JP2015175851A - 発光スペクトル分析による欠陥の分離のためのシステムと方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 静的又は動的であるテストシグナル、つまり、任意の能動デバイスを変化させるテストシグナルをDUTが受信しているときに、DUTの選択領域が撮像される。DUTからの光は収集され、回転可能な回折素子を通過し、そしてセンサによって撮像されて電気信号に変換される。取得された画像はグレーティングの回転位置次第で変化する。回折された画像は、DUTの欠陥デバイスを検出、位置特定、及び分類するために調べられる。
【選択図】図2
Description
本願は、2014年3月13日に出願された米国仮出願第61/952,861号に関し、またそれに基づく優先権を主張し、その開示の全体が参照文献として本願明細書に組み込まれる。
本発明は、テスト対象デバイス(DUT)における電子素子のスイッチングによって、集積回路の光学的なプロービングをおこなうための装置及び方法に関する。本発明は、機能不良の素子を検出し、位置を特定し、そして分類することに関する。
プロービングシステムは、当該技術分野において、集積回路(IC)設計及びレイアウトのテストやデバッグに用いられてきた。ICのプロービングのための発光やレーザを利用した様々なシステムが先行技術において既知である。本明細書には先行技術の一部の記載が提供されているものの、米国仮出願第5,208,648号、5,220,403号、5,940,545号、6,943,572号、7,012,537号、7,038,442号、7,224,828号、及び7,323,862号も閲読することが読者に推奨され、またそれらの全体が参照文献として本願明細書に組み込まれる。さらなる関連情報は、Yee,W.M.他、Laser Voltage Probe (LVP): A Novel Optical Probing Technology for Flip−Chip Packaged Microprocessors(International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA)、2000年、pp.3〜8)、Bruce,M.他、 Waveform Acquisition from the Backside of Silicon Using Electro−Optic Probing(International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA), 1999年, pp.19−25)、Kolachina,S.他、Optical Waveform Probing- Strategies for Non−Flipchip Devices and Other Applications(International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA)、2001年、pp.51−57)、Soref,R.A.及びB.R.Bennett、Electrooptical Effects in Silicon.(IEEE Journal of Quantum Electronics、1987年、QE−23(1)、pp.123−9)、Kasapi,S.他、Laser Beam Backside Probing of CMOS Integrated Circuits.(Microelectronics Reliability、1999年、39:p.957)、Wilsher,K.他、Integrated Circuit Waveform Probing Using Optical Phase Shift Detection(International Symposium for Testing and Failure Analysis(ISTFA)、2000年、pp.479−85)、Heinrich,H.K.、Picosecond Noninvasive Optical Detection of Internal Electrical Signals in Flip−Chip−Mounted Silicon Integrated Circuits.(IBM Journal of Research and Development、1990年、34(2/3):pp.162−72)、Heinrich,H.K.、D.M.Bloom,及びB.R. Hemenway、Noninvasive sheet charge density probe for integrated silicon devices.(Applied Physics Letters、1986年、48(16):pp.1066−1068)、Heinrich,H.K.、D.M.Bloom、及びB.R.Hemenway、Erratum to Noninvasive sheet charge density probe for integrated silicon devices.(Applied Physics Letters、1986年、48(26):p.1811)、Heinrich,H.K.他、Measurement of real−time digital signals in a silicon bipolar junction transistor using a noninvasive optical probe.(IEEE Electron Device Letters、1986年、22(12):pp.650−652)、Hemenway,B.R.他、Optical detection of charge modulation in silicon integrated circuits using a multimode laser−diode probe.(IEEE Electron Device Letters、1987年、8(8):pp.344−346)、A.Black、C.Courville、G.Schultheis、H.Heinrich、Optical Sampling of GHz Charge Density Modulation in SIlicon Bipolar Junction Transistors(Electronics Letters、1987年、Vol.23、No.15、pp.783−784)において見受けられ、それらの全体が参照文献として本願明細書に組み込まれ、そしてKindereit U、Boit C、Kerst U、Kasapi S、Ispasoiu R、Ng R、Lo W、Comparison of Laser Voltage Probing and Mapping Results in Oversized and Minimum Size Devices of 120nm and 65nm Technology、Microelectronics Reliability 48 (2008年、1322−1326),19th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2008年))において見受けられる。
Claims (19)
- 集積回路チップのデバイスの光学プロービングのための方法であり、
前記チップの選択領域から、対物レンズ組立体を用いて、光を収集するステップと、
前記光を回転可能な回折素子に通過させ、光センサに伝えるステップと、
前記光センサの出力から画像を生成するステップと、
前記画像において、発光部分及び対応する発光スペクトルを観察するステップと、
複数の発光部分の発光スペクトルが重なり合うような場合に、前記回折素子を回転して、前記スペクトルが重なり合わない第2の画像を取得するステップとを含む、方法。 - 前記スペクトルのそれぞれの形状を前記スペクトルの軸に沿って観察するステップと、前記スペクトルのそれぞれを少なくとも1つの潜在的な欠陥に対応するように分類するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記対物レンズ組立体によって規定される結像面に、制御可能な絞りを挿入するステップと、前記制御可能な絞りを調節して前記選択領域を規定するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記回折素子の様々な回転方向のそれぞれにおいて、複数の画像を取得するステップと、前記複数の画像を用いて欠陥の前記デバイスを位置特定するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記各スペクトルの軸に沿ったラインスキャンをおこなうステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ラインスキャンが単調である場合に、欠陥を連続的に導通するトランジスタとして分類し、前記ラインスキャンがより長い波長に偏る場合に、欠陥を飽和状態のトランジスタとして分類する、請求項5に記載の方法。
- 前記ラインスキャンがより短い波長に偏る場合に、欠陥を順方向バイアスのダイオードとして分類する、請求項6に記載の方法。
- 前記チップにテストシグナルを印加するステップをさらに含み、
前記チップの選択領域から光を収集することは、前記チップの選択領域からの光子放出を収集することである、請求項1に記載の方法。 - 集積回路チップの電子デバイスをプロービングするためのシステムであり、
前記チップを支持するステージと、
前記チップからの光を収集するように構成された対物レンズ組立体と、
光センサと、
前記対物レンズ組立体と前記光センサとの間に位置し、前記対物レンズ組立体から収集された光を受け取って、前記光センサに回折された光を提供するように構成された回転可能な回折素子と、
前記光センサによって検出された光に対応する画像を表示するためのディスプレイとを含む、システム。 - 前記対物レンズ組立体と前記回転可能な回折素子との間で、前記対物レンズ組立体によって規定される結像面に位置する調節可能な絞りをさらに含む、請求項9に記載のシステム。
- 前記回転可能な回折素子と前記光センサとの間に位置するリレーレンズをさらに含む、請求項10に記載のシステム。
- 前記調節可能な絞りと前記回転可能な回折素子との間に位置するミラーをさらに含む、請求項11に記載のシステム。
- 前記ミラーはコリメートミラーである、請求項12に記載のシステム。
- 前記光センサは赤外線カメラを含む、請求項9に記載のシステム。
- 前記回転可能な回折素子によって生成されたスペクトル上でラインスキャンをおこなうように構成されたコントローラをさらに含む、請求項9に記載のシステム。
- 前記対物レンズ組立体はソリッドイマージョンレンズと対物レンズとを含む、請求項9に記載のシステム。
- 集積回路チップの電子デバイスをプロービングするためのシステムであり、
前記チップを支持するステージと、
前記チップからの光を収集するように構成された対物レンズ組立体と、
光センサと、
前記対物レンズ組立体と前記光センサとの間に位置し、前記対物レンズ組立体から収集された光を受け取って、前記光センサに回折された光を提供するように構成されたチューナブルフィルタと、
前記光センサによって検出された光に対応する画像を表示するためのディスプレイとを含む、システム。 - 前記対物レンズ組立体と調節可能な前記フィルタとの間で、前記対物レンズ組立体によって規定される結像面に位置する調節可能な絞りをさらに含む、請求項17に記載のシステム。
- 前記光センサと調節可能な前記フィルタとの間に位置するリレーレンズをさらに含む、請求項17に記載のシステム。
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