JP2015192307A - 振動片、振動片の製造方法、振動子、発振器、電子機器、及び移動体 - Google Patents
振動片、振動片の製造方法、振動子、発振器、電子機器、及び移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015192307A JP2015192307A JP2014068229A JP2014068229A JP2015192307A JP 2015192307 A JP2015192307 A JP 2015192307A JP 2014068229 A JP2014068229 A JP 2014068229A JP 2014068229 A JP2014068229 A JP 2014068229A JP 2015192307 A JP2015192307 A JP 2015192307A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- vibrating arm
- resonator element
- vibrating
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】Q値を高い値で安定させ、信頼性に優れた振動片、振動片の製造方法、その振動片を備えた振動子、発振器、電子機器及び移動体を提供する。【解決手段】振動片32は、基部33と、基部33から延出し、互いに表裏の関係にある第1主面44及び第2主面45のうち、第1主面44側に第1溝50が設けられ、第2主面45側に第2溝60が設けられている振動腕と、を含み、第1溝50はドライエッチングで形成され、第2溝60はウェットエッチングで形成されている。【選択図】図3
Description
本発明は、振動片、振動片の製造方法、この振動片を用いた振動子、発振器、電子機器、及び移動体に関する。
従来、例えば、特許文献1に記載されているように、振動片の一例として、矩形状の断面を有する振動子の表面に長溝を設けて熱弾性効果に起因するQ値の低下を低減することが知られていた。
また、例えば、特許文献2、3に記載されているように、振動片の一例として、振動片の外形をウェットエッチング、またはドライエッチングにより形成し、振動片に設けられている振動腕の表面に形成されている長溝をドライエッチングにより形成する方法が知られていた。一般的に長溝はウェットエッチングによって形成されているが、ドライエッチングによって形成する場合に比べて、長溝の幅(長溝の延びる方向と深さ方向とに交差する方向の長さ)が、長溝が深くなるに従って幅狭になってしまう。この為、振動腕が屈曲振動した際に発生する、圧縮変形に起因する温度上昇と伸び変形に起因する温度低下の温度拡散(温度の均一化)が、ドライエッチングによって長溝を形成した場合よりも促進され、熱弾性損失が増大してしまう。従って、ドライエッチングによって形成された長溝を有する振動片のQ値は、ウェットエッチングによって形成された長溝を有する振動片のQ値よりも高くなることが期待できる。このような振動片を有する圧電デバイスとして、例えば水晶振動子、水晶ジャイロセンサーなどを例示することができる。上述の理由によって、この圧電デバイスでは、ドライエッチングを用いて振動片の表面に溝を設けることによってQ値が高い水晶振動子を得ることができた。
また、例えば、特許文献2、3に記載されているように、振動片の一例として、振動片の外形をウェットエッチング、またはドライエッチングにより形成し、振動片に設けられている振動腕の表面に形成されている長溝をドライエッチングにより形成する方法が知られていた。一般的に長溝はウェットエッチングによって形成されているが、ドライエッチングによって形成する場合に比べて、長溝の幅(長溝の延びる方向と深さ方向とに交差する方向の長さ)が、長溝が深くなるに従って幅狭になってしまう。この為、振動腕が屈曲振動した際に発生する、圧縮変形に起因する温度上昇と伸び変形に起因する温度低下の温度拡散(温度の均一化)が、ドライエッチングによって長溝を形成した場合よりも促進され、熱弾性損失が増大してしまう。従って、ドライエッチングによって形成された長溝を有する振動片のQ値は、ウェットエッチングによって形成された長溝を有する振動片のQ値よりも高くなることが期待できる。このような振動片を有する圧電デバイスとして、例えば水晶振動子、水晶ジャイロセンサーなどを例示することができる。上述の理由によって、この圧電デバイスでは、ドライエッチングを用いて振動片の表面に溝を設けることによってQ値が高い水晶振動子を得ることができた。
しかしながら、振動片をドライエッチングすることにより振動腕の両面に夫々溝を設ける場合、振動片を冷却しながら、片面ずつ加工する必要があり、例えば、特許文献2に記載の製造方法では、まず、表面に溝を形成し、続いて裏面に溝を形成するときに、すでに表面に溝(空洞)が形成されているため裏面を冷却する効率が低下し、エッチングレートが安定せず、目標とする一定の深さに溝をエッチングすることが困難であり、Q値がばらつくという問題があった。従って、ドライエッチングを用いて振動片の両面に溝を形成してQ値が安定した振動片を得ることは困難であった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例に係る振動片は、基部と、前記基部から延出し、互いに表裏の関係にある第1主面及び第2主面のうち、前記第1主面側に第1溝が設けられ、前記第2主面側に第2溝が設けられている振動腕と、を含み、前記第1溝はドライエッチングで形成され、前記第2溝はウェットエッチングで形成されていることを特徴とする。
本適用例によれば、両面に配置されている振動腕の溝のうち第1主面に形成されている第1溝はドライエッチングで形成されており、反対側の第2主面に形成されている第2溝はウェットエッチングで形成されていることから、第2溝形成時のエッチングレートが安定し、第2溝の深さを一定に加工することができるため、振動片としてのQ値のばらつきを低減できる。また、Q値を高い値で安定させ、CI(クリスタル・インピーダンス)値のばらつきも低減できる。よって、共振周波数のばらつきも低減できるので、低消費電力化された振動片を安定して提供することができる。
[適用例2]上記適用例に係る振動片において、前記第2主面において、平面視で、前記第2溝のエッチング残渣が多く生じている第1壁部と前記振動腕の外縁との間の、前記延出方向と交差する方向に沿った第1幅が、前記第2溝の前記第1壁部と相対している側の第2壁部と前記振動腕の外縁との間の前記交差する方向に沿った第2幅より小さいことが好ましい。
本適用例によれば、ウェットエッチングによる残渣が多く生じている第1壁部側の第1幅がウェットエッチングによる残渣が少ない第2壁部側の第2幅より小さい。ここで、第1幅とは、ウェットエッチング工程によって形成した溝の内部に残渣が多く生じている第1壁部と振動腕の外縁との間の、第2主面上における、基部から振動腕の延出方向と交差する方向に沿った長さのことである。また、第2幅とは、第2溝の第1壁部と相対している、第1壁部側と比較してエッチング残渣が少ない第2壁部と振動腕の外縁との間の、第2主面上における、基部から振動腕の延出方向と交差する方向に沿った長さのことである。
このような構成にすることによって、エッチング残渣の剛性によって確保されている振動腕の耐衝撃性を大きく劣化させることなく、エッチング残渣によって促進されてしまう第1壁部周辺における熱の拡散を相殺するように低減することができるので、熱弾性損失を低減することができる。従って、振動片の耐衝撃性を大きく劣化させることなくQ値の劣化を低減することができる。また、第1幅を第2幅より小さくすることによって、第1壁部と振動腕の外縁とに形成される電極によって発生する電界が強くなるので、CI値を低くすることができる。
このような構成にすることによって、エッチング残渣の剛性によって確保されている振動腕の耐衝撃性を大きく劣化させることなく、エッチング残渣によって促進されてしまう第1壁部周辺における熱の拡散を相殺するように低減することができるので、熱弾性損失を低減することができる。従って、振動片の耐衝撃性を大きく劣化させることなくQ値の劣化を低減することができる。また、第1幅を第2幅より小さくすることによって、第1壁部と振動腕の外縁とに形成される電極によって発生する電界が強くなるので、CI値を低くすることができる。
[適用例3]上記適用例に係る振動片において、前記第1幅が、前記第1主面のうち平面視で前記第1溝の壁と前記振動腕の外縁との間の前記交差する方向に沿った第3幅より小さいことが好ましい。
本適用例によれば、ウェットエッチングによる残渣が多く生じている壁側の第1幅がドライエッチングによる残渣が少ない壁側の第3幅より小さい。ここで、第3幅とは、ドライエッチングによって溝の内部に形成された第3壁部と振動腕の外縁との間の、基部から振動腕の延出方向と交差する方向に沿った長さのことである。
このような構成にすることによって、ウェットエッチングによる残渣が多く生じている壁周辺の耐衝撃性を、第3幅と比較して大きく劣化することを防ぐことができると共に、ウェットエッチングによる残渣によって促進されてしまう熱の拡散によって増大する熱弾性損失が、第3幅周辺に比べて大きく劣化することを低減できる。従って、振動片の耐衝撃性を大きく劣化させることなくQ値の劣化を低減することができる。また、第1壁部と振動腕の外縁とに形成される電極によって発生する電界が強くなるので、CI値を低くすることができる。
このような構成にすることによって、ウェットエッチングによる残渣が多く生じている壁周辺の耐衝撃性を、第3幅と比較して大きく劣化することを防ぐことができると共に、ウェットエッチングによる残渣によって促進されてしまう熱の拡散によって増大する熱弾性損失が、第3幅周辺に比べて大きく劣化することを低減できる。従って、振動片の耐衝撃性を大きく劣化させることなくQ値の劣化を低減することができる。また、第1壁部と振動腕の外縁とに形成される電極によって発生する電界が強くなるので、CI値を低くすることができる。
[適用例4]上記適用例に係る振動片において、前記振動腕は、第1振動腕と第2振動腕とから構成され、前記第1溝が設けられている前記第1振動腕の面と、前記第1溝が設けられている前記第2振動腕の面と、が前記振動腕の厚さ方向に対して互いに反対側に配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、一対の振動腕において、ドライエッチングで加工された第1溝同士が振動腕の厚さ方向に対して互いに反対側の主面に形成されており、ウェットエッチングで加工された第2溝同士が振動腕の厚さ方向に対して互いに反対側の主面に形成されている。
このような構成にすることによって、互いに離反と接近とを交互に繰り返す屈曲振動をする際に、一対の振動腕全体の重心から延びて、振動腕と同じ方向に延びる中心線に対して略線対称の構造となり、屈曲振動の際に振動腕が大きく捩れることを低減することができる。そのため、振動腕を支持する基部において、互いの振動腕の運動を相殺する効果がより大きく得られ、振動片をパッケージなどに保持して屈曲振動した際に、基部を介して振動片から漏洩するエネルギー(振動漏れ)を低減することができる。エネルギーが漏洩すれば、Q値の劣化を招くのみならず、振動片に作用する外部からの応力に起因した共振周波数の変動を招いてしまい、使用環境に大きく依存せず安定した共振周波数を得難くなってしまう。従って、本適用例のような構成にすることによって、Q値が高く、共振周波数の安定した振動片を得ることができる。
このような構成にすることによって、互いに離反と接近とを交互に繰り返す屈曲振動をする際に、一対の振動腕全体の重心から延びて、振動腕と同じ方向に延びる中心線に対して略線対称の構造となり、屈曲振動の際に振動腕が大きく捩れることを低減することができる。そのため、振動腕を支持する基部において、互いの振動腕の運動を相殺する効果がより大きく得られ、振動片をパッケージなどに保持して屈曲振動した際に、基部を介して振動片から漏洩するエネルギー(振動漏れ)を低減することができる。エネルギーが漏洩すれば、Q値の劣化を招くのみならず、振動片に作用する外部からの応力に起因した共振周波数の変動を招いてしまい、使用環境に大きく依存せず安定した共振周波数を得難くなってしまう。従って、本適用例のような構成にすることによって、Q値が高く、共振周波数の安定した振動片を得ることができる。
[適用例5]上記適用例に係る振動片において、前記振動腕は、第1振動腕と第2振動腕とから構成され、前記第1溝が設けられている前記第1振動腕の面と、前記第1溝が設けられている前記第2振動腕の面と、が前記振動腕の厚さ方向に対して同じ側に配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、一対の振動腕において、第1振動腕にドライエッチングで加工された第1溝と第2振動腕にドライエッチングで加工された第1溝とが振動腕の厚さ方向に対して同じ側の主面にそれぞれ形成されており、第1振動腕にウェットエッチングで加工された第2溝と第2振動腕にウェットエッチングで加工された第2溝とが振動腕の厚さ方向に対して同じ側の主面にそれぞれ形成されている。従って、ドライエッチングを一方の主面側から実施可能になるので、プロセスが容易になり、加工時間の短縮が図れる。
[適用例6]本適用例に係る振動子は、適用例1乃至5のいずれか一項に記載の振動片と、前記振動片が搭載されている容器と、を備えていることを特徴とする。
本適用例によれば、高いQ値を有する振動片を容器内に搭載しているため、外部環境の影響による発振周波数の変化が起こり難く、また、容器内部を減圧雰囲気とすることで、CI値を低く抑えることができることから消費電力も低減できるので、安定で、低消費電力に優れた振動子を提供することが可能となる。
[適用例7]本適用例に係る発振器は、適用例1乃至5のいずれか一項に記載の振動片と、回路と、を備えていることを特徴とする。
本適用例によれば、高いQ値を有する振動片とその振動片を発振するための回路が搭載されているため、低消費電力で、高安定な特性を有する発振器を提供することが可能となる。
[適用例8]本適用例に係る電子機器は、適用例1乃至5のいずれか一項に記載の振動片を備えていることを特徴とする。
本適用例によれば、高いQ値を有する振動片を搭載しているため、低消費電力で、高安定な特性を有する電子機器を提供することが可能となる。
[適用例9]本適用例に係る移動体は、適用例1乃至5のいずれか一項に記載の振動片を備えていることを特徴とする。
本適用例によれば、高いQ値を有する振動片を搭載しているため、低消費電力で、高安定な特性を有する移動体を提供することが可能となる。
[適用例10]本適用例に係る振動片の製造方法は、基部と、前記基部から延出し、互いに表裏の関係にある第1主面及び第2主面のうち、前記第1主面側に第1溝が設けられ、前記第2主面側に第2溝が設けられている振動腕と、を含む振動片の製造方法であって、前記振動腕の前記第1主面側にドライエッチングで前記第1溝を形成する工程と、前記振動腕の前記第2主面側にウェットエッチングで前記第2溝を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
本適用例によれば、振動腕の溝を両主面に形成するときに、第1主面に第1溝を形成するドライエッチング工程を施すことで、第1主面にドライエッチングをする際に第2主面が平坦なため、冷却効率を低下することなく、安定なエッチングレートで、第1溝を形成することができる。その後、第2主面に第2溝を形成するウェットエッチング工程を施すことにより、第1溝に対向する位置に精度良く配置でき、溝深さも一定である第2溝を形成することができる。従って、振動片の両主面に溝を位置精度良く、かつ、溝深さのばらつきを小さく形成することができるので、Q値が高く、かつ、ばらつきを低減することができ、CI値のばらつきを低減し、共振周波数の短期安定度が高く、信頼性の高い振動片を提供することができる。
[適用例11]上記適用例に記載の振動片の製造方法において、前記振動腕は、第1振動腕と第2振動腕とから構成され、前記第1溝を形成する工程は、前記第1振動腕に前記第1溝を形成する第1ドライエッチング工程と、前記第1振動腕の前記第1溝が配置されている面と、厚さ方向に対して反対側の前記第2振動腕の面に前記第1溝を形成する第2ドライエッチング工程と、を含むことが好ましい。
本適用例によれば、第1溝はドライエッチングによって加工されているため、エッチング残渣が原因で発生する熱弾性損失の増大を抑えてQ値が安定した振動片を得ることができ、また、互いに離反と接近とを交互に繰り返す屈曲振動をする際に、振動腕を支持する基部において、互いの振動腕の運動を相殺する効果がより高く得られるから、振動片をパッケージなどに保持した際に、基部を介して振動片から漏洩するエネルギー(振動漏れ)を低減することができる。従って、Q値が高くCI値の低い振動片を得ることができる。
[適用例12]上記適用例に記載の振動片の製造方法において、前記振動腕は、第1振動腕と第2振動腕とから構成され、前記第1溝を形成する工程は、前記第1振動腕に前記第1溝を形成する第1ドライエッチング工程と、前記第1振動腕の前記第1溝が配置されている面と、厚さ方向に対して同じ側の前記第2振動腕の面に前記第1溝を形成する第2ドライエッチング工程と、を含むことが好ましい。
本適用例によれば、第1振動腕にドライエッチングで加工された第1溝と第2振動腕にドライエッチングで加工された第1溝とが振動腕の厚さ方向に対して同じ主面側にそれぞれ形成されている。従って、ドライエッチング工程を一方の主面側から実施可能になるので、プロセスが容易になり、加工時間の短縮が図れる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
<第1実施形態>
第1実施形態に係る振動片を適用した水晶振動子の概略構成について説明する。
図1は、第1実施形態に係る振動片を適用した水晶振動子の概略を示す平面図である。図2は、図1中のA−A線の断面図である。図3は、図1中のB−B線の断面図である。
図1、図2、及び図3を含め、以下の図においては、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、及びZ軸を定義する。本実施形態に係る振動片32は、温度に対する周波数変化の極小となる温度が、使用温度範囲の中心となるように、−5度から+15度の範囲でX軸を回転して調整されている。本発明での回転角度は、3度から4度であり、このようにして切断された振動片をZ板と定義する。従って、以下では、X軸が回転したことに伴って、Y軸が傾いて、新たに設定された方向を「Y′軸方向」と言い、Z軸が傾いて、新たに設定された方向を「Z′軸方向」と言う。この互いに直交する3つの軸として、X軸、Y′軸、及びZ′軸を用いて説明する。また、以下では、X軸に平行な方向を「X軸方向」と言い、Y′軸に平行な方向を「Y′軸方向」と言い、Z′軸に平行な方向を「Z′軸方向」と言い、矢印の先端側を「+側」、基端側を「−側」としている。Z′軸は振動片32とリッド41とが重なるパッケージ36の厚さ方向を示す軸である。更に、説明の便宜上、Z′軸方向から見たときの平面視において、+Z′軸方向の面を上面、−Z′軸方向の面を下面として説明する。
第1実施形態に係る振動片を適用した水晶振動子の概略構成について説明する。
図1は、第1実施形態に係る振動片を適用した水晶振動子の概略を示す平面図である。図2は、図1中のA−A線の断面図である。図3は、図1中のB−B線の断面図である。
図1、図2、及び図3を含め、以下の図においては、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、及びZ軸を定義する。本実施形態に係る振動片32は、温度に対する周波数変化の極小となる温度が、使用温度範囲の中心となるように、−5度から+15度の範囲でX軸を回転して調整されている。本発明での回転角度は、3度から4度であり、このようにして切断された振動片をZ板と定義する。従って、以下では、X軸が回転したことに伴って、Y軸が傾いて、新たに設定された方向を「Y′軸方向」と言い、Z軸が傾いて、新たに設定された方向を「Z′軸方向」と言う。この互いに直交する3つの軸として、X軸、Y′軸、及びZ′軸を用いて説明する。また、以下では、X軸に平行な方向を「X軸方向」と言い、Y′軸に平行な方向を「Y′軸方向」と言い、Z′軸に平行な方向を「Z′軸方向」と言い、矢印の先端側を「+側」、基端側を「−側」としている。Z′軸は振動片32とリッド41とが重なるパッケージ36の厚さ方向を示す軸である。更に、説明の便宜上、Z′軸方向から見たときの平面視において、+Z′軸方向の面を上面、−Z′軸方向の面を下面として説明する。
[水晶振動子]
図1と、図2に示すように、水晶振動子30は、パッケージ36と、第1溝50及び第2溝60が形成された振動片32と、リッド41などから構成されている。なお、説明の便宜上、図1ではリッド(金属蓋)41の図示を省略している。
パッケージ36を構成している底板37、第1側壁38、及び第2側壁39は、振動片32やリッド41の熱膨張係数と一致、あるいは極力近い熱膨張係数を備えた材料によって形成されるのが好ましく、本例ではセラミックを用いている。パッケージ36は、所定の形状に成形されたセラミックグリーンシートを積層し、焼結することによって形成される。なお、セラミックグリーンシートは、例えば所定の溶液中にセラミックのパウダーを分散させ、バインダーを添加して生成される混練物がシート状に形成されたものである。底板37に複数の側壁を積層することによって内部空間Sを形成している。この内部空間Sが振動片32を収容するための収容空間である。
図1と、図2に示すように、水晶振動子30は、パッケージ36と、第1溝50及び第2溝60が形成された振動片32と、リッド41などから構成されている。なお、説明の便宜上、図1ではリッド(金属蓋)41の図示を省略している。
パッケージ36を構成している底板37、第1側壁38、及び第2側壁39は、振動片32やリッド41の熱膨張係数と一致、あるいは極力近い熱膨張係数を備えた材料によって形成されるのが好ましく、本例ではセラミックを用いている。パッケージ36は、所定の形状に成形されたセラミックグリーンシートを積層し、焼結することによって形成される。なお、セラミックグリーンシートは、例えば所定の溶液中にセラミックのパウダーを分散させ、バインダーを添加して生成される混練物がシート状に形成されたものである。底板37に複数の側壁を積層することによって内部空間Sを形成している。この内部空間Sが振動片32を収容するための収容空間である。
水晶振動子30は、セラミックなどのパッケージ36の内部に振動片32を搭載し、減圧雰囲気中で、例えばシーム溶接装置などを用いて、シームリング40を溶融し、リッド41を接合することで気密封止されている。リッド41は、セラミック、金属、ガラスなどの材質を選択して形成されている。例えば、金属の場合には、一般に他の材料よりも割れや欠けが発生し難い利点がある。
リッド41は、パッケージ36との熱膨張率が近似したものが適しており、例えば、コバールなどを使用することができる。また、封止後の周波数調整を可能にするために、例えば、ガラスなどの光透過材料が適しており、例えば、硼珪酸ガラスや水晶などの板体を使用することができる。
リッド41は、パッケージ36との熱膨張率が近似したものが適しており、例えば、コバールなどを使用することができる。また、封止後の周波数調整を可能にするために、例えば、ガラスなどの光透過材料が適しており、例えば、硼珪酸ガラスや水晶などの板体を使用することができる。
底板37に積層されており、パッケージ36の内部空間Sに露出している底板37の+Z′軸側表面には、例えば、タングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキで形成された複数の実装電極部31が設けられている。各実装電極部31は外部の実装基板と接続して、水晶振動子30に駆動電圧を供給するために使用される電極である。
各実装電極部31の上に導電性接着剤43が塗布され、さらに、この導電性接着剤43の上に振動片32の支持腕47が搭載され、導電性接着剤43で固定されている。本例では実装電極部31が2箇所に設けられている。
なお、導電性接着剤43としては、接合力を発揮する接着剤成分としての合成樹脂剤に、銀製の細粒などの導電性の粒子を含有させたシリコーン系、エポキシ系、ビスマレイミド系またはポリイミド系導電性接着剤などを使用することができる。以下、振動片32について詳細に説明する。
各実装電極部31の上に導電性接着剤43が塗布され、さらに、この導電性接着剤43の上に振動片32の支持腕47が搭載され、導電性接着剤43で固定されている。本例では実装電極部31が2箇所に設けられている。
なお、導電性接着剤43としては、接合力を発揮する接着剤成分としての合成樹脂剤に、銀製の細粒などの導電性の粒子を含有させたシリコーン系、エポキシ系、ビスマレイミド系またはポリイミド系導電性接着剤などを使用することができる。以下、振動片32について詳細に説明する。
[振動片]
図1に示すように、振動片32は、基部33と、基部33を基端として、基部33のX軸方向の両端部から−Y′軸方向に平行に延出する一対の第1振動腕34、第2振動腕35と、その2つの振動腕の間に配置され、パッケージ36の実装電極部31に固定される、−Y′軸方向に平行に延出する支持腕47と、を備えている、いわゆる音叉型振動片である。さらに、第1振動腕34の先端部には、基部33側より幅広形状を成す略四角形の錘部46が形成され、同様に、第2振動腕35の先端部にも、錘部46が形成されている。そして、錘部46の+Z′軸側の表面には、質量調整部としての図示しない錘電極が形成されていてもよい。
このような構成にすることによって、振動腕の長さを短くしても高次振動モードの発生を低減して共振周波数が安定し、その結果、振動片32の小型化を図ることが可能になり、第1振動腕34、及び第2振動腕35の共振周波数を低くすることが可能になる。なお、錘部46は、必要に応じて複数の幅(X軸方向の長さ)を有していても良く、省略しても良い。
図1では音叉型圧電振動片を例にして説明する。また、振動片32は、本実施例において水晶のZ板によって形成されているがこれに限られたものではなく、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコンなどの非圧電材料を用いてもよく、この場合には静電気によって駆動したり、圧電材料を付加して駆動することになる。振動片32の外形は、水晶素板をドライエッチング、またはウェットエッチングなどを用いて形成される。
図1に示すように、振動片32は、基部33と、基部33を基端として、基部33のX軸方向の両端部から−Y′軸方向に平行に延出する一対の第1振動腕34、第2振動腕35と、その2つの振動腕の間に配置され、パッケージ36の実装電極部31に固定される、−Y′軸方向に平行に延出する支持腕47と、を備えている、いわゆる音叉型振動片である。さらに、第1振動腕34の先端部には、基部33側より幅広形状を成す略四角形の錘部46が形成され、同様に、第2振動腕35の先端部にも、錘部46が形成されている。そして、錘部46の+Z′軸側の表面には、質量調整部としての図示しない錘電極が形成されていてもよい。
このような構成にすることによって、振動腕の長さを短くしても高次振動モードの発生を低減して共振周波数が安定し、その結果、振動片32の小型化を図ることが可能になり、第1振動腕34、及び第2振動腕35の共振周波数を低くすることが可能になる。なお、錘部46は、必要に応じて複数の幅(X軸方向の長さ)を有していても良く、省略しても良い。
図1では音叉型圧電振動片を例にして説明する。また、振動片32は、本実施例において水晶のZ板によって形成されているがこれに限られたものではなく、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコンなどの非圧電材料を用いてもよく、この場合には静電気によって駆動したり、圧電材料を付加して駆動することになる。振動片32の外形は、水晶素板をドライエッチング、またはウェットエッチングなどを用いて形成される。
<溝>
本実施形態の場合は、振動片32のCI値を低減させるために、第1溝50と第2溝60とが、第1振動腕34及び第2振動腕35の表裏主面に形成されている。
図3を参照し、詳細に説明すると、第1振動腕34の第1主面44(+Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第1溝50がドライエッチングで形成されており、第1溝50が形成されている反対側の第2主面45(−Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第2溝60がウェットエッチングで形成されている。
本実施形態の場合は、振動片32のCI値を低減させるために、第1溝50と第2溝60とが、第1振動腕34及び第2振動腕35の表裏主面に形成されている。
図3を参照し、詳細に説明すると、第1振動腕34の第1主面44(+Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第1溝50がドライエッチングで形成されており、第1溝50が形成されている反対側の第2主面45(−Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第2溝60がウェットエッチングで形成されている。
また、第2振動腕35の第1主面44(+Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第2溝60がウェットエッチングで形成されており、第2溝60が形成されている反対側の第2主面45(−Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第1溝50がドライエッチングで形成されている。
言い換えると、第1振動腕34及び第2振動腕35では、ドライエッチングで形成された第1溝50と、ウェットエッチングで形成された第2溝60と、が振動腕の厚さ方向(Z′軸方向)に対して互い違いになるようにそれぞれ配置されている。
このような構成にすることによって、第2溝形成時のエッチングレートが安定し、第2溝60の深さを一定に加工することができる。従って、振動片としてのQ値のばらつきを低減できる。また、Q値を高い値で安定させ、CI(クリスタル・インピーダンス)値のばらつきも低減できる。よって、共振周波数のばらつきも低減できるので、低消費電力化された振動片32を安定して提供することができる。
さらに、互いに離反と接近とを交互に繰り返す屈曲振動をする際に、一対の振動腕全体の重心から延びて、振動腕と同じ方向に延びる中心線に対して略線対称の構造となり、屈曲振動の際に振動腕が大きく捩れることを低減することができる。そのため、振動腕を支持する基部33において、互いの振動腕の運動を相殺する効果がより大きく得られ、振動片32をパッケージなどに保持して屈曲振動した際に、支持腕47を介して振動片32から漏洩するエネルギー(振動漏れ)を低減することができる。
エネルギーが漏洩すれば、Q値の劣化を招くのみならず、振動片32に作用する外部からの応力に起因した共振周波数の変動を招き、使用環境に大きく依存せず安定した共振周波数を得難くなってしまう。従って、本実施形態のような構成にすることによって、Q値が高く、共振周波数の安定した振動片32を得ることができる。
言い換えると、第1振動腕34及び第2振動腕35では、ドライエッチングで形成された第1溝50と、ウェットエッチングで形成された第2溝60と、が振動腕の厚さ方向(Z′軸方向)に対して互い違いになるようにそれぞれ配置されている。
このような構成にすることによって、第2溝形成時のエッチングレートが安定し、第2溝60の深さを一定に加工することができる。従って、振動片としてのQ値のばらつきを低減できる。また、Q値を高い値で安定させ、CI(クリスタル・インピーダンス)値のばらつきも低減できる。よって、共振周波数のばらつきも低減できるので、低消費電力化された振動片32を安定して提供することができる。
さらに、互いに離反と接近とを交互に繰り返す屈曲振動をする際に、一対の振動腕全体の重心から延びて、振動腕と同じ方向に延びる中心線に対して略線対称の構造となり、屈曲振動の際に振動腕が大きく捩れることを低減することができる。そのため、振動腕を支持する基部33において、互いの振動腕の運動を相殺する効果がより大きく得られ、振動片32をパッケージなどに保持して屈曲振動した際に、支持腕47を介して振動片32から漏洩するエネルギー(振動漏れ)を低減することができる。
エネルギーが漏洩すれば、Q値の劣化を招くのみならず、振動片32に作用する外部からの応力に起因した共振周波数の変動を招き、使用環境に大きく依存せず安定した共振周波数を得難くなってしまう。従って、本実施形態のような構成にすることによって、Q値が高く、共振周波数の安定した振動片32を得ることができる。
図3に示すように、ドライエッチングで形成された第1溝50の底部53は略平坦である。第1溝50を中央として、基部33からの延出方向と交差する方向であるX軸方向に沿って、一方側の第3壁部51と、第1振動腕34または第2振動腕35の外縁と、の間の第3幅の寸法(X軸方向の長さ)をT1とする。また、第1溝50を中央として、基部33からの延出方向と交差する方向であるX軸方向に沿って他方側の第4壁部52と、第1振動腕34または第2振動腕35の外縁と、の間の第4幅の寸法(X軸方向の長さ)をT2とする。このとき、T1とT2とが略同じになるように形成されている。
一方、ウェットエッチングで形成された第2溝60の底部63は、水晶の異方性エッチングにより、第1振動腕34の第2主面45側から第1主面44側に向かって、また、第2振動腕35の第1主面44側から第2主面45側に向かって、それぞれ溝径が徐々に小さくなるテーパ形状になっている。
第2溝60をウェットエッチングで形成する際には、第1溝50を中央として、基部33からの延出方向と交差する方向であるX軸方向に沿って、エッチング残渣の多く残る側の第1壁部61と第1振動腕34の外縁との間の第1幅の寸法(X軸方向の長さ)T3が、エッチング残渣の少ない側の第2壁部62と第1振動腕34の外縁との間の第2幅の寸法(X軸方向の長さ)T4よりも小さくなっていることが好ましい。
このような構成にすることによって、エッチング残渣の剛性によって確保されている振動腕の耐衝撃性を大きく劣化させることなく、エッチング残渣によって促進されてしまう第1壁部61周辺における熱の拡散を相殺するように低減することができるので、熱弾性損失を低減することができる。従って、振動片32の耐衝撃性を大きく劣化させることなくQ値の劣化を低減することができる。また、第1幅の寸法T3が第2幅の寸法T4よりも狭いことによって、第1壁部61と第1振動腕34の外縁とに形成される電極によって発生する電界が強くなるので、CI値を低減することができる。
また、ウェットエッチングでは、複数枚のウェハーに、両面の溝を同時に加工できるので、工程が容易になり加工時間が短縮され、コスト低減、及び良品率の向上を図ることができる利点がある。
このような構成にすることによって、エッチング残渣の剛性によって確保されている振動腕の耐衝撃性を大きく劣化させることなく、エッチング残渣によって促進されてしまう第1壁部61周辺における熱の拡散を相殺するように低減することができるので、熱弾性損失を低減することができる。従って、振動片32の耐衝撃性を大きく劣化させることなくQ値の劣化を低減することができる。また、第1幅の寸法T3が第2幅の寸法T4よりも狭いことによって、第1壁部61と第1振動腕34の外縁とに形成される電極によって発生する電界が強くなるので、CI値を低減することができる。
また、ウェットエッチングでは、複数枚のウェハーに、両面の溝を同時に加工できるので、工程が容易になり加工時間が短縮され、コスト低減、及び良品率の向上を図ることができる利点がある。
また、ウェットエッチングで形成されたエッチング残渣が多く残る側の第1幅の寸法T3は、ドライエッチングで形成された、第1溝50を中央として両側に配置されている第3幅の寸法T1、及び第4幅の寸法T2よりも小さくなっていることが好ましい。
このような構成にすることによって、ウェットエッチングによる残渣が多く生じている壁周辺の耐衝撃性を第3幅の寸法T1と比較して大きく劣化することを防ぐことができる。また、ウェットエッチングによる残渣によって促進されてしまう熱の拡散によって増大する熱弾性損失が、第3幅周辺に比べて大きく劣化することを低減できる。従って、振動片32の耐衝撃性を大きく劣化させることなくQ値の劣化を低減することができる。さらに、第1幅の寸法T3が第3幅の寸法T1よりも狭いことから、第1壁部61と振動腕の外縁とに形成される電極によって発生する電界が強くなるので、CI値を低くすることができる。
このような構成にすることによって、ウェットエッチングによる残渣が多く生じている壁周辺の耐衝撃性を第3幅の寸法T1と比較して大きく劣化することを防ぐことができる。また、ウェットエッチングによる残渣によって促進されてしまう熱の拡散によって増大する熱弾性損失が、第3幅周辺に比べて大きく劣化することを低減できる。従って、振動片32の耐衝撃性を大きく劣化させることなくQ値の劣化を低減することができる。さらに、第1幅の寸法T3が第3幅の寸法T1よりも狭いことから、第1壁部61と振動腕の外縁とに形成される電極によって発生する電界が強くなるので、CI値を低くすることができる。
振動片32の第1主面44及び第2主面45には、励振電極と引き出し電極とが形成されているが、図示を省略している。
振動片32の基部33と、第1振動腕34及び第2振動腕35と、の間にはX方向に縮幅して設けた切欠き部、もしくはくびれ部(図示せず)を設けてもよい。これにより、基部33側への振動片32の振動漏れを低減して、さらにCI値を低減させることが可能になる。
振動片32は、図1において、例えば、全長(Y′軸方向の長さ)が800μm程度、厚さ(Z′軸方向の長さ)が120〜140μm程度、第1振動腕34及び第2振動腕35の長さ(Y′軸方向の長さ)が600μm程度、第1振動腕34及び第2振動腕35の幅(X軸方向の長さ)が40μm程度の小型振動片である。また、ドライエッチング、またはウェットエッチングで形成された溝の両側に形成されている壁部の幅の寸法は3〜10μm程度であり、本実施形態の第1幅の寸法T3、第2幅の寸法T4、第3幅の寸法T1、第4幅の寸法T2は、3〜5μm程度である。
振動片32は、図1において、例えば、全長(Y′軸方向の長さ)が800μm程度、厚さ(Z′軸方向の長さ)が120〜140μm程度、第1振動腕34及び第2振動腕35の長さ(Y′軸方向の長さ)が600μm程度、第1振動腕34及び第2振動腕35の幅(X軸方向の長さ)が40μm程度の小型振動片である。また、ドライエッチング、またはウェットエッチングで形成された溝の両側に形成されている壁部の幅の寸法は3〜10μm程度であり、本実施形態の第1幅の寸法T3、第2幅の寸法T4、第3幅の寸法T1、第4幅の寸法T2は、3〜5μm程度である。
<水晶振動子の製造工程>
次に、第1実施形態に係る振動片32を適用した水晶振動子30の製造工程を図4と図5を参照して説明する。
図4は、第1実施形態に係る振動片を適用した水晶振動子の製造工程を示すフローチャートである。図5は、第1実施形態に係る振動片の製造工程を示す振動片の断面図である。なお、水晶振動子30に搭載される振動片32と、パッケージ36と、リッド41とは、それぞれ別々に製造される。
次に、第1実施形態に係る振動片32を適用した水晶振動子30の製造工程を図4と図5を参照して説明する。
図4は、第1実施形態に係る振動片を適用した水晶振動子の製造工程を示すフローチャートである。図5は、第1実施形態に係る振動片の製造工程を示す振動片の断面図である。なお、水晶振動子30に搭載される振動片32と、パッケージ36と、リッド41とは、それぞれ別々に製造される。
<振動片の製造工程>
<外形エッチング工程(ST1)>
まず、圧電基板65を用意する(図5(a))。
次に、ドライエッチング、またはウェットエッチングを用いて振動片32の外形を形成する(図5(b))。
ここで、圧電基板65は、圧電材料のうち、例えば、振動片32を複数もしくは多数分離することができる大きさの水晶ウェハーが使用される。この圧電基板65は工程の進行により音叉型の振動片32とした際には、X軸が電気軸、Y軸が機械軸及びZ軸が光軸となるように、圧電材料、例えば水晶の単結晶から切り出される。また、水晶の単結晶から切り出す際、上述のX軸、Y軸及びZ軸からなる直交座標系において、X軸を中心に時計回りに−5度〜15度の範囲で回転して切り出した水晶Z板を所定の厚さに切断研磨して得られる。
<外形エッチング工程(ST1)>
まず、圧電基板65を用意する(図5(a))。
次に、ドライエッチング、またはウェットエッチングを用いて振動片32の外形を形成する(図5(b))。
ここで、圧電基板65は、圧電材料のうち、例えば、振動片32を複数もしくは多数分離することができる大きさの水晶ウェハーが使用される。この圧電基板65は工程の進行により音叉型の振動片32とした際には、X軸が電気軸、Y軸が機械軸及びZ軸が光軸となるように、圧電材料、例えば水晶の単結晶から切り出される。また、水晶の単結晶から切り出す際、上述のX軸、Y軸及びZ軸からなる直交座標系において、X軸を中心に時計回りに−5度〜15度の範囲で回転して切り出した水晶Z板を所定の厚さに切断研磨して得られる。
ウェットエッチングで外形をエッチングする場合には、図示しない耐蝕膜などのマスクを用いて、振動片32の外形から外側の部分として露出した圧電基板65に関して、例えば、フッ酸溶液をエッチング液として、エッチングして振動片32の外形を形成する。耐蝕膜としては、例えば、クロムを下地として、金を蒸着した金属膜などを用いることができる。フッ酸溶液の濃度や種類、温度などにより外形形状や加工時間が変化する。この実施形態では、エッチング液として、フッ酸、またはフッ化アンモニウムを用いて、所定時間のエッチングを施すことによって外形エッチング工程が完了する。
<ハーフエッチング工程(ST2)>
図示しない溝形成用レジストにより、図3で説明した第1振動腕34及び第2振動腕35に配置されている、第3壁部51と第1振動腕34の外縁との間、及び第4壁部52と第1振動腕34の外縁との間を残す様にして、溝を形成しない部分に耐蝕膜を残し、外形エッチングと同じエッチング条件で、ウェットエッチングすることにより、図5(c)に示すように第1溝50に対応した浅い底部を形成する。なお、この工程は、この後に実施されるドライエッチング工程の際に、予め目標となる溝幅を把握しやすくするために形成しておく準備工程であるため、省略してもよい。
図示しない溝形成用レジストにより、図3で説明した第1振動腕34及び第2振動腕35に配置されている、第3壁部51と第1振動腕34の外縁との間、及び第4壁部52と第1振動腕34の外縁との間を残す様にして、溝を形成しない部分に耐蝕膜を残し、外形エッチングと同じエッチング条件で、ウェットエッチングすることにより、図5(c)に示すように第1溝50に対応した浅い底部を形成する。なお、この工程は、この後に実施されるドライエッチング工程の際に、予め目標となる溝幅を把握しやすくするために形成しておく準備工程であるため、省略してもよい。
<ドライエッチング工程(ST3)>
次に、第1振動腕34及び第2振動腕35に設けられている第1溝50について説明する。それぞれの振動腕に形成される第1溝50を1つずつ形成する。
まず、第1振動腕34の第1主面44側の第1溝50を形成しない部分、つまり、図3で説明した第1溝50の両側にある第3壁部51及び第4壁部52の+Z′軸側表面に、メタルマスクを配置した状態で、例えば、真空チャンバー(図示せず)内に収容する。その後、所定の真空度でエッチングガスを供給して、エッチングプラズマを生成しドライエッチングする。真空チャンバーには、例えば、フレオンガスボンベと酸素ガスボンベとが接続され、真空チャンバーには、排気管が設けられ、所定の真空度に真空引きされるようになっている。
真空チャンバー内が、所定の真空度に真空排気され、フレオンガスと、酸素ガスが送られ、その混合ガスが所定の気圧になるまで充填された状態にて、直流電圧が印加されると、プラズマが発生する。そして、イオン化された粒子を含む混合ガスは、メタルマスクから露出した長溝の浅い底部に当たる。この衝撃により、浅い底部の水晶が物理的に削り取られエッチングが進行して、図5(d)に示すように、第1振動腕34に第1溝50が形成される。
第2振動腕35に関しても、振動片32を厚さ方向に反転させて、第2主面45側に同様にドライエッチングを実施して、第1溝50が形成される。
次に、第1振動腕34及び第2振動腕35に設けられている第1溝50について説明する。それぞれの振動腕に形成される第1溝50を1つずつ形成する。
まず、第1振動腕34の第1主面44側の第1溝50を形成しない部分、つまり、図3で説明した第1溝50の両側にある第3壁部51及び第4壁部52の+Z′軸側表面に、メタルマスクを配置した状態で、例えば、真空チャンバー(図示せず)内に収容する。その後、所定の真空度でエッチングガスを供給して、エッチングプラズマを生成しドライエッチングする。真空チャンバーには、例えば、フレオンガスボンベと酸素ガスボンベとが接続され、真空チャンバーには、排気管が設けられ、所定の真空度に真空引きされるようになっている。
真空チャンバー内が、所定の真空度に真空排気され、フレオンガスと、酸素ガスが送られ、その混合ガスが所定の気圧になるまで充填された状態にて、直流電圧が印加されると、プラズマが発生する。そして、イオン化された粒子を含む混合ガスは、メタルマスクから露出した長溝の浅い底部に当たる。この衝撃により、浅い底部の水晶が物理的に削り取られエッチングが進行して、図5(d)に示すように、第1振動腕34に第1溝50が形成される。
第2振動腕35に関しても、振動片32を厚さ方向に反転させて、第2主面45側に同様にドライエッチングを実施して、第1溝50が形成される。
<ウェットエッチング工程(ST4)>
第1振動腕34の第2主面45側と、第2振動腕35の第1主面44側と、の第2溝60を形成しない部分に、図示しない耐蝕膜などのマスクを用いて、振動片32に形成したい第2溝60の部分だけを露出させて、例えば、フッ酸溶液をエッチング液として、振動片32の溝形成のウェットエッチングを行う。外形エッチングと同様に、耐蝕膜としては、例えば、クロムを下地として、金を蒸着した金属膜などを用いることができる。このエッチング工程は、フッ酸溶液の濃度や種類、温度などにより長溝の形状や加工時間が変化する。この実施形態では、エッチング液として、フッ酸、フッ化アンモニウムを用いて、所定時間のエッチングを施すことによってエッチング工程が完了して、図5(e)に示すように、第2溝60が形成される。
第1振動腕34の第2主面45側と、第2振動腕35の第1主面44側と、の第2溝60を形成しない部分に、図示しない耐蝕膜などのマスクを用いて、振動片32に形成したい第2溝60の部分だけを露出させて、例えば、フッ酸溶液をエッチング液として、振動片32の溝形成のウェットエッチングを行う。外形エッチングと同様に、耐蝕膜としては、例えば、クロムを下地として、金を蒸着した金属膜などを用いることができる。このエッチング工程は、フッ酸溶液の濃度や種類、温度などにより長溝の形状や加工時間が変化する。この実施形態では、エッチング液として、フッ酸、フッ化アンモニウムを用いて、所定時間のエッチングを施すことによってエッチング工程が完了して、図5(e)に示すように、第2溝60が形成される。
このようにして、図5(e)に示すように、第1振動腕34、及び第2振動腕35に第1溝50と第2溝60を完成させることができる。
第1溝50の両側に配置されている第3壁部51と第1振動腕34の外縁との間の第3幅の寸法T1、及び第4壁部52と第1振動腕34の外縁との間の第4幅の寸法T2は略同じで、第1溝50の底部53は、略水平な理想に近い形態を実現することができる。この状態に、上述した必要な駆動用の電極(励振電極及び引き出し電極)を形成することにより、振動片32が完成する。
第1溝50の両側に配置されている第3壁部51と第1振動腕34の外縁との間の第3幅の寸法T1、及び第4壁部52と第1振動腕34の外縁との間の第4幅の寸法T2は略同じで、第1溝50の底部53は、略水平な理想に近い形態を実現することができる。この状態に、上述した必要な駆動用の電極(励振電極及び引き出し電極)を形成することにより、振動片32が完成する。
<マウント工程(ST5)>
次に、完成した振動片32は、図1に示すように、パッケージ36の内部に設けられた実装電極部31に導電性接着剤43を用いて接合される。
次に、完成した振動片32は、図1に示すように、パッケージ36の内部に設けられた実装電極部31に導電性接着剤43を用いて接合される。
<封止工程(ST6)>
次に、パッケージ36の上面にリッド41を配置し、減圧雰囲気中で、例えばシーム溶接装置などを用いて、シームリング40を溶融し、接合することで気密封止され、水晶振動子30が完成する。
次に、パッケージ36の上面にリッド41を配置し、減圧雰囲気中で、例えばシーム溶接装置などを用いて、シームリング40を溶融し、接合することで気密封止され、水晶振動子30が完成する。
上述の実施形態によれば、第2溝60形成時のエッチングレートが安定し、第2溝60の深さを一定に加工することができるため、振動片としてのQ値のばらつきを低減できる。また、Q値を高い値で安定させ、CI(クリスタル・インピーダンス)値のばらつきも低減できる。よって、共振周波数のばらつきも低減できるので、低消費電力化された振動片32を搭載した水晶振動子30を提供することができる。
さらに、互いに離反と接近とを交互に繰り返す屈曲振動をする際に、一対の振動腕全体の重心から延びて、振動腕と同じ方向に延びる中心線に対して略線対称の構造となり、屈曲振動の際に振動腕が大きく捩れることを低減することができる。そのため、振動腕を支持する基部33において、互いの振動腕の運動を相殺する効果がより大きく得られ、振動片32をパッケージなどに保持して屈曲振動した際に、支持腕47を介して振動片32から漏洩するエネルギー(振動漏れ)を低減することができる。
エネルギーが漏洩すれば、Q値の劣化を招くのみならず、振動片32に作用する外部からの応力に起因した共振周波数の変動を招き、使用環境に大きく依存せず安定した共振周波数を得難くなってしまう。従って、本実施形態のような構成にすることによって、Q値が高く、共振周波数の安定した振動片32を搭載した水晶振動子30を提供することができる。
さらに、互いに離反と接近とを交互に繰り返す屈曲振動をする際に、一対の振動腕全体の重心から延びて、振動腕と同じ方向に延びる中心線に対して略線対称の構造となり、屈曲振動の際に振動腕が大きく捩れることを低減することができる。そのため、振動腕を支持する基部33において、互いの振動腕の運動を相殺する効果がより大きく得られ、振動片32をパッケージなどに保持して屈曲振動した際に、支持腕47を介して振動片32から漏洩するエネルギー(振動漏れ)を低減することができる。
エネルギーが漏洩すれば、Q値の劣化を招くのみならず、振動片32に作用する外部からの応力に起因した共振周波数の変動を招き、使用環境に大きく依存せず安定した共振周波数を得難くなってしまう。従って、本実施形態のような構成にすることによって、Q値が高く、共振周波数の安定した振動片32を搭載した水晶振動子30を提供することができる。
また、第2溝60を形成するウェットエッチングに関しては、ウェットエッチングによる外形加工の工程をそのまま利用できることから、従来工程にドライエッチングの設備を付加するだけで実施可能な利点がある。
さらに、振動片32の外形加工や第2溝60の加工だけでなく、第1溝50の加工も途中まで従来と同じウェットエッチングで行い、ある程度、第1溝50が形成された時点で、ドライエッチングに切り換えることも可能になる。従って、従来の製造方法、つまり表裏主面ともウェットエッチングで溝を形成する方法に要していた時間を極端に長くすることなく、振動バランスを改善し、CI値を低く抑えることができるようにした振動片32を迅速に加工形成することができる。
<リッド及びパッケージの製造方法>
リッド41は、例えば、所定の大きさのガラス板を切断し、パッケージ36を封止するのに適合する大きさの蓋体として用意される。パッケージ36は、上述したように、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を積層した後、焼結して形成されている。成形の際に、複数の各基板の内側に所定の孔を形成し、積層することによって内側に所定の内部空間Sが形成される。
リッド41は、例えば、所定の大きさのガラス板を切断し、パッケージ36を封止するのに適合する大きさの蓋体として用意される。パッケージ36は、上述したように、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を積層した後、焼結して形成されている。成形の際に、複数の各基板の内側に所定の孔を形成し、積層することによって内側に所定の内部空間Sが形成される。
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。また、この発明は振動片に溝が設けられているものであれば、水晶発振器、ジャイロセンサー、角度センサーなどの名称にかかわらず、全ての振動片とこれを利用した圧電デバイスに適用することができる。
また、上述の実施形態では、パッケージ36にセラミックを使用した箱状のものを利用しているが、このような形態に限らず、金属製のシリンダー状のケースなどのパッケージ36と同等の収容容器に振動片を収容するものであれば、いかなるパッケージやケースを伴うものについても本発明を適用することができる。
<第2実施形態>
図6(e)を用いて本発明の第2実施形態に係る振動片32aの概略構成について説明する。図6(e)は第2実施形態に係る振動片の断面図である。なお、第1実施形態と同一の構成部位については同一の番号を使用し、外形エッチング工程、ハーフエッチング工程、マウント工程、及び封止工程は、第1実施形態と同一の工程であるため詳細な説明は省略する。
図6(e)を用いて本発明の第2実施形態に係る振動片32aの概略構成について説明する。図6(e)は第2実施形態に係る振動片の断面図である。なお、第1実施形態と同一の構成部位については同一の番号を使用し、外形エッチング工程、ハーフエッチング工程、マウント工程、及び封止工程は、第1実施形態と同一の工程であるため詳細な説明は省略する。
第2実施形態に係る振動片32aは、第1実施形態と同様に、第1振動腕34a、及び第2振動腕35aに、第1溝50a、及び第2溝60aが形成されている。しかし、振動腕の厚さ方向(Z′軸方向)に対して、どちらの振動腕(第1振動腕34a、及び第2振動腕35a)においても、同じ第1主面44側に第1溝50aが配置されており、同じ第2主面45側に第2溝60aが配置されていることが第1実施形態と異なっている。
<溝>
振動片32aも、第1実施形態と同様に、振動片32aのCI値を低減させるために第1溝50aと第2溝60aとが、第1振動腕34a及び第2振動腕35aの表裏主面に形成されている。
詳細に説明すると、第1振動腕34aの第1主面44(+Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第1溝50aがドライエッチングで形成されており、第1溝50aが形成されている側とは反対側の第2主面45(−Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第2溝60aがウェットエッチングで形成されている。
振動片32aも、第1実施形態と同様に、振動片32aのCI値を低減させるために第1溝50aと第2溝60aとが、第1振動腕34a及び第2振動腕35aの表裏主面に形成されている。
詳細に説明すると、第1振動腕34aの第1主面44(+Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第1溝50aがドライエッチングで形成されており、第1溝50aが形成されている側とは反対側の第2主面45(−Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第2溝60aがウェットエッチングで形成されている。
また、第2振動腕35aの第1主面44(+Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第1溝50aがドライエッチングで形成されており、第1溝50aが形成されている側とは反対側の第2主面45(−Z′軸)側の、X軸方向における略中央部に、Y′軸方向に伸びる有底の長溝である第2溝60aがウェットエッチングで形成されている。
言い換えると、第1振動腕34a及び第2振動腕35aでは、ドライエッチングで形成された第1溝50aと、ウェットエッチングで形成された第2溝60aと、が振動腕の厚さ方向(Z′軸方向)に対して同じ側になるようにそれぞれ配置されており、第1振動腕34aと第2振動腕35aは略同じ形状をしている。
このような構成にすることによって、ドライエッチング工程を一方の主面側から実施可能になるので、プロセスが容易になり、加工時間の短縮が図れる。
言い換えると、第1振動腕34a及び第2振動腕35aでは、ドライエッチングで形成された第1溝50aと、ウェットエッチングで形成された第2溝60aと、が振動腕の厚さ方向(Z′軸方向)に対して同じ側になるようにそれぞれ配置されており、第1振動腕34aと第2振動腕35aは略同じ形状をしている。
このような構成にすることによって、ドライエッチング工程を一方の主面側から実施可能になるので、プロセスが容易になり、加工時間の短縮が図れる。
<水晶振動子の製造工程>
図4に示すフローチャート、及び図6に示す本実施形態の振動片32aの製造方法の一例を説明するための主要な工程を示した断面図を参照しながら、第1実施形態とは異なる工程に関して説明する。
図4に示すフローチャート、及び図6に示す本実施形態の振動片32aの製造方法の一例を説明するための主要な工程を示した断面図を参照しながら、第1実施形態とは異なる工程に関して説明する。
<振動片の製造工程>
図6は、第2実施形態に係る振動片32aの製造工程を示す振動片の断面図である。
図6は、第2実施形態に係る振動片32aの製造工程を示す振動片の断面図である。
<ドライエッチング工程(ST3)>
振動片32の第1振動腕34a、第2振動腕35aに設けられている第1溝50a、及び第2溝60aについて説明する。第1実施形態とは異なり、各振動腕に形成される第1溝50aが振動腕の厚さ方向に対して、同じ第1主面44側に配置されていることから、ドライエッチングを用いて、第1振動腕34aと第2振動腕35aに配置されている第1溝50aを同時に形成できる。
振動片32の第1振動腕34a、第2振動腕35aに設けられている第1溝50a、及び第2溝60aについて説明する。第1実施形態とは異なり、各振動腕に形成される第1溝50aが振動腕の厚さ方向に対して、同じ第1主面44側に配置されていることから、ドライエッチングを用いて、第1振動腕34aと第2振動腕35aに配置されている第1溝50aを同時に形成できる。
第1実施形態と同様に、まず、溝を形成しない部分(第1溝50aの両側にある壁部)の+Z′軸側表面に、メタルマスクを配置して、ドライエッチングを用いて、第1振動腕34aと第2振動腕35aに、第1溝50aを同時に形成することができる(図6(d))。
<ウェットエッチング工程(ST4)>
次に、水晶ウェハーの第2主面45側に、図示しない耐蝕膜などのマスクを用いて、振動片32aに形成したい溝の部分だけを露出させて、例えば、フッ酸溶液をエッチング液として、振動片32aの第2溝60aを形成するエッチングを行う。このようにして、図6(e)に示すように、第1振動腕34aと第2振動腕35aに第2溝60aを形成し、この状態に、上述した必要な駆動用の電極(励振電極及び引き出し電極)を形成することにより、振動片32aを完成させることができる。
次に、水晶ウェハーの第2主面45側に、図示しない耐蝕膜などのマスクを用いて、振動片32aに形成したい溝の部分だけを露出させて、例えば、フッ酸溶液をエッチング液として、振動片32aの第2溝60aを形成するエッチングを行う。このようにして、図6(e)に示すように、第1振動腕34aと第2振動腕35aに第2溝60aを形成し、この状態に、上述した必要な駆動用の電極(励振電極及び引き出し電極)を形成することにより、振動片32aを完成させることができる。
さらに、完成した振動片32aは、第1実施形態と同様に、パッケージ36の内部に、導電性接着剤43を利用して接合される(マウント工程(ST5))。その後、パッケージ36の上面にリッド41を配置し、減圧雰囲気中で、例えばシーム溶接装置などを用いて、シームリング40を溶融し、接合することで気密封止され(封止工程(ST6))、水晶振動子が完成する。
以上述べたように、第2実施形態に係る振動片32aによれば、第1実施形態での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。第2実施形態に係る振動片32aは、第1振動腕34aに設けられている第1溝50aと、第2振動腕35aに設けられている第1溝50aが振動腕の厚さ方向(Z′軸方向)に対して同じ側に配置されており、第1振動腕34aに設けられている第2溝60aと、第2振動腕35aに設けられている第2溝60aが振動腕の厚さ方向(Z′軸方向)に対して同じ側に配置されている。
このような構成にすることによって、ドライエッチング工程を一方の主面側から実施可能になるので、プロセスが容易になり、加工時間の短縮が図れる。
このような構成にすることによって、ドライエッチング工程を一方の主面側から実施可能になるので、プロセスが容易になり、加工時間の短縮が図れる。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。
[発振器]
次に、本発明の振動片32を適用した発振器70について説明する。図7は、本発明の発振器の断面構造を示した概略図である。
発振器70は、振動片32と、振動片32を収容するパッケージ本体90と、振動片32を駆動するための発振回路を有するICチップ(チップ部品)72と、ガラス、セラミック、金属などから成る蓋部材96と、で構成されている。なお、振動片32を収容するキャビティー79内はほぼ真空の減圧空間となっている。
次に、本発明の振動片32を適用した発振器70について説明する。図7は、本発明の発振器の断面構造を示した概略図である。
発振器70は、振動片32と、振動片32を収容するパッケージ本体90と、振動片32を駆動するための発振回路を有するICチップ(チップ部品)72と、ガラス、セラミック、金属などから成る蓋部材96と、で構成されている。なお、振動片32を収容するキャビティー79内はほぼ真空の減圧空間となっている。
パッケージ本体90は、図7に示すように、第1の基板91と、第2の基板92と、第3の基板93と、第4の基板94と、実装端子86と、を積層して形成されている。また、パッケージ本体90は、上面に開放するキャビティー79と、下面に開放するキャビティー80とを有している。
実装端子86は、第4の基板94の外部底面に複数設けられている。また、実装端子86は、第1の基板91の上面に設けられた接続電極87や第3の基板93の下面に設けられた接続電極88と、図示しない貫通電極や層間配線を介して、電気的に導通されている。
パッケージ本体90のキャビティー79は、本実施形態の水晶振動子30と同様に、基部33に設けられた導電パッド(図示せず)とパッケージ本体90の第1の基板91の上面に設けられた接続電極87とがそれぞれ対応するように位置合わせされ、接合部材82を介して接合される。その後、パッケージ本体90の上面に蓋部材96を配置し、減圧雰囲気中でホウケイ酸ガラスなどの封止材98を溶融し、接合することで気密封止されている。
一方、パッケージ本体90のキャビティー80内には、ICチップ72が収容されており、このICチップ72は、ロウ材あるいは接着剤などの接合部材83を介して第1の基板91の下面に固定されている。また、キャビティー80内には、少なくとも2つの接続電極88が設けられている。接続電極88は、ボンディングワイヤー84によってICチップ72と電気的に接続されている。また、キャビティー80内には樹脂材料74が充填されており、この樹脂材料74によって、ICチップ72が封止されている。
ICチップ72は、振動片32の駆動を制御するための駆動回路(発振回路)を有しており、このICチップ72によって振動片32を駆動すると、所定の周波数の信号を取り出すことができる。
[電子機器]
次いで、本発明の一実施形態に係る振動片32を含んでいる水晶振動子30を適用した電子機器について、図8〜図11に基づき、詳細に説明する。
次いで、本発明の一実施形態に係る振動片32を含んでいる水晶振動子30を適用した電子機器について、図8〜図11に基づき、詳細に説明する。
図8は、本発明の一実施形態に係る振動片を適用した水晶振動子を備える電子機器としてのモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部100を備えた表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、信号処理のタイミング源としての機能を備えた水晶振動子30が内蔵されている。
図9は、本発明の一実施形態に係る振動片を適用した水晶振動子を備える電子機器としての携帯電話機(PHSも含む)の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204及び送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部100が配置されている。このような携帯電話機1200には、信号処理のタイミング源としての機能を備えた水晶振動子30が内蔵されている。
図10は、本発明の一実施形態に係る振動片を適用した水晶振動子を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、従来のフィルムカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
デジタルスチールカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部100が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部100は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部100に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送、格納される。また、このデジタルスチールカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ1300には、信号処理のタイミング源としての機能を備えた水晶振動子30が内蔵されている。
なお、本発明の一実施形態に係る振動片32を適用した水晶振動子30は、図8のパーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、図9の携帯電話機、図10のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーターなどの電子機器に適用することができる。
[移動体]
図11は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車1500には本発明に係る振動片32を含む水晶振動子30が搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車1500には、水晶振動子30を内蔵してタイヤ1503などを制御する電子制御ユニット1510が車体1501に搭載されている。また、水晶振動子30は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロック・ブレーキ・システム(ABS:Antilock Brake System)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、などの電子制御ユニット(ECU:Electronic Control Unit)に広く適用できる。
図11は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車1500には本発明に係る振動片32を含む水晶振動子30が搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車1500には、水晶振動子30を内蔵してタイヤ1503などを制御する電子制御ユニット1510が車体1501に搭載されている。また、水晶振動子30は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロック・ブレーキ・システム(ABS:Antilock Brake System)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、などの電子制御ユニット(ECU:Electronic Control Unit)に広く適用できる。
30…水晶振動子、31…実装電極部、32…振動片、33…基部、34…第1振動腕、35…第2振動腕、36…パッケージ、37…底板、38…第1側壁、39…第2側壁、40…シームリング、41…リッド、43…導電性接着剤、44…第1主面、45…第2主面、46…錘部、47…支持腕、50…第1溝、51…第3壁部、52…第4壁部、53…底部、60…第2溝、61…第1壁部、62…第2壁部、63…底部、65…圧電基板、70…発振器、72…ICチップ、74…樹脂材料、79,80…キャビティー、82,83…接合部材、84…ボンディングワイヤー、86…実装端子、87,88…接続電極、90…パッケージ本体、91…第1の基板、92…第2の基板、93…第3の基板、94…第4の基板、96…蓋部材、98…封止材、100…表示部、1100…パーソナルコンピューター、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1300…デジタルスチールカメラ、1302…ケース(ボディー)、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1312…ビデオ信号出力端子、1314…入出力端子、1430…テレビモニター、1440…パーソナルコンピューター、1500…自動車、1501…車体、1503…タイヤ、1510…電子制御ユニット、S…内部空間。
Claims (12)
- 基部と、
前記基部から延出し、互いに表裏の関係にある第1主面及び第2主面のうち、前記第1主面側に第1溝が設けられ、前記第2主面側に第2溝が設けられている振動腕と、
を含み、
前記第1溝はドライエッチングで形成され、
前記第2溝はウェットエッチングで形成されていることを特徴とする振動片。 - 請求項1の振動片において、
前記第2主面において、平面視で、
前記第2溝のエッチング残渣が多く生じている第1壁部と前記振動腕の外縁との間の、前記延出方向と交差する方向に沿った第1幅が、
前記第2溝の前記第1壁部と相対している側の第2壁部と前記振動腕の外縁との間の前記交差する方向に沿った第2幅より小さいことを特徴とする振動片。 - 請求項2の振動片において、
前記第1幅が、前記第1主面のうち平面視で前記第1溝の壁と前記振動腕の外縁との間の前記交差する方向に沿った第3幅より小さいことを特徴とする振動片。 - 請求項1乃至3のいずれか一項の振動片において、
前記振動腕は、第1振動腕と第2振動腕とから構成され、
前記第1溝が設けられている前記第1振動腕の面と、
前記第1溝が設けられている前記第2振動腕の面と、
が前記振動腕の厚さ方向に対して互いに反対側に配置されていることを特徴とする振動片。 - 請求項1乃至3のいずれか一項の振動片において、
前記振動腕は、第1振動腕と第2振動腕とから構成され、
前記第1溝が設けられている前記第1振動腕の面と、
前記第1溝が設けられている前記第2振動腕の面と、
が前記振動腕の厚さ方向に対して同じ側に配置されていることを特徴とする振動片。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の振動片と、
前記振動片が搭載されている容器と、
を備えていることを特徴とする振動子。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の振動片と、
回路と、
を備えていることを特徴とする発振器。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の振動片を備えていることを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の振動片を備えていることを特徴とする移動体。
- 基部と、
前記基部から延出し、互いに表裏の関係にある第1主面及び第2主面のうち、前記第1主面側に第1溝が設けられ、前記第2主面側に第2溝が設けられている振動腕と、
を含む振動片の製造方法であって、
前記振動腕の前記第1主面側にドライエッチングで前記第1溝を形成する工程と、
前記振動腕の前記第2主面側にウェットエッチングで前記第2溝を形成する工程と、
を含むことを特徴とする振動片の製造方法。 - 請求項10の振動片の製造方法において、
前記振動腕は、第1振動腕と第2振動腕とから構成され、
前記第1溝を形成する工程は、
前記第1振動腕に前記第1溝を形成する第1ドライエッチング工程と、
前記第1振動腕の前記第1溝が配置されている面と、厚さ方向に対して反対側の前記第2振動腕の面に前記第1溝を形成する第2ドライエッチング工程と、を含むことを特徴とする振動片の製造方法。 - 請求項10の振動片の製造方法において、
前記振動腕は、第1振動腕と第2振動腕とから構成され、
前記第1溝を形成する工程は、
前記第1振動腕に前記第1溝を形成する第1ドライエッチング工程と、
前記第1振動腕の前記第1溝が配置されている面と、厚さ方向に対して同じ側の前記第2振動腕の面に前記第1溝を形成する第2ドライエッチング工程と、を含むことを特徴とする振動片の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014068229A JP2015192307A (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 振動片、振動片の製造方法、振動子、発振器、電子機器、及び移動体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014068229A JP2015192307A (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 振動片、振動片の製造方法、振動子、発振器、電子機器、及び移動体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015192307A true JP2015192307A (ja) | 2015-11-02 |
Family
ID=54426498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014068229A Pending JP2015192307A (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 振動片、振動片の製造方法、振動子、発振器、電子機器、及び移動体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015192307A (ja) |
-
2014
- 2014-03-28 JP JP2014068229A patent/JP2015192307A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6175743B2 (ja) | 振動素子の製造方法 | |
US11595026B2 (en) | Vibration element, manufacturing method of vibration element, physical quantity sensor, inertial measurement device, electronic apparatus, and vehicle | |
US9035709B2 (en) | Vibration element, vibrator, oscillator, electronic apparatus, and moving object | |
US9425768B2 (en) | Resonator element, resonator device, electronic apparatus, moving object, and method of manufacturing resonator element | |
US10659006B2 (en) | Resonator element, resonator, electronic device, electronic apparatus, and moving object | |
JP6435596B2 (ja) | 振動素子、振動デバイス、電子機器、および移動体 | |
JP2017139682A (ja) | 振動片、振動片の製造方法、発振器、電子機器、移動体、および基地局 | |
JP2013253895A (ja) | 電子デバイス、電子機器、移動体、および電子デバイスの製造方法 | |
US9354128B2 (en) | Resonator element, resonator, oscillator, electronic apparatus, sensor, and mobile object | |
US10305426B2 (en) | Method for manufacturing resonator element, wafer, resonator element, resonator, oscillator, real-time clock, electronic apparatus, and moving object | |
US20190165760A1 (en) | Vibrator device, method of manufacturing vibrator device, electronic apparatus, and vehicle | |
US20190301867A1 (en) | Vibrating element, physical quantity sensor, inertial measurement device, electronic apparatus, vehicle, and method of manufacturing vibrating element | |
US9287848B2 (en) | Resonator element, resonator, oscillator, electronic apparatus, and moving object having reduced vibration leakage | |
JP6375611B2 (ja) | 振動片、振動子、発振器、電子機器および移動体 | |
US20150222245A1 (en) | Method for manufacturing vibrating element, vibrating element, electronic device, electronic apparatus, and moving object | |
US9337801B2 (en) | Vibration element, vibrator, oscillator, electronic apparatus, and moving object | |
JP2015192307A (ja) | 振動片、振動片の製造方法、振動子、発振器、電子機器、及び移動体 | |
JP6627902B2 (ja) | 振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器、移動体および振動素子の製造方法 | |
JP2016186479A (ja) | 物理量検出振動素子、物理量検出振動子、電子機器および移動体 | |
JP6217108B2 (ja) | 振動素子の製造方法 | |
JP6315115B2 (ja) | 振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器、および移動体 | |
JP6222327B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
JP2014138415A (ja) | 振動素子の製造方法 | |
JP2016178590A (ja) | 振動片、振動片の製造方法、振動子、発振器、電子機器、および移動体 | |
JP2015142307A (ja) | 振動素子、電子デバイス、電子機器、移動体および振動素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160617 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20160627 |