JP2015192038A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
発光装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015192038A JP2015192038A JP2014068429A JP2014068429A JP2015192038A JP 2015192038 A JP2015192038 A JP 2015192038A JP 2014068429 A JP2014068429 A JP 2014068429A JP 2014068429 A JP2014068429 A JP 2014068429A JP 2015192038 A JP2015192038 A JP 2015192038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting device
- electrode
- wavelength conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 61
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 45
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】ビア電極を持ったフェースアップタイプの発光素子と波長変換層とを、光学部材で挟んだ発光装置の色ムラを解消する。【解決手段】発光素子上に配置された波長変換層13および粒子状のスペーサ2と、波長変換層の上に搭載された光学部材14とを有した発光装置において、粒子状のスペーサは、発光素子の上面と光学部材の下面との間に挟まれることで波長変換層の膜厚が制御され、発光素子は複数のビア電極22bを持っており、少なくとも1つの粒子状のスペーサが、ビア電極の上に配置されていることを特徴とする発光装置。【選択図】図1
Description
本発明は、発光素子からの光を波長変換層で波長変換する発光装置およびその製造方法に関する。
従来、発光素子からの光の一部を蛍光体で異なる波長の光に変換し、発光素子からの光と混合して出射する発光装置が知られている。
特許文献1に記載の発光装置100の断面図と上面図を図8(a)と図8(b)にそれぞれ示す。発光装置100の波長変換層構造115の形成方法としては、蛍光体粒子113aとガラスビースのスペーサ113bと透光性樹脂に分散した混合液を、ディスペンサなどで発光素子111の上面に塗布し、さらに波長変換層113の上に光学部材である透明な板ガラス114を配置し、30μm程度の薄い波長変換層を備えた発光装置を提供している。
特許文献1に記載の発光装置100に使用している発光素子111は、バンプ112で給電されるフリップチップタイプのため青色光の発光は発光素子111全体から出射される。波長変換層113の層厚は、スペーサ113bによって高精度に制御されており、層厚が一様になるため、製品間のばらつきも小さくし、かつ、同一製品内の色ムラを少なくしている。
特許文献2にはフェースアップタイプの発光素子の従来例が記載されている。この発光素子は、第1電極から複数のビア電極が突出しており、ビア電極は第2導電型半導体層、活性層および第1導電型半導体層を貫通し発光素子の表面まで形成された構造になっている。通電すると、発光素子表面から主に青色光を出射し、支持基板は不透明なため青色光が出射することない。
特許文献2に記載のフェースアップタイプの発光素子124に、特許文献1の波長変換層構造115を形成した比較例の発光装置110の上面図を図9(a)に示す。図9(b)に発光装置110のA−A線上の断面図を示す。第1導電型半導体層117上に、波長変換層113、スペーサ113bが配置され、さらにその上に板ガラス114が実装されている。給電用ワイヤ127から通電されると、活性層118から青色の光が発生し、第1導電型半導体層117を通過し、波長変換層113の中の蛍光体粒子113aに当たり黄色光に変換され、波長変換されずに波長変換層113を通過した一部の青色光と混ざり、白色光が発光装置110から外部へ出射される。
ビア電極122bは第1導電型半導体層117の表面まで貫通しているため、ビア電極表面122aの周囲の青色発光は強く、発光装置110から外部へ出射する白色光も明るい。しかしながら、ビア電極表面122aの直上は青色発光せず、ビア電極122b周囲の入射角度60°以上の弱い青色光が廻り込む程度で、波長変換層内を通る光路長も長くなり、ビア電極表面122aの上の蛍光体粒子を十分励起することは不可能なり、通電時の発光装置110のビア電極表面122a上は暗部(ダークスポット)ができるため、同一製品内の色ムラが発生する。
また、板ガラス114を実装する際、給電用ワイヤ127と接触して、ワイヤの折れ曲りや断線を防ぐために、板ガラスの角部は矩形部126を持った板ガラス114を使用している。これは、給電用ワイヤ127の直径よりも波長変換層113の厚みが薄いためであるが、板ガラス個片の角部をさらに加工する必要があるため、コスト高の原因となる。
本発明は、ビア電極を持ったフェースアップタイプの発光素子と波長変換層とを、光学部材で挟んだ発光装置の色ムラを解消するための波長変換層構造と製造方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、フェースアップタイプの発光素子と、前記発光素子上に配置された波長変換層および粒子状のスペーサと、波長変換層の上に搭載された下面が平坦な光学部材とを有した発光装置において、前記波長変換層は、蛍光体粒子とバインダー部材とを含み、前記粒子状のスペーサは、前記発光素子の上面と前記光学部材の下面との間に挟まれており、前記発光素子は、導電性半導体積層構造と給電用電極からなり、前記給電用の電極は、第1電極と第2電極からなり、前記第1電極は、複数のビア電極を持ち、前記ビア電極は、前記発光素子表面まで貫通した孔の中に形成され、少なくとも1個の前記粒子状のスペーサは、前記ビア電極上に配置されていることを特徴とする。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記スペーサは、全ての前記ビア電極上に配置されていることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1ないし2に記載の発明において、前記粒子状のスペーサの直径は、前記ビア電極の直径とほぼ同じであることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記ビア電極表面には、凹部が形成されており、前記粒子状のスペーサは、前記凹部に嵌っていることを特徴とする。
本発明によれば、粒子状のスペーサを発光素子のビア電極表面に配置にすることにより、青色光の廻り込む量を増やすと共に、波長変換層の光路長を短くし、ビア電極表面上のダークスポットを消し、同一製品内の色ムラを改善することができる。
図1(a)は、本発明の第1の実施の形態の発光装置1の上面図であり、図1(b)は、そのB−B線の断面図である。
図1(a)に示すように、発光装置1はフェースアップタイプの発光素子5を備えている。発光素子5は、支持基板21上に第1電極16、絶縁層23、第2電極20、第2導電型半導体層19、活性層18および第1導電型半導体層17の順に形成されている。第1電極層16から第1導電半導体層17までの積層の厚みは、一般的な厚みの範囲で5μm程度である。第1電極17から繋がっているビア電極は、第2電極20、第2導電型半導体層19、活性層18および第1導電型半導体層17を貫いた貫通孔22c(ビアホール)内に導電材を埋めて形成している。ビア電極22bは発光素子5の表面まで平坦に形成しているが、ビア電極表面22aの位置は多少上下してよく表面付近まで形成されていればよい。
発光素子5の上に、蛍光体粒子13a(不図示)とバインダーである透光性樹脂13b(不図示)が混ざった波長変換層13、光学部材である少なくとも下面が平坦で透明な板ガラス14の順に配置されている。波長変換層13と板ガラス14の間には、波長変換層13の膜厚を制御するためのスペーサ2が、第1電極16の全てのビア電極表面22aの上に少なくとも1個、最大で3個が載っている。スペーサ2は接着剤3で固定されている。
発光素子5は1mm角のサイズで、GaN系の青色発光ダイオードを使用した。ビア電極22bは直径60μmで12個配列されているが、発光素子5のサイズや所望の出力によってビア電極22bのサイズや数は変わるため、特にこれらの数値にこだわる必要ない。波長変換層13は、Ce等の付活剤が導入されたYAGからなる蛍光体粒子13aと、シリコーン系透明樹脂13bとを混合ものである。所望の白色の色度が得られるように、波長変換層13の蛍光体濃度を適宜変更している。波長変換層13の厚みは30μm±10μmに制御できるように、ガラスビースでできた直径30μmのスペーサ2を用いた。蛍光体粒子13aはスペーサ2より小さいサイズを使用した。
波長変換層13の透明樹脂13bおよびスペーサ2の接着剤3の材料は、耐熱性や耐光性の高いジメチル系シリコーン樹脂を使用したが、エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂またはフェノール系シリコーン樹脂を使用してもよい。また、散乱材を混ぜてもよい。しかし、スペーサ2の接着剤3は、ビア電極表面22aの1個当たりに載せるスペーサ2の数が1個と少ない場合は、周囲の白色光を散乱させるために、散乱性のある白色系の反射性樹脂を用いてもよい。
図2に、発光装置1の白色光出射のイメージ図を示す。直流電圧が第1電極16と第2電極20の間に印加されると、活性層18は青色に発光し、青色光は第1導電型半導体層17を通過し、波長変換層13内の蛍光体粒子13aに当たり黄色光を出し、波長変換せずに残った青色光と混ざることにより、白色光が外部に出射される。ビア電極表面22aの上にはスペーサ2が少なくとも1個載っており、ビア電極22b周囲からの入射角度60°以上の弱い青色光が廻り込みやすくなり、さらに、波長変換層が薄くなることで光路長も短くなり、蛍光体粒子を十分励起することは可能になり、ビア電極表面22aの上のダークスポットは消え白色光が出射されるため、ビア電極22b周囲の発光色と同じになり、同一製品内の色ムラが改善される。
発光装置1の上面から見て、ビア電極表面22aに配置するスペーサの数は、最小は1個で、最大は3個載っている。ビア電極表面22aの面積に対するスペーサ2が占める面積の比率は、最小1個の占有率が25%で、最大3個の占有率が75%である。スペーサ2の占有率75%を超えると、ビア電極表面22aの上方の波長変換層が極端に減り、青色光が直接外部へ漏れるため、色ムラが酷くなるため、従って、スペーサ2がビア電極表面22aを占める面積占有率は、25%〜75%がよい。第1の実施の形態ではスペーサの数は1個〜3個で、最小数は1個だが、最大数は占有率75%以下になる数であればよいため、3個と限る必要はない。
図3の(a)〜(d)に、本発明の第1の実施の形態の発光装置1の製造方法を示す。図3(a)に示すように、発光素子1をサブマウント基板(不図示)に実装し、Au線をワイヤボンディング(不図示)する。図3(b)に示すように、スペーサ2と接着剤3を混合したスペーサ混合材を微量ディスペンサで各ビア電極22a全てに滴下する。接着剤3の硬化は、ベーク炉よって、硬化温度120℃、硬化時間10分で仮固化させた。硬化温度は透明樹脂が固化し始める温度以上で、硬化時間も接着剤の流動性が止まる程度のであればよい。図3(c)に示すように、蛍光体粒子13aと透明樹脂の混合液9をディスペンサで発光素子5の表面に適量滴下する。図3(d)に示すように板ガラス14を載せ、板ガラスの自重でスペーサ2上に接地し、均一な膜厚が形成される。その後、硬化温度150℃、硬化時間4時間で波長変換層を本硬化させた。
図3(b)のスペーサの接着剤の滴下に使用するディスペンサは、図1(a)に示す複数のビア電極位置に対応した複数本のノズルをもったニードルを使用してもよい。このニードルによって一度にスペーサ混合剤を全てのビア電極22a上に滴下できるため、工数の時間を短縮できる。
図4(a)は、本発明の第2の実施の形態の発光装置4の上面図であり、図4(b)は、そのC−C線の断面図である。
発光装置4は、発光素子7、波長変換層13、正方形の板ガラス14aおよびビア電極22bのサイズ相当のスペーサ6から構成されている。発光素子7は、第1の実施の形態で使用された発光素子とほぼ同じ材料であり構成だが、発光素子7の製造工程において、ビア電極22bの導電材をビアホール22cで埋める際、第1導電型半導体層17の表面まで埋めずに、0.5〜1μmの深さの凹部8がビアホール22cに形成されている。凹部8にはスペーサ6が嵌って、接着剤3(不図示)で仮固定されている。波長変換層13とスペーサ6の上に板ガラス14aが実装されて、スペーサ6のサイズで波長変換層13の膜厚が制御されている。板ガラスは、素子形状やサイズと同じ1mm角の正方形のものを使用したが、素子を覆えばよいため、四角形や長方形などでもよく特定する必要ない。第2電極20用のパッド電極30は、第1電極用のパッド電極28よりも積層厚分低いエピ層29に位置している。
波長変換層13の蛍光体粒子13a、透明樹脂13bおよびスペーサ6の接着剤3の材料は、第1の実施形態と同じものを用いた。
ビア電極22bの直径は60μmである。波長変換層13の厚みを60μm±10μmで制御できるように、スペーサ6の直径も60μmを使用した。
図5に、発光装置4の白色光出射のイメージ図を示す。第1の実施の形態と同様に、通電により白色光が外部に出射される。ビア電極表面22aの上には、スペーサ6が1個載っており、ビア電極22b周囲からの入射角度60°以上の弱い青色光が廻り込みやすくなり、さらに、波長変換層13が薄くなることで光路長も短くなり、蛍光体粒子を十分励起することは可能になり、ビア電極表面22aの上のダークスポットは消え白色光が出射されるため、ビア電極22b周囲の発光色と同じになり、同一製品内の色ムラが改善される。
図6に、本発明の第2の実施の形態の発光装置4のD−D線の断面図を示す。第1電極16と繋がっているパッド電極28の上に、給電用ワイヤ27をボンディングしている。給電用ワイヤはAu線で、直径は50μmのものを使用した。スペーサ6の直径は60μmで、凹部8の深さは1μm程度なので、波長変換層13の厚みは59μmあり、給電ワイヤの直径を超える。板ガラスを実装する際、給電ワイヤ27に接触することがなくなるため、加工しやすい四角形の板ガラスを使用することができ、発光装置のコスト低減できる。
四角形の板ガラス14aを使えるようにするためには、スペーサ6の直径は給電用ワイヤ27の直径より大きければよい。ただ、ビア電極22bの直径がスペーサ6の直径よりも半分しかない、つまり、極端に小さい場合は、スペーサ6を通して、青漏れ光が増えるため、ビア電極22bとスペーサ6の直径はできるだけ小さい方が好ましい。逆に、ビア電極22bの直径がスペーサ6の直径の2倍あるような、つまり、極端に大きい場合は、スペーサ6を通した青色光の回り込みが減るためダークスポットが改善できなくなる。
図7の(a)〜(d)に、本発明の第2の実施の形態の発光装置4の製造方法を示す。 図7(a)に示すように、発光素子7をサブマウント基板(不図示)に実装し、給電ワイヤ27をワイヤボンディング(不図示)する。図7(b)に示すように、スペーサ6と接着剤3を混合したスペーサ混合材を微量ディスペンサで凹部8のある各ビア電極表面22a全てに滴下し1個ずつ配置するする。ディスペンサのノズル径は、スペーサの直径より10μm〜50μm大きい程度の方が、スペーサ6を1個ずつ排出できるため都合がよい。接着剤3の硬化は、ベーク炉によって、硬化温度120℃、硬化時間10分で仮固化させた。硬化温度は透明樹脂が固化し始める温度以上で、硬化時間も接着剤の流動性が止まる程度のであればよい。図7(c)に示すように、所望の色度が得られるように蛍光体濃度を調整した混合液9aをディスペンサで発光素子7の表面に適量滴下する。図7(d)に示すように板ガラス14を載せ、板ガラスの自重でスペーサ6上に接地し、均一な膜厚が形成される。その後、硬化温度150℃、硬化時間4時間で波長変換層を本硬化させた。
ビア電極22a上の色ムラは素子内の青色光出力分布によるため、一概に全てビア電極22a上にスペーサを配置する必要ない。例えば、外側のビア電極上だけ色ムラが大きければ、スペーサは外側だけ配置して、色ムラ改善すればよい。また、内側のビア電極上だけ色ムラが大きければ、スペーサは内側だけ配置して、色ムラ改善すればよい。また、ダークスポットの改善のため、白色の発光装置に限らず、他の色に波長変換するような発光装置でも応用可能である。
発光素子の表面まで貫通してビアホール22cを形成したフェースアップタイプの発光装置の場合、ビアホール22c上はダークスポットができるため、凹部8の深さが数μmともっと深くてもスペーサを配置すれば、ダークスポットを改善できる。
上記の実施の形態は、自動車等の車両の前照灯、DRL(デイタイム・ランニング・ライト)の光源に適用できるが、一般照明、街路灯、液晶用バックライトにも適用可能である。
1、4…発光装置、2、6…スペーサ、3…接着剤、5、7…発光素子、8…凹部、13…波長変換層、14…板ガラス、16…第1電極、17…第1導電半導体層、18…活性層、19…第2導電半導体層、20…第2電極、21…支持基板、22b…ビア電極、22c…ビアホール、23…絶縁層、27…給電用ワイヤ
Claims (4)
- フェースアップタイプの発光素子と、前記発光素子上に配置された粒子状のスペーサを含んだ波長変換層と、前記波長変換層の上に搭載された下面が平坦な光学部材とを有した発光装置において、
前記波長変換層は、蛍光体粒子とバインダー部材とを含み、
前記粒子状のスペーサは、前記発光素子の上面と前記光学部材の下面との間に挟まれており、
前記発光素子は、導電性半導体積層構造と給電用電極からなり、
前記給電用の電極は、第1電極と第2電極からなり、
前記第1電極は、複数のビア電極を持ち、
前記ビア電極は、前記発光素子表面まで貫通した孔の中に形成され、
少なくとも1個の前記粒子状のスペーサは、前記ビア電極上に配置されていることを特徴とする発光装置。 - 前記スペーサは、全ての前記ビア電極上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記粒子状のスペーサの直径は、前記ビア電極の直径とほぼ同じであることを特徴とする請求項1から2に記載の発光装置。
- 前記ビア電極表面には、凹部が形成されており、
前記粒子状のスペーサは、前記凹部に嵌っていることを特徴とする請求項1から3に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014068429A JP2015192038A (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014068429A JP2015192038A (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015192038A true JP2015192038A (ja) | 2015-11-02 |
Family
ID=54426304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014068429A Pending JP2015192038A (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015192038A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020100294A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロledデバイスおよびその製造方法 |
-
2014
- 2014-03-28 JP JP2014068429A patent/JP2015192038A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020100294A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロledデバイスおよびその製造方法 |
JPWO2020100294A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-09-24 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロledデバイスおよびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9583682B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
US9576941B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP6186904B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2013175531A (ja) | 発光装置 | |
TWI784376B (zh) | 發光裝置以及液晶顯示裝置 | |
US10546981B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device | |
US8035122B2 (en) | Light diffusion type light emitting diode | |
KR20120088273A (ko) | 백라이트 유닛 및 그 제조 방법 | |
JP2018056367A (ja) | 発光装置 | |
JP6703312B2 (ja) | 発光モジュールおよび面発光光源 | |
JP2013187371A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP7284373B2 (ja) | 発光装置 | |
CN214375701U (zh) | 面发光光源 | |
JP2015084384A (ja) | Led発光装置 | |
KR20110090126A (ko) | 발광소자 패키지 | |
JP2019145690A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP5330855B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
KR20210101175A (ko) | 발광 장치 | |
JP2021166133A (ja) | 面状光源および面状光源の製造方法 | |
US11855242B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP2020053447A (ja) | 発光モジュール | |
JP2015192038A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP6959535B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2017208568A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2022041158A (ja) | 発光装置及びその製造方法、面状光源、液晶表示装置 |