JP2015174014A - 分離再生装置および基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウエハW上の液体を確実に除去することができ、かつ運転コストの低減を図り、Fイオンを除去する。
【解決手段】分離再生装置は第1沸点をもつ第1のフッ素含有有機溶剤と、第1沸点より低い第2沸点をもつ第2のフッ素含有有機溶剤とを有する混合気体を生成する超臨界処理ユニット3と、第1沸点と第2沸点との間の温度をもつ温水34Wを収納するとともに、混合気体をこの温水34W中へ投入して、液体状の第1のフッ素含有有機溶剤と気体状の第2のフッ素含有有機溶剤とに分離する蒸留タンク34とを備えている。超臨界処理ユニット3からの混合気体を蒸留タンク34へ導く導入ライン50が設けられ、この導入ライン50の先端50aは温水34W中に配置されている。
【選択図】図5

Description

本発明は、超臨界状態または亜臨界状態の高圧流体を用いて基板の表面に付着した液体を除去する際用いられる分離再生装置および基板処理装置に関する。
基板である半導体ウエハ(以下、ウエハという)などの表面に集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造工程においては、薬液などの洗浄液によりウエハ表面の微小なごみや自然酸化膜を除去するなど、液体を利用してウエハ表面を処理する液処理工程が設けられている。
ところが半導体装置の高集積化に伴い、こうした液処理工程にてウエハの表面に付着した液体などを除去する際に、いわゆるパターン倒れと呼ばれる現象が問題となっている。パターン倒れは、ウエハ表面に残った液体を乾燥させる際に、パターンを形成する凹凸の例えば凸部の左右(言い替えると凹部内)に残っている液体が不均一に乾燥することにより、この凸部を左右に引っ張る表面張力のバランスが崩れて液体の多く残っている方向に凸部が倒れる現象である。
こうしたパターン倒れの発生を抑えつつウエハ表面に付着した液体を除去する手法として超臨界状態や亜臨界状態(以下、これらをまとめて高圧状態という)の流体を用いる方法が知られている。高圧状態の流体(高圧流体)は、液体と比べて粘度が小さく、また液体を抽出する能力も高いことに加え、高圧流体と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しない。そこで、ウエハ表面に付着した液体を高圧流体と置換し、しかる後、高圧流体を気体に状態変化させると、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができる。
出願人は、回転するウエハの表面に処理液を供給する枚葉式の液処理ユニットにて液処理を行った後、乾燥防止用の液体によって表面が覆われた状態のウエハを高圧流体処理ユニットに搬送し、その処理容器内で乾燥防止用の液体を除去する液処理装置を開発している。例えば特許文献1では、液体と高圧流体との置換性の高さや、液処理の際の水分の持ち込み抑制の観点から、乾燥防止用の液体、及び高圧流体の双方にフッ素含有有機溶剤(特許文献1では「フッ素化合物」と記載している)であるHFE(HydroFluoro Ether)を用いている。また、フッ素含有有機溶剤は、難燃性である点においても乾燥防止用の液体に適している。
一方で、HFE、HFC(HydroFluoro Carbon)、PFC(PerFluoro Carbon)、PFE(PerFluoro Ether)などのフッ素含有有機溶剤は、IPA(IsoPropyl Alcohol)などと比べて高価であり、ウエハ搬送中の揮発ロスが運転コストの上昇につながる。このため、乾燥防止用の液体あるいは高圧流体として用いられるフッ素含有有機溶剤を使用後にフッ素含有有機溶剤の混合気体を生成し、この混合気体を分離再生して利用することができれば、運転コストを低減することができて都合が良い。
この場合、混合気体中にはフッ素イオン(Fイオン)が混入していることがあり、このFイオンが混合気体中に残留すると、フッ素含有有機溶剤を再生して利用する際、Fイオンによりウエハ上にパーティクルが生じてしまう。
特開2011−187570号公報
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、被処理体の表面に付着した液体を除去するために使用したフッ素含有有機溶剤を分離再生して利用し、このことにより運転コストの低減を図り、被処理体上にパーティクルを生じさせることのない分離再生装置および基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、第1沸点をもつ第1のフッ素含有有機溶剤と、第1沸点より低い第2沸点をもつ第2のフッ素含有有機溶剤とを有する混合気体を生成する混合気体生成部と、前記第1沸点と前記第2沸点との間の温度をもつ温水を収納するとともに、前記混合気体をこの温水中へ投入して、液体状の前記第1のフッ素含有有機溶剤と気体状の前記第2のフッ素含有有機溶剤とに分離する蒸留タンクと、を備え、前記混合気体生成部からの前記混合気体を前記蒸留タンクへ導く導入ラインを設け、この導入ラインの先端を前記温水中へ配置して前記混合気体中のFイオンを除去することを特徴とする分離再生装置である。
本発明の形態によれば、被処理体の表面に付着した液体を確実に除去してパターンの倒壊を防ぐことができ、かつ運転コストの低減を図ることができるとともに、被処理体上にパーティクルが生じることを防止できる。
図1は液処理装置の横断平面図。 図2は液処理装置に設けられている液処理ユニットの縦断側面図。 図3は液処理装置に設けられている超臨界処理ユニットの構成図。 図4は超臨界処理ユニットの処理容器の外観斜視図。 図5は本実施の形態による分離再生装置を示す概略系統図。 図6は本実施の形態の作用シーケンスを示す図。 図7は比較例としての分離再生装置を示す概略系統図。
<基板処理装置>
まず、本発明による分離再生装置が組込まれた基板処理装置について説明する。
基板処理装置の一例として、基板であるウエハW(被処理体)に各種処理液を供給して液処理を行う液処理ユニット2と、液処理後のウエハWに付着している乾燥防止用の液体を超臨界流体(高圧流体)と接触させて除去する超臨界処理ユニット3(高圧流体処理ユニット)とを備えた液処理装置1について説明する。
図1は液処理装置1の全体構成を示す横断平面図であり、当該図に向かって左側を前方とする。液処理装置1では、載置部11にFOUP100が載置され、このFOUP100に格納された例えば直径300mmの複数枚のウエハWが、搬入出部12及び受け渡し部13を介して後段の液処理部14、超臨界処理部15との間で受け渡され、液処理ユニット2、超臨界処理ユニット3内に順番に搬入されて液処理や乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる。図中、121はFOUP100と受け渡し部13との間でウエハWを搬送する第1の搬送機構、131は搬入出部12と液処理部14、超臨界処理部15との間を搬送されるウエハWが一時的に載置されるバッファとしての役割を果たす受け渡し棚である。
液処理部14及び超臨界処理部15は、受け渡し部13との間の開口部から前後方向に向かって伸びるウエハWの搬送空間162を挟んで設けられている。前方側から見て搬送空間162の左手に設けられている液処理部14には、例えば4台の液処理ユニット2が前記搬送空間162に沿って配置されている。一方、搬送空間162の右手に設けられている超臨界処理部15には、例えば2台の超臨界処理ユニット3が、前記搬送空間162に沿って配置されている。
ウエハWは、ウエハ搬送路162に配置された第2の搬送機構161によってこれら各液処理ユニット2、超臨界処理ユニット3及び受け渡し部13の間を搬送される。第2の搬送機構161は、基板搬送ユニットに相当する。ここで液処理部14や超臨界処理部15に配置される液処理ユニット2や超臨界処理ユニット3の個数は、単位時間当たりのウエハWの処理枚数や、液処理ユニット2、超臨界処理ユニット3での処理時間の違いなどにより適宜選択され、これら液処理ユニット2や超臨界処理ユニット3の配置数などに応じて最適なレイアウトが選択される。
液処理ユニット2は例えばスピン洗浄によりウエハWを1枚ずつ洗浄する枚葉式の液処理ユニット2として構成され、図2の縦断側面図に示すように、処理空間を形成するアウターチャンバー21と、このアウターチャンバー内に配置され、ウエハWをほぼ水平に保持しながらウエハWを鉛直軸周りに回転させるウエハ保持機構23と、ウエハ保持機構2を側周側から囲むように配置され、ウエハWから飛散した液体を受け止めるインナーカップ22と、ウエハWの上方位置とここから退避した位置との間を移動自在に構成され、その先端部にノズル241が設けられたノズルアーム24と、を備えている。
ノズル241には、各種の薬液を供給する処理液供給部201やリンス液の供給を行うリンス液供給部202、ウエハWの表面に乾燥防止用の液体である前処理用のフッ素含有有機溶剤の供給を行なう前処理用のフッ素含有有機溶剤供給部203a(前処理用の有機溶剤供給部)および第1のフッ素含有有機溶剤の供給を行う第1のフッ素含有有機溶剤供給部203b(第1の有機溶剤供給部)が接続されている。前処理用のフッ素含有有機溶剤および第1のフッ素含有有機溶剤は、後述の超臨界処理に用いられる第2のフッ素含有有機溶剤とは、異なるものが用いられ、また前処理用のフッ素含有有機溶剤と、第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤との間には、その沸点や臨界温度において予め決められた関係のあるものが採用されているが、その詳細については後述する。
また、ウエハ保持機構23の内部にも薬液供給路231を形成し、ここから供給された薬液及びリンス液によってウエハWの裏面洗浄を行ってもよい。アウターチャンバー21やインナーカップ22の底部には、内部雰囲気を排気するための排気口212やウエハWから振り飛ばされた液体を排出するための排液口221、211が設けられている。
液処理ユニット2にて液処理を終えたウエハWに対しては、乾燥防止用の前処理用のフッ素含有有機溶剤と第1のフッ素含有有機溶剤が供給され、ウエハWはその表面が第1のフッ素含有有機溶剤で覆われた状態で、第2の搬送機構161によって超臨界処理ユニット3に搬送される。超臨界処理ユニット3では、ウエハWを第2のフッ素含有有機溶剤の超臨界流体と接触させて第1のフッ素含有有機溶剤を除去し、ウエハWを乾燥する処理が行われる。以下、超臨界処理ユニット3の構成について図3、図4を参照しながら説明する。
超臨界処理ユニット3は、ウエハW表面に付着した乾燥防止用の液体(第1のフッ素含有有機溶剤)を除去する処理が行われる処理容器3Aと、この処理容器3Aに第2のフッ素含有有機溶剤の超臨界流体を供給する超臨界流体供給部4A(第2の有機溶剤供給部)とを備えている。
図4に示すように処理容器3Aは、ウエハWの搬入出用の開口部312が形成された筐体状の容器本体311と、処理対象のウエハWを横向きに保持することが可能なウエハトレイ331と、このウエハトレイ331を支持すると共に、ウエハWを容器本体311内に搬入したとき前記開口部312を密閉する蓋部材332とを備えている。
容器本体311は、例えば直径300mmのウエハWを収容可能な、200〜10000cm程度の処理空間が形成された容器であり、その上面には、処理容器3A内に超臨界流体を供給するための超臨界流体供給ライン351と、処理容器3A内の流体を排出するための開閉弁342が介設された排出ライン341(排出部)とが接続されている。また、処理容器3Aには処理空間内に供給された高圧状態の処理流体から受ける内圧に抗して、容器本体311に向けて蓋部材332を押し付け、処理空間を密閉するための不図示の押圧機構が設けられている。
容器本体311には、例えば抵抗発熱体などからなる加熱部であるヒーター322と、処理容器3A内の温度を検出するための熱電対などを備えた温度検出部323とが設けられており、容器本体311を加熱することにより、処理容器3A内の温度を予め設定された温度に加熱し、これにより内部のウエハWを加熱することができる。ヒーター322は、給電部321から供給される電力を変えることにより、発熱量を変化させることが可能であり、温度検出部323から取得した温度検出結果に基づき、処理容器3A内の温度を予め設定された温度に調節する。
超臨界流体供給部4Aは、開閉弁352が介設された超臨界流体供給ライン351の上流側に接続されている。超臨界流体供給部4Aは、処理容器3Aへ供給される第2のフッ素含有有機溶剤の超臨界流体を準備する配管であるスパイラル管411と、このスパイラル管411に超臨界流体の原料である第2のフッ素含有有機溶剤の液体を供給するため第2のフッ素含有有機溶剤供給部414と、スパイラル管411を加熱して内部の第2のフッ素含有有機溶剤を超臨界状態にするためのハロゲンランプ413と、を備えている。
スパイラル管411は例えばステンレス製の配管部材を長手方向に螺旋状に巻いて形成された円筒型の容器であり、ハロゲンランプ413から供給される輻射熱を吸収しやすくするために例えば黒色の輻射熱吸収塗料で塗装されている。ハロゲンランプ413は、スパイラル管411の円筒の中心軸に沿って411の内壁面から離間して配置されている。ハロゲンランプ413の下端部には、電源部412が接続されており、電源部412から供給される電力によりハロゲンランプ413を発熱させ、主にその輻射熱を利用してスパイラル管411を加熱する。電源部412は、スパイラル管411に設けられた不図示の温度検出部と接続されており、この検出温度に基づいてスパイラル管411に供給する電力を増減し、予め設定した温度にスパイラル管411内を加熱することができる。
またスパイラル管411の下端部からは配管部材が伸びだして第2のフッ素含有有機溶剤の受け入れライン415を形成している。この受け入れライン415は、耐圧性を備えた開閉弁416を介して第2のフッ素含有有機溶剤供給部414に接続されている。第2のフッ素含有有機溶剤供給部414は、第2のフッ素含有有機溶剤を液体の状態で貯留するタンクや送液ポンプ、流量調節機構などを備えている。
以上に説明した構成を備えた液処理ユニット2や超臨界処理ユニット3を含む液処理装置1は、図1〜図3に示すように制御部5に接続されている。制御部5は図示しないCPUと記憶部5aとを備えたコンピュータからなり、記憶部5aには液処理装置1の作用、即ちFOUP100からウエハWを取り出して液処理ユニット2にて液処理を行い、次いで超臨界処理ユニット3にてウエハWを乾燥する処理を行ってからFOUP100内にウエハWを搬入するまでの動作に係わる制御についてのステップ(命令)群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
次に、液処理ユニット2にてウエハWの表面に供給される前処理用のフッ素含有有機溶剤および第1のフッ素含有有機溶剤と、第1のフッ素含有有機溶剤をウエハWの表面から除去するために、処理容器31に超臨界流体の状態で供給される第2のフッ素含有有機溶剤について説明する。前処理用フッ素含有有機溶剤、第1のフッ素含有有機溶剤、及び第2のフッ素含有有機溶剤は、いずれも炭化水素分子中にフッ素原子を含むフッ素含有有機溶剤である。
前処理用のフッ素含有有機溶剤、第1のフッ素含有有機溶剤及び第2のフッ素含有有機溶剤の組み合わせの例を(表1)に示す。
Figure 2015174014
(表1)の分類名中、HFE(HydroFluoro Ether)は、分子内にエーテル結合を持つ炭化水素の一部の水素をフッ素に置換したフッ素含有有機溶剤を示し、HFC(HydroFluoro Carbon)は炭化水素の一部の水素をフッ素に置換したフッ素含有有機溶剤を示す。また、PFC(PerFluoro Carbon)は、炭化水素の全ての水素をフッ素に置換したフッ素含有有機溶剤を示し、PFE(PerFluoro Ether)は、分子内にエーテル結合をもつ炭化水素の全ての水素をフッ素に置換したフッ素含有有機溶剤である。
これらのフッ素含有有機溶剤のうち、1つのフッ素含有有機溶剤を第2のフッ素含有有機溶剤として選んだとき、第1のフッ素含有有機溶剤には、この第2のフッ素含有有機溶剤よりも沸点の高い(蒸気圧が低い)ものが選ばれる。これにより、乾燥防止用の液体として第2のフッ素含有有機溶剤を採用する場合と比較して、液処理ユニット2から超臨界処理ユニット3へと搬送される間に、ウエハWの表面からの揮発するフッ素含有有機溶剤量を低減することができる。
より好適には、第1のフッ素含有有機溶剤の沸点は100℃以上(例えば174℃)であることが好ましい。沸点が100℃以上の第1のフッ素含有有機溶剤は、ウエハW搬送中の揮発量がより少ないので、例えば直径300mmのウエハWの場合は0.01〜5cc程度、直径450mmのウエハWの場合は0.02〜10cc程度の少量のフッ素含有有機溶剤を供給するだけで、数十秒〜10分程度の間、ウエハWの表面が濡れた状態を維持できる。参考として、IPAにて同様の時間だけウエハWの表面を濡れた状態に保つためには10〜50cc程度の供給量が必要となる。
また、2種類のフッ素含有有機溶剤を選んだ時、その沸点の高低は、超臨界温度の高低にも対応している。そこで、超臨界流体として利用される第2のフッ素含有有機溶剤として、第1のフッ素含有有機溶剤よりも沸点が低いものを選ぶことにより、低温で超臨界流体を形成することが可能なフッ素含有有機溶剤を利用することが可能となり、フッ素含有有機溶剤の分解によるフッ素原子の放出が抑えられる。
<分離再生装置>
次に基板処理装置に組込まれた本実施の形態による分離再生装置について図5乃至図7により説明する。
図5乃至図7に示すように、分離再生装置30はウエハWを収納し、このウエハWに対して第2のフッ素含有有機溶剤を供給して超臨界処理を施す超臨界処理ユニット3と、超臨界処理ユニット3(混合気体生成部)において生成された混合気体を加熱して分離する蒸留タンク34とを備えている。
このうち超臨界処理ユニット3において生成された混合気体は、第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤を含み、さらに超臨界処理中に混入されたFイオンを含む。超臨界処理ユニット3からの混合気体は導入ライン50を介して蒸留タンク34へ送られる。また超臨界処理ユニット3内において、超臨界処理が例えば圧力20atmで実施され、超臨界処理ユニット3内の混合気体はオリフィス54によって減圧されて、圧力1atmの蒸留タンク34へ送られる。なお、超臨界処理ユニット3からの混合気体は導入ライン50またはオリフィス54に冷却機構(図示しない)を加えて冷却したのち蒸留タンク34へ送られるようにしてもよい。
蒸留タンク34内には後述のように温水34Wが収容されており、また超臨界処理ユニット3からの導入ライン50は、その先端50aが温水34W中に位置するよう配置されている。また蒸留タンク34には温水34Wの水位を測定する水位計34bが取付けられている。
蒸留タンク34内の温水34Wは、混合気体を分離する機能と、混合気体中に混入されたFイオンを吸収して除去する機能をもつ。
すなわち超臨界処理中に生成する混合気体中には、Fイオンが混入することがあるが、このFイオンが混入した混合気体をそのまま放置して第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤とに分離再生し、再生した第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤を再利用した場合、ウエハW上にパーティクルが発生する。
本実施の形態によれば、蒸留タンク34内の温水34Wにより混合気体中のFイオンを除去して、再生した第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤からFイオンを除去することができる。
蒸留タンク34は上述のように、混合気体中の第1沸点(例えば174℃)をもつ第1のフッ素含有有機溶剤(例えばFC43)と、第1沸点より低い第2沸点(例えば56℃)をもつ第2のフッ素含有有機溶剤(例えばFC72)とを分離して液体状の第1のフッ素含有有機溶剤と気体状の第2のフッ素含有有機溶剤とを生成するものであり、内部に第1沸点と第2沸点との間の温度(例えば60〜80℃)をもつ温水34Wが収容されている。
また蒸留タンク34内には、定期的に水供給ライン34cから水が補給され、蒸留タンク34内の温水34Wはヒータ34aにより、上述のように第1沸点と第2沸点との間に保たれている。そしてこの温水34Wにより混合気体を分離するとともに、混合気体中に混入するFイオンを除去する。なお、第1沸点および第2沸点は必ずしも大気圧における沸点ではない。例えば、蒸留タンク34の内圧を高くした場合は、周知のように沸点が高くなるため、ヒータ34aの温度は変化した第1沸点および第2沸点との間に温度をもつようにする。
また蒸留タンク34からの液体状の第1のフッ素含有有機溶剤は、供給ライン51を介して第1のタンク35へ送られる。次に第1のタンク内の第1のフッ素含有有機溶剤は、その後ポンプPが取付けられた供給ライン53を介して第1の油水分離器39に送られる。第1のフッ素含有有機溶剤は、この第1の油水分離器39により油水分離される。
この場合、第1の油水分離器39の第1のフッ素含有有機溶剤は、Fイオンを吸収した水を含んでおり、第1の油水分離器39内において、Fイオンを吸収した水は第1のフッ素含有有機溶剤から分離される。
第1の油水分離器39内のFイオンを吸収した水は、その後外方へ排出され、第1の油水分離器39において水と分離した第1のフッ素含有有機溶剤は、FC43再生液として液処理ユニット2へ供給ライン38を介して戻されて再度利用される。
他方、蒸留タンク34内で生成した気体状の第2のフッ素含有有機溶剤は、供給ライン52を介して第2のタンク36内へ送られる。
第2のタンク36内には水蓋36aが収納され、気体状の第2のフッ素含有有機溶剤は第2のタンク36内に供給ライン52を介して送られ、水蓋36により冷却されて液化し、水蓋36の下方に位置する供給ライン52の先端から水蓋36の下方へ送られる。
第2のタンク36内において液体状の第2のフッ素含有有機溶剤が水蓋36aの下方に貯留され、第2のタンク36内の第2のフッ素含有有機溶剤は第2の油水分離器41へ送られる。
第2の油水分離器41へ送られた第2のフッ素含有有機溶剤中にはFイオンを混入した水が含まれることがあり、このFイオンを混入した水は第2の油水分離器41内で第2のフッ素含有有機溶剤から分離される。
第2の油水分離器41内のFイオンを混入した水は、その後外方へ放出される。
第2の油水分離器41によってFイオンを混入した水が分離された第2のフッ素含有有機溶剤は、その後、供給ライン42を介して供給タンク45へ送られる。
供給ライン42には活性炭を含む有機物除去フィルタ40aと、活性アルミナを含むイオン除去フィルタ42bと、パーティクル除去フィルタ40cが順次取付けられている。
また供給タンク45内の第2のフッ素含有有機溶剤は、ポンプ46aが取付けられた供給ライン46を介してFC72再生液として超臨界処理ユニット3内へ戻される。
また、供給ライン38および供給ライン46には、第1のフッ素含有有機溶剤の濃度を測定する第1の濃度計61と、第2のフッ素含有有機溶剤の濃度を測定する第2の濃度計62が各々設けられている。第1の濃度計61および第2の濃度計62としては、濃度変化に対応する比重の変化を測定する比重計、あるいは濃度変化に対応する屈折率の変化を測定する光学測定器を用いることができる。
また分離再生装置30の構成要素、例えば、ポンプ46a、53aおよび蒸留タンク34等は記憶部5aを有する制御部5により駆動制御される。
<本実施の形態の作用>
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
本実施の形態においては、前処理用のフッ素含有有機溶剤としてHFE7300を用い、第1のフッ素含有有機溶剤としてFC43を用い、第2のフッ素含有有機溶剤としてFC72を用いた場合の作用について説明する。
はじめに、FOUP100から取り出されたウエハWが搬入出部12及び受け渡し部13を介して液処理部14に搬入され、液処理ユニット2のウエハ保持機構23に受け渡される。次いで、回転するウエハWの表面に各種の処理液が供給されて液処理が行われる。
図6に示すように、液処理は、例えばアルカリ性の薬液であるSC1液(アンモニアと過酸化水素水の混合液)によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去→リンス液である脱イオン水(DeIonized Water:DIW)によるリンス洗浄が行われる。
薬液による液処理やリンス洗浄を終えたら、回転するウエハWの表面にリンス供給部202からIPAを供給し、ウエハWの表面及び裏面に残存しているDIWと置換する。ウエハWの表面の液体が十分にIPAと置換されたら、前処理用のフッ素含有有機溶剤供給部203aから回転するウエハWの表面に前処理用のフッ素含有有機溶剤(HFE7300)を供給した後、ウエハWの回転を停止する。回転停止後のウエハWは、第1のフッ素含有有機溶剤によってその表面が覆われた状態となっている。この場合、IPAはDIWおよびHFE7300との調和性が高く、HFE7300はIPAおよびFC43との調和性が高いため、DIWをIPAにより確実に置換することができ、次にIPAをHFE7300により確実に置換することができる。次にHFE7300をFC43により容易かつ確実に置換することができる。
液処理を終えたウエハWは、第2の搬送機構161によって液処理ユニット2から搬出され、超臨界処理ユニット3へと搬送される。第1のフッ素含有有機溶剤として、沸点の高い(蒸気圧の低い)フッ素含有有機溶剤を利用しているので、搬送される期間中にウエハWの表面から揮発するフッ素含有有機溶剤の量を少なくすることができる。
処理容器3AにウエハWが搬入される前のタイミングにおいて、超臨界流体供給部4Aは、開閉弁416を開いて第2のフッ素含有有機溶剤供給部414から第2のフッ素含有有機溶剤の液体を所定量送液してから開閉弁352、416を閉じ、スパイラル管411を封止状態とする。このとき、第2のフッ素含有有機溶剤の液体はスパイラル管411の下方側に溜まっており、スパイラル管411の上方側には第2のフッ素含有有機溶剤を加熱したとき、蒸発した第2のフッ素含有有機溶剤が膨張する空間が残されている。
そして、電源部412からハロゲンランプ413へ給電を開始し、ハロゲンランプ413を発熱させると、スパイラル管411の内部が加熱され第2のフッ素含有有機溶剤が蒸発し、さらに昇温、昇圧されて臨界温度、臨界圧力に達して超臨界流体となる。スパイラル管411内の第2のフッ素含有有機溶剤は、処理容器3Aに供給された際に、臨界圧力、臨界温度を維持することが可能な温度、圧力まで昇温、昇圧される。
こうして第2のフッ素含有有機溶剤の超臨界流体を供給する準備が整った超臨界処理ユニット3に、液処理を終え、その表面が第1のフッ素含有有機溶剤で覆われたウエハWが搬入されてくる。
処理容器3A内にウエハWが搬入され、蓋部材332が閉じられて密閉状態となったら、ウエハWの表面の第1のフッ素含有有機溶剤が乾燥する前に超臨界流体供給ライン351の開閉弁352を開いて超臨界流体供給部41から第2のフッ素含有有機溶剤の超臨界流体を供給する。
超臨界流体供給部41から超臨界流体が供給され、処理容器3A内が第2のフッ素含有有機溶剤の超臨界流体雰囲気となったら、超臨界流体供給ライン351の開閉弁352を閉じる。超臨界流体供給部4Aは、ハロゲンランプ413を消し、不図示の脱圧ラインを介してスパイラル管411内の流体を排出し、次の超臨界流体を準備するために第2のフッ素含有有機溶剤供給部414から液体の第2のフッ素含有有機溶剤を受け入れる態勢を整える。
一方、処理容器3Aは、外部からの超臨界流体の供給が停止され、その内部が第2のフッ素含有有機溶剤の超臨界流体で満たされて密閉された状態となっている。このとき、処理容器3A内のウエハWの表面に着目すると、パターン内に入り込んだ第1のフッ素含有有機溶剤の液体に、第2のフッ素含有有機溶剤の超臨界流体が接している。
このように第1のフッ素含有有機溶剤の液体と、超臨界流体とが接した状態を維持すると、互いに混じりやすい第1、第2のフッ素含有有機溶剤同士が混合されて、パターン内の液体が超臨界流体と置換される。やがてウエハWの表面から第1のフッ素含有有機溶剤の液体が除去され、パターンの周囲には、第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤との混合物の超臨界流体の雰囲気が形成される。このとき、第2のフッ素含有有機溶剤の臨界温度に近い比較的低い温度で第1のフッ素含有有機溶剤の液体を除去できるので、フッ素含有有機溶剤が殆ど分解せず、パターンなどにダメージを与えるフッ化水素の生成量も少ない。
こうして、ウエハWの表面から第2のフッ素含有有機溶剤の液体が除去されるのに必要な時間が経過したら、排出ライン341の開閉弁342を開いて処理容器3A内からフッ素含有有機溶剤を排出する。このとき、例えば処理容器3A内が第2のフッ素含有有機溶剤の臨界温度以上に維持されるようにヒーター322からの給熱量を調節する。この結果、第2のフッ素含有有機溶剤の臨界温度よりも低い沸点を持つ第1のフッ素含有有機溶剤を液化させずに、混合流体を超臨界状態または気体の状態で排出でき、流体排出時のパターン倒れの発生を避けることができる。
超臨界流体による処理を終えたら、液体が除去され乾燥したウエハWを第2の搬送機構161にて取り出し、搬入時とは反対の経路で搬送してFOUP100に格納し、当該ウエハWに対する一連の処理を終える。液処理装置1では、FOUP100内の各ウエハWに対して、上述の処理が連続して行われる。
この間、超臨界処理ユニット3内において超臨界処理中に混合排気が生成され、超臨界処理ユニット3内の混合排気は、導入ライン50を介して蒸留タンク34内へ送られる。
この場合、超臨界処理ユニット3内の圧力は20atmとなっており、超臨界処理ユニット3からの混合排気はオリフィス54により減圧され、1atmの圧力となって導入ライン50の先端50aから蒸留タンク34内の温水34W中へ送られる。
超臨界処理ユニット3内で生成され、蒸留タンク34へ送られる混合排気中には、第1沸点(174℃)をもつ第1のフッ素含有有機溶剤(FC43)と、第1沸点より低い第2沸点(56℃)をもつ第2のフッ素含有有機溶剤(FC72)が含まれている。また超臨界処理ユニット3内における超臨界処理中、混合気体には、Fイオンが混入される。このFイオンを放置して混合気体を第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤に分離して、これら第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤を再利用した場合、ウエハW上にFイオンに寄因するパーティクルが発生する。
本実施の形態によれば、後述のように蒸留タンク34内において、混合気体中のFイオンを効果的に除去することができる。
以下、蒸留タンク34の作用について説明する。蒸留タンク34内には温水34WAが収容されており、また超臨界処理ユニット3からの導入ライン50は、その先端50aが温水34W中に位置するよう配置されている。
ここで蒸留タンク34内の温水34Aは、混合気体を分離する機能と、混合気体中に混入されたFイオンを吸収して除去する機能をもつ。
すなわち超臨界処理中に生成する混合気体中には、Fイオンが混入しているが、蒸留タンク34内の温水34Wにより混合気体中のFイオンを除去して、再生した第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤からFイオンを除去することができる。
また蒸留タンク34内の温水34Wは第1のフッ素含有有機溶剤(例えばFC43)の第1沸点(174℃)と、第2のフッ素含有有機溶剤(例えばFC72)の第2沸点(56℃)との間の温度(例えば60〜80℃)をもつため、この温水34Wにより混合気体を液体状の第1のフッ素含有有機物と気体状の第2のフッ素含有有機物とに効果的に分離することができる。
この間、蒸留タンク34内には、定期的に水供給ライン34cから水が補給され、蒸留タンク34内の温水Wはヒータ34aにより、第1沸点と第2沸点との間に保たれている。このようにして、温水34Wにより混合気体を分離するとともに、混合気体中に混入するFイオンを除去することができる。なお、第1沸点および第2沸点は必ずしも大気圧における沸点ではない。例えば、蒸留タンク34の内圧を高くした場合は、周知のように沸点が高くなるため、ヒータ34aの温度は変化した第1沸点および第2沸点との間に温度をもつようにする。
次に蒸留タンク34からの液体状の第1のフッ素含有有機溶剤は、供給ライン51を介して第1のタンク35へ送られる。次に第1のタンク内の第1のフッ素含有有機溶剤は、その後ポンプPが取付けられた供給ライン53を介して第1の油水分離器39に送られる。第1のフッ素含有有機溶剤は、この第1の油水分離器39により油水分離される。
この場合、第1の油水分離器39の第1のフッ素含有有機溶剤は、Fイオンを吸収した水を含んでおり、第1の油水分離器39内において、Fイオンを吸収した水は第1のフッ素含有有機溶剤から分離される。
第1の油水分離器39内のFイオンを吸収した水は、その後外方へ排出され、第1の油水分離器39において水と分離した第1のフッ素含有有機溶剤は、FC43再生液として液処理ユニット2へ供給ライン38を介して戻されて再度利用される。
他方、蒸留タンク34内で生成した気体状の第2のフッ素含有有機溶剤は、供給ライン52を介して第2のタンク36内へ送られる。
第2のタンク36内には水蓋36aが収納され、気体状の第2のフッ素含有有機溶剤は第2のタンク36内に供給ライン52を介して送られ、水蓋36により冷却されて液化する。次に第2のフッ素含有有機溶剤は、水蓋36の下方に位置する供給ライン52の先端から水蓋36の下方へ送られる。
この間、第2のタンク36内の有機物は、第2のタンク36上方から有機排気として外方へ放出される。
第2のタンク36内において液体状の第2のフッ素含有有機溶剤が水蓋36aの下方に貯留され、第2のタンク36内の第2のフッ素含有有機溶剤は第2の油水分離器41へ送られる。
第2の油水分離器41へ送られた第2のフッ素含有有機溶剤中にはFイオンを混入した水が含まれることがあり、このFイオンを混入した水は第2の油水分離器41内で第2のフッ素含有有機溶剤から分離される。
第2の油水分離器41内のFイオンを混入した水は、その後外方へ放出される。
第2の油水分離器41によってFイオンを混入した水が分離された第2のフッ素含有有機溶剤は、その後、供給ライン42を介して供給タンク45へ送られる。
次に供給タンク45内の第2のフッ素含有有機溶剤は、ポンプ46aが取付けられた供給ライン46を介してFC72再生液として超臨界処理ユニット3内へ戻される。
次に本実施の形態に対する比較例としての分離再生装置を図7により説明する。図7に示す比較例は温水34Wを収容した蒸留タンク34の代わりに、ヒータ64aを有し温水を含まない蒸留タンク64を設置したものである。
図7に示す比較例において、他の構成は図5に示す本実施の形態と略同一である。
図7に示す比較例において、蒸留タンク64へ送られる混合気体は蒸留タンク64のヒータにより加熱されて、第1のフッ素含有有機溶剤(FC43)と第2のフッ素含有有機溶剤(FC72)とに分離される。しかしながら、蒸留タンク64内で混合気体中のFイオンが除去されることはない。
これに対して本実施の形態によれば、蒸留タンク34内に温水34Wが収容されているので、この温水34Wにより混合気体中のFイオンを効果的に除去することができ、かつ混合気体を第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤とに確実に分離することができる。
W ウエハ
1 液処理装置
2 液処理ユニット
3 超臨界処理ユニット(混合気体生成部)
3A 処理容器
4A 超臨界流体供給部
5 制御部
30 分離再生装置
34 蒸留タンク
34A 温水
34a ヒータ
35 第1のタンク
36 第2のタンク
39 油水分離器
41 油水分離器
45 供給タンク

Claims (6)

  1. 第1沸点をもつ第1のフッ素含有有機溶剤と、第1沸点より低い第2沸点をもつ第2のフッ素含有有機溶剤とを有する混合気体を生成する混合気体生成部と、
    前記第1沸点と前記第2沸点との間の温度をもつ温水を収納するとともに、前記混合気体をこの温水中へ投入して、液体状の前記第1のフッ素含有有機溶剤と気体状の前記第2のフッ素含有有機溶剤とに分離する蒸留タンクと、を備え、
    前記混合気体生成部からの前記混合気体を前記蒸留タンクへ導く導入ラインを設け、この導入ラインの先端を前記温水中へ配置して前記混合気体中のFイオンを除去することを特徴とする分離再生装置。
  2. 前記蒸留タンクからの前記第1のフッ素含有有機溶剤を貯留する第1のタンクと、前記蒸留タンクからの前記第1のフッ素含有有機溶剤を液化して貯留する第2のタンクを更に備えたことを特徴とする請求項1記載の分離再生装置。
  3. 前記第2のタンクは、前記第2のフッ素含有有機溶剤を覆う水蓋を収納することを特徴とする請求項1または2記載の分離再生装置。
  4. 前記第1のタンクおよび前記第2のタンクに、第1の油水分離器および第2の油水分離器が各々接続されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の分離再生装置。
  5. 前記混合気体生成部は、被処理体に対して超臨界処理を施す超臨界処理ユニットを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載の分離再生装置。
  6. 被処理体に第1沸点をもつ第1のフッ素含有有機溶剤を供給して液処理を行う液処理ユニットと、
    液処理後の被処理体に付着している第1のフッ素含有有機溶剤の液体を第1沸点より低い第2沸点をもつ第2のフッ素含有有機溶剤の超臨界流体と接触させて除去する超臨界処理ユニットと、
    前記液処理ユニットで液処理された被処理体を前記超臨界処理ユニットへ搬送する基板搬送ユニットと、を備え、
    前記超臨界処理ユニットに請求項1記載の分離再生装置が組み込まれている、ことを特徴とする基板処理装置。
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