JP2015149599A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態に係る半導体装置は、例えば複数の機能を1つのチップ上に実装したSoC(System on a Chip)であり、異なるクロックで動作する複数のクロックドメインを有する。さらに、本実施形態に係る半導体装置は、異なるクロックドメイン間でデータ信号の送受信が行われる場合に、データ信号が正しく送受信されるように、メタステーブルの発生を防止するためのメタステーブル対策回路を有する。すなわち、本実施形態に係る半導体装置は、データ同期化制御信号をメタステーブル対策回路を使用して異なるクロックドメインに同期化し、また同期化後の制御信号を再びメタステーブル対策回路を使用して元のクロックドメインに同期化した制御信号でデータを制御する、ハンドシェイク型のデータ転送を実行する。
図1は、本発明の第1の実施形態におけるハンドシェイク型のデータ転送を行う半導体装置の構成例を示す図である。この図1において、図7に示した構成要素と同じ構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。第1の実施形態における半導体装置は、図7に示したデータ転送装置における送信側のフリップフロップ回路SFF−i(及びセレクタSSEL−i)に換えて、ラッチ回路SL−iを用いたものである。すなわち、第1の実施形態における半導体装置は、図1に示すように送信側のラッチ回路SL−iと、受信側のフリップフロップ回路DFF−i及びセレクタDSEL−iと、制御回路としてのメタステーブル対策回路13とを有する。
図3は、本発明の第2の実施形態におけるハンドシェイク型のデータ転送を行う半導体装置の構成例を示す図である。この図3において、図1、図7に示した構成要素と同じ構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。第2の実施形態における半導体装置は、さらに受信側のフリップフロップ回路DFF−i(及びセレクタDSEL−i)に換えて、ラッチ回路DL−iを用いたものである。すなわち、第2の実施形態における半導体装置は、図3に示すように送信側のラッチ回路SL−iと、受信側のラッチ回路DL−iと、制御回路としてのメタステーブル対策回路13とを有する。
12 位相ロックループ(PLL)回路
13 メタステーブル対策回路
SL ラッチ回路(送信側)
DL ラッチ回路(受信側)
SFF フリップフロップ回路(送信側)
DFF フリップフロップ回路(受信側)
IDATA 入力データ信号
SDATA 転送データ信号
ODATA 出力データ信号
Claims (5)
- 第1のクロック信号が供給される第1クロックドメインと、
前記第1のクロック信号とは異なる第2のクロック信号が供給される第2クロックドメインとを有し、
前記第1クロックドメインから前記第2クロックドメインへのデータ転送を行う半導体装置であって、
前記第1クロックドメインに属し、前記第1のクロック信号とは異なる第1のゲート信号がアサートされているとき、前記第1のクロック信号に同期した入力データを転送データとして出力し、前記第1のゲート信号がネゲートされているとき、前記転送データを保持するラッチ回路と、
前記第2クロックドメインに属し、イネーブル信号及び前記第2のクロック信号に応答して、前記ラッチ回路から出力される前記転送データを保持して出力データとして出力するフリップフロップ回路と、
前記入力データが有効であることを示す信号に基づいて、前記第1のゲート信号をパルス状にアサートして前記ラッチ回路に供給し、前記第1のゲート信号に基づいて、前記転送データが安定していることを示す前記イネーブル信号を生成して前記フリップフロップ回路に供給する制御回路とを有することを特徴とする半導体装置。 - 第1のクロック信号が供給される第1クロックドメインと、
前記第1のクロック信号とは異なる第2のクロック信号が供給される第2クロックドメインとを有し、
前記第1クロックドメインから前記第2クロックドメインへのデータ転送を行う半導体装置であって、
前記第1クロックドメインに属し、前記第1のクロック信号とは異なる第1のゲート信号がアサートされているとき、前記第1のクロック信号に同期した入力データを転送データとして出力し、前記第1のゲート信号がネゲートされているとき、前記転送データを保持する第1のラッチ回路と、
前記第2クロックドメインに属し、前記第2のクロック信号とは異なる第2のゲート信号がアサートされているとき、前記第1のラッチ回路から出力される前記転送データを出力データとして出力し、前記第2のゲート信号がネゲートされているとき、前記出力データを保持する第2のラッチ回路と、
前記入力データが有効であることを示す信号に基づいて、前記第1のゲート信号をパルス状にアサートして前記第1のラッチ回路に供給し、前記第1のゲート信号に基づいて、前記転送データが安定していることを示すパルス状にアサートした前記第2のゲート信号を前記第2のラッチ回路に供給し、前記第2のゲート信号に基づいて、前記出力データが有効であることを示すバリッド信号を生成して出力する制御回路とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記制御回路は、前記第1クロックドメインから前記第2クロックドメインへのデータ転送中にアサートされる信号がネゲートされているとき、前記入力データが有効であることを示す信号に応じて、前記第1のクロック信号の1周期の期間、前記第1のゲート信号をアサートすることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 第1のクロック信号が供給される第1クロックドメインと、
前記第1のクロック信号とは異なる第2のクロック信号が供給される第2クロックドメインとを有し、
前記第1クロックドメインから前記第2クロックドメインへのデータ転送を行う半導体装置であって、
前記第1クロックドメインに属し、イネーブル信号及び前記第1のクロック信号に応答して、前記第1のクロック信号に同期した前記入力データを保持して転送データとして出力するフリップフロップ回路と、
前記第2クロックドメインに属し、前記第2のクロック信号とは異なるゲート信号がアサートされているとき、前記フリップフロップ回路から出力される前記転送データを出力データとして出力し、前記ゲート信号がネゲートされているとき、前記出力データを保持するラッチ回路と、
前記入力データが有効であることを示す信号に基づいて、前記イネーブル信号を生成して前記フリップフロップ回路に供給し、前記イネーブル信号に基づいて、前記転送データが安定していることを示すパルス状にアサートした前記ゲート信号を前記ラッチ回路に供給し、前記ゲート信号に基づいて、前記出力データが有効であることを示すバリッド信号を生成して出力する制御回路とを有することを特徴とする半導体装置。 - 第1のクロック信号及び前記第1のクロック信号とは異なる第2のクロック信号を生成するクロック生成回路を有することを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の半導体装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170088768A (ko) * | 2016-01-25 | 2017-08-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
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- 2014-02-06 JP JP2014021282A patent/JP6256067B2/ja active Active
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US11789515B2 (en) | 2016-01-25 | 2023-10-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
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