JP2015134058A - Game machine - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、スイッチ信号の検出に起因する抽選処理によって大当り状態を発生させる遊技機に関し、特に、遊技実績を長期間にわたって記憶保持できる遊技機に関する。 The present invention relates to a gaming machine that generates a big hit state by a lottery process resulting from detection of a switch signal, and more particularly to a gaming machine that can store and retain gaming results over a long period of time.
パチンコ機などの弾球遊技機は、遊技盤に設けた図柄始動口と、複数の表示図柄による一連の図柄変動態様を表示する画像表示部と、開閉板が開閉される大入賞口などを備えて構成されている。そして、図柄始動口に設けられた検出スイッチが遊技球の通過を検出すると入賞状態となり、遊技球が賞球として払出された後、画像表示部では表示図柄が所定時間変動される。その後、7・7・7などの所定の態様で図柄が停止すると大当り状態となり、大入賞口が繰返し開放されて、遊技者に有利な遊技状態を発生させている。 A ball and ball game machine such as a pachinko machine has a symbol start port provided on the game board, an image display unit for displaying a series of symbol variation modes by a plurality of display symbols, and a grand prize opening for opening and closing the opening and closing plate. Configured. When the detection switch provided at the symbol start port detects the passage of the game ball, the winning state is entered, and after the game ball is paid out as a prize ball, the display symbol is changed for a predetermined time in the image display unit. Thereafter, when the symbol is stopped in a predetermined manner such as 7, 7, 7, etc., a big hit state is established, and the big winning opening is repeatedly opened to generate a gaming state advantageous to the player.
このような遊技状態を発生させるか否かは、図柄始動口に遊技球が入賞したことを条件に実行される大当り抽選で決定されており、画像表示部で実行される画像演出は、この抽選結果を踏まえたものとなっている。例えば、抽選結果が当選状態である場合には、リーチアクションなどと称される画像演出を20秒前後実行し、その後、特別図柄を整列させている。一方、ハズレ状態の場合にも、同様のリーチアクションが実行されることがあり、この場合には、遊技者は、大当り状態になることを強く念じつつ画像演出の推移を注視することになる。そして、画像演出の終了時に、停止ラインに所定図柄が揃えば、大当り状態であることが遊技者に保証されたことになる。 Whether or not to generate such a gaming state is determined by a jackpot lottery executed on condition that a game ball has won a symbol start opening, and the image effect executed by the image display unit is determined by this lottery. Based on the results. For example, when the lottery result is in a winning state, an image effect called reach action or the like is executed for about 20 seconds, and then special symbols are aligned. On the other hand, a similar reach action may be executed even in a lost state. In this case, the player pays close attention to the big hit state and pays close attention to the transition of the image effect. When the predetermined design is aligned with the stop line at the end of the image effect, the player is guaranteed to be in the big hit state.
なお、大当り状態に至るか否かに拘わらず、画像表示部における画像演出時には、遊技者を盛り上げるべく、画像演出に同期したランプ演出や音声演出が実行される。 Note that, regardless of whether or not the big hit state is reached, at the time of the image production in the image display unit, a lamp production and a sound production synchronized with the image production are executed in order to excite the player.
ところで、この種の遊技機は、一般に、遊技制御動作を中心統括的に担う主制御部と、主制御部から受ける制御コマンドに基づいて動作するサブ制御部とで構成されている。そして、サブ制御部には、遊技者に対する払出動作を担当する払出制御部と、画像演出、ランプ演出、音声演出を含んだ各種の演出動作を担当する演出制御部とが含まれている。 By the way, this type of gaming machine is generally composed of a main control unit that is centrally responsible for game control operations and a sub-control unit that operates based on control commands received from the main control unit. The sub-control unit includes a payout control unit in charge of a payout operation for the player and an effect control unit in charge of various effect operations including an image effect, a lamp effect, and a sound effect.
ここで、主制御部や払出制御部にはバックアップ電源が配置されているので、万一、遊技動作中に停電状態となっても、その時の遊技状態が記憶保持される。そのため、停電前の大当り状態が停電によって消滅することがなく、また、払出されるべき賞球が消滅することもなく、遊技者の利益が確実に担保されている。 Here, since the backup power supply is arranged in the main control unit and the payout control unit, even if a power failure occurs during the game operation, the game state at that time is stored and held. Therefore, the big hit state before the power failure does not disappear due to the power failure, and the prize ball to be paid out does not disappear, and the player's profit is surely secured.
但し、そもそも、停電状態は極めて稀にしか発生しないこと、及び、大当り状態などを保存する必要性に比べ、演出動作の保存は、遊技者にとって殆ど価値がないことから、サブ制御部にはバックアップ電源を配置しないのが合理的である。 However, in the first place, a power outage condition occurs very rarely, and the saving of the performance operation is almost worthless for the player compared to the need to save the big hit state etc. It is reasonable not to place a power supply.
しかし、大当り状態の発生頻度や、賞球数の推移など、その遊技機の過去の遊技実績を長期間にわたって蓄積することができれば、これを遊技者に報知することで顧客サービスを向上されることができる。 However, if past gaming achievements of the gaming machine, such as the occurrence frequency of big hits and the transition of the number of prize balls, can be accumulated over a long period of time, customer services can be improved by informing this to the player. Can do.
ここで、書込み可能な不揮発性メモリを、遊技機に配置すること知られているが(特許文献1〜特許文献6)、何れの発明も、フラッシュメモリを使用するものに過ぎない。そのため、フラッシュメモリの宿命として、セクタ単位のデータ消去動作や、その他、データ書込み動作の特殊性から、通常のRAMと同等の手順でランダムアクセスできないという問題がある。しかも、通常のRAMとは電源電圧が異なる専用のアクセス回路を設ける必要があり、機器構成が複雑化する上に、製造コストも上昇するという致命的な問題もあった。
Here, it is known that a writable nonvolatile memory is arranged in a gaming machine (
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、機器構成を複雑化することなく、遊技実績を長期間にわたって記憶保持できる遊技機を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a gaming machine that can store and retain game results over a long period of time without complicating the device configuration.
上記の目的を達成するため、本発明は、遊技動作を中心統括的に制御する主制御手段と、主制御手段から受けた制御コマンドに基づいて制御動作を実行するサブ制御手段を設けた遊技機であって、前記主制御手段、及び/又は、サブ制御手段には、ランダムアクセス可能で書込み動作と読出し動作とが実行可能な不揮発性メモリが配置されており、前記不揮発性メモリには、その遊技機の遊技実績を示すデータが、不揮発的に記憶されるよう構成されている。 In order to achieve the above object, the present invention provides a gaming machine provided with main control means for centrally controlling game operations and sub-control means for executing control operations based on control commands received from the main control means. The main control means and / or the sub-control means is provided with a non-volatile memory that can be randomly accessed and can perform a write operation and a read operation. Data indicating the gaming performance of the gaming machine is configured to be stored in a nonvolatile manner.
ここで、前記不揮発性メモリは、単一電源で機能するよう構成されているのが好ましく、サブ制御手段に配置された不揮発性メモリには、遊技者に払出された遊技媒体に関する履歴情報が記憶され、必要時に、これが遊技者に報知されるよう構成されているのが好ましい。また、サブ制御手段に配置された不揮発性メモリには、遊技者に有利な遊技状態に関する履歴情報が記憶され、必要時に、これが遊技者に報知されるよう構成されているのも好適である。 Here, it is preferable that the non-volatile memory is configured to function with a single power source, and the non-volatile memory arranged in the sub-control unit stores history information regarding the game medium paid out to the player. It is preferable that the player is informed of this when necessary. Further, it is also preferable that the non-volatile memory arranged in the sub-control means stores history information relating to a gaming state advantageous to the player, and notifies the player of this when necessary.
一方、サブ制御手段に配置された不揮発性メモリには、遊技機に配置された異常検知センサの異常検出に関する履歴情報が記憶され、必要時に、これが係員に報知されるよう構成されているのも好適である。 On the other hand, the non-volatile memory arranged in the sub-control means stores the history information related to the abnormality detection of the abnormality detection sensor arranged in the gaming machine, and is configured to notify the staff when necessary. Is preferred.
何れにしても、遊技媒体に関する履歴情報、遊技者に有利な遊技状態に関する履歴情報、又は、異常検出の履歴情報は、年月日及び時刻情報を特定して記憶されているのが好ましい。 In any case, it is preferable that the history information about the game medium, the history information about the gaming state advantageous to the player, or the history information of abnormality detection is stored by specifying the date and time information.
また、前記サブ制御手段は、遊技媒体に関わる払出制御手段と、演出動作に関わる演出制御手段が含まれており、払出制御手段には、シリアル方式で受けるアドレスデータと書込みデータとに基づいて、書込み動作を実行する不揮発性メモリが配置されているのが好適である。この場合、前記演出制御手段は、払出制御手段の不揮発性メモリをアクセスして、その不揮発性メモリの記憶データを読み出し可能に構成されているのが好ましい。 The sub-control means includes a payout control means related to the game medium and an effect control means related to the effect operation. The payout control means is based on address data and write data received in a serial manner. A non-volatile memory that performs a write operation is preferably arranged. In this case, it is preferable that the production control means is configured to be able to access the non-volatile memory of the payout control means and read data stored in the non-volatile memory.
前記主制御手段、及び/又は、サブ制御手段に配置される前記不揮発性メモリは、特別のアクセス回路を設けることなく、ランダムアクセスされるのが好ましく、具体的には、強誘電体メモリ又は磁気抵抗メモリを使用するのが好適である。 The non-volatile memory arranged in the main control means and / or the sub-control means is preferably randomly accessed without providing a special access circuit, specifically, a ferroelectric memory or a magnetic It is preferred to use a resistive memory.
上記した本発明の遊技機によれば、機器構成を複雑化することなく、遊技実績を長期間にわたって記憶保持できる遊技機を実現することができる。 According to the gaming machine of the present invention described above, it is possible to realize a gaming machine that can store and retain gaming results over a long period of time without complicating the device configuration.
以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。図1は、本実施例のパチンコ機GMを示す斜視図である。このパチンコ機GMは、島構造体に着脱可能に装着される矩形枠状の木製外枠1と、外枠1に固着されたヒンジ2を介して開閉可能に枢着される前枠3とで構成されている。この前枠3には、遊技盤5が、裏側からではなく、表側から着脱自在に装着され、その前側には、ガラス扉6と前面板7とが夫々開閉自在に枢着されている。
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples. FIG. 1 is a perspective view showing a pachinko machine GM of the present embodiment. This pachinko machine GM includes a rectangular frame-shaped wooden
ガラス扉6の外周には、LEDランプなどによる電飾ランプが、略C字状に配置されている。一方、ガラス扉6の上部左右位置と下側には、全3個のスピーカが配置されている。上部に配置された2個のスピーカは、各々、左右チャネルR,Lの音声を出力し、下側のスピーカは重低音を出力するよう構成されている。
On the outer periphery of the
前面板7には、発射用の遊技球を貯留する上皿8が装着され、前枠3の下部には、上皿8から溢れ出し又は抜き取った遊技球を貯留する下皿9と、発射ハンドル10とが設けられている。発射ハンドル10は発射モータと連動しており、発射ハンドル10の回動角度に応じて動作する打撃槌によって遊技球が発射される。
The
上皿8の外周面には、チャンスボタン11が設けられている。このチャンスボタン11は、遊技者の左手で操作できる位置に設けられており、遊技者は、発射ハンドル10から右手を離すことなくチャンスボタン11を操作できる。このチャンスボタン11は、通常時には機能していないが、ゲーム状態がボタンチャンス状態となると内蔵ランプが点灯されて操作可能となる。なお、ボタンチャンス状態は、必要に応じて設けられるゲーム状態である。
A
上皿8の右部には、カード式球貸し機に対する球貸し操作用の操作パネル12が設けられ、カード残額を3桁の数字で表示する度数表示部と、所定金額分の遊技球の球貸しを指示する球貸しスイッチと、ゲーム終了時にカードの返却を指令する返却スイッチとが設けられている。
On the right side of the
図2に示すように、遊技盤5の表面には、金属製の外レールと内レールとからなるガイドレール13が環状に設けられ、その略中央には、中央開口HOが設けられている。そして、中央開口HOには、大型の液晶カラーディスプレイ(LCD)で構成された表示装置DSが配置されている。
As shown in FIG. 2, a
表示装置DSは、大当り状態に係わる特定図柄を変動表示すると共に背景画像や各種のキャラクタなどをアニメーション的に表示する装置である。この表示装置DSは、中央部に特別図柄表示部Da〜Dcと右上部に普通図柄表示部19とを有している。そして、特別図柄表示部Da〜Dcでは、大当り状態の招来を期待させるリーチ演出が実行されることがあり、特別図柄表示部Da〜Dc及びその周りでは、適宜な予告演出などが実行される。
The display device DS is a device that variably displays a specific symbol related to the big hit state and displays a background image and various characters in an animated manner. This display device DS has special symbol display portions Da to Dc in the center portion and a normal
遊技球が落下移動する遊技領域には、図柄始動口15、大入賞口16、普通入賞口17、及び、ゲート18が配設されている。これらの入賞口15〜18は、それぞれ内部に検出スイッチを有しており、遊技球の通過を検出できるようになっている。
In the game area where the game ball falls and moves, a
図柄始動口15は、左右一対の開閉爪15aを備えた電動式チューリップで開閉されるように構成され、普通図柄表示部19の変動後の停止図柄が当り図柄を表示した場合には、所定時間だけ、若しくは、所定個数の遊技球を検出するまで、開閉爪15aが開放されるようになっている。
The symbol start
なお、普通図柄表示部19は、普通図柄を表示するものであり、ゲート18を通過した遊技球が検出されると、普通図柄が所定時間だけ変動し、遊技球のゲート18の通過時点において抽出された抽選用乱数値により決定される停止図柄を表示して停止する。
The normal
大入賞口16は、前後方向に進退する開閉板16aを有して構成されている。大入賞口16の動作は、特に限定されないが、典型的な大当り状態では、大入賞口16の開閉板16aが開放された後、所定時間が経過し、又は所定数(例えば10個)の遊技球が入賞すると開閉板16aが閉じる。このような動作は、最大で例えば15回まで継続され、遊技者に有利な状態に制御される。なお、特別図柄表示部Da〜Dcの変動後の停止図柄が特別図柄のうちの特定図柄であった場合には、特別遊技の終了後のゲームが高確率状態(確変状態)となるという特典が付与される。
The special winning
図3は、上記した各動作を実現するパチンコ機GMの全体回路構成を示すブロック図である。図示の通り、このパチンコ機GMは、AC24Vを受けて各種の直流電圧や、電源異常信号ABN1、ABN2やシステムリセット信号(電源リセット信号)SYSなどを出力する電源基板20と、遊技制御動作を中心統括的に担う主制御基板21と、主制御基板21から受けた制御コマンドCMDに基づいてランプ演出及び音声演出を実行する演出制御基板22と、演出制御基板22から受けた制御コマンドCMD’に基づいて表示装置DSを駆動する画像制御基板23と、主制御基板21から受けた制御コマンドCMD”に基づいて払出モータMを制御して遊技球を払い出す払出制御基板24と、遊技者の操作に応答して遊技球を発射させる発射制御基板25と、を中心に構成されている。
FIG. 3 is a block diagram showing an overall circuit configuration of the pachinko machine GM that realizes the above-described operations. As shown in the figure, this pachinko machine GM mainly receives a 24V AC and outputs various DC voltages, power supply abnormality signals ABN1, ABN2, a system reset signal (power reset signal) SYS, and the like, and a game control operation. Based on the
但し、この実施例では、主制御基板21が出力する制御コマンドCMDは、コマンド中継基板26と演出インタフェイス基板27を経由して、演出制御基板22に伝送される。また、演出制御基板22が出力する制御コマンドCMD’は、演出インタフェイス基板27と画像インタフェイス基板28を経由して、画像制御基板23に伝送され、主制御基板21が出力する制御コマンドCMD”は、主基板中継基板32を経由して、払出制御基板24に伝送される。制御コマンドCMD,CMD’,CMD”は、何れも16ビット長であるが、主制御基板21や払出制御基板24が関係する制御コマンドは、8ビット長毎に2回に分けてパラレル送信されている。一方、演出制御基板22から画像制御基板23に伝送される制御コマンドCMD’は、16ビット長をまとめてパラレル伝送されている。そのため、可動予告演出を含む予告演出を、多様化して多数の制御コマンドを連続的に送受信するような場合でも、迅速にその処理を終えることができ、他の制御動作に支障を与えない。
However, in this embodiment, the control command CMD output from the
ところで、本実施例では、演出インタフェイス基板27と演出制御基板22とは、配線ケーブルを経由することなく、雄型コネクタと雌型コネクタとを直結されて二枚の回路基板が積層されている。同様に、画像インタフェイス基板28と画像制御基板23についても、配線ケーブルを経由することなく、雄型コネクタと雌型コネクタとを直結されて二枚の回路基板が積層されている。そのため、各電子回路の回路構成を複雑高度化しても基板全体の収納空間を最小化できると共に、接続ラインを最短化することで耐ノイズ性を高めることができる。
By the way, in the present embodiment, the
これら主制御基板21、演出制御基板22、画像制御基板23、及び払出制御基板24には、ワンチップマイコンを備えるコンピュータ回路がそれぞれ搭載されている。そこで、これらの制御基板21〜24とインタフェイス基板27〜28に搭載された回路、及びその回路によって実現される動作を機能的に総称して、本明細書では、主制御部21、演出制御部22’、画像制御部23’、及び払出制御部24と言うことがある。すなわち、この実施例では、演出制御基板22と演出インタフェイス基板27とで演出制御部22’を構成し、画像制御基板23と画像インタフェイス基板28とで画像制御部23’を構成している。なお、演出制御部22’、画像制御部23’、及び払出制御部24の全部又は一部がサブ制御部である。
The
また、このパチンコ機GMは、図3の破線で囲む枠側部材GM1と、遊技盤5の背面に固定された盤側部材GM2とに大別されている。枠側部材GM1には、ガラス扉6や前面板7が枢着された前枠3と、その外側の木製外枠1とが含まれており、機種の変更に拘わらず、長期間にわたって遊技ホールに固定的に設置される。一方、盤側部材GM2は、機種変更に対応して交換され、新たな盤側部材GM2が、元の盤側部材の代わりに枠側部材GM1に取り付けられる。なお、枠側部材1を除く全てが、盤側部材GM2である。
The pachinko machine GM is roughly divided into a frame side member GM1 surrounded by a broken line in FIG. 3 and a board side member GM2 fixed to the back of the
図3の破線枠に示す通り、枠側部材GM1には、電源基板20と、払出制御基板24と、発射制御基板25と、枠中継基板35と、ランプ駆動基板36とが含まれており、これらの回路基板が、前枠3の適所に各々固定されている。
As shown in the broken line frame in FIG. 3, the frame side member GM1 includes a
図示の通り、電源基板20は、接続コネクタC2を通して、主基板中継基板32に接続され、接続コネクタC3を通して、電源中継基板33に接続されている。電源基板20には、交流電源の投入と遮断とを監視する電源監視部MNTが設けられている。電源監視部MNTは、交流電源が投入されたことを検知すると、所定時間だけシステムリセット信号SYSをLレベルに維持した後に、これをHレベルに遷移させる。
As illustrated, the
また、電源監視部MNTは、交流電源の遮断を検知すると、電源異常信号ABN1,ABN2を、直ちにLレベルに遷移させる。なお、電源異常信号ABN1,ABN2は、電源投入後に速やかにHレベルとなる。 Further, when power supply monitoring unit MNT detects the interruption of the AC power supply, power supply abnormality signals ABN1 and ABN2 are immediately shifted to the L level. The power supply abnormality signals ABN1 and ABN2 quickly become H level after the power is turned on.
ところで、本実施例のシステムリセット信号は、交流電源に基づく直流電源によって生成されている。そのため、交流電源の投入(通常は電源スイッチのON)を検知してHレベルに増加した後は、直流電源電圧が異常レベルまで低下しない限り、Hレベルを維持する。したがって、直流電源電圧が維持された状態で、交流電源が瞬停状態となっても、システムリセット信号SYSがCPUをリセットすることはない。なお、電源異常信号ABN1,ABN2は、交流電源の瞬停状態でも出力される。 Incidentally, the system reset signal of this embodiment is generated by a DC power supply based on an AC power supply. For this reason, after detecting the turning-on of the AC power supply (usually turning on the power switch) and increasing it to the H level, the H level is maintained unless the DC power supply voltage drops to an abnormal level. Therefore, even if the AC power supply is in an instantaneous power interruption state while the DC power supply voltage is maintained, the system reset signal SYS does not reset the CPU. The power supply abnormality signals ABN1 and ABN2 are also output even when the AC power supply is instantaneously stopped.
電源基板20が出力するシステムリセット信号SYSは、電源基板20に交流電源24Vが投入されたことを示す電源リセット信号であり、この電源リセット信号によって演出制御部22’と画像制御部23’のワンチップマイコンは、その他のIC素子と共に電源リセットされるようになっている。
The system reset signal SYS output from the
但し、このシステムリセット信号SYSは、主制御部21と払出制御部24には、供給されておらず、各々の回路基板21,24のリセット回路RSTにおいて電源リセット信号(CPUリセット信号)が生成されている。そのため、例えば、接続コネクタC2がガタついたり、或いは、配線ケーブルにノイズが重畳しても、主制御部21や払出制御部24のCPUが異常リセットされるおそれはない。なお、演出制御部22’と画像制御部23’は、主制御部21からの制御コマンドに基づいて、従属的に演出動作を実行することから、回路構成の複雑化を回避するために、電源基板20から出力されるシステムリセット信号SYSを利用している。
However, the system reset signal SYS is not supplied to the
図3に示す通り、払出制御基板24は、中継基板を経由することなく、電源基板20に直結されており、主制御部21が受けると同様の電源異常信号ABN2や、バックアップ電源BAKを、その他の電源電圧と共に直接的に受けている。なお、主制御部21や払出制御部24に設けられたリセット回路RSTは、各々ウォッチドッグタイマを内蔵しており、各制御部21,24のCPUから、定時的なクリアパルスを受けない限り、各CPUは強制的にリセットされる。
As shown in FIG. 3, the
ところで、本実施例の払出制御部24には、強誘電体メモリ回路37が配置されている。ここで、強誘電体メモリ(Ferroelectric Random Access Memory)とは、強誘電体の分極を利用した不揮発性メモリであって、この実施例では、単一電源で動作して、ランダムアクセス可能でRead/Write可能な記憶素子を使用している。そのため、フラッシュメモリを搭載する場合のように回路構成やプログラム処理が複雑化することがない。
Incidentally, a
そして、この実施例では、強誘電体メモリFeRAMに、一日分の賞球実績を記憶する構成を採るので、16Kバイト(=16,384バイト)の記憶容量の素子を使用し、また、SPI(Serial Peripheral Interface )方式で動作する素子を採用している。そのため、メモリ容量が法的に規制されるこの種遊技機の払出制御部において、払出制御部24のSRAMやROMの記憶容量が、強誘電体メモリFeRAMによって侵食されることがなく、本来の払出制御動作に支障を与えることがない。
In this embodiment, since the ferroelectric memory FeRAM is configured to store the prize ball results for one day, an element having a storage capacity of 16 Kbytes (= 16,384 bytes) is used. Elements that operate using the (Serial Peripheral Interface) method are adopted. Therefore, in the payout control unit of this kind of gaming machine in which the memory capacity is legally restricted, the storage capacity of the SRAM or ROM of the
また、この強誘電体メモリFeRAMは、払出制御部24のワンチップマイコンからアクセス(Write)できると共に、演出制御部22のワンチップマイコンからもアクセス(Read)可能に構成されている。すなわち、図3に示す通り、演出制御部22のワンチップマイコンは、演出インタフェイス基板27、枠中継基板34、及び、枠中継基板35を経由して、強誘電体メモリ回路37に対して、双方向通信可能に接続されている。
The ferroelectric memory FeRAM is configured to be accessible from the one-chip microcomputer of the
そのため、強誘電体メモリFeRAMに記憶された賞球実績などのデータは、演出制御部22が、必要なタイミングで把握することができ、演出制御部22において、適宜な集計処理や統計処理を施すことができる。また、本実施例において、払出制御部24に付加される作業は、払出に関わる賞球データを、強誘電体メモリFeRAMに記憶(Write)するだけであるので、短時間に処理を終えることができ、本来の払出制御に事実上全く影響を与えない。但し、特にWrite動作に限定されるものではなく、強誘電体メモリFeRAMに対するRead動作を付加しても良い。
Therefore, the data such as the result of the winning ball stored in the ferroelectric memory FeRAM can be grasped by the
一方、本実施例において、演出制御部22の動作は、強誘電体メモリFeRAMのReadアクセスに制限されており、強誘電体メモリFeRAMへのWriteアクセスを禁止することでセキュリティ上の問題発生を未然防止している。
On the other hand, in the present embodiment, the operation of the
図4(a)は、強誘電体メモリ回路37と、払出制御部24のワンチップマイコン及び演出制御部22のワンチップマイコンとの接続関係を示す回路図である。なお、払出制御部24のワンチップマイコンについては、パラレル出力ポートPARAaOUTと、パラレル入力ポートPARAaINと、シリアルポートSERIaのみを記載し、演出制御部22のワンチップマイコンについても、パラレル出力ポートPARAbOUTと、パラレル入力ポートPARAbINと、シリアルポートSERIbのみを記載している。なお、特に限定されないが、この実施例では、払出制御部24のシリアルポートSERIaは、シリアル出力動作(メモリWrite)のみを実行し、演出制御部22のシリアルポートSERIbは、シリアル出力動作(OUT)とシリアル入力動作(IN)を実行するのは前述した通りである。
FIG. 4A is a circuit diagram showing a connection relationship between the
強誘電体メモリ回路37は、SPI方式で動作する強誘電体メモリFeRAMと、合計6ビットのシリアル信号を1/2選択して3ビット長のシリアル信号を出力する選択回路SELと、選択回路SELの選択動作を規定する制御信号SELECTを生成するアクセス制御回路DETとを有して構成されている。図示の通り、強誘電体メモリ回路37は、演出制御部22及び払出制御部24から各々3ビットの信号(CSバー,So,CK)を受けている。
The
図5は、SPI方式で動作する強誘電体メモリFeRAMの内部構成を示すブロック図である。この強誘電体メモリFeRAMは、チップセレクト端子CSバーがLレベルの状態でアクティブとなり、シリアル入力端子Siにシリアルデータを受け、クロック端子CKに伝送クロックSCKを受けると、伝送クロックSCKに同期してシリアルデータが1ビットずつ取得されるよう構成されている。 FIG. 5 is a block diagram showing an internal configuration of the ferroelectric memory FeRAM operating in the SPI system. This ferroelectric memory FeRAM becomes active when the chip select terminal CS bar is at the L level, receives serial data from the serial input terminal Si, and receives the transmission clock SCK from the clock terminal CK, in synchronization with the transmission clock SCK. The serial data is acquired bit by bit.
強誘電体メモリFeRAMが取得するシリアルデータには、8ビット長の動作指示コマンドと、16ビット長のアドレスデータと、が含まれ、動作指示コマンドには、メモリWrite動作を許可するSWE(Set Write Enable)コマンド(06H)と、メモリWrite動作を禁止するRWE(Reset Write Enable)コマンド(04H)と、メモリ書込み動作を指示するWRITEコマンド(02H)と、メモリ読出し動作を指示するREADコマンド(=03H)とが含まれている。 The serial data acquired by the ferroelectric memory FeRAM includes an 8-bit operation instruction command and 16-bit address data. The operation instruction command includes a SWE (Set Write) that permits a memory write operation. (Enable) command (06H), RWE (Reset Write Enable) command (04H) for prohibiting memory write operation, WRITE command (02H) for instructing memory write operation, and READ command (= 03H for instructing memory read operation) ) And are included.
そして、メモリ書込み動作時には、SWEコマンドを先行させた後、WRITEコマンド(8ビット)とアドレスデータ(16ビット)とを供給して、書込み先アドレスを特定し、その後に書込みデータを供給することになる。 In the memory write operation, the SWE command is preceded, the WRITE command (8 bits) and address data (16 bits) are supplied, the write destination address is specified, and then the write data is supplied. Become.
図7(a)は、SWEコマンド(=06H)の書込み時の動作を示すタイムチャートである。図示の通り、チップセレクト信号CSバーがアクティブレベル(L)の状態で、MSB(Most Significant Bit)からLSB(Least Significant Bit )に向けて8ビット長のSWEコマンドを伝送する。そして、各ビットデータは、伝送クロックSCKの立上りに同期して、強誘電体メモリFeRAM(図5のコントロール回路の内部レジスタ)に取得され、その結果、強誘電体メモリFeRAMに対して、メモリWrite動作が可能となる。 FIG. 7A is a time chart showing the operation at the time of writing the SWE command (= 06H). As shown in the drawing, an 8-bit SWE command is transmitted from the MSB (Most Significant Bit) to the LSB (Least Significant Bit) while the chip select signal CS bar is at the active level (L). Each bit data is acquired in the ferroelectric memory FeRAM (internal register of the control circuit in FIG. 5) in synchronization with the rising of the transmission clock SCK. As a result, the memory write is performed on the ferroelectric memory FeRAM. Operation is possible.
図7(d)は、図7(a)の動作後に実行されるメモリWrite動作を説明するタイムチャートである。図示の通り、チップセレクト信号CSバーがアクティブレベル(L)の状態で、WRITEコマンド(=02H)とアドレスデータとが、各々、MSBからLSBに向けて伝送クロックSCKに同期して供給される。なお、実施例のFeRAMの記憶容量は、16Kバイト(=16,384)であるので、アドレスデータの上位2ビットはダミーデータ(×)である。 FIG. 7D is a time chart for explaining the memory write operation executed after the operation of FIG. As shown in the figure, while the chip select signal CS bar is at the active level (L), the WRITE command (= 02H) and the address data are supplied from the MSB to the LSB in synchronization with the transmission clock SCK. Since the storage capacity of the FeRAM in the embodiment is 16 Kbytes (= 16,384), the upper 2 bits of the address data are dummy data (×).
また、図7(d)の記載では、書込みデータが8ビットで終わっているが、その後も書き込みデータのシリアル伝送を継続させると、最初に指定したアドレスが順次更新されて(自動インクリメント)、一連のメモリ領域への書込み動作が継続される。そして、チップセレクト信号CSバーを非アクティブレベル(H)に戻すと、その後は、自動的に、メモリWrite動作の禁止状態となる。したがって、本実施例によれば、ノイズなどの影響で、メモリの内容が無闇に書き換えられる誤動作が回避される。 In the description of FIG. 7D, the write data ends with 8 bits. However, if serial transmission of the write data is continued thereafter, the first designated address is sequentially updated (automatic increment), and a series of The write operation to the memory area is continued. When the chip select signal CS bar is returned to the inactive level (H), thereafter, the memory write operation is automatically prohibited. Therefore, according to the present embodiment, malfunctions in which the contents of the memory are rewritten without influence due to noise or the like are avoided.
図7(c)は、メモリRead動作を説明するタイムチャートであり、チップセレクト信号CSバーがアクティブレベル(L)の状態で、READコマンド(=03H)とアドレスデータとが、各々、MSBからLSBに向けて伝送クロックSCKに同期して供給される状態を示している。ここでもRead動作が8ビットで終わっているが、その後も伝送クロックSCKの供給を継続させると、最初に指定したアドレスが順次更新されて、一連のメモリ領域からの読み出し動作が継続される。そして、必要な読出し動作が終われば、チップセレクト信号CSバーを非アクティブレベル(H)に戻すことになる。 FIG. 7C is a time chart for explaining the memory read operation. When the chip select signal CS bar is at the active level (L), the READ command (= 03H) and the address data are transmitted from the MSB to the LSB, respectively. A state in which the signal is supplied in synchronization with the transmission clock SCK is shown. Here, the Read operation ends with 8 bits. However, if the supply of the transmission clock SCK is continued thereafter, the first designated address is sequentially updated, and the read operation from the series of memory areas is continued. When the necessary read operation is completed, the chip select signal CS bar is returned to the inactive level (H).
一方、図7(b)は、RWEコマンド(=04H)の書込み時の動作を示すタイムチャートである。強誘電体メモリFeRAMは、RWEコマンドを取得した後、メモリWrite動作が禁止状態となるので、必要時に、RWEコマンドの書込み動作を実行することで、メモリの内容が誤って書き換えられる誤動作を未然防止することができる。但し、本実施例では、電源リセット時や、WRITEコマンド(=02H)が実行された後、チップセレクト信号CSバーが非アクティブレベルに戻ると、メモリWrite動作が自動的に禁止状態なるよう構成されているので、RWEコマンド(=04H)の実行は必ずしも必須ではない。なお、メモリWrite禁止状態でもメモリRead動作が禁止されないのは勿論である。 On the other hand, FIG. 7B is a time chart showing the operation at the time of writing the RWE command (= 04H). In the ferroelectric memory FeRAM, since the memory write operation is disabled after acquiring the RWE command, a write operation of the RWE command is executed when necessary to prevent a malfunction in which the contents of the memory are erroneously rewritten. can do. However, in this embodiment, the memory write operation is automatically disabled when the chip select signal CS bar returns to the inactive level after power reset or after the WRITE command (= 02H) is executed. Therefore, execution of the RWE command (= 04H) is not always essential. Of course, the memory read operation is not prohibited even in the memory write prohibited state.
以上、強誘電体メモリFeRAMについて詳細に説明したので、図4(a)に戻って、強誘電体メモリ回路37の回路構成について説明を続ける。選択回路SELは、例えば、SN74157(Quad 2-line to 1-line data selectors)などの汎用ICを使用して構成される。そして、制御信号SELECT=Hレベルの場合には、払出制御部24からの3ビット長のAグループ信号が選択され、制御信号SELECT=Lレベルの場合には、演出制御部22からの3ビット長のBグループ信号が選択されて、Y信号として出力されるよう回路接続されている。なお、ストローブ端子Gはグランドレベルであり、この選択回路SELは、常に動作可能状態となっている。
As described above, the ferroelectric memory FeRAM has been described in detail. Returning to FIG. 4A, the description of the circuit configuration of the
選択回路SELで選択される3ビット長の信号は、強誘電体メモリFeRAMをアクティブにするためのチップセレクト信号CSバーと、シリアル伝送タイミングを規定する伝送クロックSCKと、シリアル入力信号SIである。ここで、シリアル入力信号SIは、強誘電体メモリFeRAMの動作を規定する動作指示コマンドと、メモリアクセス番地を規定するアドレスデータと、書込みデータとを連結したシリアルデータである。なお、強誘電体メモリFeRAMのシリアル出力端子SOからは、メモリREADコマンド(=03H)を受けた場合に、アドレスデータで規定される番地からの読出しデータが、伝送クロックSCKに同期してシリアル出力される。 The 3-bit signal selected by the selection circuit SEL is a chip select signal CS bar for activating the ferroelectric memory FeRAM, a transmission clock SCK defining serial transmission timing, and a serial input signal SI. Here, the serial input signal SI is serial data obtained by connecting an operation instruction command that defines the operation of the ferroelectric memory FeRAM, address data that defines a memory access address, and write data. When a memory READ command (= 03H) is received from the serial output terminal SO of the ferroelectric memory FeRAM, read data from the address defined by the address data is serially output in synchronization with the transmission clock SCK. Is done.
図示の通り、払出制御部24及び演出制御部22のパラレル出力ポートPARAaOUT及びPARAbOUTからアクセス制御回路DETに対して、強誘電体メモリFeRAMのアクセス許可を要求するListen信号と、アクセス制御回路DETを初期状態に戻すためのCLR信号とが供給されている。
As shown in the figure, the Listen signal requesting access permission of the ferroelectric memory FeRAM from the parallel output ports PARAa OUT and PARAb OUT of the
図4(b)に示す通り、Listen信号及びCLR信号は、所定パルス幅の正論理パルスである。なお、図4(a)では、回路構成を簡素化するため、CLRパルスを、払出制御部24や演出制御部22のCPUが生成しているが、実際には、ワンショットマルチバイブレータ(1-shot Multi)などによってCLRパルスを自動生成する構成を採ることで、ソフトウェア負担が軽減化される(図4(a)の破線部参照)。
As shown in FIG. 4B, the Listen signal and the CLR signal are positive logic pulses having a predetermined pulse width. In FIG. 4A, in order to simplify the circuit configuration, the CLR pulse is generated by the CPU of the
何れにしても、払出制御部24及び演出制御部22のパラレル出力ポートPARAaOUT及びPARAbOUTから選択回路SELに対して、強誘電体メモリFeRAMのチップセレクト信号CSaバー及びCSbバーが供給されている。なお、チップセレクト信号CSaバー(CSbバー)は、所定パルス幅の負論理パルスである。
In any case, chip select signals CSa and CSb of the ferroelectric memory FeRAM are supplied from the parallel output ports PARAa OUT and PARAb OUT of the
一方、パラレル入力ポートPARAaIN及びPARAbINには、アクセス制御回路DETからResponse信号が供給されている。ここで、Response信号は、アクセス許可要求(Listen信号)に対する回答信号であり、Response信号=Hレベルでアクセス許可、Response信号=Lレベルでアクセス不許可を意味する(図4(b)参照)。 On the other hand, a response signal is supplied from the access control circuit DET to the parallel input ports PARAa IN and PARAb IN . Here, the Response signal is a response signal to the access permission request (Listen signal), and means that access is permitted when the Response signal = H level, and access is not permitted when the Response signal = L level (see FIG. 4B).
また、シリアルポートSERIa及びSERIbから選択回路SELに対して、クロック信号CKa,CKbと、シリアル信号Soa,Sobが供給されている。ここで、クロック信号CKa,CKbは、何れか一方が選択されて、伝送クロックSCKとして強誘電体メモリFeRAMのクロック端子SCKに供給される。また、シリアル信号Soa,Sobの何れか一方が選択されて、強誘電体メモリFeRAMのシリアル入力端子SIに供給される。したがって、各シリアルポートSERIa,SERIbから出力されるシリアル信号Soa,Sobは、強誘電体メモリFeRAMにとってのシリアル入力信号SIとなる。 Further, clock signals CKa and CKb and serial signals Soa and Sob are supplied from the serial ports SERIa and SERIb to the selection circuit SEL. Here, one of the clock signals CKa and CKb is selected and supplied to the clock terminal SCK of the ferroelectric memory FeRAM as the transmission clock SCK. One of the serial signals Soa and Sob is selected and supplied to the serial input terminal SI of the ferroelectric memory FeRAM. Therefore, the serial signals Soa and Sob output from the serial ports SERIa and SERIb are serial input signals SI for the ferroelectric memory FeRAM.
先に説明した通り、メモリWrite時のシリアル入力信号SIは、メモリWrite動作を許可設定するSWEコマンド(06H)と、メモリWrite動作を指示するWRITEコマンド(02H)と、メモリアクセス番地を規定するアドレスデータと、一連の書込みデータと、を連結した一群のシリアルデータである。 As described above, the serial input signal SI at the time of the memory write includes the SWE command (06H) for permitting the memory write operation, the WRITE command (02H) for instructing the memory write operation, and an address for specifying the memory access address. A group of serial data obtained by concatenating data and a series of write data.
一方、メモリRead時のシリアル入力信号SIは、メモリRead動作を指示するREADコマンド(03H)と、メモリアクセス番地を規定するアドレスデータと、を連結したシリアルデータ(8+16ビット長)である。なお、強誘電体メモリFeRAMのシリアル出力端子SOからは、READコマンド(03H)を受けた場合に、アドレスデータで規定される番地からの読出しデータが、伝送クロックSCKに同期してシリアル出力される。 On the other hand, the serial input signal SI at the time of memory read is serial data (8 + 16 bit length) obtained by concatenating a READ command (03H) for instructing a memory read operation and address data defining a memory access address. When a READ command (03H) is received from the serial output terminal SO of the ferroelectric memory FeRAM, read data from the address defined by the address data is serially output in synchronization with the transmission clock SCK. .
次に、アクセス制御回路DETについて説明する。図4(a)に示す通り、アクセス制御回路DETは、2つのD型フリップフロップFF1,FF2と、各種のゲートG1〜G8を組み合わせて構成されている。各フリップフロップFF1,FF2において、D入力端子にはQバー出力が各々帰還されており、各フリップフロップFF1,FF2は、クロック端子CKへの入力信号の立上りエッジに同期してトグル動作を実行するよう構成されている。 Next, the access control circuit DET will be described. As shown in FIG. 4A, the access control circuit DET is configured by combining two D-type flip-flops FF1 and FF2 and various gates G1 to G8. In each flip-flop FF1, FF2, the Q bar output is fed back to the D input terminal, and each flip-flop FF1, FF2 executes a toggle operation in synchronization with the rising edge of the input signal to the clock terminal CK. It is configured as follows.
また、フリップフロップFF1,FF2のクリア端子CLRには、NORゲートG4を経由して、払出制御部24や演出制御部22のパラレルポートPARAOUTから出力される正論理のCLR信号(CLRaパルス、CLRbパルス)が供給されており、何れかのCLR信号に基づいてフリップフロップFF1,FF2がクリア状態となる。
Further, the positive logic CLR signals (CLRa pulse, CLRb) output from the parallel port PARA OUT of the
図示の通り、フリップフロップFF1のQa出力は、NANDゲートG6に供給される一方、フリップフロップFF2のQb出力は、NOTゲートG5を経由してNANDゲートG6に供給されている。ここで、NANDゲートG6の出力は、選択回路SELに対する制御信号SELECTであり、上記の構成に基づき、Qa出力がHレベルで、且つ、Qb出力がLレベルの場合に限り、制御信号SELECTがLレベルとなり、それ以外は、制御信号SELECTがHレベルとなる。 As shown, the Qa output of the flip-flop FF1 is supplied to the NAND gate G6, while the Qb output of the flip-flop FF2 is supplied to the NAND gate G6 via the NOT gate G5. Here, the output of the NAND gate G6 is a control signal SELECT for the selection circuit SEL. Based on the above configuration, the control signal SELECT is L only when the Qa output is H level and the Qb output is L level. Otherwise, the control signal SELECT becomes H level.
先に説明した通り、制御信号SELECT=Hレベルの場合には、払出制御部24からの3ビット長のAグループ信号が選択されて、Y信号として選択回路SELから出力される。そのため、本実施例では、フリップフロップFF1のQa出力がHレベルで、且つ、フリップフロップFF2のQb出力がLレベルの場合に限り、払出制御部24からの3ビット長のAグループ信号が強誘電体メモリFeRAMに供給され、それ以外のタイミングでは、演出制御部22からのBグループの信号が強誘電体メモリFeRAMに供給されることになる。
As described above, when the control signal SELECT = H level, the 3-bit A group signal from the
後述するように、フリップフロップFF1のQa出力がHレベルとなるのは、払出制御部24からのListen(a)信号が受け付けられた後、払出制御部24がクリアパルスCLRaを出力するまでの期間である(図4(b)参照)。
As will be described later, the Qa output of the flip-flop FF1 becomes H level during a period from when the Listen (a) signal is received from the
図4(a)の回路構成において、ANDゲートG1,G2は、ANDゲートG3の出力に基づいて動作して、Listen(a)信号やListen(b)信号を、各フリップフロップFF1,FF2のクロック端子CKに供給するか否かを制御している。ここで、Listen(a)信号やListen(b)信号は、払出制御部24や演出制御部22が強誘電体メモリFeRAMをアクセスしたい場合に、それが可能か否かを問い合わせる信号である。
In the circuit configuration of FIG. 4A, the AND gates G1 and G2 operate based on the output of the AND gate G3, and the Listen (a) signal and the Listen (b) signal are sent to the clocks of the flip-flops FF1 and FF2. It controls whether or not to supply to the terminal CK. Here, the Listen (a) signal and the Listen (b) signal are signals for inquiring whether or not this is possible when the
図示の通り、ANDゲートG3には、フリップフロップFF1,FF2のQバー出力が供給されているので、各Qバー出力が共にHレベルである場合、つまり、各フリップフロップFF1,FF2がリセット状態である場合に限り、Listen信号が、対応するフリップフロップFFiに供給されることになる。 As shown in the figure, since the Q-bar outputs of the flip-flops FF1 and FF2 are supplied to the AND gate G3, when both Q-bar outputs are at the H level, that is, the flip-flops FF1 and FF2 are in the reset state. Only in some cases, the Listen signal will be supplied to the corresponding flip-flop FFi.
そして、Listen信号を受けたフリップフロップFFiは、Listen信号の立上りエッジに同期してトグル動作を実行するので、そのフリップフロップFFiは、リセット状態からセット状態に遷移する。そのため、その後は、ANDゲートG3の出力がLレベルに遷移して、何れのListen信号についても、その受付が遮断される。 The flip-flop FFi that has received the Listen signal executes a toggle operation in synchronization with the rising edge of the Listen signal, so that the flip-flop FFi transitions from the reset state to the set state. Therefore, thereafter, the output of the AND gate G3 transitions to the L level, and reception of any Listen signal is blocked.
このような意味において、ANDゲートG1〜G3は、Listen(a)信号とListen(b)信号に対して、早いもの勝ちの論理動作をすることになる。なお、セット状態に遷移したフリップフロップFFiは、正論理のCLR信号(CLRaパルス又はCLRbパルス)を受けることでリセット状態になり、ANDゲートG3の出力をHレベルに遷移させる。したがって、CLR信号を受けた後は、ANDゲートG1〜G3が、その後に受けるListen(a)信号とListen(b)信号に対して、早いもの勝ちの論理動作を再開する。 In this sense, the AND gates G1 to G3 perform an earlier winning logical operation with respect to the Listen (a) signal and the Listen (b) signal. The flip-flop FFi that has transitioned to the set state enters a reset state upon receiving a positive logic CLR signal (CLRa pulse or CLRb pulse), and transitions the output of the AND gate G3 to the H level. Therefore, after receiving the CLR signal, the AND gates G1 to G3 resume the earlier winning logic operation for the Listen (a) and Listen (b) signals received thereafter.
ところで、XORゲートG7とANDゲートG8は、払出制御部24からのアクセスを優先する優先回路を構成している。すなわち、XORゲートG7には、払出制御部24が出力するListen(a)信号と、演出制御部22が出力するListen(b)信号とが供給されており、仮に、2つのListen信号が同時にHレベルに立ち上がると、XORゲートG7の出力がLレベルになる。そのため、Listen(b)信号は、ANDゲートG8を通過できないことになり、フリップフロップFF2をトグル動作させることができない。
Incidentally, the XOR gate G7 and the AND gate G8 constitute a priority circuit that prioritizes access from the
以上の説明から明らかなように、払出制御部24と演出制御部22が同時にListen信号を立ち上げた場合には、演出制御部22からのListen(b)信号が遮断されることで、払出制御部24からのListen(a)信号だけが受け付けられる。すなわち、払出制御部24からのアクセスが優先されるが、本実施例では、払出制御部24がメモリWrite動作をし、演出制御部22がメモリRead動作をするので、結局、強誘電体メモリFeRAMに対してメモリWrite動作を優先していることなる。
As is clear from the above description, when the
このように、本実施例では2つのゲート(G7+G8)を使用した優先回路を設けるので、独立的に非同期で動作する払出制御部24と演出制御部22のメモリアクセスタイミングが衝突しても、正常なメモリRead/メモリWrite動作が常に担保される。
As described above, since the priority circuit using the two gates (G7 + G8) is provided in this embodiment, even if the memory access timings of the
図4(b)は、上記の優先動作も含め、強誘電体メモリ回路37の動作を説明するタイムチャートである。2つのフリップフロップFF1,FF2は、初期的には、リセット状態であり、ANDゲートG3の出力は初期状態でHレベルである。そして、この初期状態で、払出制御部24がListen(a)信号を立ち上げると(タイミングT1)、これが受け付けられて、フリップフロップFF1のQa出力がHレベルになることで、Response(a)信号がHレベルになる。
FIG. 4B is a time chart for explaining the operation of the
この結果、NANDゲートG6の出力はLレベルとなり選択回路SELは、払出制御部24からのAグループの信号を通過させて強誘電体メモリFeRAMに供給することになる。そのため、HレベルのResponse(a)信号を確認した払出制御部では、チップセレクト信号CSaバーを立下げた上で、クロック信号CKaと、シリアル信号Soaとをシリアル出力して、強誘電体メモリFeRAMに対するデータ書込み動作を実行する。
As a result, the output of the NAND gate G6 becomes L level, and the selection circuit SEL passes the A group signal from the
なお、このような動作中、タイミングT2で、演出制御部22がListen(b)信号を立ち上げるが、このタイミングでは、ゲートG3の出力がLレベルであるので、Listen(b)信号が受け付けられることはない。すなわち、Response(b)信号がHレベルに遷移することがないので、演出制御部22は、Response(b)信号のHレベルに基づいて、強誘電体メモリFeRAMがBusy状態であると把握することができる。したがって、演出制御部22は、若干の待機時間の後に、再度、Listen(b)信号を立ち上げてBusy状態が解消されたか否かを問い合わせることになる。
During such an operation, the
この実施例では、払出制御部24は、強誘電体メモリFeRAMに対するデータ書込み動作を終えると(タイミングT3)、チップセレクト信号CSaバーを立上げると共に、クリアパルスCLRaを出力するよう構成されている(タイミングT3’)。
In this embodiment, the
そのため、T3’のタイミングで、フリップフロップFF1のQa出力がLレベルとなり、その後の、Listen信号を受け付けが許可される。そのため、タイミングT4で、演出制御部22がListen(b)信号を立ち上げた場合には、これが受け付けられて、フリップフロップFF2のQb出力がHレベルになることで、Response(b)信号がHレベルとなる。
Therefore, at the timing T3 ', the Qa output of the flip-flop FF1 becomes L level, and the subsequent reception of the Listen signal is permitted. Therefore, when the
そのため、HレベルのResponse(b)信号を確認した演出制御部22では、チップセレクト信号CSbバーをLレベルに立下げた上で、クロック信号CKbと、シリアル信号Sobとをシリアル出力して、強誘電体メモリFeRAMに対するデータ読出し動作を実行することになる。
For this reason, the
なお、このようなデータ読出し動作中、例えば、タイミングT5で、払出制御部24がListen(a)信号を立ち上げても、このListen(a)信号が受け付けられることはない。
During such a data read operation, for example, even when the
その後、演出制御部22は、強誘電体メモリFeRAMに対するデータ読出し動作を終えると(タイミングT6)、チップセレクト信号CSbバーをHレベルに立上げると共に、クリアパルスCLRbを出力することで、全ての動作を終える(タイミングT6’)。
After that, when the data read operation for the ferroelectric memory FeRAM is finished (timing T6), the
なお、タイミングT7では、たまたま、Listen(a)信号とListen(b)信号が重複して出力されている。しかし、この場合には、XORゲートG7の出力がHレベルになることで、Listen(b)信号が無視され、Listen(a)信号が受け付けられる。つまり、強誘電体メモリFeRAMに対するメモリRead動作より、メモリWrite動作が優先されることは先に説明した通りである。 Note that at timing T7, the Listen (a) signal and the Listen (b) signal are output in an overlapping manner. However, in this case, when the output of the XOR gate G7 becomes H level, the Listen (b) signal is ignored and the Listen (a) signal is accepted. That is, as described above, the memory write operation has priority over the memory read operation for the ferroelectric memory FeRAM.
図6(a)は、払出制御部24のワンチップマイコンに内蔵されたシリアルポートSERIaの内部構成を示すブロック図である。図示の通り、シリアルポートSERIaは、CPUコアから1バイトデータを受ける送信データレジスタDRと、送信データレジスタDRから1バイトデータの転送を受けて、シリアル信号Soaを出力するシフトレジスタSRと、シリアルポートの内部動作状態を管理する多数の制御レジスタRGと、カウンタ回路CTの出力パルスΦを受けて制御レジスタRGが指定する分周比のクロック信号CKaを出力するボーレートジェネレータBGと、を有して構成されている。
FIG. 6A is a block diagram showing an internal configuration of the serial port SERIa built in the one-chip microcomputer of the
ここで、制御レジスタRGには、エンプティビットEMPを含んだRead動作可能な制御レジスタが含まれており、送信データレジスタDRが、新規データを受け入れ可能か否かを示している。すなわち、シフトレジスタSRの1バイトデータの送信が完了すると、エンプティビットEMPがHレベル(empty レベル)に遷移して、送信データレジスタDRに、新規データを書込むことができることが示される。したがって、CPUコア(以下、CPUと称す)は、エンプティビットEMPがHレベルであることを確認した上で、新規データを送信データレジスタDRに書込むことになる。 Here, the control register RG includes a control register including the empty bit EMP and capable of performing a read operation, and indicates whether or not the transmission data register DR can accept new data. That is, when transmission of 1-byte data in the shift register SR is completed, the empty bit EMP changes to H level (empty level), indicating that new data can be written into the transmission data register DR. Therefore, the CPU core (hereinafter referred to as CPU) writes new data into the transmission data register DR after confirming that the empty bit EMP is at the H level.
また、制御レジスタRGには、データ出力許可フラグSOEや、受信許可フラグRXEや、送信許可フラグTXEを含んだWrite動作可能な制御レジスタが含まれており、データ出力許可フラグSOEがON(H)レベルの状態で、CPUが送信許可フラグTXEをON(H)レベルに設定すると、シリアルポートの送信動作が許可され、OFFレベルに設定すると送信動作が禁止される。そこで、本実施例では、CPUは、送信処理の開始時に送信許可フラグTXEをON状態にセットし、送信処理の終了時に送信許可フラグTXEをOFFレベルにリセットしている。 The control register RG includes a control register capable of write operation including a data output permission flag SOE, a reception permission flag RXE, and a transmission permission flag TXE. The data output permission flag SOE is ON (H). When the CPU sets the transmission permission flag TXE to the ON (H) level in the level state, the transmission operation of the serial port is permitted, and when it is set to the OFF level, the transmission operation is prohibited. Therefore, in this embodiment, the CPU sets the transmission permission flag TXE to the ON state at the start of the transmission process, and resets the transmission permission flag TXE to the OFF level at the end of the transmission process.
同様に、CPUが受信許可フラグRXEをON(H)レベルに設定すると、シリアルポートの受信動作が許可され、OFFレベルに設定すると受信動作が禁止される。但し、本実施例の払出制御部24はシリアル受信動作を実行しないので、データ出力許可フラグSOEをON(H)状態に維持する一方で、受信許可フラグRXEをOFF(L)状態に維持しており、定常的に、シリアル受信動作が禁止される。
Similarly, when the CPU sets the reception permission flag RXE to the ON (H) level, the reception operation of the serial port is permitted, and when it is set to the OFF level, the reception operation is prohibited. However, since the
図6(b)は、払出制御部24のシリアルポートSERIaについて、送信開始時の動作を示すタイムチャートである。図示の通り、シリアルポートSERIaが送信禁止状態(TXE=L)である場合や、送信データレジスタDRのデータがシリアル出力された後は、クロック信号CKaが固定状態のHレベルである。また、送信データレジスタDRは空であり、エンプティビットEMPもHレベル(empty レベル)である。
FIG. 6B is a time chart showing an operation at the start of transmission for the serial port SERIa of the
そして、CPUが送信許可フラグTXEをON状態(送信許可状態)にセットした後、送信データレジスタDRに1バイト目の送信データを書込むと、エンプティビットEMPがLレベルに遷移すると共に、その後、所定時間(τ)経過後に、1バイト目の送信データがシフトレジスタSRに転送されて、シリアル送信動作が開始される。 Then, after the CPU sets the transmission permission flag TXE to the ON state (transmission permission state) and then writes the first byte of transmission data to the transmission data register DR, the empty bit EMP transitions to the L level, and then After a predetermined time (τ) elapses, the first byte of transmission data is transferred to the shift register SR, and the serial transmission operation is started.
また、送信データがシフトレジスタSRに転送されたことで、1ビット目のシリアル送信開始に対応して、その後は、エンプティビットEMPがHレベル(empty レベル)に遷移する。したがって、CPUは、HレベルのエンプティビットEMPを確認した上で、2バイト目の送信データを、送信データレジスタDRに書込むことになる。 In addition, since the transmission data is transferred to the shift register SR, the empty bit EMP transitions to the H level (empty level) thereafter in response to the start of serial transmission of the first bit. Therefore, after confirming the H level empty bit EMP, the CPU writes the second byte of transmission data into the transmission data register DR.
すると、送信データレジスタDRへのデータ書込み動作に対応して、エンプティビットEMPがLレベル(fullレベル)に遷移する。そして、その後、1バイト目の送信データが全て送信されると、送信データレジスタDRからシフトレジスタSRに2バイト目のデータが転送され、2バイト目のデータ送信が開始されて、エンプティビットEMPがHレベルに遷移する。 Then, in response to the data write operation to the transmission data register DR, the empty bit EMP transitions to the L level (full level). After that, when all the transmission data of the first byte is transmitted, the second byte of data is transferred from the transmission data register DR to the shift register SR, data transmission of the second byte is started, and the empty bit EMP is set. Transition to H level.
このエンプティビットEMPは、送信データレジスタDRへの3バイト目のデータ書込み動作に対応して、Lレベルに変化するが、図示のように、新規データの書き込みがない場合にはHレベルを維持する。また、全てのデータが送信された後は、クロック信号CKaがHレベルを維持して変化しない。 The empty bit EMP changes to the L level in response to the data write operation of the third byte to the transmission data register DR. However, as shown in the figure, the empty bit EMP maintains the H level when no new data is written. . Further, after all the data has been transmitted, the clock signal CKa maintains the H level and does not change.
この実施例では、強誘電体メモリFeRAMの内部動作に対応して、1バイトデータのMSBからLSBに向けて、クロック信号CKaに同期して送信動作が実行されるよう設定されている(MSBファースト)。 In this embodiment, in correspondence with the internal operation of the ferroelectric memory FeRAM, the transmission operation is set to be executed in synchronization with the clock signal CKa from the MSB of the 1-byte data to the LSB (MSB first). ).
先に説明した通り、シリアルポートSERIaから出力されるシリアル信号Soaは、SWEコマンド(=06H)と、WRITEコマンド(=02H)と、アドレスデータ(16ビット)と、適当個数の書込みデータ(8ビット)とが連結された一連のシリアルデータである。 As described above, the serial signal Soa output from the serial port SERIa includes the SWE command (= 06H), the WRITE command (= 02H), address data (16 bits), and an appropriate number of write data (8 bits). ) And a series of serial data.
なお、このようなメモリWrite動作に先行して、パラレル出力ポートPARAaOUTからListen(a)信号(Listenパルス)を出力し、その後、パラレル入力ポートPARAaINからResponse(a)信号を取得し、これがHレベルであることを条件に、パラレル出力ポートPARAaOUTからLレベルのチップセレクト信号CSバーを出力することは、先に説明した通りである(図7(a)(d)参照)。また、一連のメモリWrite動作が終われば、パラレル出力ポートPARAaOUTからHレベルのチップセレクト信号CSバーを出力することも同様である。 Prior to such a memory write operation, a listen (a) signal (listen pulse) is output from the parallel output port PARAa OUT , and then a response (a) signal is obtained from the parallel input port PARAa IN. As described above, the L level chip select signal CS bar is output from the parallel output port PARAa OUT on the condition that it is at the H level (see FIGS. 7A and 7D). Similarly, when a series of memory write operations are completed, the H level chip select signal CS bar is output from the parallel output port PARAa OUT .
以上、強誘電体メモリ回路37に関して詳細に説明したので、図3に戻って、本遊技機の全体構成について更に説明する。図3に示すように、強誘電体メモリ回路37を搭載した払出制御部24を有する枠側部材GM1に対応して、遊技盤5の背面には、主制御基板21、演出制御基板22、画像制御基板23が、表示装置DSやその他の回路基板と共に固定されている。そして、枠側部材GM1と盤側部材GM2とは、一箇所に集中配置された接続コネクタC1〜C4によって電気的に接続されている。
As described above, the
主基板中継基板32は、電源基板20から出力される電源異常信号ABN1、バックアップ電源BAK、及びDC5V,DC12V,DC32Vを、そのまま主制御部21に出力している。一方、電源中継基板33は、電源基板20から受けたシステムリセット信号SYSや、交流及び直流の電源電圧を、そのまま演出インタフェイス基板27に出力している。演出インタフェイス基板27は、受けたシステムリセット信号SYSを、そのまま演出制御部22’と画像制御部23’に出力している。
The main
また、この実施例では、RAMクリア信号CLRは、主制御部21で生成されて主制御部21と払出制御部24のワンチップマイコンに伝送されている。ここで、RAMクリア信号CLRは、各制御部21,24のワンチップマイコンの内蔵RAMの全領域を初期設定するか否かを決定する信号であって、係員が操作する初期化スイッチSWのON/OFF状態に対応した値を有している。
In this embodiment, the RAM clear signal CLR is generated by the
主制御部21及び払出制御部24は、電源基板20から電源異常信号ABN1,ABN2を受けることによって、停電や営業終了に先立って、必要な終了処理を開始するようになっている。また、バックアップ電源BAKは、営業終了や停電により交流電源24Vが遮断された後も、主制御部21と払出制御部24のワンチップマイコンの内蔵RAMのデータを保持するDC5Vの直流電源である。
The
したがって、主制御部21と払出制御部24は、電源遮断前の遊技動作を電源投入後に再開できることになる(電源バックアップ機能)。このパチンコ機では少なくとも数日は、各ワンチップマイコンのRAMの記憶内容が保持されるよう設計されている。但し、強誘電体メモリ回路37の強誘電体メモリFeRAMは、強誘電体の分極を利用した不揮発性メモリであるので、バックアップ電源BAKの給電は全く不要である。
Therefore, the
図3に示す通り、主制御部21は、主基板中継基板32を経由して、払出制御部24に制御コマンドCMD”を送信する一方、払出制御部24からは、遊技球の払出動作を示す賞球計数信号や、払出動作の異常に係わるステイタス信号CONや、動作開始信号BGNを受信している。ステイタス信号CONには、例えば、補給切れ信号、払出不足エラー信号、下皿満杯信号が含まれる。動作開始信号BGNは、電源投入後、払出制御部24の初期動作が完了したことを主制御部21に通知する信号である。
As shown in FIG. 3, the
また、主制御部21は、遊技盤中継基板31を経由して、遊技盤5の各遊技部品に接続されている。そして、遊技盤上の各入賞口16〜18に内蔵された検出スイッチのスイッチ信号を受ける一方、電動式チューリップなどのソレノイド類を駆動している。ソレノイド類や検出スイッチは、主制御部21から配電された電源電圧VB(12V)で動作するよう構成されている。また、図柄始動口15への入賞状態などを示す各スイッチ信号は、電源電圧VB(12V)と電源電圧Vcc(5V)とで動作するインタフェイスICで、TTLレベル又はCMOSレベルのスイッチ信号に変換された上で、主制御部21に伝送される。
The
また、この実施例では、違法行為を検出可能な複数の検知センサが遊技盤に配置されており、各検知センサからの異常信号は、遊技盤中継基板31を経由して、主制御部21に伝送されている。
In this embodiment, a plurality of detection sensors capable of detecting illegal acts are arranged on the game board, and an abnormal signal from each detection sensor is sent to the
検出可能な違法遊技としては、(1)磁石や振動によって遊技球を図柄始動口15に誘導しようとする行為、(2)不正電波によって図柄始動口15の検出スイッチを誤動作させようとする行為、(3)閉塞状態の図柄始動口15や大入賞口16を針金などで無理に開放しようとする行為などを例示することができる。
Examples of illegal games that can be detected include (1) an act of guiding the game ball to the symbol start
そして、これらの異常事態の発生を把握した主制御部21は、把握した異常に対応した異常報知コマンドを演出制御部22’に伝送するよう構成されている。なお、異常報知コマンドは、(4)普通入賞口17やゲート18の検出スイッチの検出頻度が異常に高い場合や、(5)払出制御部24からドア開放を検出したとの通知を受けた場合にも演出制御部22’に伝送される。
And the
ところで、演出制御基板22と演出インタフェイス基板27とはコネクタ連結によって一体化されており、演出制御部22’は、電源中継基板33を経由して、電源基板20から各レベルの直流電圧(5V,12V,32V)と、システムリセット信号SYSを受けている(図3及び図8参照)。また、演出制御部22’は、コマンド中継基板26を経由して、主制御部21から制御コマンドCMDとストローブ信号STBとを受けている(図3及び図8参照)。
By the way, the
そして、演出制御部22’は、演出インタフェイス基板27を経由して、ランプ駆動基板29やランプ駆動基板30に搭載されたドライバに、ランプ駆動データ(シリアル信号)を供給している。特に限定されるものではないが、ランプ駆動基板29,30に搭載されているドライバは、ランプ駆動基板36に搭載されたドライバと同一構成である。
The
図3及び図8に示す通り、演出制御部22’は、画像制御部23’に対して、制御コマンドCMD’及びストローブ信号STB’と、電源基板20から受けたシステムリセット信号SYSと、2種類の直流電圧(12V,5V)とを出力している。
As shown in FIG. 3 and FIG. 8, the
そして、画像制御部23’では、制御コマンドCMD’に基づいて表示装置DSを駆動して各種の画像演出を実行している。表示装置DSは、LEDバックライトによって発光しており、画像インタフェイス基板28から5対のLVDS(低電圧差動伝送Low voltage differential signaling)信号と、バックライト電源電圧(12V)とを受けて駆動されている(図8参照)。
Then, the image controller 23 'drives the display device DS based on the control command CMD' to execute various image effects. The display device DS emits light by an LED backlight, and is driven by receiving five pairs of LVDS (Low voltage differential signaling) signals and a backlight power supply voltage (12 V) from the
続いて、上記した演出制御部22’と画像制御部23’の構成を更に詳細に説明する。図8に示す通り、演出インタフェイス基板27は、電源中継基板33を経由して、電源基板20から3種類の直流電圧(5V,12V,32V)を受けている。ここで、直流電圧5Vは、デジタル論理回路の電源電圧として、演出インタフェイス基板27、ランプ駆動基板29、ランプ駆動基板30、画像インタフェイス基板28、及び画像制御基板23に配電されて各デジタル回路を動作させている。
Next, the configurations of the effect control unit 22 'and the image control unit 23' will be described in more detail. As shown in FIG. 8, the
但し、演出制御基板22には、直流電圧5Vが配電されておらず、12VからDC/DCコンバータで降圧された直流電圧3.3Vと、3.3VからDC/DCコンバータで更に降圧された直流電圧1.8Vだけが、演出インタフェイス基板27から演出制御基板22に配電されている。
However, the direct
このように、本実施例の演出制御基板22は、全ての回路が、電源電圧3.3V又はそれ以下の電源電圧で駆動されているので、電源電圧を5Vで動作する場合と比較して大幅に低電力化することができ、仮に、演出制御基板22の直上に演出インタフェイス基板27を配置して積層しても放熱上の問題が生じない。
In this way, the
但し、電源基板20から受けた直流電圧12Vは、そのままデジタルアンプ46の電源電圧として使用されると共に、ランプ駆動基板30とランプ駆動基板29に配電されて各ランプ群の電源電圧となる。また、直流電圧32Vは、演出インタフェイス基板のDC/DCコンバータにおいて直流電圧13Vに降圧されて、必要に応じて、演出モータM1〜Mnの駆動電源として使用される。
However, the
図8(a)に示すように、演出制御部22’は、音声演出・ランプ演出・演出可動体による予告演出・データ転送などの処理を16ビット単位で実行するワンチップマイコン40と、ワンチップマイコン40の制御プログラムなどを記憶するROM41と、ワンチップマイコン40からの指示に基づいて音声信号を再生して出力する音声合成回路42と、再生される音声信号の元データである圧縮音声データを記憶する音声用メモリ43と、16ビット単位でRead/Write可能な強誘電体メモリ38と、リアルタイムクロックRTCと、を備えて構成されている。
As shown in FIG. 8A, the
ここで、リアルタイムクロックRTCは、現在年月日や現在時刻を計時する時計ICであり、演出制御部22’の電源電圧VDDで充電される二次電池BTで永続的に動作している。すなわち、遊技機に電源が投入されている状態で、二次電池BTが充電される一方、遊技機の電源が遮断された後は、充電状態の二次電池BTに基づいて、内部回路の計時動作が継続される(バックアップ動作)。 Here, the real-time clock RTC is a clock IC that measures the current date and time, and is permanently operated by the secondary battery BT charged with the power supply voltage VDD of the effect control unit 22 '. That is, the secondary battery BT is charged while the gaming machine is powered on, and after the gaming machine is powered off, the internal circuit counts based on the charged secondary battery BT. Operation continues (backup operation).
図8(b)に示す通り、実施例のリアルタイムクロックRTCは、4ビットのデータバスと、4ビットのデータバスと、Read/Write動作用のコントロールバスRD+WRとを通して、ワンチップマイコン40のCPUに接続されている。そして、CPUは、遊技動作に関する重要な遊技情報や異常情報を、リアルタイムクロックRTCから取得した年月日情報及び曜日情報や時刻情報を付加して、強誘電体メモリ38に記憶するようにしている。
As shown in FIG. 8B, the real-time clock RTC of the embodiment is sent to the CPU of the one-
このリアルタイムクロックRTCは、CS1とCS0バーの2種類のチップセレクト端子を有しており、各端子への入力電圧が正常レベルであることを条件に、CPUからのアクセスを許可するようになっている。ここで、CS0バー端子は、アドレスデコーダの出力を受ける通常のチップセレクト端子である。一方、CS1端子は、電源異常検出部ERの出力(電圧降下信号)Voを受けており、CS1端子が異常レベルの出力Voを受けた場合には、リアルタイムクロックRTCの異常検出フラグFosが自動的にセットされるようになっている。 This real-time clock RTC has two types of chip select terminals, CS1 and CS0 bars, and permits access from the CPU on condition that the input voltage to each terminal is at a normal level. Yes. Here, the CS0 bar terminal is a normal chip select terminal that receives the output of the address decoder. On the other hand, the CS1 terminal receives the output (voltage drop signal) Vo of the power supply abnormality detecting unit ER, and when the CS1 terminal receives the abnormal level output Vo, the abnormality detection flag Fos of the real-time clock RTC is automatically set. To be set.
本実施例の場合、この異常検出フラグFosは、他の異常検出フラグTEMPと共に、電源投入時にワンチップマイコン40のCPUによって判定され、仮に、異常検出フラグFosがセット状態であれば、その時の年月日及び時刻が報知されるようになっている。そのため、もし、時計機能の異常が認められた場合には、これに素早く対処することができる。
In the case of this embodiment, this abnormality detection flag Fos is determined by the CPU of the one-
なお、電源遮断時に二次電池BTの電圧が降下しても、二次電池BTの電圧レベルは、電源復帰によって素早く回復してCS1端子が正常レベルに戻るので、CPUからのアクセスが許可されることになる。したがって、異常検出フラグFosの判定処理を設ける本実施例の構成を採らない場合には、リアルタイムクロックRTCの異常を永続的に検出できないおそれがある。 Even if the voltage of the secondary battery BT drops when the power is shut down, the voltage level of the secondary battery BT is quickly recovered by power recovery and the CS1 terminal returns to the normal level, so that access from the CPU is permitted. It will be. Therefore, when the configuration of the present embodiment in which the determination processing of the abnormality detection flag Fos is not adopted, there is a possibility that the abnormality of the real time clock RTC cannot be detected permanently.
また、実施例のリアルタイムクロックRTCは、一週間に一回、例えば、毎金曜日の21時50分に、割込み信号IRQを出力するよう構成されおり、割込み信号IRQを受けたCPUでは、それまでに強誘電体メモリ38に蓄積した遊技情報や異常情報について、適宜に集計するようにしている。
The real-time clock RTC of the embodiment is configured to output the interrupt signal IRQ once a week, for example, every Friday at 21:50. In the CPU that has received the interrupt signal IRQ, The game information and abnormality information stored in the
なお、集計する遊技情報は、大当り状態に関する履歴情報をまとめたものであり、例えば、(1)大当り状態となるまでに要した図柄始動口への入賞回数、(2)大当り状態の図柄や、確変か否かの大当り状態の集計値や統計値、(3)大当り状態に至った予告演出やリーチ演出の種類、(4)連チャン回数、(5)連チャンによる払出球数の時間的な増加推移、などが含まれる。そして、これらの集計情報や統計情報は、遊技者の求めに応じて適宜に報知される。遊技者の指示は、例えば、デモ演出中のチャンスボタン11の押圧で特定され、報知内容は表示装置DSに表示される。
The game information to be aggregated is a summary of history information related to the big hit state. For example, (1) the number of winnings to the symbol start opening required to become the big hit state, (2) the symbol of the big hit state, Total value and statistical value of jackpot state whether or not it is probable, (3) type of notice effect or reach effect that reached the big hit state, (4) number of consecutive chants, (5) number of balls thrown out by consecutive chans Increasing trends are included. And these total information and statistical information are alert | reported suitably according to a player's request | requirement. The player's instruction is specified by, for example, pressing the
一方、集計する異常情報には、例えば、(1)ドア開放回数、(2)違法行為を検出する検知センサの検出種別や検出回数や検出時刻、(3)閉塞状態の図柄始動口15や大入賞口16を針金などで無理に開放しようとする行為の検出回数や検出頻度や検出時刻などが含まれる。そして、これらの集計情報は、係員による特別な操作に対応して、表示装置DSに表示される。
On the other hand, the abnormal information to be tabulated includes, for example, (1) the number of times the door is opened, (2) the detection type, the number of detection times and the detection time of the detection sensor for detecting illegal activities, This includes the number of detections, detection frequency, detection time, etc. of an act of forcibly opening the winning
図8(b)〜図8(d)に示す通り、実施例のリアルタイムクロックRTCは、Bank0〜Bank2の3つの内部レジスタテーブルを有して構成されている。各レジスタテーブルは、4バイト×16個のレジスタで構成されおり、内部回路が計時した現在年月日と現在時刻は、Bank0のレジスタテーブル(図8(c))に書込まれるよう構成されている。なお、Bank2のレジスタテーブルは、時刻設定や年月日設定に関するものであるので、図8への記載を省略している。 As shown in FIGS. 8B to 8D, the real-time clock RTC of the embodiment is configured to have three internal register tables Bank0 to Bank2. Each register table is composed of 4 bytes × 16 registers, and the current date and time measured by the internal circuit are written in the Bank0 register table (FIG. 8C). Yes. Note that the Bank2 register table relates to time setting and date setting, and is not shown in FIG.
図8(c)に示すように、Bank0のレジスタテーブルにおいて、1番レジスタのビット3は、異常検出フラグFosであり、14番レジスタのビット2は、内蔵温度センサが異常温度を検出したことを示す温度異常フラグTEMPである。そして、本実施例では、演出制御部22のCPUリセット時に、異常検出フラグFosの値を判定することで、異常な計時動作の継続を防止している。また、リアルタイムクロックRTCをワンチップマイコン40に近接配置すると共に、適宜な時間間隔で、温度異常フラグTEMPの値を繰り返し判定することで、ワンチップマイコン40の温度異常を素早く検出している。
As shown in FIG. 8C, in the register table of Bank0,
また、Bank0のレジスタテーブルにおいて、15番レジスタのビット0は、レジスタテーブルが更新中であることを示すBusyフラグである。そして、本実施例では、Busyフラグが非Busy状態(更新完了)であることを条件に、Bank0のレジスタテーブルから、現在年月日と現在時刻を取得している。そのため、本実施例では、更新動作中の中途半端、又は不合理な時計情報を取得するおそれがなく、強誘電体メモリ38に記憶される時計情報の正当性が担保される。例えば、1時59分59秒から2時0分0秒に更新中の時計情報を取得すると、1時0分0秒の時計情報を取得してしまうおそれがある。
In the register table of Bank0,
また、Bank1のレジスタテーブルは、割込み信号IRQの発生時刻を設定可能に構成されている。そこで、本実施例では、Bank1の1番レジスタのビット0に1をセットすることで割込み発生を指示し(Interrupt Enable)、Bank1の0番レジスタ〜8番レジスタに、金曜の曜日指定と、21時30分00秒の時刻情報を設定している。
Further, the register table of
以上、リアルタイムクロックRTCについて説明したが、本実施例は、演出制御部22’に、強誘電体メモリ38を備える点にも大きな特徴がある。演出制御部22’に配置される強誘電体メモリ38は、単一電源で動作して、ランダムアクセスが可能な512KバイトのR/W可能なメモリであり、このような強誘電体メモリ38を2個並列接続することで(図10参照)、記憶容量が16ビット×524288の不揮発性メモリを構成している。
Although the real-time clock RTC has been described above, the present embodiment has a significant feature in that the
強誘電体メモリ38の内部構成は、図9に示す通りであり、CE1バー端子=Lレベル、CE2端子=Hレベルにすることで、通常のSRAM(非同期SRAM)と同等に駆動することが可能である。すなわち、この強誘電体メモリ38は、アドレスバス19ビットのアドレス信号A0−A18を変化させた後、チップセレクト信号CE2,CE1バーをアクティブレベルにすると、アウトプットイネーブル信号OEバーの立下りエッジで、Read動作が開始され、+30nS〜+120nSの期間、出力端子I/O1〜I/O8に有効な読出しデータが現れるので、その期間内にRead動作を完了させることができる。なお、上記の動作は、2つの強誘電体メモリ38において同時に実行されるので、上記したRead動作によって、CPUは16ビットデータをまとめて取得することになる。
The internal configuration of the
また、アドレスバスのアドレス信号A0−A18を変化させ、データバス(各強誘電体メモリ38の入力端子I/O1〜I/O8)に有意な16ビットデータを出力した後、チップセレクト信号CE2,CE1バーをアクティブレベルにすると、ライトイネーブル信号WEバーの立下りエッジで、Write動作が開始され、データバスの16ビットデータを50nS程度保持するとWrite動作が完了する。この動作も、2つの強誘電体メモリ38において同時に実行されるので、一連のWrite動作によって、強誘電体メモリ38に16ビットデータが記憶されることになる。
Further, after changing the address signals A0 to A18 of the address bus and outputting significant 16-bit data to the data bus (input terminals I / O 1 to I / O 8 of each ferroelectric memory 38), the chip select signal is output. When the CE2 and CE1 bars are set to the active level, the write operation is started at the falling edge of the write enable signal WE bar. When the 16-bit data on the data bus is held for about 50 nS, the write operation is completed. Since this operation is also simultaneously executed in the two
以上の通り、本実施例によれば、ワンチップマイコン40のアクセス対象となるメモリ空間中に、他の通常のメモリ(ROMやSRAM)と同様の手順でランダムアクセス可能な524,288番地のR/W可能な不揮発性メモリが配置されることになり、必要な情報をバックアップ電源なく永続的に保存できる利点がある。
As described above, according to the present embodiment, in the memory space to be accessed by the one-
強誘電体メモリ38に記憶保存される情報には、払出制御部24の強誘電体メモリFeRAMから読み出した賞球実績、主制御部21から受ける異常報知コマンドの内容、主制御部21から受ける制御コマンド(変動パターンコマンドなど)に基づく遊技情報が含まれる。
The information stored and stored in the
このような強誘電体メモリ38をアクセス可能なワンチップマイコン40には、複数のパラレル入出力ポートPIO(Pi+Po+Po’)と、シリアルポートSERIbが内蔵されている。なお、パラレル入出力ポートPo’には、図4に示すパラレル出力ポートPARAbOUTと、パラレル入力ポートPARAbINと、が含まれている。また、シリアルポートSERIbの内部構成は、図10(a)に示す通りであり、図6(a)の回路構成や回路動作と実質的に同じである。
The one-
すなわち、演出制御部22のシリアルポートSERIbは、CPUコアから1バイトデータを受ける送信データレジスタDRと、送信データレジスタDRから1バイトデータの転送を受けてシリアル信号Sobを出力する一方、外部から受けるシリアル信号Sinを1ビットずつ受信するシフトレジスタSRと、シフトレジスタSRに格納された1バイト長の受信データをパラレルデータとして受ける受信データレジスタRRと、シリアルポートの内部動作状態を管理する多数の制御レジスタRGと、カウンタ回路CTの出力パルスΦを受けて制御レジスタRGが指定する分周比のクロック信号CKbを出力するボーレートジェネレータBGと、を有して構成されている。
That is, the serial port SERIb of the
本実施例においてシリアル信号Sinは、払出制御部24に配置された強誘電体メモリFeRAMから読み出されたReadデータであり、データ出力許可フラグSOEと、送信許可フラグTXEと、受信許可フラグRXE(図10(b)参照)を適宜に設定した状態で、シリアルポートSERIbが出力するクロック信号CKbに同期して伝送される。
In this embodiment, the serial signal Sin is Read data read from the ferroelectric memory FeRAM disposed in the
演出制御部のシリアルポートSERIbは、上記したフラグSOE,TXE,RXEへの設定値に基づき、READコマンドの送信処理や、読出しアドレスの送信動作に続いて、Readデータを受信する送受信動作モードで動作する。先に説明した通り、データ出力許可フラグSOEや、送信許可フラグTXEや、受信許可フラグRXEは、制御レジスタRGに含まれるフラグの一種である。また、制御レジスタRGには、図10(b)に示す受信完了フラグRDRFも含まれる。 The serial port SERIb of the effect control unit operates in a transmission / reception operation mode in which Read data is received following the READ command transmission processing and the read address transmission operation based on the set values in the flags SOE, TXE, RXE. To do. As described above, the data output permission flag SOE, the transmission permission flag TXE, and the reception permission flag RXE are a kind of flags included in the control register RG. The control register RG also includes a reception completion flag RDRF shown in FIG.
但し、シリアルポートSERIbが上記した送受信動作を開始するに当たっては、これに先行して、払出制御部24の強誘電体メモリFeRAMがBusy状態でないことを確認する必要がある。そして、強誘電体メモリFeRAMが非Busy状態であれば、Lレベルのチップセレクト信号CSbバーを出力する準備動作が必要である。
However, before the serial port SERIb starts the above-described transmission / reception operation, it is necessary to confirm that the ferroelectric memory FeRAM of the
このような準備動作の後、シリアルポートSERIbは、CPUの制御に基づき、強誘電体メモリFeRAMに対して、READコマンド(=03H)と読出し先のアドレスデータとをシリアル送信する。そして、その後、強誘電体メモリFeRAMから出力される読出しデータをシリアル受信することになる(図7(c)参照)。 After such a preparatory operation, the serial port SERIb serially transmits a READ command (= 03H) and read address data to the ferroelectric memory FeRAM under the control of the CPU. Thereafter, read data output from the ferroelectric memory FeRAM is serially received (see FIG. 7C).
以上の動作を実現するため、CPUは、先ず、パラレル出力ポートPARAbOUTからListen(b)信号を出力し、パラレル入力ポートPARAbINに取得されるResponse(b)信号がHレベルに変化することを確認する(図10、図4(b)参照)。そして、Response(b)=Hレベルであれば、CPUは、次に、パラレル出力ポートPARAbOUTからLレベルのチップセレクト信号CSbバーを出力した上で、図7(c)に示す通信プロトコルにしたがって、シリアル送受信動作を開始することになる。 In order to realize the above operation, the CPU first outputs the Listen (b) signal from the parallel output port PARAb OUT, and the response (b) signal acquired at the parallel input port PARAb IN changes to the H level. Confirm (see FIGS. 10 and 4B). If Response (b) = H level, the CPU next outputs a chip select signal CSb bar of L level from the parallel output port PARAb OUT , and then follows the communication protocol shown in FIG. The serial transmission / reception operation is started.
図8(b)は、シリアル送受信動作を説明するタイムチャートであるが、便宜上、メモリRead動作だけを記載している。但し、READコマンド(=03H)と読出し先のアドレスデータの送信動作は、図6(b)の場合と同じである。 FIG. 8B is a time chart for explaining the serial transmission / reception operation, but for the sake of convenience, only the memory read operation is shown. However, the transmission operation of the READ command (= 03H) and the read destination address data is the same as in the case of FIG. 6B.
すなわち、シリアル送受信動作では、CPUは、データ出力許可フラグSOE=Hレベル、送信許可フラグTXE=Hレベル、受信許可フラグRXE=Hレベルに設定した状態で、シリアルポートSERIbの送信データレジスタDRに、READコマンド(=03H)と、読出し先のアドレスデータ(16ビット)とを1バイト毎に書込む。なお、制御レジスタRGのエンプティビットEMPを判定しつつ送信データレジスタDRへの書込み動作を進行させることは、図6(b)に関して説明した通りである。 That is, in the serial transmission / reception operation, the CPU sets the data output permission flag SOE = H level, the transmission permission flag TXE = H level, and the reception permission flag RXE = H level in the transmission data register DR of the serial port SERIb. The READ command (= 03H) and the read destination address data (16 bits) are written for each byte. As described with reference to FIG. 6B, the write operation to the transmission data register DR is performed while determining the empty bit EMP of the control register RG.
そして、送受信動作モードでは、上記したシリアル送信動作後も、クロック信号CKbの出力が継続されるので、強誘電体メモリFeRAMが上記3バイトのデータを取得した後、強誘電体メモリFeRAMは、指定されたアドレスからの読出しデータをシリアル出力する。そして、この読出しデータは、クロック信号CKbの立上りエッジに同期して、シフトレジスタSRに取得(サンプリング)される(図10(b)参照)。 In the transmission / reception operation mode, the output of the clock signal CKb is continued even after the serial transmission operation described above. After the ferroelectric memory FeRAM obtains the 3-byte data, the ferroelectric memory FeRAM The read data from the specified address is serially output. The read data is acquired (sampled) in the shift register SR in synchronization with the rising edge of the clock signal CKb (see FIG. 10B).
そして、シフトレジスタSRが、強誘電体メモリFeRAMから8ビット目のデータを取得すると、シフトレジスタSRの1バイトデータが、受信データレジスタRRに転送されると共に、制御レジスタRGの受信完了フラグRDRFがON状態となる。そのため、この動作に対応して、ON状態の受信完了フラグRDRFを把握したCPUが、受信データレジスタRRの1バイトデータを読み出すと、受信完了フラグRDRFがOFF状態に戻る。そして、その後も、次の1バイトデータがシフトレジスタSRから受信データレジスタRRに転送されたタイミングで、再度、受信完了フラグRDRFがON状態となるので、その後も上記と同じ動作を繰り返せば良い。 When the shift register SR acquires the eighth bit data from the ferroelectric memory FeRAM, the 1-byte data of the shift register SR is transferred to the reception data register RR and the reception completion flag RDRF of the control register RG is set. Turns on. Therefore, in response to this operation, when the CPU that has grasped the reception completion flag RDRF in the ON state reads 1-byte data in the reception data register RR, the reception completion flag RDRF returns to the OFF state. After that, the reception completion flag RDRF is turned on again at the timing when the next 1-byte data is transferred from the shift register SR to the reception data register RR. Therefore, the same operation as described above may be repeated thereafter.
そして、必要なデータの取得が終われば、CPUは、データ出力許可フラグSOE=Lレベル、送信許可フラグTXE=Lレベル、受信許可フラグRXE=Lレベルに設定することで、シリアル送受信動作を終了させる。この実施例では、EOFデータ(=00H)を受信すると、必要なデータの取得が完了したと判断している。 When the necessary data is acquired, the CPU ends the serial transmission / reception operation by setting the data output permission flag SOE = L level, the transmission permission flag TXE = L level, and the reception permission flag RXE = L level. . In this embodiment, when EOF data (= 00H) is received, it is determined that acquisition of necessary data has been completed.
上記の判断によってシリアル送受信動作が完了すると、続いて、パラレル出力ポートPARAbOUTから、Hレベルのチップセレクト信号CSbバーを出力した上で、クリアパルスCLRbを出力する(図4(b)参照)。払出制御部24の強誘電体メモリFeRAMに、Hレベルのチップセレクト信号CSbバーが供給されることで、強誘電体メモリFeRAMのアクセス動作が完全に終了することになる。
When the serial transmission / reception operation is completed by the above determination, an H level chip select signal CSb bar is output from the parallel output port PARAb OUT , and then a clear pulse CLRb is output (see FIG. 4B). When the H-level chip select signal CSb bar is supplied to the ferroelectric memory FeRAM of the
以上、図9〜図10を参照して、演出制御部22の強誘電体メモリ38と、シリアルポートSERIbについて詳細に説明したので、図8に戻って演出制御部22の他の構成を説明する。図8に示す通り、ランプ駆動基板36、29、30は、パラレル入出力ポートPIOのパラレル出力ポートPo’にも接続されており、各ランプ駆動基板36、29、30に搭載されたドライバは、パラレル出力ポートPo’が出力する3ビット長の動作許可信号の何れかに基づいて動作を開始している。
As described above, the
一方、パラレル入出力ポートPIOの入力ポートPiには、主制御部21からの制御コマンドCMD及びストローブ信号STBが入力され、コマンド出力ポートPoからは、制御コマンドCMD’及びストローブ信号STB’が出力されるよう構成されている。
On the other hand, the control command CMD and the strobe signal STB from the
具体的には、入力ポートPiには、主制御基板21から出力された制御コマンドCMDとストローブ信号(割込み信号)STBとが、演出インタフェイス基板27のバッファ44において、電源電圧3.3Vに対応する論理レベルに変換されて8ビット単位で供給される。割込み信号STBは、ワンチップマイコンの割込み端子に供給され、受信割込み処理によって、演出制御部22’は、制御コマンドCMDを取得するよう構成されている。
Specifically, a control command CMD and a strobe signal (interrupt signal) STB output from the
演出制御部22’が取得する制御コマンドCMDには、(1)異常報知コマンドその他の報知用制御コマンドなどの他に、(2)図柄始動口への入賞に起因する各種演出動作の概要特定する制御コマンド(変動パターンコマンド)や、図柄種別を指定する制御コマンド(図柄指定コマンド)が含まれている。ここで、変動パターンコマンドで特定される演出動作の概要には、演出開始から演出終了までの演出総時間と、大当たり抽選における当否結果とが含まれている。
The control command CMD acquired by the
また、図柄指定コマンドには、大当たり抽選の結果に応じて、大当たりの場合には、大当たり種別に関する情報(15R確変、2R確変、15R通常、2R通常など)を特定する情報が含まれ、ハズレの場合には、ハズレを特定する情報が含まれている。変動パターンコマンドで特定される演出動作の概要には、演出開始から演出終了までの演出総時間と、大当り抽選における当否結果とが含まれている。なお、これらに加えて、リーチ演出や予告演出の有無などを含めて変動パターンコマンドで特定しても良いが、この場合でも、演出内容の具体的な内容は特定されていない。 In addition, the symbol designating command includes information for identifying information on the jackpot type (15R probability variation, 2R probability variation, 15R normal, 2R normal, etc.) in the case of a jackpot according to the result of the jackpot lottery. In some cases, information for identifying a loss is included. The outline of the production operation specified by the variation pattern command includes the production total time from the production start to the production end, and the result of success or failure in the big hit lottery. In addition to these, the change pattern command including the presence or absence of the reach effect or the notice effect may be specified, but even in this case, the specific content of the effect content is not specified.
そのため、演出制御部22’では、変動パターンコマンドを取得すると、これに続いて演出抽選を行い、取得した変動パターンコマンドで特定される演出概要を更に具体化している。例えば、リーチ演出や予告演出について、その具体的な内容が決定される。そして、決定された具体的な遊技内容にしたがい、LED群などの点滅によるランプ演出や、スピーカによる音声演出の準備動作を行うと共に、画像制御部23’に対して、ランプやスピーカによる演出動作に同期した画像演出に関する制御コマンドCMD’を出力する。
Therefore, when the change pattern command is acquired, the
このような演出動作に同期した画像演出を実現するため、演出制御部22’は、コマンド出力ポートPoを通して、画像制御部23’に対するストローブ信号(割込み信号)STB’と共に、16ビット長の制御コマンドCMD’を演出インタフェイス基板27に向けて出力している。なお、演出制御部22’は、図柄指定コマンドや、表示装置DSに関連する報知用制御コマンドや、その他の制御コマンドを受信した場合は、その制御コマンドを、16ビット長に纏めた状態で、割込み信号STB’と共に演出インタフェイス基板27に向けて出力している。
In order to realize such an image effect synchronized with the effect operation, the
上記した演出制御基板22の構成に対応して、演出インタフェイス基板27には出力バッファ45が設けられており、16ビット長の制御コマンドCMD’と1ビット長の割込み信号STB’を画像インタフェイス基板28に出力している。そして、これらのデータCMD’,STB’は、画像インタフェイス基板28を経由して、画像制御基板23に伝送される。
Corresponding to the configuration of the
また、演出インタフェイス基板27には、音声合成回路42から出力される音声信号を受けるデジタルアンプ46が配置されている。先に説明した通り、音声合成回路42は、3.3Vと1.8Vの電源電圧で動作しており、また、デジタルアンプ46は、電源電圧12VでD級増幅動作しており、消費電力を抑制しつつ大音量の音声演出を可能にしている。
The
そして、デジタルアンプ46の出力によって、遊技機上部の左右スピーカと、遊技機下部のスピーカとを駆動している。そのため、音声合成回路42は、3チャネルの音声信号を生成する必要があり、これをパラレル伝送すると、音声合成回路42とデジタルアンプ46との配線が複雑化する。
The left and right speakers at the upper part of the gaming machine and the speakers at the lower part of the gaming machine are driven by the output of the digital amplifier 46. Therefore, the
また、演出インタフェイス基板27には、ワンチップマイコン40のパラレル出力ポートPo’や、シリアルポートSIや出力される各種の信号を伝送する出力バッファ回路47,48,49が設けられている。ここで、出力バッファ47は、第0チャンネルのLED群に関連しており、ワンチップマイコン40が出力する各種のデータを、枠中継基板34に出力している。そして、出力された3ビットの信号は、枠中継基板34、及び、枠中継基板35を経由して、ランプ駆動基板36のドライバに伝送される。
The
同様に、出力バッファ48は、ワンチップマイコン40が出力する各種のデータを、ランプ駆動基板29のドライバに伝送しており、出力バッファ49は、各種のデータをランプ駆動基板30のドライバに伝送している。
Similarly, the
次に、以上の構成を有する実施例の遊技機GMについて、払出制御部24と演出制御部22のCPUが実行する制御動作について説明する。
Next, control operations executed by the CPUs of the
図11〜図12は、払出制御部24の制御動作を説明するフローチャートである。払出制御部24の制御動作は、CPUリセット後に実行されるメインルーチン(図11(a))と、一定時間毎に起動されるタイマ割込みルーチン(図12(a))とを含んで実現されている。
FIGS. 11 to 12 are flowcharts for explaining the control operation of the
メインルーチン(図11(a))の動作内容を説明すると、電源が投入されると、CPUは、自らを割込み禁止状態(DI)に設定した後(ST1)、シリアルポートSERIaを含んで、ワンチップマイコン各部の初期設定を行う(ST2)。 The operation content of the main routine (FIG. 11 (a)) will be described. When the power is turned on, the CPU sets itself to the interrupt disabled state (DI) (ST1) and then includes the serial port SERIa. Initial setting of each part of the chip microcomputer is performed (ST2).
次に、主制御部21からRAMクリア信号CLRが供給されているか否かをチェックする(ST3)。この実施例では、遊技ホールの営業開始時であって、特に係員がRAMクリアスイッチをON操作した場合にはRAMクリア信号CLRが供給されるが、停電からの復旧時を含め、通常はRAMクリア信号CLRが供給されない。 Next, it is checked whether or not the RAM clear signal CLR is supplied from the main control unit 21 (ST3). In this embodiment, the RAM clear signal CLR is supplied when the game hall is in operation, particularly when the clerk turns on the RAM clear switch. The signal CLR is not supplied.
そして、RAMクリア信号CLRが供給されない場合には、電源監視処理(図12(a))の処理で記憶されるバックアップフラグBAKFLGの値をチェックする(ST4)。そして、BAKFLG=5AHであれば、次に、電源監視処理における処理と同様のチェックサム演算を実行してサム値を算出し(ST5)、これが、RAM領域に記憶されているサム値と一致するか否かを確認する(ST6)。そして、メインルーチンで算出したサム値と、電源監視処理(ST31)で記憶されたサム値とが一致する場合には、電源遮断前の処理を再開できると思われるので、バックアップフラグBAKFLGをクリアする(ST7)。 When the RAM clear signal CLR is not supplied, the value of the backup flag BAKFLG stored in the power monitoring process (FIG. 12A) is checked (ST4). If BAKFLG = 5AH, then the same checksum operation as in the power monitoring process is executed to calculate the sum value (ST5), which matches the sum value stored in the RAM area. Whether or not (ST6). If the sum value calculated in the main routine matches the sum value stored in the power supply monitoring process (ST31), it is considered that the process before power-off can be resumed, so the backup flag BAKFLG is cleared. (ST7).
一方、(1) ステップST3の判定の結果、RAMクリア信号CLRがON状態であるか、(2) ステップST4の判定の結果、バックアップフラグが5AH以外の値であるか、或いは、(3) ステップST6のサムチェックで異常が認められた場合には、RAM領域を全てクリアする(ST8)。 On the other hand, (1) as a result of the determination in step ST3, the RAM clear signal CLR is in an ON state, (2) as a result of the determination in step ST4, the backup flag is a value other than 5AH, or (3) step If an abnormality is recognized in the ST6 check, all the RAM areas are cleared (ST8).
次に、CPUは、強誘電体メモリFeRAM用の書込ポインタPNTを、強誘電体メモリFeRAMの先頭アドレス−1の値に初期設定する共に、強誘電体メモリFeRAMの先頭アドレスに、EOFデータ(クリアデータ)を書込む(ST9)。先に説明した通り、本実施例では、払出制御部24が、毎日、強誘電体メモリFeRAMの先頭アドレスから、順番に、賞球実績データを記憶する一方で(Writeアクセス)、その賞球実績データを、適宜なタイミングで、演出制御部22が読み出すように構成されている(Readアクセス)。
Next, the CPU initializes the write pointer PNT for the ferroelectric memory FeRAM to the value of the leading address-1 of the ferroelectric memory FeRAM, and at the same time, sets the EOF data ( Clear data) is written (ST9). As described above, in this embodiment, the
また、この実施例では、賞球動作として遊技者に払出された払出個数は、その累積値が、変数NUMで管理されており、払出個数NUMが基準値MAX(例えば50個)に達する毎に、賞球実績データとして、払出制御部24の強誘電体メモリFeRAMに順番に記憶されている(図12(c)、図11(c)参照)。なお、強誘電体メモリFeRAMに、賞球実績データが記憶されたことに対応して、払出個数NUMの一部が清算される。具体的には、図12(c)のステップ45で、NUM←NUM−MAXの演算を実行する。
In this embodiment, the number of payouts paid out to the player as a winning ball motion is managed by the variable NUM, and every time the payout number NUM reaches a reference value MAX (for example, 50). The award ball performance data is sequentially stored in the ferroelectric memory FeRAM of the payout control unit 24 (see FIGS. 12C and 11C). Incidentally, a part of the payout number NUM is settled corresponding to the fact that the winning ball performance data is stored in the ferroelectric memory FeRAM. Specifically, in
また、強誘電体メモリFeRAMの書込みアドレス位置は、払出制御部24の書込ポインタPNTで管理されており、払出制御部24が賞球実績データを記憶した後は、その次のアドレス位置に、EOFデータを書込んでいる(図11(c)参照)。そして、強誘電体メモリFeRAMをReadアクセスする演出制御部22は、このEOFデータを確認することで、それ以降のアドレスには賞球実績データが存在しないと判断している。
Further, the write address position of the ferroelectric memory FeRAM is managed by the write pointer PNT of the
そのため、本実施例では、払出制御部24が、強誘電体メモリFeRAMに、当日分の賞球実績データを書込む以前に、演出制御部22が、強誘電体メモリFeRAMをReadアクセスする可能性も考慮して、強誘電体メモリFeRAMの先頭アドレス位置にEOFデータを書込んでいる(図11(a)のST9)。
Therefore, in the present embodiment, there is a possibility that the
以上のような意義を有する強誘電体メモリFeRAMの書込み処理(ST9)が終わると、CPUを割込み許可状態に設定して(ST10)、無限ループ処理を繰り返す。CPUが割込み許可状態になると、その後のタイマ割込みによって、図12(a)に示す定期処理(ST30〜ST40)が実行される。 When the writing process (ST9) of the ferroelectric memory FeRAM having the above significance is completed, the CPU is set to the interrupt permitting state (ST10), and the infinite loop process is repeated. When the CPU enters an interrupt enabled state, the periodic processing (ST30 to ST40) shown in FIG. 12A is executed by a subsequent timer interrupt.
図11(b)は、強誘電体メモリFeRAMへの書込み処理(ST9)の動作内容を詳細に示すフローチャートである。具体的に確認すると、CPUは、Listen(a)パルスを出力して(ST11)、所定時間後にResponse(a)信号を取得する(ST12)。そして、Response(a)がHレベルに変化したことで、強誘電体メモリFeRAMがBusy状態でないことが確認されると、LレベルのCSaバー信号を出力する(ST17)。なお、強誘電体メモリFeRAMがBusy状態であれば、繰り返し回数CNTをカウントしつつ、待機時間をおいて再トライする(ST14〜ST15)。なお、強誘電体メモリFeRAMがBusy状態を継続する異常時にはエラー処理を実行する(ST16)。 FIG. 11B is a flowchart showing in detail the operation content of the writing process (ST9) to the ferroelectric memory FeRAM. Specifically, the CPU outputs a Listen (a) pulse (ST11), and obtains a Response (a) signal after a predetermined time (ST12). When it is confirmed that the response (a) is changed to the H level and the ferroelectric memory FeRAM is not in the Busy state, an L-level CSa bar signal is output (ST17). If the ferroelectric memory FeRAM is in the Busy state, the number of repetitions CNT is counted and a retry is made after a standby time (ST14 to ST15). Note that error processing is executed when the ferroelectric memory FeRAM is abnormal in which the Busy state is continued (ST16).
一方、強誘電体メモリFeRAMが非Busy状態であった場合には、ステップST17の処理に続いて、強誘電体メモリFeRAMに対して、SWEコマンドの出力処理(ST18)、WRITEコマンドの出力処理(ST19)、書込みアドレスの出力処理(ST20)を実行した上で、EOFデータの出力処理を実行する(ST21)。 On the other hand, if the ferroelectric memory FeRAM is in the non-busy state, subsequent to the processing in step ST17, the SWE command output processing (ST18) and the WRITE command output processing (to the ferroelectric memory FeRAM) ( ST19) After executing the write address output process (ST20), the EOF data output process is executed (ST21).
この動作によって、強誘電体メモリFeRAMに対して、図11(d)に示す書込み動作が実現されることになる。なお、前述した通り、この時の書込みアドレスは、強誘電体メモリFeRAMの先頭番地である(ST9)。そして、以上の処理が終われば、HレベルのCSaバー信号を出力すると共に(ST22)、CLR(a)パルスを出力して処理を終える(ST23)。 By this operation, the write operation shown in FIG. 11D is realized for the ferroelectric memory FeRAM. As described above, the write address at this time is the head address of the ferroelectric memory FeRAM (ST9). When the above processing is completed, an H-level CSa bar signal is output (ST22), and a CLR (a) pulse is output to complete the processing (ST23).
続いて、図12(a)を参照しつつ、払出制御部24のタイマ割込みルーチンについて、その特徴部分を中心に説明する。タイマ割込みルーチンでは、電圧降下信号ABNを監視する電源監視処理が実行される(ST31)。
Next, the timer interrupt routine of the
この電源監視処理(ST31)では、バックアップフラグBAKFLGの設定処理や、ステップST5の場合と同じ演算処理が実行されるが、これらに加えて、図12(b)に示す処理が実行される。 In this power supply monitoring process (ST31), the backup flag BAKFLG setting process and the same calculation process as in step ST5 are executed. In addition to these, the process shown in FIG. 12B is executed.
すなわち、書込ポインタPNTをインクリメントした上で(ST41)、その時の払出個数NUMを、強誘電体メモリFeRAMのPNT番地に書込むと共に、その次のアドレスにEOFデータを書込む(ST42)。このような処理を実行するのは、遊技機の電源が遮断される営業終了時に、それまでに強誘電体メモリFeRAMに書込めていなかった(基準値MAXに満たない)賞球実績データを記憶するためである。 That is, after the write pointer PNT is incremented (ST41), the payout number NUM at that time is written to the PNT address of the ferroelectric memory FeRAM and EOF data is written to the next address (ST42). Such processing is executed when the game machine power supply is shut down and memorized the award ball performance data that has not been written in the ferroelectric memory FeRAM so far (below the reference value MAX). It is to do.
なお、ステップST42の処理に先行して、図11(b)に示す問合せ処理(ST11〜ST16)と、図12(d)に示す送信準備処理(ST17〜ST19)が実行され、賞球実績データとEOFデータの書込み後には(ST42)、図12(f)に示す送信終了処理(ST22〜ST23)が実行されるのは勿論である。 Prior to the processing of step ST42, the inquiry processing (ST11 to ST16) shown in FIG. 11B and the transmission preparation processing (ST17 to ST19) shown in FIG. Of course, after the writing of EOF data (ST42), the transmission end processing (ST22 to ST23) shown in FIG. 12 (f) is executed.
また、電源遮断時に記憶された、当日営業終了時の基準値MAXに満たない賞球実績データは、翌日の電源投入時に実行される、演出制御部22の初期設定処理(図13のST51参照)によってReadアクセスされ、演出制御部22の強誘電体メモリ38に取得される(図14(b)参照)。
In addition, prize ball performance data that is less than the reference value MAX at the end of business on the day stored when the power is shut off is executed when the power is turned on the next day, and the initial setting process of the effect control unit 22 (see ST51 in FIG. 13). Is read-accessed and acquired in the
以上のような意義を有する電源監視処理(ST31)が終われば、通常の払出制御部と同様の払出制御処理が実行されて(ST32〜ST40)、タイマ割込み処理が終わる。但し、本実施例では、賞球処理(ST37)として、図12(c)の処理が付加されている。 When the power supply monitoring process (ST31) having the above significance is finished, the payout control process similar to the normal payout control unit is executed (ST32 to ST40), and the timer interrupt process is finished. However, in the present embodiment, the process of FIG. 12C is added as the prize ball process (ST37).
すなわち、遊技者に賞球が払出された場合には、払出個数NUMを累積演算によって増加させ(ST43)、累積値NUMが基準値MAXを超えたか否かを判定する(ST44)。そして、累積値NUMが基準値MAXを超えた場合には、NUM←NUM−MAXの演算によって払出個数NUMを清算する(ST45)。 That is, when a prize ball is paid out to the player, the payout number NUM is increased by cumulative calculation (ST43), and it is determined whether or not the cumulative value NUM exceeds the reference value MAX (ST44). If the accumulated value NUM exceeds the reference value MAX, the payout number NUM is settled by the calculation of NUM ← NUM-MAX (ST45).
次に、書込ポインタPNTをインクリメントした後(ST46)、強誘電体メモリFeRAMのBusy状態を問合せ(ST47)と、図12(d)に示す送信準備処理を実行する(ST48)。そして、その後、データ書込み処理を実行する(ST49)。具体的には、図12(e)に示す通りであり、PNT値である書込みアドレス値を出力し(ST20)、強誘電体メモリFeRAMの該当番地(PNT番地)に規定値(FFH)を書込み(ST21)、その次のアドレスにEOFデータを書込む(ST21’)。そして、最後に、図12(f)に示す送信終了処理が実行する(ST50)。以上の処理によって、図12(g)に示す書込み処理が完了することになる。 Next, after the write pointer PNT is incremented (ST46), the busy state of the ferroelectric memory FeRAM is inquired (ST47), and the transmission preparation process shown in FIG. 12D is executed (ST48). Thereafter, a data writing process is executed (ST49). Specifically, as shown in FIG. 12E, a write address value which is a PNT value is output (ST20), and a specified value (FFH) is written to the corresponding address (PNT address) of the ferroelectric memory FeRAM. (ST21), EOF data is written to the next address (ST21 '). Finally, the transmission end process shown in FIG. 12 (f) is executed (ST50). With the above process, the write process shown in FIG. 12G is completed.
続いて、図13に基づいて、演出制御部22の動作について、その特徴部分を中心に説明する。演出制御部22の制御動作は、CPUリセット後に実行されるメインルーチン(図13(a))と、一定時間毎に起動されるタイマ割込みルーチン(不図示)と、時計IC(リアルタイムクロック)RTCからの割込みルーチン(図13(b))とを含んで実現されている。
Next, the operation of the
本実施例では、強誘電体メモリFeRAM(払出制御部24)の賞球実績データは、演出制御部22によって間欠的に取得され(Readアクセス)、リアルタイムクロックRTC(図8(b))から取得する時刻情報と共に、図14(b)に示す遊技管理リストTBL1(強誘電体メモリ38)に不揮発的に記憶される。この賞球実績データのReadアクセスには、読出ポインタPT1が使用され、賞球実績データの記憶動作には、書込ポインタPT2が使用されるが、これらポインタの値PT1,PT2は、演出制御部22の強誘電体メモリ38に不揮発的に保存されている。
In this embodiment, the winning ball result data of the ferroelectric memory FeRAM (payout control unit 24) is intermittently acquired by the effect control unit 22 (Read access) and acquired from the real-time clock RTC (FIG. 8B). Along with the time information, the game management list TBL1 (ferroelectric memory 38) shown in FIG. The read pointer PT1 is used for the Read access of the prize ball achievement data, and the write pointer PT2 is used for the storage operation of the prize ball achievement data. The values PT1 and PT2 of these pointers are used for the effect control unit. 22 is stored in the
また、主制御部21から受ける異常報知コマンドに基づいて特定されるエラー情報については、図14(c)に示すエラー管理リストTBL2(強誘電体メモリ38)に、リアルタイムクロックRTCから取得する時刻情報と共に不揮発的に記憶される。なお、このときに使用される書込ポインタPT3についても、演出制御部22の強誘電体メモリ38に不揮発的に保存されている。
For error information specified based on the abnormality notification command received from the
以上を踏まえて、メインルーチン(図13(a))について説明する。遊技機に電源が投入されると、CPUは、シリアルポートSERIbを含んで、ワンチップマイコン40各部を初期設定すると共に、リアルタイムクロックRTCの異常フラグFosを読出し、万一、異常フラグFosがセット状態であると、時刻異常を報知する(ST51)。
Based on the above, the main routine (FIG. 13A) will be described. When power is turned on to the gaming machine, the CPU initializes each part of the one-
先に説明した通り、セット状態の異常フラグFosは、電源遮断時に、リアルタイムクロックRTC用の二次電池BTに電圧降下があったことを意味している。本実施例の場合、異常フラグFosのセット状態は、その後も維持されるよう構成されているので、時刻異常の報知動作に対応して、係員がリアルタイムクロックRTCの時刻情報を再設定するなどの初期処理によって、異常フラグFosをリセットしない限り、その翌日も同じ時刻異常が報知されることになり、この結果として、リアルタイムクロックRTCの時刻情報の正当性が常に担保される。 As described above, the abnormal flag Fos in the set state means that there is a voltage drop in the secondary battery BT for the real-time clock RTC when the power is turned off. In the case of the present embodiment, the set state of the abnormality flag Fos is configured to be maintained thereafter, so that the clerk resets the time information of the real-time clock RTC in response to the time abnormality notification operation. As long as the abnormality flag Fos is not reset by the initial processing, the same time abnormality is notified on the next day, and as a result, the validity of the time information of the real-time clock RTC is always ensured.
また、初期設定処理として、払出制御部24の強誘電体メモリFeRAMから、前日の電源遮断前の未取得の賞球実績データを取得する(ST51)。具体的には、払出制御部24の強誘電体メモリFeRAMをReadアクセスして、前日の未取得分の払出個数を、読出ポインタPT1に基づいて取得し、取得した払出個数を、書込ポインタPT2に基づいて、演出制御部22の遊技管理リストTBL1に記憶する(図14(b)の最終欄参照)。なお、時刻情報として、前日の24時00分00秒を、遊技管理リストTBL1の該当欄に格納する。
In addition, as initial setting processing, unacquired winning ball result data before power-off of the previous day is acquired from the ferroelectric memory FeRAM of the payout control unit 24 (ST51). Specifically, the ferroelectric memory FeRAM of the
先に説明した通り、読出ポインタPT1と書込ポインタPT2は、演出制御部22の強誘電体メモリ38に不揮発的に保存されている。そこで、電源投入時の読出ポインタPT1の値に基づいて、払出制御部24の強誘電体メモリFeRAMの該当アドレスをReadアクセスし、その後、EOFデータを検出するまでRead動作を継続することで、前日の未取得分の払出個数を取得する。
As described above, the read pointer PT1 and the write pointer PT2 are stored in the
なお、このRead動作には、Listen(b)パルスの出力処理と、その後に取得するResponse(b)信号のレベル判定処理と、図13(d)に示す受信準備処理(RT17〜RT18)とが先行される。また、Read動作は、具体的には、図13(e)に示す通りであり、読出しアドレス(PT1値)の出力処理(RT20)と、強誘電体メモリFeRAM(払出制御部24)から読出したデータを、書込ポインタPT2の指示する遊技管理リストTBL1の該当欄に格納する処理(RT21)と、で構成されている。そして、最後に、図13(f)に示す受信終了処理が実行される。 The Read operation includes a Listen (b) pulse output process, a response (b) signal level determination process to be acquired thereafter, and a reception preparation process (RT17 to RT18) shown in FIG. Preceded. Further, the read operation is specifically as shown in FIG. 13 (e), in which the read address (PT1 value) output processing (RT20) and the ferroelectric memory FeRAM (payout control unit 24) read out. And processing (RT21) for storing data in the corresponding column of the game management list TBL1 indicated by the write pointer PT2. Finally, the reception end process shown in FIG. 13 (f) is executed.
図14(b)は、初期処理(ST51)を終えた後の遊技管理リストTBL1を示しており、その最終欄に、24時00分00秒の賞球実績(最終個数)として、初期処理(ST51)で取得した賞球実績データ(137個)が記載されている。本実施例では、このような初期処理(ST51)を設けるので、規定値(例えば50個)毎に、払出制御部24の強誘電体メモリFeRAMに記憶される払出数を、演出制御部22が間欠的にReadアクセスするにも拘わらず、前日の払出個数を、演出制御部22が正確に把握することができる。なお、初期処理(ST51)を終えた後、読出ポインタPT1は、払出制御部24の強誘電体メモリFeRAMの初期位置を指示するべく初期設定される。
FIG. 14B shows the game management list TBL1 after the completion of the initial process (ST51), and in the final column, the award ball performance (final number) of 24:00:00 is displayed as the initial process ( The prize ball performance data (137 pieces) acquired in ST51) is described. In the present embodiment, since such an initial process (ST51) is provided, the
その後は、タイマ割込み処理(不図示)による割込み回数が15回を超える毎に、演出制御部22としての通常の演出制御処理(ST53〜ST59)を実行する。但し、本実施例では、コマンド解析処理(ST54)として、図13(c)の処理が付加されている。
Thereafter, every time the number of interruptions by the timer interruption process (not shown) exceeds 15, the normal production control process (ST53 to ST59) as the
すなわち、主制御部21から変動パターンコマンドを受信した場合には、賞球実績を更新するか否かを、所定の更新条件に基づいて判定する。更新条件は、適宜に設定されるが、この実施例では、(1)ハズレ状態の変動パターンコマンドを5回連続で受信すること、または、(2)大当り状態の変動パターンコマンドを受信すること、を更新条件としている。なお、大当り状態は、確変当りと、非確変当りに区別される。
That is, when a variation pattern command is received from the
一方、このような更新条件を満たさない場合には、次に、異常報知コマンドを受けた否かを判定する(ST71)。先に説明した通り、この実施例では、(1)磁石や振動を検知する異常時、(2)不正電波を検知する異常時、(3)図柄始動口15などが不合理に解放された異常時、(4)普通入賞口17などの異常検知時、及び(5)ドア開放時などに、主制御部21から、その旨の異常報知コマンドが送信されるよう構成されている。
On the other hand, if such an update condition is not satisfied, it is next determined whether or not an abnormality notification command has been received (ST71). As described above, in this embodiment, in this embodiment, (1) abnormalities in detecting magnets and vibrations, (2) abnormalities in detecting illegal radio waves, (3) abnormalities in which the symbol start opening 15 is unreasonably released The
そこで、このような異常報知コマンドを受けた演出制御部22では、リアルタイムクロックRTCをアクセスして時刻情報を取得し、取得した時刻情報と異常報知コマンドを対応させて、強誘電体メモリ38のエラー管理リストTBL2(図14(c))の該当欄に記憶する。なお、エラー管理リストTBL2の該当欄は、書込ポインタPT3によって特定される。
Therefore, the
また、このとき、遊技管理リストTBL1の記憶内容を取得して、それまでの累積払出数を特定して、エラー管理リストTBL2の該当欄に記憶する。なお、遊技管理リストTBL1からのデータRead動作や、エラー管理リストTBL2へのデータWrite動作は、通常のSRAMへのランダムアクセスと同様の手順で実行されるので、特別な制御処理(アクセス処理)が必要とされることはない。 At this time, the storage contents of the game management list TBL1 are acquired, the cumulative payout number so far is specified, and stored in the corresponding column of the error management list TBL2. Since the data read operation from the game management list TBL1 and the data write operation to the error management list TBL2 are executed in the same procedure as the random access to the normal SRAM, a special control process (access process) is performed. It is never needed.
このように、本実施理例では、異常報知コマンドを受ける毎に、それまでの累積払出数を記憶するので、上記した(1)〜(5)の異常報知コマンドを受けた後の払出数を、その次に異常報知コマンドを受けたタイミングで把握することができる。そして、異常報知コマンドの受信頻度や、最初に異常報知コマンドを受けた後の払出個数などを総合評価して適切な異常報知動作を実行することができる。 In this way, in this embodiment, every time an abnormality notification command is received, the cumulative number of payouts so far is stored, so the number of payouts after receiving the above-described abnormality notification commands (1) to (5) is calculated. Then, it can be grasped at the timing of receiving the abnormality notification command. An appropriate abnormality notification operation can be executed by comprehensively evaluating the reception frequency of the abnormality notification command, the number of payouts after receiving the abnormality notification command for the first time, and the like.
以上、異常報知コマンドについて説明したので、続いて、変動パターンコマンドを受けた場合について説明する。変動パターンコマンドを受けた場合であって、前記した遊技実績データの更新条件を満たす場合には、払出制御部24の強誘電体メモリFeRAMについて、読出ポインタPT1が指示する読出しアドレスからReadアクセスを開始し、EOFデータを取得するまで、賞球実績データとして、規定値FFHを繰り返し取得する(ST62)。なお、この取得動作においても、Listen(b)パルスの出力処理と、その後に取得するResponse(b)信号のレベル判定処理と、図13(d)に示す受信準備処理(RT17〜RT18)とが先行される。
The abnormality notification command has been described above. Next, a case where a variation pattern command is received will be described. When the change pattern command is received and the update condition of the game performance data is satisfied, the read access is started from the read address indicated by the read pointer PT1 for the ferroelectric memory FeRAM of the
また、Read動作(規定値FFHの取得処理)は、具体的には、図13(e)と同様に実行されるが、ステップST62の処理では、取得した規定値FFHの総和(賞球実績データ)を、適宜なワークエリアに一時保存する。そして、図13(f)に示す受信終了処理を実行した後、読出しポインタPT1の値を、規定値FFHの取得回数に対応して増加更新する(ST63)。 Further, the Read operation (the process of acquiring the specified value FFH) is specifically executed in the same manner as in FIG. 13E, but in the process of step ST62, the total of the acquired specified values FFH (prize ball performance data) ) Is temporarily saved in an appropriate work area. Then, after the reception end process shown in FIG. 13 (f) is executed, the value of the read pointer PT1 is increased and updated corresponding to the number of acquisitions of the specified value FFH (ST63).
次に、リアルタイムクロックRTCをアクセスして、その時の年月日及び現在時刻を取得する。なお、このアクセス時には、リアルタイムクロックRTCのBusyフラグを判定して、リアルタイムクロックRTCが時刻更新処理を終えた後の時刻情報を取得する。そして、取得した時刻情報と、賞球実績データの総和値とを対応させて、書込ポインタPT2が指示する遊技管理リストTBL1(強誘電体メモリ38)の記憶位置に記憶する。 Next, the real-time clock RTC is accessed, and the current date and time are acquired. At the time of this access, the Busy flag of the real-time clock RTC is determined, and time information after the real-time clock RTC finishes the time update process is acquired. Then, the acquired time information and the total value of the prize ball performance data are associated with each other and stored in the storage position of the game management list TBL1 (ferroelectric memory 38) indicated by the writing pointer PT2.
その後、書込ポインタPT2を更新した上で、書込ポインタPT2と読出ポインタPT1の値を、強誘電体メモリ38(演出制御部22)の該当領域に記憶する(ST64)。なお、この記憶動作は、通常のSRAMへの書込み動作と同一であり、払出制御部24の強誘電体メモリFeRAMをアクセスする場合のような手続きは不要である。
Thereafter, the write pointer PT2 is updated, and the values of the write pointer PT2 and the read pointer PT1 are stored in the corresponding area of the ferroelectric memory 38 (effect control unit 22) (ST64). This storage operation is the same as a normal write operation to the SRAM, and a procedure as in the case of accessing the ferroelectric memory FeRAM of the
図14(b)は、演出制御部22の強誘電体メモリ38に配置された遊技管理リストTBL1を例示した図面であり、ある営業日(○年○月○日)の営業途中から営業終了までの賞球実績データを示している。この例では、営業途中から非確変当りの変動パターンコマンドを受けるまでの払出個数が△個となっている(第1記載欄)。そして、その後、ハズレ状態の変動パターンコマンドを10回連続で受けているが、最初の5回の払出個数が○個で、次の5回の払出個数が●個である(第2〜3記載欄)。
FIG. 14B is a drawing illustrating an example of the game management list TBL1 arranged in the
次に、確変当りの変動パターンコマンドを受けるまでの払出個数が□個、ハズレ状態の変動パターンコマンドを5回受けた後の払出個数が△個である(第4〜5記載欄)。その後、第6記載欄に示される通り、確変当りの変動パターンコマンドを受けるものの(払出個数■個)、ハズレ状態の変動パターンコマンドを5回未満受けた可能性の後、非確変当りの変動パターンコマンドを受けている(第6記載欄:払出個数▽個)。そして、その後は、ハズレ状態の変動パターンコマンドを5回未満受けた可能性を含んで、最終の払出個数が137個となっている。 Next, the number of payouts until the variation pattern command per probability change is received is □, and the number of payouts after receiving the variation pattern command in the lost state is Δ (columns 4-5). After that, as shown in the sixth column, after receiving a variation pattern command per probability variation (number of payouts ■), after the possibility of receiving the variation pattern command of the loss state less than 5 times, the variation pattern per non-probability variation The command is received (sixth column: number of payouts ▽). After that, the final number of payouts is 137 including the possibility that the change pattern command in the lost state is received less than 5 times.
この遊技管理リストTBL1は、演出制御部22の強誘電体メモリ38に配置されており、上記の記憶データを永続的に保持できるので、賞球払出個数の推移だけでなく、大当り状態となった回数や、確変当りと非確変当りの各回数や、連チャン回数などを、営業日を超えて記憶保存することができる。
This game management list TBL1 is arranged in the
なお、この遊技機では、確変当り状態となると、その後の大当り抽選の当選確率が上がる上に、電動式チューリップの開放時間が長い「電チューサポート」と称される遊技状態に移行するが、電チューサポートの遊技状態は、非確変当りの変動パターンコマンドを受けると終了する。一般に、遊技者は、この電チューサポート期間を連チャンなどと称するが、本実施例によれば、この連チャン期間での払出個数を正確に記憶することもできる。例えば、図14(b)の場合には、確変当りの変動パターンコマンドを受けてから、非確変当りの変動パターンコマンドを受けるまでの払出個数は、△+■+▽個である。 In this gaming machine, when a probable hit state is reached, the winning probability of the subsequent big hit lottery rises and the electric tulip is opened for a long time called `` electric chew support ''. The game state of the chew support is terminated when a variation pattern command per uncertain variation is received. In general, a player calls this electric chew support period as a continuous chain or the like, but according to the present embodiment, the number of payouts in the continuous channel period can be accurately stored. For example, in the case of FIG. 14B, the number of payouts from receiving the variation pattern command per probability variation until receiving the variation pattern command per non-probability variation is Δ + ■ + ▽.
本実施例では、遊技者にとって有益な上記のような情報が、演出制御部22の強誘電体メモリ38に長期間にわたって保存されるので、その遊技機の遊技状態の統計的に把握することもできる。図13(b)に示す集計割込み処理は、そのための処理であり、例えば、毎週金曜日の21時50分には、リアルタイムクロックRTCから受ける割込み信号IRQに基づいて適宜な集計処理が実行される(ST60)。
In the present embodiment, the above-mentioned information useful for the player is stored in the
なお、この集計処理では、図14(b)の遊技管理リストTBL1に基づく統計処理だけでなく、図14(c)のエラー管理リストTBL2に基づく集計処理も実行される。統計処理は、強誘電体メモリ38(演出制御部22)をアクセスして実行されるが、通常のSRAMと同様の手順でランダムアクセスできるので、如何に複雑高度な統計処理を実行しても、そのための処理時間が長引くことはなく、演出制御部22の他の制御動作に悪影響を与えることはない。また、仮に、営業終了直前に、集計割込み処理が開始されても、必要な統計処理を、営業終了までに確実に完了させることができる。
In this tabulation process, not only statistical processing based on the game management list TBL1 of FIG. 14B but also tabulation processing based on the error management list TBL2 of FIG. 14C is executed. The statistical processing is executed by accessing the ferroelectric memory 38 (the production control unit 22). However, since it can be randomly accessed in the same procedure as a normal SRAM, no matter how complicated and advanced statistical processing is executed, Therefore, the processing time is not prolonged, and other control operations of the
以上の通り、本実施例では、払出制御部と演出制御部にランダムアクセス可能な不揮発性メモリを配置するので、遊技実績を長期間にわたって記憶保持することができる。 As described above, in the present embodiment, since the non-volatile memory that can be randomly accessed is arranged in the payout control unit and the effect control unit, the game performance can be stored and held for a long period of time.
以上、実施例について詳細に説明したが、具体的な記載内容は特に本発明を限定するものではない。例えば、実施例では、ランダムアクセス可能な不揮発性メモリとして、強誘電体メモリ(Ferroelectric Random Access Memory)を使用したが、何ら限定されず、例えば、磁気抵抗メモリ(Magnetoresistive RAM)などを使用するのも好適である。 Although the embodiments have been described in detail above, the specific description does not particularly limit the present invention. For example, in the embodiment, a ferroelectric memory (Ferroelectric Random Access Memory) is used as a non-volatile memory that can be randomly accessed. However, the present invention is not limited at all. For example, a magnetoresistive memory (Magnetoresistive RAM) may be used. Is preferred.
また、払出制御部24に、SPI(Serial Peripheral Interface )方式で動作する素子を配置し、演出制御部22に通常のSRAMと同等のアクセス手順で動作する素子を配置したが何ら限定されない。すなわち、払出制御部24に通常のSRAMと同等のアクセス手順で動作する不揮発性メモリを配置し、その記憶内容を、必要時に、演出制御部22が取得する構成を採っても良い。
In addition, an element that operates according to an SPI (Serial Peripheral Interface) method is arranged in the
なお、演出制御部22が、払出制御部24に配置された不揮発性メモリを直接的にReadアクセスする構成を採ると、追加してアドレスバスの配線が必要となるので、演出制御部22からの要求信号(好適には1ビット信号)に応答して、払出制御部24が不揮発性メモリの内容を読出し、これを演出制御部22にシリアル送信するのが好適である。
If the
また、実施例では、エラー報知コマンドについて主制御部21から演出制御部22にパラレル送信しているが、これをシリアル送信するのも好適である。この場合には、演出制御部22に、SPI方式で動作する不揮発性メモリを配置すれば、主制御部がこれを直接的にWriteアクセスすることもできる。
In the embodiment, the error notification command is transmitted in parallel from the
なお、このような場合も含め、同一のメモリ素子を複数のCPUでアクセスする場合には、異なるCPUからの同時アクセスの衝突を防止する必要があり、図4と同様のアクセス制御回路が必要となる。しかし、図4のような回路構成において、CLRパルスのCPUからの供給は必須ではなく、むしろ、チップセレクト信号CSバーの立ち上げりエッジに同期して機能するワンショットマルチバイブレータなどによってCLRパルスを自動生成する方が好適である。 In addition, in the case where the same memory element is accessed by a plurality of CPUs including such a case, it is necessary to prevent a simultaneous access collision from different CPUs, and an access control circuit similar to FIG. 4 is required. Become. However, in the circuit configuration as shown in FIG. 4, it is not essential to supply the CLR pulse from the CPU. Rather, the CLR pulse is generated by a one-shot multivibrator that functions in synchronization with the rising edge of the chip select signal CS bar. It is preferable to generate automatically.
また、上記の実施例は、パチンコ機について説明したが、本発明の適用は、何ら弾球遊技機に限定されず、回胴遊技機(スロットマシン)に適用するのも好適である。例えば、主制御部とサブ制御部に区分されているスロットマシンであれば、何れか一方又は双方に、ランダムアクセス可能な不揮発性メモリを配置すれば、機器構成を複雑化することなく、主制御部及び/又はサブ制御部に、遊技実績を永続的に保存することができる。 In the above embodiment, a pachinko machine has been described. However, the application of the present invention is not limited to a ball game machine, and it is also suitable to be applied to a spinning machine (slot machine). For example, in the case of a slot machine divided into a main control unit and a sub-control unit, if a non-volatile memory capable of random access is arranged in one or both, the main control can be performed without complicating the device configuration. The game performance can be permanently stored in the department and / or the sub-control part.
遊技実績を特定する情報としては、例えば、(1)遊技者の獲得メダル数(=払出メダル数−消費メダル数)の履歴情報、(2)ビックボーナスやレギュラーボーナスと称される大当りゲーム(ボーナスゲーム)に関する履歴情報、(3)AT(アシストタイム)やART(アシストリプレイタイム)などを含む遊技者支援に関する履歴情報、(4)疑似ボーナスに関する履歴情報などが含まれる。なお、疑似ボーナスの当選確率に影響を与える遊技状態として、「潜在モード」が設けられている遊技機では、このような遊技状態に関する履歴情報も含まれる。なお、ATやARTや疑似ボーナスの当否抽選をサブ制御部で実行する場合には、上記全ての遊技実績をサブ制御部で把握することができ、メモリ容量に法的制限のないサブ制御部に永続的に記憶保持することができる。 Examples of information for identifying the game results include (1) history information on the number of medals earned by the player (= the number of paid-out medals−the number of consumed medals), and (2) a big hit game (bonus called “big bonus” or “regular bonus”). History information regarding (game), (3) history information regarding player support including AT (assist time) and ART (assist replay time), and (4) history information regarding pseudo bonus. It should be noted that the gaming machine provided with the “latent mode” as a gaming state that affects the winning probability of the pseudo bonus includes history information relating to such a gaming state. If the sub-control unit executes AT / ART / pseudo-bonus winning lottery, the sub-control unit can grasp all the above-mentioned game results, and the sub-control unit has no legal restrictions on the memory capacity. It can be stored permanently.
また、上記の各実施例では、専ら、不揮発性メモリを使用したが、必ずしも、このような構成に限定されない。すなわち、例えば、主制御部又はサブ制御部に、図8(b)に示すようなリアルタイムクロックRTCを搭載する場合には、リアルタイムクロックRTCに供給する電源電圧で駆動されるSRAM(Static RAM)に遊技に関する履歴情報に記憶しても良い。なお、DRAM(Dynamic RAM )の使用が禁止されるものではないが、SRAMは、DRAMに比べ記憶保持状態での消費電力を大幅に抑制できるので、リアルタイムクロックRTCを組み合わせてSRAMを使用するのが好適である。 In each of the above embodiments, a non-volatile memory is exclusively used. However, the present invention is not necessarily limited to such a configuration. That is, for example, when the real-time clock RTC as shown in FIG. 8B is mounted in the main control unit or the sub-control unit, an SRAM (Static RAM) driven by the power supply voltage supplied to the real-time clock RTC is used. You may memorize | store in the historical information regarding a game. Although the use of DRAM (Dynamic RAM) is not prohibited, SRAM can significantly reduce the power consumption in the memory holding state as compared with DRAM, so it is necessary to use SRAM in combination with real-time clock RTC. Is preferred.
なお、何れの場合も、揮発性メモリにバックアップされた履歴情報は、リアルタイムクロックRTCから定期的(例えば、所定曜日の所定時刻)に受ける割込み信号IRQに基づいて、適宜に集計されるのが好ましい(ST60参照)。 In any case, it is preferable that the history information backed up in the volatile memory is appropriately tabulated based on the interrupt signal IRQ periodically (for example, a predetermined time on a predetermined day of the week) received from the real-time clock RTC. (Refer to ST60).
GM 遊技機
21 主制御手段
22’ 演出制御部(サブ制御手段)
24 払出制御手段(サブ制御手段)
FeRAM 不揮発性メモリ
24 Dispensing control means (sub-control means)
FeRAM non-volatile memory
Claims (10)
前記主制御手段、及び/又は、サブ制御手段には、ランダムアクセス可能であって、書込み動作と読出し動作とが実行可能な不揮発性メモリが配置されており、
前記不揮発性メモリには、その遊技機の遊技実績を示すデータが、不揮発的に記憶されるよう構成されていることを特徴とする遊技機。 A gaming machine provided with main control means for centrally controlling game operations and sub-control means for executing control operations based on control commands received from the main control means,
The main control means and / or the sub-control means is provided with a non-volatile memory that can be randomly accessed and can perform a write operation and a read operation.
A gaming machine, wherein the nonvolatile memory is configured to store data indicating gaming results of the gaming machine in a nonvolatile manner.
The gaming machine according to claim 1, wherein the nonvolatile memory is a ferroelectric memory or a magnetoresistive memory.
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JP2017169813A (en) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 株式会社ユニバーサルエンターテインメント | Game machine |
JP2020000322A (en) * | 2018-06-26 | 2020-01-09 | 株式会社三共 | Game machine |
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