JP2015179042A - 電流センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】バイアス磁界を増幅しつつ、体格の増大が抑制された電流センサを提供する。【解決手段】磁電変換素子(10)と、バイアス磁石(20)と、磁気シールド(30)と、を有する電流センサ。磁気シールド、バイアス磁石、および、磁電変換素子それぞれは、被測定電流の流動方向に直交する高さ方向にて並び、バイアス磁石は、高さ方向に磁化方向が沿う第1N極(21)と第1S極(22)、および、高さ方向に磁化方向が沿う第2S極(23)と第2N極(24)を有する。流動方向において第1N極と第2S極とが隣接し、第1S極と第2N極とが隣接することで、バイアス磁界が閉磁路を成している。第1N極と第2S極それぞれの底面(21a,23a)が磁気シールドに接着され、第1S極と第2N極それぞれの底面(22a,24a)が磁電変換素子と対向している。【選択図】図1
Description
本発明は、被測定磁界を電気信号に変換する磁電変換素子、磁電変換素子にバイアス磁界を透過させるバイアス磁石、および、磁電変換素子に外部磁界が透過することを抑制する磁気シールドを備える電流センサに関するものである。
特許文献1に示されるように、センサ基板に磁電変換素子が形成され、センサ基板の周囲が磁気シールドによって囲まれた電流センサが従来技術として知られている。磁気シールド内に、バイアス磁界を印加するバイアス磁石が設けられており、このバイアス磁界によって磁電変換素子の初期値が定められている。
上記したように特許文献1に示される電流センサでは、バイアス磁界によって磁電変換素子の初期値が定められている。このバイアス磁界の強さを大きくする場合、バイアス磁石の体格が大きくなり、それによって電流センサの体格が増大する虞がある。
そこで本発明は上記問題点に鑑み、バイアス磁界を増幅しつつ、体格の増大が抑制された電流センサを提供することを目的とする。
上記した目的を達成するために本発明は、被測定電流の流動によって生じる被測定磁界を電気信号に変換する磁電変換素子(10)と、磁電変換素子にバイアス磁界を透過させるバイアス磁石(20)と、被測定磁界およびバイアス磁界それぞれとは異なる外部磁界が磁電変換素子を透過することを抑制する、磁性材料から成る磁気シールド(30)と、を有し、磁気シールド、バイアス磁石、および、磁電変換素子それぞれは、被測定電流の流動方向に直交する高さ方向にて並び、バイアス磁石は、高さ方向に磁化方向が沿う第1N極(21)と第1S極(22)、および、高さ方向に磁化方向が沿う第2S極(23)と第2N極(24)を有し、流動方向において第1N極と第2S極とが隣接し、第1S極と第2N極とが隣接することで、バイアス磁界が閉磁路を成しており、第1N極と第2S極それぞれの底面(21a,23a)が磁気シールドに接着され、第1S極と第2N極それぞれの底面(22a,24a)が磁電変換素子と対向していることを特徴とする。
このように本発明によればバイアス磁石(20)は高さ方向に磁化方向が沿い、磁化方向に直交する底面(21a,23a)が磁気シールド(30)に接着されている。これによればバイアス磁界が磁気シールド(30)に集磁され、磁気シールド(30)の一部がバイアス磁石(20)としての機能を果たすこととなる(集磁ヨーク)。そのためにバイアス磁石(20)の高さ方向における長さが擬似的に厚くなり、バイアス磁界が増幅される。このようにバイアス磁石(20)(電流センサ(100))の体格を増大しなくとも、バイアス磁界が増幅される。
磁気シールドは、高さ方向に主面が直交する平板形状の第1シールド(31)と第2シールド(32)を有し、第1シールドと第2シールドそれぞれが高さ方向に並び、その間の空間にバイアス磁石、磁電変換素子、および、被測定電流の流動する被測定導体が設けられており、バイアス磁石は第1シールドが有する2つの主面の内、第2シールドと対向する第1主面(31a)に設けられている。
これによれば、磁気シールド(30)が筒形状を成す構成と比べて、バイアス磁界の磁界分布が磁気シールド(30)によって歪まされることが抑制される。したがって磁電変換素子(10)を透過する磁界の設計が容易となる。
磁電変換素子には、バイアス磁界における流動方向に沿う磁界成分、および、被測定磁界における高さ方向および流動方向それぞれに直交する横方向に沿う磁界成分それぞれが透過され、磁電変換素子は、流動方向と横方向とによって規定される規定平面に沿う磁界のみを検出する。
上記したように磁気シールド(30)は主面が高さ方向に沿う平板形状を成す。したがって高さ方向に直交する外部磁界が電流センサ(100)を透過しようとした際、その外部磁界は磁気シールド(30)のために曲げられ、磁電変換素子(10)を透過することが抑制される。しかしながら外部磁界が高さ方向に沿う場合、外部磁界は磁気シールド(30)によって曲げられずに透過するため、磁電変換素子(10)を透過することとなる。これに対して磁電変換素子(10)は高さ方向に直交する規定平面に沿う磁界のみを検出する。したがって高さ方向に沿う外部磁界が磁気シールド(30)を介して磁電変換素子(10)を透過したとしても、それによって被測定磁界の検出精度が低下することが抑制される。なお、上記したように磁気シールド(30)の形状を単純な平板形状を採用するため、磁気シールド(30)の製造が容易となる。
なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけているが、この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
(第1実施形態)
図1〜図3に基づいて、本実施形態に係る電流センサを説明する。以下においては互いに直交の関係にある3方向を、x方向、y方向、z方向と示す。またx方向とy方向とによって規定される平面を規定平面と示す。x方向が特許請求の範囲に記載の横方向に相当し、y方向が特許請求の範囲に記載の流動方向に相当し、z方向が特許請求の範囲に記載の高さ方向に相当する。
(第1実施形態)
図1〜図3に基づいて、本実施形態に係る電流センサを説明する。以下においては互いに直交の関係にある3方向を、x方向、y方向、z方向と示す。またx方向とy方向とによって規定される平面を規定平面と示す。x方向が特許請求の範囲に記載の横方向に相当し、y方向が特許請求の範囲に記載の流動方向に相当し、z方向が特許請求の範囲に記載の高さ方向に相当する。
電流センサ100は、磁電変換素子10、バイアス磁石20、および、磁気シールド30を有し、被測定導体90を流れる被測定電流を検出するものである。磁電変換素子10にはバイアス磁石20から発生されるバイアス磁界、および、被測定電流の流動によって生じる被測定磁界それぞれが透過する。したがって磁電変換素子10はこれらバイアス磁界および被測定磁界から成る合成磁界に応じた電気信号を生成する。
図1に示すように磁電変換素子10、バイアス磁石20、および、磁気シールド30それぞれはz方向にて並んでおり、磁気シールド30によって被測定磁界およびバイアス磁界それぞれとは異なる外部磁界が磁電変換素子10を透過することが抑制されている。そしてバイアス磁石20は磁気シールド30に接着され、これによってバイアス磁界が増幅されている。
本実施形態に係る電流センサ100は上記した構成要素の他に、算出部40、支持基板50、および、固定部60を有する。算出部40は磁電変換素子10から出力される電気信号に基づいて被測定電流を算出するものであり、磁電変換素子10とともに支持基板50に搭載されている。支持基板50は絶縁性の基板に配線パターンが形成されたものであり、磁電変換素子10と算出部40とを搭載するだけではなく、両者を電気的に接続する。図1に示すように支持基板50は被測定導体90に搭載されており、その搭載面50aの裏面50bに磁電変換素子10と算出部40とが搭載されている。固定部60は非導電性であり非磁性の樹脂材料から成るものである。固定部60は、磁電変換素子10および算出部40が搭載された支持基板50、および、バイアス磁石20が接着された磁気シールド30それぞれを被測定導体90に固定している。
以上が電流センサ100の概略構成である。以下、主として磁電変換素子10、バイアス磁石20、および、磁気シールド30を個別に詳説した後、電流センサ100の作用効果を説明する。
磁電変換素子10は自身を透過する磁界を電気信号に変換するものである。図1に示すように被測定電流はy方向に流動するため、被測定磁界はその周りに発生する。またバイアス磁石20はx方向の周りに閉磁路を形成しており、磁電変換素子10はz方向においてバイアス磁石20と被測定導体90の間に位置する。したがって図2に示すように磁電変換素子10には、被測定磁界におけるx方向に沿う磁界成分が透過し、バイアス磁石20におけるy方向に沿う磁界成分が透過する。上記したように合成磁界はバイアス磁界と被測定磁界から成るので、被測定磁界がゼロの場合、合成磁界はバイアス磁界と等しくなる。したがってz方向に直交する規定平面にて合成磁界とバイアス磁界との成す角度θは被測定磁界がゼロの場合はゼロとなるが、被測定磁界が有限の場合、角度θもまた有限と成る。このように角度θは被測定磁界の強さによってその値が変動する。
磁電変換素子10は規定平面に沿う磁界のみを検出する。図示しないが、磁電変換素子10は、磁化方向の定まったピン層、磁化方向の定まらない自由層、および、両者の間に設けられる非磁性の中間層を有し、ピン層と自由層それぞれの磁化方向の成す角度によって抵抗値が定まる磁気抵抗効果素子である。ピン層の磁化方向は規定平面に沿っており、自由層の磁化方向は規定平面に沿う磁界によって定まる。上記したように磁電変換素子10には合成磁界が透過する。したがって自由層の磁化方向は合成磁界の方向(角度θ)によって定まり、その抵抗値も定まる。上記したように角度θは被測定磁界に依存するので、磁電変換素子10の抵抗値もまた角度θに依存する。図示しないが、複数の磁電変換素子10が電源から中点にて直列接続されることでブリッジ回路が組まれており、その中点電位が磁電変換素子10の電気信号として算出部40に出力される。したがって磁電変換素子10の電気信号もまた角度θに依存する。算出部40は磁電変換素子10の電気信号と角度θとの相関関係、および、角度θと被測定磁界(被測定電流)との相関関係を記憶している。算出部40はその相関関係および磁電変換素子10の電気信号に基づいて、被測定電流を算出する。
バイアス磁石20は磁電変換素子10にバイアス磁界を透過させるものである。バイアス磁石20は、z方向に磁化方向が沿う第1N極21と第1S極22、および、z方向に磁化方向が沿う第2S極23と第2N極24を有する。y方向において第1N極21と第2S極23とが隣接し、第1S極22と第2N極24とが隣接している。これによりバイアス磁界が閉磁路を成している。図3に示すように第1N極21と第2S極23それぞれの底面21a,23aが磁気シールド30に接着され、第1S極22と第2N極24それぞれの底面22a,24aが磁電変換素子10と対向している。より具体的に言えば、底面21a,23aそれぞれは接着剤(図示略)を介して後述する第1シールド31の第1主面31aに接着され、底面22a,24aそれぞれは固定部60を介して磁電変換素子10と対向している。
磁気シールド30は外部磁界が磁電変換素子10を透過することを抑制するものである。磁気シールド30は磁性材料から成るシールド31,32を有する。シールド31,32それぞれは面積の最も大きい主面がz方向に直交する平板形状を成している。そしてシールド31,32それぞれがz方向に並び、その間の空間に磁電変換素子10とバイアス磁石20が搭載された支持基板50、および、被測定導体90が設けられている。図1に示すように第1シールド31の第1主面31aと第2シールド32の第1主面32aとがz方向にて対向しており、第1主面31aにバイアス磁石20が設けられている。
次に、本実施形態に係る電流センサ100の作用効果を説明する。図3に両端矢印で示すように第1N極21と第1S極22、および、第2S極23と第2N極24それぞれはz方向に磁化方向が沿い、磁化方向に直交する第1N極21と第2S極23それぞれの底面21a,23aが磁気シールド30に接着されている。これによればバイアス磁界が磁気シールド30(第1シールド31)に集磁され、磁気シールド30の一部がバイアス磁石20としての機能を果たすこととなる(集磁ヨーク)。そのため図3に破線で示すようにバイアス磁石20のz方向における長さが擬似的に厚くなり、バイアス磁界が増幅される。このように本実施形態に係る電流センサ100の場合、バイアス磁石20(電流センサ100)の体格を増大しなくとも、バイアス磁界が増幅される。
磁気シールド30は主面がz方向に直交する平板形状のシールド31,32を有し、第1シールド31の第1主面31aにバイアス磁石20が設けられている。これによれば、磁気シールドが筒形状を成す構成と比べて、バイアス磁界の磁界分布が磁気シールド30によって歪まされることが抑制される。したがって磁電変換素子10を透過する磁界の設計が容易となる。
磁電変換素子10には、被測定磁界におけるx方向に沿う磁界成分、および、バイアス磁石20におけるy方向に沿う磁界成分が透過する。そして磁電変換素子10はz方向に直交する規定平面に沿う磁界のみを検出する。
上記したようにシールド31,32は主面が高さ方向に沿う平板形状を成す。したがって図1に白抜き矢印で示すように、z方向に直交する外部磁界が電流センサ100を透過しようとした際、その外部磁界は磁気シールド30のために曲げられ、磁電変換素子10を透過することが抑制される。しかしながら外部磁界がz方向に沿う場合、外部磁界は磁気シールド30によって曲げられずに透過するため、磁電変換素子10を透過することとなる。これに対して磁電変換素子10はz方向に直交する規定平面に沿う磁界のみを検出する。したがってz方向に沿う外部磁界が磁気シールド30を介して磁電変換素子10を透過したとしても、それによって被測定磁界の検出精度が低下することが抑制される。なお、上記したように磁気シールド30の形状を単純な平板形状を採用するため、磁気シールド30の製造が容易となる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
本実施形態に係る電流センサ100は、算出部40、支持基板50、および、固定部60を有する例を示した。しかしながら電流センサ100はこれらの少なくとも1つを有していても良いし、1つも有していなくともよい。
本実施形態に係る磁電変換素子10は規定平面に沿う磁界のみを検出する例を示した。しかしながら磁気シールド30がz方向に沿う外部磁界が磁電変換素子10を透過することを抑制する形状の場合、磁電変換素子10は規定平面だけではなくz方向に沿う磁界を検出してもよい。
本実施形態に係る磁電変換素子10は、ピン層、自由層、および、中間層を有する磁気抵抗効果素子である例を示した。しかしながら磁電変換素子10としては上記例に限定されず、例えば異方性磁気抵抗効果素子(AMR)やホール素子を採用することもできる。なお中間層が導電性を有する場合、磁電変換素子10は巨大磁気抵抗効果素子(GMR)であり、中間層が絶縁性を有する場合、磁電変換素子10はトンネル磁気抵抗効果素子(TMR)である。
本実施形態に係る算出部40は磁電変換素子10の電気信号と角度θとの相関関係、および、角度θと被測定磁界(被測定電流)との相関関係を記憶している例を示した。しかしながら算出部40は磁電変換素子10の電気信号と被測定電流との相関関係を記憶していてもよい。要するに算出部40は磁電変換素子10の電気信号に基づいて被測定電流を算出するのに必要なデータを持っていればよい。
本実施形態では第1N極21と第2S極23それぞれの底面21a,23aが第1シールド31の第1主面31aに接着され、第1S極22と第2N極24それぞれの底面22a,24aが磁電変換素子10と対向している例を示した。しかしながら図4に示すように、第1シールド31と第2シールド32の位置が入れ替わった構成において、第1S極22と第2N極24それぞれの底面22a,24aが被測定導体90および支持基板50を介して、磁電変換素子10と間接的に対向する構成を採用することもできる。
10・・・磁電変換素子、20・・・バイアス磁石、21・・・第1N極、21a・・・底面、22・・・第1S極、22a・・・底面、23・・・第2S極、23a・・・底面、24・・・第2N極、24a・・・底面、30・・・磁気シールド、100・・・電流センサ
Claims (7)
- 被測定電流の流動によって生じる被測定磁界を電気信号に変換する磁電変換素子(10)と、
前記磁電変換素子にバイアス磁界を透過させるバイアス磁石(20)と、
前記被測定磁界および前記バイアス磁界それぞれとは異なる外部磁界が前記磁電変換素子を透過することを抑制する、磁性材料から成る磁気シールド(30)と、を有し、
前記磁気シールド、前記バイアス磁石、および、前記磁電変換素子それぞれは、前記被測定電流の流動方向に直交する高さ方向にて並び、
前記バイアス磁石は、前記高さ方向に磁化方向が沿う第1N極(21)と第1S極(22)、および、前記高さ方向に磁化方向が沿う第2S極(23)と第2N極(24)を有し、前記流動方向において前記第1N極と前記第2S極とが隣接し、前記第1S極と前記第2N極とが隣接することで、前記バイアス磁界が閉磁路を成しており、
前記第1N極と前記第2S極それぞれの底面(21a,23a)が前記磁気シールドに接着され、前記第1S極と前記第2N極それぞれの底面(22a,24a)が前記磁電変換素子と対向していることを特徴とする電流センサ。 - 前記磁気シールドは、前記高さ方向に主面が直交する平板形状の第1シールド(31)と第2シールド(32)を有し、
前記第1シールドと前記第2シールドそれぞれが前記高さ方向に並び、その間の空間に前記バイアス磁石、前記磁電変換素子、および、前記被測定電流の流動する被測定導体が設けられており、
前記バイアス磁石は前記第1シールドが有する2つの主面の内、前記第2シールドと対向する第1主面(31a)に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。 - 前記磁電変換素子には、前記バイアス磁界における前記流動方向に沿う磁界成分、および、前記被測定磁界における前記高さ方向および前記流動方向それぞれに直交する横方向に沿う磁界成分それぞれが透過され、
前記磁電変換素子は、前記流動方向と前記横方向とによって規定される規定平面に沿う磁界のみを検出することを特徴とする請求項2に記載の電流センサ。 - 前記磁電変換素子を搭載する支持基板(50)を有し、
前記支持基板は前記被測定導体に搭載されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の電流センサ。 - 前記第1S極と前記第2N極それぞれの底面は、前記被測定導体および前記支持基板を介して、前記磁電変換素子と間接的に対向していることを特徴とする請求項4に記載の電流センサ。
- 前記磁電変換素子から出力される電気信号に基づいて前記被測定電流を算出する算出部(40)を有し、
前記算出部は前記支持基板に搭載されていることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の電流センサ。 - 非導電性であり非磁性の樹脂材料から成る固定部(60)を有し、
前記磁電変換素子および前記算出部が搭載された前記支持基板、および、前記バイアス磁石が接着された前記磁気シールドそれぞれは、前記固定部によって前記被測定導体に固定されていることを特徴とする請求項6に記載の電流センサ。
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JP (1) | JP2015179042A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018190662A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社デンソー | 制御モジュール |
JP2018190661A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社デンソー | 制御モジュール |
JP2018190659A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社デンソー | 制御モジュール |
US10698005B2 (en) | 2017-04-20 | 2020-06-30 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Magnetic detection device, current detection device, method for manufacturing magnetic detection device, and method for manufacturing current detection device |
CN111919125A (zh) * | 2018-03-20 | 2020-11-10 | 株式会社电装 | 电流传感器 |
CN113495183A (zh) * | 2020-03-19 | 2021-10-12 | Tdk株式会社 | 电流传感器及其制造方法、电控制装置、以及电流传感器的设计方法 |
WO2024034168A1 (ja) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | アルプスアルパイン株式会社 | 磁気センサ |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52163778U (ja) * | 1976-06-04 | 1977-12-12 | ||
JPH08178937A (ja) * | 1994-12-19 | 1996-07-12 | Nippondenso Co Ltd | 磁気検出装置 |
JPH08304479A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流スイッチ |
WO2012014546A1 (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | 三菱電機株式会社 | 磁性体検出装置 |
JP2013011469A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Denso Corp | 電流センサ |
JP5849914B2 (ja) * | 2012-09-19 | 2016-02-03 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
-
2014
- 2014-03-19 JP JP2014057038A patent/JP2015179042A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52163778U (ja) * | 1976-06-04 | 1977-12-12 | ||
JPH08178937A (ja) * | 1994-12-19 | 1996-07-12 | Nippondenso Co Ltd | 磁気検出装置 |
JPH08304479A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流スイッチ |
WO2012014546A1 (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | 三菱電機株式会社 | 磁性体検出装置 |
JP2013011469A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Denso Corp | 電流センサ |
JP5849914B2 (ja) * | 2012-09-19 | 2016-02-03 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10698005B2 (en) | 2017-04-20 | 2020-06-30 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Magnetic detection device, current detection device, method for manufacturing magnetic detection device, and method for manufacturing current detection device |
JP2018190662A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社デンソー | 制御モジュール |
JP2018190661A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社デンソー | 制御モジュール |
JP2018190659A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社デンソー | 制御モジュール |
CN111919125A (zh) * | 2018-03-20 | 2020-11-10 | 株式会社电装 | 电流传感器 |
CN113495183A (zh) * | 2020-03-19 | 2021-10-12 | Tdk株式会社 | 电流传感器及其制造方法、电控制装置、以及电流传感器的设计方法 |
CN113495183B (zh) * | 2020-03-19 | 2023-10-20 | Tdk株式会社 | 电流传感器及其制造方法、电控制装置、以及电流传感器的设计方法 |
WO2024034168A1 (ja) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | アルプスアルパイン株式会社 | 磁気センサ |
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