JP2015149397A - 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 - Google Patents

有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 Download PDF

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Abstract

【課題】有機薄膜トランジスタの半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高くなり、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物を用いた有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】下記式で表される化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ（ＸはＯ、Ｓ又はＳｅ；ｐ及びｑは０〜２の整数；Ｒ1〜Ｒ10、Ｒa及びＲbは水素、ハロゲン又は−Ｌ−Ｒ；Ｒ1〜Ｒ10、Ｒa及びＲbの一つは−Ｌ−Ｒ；Ｒ5とＲ6の少なくとも一方が−Ｌ−Ｒである場合Ｌはエテニル基又はエチニル基；Ｌは特定の２価の連結基；Ｒはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基或いはトリアルキルシリル基）。【選択図】なし

Description

本発明は、有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料などに関する。詳しくは、本発明は、少なくとも２つのヘテロ環を含む縮合環骨格を有する化合物、該化合物の中間体化合物である化合物、有機薄膜トランジスタ、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機薄膜トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜に関する。
有機半導体材料を用いたデバイスは、従来のシリコンなどの無機半導体材料を用いたデバイスと比較して、様々な優位性が見込まれているため、高い関心を集めている。有機半導体材料を用いたデバイスの例としては、有機半導体材料を光電変換材料として用いた有機薄膜太陽電池や固体撮像素子などの光電変換素子や、非発光性の有機トランジスタが挙げられる。有機半導体材料を用いたデバイスは、無機半導体材料を用いたデバイスと比べて低温、低コストで大面積の素子を作製できる可能性がある。さらに分子構造を変化させることで容易に材料特性を変化させることが可能であるため材料のバリエーションが豊富であり、無機半導体材料ではなし得なかったような機能や素子を実現することができる。
例えば、特許文献１には、ベンゾビスベンゾチオフェン誘導体などの低分子化合物を用いた重合体を有機薄膜トランジスタに用いると十分な電化輸送性を発揮し得るとともに、溶媒に対する優れた溶解性を有することが記載されている。しかしながら、特許文献１には、ベンゾビスベンゾチオフェン誘導体などの低分子化合物についての具体的な構造は、中間体を含めて記載がなかった。
特許文献２および３には、ベンゾビスベンゾチオフェン誘導体などを有機電界発光（有機ＥＬまたは有機Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子材料として用いると、発光効率が高く、長寿命であることが記載されている。しかしながら、これらの文献には、有機薄膜トランジスタへの応用について検討されていなかった。
また、特許文献４には、ベンゾビスベンゾチオフェン誘導体などを有機ＥＬ素子や有機光電変換素子に用いると発光効率が高く、駆動電圧が低く、顕色がよいことが記載されている。しかしながら、この文献には、有機薄膜トランジスタへの応用について検討されていなかった。
非特許文献１には、ベンゾビスベンゾチオフェンのジメチル置換体が開示されているが、光反応による生成の確認のみであり、有機薄膜トランジスタ用途の記載はなかった。
非特許文献２および３には、ベンゾビスベンゾチオフェンの無置換体が開示されている。
ＥＰ２２５１３４２Ａ１号公報 ＥＰ２３０１９２６Ａ１号公報 ＥＰ２３０１９２１Ａ１号公報 ＫＲ１０−２０１２−０１２０８８６号公報
Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．， １９７３（１７），１５６１ Ｒａｏ， Ｔｉｌａｋ, Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９５８，ｖｏｌ．１７ Ｂ，ｐ．２６０−２６５ Ｋｕｄｏ， Ｈｉｒｏｔａｋａ； Ｔｅｄｊａｍｕｌｉａ， Ｍａｒｖｉｎ Ｌ．； Ｃａｓｔｌｅ， Ｒａｙｍｏｎｄ Ｎ．； Ｌｅｅ， Ｍｉｌｔｏｎ Ｌ．， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９８４，ｖｏｌ．２１，ｐ．１８５−１９２
有機ＥＬ素子材料として有用なものが、ただちに有機薄膜トランジスタ用半導体材料として有用であると言うことはできない。これは、有機ＥＬ素子と有機薄膜トランジスタでは、有機化合物に求められる特性が異なるためである。有機ＥＬ素子では通常薄膜の膜厚方向（通常数ｎｍ〜数１００ｎｍ）に電荷を輸送する必要があるのに対し、有機薄膜トランジスタでは薄膜面方向の電極間（通常数μｍ〜数１００μｍ）の長距離を電荷（キャリア）輸送する必要がある。このため、求められるキャリア移動度が格段に高い。そのため、有機薄膜トランジスタ用半導体材料としては、分子の配列秩序が高い、結晶性が高い有機化合物が求められている。また、高いキャリア移動度発現のため、π共役平面は基板に対して直立していることが好ましい。一方、有機ＥＬ素子では、発光効率を高めるため、発光効率が高く、面内での発光が均一な素子が求められている。通常、結晶性の高い有機化合物は、面内の電界強度不均一、発光不均一、発光クエンチ等、発光欠陥を生じさせる原因となるため、有機ＥＬ素子用材料は結晶性を低くし、アモルファス性の高い材料が望まれる。このため、有機ＥＬ素子材料を構成する有機化合物を有機半導体材料にそのまま転用しても、ただちに良好なトランジスタ特性を得ることができる訳ではない。
また、同様に有機光電変換素子として有用なものも、ただちには、求められるキャリア移動度が格段に高い有機薄膜トランジスタ用半導体材料として有用であると言うことはできない。
このような状況のもと、本発明者らがこれらの文献に記載されている化合物を有機薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることを検討したところ、ほとんどはキャリア移動度が低いか、有機溶媒に対する溶解性が低く有機薄膜トランジスタの半導体活性層を溶液製膜法によって製膜できないことがわかった。
そこで本発明者らは、このような従来技術の課題を解決するために検討を進めた。本発明が解決しようとする課題は、有機薄膜トランジスタの半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高くなり、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物を用いた有機薄膜トランジスタを提供することである。
上記の課題を解決するために鋭意検討を行った結果、縮合環骨格、すなわち母核への置換基の種類を工夫し、特に一般式（Ｗ）で表される基を少なくとも１つ置換させ、かつ分子短軸方向に置換基を有する場合（本発明の一般式（１）におけるＲ5およびＲ6）は特定の置換基に限定することで、有機薄膜トランジスタの半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高くなり、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物が得られることを見出し、本発明に至った。
上記課題を解決するための具体的な手段である本発明は、以下の構成を有する。
［１］ 下記一般式（１）で表される化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ：
一般式（１）
Figure 2015149397
 一般式（１）中、
Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
ｐおよびｑはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、
Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbのうち少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であり、ただし、Ｒ5とＲ6のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合はＲ5とＲ6が表す一般式（Ｗ）においてＬは下記一般式（Ｌ−２）または（Ｌ−３）で表される２価の連結基である；
−Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
一般式（Ｗ）中、
Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
Figure 2015149397
 一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
ＲNは水素原子または置換基を表し、
Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［２］ ［１］に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ4〜Ｒ7、Ｒ10、ＲaおよびＲbがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9のうち少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。
［３］ ［１］または［２］に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（１）中、ｐおよびｑがそれぞれ独立に０または１であることが好ましい。
［４］ ［１］〜［３］のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（１）中、ｐ＝ｑ＝０またはｐ＝ｑ＝１であることが好ましい。
［５］ ［１］〜［４］のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２−１）で表される化合物であることが好ましい：
一般式（２−１）
Figure 2015149397
 一般式（２−１）中、
Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ8およびＲ10がそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、
Ｒ2およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であり、ただし、一般式（Ｗ）で表される置換基がアルキル基である場合は一般式（Ｗ）で表される置換基は炭素数４以上１８以下の直鎖アルキル基または炭素数４以上の分岐のアルキル基に限る。
−Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
一般式（Ｗ）中、
Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
Figure 2015149397
 一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
ＲNは水素原子または置換基を表し、
Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［６］ ［１］〜［４］のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２−２）で表される化合物であることが好ましい：
一般式（２−２）
Figure 2015149397
 一般式（２−２）中、
Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
Ｒ1、Ｒ4〜Ｒ7、Ｒ10、ＲaおよびＲbがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表す。
−Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
一般式（Ｗ）中、
Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
Figure 2015149397
 一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
ＲNは水素原子または置換基を表し、
Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［７］ ［１］〜［６］のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（１）、（２−１）および（２−２）中、ＸがＳ原子であることが好ましい。
［８］ ［１］〜［７］のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（１）、（２−１）および（２−２）中、Ｒ2とＲ9がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ3とＲ8がともに水素原子またはハロゲン原子であるか、
Ｒ3とＲ8がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ2とＲ9がともに水素原子またはハロゲン原子であることが好ましい。
［９］ ［１］〜［８］のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタは、Ｒ2とＲ9がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ3とＲ8がともに水素原子であることが好ましい。
［１０］ ［１］〜［９］のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（Ｗ）で表される基に含まれる炭素数の合計が４〜１８であることが好ましい。
［１１］ ［１］〜［１０］のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（Ｗ）中、Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基、あるいは一般式（Ｌ−２）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基と一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基であることが好ましい。
［１２］ ［１］〜［１１］のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（Ｗ）中、Ｌが一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基であり、Ｒが置換または無置換のアルキル基であることが好ましい。
［１３］ 下記一般式（２−１）で表される化合物：
一般式（２−１）
Figure 2015149397
 一般式（２−１）中、
Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ8およびＲ10がそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、
Ｒ2およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であり、ただし、一般式（Ｗ）で表される置換基がアルキル基である場合は一般式（Ｗ）で表される置換基は炭素数４以上１８以下の直鎖アルキル基または炭素数４以上の分岐のアルキル基に限る；
−Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
一般式（Ｗ）中、
Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
Ｒ’は置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
Figure 2015149397
 一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
ＲNは水素原子または置換基を表し、
Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［１４］ 下記一般式（２−２）で表される化合物：
一般式（２−２）
Figure 2015149397
 一般式（２−２）中、
Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
Ｒ1、Ｒ4〜Ｒ7、Ｒ10、ＲaおよびＲbがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表す；
−Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
一般式（Ｗ）中、
Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
Figure 2015149397
 一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
ＲNは水素原子または置換基を表し、
Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［１５］ ［１３］または［１４］に記載の化合物は、一般式（２−１）および（２−２）中、ＸがＳ原子であることが好ましい。
［１６］ ［１３］〜［１５］のいずれか一項に記載の化合物は、一般式（２−１）および（２−２）中、Ｒ2とＲ9がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ3とＲ8がともに水素原子またはハロゲン原子であるか、
Ｒ3とＲ8がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ2とＲ9がともに水素原子またはハロゲン原子であることが好ましい。
［１７］ ［１３］〜［１６］のいずれか一項に記載の化合物は、Ｒ2とＲ9がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ3とＲ8がともに水素原子であることが好ましい。
［１８］ ［１３］〜［１７］のいずれか一項に記載の化合物は、一般式（Ｗ）で表される基に含まれる炭素数の合計が４〜１８であることが好ましい。
［１９］ ［１３］〜［１８］のいずれか一項に記載の化合物は、一般式（Ｗ）中、Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基、あるいは一般式（Ｌ−２）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基と一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基であることが好ましい。
［２０］ ［１３］〜［１９］のいずれか一項に記載の化合物は、一般式（Ｗ）中、Ｌが一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基であり、Ｒが置換または無置換のアルキル基であることが好ましい。
［２１］ ［１］〜［１２］のいずれか一項に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料。
［２２］ ［１］〜［１２］のいずれか一項に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する有機薄膜トランジスタ用材料。
［２３］ ［１］〜［１２］のいずれか一項に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液。
［２４］ ［１］〜［１２］のいずれか一項に記載の一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有する非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液。
［２５］ ［１］〜［１２］のいずれか一項に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜。
［２６］ ［１］〜［１２］のいずれか一項に記載の一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜。
［２７］ ［２５］または［２６］に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜は、溶液塗布法により作製されたことが好ましい。
［２８］ 下記一般式（Ｍ１）で表される化合物：
一般式（Ｍ１）
Figure 2015149397
 一般式（Ｍ１）中、
Ｙ1〜Ｙ4はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基またはスルホニル基を表し、
＊および＊２はそれぞれＹ3およびＹ4の置換可能な位置を表し、
ｐおよびｑはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、
ｒ１およびｒ２はそれぞれ独立に０〜２の整数を表す。
［２８−１］ ［２８］に記載の化合物は、上記一般式（Ｍ１）中、Ｙ1およびＹ2がそれぞれ独立に臭素原子またはヨウ素原子であり、かつＹ3およびＹ4がそれぞれ独立に塩素原子またはアルコキシ基であることが好ましい。
［２９］ 下記一般式（Ｍ２）で表される化合物：
一般式（Ｍ２）
Figure 2015149397
 一般式（Ｍ２）中、
Ｙ3およびＹ4はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基またはスルホニル基を表し、
＊および＊２はそれぞれＹ3およびＹ4の置換可能な位置を表し、
ｐおよびｑはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、
ｒ１およびｒ２はそれぞれ独立に０〜２の整数を表す。
［２９−１］ ［２９］に記載の化合物は、上記一般式（Ｍ２）中、Ｙ3およびＹ4がそれぞれ独立に塩素原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基またはスルホニル基であることが好ましい。
［３０］ ［２８］、［２８−１］、［２９］および［２９−１］のいずれかに記載の化合物は、［１］〜［１２］のいずれか一項に記載の一般式（１）で表される化合物の中間体化合物であることが好ましい。
本発明によれば、有機薄膜トランジスタの半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高くなり、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物を用いた有機薄膜トランジスタを提供することができる。
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの一例の構造の断面を示す概略図である。 図２は、本発明の実施例でＦＥＴ特性測定用基板として製造した有機薄膜トランジスタの構造の断面を示す概略図である。
以下において、本発明について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、代表的な実施形態や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は「〜」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本発明において、各一般式の説明において特に区別されずに用いられている場合における水素原子は同位体（重水素原子等）も含んでいることを表す。さらに、置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
［有機薄膜トランジスタ］
本発明の有機薄膜トランジスタは、下記一般式（１）で表される化合物を半導体活性層に含む。
一般式（１）
Figure 2015149397
 一般式（１）中、
Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
ｐおよびｑはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、
Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbのうち少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であり、ただし、Ｒ5とＲ6のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合はＲ5とＲ6が表す一般式（Ｗ）においてＬは下記一般式（Ｌ−２）または（Ｌ−３）で表される２価の連結基である；
−Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
一般式（Ｗ）中、
Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
Figure 2015149397
 一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
ＲNは水素原子または置換基を表し、
Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
このような構造の一般式（１）で表される化合物は有機溶媒への高い溶解性を有し、一般式（１）で表される化合物を半導体活性層に含むことにより、本発明の有機薄膜トランジスタは、キャリア移動度が高い。
ここで、ＥＰ２２５１３４２Ａ１（または特開２００９−１９０９９９号公報）では、ベンゾビスベンゾチオフェン誘導体などの骨格を構成単位として有するポリマーに主眼を置いており、低分子化合物については具体的な構造の記載がなく、実施例もない。また、ＥＰ２２５１３４２Ａ１の請求項１では、分子短軸方向（ＥＰ２２５１３４２Ａ１の一般式（１）におけるＲ11およびＲ12）に少なくとも１つの特定構造（アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アルキル部分の炭素数が３以上であるアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい１価の複素環基またはシアノ基）の置換基を有することを必須要件としているが、このような化合物は化合物が結晶化した際、分子間距離が広がり、分子間で十分なＨＯＭＯ軌道の重なりが得られない。また、ＥＰ２２５１３４２Ａ１の実施例４には、有機トランジスタに使用することが記載されているものの、実際にキャリア移動度を測定した結果は開示されておらず、本発明者らの検討によれば特許文献１に記載の低分子化合物で十分なトランジスタ特性、すなわち高いキャリア移動度を得ることは実現困難である。
ＥＰ２３０１９２６Ａ１は有機ＥＬ素子用の多重縮環化合物に主眼を置いている。ＥＰ２３０１９２６Ａ１の実施例に記載の化合物は、有機薄膜トランジスタに使用された例はなく、もし使用したとしても、蒸着プロセス前提のＯＬＥＤ材料であるため汎用の有機溶剤に対する溶解性が低く、本発明者らの検討によればキャリア移動度も低い。
これに対し、前記一般式（１）で表される化合物は、結晶化したときに分子間に十分なＨＯＭＯ軌道の重なりが得られるように縮合環骨格、すなわち母核への置換基の種類を工夫し、特に一般式（Ｗ）で表される基を少なくとも１つ置換させ、かつ分子短軸方向に置換基を有する場合（本発明の一般式（１）におけるＲ5およびＲ6）は特定の置換基に限定することで、有機薄膜トランジスタの半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高くなり、有機溶媒への高い溶解性を有する。一般式（Ｗ）で表される基の導入が一般的な有機溶剤に対する溶解性向上に効果的であり、これまで困難であった高移動度と溶解性の両立が可能となる。
さらに、一般式（１）で表される化合物を用いた本発明の有機薄膜トランジスタは、繰り返し駆動後の閾値電圧変化も小さいことが好ましい。繰り返し駆動後の閾値電圧変化を小さくするためには、有機半導体材料のＨＯＭＯが浅すぎずかつ深すぎないこと、有機半導体材料の化学的安定性（特に耐空気酸化性、酸化還元安定性）、薄膜状態の熱安定性、空気や水分が入りこみにくい高い膜密度、電荷がたまりにくい欠陥の少ない膜質、等が必要である。一般式（１）で表される化合物はこれらを満足するため、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さいと考えられる。すなわち、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さい有機薄膜トランジスタは、半導体活性層が高い化学的安定性や膜密度等を有し、長期間に渡ってトランジスタとして有効に機能し得る。
以下、本発明の化合物や本発明の有機薄膜トランジスタなどの好ましい態様を説明する。
＜一般式（１）で表される化合物＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、後述の半導体活性層に一般式（１）で表される化合物を含む。一般式（１）で表される化合物の中でも、後述の一般式（２−１）で表される化合物または後述の一般式（２−２）で表される化合物は、新規化合物であり、一般式（２−１）で表される化合物または一般式（２−２）で表される化合物をまとめて本発明の化合物という。一般式（１）で表される化合物、その中でも特に本発明の化合物は、本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、後述の半導体活性層に含まれる。すなわち、一般式（１）で表される化合物、その中でも特に本発明の化合物は、有機薄膜トランジスタ用材料として用いることができる。
一般式（１）
Figure 2015149397
一般式（１）中、Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表す。Ｘはそれぞれ独立にＯ原子またはＳ原子であることが好ましく、Ｘのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点からより好ましい。Ｘは、同じ連結基であることが好ましい。ＸはいずれもＳ原子であることが特に好ましい。
一般式（１）中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に０〜２の整数を表す。ｐおよびｑがそれぞれ独立に０または１であることが移動度と溶解性を両立する観点から好ましく、ｐ＝ｑ＝０またはｐ＝ｑ＝１であることがより好ましい。
一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbのうち少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であり、ただし、Ｒ5とＲ6のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合はＲ5とＲ6が表す一般式（Ｗ）においてＬは下記一般式（Ｌ−２）または（Ｌ−３）で表される２価の連結基である；
−Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
一般式（Ｗ）中、
Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
Figure 2015149397
 一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
ＲNは水素原子または置換基を表し、
Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbのうち少なくとも１つは前記一般式（Ｗ）で表される基を表し、ただし、Ｒ5とＲ6のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合はＲ5とＲ6が表す一般式（Ｗ）においてＬは下記一般式（Ｌ−２）または（Ｌ−３）で表される２価の連結基である。
Ｒ5とＲ6のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合は、すなわちＲ5とＲ6のうちいずれか一方でも水素原子でもなくハロゲン原子でもない場合に相当する。
Ｒ5とＲ6のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合、Ｒ5とＲ6が表す一般式（Ｗ）においてＬは下記一般式（Ｌ−３）で表される２価の連結基であることが好ましい。
Ｒ5とＲ6のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合、Ｒ5とＲ6はいずれも一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。
なお、Ｒ5とＲ6がともに水素原子またはハロゲン原子の場合、Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ7〜Ｒ10、ＲaおよびＲbはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ7〜Ｒ10、ＲaおよびＲbのうち少なくとも一つ以上は一般式（Ｗ）で表される置換基となる。
一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbが表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子を挙げることができ、フッ素原子、塩素原子または臭素原子であることが好ましく、フッ素原子または塩素原子であることがより好ましく、フッ素原子であることが特に好ましい。
前記一般式（１）で表される化合物中、Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbのうち、ハロゲン原子は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０または１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。
一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbが表す一般式（Ｗ）で表される基について説明する。
−Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
一般式（Ｗ）中、Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、
Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す：
Figure 2015149397
 一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
ＲNは水素原子または置換基を表し、
Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
一般式（Ｗ）において、Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上が結合した２価の連結基を表す。
Figure 2015149397
一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、波線部分は縮合環骨格との結合位置を表す。但し、Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表す場合は、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）で表される２価の連結基の＊との結合位置を表す。
一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、＊は一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）で表される２価の連結基の波線部分およびＲのいずれかとの結合位置を示す。
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表す。
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、ＲNは水素原子または置換基を表す。
一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
一般式（Ｌ−１）および（Ｌ−２）中のＲ’はそれぞれＬに隣接するＲと結合して縮合環を形成してもよい。
一般式（Ｌ−１７）〜（Ｌ−２１）、（Ｌ−２３）および（Ｌ−２４）で表される２価の連結基は、下記一般式（Ｌ−１７Ａ）〜（Ｌ−２１Ａ）、（Ｌ−２３Ａ）および（Ｌ−２４Ａ）で表される２価の連結基であることがより好ましい。
Figure 2015149397
ここで、置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基が一般式（Ｗ）で表される置換基の末端に存在する場合は、一般式（Ｗ）における−Ｒ単独と解釈することもでき、一般式（Ｗ）における−Ｌ−Ｒと解釈することもできる。
本発明では、主鎖が炭素数Ｎ個の置換または無置換のアルキル基が一般式（Ｗ）で表される置換基の末端に存在する場合は、一般式（Ｗ）で表される置換基の末端から可能な限りの−ＣＲR 2−で表される連結基をＲに含めた上で一般式（Ｗ）における−Ｌ−Ｒと解釈することとし、−Ｒ単独とは解釈しない。なお、ＲRは水素原子または置換基を表す。具体的には「一般式（Ｗ）におけるＬに相当する（Ｌ−１）１個」と「一般式（Ｗ）におけるＲに相当する主鎖が炭素数Ｎ−１個の置換または無置換のアルキル基」とが結合した置換基として解釈する。例えば、炭素数８のアルキル基であるｎ−オクチル基が置換基の末端に存在する場合、２個のＲ’が水素原子である（Ｌ−１）１個と、炭素数７のｎ−ヘプチル基とが結合した置換基として解釈する。一般式（Ｗ）で表される置換基がアルキル基の場合におけるＬとＲの分け方は以下の例のとおりであり、Ｌは一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基を表す。
Figure 2015149397
 また、一般式（Ｗ）で表される置換基が炭素数８のアルコキシ基である場合、−Ｏ−である一般式（Ｌ−４）で表される連結基１個と、２個のＲ’が水素原子である一般式（Ｌ−１）で表される連結基１個と、炭素数７のｎ−ヘプチル基とが結合した置換基として解釈する。一般式（Ｗ）で表される置換基がアルキル基以外の場合におけるＬとＲの分け方は次のとおりであり、Ｌは「一般式（Ｌ−１）で表される連結基以外の２価の連結基」と「一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基」が結合した２価の連結基を表す。
Figure 2015149397
一方、本発明では、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基が一般式（Ｗ）で表される置換基の末端に存在する場合は、一般式（Ｗ）で表される置換基の末端から可能な限りの連結基をＲに含めた上で、一般式（Ｗ）における−Ｒ単独と解釈することとし、−Ｌ−Ｒとは解釈しない。例えば、−（ＯＣＨ2ＣＨ2）−（ＯＣＨ2ＣＨ2）−ＯＣＨ3基が置換基の末端に存在する場合、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２のオリゴオキシエチレン基単独の置換基として解釈する。オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基が一般式（Ｗ）で表される置換基の末端に存在する場合におけるＬとＲの分け方は以下の例のとおりである。
Figure 2015149397
Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した連結基を形成する場合、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基の結合数は２〜４であることが好ましく、２または３であることがより好ましい。
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）中の置換基Ｒ’としては、ハロゲン原子、アルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等の炭素数１〜４０のアルキル基、ただし、２，６−ジメチルオクチル基、２−デシルテトラデシル基、２−ヘキシルドデシル基、２−エチルオクチル基、２−デシルテトラデシル基、２−ブチルデシル基、１−オクチルノニル基、２−エチルオクチル基、２−オクチルテトラデシル基、２−エチルヘキシル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基等を含む）、アルケニル基（１−ペンテニル基、シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基等を含む）、アルキニル基（１−ペンチニル基、トリメチルシリルエチニル基、トリエチルシリルエチニル基、トリ−ｉ−プロピルシリルエチニル基、２−ｐ−プロピルフェニルエチニル基等を含む）、アリール基（フェニル基、ナフチル基、ｐ−ペンチルフェニル基、３，４−ジペンチルフェニル基、ｐ−ヘプトキシフェニル基、３，４−ジヘプトキシフェニル基の炭素数６〜２０のアリール基等を含む）、複素環基（ヘテロ環基といってもよい。２−ヘキシルフラニル基等を含む）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アシル基（ヘキサノイル基、ベンゾイル基等を含む）、アルコキシ基（ブトキシ基等を含む）、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基（ウレイド基含む）、アルコキシおよびアリールオキシカルボニルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルおよびアリールチオ基（メチルチオ基、オクチルチオ基等を含む）、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アルキルおよびアリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよびヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基（ジトリメチルシロキシメチルブトキシ基等）、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）2）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）2）、スルファト基(−ＯＳＯ3Ｈ)、その他の公知の置換基が挙げられる。
また、これら置換基は、さらに上記置換基を有していてもよい。また、一般式（１）で表される化合物が繰り返し構造を有する高分子化合物である場合は、Ｒ1〜Ｒ8が重合性基由来の基を有していてもよい。
その中でも一般式（Ｌ−６）中の置換基Ｒ’はアルキル基であることが好ましく、（Ｌ−６）中のＲ’がアルキル基である場合は、該アルキル基の炭素数は１〜９であることが好ましく、４〜９であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、５〜９であることがさらに好ましい。（Ｌ−６）中のＲ’がアルキル基である場合は、該アルキル基は直鎖アルキル基であることが、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
ＲNは水素原子または置換基を表し、ＲNとしては、上記のＲ’が採りうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でもＲNとしては水素原子またはメチル基が好ましい。
Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基アルキニル基を表し、アルキル基であることが好ましい。Ｒsiがとり得るアルキル基としては特に制限はないが、Ｒsiがとり得るアルキル基の好ましい範囲はＲがシリル基である場合に該シリル基がとり得るアルキル基の好ましい範囲と同様である。Ｒsiがとり得るアルケニル基としては特に制限はないが、置換または無置換のアルケニル基が好ましく、分枝アルケニル基であることがより好ましく、該アルケニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。Ｒsiがとり得るアルキニル基としては特に制限はないが、置換または無置換のアルキニル基が好ましく、分枝アルキニル基であることがより好ましく、該アルキニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。
Ｌが一般式（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２５）で表される２価の連結基を含む場合は、一般式（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２５）で表される２価の連結基のいずれか１つが、一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基を介して、Ｒと連結していることが好ましい。
Ｌは前記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−５）、（Ｌ−１３）、（Ｌ−１７）もしくは（Ｌ−１８）のいずれかで表される２価の連結基、または前記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−５）、（Ｌ−１３）、（Ｌ−１７）もしくは（Ｌ−１８）のいずれかで表される２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが好ましく、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基、あるいは一般式（Ｌ−２）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基と一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基であることがより好ましく、一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基であることが特に好ましい。一般式（Ｌ−２）〜（Ｌ−４）のいずれか１つで表される２価の連結基と一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基は、前記一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基がＲ側に結合することが好ましい。
化学的安定性、キャリア輸送性の観点から一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基を含む２価の連結基であることが特に好ましく、一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基であることがより特に好ましい。
前記一般式（Ｗ）において、Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のシリル基を表す。
前記一般式（Ｗ）において、Ｒに隣接するＬが前記一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基である場合は、Ｒは置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基であることが好ましく、置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
前記一般式（Ｗ）において、Ｒに隣接するＬが前記一般式（Ｌ−２）および（Ｌ−４）〜（Ｌ−２５）で表される２価の連結基である場合は、Ｒは置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
前記一般式（Ｗ）において、Ｒに隣接するＬが前記一般式（Ｌ−３）で表される２価の連結基である場合は、Ｒは置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のシリル基であることが好ましい。
Ｒが置換または無置換のアルキル基の場合、炭素数は４〜１８であることが好ましく、６〜１５であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。Ｒが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
Ｒがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
一方、有機溶媒への溶解度を高める観点からは、Ｒが分枝アルキル基であることが好ましい。
Ｒが置換基を有するアルキル基である場合の該置換基としては、ハロゲン原子などを挙げることができ（このとき、Ｒはハロアルキル基となる）、フッ素原子が好ましい。なお、Ｒがフッ素原子を有するアルキル基である場合は該アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されてパーフルオロアルキル基を形成してもよい。ただし、Ｒは無置換のアルキル基であることが好ましい。
前記Ｒがエチレンオキシ基、または、オキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴエチレンオキシ基の場合、Ｒが表す「オリゴオキシエチレン基」とは本明細書中、−（ＯＣＨ2ＣＨ2）vＯＹで表される基のことを言う（オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは２以上の整数を表し、末端のＹは水素原子または置換基を表す）。なお、オリゴオキシエチレン基の末端のＹが水素原子である場合はヒドロキシ基となる。オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは２〜４であることが好ましく、２〜３であることがさらに好ましい。オリゴオキシエチレン基の末端のヒドロキシ基は封止されていること、すなわちＹが置換基を表すことが好ましい。この場合、ヒドロキシ基は、炭素数が１〜３のアルキル基で封止されること、すなわちＹが炭素数１〜３のアルキル基であることが好ましく、Ｙがメチル基やエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。
前記Ｒが、シロキサン基、または、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基の場合、シロキサン単位の繰り返し数は２〜４であることが好ましく、２〜３であることがさらに好ましい。また、Ｓｉ原子には、水素原子やアルキル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子にアルキル基が結合する場合、アルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基または水素原子が結合してもよい。また、オリゴシロキサン基を構成するシロキサン単位はすべて同一であっても異なっていてもよいが、すべて同一であることが好ましい。
Ｒに隣接するＬが前記一般式（Ｌ−３）で表される２価の連結基である場合、Ｒが置換または無置換のシリル基であることも好ましい。Ｒが置換または無置換のシリル基である場合はその中でも、Ｒが置換シリル基であることが好ましい。シリル基の置換基としては特に制限はないが、置換または無置換のアルキル基が好ましく、分枝アルキル基であることがより好ましい。Ｒがトリアルキルシリル基の場合、Ｓｉ原子に結合するアルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基やイソプロピル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基が結合してもよい。Ｒがアルキル基上にさらに置換基を有するトリアルキルシリル基である場合の該置換基としては、特に制限はない。
一般式（Ｗ）で表される基に含まれる炭素数の合計、すなわちＬおよびＲに含まれる炭素数の合計は特に制限は無く、例えば２〜２０とすることができるが、４〜１８であることが好ましい。ＬおよびＲに含まれる炭素数の合計が上記範囲の下限値以上であると、キャリア移動度が高くなり、溶解度が高くなる。ＬおよびＲに含まれる炭素数の合計が上記範囲の上限値以下であると、駆動電圧が低くなる。
ＬおよびＲに含まれる炭素数の合計は４〜２４であることが好ましく、６〜２１であることがより好ましく、６〜１８であることが特に好ましい。
本発明では、一般式（１）においてｐ＝ｑ＝０である場合、一般式（Ｗ）で表される基に含まれる炭素数の合計は４〜２４であることが好ましく、６〜２１であることがより好ましく、６〜１８であることが特に好ましい。
特に一般式（１）においてｐ＝ｑ＝０である場合、一般式（Ｗ）で表される置換基がアルキル基である場合は一般式（Ｗ）で表される置換基は、炭素数４以上１８以下の直鎖アルキル基または炭素数４以上の分岐のアルキル基であることが好ましく、炭素数４〜１４の直鎖アルキル基または炭素数４〜１４の分岐のアルキル基であることがより好ましく、炭素数５〜１４の直鎖アルキル基または炭素数５〜１４の分岐のアルキル基であることが特に好ましく、炭素数５〜１０の直鎖アルキル基または炭素数６〜１２の分岐のアルキル基であることがより特に好ましく、炭素数６〜１０の直鎖アルキル基または炭素数８〜１２の分岐のアルキル基であることがさらにより特に好ましい。
本発明では、一般式（１）においてｐ＝ｑ＝１である場合、一般式（Ｗ）で表される基に含まれる炭素数の合計は４〜２４であることが好ましく、４〜２１であることがより好ましく、５〜１８であることが特に好ましく、６〜１８であることがより特に好ましく、６〜１６であることがさらにより特に好ましい。
特に一般式（１）においてｐ＝ｑ＝１である場合、一般式（Ｗ）で表される置換基がアルキル基である場合は一般式（Ｗ）で表される置換基に特に制限はないが、炭素数４以上１８以下の直鎖アルキル基または炭素数４以上１８以下の分岐のアルキル基であることが好ましく、炭素数４〜１４の直鎖アルキル基または炭素数４〜１４の分岐のアルキル基であることがより好ましく、炭素数５〜１２の直鎖アルキル基または炭素数５〜１２の分岐のアルキル基であることが特に好ましく、炭素数６〜１２の直鎖アルキル基または炭素数６〜１２の分岐のアルキル基であることがより特に好ましく、炭素数６〜１０の直鎖アルキル基または炭素数６〜１０の分岐のアルキル基であることがさらにより特に好ましい。
前記一般式（Ｗ）におけるＲとＬの組み合わせとしては、Ｌが一般式（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２５）で表される２価の連結基を含む場合、Ｒがアルキル基であり、Ｌが一般式（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２５）で表される２価の連結基のいずれか１つが一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基を介して、Ｒと連結していることが好ましい。
これらの中でも、前記一般式（Ｗ）におけるＲとＬの組み合わせとしては、Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−５）、（Ｌ−１３）、（Ｌ−１７）もしくは（Ｌ−１８）のいずれかで表される２価の連結基、または前記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−５）、（Ｌ−１３）、（Ｌ−１７）もしくは（Ｌ−１８）のいずれかで表される２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であり、かつ、Ｒが置換または無置換のアルキル基であることが好ましく；
Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基、あるいは一般式（Ｌ−２）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基と一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基であり、かつ、Ｒが置換または無置換のアルキル基であることがより好ましく；
Ｌが一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基であり、Ｒが置換または無置換のアルキル基であることが特に好ましい。
前記一般式（１）で表される化合物中、Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbのうち、一般式（Ｗ）で表される基は１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１または２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbのうち、一般式（Ｗ）で表される基の位置に特に制限はない。その中でも、本発明では、一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ4〜Ｒ7、Ｒ10、ＲaおよびＲbがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9のうち少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
本発明では、Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ8およびＲ10がそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｒ2およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であることがより好ましい。
本発明では、Ｒ2とＲ9がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ3とＲ8がともに水素原子またはハロゲン原子であるか、Ｒ3とＲ8がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ2とＲ9がともに水素原子またはハロゲン原子であることが特に好ましい。
本発明では、Ｒ2とＲ9がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ3とＲ8がともに水素原子またはハロゲン原子であるか、Ｒ3とＲ8がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ2とＲ9がともに水素原子またはハロゲン原子であることがより特に好ましい。
一般式（１）において、２以上のＲ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（２−１）または（２−２）で表される化合物であることが好ましく、高キャリア移動度と高溶解性を両立する観点からは前記一般式（２−１）で表される化合物であることが特に好ましい。
前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２−１）で表される化合物である場合について、まず説明する。
Figure 2015149397
 一般式（２−１）中、
Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ8およびＲ10がそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、
Ｒ2およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であり、ただし、一般式（Ｗ）で表される置換基がアルキル基である場合は一般式（Ｗ）で表される置換基は炭素数４以上１８以下の直鎖アルキル基または炭素数４以上の分岐のアルキル基に限る。
−Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
一般式（Ｗ）中、
Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
Figure 2015149397
 一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
ＲNは水素原子または置換基を表し、
Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
一般式（２−１）中、Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表す。一般式（２−１）におけるＸの好ましい範囲は一般式（１）におけるＸの好ましい範囲と同様である。
一般式（２−１）中、Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ8およびＲ10がそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表す。一般式（２−１）におけるＲ1、Ｒ3〜Ｒ8およびＲ10の好ましい範囲は一般式（１）におけるＲ1、Ｒ3〜Ｒ8およびＲ10の好ましい範囲と同様である。
一般式（２−１）中、Ｒ2およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であり、ただし、一般式（Ｗ）で表される置換基がアルキル基である場合は一般式（Ｗ）で表される置換基は炭素数４以上１８以下の直鎖アルキル基または炭素数４以上の分岐のアルキル基に限る。一般式（２−１）におけるＲ2およびＲ9の好ましい範囲は一般式（１）におけるｐ＝ｑ＝０の場合のＲ2およびＲ9の好ましい範囲と同様である。
次に、前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２−２）で表される化合物である場合について説明する。
一般式（２−２）
Figure 2015149397
 一般式（２−２）中、
Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
Ｒ1、Ｒ4〜Ｒ7、Ｒ10、ＲaおよびＲbがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表す。
−Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
一般式（Ｗ）中、
Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
Figure 2015149397
 一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
ＲNは水素原子または置換基を表し、
Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
一般式（２−２）中、Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表す。一般式（２−２）におけるＸの好ましい範囲は一般式（１）におけるＸの好ましい範囲と同様である。
一般式（２−２）中、Ｒ1、Ｒ4〜Ｒ7、Ｒ10、ＲaおよびＲbがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子である。一般式（２−２）中のＲ1、Ｒ4〜Ｒ7、Ｒ10、ＲaおよびＲbの好ましい範囲は、一般式（１）中のＲ1、Ｒ4〜Ｒ7、Ｒ10、ＲaおよびＲbの好ましい範囲と同様である。
一般式（２−２）中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表す。一般式（２−２）中のＲ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9の好ましい範囲は、一般式（１）におけるｐ＝ｑ＝１の場合のＲ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9の好ましい範囲と同様である。
以下に上記一般式（１）で表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明で用いることができる一般式（１）で表される化合物は、これらの具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
一般式（１’）
Figure 2015149397
一般式（１’）中、ＲaおよびＲbはそれぞれ独立に水素原子を表し、Ｘ、ｐ、ｑ、Ｒ1〜Ｒ10はそれぞれ以下の基を表す。なお、下記表中、Ｐｈはフェニル基またはフェニレン基を表す。
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
Figure 2015149397
上記一般式（１）で表される化合物は、繰り返し構造をとってもよく、低分子でも高分子でもよい。一般式（１）で表される化合物が低分子化合物の場合は、分子量が３０００以下であることが好ましく、２０００以下であることがより好ましく、１０００以下であることがさらに好ましく、８５０以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができるため好ましい。
一方で、薄膜の膜質安定性の観点からは、分子量は４００以上であることが好ましく、４５０以上であることがより好ましく、５００以上であることがさらに好ましい。
また、一般式（１）で表される化合物が繰り返し構造を有する高分子化合物の場合は、重量平均分子量が３万以上であることが好ましく、５万以上であることがより好ましく、１０万以上であることがさらに好ましい。一般式（１）で表される化合物が繰り返し構造を有する高分子化合物である場合に、重量平均分子量を上記下限値以上とすることにより、分子間相互作用を高めることができ、高い移動度が得られるため好ましい。
繰り返し構造を有する高分子化合物としては、一般式（１）で表される化合物が少なくとも１つ以上のアリーレン基、ヘテロアリーレン基（チオフェン、ビチオフェン）を表して繰り返し構造を示すπ共役ポリマーや、一般式（１）で表される化合物が高分子主鎖に側鎖を介して結合したペンダント型ポリマーがあげられ、高分子主鎖としては、ポリアクリレート、ポリビニル、ポリシロキサンなどが好ましく、側鎖としては、アルキレン基、ポリエチレンオキシド基などが好ましい。
一般式（１）で表される化合物は、ＥＰ２２５１３４２Ａ１号公報、ＥＰ２３０１９２６Ａ１号公報、ＥＰ２３０１９２１Ａ１号公報、ＫＲ１０−２０１２−０１２０８８６号公報および後述のＳｃｈｅｍｅ １に従って合成することができる。
本発明の化合物の合成において、いかなる反応条件を用いてもよい。反応溶媒としては、いかなる溶媒を用いてもよい。また、環形成反応促進のために、酸または塩基を用いることが好ましく、特に塩基を用いることが好ましい。最適な反応条件は、目的とする化合物の構造により異なる。
＜中間体化合物＞
各種置換基を有する合成中間体は公知の反応を組み合わせて合成することができる。また、各置換基はいずれの中間体の段階で導入してもよい。中間体の合成後は、カラムクロマトグラフィー、再結晶等による精製を行った後、昇華精製により精製する事が好ましい。昇華精製により、有機不純物を分離できるだけでなく、無機塩や残留溶媒等を効果的に取り除くことができる。
本発明は、下記一般式（Ｍ１）で表される化合物および下記一般式（Ｍ２）で表される化合物にも関する。
一般式（Ｍ１）
Figure 2015149397
 一般式（Ｍ１）中、
Ｙ1〜Ｙ4はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基またはスルホニル基を表し、
＊および＊２はそれぞれＹ3およびＹ4の置換可能な位置を表し、
ｐおよびｑはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、
ｒ１およびｒ２はそれぞれ独立に０〜２の整数を表す。
一般式（Ｍ２）
Figure 2015149397
 一般式（Ｍ２）中、
Ｙ3およびＹ4はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基またはスルホニル基を表し、
＊および＊２はそれぞれＹ3およびＹ4の置換可能な位置を表し、
ｐおよびｑはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、
ｒ１およびｒ２はそれぞれ独立に０〜２の整数を表す。
上述の一般式（Ｍ１）で表される化合物および上述の一般式（Ｍ２）で表される化合物は、上述の一般式（１）で表される化合物の中間体化合物であることが好ましい。上述の一般式（１）で表される化合物は、上述の一般式（Ｍ１）で表される化合物および上述の一般式（Ｍ２）で表される化合物を合成中間体化合物として経て、後述のＳｃｈｅｍｅ １にしたがって、合成することができる。
一般式（Ｍ１）中、Ｙ1〜Ｙ4は、それぞれ独立にハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基またはスルホニル基である。
一般式（Ｍ１）におけるＹ1およびＹ2が表すハロゲン原子としては塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が好ましく、臭素原子またはヨウ素原子がより好ましく、臭素原子が特に好ましい。
Ｙ3およびＹ4が表すハロゲン原子としては塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が好ましく、塩素原子または臭素原子がより好ましく、塩素原子が特に好ましい。
一般式（Ｍ１）におけるＹ1〜Ｙ4が表すアルコキシ基は、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜３のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
一般式（Ｍ１）におけるＹ1〜Ｙ4が表すアシルオキシ基は、炭素数１〜５のアシルオキシ基が好ましく、炭素数１〜３のアシルオキシ基がより好ましく、アセチルオキシ基が特に好ましい。
スルホニル基とは、−ＳＯ2ＲTfで表される基を意味し、ＲTfは置換基を表す。一般式（Ｍ１）におけるスルホニル基が有するＲTfとしては、ｐ−トリル基、置換または無置換のアルキル基であることが好ましく、ハロアルキル基であることがより好ましく、トリフルオロメチル基であることが特に好ましい。一般式（Ｍ１）におけるＹ1〜Ｙ4が表すスルホニル基は、トリフルオロメタンスルホニル基であることが特に好ましい。
一般式（Ｍ１）で表される化合物は、上記一般式（Ｍ１）中、Ｙ1およびＹ2がそれぞれ独立に臭素原子またはヨウ素原子であり、かつＹ3およびＹ4がそれぞれ独立に塩素原子またはアルコキシ基であることが好ましい。
一般式（Ｍ２）中、Ｙ3およびＹ4はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基またはスルホニル基を表す。
一般式（Ｍ２）におけるＹ3およびＹ4が表すハロゲン原子としては臭素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
一般式（Ｍ２）におけるＹ3およびＹ4が表すアルコキシ基は、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜３のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
一般式（Ｍ２）におけるＹ3およびＹ4が表すアシルオキシ基は、炭素数１〜５のアシルオキシ基が好ましく、炭素数１〜３のアシルオキシ基がより好ましく、
アセチルオキシ基が特に好ましい。
一般式（Ｍ２）におけるスルホニル基が有するＲTfとしては、ｐ−トリル基、置換または無置換のアルキル基であることが好ましく、ハロアルキル基であることがより好ましく、トリフルオロメチル基であることが特に好ましい。一般式（Ｍ２）におけるＹ3およびＹ4が表すスルホニル基は、トリフルオロメタンスルホニル基であることが特に好ましい。
一般式（Ｍ２）で表される化合物は、上記一般式（Ｍ２）中、Ｙ3およびＹ4がそれぞれ独立に塩素原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基またはスルホニル基であることが好ましい。
一般式（Ｍ１）および（Ｍ２）中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、一般式（Ｍ１）および（Ｍ２）中のｐおよびｑの好ましい範囲は、一般式（１）中のｐおよびｑの好ましい範囲と同様である。
一般式（Ｍ１）および（Ｍ２）中、ｒ１およびｒ２はそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、それぞれ独立に０または１であることが好ましく、ともに０であるかともに１であることがより好ましい。
＜有機薄膜トランジスタの構造＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、一般式（１）で表される化合物を含む半導体活性層を有する。
本発明の有機薄膜トランジスタは、さらに半導体活性層以外にその他の層を含んでいてもよい。
本発明の有機薄膜トランジスタは、有機電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＦＥＴ）として用いられることが好ましく、ゲート−チャンネル間が絶縁されている絶縁ゲート型ＦＥＴとして用いられることがより好ましい。
以下、本発明の有機薄膜トランジスタの好ましい構造の態様について、図面を用いて詳しく説明するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。
（積層構造）
有機電界効果トランジスタの積層構造としては特に制限はなく、公知の様々な構造のものとすることができる。
本発明の有機薄膜トランジスタの構造の一例としては、最下層の基板の上面に、電極、絶縁体層、半導体活性層（有機半導体層）、２つの電極を順に配置した構造（ボトムゲート・トップコンタクト型）を挙げることができる。この構造では、最下層の基板の上面の電極は基板の一部に設けられ、絶縁体層は、電極以外の部分で基板と接するように配置される。また、半導体活性層の上面に設けられる２つの電極は、互いに隔離して配置される。
ボトムゲート・トップコンタクト型素子の構成を図１に示す。図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの一例の構造の断面を示す概略図である。図１の有機薄膜トランジスタは、最下層に基板１１を配置し、その上面の一部に電極１２を設け、さらに該電極１２を覆い、かつ電極１２以外の部分で基板１１と接するように絶縁体層１３を設けている。さらに絶縁体層１３の上面に半導体活性層１４を設け、その上面の一部に２つの電極１５ａと１５ｂとを隔離して配置している。
図１に示した有機薄膜トランジスタは、電極１２がゲートであり、電極１５ａと電極１５ｂはそれぞれドレインまたはソースである。また、図１に示した有機薄膜トランジスタは、ドレイン−ソース間の電流通路であるチャンネルと、ゲートとの間が絶縁されている絶縁ゲート型ＦＥＴである。
本発明の有機薄膜トランジスタの構造の一例としては、ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子を挙げることができる。
ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子の構成を図２に示す。図２は本発明の実施例でＦＥＴ特性測定用基板として製造した有機薄膜トランジスタの構造の断面を示す概略図である。図２の有機薄膜トランジスタは、最下層に基板３１を配置し、その上面の一部に電極３２を設け、さらに該電極３２を覆い、かつ電極３２以外の部分で基板３１と接するように絶縁体層３３を設けている。さらに絶縁体層３３の上面に半導体活性層３５を設け、電極３４ａと３４ｂが半導体活性層３５の下部にある。
図２に示した有機薄膜トランジスタは、電極３２がゲートであり、電極３４ａと電極３４ｂはそれぞれドレインまたはソースである。また、図２に示した有機薄膜トランジスタは、ドレイン−ソース間の電流通路であるチャンネルと、ゲートとの間が絶縁されている絶縁ゲート型ＦＥＴである。
本発明の有機薄膜トランジスタの構造としては、その他、絶縁体、ゲート電極が半導体活性層の上部にあるトップゲート・トップコンタクト型素子や、トップゲート・ボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。
（厚さ）
本発明の有機薄膜トランジスタは、より薄いトランジスタとする必要がある場合には、例えばトランジスタ全体の厚さを０．１〜０．５μｍとすることが好ましい。
（封止）
有機薄膜トランジスタ素子を大気や水分から遮断し、有機薄膜トランジスタ素子の保存性を高めるために、有機薄膜トランジスタ素子全体を金属の封止缶やガラス、窒化ケイ素などの無機材料、パリレンなどの高分子材料や、低分子材料などで封止してもよい。
以下、本発明の有機薄膜トランジスタの各層の好ましい態様について説明するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。
＜基板＞
（材料）
本発明の有機薄膜トランジスタは、基板を含むことが好ましい。
基板の材料としては特に制限はなく、公知の材料を用いることができ、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステルフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム、ポリイミドフィルム、およびこれらポリマーフィルムを極薄ガラスに貼り合わせたもの、セラミック、シリコン、石英、ガラス、などを挙げることができ、シリコンが好ましい。
＜電極＞
（材料）
本発明の有機薄膜トランジスタは、電極を含むことが好ましい。
電極の構成材料としては、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、ＮｉあるいはＮｄなどの金属材料やこれらの合金材料、あるいはカーボン材料、導電性高分子などの既知の導電性材料であれば特に制限することなく使用できる。
（厚さ）
電極の厚さは特に制限はないが、１０〜５０ｎｍとすることが好ましい。
ゲート幅（またはチャンネル幅）Ｗとゲート長（またはチャンネル長）Ｌに特に制限はないが、これらの比Ｗ／Ｌが１０以上であることが好ましく、２０以上であることがより好ましい。
＜絶縁層＞
（材料）
絶縁層を構成する材料は必要な絶縁効果が得られれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＰＴＦＥ、ＣＹＴＯＰ等のフッ素ポリマー系絶縁材料、ポリエステル絶縁材料、ポリカーボネート絶縁材料、アクリルポリマー系絶縁材料、エポキシ樹脂系絶縁材料、ポリイミド絶縁材料、ポリビニルフェノール樹脂系絶縁材料、ポリパラキシリレン樹脂系絶縁材料などが挙げられる。
絶縁層の上面は表面処理がなされていてもよく、例えば、二酸化ケイ素表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）やオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の塗布により表面処理した絶縁層を好ましく用いることができる。
（厚さ）
絶縁層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを１０〜４００ｎｍとすることが好ましく、２０〜２００ｎｍとすることがより好ましく、５０〜２００ｎｍとすることが特に好ましい。
＜半導体活性層＞
（材料）
本発明の有機薄膜トランジスタは、半導体活性層が一般式（１）で表される化合物、すなわち本発明の化合物を含むことを特徴とする。
半導体活性層は、本発明の化合物からなる層であってもよく、本発明の化合物に加えて後述のポリマーバインダーがさらに含まれた層であってもよい。また、成膜時の残留溶媒が含まれていてもよい。
半導体活性層中におけるポリマーバインダーの含有量は、特に制限はないが、好ましくは０〜９５質量％の範囲内で用いられ、より好ましくは１０〜９０質量％の範囲内で用いられ、さらに好ましくは２０〜８０質量％の範囲内で用いられ、特に好ましくは３０〜７０質量％の範囲内で用いられる。
（厚さ）
半導体活性層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを１０〜４００ｎｍとすることが好ましく、１０〜２００ｎｍとすることがより好ましく、１０〜１００ｎｍとすることが特に好ましい。
［非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料］
本発明は、一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料にも関する。
（非発光性有機半導体デバイス）
なお、本明細書において、「非発光性有機半導体デバイス」とは、発光することを目的としないデバイスを意味する。非発光性有機半導体デバイスは、薄膜の層構造を有するエレクトロニクス要素を用いた非発光性有機半導体デバイスとすることが好ましい。非発光性有機半導体デバイスには、有機薄膜トランジスタ、有機光電変換素子（光センサ用途の固体撮像素子、エネルギー変換用途の太陽電池等）、ガスセンサ、有機整流素子、有機インバータ、情報記録素子などが包含される。有機光電変換素子は光センサ用途（固体撮像素子）、エネルギー変換用途（太陽電池）のいずれにも用いることができる。好ましくは、有機光電変換素子、有機薄膜トランジスタであり、さらに好ましくは有機薄膜トランジスタである。すなわち、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料は、上述のとおり有機薄膜トランジスタ用材料であることが好ましい。
（有機半導体材料）
本明細書において、「有機半導体材料」とは、半導体の特性を示す有機材料のことである。無機材料からなる半導体と同様に、正孔をキャリアとして伝導するｐ型（ホール輸送性）有機半導体材料と、電子をキャリアとして伝導するｎ型（電子輸送性）有機半導体材料がある。
本発明の化合物はｐ型有機半導体材料、ｎ型の有機半導体材料のどちらとして用いてもよいが、ｐ型として用いることがより好ましい。有機半導体中のキャリアの流れやすさはキャリア移動度μで表される。キャリア移動度μは高い方がよく、１×１０-4ｃｍ2／Ｖｓ以上であることが好ましく、１×１０-2ｃｍ2／Ｖｓ以上であることがより好ましく、５×１０-2ｃｍ2／Ｖｓ以上であることが特に好ましく、１×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ以上であることがより特に好ましく、２×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ以上であることがよりさらに特に好ましい。キャリア移動度μは電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子を作製したときの特性や飛行時間計測（ＴＯＦ）法により求めることができる。
［非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜］
（材料）
本発明は、上記一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜にも関する。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜は、一般式（１）で表される化合物を含有し、ポリマーバインダーを含有しない態様も好ましい。
また、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜は、一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有してもよい。
ポリマーバインダーとしては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの絶縁性ポリマー、およびこれらの共重合体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどの光伝導性ポリマー、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレンなどの導電性ポリマー、半導体ポリマーを挙げることができる。
ポリマーバインダーは、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
また、有機半導体材料とポリマーバインダーとは均一に混合していてもよく、一部または全部が相分離していてもよいが、電荷移動度の観点では、膜中で膜厚方向に有機半導体とバインダーが相分離した構造が、バインダーが有機半導体の電荷移動を妨げず最も好ましい。
薄膜の機械的強度を考慮するとガラス転移温度の高いポリマーバインダーが好ましく、電荷移動度を考慮すると極性基を含まない構造のポリマーバインダーや光伝導性ポリマー、導電性ポリマーが好ましい。
ポリマーバインダーの使用量は、特に制限はないが、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜中、好ましくは０〜９５質量％の範囲内で用いられ、より好ましくは１０〜９０質量％の範囲内で用いられ、さらに好ましくは２０〜８０質量％の範囲内で用いられ、特に好ましくは３０〜７０質量％の範囲内で用いられる。
さらに、本発明では、化合物が上述した構造をとることにより、膜質の良い有機薄膜を得ることができる。具体的には、本発明で得られる化合物は、結晶性が良いため、十分な膜厚を得ることができ、得られた本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜は良質なものとなる。
（成膜方法）
本発明の化合物を基板上に成膜する方法はいかなる方法でもよい。
成膜の際、基板を加熱または冷却してもよく、基板の温度を変化させることで膜質や膜中での分子のパッキングを制御することが可能である。基板の温度としては特に制限はないが、０℃から２００℃の間であることが好ましく、１５℃〜１００℃の間であることがより好ましく、２０℃〜９５℃の間であることが特に好ましい。
本発明の化合物を基板上に成膜するとき、真空プロセスあるいは溶液プロセスにより成膜することが可能であり、いずれも好ましい。
真空プロセスによる成膜の具体的な例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、分子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）法などの物理気相成長法あるいはプラズマ重合などの化学気相蒸着（ＣＶＤ）法が挙げられ、真空蒸着法を用いることが特に好ましい。
溶液プロセスによる成膜とは、ここでは有機化合物を溶解させることができる溶媒中に溶解させ、その溶液を用いて成膜する方法をさす。具体的には、キャスト法、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法などの塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソグラフィー印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法などの各種印刷法、Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）法などの通常の方法を用いることができ、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、グラビア印刷法、フレキソグラフィー印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法を用いることが特に好ましい。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜は、溶液塗布法により作製されたことが好ましい。また、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜がポリマーバインダーを含有する場合、層を形成する材料とポリマーバインダーとを適当な溶媒に溶解させ、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により形成されることが好ましい。
以下、溶液プロセスによる成膜に用いることができる、本発明の非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液について説明する。
［非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液］
本発明は、一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液にも関する。
溶液プロセスを用いて基板上に成膜する場合、層を形成する材料を適当な有機溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、デカリン、１−メチルナフタレンなどの炭化水素系溶媒、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、例えば、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチルー２−ピロリドン、１−メチルー２−イミダゾリジノン等のアミド・イミド系溶媒、ジメチルスルフォキサイドなどのスルホキシド系溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒）および／または水に溶解、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により薄膜を形成することができる。溶媒は単独で用いてもよく、複数組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒またはエーテル系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジクロロベンゼンまたはアニソールがより好ましく、トルエン、キシレン、テトラリン、アニソールが特に好ましい。その塗布液中の一般式（１）で表される化合物の濃度は、好ましくは、０．１〜８０質量％、より好ましくは０．１〜１０質量％、特に好ましくは０．５〜１０重量％とすることにより、任意の厚さの膜を形成できる。
溶液プロセスで成膜するためには、上記で挙げた溶媒などに材料が溶解することが必要であるが、単に溶解するだけでは不十分である。通常、真空プロセスで成膜する材料でも、溶媒にある程度溶解させることができる。しかし、溶液プロセスでは、材料を溶媒に溶解させて塗布した後で、溶媒が蒸発して薄膜が形成する過程があり、溶液プロセス成膜に適さない材料は結晶性が高いものが多いため、この過程で不適切に結晶化（凝集）してしまい良好な薄膜を形成させることが困難である。一般式（１）で表される化合物は、このような結晶化（凝集）が起こりにくい点でも優れている。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液は、一般式（１）で表される化合物を含み、ポリマーバインダーを含有しない態様も好ましい。
また、本発明の非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液は、一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有してもよい。この場合、層を形成する材料とポリマーバインダーとを前述の適当な溶媒に溶解させ、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により薄膜を形成することができる。ポリマーバインダーとしては、上述したものから選択することができる。
以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
［実施例１〜２１および比較例１〜６］
＜合成例＞
以下のＳｃｈｅｍｅ １に示した具体的合成手順に従って、一般式（１）で表される化合物である、化合物例３，６，１０，４０７，２０，２４，２９８，３１０，３２６，３４，６２，１，１６，３９６，３８６，３７２，３５８，３４４，４１６，４２７，４２９、ならびに、中間体化合物（Ａ）〜（Ｄ）を合成した。
Figure 2015149397
中間体化合物（Ａ）の合成
Figure 2015149397
１，４−ジブロモ−２，３−ジフルオロベンゼンから、中間体化合物（Ａ）を以下の手順で合成した。
１，４−ジブロモ−２，３−ジフルオロベンゼン３１ｇ、炭酸カリウム３７．９ｇ、３−メトキシフェニルチオール３１．９ｇをＮ−メチルピロリドン６００ｍｌに加え、窒素雰囲気下、室温で２時間攪拌した。反応混合物をセライトろ過し、ろ液に酢酸エチルと水を加えて抽出、油層を希塩酸で３回洗浄した。合わせた油層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥・ろ過し、酢酸エチルを減圧溜去することによりオイル状の中間体化合物（Ａ）４５ｇ（収率７７％）を得た。
中間体化合物（Ａ）の構造は、1Ｈ−ＮＭＲにより同定した。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ, ＤＭＳＯ）
δ：７．８８（ｓ，２Ｈ）、７．１７（ｔ，２Ｈ）、６．７３（ｄ，２Ｈ）、６．５１（ｓ，２Ｈ），６．５０（ｄ，２Ｈ），３．６８（ｓ，６Ｈ）
中間体化合物（Ｂ）の合成
Figure 2015149397
中間体化合物（Ａ）から、中間体化合物（Ｂ）を以下の手順で合成した。
中間体化合物（Ａ）２３．１ｇ、メチルトリオキソレニウム０．５４８ｇをアセトニトリル１７６ｍｌとジクロロメタン４４ｍｌの混合溶媒に溶解し、３０％過酸化水素水２５．８ｍｌを室温で滴下した。滴下後２時間、室温で攪拌し、生じた析出をろ取することにより中間体化合物（Ｂ）１４．３ｇ（収率５９％）を白色固体として得た。
中間体化合物（Ｂ）の構造は、1Ｈ−ＮＭＲにより同定した。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ ＭＨｚ,ＤＭＳＯ）
δ：７．８９（ｓ,２Ｈ），７．３１（ｔ，２Ｈ），６．９７（ｄ，２Ｈ），６．７８（ｓ，２Ｈ），６．６９（ｄ，２Ｈ），３．６８（ｓ,６Ｈ）
中間体化合物（Ｃ）の合成
Figure 2015149397
中間体化合物（Ｂ）から、中間体化合物（Ｃ）を以下の手順で合成した。
中間体（Ｂ）７．８ｇ、酢酸パラジウム９６．５ｍｇ、酢酸カリウム２．８ｇをジメチルアセトアミド８６ｍｌに加え、真空脱気を行った後に窒素雰囲気下１３０℃で２時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、水に注ぎいれ、生じた析出をろ取した。ろ別した固体をエタノール中で超音波分散洗浄することにより中間体化合物（Ｃ）４．２ｇ（収率７６％）を白色固体として得た。
中間体化合物（Ｃ）の構造は、1Ｈ−ＮＭＲにより同定した。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）
δ：７．８５（ｓ，２Ｈ），７．７５（ｄ，２Ｈ），７．５９（ｓ，２Ｈ），７．１７（ｄ，２Ｈ），３．９４（ｓ，６Ｈ）
中間体化合物（Ｄ）の合成
Figure 2015149397
中間体化合物（Ｃ）から、中間体化合物（Ｄ）を以下の手順で合成した。
中間体化合物（Ｃ）３．８ｇ、ヨウ化カリウム５．６３ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸・イチ水和物４．９ｇを混合し、４０℃で１時間超音波を照射した。反応混合物を亜硫酸水素ナトリウム水溶液に入れ、不溶物をろ取した。ろ別した固体をトルエンで洗浄することにより中間体化合物（Ｄ）２．７ｇ（収率７８％）を白色固体として得た。
中間体化合物（Ｄ）の構造は、1Ｈ−ＮＭＲにより同定した。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）
δ：８．１０−８．０７（ｍ，４Ｈ），７．４０（ｓ，２Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），３．９４（ｓ，６Ｈ）
中間体化合物（Ｄ）を経て、一般式（１）で表される化合物である、化合物例３，６，１０，４０７，２０，２４，２９８，３１０，３２６，３４，６２，１，１６，３９６，３８６，３６８，３５８，３４４，４１６，４２７，４２９をそれぞれ合成した。得られた化合物の同定は、元素分析、ＮＭＲ及びＭＡＳＳスペクトルにより行った。
比較素子の半導体活性層（有機半導体層）に用いた比較化合物１〜６の構造を以下に示す。
比較化合物１は、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．， １９７３（１７），１５６１に記載の化合物であり、この文献に記載の方法にしたがって合成した。
比較化合物２は、Ｒａｏ， Ｔｉｌａｋ, Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９５８，ｖｏｌ．１７ Ｂ，ｐ．２６０−２６５、および、Ｋｕｄｏ， Ｈｉｒｏｔａｋａ； Ｔｅｄｊａｍｕｌｉａ， Ｍａｒｖｉｎ Ｌ．； Ｃａｓｔｌｅ， Ｒａｙｍｏｎｄ Ｎ．； Ｌｅｅ， Ｍｉｌｔｏｎ Ｌ．， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９８４，ｖｏｌ．２１，ｐ．１８５−１９２に記載の化合物であり、これらの文献に記載の方法にしたがって合成した。
比較化合物３および４はそれぞれＥＰ２３０１９２６Ａ１号公報の化合物２３２および化合物２３６であり、この文献に記載の方法にしたがって合成した。
比較化合物５は、ＥＰ２２５１３４２Ａ１号公報に記載の方法にしたがって合成した。
比較化合物６は、ＫＲ２０１２−０１２０８８６号公報の化合物３０であり、この文献に記載の方法に従って合成した。
Figure 2015149397
＜素子作製・評価＞
素子作製に用いた材料は全て昇華精製を行い、高速液体クロマトグラフィー（東ソーＴＳＫｇｅｌ ＯＤＳ−１００Ｚ）により純度（２５４ｎｍの吸収強度面積比）が９９．５％以上であることを確認した。
＜化合物単独で半導体活性層（有機半導体層）を形成＞
本発明の化合物または比較化合物（各１ｍｇ）とトルエン（１ｍＬ）を混合し、１００℃に加熱したものを、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液とした。この塗布溶液を窒素雰囲気下、９０℃に加熱したＦＥＴ特性測定用基板上にキャストすることで、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜を形成し、ＦＥＴ特性測定用の実施例２の有機薄膜トランジスタ素子を得た。ＦＥＴ特性測定用基板としては、ソースおよびドレイン電極としてくし型に配置されたクロム／金（ゲート幅Ｗ＝１００ｍｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）、絶縁膜としてＳｉＯ2（膜厚２００ｎｍ）を備えたボトムゲート・ボトムコンタクト構造のシリコン基板（図２に構造の概略図を示した）を用いた。
［評価］
（ａ）キャリア移動度
各実施例および比較例の有機薄膜トランジスタ素子のＦＥＴ特性は、セミオートプローバー（ベクターセミコン製、ＡＸ−２０００）を接続した半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ製、４１５６Ｃ）を用いて常圧・窒素雰囲気下で、キャリア移動度を評価した。
各有機薄膜トランジスタ素子（ＦＥＴ素子）のソース電極−ドレイン電極間に−８０Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を２０Ｖ〜−１００Ｖの範囲で変化させ、ドレイン電流Ｉdを表わす下記式を用いてキャリア移動度μを算出した。
Ｉd＝（ｗ／２Ｌ）μＣi（Ｖg−Ｖth）2
式中、Ｌはゲート長、Ｗはゲート幅、Ｃiは絶縁層の単位面積当たりの容量、Ｖgはゲート電圧、Ｖthは閾値電圧を表す。
（ｂ）溶解性
本発明の化合物または比較化合物（各２質量％、各１質量％、各０．５質量％または各０．１質量％）とトルエン（１ｍＬ）を混合し、１００℃に加熱後、室温にて３０分放置し、析出無しとなる濃度を求め、トルエンに対する溶解性を以下の４段階で評価した。実用上、Ａ、Ｂ、ＣまたはＤ評価であることが必要であり、Ａ、ＢまたはＣ評価であることが好ましく、ＡまたはＢ評価であることがより好ましく、Ａ評価であることが特に好ましい。
Ａ：２質量％で析出無し
Ｂ：１質量％で析出無し、かつ、２質量％で析出あり
Ｃ：０．５質量％で析出無し、かつ、１質量％で析出あり
Ｄ：０．１質量％で析出無し、かつ、０．５質量％で析出あり
Ｅ：０．１質量％で析出あり
（ｃ）繰り返し駆動後の閾値電圧変化（閾値シフト）
各有機薄膜トランジスタ素子（ＦＥＴ素子）のソース電極−ドレイン電極間に−８０Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を＋２０Ｖ〜−１００Ｖの範囲で１００回繰り返して（ａ）と同様の測定を行い、繰り返し駆動前の閾値電圧Ｖ前と繰り返し駆動後の閾値電圧Ｖ後の差（｜Ｖ後−Ｖ前｜）を以下の５段階で評価した。この値は小さいほど素子の繰り返し駆動安定性が高く、好ましい。
Ａ：｜Ｖ後−Ｖ前｜≦１Ｖ
Ｂ：１Ｖ＜｜Ｖ後−Ｖ前｜≦５Ｖ
Ｃ：５Ｖ＜｜Ｖ後−Ｖ前｜≦１０Ｖ
Ｄ：１０Ｖ＜｜Ｖ後−Ｖ前｜≦１５Ｖ
Ｅ：｜Ｖ後−Ｖ前｜＞１５Ｖ
（ｄ）塗布膜の品質
以下に示す方法で塗布膜の品質を評価した。
実施例２の有機薄膜トランジスタ素子の半導体活性層について、偏光顕微鏡を用いてドメインサイズを１ｍｍ四方の範囲で測定し、平均ドメインサイズを計算した。得られた結果を以下の３段階で評価した。実用上、Ｄ評価であっても問題はないが、Ａ、ＢまたはＣ評価であることが好ましく、ＡまたはＢ評価であることがより好ましく、Ａ評価であることが特に好ましい。
Ａ：平均ドメインサイズが１０マイクロメートル超える。
Ｂ：平均ドメインサイズが５マイクロメートルを超え、かつ、１０マイクロメートル以下である。
Ｃ：平均ドメインサイズが１マイクロメートルを超え、かつ、５マイクロメートル以下である。
Ｄ：平均ドメインサイズが０．５マイクロメートルを超え、かつ、１マイクロメートル以下である。
Ｅ：平均ドメインサイズが０．５マイクロメートル以下である。
（ｅ）バラつき
各素子を３０素子ずつ作製し、作製した３０素子の移動度を測定し、変動係数を算出した。その結果を以下の５段階で評価した。
実用上、Ｃ評価であっても使用可能であるが、Ａ、またはＢまたはＣ評価であることが好ましく、Ａ評価であることがより好ましい。
Ａ：３０％未満
Ｂ：３０％以上５０％未満
Ｃ：５０％以上１００％未満
Ｄ：１００％以上２００％未満
Ｅ：２００％以上
各結果を下記表にまとめて記す。
Figure 2015149397
上記表に示した結果より、本発明の化合物は有機溶媒への溶解性が良好であり、本発明の化合物を用いた有機薄膜トランジスタ素子は、キャリア移動度が高いことが分かった。そのため、本発明の化合物は非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料として好ましく用いられることがわかった。
なかでも、一般式（１）のＸがＳ原子であり、Ｒ2及びＲ9がアルキル基であり、Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ8、Ｒ10が水素原子で表される化合物を用いた、実施例１〜６は、キャリア移動度、溶解性、繰り返し駆動後の閾値電圧変化（閾値シフト）、塗布膜の品質、バラつきの各項目において良好な結果を有していた。
一方、比較化合物３〜６を用いた有機薄膜トランジスタ素子は、キャリア移動度が悪く、評価できなかった。また、比較化合物１〜４、６は、有機溶媒への溶解性が悪いものであった。
なお、本発明の化合物を用いた有機薄膜トランジスタ素子は、繰り返し駆動後の閾値電圧変化（閾値シフト）も低く、及び、塗布膜の品質も良好で、バラつきが低く駆動安定性が良好であった。
［実施例１０１〜１２１および比較例１０１〜１０６］
＜化合物をバインダーとともに用いて半導体活性層（有機半導体層）を形成＞
本発明の化合物または比較化合物（各１ｍｇ）、ＰαＭＳ（ポリ（α−メチルスチレン、Ｍｗ＝３００,０００）、Ａｌｄｒｉｃｈ製）１ｍｇ、トルエン（１ｍＬ）を混合し、１００℃に加熱したものを塗布溶液として用いる以外は実施例１〜２１および比較例１〜６と同様にしてＦＥＴ特性測定用の実施例１０１〜１２１および比較例１０１〜１０６の有機薄膜トランジスタ素子を作製し、実施例１〜２１および比較例１〜６と同様の評価を行った。
その結果、実施例１〜２１および比較例１〜６と同様の傾向であることがわかった。
［実施例２０１〜２２１および比較例２０１〜２０６］
＜半導体活性層（有機半導体層）形成＞
ゲート絶縁膜としてＳｉＯ2（膜厚３７０ｎｍ）を備えたシリコンウエハーを用い、オクチルトリクロロシランで表面処理を行った。
本発明の化合物または比較化合物（各１ｍｇ）とトルエン（１ｍＬ）を混合し、１００℃に加熱したものを、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液とした。この塗布溶液を窒素雰囲気下、９０℃に加熱したオクチルシラン表面処理シリコンウエハー上にキャストすることで、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜を形成した。
更にこの薄膜表面にマスクを用いて金を蒸着することで、ソースおよびドレイン電極を作製し、ゲート幅Ｗ＝５ｍｍ、ゲート長Ｌ＝８０μｍのボトムゲート・トップコンタクト構造の実施例２０１〜２２１および比較例２０１〜２０６の有機薄膜トランジスタ素子を得た（図１に構造の概略図を示した）。
実施例２０１〜２２１および比較例２０１〜２０６の有機薄膜トランジスタ素子のＦＥＴ特性は、セミオートプローバー（ベクターセミコン製、ＡＸ−２０００）を接続した半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ製、４１５６Ｃ）を用いて常圧・窒素雰囲気下で、実施例１〜２１および比較例１〜６と同様の評価を行った。
その結果、実施例１〜２１および比較例１〜６と同様の傾向であることがわかった。
１１ 基板
１２ 電極
１３ 絶縁体層
１４ 半導体活性層（有機物層、有機半導体層）
１５ａ、１５ｂ 電極
３１ 基板
３２ 電極
３３ 絶縁体層
３４ａ、３４ｂ 電極
３５ 半導体活性層（有機物層、有機半導体層）

Claims (30)

  1. 下記一般式（１）で表される化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ：
    一般式（１）
    Figure 2015149397
     一般式（１）中、
    Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
    ｐおよびｑはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、
    Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、Ｒ1〜Ｒ10、ＲaおよびＲbのうち少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であり、ただし、Ｒ5とＲ6のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合はＲ5とＲ6が表す一般式（Ｗ）においてＬは下記一般式（Ｌ−２）または（Ｌ−３）で表される２価の連結基である；
    −Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
    一般式（Ｗ）中、
    Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
    Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
    Figure 2015149397
     一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
    波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
    一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
    一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
    ＲNは水素原子または置換基を表し、
    Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
  2. 前記一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ4〜Ｒ7、Ｒ10、ＲaおよびＲbがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、
    Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または前記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9のうち少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基である請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
  3. 前記一般式（１）中、ｐおよびｑがそれぞれ独立に０または１である請求項１または２に記載の有機薄膜トランジスタ。
  4. 前記一般式（１）中、ｐ＝ｑ＝０またはｐ＝ｑ＝１である請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  5. 前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２−１）で表される化合物である請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ：
    一般式（２−１）
    Figure 2015149397
     一般式（２−１）中、
    Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
    Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ8およびＲ10がそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、
    Ｒ2およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、少なくとも一つは前記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、ただし、前記一般式（Ｗ）で表される置換基がアルキル基である場合は前記一般式（Ｗ）で表される置換基は炭素数４以上１８以下の直鎖アルキル基または炭素数４以上の分岐のアルキル基に限る。
    −Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
    一般式（Ｗ）中、
    Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
    Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
    Figure 2015149397
     一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
    波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
    一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
    一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
    ＲNは水素原子または置換基を表し、
    Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
  6. 前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２−２）で表される化合物である請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ：
    一般式（２−２）
    Figure 2015149397
     一般式（２−２）中、
    Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
    Ｒ1、Ｒ4〜Ｒ7、Ｒ10、ＲaおよびＲbがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、
    Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、少なくとも一つは前記一般式（Ｗ）で表される置換基を表す。
    −Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
    一般式（Ｗ）中、
    Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
    Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
    Figure 2015149397
     一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
    波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
    一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
    一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
    ＲNは水素原子または置換基を表し、
    Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
  7. 前記一般式（１）、（２−１）および（２−２）中、ＸがＳ原子である請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  8. 前記一般式（１）、（２−１）および（２−２）中、Ｒ2とＲ9がともに前記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ3とＲ8がともに水素原子またはハロゲン原子であるか、
    Ｒ3とＲ8がともに前記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ2とＲ9がともに水素原子またはハロゲン原子である請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  9. Ｒ2とＲ9がともに前記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ3とＲ8がともに水素原子である請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  10. 前記一般式（Ｗ）で表される基に含まれる炭素数の合計が４〜１８である請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  11. 前記一般式（Ｗ）中、Ｌが前記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基、あるいは前記一般式（Ｌ−２）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基と前記一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  12. 前記一般式（Ｗ）中、Ｌが前記一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基であり、Ｒが置換または無置換のアルキル基である請求項１〜１１のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  13. 下記一般式（２−１）で表される化合物：
    一般式（２−１）
    Figure 2015149397
     一般式（２−１）中、
    Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
    Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ8およびＲ10がそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、
    Ｒ2およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、少なくとも一つは前記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、ただし、前記一般式（Ｗ）で表される置換基がアルキル基である場合は前記一般式（Ｗ）で表される置換基は炭素数４以上１８以下の直鎖アルキル基または炭素数４以上の分岐のアルキル基に限る；
    −Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
    一般式（Ｗ）中、
    Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
    Ｒ’は置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
    Figure 2015149397
     一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
    波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
    一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
    一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
    ＲNは水素原子または置換基を表し、
    Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
  14. 下記一般式（２−２）で表される化合物：
    一般式（２−２）
    Figure 2015149397
     一般式（２−２）中、
    Ｘはそれぞれ独立にＯ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を表し、
    Ｒ1、Ｒ4〜Ｒ7、Ｒ10、ＲaおよびＲbがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、
    Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8およびＲ9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表す；
    −Ｌ−Ｒ 一般式（Ｗ）
    一般式（Ｗ）中、
    Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基または下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表し、
    Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す；
    Figure 2015149397
     一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、
    波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
    一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）および（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表し、
    一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）および（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
    ＲNは水素原子または置換基を表し、
    Ｒsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
  15. 前記一般式（２−１）および（２−２）中、ＸがＳ原子である請求項１３または１４に記載の化合物。
  16. 前記一般式（２−１）および（２−２）中、Ｒ2とＲ9がともに前記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ3とＲ8がともに水素原子またはハロゲン原子であるか、
    Ｒ3とＲ8がともに前記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ2とＲ9がともに水素原子またはハロゲン原子である請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の化合物。
  17. Ｒ2とＲ9がともに前記一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ3とＲ8がともに水素原子である請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の化合物。
  18. 前記一般式（Ｗ）で表される基に含まれる炭素数の合計が４〜１８である請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の化合物。
  19. 前記一般式（Ｗ）中、Ｌが前記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基、あるいは前記一般式（Ｌ−２）〜（Ｌ−４）のいずれかで表される２価の連結基と前記一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基である請求項１３〜１８のいずれか一項に記載の化合物。
  20. 前記一般式（Ｗ）中、Ｌが前記一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基であり、Ｒが置換または無置換のアルキル基である請求項１３〜１９のいずれか一項に記載の化合物。
  21. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の前記一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料。
  22. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の前記一般式（１）で表される化合物を含有する有機薄膜トランジスタ用材料。
  23. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の前記一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液。
  24. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の前記一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有する非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液。
  25. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の前記一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜。
  26. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の前記一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜。
  27. 溶液塗布法により作製された請求項２５または２６に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜。
  28. 下記一般式（Ｍ１）で表される化合物：
    一般式（Ｍ１）
    Figure 2015149397
     一般式（Ｍ１）中、
    Ｙ1〜Ｙ4はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基またはスルホニル基を表し、
    ＊および＊２はそれぞれＹ3およびＹ4の置換可能な位置を表し、
    ｐおよびｑはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、
    ｒ１およびｒ２はそれぞれ独立に０〜２の整数を表す。
  29. 下記一般式（Ｍ２）で表される化合物：
    一般式（Ｍ２）
    Figure 2015149397
     一般式（Ｍ２）中、
    Ｙ3およびＹ4はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基またはスルホニル基を表し、
    ＊および＊２はそれぞれＹ3およびＹ4の置換可能な位置を表し、
    ｐおよびｑはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、
    ｒ１およびｒ２はそれぞれ独立に０〜２の整数を表す。
  30. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の前記一般式（１）で表される化合物の中間体化合物である請求項２８または２９に記載の化合物。
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