JP2015179701A - 固体撮像装置及びカメラ - Google Patents

Abstract

【課題】画素アレイにおける画素の位置に応じて光電変換部の光電変換効率を向上させるのに有利な技術を提供する。【解決手段】各々が光電変換部を有する複数の画素が配列された画素アレイを有する固体撮像装置であって、前記光電変換部は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１導電型とは極性が反対の第２導電型の第２半導体領域と、を有し、前記第２半導体領域は、前記第２導電型の第１部分と、前記第１部分よりも幅が小さく、且つ、前記第１部分の下に前記第１部分に接するように形成された前記第２導電型の第２部分と、を含んでおり、各画素における前記第２部分は、前記固体撮像装置に一様光が照射された場合の各画素の前記光電変換部に到達した光の強度分布のピーク位置に基づいて、該一様光が照射された場合の各画素の前記光電変換部の電荷蓄積量が均一化されるように形成されている。【選択図】図２

Description

本発明は、固体撮像装置及びカメラに関する。

固体撮像装置は、複数の画素が配列された画素アレイを有する。各画素は光電変換部を含み、該光電変換部は、例えば、Ｐ型のウエルと、該ウエルに形成されたＮ型の不純物領域と、により形成される。Ｎ型の不純物領域は、光電変換部で生じた電荷を蓄積する電荷蓄積領域として機能する。

特許文献１には、電荷蓄積領域であるＮ型の不純物領域が、第１部分と、該第１部分よりも幅が小さく、且つ、該第１部分の下に該第１部分に接するように形成された第２部分と、を有する構造が開示されている。この構造によると、ウエルの深い位置で生じた電荷を蓄積することができ、光電変換部の光電変換効率が向上する。

特開２００５−１６７１８７号公報

固体撮像装置に一様光が照射された場合、画素アレイにおける中央領域の画素では、受光光の強度分布のピーク位置は、該画素の中央部になる。一方、画素アレイにおける周辺領域の画素では、受光光の強度分布のピーク位置は、該画素の中央部よりも画素アレイの端に近い側に偏る。このように、画素の位置によって受光光の強度分布のピーク位置が異なる。

特許文献１の構造では、画素の位置によって受光光の強度分布のピーク位置が異なることについては考慮されていない。

本発明の目的は、画素アレイにおける画素の位置に応じて光電変換部の光電変換効率を向上させるのに有利な技術を提供することにある。

本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、前記固体撮像装置は、各々が光電変換部を有する複数の画素が基板上に配列された画素アレイを有する固体撮像装置であって、前記光電変換部は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１導電型とは極性が反対の第２導電型の第２半導体領域と、を有し、前記第２半導体領域は、前記第２導電型の第１部分と、前記第１部分よりも幅が小さく、且つ、前記第１部分の下に前記第１部分に接するように形成された前記第２導電型の第２部分と、を含んでおり、前記複数の画素は、前記画素アレイにおける互いに同じ行又は列に前記画素アレイの第１の辺の側からその反対側の第２の辺の側に向かって順に配された第１画素と第２画素とを含み、前記行又は列の方向に平行で、且つ、前記第１画素における前記第２部分と前記第２画素における前記第２部分とを通る直線での断面において、前記第１画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心から、前記第１画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離と、前記第２画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心から、前記第２画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離と、が異なっており、前記第１画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁から、前記第１画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離が、前記第２画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁から、前記第２画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離よりも小さいことを特徴とする。

本発明によれば、画素アレイにおける画素の位置に応じて光電変換部の光電変換効率を向上させることができる。

固体撮像装置の全体構成例を説明するための図。 画素アレイの全体を説明するための図。 画素構造の例を説明するための図。 画素構造の例を説明するための図。 画素構造の例を説明するための図。 画素構造の例を説明するための図。 画素構造の例を説明するための図。 画素構造の例を説明するための図。 画素構造の例を説明するための図。 画素構造の例を説明するための図。 画素構造の例を説明するための図。 画素構造の例を説明するための図。 画素構造の例を説明するための図。

（１． 固体撮像装置の全体構成例）
図１は、固体撮像装置Ｉの全体構成例を示している。固体撮像装置Ｉは、複数の画素ＰＸが配列された画素アレイと、垂直走査回路ＶＳＣと、読出部Ｕ_ＲＯと、水平走査回路ＨＳＣと、出力部Ｕ_ＯＵＴと、を備えている。

複数の画素ＰＸは、ここでは説明を容易にするため、４行×４列に配列された構成を例示する。各画素ＰＸは、光電変換部ＰＤ（例えば、フォトダイオード）、転送トランジスタＴ_ＴＸ、フローティングディフュージョンＦＤ、リセットトランジスタＴ_ＲＥＳ、増幅トランジスタＴ_ＳＦ、選択トランジスタＴ_ＳＥＬを含んでいる。

転送トランジスタＴ_ＴＸのゲート端子には、信号線Ｌ_ＴＸを介して制御信号ＴＸが与えられる。制御信号ＴＸが活性化されたことに応答して、転送トランジスタＴ_ＴＸは、光電変換部ＰＤにおいて受光によって生じた電荷を、フローティングディフュージョンＦＤに転送する。増幅トランジスタＴ_ＳＦはソースフォロワ動作を行い、増幅トランジスタＴ_ＳＦのソース電位は、フローティングディフュージョンＦＤに転送された電荷量の変動に応じて変化する。選択トランジスタＴ_ＳＥＬのゲート端子には、信号線Ｌ_ＳＥＬを介して制御信号ＳＥＬが与えられる。制御信号ＳＥＬが活性化されたことに応答して、選択トランジスタＴ_ＳＥＬは、増幅トランジスタＴ_ＳＦのソース電位に応じた画素信号を、対応する列信号線Ｌ_Ｃに出力する。

また、リセットトランジスタＴ_ＲＥＳのゲート端子には、信号線Ｌ_ＲＥＳを介して制御信号ＲＥＳが与えられる。制御信号ＲＥＳが活性化されたことに応答して、リセットトランジスタＴ_ＲＥＳは画素ＰＸを初期化する。本構成では、リセットトランジスタＴ_ＲＥＳは、フローティングディフュージョンＦＤを電源ノードに接続し、フローティングディフュージョンＦＤの電位をリセットする。画素ＰＸの初期化の他の例としては、光電変換部ＰＤの電位をリセットしてもよい。

垂直走査回路ＶＳＣは、各画素ＰＸから画素信号を読み出すための上記制御信号ＴＸ等を各画素ＰＸに行ごとに出力する。読出部Ｕ_ＲＯは、各画素ＰＸからの画素信号を列ごとに読み出す。なお、読出部Ｕ_ＲＯは、読み出された画素信号に所定の処理を行ってもよい。水平走査回路ＨＳＣは、スイッチＳＷを列ごとに駆動して、読出部Ｕ_ＲＯにより列ごとに読み出された画素信号を順に水平転送する。出力部Ｕ_ＯＵＴは、水平転送された画素信号を外部に出力する。

（２． 画素構造の例）
（２−１． 第１実施形態）
図２は、複数の画素ＰＸが配列された画素アレイＡ_ＰＸの全体を示している。画素アレイＡ_ＰＸの各辺を、それぞれ、エッジＥ_Ｕ（上辺）、Ｅ_Ｂ（下辺）、Ｅ_Ｌ（左辺）、Ｅ_Ｒ（右辺）とする。画素アレイＡ_ＰＸは、中央領域に配された画素（「画素ＰＸ_Ｒ１」とする）と、周辺領域（ここでは、エッジＥ_Ｒの近傍）に配された画素（「画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒ」とする）と、を有する。画素ＰＸ_Ｒ１と画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒとは、互いに同じ行において、画素アレイＡ_ＰＸのエッジＥ_Ｌ側からエッジＥ_Ｌ側に向かって、順に、配されている。

図３は、画素ＰＸ_Ｒ１の構造を説明するための模式図である。図３（ａ）は、上面レイアウトを示している。図３（ａ）では、前述のトランジスタＴ_ＴＸ、Ｔ_ＲＥＳ、Ｔ_ＳＦ、Ｔ_ＳＥＬのゲート電極を、それぞれ、「Ｇ_ＴＸ」、「Ｇ_ＲＥＳ」、「Ｇ_ＳＦ」、「Ｇ_ＳＥＬ」と示している。図３（ａ）では、本構造の理解を容易にするため、ゲート電極や活性領域等を図示する一方で、コンタクトプラグや配線パターン等については省略している。

図３（ｂ）は、カットラインＡ１−Ａ１’の断面構造を示している。カットラインＡ１−Ａ１’は、画素ＰＸ_Ｒ１と画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒとが含まれる行に平行な直線である。Ａ１が画素アレイＡ_ＰＸのエッジＥ_Ｌ側であり、Ａ１’が画素アレイＡ_ＰＸのエッジＥ_Ｒ側である。画素ＰＸ_Ｒ１の光電変換部ＰＤやトランジスタＴ_ＲＥＳ等の各素子（以下、単に「各素子」という場合がある）は、例えば、半導体基板ＳＵＢのＰ型ウエルＷ_Ｐに形成されている。ウエルＷ_Ｐは、基板ＳＵＢにＰ型不純物（ホウ素等）を注入して形成されうるが、ウエルＷ_Ｐに代わってＰ型のエピタキシャル成長層その他のＰ型の半導体領域が用いられてもよい。

光電変換部ＰＤは、第１部分ＰＤ_１と、部分ＰＤ_１の下に、部分ＰＤ_１よりも幅が小さく且つ部分ＰＤ_１に接するように形成された第２部分ＰＤ_２と、を含む。光電変換部ＰＤは、例えば、ウエルＷ_ＰにＮ型の不純物（リンやヒ素等）を注入することにより形成される。部分ＰＤ_２の深さは、該不純物の注入強度を変更することによって調節することが可能である。第１部分ＰＤ_１と第２部分ＰＤ_２とは、それぞれ、光電変換部ＰＤに含まれるＮ型の不純物領域の一部である。これらのＮ型の不純物領域は、光電変換により生じた電荷を蓄積する電荷蓄積領域として機能する。

なお、光電変換部ＰＤは、実際には、ウエルＷ_Ｐと該ウエルＷ_Ｐに形成されたＮ型の不純物領域とのＰＮ接合により形成されるため、ウエルＷＰの一部も光電変換部ＰＤに含まれる。本明細書では説明を容易にするため、電荷蓄積領域として機能するＮ型不純物領域を単に「光電変換部」と称する。

各素子は、素子分離部Ｐ_ＩＳＯにより互いに電気的に分離されている。素子分離部Ｐ_ＩＳＯは、ＳｉＯ_２等の絶縁材料で構成された絶縁部材であり、例えばＳＴＩ法やＬＯＣＯＳ法等により形成されうる。本構成では、光電変換部ＰＤの隣には、素子分離部Ｐ_ＩＳＯを介してトランジスタＴ_ＲＥＳ等が形成されている（「トランジスタ領域Ｒ_Ｔｒ」とする）。

各素子が形成されたウエルＷ_Ｐの上には、絶縁部材および該絶縁部材中に配された配線パターンＭ１及びＭ２を含む構造ＳＴが配されている。構造ＳＴは、例えば、層間絶縁膜を形成する工程と、配線パターンを含む配線層を形成する工程とを交互に繰り返すことにより形成されうる。本構成では、配線パターンＭ１は第１配線層に形成された配線パターンであり、配線パターンＭ２は第２配線層に形成された配線パターンであり、これらは領域Ｒ_Ｔｒの上方に配されうる。

構造ＳＴの上には、マイクロレンズＭＬを含む光学系が配されている。マイクロレンズＭＬは、熱可撓性の材料のパターニングおよびリフローを行うことによって形成されてもよいし、感光性の材料の露光および現像を行うことによって形成されてもよい。また、構造ＳＴとマイクロレンズＭＬとの間には、カラーフィルタ、平坦化層、層内レンズその他の光学系が形成されてもよい。

図中において、符号Ｄ_ＭＡＸは、一様光が照射された場合に、マイクロレンズＭＬを通過して光電変換部ＰＤに到達した光の強度分布の平面視におけるピーク位置を示している。以下、本明細書において、単に「ピーク位置Ｄ_ＭＡＸ」という。なお、「平面視」とは、基板ＳＵＢの上面に対する平面視とする。

画素ＰＸ_Ｒ１では、ピーク位置Ｄ_ＭＡＸと、部分ＰＤ_１の中心ｃ１の位置と、部分ＰＤ_２の中心ｃ２の位置とは、平面視において互いに略一致している。

第１部分ＰＤ_１の中心ｃ１は、図３（ｂ）の断面において、第１部分ＰＤ_１のエッジＥ_Ｌの側（図の左側）の縁とエッジＥ_Ｒの側（図の右側）の縁との中央である。例えば、マイクロレンズＭＬの光軸と、第１部分ＰＤ_１の中心ｃ１とが一致していてもよい。また、第２部分ＰＤ_２の中心ｃ２は、図３（ｂ）の断面において、第２部分ＰＤ_２のエッジＥ_Ｌの側（図の左側）の縁とエッジＥ_Ｒの側（図の右側）の縁との中央である。第２部分ＰＤ_２の不純物濃度の平面視におけるピーク位置となる部分としてもよい。第１部分ＰＤ_１の縁は、当該ＰＤ_１を構成するＮ型の半導体領域とＰ型の半導体領域とのＰＮ接合面でもよいし、当該ＰＤ_１を構成するＮ型の半導体領域と素子分離部Ｐ_ＩＳＯとの境界面でもよい（素子分離部Ｐ_ＩＳＯにより区画されてもよい）。第２部分ＰＤ_２の縁は、当該ＰＤ_２を構成するＮ型の半導体領域とＰ型の半導体領域とのＰＮ接合面でもよいし、当該ＰＤ_２を構成するＮ型の半導体領域と素子分離部Ｐ_ＩＳＯとの境界面でもよい。

図４は、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒの構造を説明するための模式図を図３と同様に示しており、図４（ａ）は、上面レイアウトを示し、図４（ｂ）は、カットラインＡ２−Ａ２’の断面構造を示している。カットラインＡ２−Ａ２’は、画素ＰＸ_Ｒ１と画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒとが含まれる行に平行な直線である。Ａ２が画素アレイＡ_ＰＸのエッジＥ_Ｌ側であり、Ａ２’が画素アレイＡ_ＰＸのエッジＥ_Ｒ側である。また、便宜上、図３（ａ）のカットラインＡ１−Ａ１’とは異なる符号を付しているが、カットラインＡ２−Ａ２’はカットラインＡ１−Ａ１’と同一の直線であってもよい。

ここで、画素アレイＡ_ＰＸの周辺領域の画素では、画素アレイＡ_ＰＸの中央領域の画素と比較して、入射角の大きな入射光が多い。そのため、例えば、エッジＥ_Ｒの近傍の画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒでは、前述のピーク位置Ｄ_ＭＡＸは、部分ＰＤ_１の中心ｃ１よりもエッジＥ_Ｒ側に偏ってしまう。

そこで、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒでは、光電変換部ＰＤの第２部分ＰＤ_２が、画素アレイＡ_ＰＸのエッジＥ_Ｒ側に偏って形成されている。具体的には、第２部分ＰＤ_２の中心ｃ２が、第１部分ＰＤ_１の中心ｃ１よりもエッジＥ_Ｒ側に位置している。部分ＰＤ_２は、平面視において、ピーク位置Ｄ_ＭＡＸおよびその近傍の領域にわたって形成されているとよく、特に、中心ｃ２とピーク位置Ｄ_ＭＡＸとが実質的に一致しているとよい。

ここで、図３（ｂ）及び図４（ｂ）を再び参照しながら、上記光電変換部ＰＤの第１部分ＰＤ_１と第２部分ＰＤ_２との位置関係を他の観点で述べる。前述の通り、画素ＰＸ_Ｒ１と画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒとは、画素アレイＡ_ＰＸの互いに同じ行に配されており、画素アレイＡ_ＰＸのエッジＥ_Ｌ側からエッジＥ_Ｒ側に向かって順に配されている。また、図３（ｂ）及び図４（ｂ）は、該行の方向に平行で、且つ、画素ＰＸ_Ｒ１及びＰＸ_Ｒ２＿Ｒの双方の部分ＰＤ_２を通る直線での断面構造を模式的に示している。

画素ＰＸ_Ｒ１においては、第１部分ＰＤ_１の中心と、第２部分ＰＤ_２の中心とが一致している。つまり、第１部分ＰＤ_１の中心と、第２部分ＰＤ_２の中心との距離はゼロである。一方、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒにおいては、第１部分ＰＤ_１の中心と、第２部分ＰＤ_２の中心とがずれている。このように、画素ＰＸ_Ｒ１における第１部分ＰＤ_１の中心から第２部分ＰＤ_２の中心までの距離と、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒにおける第１部分ＰＤ_１の中心から第２部分ＰＤ_２の中心までの距離と、が異なっている。

そして、前述のとおり、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒでは部分ＰＤ_２がエッジＥ_Ｒ側に偏っている。より詳細には、画素ＰＸ_Ｒ１における第１部分ＰＤ_１のエッジＥ_Ｌの側の縁から、第２部分ＰＤ_２の中心までの距離が、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒにおける第１部分ＰＤ_１のエッジＥ_Ｌの側の縁から、第２部分ＰＤ_２の中心までの距離よりも小さい。エッジＥ_Ｒを基準とすれば、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒにおける部分ＰＤ_２の中心ｃ２と部分ＰＤ_１のエッジＥ_Ｒ側の縁との距離は、画素ＰＸ_Ｒ１における部分ＰＤ_２の中心ｃ２と部分ＰＤ_１のエッジＥ_Ｒ側の縁との距離よりも小さいとも言える。

本構造によると、画素アレイＡ_ＰＸの周辺領域の画素、即ち、ピーク位置Ｄ_ＭＡＸが偏った画素においても、光電変換部ＰＤの光電変換効率が向上する。他の観点では、光電変換により生じた電荷の蓄積効率が向上し、該電荷の隣接画素へのリーク量（クロストーク量）が低減する。

図５は、参考例として、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｒ’の構造を図４（ｂ）と同様に示している。本参考例では、光電変換部ＰＤの部分ＰＤ_２が、平面視において、その中心ｃ２が部分ＰＤ_１の中心ｃ１と略一致する位置に形成されている。前述のとおり、画素アレイＡ_ＰＸの周辺領域の画素では、光軸方向と交差する方向の入射光が多く、ピーク位置Ｄ_ＭＡＸが中心ｃ１からずれてしまう。そのため、本参考例の構造（平面視においてピーク位置Ｄ_ＭＡＸから外れた位置に部分ＰＤ_２が形成された構造）では、光電変換により生じた電荷の少なくとも一部が、部分ＰＤ_２に蓄積されずに隣接画素にリークしてしまう。

これに対して、本構成（図４）では、部分ＰＤ_２がエッジＥ_Ｒ側に偏るように形成されており、光電変換により生じた電荷が部分ＰＤ_２で適切に蓄積され、該電荷の隣接画素へのリークが防止されうる。

図６は、上述の画素ＰＸ_Ｒ１及びＰＸ_Ｒ２＿Ｒの他、画素アレイＡ_ＰＸにおける他の画素の構造について説明するための図である。画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕは、画素アレイＡ_ＰＸの周辺領域のうちエッジＥ_Ｕの近傍に配された画素である。画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂは、画素アレイＡ_ＰＸの周辺領域のうちエッジＥ_Ｂの近傍に配された画素である。画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｌは、画素アレイＡ_ＰＸの周辺領域のうちエッジＥ_Ｌの近傍に配された画素である。なお、周辺領域の各画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕ、ＰＸ_Ｒ２＿Ｂ、ＰＸ_Ｒ２＿Ｌ、ＰＸ_Ｒ２＿Ｒをまとめて、単に「画素ＰＸ_Ｒ２」という場合がある。

画素ＰＸ_Ｒ２では、光電変換部ＰＤの部分ＰＤ_２が、その中心ｃ２が部分ＰＤ_１の中心ｃ１よりも、画素アレイＡ_ＰＸの外側に偏るように形成されている。具体的には、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕでは、中心ｃ２が中心ｃ１よりもエッジＥ_Ｕ側に偏っている。画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂでは、中心ｃ２が中心ｃ１よりもエッジＥ_Ｂ側に偏っている。画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｌでは、中心ｃ２が中心ｃ１よりもエッジＥ_Ｌ側に偏っている。画素アレイＡ_ＰＸの各画素における部分ＰＤ_２は、一様光が照射された場合の各画素の光電変換部ＰＤの電荷蓄積量が均一化されるように（画素間で互いに等しくなるように）形成されているとよい。

例えば、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕと画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂとは、互いに同じ列において、エッジＥ_Ｕ側からエッジＥ_Ｂ側に向かって順に配されている。この２つの画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕと画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂとにおいても、図３（ｂ）、および、図４（ｂ）に示された、第１部分ＰＤ_１の中心ｃ１と部分ＰＤ_２の中心ｃ２との位置関係になっている。

以上、本実施形態によると、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素ＰＸ_Ｒ１、ＰＸ_Ｒ２等の位置に応じて光電変換部ＰＤの光電変換効率を向上させることができる。

（２−２． 第２実施形態）
図７を参照しながら第２実施形態を述べる。本実施形態は、主に、ウエルＷ_Ｐにおける隣接画素間に素子分離領域Ｒ_ＩＳＯが形成されている点で第１実施形態と異なる。

素子分離領域Ｒ_ＩＳＯは、Ｐ型の不純物濃度がウエルＷ_Ｐよりも高く、少数キャリアに対するポテンシャル障壁として機能する。素子分離領域Ｒ_ＩＳＯは、ウエルＷ_Ｐの中に不純物を注入して形成されたＰ型の不純物領域であり、平面視において、光電変換部ＰＤを取り囲むように（光電変換部ＰＤの外周又はその一部に）形成されうる。

本実施形態によると、光電変換により生じた電荷の隣接画素へのリークを防ぐのに有利であり、第１実施形態と同様の効果が得られる。素子分離領域Ｒ_ＩＳＯは、光電変換部ＰＤの部分ＰＤ_２よりも深く形成されるとよい。また、素子分離領域Ｒ_ＩＳＯは、素子分離部Ｐ_ＩＳＯの下に素子分離部Ｐ_ＩＳＯに接するように形成されてもよい。

（２−３． 第３実施形態）
前述のピーク位置Ｄ_ＭＡＸの偏りの量は、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置の他、画素構成ないし画素構造によっても異なる。しかしながら、本発明は、多様な画素構成ないし画素構造においても、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置に応じて光電変換部ＰＤの光電変換効率を向上させるのに有利である。

以下、多様な画素構成ないし画素構造の１つの例として、転送トランジスタＴ_ＴＸと光電変換部ＰＤとの位置関係に起因する転送トランジスタＴ_ＴＸの電荷転送効率の差について述べつつ、図８及び図９を参照しながら第３実施形態を述べる。

図８（ａ）は、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕ（画素アレイＡ_ＰＸの周辺領域のうちエッジＥ_Ｕの近傍に配された画素）の上面レイアウトを示し、図８（ｂ）は、カットラインＢ１−Ｂ１’の断面構造を示している。

図９（ａ）は、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂ（画素アレイＡ_ＰＸの周辺領域のうちエッジＥ_Ｂの近傍に配された画素）の上面レイアウトを示し、図９（ｂ）は、カットラインＢ２−Ｂ２’の断面構造を示している。

画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕ及び画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂの各々では、該画素内のエッジＥ_Ｕ側に光電変換部ＰＤが配され、エッジＥ_Ｂ側に転送トランジスタＴ_ＴＸ（及びフローティングディフュージョンＦＤ）が配されている。その結果、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕでは、ピーク位置Ｄ_ＭＡＸと転送トランジスタＴ_ＴＸとの距離が、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂに比べて大きい。即ち、図８の画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕでは、ピーク位置Ｄ_ＭＡＸが転送トランジスタＴ_ＴＸから遠いのに対して、図９の画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂでは、ピーク位置Ｄ_ＭＡＸが転送トランジスタＴ_ＴＸから近い。

そのため、本構造では、光電変換により生じた電荷の転送トランジスタＴ_ＴＸによる電荷転送効率が、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕと画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂとで互いに異なる。具体的には、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕでの電荷転送効率は、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂでの電荷転送効率よりも低い。

そこで、本実施形態では、画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕ及びＰＸ_Ｒ２＿Ｂの各々での電荷蓄積量と電荷転送効率との双方を考慮し、画素信号の信号値が画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕと画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂとの間で等しくなるように光電変換部ＰＤの部分ＰＤ_２の位置が決定される。

図８の画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｕでは、部分ＰＤ_２を、その中心ｃ２がピーク位置Ｄ_ＭＡＸよりも転送トランジスタＴ_ＴＸ側に位置するように形成している。ここでは、中心ｃ２が部分ＰＤ_１の中心ｃ１とピーク位置Ｄ_ＭＡＸとの間になるように部分ＰＤ_２を形成している。一方、図９の画素ＰＸ_Ｒ２＿Ｂでは、光電変換部ＰＤの部分ＰＤ_２を、その中心ｃ２がピーク位置Ｄ_ＭＡＸよりも転送トランジスタＴ_ＴＸ側に位置するように形成している。

本実施形態によると、多様な画素構成ないし画素構造においても、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置に応じて光電変換部ＰＤの光電変換効率を向上させるのに有利である。また、本実施形態によると、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置に応じて部分ＰＤ_２の位置を変えることにより、転送トランジスタＴ_ＴＸによる電荷転送効率の画素間での差を低減するのにも有利である。

（２−４． 第４実施形態）
前述の第３実施形態のとおり、前述のピーク位置Ｄ_ＭＡＸの偏りの量は、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置の他、画素構成ないし画素構造によっても異なる。第４実施形態では、多様な画素構成ないし画素構造の１つの例として、各画素ＰＸのレイアウトが、画素アレイＡ_ＰＸ上でミラー対称になるように形成された態様を示す。

図１０（ａ）は、画素アレイＡ_ＰＸの全体を示しており、画素アレイＡ_ＰＸは、エッジＥ_Ｌ側の領域Ｒ_Ｌと、エッジＥ_Ｒ側の領域Ｒ_Ｒとを有する。領域Ｒ_Ｌと領域Ｒ_Ｒとの境界Ｋは、例えば、エッジＥ_ＬとエッジＥ_Ｒとの間の中央であってもよいが、画素アレイＡ_ＰＸの一部に遮光部材が配された遮光領域やダミー画素領域を有する場合には、該中央でなくてもよい。

図１０（ｂ）は、領域Ｒ_Ｌと領域Ｒ_Ｒとの境界Ｋの近傍の領域の上面レイアウト（拡大図）を示している。領域Ｒ_Ｌの各画素と領域Ｒ_Ｒの各画素とは、互いにミラー対称のレイアウトになるように形成されている。本実施形態では、各画素のトランジスタＴ_ＴＸ及びフローティングディフュージョンＦＤは、光電変換部ＰＤに対して該画素の境界Ｋ側に配されている。換言すると、本構造では、各画素の光電変換部ＰＤは、トランジスタＴ_ＴＸ及びフローティングディフュージョンＦＤに対して外側（エッジＥ_Ｌ又はＥ_Ｒの側）に配されている。

本構造では、前述（第３実施形態）の図８の構造と同様に考えればよい。具体的には、本構造では、各画素でのピーク位置Ｄ_ＭＡＸが転送トランジスタＴ_ＴＸから遠くなってしまうため、光電変換部ＰＤの部分ＰＤ_２は、その中心ｃ２がピーク位置Ｄ_ＭＡＸよりも転送トランジスタＴ_ＴＸ側に位置するように形成されればよい。これにより、光電変換部ＰＤの光電変換効率が向上すると共に、転送トランジスタＴ_ＴＸによる電荷転送効率が向上する。

一方、各画素の光電変換部ＰＤが、トランジスタＴ_ＴＸ及びフローティングディフュージョンＦＤに対して該画素の境界Ｋ側に配されている場合についても、前述（第３実施形態）の図９の構造と同様に考えればよい。

本実施形態によると、多様な画素構成ないし画素構造においても、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置に応じて光電変換部ＰＤの光電変換効率を向上させるのに有利であり、また、転送トランジスタＴ_ＴＸによる電荷転送効率を向上させるのにも有利である。

（２−５． 第５実施形態）
前述の第３実施形態のとおり、前述のピーク位置Ｄ_ＭＡＸの偏りの量は、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置の他、画素構成ないし画素構造によっても異なる。第５実施形態では、多様な画素構成ないし画素構造の１つの例として、１つの画素が複数の光電変換部ＰＤを有する態様を示す。

図１１は、本実施形態の単位画素（「画素ＰＸ’」とする）の構造を説明するための模式図を、前述の第１実施形態（図３等）と同様に示している。図１１（ａ）は、上面レイアウトを示しており、図１１（ｂ）は、カットラインＣ−Ｃ’の断面構造を示している。

画素ＰＸ’は、画素アレイＡ_ＰＸの周辺領域のエッジＥ_Ｌ近傍に配されており、即ち、画素ＰＸ’では、前述のピーク位置Ｄ_ＭＡＸがエッジＥ_Ｌ側に偏っている。

また、画素ＰＸ’は、２つの光電変換部ＰＤ＿ａ及びＰＤ＿ｂと、該２つの光電変換部ＰＤ＿ａ及びＰＤ＿ｂにそれぞれ対応する２つの転送トランジスタ（それぞれ「Ｔ_ＴＸ＿ａ」、「Ｔ_ＴＸ＿ｂ」とする）と、を含む。図中では、２つの転送トランジスタＴ_ＴＸ＿ａ及びＴ_ＴＸ＿ｂのゲート電極を、それぞれ「Ｇ_ＴＸ＿ａ」、「Ｇ_ＴＸ＿ｂ」と示している。

ゲート電極Ｇ_ＴＸ＿ａ及びＧ_ＴＸ＿ｂは、光電変換部ＰＤａとＰＤｂとの間に配され、フローティングディフュージョンＦＤは、ゲート電極Ｇ_ＴＸ＿ａとＧ_ＴＸ＿ｂとの間に配されている。即ち、光電変換部ＰＤ＿ａで生じた電荷は、対応する転送トランジスタＴ_ＴＸ＿ａによってフローティングディフュージョンＦＤに転送される。一方、光電変換部ＰＤ＿ｂで生じた電荷は、対応する転送トランジスタＴ_ＴＸ＿ｂによってフローティングディフュージョンＦＤに転送される。

前述の第１実施形態（光電変換部ＰＤの部分ＰＤ_１及びＰＤ_２）と同様に、光電変換部ＰＤ＿ａは、部分ＰＤ_１＿ａと部分ＰＤ_２＿ａとを含み、光電変換部ＰＤ＿ｂは、部分ＰＤ_１＿ｂと部分ＰＤ_２＿ｂとを含む。

ここで、光電変換部ＰＤ＿ｂでは、ピーク位置Ｄ_ＭＡＸの偏りの量が光電変換部ＰＤ＿ａよりも小さい。このことは、ゲート電極Ｇ_ＴＸ＿ａ及びＧ_ＴＸ＿ｂ並びにフローティングディフュージョンＦＤの上の配線パターンＭ１及びＭ２によって入射光が反射することに起因する。

本構造においても、部分ＰＤ_２＿ａ及びＰＤ_２＿ｂは、平面視において、それらの中心ｃ２＿ａ及びｃ２＿ｂの各々の位置がピーク位置Ｄ_ＭＡＸに実質的に一致するように形成されるとよい。その結果、部分ＰＤ_１＿ａの中心ｃ１＿ａと部分ＰＤ_２＿ａの中心ｃ２＿ａとの距離Ｘａは、部分ＰＤ_１＿ｂの中心ｃ１＿ｂと部分ＰＤ_２＿ｂの中心ｃ２＿ｂとの距離Ｘｂよりも大きくなっている（Ｘａ＞Ｘｂ）。

本実施形態によると、多様な画素構成ないし画素構造においても、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置に応じて光電変換部ＰＤの光電変換効率を向上させるのに有利である。

（２−６． 第６実施形態）
図１２を参照しながら第６実施形態を述べる。前述の第１〜第５実施形態では撮像用画素の構造を例示して述べたが、本発明は焦点検出用画素にも適用可能である。画素アレイＡ_ＰＸには複数の撮像用画素と共に複数の焦点検出用画素が配されている（複数の画素の一部は焦点検出用画素である）。ここで、一部の焦点検出用画素は画素アレイＡ_ＰＸの中央領域に配される一方、他の一部の焦点検出用画素は周辺領域に配される。

図１２（ａ）は、画素アレイＡ_ＰＸの周辺領域のエッジＥ_Ｒ近傍に配された焦点検出用画素ＡＦ１_Ｒ２＿Ｒ及びＡＦ２_Ｒ２＿Ｒの上面レイアウトを示しており、図１２（ｂ）は、カットラインＡ３−Ａ３’の断面構造を示している。

画素ＡＦ１_Ｒ２＿Ｒ及びＡＦ２_Ｒ２＿Ｒは、位相差検出法に基づく焦点検出を行うための一対の焦点検出用画素である。具体的には、画素ＡＦ１_Ｒ２＿Ｒ及びＡＦ２_Ｒ２＿Ｒの各々は、前述と同様の画素構成（図１参照）を採っている。そして、画素ＡＦ１_Ｒ２＿Ｒからの信号と画素ＡＦ２_Ｒ２＿Ｒからの信号との双方が個別に読み出され、これらの信号を用いて、位相差検出法に基づく焦点検出が為される。

画素ＡＦ１_Ｒ２＿Ｒには、瞳分割を行うための開口ＯＰ１を有する配線パターンＭ１’が配されている。図中において、開口ＯＰ１は画素ＡＦ１_Ｒ２＿Ｒにおける右側に設けられている。画素ＡＦ２_Ｒ２＿Ｒには、瞳分割を行うための開口ＯＰ２を有する配線パターンＭ１’が配されている。図中において、開口ＯＰ２は画素ＡＦ２_Ｒ２＿Ｒにおける左側に設けられている。なお、配線パターンＭ１’は「遮光パターン」と称されてもよい。

ここで、画素ＡＦ１_Ｒ２＿Ｒ及びＡＦ２_Ｒ２＿Ｒの各々では、マイクロレンズＭＬを通過した光の一部が配線パターンＭ１’で遮光され、開口ＯＰ１及びＯＰ２により瞳分割が為される。そのため、前述のピーク位置Ｄ_ＭＡＸは、それぞれ、画素ＡＦ１_Ｒ２＿Ｒでは該画素ＡＦ１_Ｒ２＿Ｒにおける右側に位置する一方、画素ＡＦ２_Ｒ２＿Ｒでは該画素ＡＦ２_Ｒ２＿Ｒにおける左側に位置している。しかし、本構造においても、前述の各実施形態と同様に、光電変換部ＰＤの部分ＰＤ_２は、平面視において、その中心ｃ２がピーク位置Ｄ_ＭＡＸに実質的に一致するように形成されればよい。

以上、本実施形態によると、焦点検出用画素についても、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置に応じて光電変換部ＰＤの光電変換効率を向上させることができる。

（２−７． その他の変形例）
図１３の構造は、主に、画素ＰＸ_Ｒ２の光電変換部ＰＤの部分ＰＤ_２が複数の部分ＰＤ_２１、ＰＤ_２２及びＰＤ_２３を含み、それらの偏りが上側から下側に向かって順に大きくなるように部分ＰＤ_２が形成されている、という点で第１実施形態と異なる。

複数の部分ＰＤ_２１、ＰＤ_２２及びＰＤ_２３は、例えば、注入強度が互いに異なる複数回の不純物注入を行うことによって形成される。この方法によると、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置に応じて、部分ＰＤ_２の深さを変えることが可能である。また、この方法によると、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置に応じて、さらに、各部分ＰＤ_２１、ＰＤ_２２及びＰＤ_２３の偏りの量を変えることも可能である。よって、前述のピーク位置Ｄ_ＭＡＸをより適切に考慮して部分ＰＤ_２を形成することが可能である。

なお、部分ＰＤ_２の形成方法は、上記方法に限られるものではない。例えば、各画素について注入強度が互いに異なる不純物注入を１回ずつ行うことによって部分ＰＤ_２を形成してもよい。この方法によっても、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置に応じて、部分ＰＤ_２の深さを変えることができる。また、この方法において、画素アレイＡ_ＰＸにおける画素位置に応じて、不純物注入の注入角度を変更してもよい。

また、各画素にカラーフィルタが配される場合には、該カラーフィルタの色に基づいて部分ＰＤ_２の深さを変えてもよい。例えば、画素アレイＡ_ＰＸがベイヤ配列にしたがって形成される場合には、各画素での部分ＰＤ_２は、赤画素、緑画素、青画素の順に深くなるように形成されてもよい。

（３． その他）
以上、いくつかの好適な実施形態を例示したが、本発明はこれらに限られるものでないことは言うまでもなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部を変更してもよいし、各実施形態を組み合わせてもよい。例えば、上述の各実施形態で例示した構造において、各半導体領域ないし不純物領域の導電型をそれとは反対の極性にしてもよい（Ｐ型とＮ型とを入れ替えてもよい）。

上述の各実施形態では理解を容易にするため、主に、画素アレイＡ_ＰＸの中央領域の画素の構造と周辺領域の画素の構造とを比較しつつ本発明を述べた。しかしながら、画素アレイＡ_ＰＸ上の任意の位置の画素の構造と、エッジＥ_Ｕ等のうちの１つからの距離が該画素とは異なる他の画素の構造と、の比較においても同様である。

また、上述の各実施形態では説明を容易にするため、光電変換部ＰＤの第１部分ＰＤ_１と第２部分ＰＤ_２とが平面視において矩形形状の構成を例示した。しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、部分ＰＤ_１と部分ＰＤ_２とは、例えば円形形状や多角形形状等、任意の形状を採ってもよい。この場合、部分ＰＤ_２の中心ｃ２の部分ＰＤ_１の中心ｃ１に対する偏りの量の画素間での比較は、比較対象となる２つの画素ＰＸを選び、一方の画素ＰＸの部分ＰＤ_２と他方の画素ＰＸの部分ＰＤ_２とを通る直線での断面で、各実施形態と同様にして為されればよい。

なお、上述の各実施形態では説明を容易にするため、「中央領域」と「周辺領域」とを用いて本発明を説明した。「中央領域」および「周辺領域」は、実質的に光電変換を行う実効的な画素領域における中央領域および周辺領域を示しており、該画素領域は、ダミー画素領域や、光が照射されないダーク画素領域などを含まない。

（４． 撮像システム）
以上の各実施形態は、カメラ等に代表される撮像システムに含まれる固体撮像装置について述べた。撮像システムの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。撮像システムは、上述の各実施形態で例示された固体撮像装置と、該固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含みうる。該処理部は、例えば、Ａ／Ｄ変換部や該Ａ／Ｄ変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。

Claims (14)

1. 各々が光電変換部を有する複数の画素が基板上に配列された画素アレイを有する固体撮像装置であって、
   前記光電変換部は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１導電型とは極性が反対の第２導電型の第２半導体領域と、を有し、
   前記第２半導体領域は、前記第２導電型の第１部分と、前記第１部分よりも幅が小さく、且つ、前記第１部分の下に前記第１部分に接するように形成された前記第２導電型の第２部分と、を含んでおり、
   前記複数の画素は、前記画素アレイにおける互いに同じ行又は列に前記画素アレイの第１の辺の側からその反対側の第２の辺の側に向かって順に配された第１画素と第２画素とを含み、
   前記行又は列の方向に平行で、且つ、前記第１画素における前記第２部分と前記第２画素における前記第２部分とを通る直線での断面において、
   前記第１画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心から、前記第１画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離と、前記第２画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心から、前記第２画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離と、が異なっており、
   前記第１画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁から、前記第１画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離が、前記第２画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁から、前記第２画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離よりも小さい
   ことを特徴とする固体撮像装置。
2. 前記複数の画素は、前記第１画素と前記第２画素との間に配された第３画素をさらに含み、
   前記直線での断面において、
   前記第３画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心から、前記第３画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離は、
   前記第１画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心から、前記第１画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離と異なり、且つ、
   前記第２画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心から、前記第２画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離と異なり、
   前記第３画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁から、前記第３画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離は、
   前記第１画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁から、前記第１画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離よりも大きく、且つ、
   前記第２画素における前記第１部分の前記第１の辺の側の縁から、前記第２画素における前記第２部分の前記第１の辺の側の縁と前記第２の辺の側の縁との中心までの距離よりも小さい
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記第２部分は、前記第１部分の側から下に向かって順に形成された複数の部分を含んでおり、
   前記直線での断面において、前記第１画素における前記第２部分の各部分と、前記第２画素における前記第２部分の各部分とは、それらの距離が前記第１部分の側から下に向かって順に大きくなるように形成されている
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体撮像装置。
4. 各画素は、前記光電変換部の上に配された光学系をさらに有し、
   各画素では、前記第２部分は、前記基板の上面に対する平面視において、前記固体撮像装置に一様光が入射したときに前記光学系を通過して前記光電変換部に到達した光の強度分布のピーク位置および該ピーク位置の周辺に形成されている
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
5. 各画素は、前記光電変換部の上に配された光学系と、前記光電変換部で生じた電荷を転送するための転送トランジスタと、をさらに有し、
   前記複数の画素の少なくとも１つの画素では、
   前記転送トランジスタは、前記光電変換部よりも前記画素アレイの前記第１の辺の側に配されており、
   前記第２部分は、前記基板の上面に対する平面視において、その前記第２導電型の不純物濃度のピーク位置が、前記固体撮像装置に一様光が入射した場合に前記光学系を通過して前記光電変換部に到達した光の強度分布がピークになる位置よりも前記第１の辺の側になるように形成されている
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
6. 各画素は、前記光電変換部の上に配された光学系と、前記光電変換部で生じた電荷を転送するための転送トランジスタと、をさらに有し、
   前記複数の画素の少なくとも１つの画素では、
   前記転送トランジスタは、前記光電変換部よりも前記画素アレイの前記第２の辺の側に配されており、
   前記第２部分は、前記基板の上面に対する平面視において、その前記第２導電型の不純物濃度のピーク位置が、前記固体撮像装置に一様光が入射した場合に前記光学系を通過して前記光電変換部に到達した光の強度分布がピークになる位置よりも前記第２の辺の側になるように形成されている
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
7. 前記光学系は、カラーフィルタを含み、
   各画素では、前記第２部分の深さは、前記カラーフィルタの色にしたがう
   ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
8. 前記カラーフィルタは、前記複数の画素がベイヤ配列を形成するように配されており、
   各画素における前記第２部分の深さは、赤画素、緑画素、青画素の順に深い
   ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
9. 隣接画素間の前記第１半導体領域に形成された、前記第１半導体領域よりも前記第１導電型の不純物濃度が高い素子分離部をさらに有する
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
10. 前記素子分離部は、前記第２部分よりも前記第１半導体領域の深い位置まで形成されている
    ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
11. 前記第１画素および前記第２画素は焦点検出用の画素である
    ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
12. 各画素における前記第１部分は絶縁部材により区画されており、前記第１部分の縁は該絶縁部材による区画にしたがう
    ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
13. 各々が光電変換部を有する複数の画素が配列された画素アレイを有する固体撮像装置であって、
    前記光電変換部は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１導電型とは極性が反対の第２導電型の第２半導体領域と、を有し、
    前記第２半導体領域は、前記第２導電型の第１部分と、前記第１部分よりも幅が小さく、且つ、前記第１部分の下に前記第１部分に接するように形成された前記第２導電型の第２部分と、を含んでおり、
    各画素における前記第２部分は、前記固体撮像装置に一様光が照射された場合の各画素の前記光電変換部に到達した光の強度分布のピーク位置に基づいて、該一様光が照射された場合の各画素の前記光電変換部の電荷蓄積量が均一化されるように形成されている
    ことを特徴とする固体撮像装置。
14. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、を備える
    ことを特徴とするカメラ。

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