JP2015136546A - 放射線撮像装置及びその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】センサ部のダイナミックレンジを該センサ部の内部の構成により拡張するのに有利な技術を提供する。【解決手段】放射線撮像装置は、複数のセンサ部と制御部とを備える放射線撮像装置であって、前記複数のセンサ部のそれぞれは、放射線を検出するためのセンサと、前記センサからの信号を保持するための第1の保持部と、前記センサからの信号を保持するための第2の保持部と、を含み、前記制御部は、前記放射線撮像装置への放射線の照射が開始された後かつ前記放射線の照射が終了する前に、前記センサからの信号を前記第1の保持部に書き込む第1モードから前記センサからの信号を前記第2の保持部に書き込む第2モードにするように前記複数のセンサ部を制御する。【選択図】図7
Description
本発明は、放射線撮像装置及びその制御方法に関する。
放射線撮像装置は、放射線を検出するための複数のセンサ部を備える。放射線の照射量が、センサ部が出力可能な出力信号の最大値に対応する照射量よりも大きくなると、該出力信号は飽和してしまうため、センサ部のダイナミックレンジを拡張する必要がある。
ダイナミックレンジを拡張する方法の1つの例として、特許文献1には、放射線の照射中に複数回の信号読出を行うことが開示されている。該複数回の信号読出の周期は、センサ部の出力信号が飽和するまでの時間よりも小さい。
特許文献1によると、放射線撮像装置は信号処理部に接続されており、該信号処理部は、複数回の信号読出で読み出された信号のそれぞれを放射線撮像装置から受けて加算し、該加算された信号を用いて画像データを形成する。
特許文献1には、ダイナミックレンジの拡張を、放射線撮像装置のセンサ部の内部で達成する構成については開示されていない。
本発明は、センサ部のダイナミックレンジを該センサ部の内部の構成により拡張するのに有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の一つの側面は放射線撮像装置にかかり、前記放射線撮像装置は、複数のセンサ部と制御部とを備える放射線撮像装置であって、前記複数のセンサ部のそれぞれは、放射線を検出するためのセンサと、前記センサからの信号を保持するための第1の保持部と、前記センサからの信号を保持するための第2の保持部と、を含み、前記制御部は、前記放射線撮像装置への放射線の照射が開始された後かつ前記放射線の照射が終了する前に、前記センサからの信号を前記第1の保持部に書き込む第1モードから前記センサからの信号を前記第2の保持部に書き込む第2モードにするように前記複数のセンサ部を制御することを特徴とする。
本発明によれば、センサ部のダイナミックレンジを該センサ部の内部の構成により拡張するのに有利である。
(放射線撮像システム)
図1は、放射線検査装置に代表される放射線撮像システムSYSの構成例を例示している。放射線撮像システムSYSは、放射線撮像装置100(以下、「撮像装置100」と称する)、放射線源104、放射線源制御部103、処理部101及び表示部102を具備する。放射線源104は放射線を発生する。放射線源制御部103は放射線源104を制御する。処理部101は、信号処理ないし画像処理の他、システム制御を行う。表示部102は、ユーザに撮像装置100の状態や撮影結果等を通知するディスプレイを含む。
図1は、放射線検査装置に代表される放射線撮像システムSYSの構成例を例示している。放射線撮像システムSYSは、放射線撮像装置100(以下、「撮像装置100」と称する)、放射線源104、放射線源制御部103、処理部101及び表示部102を具備する。放射線源104は放射線を発生する。放射線源制御部103は放射線源104を制御する。処理部101は、信号処理ないし画像処理の他、システム制御を行う。表示部102は、ユーザに撮像装置100の状態や撮影結果等を通知するディスプレイを含む。
放射線撮影を行う際には、処理部101によって撮像装置100と放射線源制御部103とが同期制御されうる。被検者(撮影対象)を通過した放射線(X線、α線、β線、γ線等)は、撮像装置100によって検知される。該検知された放射線に応じた信号は、処理部101で、補正処理等を含む所定の処理が為され、該処理が為された信号に基づいて画像データが生成される。該画像データに基づく画像は、表示部102に表示される。
撮像装置100は、複数のセンサが配列されたセンサ領域10と、センサ領域10からの信号を読み出す信号読出部20と、各ユニットを制御する制御部109とを備える。
センサ領域10は、例えば、複数のセンサユニット106を板状の基台の上にタイリング(2次元配列)して得られたセンサパネル105により形成され、各センサユニット106には複数のセンサ部が設けられている。この構成によると、センサ領域10の大型化に有利である。複数のセンサユニット106は、各センサ部が隣接センサ部との距離が等しくなるようにタイリングされうる。ここでは、センサユニット106が2行×12列を形成するようにタイリングされた構成が例示されているが、この数量ないし構成に限られるものではない。
各センサユニット106は、例えば、公知の半導体製造方法によって、シリコンウエハを用いて製造された単位チップである。隣接センサユニット106同士は、ダイシングによって物理的に分離されたものでもよいし、分離されてなくてもよい。例えば、シリコンウエハ上に形成された各センサユニット106を検査し、その検査結果が所定の基準を満たしたセンサユニット106を選択的に用いてセンサパネル105を形成することが可能である。なお、図中において、実線はダイシングされたことを示し、破線はダイシングされていないことを示している。
センサ領域10の上には、例えば、放射線を光に変換するシンチレータ(不図示)が設けられうる。
信号読出部20は、例えば、差動アンプ等を含む信号増幅部107と、アナログデジタル変換(AD変換)を行うAD変換部108とを有しうる。
センサパネル105の上辺部および下辺部には、電気信号の入出力又は電源の供給を行うための複数の電極が配列されうる。電極は、フライングリード式プリント配線板(不図示)により外部回路に接続されうる。例えば、センサ領域10からの信号は、電極を介して信号読出部20により読み出され、また、センサ領域10を制御するための制御信号は、電極を介して制御部109から入力される。
制御部109は、例えば処理部101との間で、制御コマンドの通信を行い、同期信号の通信を行い、また、処理部101への画像データの出力を行う。また、制御部109は、各ユニットの駆動制御を行う。また、制御部109は、信号読出部20のAD変換部108によりAD変換された各センサユニット106の画像データ(デジタルデータ)を用いて1つのフレームデータに合成し、処理部101に出力する。
制御部109と処理部101との間では、各種インターフェースを介して、制御コマンドないし制御信号および画像データの授受が行われる。処理部101は、制御用インターフェース110を介して、動作モードや各種パラメータなどの設定情報ないし撮影情報を制御部109に出力する。また、制御部109は、制御用インターフェース110を介して、撮像装置100の動作状態などの装置情報を処理部101に出力する。また、制御部109は、画像データインターフェース111を介して、撮像装置100で得られた画像データを処理部101に出力する。また、制御部109は、READY信号112を用いて、撮像装置100が撮影可能な状態になったことを処理部101に通知する。また、処理部101は、外部同期信号113を用いて、制御部109からのREADY信号112に応答して制御部109に、放射線の照射開始(曝射)のタイミングを通知する。また、制御部109は、曝射許可信号114がイネーブル状態の間に、放射線源制御部103に制御信号を出力して放射線照射を開始させる。
(参考例)
以下、本発明の各実施形態を説明するに先立って、参考例として、撮像装置100の構成例および動作制御の例を述べる。
以下、本発明の各実施形態を説明するに先立って、参考例として、撮像装置100の構成例および動作制御の例を述べる。
(センサ部の構成例)
図2は、前述のセンサユニット106におけるセンサ部S(1画素相当)の回路構成例を示している。センサ部Sは、例えば、第1部分ps1と第2部分ps2と第3部分ps3とを含みうる。
図2は、前述のセンサユニット106におけるセンサ部S(1画素相当)の回路構成例を示している。センサ部Sは、例えば、第1部分ps1と第2部分ps2と第3部分ps3とを含みうる。
第1部分ps1は、フォトダイオードPDと、トランジスタM1〜M3と、フローティングディフュージョン容量CFD(以下、FD容量CFD)と、を有しうる。フォトダイオードPDは、照射された放射線に応じて前述のシンチレータで生じた光を電気信号に変換するセンサである。具体的には、フォトダイオードPDで該光に応じた量の電荷が発生して蓄積され、その電荷量に応じたFD容量CFDの電圧が第2部分ps2に出力される。なお、放射線を検出するためのセンサの例として、ここでは、フォトダイオードPDを示したが、その他の公知の光電変換素子が用いられてもよいし、放射線を直接的に電気信号に変換する変換素子が用いられてもよい。
トランジスタM2は、リセット部として機能し、PRES信号が活性化されることによってフォトダイオードPDの電荷を初期化し、第2部分ps2に出力される電圧をリセットする。
第2部分ps2は、トランジスタM3〜M7とクランプ容量CCLと定電流源とを有しうる。トランジスタM3とトランジスタM4と定電流源(例えばカレントミラー構成のトランジスタ)とは電流経路を形成するように直列に接続されている。トランジスタM3のゲートに入力されるイネーブル信号ENが活性化されることによって、第1部分ps1からの電圧を受けるトランジスタM4が動作状態となる。このようにしてソースフォロワ回路が形成され、第1部分ps1からの電圧に応じた電圧が出力される。
その後段には、トランジスタM5〜7とクランプ容量CCLとで構成されたクランプ回路が設けられている。具体的には、クランプ容量CCLの一方の端子n1が、第1部分ps1のトランジスタM3とトランジスタM4との間のノードに接続されており、他方の端子n2が、クランプスイッチとして機能するトランジスタM5に接続されている。また、トランジスタM6とトランジスタM7と定電流源とは電流経路を形成するように直接に接続されており、端子n2は、トランジスタM7のゲートに接続されている。この構成により、第1部分ps1のフォトダイオードPDで生じるkTCノイズ(いわゆるリセットノイズ)が除去される。
具体的には、前述のリセット時における第1部分ps1からの電圧に応じた電圧がクランプ容量CCLの端子n1に入力される。また、クランプ信号PCLが活性化されることによりトランジスタM5が導通状態になり、クランプ電圧VCLがクランプ容量CCLの端子n2に入力される。このようにして、クランプ容量CCLの両端子n1−n2間で生じた電位差をノイズ成分としてクランプし、その後のフォトダイオードPDでの電荷の発生および蓄積に伴う電圧の変化分を信号成分として出力する。
また、イネーブル信号ENはトランジスタM6のゲートにも入力され、イネーブル信号ENが活性化されることによってトランジスタM7が動作状態となる。このようにしてソースフォロワ回路が形成され、トランジスタM7のゲート電圧に応じた電圧が第3部分ps3に出力される。
第3部分ps3は、トランジスタM8、M10、M11及びM13と、アナログスイッチSW9及びSW12と、容量CS及びCNと、を有しうる。トランジスタM8及びM10とアナログスイッチSW9と容量CSとが形成するユニットを「ユニットUSHS」と称する。
ユニットUSHSにおいて、トランジスタM8と容量CSとはサンプルホールド回路を形成しており、第2部分ps2からの出力値を保持する保持部を形成している。具体的には、制御信号TSを用いてトランジスタM8の状態(導通状態または非導通状態)を切り替えることによって、容量CSは、第2部分ps2から得られる信号(光成分にしたがう信号)を保持する。また、トランジスタM10は、そのソースフォロワ動作によってアンプとして機能し、これによって該信号が増幅される。該増幅された信号は、制御信号VSRを用いてアナログスイッチSW9を導通状態にすることより、端子tsから出力される。
上記構成によると、フォトダイオードPDで生じた電荷量に基づく信号レベルのサンプリングを行うことが可能であり、該信号レベルのモニタすることが可能である。換言すると、容量CSは、該電荷量に基づく信号レベルを書き込むためのメモリ手段として機能し、該電荷量に基づく信号レベルの非破壊読出を任意のタイミングで行うことが可能である。
ユニットUSHSと同様にして、トランジスタM11及びM13とアナログスイッチSW12と容量CNとは、端子tnから信号を出力する「ユニットUSHN」を形成している。
なお、後述するが、ユニットUSHNでは基準信号が保持され、信号読出部20は、端子ts及びtnを介して、フォトダイオードPDで生じた電荷量に基づく信号レベルと基準信号レベルとの差分を読み出す。これにより、第2部分ps2に起因する固定パターンノイズ(FPN:Fitted Pattern Noise)が除去される。
(センサ部の駆動方法の例)
以下、図3を参照しながら上記センサ部Sの駆動方法ないし制御方法の例を述べる。なお、ここでは、所定期間の放射線照射を繰り返し行う動画撮影を行う例を示すが、駆動方法は、この例に限られるものではない。
以下、図3を参照しながら上記センサ部Sの駆動方法ないし制御方法の例を述べる。なお、ここでは、所定期間の放射線照射を繰り返し行う動画撮影を行う例を示すが、駆動方法は、この例に限られるものではない。
図3の(A)に示されるように、まず、時刻t50で、動作モードの設定等、撮影を行うのに必要な情報の設定がユーザにより為される。時刻t51で、保持部(容量CS及びCN)を含む各センサ部Sを初期化するためのリセット駆動RDが為される。時刻t60で、画像信号を読み出すためのサンプリング駆動SDが為される。その後、センサ領域10から信号読出を行う読出動作ROが為される。
図3の(B)は、リセット駆動RDの具体的なタイミングチャート(拡大図)を示している。リセット駆動RDでは、フォトダイオードPDのリセット動作と、リセット時の出力成分をノイズ成分としてクランプする動作と、を行う。
時刻t51では、イネーブル信号ENをHiレベルにして、トランジスタM3及びM6を導通状態にする。これにより、トランジスタM4及びM7がソースフォロア動作を行う状態になる。
時刻t52では、信号PRESをHiレベルにしてリセット用のトランジスタM2を導通状態にする。これにより、フォトダイオードPDが基準電圧VRESに接続され、フォトダイオードPDがリセットされると共にFD容量CFDの電圧もリセットされる。また、リセット直後のトランジスタM4のゲート電圧に応じた電圧が、クランプ容量CCLの一方の端子n1(トランジスタM4側の端子)に入力される。
時刻t53では、信号PCLをHiレベルにして、前述のクランプを行うためのトランジスタM5を導通状態にする。これにより、クランプ電圧VCLがクランプ容量CCLの他方の端子n2(トランジスタM7側の端子)に入力される。また、時刻t53では、信号TS及びTNをHiレベルにして、前述のサンプリングを行うためのトランジスタM8及びM11を導通状態にし、容量CS及びCNを初期化する。
時刻t54では、信号PRESをLowレベルにして、トランジスタM2を非導通状態にすることにより、クランプ容量CCLの端子n1は、リセット直後のトランジスタM4のゲート電圧に応じた電圧にセットされる。
時刻t55では、信号PCLをLowレベルにして、トランジスタM5を非導通状態にする。これにより、端子n1と端子n2との電位差(基準電圧VRESにしたがう電圧と基準電圧VCLとの電位差)に応じた電荷がクランプ容量CCLに保持され、前述のkTCノイズのクランプが完了する。また、時刻t55では、信号TS及びTNをLowレベルにしてトランジスタM8及びM11を非導通状態にすることにより、容量CS及びCNの電圧が固定される。
時刻t56では、イネーブル信号ENをLowレベルにして、トランジスタM3及びM6を非導通状態にする。これにより、トランジスタM4及びM7を非動作状態にする。
以上のようにして、リセット駆動RDの一連の動作が終了する。即ち、リセット駆動RDでは、フォトダイオードPDをリセットすると共に、第1部分ps1のフォトダイオードPDに起因するkTCノイズに相当する電圧がクランプ容量CCLに保持され、また、必要に応じて容量CS及びCNが初期化される。なお、リセット駆動RDは全てのセンサ部Sについて一括で為され、制御タイミングのずれを防ぐことによって、隣接センサユニット間や隣接センサ間でのデータの連続性が維持されうる。
その後、前述の曝射許可信号114をHiレベル(許可状態)にし、放射線の照射にしたがって、フォトダイオードPDでは、照射された放射線量に応じた電荷が発生し蓄積される。
図3の(C)は、サンプリング駆動SDの具体的なタイミングチャートを示している。サンプリング駆動SDでは、フォトダイオードPDで生じた電荷量に応じた信号レベルを容量CSに保持する動作を行う。また、サンプリング駆動SDでは、第2部分ps2の回路構成に依存する熱ノイズ、1/fノイズ、温度差、プロセスばらつき等の固定パターンノイズに相当するノイズレベルを容量CNに保持する動作を行う。
時刻t60では、イネーブル信号ENをHiレベルにしてトランジスタM3及びM6を導通状態にし、トランジスタM4及びM7がソースフォロア動作を行う状態になる。トランジスタM4のゲート電圧は、フォトダイオードPDで発生した電荷量に応じて変化しており、該変化したゲート電圧に応じた電圧がクランプ容量CCLの一方の端子n1に入力され、端子n1の電位が変化する。クランプ容量CCLの他方の端子n2の電位変化は、該端子n1の電位変化にしたがう。ここで、前述のとおり、クランプ容量CCLにはkTCノイズに相当する電圧が保持されているため、この電位変化の量が信号成分として第3部分ps3に出力される。
時刻t61では、信号TSをHiレベルにしてトランジスタM8を導通状態にすることにより、第2部分ps2からの出力電圧が容量CSに保持される。即ち、容量CSの電圧は、第2部分ps2の出力電圧(トランジスタM7のゲート電圧に応じた電圧)になる。
時刻t62では、時刻t61でサンプリングを開始したので、曝射許可信号114をLowレベル(禁止状態)にする。
時刻t63では、信号TSをLowレベルにしてトランジスタM8を非導通状態にすることにより、第2部分ps2の出力電圧が容量CSに固定される。
即ち、時刻t60〜t63では、フォトダイオードPDで生じた電荷量に応じた信号レベルが、容量CSに保持される。
時刻t64では、信号PRESをHiレベルにして、リセット用のトランジスタM2を導通状態にし、FD容量CFDの電圧をリセットして基準電圧VRESにすると共に、端子n1の電圧も時刻t52と同じ状態になる。
時刻t65では、信号PCLをHiレベルにしてトランジスタM5を導通状態にすることにより、クランプ電圧VCLがクランプ容量CCLの他方の端子n2(トランジスタM7側の端子)に入力される。
時刻t66では、信号PRESをLowレベルにしてトランジスタM2を非導通状態にすることにより、クランプ容量CCLの端子n1は、リセット直後のトランジスタM4のゲート電圧に応じた電圧にセットされる。
時刻t67では、信号TNをHiレベルにしてトランジスタM14を導通状態にすることにより、容量CNの電圧は、トランジスタM7のゲート電圧が基準電圧VCLのときの第2部分ps2の出力電圧になる。
時刻t68では、信号TNをLowレベルにしてトランジスタM14を非導通状態にすることにより、容量CNの電圧が固定される。
即ち、時刻t64〜t68では、第2部分ps2の回路構成に依存する熱ノイズ、1/fノイズ、温度差、プロセスばらつき等の固定パターンノイズに相当するノイズレベルが容量CNに保持される。
最後に、時刻t69では信号PCLをLowレベルにしてトランジスタM5を非導通状態にし、時刻t70では、イネーブル信号ENをLowレベルにしてトランジスタM3及びM6を非導通状態(トランジスタM4及びM7を非動作状態)にする。
以上のようにして、サンプリング駆動SDの一連の動作が終了する。即ち、サンプリング駆動SDでは、フォトダイオードPDの電荷量に応じた信号レベルが容量CSに保持されると共に、第2部分ps2に起因する固定パターンノイズに相当するノイズレベルが容量CNに保持される。なお、サンプリング駆動SDは、前述のリセット駆動RDと同様に、各センサユニット106の制御タイミングのずれを防ぐため、全てのセンサ部Sについて一括で為されうる。
その後、センサ部Sから信号を読み出す読出動作ROが為される。動画撮影を行う場合は、リセット駆動RD、サンプリング駆動SDおよび読出動作ROの一連の動作が繰り返し為されうる。
(センサユニットの構成例)
図4を参照しながら、前述の各センサユニット106の構成例を述べる。前述のとおり、複数のセンサユニット106が基台の上にタイリングされることによってセンサパネル105が形成され、このようにしてセンサ領域10が形成されている。各センサユニット106は、m行×n列で配列された複数のセンサ部Sと、各センサ部Sを駆動するための垂直走査回路303と、各センサ部Sから信号読出を行うための水平走査回路304と、を備える。
図4を参照しながら、前述の各センサユニット106の構成例を述べる。前述のとおり、複数のセンサユニット106が基台の上にタイリングされることによってセンサパネル105が形成され、このようにしてセンサ領域10が形成されている。各センサユニット106は、m行×n列で配列された複数のセンサ部Sと、各センサ部Sを駆動するための垂直走査回路303と、各センサ部Sから信号読出を行うための水平走査回路304と、を備える。
垂直走査回路303および水平走査回路304は、例えばシフトレジスタで構成されており、前述の制御部109からの制御信号に基づいて動作する。垂直走査回路303は、制御線305を介して各センサ部Sに制御信号を入力し、該制御信号に基づいて各センサ部Sを行単位で駆動する。例えば、垂直走査回路303は行選択部として機能し、信号読出を行うべきセンサ部Sを行ごとに選択する。また、水平走査回路304は列選択部として機能し、制御信号に基づいて各センサ部Sを列ごとに選択して、該各センサ部Sからの信号を順に出力させる(水平転送)。
また、各センサユニット106は、各センサ部Sの容量CSに保持された信号レベルを読み出すための端子ESと、容量CNに保持されたノイズレベルを読み出すための端子ENと、を有する。また、各センサユニット106はセレクト端子ECSをさらに有し、端子ECSが受ける信号が活性化されることによって、該センサユニット106の各センサ部Sの信号が、端子ES及びENを介して読み出されうる。
具体的には、前述の各センサ部Sの端子ts及びtnは、各端子に対応する列信号線306及び307に接続されている。該列信号線306及び307は、水平走査回路304からの制御信号に応答して導通状態になるスイッチSWHを介して、アナログ出力線308及び309に接続されている。該アナログ出力線308及び309の信号は、端子ECSが受ける信号に応答して導通状態になるスイッチSWCSを介して、端子ES及びENから出力される。
また、各センサユニット106は、垂直走査回路303および水平走査回路304を制御するための各制御信号を受ける端子HST、CLKH、VSTおよびCLKVをさらに有する。端子HSTは、水平走査回路304に入力されるスタートパルスを受ける。端子CLKHは、水平走査回路304に入力されるクロック信号を受ける。端子VSTは、垂直走査回路303に入力されるスタートパルスを受ける。端子CLKVは、垂直走査回路303に入力されるクロック信号を受ける。これらの各制御信号は、制御部109から入力される。
以上に例示された構成により、センサユニット106では、各センサ部Sは行単位で制御され、各保持部に保持された信号が列単位で出力され(水平転送が為され)、信号読出が為される。
(読出動作の制御方法の例)
図5は、前述の信号読出部20の回路構成の一部を示している。端子ESからの信号は、信号増幅部107の反転入力端子に入力され、端子ENからの信号は、信号増幅部107の非反転入力端子に入力される。信号増幅部107では、端子ESからの信号と端子ENからの信号との差分が増幅され、該差分はAD変換部108でCLKAD端子を介して入力されるクロック信号に基づいてAD変換される。このような構成により、前述の固定パターンノイズが除去されると共に、センサユニット106の画像データ(デジタルデータ)が得られ、ADOUT端子を介して制御部109に出力される。
図5は、前述の信号読出部20の回路構成の一部を示している。端子ESからの信号は、信号増幅部107の反転入力端子に入力され、端子ENからの信号は、信号増幅部107の非反転入力端子に入力される。信号増幅部107では、端子ESからの信号と端子ENからの信号との差分が増幅され、該差分はAD変換部108でCLKAD端子を介して入力されるクロック信号に基づいてAD変換される。このような構成により、前述の固定パターンノイズが除去されると共に、センサユニット106の画像データ(デジタルデータ)が得られ、ADOUT端子を介して制御部109に出力される。
以下、図6を参照しながら、読出動作ROのための撮像装置100の制御方法を述べる。図6は、読出動作ROを行うためのタイミングチャートを、各制御信号について例示している。ここでは、説明を容易にするため、3つのセンサユニット106(センサユニット1060〜1062とする)から信号読出を行う場合について述べる。
選択信号Sel(Sel0〜Sel2)は、それぞれ、センサユニット1060〜1062から信号読出の対象となるものを選択するための制御信号を示す。即ち、選択信号Selは、対応するセンサユニット106の端子ECSに入力される。その他の制御信号は、各端子に入力される制御信号を示しており、例えば、端子VSTに入力される制御信号を信号VSTと示す(他の制御信号についても同様である)。
信号VSTはスタートパルス信号であり、この信号により、第1行目の各センサ部Sが垂直走査回路303により選択される。信号CLKVはクロック信号であり、端子CLKVで該クロック信号を受けるたびに、選択されている行が第1行目から第m行目まで順にシフトされる(即ち、各センサ部Sが、第1行目から第m行目まで行ごとに順に選択される)。
信号HSTはスタートパルス信号であり、端子HSTで該スタートパルス信号を受けることにより、第1列目の各センサ部Sが水平走査回路304により選択される。信号CLKHはクロック信号であり、端子CLKHで該クロック信号を受けるたびに、選択されている列が第1列目から第n列目まで順にシフトされる(即ち、各センサ部Sが、第1列目から第n列目まで行ごとに順に選択される)。
まず、信号VSTおよび信号CLKVがHiレベルになった後、選択信号Sel0〜Sel2が順にHiレベルになり、センサユニット1060〜1062が順に選択される。そして、選択信号SelがHiレベルになるタイミングで信号HSTがHiレベルになる。この間、クロック信号CLKH、及び、前述のCLKAD端子を介して入力されるAD変換のためのクロック信号(不図示)が入力される。
以上のように撮像装置100を制御することにより、例えば、図中の第1期間T1では、センサユニット1060〜1062の其々から、第1行目の各センサ部Sからの信号読出が為される。具体的には、まず、センサユニット1060の第1行目の各センサ部Sについて、第1列目から第n列目まで順に該各センサ部Sにより得られた信号のAD変換が為される。次に、同様にして、センサユニット1061の第1行目の各センサ部Sについて、AD変換が為される。さらに同様にして、センサユニット1062の第1行目の各センサ部Sについて、AD変換が為される。
第2期間T2(各センサユニット106の第2行目の各センサ部Sからの信号読出)以降についても第1期間T1と同様である。
(本発明の好適な実施形態)
(第1実施形態)
図7〜11を参照しながら第1実施形態を説明する。図7は、本実施形態のセンサ部S1(1画素相当)の回路構成を例示している。ここでは、前述のセンサ部S(図2参照)との差異点について述べる。センサ部S1は、第3部分ps3において3つのユニットUSHS1、USHS2及びUSHNを有する点で、前述のセンサ部Sと異なる。
(第1実施形態)
図7〜11を参照しながら第1実施形態を説明する。図7は、本実施形態のセンサ部S1(1画素相当)の回路構成を例示している。ここでは、前述のセンサ部S(図2参照)との差異点について述べる。センサ部S1は、第3部分ps3において3つのユニットUSHS1、USHS2及びUSHNを有する点で、前述のセンサ部Sと異なる。
ユニットUSHS1は、トランジスタM14及びM16とアナログスイッチSW15と容量CS1とを用いて形成されている。トランジスタM14は、制御信号TS1が活性化されることにより導通状態になる。制御信号VSRを用いてアナログスイッチSW15を導通状態にすることより、端子ts1から信号が出力される。
同様にして、ユニットUSHS2は、トランジスタM17及びM19とアナログスイッチSW18と容量CS2とを用いて形成されている。トランジスタM17は、制御信号TS2が活性化されることにより導通状態になる。制御信号VSRを用いてアナログスイッチSW18を導通状態にすることより、端子ts2から信号が出力される。
本実施形態では、制御信号TS1及びTS2を用いて、フォトダイオードPDで生じた電荷量に基づく電圧を容量CS1及びCS2の一方に保持することが可能である。
図8は、本実施形態のセンサユニット106Aの構成例を、前述の図4と同様に示す。ここでは、説明を容易にするため、端子ts1及びts2に対応する各部分を、対応する数字を付した符号で示している。例えば、端子ts1に対応する列信号線は「列信号線3071」と示し、端子ts2に対応する列信号線は「列信号線3072」と示す。他の部分(アナログ出力線3081及び3082、端子ES1及びES2)についても同様である。
図9は、本実施形態のセンサ部S1の駆動方法の例を、前述の図3と同様に示す。図9の(A)に示されるように、本実施形態では、主に、リセット駆動RD1の後に2回のサンプリング駆動SD11及びSD12を行う点で、図3と異なる。そして、これらサンプリング駆動SD11及びSD12で得られた2つの信号(容量CS1及びCS2の信号レベル)は、該サンプリング駆動SD11及びSD12の後の読出動作ROにより、加算されて読み出されうる。
時刻t100では、図3の時刻t50と同様にして、撮影情報の設定が為される。
次に、図9の(B)に示されるように、時刻t101〜t106では、図3の時刻t51〜56と同様にして、リセット駆動RD1が為される。本実施形態は、時刻t103で、信号TS1及びTS2をHiレベルにし、時刻t105で、信号TS1及びTS2をLowレベルにする点が図3と異なる。
次に、図9の(C)に示されるように、時刻t110〜t117では、図3の時刻t60〜70と同様にして、第1のサンプリング駆動SD11が為される。時刻t110、t111、t112、t113、t114、t115、t116、及びt117の各動作は、図3の時刻t60、t61、t63、t64、t65、t66、t69、及びt70の各動作に、それぞれ対応する。即ち、第1のサンプリング駆動SD11では、フォトダイオードPDの電荷量に応じた信号レベルが容量CS1に保持される。
ここで、第1のサンプリング駆動SD11を行う際のフォトダイオードPDの電荷量は、放射線量と蓄積時間E1とに基づく。蓄積時間E1は、フォトダイオードPDのリセットが為されてから容量CS1での信号保持が完了するまでの時間であり、即ち、時刻t105〜t112に相当する時間である。
次に、図9の(D)に示されるように、時刻t120〜t130では、図3の時刻t60〜70と同様にして、第2のサンプリング駆動SD12が為される。時刻t120〜t130の各動作は、図3の時刻t60〜t70の各動作に、それぞれ対応する。即ち、第2のサンプリング駆動SD12では、フォトダイオードPDの電荷量に応じた信号レベルが容量CS2に保持されると共にノイズレベルが容量CNに保持される。
第2のサンプリング駆動SD12を行う際のフォトダイオードPDの電荷量は、放射線量と蓄積時間E2とに基づく。蓄積時間E2は、フォトダイオードPDのリセットが為されてから容量CS2での信号保持が完了するまでの時間であり、即ち、時刻t116〜t123に相当する時間である。
その後、読出動作ROが為される。動画撮影を行う場合は、リセット駆動RD1、サンプリング駆動SD11及びSD12、並びに、読出動作ROの一連の動作が繰り返し為されうる。
図10は、蓄積時間E1及びE2を設定するためのフローチャートの例を示している。まず、ステップS901(以下、単に「S901」と示す。他のステップについても同様。)では、例えば、放射線の照射期間に基づいて、フォトダイオードPDで発生した電荷の蓄積時間が算出される。放射線の照射期間は、例えば、撮影情報の設定時(図9の時刻t100)にユーザにより予め設定されてもよいし、その他の撮影条件によって定められてもよい。上記算出された蓄積時間を「蓄積時間E0」とする。
S902では、蓄積時間E0に基づいて蓄積時間E1及びE2が算出される。これは、例えば、蓄積時間E0から、図9の時刻t112〜t116に相当する時間を減算して得られた値を、2で除算することにより為されうる。該時刻t112〜t116に相当する時間は、センサ部S1の駆動方法を行うためのプログラムで定められてもよいし、ユーザにより任意に設定されてもよい。
S903では、算出された蓄積時間E1及びE2が、前述のサンプリング駆動SD11及びSD12を行うためのパラメータとして設定される。
以上のようにして設定された蓄積時間E1及びE2の各々についてフォトダイオードPDで生じた電荷量に基づく信号レベルは、前述の制御(図9参照)にしたがって、容量CS1及びCS2に、それぞれ保持される。容量CS1及びCS2の信号レベルは、読出動作ROにより容量CNのノイズレベルと共に一度に読み出されうる。
ここで、容量CS1で保持された信号レベルをVS1とし、容量CS2で保持された信号レベルをVS2とし、容量CNで保持されたノイズレベルをVNとする。前述のリセット駆動RD1、サンプリング駆動SD11及びSD12、並びに、読出動作ROの一連の動作でセンサ部S1から得られる画素信号は、(VS1−VN)+(VS2−VN)である。
図11は、本実施形態における信号読出部20の一部である信号増幅部1071の構成の一例を示している。信号増幅部1071は、差動アンプ50と、いくつかの抵抗素子とを含みうる。差動アンプ50の反転入力端子は、抵抗値Rsの第1の抵抗素子を介して端子ES1に接続され、抵抗値Rsの第2の抵抗素子を介して端子ES2に接続されている。また、差動アンプ50の反転入力端子と出力端子Outとは、抵抗値Rsの第3の抵抗素子を介して接続されている。一方、差動アンプ50の非反転入力端子は、抵抗値Rnの第4の抵抗素子を介して端子ES2に接続され、抵抗値2Rnの第5の抵抗素子を介して接地されている。
信号増幅部1071によると、センサユニット106Aの各センサ部S1からの信号を一度に読み出すと共に、蓄積時間E1及びE2の各々について得られた信号(アナログ信号)を加算する演算部として機能しうる。信号増幅部1071によると、出力端子Outの信号レベルVOは、VO=2VN−(VS1+VS2)となる。ノイズレベルVNは、例えば、図9の時刻t127〜t128の1回で保持されればよい。
なお、ここでは、AD変換部108でのAD変換前にセンサ部S1からの出力信号を処理する構成を例示したが、蓄積時間E1及びE2の各々で得られる信号レベルを個別に処理して、外部で加算するように構成してもよい。また、容量CS1の容量値と容量CS2の容量値とは互いに等しいことが好ましいが、互いに異なる場合には、例えば信号読出部20の構成(例えばゲインその他のパラメータ)を調節してもよい。
以上、本実施形態の制御方法によると、放射線の照射中(放射線の照射が開始された後かつ該放射線の照射が終了する前)に、容量CS1での信号保持を行った後に容量CS2での信号保持を行う。換言すると、放射線の照射期間を前半の蓄積時間E1と後半の蓄積時間E2とに分け、蓄積時間E1においてフォトダイオードPDで生じた電荷量に基づく信号レベルを容量CS1で保持する。そして、蓄積時間E2においてフォトダイオードPDで生じた電荷量に基づく信号レベルを容量CS2で保持する。蓄積時間E1とE2とは、互いに等しくなるように定められるとよく、この制御方法によると、センサ部のダイナミックレンジが拡張され、参考例(図2〜3参照)の場合に比べてレンジ幅が実質的に21/2倍になる。そして、蓄積時間E1及びE2の各々で個別に得られた信号レベルを一度に読み出すことも可能である。よって、本実施形態によると、フレームレートを維持しつつ放射線撮像装置の各センサ部のダイナミックレンジを拡張することができる。
なお、以上では、2回のサンプリング駆動SD11及びSD12を行う態様を例示したが、各センサ部の第3部分ps3に3以上のユニットUSHSk(kは3以上の整数)を設けて、同様の手順で、3回以上のサンプリング駆動SD1kを行うことも可能である。
(第2実施形態)
図12〜14を参照しながら第2実施形態を説明する。前述の第1実施形態の制御方法は、所定条件を満たす場合に為されてもよい。以下では、該制御方法が為されるいくつかの条件を例示して本実施形態を述べる。
図12〜14を参照しながら第2実施形態を説明する。前述の第1実施形態の制御方法は、所定条件を満たす場合に為されてもよい。以下では、該制御方法が為されるいくつかの条件を例示して本実施形態を述べる。
本実施形態では、撮像装置100は、例えば、静止画ないし動画等のいくつかの撮影機能や、高感度ないし低感度での撮影を行う感度切り替え機能等、複数の動作モードを有しうる。また、撮像装置100は、放射線の照射が開始された後、その照射強度が所望の値(例えば誤差±5〜10%程度)に安定するまでの時間に応じて、その動作モードを切り替えることも可能である。
図12は、本実施形態の制御方法を説明するためのフローチャートである。
まず、S1201では、ユーザにより撮影情報の設定が為され、該情報に基づいて各種動作モードの設定準備が為される。そして、前述のS901(図10参照)と同様にして、該情報に基づいて蓄積時間E0が算出されうる。
S1202では、設定された撮影情報に基づいて、例えば、静止画撮影モードか、又は、動画撮影モードか、若しくは、動画撮影モードの場合には所定のウィンドウ制限がされているか等、所定の撮影モードか否かの判断が為される。例えば、連続放射線動画撮影モードのような連続して放射線撮影を行う場合にはS1208に進み、そうでない場合にはS1203に進む。
S1203では、設定された撮影情報に基づいて、例えば放射線撮影を高感度モードで行うか低感度モードで行うか等、所定の感度モードで行うか否かの判断が為される。例えば、高感度モードの場合にはS1208に進み、そうでない場合にはS1204に進む。
図13は、感度切り替え機能を有するセンサ部S2の構成例を示している。センサ部S2は、第1部分ps1において、容量CFD’とトランジスタM1とが、FD容量CFDと並列に設けられている、という点で前述のセンサ部S1(図7参照)と構成が異なる。トランジスタM1は、制御信号WIDEが活性化されたことに応答して導通状態になることによって、容量CFD’がFD容量CFDと電気的に並列に接続され、その結果、トランジスタM4のゲート電圧の変化量が小さくなる。即ち、センサ部S2は、WIDE信号が活性化されたときに低感度モードとして機能し、WIDE信号が非活性化されたときに高感度モードとして機能する。
S1204では、前述のS902(図10参照)と同様にして、蓄積時間E0に基づいて蓄積時間E1及びE2が算出される。
S1205では、蓄積時間E1(又はE2)が、例えば、放射線の照射が開始された後にその照射強度が所望の値に達するまでの時間(即ち、照射強度の立ち上がり遅延時間TR)よりも小さいか否かの判断が為される。E1<TRであればS1208に進み、そうでない場合にはS1206に進む。
なお、遅延時間TRの情報は、事前に(例えば放射線撮像システムSYSの起動時のテスト動作により)取得され、例えば放射線撮像システムSYS内の不揮発性メモリ(不図示)に保持されており、このS1205で参照されればよい。
図14は、曝射許可信号114と、放射線強度(ケースAおよびケースB)との関係を示す模式図である。前述のとおり、曝射許可信号114がイネーブルになった後に放射線の照射が開始される。ケースAは、曝射許可信号114がイネーブルになってから放射線強度が所定値に達するまでの遅延時間TRが小さい場合を示しており、ケースBは、遅延時間TRが大きい場合を示している。例えば、上記S1205では、ケースAの場合にはS1206に進み、ケースBの場合にはS1208に進む。
なお、S1205の判断は、ここでは、遅延時間TRと蓄積時間E1との比較により為されたが、この態様に限られるものではなく、蓄積時間E1を算出するS1204の前に為されてもよい。例えば、S1205の判断は、単に、遅延時間TRが所定時間よりも大きいか小さいかによって判断されてもよい。
S1206では、前述のS903(図10参照)と同様にして、S1204で算出された蓄積時間E1及びE2が、前述のサンプリング駆動SD11及びSD12を行うためのパラメータとして設定され、その後、S1207に進む。
S1207では、前述の2回のサンプリング駆動SD11及びSD12を行う、いわゆるダイナミックレンジ拡張モードで放射線撮影を行うように、撮影モードが設定される。一方、S1208では、参考例(図3参照)の、いわゆる通常モードで放射線撮影を行うように撮影モードが設定される。
前述の信号増幅部1071(図11参照)の構成には、上記選択された撮影モード(ダイナミックレンジ拡張モードおよび通常モードの一方)に対応する読出動作ROが為されるように、例えばスイッチ手段が適用されればよい。
以上の制御方法によると、撮影情報および撮影条件に応じて、ダイナミックレンジ拡張モードおよび通常モードの一方を選択することが可能である。
なお、本実施形態は、以上に例示された各種動作モードに限られないことは言うまでもなく、上記動作モードの一部のみが適用されてもよいし、他の動作モードが適用されてもよい。例えば、ダイナミックレンジ拡張モードで動作することによってランダムノイズが生じる虞があるが、低ノイズでの動作が優先されるべき場合には、通常モードが選択されてもよい。その他、被写体の撮影対象部位、撮影環境その他の撮影条件がさらに適用されてもよい。
(第3実施形態)
図15を参照しながら第3実施形態を説明する。前述の第1実施形態では、センサ部S1が、第3部分ps3においてユニットUSHS1及びUSHS2を有する構成を例示し、第2実施形態では、撮影条件に応じて撮影モードが選択される態様を例示した。本実施形態では、ユニットUSHS1及びUSHS2が正常に動作するか否かに応じて撮影モードが選択される。
図15を参照しながら第3実施形態を説明する。前述の第1実施形態では、センサ部S1が、第3部分ps3においてユニットUSHS1及びUSHS2を有する構成を例示し、第2実施形態では、撮影条件に応じて撮影モードが選択される態様を例示した。本実施形態では、ユニットUSHS1及びUSHS2が正常に動作するか否かに応じて撮影モードが選択される。
図15は、本実施形態の制御方法を説明するためのフローチャートである。
S1401では、各センサ部S1のユニットUSHS1及びUSHS2が正常に動作するか否かの判断が為され、ユニットUSHS1及びUSHS2の双方が正常に動作する場合にはS1402に進み、そうでない場合にはS1403に進む。
各センサ部S1のユニットUSHS1及びUSHS2が正常に動作するか否かを示すセンサ情報は、例えば放射線撮像システムSYS内の不揮発性メモリ(不図示)に記録ないし格納されており、S1401で該センサ情報を参照すればよい。センサ情報は、予め、撮像装置100を検査することによって得られ、また、その後、定期的に撮像装置100を検査し、その検査結果が所定の基準を満たすか否かに基づいて更新されてもよい。また、センサ情報を不揮発性メモリに記録しないで、例えば放射線撮像システムSYSの起動の際にテスト動作を行ってセンサ情報を取得してもよい。
S1402では、前述の2回のサンプリング駆動SD11及びSD12を行うダイナミックレンジ拡張モードで放射線撮影を行うことを決定する。
S1403では、各センサ部S1のユニットUSHS1及びUSHS2の一方が正常に動作するか否かの判断が為され、ユニットUSHS1及びUSHS2の一方が正常に動作する場合にはS1404に進み、そうでない場合にはS1405に進む。
S1404では、S1403で正常に動作すると判断されたユニットUSHS1及びUSHS2の一方を用いて、参考例(図3参照)の通常モードで放射線撮影を行うことを決定する。例えば、ユニットUSHS1が正常に動作すると判断された場合には、容量CS1で保持された信号レベルVS1と容量CNで保持されたノイズレベルVNとの差(VS1−VN)を、そのセンサ部S1からの画素信号として取得する。
S1405では、センサ部S1からの出力値を0(ゼロ出力)とすることを決定する。なお、ゼロ出力とした場合は、該センサ部S1の出力値を、例えば隣接センサ部S1の出力値を用いて補間してもよい。
前述の信号増幅部1071(図11参照)の構成には、上記選択された撮影モード(ダイナミックレンジ拡張モードおよび通常モードの一方)に対応する読出動作ROが為されるように、例えばスイッチ手段が適用されればよい。
本実施形態では、センサ情報に基づいて、ユニットUSHS1及びUSHS2が正常に動作するか否かを判断し、撮影モードを選択する態様を例示したが、本発明は、この態様に限られるものではない。例えば、各センサ部S1からの信号レベルVS1及びVS2が所定の閾値より大きいか否かに基づいて、ユニットUSHS1及びUSHS2が正常に動作しているか否かを判断してもよい。そして、その判断結果に基づいて、該センサ部S1からの信号レベルVS1及びVS2の双方若しくは一方を用いること、又は、ゼロ出力とすること若しくは該センサ部S1から出力を採用しないことが決定されてもよい。
(第4実施形態)
図16を参照しながら第4実施形態を説明する。前述の第1実施形態では、放射線の照射中に、容量CS1での信号保持を行った後に容量CS2での信号保持を行う態様を例示した。そして、その間(即ち、図9の時刻t112〜t116に相当する時間)にフォトダイオードPDで生じた電荷量はリセットされる。そのため、この間に照射された放射線は画像データの生成に関与しない。
図16を参照しながら第4実施形態を説明する。前述の第1実施形態では、放射線の照射中に、容量CS1での信号保持を行った後に容量CS2での信号保持を行う態様を例示した。そして、その間(即ち、図9の時刻t112〜t116に相当する時間)にフォトダイオードPDで生じた電荷量はリセットされる。そのため、この間に照射された放射線は画像データの生成に関与しない。
図16は、本実施形態のセンサ部S1の駆動方法の例を示している。本実施形態では、時刻t112〜t116で、曝射許可信号114をディセーブルにして放射線の照射を中断ないし中止している点で、第1実施形態(図9参照)と異なる。本実施形態によると、不要な放射線の照射を防ぐことが可能である。
(その他)
以上の4つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、その目的や仕様等に応じて、適宜、その一部を変更し又は組み合わせることが可能であり、他の実施形態によっても為されうる。また、各実施形態の制御方法は、それを実行するためのプログラムを、コンピュータ(CPUやMPU等)が、ネットワーク又は各種記憶媒体を介して読み出して実行することによって為されてもよい。その他、本発明の説明の容易化のために省略された部分は、その目的や仕様等に応じて、適宜、設計されればよい。
以上の4つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、その目的や仕様等に応じて、適宜、その一部を変更し又は組み合わせることが可能であり、他の実施形態によっても為されうる。また、各実施形態の制御方法は、それを実行するためのプログラムを、コンピュータ(CPUやMPU等)が、ネットワーク又は各種記憶媒体を介して読み出して実行することによって為されてもよい。その他、本発明の説明の容易化のために省略された部分は、その目的や仕様等に応じて、適宜、設計されればよい。
Claims (14)
- 複数のセンサ部と制御部とを備える放射線撮像装置であって、
前記複数のセンサ部のそれぞれは、放射線を検出するためのセンサと、前記センサからの信号を保持するための第1の保持部と、前記センサからの信号を保持するための第2の保持部と、を含み、
前記制御部は、前記放射線撮像装置への放射線の照射が開始された後かつ前記放射線の照射が終了する前に、前記センサからの信号を前記第1の保持部に書き込む第1モードから前記センサからの信号を前記第2の保持部に書き込む第2モードにするように前記複数のセンサ部を制御する
ことを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記第1保持部に書き込まれた信号と前記第2保持部に書き込まれた信号との和を算出する演算部をさらに備える
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記複数のセンサ部のそれぞれは、
前記センサをリセットするためのリセット部と、
前記リセット部により前記センサをリセットした際の前記センサからの信号を保持するための第3の保持部と、をさらに含む
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の放射線撮像装置。 - 前記制御部は、予め設定された放射線の照射期間に基づいて、前記第1モードで動作する期間と前記第2モードで動作する期間とが互いに等しくなるように前記複数のセンサ部を制御する
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。 - 前記制御部は、
所定条件を満たす場合に、前記放射線の照射が開始された後かつ前記放射線の照射が終了する前に前記複数のセンサ部を前記第1モードから前記第2モードにし、
前記所定条件を満たさない場合には、前記複数のセンサ部を前記第1モードに維持する
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。 - 1回の放射線の照射による撮影および少なくとも2回の放射線の照射を繰り返す撮影の一方を行うことが可能であり、
前記所定条件は、前記1回の放射線の照射による撮影を行うことを含む
ことを特徴とする請求項5に記載の放射線撮像装置。 - 前記所定条件は、放射線の照射強度が安定するまでの時間が所定時間よりも小さいことを含む
ことを特徴とする請求項5に記載の放射線撮像装置。 - 前記センサは、第1の感度で放射線を検知する第1の検知および前記第1の感度とは異なる第2の感度で放射線を検知する第2の検知の一方を行い、
前記所定条件は、前記センサが第1の検知を行うことを含む
ことを特徴とする請求項5に記載の放射線撮像装置。 - 前記第1の感度は前記第2の感度よりも低い
ことを特徴とする請求項8に記載の放射線撮像装置。 - 前記複数のセンサ部のそれぞれの前記第1の保持部および前記第2の保持部が正常に動作するか否かを示すセンサ情報が記録されたメモリをさらに備え、
前記制御部は、
前記メモリに記録された前記センサ情報を参照し、
前記複数のセンサ部のそれぞれの前記第1の保持部および前記第2の保持部の一方が正常に動作しない場合には、前記第1の保持部および前記第2の保持部の他方に前記センサからの信号を書き込むように前記複数のセンサ部を制御する
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。 - 前記制御部は、前記複数のセンサ部のそれぞれの前記第1の保持部および前記第2の保持部の双方が正常に動作しない場合には、そのセンサ部の出力を0とする
ことを特徴とする請求項10に記載の放射線撮像装置。 - 請求項1乃至11に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する処理部と、
前記放射線撮像装置に放射線を照射するための放射線源と、を具備する、
ことを特徴とする放射線検査装置。 - 複数のセンサ部を備える放射線撮像装置の制御方法であって、
前記複数のセンサ部のそれぞれは、放射線を検出するためのセンサと、前記センサからの信号を保持するための第1の保持部と、前記センサからの信号を保持するための第2の保持部と、を含み、
前記放射線撮像装置の制御方法は、
前記放射線撮像装置への放射線の照射が開始された後かつ前記放射線の照射が終了する前に、前記複数のセンサ部を、前記センサからの信号を前記第1の保持部に書き込む第1モードから前記センサからの信号を前記第2の保持部に書き込む第2モードにする工程を有する、
ことを特徴とする放射線撮像装置の制御方法。 - 請求項13に記載の制御方法の工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
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