
本発明は、半導体装置に関し、特にヒートスプレッダを備えた半導体装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device provided with a heat spreader and a method for manufacturing the same.
従来、例えば、下記の特許文献1に開示されているように、絶縁シート上に放熱用の金属ブロック(ヒートスプレッダ)を搭載し、この金属ブロックに半導体素子を設置した電力用半導体装置が知られている。この種の電力用半導体装置は、IGBT等のいわゆるパワー半導体素子を内蔵している。 Conventionally, for example, as disclosed in Patent Document 1 below, a power semiconductor device in which a metal block for heat dissipation (heat spreader) is mounted on an insulating sheet and a semiconductor element is installed on the metal block is known. Yes. This type of power semiconductor device incorporates a so-called power semiconductor element such as an IGBT.
特許文献1に記載の半導体装置は、金属ブロックの縁から一定の寸法だけ突き出るように、絶縁シートを金属ブロックよりも一回り大きくしている。その上で、この絶縁シートを、金属ブロック側に折り曲げている。さらに、折り曲げられた絶縁シートの裏面部分を覆うように、封止樹脂を設けている。このような構成によれば、絶縁シートによる絶縁性を確保するように、沿面距離を確保することができる。さらに、絶縁シートを折り曲げることで、半導体パッケージの小型化を達成することもできる。 In the semiconductor device described in Patent Document 1, the insulating sheet is made slightly larger than the metal block so as to protrude by a certain dimension from the edge of the metal block. Then, this insulating sheet is bent to the metal block side. Furthermore, sealing resin is provided so that the back surface part of the bent insulating sheet may be covered. According to such a configuration, the creeping distance can be ensured so as to ensure insulation by the insulating sheet. Furthermore, the semiconductor package can be miniaturized by bending the insulating sheet.
パワー半導体素子を内蔵する半導体装置は、大電力を使用する。このため、そのパッケージ構造には高い絶縁性が要求される。この点について上記従来の技術でも検討されており、パワー半導体素子を内蔵する半導体装置では絶縁性確保のための技術開発が進められている。 A semiconductor device incorporating a power semiconductor element uses large power. For this reason, high insulation is required for the package structure. This point is also studied in the above-described conventional technique, and technical development for ensuring insulation is being advanced in a semiconductor device incorporating a power semiconductor element.
本発明の目的は、ヒートスプレッダを内蔵する半導体装置において、絶縁破壊を抑制するように改善された構成を備える半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a semiconductor device having a structure improved so as to suppress dielectric breakdown in a semiconductor device incorporating a heat spreader, and a method for manufacturing the semiconductor device.
第1の発明は、半導体装置であって、
底面を有する電気伝導性のヒートスプレッダと、
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接しかつ前記底面の縁から突き出した周縁部を備えるシート部材と、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記シート部材の前記表面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子を封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備え、
前記周縁部の前記表面に、前記封止樹脂体の樹脂よりも、絶縁性および前記シート部材の前記表面に対する密着性のうち少なくとも一方が高い電気絶縁性コーティング材料の層が設けられたことを特徴とする。
A first invention is a semiconductor device,
An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
A sheet member comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader and protrudes from an edge of the bottom surface;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body that seals the front surface of the sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposes at least a part of the back surface of the sheet member;
With
The surface of the peripheral edge portion is provided with a layer of an electrically insulating coating material having at least one of insulation and adhesion to the surface of the sheet member higher than that of the resin of the sealing resin body. And
第2の発明は、半導体装置であって、
底面を有する電気伝導性のヒートスプレッダと、
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接しかつ前記底面の縁から突き出した周縁部を備えるシート部材と、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記シート部材の前記表面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子を封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備え、
前記シート部材の前記周縁部は、
前記底面と並行に延びる平面部と、
前記平面部の外側であって前記ヒートスプレッダの隅の近傍又は前記ヒートスプレッダの辺に沿って設けられ、前記表面側に凸となる屈曲部と
を備え、
前記屈曲部は、
前記平面部から延び、前記シート部材の前記周縁部を前記表面側に折り曲げた第1折曲部と、
前記第1折曲部の外側に設けられ前記第1折曲部からさらに折り曲げられた第2折曲部と、を有し、
前記封止樹脂体は、前記屈曲部における前記シート部材の前記裏面を覆うものであることを特徴とする。
The second invention is a semiconductor device,
An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
A sheet member comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader and protrudes from an edge of the bottom surface;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body that seals the front surface of the sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposes at least a part of the back surface of the sheet member;
With
The peripheral portion of the sheet member is
A plane portion extending in parallel with the bottom surface;
A bent portion that is provided on the outside of the flat portion and in the vicinity of the corner of the heat spreader or along the side of the heat spreader, and is convex on the surface side;
The bent portion is
A first bent portion extending from the flat surface portion and bending the peripheral edge portion of the sheet member to the surface side;
A second bent portion provided outside the first bent portion and further bent from the first bent portion,
The sealing resin body covers the back surface of the sheet member at the bent portion.
第3の発明は、半導体装置の製造方法であって、
底面を有する電気伝導性のヒートスプレッダと、前記ヒートスプレッダに固定すべき半導体素子と、表面および裏面を備え前記表面と前記裏面を電気的に絶縁するシート部材と、を準備する工程と、
モールド金型のキャビティ内に前記シート部材、前記ヒートスプレッダおよび前記ヒートスプレッダに固定した前記半導体素子を入れ、前記モールド金型の前記キャビティの底面に前記裏面を向けて当該キャビティの底面に前記シート部材を載せ、前記ヒートスプレッダの前記底面の縁から突き出した周縁部を生じさせるように前記ヒートスプレッダを前記シート部材の前記表面に載せて、屈曲部形成手段により前記ヒートスプレッダの側へと前記周縁部に折り曲げを施す工程と、
前記周縁部に折り曲げが施された状態で、前記シート部材の前記表面および前記周縁部における前記裏面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子を封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させるように、樹脂封止を行う工程と、
を備えることを特徴とする。
A third invention is a method of manufacturing a semiconductor device,
Preparing an electrically conductive heat spreader having a bottom surface, a semiconductor element to be fixed to the heat spreader, and a sheet member having a front surface and a back surface and electrically insulating the front surface and the back surface;
The sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element fixed to the heat spreader are placed in a cavity of the mold, and the sheet member is placed on the bottom surface of the cavity with the back surface facing the bottom surface of the cavity of the mold die. A step of placing the heat spreader on the surface of the sheet member so as to produce a peripheral edge protruding from the edge of the bottom surface of the heat spreader, and bending the peripheral edge toward the heat spreader by a bent portion forming means. When,
In a state where the peripheral edge portion is bent, the front surface of the sheet member and the back surface of the peripheral edge portion, the heat spreader, and the semiconductor element are sealed, and at least a part of the back surface of the sheet member is sealed. A step of performing resin sealing so as to be exposed;
It is characterized by providing.
第4の発明は、半導体装置であって、
底面を有する電気伝導性のヒートスプレッダと、
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接しかつ前記底面の縁から突き出した周縁部を備えるシート部材と、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記シート部材の前記表面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子とを封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備え、
前記周縁部は、前記裏面に、前記周縁部の先端にかけて前記表面側に落ち込んだ段差を形成するように薄くされた薄厚部を有し、
前記封止樹脂体が前記シート部材の前記段差を覆うことを特徴とする。
A fourth invention is a semiconductor device,
An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
A sheet member comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader and protrudes from an edge of the bottom surface;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body for sealing the front surface of the sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposing at least a part of the back surface of the sheet member;
With
The peripheral portion has a thin portion on the back surface that is thinned so as to form a step that falls to the front surface side toward the front end of the peripheral portion.
The sealing resin body covers the step of the sheet member.
第5の発明は、半導体装置であって、
底面を有する電気伝導性のヒートスプレッダと、
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接しかつ前記底面の縁から突き出した周縁部を備えるシート部材と、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記シート部材の前記表面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子を封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備え、
前記周縁部の前記表面には、少なくとも1つの凸部又は凹部が設けられたことを特徴とする。
A fifth invention is a semiconductor device,
An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
A sheet member comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader and protrudes from an edge of the bottom surface;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body that seals the front surface of the sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposes at least a part of the back surface of the sheet member;
With
The surface of the peripheral portion is provided with at least one convex portion or concave portion.
第6の発明は、半導体装置であって、
底面を有する電気伝導性のヒートスプレッダと、
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接しかつ前記底面の縁から突き出した周縁部を備えるシート部材と、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記シート部材の前記表面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子とを封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備え、
前記シート部材が、前記表面側に位置する絶縁層と前記絶縁層よりも前記裏面側に位置する金属層とを積層したものであり、
前記周縁部には、前記表面と前記裏面を貫通する少なくとも1つの貫通穴が設けられ、
前記金属層の前記裏面側の面における前記貫通穴の縁部には、前記裏面側に突出するバリが設けられており、
前記封止樹脂体は、前記周縁部の前記裏面における前記バリが設けられた部分を覆うことを特徴とする。
A sixth invention is a semiconductor device,
An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
A sheet member comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader and protrudes from an edge of the bottom surface;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body for sealing the front surface of the sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposing at least a part of the back surface of the sheet member;
With
The sheet member is a laminate of an insulating layer located on the front surface side and a metal layer located on the back side from the insulating layer,
The peripheral edge is provided with at least one through-hole penetrating the front surface and the back surface,
At the edge of the through hole in the surface on the back surface side of the metal layer, a burr projecting to the back surface side is provided,
The sealing resin body covers a portion where the burr is provided on the back surface of the peripheral edge.
第7の発明は、半導体装置であって、
底面を有する電気伝導性のヒートスプレッダと、
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接する絶縁シートと、
前記絶縁シートの前記裏面に接し、前記絶縁シートの縁から突き出た周縁部を備え、前記周縁部が前記ヒートスプレッダ側を向く上面を備える金属シートと、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記金属シートの前記上面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子を封止し、かつ前記金属シートの前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備えることを特徴とする。
A seventh invention is a semiconductor device,
An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
An insulating sheet comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader;
A metal sheet provided with a peripheral portion that is in contact with the back surface of the insulating sheet and protrudes from an edge of the insulating sheet, and wherein the peripheral portion has an upper surface facing the heat spreader side;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body for sealing the upper surface of the metal sheet, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposing at least a part of the back surface of the metal sheet;
It is characterized by providing.
本発明によれば、ヒートスプレッダを内蔵する半導体装置において、絶縁破壊を抑制することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a dielectric breakdown can be suppressed in the semiconductor device which incorporates a heat spreader.
以下、図面に基づいてこの発明の参考例および実施の形態について説明する。尚、各図において共通又は対応する要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。また、以下の参考例および実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, reference examples and embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the element which is common or respond | corresponds, and the overlapping description is abbreviate | omitted. The present invention is not limited to the following reference examples and embodiments.
参考例.
[参考例の構成]
図1は、本発明の参考例にかかる半導体装置10の断面図である。図2は、本発明の参考例にかかる半導体装置10の平面図である。図1は、図2におけるA−A線に沿って半導体装置10を切断した断面を示している。図2は、図1の半導体装置10を紙面上から下方に見下ろした平面図であり、便宜上、モールド樹脂を透視して半導体装置10の内部構造を図示している。
Reference example.
[Configuration of Reference Example]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a
半導体装置10は、ヒートスプレッダ20を備えている。ヒートスプレッダ20は、底面を有する電気伝導性の金属ブロックである。図1および図2に示すように、ヒートスプレッダ20は、その全体形状が略直方体であり、対向する上面(図1の紙面上方を向く面)および底面(図1の紙面下方を向く面)を備えており、この上面と底面とを結ぶ側面も備えている。ヒートスプレッダ20の材料は、銅(Cu)であり、熱伝導性および電気伝導性が高い。
The
半導体装置10は、シート部材26を備えている。シート部材26は、絶縁層を構成する絶縁シート22および金属層を構成する金属シート24が積層されたものである。絶縁シート22は、エポキシ樹脂製であり、金属シート24は、銅箔である。絶縁シート22は、導電性フィラー入りのものであってもよい。
The
シート部材26は表面と裏面とを備えており、この表面はヒートスプレッダ20の底面に接し、この裏面は半導体装置10の外部(モールド樹脂42の外部)に露出している。絶縁シート22により、シート部材26の表面と裏面とが電気的に絶縁されている。
The
シート部材26は、ヒートスプレッダ20の底面の縁から突き出した周縁部27を備える。以下、シート部材において、ヒートスプレッダ底面の縁から突き出した部分を、単に「周縁部」とも称す。図2に示すように、周縁部27は、ヒートスプレッダ20の四辺の縁から四方に突き出ており、そのサイズはヒートスプレッダ20に比べて一回り大きい。
The
半導体装置10は、半導体素子として、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)30と、フリーホイールダイオードであるダイオード32とを備えている。IGBT30とダイオード32は、ヒートスプレッダ20の上面に半田で固定されている。IGBT30とダイオード32は、それぞれ、表面電極と裏面電極とを備えている。それらの裏面電極が半田を介してヒートスプレッダ20と接続されることで、両者が電気的に接続される。
The
半導体装置10は、主端子36、主端子37、および信号端子38を備えている。これらの端子はいずれも銅(Cu)で形成された電極板である。主端子36は、ヒートスプレッダ20に直接に半田で固定されている。主端子37、ダイオード32およびIGBT30が、アルミニウム(Al)で形成された複数本(図では5本)のワイヤ46を介して互いに接続されている。信号端子38は、アルミニウム(Al)で形成された複数本(図では3本)のワイヤ44を介して、IGBT30のゲート電極に接続している。
The
半導体装置10は、モールド樹脂42を備えている。モールド樹脂42は、シート部材26の表面、ヒートスプレッダ20、並びにIGBT30およびダイオード32を封止する封止樹脂体である。モールド樹脂の外側に、主端子36、主端子37、および信号端子38の一部が露出する。モールド樹脂42は、シート部材26の裏面全体を露出させている。
The
図2に示すように、ヒートスプレッダ20は、ヒートスプレッダ20の底面の4つの隅にそれぞれ隅部21を有している。隅部21は、すなわち、ヒートスプレッダ20の平面視における4つの隅の部分である。図2に示すように、隅部21は、ヒートスプレッダ20の平面視(あるいは半導体装置10の平面視)で曲面の形状となる部分である。その一方で、図1に示すように、隅部21は、ヒートスプレッダ20の断面視(あるいは半導体装置10の断面視)で矩形状である。参考例にかかる隅部21は、ヒートスプレッダ20の底面から上面にかけて、一様な曲面となっている。
As shown in FIG. 2, the
図3は、本発明の参考例にかかるヒートスプレッダ20の隅部21の構成を示す部分断面図である。図3(A)がヒートスプレッダ20の断面視における隅部21を示す図であり、図3(B)がヒートスプレッダ20の平面視における隅部21を示す図である。図3(A)は、図3(B)のA1−A1線に沿う断面図である。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing the configuration of the
[参考例の作用]
半導体装置10のような構成を備えた電力用半導体装置において、モールド樹脂と絶縁シートの間のわずかな界面から、水分が浸入することが問題となっている。この水分は、ヒートスプレッダと銅箔の間に導電パスを形成し、絶縁破壊をもたらす。水分により、ヒートスプレッダと接触する絶縁シートの絶縁材料が加水分解することで、絶縁材料の絶縁性能が低下してしまうからである。
[Operation of Reference Example]
In a power semiconductor device having a configuration such as the
ここで、本願発明者は、分析を行った結果、このような絶縁破壊の発生箇所が、ヒートスプレッダの平面視における四隅の部分であって絶縁シートとの接触部分(隅部直下)に多いということを見出した。 Here, as a result of the analysis, the inventor of the present application has found that there are many places where such dielectric breakdown occurs in the four corners in a plan view of the heat spreader and in contact with the insulating sheet (just below the corners). I found.
図3(A)に矢印で示す経路は、モールド樹脂42とシート部材26の界面であり、以下、吸湿経路とも証する。吸湿経路の長さは、沿面距離と実質的に同じである。沿面距離とは、2つの導電部分の間の、絶縁物界面に沿った最短距離をいうものとされている。
A path indicated by an arrow in FIG. 3A is an interface between the
仮に、図3(B)の平面視において、ヒートスプレッダ20の隅部が曲面ではなく、従来どおり直角であったと仮定する。そうすると、図3(B)に示す2つの吸湿経路を辿ってきた水分が、その直角の隅部の先端に集中してしまう。これに対し、本参考例のように平面視で曲面形状の隅部21を設けることで、平面視で直角の隅部の場合と比べて吸湿経路を長くすることができる(つまり、沿面距離を拡大することができる)。
Suppose that the corner of the
隅部21の曲面は、アール加工(R面の面取り)を施すことで形成することができる。隅部21のアール加工は、金属ブロックの角の部分に施される単なるアール加工よりも大きいアール加工を施すことによって形成される。単なるアール加工は、隅部21以外にもヒートスプレッダ20の角部に対しても施されうる。しかし、隅部21のアール加工は、これよりもアール加工の半径が大きいものである。隅部21の曲面のアール加工の半径は、隅部21以外のヒートスプレッダ20の角部のアール加工の半径よりも大きい。
The curved surface of the
本参考例によれば、シート部材26とモールド樹脂42の界面から吸湿が起きても、この吸湿による水が半導体装置10内のヒートスプレッダ20四隅部分に集中することを、抑制できる。これにより、ヒートスプレッダ20の四隅での絶縁破壊を抑制することができる。
According to this reference example, even if moisture absorption occurs from the interface between the
また、前述したように絶縁破壊の発生箇所がヒートスプレッダの四隅に集中する理由の一つとして、ヒートスプレッダの四隅の端部が尖っていると、この部分(鋭角の部分)に電界集中が発生することが挙げられる。本参考例によれば、隅部21が曲面であるためそのような尖った部分をなくすことができ、電界集中の程度を緩和することもできる。
In addition, as described above, one of the reasons for the occurrence of dielectric breakdown at the four corners of the heat spreader is that when the four corner ends of the heat spreader are sharp, electric field concentration occurs at this portion (acute angle portion). Is mentioned. According to this reference example, since the
また、本参考例にかかる隅部21は、ヒートスプレッダ20の断面視(あるいは半導体装置10の断面視)では、矩形状となっており平面視の場合のような曲面形状は有していない。この点は、特許文献1(特開2011−9410号公報)の図7における面取部等とは構成が異なる。
Further, the
本参考例の隅部21の有利な効果として、例えば、次のような効果がある。前述したように、ヒートスプレッダの四隅であって、ヒートスプレッダと絶縁シートの間に生ずる微小な隙間において、絶縁破壊が発生しやすいことを本願発明者は分析、検討を行うことで見出した。特許文献1のように断面視でもアール等の面取りを行う構成とすると、ヒートスプレッダと絶縁シートの間に生ずる微小な隙間に、モールド樹脂の充填が円滑に行われないおそれがある。この点、本参考例では、平面視では曲面形状であるものの、断面視では矩形であるため、断面視でアール等の面取りをした場合のモールド樹脂の充填の困難性は生じない。つまり、本参考例では、矩形のヒートスプレッダを用いる場合と同様の条件でモールド樹脂封止工程を行っても良い。このように、本参考例にかかる半導体装置10によれば、平面視の構造において吸湿距離拡大を達成しつつ、その一方で、断面視の構造においてモールド樹脂封止の品質確保をすることができ、絶縁性確保の観点から優れた効果を得ることができる。
As advantageous effects of the
以上説明したように、本参考例によれば、ヒートスプレッダ20とシート部材26の絶縁層(絶縁シート22)との間の絶縁破壊を抑制し、絶縁性を確保した半導体装置10が提供される。
As described above, according to the present reference example, the
[参考例の変形例]
図4は、本発明の参考例にかかる半導体装置10の変形例を示す図である。この変形例は、ヒートスプレッダ20に代えて、ヒートスプレッダ50を有しており、それ以外は図1、2に示した半導体装置10と同じ構成を備えている。図4(A)がヒートスプレッダ50の断面視における隅部51を示す図であり、図4(B)がヒートスプレッダ50の平面視における隅部51を示す図である。図4(A)は、図4(B)のA2−A2線に沿う断面図である。
[Modification of Reference Example]
FIG. 4 is a diagram showing a modification of the
隅部51は、平面視で面取り形状であり、断面視で矩形状である。隅部51は、ヒートスプレッダ20の平面視における4つの隅の部分を、C面取り加工したものである。隅部51は、隅部21と同様の絶縁性確保とともに、加工容易性も有している。
The
実施の形態1.
[実施の形態1の構成]
図5は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の断面図である。図6は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の平面図である。図5は、図6におけるB−B線に沿って半導体装置100を切断した断面を示している。図6は、図5の半導体装置100を図5の紙面上から下方に見下ろした平面図であり、便宜上、モールド樹脂を透視して半導体装置100の内部構造を図示している。
Embodiment 1 FIG.
[Configuration of Embodiment 1]
FIG. 5 is a cross-sectional view of the
半導体装置100は、次の二つの相違点を除き、参考例の半導体装置10と同様の構成を備えている。第1の相違点は、コーティング層122備えている点である。第2の相違点は、ヒートスプレッダ20に代えてヒートスプレッダ120を備えている点である。
The
ヒートスプレッダ120は、参考例のヒートスプレッダ20とは異なり、「平面視で曲面形状となる隅部21」を備えていない。この点を除いてはヒートスプレッダ120はヒートスプレッダ20と同じ構成であり、矩形上の金属ブロックである点や、銅(Cu)を材料とする点も同じである。
Unlike the
コーティング層122は、電気絶縁性コーティング材料からなる層である。コーティング層122は、周縁部27の表面に設けられている。図6の平面図に示すように、実施の形態1では、コーティング層122は、ヒートスプレッダ120の周囲を取り囲むように、周縁部27の全体を覆っている。
The
コーティング層122の材料は、モールド樹脂42の材料よりも、絶縁性およびシート部材26の表面に対する密着性が高い材料を用いる。コーティング層122の材料は、ポリイミドと、ポリアミドと、多官能基を有するエポキシ系ポリマーとからなる群から選択された1つの材料であることが好ましい。また、コーティング層122の材料には、導電性フィラーが混入されていない。これらの絶縁性コーティング材料のほうが、絶縁シート22に対する密着性が高い。モールド樹脂42には、高い放熱性を確保するために、フィラーが充填されているためである。
As the material of the
図7は、実施の形態1にかかる半導体装置100の、製造工程の一部を示す図である。図7(A)に示すように、シート部材26の表面(周縁部27の表面)に、コーティング層122の材料を予め塗布しておく。この後、ヒートスプレッダ120をシート部材26に載せて、モールド樹脂封止工程を実施する。その結果、図7(B)の構成が得られる。
FIG. 7 is a diagram illustrating a part of the manufacturing process of the
[実施の形態1の作用]
本実施の形態によれば、シート部材26とモールド樹脂42の界面に、コーティング層122を設けている。このコーティング層122は、絶縁性コーティング材料からなる層である。このコーティング層122により、界面を辿って吸湿が起きても、絶縁破壊を抑制することができる。また、コーティング層122によれば、絶縁シート22よりも高い絶縁性を確保して、絶縁特性を積極的に向上させることもできる。これにより、ヒートスプレッダの四隅での絶縁破壊を抑制することができる。
[Operation of Embodiment 1]
According to the present embodiment, the
[実施の形態1の変形例]
(変形例1)
図8は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の変形例の1つを示す図である。コーティング層124を、シート部材26の表面のみならず端部側面まで覆うように設けたものである。コーティング層124の材料は、コーティング層122と同じである。
[Modification of Embodiment 1]
(Modification 1)
FIG. 8 is a diagram showing one modification of the
(変形例2)
図9は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の変形例の他の1つを示す図である。図9に示す変形例にかかる半導体装置は、シート部材140を備えている。このシート部材140は、シート部材26とは異なり、絶縁シート142よりも一回り大きな金属シート144を備えている。つまり、絶縁シート142は、表面がヒートスプレッダ120の底面に接する。金属シート144は、絶縁シート142の裏面に接し、絶縁シート142の縁から突き出た周縁部を備え、周縁部がヒートスプレッダ側を向く上面を備えている。
(Modification 2)
FIG. 9 is a diagram showing another example of the modification of the
本変形例では、コーティング層126が、絶縁シート142表面および金属シート144の上面にかけて塗布されている。コーティング層126の材料は、コーティング層122と同じである。図9の変形例によれば、コーティング材料と銅箔との間で高い接着性が得られるため、水分の浸入を効果的に抑制できる。
In this modification, the
(変形例3)
図10は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の変形例の更に他の1つを示す図である。図10は、図6と同様に半導体装置100の平面図に相当しており、内部構成は簡略化して示している。図10(A)のように、ヒートスプレッダ120の四隅にのみ、部分的にコーティング層128を設けても良い。絶縁破壊の発生頻度の高いヒートスプレッダ120の四隅にコーティング層128を設けているので、絶縁破壊の抑制効果を確保できる。また、少ないコーティング材料で済み、コスト削減につながる。また、図10(B)のように、ヒートスプレッダ120の短辺側にのみ、部分的にコーティング層130を設けても良い。また、図10(C)のように、ヒートスプレッダ120の長辺側にのみ、部分的にコーティング層132を設けても良い。各コーティング層の材料は、コーティング層122と同じとする。
(Modification 3)
FIG. 10 is a diagram showing still another example of the modification of the
実施の形態2.
以下、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置について説明する。以下に述べる実施の形態2にかかる半導体装置およびその変形例は、モールド樹脂が、シート部材の周縁部表面から裏面にかけて、シート部材の周縁部を覆うという構成を共通に備えている。
Embodiment 2. FIG.
The semiconductor device according to the second embodiment of the present invention will be described below. The semiconductor device according to the second embodiment described below and the modification thereof have a common configuration in which the mold resin covers the peripheral edge of the sheet member from the peripheral surface to the back surface of the sheet member.
[実施の形態2の構成]
図11は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置200の断面図である。図12は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置200の平面図である。図11は、図12におけるC−C線に沿って半導体装置200を切断した断面を示している。図12は、図11の半導体装置200を図11の紙面上から下方に見下ろした平面図であり、便宜上、モールド樹脂を透視して半導体装置200の内部構造を図示している。
[Configuration of Embodiment 2]
FIG. 11 is a cross-sectional view of the
半導体装置200は、次の二つの相違点を除き、参考例の半導体装置10と同様の構成を備えている。第1の相違点は、シート部材26に代えてシート部材226を備えている点である。第2の相違点は、ヒートスプレッダ20に代えて、実施の形態1で説明したヒートスプレッダ120を備えている点である。
The
シート部材226は、屈曲部228を備えている点で、シート部材26と異なっている。それ以外の点、つまり、絶縁シート22と金属シート24の積層構造である点や、周縁部27と同様に周縁部227を備えている点は、共通している。
The
シート部材226の周縁部227は、平面部229と、屈曲部228とを備えている。平面部229は、ヒートスプレッダ120の底面と並行に延びる部分である。屈曲部228は、平面部229の外側であってヒートスプレッダ120の短辺に沿って設けられ、ヒートスプレッダ120側に凸となるように屈曲した部分である。本実施の形態では、図11に示すようにシート部材226が折り曲げられることで、この屈曲部228が形成されている。
The
図13(A)は、本発明の実施の形態2にかかる屈曲部228付近を簡略化して示した部分断面図である。本実施の形態では、シート部材226を角度θ1で折り曲げることで、屈曲部228を形成している。
FIG. 13A is a partial cross-sectional view schematically showing the vicinity of the
なお、この角度θ1は鋭角であるが、本発明はこれに限られるものではない。例えば図13(B)のθ2のごとく鈍角として、屈曲部232および平面部233を設けてもよい。角度θの範囲は、半導体装置200のパッケージ下面(或いは、ヒートスプレッダ120の底面と平行な面)に対して、15度から165度の範囲とすることが好ましい。なお、角度θを鈍角(つまり90度を超える角度)とする場合には、図13(B)に示すように、平面部233の幅寸法は、屈曲部232の幅寸法よりも大きいことが好ましい。
The angle θ 1 is an acute angle, but the present invention is not limited to this. For example, the
モールド樹脂42は、実施の形態2においても、上記の参考例および実施の形態1と同様に、半導体装置内部の各構成を封止している。つまり、モールド樹脂42は、シート部材226の表面、ヒートスプレッダ120、およびIGBT30等の半導体素子を封止し、かつシート部材226の裏面を露出させる封止樹脂体である。ここで、実施の形態2では、図13に示すように、モールド樹脂42が、シート部材226の裏面側(金属シート24裏面側)へと回りこむ。これにより、屈曲部228におけるシート部材226の裏面の一部をモールド樹脂42が覆っている。
Also in the second embodiment, the
[実施の形態2の作用]
本実施の形態によれば、屈曲部228におけるシート部材226の裏面の一部をモールド樹脂42が覆っているので、シート部材226の周縁部227とモールド樹脂42の界面に沿う吸湿距離を伸ばすことができる。つまり、シート部材226とヒートスプレッダ120の間の沿面距離を拡大できる。これにより、絶縁破壊の原因となる吸湿を抑制することができ、ヒートスプレッダの絶縁破壊を抑制することができる。
[Operation of Embodiment 2]
According to the present embodiment, since the
また、金属シート(銅箔)とモールド樹脂の密着力は高いため、両者の接着面積を増大することで、さらに吸湿を抑制することができる。 Moreover, since the adhesive force between the metal sheet (copper foil) and the mold resin is high, moisture absorption can be further suppressed by increasing the adhesion area between the two.
さらに、実施の形態2においては、次に述べるように、製造プロセス上のメリットも得られる。すなわち、実施の形態2においては、周縁部227が、平面部229を備えている。平面部229は、シート部材226の面内において、屈曲部228とヒートスプレッダ120との間に一定の間隔を生じさせることができる。これにより、設計マージンを確保して、製造工程中にヒートスプレッダ120の位置ずれが生じても屈曲部228の曲がりを確保することができる。
Further, in the second embodiment, as described below, advantages in the manufacturing process can be obtained. That is, in the second embodiment, the
すなわち、仮に、特許文献1(特開2011−9410号公報)のように、ヒートスプレッダ120の縁の直近においてシート部材の周縁部を曲げるとする。そうすると、自動制御装置での配置の際にヒートスプレッダ120の位置ずれがあったときに、シート部材の周縁部の曲げた部分にヒートスプレッダ120が載ってしまうおそれがある。シート部材の周縁部の曲げた部分にヒートスプレッダ120が載ってしまうと、ヒートスプレッダ120が押しけられて折り曲げをなくすように力が加わる。その結果、シート部材が平坦となるように周縁部が押し付けられてしまう。
That is, suppose that the periphery of the sheet member is bent in the vicinity of the edge of the
この点、実施の形態2によれば、平面部229で設計マージンが確保されるので、のような問題を抑制することができる。
In this regard, according to the second embodiment, the design margin is ensured by the
[実施の形態2の変形例]
以下、図面を用いて、実施の形態2の変形例を説明する。以下の図では、便宜上、モールド樹脂42を透視して半導体装置200内部構造を図示しており、構成を簡略化して示す図である。具体的には、モールド樹脂42、ヒートスプレッダ120およびシート部材226以外の構成については省略あるいは簡略化されている。
[Modification of Embodiment 2]
Hereinafter, a modification of the second embodiment will be described with reference to the drawings. In the following drawings, for convenience, the internal structure of the
(変形例1)
図14は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置200の変形例を示す模式図である。この図は、図13(A)に示す断面図に対応しており、図13(A)の断面構造を変形させたものである。図14(A)に示すように、周縁部227において、平面部235、屈曲部234を設けても良い。屈曲部234が、第1屈曲部234aと、第2屈曲部234bとを備えていても良い。第1屈曲部234aは平面部235と接続してヒートスプレッダ120側(半導体装置200のパッケージ上面側)に折れ曲がる部分であり、第2屈曲部234bは、第1屈曲部234aと接続して半導体装置200のパッケージ下面側に折れ曲がる部分である。
(Modification 1)
FIG. 14 is a schematic diagram showing a modification of the
なお、二段階より多数の多段階の折り曲げを行っても良い。例えば、図14(B)に示すように、平面部237とともに、Ω型の形状の屈曲部236を設けても良い。これにより狭いスペースにおいて折り曲げ回数を増大させて、吸湿距離(沿面距離)をより一層拡大することができる。
It should be noted that more than two stages of bending may be performed. For example, as shown in FIG. 14B, an Ω-shaped
(変形例2)
図15は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置200の変形例を示す模式図である。この図は、図13(A)に示す断面図に対応しており、図13(A)の断面構造を変形させたものである。図15に示すように、周縁部227に平面部243および屈曲部241が設けられている。金属シート24(銅箔)の端部に設けられた屈曲部241は、ダレ面241aおよびカエリ面241bを有している。モールド樹脂がダレ面241aの表面を覆うとともにカエリ面241bが突き出ることによって、ダレ面241aの無い直角の場合と比べて、吸湿距離(沿面距離)を大きくすることができる。
(Modification 2)
FIG. 15 is a schematic diagram showing a modification of the
シート部材の切断加工の際に、切断をするための上下金型のクリアランスを大きくするようにすれば、大きな銅箔ダレを形成することが可能である。また、製造工程上、金型のクリアランスの大きさを制御することで足りるため、新しい追加工程を必要とせず、コスト増加を抑制できる。 A large copper foil sag can be formed by increasing the clearance between the upper and lower molds for cutting the sheet member. Moreover, since it is sufficient to control the size of the mold clearance in the manufacturing process, a new additional process is not required, and an increase in cost can be suppressed.
図16は、図15と同様の考え方で変形された、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置200の変形例を示す模式図である。図15のカエリ面241bほどにはカエリが大きくないが、図16でもダレ面254をモールド樹脂が覆うことができる。その結果、同様に、吸湿距離(沿面距離)拡大が図れる。
FIG. 16 is a schematic diagram showing a modification of the
(変形例3)
図17は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置200の変形例を示す模式図である。図17に示す変形例では、屈曲部228の裏面に、溝244を2つ設ける。溝244は、図17の紙面を貫通する方向に連続的に伸びており、いわゆるケガキを行うことで材料(金属シート24)の表面に傷をつけて線状の溝を設けたものである。この溝により、吸湿距離(沿面距離)を拡大できる。また、この溝244で凹凸形状を設けた結果、モールド樹脂42と金属シート24表面との間の接着面積を拡大し、密着性を向上させることができる。なお、この溝244は、1つであってもよく、或いは3つ以上でも良い。連続的にではなく、所定間隔を置いて不連続的に設けても良い。
(Modification 3)
FIG. 17 is a schematic diagram illustrating a modification of the
(変形例4)
図18は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置200の変形例を示す模式図である。モールド樹脂42における周縁部227付近に、面取部250を設けている。面取りの角度は、周縁部における屈曲部の角度と一致させても良い。これにより、パッケージ小型化、モールド樹脂使用量の低減が可能でありコスト低減効果がある。なお、図18にあるように、屈曲部の近傍において、ヒートスプレッダ120の底面隅部に断面視で曲面形状の面取りを施しても良い。曲面ではなく直線的な面取り(いわゆるC面取り)としてもよい。
(Modification 4)
FIG. 18 is a schematic diagram illustrating a modification of the
(変形例5)
図19は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置200の変形例を示す模式図である。便宜上、モールド樹脂42を透視して半導体装置200内部構造を図示しており、ヒートスプレッダ120およびシート部材226のみを示す簡略化した図である。上述の図14乃至16に係る変形例は、半導体装置200における周縁部227について、その断面構造を各種変形させたものである。一方、図19に示す各変形例は、平面視における、半導体装置200における周縁部227を設ける位置を各種変形させたものである。
(Modification 5)
FIG. 19 is a schematic diagram showing a modification of the
図19(A)に示す変形例では、シート部材226の四辺全ての周縁部274に、平面部272および屈曲部270を設けた構成としている。
図19(B)に示す変形例では、シート部材226の四つの隅に部分的に平面部278および屈曲部276を設けた構成としている。絶縁破壊の発生頻度の高いヒートスプレッダの四隅のみに部分的に屈曲部を設けてもよい。
図19(C)に示す変形例では、シート部材226の対向する2つの長辺の周縁部286を、平面部282および屈曲部280を設けた構成としている。四辺全てに屈曲部を設ける場合に比して、曲げ加工の容易性や、曲げ加工工程のコストが低い等のメリットがある。
なお、図19に示す変形例において、各平面部および屈曲部の断面形状は、実施の形態2の図13の構成と同じものとしてもよく、あるいは上記の図14乃至16に記載の各種変形例としてもよい。
In the modification shown in FIG. 19A, a
In the modification shown in FIG. 19B, a
In the modification shown in FIG. 19C, the two long side
In the modification shown in FIG. 19, the cross-sectional shape of each plane part and the bent part may be the same as the configuration of FIG. 13 of the second embodiment, or the various modifications shown in FIGS. It is good.
実施の形態3.
以下に、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態3にかかる製造方法は、実施の形態2と同様にシート部材226の周縁部に屈曲部を設けた半導体装置を製造するためのものである。以下の図20乃至23は、各図の紙面左右において対称形状であるため紙面左側の部分のみを図示しており、図示を簡略化している。
The method for manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment of the present invention will be described below. The manufacturing method according to the third embodiment is for manufacturing a semiconductor device in which a bent portion is provided at the peripheral edge of the
また、図20乃至23は簡略化した模式図であるが、実際には、半導体装置200と同様に、ヒートスプレッダ120、シート部材226、パワー半導体素子としてのIGBT30およびダイオード32と、モールド樹脂42とを備えている。ほかにも、半導体装置200と同様に、ワイヤ44、46、信号端子38、及び主端子36、37も備えられている。これらの各部品の搭載箇所や相対的な位置関係は、図11および図12に示したのと同じである。
20 to 23 are simplified schematic diagrams. Actually, like the
図20は、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。実施の形態3にかかる製造方法では、まず、第1のステップとして、準備工程が行われる。この準備工程では、ヒートスプレッダ120、半導体素子(IGBT30およびダイオード32)と、シート部材226を準備する。これに加えて半導体装置200と同様に、ワイヤ44、46、信号端子38、及び主端子36、37も準備する。
FIG. 20 is a schematic diagram for explaining the method for manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. In the manufacturing method according to the third embodiment, a preparation process is first performed as the first step. In this preparation step, the
ここで、実施の形態3では、「屈曲部形成手段」として、シート部材226の周縁部227に突起290を設ける。屈曲部形成手段は、シート部材226の周縁部を折り曲げる手段である。この突起290は、好ましくは、樹脂材料とする。樹脂材料により加工性および絶縁性を確保するためである。具体的には、シート部材226の端部裏面側に、各辺に沿ってその辺の一端から他端にかけて連続的に(或いは不連続的に)、絶縁材料をコーティングする。このコーティング材料が硬化することで突起290となる。
Here, in the third embodiment, the
上金型291aおよび下金型291bは、モールド樹脂成型用の金型である。樹脂注入経路は図示を省略している。モールド樹脂成型のため上金型291aおよび下金型291bにより形成されるキャビティ内に、ヒートスプレッダ120、シート部材226等の封止対象部品を設置する。ヒートスプレッダ120の底面の縁から突き出した周縁部227を生じさせるように、ヒートスプレッダ120をシート部材226の表面に載せる。
The
このとき突起290が屈曲部形成手段として機能し、図20(B)に示すように、ヒートスプレッダ120および突起290によってシート部材226の周縁部227が折り曲げられる。図20の製造方法によれば、シート部材226に対する加工(コーティング材料の塗布)によって、既存のモールド金型(上金型291aおよび下金型291b)を流用して、シート部材226の端部を折り曲げることができる。
At this time, the
周縁部に折り曲げが施された状態で、図20(B)に示すように、樹脂封止工程が実施される。れにより、モールド樹脂42によって、シート部材226の表面および周縁部227における裏面、ヒートスプレッダ120、IGBT30等の半導体素子、および図示しない主端子やワイヤ等の構成部品を封止することができる。また、下金型291bの底面と接するシート部材226裏面(つまり金属シート24の一部の裏面)にはモールド樹脂42は入り込まないので、シート部材226の裏面の少なくとも一部がモールド樹脂42から露出する。
In a state where the peripheral edge portion is bent, a resin sealing step is performed as shown in FIG. Thus, the
(変形例1)
なお、屈曲部形成手段が、モールド金型におけるキャビティ底面に設けられ、キャビティ内部へと突き出しが可能なピンであってもよい。図21は、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法の変形例を説明するための模式図である。図21では、下金型291cに、貫通穴およびその内部で軸方向に進出と後退が可能な可動ピン292を設ける。可動ピン292の先端が当たる位置にシート部材226の端部を配置したうで、可動ピン292を進出させる。これにより、図21に示すようにシート部材226の端部を折り曲げることができる。
(Modification 1)
The bent portion forming means may be a pin provided on the bottom surface of the cavity in the mold and capable of protruding into the cavity. FIG. 21 is a schematic diagram for explaining a modification of the semiconductor device manufacturing method according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 21, the
例えばモールド工程時に、先に可動ピン292を押し付けて折り曲げを行い、折り曲げによる屈曲部形成後に、可動ピン292を後退させた状態でモールド樹脂の注入を行っても良い。或いは、可動ピン292を突き出した状態でモールド樹脂注入し、さらに可動ピン292で生じた穴を樹脂で埋めても良い。なお、可動ピン292は、シート部材226が配置される所定区域の縁に沿って、複数本備えられていても良い。
For example, during the molding process, the
(変形例2)
なお、屈曲部形成手段が、モールド金型におけるキャビティ底面に設けられた凸部であってもよい。図22は、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法の変形例を説明するための模式図である。図22の製造方法では、底面に凸部294を設けた下金型291dを用いてモールド樹脂封止工程を実施する。この凸部294は角度θ3の傾斜を有する斜面294aを有している。
(Modification 2)
The bent portion forming means may be a convex portion provided on the bottom surface of the cavity in the mold. FIG. 22 is a schematic diagram for explaining a modification of the semiconductor device manufacturing method according to the third embodiment of the present invention. In the manufacturing method of FIG. 22, a mold resin sealing step is performed using a
斜面294aに端部側の裏面が当たるようにシート部材226を配置し、凸部294よりも紙面右側にヒートスプレッダ120を配置する。これにより、図22に示すようにシート部材226の端部を精度よく所望角度に折り曲げることができる。
The
(変形例3)
なお、屈曲部形成手段が、モールド金型におけるキャビティ底面に設けられ、キャビティ内部へと突き出しが可能な第1のピンとともに、このピンと対向するようにモールド金型のキャビティ上面に設けられキャビティ内部へと突き出し可能な第2のピンであってもよい。第1のピンと第2のピンの間の距離は、周縁部227の寸法程度に離間されている。
(Modification 3)
The bent portion forming means is provided on the bottom surface of the cavity in the mold, and is provided on the upper surface of the cavity of the mold so as to face the pin together with the first pin that can protrude into the cavity. The second pin can be projected. The distance between the first pin and the second pin is separated by about the size of the
図23は、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法の変形例を説明するための模式図である。図23の製造方法では、前述した可動ピン292を有する下金型291cとともに、可動ピン298を備えた上金型291eを使用する。可動ピン292の先端が当たる位置にシート部材226の端部を配置したうで、可動ピン292を進出させる。このとき可動ピン298も押し付けて、可動ピン298の先端が、図23に示すようにヒートスプレッダ120の周囲近傍におけるシート部材226の表面を押さえつけるようにする。これにより、図23に示すようにシート部材226の端部を折り曲げることができ、さらに可動ピン298の押し付けにより曲げ安定性が向上する。
FIG. 23 is a schematic diagram for explaining a modification of the semiconductor device manufacturing method according to the third embodiment of the present invention. In the manufacturing method of FIG. 23, an
例えばモールド工程時に、先に可動ピン292、298を押し付けて折り曲げを行い、折り曲げによる屈曲部形成後に、可動ピン292、298を後退させた状態でモールド樹脂の注入を行っても良い。或いは、可動ピン292,298を突き出した状態でモールド樹脂注入し、さらに可動ピン292、298で生じた穴を樹脂で埋めても良い。
For example, at the time of the molding process, the
なお、可動ピン292は、シート部材226が配置される所定区域の縁に沿って、複数本備えられていても良い。また、可動ピン298は、ヒートスプレッダ120が配置される所定区域の外周に沿って、複数本備えられていてもよい。
A plurality of
実施の形態4.
図24は、本発明の実施の形態4にかかる半導体装置202の周縁部近傍を部分的に示す模式的な断面図である。図24に示す半導体装置202は、シート部材226の裏面の一部をモールド樹脂42で覆う点で、実施の形態2にかかる半導体装置200と共通する。しかし、それ以外に、以下に述べる技術的特長をも有している。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 24 is a schematic cross-sectional view partially showing the vicinity of the periphery of the
先ず、図24に示す実施の形態4にかかる半導体装置202の構成を説明する。半導体装置202も、半導体装置200と同様に、ヒートスプレッダ120、シート部材226、パワー半導体素子としてのIGBT30およびダイオード32と、モールド樹脂42とを備えている。ほかにも、半導体装置200と同様に、ワイヤ、信号端子、及び主端子も備えられている。
First, the configuration of the
図24(A)は、半導体装置202の製造途中における、ヒートスプレッダ120の搭載前の様子を示す周縁部付近の拡大断面図である。図24(B)は、モールド樹脂封止後における、半導体装置202の周縁部付近を拡大した断面図である。モールド樹脂42、ヒートスプレッダ120およびシート部材226以外の構成は、実施の形態2にかかる半導体装置200と同様である。つまり、ほかにも、半導体装置200と同様に、ワイヤ44、46、信号端子38、及び主端子36、37も備えられている。これらの各部品の搭載箇所や相対的な位置関係は、図11および図12に示したのと同じであるため、説明の便宜上、図示を省略している。
FIG. 24A is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the peripheral edge portion showing the state before mounting the
図24(A)に示すように、シート部材226は、周縁部227に薄厚部296を有している。薄厚部296は、シート部材226の裏面(つまり、金属シート24の表面)に段差297を形成するように薄くされた部分である。薄厚部296の厚さは、シート部材226の中央側(肉厚の部分)の厚さの1/2とする。この段差297は、シート部材226の裏面の端部近傍位置から周縁部227の先端にかけて、連続的に設けられた段差である。図24(B)に示すように、モールド樹脂封止がなされた半導体装置202では、モールド樹脂42が、段差297を覆う段差封止樹脂部299を備えることになる。
As shown in FIG. 24A, the
一方、この実施の形態4では、半導体装置200において周縁部227に屈曲部228が設けられていたのとは異なり、周縁部227が全て平面部となっている。つまり、シート部材226の端部に折り曲げ等が施されていない。
On the other hand, in the fourth embodiment, unlike the
実施の形態4では、次のような作用効果が得られる。
先ず、シート部材226の裏面の一部を、モールド樹脂42で覆うことができる。シート部材226の裏面の端部近傍位置から周縁部227の先端まで薄厚部296が存在し、この薄厚部296をモールド樹脂42が封止している。よって、水の侵入経路は、薄厚部296とモールド樹脂42との界面の分だけ、確実に拡大している。吸湿距離(沿面距離)の拡大、モールド樹脂の密着性向上効果が得られる。
また、金属シート(本実施の形態では銅箔)とモールド樹脂との間の密着力は、金属シート(本実施の形態では銅箔)と絶縁層(絶縁シート)との間の密着力よりも高い。また、モールド樹脂と接する金属シート(本実施の形態では銅箔)の表面積を拡大することで、アンカー効果が発揮される。これにより、高い密着性による吸湿水進入防止を行うことができる。
In the fourth embodiment, the following operational effects are obtained.
First, a part of the back surface of the
Further, the adhesion between the metal sheet (copper foil in the present embodiment) and the mold resin is greater than the adhesion between the metal sheet (copper foil in the present embodiment) and the insulating layer (insulation sheet). high. Moreover, the anchor effect is exhibited by enlarging the surface area of the metal sheet (copper foil in the present embodiment) in contact with the mold resin. Thereby, the hygroscopic water approach prevention by high adhesiveness can be performed.
さらに、実施の形態4では、周縁部227が全て平面部となっている。このため、ヒートスプレッダ120の位置ずれがあっても、前述したような屈曲部228とヒートスプレッダ120との間の設計マージンの問題を回避することができる。このため、製造プロセス上の利点がある。
Further, in the fourth embodiment, the
なお、金属シート24(銅箔)の端部に対して化学的加工(ハーフエッチング)を行うことで、薄厚部296を形成してもよい。また、金属シート24(銅箔)の端部に対して機械的加工(シェービング)を行うことで、薄厚部296を形成してもよい。
In addition, you may form the
実施の形態5.
以下、本発明の実施の形態5にかかる半導体装置について説明する。以下に述べる実施の形態5にかかる半導体装置およびその変形例は、シート部材の周縁部の表面に、少なくとも1つの凸部又は凹部が設けられた点で共通している。
Embodiment 5 FIG.
The semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention will be described below. The semiconductor device according to the fifth embodiment described below and its modification are common in that at least one convex portion or concave portion is provided on the surface of the peripheral portion of the sheet member.
[実施の形態5の構成]
図25は、本発明の実施の形態5にかかる半導体装置300の断面図である。図26は、本発明の実施の形態5にかかる半導体装置300の平面図である。図25は、図26におけるD−D線に沿って半導体装置300を切断した断面を示している。図26は、図25の半導体装置300を図25の紙面上から下方に見下ろした平面図であり、便宜上、モールド樹脂を透視して半導体装置300の内部構造を図示している。
[Configuration of Embodiment 5]
FIG. 25 is a sectional view of a
半導体装置300は、次の二つの相違点を除き、参考例の半導体装置10と同様の構成を備えている。第1の相違点は、シート部材26に代えてシート部材326を備えている点である。第2の相違点は、ヒートスプレッダ20に代えて、実施の形態1で説明したヒートスプレッダ120を備えている点である。
The
シート部材326は、凹部328を備えている点で、シート部材26と異なっている。それ以外の点、つまり、絶縁シート22と金属シート24の積層構造である点や、周縁部27と同様に周縁部327を備えている点は、共通している。
The
図26に示すように、実施の形態5では、シート部材326の2つの短辺に、ヒートスプレッダ120を取り囲むように、それぞれ、複数の凹部328が設けられている。
As shown in FIG. 26, in the fifth embodiment, a plurality of
図27(A)は、本発明の実施の形態5にかかる周縁部付近を簡略化して示した部分断面図である。図27(B)は、図27(A)のE−E線に沿う断面図である。図に示すように、各凹部328は円形であり、各凹部328の深さは絶縁シート22の途中までである。凹部328は、シート部材326の端から周縁部327におけるヒートスプレッダ120直近まで設けられている。
FIG. 27A is a partial cross-sectional view schematically showing the vicinity of the peripheral edge according to the fifth embodiment of the present invention. FIG. 27B is a cross-sectional view taken along the line EE in FIG. As shown in the figure, each
なお、凹部328は、絶縁シート22に対して可動ピンを突き刺すことで形成しても良い。これにより加工が容易であり、コスト低減効果がある。
The
[実施の形態5の作用]
本実施の形態にかかる半導体装置300によれば、シート部材326の周縁部327の表面に、複数の凹部328が設けられる。この凹部328は、複数の凹部を形成する。複数の凹部により、シート部材326が単に平坦面である場合と比べて、吸湿距離(沿面距離)が拡大する。
[Operation of Embodiment 5]
According to the
さらに、本実施の形態によれば、複数の凹部328内にモールド樹脂が入り込むことによって接着面積が増大し、シート部材326の周縁部327とモールド樹脂42の界面の密着性を向上することができる。絶縁破壊の原因となる吸湿を抑制することができる。これにより、ヒートスプレッダ120の絶縁破壊を抑制することができる。
Furthermore, according to the present embodiment, the adhesive area is increased by the mold resin entering the plurality of
[実施の形態5の変形例]
以下、図面を用いて、実施の形態5の変形例を説明する。以下の図では、便宜上、モールド樹脂42を透視して半導体装置300内部構造を図示しており、構成を簡略化して示す図である。具体的には、モールド樹脂42、ヒートスプレッダ120およびシート部材326以外の構成については省略あるいは簡略化されている。
[Modification of Embodiment 5]
Hereinafter, a modification of the fifth embodiment will be described with reference to the drawings. In the following drawings, for convenience, the internal structure of the
(変形例1)
図28は、本発明の実施の形態5にかかる半導体装置300の変形例を示す模式的な断面図である。図28(A)は、本発明の実施の形態5にかかる周縁部付近を簡略化して示した部分断面図である。図28(B)は、図27(A)のF−F線に沿う断面図である。この変形例1では、実施の形態5にかかる凹部328と同様の位置、個数で複数の穴部332が設けられているが、この穴部332は絶縁シート22を貫通して金属シート24の表面を露出させる点が凹部328と異なっている。これにより、凹部328と同様の効果に加え、銅箔の金属シート24における表面とモールド樹脂42との間の接着を生じさせることができる。
(Modification 1)
FIG. 28 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the
また、金属シート(本実施の形態では銅箔)とモールド樹脂との間の密着力は、金属シート(本実施の形態では銅箔)と絶縁層(絶縁シート)との間の密着力よりも高い。また、モールド樹脂と接する金属シート(本実施の形態では銅箔)の表面積を拡大することで、アンカー効果が発揮される。これにより、高い密着性による吸湿水進入防止を行うことができる。 Further, the adhesion between the metal sheet (copper foil in the present embodiment) and the mold resin is greater than the adhesion between the metal sheet (copper foil in the present embodiment) and the insulating layer (insulation sheet). high. Moreover, the anchor effect is exhibited by enlarging the surface area of the metal sheet (copper foil in the present embodiment) in contact with the mold resin. Thereby, the hygroscopic water approach prevention by high adhesiveness can be performed.
なお、穴部332は、絶縁シート22に対して可動ピンを突き刺すことで形成しても良い。この場合、加工が容易であり、コスト低減効果が得られる。
The
(変形例2)
図29は、本発明の実施の形態5にかかる半導体装置300の変形例を示す模式的な断面図である。図29では、凹部328に代えて、三角形状の凹凸を有する凹凸部334を設けている。これにより、平坦の場合と比べて、シート部材326が単に平坦面である場合と比べて、吸湿距離(沿面距離)が拡大する。また、凹部328の場合と同様に、モールド樹脂42との界面の接触表面積増大により、密着性も向上する。
(Modification 2)
FIG. 29 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the
(変形例3)
図30は、本発明の実施の形態5にかかる半導体装置300の変形例を示す模式的な断面図である。図30(A)は、本発明の実施の形態5にかかる周縁部付近を簡略化して示した部分断面図である。図30(B)は、図30(A)のG−G線に沿う断面図である。図30では、凹部328に代えて、矩形状の凹部を有する凹部336を設けている。これにより、平坦の場合と比べて、シート部材326が単に平坦面である場合と比べて、吸湿距離(沿面距離)が拡大する。また、凹部328の場合と同様に、モールド樹脂42との界面の接触表面積増大により、密着性も向上する。
(Modification 3)
FIG. 30 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the
なお、図30(B)のように平面視で長方形状(線状)となる凹部に限られず、平面視で正方形の凹部が複数(多数)並べられていてもよい。また、凹部の平面視形状は必ずしも単純な矩形でなくともよく、平面視でL字状やU字状、環状などの種々のパターンを含んでも良い。 In addition, it is not restricted to the recessed part which becomes rectangular shape (line shape) by planar view like FIG.30 (B), The square recessed part may be arranged in multiple numbers (large number) by planar view. Further, the shape of the concave portion in plan view is not necessarily a simple rectangle, and may include various patterns such as an L shape, a U shape, and a ring shape in the plan view.
(変形例4)
図31(A)および(B)は、本発明の実施の形態5にかかる半導体装置300の変形例を示す模式的な断面図である。図31に示す変形例は、シート部材326に肉厚部338を設けたものである。肉厚部338がある場合には、一様な厚さの場合と比べて、肉厚となった厚さ分だけ吸湿距離(沿面距離)が拡大する。また、絶縁層を肉厚とすることで、ヒートスプレッダ120の端部(特に四隅)の電界集中を、緩和することもできる。
(Modification 4)
31A and 31B are schematic cross-sectional views showing modifications of the
なお、図31では、肉厚部338の側面338aに、ヒートスプレッダ120の側面を接するように配置した。しかしながら、本発明はこれに限られず、側面338aとヒートスプレッダ120の側面とを離間してもよい。離間して生じたそのスペースには、モールド樹脂42が充填される。これにより、吸湿距離(沿面距離)の拡大を更に図ることができる。
In FIG. 31, the
(変形例5)
本実施の形態では、シート部材326の2つの短辺にそれぞれ複数の凹部328が設けられている。しかしながら、上述した実施の形態5にかかる凹部328や変形例1乃至5の各種構成を、半導体装置300の平面視においてシート部材326の何れの位置に設けるかは、様々な変形が可能である。
例えば、実施の形態5においても、実施の形態2において図19に示したのと同様の変形が可能である。例えば、図19(A)に示した変形例と同じように、シート部材326の四辺全ての周縁部327に、凹部328や変形例1乃至5の各種構成を設けてもよい。あるいは、図19(B)に示した変形例と同じように、シート部材326の四つの隅に部分的に凹部328や変形例1乃至5の各種構成を設けても良い。あるいは、図19(C)に示す変形例と同じように、シート部材326の対向する2つの長辺の周縁部327に、凹部328や変形例1乃至5の各種構成を設けても良い。
(Modification 5)
In the present embodiment, a plurality of
For example, in the fifth embodiment, the same modification as that shown in FIG. 19 in the second embodiment is possible. For example, as in the modification shown in FIG. 19A, the
実施の形態6.
図32は、本発明の実施の形態6にかかる半導体装置302の構成を示す模式的な断面図である。図32(A)は、半導体装置302の製造途中における、ヒートスプレッダ120の搭載前の様子を示す周縁部付近の拡大断面図である。図32(B)は、モールド樹脂封止後における、半導体装置302の周縁部付近を拡大した断面図である。
Embodiment 6 FIG.
FIG. 32 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the
半導体装置302も、半導体装置200と同様に、ヒートスプレッダ120、シート部材326、パワー半導体素子としてのIGBT30およびダイオード32と、モールド樹脂42とを備えている。ほかにも、半導体装置200と同様に、ワイヤ、信号端子、及び主端子も備えられている。しかし、モールド樹脂42、ヒートスプレッダ120およびシート部材326以外の構成は、実施の形態2にかかる半導体装置200と同様であるため、説明の便宜上、図示を省略している。
Similar to the
図32(A)に示すように、実施の形態6では、シート部材326の周縁部には、複数の貫通穴342が設けられている。貫通穴342の縁部には、裏面側に突出するバリ344がそれぞれ設けられている。図32(B)に示すように、モールド樹脂封止がなされた半導体装置302では、モールド樹脂42が、周縁部の裏面におけるバリ344が設けられた部分を覆うバリ被覆部345を備えることになる。
これにより、シート部材326の裏面を覆うことで吸湿距離(沿面距離)の拡大を図ることができる。また、バリ被覆部345がバリ344を覆うことで、バリ344がない場合に比して、銅箔である金属シート24とモールド樹脂42との接着面積を増大させることができる。
As shown in FIG. 32A, in the sixth embodiment, a plurality of through
Thereby, the moisture absorption distance (creeping distance) can be increased by covering the back surface of the
実施の形態7.
[実施の形態7の構成]
図33は、本発明の実施の形態7にかかる半導体装置400の断面図である。図34は、本発明の実施の形態7にかかる半導体装置400の平面図である。図33は、図34におけるH−H線に沿って半導体装置400を切断した断面を示している。図34は、図33の半導体装置400を図33の紙面上から下方に見下ろした平面図であり、便宜上、モールド樹脂を透視して半導体装置400の内部構造を図示している。
Embodiment 7 FIG.
[Configuration of Embodiment 7]
FIG. 33 is a sectional view of a
半導体装置400は、次の二つの相違点を除き、参考例の半導体装置10と同様の構成を備えている。第1の相違点は、シート部材26に代えてシート部材426を備えている点である。第2の相違点は、ヒートスプレッダ20に代えて、実施の形態1で説明したヒートスプレッダ120を備えている点である。
The
図35は、本発明の実施の形態7にかかる半導体装置400の周縁部付近の拡大断面図である。シート部材426は、シート部材26、226、326と同様に、絶縁シートと金属シートとが積層されたものであり、それらのシート部材と同様に周縁部427を有している。ただし、シート部材426は、絶縁シート422よりも、金属シート24のほうが平面視において一回り大きいサイズを有している。つまり、絶縁シート422の外形は金属シート24よりも一回り小さく、金属シート24が絶縁シートの縁から突き出た周縁部428をさらに備えている。モールド樹脂42は、この周縁部428の表面を覆っている。
FIG. 35 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the periphery of the
[実施の形態7の作用]
本実施の形態によれば、シート部材426の周縁部427とモールド樹脂42の界面の密着性を向上することができる。すなわち、金属シート(本実施の形態では銅箔)とモールド樹脂との間の密着力は、金属シート(本実施の形態では銅箔)と絶縁層(絶縁シート)との間の密着力よりも高い。また、モールド樹脂と接する金属シート(本実施の形態では銅箔)の表面積を拡大することで、アンカー効果が発揮される。これにより、高い密着性による吸湿水進入防止を行うことができる。これにより、絶縁破壊の原因となる吸湿を抑制することができる。これにより、ヒートスプレッダ120の絶縁破壊を抑制することができる。
[Operation of Embodiment 7]
According to the present embodiment, the adhesion at the interface between the
[実施の形態7の変形例]
図36乃至図43は、本発明の実施の形態7にかかる半導体装置400の変形例を示す、周縁部付近の模式的な拡大断面図である。
図36のように、周縁部428に、三角形状の凹凸部430を設けてもよい。
図37のように、周縁部428を折り曲げて、屈曲部435を設けても良い。ここで、図37(A)のように、周縁部428を全て折り曲げてもよい。また、図37(B)のように、周縁部428を絶縁シート422反部から寸法Lの位置で途中で折り曲げて、屈曲部441および平面部442を設けても良く、この場合には絶縁耐圧も向上できる。図38のように、所定の鈍角であるθ4だけ折曲げを施して屈曲部444を設けたり、所定の鋭角であるθ5だけ折曲げを施して屈曲部446を設けたりしてもよい。この折り曲げ角度は、15度〜165度の範囲とすることが好ましい。図37、38に示すように、折り曲げた場合、モールド樹脂42は、金属シート24の表面と裏面とを覆う。そうすると、金属シート(本実施の形態では銅箔)の表裏両面にモールド樹脂が接着するので、高い密着性を得ることができる。
図39に示すように、周縁部428に、複数の凹部458を設けても良い。図39(B)は、図39(A)の矢印Jに沿って見た平面図であり、モールド樹脂42を便宜上透視した図である。
図40に示すように、周縁部428に複数の貫通穴460を設けても良い。
[Modification of Embodiment 7]
FIG. 36 to FIG. 43 are schematic enlarged cross-sectional views in the vicinity of the peripheral portion, showing modifications of the
As shown in FIG. 36, the
As shown in FIG. 37, the
As shown in FIG. 39, a plurality of
As shown in FIG. 40, a plurality of through
図41に示すように、周縁部428に、台形の凹部468を設けても良い。図41(B)は、図41(A)における凹部468近傍の拡大断面図である。台形の凹凸部468によれば、吸湿距離の更なる拡大、金属シートとモールド樹脂との接着面積向上の効果がある。これに加え、モールド樹脂42が凹部468内に入り込むことで、モールド樹脂42と金属シート24とを機械的にも結合させることができる。
As shown in FIG. 41, a
図42は、図41に示した凹部468の製造方法の一例を示す図である。図42(A)の断面図および図42(B)の平面図に示す形状を有するプレス器具先端469を、金属シート24に対して突き刺す。次に、図42(B)の矢印にあるように、180度或いは360度だけプレス器具先端469を回転させる。そうすると、回転により金属シート24が抉り取られ、図42(C)の平面図において点線の円で示す凹部468の底部外縁468aおよび入口部468bが形成される。その後、180度あるいは360度の回転を経た後に、入口部468bからプレス器具先端469を抜き出す。その結果、図42(D)の平面図および図42(E)の断面図(図42(D)のK−K線に沿う断面)に示すように、凹部468が形成される。
FIG. 42 is a diagram showing an example of a method for manufacturing the
図43(A)および(B)に示すように、金属シート24に複数の貫通穴478を設けて、貫通穴478のふちにバリ479を残しても良い。これは、実施の形態6と同様の技術的思想に基づくものである。その後、モールド樹脂42による樹脂封止により、図43(C)のように、モールド樹脂42が周縁部の裏面におけるバリ479が設けられた部分を覆うバリ被覆部を備えることになる。
As shown in FIGS. 43A and 43B, the
なお、本実施の形態では、シート部材426の四辺において周縁部428が設けられている。しかしながら、半導体装置400の平面視においてシート部材426の何れの位置に周縁部428を設けるかは、様々な変形が可能である。例えば、実施の形態7においても、シート部材426の対向する長辺や短辺や、四隅のみにおいて周縁部428を設けても良い。
In the present embodiment,
なお、上記の各実施形態は、適宜に組み合わせて用いることができる。また、平面視においてシート部材の両短辺、両長辺および四隅のいずれかの箇所に対して、上記実施の形態1乃至6のコーティング層、屈曲部および穴部等を適宜に設けることができる。 The above embodiments can be used in appropriate combination. In addition, the coating layer, the bent portion, the hole portion, and the like according to the first to sixth embodiments can be appropriately provided for any one of the short side, the long side, and the four corners of the sheet member in plan view. .
なお、上記の各実施形態では、パワー半導体素子として、IGBTを用いた。しかしながら、本発明はこれに限られず、パワー半導体素子としてMOSFETを用いてもよい。
なお、参考例にかかるヒートスプレッダ20を、実施の形態1乃至4における半導体装置のヒートスプレッダとして用いてもよい。また、上記の各実施形態では、パワー半導体素子としてのIGBTとフリーホイールダイオードが1セットだけ樹脂封止された半導体装置を開示したが、本発明はこれに限られない。例えば、インバータ回路として複数セットのパワー半導体素子を内蔵する半導体装置でも本発明は適用可能であり、具体的には、例えば三相インバータとして6セットのIGBTおよびフリーホイールダイオードを備える半導体装置に対して本発明を適用できる。
In each of the above embodiments, an IGBT is used as the power semiconductor element. However, the present invention is not limited to this, and a MOSFET may be used as the power semiconductor element.
Note that the
10、100、200、202、300、302、400 半導体装置
20、120 ヒートスプレッダ
21、51 隅部
22 絶縁シート
24 金属シート
26、140、226、326、426 シート部材
27 周縁部
30 IGBT
32 ダイオード
36、37 主端子
38 信号端子
42 モールド樹脂
44、46 ワイヤ
122、124、126、128、130、132 コーティング層
10, 100, 200, 202, 300, 302, 400
32
Claims (17)
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接しかつ前記底面の縁から突き出した周縁部を備えるシート部材と、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記シート部材の前記表面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子を封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備え、
前記周縁部の前記表面に、前記封止樹脂体の樹脂よりも、絶縁性および前記シート部材の前記表面に対する密着性のうち少なくとも一方が高い電気絶縁性コーティング材料の層が設けられたことを特徴とする半導体装置。 An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
A sheet member comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader and protrudes from an edge of the bottom surface;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body that seals the front surface of the sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposes at least a part of the back surface of the sheet member;
With
The surface of the peripheral edge portion is provided with a layer of an electrically insulating coating material having at least one of insulation and adhesion to the surface of the sheet member higher than that of the resin of the sealing resin body. A semiconductor device.
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接しかつ前記底面の縁から突き出した周縁部を備えるシート部材と、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記シート部材の前記表面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子を封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備え、
前記シート部材の前記周縁部は、
前記底面と並行に延びる平面部と、
前記平面部の外側であって前記ヒートスプレッダの隅の近傍又は前記ヒートスプレッダの辺に沿って設けられ、前記表面側に凸となる屈曲部と
を備え、
前記屈曲部は、
前記平面部から延び、前記シート部材の前記周縁部を前記表面側に折り曲げた第1折曲部と、
前記第1折曲部の外側に設けられ前記第1折曲部からさらに折り曲げられた第2折曲部と、
を有し、
前記封止樹脂体は、前記屈曲部における前記シート部材の前記裏面を覆うものであることを特徴とする半導体装置。 An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
A sheet member comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader and protrudes from an edge of the bottom surface;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body that seals the front surface of the sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposes at least a part of the back surface of the sheet member;
With
The peripheral portion of the sheet member is
A plane portion extending in parallel with the bottom surface;
A bent portion that is provided on the outside of the flat portion and in the vicinity of the corner of the heat spreader or along the side of the heat spreader, and is convex on the surface side;
The bent portion is
A first bent portion extending from the flat surface portion and bending the peripheral edge portion of the sheet member to the surface side;
A second bent portion provided outside the first bent portion and further bent from the first bent portion;
Have
The said sealing resin body covers the said back surface of the said sheet member in the said bending part, The semiconductor device characterized by the above-mentioned.
モールド金型のキャビティ内に前記シート部材、前記ヒートスプレッダおよび前記ヒートスプレッダに固定した前記半導体素子を入れ、前記モールド金型の前記キャビティの底面に前記裏面を向けて当該キャビティの底面に前記シート部材を載せ、前記ヒートスプレッダの前記底面の縁から突き出した周縁部を生じさせるように前記ヒートスプレッダを前記シート部材の前記表面に載せて、屈曲部形成手段により前記ヒートスプレッダの側へと前記周縁部に折り曲げを施す工程と、
前記周縁部に折り曲げが施された状態で、前記シート部材の前記表面および前記周縁部における前記裏面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子を封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させるように、樹脂封止を行う工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Preparing an electrically conductive heat spreader having a bottom surface, a semiconductor element to be fixed to the heat spreader, and a sheet member having a front surface and a back surface and electrically insulating the front surface and the back surface;
The sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element fixed to the heat spreader are placed in a cavity of the mold, and the sheet member is placed on the bottom surface of the cavity with the back surface facing the bottom surface of the cavity of the mold die. A step of placing the heat spreader on the surface of the sheet member so as to produce a peripheral edge protruding from the edge of the bottom surface of the heat spreader, and bending the peripheral edge toward the heat spreader by a bent portion forming means. When,
In a state where the peripheral edge portion is bent, the front surface of the sheet member and the back surface of the peripheral edge portion, the heat spreader, and the semiconductor element are sealed, and at least a part of the back surface of the sheet member is sealed. A step of performing resin sealing so as to be exposed;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接しかつ前記底面の縁から突き出した周縁部を備えるシート部材と、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記シート部材の前記表面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子とを封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備え、
前記周縁部は、前記裏面に、前記周縁部の先端にかけて前記表面側に落ち込んだ段差を形成するように薄くされた薄厚部を有し、
前記封止樹脂体が前記シート部材の前記段差を覆うことを特徴とする半導体装置。 An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
A sheet member comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader and protrudes from an edge of the bottom surface;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body for sealing the front surface of the sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposing at least a part of the back surface of the sheet member;
With
The peripheral portion has a thin portion on the back surface that is thinned so as to form a step that falls to the front surface side toward the front end of the peripheral portion.
The semiconductor device, wherein the sealing resin body covers the step of the sheet member.
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接しかつ前記底面の縁から突き出した周縁部を備えるシート部材と、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記シート部材の前記表面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子を封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備え、
前記周縁部の前記表面には、少なくとも1つの凸部又は凹部が設けられたことを特徴とする半導体装置。 An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
A sheet member comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader and protrudes from an edge of the bottom surface;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body that seals the front surface of the sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposes at least a part of the back surface of the sheet member;
With
The semiconductor device according to claim 1, wherein at least one convex portion or concave portion is provided on the surface of the peripheral portion.
前記周縁部における少なくとも前記底面の隅の近傍に設けられ前記シート部材の中央部分よりも前記表面側に凸となる段差を、
含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。 The at least one protrusion is
A step that is provided at least in the vicinity of the corner of the bottom surface at the peripheral edge and is convex toward the front surface side than the central portion of the sheet member,
The semiconductor device according to claim 9, further comprising:
前記少なくとも1つの凸部が、前記凹凸部の凸であり、
前記少なくとも1つの凹部が、前記凹凸部の凹であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。 The surface of the peripheral portion has a concave and convex portion formed of a concave and a convex provided so that the surface roughness is larger than the surface of the central portion of the sheet member,
The at least one protrusion is a protrusion of the uneven part;
The semiconductor device according to claim 9, wherein the at least one recess is a recess of the uneven portion.
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接しかつ前記底面の縁から突き出した周縁部を備えるシート部材と、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記シート部材の前記表面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子とを封止し、かつ前記シート部材の前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備え、
前記シート部材が、前記表面側に位置する絶縁層と前記絶縁層よりも前記裏面側に位置する金属層とを積層したものであり、
前記周縁部には、前記表面と前記裏面を貫通する少なくとも1つの貫通穴が設けられ、
前記金属層の前記裏面側の面における前記貫通穴の縁部には、前記裏面側に突出するバリが設けられており、
前記封止樹脂体は、前記周縁部の前記裏面における前記バリが設けられた部分を覆うことを特徴とする半導体装置。 An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
A sheet member comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader and protrudes from an edge of the bottom surface;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body for sealing the front surface of the sheet member, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposing at least a part of the back surface of the sheet member;
With
The sheet member is a laminate of an insulating layer located on the front surface side and a metal layer located on the back side from the insulating layer,
The peripheral edge is provided with at least one through-hole penetrating the front surface and the back surface,
At the edge of the through hole in the surface on the back surface side of the metal layer, a burr projecting to the back surface side is provided,
The said sealing resin body covers the part in which the said burr | flash was provided in the said back surface of the said peripheral part.
表面および裏面を備え、前記表面と前記裏面を電気的に絶縁し、前記表面が前記ヒートスプレッダの前記底面に接する絶縁シートと、
前記絶縁シートの前記裏面に接し、前記絶縁シートの縁から突き出た周縁部を備え、前記周縁部が前記ヒートスプレッダ側を向く上面を備える金属シートと、
前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダと電気的に接続された半導体素子と、
前記金属シートの前記上面、前記ヒートスプレッダ、および前記半導体素子を封止し、かつ前記金属シートの前記裏面の少なくとも一部を露出させる封止樹脂体と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 An electrically conductive heat spreader having a bottom surface;
An insulating sheet comprising a front surface and a back surface, electrically insulating the front surface and the back surface, wherein the front surface is in contact with the bottom surface of the heat spreader;
A metal sheet provided with a peripheral portion that is in contact with the back surface of the insulating sheet and protrudes from an edge of the insulating sheet, and wherein the peripheral portion has an upper surface facing the heat spreader side;
A semiconductor element fixed to the heat spreader and electrically connected to the heat spreader;
A sealing resin body for sealing the upper surface of the metal sheet, the heat spreader, and the semiconductor element, and exposing at least a part of the back surface of the metal sheet;
A semiconductor device comprising:
前記封止樹脂体は、前記屈曲部における前記金属シートの裏面を覆うものであることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。 The peripheral portion of the metal sheet includes a bent portion that is provided near the corner of the heat spreader or along the side of the heat spreader and is convex on the upper surface side,
The semiconductor device according to claim 15, wherein the sealing resin body covers a back surface of the metal sheet in the bent portion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015158260A JP2015195415A (en) | 2015-08-10 | 2015-08-10 | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015158260A JP2015195415A (en) | 2015-08-10 | 2015-08-10 | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014500798A Division JP5858135B2 (en) | 2012-02-22 | 2012-02-22 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015195415A true JP2015195415A (en) | 2015-11-05 |
Family
ID=54434126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015158260A Pending JP2015195415A (en) | 2015-08-10 | 2015-08-10 | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015195415A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018211751A1 (en) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor module and power conversion device |
DE112018001769T5 (en) | 2017-03-31 | 2019-12-19 | Rohm Co., Ltd. | PERFORMANCE MODULE AND PRODUCTION METHOD OF THE PERFORMANCE MODULE |
JP2021009870A (en) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Power semiconductor module, power conversion device, and manufacturing method for power semiconductor module |
JP2021040101A (en) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 昭和電工株式会社 | Semiconductor cooling device |
GB2614724A (en) * | 2022-01-13 | 2023-07-19 | Mtal Gmbh | Semiconductor module |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340374A (en) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JP2000340719A (en) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Hitachi Ltd | Power semiconductor device |
JP2004165281A (en) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | Molding resin sealed power semiconductor device and its producing process |
JP2005210006A (en) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JP2006086342A (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Toyota Motor Corp | Resin sealed semiconductor device |
JP2006179538A (en) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor power module |
JP2008258435A (en) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
JP2009194327A (en) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | Power semiconductor device |
JP2010267794A (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Power module |
JP2011009410A (en) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor module |
-
2015
- 2015-08-10 JP JP2015158260A patent/JP2015195415A/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340374A (en) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JP2000340719A (en) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Hitachi Ltd | Power semiconductor device |
JP2004165281A (en) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | Molding resin sealed power semiconductor device and its producing process |
JP2005210006A (en) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JP2006086342A (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Toyota Motor Corp | Resin sealed semiconductor device |
JP2006179538A (en) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor power module |
JP2008258435A (en) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
JP2009194327A (en) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | Power semiconductor device |
JP2010267794A (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Power module |
JP2011009410A (en) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor module |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112018001769T5 (en) | 2017-03-31 | 2019-12-19 | Rohm Co., Ltd. | PERFORMANCE MODULE AND PRODUCTION METHOD OF THE PERFORMANCE MODULE |
US11171071B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-11-09 | Rohm Co., Ltd. | Power module and fabrication method of the power module |
DE112018001769B4 (en) | 2017-03-31 | 2022-05-05 | Rohm Co., Ltd. | Power module and manufacturing process of the power module |
WO2018211751A1 (en) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor module and power conversion device |
JP2021009870A (en) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Power semiconductor module, power conversion device, and manufacturing method for power semiconductor module |
JP7171516B2 (en) | 2019-06-28 | 2022-11-15 | 日立Astemo株式会社 | Power semiconductor module, power converter, and method for manufacturing power semiconductor module |
JP2021040101A (en) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 昭和電工株式会社 | Semiconductor cooling device |
GB2614724A (en) * | 2022-01-13 | 2023-07-19 | Mtal Gmbh | Semiconductor module |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5858135B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2015195415A (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
TWI278980B (en) | Lead frame and semiconductor package therefor | |
US20140159216A1 (en) | Semiconductor module, semiconductor device having semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor module | |
JP2019212833A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
CN102986025B (en) | Producing method for encapsulated semiconductor device | |
TWI302425B (en) | Method for making a hybrid integrated circuit device | |
US20140291828A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2008135688A (en) | Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2012074543A (en) | Semiconductor device | |
JP2008270527A (en) | Power semiconductor module | |
US9159676B2 (en) | Semiconductor module | |
KR20170092309A (en) | Double-sided Package Module and Substrate Strip | |
JP6589631B2 (en) | Semiconductor device | |
US10985030B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
KR101833651B1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method for same | |
JP7136767B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP6115505B2 (en) | Electronic equipment | |
JP2009164240A (en) | Semiconductor device | |
JP5880331B2 (en) | Semiconductor device | |
KR102212340B1 (en) | Chip substrate comprising junction groove in lens insert | |
JP2022061719A (en) | Semiconductor device | |
JP2015005687A (en) | Resin package and electronic apparatus using the resin package | |
JP5772306B2 (en) | Mold package manufacturing method | |
JP2012186370A (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160614 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161213 |