JP2015132567A - 電流センサ - Google Patents

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孝昌 金原
Takamasa Kanehara
金原  孝昌
江介 野村
Kosuke Nomura
江介 野村
亮輔 酒井
Ryosuke Sakai
亮輔 酒井
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Abstract

【課題】磁電変換素子から出力される電気信号の誤差を低減することができる構成を備えた電流センサを提供する。【解決手段】第1パッド22、第2パッド23、第3パッド32、及び第4パッド33は、搭載基板10の一面11の上方から当該一面11側を見たときに第1ワイヤ40と第2ワイヤ50とが交差するように設けられている。これにより、磁電変換素子21側の第1領域A1と、処理回路部31側の第2領域A2が形成される。このため、第1領域A1及び第2領域A2に磁束が貫通したときに各領域A1、A2に発生した誘起起電力が互いに相殺されるので、磁電変換素子21から出力される電気信号が誘起起電力の影響を受けにくくなる。したがって、磁電変換素子21から処理回路部31に出力される電気信号の誤差を低減することができる。【選択図】図1

Description

本発明は、被測定電流を測定する電流センサに関する。
従来より、バスバーに流れる被測定電流を測定する電流センサが、例えば特許文献1で提案されている。具体的には、センサ基板、回路基板、及び搭載基板を備えた電流センサの構成が提案されている。センサ基板は、被測定電流から発せられる磁界(磁束)を電気信号に変換する磁電変換素子を有している。回路基板は、磁電変換素子の電気信号に基づいて被測定電流の電流値を算出する処理回路を有している。また、搭載基板は一面を有し、この一面にセンサ基板と回路基板とを搭載している。
上記の構成において、センサ基板の磁電変換素子と回路基板の処理回路とは複数のワイヤを介して電気的に接続されている。複数のワイヤは並列に配置されている。これにより、処理回路から1本のワイヤ、磁電変換素子、及び他の1本のワイヤを経由して処理回路に戻る電気経路が形成されている。
特開2013−242301号公報
しかしながら、上記従来の技術では、バスバーに被測定電流として交流電流が流れた場合、交流電流によって発生した交流磁場が上記の電気経路に囲まれた領域を貫通する。これにより、交流磁場の変動に応じた誘導起電力が電気経路に発生してしまう。このため、磁電変換素子から処理回路に出力される電気信号に誘導起電力が重畳することで電気信号に誤差が生じてしまうという問題があった。
本発明は上記点に鑑み、磁電変換素子から出力される電気信号の誤差を低減することができる構成を備えた電流センサを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、被測定電流から生じる磁束を電気信号に変換する磁電変換素子(21)と、磁電変換素子(21)に電気的に接続された第1パッド(22)及び第2パッド(23)と、が設けられたセンサチップ(20)を備えている。
また、磁電変換素子(21)から電気信号を入力して当該電気信号に基づいて被測定電流の電流値を取得する処理回路部(31)と、処理回路部(31)に電気的に接続された第3パッド(32)及び第4パッド(33)と、が設けられた回路チップ(30)を備えている。
さらに、一面(11)を有し、当該一面(11)にセンサチップ(20)及び回路チップ(30)が搭載された搭載基板(10)と、第1パッド(22)と第3パッド(32)とを電気的に接続する第1ワイヤ(40)と、第2パッド(23)と第4パッド(33)とを電気的に接続する第2ワイヤ(50)と、を備えている。
処理回路部(31)から第3パッド(32)、第1ワイヤ(40)、第1パッド(22)、磁電変換素子(21)、第2パッド(23)、第2ワイヤ(50)、及び第4パッド(33)を経由して処理回路部(31)に戻る経路が形成されている。
第1パッド(22)、第2パッド(23)、第3パッド(32)、及び第4パッド(33)は、搭載基板(10)の一面(11)の上方から当該一面(11)側を見たときに第1ワイヤ(40)と第2ワイヤ(50)とが交差するように設けられている。
そして、第1ワイヤ(40)及び第2ワイヤ(50)は、搭載基板(10)の一面(11)の上方から当該一面(11)側を見たときに交差する部分が互いに離間していることを特徴とする。
これによると、搭載基板(10)の一面(11)の上方から当該一面(11)側を見たときに、処理回路部(31)、第1ワイヤ(40)、磁電変換素子(21)、及び第2ワイヤ(50)を経由して処理回路部(31)に戻る経路が八の字になる。すなわち、磁電変換素子(21)側の第1領域(A1)と、処理回路部(31)側の第2領域(A2)が形成される。このため、第1領域(A1)及び第2領域(A2)に磁束が貫通したときに各領域(A1、A2)に発生した誘起起電力が互いに相殺されるので、磁電変換素子(21)から出力される電気信号が誘起起電力の影響を受けにくくなる。したがって、磁電変換素子(21)から処理回路部(31)に出力される電気信号の誤差を低減することができる。
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
本発明の第1実施形態に係る電流センサの構成図である。 図1の各ワイヤと各パッドの配置を具体的に示した平面図である。 第1ワイヤと第2ワイヤを交差させない場合のセンサチップ及び回路チップの平面図である。 第1ワイヤと第2ワイヤを交差させたときの効果を説明するためのセンサチップ及び回路チップの平面図である。 第2実施形態に係る各パッドの配置を示した平面図である。 第3実施形態に係る各パッドの配置を示した平面図である。 第4実施形態に係る各パッドの配置を示した平面図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る電流センサは、例えば、三相交流電動機に接続されるバスバーに流れる被検出電流を検出するものである。
図1に示されるように、電流センサ1は、搭載基板10、センサチップ20、回路チップ30、第1ワイヤ40、第2ワイヤ50、電源用ワイヤ60、GND用ワイヤ70、リード80、及びモールド樹脂90を備えて構成されている。
搭載基板10は、一面11を有している。搭載基板10は、一面11にセンサチップ20及び回路チップ30を搭載している。
センサチップ20は、外部の磁場の影響を受けたときに抵抗値が変化する磁電変換素子21を有する板状のチップ部品である。磁電変換素子21は、検出対象であるバスバー100に流れる被測定電流から生じる磁束を電気信号に変換する素子である。
磁電変換素子21は、図示しない4つの磁気抵抗素子によって構成されたブリッジ回路を有している。したがって、磁電変換素子21は、各磁気抵抗素子が外部の磁場の影響を受けたときの抵抗値の変化に基づいて電気信号を出力する。すなわち、この電気信号はブリッジ回路の各中点の電圧である。
また、センサチップ20は、第1パッド22、第2パッド23、第1第1電源用パッド24、及び第1GND用パッド25を有している。これら第1パッド22、第2パッド23、第1電源用パッド24、及び第1GND用パッド25は、センサチップ20の表面に金属薄膜がパターニングされることで形成されている。
第1パッド22及び第2パッド23は、磁電変換素子21に電気的に接続されている。これにより、第1パッド22から磁電変換素子21を介して第2パッド23に至る電気的な経路が形成されている。
第1電源用パッド24は磁電変換素子21のブリッジ回路に電源電圧を印加するためのパッドである。第1GND用パッド25は磁電変換素子21のブリッジ回路にGND電圧を印加するためのパッドである。これら第1電源用パッド24及び第1GND用パッド25は、磁電変換素子21のブリッジ回路に電気的に接続されている。
回路チップ30は、処理回路部31を有する板状のチップ部品である。処理回路部31は、センサチップ20の磁電変換素子21から電気信号を入力して当該電気信号に基づいて被測定電流の電流値を取得するように形成されている。このような処理回路部31は、電気信号を信号増幅して出力するように構成された信号増幅回路や、増幅処理された電気信号から電流値を演算する演算回路を有して構成されている。なお、処理回路部31は、ブリッジ回路に電源電圧を印加するための電源回路等も有している。
また、回路チップ30は、第3パッド32、第4パッド33、第2電源用パッド34、及び第2GND用パッド35を有している。これら第3パッド32、第4パッド33、第2電源用パッド34、及び第2GND用パッド35は、回路チップ30の表面に金属薄膜がパターニングされることで形成されている。
第3パッド32及び第4パッド33は、処理回路部31に電気的に接続されている。これにより、第3パッド32から処理回路部31の信号処理回路を介して第4パッド33に至る電気的な経路が形成されている。
第2電源用パッド34は磁電変換素子21のブリッジ回路に電源電圧を印加するためのパッドである。第2GND用パッド35は磁電変換素子21のブリッジ回路にGND電圧を印加するためのパッドである。第2電源用パッド34及び第2GND用パッド35は、処理回路部31の電源回路に電気的に接続されている。
第1ワイヤ40は、第1パッド22と第3パッド32とを電気的に接続する配線部品である。また、第2ワイヤ50は、第2パッド23と第4パッド33とを電気的に接続する配線部品である。
これら第1ワイヤ40及び第2ワイヤ50によって、処理回路部31から第3パッド32、第1ワイヤ40、第1パッド22、磁電変換素子21、第2パッド23、第2ワイヤ50、及び第4パッド33を経由して処理回路部31に戻る経路が形成されている。
電源用ワイヤ60は、センサチップ20の第1電源用パッド24と回路チップ30の第2電源用パッド34とを電気的に接続する配線部品である。また、GND用ワイヤ70は、センサチップ20の第1GND用パッド25と回路チップ30の第2GND用パッド35とを電気的に接続する配線部品である。
リード80は、外部と回路チップ30とを電気的に接続するための端子部品である。本実施形態では、複数のリード80が当該リード80の長手方向に垂直な方向に並べられている。そして、各リード80がワイヤ81を介して回路チップ30と電気的に接続されている。
モールド樹脂90は、リード80のうち搭載基板10側とは反対側の部分すなわちアウターリードの部分が露出するように、各部品を封止している。これにより、電流センサ1はモールドIC化されている。モールド樹脂90の材料として、例えばエポキシ樹脂等が採用される。
以上が、本実施形態に係る電流センサ1の全体構成である。上記の構成を有する電流センサ1は、図1に示されるように、バスバー100に組み付けられる。
次に、センサチップ20と回路チップ30とを電気的に接続する第1パッド22、第2パッド23、第3パッド32、第4パッド33、第1ワイヤ40、及び第2ワイヤ50について説明する。
図1に示されるように、第1パッド22、第2パッド23、第3パッド32、及び第4パッド33は、搭載基板10の一面11の上方から当該一面11側を見たときに第1ワイヤ40と第2ワイヤ50とが交差するようにそれぞれ設けられている。
具体的には、図2に示されるように、センサチップ20の第1パッド22及び回路チップ30の第4パッド33は、搭載基板10の一面11の面方向においてセンサチップ20と回路チップ30とが並べられた方向に平行な第1直線L1上に配置されている。また、センサチップ20の第2パッド23及び回路チップ30第3パッド32は、搭載基板10の一面11の面方向においてセンサチップ20と回路チップ30とが並べられた方向に平行な第2直線L2上に配置されている。
さらに、センサチップ20において、第1パッド22及び第2パッド23は、搭載基板10の一面11の面方向において第1直線L1に垂直な第3直線L3上に配置されている。また、回路チップ30において、第3パッド32及び第4パッド33は、搭載基板10の一面11の面方向において第2直線L2に垂直な第4直線L4上に配置されている。
このような各パッド22、23、32、33の配置によって、第1ワイヤ40及び第2ワイヤ50は搭載基板10の一面11の面方向において交差している。ここで、第1ワイヤ40及び第2ワイヤ50は、搭載基板10の一面11の上方から当該一面11側を見たときに交差する部分が互いに離間している。すなわち、第1ワイヤ40及び第2ワイヤ50は、搭載基板10の一面11の面方向においては交差しているが、搭載基板10の一面11に垂直な方向においては接触しておらず、電気的に分離されている。
続いて、上記のように、第1ワイヤ40と第2ワイヤ50とを交差させた構造の作用効果について説明する。まず、図3に示されるように、第1ワイヤ40と第2ワイヤ50とが交差していない構造、すなわち第1ワイヤ40が第1パッド22と第4パッド33とを繋ぐと共に、第2ワイヤ50が第2パッド23と第3パッド32とを繋ぐ構造を考える。
この構造では、搭載基板10の一面11の上方から当該一面11側を見たとき、第1パッド22、磁電変換素子21、第2パッド23、第2ワイヤ50、第3パッド32、処理回路部31、第4パッド33、及び第1ワイヤ40によって囲まれた一つの領域A3が形成される。この領域A3の面積をSaとする。
そして、バスバー100に流れた被測定電流によって交流磁場110が発生するとする。これにより、領域A3に交流磁場110が印加されると、起電力εa=dΦa/dt=Sa×(dB/dt)が発生する。ΦaはSaを貫く磁束である。磁電変換素子21から出力される電気信号の変化は非常に小さな信号であるので、この起電力εaが処理回路部31に入力されることで電気信号に誤差が発生してしまう。
一方、図4に示されるように、本実施形態では第1ワイヤ40と第2ワイヤ50とが交差している。この構造では、搭載基板10の一面11の上方から当該一面11側を見たとき、第1パッド22、磁電変換素子21、第2パッド23、第1ワイヤ40と第2ワイヤ50との交点で囲まれた第1領域A1が形成される。この第1領域A1の面積を第1面積Sb1とする。
また、搭載基板10の一面11の上方から当該一面11側を見たとき、第3パッド32、処理回路部31、第4パッド33、第1ワイヤ40と第2ワイヤ50との交点で囲まれた第2領域A2が形成される。この第2領域A2の面積を第2面積Sb2とする。
これら各領域A1、A2に交流磁場110が印加されると、第1領域A1には起電力εb1=Sb1×(dB/dt)が発生する。また、第2領域A2には起電力εb2=Sb2×(dB/dt)が発生する。
しかしながら、これら各起電力εb1、εb2は互いに逆方向に発生するので、互いに打ち消し合う。これは、搭載基板10の一面11の上方から当該一面11側を見たときに、第1領域A1の第1面積Sb1と第2領域A2の第2面積Sb2とが同等になるように、各パッド22、23、32、33が配置されたことによる。これにより、第1領域A1及び第2領域A2の各面積を同等にすることができる。
そして、第1領域A1及び第2領域A2は隣接しているため、各領域A1、A2を貫く磁束密度は同等であることから、各領域A1、A2の面積が同等になっていることにより各起電力の差を小さくすることができる。つまり、各起電力を相殺することが可能となり、ひいては電気信号の誤差を低減することができる。
以上説明したように、本実施形態では搭載基板10の一面11の上方から当該一面11側を見たときに、第1ワイヤ40と第2ワイヤ50を交差させている。このため、処理回路部31、第1ワイヤ40、磁電変換素子21、及び第2ワイヤ50を経由して処理回路部31に戻る経路を八の字に構成することができる。これにより、第1領域A1及び第2領域A2に磁束が貫通したときに各領域A1、A2に発生した誘起起電力を互いに相殺することができる。したがって、磁電変換素子21から出力される電気信号が誘起起電力の影響を受けにくくなり、ひいては電気信号の誤差を低減することができる。
また、三相交流電動機は3本のバスバー100が配置されているので、電流センサ1は測定対象のバスバー100よりも測定対象外のバスバー100から交流磁場110の影響を受けやすい。このような状況においては、本実施形態に係る構成は電気信号の誤差を低減することについて特に効果がある。
(第2実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図5に示されるように、第1パッド22が第3直線L3上を第2パッド23から所定距離だけ離れて配置されている。一方、第3パッド32が第4直線L4上を第4パッド33から上記の所定距離と同じ距離だけ離れて配置されている。このように第1パッド22及び第3パッド32をずらしても、第1領域A1の第1面積Sb1と第2領域A2の第2面積Sb2とが同等になるようにすることができる。
(第3実施形態)
本実施形態では、第1、第2実施形態と異なる部分について説明する。図6に示されるように、第1パッド22が第1直線L1上を回路チップ30から所定距離だけ離れて配置されている。一方、第3パッド32が第2直線L2上をセンサチップ20から上記の所定距離と同じ距離だけ離れて配置されている。このように第1パッド22及び第3パッド32をずらしても、第1領域A1の第1面積Sb1と第2領域A2の第2面積Sb2とが同等になるようにすることができる。
(第4実施形態)
本実施形態では、第1〜第3実施形態と異なる部分について説明する。図7に示されるように、第1パッド22が第2パッド23から離れるように第1直線L1及び第3直線L3から所定距離だけ離れて配置されている。一方、第3パッド32が第4パッド33から離れるように第2直線L2及び第4直線L4から上記の所定距離と同じ距離だけ離れて配置されている。このようにしても、第1領域A1の第1面積Sb1と第2領域A2の第2面積Sb2とが同等になるようにすることができる。
(他の実施形態)
上記各実施形態で示された電流センサ1の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、磁電変換素子21が複数のブリッジ回路を備えている場合、ブリッジ回路毎に2本のワイヤを設け、これらを交差させれば良い。
第2〜第4実施形態では、第1領域A1及び第2領域A2の面積を同等にしつつ、第1パッド22及び第3パッド32の位置を変更する例を示したが、これらは一例である。したがって、第2パッド23及び第4パッド33の位置を変更しても良いし、全てのパッド22、23、32、33の位置を適宜変更しても良い。
上記各実施形態では、電流センサ1は三相交流電動機に接続されるバスバー100に流れる被検出電流を測定するように構成されていたが、これは電流センサ1の適用の一例である。したがって、測定対象はバスバー100に限られず、他の用途に用いられる配線に電流センサ1を適用しても良い。
上記各実施形態では、第1領域A1と第2領域A2の面積が同様になるように構成されていたが、必ずしも同等でなくても良い。すなわち、第1領域A1と第2領域A2が構成されたこと自体で誘起起電力を互いに打ち消し合わせることができ、ひいては電気信号の誤差を低減できるからである。
20 センサチップ
21 磁電変換素子
22 第1パッド
23 第2パッド
30 回路チップ
31 処理回路部
32 第3パッド
33 第4パッド
40 第1ワイヤ
50 第2ワイヤ

Claims (3)

  1. 被測定電流から生じる磁束を電気信号に変換する磁電変換素子(21)と、前記磁電変換素子(21)に電気的に接続された第1パッド(22)及び第2パッド(23)と、が設けられたセンサチップ(20)と、
    前記磁電変換素子(21)から前記電気信号を入力して当該電気信号に基づいて前記被測定電流の電流値を取得する処理回路部(31)と、前記処理回路部(31)に電気的に接続された第3パッド(32)及び第4パッド(33)と、が設けられた回路チップ(30)と、
    一面(11)を有し、当該一面(11)に前記センサチップ(20)及び前記回路チップ(30)が搭載された搭載基板(10)と、
    前記第1パッド(22)と前記第3パッド(32)とを電気的に接続する第1ワイヤ(40)と、
    前記第2パッド(23)と前記第4パッド(33)とを電気的に接続する第2ワイヤ(50)と、を備え、
    前記処理回路部(31)から前記第3パッド(32)、前記第1ワイヤ(40)、前記第1パッド(22)、前記磁電変換素子(21)、前記第2パッド(23)、前記第2ワイヤ(50)、及び前記第4パッド(33)を経由して前記処理回路部(31)に戻る経路が形成された電流センサであって、
    前記第1パッド(22)、前記第2パッド(23)、前記第3パッド(32)、及び前記第4パッド(33)は、前記搭載基板(10)の一面(11)の上方から当該一面(11)側を見たときに前記第1ワイヤ(40)と前記第2ワイヤ(50)とが交差するように設けられており、
    前記第1ワイヤ(40)及び前記第2ワイヤ(50)は、前記搭載基板(10)の一面(11)の上方から当該一面(11)側を見たときに交差する部分が互いに離間していることを特徴とする電流センサ。
  2. 前記搭載基板(10)の一面(11)の上方から当該一面(11)側を見たときに、前記磁電変換素子(21)、前記第1ワイヤ(40)、前記第2ワイヤ(50)によって囲まれた第1領域(A1)の第1面積と、前記処理回路部(31)、前記第1ワイヤ(40)、前記第2ワイヤ(50)によって囲まれた第2領域(A2)の第2面積と、が同等になるように、前記第1パッド(22)及び前記第2パッド(23)が前記センサチップ(20)に設けられていると共に、前記第3パッド(32)及び前記第4パッド(33)が前記回路チップ(30)に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。
  3. 前記第1パッド(22)及び前記第4パッド(33)は、前記搭載基板(10)の一面(11)の面方向において前記センサチップ(20)と前記回路チップ(30)とが並べられた方向に平行な第1直線(L1)上に配置されており、
    前記第2パッド(23)及び前記第3パッド(32)は、前記搭載基板(10)の一面(11)の面方向において前記センサチップ(20)と前記回路チップ(30)とが並べられた方向に平行な第2直線(L2)上に配置されており、
    前記第1パッド(22)及び前記第2パッド(23)は、前記センサチップ(20)において、前記搭載基板(10)の一面(11)の面方向において前記第1直線(L1)に垂直な第3直線(L3)上に配置されており、
    前記第3パッド(32)及び前記第4パッド(33)は、前記回路チップ(30)において、前記搭載基板(10)の一面(11)の面方向において前記第2直線(L2)に垂直な第4直線(L4)上に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電流センサ。
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