JP2015159217A - インプリントモールド用基板、インプリントモールド及びそれらの製造方法、並びにインプリントモールドの再生方法 - Google Patents

Abstract

【課題】所望とする精度の凹部を有し、部分的に再利用可能なインプリントモールド用基板及びその製造方法、当該インプリントモールド用基板から作製されるインプリントモールド、並びに当該インプリントモールドを用いたインプリント方法及び当該インプリントモールドを再生する方法を提供する。【解決手段】インプリントモールド用基板１は、微細凹凸パターンが形成され得る主面２Ａ及びそれに対向する対向面２Ｂを有する薄板部２と、薄板部２の対向面２Ｂを支持する、中空筒状の支持部３と、薄板部２及び支持部３の間に介在し、支持部３の開口一端を対向面２Ｂで閉塞するようにして薄板部２及び支持部３を接合する接合部４とを備え、支持部３と接合部４との間又は接合部４内に光触媒が存在し、接合部４は、光触媒の作用により分解・変性され得る粘着剤組成物の硬化物により構成される。【選択図】図１

Description

本発明は、インプリントモールド用基板、インプリントモールド及びそれらの製造方法、並びにインプリントモールドの再生方法に関する。

微細加工技術としてのナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸パターンが形成されてなる型部材（インプリントモールド）を用い、当該微細凹凸パターンをインプリント樹脂等の被加工物に転写することで微細凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である（特許文献１参照）。特に、半導体デバイスにおける配線パターン等のさらなる微細化の進行等に伴い、半導体デバイスの製造プロセス等においてナノインプリント技術が益々注目されている。

このようなナノインプリント技術において、インプリントモールドと被加工物としてのインプリント樹脂とが密着している状態から、当該インプリントモールドを剥離するためには、強い力を必要とする。そのため、インプリントモールドの剥離時などに、インプリント樹脂に転写された微細凹凸パターンの破壊や、インプリントモールドの破壊などが生じるおそれがある。

このような問題を解決すべく、従来、微細凹凸パターンが形成されている面と対向する面に、基板外縁部から基板中心部に向けて窪みが深くなるように形成された凹部を有するインプリントモールドが提案されている（特許文献２参照）。

米国特許第５，７７２，９０５号 特開２００９−１７０７７３号公報

特許文献２に開示されているインプリントモールドにおいては、微細凹凸パターンが形成されている面と対向する面に凹部を有することで、インプリント樹脂からインプリントモールドを剥離する際に、インプリントモールドを湾曲させることができ、より小さな力で離型が可能である。

しかしながら、インプリントモールドを湾曲可能にするための上記凹部を加工する技術は、非常に高度な技術である。というのも、所望とする剥離性能が得られる程度にインプリントモールドを湾曲させ得る凹部を、切削器具等を用いた機械加工により形成しようとすると、当該凹部の底部の厚みの制御、表面仕上げ等、加工の難易度が非常に高い。そのため、意図した凹部形状を有するインプリントモールドの製造に時間がかかり、歩留まりの問題が生じるおそれがある。また、当該凹部を有するインプリントモールドを製造するための高額な設備投資が必要となる。

また、一般に、電子線露光や自己組織化等の微細加工技術を用い、微細凹凸パターンが形成されてなり、当該微細凹凸パターンが形成されている面と対向する面に凹部を有するモールド（マスターモールド）を作製し、当該マスターモールドを用いたインプリント処理により、当該マスターモールドの微細凹凸パターンが凹凸反転してなる微細凹凸パターンと、当該微細凹凸パターンが形成されている面と対向する面に形成されてなる凹部とを有するモールド（レプリカモールド）が大量に作製される。このレプリカモールドが、半導体製品等の製造工程の一つであるインプリント処理に使用されるのが通常である。このようなレプリカモールドを用いてインプリント処理を行うのは、作製に多大な時間とコストを要するマスターモールドの破損リスクを低減するためである。

上記マスターモールドやレプリカモールドは、いずれ破損して廃棄されることがある。その際、高精度に形成された凹部を有するマスターモールドやレプリカモールドをそのまま廃棄することは、製造コストや、環境上の観点から好ましくない。

上記課題に鑑みて、本発明は、所望とする精度の凹部を有し、部分的に再利用可能なインプリントモールド用基板及びその製造方法、当該インプリントモールド用基板から作製されるインプリントモールド、並びに当該インプリントモールドを用いたインプリント方法及び当該インプリントモールドを再生する方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、微細凹凸パターンが形成され得る主面及び当該主面に対向する対向面を有する薄板部と、前記薄板部の前記対向面側を支持する、中空筒状の支持部と、前記薄板部及び前記支持部の間に介在し、前記支持部の開口一端を前記対向面で閉塞するようにして前記薄板部及び前記支持部を接合する接合部とを備え、前記支持部と前記接合部との間又は前記接合部内に、光触媒が存在し、前記接合部は、前記光触媒の作用により分解又は変性され得る粘着剤組成物の硬化物により構成されることを特徴とするインプリントモールド用基板を提供する（発明１）。

上記発明（発明１）によれば、薄板部と、中空筒状の支持部とを接合部を介して接合し、薄板部により支持部の開口一端が閉塞されることで、微細凹凸パターンの形成される面（薄板部の主面）に対向する面に所望の精度の凹部を有するインプリントモールド用基板とすることができる。

また、接合部と支持部との間又は接合部内に、光触媒が存在することで、上記発明（発明１）に係るインプリントモールド用基板から得られるインプリントモールドを再生するとき、当該光触媒の作用により接合部としての粘着剤組成物の硬化物を分解し又は変性させることができるため、薄板部と支持部とを容易に分離することができる。

上記発明（発明１）においては、前記薄板部の前記対向面側から前記主面側に向かって前記薄板部の厚さ方向に進行する光が前記光触媒に照射されないような位置に、遮光層が設けられているのが好ましい（発明２）。

インプリントモールド用基板から作製されるインプリントモールドを用いた光インプリント処理時に当該インプリントモールドの凹部側から照射された光により光触媒の作用が奏されてしまうと、インプリントモールドにおける接合部の強度が低下するおそれがある。しかしながら、上記発明（発明２）によれば、遮光層が設けられていることで、光インプリント処理時に光触媒に光が照射されてしまうのを防止することができる。

上記発明（発明２）においては、前記遮光層は、前記光触媒と前記支持部との間に設けられていてもよいし（発明３）、前記支持部に内在されていてもよいし（発明４）、前記支持部の内周壁に設けられていてもよい（発明５）。

また、本発明は、上記発明（発明１〜５）に係るインプリントモールド用基板の前記薄板部の前記主面に、微細凹凸パターンが形成されてなることを特徴とするインプリントモールドを提供する（発明６）。

さらに、本発明は、主面及び当該主面に対向する対向面を有する薄板部と、前記薄板部の前記対向面を支持する、中空筒状の支持部と、前記薄板部及び前記支持部の間に介在し、それらを接合する接合部とを備えるインプリントモールド用基板を製造する方法であって、前記支持部の開口一端を前記薄板部の対向面で閉塞するようにして前記薄板部と前記支持部とを重ね合わせたときの、前記薄板部及び／又は前記支持部における重ね合せ部に、粘着剤層を形成する工程と、前記粘着剤層と前記支持部との間に光触媒を介在させて、前記薄板部と前記支持部とを前記粘着剤層により接合する工程とを含むことを特徴とするインプリントモールド用基板の製造方法を提供する（発明７）。

上記発明（発明７）においては、前記支持部の軸方向に沿って前記支持部側から前記薄板部側に向かって進行する光が前記光触媒に照射されないような位置に、遮光層を設ける工程をさらに含むのが好ましい（発明８）。

さらにまた、本発明は、上記発明（発明６）に係るインプリントモールドを被加工基材の主面上に供給されたインプリント樹脂に接触させ、前記インプリント樹脂を前記被加工基材の主面上に展開する工程と、前記被加工基材の主面上に展開した前記インプリント樹脂を硬化させる工程と、前記硬化したインプリント樹脂から前記インプリントモールドを剥離する工程とを含むことを特徴とするインプリント方法を提供する（発明９）。

上記発明（発明９）においては、前記インプリント樹脂が、光硬化性樹脂であるのが好ましい（発明１０）。

また、本発明は、上記発明（発明６）に係るインプリントモールドを再生する方法であって、前記支持部から、前記微細凹凸パターンを有する前記薄板部を分離する工程と、前記薄板部が分離された前記支持部の開口一端を新たな薄板部で閉塞するようにして前記新たな薄板部と前記支持部とを重ね合わせたときの、前記新たな薄板部及び／又は前記支持部における重ね合せ部に、粘着剤層を形成する工程と、前記新たな薄板部と前記支持部とを前記粘着剤層で接着させる工程とを含み、前記分離する工程において、前記光触媒に光を照射して、前記支持部から前記薄板部を分離することを特徴とするインプリントモールドの再生方法を提供する（発明１１）。

本発明によれば、所望とする精度の凹部を有するインプリントモールド用基板及びその製造方法、並びに当該基板を用いて作製されるインプリントモールドを提供することができる。

図１（Ａ）は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すインプリントモールド用基板におけるＡ部拡大図である。 図２は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す分解斜視図である。 図３は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の他の構成例を概略的に示す切断端面図である。 図４は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールド用基板における遮光層の他の構成例を概略的に示す切断端面図である。 図５は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールド用基板における接合部近傍の他の構成例を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図６は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。 図７は、本発明の一実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。 図８は、本発明の一実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す平面図である。 図９は、本発明の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。 図１０は、本発明の一実施形態におけるインプリント方法を切断端面図にて示す工程フロー図である。 図１１は、図１０に示すインプリント方法の続きの工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。 図１２は、図１１に示すインプリント方法の続きの工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。 図１３は、本発明の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の再生方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。 図１４は、本発明の他の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図１５は、図１４に示すインプリントモールド用基板における薄板部の主面に対向する対向面の他の構成例を示す、当該対向面側から見た平面図である。

本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
〔インプリントモールド用基板〕
図１（Ａ）は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すインプリントモールド用基板におけるＡ部拡大図であり、図２は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す分解斜視図であり、図３は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の他の構成例を概略的に示す切断端面図であり、図４は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板における遮光層の他の構成例を概略的に示す切断端面図であり、図５は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板における接合部近傍の他の構成例を概略的に示す部分拡大切断端面図である。

図１（Ａ）、（Ｂ）及び図２に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド用基材１は、インプリントモールドの微細凹凸パターンが形成され得る主面２Ａを有する薄板部２と、薄板部２の主面２Ａに対向する対向面２Ｂを支持する中空筒状の支持部３と、薄板部２及び支持部３の間に介在し、薄板部２及び支持部３を接合する接合部４と、支持部３と接合部４との間に介在する光触媒層５及び遮光層６とを備える。

薄板部２は、中空筒状の支持部３の開口一端３１（図２参照）を閉塞するように、接合部４を介して支持部３と接合されている。このように、本実施形態に係るインプリントモールド用基材１は、支持部３の中空部３０と、開口一端３１を閉塞する薄板部２の対向面２Ｂとにより構成される凹部８を有する。そのため、薄板部２の対向面２Ｂは、インプリントモールド用基材１の凹部８の底面に要求される程度に平坦面として構成される。

薄板部２としては、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板等のガラス基板；ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、その他ポリオレフィン基板等の樹脂基板等からなる単層基板や、上記基板のうちから任意に選択された２以上を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。

なお、本実施形態において「透明」とは、インプリント樹脂としての光硬化性樹脂を硬化させることが可能な波長の光、例えば波長２００〜４００ｎｍの光線を対象物（本実施形態においては薄板部２）の片側から照射した際、照射された側とは反対側へ光が到達することを意味する。薄板部２が透明であるのは、インプリント処理時に光硬化性樹脂（インプリント樹脂）を硬化させること及び支持部３と接合部４との間に位置する光触媒層５に光を照射させることが目的であるのだから、好適な基準を透過率で示すならば６０％以上、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９６％以上である。

本実施形態において、薄板部２の形状（平面視形状）は略矩形状であるが、このような形状に限定されるものではなく、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドの用途等に応じた任意の形状、例えば、略円形状等であってもよい。また、薄板部２の大きさ（平面視の大きさ）も、特に限定されるものではなく、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドの用途等に応じた大きさに設定され得る。

さらに、薄板部２の厚さＴ２は、薄板部２の材質、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドの用途等に応じて適宜設定され得るが、当該薄板部２が石英ガラスにより構成される場合、０．３〜１．５ｍｍ程度に設定され得る。本実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０（図７参照）は、支持部３の中空部３０の開口一端３１が薄板部２により閉塞されることで形成される凹部８を有することで、インプリント処理時、特にインプリントモールド１０の剥離時において、薄板部２のうちの微細凹凸パターンが形成されている領域を少なくとも湾曲させることができ、インプリントモールド１０（図７参照）の剥離を容易にするという効果を奏する。そのため、薄板部２の厚さＴ２が薄すぎたり、厚すぎたりすると、インプリントモールド１０の剥離時に意図したとおりに湾曲させるのが困難となるおそれがある。また、薄板部２の厚さＴ２が薄すぎると、インプリントモールド１０の強度が低下するおそれもある。

本実施形態に係るインプリントモールド用基板１において、薄板部２の主面２Ａに対向する対向面２Ｂの外縁部近傍には、接合部４を介して支持部３が接合されているが、薄板部２の対向面２Ｂのうち、少なくとも接合部４に当接する領域である外縁部近傍の表面には、粗面化、密着層形成等、接合部４との密着性を向上させる処理がなされているのが好ましい。当該外縁部近傍の表面に当該処理がなされていることで、薄板部２及び支持部３を分離するときに、接合部４を薄板部２側に残存させることがより容易になり、支持部３の再利用がより容易になる。

本実施形態において、薄板部２は、図３（Ａ）に示すように、主面２Ａ側に凸構造部２１を有する、いわゆるメサ構造を有するものであってもよい。また、図３（Ｂ）に示すように、薄板部２の主面２Ａには、Ｃｒ、Ｃｒの窒化物等のクロム系材料；シリコン、シリコンを含む合金、シリコン酸化物、シリコン窒化物等のシリコン系材料等により構成されるハードマスク層７が形成されていてもよい。

支持部３は、外形が平面視略方形状の中空角筒状を有しており、平面視において略中心に略円形の中空部３０が形成されてなる。支持部３の主面３Ａが、支持部３の開口一端３１を薄板部２（対向面２Ｂ）で閉塞するようにして、接合部４を介して薄板部２の対向面２Ｂに接合されていることで、有底略円筒状の凹部８が形成される。

支持部３を構成する材料は、特に限定されるものではなく、薄板部２を構成する材料と同一材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。支持部３が、薄板部２を構成する材料と異なる材料により構成される場合、当該支持部３を構成する材料としては、例えば、シリコン系材料、金属材料、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料；ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、その他ポリオレフィン類等の樹脂材料のほか、低膨張セラミックス等のセラミックス材料等が挙げられる。特に、支持部３を構成する材料として、薄板部２と同様に透明材料を用いる場合には、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１の遮光層６による効果が顕著に奏される。

平面視における支持部３の外形の大きさは、薄板部２の大きさと略同一であってもよいし、薄板部２よりも大きくてもよい。それらの大きさが略同一である場合には薄板部２側から見たときに段差を有しないため、例えば、薄板部２と支持部３とを接合した後に端面部分の面取り等が必要な場合には容易に実施可能である。一方で、支持部３が薄板部２よりも大きい場合、例えば支持部３と薄板部２とを分離する際、支持部３を保持可能な領域として、大きさの差分が生じた箇所を保持することが可能となる。また接合時の位置ずれも許容される。

また、平面視における中空部３０（薄板部２により閉塞される開口一端３１）の大きさは、少なくとも、薄板部２の主面２Ａ上に微細凹凸パターンが形成される領域を包含し得る大きさである。平面視において、中空部３０が微細凹凸パターンを内包可能な大きさであることで、インプリントモールド用基板１から作製されたインプリントモールドを用いたインプリント処理時、特にインプリントモールドの剥離時に、微細凹凸パターンが形成されている領域を少なくとも湾曲させ、インプリント樹脂からの剥離を容易にするという効果が発揮され得る。

支持部３の厚さＴ３は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０の凹部８の深さの設計値に応じて適宜設定され得るが、例えば、３〜１０ｍｍ程度に設定され得る。

接合部４は、光触媒の作用により分解又は変性され得る粘着剤組成物を硬化させてなる粘着剤硬化物により構成され、薄板部２及び支持部３を接着可能なものである。接合部４が光触媒の作用により分解又は変性され得る粘着剤組成物の硬化物により構成されることで、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０（図７参照）を再生するときに、光触媒層５への光の照射により薄板部２と支持部３とを容易に分離することができる。

光触媒の作用により分解又は変性され得る粘着剤組成物としては、一般的な有機系粘着剤組成物である限り特に制限されることなく用いることができ、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂等の粘着性樹脂材料等を用いることができる。また、粘着剤組成物による粘着（接着）機構は特に制限されず、例えば、上記粘着剤組成物は、重合や硬化剤等との化学反応により粘着力を奏し得る粘着剤組成物であってもよいし、熱可塑性又は熱硬化性の粘着剤組成物であってもよい。

なお、本実施形態において、接合部４が薄板部２と支持部３との間にのみ存在している態様を例に挙げるが、インプリント処理に影響を及ぼさないのであれば、このような態様に限定されるものではない。例えば、接合部４は、薄板部２の対向面２Ｂの全面を覆っていてもよいし、中空部３０から露出する対向面２Ｂの一部を覆っていてもよい。このような態様のインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドを用いたインプリント処理において、インプリント樹脂として光硬化性樹脂を用いるのであれば、接合部４は、当該光硬化性樹脂を硬化させ得る光を透過可能に構成されていればよい。

上記粘着性樹脂材料の粘着力（被着体である薄板部２及び支持部３に対する粘着力）は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドをインプリント処理に使用しているときに、薄板部２と支持部３とが分離してしまわない程度であればよく、硬化させたインプリント樹脂（光硬化性樹脂）から薄板部２を垂直方向に剥離するのに要する力の２倍以上、好ましくは５倍以上の力に耐えられるものであればよい。例えば、接合部４が上記粘着性樹脂材料（粘着剤組成物）により構成され、薄板部２及び支持部３がともに石英により構成される場合、硬化させたインプリント樹脂（光硬化性樹脂）から薄板部２を垂直方向に剥離するのに要する力の最大値が２０Ｎであったならば、硬化させたインプリント樹脂（光硬化性樹脂）と薄板部２との接触面積と同一面積で石英に接着させた上記粘着性樹脂材料を剥離するのに要する力の最大値が４０Ｎ以上であるのが好ましい。ただし、実際のインプリント処理において、インプリントモールドを剥離するときに薄板部２が湾曲することで、接合部４には、垂直方向の力と薄板部２の湾曲による水平方向の力との合力が加わるため、インプリント処理での繰り返し利用や、インプリント処理以外の不慮の外力による剥離を防ぐために、硬化させたインプリント樹脂（光硬化性樹脂）から薄板部２を垂直方向に剥離するのに要する力の５倍以上（１００Ｎ以上）とすることが好ましい。

接合部４の厚さＴ４は、可能な限り薄いのが好ましいが、接合部４や薄板部２を構成する材料に応じて適宜設定することができる。接合部４の厚さＴ４が薄くなると、薄板部２と支持部３との接合時に薄板部２に生じ得る内部応力がより低減される。例えば、接合部４の厚さＴ４は、３〜１００ｎｍ程度とすることができる。薄板部２に生じ得る内部応力は、例えば、接合前後の上記粘着性樹脂材料（接合部４）の収縮率や膨張率、さらに熱膨張係数に依存する。このため、収縮率や膨張率が低く、または熱膨張係数が薄板部２に近い粘着性樹脂材料を接合部４として用いる場合には、接合部４の厚さＴ４を前述の数値範囲（３〜１００ｎｍ）に比べて厚くすることができる。また、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドを、薄板部２に生じ得る内部応力を無視することが可能な用途に使用する際には、上述の数値範囲によらず、例えばサブミクロン又はミクロン単位の厚さＴ４の粘着性樹脂材料を接合部４として使用することができる。なお、後述するように薄板部２の主面２Ａを平坦な面として構成させるために、接合部４は、薄板部２に引張応力を与える目的とする、薄板部２に生じ得る内部応力を調整可能な層であってもよい。

支持部３と接合部４との間に位置する光触媒層５は、接合部４に接するようにして設けられている。光触媒層５が接合部４に接していることで、特定のバンドギャップ以上のエネルギーを有する波長の光を光触媒層５に照射したときに、光触媒層５において光触媒反応が起こり、接合部４を構成する粘着性樹脂材料が分解又は変性される。その結果、接合部４と光触媒層５との界面において、薄板部２と支持部３とが分離される。

光触媒層５を構成する光触媒としては、一般に光触媒反応を生じさせ得る化合物を用いることができ、例えば、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＮｉＯ、Ｃｕ₂Ｏ等の金属酸化物、ＺｎＳ、ＣｄＳ、ＨｇＳ等の金属硫化物、ＣｄＳｅ等の金属セレン化物等を用いることができる。

なお、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０（図７参照）において薄板部２と支持部３とを分離可能な程度に接合部４を構成する粘着性樹脂材料を分解し又は変性させることができる限り、光触媒層５の厚さＴ５は、特に制限されるものではない。一般的に、光触媒層５の厚さＴ５は、１００〜２０００ｎｍ程度とされ得る。また、この光触媒層５を有することでインプリントモールド用基板１（特に、薄板部２）に応力が生じてしまう場合には、接合部４における光触媒層５と対向する面（薄板部２の対向面２Ｂ側）に、光触媒層５と同様の応力を生じさせ得る膜を形成し、インプリントモールド用基板１全体の応力を調整してもかまわない。

本実施形態においては、光触媒層５と支持部３との間に、金属クロムやその酸化物、窒化物等により構成される遮光層６が設けられている。本実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０（図７参照）を用いた光インプリント処理において、インプリント樹脂に対して照射される光は、紫外線を含む光であって、光触媒反応が生じ得る特定のバンドギャップ以上のエネルギーを有する波長の光である。そのため、当該インプリントモールド１０（図７参照）を用いたインプリント処理時に、インプリント樹脂に対して照射されるべき光が光触媒層５にも照射されてしまうと、光触媒反応が起こり、接合部４を構成する粘着性樹脂材料が分解又は変性し、薄板部２と支持部３とが分離されてしまう。しかしながら、上記遮光層６を有することで、薄板部２の対向面２Ｂ側から主面２Ａ側に向かって薄板部２の厚さ方向に進行する光、すなわちインプリント処理時に照射される光が、光触媒層５に照射されるのを防止することができる。換言すると、本実施形態においては、薄板部２の対向面２Ｂ側から主面２Ａ側に向かって薄板部２の厚さ方向に進行する光（インプリント処理時に照射される光）が、光触媒層５に照射されないような位置に、遮光層６が設けられている。

遮光層６は、光触媒層５にて光触媒反応が起こらない程度に遮光可能な層であればよく、光学濃度（ＯＤ）２以上の層であるのが好ましく、光学濃度３以上の層であるのが特に好ましい。遮光層６の光学濃度が２未満であると、光触媒層５にエネルギーが伝わってしまい、光触媒反応が起こるおそれがある。なお、遮光層６の厚さＴ６は、所望の遮光性能（光学濃度）を発揮し得る程度の厚さである限り特に制限はなく、例えば、遮光層６を構成する材料として金属クロムを用いる場合、光学濃度２から３を実現するための遮光層６の厚さは７０〜１００ｎｍ程度に設定され得る。

インプリントモールド用基板１における遮光層６の設けられている位置は、光触媒層５と支持部３との間のみならず、インプリント処理時に照射される光を遮光し、当該光が光触媒層５に照射されないような位置である限り、特に制限はない。例えば、遮光層６は、支持部３の主面３Ａとその対向面３Ｂとの間に設けられていてもよいし（図４（Ａ）参照）、支持部３の対向面３Ｂ上に設けられていてもよいし（図４（Ｂ）参照）、支持部３の中空部３０を構成する内壁３Ｃに設けられていてもよい（図４（Ｃ）参照）。

なお、支持部３と遮光層６との間には、さらに剥離層９が設けられていてもよい（図５参照）。薄板部２と支持部３とを分離したときに、接合部４としての粘着性樹脂材料が支持部３側に残存すると、支持部３を再利用する場合に当該接合部４を除去する必要があるが、図５に示すように、支持部３と遮光層６との間に剥離層９を有することで、接合部４としての上記粘着性樹脂材料が薄板部２側に残存しやすくなり、支持部３の再利用をより容易にすることができる。

上述した構成を有するインプリントモールド用基板１は、薄板部２及び支持部３が接合部４を介して接合した構成を有することで、支持部３の中空部３０とその開口一端３１を閉塞する薄板部２（対向面２Ｂ）により、有底略円筒状の凹部８が形成される。そして、支持部３の中空部３０は、容易な加工技術により高精度に形成可能であり、薄板部２の対向面２Ｂは、高い平坦度を有する面として構成可能であるため、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、高精度の凹部８を有することになる。また、接合部４に接する光触媒層５を有することで、インプリントモールド用基板１から作製されたインプリントモールドを廃棄するときに、当該光触媒層５に光を照射するだけで容易に薄板部２及び支持部３を分離することができ、少なくとも支持部３を再利用することができる。

〔インプリントモールド用基板の製造方法〕
上述した構成を有するインプリントモールド用基板１は、以下のようにして製造することができる。図６は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１の製造工程を断面図にて概略的に示す工程フロー図である。

図６（Ａ）に示すように、まず、薄板部２及び支持部３を準備し、支持部３の主面３Ａ上に遮光層６及び光触媒層５をこの順に形成し、光触媒層５の上に接合部４としての粘着剤層を形成する。なお、薄板部２の対向面２Ｂにおける接合部４と当接する部分には、必要に応じて表面処理（粗面化処理、密着層形成処理等）が施されている。また、薄板部２の主面２Ａ上には、予めハードマスク層７（図３（Ｂ）参照）が形成されていてもよい。

支持部３は、所定形状の基材を準備し、当該基材の略中心に中空部３０を形成することにより得られる。中空部３０の形成方法は、特に限定されるものではなく、例えば、切削器具等を用いて機械的に加工する方法であってもよいし、中空部３０に相当する開口部を有するレジストパターン等を形成してエッチングする方法であってもよい。

支持部３の主面３Ａ上に遮光層６を設ける方法としては、例えば、遮光層６を構成する材料を用いたスパッタリング法等が挙げられる。また、遮光層６上に光触媒層５を設ける方法としては、例えば、光触媒層５を構成する材料を用いたスパッタリング法、真空蒸着法、熱分解スプレー法等が挙げられる。光触媒層５を構成する材料として酸化チタン（ＴｉＯ₂）を用いる場合、スパッタリング法により遮光層６上に非結晶型酸化チタン膜を形成した後、焼成により結晶構造を有する光触媒性酸化チタン膜（光触媒層５）を形成するのが好ましい。このようにして形成された結晶構造を有する光触媒性酸化チタン膜は、光触媒作用に優れる。

光触媒層５上に接合部４としての粘着剤層を設ける方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法、ディスペンサー法、上記粘着性樹脂材料を揮発させて塗布する蒸着法等の任意の塗布方法が挙げられる。なお、支持部３と遮光層６との間に剥離層９（図５参照）を設ける場合、支持部３の主面３Ａ上に剥離層９を形成し、当該剥離層９上に遮光層６を設ければよい。

次に、図６（Ｂ）に示すように、支持部３の開口一端３１を薄板部２（対向面２Ｂ）にて閉塞するように、薄板部２の対向面２Ｂと支持部３の主面３Ａとを、接合部４を介して接合する。これにより、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１を製造することができる。

薄板部２と支持部３とを接合する方法としては、例えば、接合部４が熱硬化性粘着剤により構成される場合、薄板部２と、支持部３の主面３Ａに設けられた接合部４とを貼り合わせ、熱を印加する方法等が挙げられる。

〔インプリントモールド〕
続いて、上述した本実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製され得るインプリントモールドについて説明する。図７は、本実施形態におけるインプリントモールド１０を示す切断端面図であり、図８は、当該インプリントモールド１０を示す平面図である。

図７に示すように、本実施形態におけるインプリントモールド１０は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１の薄板部２の主面２Ａ上に、所望の微細凹凸パターン１１が形成されてなる。微細凹凸パターン１１の形状、寸法、アスペクト比等は、インプリントモールド１０の用途に応じて適宜設定され得る。

図８に示すように、インプリントモールド１０の平面視において、微細凹凸パターン１１の形成されている領域ＰＡは、支持部３の中空部３０の外形により規定される領域ＨＡに包含されている。したがって、当該インプリントモールド１０を用いたインプリント処理時において、インプリントモールド１０の薄板部２のうち、微細凹凸パターン１１の形成されている領域ＰＡを少なくとも湾曲させることができるため、被転写材としてのインプリント樹脂から容易に剥離することができる。

上記インプリントモールド１０は、薄板部２と支持部３とが接合部４を介して接合された構成を有し、接合部４に接する光触媒層５を有するため、例えば、複数回の使用により破損したときなど、当該インプリントモールド１０を廃棄するときに、光触媒層５に所定の光を照射することで、接合部４を構成する粘着性樹脂材料を分解し、薄板部２と支持部３とを容易に分離することができ、少なくとも支持部３を再利用することができる。

また、上記インプリントモールド１０は、光触媒層５に対する光を遮光可能な遮光層６を有しているため、光インプリント処理時に光触媒層５に所定の光が照射されることがなく、薄板部２と支持部３とを分離させることなく光インプリント処理に用いることができる。

〔インプリントモールドの製造方法〕
上記インプリントモールド１０は、例えば下記のようにして製造することができる。図９は、本実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。

本実施形態におけるインプリントモールド１０の製造方法においては、まず、金属クロム膜等のハードマスク層７が薄板部２の主面２Ａに設けられているインプリントモールド用基板１を用意し、微細凹凸パターン１１に対応するレジストパターン６０を当該主面２Ａの微細凹凸パターン１１を形成する領域ＰＡ上に形成する（図９（Ａ）参照）。

なお、ハードマスク層７の厚さは、インプリントモールド用基板１の薄板部２を構成する材料に応じたエッチング選択比、インプリントモールド１０における微細凹凸パターン１１のアスペクト比等を考慮して適宜設定され得る。

レジストパターン６０を構成するレジスト材料としては、特に限定されるものではなく、従来公知のエネルギー線感応型レジスト材料（例えば、電子線感応型レジスト材料、紫外線感応型レジスト材料等）等を用いることができる。

レジストパターン６０を形成する方法としては、特に限定されるものではない。例えば、電子線リソグラフィー法やフォトリソグラフィー法等によりレジストパターン６０を形成することができる。

続いて、レジストパターン６０をマスクとして用いてハードマスク層７をドライエッチング法によりエッチングし、ハードマスクパターン７１を形成する（図９（Ｂ）参照）。そして、当該ハードマスクパターン７１をマスクとして用いてインプリントモールド用基板１の薄板部２の主面２Ａをエッチングし、微細凹凸パターン１１を形成する。

最後に、ハードマスクパターン７１を除去する（図９（Ｃ）参照）。これにより、薄板部２の主面２Ａに微細凹凸パターン１１が形成されてなり、高精度の凹部８を有するインプリントモールド１０を製造することができる。

なお、レジストパターン６０を形成する際にフォトリソグラフィー法を用いる場合、露光光源側から見たときに、インプリントモールド用基材１の光触媒層５に露光光が照射されないようにする必要がある。例えば、フォトリソグラフィー法によりレジストパターン６０を形成する際に用いられるフォトマスクとして、光触媒層５への露光光を遮光可能な遮光部を有するものを使用すればよい。

また、電子線リソグラフィー法やフォトリソグラフィー法によりレジストパターン６０を形成する場合には、露光光源側から見たときに、薄板部２はたわみを持たず一様に平坦であることがより好ましい。そのため、薄板部２は大きさに応じた厚みを有するか、あるいは張力を有するように支持部３に貼り付けられていることが好ましい。

〔インプリント方法〕
次に、上記インプリントモールド１０を用いたインプリント方法について説明する。図１０〜１２は、本実施形態におけるインプリント方法の各工程を断面図により示す工程フロー図である。

本実施形態においては、まず、上記インプリントモールド１０を用意し、被転写基板５０上に、インクジェット方式による樹脂塗布装置を用いてインプリント樹脂（紫外線硬化性樹脂）６０を離散的に滴下する（図１０（Ａ）参照）。なお、本実施形態においては、被転写基板５０として、基材５１の一の面５１Ａから突出する凸構造部５２と、その対向面５１Ｂに位置する凹部５３とを有し、凸構造部５２の上面５２Ａがパターンの形成される面として構成されるものを例に挙げて説明するが、このような態様に限定されるものではなく、一般にパターンが形成され得る基板であれば、被転写基板５０として用いることが可能である。

被転写基板５０上におけるインプリント樹脂６０の滴下位置は、インプリントモールド１０の微細凹凸パターン１１の形状や寸法等に応じたインプリント樹脂６０の流動性等を考慮して適宜設定され得る。

次に、インプリントモールド１０の微細凹凸パターン１１と被転写基板５０上のインプリント樹脂６０とを接触させ、被転写基板５０上にインプリント樹脂６０を展開させる（図１０（Ｂ）参照）。

そして、インプリントモールド１０の微細凹凸パターン１１内にインプリント樹脂６０が十分に充填された後、インプリントモールド１０の薄板部２の対向面２Ｂ側から薄板部２を介してインプリント樹脂６０に光（紫外線）ＵＶを照射して当該インプリント樹脂６０を硬化させる（図１１（Ｃ）参照）。このとき、インプリントモールド１０においては、光触媒層５に光（紫外線）ＵＶが照射されないような位置に遮光層６が設けられているため、光触媒層５に当該光（紫外線）ＵＶが照射されることがない。よって、光触媒層５に光（紫外線）ＵＶが照射されることによる接合部４の腐食・分解・変性等が生じることなくインプリント処理を実施することができる。

最後に、硬化後のインプリント樹脂６０とインプリントモールド１０とを剥離する（図１１（Ｄ）参照）。このとき、インプリントモールド１０は、薄板部２の対向面２Ｂと支持部３の中空部３０とにより構成される、高精度の凹部８を有するため、剥離時に薄板部２を効果的に湾曲させることができる（図１１（Ｄ）参照）。そのため、本実施形態によれば、硬化後のインプリント樹脂６０からインプリントモールド１０を容易に剥離することができるという効果を奏する。このようにして、上記インプリントモールド１０を用いたインプリント処理により、被転写基板５０上にインプリント樹脂６０からなる微細凹凸パターン６１を形成することができる（図１２（Ｅ）参照）。

〔インプリントモールドの再生方法〕
続いて、上記インプリントモールド１０の再生方法について説明する。図１３は、本実施形態におけるインプリントモールドの再生方法の各工程を断面図により示す工程フロー図である。

本実施形態においては、まず、使用済みのインプリントモールド１０の光触媒層５に特定のバンドギャップ以上のエネルギーを有する波長の光Ｌを照射する（図１３（Ａ）参照）。上記波長の光Ｌを光触媒層５に照射することにより、接合部４と光触媒層５との界面において光触媒反応が起こり、接合部４を構成する粘着性樹脂材料の腐食・分解・変性が生じる。このとき、接合部４と遮光層６との間に剥離層９（図５参照）が設けられていれば、接合部４を薄板部２側に残存させるようにして薄板部２と支持部３とを容易に分離することができる。

次に、必要に応じて支持部３の主面３Ａに残存する接合部４の除去、主面３Ａの清浄化、光触媒層５や遮光層６の再形成等を行い、別途新たな薄板部２’を準備し、支持部３の開口一端３１を当該薄板部２’にて閉塞するように、当該薄板部２’の対向面２Ｂ’と支持部３の主面３Ａとを、接合部４’としての粘着剤層を介して接合する。（図１３（Ｂ）参照）。これにより、使用済みのインプリントモールド１０をインプリントモールド用基板１として再生することができる。

なお、使用済みのインプリントモールド１０の支持部３の、薄板部２が接合していた主面３Ａに対向する面３Ｂに、遮光層６、光触媒層５及び接合部４をこの順に形成し、別途新たな薄板部２’を接合して、インプリントモールド用基板１として再生してもよい。

薄板部２’の主面２Ａ’には、金属クロム膜等により構成されるハードマスク層７（図３（Ｂ）参照）が形成されていてもよい。薄板部２と支持部３とを、接合部４を介して接合する方法としては、上記インプリントモールド用基板１の製造方法において説明した方法と同様の方法（図６（Ｂ）参照）を採用することができる。

そして、再生されたインプリントモールド用基板１を用いて、図９に示す方法によりインプリントモールド１０を製造することで、インプリントモールド１０を再生することができる。

上述のようにして、本実施形態におけるインプリントモールドの再生方法によれば、少なくとも支持部３を再利用することができ、使用済みのインプリントモールド１０を再生することができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

上記実施形態において、図１４に示すように、薄板部２の対向面２Ｂにおける接合部４との接触部位にガス透過性構造２２を有していてもよい。溶剤を含む粘着剤組成物を接合部４として用いて薄板部２と支持部３とを接合する場合、当該接合部４に含まれ得る溶剤を十分に除去する必要がある。接合部４内に溶剤が残存してしまうと、当該接合部４内に気泡（ボイド）が生じやすくなり、それにより、インプリントモールド用基板１やそれから作製されるインプリントモールド１０の強度や薄板部２の主面２Ａの平坦性等に悪影響を及ぼすおそれがある。一方、薄板部２と支持部３との間に介在する接合部４としては、極めて薄いものが要求される。粘着剤組成物を硬化させてなる接合部４が厚いと、粘着剤組成物の硬化時（薄板部２と支持部３との接合時）に薄板部２や支持部３に内部応力が生じやすく、薄板部２の主面２Ａの平坦性に悪影響を及ぼすおそれがあるためである。そのため、接合部４を極めて薄く形成することで、薄板部２と支持部３との間に介在する粘着剤組成物の外気への露出面積が極めて小さくなり、溶剤を揮発させて完全に除去するのが困難となる。しかしながら、上述したように、薄板部２の対向面２Ｂにおける接合部４との接触部位に、粘着剤組成物に含まれる溶剤の気化物が透過可能なガス透過性構造２２を有することで、インプリントモールド用基板１の製造過程において、揮発した溶剤が当該ガス透過性構造２２を介して、効果的に除去され得る。よって、溶剤を含む粘着剤組成物を硬化させてなる接合部４内に当該溶剤を残存させることがなく、当該接合部４内に気泡（ボイド）が生じ難いため、十分な強度を有し、薄板部２の主面２Ａの平坦性の高いインプリントモールド用基板１とすることができる。

このようなガス透過性構造２２としては、粘着剤組成物から揮発した溶剤が透過可能な構造である限り特に制限はない。例えば、薄板部２が石英ガラス基板により構成される場合、当該ガス透過性構造２２としては、薄板部２の対向面２Ｂのうちの外縁部近傍の表面に形成された微細ピラー構造体や微細スリット構造体、当該外縁部近傍の表面に貼り合わされたガラスやＳＯＧ等により形成された多孔質膜等が挙げられる。薄板部２と支持部３との接合箇所に位置するガス透過性構造２２が光を透過させる必要がないのであれば、例えば、赤外線よりも短波長の光を透過させない多孔質シリコン層を陽極化成法等により上記外縁部近傍の表面２Ｃに形成し、この多孔質シリコン層をガス透過性構造２２として用いてもよいし、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）のように気体の溶解しやすい樹脂材料等からなる層を上記外縁部近傍の表面２Ｃに形成し、この層をガス透過性構造２２として用いてもよい。

当該ガス透過性構造２２におけるガス透過係数は、好適には１×１０^-16ｃｍ³・ｃｍ／ｃｍ²・ｓ・Ｐａ以上、特に好適には１×１０^-13ｃｍ³・ｃｍ／ｃｍ²・ｓ・Ｐａ以上である。なお、ガス透過性構造２２におけるガス透過係数は、簡単には圧力センサー又はガスクロマトグラフィを用いて求めることができ、その端的な例として「ＪＩＳ Ｋ ６２７５−１」を参照することができる。当該規格に従うならば、試験片によって高圧側セルと低圧側セルとに分割することが可能な試験セルを準備し、そこへ試験ガスを高圧側セルに大気圧又は加圧状態で導入することで求めることができる。なぜなら低圧側セルとの間に生じる圧力差で、試験ガスが試験片内部へ溶解した後、試験片内部の試験ガス濃度勾配によって拡散し、試験片界面から低圧側セルへ放散するからである。こうして試験片を透過するガス量は、低圧側セルの圧力上昇を測定する圧力センサー（圧力センサー法）、又は試験ガス量の増加を測定するガスクロマトグラフィ（ガスクロマトグラフィ法）によって求めることができる。

本実施形態においては、薄板部２の対向面２Ｂの外縁部近傍の表面の全面にガス透過性構造２２が設けられていてもよいし、当該表面の一部の領域にガス透過性構造２２が設けられていてもよい。例えば、図１５（Ａ），（Ｂ）に示すように、薄板部２の対向面２Ｂの外縁部近傍の表面２Ｃのうち、薄板部２の４辺のそれぞれに接するガス透過性構造２２や、当該表面２Ｃの内縁部２３を超えてさらに内側に連続するガス透過性構造２２が設けられていてもよい。すなわち、ガス透過性構造２２の一部が、支持部３の中空部３０を介してインプリントモールド用基板１の外表面に露出するように設けられていてもよい。このように、当該表面２Ｃの一部の領域にガス透過性構造２２が設けられている場合、ガス透過性構造２２の設けられている領域の一部がインプリントモールド用基板１の外表面に露出し、当該ガス透過性構造２２を介してインプリントモールド用基板１の外表面と接合部４との間が連続していることを要する。インプリントモールド用基板１の外表面と接合部４との間がガス透過性構造２２を介して連続していないと、当該ガス透過性構造２２が溶剤の流路として機能せず、粘着剤組成物から溶剤を十分に除去することができなくなるという問題が生じる。

薄板部２の対向面２Ｂの外縁部近傍の表面２Ｃ内の複数の独立した領域のそれぞれに、ガス透過性構造２２が設けられている場合（例えば、図１５（Ａ）参照）において、隣接する２つの領域の間隔は、粘着剤組成物から揮発した溶剤が当該ガス透過性構造２２を介して接合部４の外に十分に排出され得る程度に適宜設定されていればよい。

また、薄板部２の対向面２Ｂの外縁部近傍の表面２Ｃの平面視における総面積に対するガス透過性構造２２の占める比率は、大きいほうが好ましい。しかし、薄板部２に接する接合部４の全面からガスが発生する可能性を考慮すると、ガス透過性構造２２は、上記外縁部近傍の表面２Ｃの面内に可能な限り均一に存在するのが好ましい。よって、上記総面積に対するガス透過性構造２２の占める比率は、３０％以上であるのが好ましく、５０％以上であるのがより好ましい。さらに、上記外縁部近傍の表面２Ｃの面内においてガス透過性構造２２が存在する密度の分布が５０％未満であるのが好ましく、３０％未満であるのが好ましい。粘着剤組成物中の溶剤の含有量や、溶剤の物性等にも依存するものの、上記比率が３０％未満又は上記密度分布が５０％以上となると、粘着剤組成物から溶剤を十分に揮発させることができない、又はガスを接合部４の外に排出することができないおそれがある。

上記実施形態においては、接合部４と接するようにして光触媒層５が形成されているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、接合部４に光触媒が内在していてもよい。この場合において、支持部３の主面３Ａ上に設けた遮光層６上に、光触媒を分散させてなる粘着性樹脂材料を塗布し（図６（Ａ）参照）、支持部３の開口一端３１を薄板部２（対向面２Ｂ）にて閉塞するように、薄板部２の対向面２Ｂと支持部３の主面３Ａとを、接合部４を介して接合すればよい（図６（Ｂ）参照）。

上記実施形態においては、薄板部２の対向面２Ｂ側から主面２Ａ側に向かって薄板部２の厚さ方向に進行する光（インプリント処理時に照射される光）が光触媒層５に照射されないような位置に遮光層６が設けられているが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、遮光層６が設けられていなくてもよい。この場合において、遮光層６が設けられていないインプリントモールド用基板１から作製されたインプリントモールド１０を用いてインプリント処理を行う際に、インプリント処理時の照射光が光触媒層５に対して照射されないようにする必要がある。例えば、インプリント処理時に、インプリントモールド１０と光源との間に、所定の開口部及び遮光部を有するマスクを介在させることで、インプリントモールド１０の微細凹凸パターン１１の形成されている領域ＰＡには十分に光が照射されるが、上記マスクの遮光部により光触媒層５に対して光が照射されないようにすることができる。上記マスクは、インプリントモールド１０とは別個の部品として使用されるものであってもよいし、インプリント装置内部に含まれるアパーチャーであってもよい。また、インプリント装置が、光触媒層５に対して光が照射されない構造又はこれを実現可能な部品を装着可能な機能を有していてもよい。

上記実施形態においては、支持部３の主面３Ａ上に遮光層６、光触媒層５及び接合部４をこの順で形成し、薄板部２の対向面２Ｂで支持部３の開口一端３１を閉塞するようにして薄板部２と支持部３とを接合してインプリントモールド用基板１を製造しているが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、支持部３の主面３Ａ上に遮光層６及び光触媒層５をこの順で形成するとともに、薄板部２の対向面２Ｂの外縁部近傍の表面２Ｃ（薄板部２と支持部３とを重ね合わせたときの重ね合せ部）に接合部４としての粘着剤層を形成し、それらの薄板部２と支持部３とを接合してインプリントモールド用基板１を製造してもよい。

上記実施形態においては、薄板部２と支持部３とを、接合部４を介して接合してなるインプリントモールド用基板１の薄板部２の主面２Ａ上に微細凹凸パターン１１を形成することによりインプリントモールド１０を製造しているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、主面２Ａに微細凹凸パターン１１が形成されてなる薄板部２と、支持部３とを準備し、当該薄板部２と支持部３とを、支持部３の開口一端３１を薄板部２の対向面２Ｂで覆うようにして接合部４を介して接合することで、インプリントモールド１０を製造してもよい。

本発明は、半導体基板等に微細凹凸パターンを形成するためにインプリントモールドを用いてナノインプリント工程を実施するような微細加工技術分野において有用である。

１…インプリントモールド用基板
２，２’…薄板部
２Ａ…主面
２Ｂ…対向面
３…支持部
３Ａ…主面
３１…開口一端
４，４’…接合部
５…光触媒層
６…遮光層
８…凹部
９…剥離層
１０…インプリントモールド
１１…微細凹凸パターン

Claims (11)

1. 微細凹凸パターンが形成され得る主面及び当該主面に対向する対向面を有する薄板部と、
   前記薄板部の前記対向面側を支持する、中空筒状の支持部と、
   前記薄板部及び前記支持部の間に介在し、前記支持部の開口一端を前記対向面で閉塞するようにして前記薄板部及び前記支持部を接合する接合部と
   を備え、
   前記支持部と前記接合部との間又は前記接合部内に、光触媒が存在し、
   前記接合部は、前記光触媒の作用により分解又は変性され得る粘着剤組成物の硬化物により構成されることを特徴とするインプリントモールド用基板。
2. 前記薄板部の前記対向面側から前記主面側に向かって前記薄板部の厚さ方向に進行する光が前記光触媒に照射されないような位置に、遮光層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド用基板。
3. 前記遮光層は、前記光触媒と前記支持部との間に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のインプリントモールド用基板。
4. 前記遮光層は、前記支持部に内在されていることを特徴とする請求項２に記載のインプリントモールド用基板。
5. 前記遮光層は、前記支持部の内周壁に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のインプリントモールド用基板。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の前記薄板部の前記主面に、微細凹凸パターンが形成されてなることを特徴とするインプリントモールド。
7. 主面及び当該主面に対向する対向面を有する薄板部と、前記薄板部の前記対向面を支持する、中空筒状の支持部と、前記薄板部及び前記支持部の間に介在し、それらを接合する接合部とを備えるインプリントモールド用基板を製造する方法であって、
   前記支持部の開口一端を前記薄板部の対向面で閉塞するようにして前記薄板部と前記支持部とを重ね合わせたときの、前記薄板部及び／又は前記支持部における重ね合せ部に、粘着剤層を形成する工程と、
   前記粘着剤層と前記支持部との間に光触媒を介在させて、前記薄板部と前記支持部とを前記粘着剤層により接合する工程と
   を含むことを特徴とするインプリントモールド用基板の製造方法。
8. 前記支持部の軸方向に沿って前記支持部側から前記薄板部側に向かって進行する光が前記光触媒に照射されないような位置に、遮光層を設ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
9. 請求項６に記載のインプリントモールドを被加工基材の主面上に供給されたインプリント樹脂に接触させ、前記インプリント樹脂を前記被加工基材の主面上に展開する工程と、
   前記被加工基材の主面上に展開した前記インプリント樹脂を硬化させる工程と、
   前記硬化したインプリント樹脂から前記インプリントモールドを剥離する工程と
   を含むことを特徴とするインプリント方法。
10. 前記インプリント樹脂が、光硬化性樹脂であることを特徴とする請求項９に記載のインプリント方法。
11. 請求項６に記載のインプリントモールドを再生する方法であって、
    前記支持部から、前記微細凹凸パターンを有する前記薄板部を分離する工程と、
    前記薄板部が分離された前記支持部の開口一端を新たな薄板部で閉塞するようにして前記新たな薄板部と前記支持部とを重ね合わせたときの、前記新たな薄板部及び／又は前記支持部における重ね合せ部に、粘着剤層を形成する工程と、
    前記新たな薄板部と前記支持部とを前記粘着剤層で接着させる工程と
    を含み、
    前記分離する工程において、前記光触媒に光を照射して、前記支持部から前記薄板部を分離することを特徴とするインプリントモールドの再生方法。

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