JP2015127089A - 被加工物のスライス方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ウエハ等の半導体基板の貼り付きによる割れを低減できる被加工物のスライス方法を提供すること。
【解決手段】 上面を接着層を介してスライスベースに固定された被加工物の下面と、走行している複数列に張られたワイヤとを接触させ、前記被加工物を前記下面から前記上面に向かって切断していく加工工程を有する被加工物のスライス方法であって、前記加工工程は、前記ワイヤに第1スラリーを供給しながら、前記接着層に前記ワイヤの一部が接触する直前まで前記被加工物を切断する第1加工工程と、前記ワイヤの一部が前記接着層に接触しているときに、前記第1加工工程の終了時における前記第1スラリーの粘度よりも低い粘度の第2スラリーを前記ワイヤに供給しながら、前記被加工物を切断する第2加工工程とを含む。
【選択図】 図2
【解決手段】 上面を接着層を介してスライスベースに固定された被加工物の下面と、走行している複数列に張られたワイヤとを接触させ、前記被加工物を前記下面から前記上面に向かって切断していく加工工程を有する被加工物のスライス方法であって、前記加工工程は、前記ワイヤに第1スラリーを供給しながら、前記接着層に前記ワイヤの一部が接触する直前まで前記被加工物を切断する第1加工工程と、前記ワイヤの一部が前記接着層に接触しているときに、前記第1加工工程の終了時における前記第1スラリーの粘度よりも低い粘度の第2スラリーを前記ワイヤに供給しながら、前記被加工物を切断する第2加工工程とを含む。
【選択図】 図2
Description
本発明は、例えば半導体ブロックなどの被加工物のスライス方法に関する。
ワイヤソー装置によるスライス方法には、遊離砥粒タイプおよび固着砥粒タイプが知られている。遊離砥粒タイプは、分散剤を含む添加剤およびクーラント(分散媒)を含んだクーラント含有液と、砥粒とからなるスラリーを供給することによって、ワイヤのラッピング作用で半導体ブロックをスライスして半導体基板を作製する方式である。
遊離砥粒タイプの場合は、粘度の変動を抑えてスライス開始からスライス終了までの間の切削性を維持できるように、被加工物のスライスを行うことによって、被加工物の切断面の品質を一定に保つことができる(例えば、下記の特許文献1を参照)。
スラリーの粘度を高く一定にしてスライス工程を行うと、ラッピング作用が維持されて切断面の品質を一定に保てる。ところが、スライスベースのスライス時、またはスライスベースと被加工物との界面の有機系接着剤を用いた接着層のスライス時においても、スラリー粘度を高く一定にしてスライスを行うと、スライスされた半導体基板間のスラリーの表面張力の影響によって、半導体基板同士が貼り付いて割れが発生することがある。
そこで、本発明の1つの目的は、割れの発生を低減できる半導体ブロックなどの被加工物のスライス方法を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る被加工物のスライス方法は、上面を接着層を介してスライスベースに固定された被加工物の下面と、走行している複数列に張られたワイヤとを接触させ、前記被加工物を前記下面から前記上面に向かって切断していく加工工程を有する被加工物のスライス方法であって、前記加工工程は、前記ワイヤに第1スラリーを供給しながら、前記接着層に前記ワイヤの一部が接触する直前まで前記被加工物を切断する第1加工工程と、前記ワイヤの一部が前記接着層に接触しているときに、前記第1加工工程の終了時における前記第1スラリーの粘度よりも低い粘度の第2スラリーを前記ワイヤに供給しながら、前記被加工物を切断する第2加工工程とを含む。
上記の被加工物のスライス方法によれば、加工工程でスライスされたウエハ等の半導体基板同士の貼り付きによる割れの発生率を低減することができる。
以下、本発明に係る被加工物のスライス方法の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図1,4,5のそれぞれは模式的に示したものであるので、これら図面における各構成要素のサイズおよび位置関係は適宜変更できる。
<ワイヤソー装置による半導体ブロックおよびスライス方法の概要>
図1に示すように、遊離砥粒タイプのワイヤソー装置Wを用いる。ワイヤソー装置Wに用いるワイヤ11は、スラリーが供給されながら走行する。スライスベース2に接着層である第1接着層41を介して上面が固定された被加工物の直方体状の半導体ブロック(以下、ブロックという)1の下面と、走行しているワイヤ11とを接触させて、ブロック1をスライスし、複数枚のウエハ等の半導体基板を製造する。
図1に示すように、遊離砥粒タイプのワイヤソー装置Wを用いる。ワイヤソー装置Wに用いるワイヤ11は、スラリーが供給されながら走行する。スライスベース2に接着層である第1接着層41を介して上面が固定された被加工物の直方体状の半導体ブロック(以下、ブロックという)1の下面と、走行しているワイヤ11とを接触させて、ブロック1をスライスし、複数枚のウエハ等の半導体基板を製造する。
ブロック1は、不図示のインゴットの端部を切断することで形成される。このようなインゴットは、例えば単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなる。
チョクラルスキー法などによって育成した単結晶シリコンのインゴットを用いる場合、通常、インゴットは円柱形状である。このため、高さ方向に四箇所の端部を切断することによって、断面形状が略矩形(正方形状を含む)のブロック1を得ることができる。なお、以下、上記断面形状において角部が円弧状を有するものまたは角部が面取りされたものを略矩形とみなす。
鋳造法などによって得られた多結晶シリコンのインゴットを用いる場合は、インゴットは例えば直方体状であり、通常、さらに複数本の小ブロックを取り出すことができる大きさを有している。このような場合、ブロック1の断面形状が略矩形であり、例えば、156mm×156mm×300mmの直方体状に形成される。
本実施形態では、スライス工程は少なくとも第1加工工程および第2加工工程を含む。第1加工工程では、ワイヤ11に第1スラリーを供給しながら、ブロック1とスライスベース2とを固定している第1接着層41にワイヤ11の一部が接触する直前までブロック1を切断する工程を行う。また、第2加工工程では、ワイヤ11の一部がブロック1とスライスベース2とを固定している第1接着層41に接触しているときからワイヤ11がスライスベース2に接触しているときに、第1加工工程終了時の第1スラリーの粘度よりも
低い粘度の第2スラリーをワイヤ11に供給しながら、ブロック1を切断する工程を行う。
低い粘度の第2スラリーをワイヤ11に供給しながら、ブロック1を切断する工程を行う。
<スライス工程>
以下に、ブロック1のスライス工程について詳述する。
以下に、ブロック1のスライス工程について詳述する。
ブロック1は、カーボン、ガラスまたは樹脂等の材質からなるスライスベース2上に接着剤などからなる第1接着層41を介して固定される。また、スライスベース2は、特に限定はされないがSUS(ステンレス)またはアルミニウム等の材質からなるプレート材3上に接着剤などからなる第2接着層42を介して固定される。上記接着剤としては、熱硬化型二液性のエポキシ系、アクリル系もしくはアクリレート系の樹脂またはワックスなどを用いる。特に、上記接着剤は、スライス後に得られた半導体基板をスライスベース2から剥離しやすくするために、加熱することで接着力が低下する材料が好適に用いられる。
図1に示すように、ワイヤ11は、供給リール15から供給されて、巻取リール16に巻きとられる。ワイヤ11は、供給リール15と巻取リール16との間において、複数のメインローラ13に巻かれ、複数のメインローラ13間において複数本に張られている。ワイヤ11は、例えば鉄または鉄合金を主成分とするピアノ線からなり、線径は80〜180μm、より好ましくは80〜120μmである。ワイヤ11には、切断部近傍に設けられた供給ノズル12より、走行しているワイヤ11に向かってスラリーが供給される。供給されるスラリーは、例えば炭化ケイ素、アルミナまたはダイアモンド等の砥粒と、砥粒を分散させるためのクーラント(分散媒)と、スラリーのpH、粘度または比重などを調整するためのpH調整剤、防錆剤などの添加物とを混合して構成される。また、砥粒をクーラントに均一に分散させるために、分散剤、界面活性剤などの分散効果を有する添加剤をさらに混合してもよい。なお、クーラントおよび添加剤を含んだ溶液をクーラント含有液ということとする。
ワイヤ11は供給リール15から供給され、ガイドローラ17によってメインローラ13に案内される。そして、ワイヤ11をメインローラ13に巻きつけてワイヤ11同士を所定間隔に配列している。
本実施形態においては、遊離砥粒タイプのワイヤソー装置Wを用いているので、砥粒を含むスラリーをワイヤ11に供給することによって、ワイヤ11のラッピング作用でブロック1をスライスする。
ブロック1のスライスは、まず、ブロック1とスライスベース2とを固定したプレート材3をネジまたはクランプによってワイヤソー装置W内の装置固定体18に固定する。そして、高速に走行しているワイヤ11に向かってスラリーを供給しながら、ブロック1を下降させて、ワイヤ11にブロック1を相対的に押圧することによってブロック1はスライスされる。これにより、ブロック1は、例えば厚さ200μm以下の複数枚の半導体基板に分割される。このとき、ワイヤ11の張力、ワイヤ11が走行する速度(走行速度)、および、ブロック1を下降させる速度(フィード速度)は、それぞれ適宜制御されている。例えば、ワイヤ11の最大走行速度は、500m/分以上1200m/分以下に設定され、最大フィード速度は350μm/分以上1100μm/分以下に設定される。
メインローラ13は、例えば、エステル系、エーテル系もしくは尿素系のウレタンゴム、またはポリエチレン系等の表層を形成する樹脂からなり、直径150〜500mm、長さ200〜1000mm程度の大きさを有している。メインローラ13の表面には、供給リール15から供給されたワイヤ11を所定の間隔に配列させるための多数の溝が設けら
れている。これらの溝の間隔とワイヤ11の直径との関係によって半導体基板の厚みが定まる。
れている。これらの溝の間隔とワイヤ11の直径との関係によって半導体基板の厚みが定まる。
ディップ槽14は、スライス時に発生するブロック1の切削屑やスラリーの回収を目的としてワイヤ11を介したブロック1の下方に設けられる。
<スライス中のスラリー粘度>
本実施形態のスライス工程について、図1〜図5を参照しながら説明する。
本実施形態のスライス工程について、図1〜図5を参照しながら説明する。
まず、図1に示すように、上面が第1接着層41を介してスライスベース2に固定されたブロック1の下面を、走行している複数列に張られたワイヤ11に押し付け、ワイヤ11にスラリーを供給しながら、ブロック1を下面から上面に向かってスライスしていく。
第1加工工程中の第1スラリーの粘度は、図2(a)に示すように、常時一定に調整されてもよく、図2(b)に示すように、第1加工工程中に粘度が一定値以上変化しないように調整してもよい。このとき、第1スラリーの粘度は、変動の範囲が小さいほどよく、例えば、第1スラリーの粘度の変動の範囲が15mPa・s以下になるように調整することによって、ラッピング作用が一定に保持され、ブロック1の切断面の表面の品質を一定に保つことができる。なお、前記粘度の「s」は「秒」である。
調整された第1スラリーの粘度は、例えば150mPa・s以上165mPa・s以下が好ましい。なお、調整された第1スラリーの粘度は、スライスされる半導体基板の厚み、ワイヤ11の線径、ワイヤ11の走行速度、ブロック1のフィード速度などにより適宜変更される。
なお、図2(b)に示すように、第1スラリーの粘度が第1加工工程中に上昇する理由は、小さな切削屑が分離されずに第1スラリーに残留しているからである。つまり、後述する図3に示すように、ディップ槽14でブロック1の切削屑とともに回収される、切削屑の塊、スライスされたブロック1の割れた破片などのスラッジは、メッシュで分離されるが、小さな切削屑は分離されずに第1スラリーに残留する。次に、図4および図5に示すように、ブロック1のスライス開始直後から少なくともワイヤ11の一部が第1接着層41に接触する直前までのブロック1をスライスする第1加工工程は、高い粘度の第1スラリーが供給される。
次に、図5に示すように、少なくともワイヤ11の一部が第1接着層41に接触している第2加工工程は、第1加工工程終了時の第1スラリーよりも低い粘度を有する第2スラリーが供給される。そして、ワイヤ11がスライスベース2を半分程度スライスすることでスライスが終了する。
上記方法によって、第1加工工程において供給される第1スラリーが高い粘度で供給される。このため、ブロック1におけるワイヤ11の走行方向の下流側においてもスラリーがスライス幅全域で保持され、ブロック1のワイヤ走行方向の端部に生じ易いワイヤ痕等の不良の発生率が低減される。そして、第2加工工程において第2スラリーが低い粘度で供給されるため、ワイヤ11からブロック1の下部に垂れたスラリーが半導体基板間に残りにくくなり、表面張力による隣接する半導体基板の貼り付きの発生率が低減する。これにより、半導体基板の割れ欠け、半導体基板の洗浄ムラ等の不良率が低減する。また、第2加工工程において、ブロック1よりも第1接着層41およびスライスベース2の方が軟らかいため、ブロック1の上面端部に強い切削加重が加わり、スライス性が維持される。
第2スラリーの粘度は、例えば、第1加工工程終了時の第1スラリーの粘度と比較して
20mPa・s以上80mPa・s以下の範囲で低く、より好ましくは25mPa・s以上60mPa・s以下の範囲で低い。また、図2(a)および図2(b)に示すように、例えば、スライスが進行するに従って第2スラリーの粘度を減少させてもよい。図2(a)および図2(b)においては、第2加工工程に移行した後に、スラリーの粘度が減少し始めているが、第1加工工程の終了直前から、第1スラリーの粘度が減少し始めても本実施形態に含まれることはいうまでもない。
20mPa・s以上80mPa・s以下の範囲で低く、より好ましくは25mPa・s以上60mPa・s以下の範囲で低い。また、図2(a)および図2(b)に示すように、例えば、スライスが進行するに従って第2スラリーの粘度を減少させてもよい。図2(a)および図2(b)においては、第2加工工程に移行した後に、スラリーの粘度が減少し始めているが、第1加工工程の終了直前から、第1スラリーの粘度が減少し始めても本実施形態に含まれることはいうまでもない。
また、第1加工工程の終了直前からフィード速度を低下させることによって、ブロック1の切り終わり部におけるバリの発生が低減されるため、フィード速度を第1加工工程の終了直前からフィード速度を低下させることによりさらに不良率を低減することができる。
図3に示すように、スライス工程(ステップS1)で使用されるスラリーは、ワイヤ11を介してブロック1の下方に設けられたディップ槽14でブロック1の切削屑とともに回収される(ステップS2)。ディップ槽14で回収されたスラリーは、スラリータンクに設置されているメッシュを通して、ブロック1の切削屑の塊、スライスされたブロック1の割れた破片などがスラッジとして分離される(ステップS3)。そして、スラッジとして分離されなかった残りのスラリー成分は、スラリータンク中に供給されて、スラリータンク中の既存のスラリーと配合される(ステップS4)。そして、スラリータンク中のスラリーは、再度、スライス工程において使用される(ステップS1)。なお、図3に示すスラリーの循環において、メッシュを使用して分離されなかった小さな切削屑は、スラリータンク中および再度スライスに使用されるスラリー中に残留する。
次に、第1加工工程において供給される第1スラリーと、第2加工工程において供給される第2スラリーとの粘度変更の方法について説明する。
<温度上昇によるスラリーの粘度変更>
スラリーの粘度はスラリー温度を調整することによって変更できる。第2スラリーは、第1スラリーの温度よりも高温のスラリー温度にすることによって、第1加工工程終了時の第1スラリーよりも低い粘度を有する第2スラリーを供給できる。第2スラリーのスラリー温度は、第1スラリーのスラリー温度よりも5℃以上20℃以下、より好ましくは5℃以上12℃以下の範囲で高く設定すればよい。このように、スラリーの粘度をスラリー温度で調整することによって、スラリーの配合比率を調整することなく第1加工工程において供給される第1スラリーの粘度を第2加工工程において供給される第2スラリーの粘度まで低下させることができる。
スラリーの粘度はスラリー温度を調整することによって変更できる。第2スラリーは、第1スラリーの温度よりも高温のスラリー温度にすることによって、第1加工工程終了時の第1スラリーよりも低い粘度を有する第2スラリーを供給できる。第2スラリーのスラリー温度は、第1スラリーのスラリー温度よりも5℃以上20℃以下、より好ましくは5℃以上12℃以下の範囲で高く設定すればよい。このように、スラリーの粘度をスラリー温度で調整することによって、スラリーの配合比率を調整することなく第1加工工程において供給される第1スラリーの粘度を第2加工工程において供給される第2スラリーの粘度まで低下させることができる。
第1スラリーのスラリー温度は、スラリーの供給温度が高いほどクーラント(分散媒)等の蒸発によってスラリーに含まれるクーラント等の配合比率が変更する可能性があるため、第1スラリーのスラリー温度を室温以下で制御することが好ましい。その際、スラリー温度の制御のために、例えばスパイラル式熱交換器、多管式熱交換器などの冷却機構を用いる。
第2スラリーのスラリー温度は、例えばスパイラル式熱交換器、多管式熱交換器などを用いて調整される。第2スラリーのスラリー温度の調整は、第1スラリーのスラリー温度よりも5℃以上20℃以下の範囲で高くなるように温度を調整するか、または第1スラリーのスラリー温度を調整する冷却機構を停止すればよい。なお、第2スラリーのスラリー温度は、室温以上に制御されてもよい。
また、スラリーの回収機構を設けて再度利用する構造の場合には、ブロック1をスライスした際に生じるスラッジがスラリー中に含まれての粘度となる。その粘度が上昇するた
め、第1スラリーのスラリー温度を上昇させることによって、図2(a)に示すように、第1スラリーの粘度を一定に保持することができる。
め、第1スラリーのスラリー温度を上昇させることによって、図2(a)に示すように、第1スラリーの粘度を一定に保持することができる。
<クーラント含有液の配合比率変更によるスラリーの粘度変更>
スラリーの粘度はクーラントの配合比率を変更することによっても変更できる。第2スラリーは、第1加工工程終了時の第1スラリーよりも砥粒とクーラントあるいはクーラント含有液の配合比率を高くすることによって、第1スラリーよりも低い粘度を有する第2スラリーを供給できる。第1スラリーの比重が例えば1.62〜1.67に対して、第2加工工程で供給される第2スラリーの比重が例えば1.50〜1.60になるように、クーラントまたはクーラント含有液の配合比率が制御される。このように、砥粒とクーラント含有液の配合比率とによって比重を調整する。これにより、スラリーの供給温度を調整することなく、第1加工工程において供給される第1スラリーの粘度を、第2加工工程において供給される第2スラリーの粘度まで低下させることができる。
スラリーの粘度はクーラントの配合比率を変更することによっても変更できる。第2スラリーは、第1加工工程終了時の第1スラリーよりも砥粒とクーラントあるいはクーラント含有液の配合比率を高くすることによって、第1スラリーよりも低い粘度を有する第2スラリーを供給できる。第1スラリーの比重が例えば1.62〜1.67に対して、第2加工工程で供給される第2スラリーの比重が例えば1.50〜1.60になるように、クーラントまたはクーラント含有液の配合比率が制御される。このように、砥粒とクーラント含有液の配合比率とによって比重を調整する。これにより、スラリーの供給温度を調整することなく、第1加工工程において供給される第1スラリーの粘度を、第2加工工程において供給される第2スラリーの粘度まで低下させることができる。
なお、スラリーの回収機構を設けて再度利用する構造の場合には、ブロック1をスライスした際に生じるスラッジがスラリー中に含まれて粘度が上昇する。このため、図2(a)に示すように、スラリー中のクーラントまたはクーラント含有液の配合比率を上昇させることによって、第1スラリーの粘度が一定に保持される。
<粘度の異なるスラリーを2種類準備する場合>
図2(c)に示すように、スラリーの粘度は、あらかじめ粘度の異なる第1スラリーと第2スラリーとを、それぞれのスラリータンクに準備することによって、スラリーの粘度を変更することができる。第2スラリーは、第1加工工程終了時の第1スラリーよりも高温のスラリー温度にする、あるいは、砥粒とクーラントあるいはクーラント含有液の配合比率を高くして比重を低下させる、またはその両方によって、第1スラリーよりも低い粘度の第2スラリーを供給することができる。
図2(c)に示すように、スラリーの粘度は、あらかじめ粘度の異なる第1スラリーと第2スラリーとを、それぞれのスラリータンクに準備することによって、スラリーの粘度を変更することができる。第2スラリーは、第1加工工程終了時の第1スラリーよりも高温のスラリー温度にする、あるいは、砥粒とクーラントあるいはクーラント含有液の配合比率を高くして比重を低下させる、またはその両方によって、第1スラリーよりも低い粘度の第2スラリーを供給することができる。
粘度の異なる第1スラリーと第2スラリーとの2種類を準備する場合は、第1スラリーと第2スラリーとの供給ノズル12をそれぞれ設けてもよい(不図示)。また、第1スラリーを供給するスラリータンクと、第2スラリーを供給するスラリータンクとを供給ノズル12の間で接続させ、第1スラリーおよび第2スラリーのいずれか一方を供給するための制御を行う制御弁をスラリータンクと供給ノズル12の間に設けてもよい。
また、第1スラリーおよび第2スラリーを循環させて、それぞれのスラリータンクに回収されたスラリーを供給する場合は、ワイヤ11を介してブロック1の下方に設けられたディップ槽14からスラリータンクに設置されているメッシュへ供給する前に、第1スラリーまたは第2スラリーのスラリータンクへの供給を制御してもよい。また、メッシュを通してスラリータンクへ供給する際に、第1スラリーまたは第2スラリーのスラリータンクへの供給を制御してもよい。
<変形例>
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることが出来る。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることが出来る。
例えば、第2スラリーは、スラリー温度を変更しつつ、スラリーのクーラントまたはクーラント含有液の配合比率を変更して、第1スラリーよりも粘度を低くしてもよい。
また、第1スラリーの粘度は、図6(a)に示すように、一定のフィード位置ごとに調整してもよく、図6(b)に示すように、粘度が低い状態で第1加工工程開始直後から粘度を上昇させてもよい。つまり、ブロック1の下面と、走行しているワイヤ11とを接触
させた後に、第1スラリーの粘度を上昇させてもよい。第1加工工程開始直後は、図4に示すようなブロック1の切断中と比較して、ワイヤ11とブロック1との接触面積が少なく接触抵抗が小さい。このため、第1スラリーの粘度を低くすることによって、ワイヤ11に付着している第1スラリーの供給量が適量に調整されて、ブロック1の切断開始直後の切断面と第1加工工程中のブロック1の切断面との段差が小さくなる。なお、第1スラリーの粘度の変動の範囲が小さいほど、ラッピング作用が一定に保持される。例えば温度を調整後の第1スラリーの粘度の変動、または比重調整後の第1スラリーの粘度の変動が15mPa・s以下になるように調整することによって、ブロック1の切断面の表面の品質を一定に保つことができる。
させた後に、第1スラリーの粘度を上昇させてもよい。第1加工工程開始直後は、図4に示すようなブロック1の切断中と比較して、ワイヤ11とブロック1との接触面積が少なく接触抵抗が小さい。このため、第1スラリーの粘度を低くすることによって、ワイヤ11に付着している第1スラリーの供給量が適量に調整されて、ブロック1の切断開始直後の切断面と第1加工工程中のブロック1の切断面との段差が小さくなる。なお、第1スラリーの粘度の変動の範囲が小さいほど、ラッピング作用が一定に保持される。例えば温度を調整後の第1スラリーの粘度の変動、または比重調整後の第1スラリーの粘度の変動が15mPa・s以下になるように調整することによって、ブロック1の切断面の表面の品質を一定に保つことができる。
また、ディップ槽14で回収されたスラリーを再使用しなくてもよい。スラリーを循環させずに新しいスラリーを供給し続けることによって、ラッピング作用が一定に保持され、加工工程中の粘度の変化を低減することができる。
上述した実施形態を具体化した実施例およびその比較例について説明する。参照図面は、実施例1では図7、実施例2では図8、実施例3では図9、比較例では図10とする。また、ワイヤソー装置Wとして遊離砥粒タイプを用いて、ワイヤ11として鉄製の直径120μmのものを採用した。また、供給するスラリーは、砥粒にアルミナを用いて、水および水混和性溶媒のエタノールに対して、分散剤としてナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物を、pH調整剤として水酸化ナトリウムを、界面活性剤としてトリデカノールを、防錆剤として燐酸塩を、粘度調整のためにベントナイトを、それぞれ配合した。
<実施例1>
図1に示すワイヤソー装置Wを用いて、走行している複数列に張られたワイヤ11にスラリーを供給してシリコンからなるブロック1のスライスを行った。なお、スラリーはスラリーの回収機構を設けて再度利用した。第1加工工程において供給される第1スラリーは、図7に示すように、スライス開始時のスラリーのスラリー温度を18℃に制御した。18℃における第1スラリーの粘度は、150mPa・sであった。
図1に示すワイヤソー装置Wを用いて、走行している複数列に張られたワイヤ11にスラリーを供給してシリコンからなるブロック1のスライスを行った。なお、スラリーはスラリーの回収機構を設けて再度利用した。第1加工工程において供給される第1スラリーは、図7に示すように、スライス開始時のスラリーのスラリー温度を18℃に制御した。18℃における第1スラリーの粘度は、150mPa・sであった。
次に、第2加工工程において供給される第2スラリーは、図7に示すように、ワイヤの一部がブロック1とスライスベース2の間の第1接着層41に接触した時点で、スラリー温度を上昇させて粘度を低下させた。第2加工工程開始時の第2スラリーは、スラリー温度が18℃、粘度が158mPa・sであったが、スラリー温度を28℃まで上昇させ、第2スラリーの粘度は120mPa・sに制御した。
なお、第1スラリーの粘度の上昇は、第1スラリーのスラリー温度が一定であり第1加工工程中に発生して回収後に分離できなかった小さな切削屑などのスラッジが第1スラリー内に残留したためである。
<実施例2>
図1に示すワイヤソー装置Wを用いて、走行している複数列に張られたワイヤ11にスラリーを供給してブロック1のスライスを行った。なお、スラリーはスラリーの回収機構を設けて再度利用した。第1加工工程において供給される第1スラリーは、クーラント含有液の補充を行わなかった。そして、第1加工工程開始時のスラリーの比重が1.63でスラリー粘度が150mPa・sであった。また、第1加工工程終了時のスラリーの比重が1.65でスラリー粘度が158mPa・sであった。
図1に示すワイヤソー装置Wを用いて、走行している複数列に張られたワイヤ11にスラリーを供給してブロック1のスライスを行った。なお、スラリーはスラリーの回収機構を設けて再度利用した。第1加工工程において供給される第1スラリーは、クーラント含有液の補充を行わなかった。そして、第1加工工程開始時のスラリーの比重が1.63でスラリー粘度が150mPa・sであった。また、第1加工工程終了時のスラリーの比重が1.65でスラリー粘度が158mPa・sであった。
次に、第2加工工程において供給される第2スラリーは、図8に示すように、ワイヤ11の一部が第1接着層41に接触した時点で、クーラント含有液を補充して粘度を低下さ
せた。第2加工工程開始時の第2スラリーは、スラリーの比重が1.65、粘度が158mPa・sであったが、スラリーの比重を1.55まで低下させ、粘度を120mPa・sに制御した。
せた。第2加工工程開始時の第2スラリーは、スラリーの比重が1.65、粘度が158mPa・sであったが、スラリーの比重を1.55まで低下させ、粘度を120mPa・sに制御した。
なお、実施例2において、第1スラリーおよび第2スラリーの温度はいずれも18℃一定とした。また、第1スラリーの粘度の上昇は、第1加工工程中に発生して回収後に分離できなかった小さな切削屑などのスラッジが第1スラリー内に残留したためである。
<実施例3>
図1に示すワイヤソー装置Wを用いて、走行している複数列に張られたワイヤ11にスラリーを供給してブロック1のスライスを行った。なお、スラリーは回収機構を設けて再度利用した。なお、第1加工工程で使用する第1スラリーの温度は18℃に制御した。また、第2加工工程で使用する第2スラリーの温度は28℃に制御した。また、第1加工工程で使用される第1スラリーと、第2加工工程で使用される第2スラリーとを、別々のスラリータンクに準備した。
図1に示すワイヤソー装置Wを用いて、走行している複数列に張られたワイヤ11にスラリーを供給してブロック1のスライスを行った。なお、スラリーは回収機構を設けて再度利用した。なお、第1加工工程で使用する第1スラリーの温度は18℃に制御した。また、第2加工工程で使用する第2スラリーの温度は28℃に制御した。また、第1加工工程で使用される第1スラリーと、第2加工工程で使用される第2スラリーとを、別々のスラリータンクに準備した。
第1加工工程開始直後の第1スラリーの粘度は150mPa・sであり、第1加工工程終了直前の第1スラリーの粘度は158mPa・sであった。
次に、第2加工工程において供給される第2スラリーは、図9に示すように、ワイヤ11の一部が第1接着層41に接触した時点で、第1スラリーの供給を停止して第2スラリーの供給に切り替えた。第2加工工程開始時の第2スラリーの粘度は120mPa・sに制御した。
なお、第1スラリーの粘度の上昇は、第1スラリーのスラリー温度が一定であり、第1加工工程中に発生して回収後に分離できなかった小さな切削屑などのスラッジが第1スラリー内に残留したためである。
<比較例>
図1に示すワイヤソー装置Wを用いて、走行している複数列に張られたワイヤ11にスラリーを供給してブロックのスライスを行った。第1加工工程の第1スラリーのスラリー温度は18℃に制御した。
図1に示すワイヤソー装置Wを用いて、走行している複数列に張られたワイヤ11にスラリーを供給してブロックのスライスを行った。第1加工工程の第1スラリーのスラリー温度は18℃に制御した。
また、図10に示すように、第2加工工程における第2スラリーのスラリー温度は18℃に制御した。スラリーの粘度は、スライス開始時に150mPa・s、ワイヤ11の一部が第1接着層41に接触した時点で158mPa・s、スライスが全て終了した段階で158.1mPa・sであった。
なお、スライス工程中におけるスラリーの粘度の上昇は、スラリーのスラリー温度およびクーラント含有液と砥粒の比率が一定であり、スライス工程中に発生して回収後に分離できなかった小さな切削屑などのスラッジがスラリー内に残留したためである。
<スライス不良>
次に、実施例1、実施例2、実施例3および比較例の条件でシリコンインゴットのスライスを行った。そして、半導体基板同士の貼り付きに起因する半導体基板の割れ欠け、半導体基板の洗浄不良率を求めた。半導体基板の割れ欠け、半導体基板の洗浄不良率は、ブロック1から得られる半導体基板の全枚数(5000枚)に対して、不良と判断された半導体基板の枚数を比率とした。
次に、実施例1、実施例2、実施例3および比較例の条件でシリコンインゴットのスライスを行った。そして、半導体基板同士の貼り付きに起因する半導体基板の割れ欠け、半導体基板の洗浄不良率を求めた。半導体基板の割れ欠け、半導体基板の洗浄不良率は、ブロック1から得られる半導体基板の全枚数(5000枚)に対して、不良と判断された半導体基板の枚数を比率とした。
その結果、比較例では半導体基板同士の貼り付きに起因する半導体基板の割れ欠けが2
.5%、半導体基板同士の貼り付きやスラリーの残留に起因する半導体基板の洗浄不良が2.8%であった。それに対して、実施例1、実施例2および実施例3では、半導体基板同士の貼り付きに起因する半導体基板の割れ欠けが0%、半導体基板同士の貼り付きやスラリーの残留に起因する半導体基板の洗浄不良が、実施例1では0.2%、実施例2では0.3%、実施例3では0.28%であった。
.5%、半導体基板同士の貼り付きやスラリーの残留に起因する半導体基板の洗浄不良が2.8%であった。それに対して、実施例1、実施例2および実施例3では、半導体基板同士の貼り付きに起因する半導体基板の割れ欠けが0%、半導体基板同士の貼り付きやスラリーの残留に起因する半導体基板の洗浄不良が、実施例1では0.2%、実施例2では0.3%、実施例3では0.28%であった。
これらの結果は、第2加工工程において、粘度の低いスラリーを使用したことによって、スライス後における半導体基板間に存在するスラリーが残りにくくなったからである。そして、これにより、表面張力による隣接する半導体基板同士の貼り付きの発生が低減され、半導体基板の割れ欠けが低減し、スライス後の半導体基板の洗浄不良等の不良率が低減した。
1 :ブロック
2 :スライスベース
3 :プレート材
11 :ワイヤ
12 :供給ノズル
13 :メインローラ
14 :ディップ槽
15 :供給リール
16 :巻取リール
17 :ガイドローラ
18 :装置固定体
41 :第1接着層
42 :第2接着層
W :ワイヤソー装置
2 :スライスベース
3 :プレート材
11 :ワイヤ
12 :供給ノズル
13 :メインローラ
14 :ディップ槽
15 :供給リール
16 :巻取リール
17 :ガイドローラ
18 :装置固定体
41 :第1接着層
42 :第2接着層
W :ワイヤソー装置
Claims (6)
- 上面を接着層を介してスライスベースに固定された被加工物の下面と、走行している複数列に張られたワイヤとを接触させ、前記被加工物を前記下面から前記上面に向かって切断していく加工工程を有する被加工物のスライス方法であって、
前記加工工程は、前記ワイヤに第1スラリーを供給しながら、前記接着層に前記ワイヤの一部が接触する直前まで前記被加工物を切断する第1加工工程と、
前記ワイヤの一部が前記接着層に接触しているときに、前記第1加工工程の終了時における前記第1スラリーの粘度よりも低い粘度の第2スラリーを前記ワイヤに供給しながら、前記被加工物を切断する第2加工工程とを含む、被加工物のスライス方法。 - 前記第2スラリーは、前記第1加工工程の終了時における前記第1スラリーの粘度よりも20mPa・秒以上80mPa・秒以下の範囲内で低い粘度を有するものを用いる請求項1に記載の被加工物のスライス方法。
- 前記第2加工工程における前記第2スラリーの温度は、前記第1加工工程における前記第1スラリーの温度よりも高い請求項1または請求項2に記載の被加工物のスライス方法。
- 前記第2加工工程における前記第2スラリーは、前記第1加工工程の終了時における第1スラリーよりもクーラント含有液の配合比率が高いものを用いる請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の被加工物のスライス方法。
- 前記第1スラリーは、冷却機構を用いて温度制御を行う請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の被加工物のスライス方法。
- 前記第1スラリーは、前記被加工物の下面と、走行している前記ワイヤとを接触させた後に、粘度を上昇させる請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の被加工物のスライス方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014152262A JP2015127089A (ja) | 2013-11-29 | 2014-07-25 | 被加工物のスライス方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114958281A (zh) * | 2021-02-26 | 2022-08-30 | 天津市环智新能源技术有限公司 | 一种硅晶体粘接用胶水配制方法、粘接工艺及线切工艺 |
-
2014
- 2014-07-25 JP JP2014152262A patent/JP2015127089A/ja active Pending
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